回路付サスペンション基板およびその製造方法
【課題】光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層し、ベース絶縁層１２またはカバー絶縁層１４の上に、光導波路１９を形成するとともに、発光素子２０を、光導波路１９と光学的に接続するように、ベース絶縁層１２またはカバー絶縁層１４の上に設置することにより、回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッド２８が実装されたヘッドスライダ２７を搭載し、これらをハードディスクドライブに搭載させて、光アシスト法により、ハードディスク２６に情報を記録する。
【解決手段】金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層し、ベース絶縁層１２またはカバー絶縁層１４の上に、光導波路１９を形成するとともに、発光素子２０を、光導波路１９と光学的に接続するように、ベース絶縁層１２またはカバー絶縁層１４の上に設置することにより、回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッド２８が実装されたヘッドスライダ２７を搭載し、これらをハードディスクドライブに搭載させて、光アシスト法により、ハードディスク２６に情報を記録する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、光アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、ハードディスクを光照射により加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって記録することにより、情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる光アシスト法（光アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、光アシスト法を採用する光アシスト磁気記録装置では、ヘッドスライダの側面に、磁気再生素子および磁気記録素子（磁気ヘッド）と光導波路と光源とを形成することにより、磁気記録再生素子を設け、このヘッドスライダをサスペンションに支持させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１９５００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ヘッドスライダは、小型化の要求に対応すべく、比較的小さく形成されており、しかも、磁気ヘッドが設けられているため、それ以外の部品を設置することは、スペース的に困難である。そのため、光アシスト法に用いられる光導波路および光源を、磁気ヘッドと一緒にヘッドスライダに設けようとすると、レイアウト上の制限を受け、製造に手間がかかり、製造コストが増大するという不具合がある。
【０００４】
本発明の目的は、光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備えることを特徴としている。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路が、前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に設けられていることが好適である。
【０００６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、前記ベース絶縁層が前記アンダークラッド層を兼ねており、前記コア層が前記ベース絶縁層の上に形成されており、前記カバー絶縁層が前記オーバークラッド層を兼ねていることが好適である。
【０００７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、さらに、発光素子を備えており、その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、前記搭載部の近傍には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部が形成されており、前記光導波路は、その一端が前記発光素子と接続され、その他端が前記開口部に臨むように形成されていることが好適である。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、光導波路を前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に形成する工程と、ヘッドスライダを搭載するための搭載部の近傍に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部を形成する工程と、前記ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と前記光導波路とを、前記開口部側から、前記光導波路の端面が前記光導波路が延びる方向と交差するように、切削する工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記ベース絶縁層よりも屈折率の高いコア層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンおよび前記コア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ね、前記コア層よりも屈折率の低いカバー絶縁層を形成する工程とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路付サスペンション基板では、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。そのため、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持ってベース絶縁層またはカバー絶縁層の上に形成することができる。そのため、設計上の自由を確保できる。しかも、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と光導波路とを、開口部側から一度に切削するので、光導波路から出射された光を所望の位置に向けて確実に照射させことができながら、簡易かつ迅速に製造することができる。そのため、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００１１】
さらに、本発明の回路付サスペンション基板およびその製造方法において、ベース絶縁層がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層がオーバークラッド層を兼ねるように形成すれば、回路付サスペンション基板の薄型化、構成の簡略化および製造工数の低減化を図ることができ、製造効率を向上させて、コストの低減化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における長手方向に直交する方向（以下、幅方向という。）に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。なお、図１および図２において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、省略している。
【００１３】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド２８（図５参照）を実装して、その磁気ヘッド２８を、磁気ヘッド２８とハードディスク２６（図５参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など）２と磁気ヘッド２８とを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。
【００１４】
この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
配線部３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、ジンバル部４は、スリット部５に幅方向において挟まれるタング部６と、スリット部５の幅方向両外側およびタング部６の先端側に配置されるアウトリガー部８とを一体的に備えている。
【００１５】
タング部６は、平面視略矩形状に形成されており、搭載部９と端子形成部１０とを備えている。
搭載部９は、ヘッドスライダ２７を搭載するための領域であって、タング部６の後側に配置され、平面視略矩形状に形成されている。
端子形成部１０は、後述する磁気ヘッド側接続端子部１７が形成されている領域であって、搭載部９の先側に配置されている。また、端子形成部１０には、平面視略矩形状の開口部７が形成されている。
【００１６】
開口部７は、金属支持基板１１を厚み方向に貫通するように平面視略矩形状に形成されており、搭載部９の近傍であって、端子形成部１０における幅方向中央に形成されている。
導体パターン１３は、外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１７と、これら外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に連続して備えている。
【００１７】
各信号配線１５は、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って複数（４本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
複数の信号配線１５は、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄから形成されており、これら第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって、順次配置されている。
【００１８】
より具体的には、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、配線部３において、互いに並行して延びるように形成されている。ジンバル部４において、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、幅方向一方側のアウトリガー部８に沿うように配置され、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、幅方向他方側のアウトリガー部８に沿うように配置されている。第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、先端側のアウトリガー部８に至った後、幅方向内側に延び、さらに後側に折り返されて、磁気ヘッド側接続端子部１７の先端部に至るように配置されている。
【００１９】
なお、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、配線部３において後述する発光素子２０を幅方向内側に迂回するように、配置されている。
外部側接続端子部１６は、配線部３の後端部に配置され、各配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。また、この外部側接続端子部１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、外部側接続端子部１６は、外部側接続端子部１６に接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１外部側接続端子部１６ａ、第２外部側接続端子部１６ｂ、第３外部側接続端子部１６ｃおよび第４外部側接続端子部１６ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この外部側接続端子部１６には、破線で示す外部回路基板２の図示しない端子部が接続される。
【００２０】
磁気ヘッド側接続端子部１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、タング部６の端子形成部１０の後端部に配置されている。磁気ヘッド側接続端子部１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
より具体的には、磁気ヘッド側接続端子部１７は、端子形成部１０の後端縁（搭載部９の先端縁）に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１７は、これに接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃおよび第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この磁気ヘッド側接続端子部１７には、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が接続される。
【００２１】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板１１と、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
金属支持基板１１は、図１および図３に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
【００２２】
ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の周端縁が露出するように、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３および光導波路１９（後述）が形成される位置に対応するように形成されている。より具体的には、ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１より長手方向および幅方向がやや短くなる平帯状に形成されている。
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７と、信号配線１５とを、一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。
【００２３】
カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、信号配線１５が形成される位置に対応するように配置されている。カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７が露出し、信号配線１５を被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層１４は、ベース絶縁層１２の上において、後述する光導波路１９が形成される領域が確保されるように配置されている。
【００２４】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、光アシスト法に用いられる光アシスト部１８を備えている。
光アシスト部１８は、光導波路１９と、発光素子２０とを備えている。
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、導体パターン１３が延びる方向に沿って配置されている。
【００２５】
より具体的には、光導波路１９は、配線部３において、幅方向一方側、つまり、第１配線１５ａと幅方向最外側に間隔を隔てて配置されており、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。また、光導波路１９は、アウトリガー部８における幅方向一方側および先端側と端子形成部１０とにおいて、第１配線１５ａに対する第２配線１５ｂの反対側に間隔を隔てて配置され、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。すなわち、光導波路１９は、第１配線１５ａと並行して延び、先端側のアウトリガー部８で後側に折り返した後、ジンバル部４の幅方向中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００２６】
また、光導波路１９は、発光素子２０と光学的に接続されている。より具体的には、光導波路１９は、その後端が、発光素子２０と接続されるとともに、その先端が、開口部７に臨むように形成されている。
発光素子２０は、光導波路１９に光を入射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を出射する光源である。この発光素子２０は、金属支持基板１１の後端側に配置されており、より具体的には、配線部３の後端側であって、外部側接続端子部１６と先端側に間隔を隔てて配置されており、信号配線１５（第１配線１５ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、この発光素子２０は、ベース絶縁層１２の上に形成されている。
【００２７】
また、この発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０には、外部回路基板２の図示しない端子部と接続されるための供給端子部３１が接続されている。なお、供給配線３０は、発光素子２０の後端側において、信号配線１５（第１配線１５ａ）に沿って延び、供給端子部３１は、外部側接続端子部１６（第１外部側接続端子部１６ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆されており、供給端子部３１は、カバー絶縁層１４から露出している。
【００２８】
この光アシスト部１８では、発光素子２０において、外部回路基板２から供給端子部３１および供給配線３０を介して供給される電気エネルギーが光エネルギーに変換され、その光が光導波路１９に出射される。出射された光は光導波路１９を通過して、次に述べる端面２１において、反射されて、ハードディスク２６に照射される。
また、光導波路１９は、図５に示すように、その先端部の端面２１が、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように形成されている。これにより、光導波路１９は、その端面２１が傾斜角αを有するミラー面となるように形成されるので、光導波路１９に入射した光は、端面２１によって所定の角度で光路変換されて、光路変換された光が所望の位置に向けて、散乱しながら照射される。このような傾斜角αは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より具体的には、４５°である。
【００２９】
そして、図３に示すように、この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、ベース絶縁層１２の上に設けられている。
このような光導波路１９は、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２３の上に形成されるコア層２３と、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。
【００３０】
なお、光導波路１９は、開口部７に臨む先側半分においても、ベース絶縁層１２の上に形成されている。すなわち、ベース絶縁層１２は、光導波路１９と対応して、平面視において略同一位置となるように、開口部７に臨んでいる。
オーバークラッド層２４は、その幅方向両外側端縁が、アンダークラッド層２２の幅方向両外側端縁と平面視において同一位置となるように形成されている。
【００３１】
図４は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４を参照して、説明する。
【００３２】
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。
【００３３】
ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するには、まず、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の上に形成する。
ベース絶縁層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【００３４】
ベース絶縁層１２を形成するには、例えば、金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００３５】
次いで、導体パターン１３を上記したパターンで形成する。
導体パターン１３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。
導体パターン１３を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。
【００３６】
これにより形成される導体パターン１３では、厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各外部側接続端子部１６および各磁気ヘッド側接続端子部１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側接続端子部１６間の間隔および各磁気ヘッド側接続端子部１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００３７】
カバー絶縁層１４を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の表面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるカバー絶縁層１４の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
【００３８】
これにより、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層することができる。
なお、上記した導体パターン１３の形成とともに、供給配線３０および供給端子部３１を上記と同様の方法により、同時に形成する。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、光導波路１９を、ベース絶縁層１２の上に形成する。
【００３９】
光導波路１９を形成するには、ベース絶縁層１２の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。
アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、アンダークラッド層２２を、ベース絶縁層１２の上に形成する。
アンダークラッド層２２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、または、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂が用いられる。これら樹脂は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられ、より具体的には、４，４-ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートなどが用いられる。
【００４０】
アンダークラッド層２２を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスをベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４１】
このようにして形成されるアンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．５５である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
次いで、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成する。
【００４２】
コア層２３を形成する材料としては、アンダークラッド層３の樹脂材料よりも、屈折率が高くなる樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、上記と同様の樹脂が用いられ、好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）とオキセタン化合物との混合樹脂が用いられる。
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２を含むベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４３】
このようにして形成されるコア層２３の屈折率は、アンダークラッド層２２の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
次いで、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成する。
【００４４】
オーバークラッド層２４を形成する材料としては、上記したアンダークラッド層２２と同様の樹脂材料が用いられる。
オーバークラッド層２４を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、コア層２３およびアンダークラッド層２２を含むベース絶縁層１２の表面に、塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４５】
このようにして形成されるオーバークラッド層２４の屈折率は、コア層２３の屈折率より低く設定されており、例えば、アンダークラッド層２２の屈折率と同様に設定されている。また、オーバークラッド層２４のコア層２３の表面からの厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００４６】
このようにして、ベース絶縁層１２の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層することにより、これらを備える光導波路２４を形成することができる。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。
【００４７】
開口部７を形成するには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、エッチングにより、形成する。
この開口部７は、光導波路１９の先端部と厚み方向において重なるように、より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の先端部が中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の先端部が先側半分に配置されるように形成されている。
【００４８】
このようにして形成される開口部７は、幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍであり、長さ（長手方向長さ）が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２および光導波路１９の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。
【００４９】
レーザ加工では、図４（ｅ）の破線で示すように、開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、開口部７側（厚み方向下側）から、ベース絶縁層１２および光導波路１９に照射することにより、これらベース絶縁層１２および光導波路１９を一度に切削する。
これにより、ベース絶縁層１２および光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削することができる。
【００５０】
その後、配線部３の後端側において、光導波路１９の後端と光学的に接続され、供給配線３０の先端と電気的に接続されるように、発光素子２０を、ベース絶縁層１２の上に設置する。これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、図１および図２の破線で示すように、配線部３において、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される。また、この外部回路基板２には、磁気ヘッド２８（図５参照）および発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、ＩＣ配線３３を介して、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が接続される端子部と電気的に接続されている。
【００５１】
また、回路付サスペンション基板１には、図１および図５に示すように、ジンバル部４の搭載部９にヘッドスライダ２７が搭載される。このヘッドスライダ２７には、磁気ヘッド２８が実装されており、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が、磁気ヘッド側接続端子部１７と電気的に接続される。また、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８は、開口部７を臨むように、光導波路１９の先端部の端面２１の近傍に対向配置されている。
【００５２】
そして、このような磁気ヘッド２８、ヘッドスライダ２７、回路付サスペンション基板１および外部回路基板２が搭載されるハードディスクドライブでは、光アシスト法を採用することができる。
このハードディスクドライブでは、例えば、ハードディスク２６が、光導波路１９の先端部の端面２１および磁気ヘッド２８に対して、相対的に走行している。そして、発光素子２０から出射された光が、光導波路１９を通過して、その端面２１において、光路が上方に変換または散乱され、端面２１の上側に対向するハードディスク２６の表面に照射される。光導波路１９の端面２１からの光の照射により、ハードディスク２６の表面が加熱され、この状態で、磁気ヘッド２８からの磁界の照射により、ハードディスク２６に情報が記録される。そうすると、ハードディスク２６の保磁力が低下されているので、このハードディスク２６に情報を、小さな磁界の照射によって、高密度で記録することができる。
【００５３】
そして、この回路付サスペンション基板１では、光アシスト法に用いられる光導波路１９を、回路付サスペンション基板１より小さく形成されるヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。
とりわけ、光導波路１９が、ヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕のあるベース絶縁層１２の上に設けられているので、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００５４】
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子２０を備えており、その発光素子２０が光導波路１９と光学的に接続されているので、ベース絶縁層１２の上に、発光素子２０と光導波路１９とを一緒に設けることができる。そのため、光学的な接続信頼性を向上させて、光アシスト法を確実に実施することができる。
また、この回路付サスペンション基板１は、搭載部９を備えているので、ヘッドスライダ２７を確実に搭載することができる。また、この回路付サスペンション基板１では、搭載部９の近傍に、開口部７が形成されており、光導波路１９の先端部が開口部７に臨むように形成されているので、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１を確実に、切削することができる。
【００５５】
つまり、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、ベース絶縁層１２と光導波路１９とを、開口部７側からレーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。そうすると、開口部７内において、ベース絶縁層１２と光導波路１９とを一度に切削できるので、端面２１を平滑なミラー面として確実に形成することができる。そのため、回路付サスペンション基板１では、光導波路１９から出射された光を所望の位置、すなわち、ハードディスク２６の表面に確実に照射させことができながら、この回路付サスペンション基板１を簡易かつ迅速に製造することができる。そのため、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００５６】
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子１９が、回路付サスペンション基板１の後端側、すなわち、配線部３の後端側に配置され、搭載部９が、回路付サスペンション基板１の先端側、すなわち、ジンバル部４のタング部６に配置されている。そのため、発光素子１９およびヘッドスライダ２７のレイアウトの設計上の自由を確実に確保することができる。
【００５７】
図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図、図７は、図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図６に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、図６および図７において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５８】
上記した説明では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２の上に設けたが、例えば、カバー絶縁層１４の上に設けることもできる。
図６において、この回路付サスペンション基板１では、カバー絶縁層１４は、その周端縁が、ベース絶縁層１２の周端縁と平面視において略同一位置となるように形成されている。
【００５９】
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、信号配線１５（より具体的には、第１配線１５ａ）の上に形成されている。また、光導波路１９のコア層２３は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、第１配線１５ａと平面視において重複するように形成されている。
また、光導波路１９は、ジンバル部４の端子形成部１０において、カバー絶縁層１４の上に形成されており、端子形成部１０の第１配線１５ａと幅方向他方側にずれるように配置されており、より具体的には、第１配線１５ａと間隔を隔てて、第１配線１５ａと並行して延びるように配置されている。すなわち、光導波路１９は、端子形成部１０において、端子形成部１０の中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００６０】
発光素子２０は、カバー絶縁層１４の上に形成されている。
この回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意して、次いで、図７（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。次いで、図７（ｃ）に示すように、光導波路１９を、カバー絶縁層１４の上に形成する。次いで、図７（ｄ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成して、次いで、図７（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２、カバー絶縁層１４および光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
【００６１】
このように、光導波路１９をカバー絶縁層１４の上に形成することにより、ベース絶縁層１２がスペース的に余裕のない場合にも、光導波路１９の設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
なお、上記した説明では、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側に設けたが、その配置は限定されず、例えば、図示しないが、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設けることができる。また、第２配線１５ｂに対する第１配線１５ａの反対側（すなわち、第３配線１５ｃに対する第４配線１５ｄの反対側）、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂの間、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄの間に、光導波路１９を設けることもできる。好ましくは、スペースの観点、および、光導波路１９の先端部をジンバル部４の幅方向中央に配置させる観点から、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側、または、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設ける。
【００６２】
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１に、１本の光導波路１９を設けたが、その本数は特に限定されず、例えば、回路付サスペンション基板１の用途および目的に応じて、複数本の光導波路１９を設けることもできる。
また、上記した説明では、光導波路１９において、アンダークラッド層２２およびオーバークラッド層２４を設けたが、例えば、アンダークラッド層２２および／またはオーバークラッド層２４を設けることなく、光導波路１９を形成することもできる。
【００６３】
より具体的には、カバー絶縁層１４の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合に、アンダークラッド層２２を設けず、カバー絶縁層１４をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。
また、ベース絶縁層１２の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合に、アンダークラッド層２２を設けず、ベース絶縁層１２をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。その場合において、カバー絶縁層１４の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合には、さらに、カバー絶縁層１４とオーバークラッド層２４とを１つの層として一体的に形成することができる。つまり、オーバークラッド層２４およびアンダークラッド層２２を設けることなく、カバー絶縁層１４をオーバークラッド層２４として兼用させ、かつ、ベース絶縁層１２をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。
【００６４】
このような回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図８（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
次いで、図８（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層２２を兼ねるベース絶縁層１２を形成する。アンダークラッド層２２を兼ねるベース絶縁層１２を形成するには、例えば、上記したベース絶縁層１２を形成する樹脂材料またはアンダークラッド層２２を形成する樹脂材料と、同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、金属支持基板１１の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００６５】
ベース絶縁層１２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．７０である。また、ベース絶縁層１２の厚みは、例えば、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
その後、図８（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を形成する。導体パターン１３を形成するには、例えば、上記と同様に、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。なお、導体パターン１３は、上記と同様の導体材料から、図１に示す導体パターン１３と同様のパターンで形成される。
【００６６】
なお、導体パターン１３の形成とともに、供給配線３０および供給端子部３１を、上記と同様の方法により、同時に形成する。
続いて、図８（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、コア層２３を形成する。コア層２３を形成するには、上記したコア層２３を形成する樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、ベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００６７】
コア層２３の屈折率は、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。また、コア層２３は、図１に示すコア層２３と同様のパターンで配置される。
【００６８】
次いで、図８（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３（供給配線３０を含む）およびコア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４を兼ねるカバー絶縁層１４を形成する。オーバークラッド層２４を兼ねるカバー絶縁層１４を形成するには、例えば、上記したカバー絶縁層１４を形成する樹脂材料またはオーバークラッド層２４を形成する樹脂材料と同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、導体パターン１３およびコア層２３を含むベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。これによって、カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６、磁気ヘッド側接続端子部１７および供給端子部３１が露出し、信号配線１５、コア層２３および供給端子部３１を被覆するように形成される。
【００６９】
カバー絶縁層１４の屈折率は、例えば、１．４５〜１．７０である。また、カバー絶縁層１４の厚み（コア層の表面からの厚み）は、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜１２μｍである。
そして、図８（ｆ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を、上記と同様の方法により形成し、その後、図８（ｇ）に示すように、ベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、それらの先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
【００７０】
このように製造される回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層１２がアンダークラッド層２２を兼ね、カバー絶縁層１４がオーバークラッド層２４を兼ねており、導体パターン１３およびコア層２３が、ともに、ベース絶縁層１２の上面において、カバー絶縁層１４によって被覆される。
そのため、回路付サスペンション基板１の薄型化、構成の簡略化および製造工数の低減化を図ることができ、製造効率を向上させて、コストの低減化を図ることができる。
【００７１】
なお、上記の説明では、コア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けたが、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けず、コア層２３を露出、すなわち、空気に曝させて、いわゆるエアクラッドとすることもできる。好ましくは、コア層２３の外的要因による損傷防止の観点から、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設ける。
【００７２】
さらに、アンダークラッド層２２やオーバークラッド層２４に代えて、金属薄層からなる光反射層を設けることもできる。
また、上記した説明では、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成したが、その配置はこれに限定されず、例えば、幅方向一端部または幅方向他端部に形成することもできる。好ましくは、ヘッドスライダ２７の幅方向中央部分と光導波路１９の先端部とを、長手方向において対向配置させるために、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成する。
【実施例】
【００７３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
実施例１（光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００７４】
次いで、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した。これらの厚みは、１０μｍであった。
次いで、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、上記したパターンで形成した。このカバー絶縁層の厚みは５μｍであった。これにより、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層した（図４（ｂ）参照）。
【００７５】
次いで、ベース絶縁層の上に、光導波路を形成した。光導波路を形成するには、まず、アンダークラッド層を形成した。
アンダークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液２重量部、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（希釈剤、脂環式エポキシ、セロキサイド２０２１Ｐ、ダイセル化学社製）４０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、ベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、アンダークラッド層を形成した。
【００７６】
このアンダークラッド層（硬化後のアンダークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、アンダークラッド層の厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
次いで、コア層をアンダークラッド層の上に形成した。
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，１，１−トリス｛４−［２−（３−オキセタニル）］ブトキシフェニル｝エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部、乳酸エチル（希釈剤）３０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、アンダークラッド層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を形成した。
【００７７】
このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５９４であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように形成した。
オーバークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、上記したアンダークラッド層を形成するためのワニスと同様のワニスを調製し、次いで、このワニスを、コア層およびアンダークラッド層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように、オーバークラッド層を形成した。
【００７８】
このオーバークラッド層（硬化後のオーバークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、オーバークラッド層のコア層の表面からの厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
これにより、光導波路を、ベース絶縁層の上に、第１配線と間隔を隔てて形成した（図４（ｃ）参照）。
【００７９】
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図４（ｄ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。
次いで、ベース絶縁層および光導波路を、開口部側からレーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図４（ｅ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
【００８０】
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、ベース絶縁層の上に設置した（図１および図２参照）。
実施例２（光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態）
実施例１において、光導波路をカバー絶縁層に設け、発光素子をカバー絶縁層の上に設置した以外は、実施例１と同様に、回路付サスペンション基板を製造した（図１、図２および図７参照）。
【００８１】
すなわち、カバー絶縁層を、その周端縁が、ベース絶縁層の周端縁と平面視において略同一位置となるように形成した（図７（ｂ）参照）。
また、光導波路を、配線部およびジンバル部のアウトリガー部において、カバー絶縁層の上に、第１配線と重なるように、端子形成部において、カバー絶縁層の上に、第１配線部と幅方向他方側にずれるように形成した。また、発光素子をカバー絶縁層の上に設置した。
【００８２】
実施例３（ベース絶縁層がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層がオーバークラッド層を兼ねる形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図８（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した。このベース絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４１であった。また、ベース絶縁層の厚みは６μｍであった（図８（ｂ）参照）。
【００８３】
次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した（図８（ｃ）参照）。これらの厚みは、１０μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の上にコア層を形成した。
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，３，３−トリス｛４−［２−（３−オキセタニル）］ブトキシフェニル｝エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液０．５重量部、乳酸エチル（希釈剤）２８重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、ベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、コア層を形成した（図８（ｄ）参照）。
【００８４】
このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５８８であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびコア層を被覆するように、上記したパターンで形成した。
カバー絶縁層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、（３，４−エポキシシクロヘキサン）メチル３´，４´−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート４０重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、導体パターンおよびコア層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、外部側接続端子部、磁気ヘッド側接続端子部および供給端子部を露出させ、信号配線、コア層および供給端子部を被覆するように、カバー絶縁層を形成した（図８（ｅ）参照）。
【００８５】
カバー絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４２であった。また、カバー絶縁層の厚み（コア層の表面からの厚み）は１０μｍであった。
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図８（ｆ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。
【００８６】
次いで、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層を、開口部側からレーザ加工により、それらの先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図８（ｇ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、ベース絶縁層の上に設置した。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図を示す。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図４】図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層および光導波路を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【図５】ヘッドスライダ、磁気ヘッドおよび図１に示す回路付サスペンション基板が搭載されたハードディスクドライブが、光アシスト法を採用して、ハードディスクに情報を記録する状態の説明図である。
【図６】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図７】図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図６に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を、カバー絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層、カバー絶縁層および光導波路を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【図８】図８に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、コア層を形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびコア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層の先端部を、開口部側から、レーザ加工により、それらの先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【符号の説明】
【００８８】
１ 回路付サスペンション基板
７ 開口部
９ 搭載部
１１ 金属支持基板
１２ ベース絶縁層
１３ 導体パターン
１４ カバー絶縁層
１９ 光導波路
２０ 発光素子
２１ 端面
２７ ヘッドスライダ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板およびその製造方法、詳しくは、光アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、ハードディスクを光照射により加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって記録することにより、情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる光アシスト法（光アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、光アシスト法を採用する光アシスト磁気記録装置では、ヘッドスライダの側面に、磁気再生素子および磁気記録素子（磁気ヘッド）と光導波路と光源とを形成することにより、磁気記録再生素子を設け、このヘッドスライダをサスペンションに支持させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１９５００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ヘッドスライダは、小型化の要求に対応すべく、比較的小さく形成されており、しかも、磁気ヘッドが設けられているため、それ以外の部品を設置することは、スペース的に困難である。そのため、光アシスト法に用いられる光導波路および光源を、磁気ヘッドと一緒にヘッドスライダに設けようとすると、レイアウト上の制限を受け、製造に手間がかかり、製造コストが増大するという不具合がある。
【０００４】
本発明の目的は、光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる回路付サスペンション基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備えることを特徴としている。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路が、前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に設けられていることが好適である。
【０００６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、前記ベース絶縁層が前記アンダークラッド層を兼ねており、前記コア層が前記ベース絶縁層の上に形成されており、前記カバー絶縁層が前記オーバークラッド層を兼ねていることが好適である。
【０００７】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、さらに、発光素子を備えており、その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、前記搭載部の近傍には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部が形成されており、前記光導波路は、その一端が前記発光素子と接続され、その他端が前記開口部に臨むように形成されていることが好適である。
【０００８】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、光導波路を前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に形成する工程と、ヘッドスライダを搭載するための搭載部の近傍に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部を形成する工程と、前記ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と前記光導波路とを、前記開口部側から、前記光導波路の端面が前記光導波路が延びる方向と交差するように、切削する工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記ベース絶縁層よりも屈折率の高いコア層を形成する工程と、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンおよび前記コア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ね、前記コア層よりも屈折率の低いカバー絶縁層を形成する工程とを備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の回路付サスペンション基板では、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。そのため、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板の製造方法によれば、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持ってベース絶縁層またはカバー絶縁層の上に形成することができる。そのため、設計上の自由を確保できる。しかも、ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と光導波路とを、開口部側から一度に切削するので、光導波路から出射された光を所望の位置に向けて確実に照射させことができながら、簡易かつ迅速に製造することができる。そのため、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００１１】
さらに、本発明の回路付サスペンション基板およびその製造方法において、ベース絶縁層がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層がオーバークラッド層を兼ねるように形成すれば、回路付サスペンション基板の薄型化、構成の簡略化および製造工数の低減化を図ることができ、製造効率を向上させて、コストの低減化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における長手方向に直交する方向（以下、幅方向という。）に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。なお、図１および図２において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、省略している。
【００１３】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド２８（図５参照）を実装して、その磁気ヘッド２８を、磁気ヘッド２８とハードディスク２６（図５参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など）２と磁気ヘッド２８とを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。
【００１４】
この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
配線部３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、ジンバル部４は、スリット部５に幅方向において挟まれるタング部６と、スリット部５の幅方向両外側およびタング部６の先端側に配置されるアウトリガー部８とを一体的に備えている。
【００１５】
タング部６は、平面視略矩形状に形成されており、搭載部９と端子形成部１０とを備えている。
搭載部９は、ヘッドスライダ２７を搭載するための領域であって、タング部６の後側に配置され、平面視略矩形状に形成されている。
端子形成部１０は、後述する磁気ヘッド側接続端子部１７が形成されている領域であって、搭載部９の先側に配置されている。また、端子形成部１０には、平面視略矩形状の開口部７が形成されている。
【００１６】
開口部７は、金属支持基板１１を厚み方向に貫通するように平面視略矩形状に形成されており、搭載部９の近傍であって、端子形成部１０における幅方向中央に形成されている。
導体パターン１３は、外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１７と、これら外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に連続して備えている。
【００１７】
各信号配線１５は、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って複数（４本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
複数の信号配線１５は、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄから形成されており、これら第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって、順次配置されている。
【００１８】
より具体的には、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、配線部３において、互いに並行して延びるように形成されている。ジンバル部４において、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、幅方向一方側のアウトリガー部８に沿うように配置され、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、幅方向他方側のアウトリガー部８に沿うように配置されている。第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、先端側のアウトリガー部８に至った後、幅方向内側に延び、さらに後側に折り返されて、磁気ヘッド側接続端子部１７の先端部に至るように配置されている。
【００１９】
なお、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、配線部３において後述する発光素子２０を幅方向内側に迂回するように、配置されている。
外部側接続端子部１６は、配線部３の後端部に配置され、各配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。また、この外部側接続端子部１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、外部側接続端子部１６は、外部側接続端子部１６に接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１外部側接続端子部１６ａ、第２外部側接続端子部１６ｂ、第３外部側接続端子部１６ｃおよび第４外部側接続端子部１６ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この外部側接続端子部１６には、破線で示す外部回路基板２の図示しない端子部が接続される。
【００２０】
磁気ヘッド側接続端子部１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、タング部６の端子形成部１０の後端部に配置されている。磁気ヘッド側接続端子部１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
より具体的には、磁気ヘッド側接続端子部１７は、端子形成部１０の後端縁（搭載部９の先端縁）に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１７は、これに接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃおよび第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この磁気ヘッド側接続端子部１７には、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が接続される。
【００２１】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板１１と、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
金属支持基板１１は、図１および図３に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
【００２２】
ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の周端縁が露出するように、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３および光導波路１９（後述）が形成される位置に対応するように形成されている。より具体的には、ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１より長手方向および幅方向がやや短くなる平帯状に形成されている。
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７と、信号配線１５とを、一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。
【００２３】
カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、信号配線１５が形成される位置に対応するように配置されている。カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７が露出し、信号配線１５を被覆するように形成されている。また、カバー絶縁層１４は、ベース絶縁層１２の上において、後述する光導波路１９が形成される領域が確保されるように配置されている。
【００２４】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、光アシスト法に用いられる光アシスト部１８を備えている。
光アシスト部１８は、光導波路１９と、発光素子２０とを備えている。
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、導体パターン１３が延びる方向に沿って配置されている。
【００２５】
より具体的には、光導波路１９は、配線部３において、幅方向一方側、つまり、第１配線１５ａと幅方向最外側に間隔を隔てて配置されており、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。また、光導波路１９は、アウトリガー部８における幅方向一方側および先端側と端子形成部１０とにおいて、第１配線１５ａに対する第２配線１５ｂの反対側に間隔を隔てて配置され、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。すなわち、光導波路１９は、第１配線１５ａと並行して延び、先端側のアウトリガー部８で後側に折り返した後、ジンバル部４の幅方向中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００２６】
また、光導波路１９は、発光素子２０と光学的に接続されている。より具体的には、光導波路１９は、その後端が、発光素子２０と接続されるとともに、その先端が、開口部７に臨むように形成されている。
発光素子２０は、光導波路１９に光を入射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を出射する光源である。この発光素子２０は、金属支持基板１１の後端側に配置されており、より具体的には、配線部３の後端側であって、外部側接続端子部１６と先端側に間隔を隔てて配置されており、信号配線１５（第１配線１５ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、この発光素子２０は、ベース絶縁層１２の上に形成されている。
【００２７】
また、この発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０には、外部回路基板２の図示しない端子部と接続されるための供給端子部３１が接続されている。なお、供給配線３０は、発光素子２０の後端側において、信号配線１５（第１配線１５ａ）に沿って延び、供給端子部３１は、外部側接続端子部１６（第１外部側接続端子部１６ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆されており、供給端子部３１は、カバー絶縁層１４から露出している。
【００２８】
この光アシスト部１８では、発光素子２０において、外部回路基板２から供給端子部３１および供給配線３０を介して供給される電気エネルギーが光エネルギーに変換され、その光が光導波路１９に出射される。出射された光は光導波路１９を通過して、次に述べる端面２１において、反射されて、ハードディスク２６に照射される。
また、光導波路１９は、図５に示すように、その先端部の端面２１が、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように形成されている。これにより、光導波路１９は、その端面２１が傾斜角αを有するミラー面となるように形成されるので、光導波路１９に入射した光は、端面２１によって所定の角度で光路変換されて、光路変換された光が所望の位置に向けて、散乱しながら照射される。このような傾斜角αは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より具体的には、４５°である。
【００２９】
そして、図３に示すように、この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、ベース絶縁層１２の上に設けられている。
このような光導波路１９は、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２３の上に形成されるコア層２３と、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。
【００３０】
なお、光導波路１９は、開口部７に臨む先側半分においても、ベース絶縁層１２の上に形成されている。すなわち、ベース絶縁層１２は、光導波路１９と対応して、平面視において略同一位置となるように、開口部７に臨んでいる。
オーバークラッド層２４は、その幅方向両外側端縁が、アンダークラッド層２２の幅方向両外側端縁と平面視において同一位置となるように形成されている。
【００３１】
図４は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。
次いで、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４を参照して、説明する。
【００３２】
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。
【００３３】
ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するには、まず、ベース絶縁層１２を、金属支持基板１１の上に形成する。
ベース絶縁層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
【００３４】
ベース絶縁層１２を形成するには、例えば、金属支持基板１１の上面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、８〜１５μｍである。
【００３５】
次いで、導体パターン１３を上記したパターンで形成する。
導体パターン１３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。
導体パターン１３を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。
【００３６】
これにより形成される導体パターン１３では、厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各外部側接続端子部１６および各磁気ヘッド側接続端子部１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側接続端子部１６間の間隔および各磁気ヘッド側接続端子部１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００３７】
カバー絶縁層１４を上記したパターンで形成するには、例えば、導体パターン４およびベース絶縁層１２を含む金属支持基板１１の表面に、感光性の、上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
これにより形成されるカバー絶縁層１４の厚みは、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜７μｍである。
【００３８】
これにより、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層することができる。
なお、上記した導体パターン１３の形成とともに、供給配線３０および供給端子部３１を上記と同様の方法により、同時に形成する。
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、光導波路１９を、ベース絶縁層１２の上に形成する。
【００３９】
光導波路１９を形成するには、ベース絶縁層１２の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層する。
アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層するには、まず、アンダークラッド層２２を、ベース絶縁層１２の上に形成する。
アンダークラッド層２２を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、または、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂が用いられる。これら樹脂は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられ、より具体的には、４，４-ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートなどが用いられる。
【００４０】
アンダークラッド層２２を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスをベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４１】
このようにして形成されるアンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．５５である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
次いで、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成する。
【００４２】
コア層２３を形成する材料としては、アンダークラッド層３の樹脂材料よりも、屈折率が高くなる樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、上記と同様の樹脂が用いられ、好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）とオキセタン化合物との混合樹脂が用いられる。
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２を含むベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４３】
このようにして形成されるコア層２３の屈折率は、アンダークラッド層２２の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。
次いで、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成する。
【００４４】
オーバークラッド層２４を形成する材料としては、上記したアンダークラッド層２２と同様の樹脂材料が用いられる。
オーバークラッド層２４を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、コア層２３およびアンダークラッド層２２を含むベース絶縁層１２の表面に、塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００４５】
このようにして形成されるオーバークラッド層２４の屈折率は、コア層２３の屈折率より低く設定されており、例えば、アンダークラッド層２２の屈折率と同様に設定されている。また、オーバークラッド層２４のコア層２３の表面からの厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００４６】
このようにして、ベース絶縁層１２の上に、アンダークラッド層２２、コア層２３およびオーバークラッド層２４を順次積層することにより、これらを備える光導波路２４を形成することができる。
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。
【００４７】
開口部７を形成するには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、エッチングにより、形成する。
この開口部７は、光導波路１９の先端部と厚み方向において重なるように、より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の先端部が中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の先端部が先側半分に配置されるように形成されている。
【００４８】
このようにして形成される開口部７は、幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍであり、長さ（長手方向長さ）が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２および光導波路１９の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。
【００４９】
レーザ加工では、図４（ｅ）の破線で示すように、開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、開口部７側（厚み方向下側）から、ベース絶縁層１２および光導波路１９に照射することにより、これらベース絶縁層１２および光導波路１９を一度に切削する。
これにより、ベース絶縁層１２および光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削することができる。
【００５０】
その後、配線部３の後端側において、光導波路１９の後端と光学的に接続され、供給配線３０の先端と電気的に接続されるように、発光素子２０を、ベース絶縁層１２の上に設置する。これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、図１および図２の破線で示すように、配線部３において、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される。また、この外部回路基板２には、磁気ヘッド２８（図５参照）および発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、ＩＣ配線３３を介して、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が接続される端子部と電気的に接続されている。
【００５１】
また、回路付サスペンション基板１には、図１および図５に示すように、ジンバル部４の搭載部９にヘッドスライダ２７が搭載される。このヘッドスライダ２７には、磁気ヘッド２８が実装されており、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が、磁気ヘッド側接続端子部１７と電気的に接続される。また、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８は、開口部７を臨むように、光導波路１９の先端部の端面２１の近傍に対向配置されている。
【００５２】
そして、このような磁気ヘッド２８、ヘッドスライダ２７、回路付サスペンション基板１および外部回路基板２が搭載されるハードディスクドライブでは、光アシスト法を採用することができる。
このハードディスクドライブでは、例えば、ハードディスク２６が、光導波路１９の先端部の端面２１および磁気ヘッド２８に対して、相対的に走行している。そして、発光素子２０から出射された光が、光導波路１９を通過して、その端面２１において、光路が上方に変換または散乱され、端面２１の上側に対向するハードディスク２６の表面に照射される。光導波路１９の端面２１からの光の照射により、ハードディスク２６の表面が加熱され、この状態で、磁気ヘッド２８からの磁界の照射により、ハードディスク２６に情報が記録される。そうすると、ハードディスク２６の保磁力が低下されているので、このハードディスク２６に情報を、小さな磁界の照射によって、高密度で記録することができる。
【００５３】
そして、この回路付サスペンション基板１では、光アシスト法に用いられる光導波路１９を、回路付サスペンション基板１より小さく形成されるヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。
とりわけ、光導波路１９が、ヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕のあるベース絶縁層１２の上に設けられているので、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００５４】
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子２０を備えており、その発光素子２０が光導波路１９と光学的に接続されているので、ベース絶縁層１２の上に、発光素子２０と光導波路１９とを一緒に設けることができる。そのため、光学的な接続信頼性を向上させて、光アシスト法を確実に実施することができる。
また、この回路付サスペンション基板１は、搭載部９を備えているので、ヘッドスライダ２７を確実に搭載することができる。また、この回路付サスペンション基板１では、搭載部９の近傍に、開口部７が形成されており、光導波路１９の先端部が開口部７に臨むように形成されているので、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１を確実に、切削することができる。
【００５５】
つまり、この回路付サスペンション基板１の製造方法では、ベース絶縁層１２と光導波路１９とを、開口部７側からレーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。そうすると、開口部７内において、ベース絶縁層１２と光導波路１９とを一度に切削できるので、端面２１を平滑なミラー面として確実に形成することができる。そのため、回路付サスペンション基板１では、光導波路１９から出射された光を所望の位置、すなわち、ハードディスク２６の表面に確実に照射させことができながら、この回路付サスペンション基板１を簡易かつ迅速に製造することができる。そのため、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００５６】
また、この回路付サスペンション基板１は、発光素子１９が、回路付サスペンション基板１の後端側、すなわち、配線部３の後端側に配置され、搭載部９が、回路付サスペンション基板１の先端側、すなわち、ジンバル部４のタング部６に配置されている。そのため、発光素子１９およびヘッドスライダ２７のレイアウトの設計上の自由を確実に確保することができる。
【００５７】
図６は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図、図７は、図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図６に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、図６および図７において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５８】
上記した説明では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２の上に設けたが、例えば、カバー絶縁層１４の上に設けることもできる。
図６において、この回路付サスペンション基板１では、カバー絶縁層１４は、その周端縁が、ベース絶縁層１２の周端縁と平面視において略同一位置となるように形成されている。
【００５９】
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、信号配線１５（より具体的には、第１配線１５ａ）の上に形成されている。また、光導波路１９のコア層２３は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、第１配線１５ａと平面視において重複するように形成されている。
また、光導波路１９は、ジンバル部４の端子形成部１０において、カバー絶縁層１４の上に形成されており、端子形成部１０の第１配線１５ａと幅方向他方側にずれるように配置されており、より具体的には、第１配線１５ａと間隔を隔てて、第１配線１５ａと並行して延びるように配置されている。すなわち、光導波路１９は、端子形成部１０において、端子形成部１０の中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００６０】
発光素子２０は、カバー絶縁層１４の上に形成されている。
この回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意して、次いで、図７（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。次いで、図７（ｃ）に示すように、光導波路１９を、カバー絶縁層１４の上に形成する。次いで、図７（ｄ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成して、次いで、図７（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２、カバー絶縁層１４および光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
【００６１】
このように、光導波路１９をカバー絶縁層１４の上に形成することにより、ベース絶縁層１２がスペース的に余裕のない場合にも、光導波路１９の設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
なお、上記した説明では、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側に設けたが、その配置は限定されず、例えば、図示しないが、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設けることができる。また、第２配線１５ｂに対する第１配線１５ａの反対側（すなわち、第３配線１５ｃに対する第４配線１５ｄの反対側）、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂの間、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄの間に、光導波路１９を設けることもできる。好ましくは、スペースの観点、および、光導波路１９の先端部をジンバル部４の幅方向中央に配置させる観点から、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側、または、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設ける。
【００６２】
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１に、１本の光導波路１９を設けたが、その本数は特に限定されず、例えば、回路付サスペンション基板１の用途および目的に応じて、複数本の光導波路１９を設けることもできる。
また、上記した説明では、光導波路１９において、アンダークラッド層２２およびオーバークラッド層２４を設けたが、例えば、アンダークラッド層２２および／またはオーバークラッド層２４を設けることなく、光導波路１９を形成することもできる。
【００６３】
より具体的には、カバー絶縁層１４の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合に、アンダークラッド層２２を設けず、カバー絶縁層１４をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。
また、ベース絶縁層１２の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合に、アンダークラッド層２２を設けず、ベース絶縁層１２をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。その場合において、カバー絶縁層１４の屈折率が、コア層２３の屈折率より低い場合には、さらに、カバー絶縁層１４とオーバークラッド層２４とを１つの層として一体的に形成することができる。つまり、オーバークラッド層２４およびアンダークラッド層２２を設けることなく、カバー絶縁層１４をオーバークラッド層２４として兼用させ、かつ、ベース絶縁層１２をアンダークラッド層２２として兼用させることができる。
【００６４】
このような回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図８（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
次いで、図８（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層２２を兼ねるベース絶縁層１２を形成する。アンダークラッド層２２を兼ねるベース絶縁層１２を形成するには、例えば、上記したベース絶縁層１２を形成する樹脂材料またはアンダークラッド層２２を形成する樹脂材料と、同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、金属支持基板１１の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００６５】
ベース絶縁層１２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．７０である。また、ベース絶縁層１２の厚みは、例えば、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
その後、図８（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を形成する。導体パターン１３を形成するには、例えば、上記と同様に、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。なお、導体パターン１３は、上記と同様の導体材料から、図１に示す導体パターン１３と同様のパターンで形成される。
【００６６】
なお、導体パターン１３の形成とともに、供給配線３０および供給端子部３１を、上記と同様の方法により、同時に形成する。
続いて、図８（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、コア層２３を形成する。コア層２３を形成するには、上記したコア層２３を形成する樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、ベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００６７】
コア層２３の屈折率は、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の屈折率より高く設定されており、例えば、１．５５〜１．６５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜２０μｍである。また、コア層２３は、図１に示すコア層２３と同様のパターンで配置される。
【００６８】
次いで、図８（ｅ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３（供給配線３０を含む）およびコア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４を兼ねるカバー絶縁層１４を形成する。オーバークラッド層２４を兼ねるカバー絶縁層１４を形成するには、例えば、上記したカバー絶縁層１４を形成する樹脂材料またはオーバークラッド層２４を形成する樹脂材料と同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、導体パターン１３およびコア層２３を含むベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。これによって、カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６、磁気ヘッド側接続端子部１７および供給端子部３１が露出し、信号配線１５、コア層２３および供給端子部３１を被覆するように形成される。
【００６９】
カバー絶縁層１４の屈折率は、例えば、１．４５〜１．７０である。また、カバー絶縁層１４の厚み（コア層の表面からの厚み）は、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、１〜１２μｍである。
そして、図８（ｆ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を、上記と同様の方法により形成し、その後、図８（ｇ）に示すように、ベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、それらの先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
【００７０】
このように製造される回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層１２がアンダークラッド層２２を兼ね、カバー絶縁層１４がオーバークラッド層２４を兼ねており、導体パターン１３およびコア層２３が、ともに、ベース絶縁層１２の上面において、カバー絶縁層１４によって被覆される。
そのため、回路付サスペンション基板１の薄型化、構成の簡略化および製造工数の低減化を図ることができ、製造効率を向上させて、コストの低減化を図ることができる。
【００７１】
なお、上記の説明では、コア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けたが、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けず、コア層２３を露出、すなわち、空気に曝させて、いわゆるエアクラッドとすることもできる。好ましくは、コア層２３の外的要因による損傷防止の観点から、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設ける。
【００７２】
さらに、アンダークラッド層２２やオーバークラッド層２４に代えて、金属薄層からなる光反射層を設けることもできる。
また、上記した説明では、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成したが、その配置はこれに限定されず、例えば、幅方向一端部または幅方向他端部に形成することもできる。好ましくは、ヘッドスライダ２７の幅方向中央部分と光導波路１９の先端部とを、長手方向において対向配置させるために、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成する。
【実施例】
【００７３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されない。
実施例１（光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した。このベース絶縁層の厚みは１０μｍであった。
【００７４】
次いで、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した。これらの厚みは、１０μｍであった。
次いで、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、上記したパターンで形成した。このカバー絶縁層の厚みは５μｍであった。これにより、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層した（図４（ｂ）参照）。
【００７５】
次いで、ベース絶縁層の上に、光導波路を形成した。光導波路を形成するには、まず、アンダークラッド層を形成した。
アンダークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液２重量部、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（希釈剤、脂環式エポキシ、セロキサイド２０２１Ｐ、ダイセル化学社製）４０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、ベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、アンダークラッド層を形成した。
【００７６】
このアンダークラッド層（硬化後のアンダークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、アンダークラッド層の厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
次いで、コア層をアンダークラッド層の上に形成した。
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，１，１−トリス｛４−［２−（３−オキセタニル）］ブトキシフェニル｝エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部、乳酸エチル（希釈剤）３０重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、アンダークラッド層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を形成した。
【００７７】
このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５９４であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように形成した。
オーバークラッド層を上記したパターンで形成するには、まず、上記したアンダークラッド層を形成するためのワニスと同様のワニスを調製し、次いで、このワニスを、コア層およびアンダークラッド層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、アンダークラッド層の上に、コア層を被覆するように、オーバークラッド層を形成した。
【００７８】
このオーバークラッド層（硬化後のオーバークラッド層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４０であった。また、オーバークラッド層のコア層の表面からの厚みは１０μｍ、幅は３０μｍであった。
これにより、光導波路を、ベース絶縁層の上に、第１配線と間隔を隔てて形成した（図４（ｃ）参照）。
【００７９】
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図４（ｄ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。
次いで、ベース絶縁層および光導波路を、開口部側からレーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図４（ｅ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
【００８０】
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、ベース絶縁層の上に設置した（図１および図２参照）。
実施例２（光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態）
実施例１において、光導波路をカバー絶縁層に設け、発光素子をカバー絶縁層の上に設置した以外は、実施例１と同様に、回路付サスペンション基板を製造した（図１、図２および図７参照）。
【００８１】
すなわち、カバー絶縁層を、その周端縁が、ベース絶縁層の周端縁と平面視において略同一位置となるように形成した（図７（ｂ）参照）。
また、光導波路を、配線部およびジンバル部のアウトリガー部において、カバー絶縁層の上に、第１配線と重なるように、端子形成部において、カバー絶縁層の上に、第１配線部と幅方向他方側にずれるように形成した。また、発光素子をカバー絶縁層の上に設置した。
【００８２】
実施例３（ベース絶縁層がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層がオーバークラッド層を兼ねる形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図８（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した。このベース絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４１であった。また、ベース絶縁層の厚みは６μｍであった（図８（ｂ）参照）。
【００８３】
次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した（図８（ｃ）参照）。これらの厚みは、１０μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の上にコア層を形成した。
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）７０重量部、１，３，３−トリス｛４−［２−（３−オキセタニル）］ブトキシフェニル｝エタン（オキセタン化合物）３０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液０．５重量部、乳酸エチル（希釈剤）２８重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、ベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、コア層を形成した（図８（ｄ）参照）。
【００８４】
このコア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５８８であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびコア層を被覆するように、上記したパターンで形成した。
カバー絶縁層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３５重量部、（３，４−エポキシシクロヘキサン）メチル３´，４´−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート４０重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、導体パターンおよびコア層を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、外部側接続端子部、磁気ヘッド側接続端子部および供給端子部を露出させ、信号配線、コア層および供給端子部を被覆するように、カバー絶縁層を形成した（図８（ｅ）参照）。
【００８５】
カバー絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５４２であった。また、カバー絶縁層の厚み（コア層の表面からの厚み）は１０μｍであった。
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図８（ｆ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。
【００８６】
次いで、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層を、開口部側からレーザ加工により、それらの先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図８（ｇ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、ベース絶縁層の上に設置した。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図を示す。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図４】図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層および光導波路を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【図５】ヘッドスライダ、磁気ヘッドおよび図１に示す回路付サスペンション基板が搭載されたハードディスクドライブが、光アシスト法を採用して、ハードディスクに情報を記録する状態の説明図である。
【図６】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図７】図６に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図６に対応する配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を、金属支持基板の上に順次積層する工程、（ｃ）は、光導波路を、カバー絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層、カバー絶縁層および光導波路を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【図８】図８に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、配線部における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、コア層を形成する工程、（ｅ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびコア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、開口部を、端子形成部における金属支持基板に形成する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層の先端部を、開口部側から、レーザ加工により、それらの先端部の端面が長手方向と交差するように切削する工程を示す。
【符号の説明】
【００８８】
１ 回路付サスペンション基板
７ 開口部
９ 搭載部
１１ 金属支持基板
１２ ベース絶縁層
１３ 導体パターン
１４ カバー絶縁層
１９ 光導波路
２０ 発光素子
２１ 端面
２７ ヘッドスライダ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記光導波路が、前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、
前記ベース絶縁層が前記アンダークラッド層を兼ねており、前記コア層が前記ベース絶縁層の上に形成されており、前記カバー絶縁層が前記オーバークラッド層を兼ねていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
さらに、発光素子を備えており、
その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、
前記搭載部の近傍には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部が形成されており、
前記光導波路は、その一端が前記発光素子と接続され、その他端が前記開口部に臨むように形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、
前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、
前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項７】
金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、
光導波路を前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に形成する工程と、
ヘッドスライダを搭載するための搭載部の近傍に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部を形成する工程と、
前記ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と前記光導波路とを、前記開口部側から、前記光導波路の端面が前記光導波路が延びる方向と交差するように、切削する工程と
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項８】
金属支持基板を用意する工程と、
前記金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記ベース絶縁層よりも屈折率の高いコア層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンおよび前記コア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ね、前記コア層よりも屈折率の低いカバー絶縁層を形成する工程と
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、光導波路とを備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記光導波路が、前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記光導波路は、アンダークラッド層と、前記アンダークラッド層の上に形成され、前記アンダークラッド層よりも屈折率の高いコア層と、前記アンダークラッド層の上に、前記コア層を被覆するように形成され、前記コア層よりも屈折率の低いオーバークラッド層とを備え、
前記ベース絶縁層が前記アンダークラッド層を兼ねており、前記コア層が前記ベース絶縁層の上に形成されており、前記カバー絶縁層が前記オーバークラッド層を兼ねていることを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項４】
さらに、発光素子を備えており、
その発光素子が前記光導波路と光学的に接続されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の回路付サスペンション基板。
【請求項５】
ヘッドスライダを搭載するための搭載部を備え、
前記搭載部の近傍には、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部が形成されており、
前記光導波路は、その一端が前記発光素子と接続され、その他端が前記開口部に臨むように形成されていることを特徴とする、請求項４に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項６】
前記光導波路が、前記導体パターンが延びる方向に沿って配置されており、
前記発光素子が、前記金属支持基板の長手方向一方側に配置され、
前記搭載部が、前記金属支持基板の長手方向他方側に配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項７】
金属支持基板を用意して、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層とを形成する工程と、
光導波路を前記ベース絶縁層または前記カバー絶縁層の上に形成する工程と、
ヘッドスライダを搭載するための搭載部の近傍に、前記金属支持基板を厚み方向に貫通する開口部を形成する工程と、
前記ベース絶縁層および／またはカバー絶縁層と前記光導波路とを、前記開口部側から、前記光導波路の端面が前記光導波路が延びる方向と交差するように、切削する工程と
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【請求項８】
金属支持基板を用意する工程と、
前記金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記ベース絶縁層よりも屈折率の高いコア層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンおよび前記コア層を被覆するように、オーバークラッド層を兼ね、前記コア層よりも屈折率の低いカバー絶縁層を形成する工程と
を備えていることを特徴とする、回路付サスペンション基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００８−１５２８９９（Ｐ２００８−１５２８９９Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９９９９６（Ｐ２００７−１９９９９６）
【出願日】平成１９年７月３１日（２００７．７．３１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月３１日（２００７．７．３１）
【出願人】（０００００３９６４）日東電工株式会社 (5,557)
【Ｆターム（参考）】
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