同軸型ＬＰＦ及びＬＰＦ内蔵同軸ケーブル
【課題】ＬＰＦの配置上、新たな場所を必要とせず回路の大型化が防止でき、構造が簡単で製造容易な同軸型ＬＰＦを提供する。
【解決手段】同軸型ケーブル３０の内導体１０と外導体２０間の絶縁体３０、３１、３２、３３を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造とし、内導体は均一な径、又は形状差の少ない径として低域通過フィルタを形成する。基本的に誘電体の誘電率を変える構成であり、誘電体の誘電率の組み合わせにより等価的にコンデンサ及びインダクタンスを形成するものであるから、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、構造が簡単であり十分良好なＬＰＦ特性を実現可能である。
【解決手段】同軸型ケーブル３０の内導体１０と外導体２０間の絶縁体３０、３１、３２、３３を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造とし、内導体は均一な径、又は形状差の少ない径として低域通過フィルタを形成する。基本的に誘電体の誘電率を変える構成であり、誘電体の誘電率の組み合わせにより等価的にコンデンサ及びインダクタンスを形成するものであるから、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、構造が簡単であり十分良好なＬＰＦ特性を実現可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は同軸ケーブル構成の低域通過フィルタ（ＬＰＦ）に関し、特にセミリジットケーブル等の同軸ケーブルに形成した同軸型ＬＰＦ及びＬＰＦ内蔵同軸ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線送受信装置においては不要波を減衰させるために信号路等に個別の帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）を設けることが一般的に行われており、このＢＰＦは通過帯域以外の周波数において減衰特性を有するように構成するものの、高調波成分が抜ける（通過する）周波数帯域、例えば信号周波数の２倍や３倍の周波数帯等が生じてしまうことが多々ありうる。
【０００３】
図８は、一般的な無線送受信装置の周波数コンバーター回路及びその出力回路を示す図である。中間周波（ＩＦ）ＡＭＰ８、シンセサイザー１６をローカル信号（ＬＯ）とするミキサ９、ＢＰＦ１１、高周波（ＲＦ）ＡＭＰ１２で構成されたコンバーター回路１３と、その出力を増幅するパワーアンプ１４、不要波を減衰させるＢＰＦ１５から構成される一般的な無線送信機であり、かかる無線送信機においては、シンセサイザー１６とミキサ９の接続部Ａ、コンバーター回路１３とパワーアンプ１４の接続部Ｂ、パワーアンプ１４とＢＰＦ１５の接続部Ｃ、ＢＰＦ１５と無線送信機の出力の接続部Ｄは通常のセミリジットケーブルで接続される。
【０００４】
このような回路においては、ＢＰＦ１１、ＢＰＦ１５は理想的には必要な帯域以外の信号を減衰させる特性を有するべきであるが、実際には２倍、３倍の周波数や、ある共振周波数の信号に対する減衰量は十分には期待出来ないことが多い。このような場合、前記回路の各部に更に当該周波数の信号の抜けを防止するための信号減衰用のＬＰＦを追加する必要が生じる。
【０００５】
ところで、無線送受信装置等の信号系統において不要信号の減衰に使用可能なＬＰＦとしては、極力装置の大型化を抑制でき、製造の容易なものとする必要があり、例えば、同軸ケーブル構造の低域通過フィルタ（特許文献１参照）の使用が考えられる。
【特許文献１】特開昭５７−１５０２０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のように周波数コンバーター回路等に同軸ケーブル構造の低域通過フィルタを使用する場合、少なくともＬＰＦの周波数特性としては、信号帯域の２倍、３倍の周波数帯域に−１０ｄＢ程度以上の減衰特性が要求される。
【０００７】
図９は本願の発明者により構成した前記特性を充足する同軸ケーブル構造のＬＰＦの構成例を示す図である。同軸ケーブルとしてセミリジットケーブルを使用しその内導体（中心導体）の径をケーブル本来の径に対しＬＰＦ構成箇所で変化させることによりＬＰＦ特性を与えるものである。
【０００８】
図１０は図９に示すＬＰＦの周波数特性を示す図である。Ｓ１１は入力信号に対する入力側へのリターン信号の比（リターンロス）を示し、Ｓ２１は入力信号に対する出力信号の比（減衰量）を示している。同図のＳ２１に示すように使用周波数５ＧＨｚに対しその２倍以上の周波数である１０ＧＨｚ以上に対し、要求される減衰特性を満たしている。
【０００９】
ところが、このような特性を実現する同軸型ＬＰＦの内導体の形状は、ケーブルの絶縁体（誘電体）１０６の誘電率εｒ１０６＝１０とすると、入出力側の容量形成用の導体１０２、１０４の長さＬ１０２＝Ｌ１０４＝０．５ｍｍ、径φ１０２＝φ１０４＝０．６５ｍｍ、導体１０３の長さＬ１０３＝１．６ｍｍ、径φ１０３＝０．００６５ｍｍとなる。ここで入出力側が５０Ωとなる中心導体１０１、１０５の径φ１０１、φ１０５は、φ１０１、φ１０５＝０．０７２ｍｍである。
【００１０】
この内導体の形状から分かるように、複数の内導体間（１０１、１０２、１０３、１０４、１０５等）の径に大きな形状差があり、例えば径φ１０３＝０．００６５ｍｍの導体１０３はきわめて細く、径φ１０２、φ１０３と比較した形状差もあり製作及び装荷が困難であるとともに特性の再現性上にも問題がある。
【００１１】
したがって、図９のように内導体の形状によりＬＰＦを実現するのは製作精度上、特性の精度上等に問題があり、好適なＬＰＦ特性を実現するには困難である。
【００１２】
以上のように、無線送受信装置等の信号路に設けるＢＰＦの特性により通過帯域以外の周波数の信号の抜けが発生する場合、装置内への新たなＬＰＦを追加すると装置規模が増大し価格アップ上の問題がある。そこで、セミリジットケーブルのようなケーブル内にＬＰＦを構成するとしてもケーブルの径が小さいので、構造が簡単で製作精度の困難性を伴わず特性の再現性を高めることが重要である。
【００１３】
（目的）
そこで、本発明の目的は、以上の課題を解決するものであり、ＬＰＦの配置上、新たな場所を必要とせず回路の大型化が防止でき、構造が簡単で製造容易な同軸型ＬＰＦを提供することにある。
本発明の他の目的は、高い製作精度を不要とし、周波数特性を再現性よく実現可能な同軸型ＬＰＦを提供することにある。
本発明の他の目的は、無線送受信系等に適用可能で、新たな場所を必要とせず構造簡単、製造容易及び良好な周波数特性を有するＬＰＦを内蔵するＬＰＦ内蔵同軸ケーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の同軸型ＬＰＦは、同軸型ケーブルの内導体と外導体間の絶縁体を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造として低域通過フィルタを形成したものであり、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の誘電率との関係では、該誘電率より小さい誘電率の誘電体とその両端に設けた前記誘電率より大きい誘電率の誘電体の組み合わせでなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記内導体は均一な径を有すること、又は、大きい誘電率の誘電体の領域の内導体の径は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より大きく、小さい誘電率の誘電体の領域の内導体は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より小さいこと、を特徴とする。
【００１６】
更に、異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより多段構成の低域通過フィルタを形成し、また、キャパシタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率はインダクタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率より大きいことを特徴とし、同軸ケーブル自体として、セミリジットケーブルを使用したことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のＬＰＦ内蔵同軸ケーブルは以上の異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより低域通過フィルタを形成した領域を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の同軸型ＬＰＦはセミリジットケーブル内に構成されるため、高周波回路の接続部に使用すれば、元々必要な各部間の接続ケーブル内に構成されるため、ＬＰＦを接続するための新たな場所を必要とせず構造も単純なため、回路が大きくなるのを防ぎコストアップにつながらないという利点がある。
【００１９】
特に、基本的に誘電体の誘電率を変える構成であり、誘電体の誘電率の組み合わせにより等価的にコンデンサ及びインダクタンスを形成するものであるから、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、従来例と比較しても構造が簡単であり、十分良好なＬＰＦ特性を実現可能なＬＰＦ内蔵の同軸ケーブルを実現することが可能である。勿論、回路間を接続するケーブルとしてケーブル外に空間を占有することがなく、装置の小型化に十分寄与し低コストで不要信号の遮断性能が向上する。
【００２０】
また、ケーブルの内導体として不均一の径を採用したとしても、異なる誘電率の絶縁体の使用により内導体の径の組み合わせに極端な差を与える必要がないから、製造が容易であり高い製作精度を必要とせず、周波数特性も向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明のＬＰＦの一実施の形態について、ケーブルとしてセミリジットケーブルの使用例を説明する。
図１はセミリジットケーブルを示す図である。セミリジットケーブルはマイクロ波以上で最も多く使われている同軸ケーブルであり、通常のセミリジットケーブルは外導体７の内部に絶縁体６と５０Ωの伝送線路となる内導体１があり、回路間を５０Ωで接続するために使用される。例えば、内導体は鋼線に銀メッキされ、また、外導体は銅パイプ等が用いられ、外部への信号の漏洩が少ない構造が採用されている。一般に、鋼線は導体損失が大きいが、マイクロ波では表皮効果により、信号は表面部分の銀メッキ部分しか流れないため損失が低く伝送効率が良好である。このように、外導体自体はその内側の表面部分が信号の伝送に寄与することから、以下の実施の形態において外導体の厚みの表記は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
（構成の説明）
図２は本発明の同軸型ＬＰＦの一実施の形態を示す図であり、（ａ）はＬＰＦの構成を示し、（ｂ）は等価回路を示す。同軸型ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）３０と、で構成され、絶縁体３０と内導体１０により、例えば５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの伝送線路方向に複数の異なる種類の誘電率の誘電体が交互に配置され、内部導体１０は同一径のまま各誘電体の中心を貫通し延在する構造でなる。同図の同軸型ＬＰＦは、少なくとも誘電率の異なる３つの誘電体３１、３２、３３であって、誘電体３２の両端にそれぞれ誘電体３１、３３が配置された構造を備える。
【００２３】
特に、セミリジットケーブルの同軸型ＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、伝送線路方向に長い誘電体３２と、その両端に配置された２つの短い誘電体３１、３３の組み合わせの対称構造に構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率を有している。
【００２４】
また、同軸型ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体３１、３２及び３３のそれぞれの軸方向の長さＬ３１、Ｌ３２及びＬ３３の関係は、Ｌ３２＞Ｌ３１＝Ｌ３３、セミリジットケーブル自体の絶縁体の誘電率εｒ３０、前記誘電体３１、３２及び３３のそれぞれの誘電率εｒ３１、εｒ３２及びεｒ３３の関係は、εｒ３２＜εｒ３０＜εｒ３１＝εｒ３３に設定される。
【００２５】
より具体的には、Ｌ３１＝Ｌ３３＝０．２７ｍｍ、Ｌ３２＝８．５ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、誘電体３１、３３の誘電率εｒ３１＝εｒ３３＝５０、誘電体３２の誘電率εｒ３２＝１に設定することにより、誘電体３１、３３を有する内部導体には容量が形成され、誘電体３２を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体３０として誘電率εｒ３０＝２．１の誘電体を使うことによりφ３０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００２６】
（動作の説明）
以上の構成により、キャパシタンス（容量）を形成する内部導体とインダクタンスを形成する内部導体とで、等価回路として図２（ｂ）に示すπ型のＬＰＦ回路が構成される。
図３は前述の設定による同軸型ＬＰＦの周波数特性を示す図である。同図において特性Ｓ１１（実線）は信号の入力側へのリターンロスを示し、特性Ｓ２１（点線）は信号の減衰特性を示している。このＬＰＦは５ＧＨｚ帯を通過帯域として設計されたものであり、この通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯で約１０ｄＢ以上の減衰量の特性が実現され、それより高い周波数領域では更に大きな減衰量の特性が実現される。
【００２７】
本実施の形態によれば、ケーブルの内導体が均一の径でなり、３つの絶縁体の誘電率を変えるのみでケーブル内にＬＰＦが構成されるので構造が簡単であり、製造が容易であり、特性の再現性がよいＬＰＦ内蔵のケーブルを実現することが可能である。また、回路間を接続するケーブルとして使用した場合、ケーブル外にＬＰＦのための空間を占有することがないから、装置の小型化に好適であり、低コストで不要信号の遮断性能を向上させることが可能である。
【００２８】
（実施の形態２）
図４は本発明の他の実施の形態２を示す図である。本実施の形態では、図２に示すＬＰＦ構成を直列の多段構成としたものである。ＬＰＦ構成として、容量を形成する絶縁体と、インダクタンスを形成する絶縁体の数を増やすことによりＬＰＦの段数を増やして、減衰量を増やすように構成したものである。内導体は径が均一であり外導体との間に誘電率の異なる絶縁体を交互に配置して構成する。
【００２９】
同軸型ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）４０で構成され、絶縁体４０と内導体１０により、例えば、５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの線路方向に複数の種類の異なる誘電率の誘電体４１、４２、４３、４４、４５により、交互に配置した構成とし、内部導体１０は同一径のまま誘電体４１、４２、４３、４４、４５の中心を貫通し、延在する構造でなる。
【００３０】
特に、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、長い誘電体４２、４４の間に配置した短い誘電体４３と、長い誘電体４２、４４の反対側の両端に配置した短い誘電体４１、４５の組み合わせで構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率として構成する。
【００３１】
また、ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体４１、４２、４３、４４、４５のそれぞれの長さＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４及びＬ４５、セミリジットケーブルに使用される絶縁体の誘電率εｒ４０、誘電体４１、４２、４３、４４、４５のそれぞれの誘電率εｒ４１、εｒ４２、εｒ４３、εｒ４４、εｒ４５の関係は、Ｌ４１＝Ｌ４５＜Ｌ４３＜Ｌ４２＝Ｌ４４、εｒ４２＝εｒ４４＜εｒ４０＜εｒ４１＝εｒ４３＝εｒ４５に設定される。
【００３２】
具体的には、Ｌ４１＝Ｌ４５＝０．２４ｍｍ、Ｌ４３＝０．３９ｍｍ、Ｌ４２＝Ｌ４４＝１０ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、誘電体４１、４３、４５の誘電率εｒ４１＝εｒ４３＝εｒ４５＝５０、誘電体４２、４４の誘電率εｒ４２＝εｒ４４＝１に設定することにより、誘電体４１、４３、４５を有する内部導体には容量が形成され、誘電体４２、４４を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体４０の誘電率εｒ４０＝２．１の誘電体を使うことによりφ４０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００３３】
図５は本実施の形態２のＬＰＦの周波数特性を示す図である。容量を形成する内部導体とインダクタンスを形成する内部導体とで２段構成のＬＰＦ回路が形成され、ＬＰＦの２段構成により、Ｓ１１の特性のように２つのリターンロスの極が生じるが、例えば５ＧＨｚ帯を通過帯域として使用することができ、Ｓ１１の特性のように通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯での減衰量は約２０ｄＢを越える特性が実現される。
【００３４】
本実施の形態２もケーブルの内導体が均一の径によりＬＰＦが構成されるので構造が簡単であり、製造が容易あり特性の再現性がよいＬＰＦ内蔵のケーブルを実現することも可能である。また、回路間を接続するケーブルとして使用した場合、ケーブル外に空間を占有することがないから、装置の小型化が可能であり、低コストで不要信号の遮断性能を向上することが可能である。
【００３５】
（実施の形態３）
図６は本発明の他の実施の形態３を示す図である。本実施の形態は、絶縁体の誘電率に加えて、内導体の径も軸心方向に変えて構成したＬＰＦである。ＬＰＦの段数は２段とし、また、インダクタンスを形成する領域の内導体の径を容量を形成する領域の径より細く設定し、分布定数の値を大きくし遮断領域の減衰特性を向上させている。
【００３６】
ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）５０で構成され、絶縁体５０と内導体１０により、例えば、５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの線路方向に複数の種類の異なる誘電率の誘電体５１、５２、５３、５４、５５を交互に配置した構成とし、内部導体１０は、誘電率の大きい誘電体領域は大きい径とし、誘電率の小さい誘電体領域は小さい径とし、それぞれ誘電体５１、５２、５３、５４、５５の中心を貫通し、隣接する内導体は接続された又は同一材料で構成された構造を備える。
【００３７】
つまり、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、長い誘電体５２、５４と、その境界の短い誘電体５３と、両端に配置された２つの短い誘電体５１、５５とでなる組み合わせで構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率を有している。
【００３８】
ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体５１、５２、５３、５４及び５５のそれぞれの長さＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、Ｌ５４及びＬ５５、誘電率εｒ５１、εｒ５２、εｒ５３、εｒ５４及びεｒ５５、セミリジットケーブルに使用される絶縁体の誘電率εｒ５０、ＬＰＦを構成する領域の内導体の径φ５１、φ５２、φ５３、φ５４及びφ５５の関係は、Ｌ５１＝Ｌ５５＜Ｌ５３＜Ｌ５２＝Ｌ５４、εｒ５２＝εｒ５４＜εｒ５０＜εｒ５１＝εｒ５３＝εｒ５５、φ１０＝φ５２＝φ５４＜φ５１＝φ５３＝φ５５に設定すると好適である。
【００３９】
具体的には、Ｌ５１＝Ｌ５５＝０．５ｍｍ、Ｌ５３＝０．８ｍｍ、Ｌ５２＝Ｌ５４＝１０ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、εｒ５１＝εｒ５３＝εｒ５５＝５０、εｒ５２＝εｒ５４＝１に設定することにより、誘電体５１、５３、５５を有する内部導体には容量が形成され、誘電体５２、５４を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体５０の誘電率εｒ５０＝２．１の誘電体を使うことによりφ５０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００４０】
図７は実施の形態３の周波数特性を示す図である。図４に示す実施の形態２と同様にＳ１１の特性に２つのリターンロスの極が生じるが、例えば５ＧＨｚ帯を通過帯域として使用することができ、Ｓ２１の特性のように通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯での減衰量は約２０ｄＢを越える良好な特性が実現される。
【００４１】
本実施の形態３ではケーブルの内導体が不均一の径を採用することによるＬＰＦの構成上の複雑性が生じうるが、基本的に誘電体の誘電率を変える構成により、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、従来例と比較しても構造が簡単であり、十分良好なＬＰＦ特性を実現可能なＬＰＦ内蔵のケーブルが構成できる。勿論、回路間を接続するケーブルとしてケーブル外に空間を占有することがなく、装置の小型化に十分寄与し低コストで不要信号の遮断性能が向上する。
【００４２】
以上の実施の形態においては、１段及び２段構成のＬＰＦの構成を説明したが、容量を形成する内部導体と、インダクタンスを形成する内部導体の数を増やすことにより、ＬＰＦの段数を更に増やして、減衰量をより増大させるように構成することが可能である。
【００４３】
また、セミリジットケーブルの使用例を示したが、例えば、３Ｄ−２Ｖ、５Ｄ−２Ｖ等の他の同軸ケーブルに本発明を適用することが可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】通常のセミリジットケーブルを示す図である。
【図２】本発明のＬＰＦの実施の形態を示す図であり、（ａ）はその構成を示し、（ｂ）は等価回路を示す。
【図３】本実施の形態の周波数特性を示す図である。
【図４】本発明の他の実施の形態２を示す図である。
【図５】実施の形態２の周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の他の実施の形態３を示す図である。
【図７】実施の形態３の周波数特性を示す図である。
【図８】一般的な無線送信機の構成を示す図である。
【図９】従来技術を示す図である。
【図１０】従来技術の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、１０ 内導体（内部導体）
３ キャパシタンス（容量）
５ インダクタンス
６ 絶縁体（誘電体）
７、２０ 外導体
８ ＩＦ ＡＭＰ（中間周波増幅器）
９ ミキサ
１１、１５ ＢＰＦ（帯域通過フィルタ）
１２ ＲＦ ＡＭＰ（高周波増幅器）
１３ コンバーター回路
１４ パワーアンプ
１６ シンセサイザー
３０、３１、３２、３３、４０、４１、４２、４３、４４、４５、５０、５１、５２、５３、５４、５５ 絶縁体（誘電体）
【技術分野】
【０００１】
本発明は同軸ケーブル構成の低域通過フィルタ（ＬＰＦ）に関し、特にセミリジットケーブル等の同軸ケーブルに形成した同軸型ＬＰＦ及びＬＰＦ内蔵同軸ケーブルに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線送受信装置においては不要波を減衰させるために信号路等に個別の帯域通過フィルタ（ＢＰＦ）を設けることが一般的に行われており、このＢＰＦは通過帯域以外の周波数において減衰特性を有するように構成するものの、高調波成分が抜ける（通過する）周波数帯域、例えば信号周波数の２倍や３倍の周波数帯等が生じてしまうことが多々ありうる。
【０００３】
図８は、一般的な無線送受信装置の周波数コンバーター回路及びその出力回路を示す図である。中間周波（ＩＦ）ＡＭＰ８、シンセサイザー１６をローカル信号（ＬＯ）とするミキサ９、ＢＰＦ１１、高周波（ＲＦ）ＡＭＰ１２で構成されたコンバーター回路１３と、その出力を増幅するパワーアンプ１４、不要波を減衰させるＢＰＦ１５から構成される一般的な無線送信機であり、かかる無線送信機においては、シンセサイザー１６とミキサ９の接続部Ａ、コンバーター回路１３とパワーアンプ１４の接続部Ｂ、パワーアンプ１４とＢＰＦ１５の接続部Ｃ、ＢＰＦ１５と無線送信機の出力の接続部Ｄは通常のセミリジットケーブルで接続される。
【０００４】
このような回路においては、ＢＰＦ１１、ＢＰＦ１５は理想的には必要な帯域以外の信号を減衰させる特性を有するべきであるが、実際には２倍、３倍の周波数や、ある共振周波数の信号に対する減衰量は十分には期待出来ないことが多い。このような場合、前記回路の各部に更に当該周波数の信号の抜けを防止するための信号減衰用のＬＰＦを追加する必要が生じる。
【０００５】
ところで、無線送受信装置等の信号系統において不要信号の減衰に使用可能なＬＰＦとしては、極力装置の大型化を抑制でき、製造の容易なものとする必要があり、例えば、同軸ケーブル構造の低域通過フィルタ（特許文献１参照）の使用が考えられる。
【特許文献１】特開昭５７−１５０２０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のように周波数コンバーター回路等に同軸ケーブル構造の低域通過フィルタを使用する場合、少なくともＬＰＦの周波数特性としては、信号帯域の２倍、３倍の周波数帯域に−１０ｄＢ程度以上の減衰特性が要求される。
【０００７】
図９は本願の発明者により構成した前記特性を充足する同軸ケーブル構造のＬＰＦの構成例を示す図である。同軸ケーブルとしてセミリジットケーブルを使用しその内導体（中心導体）の径をケーブル本来の径に対しＬＰＦ構成箇所で変化させることによりＬＰＦ特性を与えるものである。
【０００８】
図１０は図９に示すＬＰＦの周波数特性を示す図である。Ｓ１１は入力信号に対する入力側へのリターン信号の比（リターンロス）を示し、Ｓ２１は入力信号に対する出力信号の比（減衰量）を示している。同図のＳ２１に示すように使用周波数５ＧＨｚに対しその２倍以上の周波数である１０ＧＨｚ以上に対し、要求される減衰特性を満たしている。
【０００９】
ところが、このような特性を実現する同軸型ＬＰＦの内導体の形状は、ケーブルの絶縁体（誘電体）１０６の誘電率εｒ１０６＝１０とすると、入出力側の容量形成用の導体１０２、１０４の長さＬ１０２＝Ｌ１０４＝０．５ｍｍ、径φ１０２＝φ１０４＝０．６５ｍｍ、導体１０３の長さＬ１０３＝１．６ｍｍ、径φ１０３＝０．００６５ｍｍとなる。ここで入出力側が５０Ωとなる中心導体１０１、１０５の径φ１０１、φ１０５は、φ１０１、φ１０５＝０．０７２ｍｍである。
【００１０】
この内導体の形状から分かるように、複数の内導体間（１０１、１０２、１０３、１０４、１０５等）の径に大きな形状差があり、例えば径φ１０３＝０．００６５ｍｍの導体１０３はきわめて細く、径φ１０２、φ１０３と比較した形状差もあり製作及び装荷が困難であるとともに特性の再現性上にも問題がある。
【００１１】
したがって、図９のように内導体の形状によりＬＰＦを実現するのは製作精度上、特性の精度上等に問題があり、好適なＬＰＦ特性を実現するには困難である。
【００１２】
以上のように、無線送受信装置等の信号路に設けるＢＰＦの特性により通過帯域以外の周波数の信号の抜けが発生する場合、装置内への新たなＬＰＦを追加すると装置規模が増大し価格アップ上の問題がある。そこで、セミリジットケーブルのようなケーブル内にＬＰＦを構成するとしてもケーブルの径が小さいので、構造が簡単で製作精度の困難性を伴わず特性の再現性を高めることが重要である。
【００１３】
（目的）
そこで、本発明の目的は、以上の課題を解決するものであり、ＬＰＦの配置上、新たな場所を必要とせず回路の大型化が防止でき、構造が簡単で製造容易な同軸型ＬＰＦを提供することにある。
本発明の他の目的は、高い製作精度を不要とし、周波数特性を再現性よく実現可能な同軸型ＬＰＦを提供することにある。
本発明の他の目的は、無線送受信系等に適用可能で、新たな場所を必要とせず構造簡単、製造容易及び良好な周波数特性を有するＬＰＦを内蔵するＬＰＦ内蔵同軸ケーブルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の同軸型ＬＰＦは、同軸型ケーブルの内導体と外導体間の絶縁体を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造として低域通過フィルタを形成したものであり、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の誘電率との関係では、該誘電率より小さい誘電率の誘電体とその両端に設けた前記誘電率より大きい誘電率の誘電体の組み合わせでなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記内導体は均一な径を有すること、又は、大きい誘電率の誘電体の領域の内導体の径は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より大きく、小さい誘電率の誘電体の領域の内導体は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より小さいこと、を特徴とする。
【００１６】
更に、異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより多段構成の低域通過フィルタを形成し、また、キャパシタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率はインダクタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率より大きいことを特徴とし、同軸ケーブル自体として、セミリジットケーブルを使用したことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明のＬＰＦ内蔵同軸ケーブルは以上の異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより低域通過フィルタを形成した領域を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の同軸型ＬＰＦはセミリジットケーブル内に構成されるため、高周波回路の接続部に使用すれば、元々必要な各部間の接続ケーブル内に構成されるため、ＬＰＦを接続するための新たな場所を必要とせず構造も単純なため、回路が大きくなるのを防ぎコストアップにつながらないという利点がある。
【００１９】
特に、基本的に誘電体の誘電率を変える構成であり、誘電体の誘電率の組み合わせにより等価的にコンデンサ及びインダクタンスを形成するものであるから、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、従来例と比較しても構造が簡単であり、十分良好なＬＰＦ特性を実現可能なＬＰＦ内蔵の同軸ケーブルを実現することが可能である。勿論、回路間を接続するケーブルとしてケーブル外に空間を占有することがなく、装置の小型化に十分寄与し低コストで不要信号の遮断性能が向上する。
【００２０】
また、ケーブルの内導体として不均一の径を採用したとしても、異なる誘電率の絶縁体の使用により内導体の径の組み合わせに極端な差を与える必要がないから、製造が容易であり高い製作精度を必要とせず、周波数特性も向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明のＬＰＦの一実施の形態について、ケーブルとしてセミリジットケーブルの使用例を説明する。
図１はセミリジットケーブルを示す図である。セミリジットケーブルはマイクロ波以上で最も多く使われている同軸ケーブルであり、通常のセミリジットケーブルは外導体７の内部に絶縁体６と５０Ωの伝送線路となる内導体１があり、回路間を５０Ωで接続するために使用される。例えば、内導体は鋼線に銀メッキされ、また、外導体は銅パイプ等が用いられ、外部への信号の漏洩が少ない構造が採用されている。一般に、鋼線は導体損失が大きいが、マイクロ波では表皮効果により、信号は表面部分の銀メッキ部分しか流れないため損失が低く伝送効率が良好である。このように、外導体自体はその内側の表面部分が信号の伝送に寄与することから、以下の実施の形態において外導体の厚みの表記は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
（構成の説明）
図２は本発明の同軸型ＬＰＦの一実施の形態を示す図であり、（ａ）はＬＰＦの構成を示し、（ｂ）は等価回路を示す。同軸型ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）３０と、で構成され、絶縁体３０と内導体１０により、例えば５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの伝送線路方向に複数の異なる種類の誘電率の誘電体が交互に配置され、内部導体１０は同一径のまま各誘電体の中心を貫通し延在する構造でなる。同図の同軸型ＬＰＦは、少なくとも誘電率の異なる３つの誘電体３１、３２、３３であって、誘電体３２の両端にそれぞれ誘電体３１、３３が配置された構造を備える。
【００２３】
特に、セミリジットケーブルの同軸型ＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、伝送線路方向に長い誘電体３２と、その両端に配置された２つの短い誘電体３１、３３の組み合わせの対称構造に構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率を有している。
【００２４】
また、同軸型ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体３１、３２及び３３のそれぞれの軸方向の長さＬ３１、Ｌ３２及びＬ３３の関係は、Ｌ３２＞Ｌ３１＝Ｌ３３、セミリジットケーブル自体の絶縁体の誘電率εｒ３０、前記誘電体３１、３２及び３３のそれぞれの誘電率εｒ３１、εｒ３２及びεｒ３３の関係は、εｒ３２＜εｒ３０＜εｒ３１＝εｒ３３に設定される。
【００２５】
より具体的には、Ｌ３１＝Ｌ３３＝０．２７ｍｍ、Ｌ３２＝８．５ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、誘電体３１、３３の誘電率εｒ３１＝εｒ３３＝５０、誘電体３２の誘電率εｒ３２＝１に設定することにより、誘電体３１、３３を有する内部導体には容量が形成され、誘電体３２を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体３０として誘電率εｒ３０＝２．１の誘電体を使うことによりφ３０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００２６】
（動作の説明）
以上の構成により、キャパシタンス（容量）を形成する内部導体とインダクタンスを形成する内部導体とで、等価回路として図２（ｂ）に示すπ型のＬＰＦ回路が構成される。
図３は前述の設定による同軸型ＬＰＦの周波数特性を示す図である。同図において特性Ｓ１１（実線）は信号の入力側へのリターンロスを示し、特性Ｓ２１（点線）は信号の減衰特性を示している。このＬＰＦは５ＧＨｚ帯を通過帯域として設計されたものであり、この通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯で約１０ｄＢ以上の減衰量の特性が実現され、それより高い周波数領域では更に大きな減衰量の特性が実現される。
【００２７】
本実施の形態によれば、ケーブルの内導体が均一の径でなり、３つの絶縁体の誘電率を変えるのみでケーブル内にＬＰＦが構成されるので構造が簡単であり、製造が容易であり、特性の再現性がよいＬＰＦ内蔵のケーブルを実現することが可能である。また、回路間を接続するケーブルとして使用した場合、ケーブル外にＬＰＦのための空間を占有することがないから、装置の小型化に好適であり、低コストで不要信号の遮断性能を向上させることが可能である。
【００２８】
（実施の形態２）
図４は本発明の他の実施の形態２を示す図である。本実施の形態では、図２に示すＬＰＦ構成を直列の多段構成としたものである。ＬＰＦ構成として、容量を形成する絶縁体と、インダクタンスを形成する絶縁体の数を増やすことによりＬＰＦの段数を増やして、減衰量を増やすように構成したものである。内導体は径が均一であり外導体との間に誘電率の異なる絶縁体を交互に配置して構成する。
【００２９】
同軸型ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）４０で構成され、絶縁体４０と内導体１０により、例えば、５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの線路方向に複数の種類の異なる誘電率の誘電体４１、４２、４３、４４、４５により、交互に配置した構成とし、内部導体１０は同一径のまま誘電体４１、４２、４３、４４、４５の中心を貫通し、延在する構造でなる。
【００３０】
特に、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、長い誘電体４２、４４の間に配置した短い誘電体４３と、長い誘電体４２、４４の反対側の両端に配置した短い誘電体４１、４５の組み合わせで構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率として構成する。
【００３１】
また、ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体４１、４２、４３、４４、４５のそれぞれの長さＬ４１、Ｌ４２、Ｌ４３、Ｌ４４及びＬ４５、セミリジットケーブルに使用される絶縁体の誘電率εｒ４０、誘電体４１、４２、４３、４４、４５のそれぞれの誘電率εｒ４１、εｒ４２、εｒ４３、εｒ４４、εｒ４５の関係は、Ｌ４１＝Ｌ４５＜Ｌ４３＜Ｌ４２＝Ｌ４４、εｒ４２＝εｒ４４＜εｒ４０＜εｒ４１＝εｒ４３＝εｒ４５に設定される。
【００３２】
具体的には、Ｌ４１＝Ｌ４５＝０．２４ｍｍ、Ｌ４３＝０．３９ｍｍ、Ｌ４２＝Ｌ４４＝１０ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、誘電体４１、４３、４５の誘電率εｒ４１＝εｒ４３＝εｒ４５＝５０、誘電体４２、４４の誘電率εｒ４２＝εｒ４４＝１に設定することにより、誘電体４１、４３、４５を有する内部導体には容量が形成され、誘電体４２、４４を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体４０の誘電率εｒ４０＝２．１の誘電体を使うことによりφ４０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００３３】
図５は本実施の形態２のＬＰＦの周波数特性を示す図である。容量を形成する内部導体とインダクタンスを形成する内部導体とで２段構成のＬＰＦ回路が形成され、ＬＰＦの２段構成により、Ｓ１１の特性のように２つのリターンロスの極が生じるが、例えば５ＧＨｚ帯を通過帯域として使用することができ、Ｓ１１の特性のように通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯での減衰量は約２０ｄＢを越える特性が実現される。
【００３４】
本実施の形態２もケーブルの内導体が均一の径によりＬＰＦが構成されるので構造が簡単であり、製造が容易あり特性の再現性がよいＬＰＦ内蔵のケーブルを実現することも可能である。また、回路間を接続するケーブルとして使用した場合、ケーブル外に空間を占有することがないから、装置の小型化が可能であり、低コストで不要信号の遮断性能を向上することが可能である。
【００３５】
（実施の形態３）
図６は本発明の他の実施の形態３を示す図である。本実施の形態は、絶縁体の誘電率に加えて、内導体の径も軸心方向に変えて構成したＬＰＦである。ＬＰＦの段数は２段とし、また、インダクタンスを形成する領域の内導体の径を容量を形成する領域の径より細く設定し、分布定数の値を大きくし遮断領域の減衰特性を向上させている。
【００３６】
ＬＰＦの構成は、セミリジットケーブル自体の構造として外導体２０と、内導体１０と、外導体２０と内導体１０の間の絶縁体（誘電体）５０で構成され、絶縁体５０と内導体１０により、例えば、５０Ωの伝送線路を構成する。また、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域には、ケーブルの線路方向に複数の種類の異なる誘電率の誘電体５１、５２、５３、５４、５５を交互に配置した構成とし、内部導体１０は、誘電率の大きい誘電体領域は大きい径とし、誘電率の小さい誘電体領域は小さい径とし、それぞれ誘電体５１、５２、５３、５４、５５の中心を貫通し、隣接する内導体は接続された又は同一材料で構成された構造を備える。
【００３７】
つまり、セミリジットケーブルのＬＰＦを構成するケーブル領域の絶縁体は、長い誘電体５２、５４と、その境界の短い誘電体５３と、両端に配置された２つの短い誘電体５１、５５とでなる組み合わせで構成され、それぞれの誘電体はセミリジットケーブル自体の誘電体の誘電率と異なる誘電率を有している。
【００３８】
ＬＰＦを構成するケーブル領域の誘電体５１、５２、５３、５４及び５５のそれぞれの長さＬ５１、Ｌ５２、Ｌ５３、Ｌ５４及びＬ５５、誘電率εｒ５１、εｒ５２、εｒ５３、εｒ５４及びεｒ５５、セミリジットケーブルに使用される絶縁体の誘電率εｒ５０、ＬＰＦを構成する領域の内導体の径φ５１、φ５２、φ５３、φ５４及びφ５５の関係は、Ｌ５１＝Ｌ５５＜Ｌ５３＜Ｌ５２＝Ｌ５４、εｒ５２＝εｒ５４＜εｒ５０＜εｒ５１＝εｒ５３＝εｒ５５、φ１０＝φ５２＝φ５４＜φ５１＝φ５３＝φ５５に設定すると好適である。
【００３９】
具体的には、Ｌ５１＝Ｌ５５＝０．５ｍｍ、Ｌ５３＝０．８ｍｍ、Ｌ５２＝Ｌ５４＝１０ｍｍ、φ１０＝０．３ｍｍ、φ２０＝１．０ｍｍ、εｒ５１＝εｒ５３＝εｒ５５＝５０、εｒ５２＝εｒ５４＝１に設定することにより、誘電体５１、５３、５５を有する内部導体には容量が形成され、誘電体５２、５４を有する内部導体にはインダクタンスが形成される。また、ＬＰＦの入力側及び出力側の誘電体５０の誘電率εｒ５０＝２．１の誘電体を使うことによりφ５０＝０．３ｍｍの内部導体が５０Ωの伝送線路となる。
【００４０】
図７は実施の形態３の周波数特性を示す図である。図４に示す実施の形態２と同様にＳ１１の特性に２つのリターンロスの極が生じるが、例えば５ＧＨｚ帯を通過帯域として使用することができ、Ｓ２１の特性のように通過帯域の２倍の１０ＧＨｚ帯での減衰量は約２０ｄＢを越える良好な特性が実現される。
【００４１】
本実施の形態３ではケーブルの内導体が不均一の径を採用することによるＬＰＦの構成上の複雑性が生じうるが、基本的に誘電体の誘電率を変える構成により、内導体の径の極端なサイズの差を持たせる必要がないから、従来例と比較しても構造が簡単であり、十分良好なＬＰＦ特性を実現可能なＬＰＦ内蔵のケーブルが構成できる。勿論、回路間を接続するケーブルとしてケーブル外に空間を占有することがなく、装置の小型化に十分寄与し低コストで不要信号の遮断性能が向上する。
【００４２】
以上の実施の形態においては、１段及び２段構成のＬＰＦの構成を説明したが、容量を形成する内部導体と、インダクタンスを形成する内部導体の数を増やすことにより、ＬＰＦの段数を更に増やして、減衰量をより増大させるように構成することが可能である。
【００４３】
また、セミリジットケーブルの使用例を示したが、例えば、３Ｄ−２Ｖ、５Ｄ−２Ｖ等の他の同軸ケーブルに本発明を適用することが可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】通常のセミリジットケーブルを示す図である。
【図２】本発明のＬＰＦの実施の形態を示す図であり、（ａ）はその構成を示し、（ｂ）は等価回路を示す。
【図３】本実施の形態の周波数特性を示す図である。
【図４】本発明の他の実施の形態２を示す図である。
【図５】実施の形態２の周波数特性を示す図である。
【図６】本発明の他の実施の形態３を示す図である。
【図７】実施の形態３の周波数特性を示す図である。
【図８】一般的な無線送信機の構成を示す図である。
【図９】従来技術を示す図である。
【図１０】従来技術の周波数特性を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１、１０ 内導体（内部導体）
３ キャパシタンス（容量）
５ インダクタンス
６ 絶縁体（誘電体）
７、２０ 外導体
８ ＩＦ ＡＭＰ（中間周波増幅器）
９ ミキサ
１１、１５ ＢＰＦ（帯域通過フィルタ）
１２ ＲＦ ＡＭＰ（高周波増幅器）
１３ コンバーター回路
１４ パワーアンプ
１６ シンセサイザー
３０、３１、３２、３３、４０、４１、４２、４３、４４、４５、５０、５１、５２、５３、５４、５５ 絶縁体（誘電体）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同軸型ケーブルの内導体と外導体間の絶縁体を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造として低域通過フィルタを形成したことを特徴とする同軸型ＬＰＦ。
【請求項２】
同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の誘電率に対し、前記誘電率より小さい誘電率の誘電体とその両端に設けた前記誘電率より大きい誘電率の誘電体の組み合わせでなることを特徴とする請求項１記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項３】
前記内導体は均一な径を有することを特徴とする請求項１又は２記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項４】
大きい誘電率の誘電体の領域の内導体の径は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より大きく、小さい誘電率の誘電体の領域の内導体は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項５】
異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより多段構成の低域通過フィルタを形成したことを特徴とする請求項１ないし４の何れかの請求項記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項６】
キャパシタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率はインダクタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率より大きいことを特徴とする請求項１ないし５記載の同軸型ＬＰＦ
【請求項７】
セミリジットケーブルを使用したことを特徴とする請求項１ないし６の何れかの請求項記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項８】
異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより低域通過フィルタを形成した領域を含むことを特徴とする請求項１ないし７の何れかの請求項記載の同軸ケーブル。
【請求項１】
同軸型ケーブルの内導体と外導体間の絶縁体を線路方向に異なる複数の誘電率の誘電体の組み合わせ構造として低域通過フィルタを形成したことを特徴とする同軸型ＬＰＦ。
【請求項２】
同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の誘電率に対し、前記誘電率より小さい誘電率の誘電体とその両端に設けた前記誘電率より大きい誘電率の誘電体の組み合わせでなることを特徴とする請求項１記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項３】
前記内導体は均一な径を有することを特徴とする請求項１又は２記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項４】
大きい誘電率の誘電体の領域の内導体の径は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より大きく、小さい誘電率の誘電体の領域の内導体は、同軸型ケーブル自体の内導体と外導体間の絶縁体の領域の内導体の径より小さいことを特徴とする請求項１又は２記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項５】
異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより多段構成の低域通過フィルタを形成したことを特徴とする請求項１ないし４の何れかの請求項記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項６】
キャパシタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率はインダクタンス成分を形成する領域の誘電体の誘電率より大きいことを特徴とする請求項１ないし５記載の同軸型ＬＰＦ
【請求項７】
セミリジットケーブルを使用したことを特徴とする請求項１ないし６の何れかの請求項記載の同軸型ＬＰＦ。
【請求項８】
異なる誘電率の誘電体の組み合わせにより低域通過フィルタを形成した領域を含むことを特徴とする請求項１ないし７の何れかの請求項記載の同軸ケーブル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００６−２２９７８２（Ｐ２００６−２２９７８２Ａ）
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−４３１７４（Ｐ２００５−４３１７４）
【出願日】平成１７年２月１８日（２００５．２．１８）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月１８日（２００５．２．１８）
【出願人】（０００００４２３７）日本電気株式会社 (19,353)
【Ｆターム（参考）】
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