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Fターム[5F046EB02]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | 位置合わせマークの配置 (959) | マスク上、マスクフレーム上 (176)

Fターム[5F046EB02]に分類される特許

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【課題】 露光装置における投影光学系を介してマスク面とプレート面の位置検出をするにあたり、前記投影光学系における非点隔差の影響をできる限り受けない位置で位置検出マークを検出し、精度良くマスク面とプレート面の位置検出をする方法を提供する。
【解決手段】 露光装置(100)は、物体面(11)上に形成されたパターンを像(21)面上に結像させる投影光学系(30)と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置(50)を備えている。位置検出を投影光学系(30)で生ずる非点隔差の影響が少ない位置で実施することで、位置検出の精度を向上させる。 (もっと読む)


【課題】収納容器に対するレチクルの位置決めに有利な技術を提供する。
【解決手段】基板に転写すべきパターンと第1マークとが形成されたパターン面を有するレチクルを収納する収納容器であって、前記パターン面を保護するためのベースプレートと、前記ベースプレートに配置され、前記パターン面を介して前記レチクルを支持する支持部と、前記レチクルの前記パターン面とは反対側の面を保護するように、前記ベースプレートに載置されるカバーと、を有し、前記ベースプレートは、前記支持部に支持された前記レチクルの前記第1マークを観察するために光透過部材で構成されたウィンドウ部を含み、前記ウィンドウ部に第2マークが形成されている、ことを特徴とする収納容器を提供する。 (もっと読む)


【課題】実デバイスパターンの像位置を高速かつ高精度に推定あるいは決定するために有利な技術を提供する。
【解決手段】原版Rまたは原版ステージ21には、互いに異なる複数のパターンが互いに異なる領域に配置されてなる第1計測パターン23が設けられ、計測器は、前記第1計測パターン23を投影光学系30の投影倍率に応じて縮小した第2計測パターン51と、前記第1計測パターン23および前記投影光学系30を透過し更に前記第2計測パターン51を透過した光を検出するセンサ52とを含み、制御部70は、前記第1計測パターン23の照明領域を前記原版に応じて決定し、決定された前記照明領域における前記第1計測パターン23を照明して基板ステージ41を移動させながら得られた前記センサ52の出力に基づいて、前記投影光学系30によって形成される前記照明領域における前記第1計測パターン23の像の位置を計測する。 (もっと読む)


【課題】ワークを搬送しながらマスクとワークのX,Y,θ方向のズレをリアルタイムで補正することができ、露光精度を向上することができるマスク、近接スキャン露光装置及び近接スキャン露光方法を提供する。
【解決手段】マスクMに形成されたマスク側アライメントマーク41は、X方向に対して互いに異なる角度α°、−α°でそれぞれ傾斜した2本の斜線部42a,42bと、X方向に沿って延びる直線部43a、43bとを有する。また、このマスクMを使用して、近接スキャン露光装置1では、撮像手段によって検出されたマスク側アライメントマーク41とワーク側アライメントマークWaとのズレ量が、ワークWの搬送中、ワーク搬送機構10、マスク駆動部12、照射部14の少なくとも一つによって補正される。 (もっと読む)


【課題】露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供する。
【解決手段】露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第1のパタンを有する第1のマスクを作製し、第1のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第1の差分を算出し、第1の差分を、第1のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、EUV露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】グローバルアライメントで求めた目標位置に精度良くパターンを転写することができるインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板上に塗布された転写材料とパターンを有する型との少なくとも一方を他方に押し付け、パターンを転写するインプリント装置であって、型2のマーク4と、基板1上に形成された複数のマーク5を検出することで算出された目標転写位置に対応する基板1上のマーク5とを検出する検出部6と、目標転写位置にパターンを転写するために、型2と基板1を位置合わせした状態で、型2のマーク4と目標転写位置に対応する基板1上のマーク5との相対位置を示す情報を検出部9から取得し、目標転写位置で型2と転写材料とが押し付けられた状態で、型2のマーク4と基板の目標転写位置に対応する基板1上のマーク5との相対位置を、位置合わせをした状態における相対位置となるように制御する制御部16とを有するインプリント装置。 (もっと読む)


【課題】位置合わせ測定の精度を向上する。
【解決手段】1つの実施形態によれば、位置合わせ測定方法では、測定光学系の測定領域内が2次元的に分割された複数の部分領域のそれぞれに位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置を順次にシフトさせながら前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を予め測定して、前記測定光学系の特性ずれに関する装置要因誤差を前記複数の部分領域のそれぞれごとに求め、前記複数の部分領域ごとに求められた前記装置要因誤差に基づいて前記複数の部分領域のうち使用すべき部分領域を決定し、前記決定された前記使用すべき部分領域に前記位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置をシフトさせた状態で前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を測定する。 (もっと読む)


【課題】マスクステージの回転中心の座標を精度良く求め、これによりマスクと基板との位置決めを高精度で行うことができるマスクの位置決め装置及びマスクの回転中心算出方法を提供する。
【解決手段】位置決め装置70は、回転機構16xを具備するマスクステージ10と、マスクM及び基板Wに設けられた複数のアライメントマークMm、Wmを検知するための複数のアライメントカメラ18と、アライメントカメラ18により得られた画像を用いて各アライメントマークMm、Wmの位置が合うようにマスクステージ10の動作を制御する制御装置71と、を備える。アライメントカメラ18は、各アライメントカメラ18にそれぞれ対応するアライメントマークMm、Wmを撮像し、マスクステージ10を回転させた後、各アライメントマークMm、Wmを再度撮影して、マスクステージ10の回転中心Eの座標を算出する。 (もっと読む)


【課題】露光装置のステージ上に被露光ガラス基板を搭載してから、フォトマスクとガラス基板のアライメントとが終了するまでのステージの移動回数を低減するの提供である。
【解決手段】露光用光源、露光光制御機構、基板ステージ位置調節機構、アライメントマークの画像認識機構、該画像情報等を使用して位置情報を保存・算出する機構とを備える露光装置であって、ステージに被露光基板を搭載する都度、位置情報に基づいて被露光基板を初期位置に移動し、その後、画像認識によりフォトマスクのアライメントマークと被露光基板のアライメントマークが所定の許容差に収まるまで、別の位置情報に基づいて被露光基板を段階的に移動するとともに、移動後の位置を位置情報として蓄積し、次に露光する被露光基板の初期位置についての情報を、蓄積された位置情報に基づいて算出し位置情報として設定するする機構を備えたことを特徴とする露光装置。 (もっと読む)


【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン2と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線4a,4bを備えた構造をなし、複数のマスクパターン2に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線4a,4b間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク4と、を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で、極めて高いアライメントの精度を得ることのできる露光装置を提供する。
【解決手段】対象ワーク23上に所定のマスク18aパターンを露光する露光装置10である。露光光を用いたアライメント光をマスク18aのマスク側アライメントマーク51に照射可能なアライメント照明ユニット30と、アライメント照明ユニット30から出射されマスク18aおよび投影レンズ20を経たアライメント光を入射させるアライメントカメラユニット40と、を備える。アライメントカメラユニット40は、入射されたアライメント光におけるマスク18aに対する光学的な位置関係を、対象ワーク23とは異なる位置で対象ワーク23と等しくするダミーワーク領域(42a)に、マスク側アライメントマーク像53を形成する結像光学系と、撮像装置に対する対象ワーク23とダミーワーク領域との光学的な位置関係を等しくする撮像光学系と、を有する。 (もっと読む)


【課題】原版と基板とのアライメントとの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】原版に形成された第1のマーク、及び、前記原版を介して前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第2のマークを検出する第1の検出部と、前記原版を介さずに第2のマークを検出する第2の検出部と、前記原版のパターンを前記基板に転写するための処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記第2の検出部による前記第2のマークの検出結果の一部を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す統計量を求める処理と、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記統計量から求められる前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第2のマークの位置と、前記第2の検出部によって検出された前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第2のマークの位置との差分を求める処理と、を行う。 (もっと読む)


【課題】基板の下地パターンの上に不透明な膜が塗布されている場合に、基板の下地パターンのアライメントマークの画像を鮮明に取得して、基板の下地パターンのアライメントマークの位置を精度良く検出する。
【解決手段】複数の第2の画像取得装置(下方カメラユニット52)を、チャック10に支持された基板1の下方に配置して、基板1の下地パターンに設けられた複数のアライメントマーク1aの画像を基板1の下方から取得し、第2の画像取得装置が出力した基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの画像信号を処理して、基板1の下地パターンのアライメントマーク1aの位置を検出する。 (もっと読む)


【課題】フォトマスクと基材との位置合わせの時間を短縮することが可能なフォトマスクと基材との位置合わせ方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】露光システムは、露光機60および画像処理装置64を備える。露光機60は、複数のカメラ62a,62bを含む。カメラ62a,62bは、フルスキャンモードおよびパーシャルスキャンモードに選択的に設定可能に構成される。カメラ62a,62bは、フルスキャンモードでは、得られた画像データの全てを転送し、パーシャルスキャンモードでは、得られた画像データから一部を抽出して転送する。画像処理装置64が、カメラ62aから転送される画像データを用いた処理とカメラ62bから転送される画像データを用いた処理とを並列的に行う。 (もっと読む)


【課題】比較的安価なフィルムマスクを用いて、マスク交換時間(装置ダウンタイム)の短縮と高精度な露光を簡単な構成で実現することができる露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】露光装置は、照明光学系160からの露光光の光束をマスクMを介してワークWに照射し、マスクMのパターンPaをワークWに転写する。マスクMは、パターンPaが形成されるフィルムマスク120と、該フィルムマスク120が貼り付けられるガラス板122と、を備える。 (もっと読む)


【課題】粗面を有する発光ダイオード(LED)加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根(RMS)表面粗さσを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するLED10の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約2σから約8σの範囲の波長λを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、p型コンタクト90p及びn型コンタクト90nをLEDの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 (もっと読む)


【課題】下地マークと基板上に形成されたアライメントマークとの位置ずれを検出することを可能とし、位置ずれを抑えながら基板上にパターンを形成することができる技術を提供する。
【解決手段】下地マークを有する基板に塗布された樹脂にパターン面を有するモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドは、前記パターンを形成するためのパターン部と、前記基板上にアライメントマークを形成するためのマーク部と、前記モールドを樹脂に押し付けた状態において前記下地マークが押し潰されることを防止する凹部とを前記パターン面に含むことを特徴とするインプリント装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体リソグラフィにおいて、1レチクルを用いた複数パターンの形成方法及びパターン形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明によると、ウェハ上のレジストに複数の異なるパターンを有するチップパターンを形成する方法において、複数の領域に前記複数の異なるパターンを形成したレチクルを用い、前記複数の領域から第1の領域を選択し、前記第1の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第1の領域の一部に光を照射して、前記レジストに第1のパターンを形成し、前記複数の領域から前記第1の領域と異なる第2の領域を選択し、前記第2の領域の一部以外の前記複数の領域をブラインドにより遮光し、前記第2の領域の一部に光を照射して、前記レジストにパターンを形成することを特徴とする第2のパターン形成方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークの画像認識を高い確率で成功させて、露光処理の中断を少なくする。
【解決手段】各画像取得装置が出力した画像信号について、第1の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出し、第1の判定条件で画像認識ができないとき、第1の判定条件よりもゆるい第2の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出し、第2の判定条件で画像認識を行って検出したマスク2のアライメントマーク2aの位置及び基板1のアライメントマーク1aの位置に基づき、マスクホルダ20とチャック10とを相対的に移動して、マスク2と基板1との位置ずれを補正する。その後、各画像取得装置が出力した画像信号について、第1の判定条件で画像認識を行い、認識したアライメントマークの位置を検出して、マスク2と基板1との位置合わせを行う。 (もっと読む)


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