回路モジュール及び回路モジュールの製造方法
【課題】回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制する回路モジュールを提供する。
【解決手段】回路モジュール１は、回路部品２と、回路部品２が実装される基板３と、基板３に実装された回路部品２を覆う絶縁樹脂４と、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層５と、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に形成される隆起部６と、を含む。そして、被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、隆起部６に接している。
【解決手段】回路モジュール１は、回路部品２と、回路部品２が実装される基板３と、基板３に実装された回路部品２を覆う絶縁樹脂４と、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層５と、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に形成される隆起部６と、を含む。そして、被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、隆起部６に接している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面に導電材料の被覆層が形成された回路モジュール及び回路モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路モジュールは、複数の回路部品、例えば、受動素子や能動素子等を基板に実装して、ひとまとまりの機能を持った回路部品としたものである。例えば、特許文献１には、回路部品間を仕切り、絶縁樹脂層の一部にシールド層を設けた回路モジュールが開示されている。また、特許文献２には、回路が受光、発光の光電素子を含む場合の光の通路として、回路を覆う樹脂の上面に設けられた金属層に、光を透過させるための窓を設けたものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５７８９１号公報（００３７、図１６）
【特許文献２】特開平１１−２６６５１号公報（０００９、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シールド層のような、絶縁樹脂の表面を被覆する被覆層が、開口部を有していたり絶縁樹脂の一部を被覆していたりする場合、絶縁樹脂の表面で縁部を有することになる。このような構造では、被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間に水分が浸入し、その結果、両者の剥離を招くおそれがある。特許文献１や特許文献２には、この点について何ら言及はなく、被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間に水分が浸入する問題については改善の余地がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールは、回路部品と、当該回路部品が実装される基板と、前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、当該絶縁樹脂の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層と、前記絶縁樹脂の表面、かつ前記被覆層の縁部の位置に形成される隆起部と、を含み、前記縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接していることを特徴とする。
【０００６】
この回路モジュールは、複数の導電材料の層で構成される被覆層の縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層（最外層）の縁部が隆起部に接している。このような構成により、絶縁樹脂と最も外側に配置される導電材料の層との間に配置される導電材料の層（内層）は、最外層と隆起部とによって包み込まれ、かつ最外層の縁部と隆起部とが接触する部分によって内層への水分の浸入経路が塞がれる。その結果、本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【０００７】
本発明の望ましい態様としては、前記被覆層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する導電材料の防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層であることが好ましい。このように、最も外側に配置される導電材料の層を防錆層とするとともに、この防錆層で導電層を被覆することにより、導電層に腐食しやすい材料を用いた場合でも、導電層の腐食を抑制できる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記隆起部は、前記被覆層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記被覆層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、前記防錆層の縁部が前記傾斜部に接することが好ましい。この傾斜部に防錆層が接することにより、防錆層と隆起部との接触する部分の長さを大きくすることができる。その結果、導電層までの水分の浸入経路を長くすることができるので、より効果的に被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さいことが好ましい。これによって、第１導電層の組織は緻密で連続性が向上するので、絶縁樹脂と第１導電層との密着性が強くなる。その結果、第１導電層の表面を第２導電層で被覆し、さらに第２導電層の表面を防錆層で被覆することによって形成される被覆層は、絶縁樹脂との密着強度が向上する。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記第１導電層は無電解めっきにより形成され、前記第２導電層は電解めっきにより形成されることが好ましい。これによって、第１導電層の粒径を第２導電層の粒径よりも小さくすることができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記第２導電層は、前記傾斜部に接していることが好ましい。これによって、第２導電層と隆起部との接触する部分の長さを大きくすることができるので、第１導電層までの水分の浸入経路を長くすることができる。その結果、第１導電層と絶縁層との間への水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層の表面の一部を加熱することにより、前記第１導電層の縁部を形成するとともに、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を前記縁部の位置に形成する工程と、前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層の不要部分を除去する工程と、絶縁樹脂の表面であって、前記第１導電層の縁部の位置に、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を形成する工程と、前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
上述した回路モジュールの製造方法は、複数の導電材料の層で構成される被覆層の縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層（最外層）の縁部が隆起部に接した回路モジュールを製造できる。このような回路モジュールは、絶縁樹脂と最も外側に配置される導電材料の層との間に配置される導電材料の層（内層）が最外層と隆起部とによって包み込まれ、かつ最外層の縁部と隆起部とが接触する部分によって内層への水分の浸入経路が塞がれる。これによって、本発明によって製造された回路モジュールは、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から水分が浸入し、被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。
【図３】図３は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。
【図４】図４は、隆起部を説明するための断面図である。
【図５】図５は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態の回路モジュールの変形例を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の回路モジュールの変形例を示す図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。
【図９−１】図９−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−２】図９−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−３】図９−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−４】図９−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−５】図９−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−６】図９−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。
【図１１−１】図１１−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−２】図１１−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−３】図１１−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−４】図１１−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−５】図１１−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。
【図１３−１】図１３−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−２】図１３−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−３】図１３−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−４】図１３−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−５】図１３−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る回路モジュールの断面図である。図２は、本実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。図１に示すように、回路モジュール１は、複数の回路部品２を基板３に実装して、ひとまとまりの機能を持つ回路部品としたものである。本実施形態において、回路モジュール１を構成する回路部品２としては、例えば、コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等の受動素子があるが、ダイオードやトランジスタ等の能動素子も回路部品２として基板３上や基板３内に実装されることがある。また、回路部品２は、これらに限定されるものではない。
【００１９】
図１に示すように、回路モジュール１は、回路部品２（例えば、コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等）と、回路部品２が実装される基板３と、回路部品２を覆う絶縁樹脂４と、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層５と、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に形成される隆起部６とを含んで構成される。図１に示すように、回路モジュール１は、基板３に実装された回路部品２が絶縁樹脂４で覆われる。なお、回路モジュール１は、回路部品２が実装される側の基板３の表面（部品実装面という）も同時に絶縁樹脂４で覆われる。このように、回路モジュール１は、絶縁樹脂４で複数の回路部品２及び部品実装面を覆うことで、基板３及び複数の回路部品２を一体化するとともに、強度を確保する。
【００２０】
複数の回路部品２を覆った絶縁樹脂４の表面には、被覆層５が形成される。本実施形態において、被覆層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）で構成される。本実施形態では、被覆層５は複数の導電材料の層で構成されるが、この構造については後述する。被覆層５は、絶縁樹脂４の表面を被覆することにより、絶縁樹脂４の内部に封入された回路部品２を回路モジュール１の外部からの高周波ノイズや電磁波等から遮蔽したり、回路部品２から放射される高周波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、本実施形態において、被覆層５は、電磁気シールドとして機能する。本実施形態において、被覆層５は、絶縁樹脂４の表面全体を被覆している。しかし、被覆層５は、電磁気シールドとして必要な機能を発揮できるように絶縁樹脂４を被覆すればよく、必ずしも絶縁樹脂４の表面全体を被覆する必要はない。したがって、被覆層５は、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆していればよい。
【００２１】
図１、図２に示すように、回路モジュール１は、被覆層５に開口部Ｈが形成されている。開口部Ｈは、回路部品２（本実施形態ではコイル２Ｆ）と対向する部分に形成されている。開口部Ｈに被覆層５は存在せず、開口部Ｈからは絶縁樹脂４が露出している。そして、被覆層５の開口部Ｈとの境界部分が、被覆層５の縁部（エッジ部）５Ｅとなる。開口部Ｈは、被覆層５の縁部５Ｅで囲まれる部分である。コイル２Ｆと近接して導電性を有する被覆層５が設けられると、コイル２Ｆの電気的な特性が変化するため、本実施形態においては、コイル２Ｆと対向する部分に開口部Ｈを設ける。なお、開口部Ｈを設ける箇所は、コイル２Ｆと対向する部分に限定されるものではなく、導電性を有するものによって電気的な特性が変化する回路部品２と対向する部分であればよい。また、例えば、フォトダイオードのように光の入射を要する回路部品や、ＬＥＤのように光を発する回路部品を基板３に実装した場合、少なくとも被覆層５に光を透過させる部分を設ける必要がある。このような場合には、光を透過させる部分が開口部Ｈとなる。
【００２２】
回路モジュール１は、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を有する。そして、回路モジュール１は、複数の導電材料の層で構成される被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、隆起部６に接している。このような構成により、回路モジュール１は、被覆層５の縁部５Ｅ側において、被覆層５と絶縁樹脂４との隙間に浸入する水分を低減する。次に、被覆層５の構造、及びその縁部５Ｅと隆起部６とが接する構造を説明する。
【００２３】
図３は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。図４は、隆起部を説明するための断面図である。導電層５Ｄは、第１導電層５Ａと、第１導電層５Ａの表面を被覆する第２導電層５Ｂとで構成される。また、防錆層５Ｃは、第２導電層５Ｂの表面を被覆して、その縁部５ＣＥが隆起部６に接する。導電層５Ｄ、すなわち、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂは導電材料の層であり、本実施形態ではいずれもＣｕで構成される。また防錆層５Ｃは、導電材料の層であり、本実施形態ではＮｉで構成される。
【００２４】
本実施形態において、被覆層５は電磁気シールドとして絶縁樹脂４を被覆するので、できる限り電気抵抗を低くすることが好ましい。また、回路モジュール１は、高さ（基板の板面と垂直方向の寸法）をできる限り小さくすることが求められているので、被覆層５の厚さは小さいことが好ましい。このため、導電層５Ｄに電気抵抗率の低い金属であるＣｕを用いて、導電層５Ｄの抵抗を低く維持するとともに、導電層５Ｄの厚さを小さくする。一方、Ｃｕは耐食性に欠けるので、導電層５Ｄの表面、より具体的には第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆する。本実施形態では、防錆層５Ｃとして耐食性が高い金属であるＮｉを用いる。なお、導電層５Ｄを構成する導電材料はＣｕに限定されるものではなく、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等を用いてもよい。また、防錆層５Ｃを構成する導電材料はＮｉに限定されるものではない。しかし、Ｃｕは電気抵抗率が低く、かつ比較的低コストであり、また、Ｎｉは耐食性に優れ、かつ比較的低コストである点で、被覆層５を構成する導電材料として好ましい。
【００２５】
図３に示すように、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥは、隆起部６に接している。このような構造によって、導電層５Ｄ（より具体的には第２導電層５Ｂ）が防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれるので、耐食性の低いＣｕで形成された導電層５Ｄが防錆層５Ｃで確実に保護され、導電層５Ｄと水分との接触を回避できる。また、緻密な絶縁樹脂４の一部である隆起部６が防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと接触することで、導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれる。これらの作用により、絶縁樹脂４の表面を被覆する被覆層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄ（より具体的には第１導電層５Ａ）と絶縁樹脂４との間に水分が浸入して導電層５Ｄが腐食することを回避できるので、導電層５Ｄが絶縁樹脂４の表面から剥離するおそれは極めて少なくなる。これによって、回路モジュール１の耐久性及び信頼性が向上する。
【００２６】
隆起部６の高さ（絶縁樹脂４の表面からの突出量）は、第１導電層５Ａの厚さよりも大きくすることが好ましい。これによって、第１導電層５Ａの縁部を確実に隆起部６の位置に配置できるので、第１導電層５Ａの表面に、例えば、電解めっきを用いて第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃを形成する場合、確実に隆起部６の位置に両者を形成できる。その結果、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６とを確実に接触させて、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間への水分の浸入を抑制できる。ここで、本実施形態において、図３に示す第１導電層５Ａの厚さｔ１は０．５μｍ〜１μｍ、第２導電層５Ｂの厚さｔ２は１０μｍ程度、防錆層５Ｃの厚さｔ３は２μｍ〜３μｍである。
【００２７】
図４に示すように、隆起部６は、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、被覆層５の表面、すなわち防錆層５Ｃの表面に向かって隆起する傾斜部６Ｓを有する。傾斜部６Ｓの傾斜面と絶縁樹脂４の表面とのなす角度をαとすると、防錆層５Ｃと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ１は、Ｔ１／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ１は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ１＞Ｔ１となる。このように、隆起部６に傾斜部６Ｓを設けて防錆層５Ｃと接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、導電層５Ｄへの水分の浸入経路をより長くできるので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００２８】
第１導電層５Ａは、絶縁樹脂４の表面を被覆するので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入し、第１導電層５Ａが腐食すると、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれがある。したがって、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを低減するためには、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入することを回避することがより重要である。図３に示すように、本実施形態では、防錆層５Ｃに加え、第２導電層５Ｂも隆起部６の傾斜部６Ｓに接するので、防錆層５Ｃの表面から第１導電層５Ａまでの距離を長くできる。これによって、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入して第１導電層５Ａが腐食し、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを極めて低減できる。その結果、回路モジュール１の耐久性及び信頼性がさらに向上する。
【００２９】
また、本実施形態では、傾斜部６Ｓに第２導電層５Ｂが接しているので、第２導電層５Ｂと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ２は、Ｔ２／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ２は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で第２導電層５Ｂが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ２＞Ｔ２となる。このように、防錆層５Ｃを傾斜部６Ｓに接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、第２導電層５Ｂと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００３０】
防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、傾斜部６Ｓ、すなわち、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分に接する。被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって隆起部６の高さが小さくなる部分に、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂが接するようにすると、被覆層５は隆起部６の頂部を跨ぐことになる。すると、隆起部６の高さの分だけ回路モジュール１の高さが増加する。また、隆起部６の頂部に被覆層５が形成されていると、回路モジュール１を取り扱う際に前記頂部の被覆層５が擦れやすくなり、その結果、被覆層５が剥離するおそれがある。したがって、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分である傾斜部６Ｓに接するようにすることが好ましい。
【００３１】
隆起部６の防錆層５Ｃが接する部分の表面は、できる限り滑らか、すなわち表面粗さを小さくすることが好ましい。これによって、防錆層５Ｃと隆起部６との密着性が向上するので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。同様に、隆起部６の第２導電層５Ｂが接する部分は、できる限り滑らかに形成することが好ましい。これによって、第２導電層５Ｂと隆起部６との密着性が向上するので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。一方、絶縁樹脂４は、第１導電層５Ａが被覆する部分は粗く、すなわち、表面粗さを大きくすることが好ましい。このようにすれば、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との接触面積が増加する結果、両者の密着強度が向上するので、被覆層５の剥離が抑制される。
【００３２】
図５は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。図５に示す被覆層１０５は、絶縁樹脂１０４の表面を被覆する第１導電層１０５Ａと、第１導電層１０５Ａを被覆する第２導電層１０５Ｂと、第２導電層１０５Ｂの表面を被覆する防錆層１０５Ｃとで構成され、防錆層１０５Ｃは、第２導電層１０５Ｂの縁部１０５ＢＥを覆っていない。このような構成の場合、第１導電層１０５Ａと絶縁樹脂１０４の表面との間や、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとの間から水分が浸入して第１導電層１０５Ａや第２導電層１０５Ｂを腐食させるおそれがある。その結果、第１導電層１０５Ａが絶縁樹脂１０４から剥離したり、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとが剥離したりするおそれがある。
【００３３】
しかし、上述したように、本実施形態では、複数の導電材料の層で構成される被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部、すなわち、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接している。これによって、被覆層５を構成する導電層５Ｄが防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれ、かつ防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６との接触する部分によって導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれるので、絶縁樹脂４の表面を被覆する被覆層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄを構成する第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間や、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとの間に水分が浸入してこれらが腐食することを回避できるので、第１導電層５Ａが絶縁樹脂４から剥離したり、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとが剥離したりするおそれはほとんどない。これによって、本実施形態の構成によれば、回路モジュール１の耐久性及び信頼性を上させることができる。
【００３４】
図６、図７は、本実施形態の回路モジュールの変形例である。図５に示す回路モジュール１ａ及び図６に示す回路モジュール１ｂは、いずれも被覆層５が絶縁樹脂４の一部を被覆するものである。例えば、図６に示す回路モジュール１ａは、被覆層５が形成されていない部分の基板３上に、光の入射を要する回路部品２Ｐを配置したものであり、この部分の絶縁樹脂４を透明な樹脂で構成するとともに、この部分には被覆層５を形成しない。なお、絶縁樹脂４は、被覆層５によって被覆される部分の内部に電磁気シールドが必要な回路部品が封入されている。図７に示す回路モジュール１ｂは、絶縁樹脂４の内部に封入されているコイル２Ｆを取り囲むように、蓋のないシールド部材７が設けられている。蓋のあるシールド部材７でコイル２Ｆを覆うと絶縁樹脂４でコイル２Ｆを覆えないためである。この場合、絶縁樹脂４でコイル２Ｆ及びシールド部材７を覆った後、絶縁樹脂４のコイル２Ｆと対向する部分を被覆層５で覆う。回路モジュール１ａ、１ｂのいずれも、絶縁樹脂４の表面であって、被覆層５の縁部５Ｅの位置に隆起部６を形成して、被覆層５と絶縁樹脂４との間への水分の浸入を抑制する。このように、本実施形態においては、絶縁樹脂４の少なくとも一部を被覆層５で被覆すればよい。次に、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を説明する。次においては、図１、図２に示す回路モジュール１を製造する例を説明するが、回路モジュール１ａ、１ｂでも同様である。
【００３５】
（第１例）
図８は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。図９−１〜図９−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を用いて、例えば、図１、図２に示す回路モジュール１を製造するにあたり、ステップＳＴ１０１において、まず、図９−１に示すように、基板３に回路部品２（コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等）を実装する。これは、例えば、回路部品実装装置が回路部品２を基板３上に載置し、その後、回路部品２が載置された基板３をリフロー炉内で加熱する。これにより、回路部品２の端子と基板３の端子との間のハンダペーストを溶解させて、両者を接合する。
【００３６】
次に、ステップＳＴ１０２へ進み、樹脂充填装置を用いて図９−２に示すように、絶縁樹脂４で基板３に実装された回路部品２を覆う。そして、ステップＳＴ１０３へ進み、図９−３に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。本実施形態において、第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。なお、第１導電層５Ａを形成する手法は無電解めっきに限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）を用いてもよい。
【００３７】
第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ１０４へ進み、図９−４に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱することにより、第１導電層５Ａの一部を除去するとともに、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を絶縁樹脂４の表面に形成する。本実施形態では、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱する手段としてレーザーを用いる。そして、隆起部６を形成する部分にレーザーを照射し、第１導電層５Ａの一部を除去しながら、レーザーの熱によって絶縁樹脂４を隆起させる。このような手法によれば、第１導電層５Ａの一部を除去することにより、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥが形成されるとともに、縁部５ＡＥの位置に隆起部６を形成できる。すなわち、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥと隆起部６とを同時に形成できるので、効率的に回路モジュール１を製造できる。
【００３８】
レーザー光の波長が長いと、金属の第１導電層５Ａに覆われる絶縁樹脂４の熱負荷が大きくなり、絶縁樹脂４の変形が大きくなるおそれがある。ＹＡＧレーザーは、比較的波長が短いため（１．０６４μｍ）、絶縁樹脂４の熱負荷は過大にならない。その結果、ＹＡＧレーザーを用いると、金属（本実施形態ではＣｕ）のみを除去し、適切な高さの隆起部６を形成することができるという利点がある。また、ＹＡＧレーザーは、コンパクトで低コストであるという利点もある。なお、隆起部６を形成する手法はレーザーに限定されるものではない。また、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）に存在する第１導電層５Ａは、ブラストやエッチング等によって除去する。
【００３９】
隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ１０５へ進み、図９−５に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例において、第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成する。その後、ステップＳＴ１０６へ進み、図９−６に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第１例において、防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。電解めっきによれば、迅速に厚いめっき層を形成できるので好ましい。
【００４０】
本実施形態では、隆起部６を形成し、その後、第２導電層５Ｂを形成した後に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このように、第１例に係る回路モジュールの製造方法によって形成される第１金属層５Ａ及び第２金属層５Ｂ及び第３金属層５Ｂは、いずれもめっきやＰＶＤ等の金属膜を成膜する手法によって形成される金属膜である（以下の例でも同様）。なお、隆起部６は、防錆層５Ｃを形成する前までに形成されていればよく、第２導電層５Ｂが形成された後に形成されてもよい。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４１】
（第２例）
図１０は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。図１１−１〜図１１−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。第２例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ２０１、ステップＳＴ２０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
ステップＳＴ２０２が終了したら、ステップＳＴ２０３へ進む。ステップＳＴ２０３において、図１１−１に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第２例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ２０４へ進み、図１１−２に示すように、第１導電層５Ａの不要部分ＮＰ、すなわち、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）に存在する第１導電層５Ａを、例えば、ブラストやエッチング等によって除去する。不要部分ＮＰと第１導電層５Ａとの境界が縁部５ＡＥとなる。
【００４３】
次に、ステップＳＴ２０５へ進み、図１１−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を第１導電層５Ａの縁部５ＡＥに沿って滴下して隆起部６を形成してもよいし、縁部５ＡＥに沿ってレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ２０６へ進み、図１１−４に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第２例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。その後、ステップＳＴ２０７へ進み、図１１−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第２例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第２例では、隆起部６を形成した後に、第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４４】
（第３例）
図１２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。図１３−１〜図１３−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。第３例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ３０１、ステップＳＴ３０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。
【００４５】
ステップＳＴ３０２が終了したら、ステップＳＴ３０３へ進む。ステップＳＴ３０３において、図１３−１に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を絶縁樹脂４の所定領域へ滴下して隆起部６を形成してもよいし、絶縁樹脂４の表面の所定領域にレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ３０４へ進み、図１３−２に示すように、例えば、レジスト８によって被覆層非形成部ＮＳを被覆する。ここで、被覆層非形成部ＮＳは、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）である。
【００４６】
次に、ステップＳＴ３０５へ進み、図１３−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第３例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ３０６へ進み、図１３−４に示すように、被覆層非形成部ＮＳを被覆していたレジスト８を除去した後、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第３例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。その後、ステップＳＴ３０７へ進み、図１３−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第３例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第３例では、隆起部６を形成した後に、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４７】
本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成し、第２導電層５Ｂを電解めっきで形成すると、第１導電層５Ａの組織の粒径は第２導電層５Ｂの組織の粒径よりも小さくなる。これによって、第１導電層５Ａの組織は緻密になるので、絶縁樹脂４と第１導電層５Ａとの密着性が強くなる。その結果、第１導電層５Ａの表面を第２導電層５Ｂで被覆し、さらに第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆して形成される被覆層５は、絶縁樹脂４との密着強度が向上するので好ましい。
【００４８】
また、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成することにより、比較的簡単な設備で絶縁樹脂４の表面に金属（具体的にはＣｕ）の第１導電層５Ａを形成できる。そして、第１導電層５Ａがある程度形成されたら、めっき層の形成速度が速い電解めっきで第２導電層５Ｂを形成する。このように、無電解めっきと電解めっきとを使い分けることによって、絶縁樹脂４の表面に、比較的早く金属の被覆層５を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明に係る回路モジュール及び回路モジュールの製造方法は、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面に導電材料の被覆層が形成される回路モジュールにおいて、被覆層と絶縁樹脂との間への水分の浸入を抑制することに有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１ａ、１ｂ 回路モジュール
２、２Ｐ 回路部品
２Ｃ コンデンサ
２Ｆ コイル
３ 基板
４、１０４ 絶縁樹脂
５、１０５ 被覆層
５Ａ、１０５Ａ 第１導電層
５Ｂ、１０５Ｂ 第２導電層
５Ｃ、１０５Ｃ 防錆層
５Ｄ 導電層
５Ｅ、５ＡＥ、５ＣＥ、１０５ＢＥ 縁部
６ 隆起部
６Ｓ 傾斜部
７ シールド部材
８ レジスト
Ｈ 開口部
ＮＰ 不要部分
ＮＳ 被覆層非形成部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面に導電材料の被覆層が形成された回路モジュール及び回路モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路モジュールは、複数の回路部品、例えば、受動素子や能動素子等を基板に実装して、ひとまとまりの機能を持った回路部品としたものである。例えば、特許文献１には、回路部品間を仕切り、絶縁樹脂層の一部にシールド層を設けた回路モジュールが開示されている。また、特許文献２には、回路が受光、発光の光電素子を含む場合の光の通路として、回路を覆う樹脂の上面に設けられた金属層に、光を透過させるための窓を設けたものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５７８９１号公報（００３７、図１６）
【特許文献２】特開平１１−２６６５１号公報（０００９、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シールド層のような、絶縁樹脂の表面を被覆する被覆層が、開口部を有していたり絶縁樹脂の一部を被覆していたりする場合、絶縁樹脂の表面で縁部を有することになる。このような構造では、被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間に水分が浸入し、その結果、両者の剥離を招くおそれがある。特許文献１や特許文献２には、この点について何ら言及はなく、被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間に水分が浸入する問題については改善の余地がある。本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールは、回路部品と、当該回路部品が実装される基板と、前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、当該絶縁樹脂の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層と、前記絶縁樹脂の表面、かつ前記被覆層の縁部の位置に形成される隆起部と、を含み、前記縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接していることを特徴とする。
【０００６】
この回路モジュールは、複数の導電材料の層で構成される被覆層の縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層（最外層）の縁部が隆起部に接している。このような構成により、絶縁樹脂と最も外側に配置される導電材料の層との間に配置される導電材料の層（内層）は、最外層と隆起部とによって包み込まれ、かつ最外層の縁部と隆起部とが接触する部分によって内層への水分の浸入経路が塞がれる。その結果、本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【０００７】
本発明の望ましい態様としては、前記被覆層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する導電材料の防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層であることが好ましい。このように、最も外側に配置される導電材料の層を防錆層とするとともに、この防錆層で導電層を被覆することにより、導電層に腐食しやすい材料を用いた場合でも、導電層の腐食を抑制できる。
【０００８】
本発明の望ましい態様としては、前記隆起部は、前記被覆層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記被覆層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、前記防錆層の縁部が前記傾斜部に接することが好ましい。この傾斜部に防錆層が接することにより、防錆層と隆起部との接触する部分の長さを大きくすることができる。その結果、導電層までの水分の浸入経路を長くすることができるので、より効果的に被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【０００９】
本発明の望ましい態様としては、前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さいことが好ましい。これによって、第１導電層の組織は緻密で連続性が向上するので、絶縁樹脂と第１導電層との密着性が強くなる。その結果、第１導電層の表面を第２導電層で被覆し、さらに第２導電層の表面を防錆層で被覆することによって形成される被覆層は、絶縁樹脂との密着強度が向上する。
【００１０】
本発明の望ましい態様としては、前記第１導電層は無電解めっきにより形成され、前記第２導電層は電解めっきにより形成されることが好ましい。これによって、第１導電層の粒径を第２導電層の粒径よりも小さくすることができる。
【００１１】
本発明の望ましい態様としては、前記第２導電層は、前記傾斜部に接していることが好ましい。これによって、第２導電層と隆起部との接触する部分の長さを大きくすることができるので、第１導電層までの水分の浸入経路を長くすることができる。その結果、第１導電層と絶縁層との間への水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層の表面の一部を加熱することにより、前記第１導電層の縁部を形成するとともに、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を前記縁部の位置に形成する工程と、前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る回路モジュールの製造方法は、基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、前記第１導電層の不要部分を除去する工程と、絶縁樹脂の表面であって、前記第１導電層の縁部の位置に、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を形成する工程と、前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
上述した回路モジュールの製造方法は、複数の導電材料の層で構成される被覆層の縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層（最外層）の縁部が隆起部に接した回路モジュールを製造できる。このような回路モジュールは、絶縁樹脂と最も外側に配置される導電材料の層との間に配置される導電材料の層（内層）が最外層と隆起部とによって包み込まれ、かつ最外層の縁部と隆起部とが接触する部分によって内層への水分の浸入経路が塞がれる。これによって、本発明によって製造された回路モジュールは、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から水分が浸入し、被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、回路モジュールの絶縁樹脂の表面を導電材料で被覆したものにおいて、導電材料の被覆層の縁部から被覆層と絶縁樹脂との間へ水分が浸入することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。
【図３】図３は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。
【図４】図４は、隆起部を説明するための断面図である。
【図５】図５は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態の回路モジュールの変形例を示す図である。
【図７】図７は、本実施形態の回路モジュールの変形例を示す図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。
【図９−１】図９−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−２】図９−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−３】図９−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−４】図９−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−５】図９−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図９−６】図９−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。
【図１０】図１０は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。
【図１１−１】図１１−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−２】図１１−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−３】図１１−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−４】図１１−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１１−５】図１１−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。
【図１２】図１２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。
【図１３−１】図１３−１は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−２】図１３−２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−３】図１３−３は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−４】図１３−４は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【図１３−５】図１３−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態は、本発明を限定するものではない。また、下記の実施形態で開示された構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態で開示した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る回路モジュールの断面図である。図２は、本実施形態に係る回路モジュールの斜視図である。図１に示すように、回路モジュール１は、複数の回路部品２を基板３に実装して、ひとまとまりの機能を持つ回路部品としたものである。本実施形態において、回路モジュール１を構成する回路部品２としては、例えば、コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等の受動素子があるが、ダイオードやトランジスタ等の能動素子も回路部品２として基板３上や基板３内に実装されることがある。また、回路部品２は、これらに限定されるものではない。
【００１９】
図１に示すように、回路モジュール１は、回路部品２（例えば、コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等）と、回路部品２が実装される基板３と、回路部品２を覆う絶縁樹脂４と、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層５と、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に形成される隆起部６とを含んで構成される。図１に示すように、回路モジュール１は、基板３に実装された回路部品２が絶縁樹脂４で覆われる。なお、回路モジュール１は、回路部品２が実装される側の基板３の表面（部品実装面という）も同時に絶縁樹脂４で覆われる。このように、回路モジュール１は、絶縁樹脂４で複数の回路部品２及び部品実装面を覆うことで、基板３及び複数の回路部品２を一体化するとともに、強度を確保する。
【００２０】
複数の回路部品２を覆った絶縁樹脂４の表面には、被覆層５が形成される。本実施形態において、被覆層５は導電材料（導電性を有する材料であり、本実施形態では金属）で構成される。本実施形態では、被覆層５は複数の導電材料の層で構成されるが、この構造については後述する。被覆層５は、絶縁樹脂４の表面を被覆することにより、絶縁樹脂４の内部に封入された回路部品２を回路モジュール１の外部からの高周波ノイズや電磁波等から遮蔽したり、回路部品２から放射される高周波ノイズ等を遮蔽したりする。このように、本実施形態において、被覆層５は、電磁気シールドとして機能する。本実施形態において、被覆層５は、絶縁樹脂４の表面全体を被覆している。しかし、被覆層５は、電磁気シールドとして必要な機能を発揮できるように絶縁樹脂４を被覆すればよく、必ずしも絶縁樹脂４の表面全体を被覆する必要はない。したがって、被覆層５は、絶縁樹脂４の表面の少なくとも一部を被覆していればよい。
【００２１】
図１、図２に示すように、回路モジュール１は、被覆層５に開口部Ｈが形成されている。開口部Ｈは、回路部品２（本実施形態ではコイル２Ｆ）と対向する部分に形成されている。開口部Ｈに被覆層５は存在せず、開口部Ｈからは絶縁樹脂４が露出している。そして、被覆層５の開口部Ｈとの境界部分が、被覆層５の縁部（エッジ部）５Ｅとなる。開口部Ｈは、被覆層５の縁部５Ｅで囲まれる部分である。コイル２Ｆと近接して導電性を有する被覆層５が設けられると、コイル２Ｆの電気的な特性が変化するため、本実施形態においては、コイル２Ｆと対向する部分に開口部Ｈを設ける。なお、開口部Ｈを設ける箇所は、コイル２Ｆと対向する部分に限定されるものではなく、導電性を有するものによって電気的な特性が変化する回路部品２と対向する部分であればよい。また、例えば、フォトダイオードのように光の入射を要する回路部品や、ＬＥＤのように光を発する回路部品を基板３に実装した場合、少なくとも被覆層５に光を透過させる部分を設ける必要がある。このような場合には、光を透過させる部分が開口部Ｈとなる。
【００２２】
回路モジュール１は、絶縁樹脂４の表面、かつ被覆層５の縁部５Ｅの位置に、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を有する。そして、回路モジュール１は、複数の導電材料の層で構成される被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、隆起部６に接している。このような構成により、回路モジュール１は、被覆層５の縁部５Ｅ側において、被覆層５と絶縁樹脂４との隙間に浸入する水分を低減する。次に、被覆層５の構造、及びその縁部５Ｅと隆起部６とが接する構造を説明する。
【００２３】
図３は、図１のＡで示す部分の拡大断面図である。図４は、隆起部を説明するための断面図である。導電層５Ｄは、第１導電層５Ａと、第１導電層５Ａの表面を被覆する第２導電層５Ｂとで構成される。また、防錆層５Ｃは、第２導電層５Ｂの表面を被覆して、その縁部５ＣＥが隆起部６に接する。導電層５Ｄ、すなわち、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂは導電材料の層であり、本実施形態ではいずれもＣｕで構成される。また防錆層５Ｃは、導電材料の層であり、本実施形態ではＮｉで構成される。
【００２４】
本実施形態において、被覆層５は電磁気シールドとして絶縁樹脂４を被覆するので、できる限り電気抵抗を低くすることが好ましい。また、回路モジュール１は、高さ（基板の板面と垂直方向の寸法）をできる限り小さくすることが求められているので、被覆層５の厚さは小さいことが好ましい。このため、導電層５Ｄに電気抵抗率の低い金属であるＣｕを用いて、導電層５Ｄの抵抗を低く維持するとともに、導電層５Ｄの厚さを小さくする。一方、Ｃｕは耐食性に欠けるので、導電層５Ｄの表面、より具体的には第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆する。本実施形態では、防錆層５Ｃとして耐食性が高い金属であるＮｉを用いる。なお、導電層５Ｄを構成する導電材料はＣｕに限定されるものではなく、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等を用いてもよい。また、防錆層５Ｃを構成する導電材料はＮｉに限定されるものではない。しかし、Ｃｕは電気抵抗率が低く、かつ比較的低コストであり、また、Ｎｉは耐食性に優れ、かつ比較的低コストである点で、被覆層５を構成する導電材料として好ましい。
【００２５】
図３に示すように、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥは、隆起部６に接している。このような構造によって、導電層５Ｄ（より具体的には第２導電層５Ｂ）が防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれるので、耐食性の低いＣｕで形成された導電層５Ｄが防錆層５Ｃで確実に保護され、導電層５Ｄと水分との接触を回避できる。また、緻密な絶縁樹脂４の一部である隆起部６が防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと接触することで、導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれる。これらの作用により、絶縁樹脂４の表面を被覆する被覆層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄ（より具体的には第１導電層５Ａ）と絶縁樹脂４との間に水分が浸入して導電層５Ｄが腐食することを回避できるので、導電層５Ｄが絶縁樹脂４の表面から剥離するおそれは極めて少なくなる。これによって、回路モジュール１の耐久性及び信頼性が向上する。
【００２６】
隆起部６の高さ（絶縁樹脂４の表面からの突出量）は、第１導電層５Ａの厚さよりも大きくすることが好ましい。これによって、第１導電層５Ａの縁部を確実に隆起部６の位置に配置できるので、第１導電層５Ａの表面に、例えば、電解めっきを用いて第２導電層５Ｂ及び防錆層５Ｃを形成する場合、確実に隆起部６の位置に両者を形成できる。その結果、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６とを確実に接触させて、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間への水分の浸入を抑制できる。ここで、本実施形態において、図３に示す第１導電層５Ａの厚さｔ１は０．５μｍ〜１μｍ、第２導電層５Ｂの厚さｔ２は１０μｍ程度、防錆層５Ｃの厚さｔ３は２μｍ〜３μｍである。
【００２７】
図４に示すように、隆起部６は、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、被覆層５の表面、すなわち防錆層５Ｃの表面に向かって隆起する傾斜部６Ｓを有する。傾斜部６Ｓの傾斜面と絶縁樹脂４の表面とのなす角度をαとすると、防錆層５Ｃと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ１は、Ｔ１／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ１は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ１＞Ｔ１となる。このように、隆起部６に傾斜部６Ｓを設けて防錆層５Ｃと接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、導電層５Ｄへの水分の浸入経路をより長くできるので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００２８】
第１導電層５Ａは、絶縁樹脂４の表面を被覆するので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入し、第１導電層５Ａが腐食すると、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれがある。したがって、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを低減するためには、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入することを回避することがより重要である。図３に示すように、本実施形態では、防錆層５Ｃに加え、第２導電層５Ｂも隆起部６の傾斜部６Ｓに接するので、防錆層５Ｃの表面から第１導電層５Ａまでの距離を長くできる。これによって、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間に水分が浸入して第１導電層５Ａが腐食し、被覆層５全体が絶縁樹脂４から剥離するおそれを極めて低減できる。その結果、回路モジュール１の耐久性及び信頼性がさらに向上する。
【００２９】
また、本実施形態では、傾斜部６Ｓに第２導電層５Ｂが接しているので、第２導電層５Ｂと傾斜部６Ｓとの接触長さＬ２は、Ｔ２／ｃｏｓαとなる。ここで、Ｔ２は、傾斜部６Ｓが存在しない状態で第２導電層５Ｂが絶縁樹脂４の表面と接触した場合の接触長さである。ｃｏｓα＜１なので、Ｌ２＞Ｔ２となる。このように、防錆層５Ｃを傾斜部６Ｓに接触させることにより、傾斜部６Ｓが存在しない状態で防錆層５Ｃと絶縁樹脂４との表面が接触する場合と比較して、第２導電層５Ｂと絶縁樹脂４との接触長さを大きくできる。その結果、第１導電層５Ａまでの水分の浸入経路をより長くできるので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。
【００３０】
防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、傾斜部６Ｓ、すなわち、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分に接する。被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって隆起部６の高さが小さくなる部分に、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂが接するようにすると、被覆層５は隆起部６の頂部を跨ぐことになる。すると、隆起部６の高さの分だけ回路モジュール１の高さが増加する。また、隆起部６の頂部に被覆層５が形成されていると、回路モジュール１を取り扱う際に前記頂部の被覆層５が擦れやすくなり、その結果、被覆層５が剥離するおそれがある。したがって、防錆層５Ｃ及び第２導電層５Ｂは、被覆層５の縁部５Ｅから絶縁樹脂４の表面に沿って遠ざかるにしたがって、隆起部６の高さが大きくなる部分である傾斜部６Ｓに接するようにすることが好ましい。
【００３１】
隆起部６の防錆層５Ｃが接する部分の表面は、できる限り滑らか、すなわち表面粗さを小さくすることが好ましい。これによって、防錆層５Ｃと隆起部６との密着性が向上するので、導電層５Ｄへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。同様に、隆起部６の第２導電層５Ｂが接する部分は、できる限り滑らかに形成することが好ましい。これによって、第２導電層５Ｂと隆起部６との密着性が向上するので、第１導電層５Ａへの水分の浸入をより効果的に抑制できる。一方、絶縁樹脂４は、第１導電層５Ａが被覆する部分は粗く、すなわち、表面粗さを大きくすることが好ましい。このようにすれば、第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との接触面積が増加する結果、両者の密着強度が向上するので、被覆層５の剥離が抑制される。
【００３２】
図５は、防錆層がその下部に配置される導電材料の層の縁部を覆わない例を示す断面図である。図５に示す被覆層１０５は、絶縁樹脂１０４の表面を被覆する第１導電層１０５Ａと、第１導電層１０５Ａを被覆する第２導電層１０５Ｂと、第２導電層１０５Ｂの表面を被覆する防錆層１０５Ｃとで構成され、防錆層１０５Ｃは、第２導電層１０５Ｂの縁部１０５ＢＥを覆っていない。このような構成の場合、第１導電層１０５Ａと絶縁樹脂１０４の表面との間や、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとの間から水分が浸入して第１導電層１０５Ａや第２導電層１０５Ｂを腐食させるおそれがある。その結果、第１導電層１０５Ａが絶縁樹脂１０４から剥離したり、第１導電層１０５Ａと第２導電層１０５Ｂとが剥離したりするおそれがある。
【００３３】
しかし、上述したように、本実施形態では、複数の導電材料の層で構成される被覆層５の縁部５Ｅのうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部、すなわち、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接している。これによって、被覆層５を構成する導電層５Ｄが防錆層５Ｃと隆起部６とによって包み込まれ、かつ防錆層５Ｃの縁部５ＣＥと隆起部６との接触する部分によって導電層５Ｄへの水分の浸入経路が塞がれるので、絶縁樹脂４の表面を被覆する被覆層５の縁部５Ｅから水分が浸入することが抑制される。その結果、導電層５Ｄを構成する第１導電層５Ａと絶縁樹脂４との間や、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとの間に水分が浸入してこれらが腐食することを回避できるので、第１導電層５Ａが絶縁樹脂４から剥離したり、第１導電層５Ａと第２導電層５Ｂとが剥離したりするおそれはほとんどない。これによって、本実施形態の構成によれば、回路モジュール１の耐久性及び信頼性を上させることができる。
【００３４】
図６、図７は、本実施形態の回路モジュールの変形例である。図５に示す回路モジュール１ａ及び図６に示す回路モジュール１ｂは、いずれも被覆層５が絶縁樹脂４の一部を被覆するものである。例えば、図６に示す回路モジュール１ａは、被覆層５が形成されていない部分の基板３上に、光の入射を要する回路部品２Ｐを配置したものであり、この部分の絶縁樹脂４を透明な樹脂で構成するとともに、この部分には被覆層５を形成しない。なお、絶縁樹脂４は、被覆層５によって被覆される部分の内部に電磁気シールドが必要な回路部品が封入されている。図７に示す回路モジュール１ｂは、絶縁樹脂４の内部に封入されているコイル２Ｆを取り囲むように、蓋のないシールド部材７が設けられている。蓋のあるシールド部材７でコイル２Ｆを覆うと絶縁樹脂４でコイル２Ｆを覆えないためである。この場合、絶縁樹脂４でコイル２Ｆ及びシールド部材７を覆った後、絶縁樹脂４のコイル２Ｆと対向する部分を被覆層５で覆う。回路モジュール１ａ、１ｂのいずれも、絶縁樹脂４の表面であって、被覆層５の縁部５Ｅの位置に隆起部６を形成して、被覆層５と絶縁樹脂４との間への水分の浸入を抑制する。このように、本実施形態においては、絶縁樹脂４の少なくとも一部を被覆層５で被覆すればよい。次に、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を説明する。次においては、図１、図２に示す回路モジュール１を製造する例を説明するが、回路モジュール１ａ、１ｂでも同様である。
【００３５】
（第１例）
図８は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を示すフローチャートである。図９−１〜図９−６は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第１例を説明するための概念図である。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法を用いて、例えば、図１、図２に示す回路モジュール１を製造するにあたり、ステップＳＴ１０１において、まず、図９−１に示すように、基板３に回路部品２（コンデンサ２Ｃやコイル２Ｆ等）を実装する。これは、例えば、回路部品実装装置が回路部品２を基板３上に載置し、その後、回路部品２が載置された基板３をリフロー炉内で加熱する。これにより、回路部品２の端子と基板３の端子との間のハンダペーストを溶解させて、両者を接合する。
【００３６】
次に、ステップＳＴ１０２へ進み、樹脂充填装置を用いて図９−２に示すように、絶縁樹脂４で基板３に実装された回路部品２を覆う。そして、ステップＳＴ１０３へ進み、図９−３に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。本実施形態において、第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。なお、第１導電層５Ａを形成する手法は無電解めっきに限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、電子ビーム蒸着、分子線エピタキシー法、イオンビームデポジション等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）を用いてもよい。
【００３７】
第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ１０４へ進み、図９−４に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱することにより、第１導電層５Ａの一部を除去するとともに、絶縁樹脂４の表面から突出する隆起部６を絶縁樹脂４の表面に形成する。本実施形態では、第１導電層５Ａの表面の一部を加熱する手段としてレーザーを用いる。そして、隆起部６を形成する部分にレーザーを照射し、第１導電層５Ａの一部を除去しながら、レーザーの熱によって絶縁樹脂４を隆起させる。このような手法によれば、第１導電層５Ａの一部を除去することにより、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥが形成されるとともに、縁部５ＡＥの位置に隆起部６を形成できる。すなわち、第１導電層５Ａの縁部５ＡＥと隆起部６とを同時に形成できるので、効率的に回路モジュール１を製造できる。
【００３８】
レーザー光の波長が長いと、金属の第１導電層５Ａに覆われる絶縁樹脂４の熱負荷が大きくなり、絶縁樹脂４の変形が大きくなるおそれがある。ＹＡＧレーザーは、比較的波長が短いため（１．０６４μｍ）、絶縁樹脂４の熱負荷は過大にならない。その結果、ＹＡＧレーザーを用いると、金属（本実施形態ではＣｕ）のみを除去し、適切な高さの隆起部６を形成することができるという利点がある。また、ＹＡＧレーザーは、コンパクトで低コストであるという利点もある。なお、隆起部６を形成する手法はレーザーに限定されるものではない。また、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）に存在する第１導電層５Ａは、ブラストやエッチング等によって除去する。
【００３９】
隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ１０５へ進み、図９−５に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例において、第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成する。その後、ステップＳＴ１０６へ進み、図９−６に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第１例において、防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。電解めっきによれば、迅速に厚いめっき層を形成できるので好ましい。
【００４０】
本実施形態では、隆起部６を形成し、その後、第２導電層５Ｂを形成した後に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このように、第１例に係る回路モジュールの製造方法によって形成される第１金属層５Ａ及び第２金属層５Ｂ及び第３金属層５Ｂは、いずれもめっきやＰＶＤ等の金属膜を成膜する手法によって形成される金属膜である（以下の例でも同様）。なお、隆起部６は、防錆層５Ｃを形成する前までに形成されていればよく、第２導電層５Ｂが形成された後に形成されてもよい。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４１】
（第２例）
図１０は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を示すフローチャートである。図１１−１〜図１１−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第２例を説明するための概念図である。第２例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ２０１、ステップＳＴ２０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
ステップＳＴ２０２が終了したら、ステップＳＴ２０３へ進む。ステップＳＴ２０３において、図１１−１に示すように絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第２例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ２０４へ進み、図１１−２に示すように、第１導電層５Ａの不要部分ＮＰ、すなわち、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）に存在する第１導電層５Ａを、例えば、ブラストやエッチング等によって除去する。不要部分ＮＰと第１導電層５Ａとの境界が縁部５ＡＥとなる。
【００４３】
次に、ステップＳＴ２０５へ進み、図１１−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を第１導電層５Ａの縁部５ＡＥに沿って滴下して隆起部６を形成してもよいし、縁部５ＡＥに沿ってレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ２０６へ進み、図１１−４に示すように、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第２例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。その後、ステップＳＴ２０７へ進み、図１１−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第２例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第２例では、隆起部６を形成した後に、第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４４】
（第３例）
図１２は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を示すフローチャートである。図１３−１〜図１３−５は、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法の第３例を説明するための概念図である。第３例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ３０１、ステップＳＴ３０２は、第１例に係る回路モジュールの製造方法のステップＳＴ１０１、ステップＳＴ１０２と同様であるので、説明を省略する。
【００４５】
ステップＳＴ３０２が終了したら、ステップＳＴ３０３へ進む。ステップＳＴ３０３において、図１３−１に示すように、絶縁樹脂４の表面に隆起部６を形成する。例えば、溶融した樹脂を絶縁樹脂４の所定領域へ滴下して隆起部６を形成してもよいし、絶縁樹脂４の表面の所定領域にレーザーを照射し、その熱によって絶縁樹脂４を隆起させることによって隆起部６を形成してもよい。隆起部６が形成されたら、ステップＳＴ３０４へ進み、図１３−２に示すように、例えば、レジスト８によって被覆層非形成部ＮＳを被覆する。ここで、被覆層非形成部ＮＳは、被覆層５を形成しない部分（例えば、図１、図２に示す開口部Ｈ）である。
【００４６】
次に、ステップＳＴ３０５へ進み、図１３−３に示すように、絶縁樹脂４の表面に第１導電層５Ａを形成する。第１例と同様に、第３例においても第１導電層５ＡはＣｕであり、無電解めっきによって形成される。第１導電層５Ａが形成されたら、ステップＳＴ３０６へ進み、図１３−４に示すように、被覆層非形成部ＮＳを被覆していたレジスト８を除去した後、第１導電層５Ａの表面に第２導電層５Ｂを形成する。第１例と同様に、第３例においても第２導電層５ＢはＣｕであり、例えば、電解めっきによって形成される。その後、ステップＳＴ３０７へ進み、図１３−５に示すように、第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成し、絶縁樹脂４の表面に被覆層５が形成される。第３例においても、第１例と同様に防錆層５ＣはＮｉであり、例えば、電解めっきによって形成される。第３例では、隆起部６を形成した後に、第１導電層５Ａ及び第２導電層５Ｂを形成し、その後に第２導電層５Ｂの表面に防錆層５Ｃを形成する。これによって、防錆層５Ｃの縁部５ＣＥが隆起部６に接するとともに、防錆層５Ｃと隆起部６とで第２導電層５Ｂが包まれる。このような工程によって、図１、図２に示す回路モジュール１が製造される。
【００４７】
本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成し、第２導電層５Ｂを電解めっきで形成すると、第１導電層５Ａの組織の粒径は第２導電層５Ｂの組織の粒径よりも小さくなる。これによって、第１導電層５Ａの組織は緻密になるので、絶縁樹脂４と第１導電層５Ａとの密着性が強くなる。その結果、第１導電層５Ａの表面を第２導電層５Ｂで被覆し、さらに第２導電層５Ｂの表面を防錆層５Ｃで被覆して形成される被覆層５は、絶縁樹脂４との密着強度が向上するので好ましい。
【００４８】
また、本実施形態に係る回路モジュールの製造方法において、第１導電層５Ａを無電解めっきで形成することにより、比較的簡単な設備で絶縁樹脂４の表面に金属（具体的にはＣｕ）の第１導電層５Ａを形成できる。そして、第１導電層５Ａがある程度形成されたら、めっき層の形成速度が速い電解めっきで第２導電層５Ｂを形成する。このように、無電解めっきと電解めっきとを使い分けることによって、絶縁樹脂４の表面に、比較的早く金属の被覆層５を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
以上のように、本発明に係る回路モジュール及び回路モジュールの製造方法は、回路部品を覆った絶縁樹脂の表面に導電材料の被覆層が形成される回路モジュールにおいて、被覆層と絶縁樹脂との間への水分の浸入を抑制することに有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１ａ、１ｂ 回路モジュール
２、２Ｐ 回路部品
２Ｃ コンデンサ
２Ｆ コイル
３ 基板
４、１０４ 絶縁樹脂
５、１０５ 被覆層
５Ａ、１０５Ａ 第１導電層
５Ｂ、１０５Ｂ 第２導電層
５Ｃ、１０５Ｃ 防錆層
５Ｄ 導電層
５Ｅ、５ＡＥ、５ＣＥ、１０５ＢＥ 縁部
６ 隆起部
６Ｓ 傾斜部
７ シールド部材
８ レジスト
Ｈ 開口部
ＮＰ 不要部分
ＮＳ 被覆層非形成部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部品と、
当該回路部品が実装される基板と、
前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、
当該絶縁樹脂の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層と、
前記絶縁樹脂の表面、かつ前記被覆層の縁部の位置に形成される隆起部と、を含み、
前記縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接していることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記被覆層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する導電材料の防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層である請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記隆起部は、前記被覆層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記被覆層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、前記防錆層の縁部が前記傾斜部に接する請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さい請求項３に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記第１導電層は無電解めっきにより形成され、前記第２導電層は電解めっきにより形成される請求項４に記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記第２導電層は、前記傾斜部に接している請求項４又は５に記載の回路モジュール。
【請求項７】
基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、
前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の表面の一部を加熱することにより、前記第１導電層の縁部を形成するとともに、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を前記縁部の位置に形成する工程と、
前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、
当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、
前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の不要部分を除去する工程と、
絶縁樹脂の表面であって、前記第１導電層の縁部の位置に、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を形成する工程と、
前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、
当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項１】
回路部品と、
当該回路部品が実装される基板と、
前記回路部品を覆う絶縁樹脂と、
当該絶縁樹脂の表面の少なくとも一部を被覆するとともに、複数の導電材料の層で構成される被覆層と、
前記絶縁樹脂の表面、かつ前記被覆層の縁部の位置に形成される隆起部と、を含み、
前記縁部のうち、最も外側に配置される導電材料の層の縁部が、前記隆起部に接していることを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記被覆層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する導電層と、当該導電層を被覆する導電材料の防錆層とで構成され、当該防錆層が最も外側に配置される導電材料の層である請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記隆起部は、前記被覆層の縁部から前記絶縁樹脂の表面に沿って遠ざかるにしたがって、前記被覆層の表面に向かって隆起する傾斜部を有し、前記防錆層の縁部が前記傾斜部に接する請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記導電層は、前記絶縁樹脂の表面を被覆する第１導電層と、当該第１導電層の表面を被覆する第２導電層とで構成され、前記第１導電層の粒径は前記第２導電層の粒径よりも小さい請求項３に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記第１導電層は無電解めっきにより形成され、前記第２導電層は電解めっきにより形成される請求項４に記載の回路モジュール。
【請求項６】
前記第２導電層は、前記傾斜部に接している請求項４又は５に記載の回路モジュール。
【請求項７】
基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、
前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の表面の一部を加熱することにより、前記第１導電層の縁部を形成するとともに、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を前記縁部の位置に形成する工程と、
前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、
当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
基板に実装された回路部品を絶縁樹脂で被覆する工程と、
前記絶縁樹脂の表面に第１導電層を形成する工程と、
前記第１導電層の不要部分を除去する工程と、
絶縁樹脂の表面であって、前記第１導電層の縁部の位置に、前記絶縁樹脂の表面から突出する隆起部を形成する工程と、
前記第１導電層の表面に第２導電層を形成する工程と、
当該第２導電層の表面に、防錆層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９−１】
【図９−２】
【図９−３】
【図９−４】
【図９−５】
【図９−６】
【図１０】
【図１１−１】
【図１１−２】
【図１１−３】
【図１１−４】
【図１１−５】
【図１２】
【図１３−１】
【図１３−２】
【図１３−３】
【図１３−４】
【図１３−５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９−１】
【図９−２】
【図９−３】
【図９−４】
【図９−５】
【図９−６】
【図１０】
【図１１−１】
【図１１−２】
【図１１−３】
【図１１−４】
【図１１−５】
【図１２】
【図１３−１】
【図１３−２】
【図１３−３】
【図１３−４】
【図１３−５】
【公開番号】特開２０１１−１５５２１２（Ｐ２０１１−１５５２１２Ａ）
【公開日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７１３５（Ｐ２０１０−１７１３５）
【出願日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月１１日（２０１１．８．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２８日（２０１０．１．２８）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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