収納容器、デバイス製造装置及びデバイス製造方法
【課題】収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、前記パターン面を保護するためのベースプレートと、前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、を有し、前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする収納容器を提供する。
【解決手段】基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、前記パターン面を保護するためのベースプレートと、前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、を有し、前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする収納容器を提供する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型レチクルを収納する収納容器、デバイス製造装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体デバイスを製造する際に、露光装置が使用されている。露光装置は、レチクル（マスク）のパターンを、投影光学系を介して、基板（ウエハなど）に投影してパターンを転写する。近年では、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いた露光装置（ＥＵＶ露光装置）の実用化も検討されている。
【０００３】
露光装置においては、レチクルのパターン面にパーティクルが付着すると、基板上の各ショット領域の同一位置に欠陥像として転写され、半導体デバイス製造の歩留まりや半導体デバイスの信頼性が大幅に低下してしまう。そこで、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザなどを用いた露光装置においては、レチクルのパターン面から数ｍｍ離れた位置にペリクル（透明保護膜）が設けられたレチクルが使用されている。ペリクルに付着したパーティクルは、レチクルのパターン面（即ち、投影光学系の物体面）からデフォーカスしているため、所定の大きさよりも小さいパーティクルであれば、基板上の各ショット領域に欠陥像として転写されることはない。但し、ＥＵＶ光に対して十分な透過率を有する材料が存在していないため、ＥＵＶ露光装置に使用されるレチクル（反射型レチクル）には、ペリクルを設けることができない。
【０００４】
ＥＵＶ露光装置では、ハーフピッチ２２ｎｍノード世代の半導体デバイスを製造することが考えられる。このようなＥＵＶ露光装置において、例えば、１００ｎｍのパーティクルがレチクルのパターン面に付着した場合、投影光学系の縮小倍率を１／４倍とすると、基板上では２５ｎｍとなるため、半導体デバイスの製造は不可能になる。実際には、ＥＵＶ露光装置において管理すべきパーティクルの大きさは更に小さく、数十ｎｍ以下の大きさの極めて微小なパーティクルを考慮しなければならない。従って、ＥＵＶ露光装置に使用されるレチクルを保管又は搬送する際には、レチクルへのパーティクルの付着を十分に注意する必要がある。そこで、レチクルを二重の容器で収納してパーティクルの付着を防止する技術（所謂、二重ポッド）が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
二重ポッドでは、レチクルをインナーポッドで収納し、レチクルを収納したインナーポッドをアウターポッドで更に収納する。インナーポッドは、レチクルのパターン面を保護するベースプレートと、レチクルのパターン面とは反対側の面（チャック面）を保護するインナーカバーとを含む。インナーポッドにおいて、ベースプレートの表面（研磨されたメタル表面）とレチクルのパターン面とを近接して（微小なギャップを隔てて）配置することで、パターン面へのパーティクルの付着を防止することが可能となる。インナーカバーには、機械的なガタつきがなく、レチクルを所定の位置に固定するために、チャック面のチャムファー（以下、「Ｃ面」と称する）を押し付ける固定部材（固定ピン）が配置されている。また、インナーポッドは、一般的に、標準機構インターフェース（ＳＭＩＦ）を用いてアウターポッドに収納（固定）される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１５３８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
二重ポッドでは、レチクルのＣ面を固定ピンで押し付ける際に、レチクルが所定の位置からずれていると、レチクルと固定ピンとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかってしまうため、摩擦及び擦れが大きくなり、パーティクルが発生する原因となる。従って、二重ポッドを用いる際には、レチクルをベースプレート上の所定の位置に正確に位置決めすることが重要である。
【０００８】
そこで、特許文献１は、レチクルとベースプレートとの位置ずれを検出し、かかる検出結果に基づいて、レチクルをベースプレート上の所定の位置に位置決めする技術を開示している。具体的には、ベースプレートに配置されたウィンドウを介してレチクルのアライメントマークを第１の計測系で計測し、ベースプレートに配置されたマークを第２の計測系で計測することで、レチクルとベースプレートとの位置ずれを検出している。しかしながら、特許文献１の技術では、独立した２つの計測系でレチクルのアライメントマークとベースプレートに配置されたマークとを計測しているため、計測系や信号処理系の構成が複雑になり、コストアップの要因となってしまう。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての収納容器は、基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、前記パターン面を保護するためのベースプレートと、前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、を有し、前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一側面としての収納容器のインナーポッドの構成を示す概略断面図である。
【図３】図２に示すインナーポッドのベースプレートの構成を示す概略平面図である。
【図４】図２に示すインナーポッドのインナーカバーの構成を示す概略平面図である。
【図５】反射型レチクルのパターン面を示す概略平面図である。
【図６】反射型レチクルがベースプレートに配置された支持ピンに支持される前の状態を示す図である。
【図７】計測部で観察されたアライメントマークの一例を示す図である。
【図８】図１に示す露光装置におけるレチクル搬送系の動作を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８に示すＳ２０２のアライメントマークの相対的な位置ずれの計測を説明するための図である。
【図１０】反射型レチクルに形成される一般的なマークの一例を示す図である。
【図１１】検査装置におけるレチクル搬送系の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１１に示すＳ３０２のアライメントマークの相対的な位置ずれの計測を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一側面としての露光装置ＥＡの構成を示す概略図である。露光装置ＥＡは、ここでは、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下の波長を有するＥＵＶ光を露光光として使用し、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンをウエハ（基板）に転写するＥＵＶ露光装置である。但し、露光装置ＥＡには、ステップ・アンド・リピート方式も適用することができる。なお、本実施形態では、露光装置ＥＡを例として本発明を説明するが、本発明はデバイス製造工程においてレチクルを取り扱うデバイス製造装置に適用することができる。従って、デバイス製造装置は、例えば、レチクルを洗浄又は検査する装置であってもよい。
【００１６】
ウエハ１に転写すべきパターン（回路パターン）が形成されたパターン面を有する反射型レチクル２は、レチクルチャック７に保持される。反射型レチクル２を保持したレチクルチャック７は、スキャン（走査）方向に粗動及び微動が可能なレチクルステージ３に載置される。レチクルステージ３の位置及び姿勢は、レーザ干渉計（不図示）によって常に監視される。
【００１７】
投影光学系５は、反射型レチクル２のパターン面で反射された露光光（ＥＵＶ光）をウエハ１に投影する（即ち、ウエハ１を露光する）。ウエハ１は、ウエハチャック６に保持される。ウエハチャック６は、６軸方向に粗動及び微動が可能なウエハステージ２７に載置される。ウエハステージ２７の位置及び姿勢は、レーザ干渉計（不図示）によって常に監視される。
【００１８】
投影光学系の縮小倍率を１／β、レチクルステージ３のスキャン速度をＶｒ、ウエハステージ２７のスキャン速度をＶｗとする。レチクルステージ３とウエハステージ２７のスキャン動作は、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係を満たすように同期制御される。レチクルステージ３はレチクルステージ空間４ａに配置され、投影光学系５は投影光学系空間４ｂに配置され、ウエハステージ２７はウエハステージ空間４ｃに配置される。レチクルステージ空間４ａ、投影光学系空間４ｂ及びウエハステージ空間４ｃは、それぞれ独立して圧力が制御される。レチクルステージ空間４ａ乃至ウエハステージ空間４ｃに配置される構成要素は、レチクルを介して基板を露光する露光部（露光ユニット）を構成する。
【００１９】
反射型レチクル２を収納する収納容器３１を用いたレチクル搬入方法の一例を説明する。収納容器３１は、インナーポッドとアウターポッドとを含み、反射型レチクル２を二重の容器で収納する二重ポッドである。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１９において、大気中で収納容器３１からインナーポッド１０を取り出し、ロボット１８を用いてインナーポッド１０をロードロックチャンバー２３に搬送する。インナーポッド１０がロードロックチャンバー２３に搬送されると、ロードロックチャンバー２３において真空引きがなされる。ロードロックチャンバー２３の内部の圧力が所定の圧力に到達すると、ゲートバルブ１２ａを開き、ロボット２２を用いてインナーポッド１０をレチクルステージ空間４ａとロードロックチャンバー２３との間の中間チャンバーに搬送する。インナーポッド１０は、ロボット２２によってインナーポッドライブラリ２５に搬送される。そして、インナーポッド１０は、インナーポッド１０からインナーカバーを取り外すためのオープナー２４に搬送され、インナーカバーが取り外される。その後、ゲートバルブ１２ｃを開き、反射型レチクル２をレチクルプリアライメントステージ２０に載置してプリアライメントを行う。プリアライメントが行われたら、反射型レチクル２をレチクルステージ３に搬送し、レチクルチャック７に保持させる。反射型レチクル２を搬出する際には、後述するように、上述したレチクル搬入方法の各工程を逆に行う。
【００２０】
また、ウエハ搬入方法の一例を説明する。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１４において、大気中でキャリアからウエハ１を取り出し、ロボット１３を用いてウエハ１をロードロックチャンバー１５に搬送する。ウエハ１がロードロックチャンバー１５に搬送されると、ロードロックチャンバー１５において真空引きがなされる。ロードロックチャンバー１５の内部の圧力が所定の圧力に到達すると、ゲートバルブ１１ａを開き、ロボット８を用いてウエハ１をウエハステージ空間４ｃとロードロックチャンバー１５との間の中間チャンバーに搬送する。ウエハ１は、ロボット８によってウエハストッカ２６に搬送される。その後、ゲートバルブ１１ｃを開き、ウエハ１をウエハプリアライメントステージ３０に載置してプリアライメントを行う。プリアライメントが行われたら、ウエハ１をウエハステージ２７に搬送し、ウエハチャック６に保持させる。ウエハ１を搬出する際には、上述したウエハ搬入方法の各工程を逆に行う。
【００２１】
ここで、反射型レチクル２を収納する収納容器３１について詳細に説明する。図２は、収納容器３１のインナーポッド１０の構成を示す概略断面図である。図３は、インナーポッド１０のベースプレート１００の構成を示す概略平面図である。図４は、インナーポッド１０のインナーカバー１０４の構成を示す概略平面図である。
【００２２】
収納容器３１では、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとを近接して（微小なギャップを隔てて）配置する。これにより、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとの間の空間にパーティクルが進入することが抑制され、パターン面２ａへのパーティクルの付着を防止することができる。
【００２３】
反射型レチクル２は、ウエハ１に転写すべきパターンが形成されたパターン面２ａを下に向けて、パターン面２ａを保護するためのベースプレート１００に配置された支持ピン（支持部）１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ及び１０２ｄに支持される。換言すれば、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄは、パターン面２ａを介して、反射型レチクル２を支持する。
【００２４】
ベースプレート１００には、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持された反射型レチクル２の極端な横ずれを防止するポストピン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ、１０１ｅ、１０１ｆ、１０１ｇ及び１０１ｈが配置されている。また、ベースプレート１００には、反射型レチクル２のパターン面２ａに形成されたアライメントマークやＩＤマークなどのマーク（第１マーク）を観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂが形成されている。
【００２５】
インナーカバー１０４は、反射型レチクル２のパターン面２ａとは反対側の面（チャック面）２ｂを保護するように、ベースプレート１００に接続されている。インナーカバー１０４には、インナーポッド１０に反射型レチクル２を収納した際に、インナーポッド１０の内部と外部との圧力差を低減する（ゼロにする）ためのクリーンフィルター１０５ａ及び１０５ｂが設けられている。また、インナーカバー１０４には、鉛直方向にスライド可能であり、反射型レチクル２のチャック面２ｂ（詳細には、チャムファー（Ｃ面））を押し付ける固定ピン１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ及び１０３ｄが配置されている。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０をアウターポッド（不図示）で収納する際に、アウターポッドの内側に設けられたバネなどの弾性部材を介して、所定の力で反射型レチクル２を鉛直下方に押し付ける。一般的に、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角は４５°であるため、固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄの反射型レチクル２との接触部の水平面に対する傾斜角は、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角と補角をなす１３５°となる。従って、反射型レチクル２のＣ面と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄの接触部とが接触することで、反射型レチクル２はベースプレート１００に対して水平方向に移動し、機械的なガタつきがなく、インナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００２６】
固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄで反射型レチクル２のＣ面を押し付けて反射型レチクル２をベースプレート１００に対して水平方向に移動させることは、反射型レチクル２と支固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触及び摩擦を伴う現象である。従って、周囲の環境や固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄ（の接触部）の状態によって、反射型レチクル２を再現性よく位置決めできないことがある。また、反射型レチクル２は、厚さの寸法公差の範囲内で厚さにばらつきがある。このような場合、固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、所定の位置よりも高い位置で反射型レチクル２のＣ面に接触するため、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかってしまう。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、一般的には、真空雰囲気への脱ガスを減少させるために、金属で構成される。従って、ガラスで構成された反射型レチクル２と金属で構成された固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間においては、硬度及び剛性に大きな差が生じている。
【００２７】
例えば、ベースプレート１００の上の所定の位置に対して、反射型レチクル２がΔｘだけ位置ずれしている場合について考える。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄに接続される弾性部材の剛性をｋとすると、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角は４５°であるため、ｋ・Δｘの力が余分に反射型レチクル２のＣ面にかかる。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄに接続される弾性部材の伸縮のストロークは短いため、剛性ｋは非線形になりやすく、反射型レチクル２のＣ面にかかる力を見積もることは難しい。弾性部材が設計値よりも圧縮された場合、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかり、摩擦及び擦れが大きくなり、パーティクルが発生する原因となる。
【００２８】
そこで、本実施形態では、収納容器３１（のインナーポッド１０）は、反射型レチクル２とベースプレート１００との位置ずれを検出することを可能にする構成を有する。そして、反射型レチクル２とベースプレート１００との位置ずれの検出結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする。
【００２９】
具体的には、図３に示すように、ベースプレート１００に形成されたウィンドウ部１０６ａ及１０６ｂのそれぞれに、ベースプレート１００の位置を計測するためのアライメントマーク（第２マーク）１０７ａ及び１０７ｂが形成されている。一方、反射型レチクル２のパターン面２ａは、図５に示すように、ウエハ１に転写すべきパターンが描画される描画領域１１０を有する。描画領域１１０は、一般的に、１０４ｍｍ×１３２ｍｍ程度の領域である。また、反射型レチクル２のパターン面２ａには、反射型レチクル２の位置を計測するためのアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂが形成されている。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂのそれぞれを介して反射型レチクル２を観察することができる観察領域１１１ａ及び１１１ｂに形成される。ここで、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、レチクルステージ３における反射型レチクル２の相対位置を計測するための通常のアライメントマークとは別に、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂのそれぞれに対応させて形成される。これにより、ウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２の観察領域１１１ａに形成されたアライメントマーク１１２ａとが対になる。同様に、ウィンドウ部１０６ｂに形成されたアライメントマーク１０７ｂと反射型レチクル２の観察領域１１１ｂに形成されたアライメントマーク１１２ｂとが対になる。従って、図６に示すように、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを、１つの計測部１３０の１つの視野で（即ち、同時に）観察することができる。同様に、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを、１つの計測部１３０の１つの視野で観察することができる。図６は、反射型レチクル２がベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される前の状態、即ち、レチクルプリアライメントステージ２０に載置された状態を示す図である。
【００３０】
計測部１３０は、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（即ち、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれ）を計測する。同様に、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置（即ち、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれ）を計測する。
【００３１】
上述したように、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとは近接して配置されている。従って、反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、ベースプレート１００の表面に近接して、且つ、対向して配置されることになる。これにより、計測部１３０は、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂのそれぞれを、ウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂを介して、例えば、画像として取得することができる。
【００３２】
また、ベースプレート１００に形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとは、計測部１３０の光軸方向に沿って近接して配置されることになる。従って、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同一視野内で観察できるように、深い焦点深度を有する光学系で構成する必要がある。
【００３３】
レチクルプリアライメントステージ２０は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びθ方向に粗微動可能な機構を有する。従って、計測部１３０の位置を固定し、反射型レチクル２を載置したレチクルプリアライメントステージ２０を、例えば、Ｘ軸方向に移動させることで、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察することが可能となる。また、計測部１３０をＸ軸方向に移動可能な機構を設けてもよい。
【００３４】
反射型レチクル２に形成されるアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂ、及び、ベースプレート１００に形成されるアライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂについて説明する。図７は、計測部１３０で観察されるアライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａの一例を示す図である。図７では、アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａは、ボックスマークで構成されている。なお、本実施形態では、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂは、反射型レチクル２（アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂ）との相対的な位置を計測する際に使用されるが、これ以外にも使用することが可能である。例えば、インナーポッド１０を搬送する際に、搬送経路において、インナーポッド１０の有無を判断するために、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂを使用することも可能である。
【００３５】
アライメントマーク１１２ａは、正四角形形状を有するマークである。また、アライメントマーク１０７ａは、アライメントマーク１１２ａを取り囲む正四角形形状を有するリングマークである。アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａを観察して得られる画像の処理方法は幾つか考えられる。例えば、アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａの画像を、コントラストについて、閾値を用いて二値化する。このように二値化した画像の特定のＸ軸方向の画素列に対して、Ｘ軸方向のプロファイルを求めると、プロファイルＰＦ１が得られる。プロファイルＰＦ１に基づいて、アライメントマーク１０７ａの座標（位置）ｘ１及びｘ３と、アライメントマーク１１２ａの座標（位置）ｘ２とから、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとのＸ軸方向の相対的な位置ずれΔＸ１を算出する。同様に、二値化した画像の特定のＹ軸方向の画素列に対して、Ｙ軸方向のプロファイルを求めると、プロファイルＰＦ２が得られる。プロファイルＰＦ２に基づいて、アライメントマーク１０７ａの座標（位置）ｙ１及びｙ３と、アライメントマーク１１２ａの座標（位置）ｙ２とから、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとのＹ軸方向の相対的な位置ずれΔＹ１を算出する。また、同様にして、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとのＸ軸方向及びＹ軸方向の相対的な位置ずれΔＸ２及びΔＹ２を算出する。
【００３６】
このように、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれとして、２点の相対的な位置ずれ（ΔＸ１，ΔＹ１）及び（ΔＸ２，ΔＹ２）を求めることができる。そして、２点の相対的な位置ずれ（ΔＸ１，ΔＹ１）及び（ΔＸ２，ΔＹ２）から、反射型レチクル２の位置決めに必要となるＸ軸方向及びＹ軸方向のシフト成分の補正量Ｘｃ及びＹｃ、Ｚ軸回りの成分θの補正量θｃが算出される。なお、補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）の算出に関しては、当業界で周知のいかなる方法をも適用することができるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３７】
図８を参照して、露光装置ＥＡにおけるレチクル搬送系の動作について説明する。本実施形態では、露光処理が終了し、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作について説明する。また、レチクルステージ３（レチクルチャック７）やプリアライメントステージ２０などは、反射型レチクル２をインナーポッド１０に収納する際に、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される反射型レチクル２の位置決めを行う位置決め機構を構成する。
【００３８】
露光処理が終了し、反射型レチクル２の搬出が開始されると、Ｓ２０１において、レチクルステージ３は、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態で、プリアライメントステージ２０が位置するプリアライメント位置に移動する。換言すれば、レチクルステージ３は、反射型レチクル２をプリアライメント位置に搬送する可動の可動部として機能する。ここで、プリアライメントステージ２０には、ベースプレート１００が保持されているものとする。
【００３９】
Ｓ２０２において、計測部１３０は、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（位置ずれ）を計測する。具体的には、図９に示すように、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａが計測部１３０の視野内に位置するように、プリアライメントステージ２０がＺ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同時に観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれを計測する。次に、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂが計測部１３０の視野内に位置するように、プリアライメントステージ２０がＸ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ｂ及びアライメントマーク１１２ｂを同時に観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれを計測する。また、上述したように、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする際に必要となる補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）を算出する。
【００４０】
Ｓ２０３において、レチクルステージ３は、レチクルチャック７による反射型レチクル２の保持を開放し、反射型レチクル２をベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで支持する。この際、レチクルステージ３は、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２がベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされるように、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整する。具体的には、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２の位置を調整する。これにより、反射型レチクル２は、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される。
【００４１】
本実施形態では、レチクルステージ３を、反射型レチクル２を支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持させるために反射型レチクル２を保持して駆動する駆動部として機能させ、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整している。但し、ベースプレート１００を保持して駆動するプリアライメントステージ２０が反射型レチクル２に対するベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）の位置を調整してもよい。また、レチクルステージ３及びプリアライメントステージ２０が、反射型レチクル２とベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）との相対的な位置を調整してもよい。
【００４２】
Ｓ２０４において、ロボット２２は、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで反射型レチクル２を支持したベースプレート１００をオープナー２４に搬送し、オープナー２４は、ベースプレート１００にインナーカバー１０４を接続（載置）する。これにより、反射型レチクル２は、インナーポッド１０に収納（保護）される。
【００４３】
Ｓ２０５において、ロボット２２は、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０をロードロックチャンバー２３に搬送する。Ｓ２０６において、インナーポッド１０が搬送されたロードロックチャンバー２３をベントし、ロードロックチャンバー２３を大気圧に開放する。
【００４４】
Ｓ２０７において、ロボット１８は、インナーポッド１０をロードロックチャンバー２３からＥＦＥＭ１９に搬送し、インナーポッド１０をアウターポッドに収納する。この際、反射型レチクル２は、上述したように、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態となっている。従って、アウターポッドの弾性部材を介して固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄが反射型レチクル２に押し付けられても、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはない。これにより、パーティクルを発生することなく、反射型レチクル２がインナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００４５】
このようにして、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作が終了する。
【００４６】
本実施形態では、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂにアライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂを形成し、反射型レチクル２のパターン面２ａに対となるアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを形成している。これにより、計測部１３０の１つの視野で、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを、及び、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察することができる。換言すれば、１つの計測部１３０で、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの位置ずれ、及び、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの位置ずれを計測することができる。従って、計測系や信号処理系の構成が複雑になることもなく、コストアップを抑制しながら、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれを計測することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２を位置決めする。これにより、反射型レチクル２は、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２に支持される。従って、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはなく、摩擦及び擦れによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００４８】
本実施形態では、上述したように、レチクルステージ３に一般的に形成されるマークとは別に、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを形成している。但し、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、レチクルステージ３に一般的に形成されるマークを使用することも可能である。この場合、反射型レチクル２にアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを新たに形成する必要がなくなるため、コストアップを抑えることができる。
【００４９】
例えば、反射型レチクル２をレチクルステージ３（レチクルチャック７）に載置する際には、レチクルステージ３における反射型レチクル２の位置を計測するために、ファインアライメントが行われる。ファインアライメントでは、例えば、図１０（ａ）に示すようなファインアライメントマーク１６０が使用される。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、ファインアライメントマーク１６０を使用する場合には、ファインアライメントマーク１６０の中心座標（ｘ１、ｙ１）を求めればよい。これにより、ファインアライメントマーク１６０とアライメントマーク１０７ａ又は１０７ｂとの相対的な位置（位置ずれ）を計測することができる。
【００５０】
また、反射型レチクル２には、レチクルの種別を識別するために、図１０（ｂ）に示すようなＩＤマーク１６１、或いは、図１０（ｃ）に示すようなＩＤマーク１６２が形成されている。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、ＩＤマーク１６１又は１６２を使用する場合には、ＩＤマーク１６１又は１６２の中心座標（ｘ１、ｙ１）を求めればよい。これにより、ＩＤマーク１６１又は１６２とアライメントマーク１０７ａ又は１０７ｂとの相対的な位置（位置ずれ）を計測することができる。
【００５１】
露光装置ＥＡの露光動作において、光源からの光は、照明光学系（不図示）によって反射型レチクル２を照明する。反射型レチクル２のパターン面２ａ反射された光は、投影光学系５を介して、ウエハ１の上に結像する。反射型レチクル２は、上述した収納容器３１に収納されて搬送されているため、パターン面２ａへのパーティクルの付着が防止されている。従って、露光装置ＥＡは、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体デバイス、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、露光装置ＥＡを使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含む。また、前工程は、反射型レチクルを検査する工程も含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、露光装置ＥＡを使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含む。
【００５２】
なお、反射型レチクル２を収納する収納容器３１は、露光装置ＥＡのレチクル搬送系だけではなく、反射型レチクル２を検査する検査装置のレチクル搬送系などにも適用することができる。図１１を参照して、検査装置におけるレチクル搬送系の動作について説明する。ここでは、検査が終了し、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作について説明する。
【００５３】
検査が終了すると、Ｓ３０１において、ロボットハンドは、検査用ステージに載置されている反射型レチクル２を保持し、検査用ステージから反射型レチクル２を搬出する。ロボットハンドは、反射型レチクル２を保持して可動の可動部として機能する。
【００５４】
Ｓ３０２において、計測部１３０は、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（位置ずれ）を計測する。具体的には、図１２に示すように、ロボットハンド１４０が反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａが計測部１３０の視野内に位置するように、ベースプレート支持機構１５０がＺ軸方向に移動する。なお、ベースプレート支持機構１５０には、ベースプレート１００が予め保持されている。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同時に観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれを計測する。次に、ロボットハンド１４０が反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂが計測部１３０の視野内に位置するように、ベースプレート支持機構１５０がＸ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ｂ及びアライメントマーク１１２ｂを同時に観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれを計測する。また、上述したように、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする際に必要となる補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）を算出する。
【００５５】
Ｓ３０３において、反射型レチクル２をベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで支持する。この際、ロボットハンド１４０は、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２がベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされるように、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整する。具体的には、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２の位置を調整する。そして、ベースプレート支持機構１５０をＺ軸方向に移動させることで、反射型レチクル２はロボットハンド１４０から離れ、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される。
【００５６】
ここでは、ロボットハンド１４０が支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整している。但し、ベースプレート支持機構１５０が反射型レチクル２に対するベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）の位置を調整してもよい。また、ロボットハンド１４０及びベースプレート支持機構１５０が、反射型レチクル２とベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）との相対的な位置を調整してもよい。
【００５７】
Ｓ３０４において、ベースプレート１００にインナーカバー１０４を接続（載置）する。これにより、反射型レチクル２は、インナーポッド１０に収納（保護）される。Ｓ３０５において、インナーポッド１０をアウターポッドに収納する。この際、反射型レチクル２は、上述したように、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態となっている。従って、アウターポッドの弾性部材を介して固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄが反射型レチクル２に押し付けられても、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはない。これにより、パーティクルを発生することなく、反射型レチクル２がインナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００５８】
このようにして、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作が終了する。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型レチクルを収納する収納容器、デバイス製造装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー技術を用いて半導体デバイスを製造する際に、露光装置が使用されている。露光装置は、レチクル（マスク）のパターンを、投影光学系を介して、基板（ウエハなど）に投影してパターンを転写する。近年では、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ：ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を用いた露光装置（ＥＵＶ露光装置）の実用化も検討されている。
【０００３】
露光装置においては、レチクルのパターン面にパーティクルが付着すると、基板上の各ショット領域の同一位置に欠陥像として転写され、半導体デバイス製造の歩留まりや半導体デバイスの信頼性が大幅に低下してしまう。そこで、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザなどを用いた露光装置においては、レチクルのパターン面から数ｍｍ離れた位置にペリクル（透明保護膜）が設けられたレチクルが使用されている。ペリクルに付着したパーティクルは、レチクルのパターン面（即ち、投影光学系の物体面）からデフォーカスしているため、所定の大きさよりも小さいパーティクルであれば、基板上の各ショット領域に欠陥像として転写されることはない。但し、ＥＵＶ光に対して十分な透過率を有する材料が存在していないため、ＥＵＶ露光装置に使用されるレチクル（反射型レチクル）には、ペリクルを設けることができない。
【０００４】
ＥＵＶ露光装置では、ハーフピッチ２２ｎｍノード世代の半導体デバイスを製造することが考えられる。このようなＥＵＶ露光装置において、例えば、１００ｎｍのパーティクルがレチクルのパターン面に付着した場合、投影光学系の縮小倍率を１／４倍とすると、基板上では２５ｎｍとなるため、半導体デバイスの製造は不可能になる。実際には、ＥＵＶ露光装置において管理すべきパーティクルの大きさは更に小さく、数十ｎｍ以下の大きさの極めて微小なパーティクルを考慮しなければならない。従って、ＥＵＶ露光装置に使用されるレチクルを保管又は搬送する際には、レチクルへのパーティクルの付着を十分に注意する必要がある。そこで、レチクルを二重の容器で収納してパーティクルの付着を防止する技術（所謂、二重ポッド）が提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
二重ポッドでは、レチクルをインナーポッドで収納し、レチクルを収納したインナーポッドをアウターポッドで更に収納する。インナーポッドは、レチクルのパターン面を保護するベースプレートと、レチクルのパターン面とは反対側の面（チャック面）を保護するインナーカバーとを含む。インナーポッドにおいて、ベースプレートの表面（研磨されたメタル表面）とレチクルのパターン面とを近接して（微小なギャップを隔てて）配置することで、パターン面へのパーティクルの付着を防止することが可能となる。インナーカバーには、機械的なガタつきがなく、レチクルを所定の位置に固定するために、チャック面のチャムファー（以下、「Ｃ面」と称する）を押し付ける固定部材（固定ピン）が配置されている。また、インナーポッドは、一般的に、標準機構インターフェース（ＳＭＩＦ）を用いてアウターポッドに収納（固定）される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１５３８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
二重ポッドでは、レチクルのＣ面を固定ピンで押し付ける際に、レチクルが所定の位置からずれていると、レチクルと固定ピンとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかってしまうため、摩擦及び擦れが大きくなり、パーティクルが発生する原因となる。従って、二重ポッドを用いる際には、レチクルをベースプレート上の所定の位置に正確に位置決めすることが重要である。
【０００８】
そこで、特許文献１は、レチクルとベースプレートとの位置ずれを検出し、かかる検出結果に基づいて、レチクルをベースプレート上の所定の位置に位置決めする技術を開示している。具体的には、ベースプレートに配置されたウィンドウを介してレチクルのアライメントマークを第１の計測系で計測し、ベースプレートに配置されたマークを第２の計測系で計測することで、レチクルとベースプレートとの位置ずれを検出している。しかしながら、特許文献１の技術では、独立した２つの計測系でレチクルのアライメントマークとベースプレートに配置されたマークとを計測しているため、計測系や信号処理系の構成が複雑になり、コストアップの要因となってしまう。
【０００９】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての収納容器は、基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、前記パターン面を保護するためのベースプレートと、前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、を有し、前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする。
【００１１】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、例えば、収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一側面としての収納容器のインナーポッドの構成を示す概略断面図である。
【図３】図２に示すインナーポッドのベースプレートの構成を示す概略平面図である。
【図４】図２に示すインナーポッドのインナーカバーの構成を示す概略平面図である。
【図５】反射型レチクルのパターン面を示す概略平面図である。
【図６】反射型レチクルがベースプレートに配置された支持ピンに支持される前の状態を示す図である。
【図７】計測部で観察されたアライメントマークの一例を示す図である。
【図８】図１に示す露光装置におけるレチクル搬送系の動作を説明するためのフローチャートである。
【図９】図８に示すＳ２０２のアライメントマークの相対的な位置ずれの計測を説明するための図である。
【図１０】反射型レチクルに形成される一般的なマークの一例を示す図である。
【図１１】検査装置におけるレチクル搬送系の動作を説明するためのフローチャートである。
【図１２】図１１に示すＳ３０２のアライメントマークの相対的な位置ずれの計測を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１は、本発明の一側面としての露光装置ＥＡの構成を示す概略図である。露光装置ＥＡは、ここでは、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下の波長を有するＥＵＶ光を露光光として使用し、ステップ・アンド・スキャン方式でレチクルのパターンをウエハ（基板）に転写するＥＵＶ露光装置である。但し、露光装置ＥＡには、ステップ・アンド・リピート方式も適用することができる。なお、本実施形態では、露光装置ＥＡを例として本発明を説明するが、本発明はデバイス製造工程においてレチクルを取り扱うデバイス製造装置に適用することができる。従って、デバイス製造装置は、例えば、レチクルを洗浄又は検査する装置であってもよい。
【００１６】
ウエハ１に転写すべきパターン（回路パターン）が形成されたパターン面を有する反射型レチクル２は、レチクルチャック７に保持される。反射型レチクル２を保持したレチクルチャック７は、スキャン（走査）方向に粗動及び微動が可能なレチクルステージ３に載置される。レチクルステージ３の位置及び姿勢は、レーザ干渉計（不図示）によって常に監視される。
【００１７】
投影光学系５は、反射型レチクル２のパターン面で反射された露光光（ＥＵＶ光）をウエハ１に投影する（即ち、ウエハ１を露光する）。ウエハ１は、ウエハチャック６に保持される。ウエハチャック６は、６軸方向に粗動及び微動が可能なウエハステージ２７に載置される。ウエハステージ２７の位置及び姿勢は、レーザ干渉計（不図示）によって常に監視される。
【００１８】
投影光学系の縮小倍率を１／β、レチクルステージ３のスキャン速度をＶｒ、ウエハステージ２７のスキャン速度をＶｗとする。レチクルステージ３とウエハステージ２７のスキャン動作は、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係を満たすように同期制御される。レチクルステージ３はレチクルステージ空間４ａに配置され、投影光学系５は投影光学系空間４ｂに配置され、ウエハステージ２７はウエハステージ空間４ｃに配置される。レチクルステージ空間４ａ、投影光学系空間４ｂ及びウエハステージ空間４ｃは、それぞれ独立して圧力が制御される。レチクルステージ空間４ａ乃至ウエハステージ空間４ｃに配置される構成要素は、レチクルを介して基板を露光する露光部（露光ユニット）を構成する。
【００１９】
反射型レチクル２を収納する収納容器３１を用いたレチクル搬入方法の一例を説明する。収納容器３１は、インナーポッドとアウターポッドとを含み、反射型レチクル２を二重の容器で収納する二重ポッドである。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１９において、大気中で収納容器３１からインナーポッド１０を取り出し、ロボット１８を用いてインナーポッド１０をロードロックチャンバー２３に搬送する。インナーポッド１０がロードロックチャンバー２３に搬送されると、ロードロックチャンバー２３において真空引きがなされる。ロードロックチャンバー２３の内部の圧力が所定の圧力に到達すると、ゲートバルブ１２ａを開き、ロボット２２を用いてインナーポッド１０をレチクルステージ空間４ａとロードロックチャンバー２３との間の中間チャンバーに搬送する。インナーポッド１０は、ロボット２２によってインナーポッドライブラリ２５に搬送される。そして、インナーポッド１０は、インナーポッド１０からインナーカバーを取り外すためのオープナー２４に搬送され、インナーカバーが取り外される。その後、ゲートバルブ１２ｃを開き、反射型レチクル２をレチクルプリアライメントステージ２０に載置してプリアライメントを行う。プリアライメントが行われたら、反射型レチクル２をレチクルステージ３に搬送し、レチクルチャック７に保持させる。反射型レチクル２を搬出する際には、後述するように、上述したレチクル搬入方法の各工程を逆に行う。
【００２０】
また、ウエハ搬入方法の一例を説明する。ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｆｒｏｎｔ−Ｅｎｄ Ｍｏｄｕｌｅ）１４において、大気中でキャリアからウエハ１を取り出し、ロボット１３を用いてウエハ１をロードロックチャンバー１５に搬送する。ウエハ１がロードロックチャンバー１５に搬送されると、ロードロックチャンバー１５において真空引きがなされる。ロードロックチャンバー１５の内部の圧力が所定の圧力に到達すると、ゲートバルブ１１ａを開き、ロボット８を用いてウエハ１をウエハステージ空間４ｃとロードロックチャンバー１５との間の中間チャンバーに搬送する。ウエハ１は、ロボット８によってウエハストッカ２６に搬送される。その後、ゲートバルブ１１ｃを開き、ウエハ１をウエハプリアライメントステージ３０に載置してプリアライメントを行う。プリアライメントが行われたら、ウエハ１をウエハステージ２７に搬送し、ウエハチャック６に保持させる。ウエハ１を搬出する際には、上述したウエハ搬入方法の各工程を逆に行う。
【００２１】
ここで、反射型レチクル２を収納する収納容器３１について詳細に説明する。図２は、収納容器３１のインナーポッド１０の構成を示す概略断面図である。図３は、インナーポッド１０のベースプレート１００の構成を示す概略平面図である。図４は、インナーポッド１０のインナーカバー１０４の構成を示す概略平面図である。
【００２２】
収納容器３１では、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとを近接して（微小なギャップを隔てて）配置する。これにより、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとの間の空間にパーティクルが進入することが抑制され、パターン面２ａへのパーティクルの付着を防止することができる。
【００２３】
反射型レチクル２は、ウエハ１に転写すべきパターンが形成されたパターン面２ａを下に向けて、パターン面２ａを保護するためのベースプレート１００に配置された支持ピン（支持部）１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ及び１０２ｄに支持される。換言すれば、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄは、パターン面２ａを介して、反射型レチクル２を支持する。
【００２４】
ベースプレート１００には、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持された反射型レチクル２の極端な横ずれを防止するポストピン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ、１０１ｅ、１０１ｆ、１０１ｇ及び１０１ｈが配置されている。また、ベースプレート１００には、反射型レチクル２のパターン面２ａに形成されたアライメントマークやＩＤマークなどのマーク（第１マーク）を観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂが形成されている。
【００２５】
インナーカバー１０４は、反射型レチクル２のパターン面２ａとは反対側の面（チャック面）２ｂを保護するように、ベースプレート１００に接続されている。インナーカバー１０４には、インナーポッド１０に反射型レチクル２を収納した際に、インナーポッド１０の内部と外部との圧力差を低減する（ゼロにする）ためのクリーンフィルター１０５ａ及び１０５ｂが設けられている。また、インナーカバー１０４には、鉛直方向にスライド可能であり、反射型レチクル２のチャック面２ｂ（詳細には、チャムファー（Ｃ面））を押し付ける固定ピン１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ及び１０３ｄが配置されている。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０をアウターポッド（不図示）で収納する際に、アウターポッドの内側に設けられたバネなどの弾性部材を介して、所定の力で反射型レチクル２を鉛直下方に押し付ける。一般的に、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角は４５°であるため、固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄの反射型レチクル２との接触部の水平面に対する傾斜角は、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角と補角をなす１３５°となる。従って、反射型レチクル２のＣ面と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄの接触部とが接触することで、反射型レチクル２はベースプレート１００に対して水平方向に移動し、機械的なガタつきがなく、インナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００２６】
固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄで反射型レチクル２のＣ面を押し付けて反射型レチクル２をベースプレート１００に対して水平方向に移動させることは、反射型レチクル２と支固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触及び摩擦を伴う現象である。従って、周囲の環境や固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄ（の接触部）の状態によって、反射型レチクル２を再現性よく位置決めできないことがある。また、反射型レチクル２は、厚さの寸法公差の範囲内で厚さにばらつきがある。このような場合、固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、所定の位置よりも高い位置で反射型レチクル２のＣ面に接触するため、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかってしまう。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄは、一般的には、真空雰囲気への脱ガスを減少させるために、金属で構成される。従って、ガラスで構成された反射型レチクル２と金属で構成された固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間においては、硬度及び剛性に大きな差が生じている。
【００２７】
例えば、ベースプレート１００の上の所定の位置に対して、反射型レチクル２がΔｘだけ位置ずれしている場合について考える。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄに接続される弾性部材の剛性をｋとすると、反射型レチクル２のＣ面の傾斜角は４５°であるため、ｋ・Δｘの力が余分に反射型レチクル２のＣ面にかかる。固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄに接続される弾性部材の伸縮のストロークは短いため、剛性ｋは非線形になりやすく、反射型レチクル２のＣ面にかかる力を見積もることは難しい。弾性部材が設計値よりも圧縮された場合、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかり、摩擦及び擦れが大きくなり、パーティクルが発生する原因となる。
【００２８】
そこで、本実施形態では、収納容器３１（のインナーポッド１０）は、反射型レチクル２とベースプレート１００との位置ずれを検出することを可能にする構成を有する。そして、反射型レチクル２とベースプレート１００との位置ずれの検出結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする。
【００２９】
具体的には、図３に示すように、ベースプレート１００に形成されたウィンドウ部１０６ａ及１０６ｂのそれぞれに、ベースプレート１００の位置を計測するためのアライメントマーク（第２マーク）１０７ａ及び１０７ｂが形成されている。一方、反射型レチクル２のパターン面２ａは、図５に示すように、ウエハ１に転写すべきパターンが描画される描画領域１１０を有する。描画領域１１０は、一般的に、１０４ｍｍ×１３２ｍｍ程度の領域である。また、反射型レチクル２のパターン面２ａには、反射型レチクル２の位置を計測するためのアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂが形成されている。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂのそれぞれを介して反射型レチクル２を観察することができる観察領域１１１ａ及び１１１ｂに形成される。ここで、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、レチクルステージ３における反射型レチクル２の相対位置を計測するための通常のアライメントマークとは別に、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂのそれぞれに対応させて形成される。これにより、ウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２の観察領域１１１ａに形成されたアライメントマーク１１２ａとが対になる。同様に、ウィンドウ部１０６ｂに形成されたアライメントマーク１０７ｂと反射型レチクル２の観察領域１１１ｂに形成されたアライメントマーク１１２ｂとが対になる。従って、図６に示すように、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを、１つの計測部１３０の１つの視野で（即ち、同時に）観察することができる。同様に、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを、１つの計測部１３０の１つの視野で観察することができる。図６は、反射型レチクル２がベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される前の状態、即ち、レチクルプリアライメントステージ２０に載置された状態を示す図である。
【００３０】
計測部１３０は、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（即ち、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれ）を計測する。同様に、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置（即ち、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれ）を計測する。
【００３１】
上述したように、ベースプレート１００の表面と反射型レチクル２のパターン面２ａとは近接して配置されている。従って、反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂは、ベースプレート１００の表面に近接して、且つ、対向して配置されることになる。これにより、計測部１３０は、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂのそれぞれを、ウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂを介して、例えば、画像として取得することができる。
【００３２】
また、ベースプレート１００に形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとは、計測部１３０の光軸方向に沿って近接して配置されることになる。従って、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同一視野内で観察できるように、深い焦点深度を有する光学系で構成する必要がある。
【００３３】
レチクルプリアライメントステージ２０は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸及びθ方向に粗微動可能な機構を有する。従って、計測部１３０の位置を固定し、反射型レチクル２を載置したレチクルプリアライメントステージ２０を、例えば、Ｘ軸方向に移動させることで、計測部１３０は、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察することが可能となる。また、計測部１３０をＸ軸方向に移動可能な機構を設けてもよい。
【００３４】
反射型レチクル２に形成されるアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂ、及び、ベースプレート１００に形成されるアライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂについて説明する。図７は、計測部１３０で観察されるアライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａの一例を示す図である。図７では、アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａは、ボックスマークで構成されている。なお、本実施形態では、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂは、反射型レチクル２（アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂ）との相対的な位置を計測する際に使用されるが、これ以外にも使用することが可能である。例えば、インナーポッド１０を搬送する際に、搬送経路において、インナーポッド１０の有無を判断するために、アライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂを使用することも可能である。
【００３５】
アライメントマーク１１２ａは、正四角形形状を有するマークである。また、アライメントマーク１０７ａは、アライメントマーク１１２ａを取り囲む正四角形形状を有するリングマークである。アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａを観察して得られる画像の処理方法は幾つか考えられる。例えば、アライメントマーク１１２ａ及びアライメントマーク１０７ａの画像を、コントラストについて、閾値を用いて二値化する。このように二値化した画像の特定のＸ軸方向の画素列に対して、Ｘ軸方向のプロファイルを求めると、プロファイルＰＦ１が得られる。プロファイルＰＦ１に基づいて、アライメントマーク１０７ａの座標（位置）ｘ１及びｘ３と、アライメントマーク１１２ａの座標（位置）ｘ２とから、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとのＸ軸方向の相対的な位置ずれΔＸ１を算出する。同様に、二値化した画像の特定のＹ軸方向の画素列に対して、Ｙ軸方向のプロファイルを求めると、プロファイルＰＦ２が得られる。プロファイルＰＦ２に基づいて、アライメントマーク１０７ａの座標（位置）ｙ１及びｙ３と、アライメントマーク１１２ａの座標（位置）ｙ２とから、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとのＹ軸方向の相対的な位置ずれΔＹ１を算出する。また、同様にして、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとのＸ軸方向及びＹ軸方向の相対的な位置ずれΔＸ２及びΔＹ２を算出する。
【００３６】
このように、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれとして、２点の相対的な位置ずれ（ΔＸ１，ΔＹ１）及び（ΔＸ２，ΔＹ２）を求めることができる。そして、２点の相対的な位置ずれ（ΔＸ１，ΔＹ１）及び（ΔＸ２，ΔＹ２）から、反射型レチクル２の位置決めに必要となるＸ軸方向及びＹ軸方向のシフト成分の補正量Ｘｃ及びＹｃ、Ｚ軸回りの成分θの補正量θｃが算出される。なお、補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）の算出に関しては、当業界で周知のいかなる方法をも適用することができるため、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３７】
図８を参照して、露光装置ＥＡにおけるレチクル搬送系の動作について説明する。本実施形態では、露光処理が終了し、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作について説明する。また、レチクルステージ３（レチクルチャック７）やプリアライメントステージ２０などは、反射型レチクル２をインナーポッド１０に収納する際に、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される反射型レチクル２の位置決めを行う位置決め機構を構成する。
【００３８】
露光処理が終了し、反射型レチクル２の搬出が開始されると、Ｓ２０１において、レチクルステージ３は、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態で、プリアライメントステージ２０が位置するプリアライメント位置に移動する。換言すれば、レチクルステージ３は、反射型レチクル２をプリアライメント位置に搬送する可動の可動部として機能する。ここで、プリアライメントステージ２０には、ベースプレート１００が保持されているものとする。
【００３９】
Ｓ２０２において、計測部１３０は、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（位置ずれ）を計測する。具体的には、図９に示すように、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａが計測部１３０の視野内に位置するように、プリアライメントステージ２０がＺ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同時に観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれを計測する。次に、レチクルチャック７を介して反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂが計測部１３０の視野内に位置するように、プリアライメントステージ２０がＸ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ｂ及びアライメントマーク１１２ｂを同時に観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれを計測する。また、上述したように、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする際に必要となる補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）を算出する。
【００４０】
Ｓ２０３において、レチクルステージ３は、レチクルチャック７による反射型レチクル２の保持を開放し、反射型レチクル２をベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで支持する。この際、レチクルステージ３は、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２がベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされるように、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整する。具体的には、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２の位置を調整する。これにより、反射型レチクル２は、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される。
【００４１】
本実施形態では、レチクルステージ３を、反射型レチクル２を支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持させるために反射型レチクル２を保持して駆動する駆動部として機能させ、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整している。但し、ベースプレート１００を保持して駆動するプリアライメントステージ２０が反射型レチクル２に対するベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）の位置を調整してもよい。また、レチクルステージ３及びプリアライメントステージ２０が、反射型レチクル２とベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）との相対的な位置を調整してもよい。
【００４２】
Ｓ２０４において、ロボット２２は、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで反射型レチクル２を支持したベースプレート１００をオープナー２４に搬送し、オープナー２４は、ベースプレート１００にインナーカバー１０４を接続（載置）する。これにより、反射型レチクル２は、インナーポッド１０に収納（保護）される。
【００４３】
Ｓ２０５において、ロボット２２は、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０をロードロックチャンバー２３に搬送する。Ｓ２０６において、インナーポッド１０が搬送されたロードロックチャンバー２３をベントし、ロードロックチャンバー２３を大気圧に開放する。
【００４４】
Ｓ２０７において、ロボット１８は、インナーポッド１０をロードロックチャンバー２３からＥＦＥＭ１９に搬送し、インナーポッド１０をアウターポッドに収納する。この際、反射型レチクル２は、上述したように、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態となっている。従って、アウターポッドの弾性部材を介して固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄが反射型レチクル２に押し付けられても、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはない。これにより、パーティクルを発生することなく、反射型レチクル２がインナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００４５】
このようにして、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作が終了する。
【００４６】
本実施形態では、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａ及び１０６ｂにアライメントマーク１０７ａ及び１０７ｂを形成し、反射型レチクル２のパターン面２ａに対となるアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを形成している。これにより、計測部１３０の１つの視野で、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとを、及び、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとを観察することができる。換言すれば、１つの計測部１３０で、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの位置ずれ、及び、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの位置ずれを計測することができる。従って、計測系や信号処理系の構成が複雑になることもなく、コストアップを抑制しながら、ベースプレート１００と反射型レチクル２との位置ずれを計測することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２を位置決めする。これにより、反射型レチクル２は、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２に支持される。従って、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはなく、摩擦及び擦れによるパーティクルの発生を抑制することができる。
【００４８】
本実施形態では、上述したように、レチクルステージ３に一般的に形成されるマークとは別に、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを形成している。但し、アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、レチクルステージ３に一般的に形成されるマークを使用することも可能である。この場合、反射型レチクル２にアライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂを新たに形成する必要がなくなるため、コストアップを抑えることができる。
【００４９】
例えば、反射型レチクル２をレチクルステージ３（レチクルチャック７）に載置する際には、レチクルステージ３における反射型レチクル２の位置を計測するために、ファインアライメントが行われる。ファインアライメントでは、例えば、図１０（ａ）に示すようなファインアライメントマーク１６０が使用される。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、ファインアライメントマーク１６０を使用する場合には、ファインアライメントマーク１６０の中心座標（ｘ１、ｙ１）を求めればよい。これにより、ファインアライメントマーク１６０とアライメントマーク１０７ａ又は１０７ｂとの相対的な位置（位置ずれ）を計測することができる。
【００５０】
また、反射型レチクル２には、レチクルの種別を識別するために、図１０（ｂ）に示すようなＩＤマーク１６１、或いは、図１０（ｃ）に示すようなＩＤマーク１６２が形成されている。アライメントマーク１１２ａ及び１１２ｂの代わりに、ＩＤマーク１６１又は１６２を使用する場合には、ＩＤマーク１６１又は１６２の中心座標（ｘ１、ｙ１）を求めればよい。これにより、ＩＤマーク１６１又は１６２とアライメントマーク１０７ａ又は１０７ｂとの相対的な位置（位置ずれ）を計測することができる。
【００５１】
露光装置ＥＡの露光動作において、光源からの光は、照明光学系（不図示）によって反射型レチクル２を照明する。反射型レチクル２のパターン面２ａ反射された光は、投影光学系５を介して、ウエハ１の上に結像する。反射型レチクル２は、上述した収納容器３１に収納されて搬送されているため、パターン面２ａへのパーティクルの付着が防止されている。従って、露光装置ＥＡは、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体デバイス、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、露光装置ＥＡを使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含む。また、前工程は、反射型レチクルを検査する工程も含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、露光装置ＥＡを使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含む。
【００５２】
なお、反射型レチクル２を収納する収納容器３１は、露光装置ＥＡのレチクル搬送系だけではなく、反射型レチクル２を検査する検査装置のレチクル搬送系などにも適用することができる。図１１を参照して、検査装置におけるレチクル搬送系の動作について説明する。ここでは、検査が終了し、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作について説明する。
【００５３】
検査が終了すると、Ｓ３０１において、ロボットハンドは、検査用ステージに載置されている反射型レチクル２を保持し、検査用ステージから反射型レチクル２を搬出する。ロボットハンドは、反射型レチクル２を保持して可動の可動部として機能する。
【００５４】
Ｓ３０２において、計測部１３０は、ベースプレート１００のウィンドウ部１０６ａに形成されたアライメントマーク１０７ａと反射型レチクル２に形成されたアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置（位置ずれ）を計測する。具体的には、図１２に示すように、ロボットハンド１４０が反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａが計測部１３０の視野内に位置するように、ベースプレート支持機構１５０がＺ軸方向に移動する。なお、ベースプレート支持機構１５０には、ベースプレート１００が予め保持されている。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ａ及びアライメントマーク１１２ａを同時に観察してアライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれを計測する。次に、ロボットハンド１４０が反射型レチクル２を保持した状態を維持し、アライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂが計測部１３０の視野内に位置するように、ベースプレート支持機構１５０がＸ軸方向に移動する。そして、計測部１３０は、上述したように、アライメントマーク１０７ｂ及びアライメントマーク１１２ｂを同時に観察してアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれを計測する。また、上述したように、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２をベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めする際に必要となる補正量（Ｘｃ、Ｙｃ、θｃ）を算出する。
【００５５】
Ｓ３０３において、反射型レチクル２をベースプレート１００に配置された支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄで支持する。この際、ロボットハンド１４０は、計測部１３０による計測結果に基づいて、反射型レチクル２がベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされるように、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整する。具体的には、アライメントマーク１０７ａとアライメントマーク１１２ａとの相対的な位置ずれ及びアライメントマーク１０７ｂとアライメントマーク１１２ｂとの相対的な位置ずれが低減するように、反射型レチクル２の位置を調整する。そして、ベースプレート支持機構１５０をＺ軸方向に移動させることで、反射型レチクル２はロボットハンド１４０から離れ、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態で、支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに支持される。
【００５６】
ここでは、ロボットハンド１４０が支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄに対する反射型レチクル２の位置を調整している。但し、ベースプレート支持機構１５０が反射型レチクル２に対するベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）の位置を調整してもよい。また、ロボットハンド１４０及びベースプレート支持機構１５０が、反射型レチクル２とベースプレート１００（支持ピン１０２ａ乃至１０２ｄ）との相対的な位置を調整してもよい。
【００５７】
Ｓ３０４において、ベースプレート１００にインナーカバー１０４を接続（載置）する。これにより、反射型レチクル２は、インナーポッド１０に収納（保護）される。Ｓ３０５において、インナーポッド１０をアウターポッドに収納する。この際、反射型レチクル２は、上述したように、ベースプレート１００の上の所定の位置に位置決めされた状態となっている。従って、アウターポッドの弾性部材を介して固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄが反射型レチクル２に押し付けられても、反射型レチクル２と固定ピン１０３ａ乃至１０３ｄとの間の接触部位に想定以上の圧力がかかることはない。これにより、パーティクルを発生することなく、反射型レチクル２がインナーポッド１０の内部に固定される（位置決めされる）。
【００５８】
このようにして、反射型レチクル２がインナーポッド１０に収納され、最終的に、反射型レチクル２を収納したインナーポッド１０がアウターポッドに収納されるまでの動作が終了する。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、
前記パターン面を保護するためのベースプレートと、
前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、
前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、
を有し、
前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする収納容器。
【請求項２】
基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを用いてデバイスを製造するデバイス製造装置であって、
請求項１に記載の収納容器に収納される前記レチクルの前記第１マークと前記収納容器の前記第２マークとの間の相対的な位置を計測する計測部と、
前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記支持部に支持される前記レチクルの位置決めを行う位置決め機構と、
を有することを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項３】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部を含み、
前記可動部は、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記支持部に対する前記レチクルの位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項４】
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測する、ことを特徴とする請求項３に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部と、前記ベースプレートを保持して可動のステージと、を含み、
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測し、
前記ステージは、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記可動部に保持された前記レチクルに対する前記ベースプレートの位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部と、前記ベースプレートを保持して可動のステージと、を含み、
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測し、
前記可動部及び前記ステージは、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記レチクルと前記ベースプレートとの間の相対的な位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】
前記レチクルを介して基板を露光する露光部を有する、ことを特徴とする請求項２乃至６のうちいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のうちいずれか１項に記載のデバイス製造装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１】
基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、
前記パターン面を保護するためのベースプレートと、
前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、
前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、
を有し、
前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第１マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第２マークが形成されている、ことを特徴とする収納容器。
【請求項２】
基板に転写すべきパターンと第１マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを用いてデバイスを製造するデバイス製造装置であって、
請求項１に記載の収納容器に収納される前記レチクルの前記第１マークと前記収納容器の前記第２マークとの間の相対的な位置を計測する計測部と、
前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記支持部に支持される前記レチクルの位置決めを行う位置決め機構と、
を有することを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項３】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部を含み、
前記可動部は、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記支持部に対する前記レチクルの位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項４】
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測する、ことを特徴とする請求項３に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部と、前記ベースプレートを保持して可動のステージと、を含み、
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測し、
前記ステージは、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記可動部に保持された前記レチクルに対する前記ベースプレートの位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】
前記位置決め機構は、前記レチクルを保持して可動の可動部と、前記ベースプレートを保持して可動のステージと、を含み、
前記計測部は、前記可動部が前記第１マークと前記第２マークとが１つの視野内に位置するように前記レチクルを保持している状態で前記相対的な位置を計測し、
前記可動部及び前記ステージは、前記計測部で計測された前記相対的な位置に基づいて、前記レチクルと前記ベースプレートとの間の相対的な位置を調整する、ことを特徴とする請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】
前記レチクルを介して基板を露光する露光部を有する、ことを特徴とする請求項２乃至６のうちいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項８】
請求項２乃至７のうちいずれか１項に記載のデバイス製造装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−１８５４００（Ｐ２０１２−１８５４００Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−４９６０６（Ｐ２０１１−４９６０６）
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１８年度 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構 「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月７日（２０１１．３．７）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１８年度 独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構 「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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