垂直磁気記録媒体及びその製造方法
【課題】磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立して、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は近年、年率５０〜６０％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径の磁気記録媒体にして、３２０ＧＢｙｔｅ／プラッタを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには５００ＧＢｉｔ／Ｉｎｃｈ２を超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気記録媒体において高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式が提案されている。垂直磁気記録方式に用いられる垂直磁気記録媒体は、グラニュラー磁性層（グラニュラー構造を有する磁性層）の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に比べて、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
高記録密度化を図り、さらに高い信号ノイズ比（ＳＮ比）を達成させるためには、最小記録単位である１ビット当たりに存在する磁性粒子の数を多くし、粒子サイズを小さくさせなければならない。そのため、垂直磁気記録媒体における磁性層（記録層）では、磁性粒子の磁気的な相互作用を小さくさせるために、非磁性相で磁性粒子を分離している（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０２４３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
非磁性相による磁性粒子の分離において、磁性粒子のサイズや磁性粒子間の距離は、磁性層に用いる非磁性材料や、その体積分率に影響する。一般的に、体積分率を増加させると、磁性粒子のサイズは小さくなるが、非磁性相の領域が広がるため、結果として磁性粒子密度の増加にはつながらない。磁性粒子の密度を向上させるためには、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとの両立が必要となる。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立して、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、磁性層がグラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有しており、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができる。その結果、このような磁性層を有する垂直磁気記録媒体は、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【００１０】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【００１１】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成されたことが好ましい。
【００１２】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性層は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在することが好ましい。
【００１３】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより前記磁性層を形成することを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有する磁性層を形成することができる。これにより、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現できる垂直磁気記録媒体を得ることができる。
【００１５】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法においては、前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、磁性層においてＭｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界を有するので、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができ、その結果、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】二種以上の酸化物による平衡状態図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
（垂直磁気記録媒体）
図１は、本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基板１１０上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する。積層膜は、付着層１２０、軟磁性層１３０、前下地層１４０、下地層１５０、主記録層１６０、分断層１７０、補助記録層１８０、保護層１９０、及び潤滑層２００で主に構成されている。
【００１９】
基板１１０は、例えばアモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なお、ガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性の基板１１０を得ることができる。
【００２０】
基板１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１２０から補助記録層１８０まで順次成膜を行い、保護層１９０はＣＶＤ法により成膜することができる。この後、潤滑層２００をディップコート法により形成することができる。以下、各層の構成について説明する。
【００２１】
付着層１２０は基板１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１３０と基板１１０との密着強度を高める機能を備えている。付着層１２０は、例えばＣｒＴｉ系非晶質合金、ＣｏＷ系非晶質合金、ＣｒＷ系非晶質合金、ＣｒＴａ系非晶質合金、ＣｒＮｂ系非晶質合金などのアモルファス（非晶質）の合金膜とすることが好ましい。付着層１２０の膜厚は、例えば２ｎｍ〜２０ｎｍ程度とすることができる。付着層１２０は単層でも良く、積層構造でも良い。
【００２２】
軟磁性層１３０は、垂直磁気記録方式において信号を記録する際、ヘッドからの書き込み磁界を集束することによって、磁気記録層への信号の書き易さと高密度化を助ける働きをする。軟磁性材料としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金の他、ＦｅＣｏＣｒＢ、ＦｅＣｏＴａＺｒ、ＦｅＣｏＮｉＴａＺｒなどのＦｅＣｏ系合金、や、ＮｉＦｅ系合金などの軟磁気特性を示す材料を用いることができる。また、軟磁性層１３０のほぼ中間にＲｕからなるスペーサ層を介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。この構成により、磁化の垂直成分を極めて少なくすることができるため、軟磁性層１３０から生じるノイズを低減することができる。スペーサ層を介在させた構成の場合、軟磁性層１３０の膜厚は、スペーサ層が０．３ｎｍ〜０．９ｎｍ程度、その上下の軟磁性材料の層をそれぞれ１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とすることができる。
【００２３】
前下地層１４０は、この上方に形成される下地層１５０の結晶配向性を促進する機能と、粒径などの微細構造を制御する機能とを備える。前下地層１４０は、ｈｃｐ構造であっても良いが、（１１１）面が基板１１０の主表面と平行となるよう配向した面心立方構造（ｆｃｃ構造）であることが好ましい。前下地層１４０の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｈｆや、さらにこれらの金属を主成分として、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａなどを１つ以上添加させた合金とすることができる。具体的には、ＮｉＶ、ＮｉＣｒ、ＮｉＴａ、ＮｉＷ、ＮｉＶＣｒ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒなどを好適に選択することができる。前下地層１４０の膜厚は１ｎｍ〜２０ｎｍ程度とすることができる。また前下地層１４０を積層構造としても良い。
【００２４】
下地層１５０はｈｃｐ構造であって、この上方に形成される主記録層１６０のｈｃｐ構造の磁性結晶粒の結晶配向性を促進する機能と、粒径などの微細構造を制御する機能とを備え、主記録層のグラニュラー構造のいわば土台となる層である。ＲｕはＣｏと同じｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁性粒を良好に配向させることができる。したがって、下地層１５０の結晶配向性が高いほど、主記録層１６０の結晶配向性を向上させることができ、また、下地層１５０の粒径を微細化することによって、主記録層の粒径を微細化することができる。下地層１５０の材料としてはＲｕが代表的であるが、さらにＣｒ、Ｃｏなどの金属や、酸化物を添加することもできる。下地層１５０の膜厚は、例えば５ｎｍ〜４０ｎｍ程度とすることができる。
【００２５】
また、スパッタリング時のガス圧を変更することにより下地層１５０を２層構造としてもよい。具体的には、下地層１５０の上層側を形成する際に下層側を形成するときよりもＡｒのガス圧を高圧にすると、上方の主記録層１６０の結晶配向性を良好に維持したまま、磁性粒子の粒径の微細化が可能となる。
【００２６】
主記録層（磁性層）１６０は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有する。すなわち、主記録層（磁性層）１６０は、ＣｏＣｒＰｔ系合金を主成分とする強磁性体の磁性粒子の周囲に、セラミックス間化合物を主成分とする非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有している。
【００２７】
ここで、セラミックス間化合物とは、例えば、二種以上の酸化物による平衡状態図上で図２に示すように第三の酸化物が形成されるとき、その第三の酸化物のことをいう。いう。セラミックス間化合物としては、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものを用いることができる。このような主記録層１６０は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成される。すなわち、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成される。これにより、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなる磁性粒子（グレイン）の周囲に非磁性物質であるＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３又はＭｇＴｉＯ３が偏析して粒界を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を形成することができる。
【００２８】
このようにして形成された主記録層１６０は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在する。したがって、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができる。その結果、このような主記録層（磁性層）１６０を有する垂直磁気記録媒体は、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【００２９】
なお、上記に示した主記録層１６０に用いた物質は一例であり、これに限定されるものではない。ＣｏＣｒＰｔ系合金としては、ＣｏＣｒＰｔに、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、などを少なくとも１種類添加したものを用いても良いよい。
【００３０】
分断層１７０は、主記録層１６０と補助記録層１８０の間に設けられ、これらの層の間の交換結合の強さを調整する作用を持つ。これにより１６０と補助記録層１８０の間、および１６０内の隣接する磁性粒子の間に働く磁気的な結合の強さを調節することができるため、ＨｃやＨｎといった熱揺らぎ耐性に関係する静磁気的な値は維持しつつ、オーバーライト特性、ＳＮＲ特性などの記録再生特性を向上させることができる。
【００３１】
分断層１７０は、結晶配向性の継承を低下させないために、ｈｃｐ結晶構造を持つＲｕやＣｏを主成分とする層であることが好ましい。Ｒｕ系材料としては、Ｒｕの他に、Ｒｕに他の金属元素や酸素又は酸化物を添加したものが使用できる。また、Ｃｏ系材料としては、ＣｏＣｒ合金などが使用できる。具体例としては、Ｒｕ、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏ、Ｒｕ−ＳｉＯ２、Ｒｕ−ＷＯ３、Ｒｕ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒ−ＴｉＯ２などが使用できる。なお、分断層１７０には通常非磁性材料が用いられるが、弱い磁性を有していても良い。また、良好な交換結合強度を得るために、分断層１７０の膜厚は、０．２ｎｍ〜１．０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３２】
補助記録層１８０は、基板主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である。補助記録層１８０は、主記録層１６０に対して磁気的相互作用（交換結合）を有するため、保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎ等の静磁気特性を調整することが可能であり、これにより熱揺らぎ耐性、ＯＷ（Over Write）特性、及びＳＮＲの改善を図ることを目的としている。補助記録層１８０の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることができ、さらに、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕなどの添加物を加えても良い。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢなどとすることができる。また、補助記録層１８０の膜厚は、例えば３ｎｍ〜１０ｎｍとすることができる。
【００３３】
なお、「磁気的に連続している」とは、磁性が途切れずにつながっていることを意味する。「ほぼ連続している」とは、補助記録層１８０全体で観察すれば必ずしも単一の磁石ではなく、部分的に磁性が不連続となっていても良いことを意味する。すなわち、補助記録層１８０は、複数の磁性粒子の集合体にまたがって（かぶさるように）磁性が連続していれば良い。この条件を満たす限り、補助記録層１８０において例えばＣｒが偏析した構造であっても良い。
【００３４】
保護層１９０は、磁気ヘッドの衝撃や腐食から垂直磁気記録媒体１００を防護するための層である。保護層１９０は、カーボンを含む膜をＣＶＤ法により成膜して形成することができる。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタリング法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録媒体１００を防護することができるため好適である。保護層１９０の膜厚は、例えば２ｎｍ〜６ｎｍとすることができる。
【００３５】
潤滑層２００は、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触した際に、保護層１９０の損傷を防止するために形成される。例えば、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により塗布して成膜することができる。潤滑層２００の膜厚は、例えば０．５ｎｍ〜２．０ｎｍとすることができる。
【００３６】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（実施例）
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。そして、このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ディスク基体である基板を得た。基板の直径は、６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、ディスク厚０．８ｍｍの２．５インチ型磁気ディスク用基板である。得られた基板の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察したところ、Ｒｍａｘが２．１８ｎｍ、Ｒａが０．１８ｎｍの平滑な表面であることを確認した。尚、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。
【００３７】
次に、基板１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリングで、Ａｒ雰囲気中で順次、付着層１２０、軟磁性層１３０、前下地層１４０、下地層１５０、主記録層１６０、分断層１７０、及び補助記録層１８０の成膜を行った。なお、特に記載しない限り成膜時のＡｒガス圧は０．６Ｐａとした。
【００３８】
具体的には、付着層１２０として、Ｃｒ−５０Ｔｉを厚さ１０ｎｍで成膜した。軟磁性層１３０として、厚さ０．７ｎｍのＲｕ層を挟んで、９２（４０Ｆｅ−６０Ｃｏ）−３Ｔａ−５Ｚｒをそれぞれ厚さ２０ｎｍで成膜した。前下地層１４０として、Ｎｉ−５Ｗを厚さ８ｎｍで成膜した。下地層１５０として、Ｒｕを厚さ１０ｎｍで成膜した上にＡｒガス圧５ＰａでＲｕを厚さ１０ｎｍで成膜した。主記録層１６０として、Ａｒガス圧３Ｐａで９０（７０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ）−１０（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ２ｎｍで成膜した上に、さらにＡｒガス圧３Ｐａで９４（７２Ｃｏ−１０Ｃｒ−１８Ｐｔ）−６（Ｍｇ２ＳｉＯ４）を厚さ１０ｎｍで成膜した。分断層１７０として、Ｒｕを厚さ０．３ｎｍで成膜した。補助記録層１８０として、６２Ｃｏ−１８Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｂを厚さ６ｎｍで成膜した。
【００３９】
補助記録層１８０上に、ＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて厚さ４ｎｍで成膜して保護層１９０を形成し、その表層を窒化処理した。次いで、ディップコート法によりＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いて厚さ１ｎｍで形成して潤滑層２００を形成した。このようにして、実施例に係る垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
（比較例）
主記録層１６０として、Ａｒガス圧３Ｐａで９０（７０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ）−１０（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ２ｎｍで成膜した上に、さらにＡｒガス圧３Ｐａで９０（７２Ｃｏ−１０Ｃｒ−１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）を厚さ１０ｎｍで成膜すること以外実施例と同様にして比較例の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４１】
作製した実施例の垂直磁気記録媒体及び比較例の垂直磁気記録媒体のＳＮＲを調べた。その結果を下記表１に示す。なお、記録再生特性は、Ｒ／Ｗアナライザーと、記録側がＳＰＴ素子を備え、再生側がＧＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドとを用いて、記録密度を１５００ｋｆｃｉとして測定した。このとき、磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍであった。
【表１】
【００４２】
表１から分かるように、主記録層における非磁性粒界がセラミックス間化合物である場合（実施例）には、主記録層における非磁性粒界が酸化物である場合（比較例）に比べて、ＳＮＲが非常に良好であった。これは、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることができたためであると考えられる。このため、本発明の垂直磁気記録媒体が、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できていることが分かる。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施の形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１００ 垂直磁気記録媒体
１１０ 基板
１２０ 付着層
１３０ 軟磁性層
１４０ 前下地層
１５０ 下地層
１６０ 主記録層
１７０ 分断層
１８０ 補助記録層
１９０ 保護層
２００ 潤滑層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は近年、年率５０〜６０％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径の磁気記録媒体にして、３２０ＧＢｙｔｅ／プラッタを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには５００ＧＢｉｔ／Ｉｎｃｈ２を超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気記録媒体において高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式が提案されている。垂直磁気記録方式に用いられる垂直磁気記録媒体は、グラニュラー磁性層（グラニュラー構造を有する磁性層）の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内磁気記録方式に比べて、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
高記録密度化を図り、さらに高い信号ノイズ比（ＳＮ比）を達成させるためには、最小記録単位である１ビット当たりに存在する磁性粒子の数を多くし、粒子サイズを小さくさせなければならない。そのため、垂直磁気記録媒体における磁性層（記録層）では、磁性粒子の磁気的な相互作用を小さくさせるために、非磁性相で磁性粒子を分離している（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−０２４３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
非磁性相による磁性粒子の分離において、磁性粒子のサイズや磁性粒子間の距離は、磁性層に用いる非磁性材料や、その体積分率に影響する。一般的に、体積分率を増加させると、磁性粒子のサイズは小さくなるが、非磁性相の領域が広がるため、結果として磁性粒子密度の増加にはつながらない。磁性粒子の密度を向上させるためには、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとの両立が必要となる。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立して、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、磁性層がグラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有しており、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができる。その結果、このような磁性層を有する垂直磁気記録媒体は、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【００１０】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【００１１】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成されたことが好ましい。
【００１２】
本発明の垂直磁気記録媒体においては、前記磁性層は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在することが好ましい。
【００１３】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより前記磁性層を形成することを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有する磁性層を形成することができる。これにより、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現できる垂直磁気記録媒体を得ることができる。
【００１５】
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法においては、前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、磁性層においてＭｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界を有するので、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができ、その結果、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】二種以上の酸化物による平衡状態図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の実施の形態について説明する。
（垂直磁気記録媒体）
図１は、本発明の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基板１１０上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する。積層膜は、付着層１２０、軟磁性層１３０、前下地層１４０、下地層１５０、主記録層１６０、分断層１７０、補助記録層１８０、保護層１９０、及び潤滑層２００で主に構成されている。
【００１９】
基板１１０は、例えばアモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なお、ガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性の基板１１０を得ることができる。
【００２０】
基板１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１２０から補助記録層１８０まで順次成膜を行い、保護層１９０はＣＶＤ法により成膜することができる。この後、潤滑層２００をディップコート法により形成することができる。以下、各層の構成について説明する。
【００２１】
付着層１２０は基板１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１３０と基板１１０との密着強度を高める機能を備えている。付着層１２０は、例えばＣｒＴｉ系非晶質合金、ＣｏＷ系非晶質合金、ＣｒＷ系非晶質合金、ＣｒＴａ系非晶質合金、ＣｒＮｂ系非晶質合金などのアモルファス（非晶質）の合金膜とすることが好ましい。付着層１２０の膜厚は、例えば２ｎｍ〜２０ｎｍ程度とすることができる。付着層１２０は単層でも良く、積層構造でも良い。
【００２２】
軟磁性層１３０は、垂直磁気記録方式において信号を記録する際、ヘッドからの書き込み磁界を集束することによって、磁気記録層への信号の書き易さと高密度化を助ける働きをする。軟磁性材料としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金の他、ＦｅＣｏＣｒＢ、ＦｅＣｏＴａＺｒ、ＦｅＣｏＮｉＴａＺｒなどのＦｅＣｏ系合金、や、ＮｉＦｅ系合金などの軟磁気特性を示す材料を用いることができる。また、軟磁性層１３０のほぼ中間にＲｕからなるスペーサ層を介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。この構成により、磁化の垂直成分を極めて少なくすることができるため、軟磁性層１３０から生じるノイズを低減することができる。スペーサ層を介在させた構成の場合、軟磁性層１３０の膜厚は、スペーサ層が０．３ｎｍ〜０．９ｎｍ程度、その上下の軟磁性材料の層をそれぞれ１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度とすることができる。
【００２３】
前下地層１４０は、この上方に形成される下地層１５０の結晶配向性を促進する機能と、粒径などの微細構造を制御する機能とを備える。前下地層１４０は、ｈｃｐ構造であっても良いが、（１１１）面が基板１１０の主表面と平行となるよう配向した面心立方構造（ｆｃｃ構造）であることが好ましい。前下地層１４０の材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｈｆや、さらにこれらの金属を主成分として、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａなどを１つ以上添加させた合金とすることができる。具体的には、ＮｉＶ、ＮｉＣｒ、ＮｉＴａ、ＮｉＷ、ＮｉＶＣｒ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒなどを好適に選択することができる。前下地層１４０の膜厚は１ｎｍ〜２０ｎｍ程度とすることができる。また前下地層１４０を積層構造としても良い。
【００２４】
下地層１５０はｈｃｐ構造であって、この上方に形成される主記録層１６０のｈｃｐ構造の磁性結晶粒の結晶配向性を促進する機能と、粒径などの微細構造を制御する機能とを備え、主記録層のグラニュラー構造のいわば土台となる層である。ＲｕはＣｏと同じｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁性粒を良好に配向させることができる。したがって、下地層１５０の結晶配向性が高いほど、主記録層１６０の結晶配向性を向上させることができ、また、下地層１５０の粒径を微細化することによって、主記録層の粒径を微細化することができる。下地層１５０の材料としてはＲｕが代表的であるが、さらにＣｒ、Ｃｏなどの金属や、酸化物を添加することもできる。下地層１５０の膜厚は、例えば５ｎｍ〜４０ｎｍ程度とすることができる。
【００２５】
また、スパッタリング時のガス圧を変更することにより下地層１５０を２層構造としてもよい。具体的には、下地層１５０の上層側を形成する際に下層側を形成するときよりもＡｒのガス圧を高圧にすると、上方の主記録層１６０の結晶配向性を良好に維持したまま、磁性粒子の粒径の微細化が可能となる。
【００２６】
主記録層（磁性層）１６０は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有する。すなわち、主記録層（磁性層）１６０は、ＣｏＣｒＰｔ系合金を主成分とする強磁性体の磁性粒子の周囲に、セラミックス間化合物を主成分とする非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有している。
【００２７】
ここで、セラミックス間化合物とは、例えば、二種以上の酸化物による平衡状態図上で図２に示すように第三の酸化物が形成されるとき、その第三の酸化物のことをいう。いう。セラミックス間化合物としては、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものを用いることができる。このような主記録層１６０は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより形成される。すなわち、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成される。これにより、ＣｏＣｒＰｔ系合金からなる磁性粒子（グレイン）の周囲に非磁性物質であるＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３又はＭｇＴｉＯ３が偏析して粒界を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を形成することができる。
【００２８】
このようにして形成された主記録層１６０は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在する。したがって、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることとを両立することができる。その結果、このような主記録層（磁性層）１６０を有する垂直磁気記録媒体は、高記録密度化及び高ＳＮ比を実現することができる。
【００２９】
なお、上記に示した主記録層１６０に用いた物質は一例であり、これに限定されるものではない。ＣｏＣｒＰｔ系合金としては、ＣｏＣｒＰｔに、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕ、などを少なくとも１種類添加したものを用いても良いよい。
【００３０】
分断層１７０は、主記録層１６０と補助記録層１８０の間に設けられ、これらの層の間の交換結合の強さを調整する作用を持つ。これにより１６０と補助記録層１８０の間、および１６０内の隣接する磁性粒子の間に働く磁気的な結合の強さを調節することができるため、ＨｃやＨｎといった熱揺らぎ耐性に関係する静磁気的な値は維持しつつ、オーバーライト特性、ＳＮＲ特性などの記録再生特性を向上させることができる。
【００３１】
分断層１７０は、結晶配向性の継承を低下させないために、ｈｃｐ結晶構造を持つＲｕやＣｏを主成分とする層であることが好ましい。Ｒｕ系材料としては、Ｒｕの他に、Ｒｕに他の金属元素や酸素又は酸化物を添加したものが使用できる。また、Ｃｏ系材料としては、ＣｏＣｒ合金などが使用できる。具体例としては、Ｒｕ、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏ、Ｒｕ−ＳｉＯ２、Ｒｕ−ＷＯ３、Ｒｕ−ＴｉＯ２、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒ−ＴｉＯ２などが使用できる。なお、分断層１７０には通常非磁性材料が用いられるが、弱い磁性を有していても良い。また、良好な交換結合強度を得るために、分断層１７０の膜厚は、０．２ｎｍ〜１．０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３２】
補助記録層１８０は、基板主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である。補助記録層１８０は、主記録層１６０に対して磁気的相互作用（交換結合）を有するため、保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎ等の静磁気特性を調整することが可能であり、これにより熱揺らぎ耐性、ＯＷ（Over Write）特性、及びＳＮＲの改善を図ることを目的としている。補助記録層１８０の材料としては、ＣｏＣｒＰｔ系合金を用いることができ、さらに、Ｂ、Ｔａ、Ｃｕなどの添加物を加えても良い。具体的には、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＣｕ、ＣｏＣｒＰｔＣｕＢなどとすることができる。また、補助記録層１８０の膜厚は、例えば３ｎｍ〜１０ｎｍとすることができる。
【００３３】
なお、「磁気的に連続している」とは、磁性が途切れずにつながっていることを意味する。「ほぼ連続している」とは、補助記録層１８０全体で観察すれば必ずしも単一の磁石ではなく、部分的に磁性が不連続となっていても良いことを意味する。すなわち、補助記録層１８０は、複数の磁性粒子の集合体にまたがって（かぶさるように）磁性が連続していれば良い。この条件を満たす限り、補助記録層１８０において例えばＣｒが偏析した構造であっても良い。
【００３４】
保護層１９０は、磁気ヘッドの衝撃や腐食から垂直磁気記録媒体１００を防護するための層である。保護層１９０は、カーボンを含む膜をＣＶＤ法により成膜して形成することができる。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタリング法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録媒体１００を防護することができるため好適である。保護層１９０の膜厚は、例えば２ｎｍ〜６ｎｍとすることができる。
【００３５】
潤滑層２００は、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触した際に、保護層１９０の損傷を防止するために形成される。例えば、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により塗布して成膜することができる。潤滑層２００の膜厚は、例えば０．５ｎｍ〜２．０ｎｍとすることができる。
【００３６】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
（実施例）
アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。そして、このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性ディスク基体である基板を得た。基板の直径は、６５ｍｍ、内径は２０ｍｍ、ディスク厚０．８ｍｍの２．５インチ型磁気ディスク用基板である。得られた基板の表面粗さをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察したところ、Ｒｍａｘが２．１８ｎｍ、Ｒａが０．１８ｎｍの平滑な表面であることを確認した。尚、Ｒｍａｘ及びＲａは、日本工業規格（ＪＩＳ）に従う。
【００３７】
次に、基板１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリングで、Ａｒ雰囲気中で順次、付着層１２０、軟磁性層１３０、前下地層１４０、下地層１５０、主記録層１６０、分断層１７０、及び補助記録層１８０の成膜を行った。なお、特に記載しない限り成膜時のＡｒガス圧は０．６Ｐａとした。
【００３８】
具体的には、付着層１２０として、Ｃｒ−５０Ｔｉを厚さ１０ｎｍで成膜した。軟磁性層１３０として、厚さ０．７ｎｍのＲｕ層を挟んで、９２（４０Ｆｅ−６０Ｃｏ）−３Ｔａ−５Ｚｒをそれぞれ厚さ２０ｎｍで成膜した。前下地層１４０として、Ｎｉ−５Ｗを厚さ８ｎｍで成膜した。下地層１５０として、Ｒｕを厚さ１０ｎｍで成膜した上にＡｒガス圧５ＰａでＲｕを厚さ１０ｎｍで成膜した。主記録層１６０として、Ａｒガス圧３Ｐａで９０（７０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ）−１０（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ２ｎｍで成膜した上に、さらにＡｒガス圧３Ｐａで９４（７２Ｃｏ−１０Ｃｒ−１８Ｐｔ）−６（Ｍｇ２ＳｉＯ４）を厚さ１０ｎｍで成膜した。分断層１７０として、Ｒｕを厚さ０．３ｎｍで成膜した。補助記録層１８０として、６２Ｃｏ−１８Ｃｒ−１５Ｐｔ−５Ｂを厚さ６ｎｍで成膜した。
【００３９】
補助記録層１８０上に、ＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４を用いて厚さ４ｎｍで成膜して保護層１９０を形成し、その表層を窒化処理した。次いで、ディップコート法によりＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いて厚さ１ｎｍで形成して潤滑層２００を形成した。このようにして、実施例に係る垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
（比較例）
主記録層１６０として、Ａｒガス圧３Ｐａで９０（７０Ｃｏ−１０Ｃｒ−２０Ｐｔ）−１０（Ｃｒ２Ｏ３）を厚さ２ｎｍで成膜した上に、さらにＡｒガス圧３Ｐａで９０（７２Ｃｏ−１０Ｃｒ−１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）を厚さ１０ｎｍで成膜すること以外実施例と同様にして比較例の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４１】
作製した実施例の垂直磁気記録媒体及び比較例の垂直磁気記録媒体のＳＮＲを調べた。その結果を下記表１に示す。なお、記録再生特性は、Ｒ／Ｗアナライザーと、記録側がＳＰＴ素子を備え、再生側がＧＭＲ素子を備える垂直磁気記録方式用磁気ヘッドとを用いて、記録密度を１５００ｋｆｃｉとして測定した。このとき、磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍであった。
【表１】
【００４２】
表１から分かるように、主記録層における非磁性粒界がセラミックス間化合物である場合（実施例）には、主記録層における非磁性粒界が酸化物である場合（比較例）に比べて、ＳＮＲが非常に良好であった。これは、磁性粒子のサイズの低減と磁性粒子間の距離を狭めることができたためであると考えられる。このため、本発明の垂直磁気記録媒体が、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できていることが分かる。
【００４３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施の形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
１００ 垂直磁気記録媒体
１１０ 基板
１２０ 付着層
１３０ 軟磁性層
１４０ 前下地層
１５０ 下地層
１６０ 主記録層
１７０ 分断層
１８０ 補助記録層
１９０ 保護層
２００ 潤滑層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成されたことを特徴とする請求項２記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより前記磁性層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層は、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物を含む非磁性粒界と、を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層は、ＣｏＣｒＰｔ合金、並びにＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものからなるターゲットを用いてスパッタリングされて形成されたことを特徴とする請求項２記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層は、平面視において、１ビットに相当する領域に１２以上のグラニュラー磁性粒子が存在することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に少なくとも磁性層を含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、グラニュラー構造を有する磁性材料と、Ｍｇを含むセラミックス間化合物とからなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより前記磁性層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金であり、前記セラミックス間化合物がＭｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＳｉＯ３及びＭｇＴｉＯ３からなる群より選ばれたものであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１１−２５３５９７（Ｐ２０１１−２５３５９７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１２７６９７（Ｐ２０１０−１２７６９７）
【出願日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【出願人】（５１０２１０９１１）ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド (53)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１５日（２０１１．１２．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月３日（２０１０．６．３）
【出願人】（５１０２１０９１１）ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド (53)
【Ｆターム（参考）】
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