孔の検査方法および孔を有する導電部材の製造方法
【課題】孔を確実に検査することが可能な方法を提供することを目的とする。
【解決手段】孔２２の検査方法は、導電層１０上に形成されて、導電層１０に達する孔２２が設けられた有機物層２０の孔２２を検査する方法であって、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底２２ａに残存する有機物の分布を測定する工程とを備える。
【解決手段】孔２２の検査方法は、導電層１０上に形成されて、導電層１０に達する孔２２が設けられた有機物層２０の孔２２を検査する方法であって、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底２２ａに残存する有機物の分布を測定する工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、孔の検査方法および孔を有する導電部材の製造方法に関し、より特定的には、ビアホール底の樹脂の残渣を評価する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線のビアホールに関連する発明が、たとえば特開平１０−１９０２４２号公報（特許文献１）、特開平１０−３２２０３４号公報（特許文献２）、特開平１０−８５９７６号公報（特許文献３）、特開２００１−１０２７２０号公報（特許文献４）および特開２００２−２５２４４２号公報（特許文献５）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１９０２４２号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０３４号公報
【特許文献３】特開平１０−８５９７６号公報
【特許文献４】特開２００１−１０２７２０号公報
【特許文献５】特開２００２−２５２４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
たとえば特許文献１では、ビアホール底の残渣を検出することが開示されているが、評価領域については、ホール底全体および１点のみであり、残渣の有無についてのみの実施例が開示されている。そのため、十分な判断ができないという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は上述のような問題点を解決するためになされたものであり、孔を確実に検査することが可能な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に従った穴の検査方法は、導電層上に形成されて、導電層に達する孔が設けられた有機物層の孔を検査する方法であって、孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔の底に照射された電磁波が孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底に残存するの有機物の分布を測定する工程とを備える。
【０００７】
このように構成された検査方法では、孔底に残存する有機物の分布を測定するため、孔全体にわたって有機物の残存量を測定することができる。その結果、孔の底を正しく評価することができる。
【０００８】
好ましくは、有機物はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）およびＬＣＰ（液晶ポリマー）からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む。
【０００９】
好ましくは、孔は円形状であり、電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形の領域である。
【００１０】
この発明に従った孔を有する導電部材の製造方法は、導電層上に形成された有機物層に、導電層に達する孔を形成する工程と、孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔の底に照射された電磁波が孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底の有機物の分布を測定する工程と、孔の底の有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する。
【００１１】
このように構成された導電部材の製造方法では、孔底に残存する有機物の分布を測定するため、孔全体にわたって有機物の残存量を測定することができる。その結果、孔の底を正しく評価することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明に従えば、確実に孔の検査を行なうことができる孔の検査方法および導電部材の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法を説明するための図である。
【図２】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において有機物を除去する工程を説明するための断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において孔の検査工程を説明するための断面図である。
【図４】ポリイミドの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図５】ポリエチレンテレフタレートの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図６】液晶ポリマーの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図７】ポリイミドの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【図８】ポリエチレンテレフタレートおよび液晶ポリマーの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【図９】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔の底での検査領域を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの渦巻き状の照射軌跡を示す図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの同心円状の照射軌跡を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施の形態では同一または相当する部分については同一の参照符号を付し、その説明については繰返さない。また、各実施の形態を組合されることも可能である。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法を説明するための図である。図１を参照して、導電層１０、有機物層２０および導電層３０の積層構造体に開口３１を形成する。開口３１の直径はＤとされる。導電層１０はいずれの導電層であってもよい。たとえば、銅、アルミニウムなどの金属であってもよく、不純物が導入されたシリコンなどの半導体であってもよい。
【００１６】
また、有機物層２０は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）および液晶ポリマー（ＬＣＰ）などのさまざまな有機物を採用することが可能である。
【００１７】
図２は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において有機物を除去する工程を説明するための断面図である。図２を参照して、レーザ４０により、有機物層２０に孔２２を形成する。このとき、レーザ４０は、導電層１０を露出させるようにレーザ４０が照射される。しかしながら、有機物２０の取り残しが孔２２の底部分に残存する場合がある。
【００１８】
図３は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において孔の検査工程を説明するための断面図である。図３を参照して、光源５１から電磁波５２を照射する。そして、孔２２の底２２ａから反射した電磁波を検出器５３が検出する。このときの検出量によって、底２２ａにどの程度残存した有機物２０が残っているかどうかを検出することができる。そして、底２２ａ全体で有機物２０の残存量のマップを作成する。
【００１９】
図４は、ポリイミドの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図５は、ポリエチレンテレフタレートの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図６は、液晶ポリマーの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図４から図６を参照して、いずれの有機物層２０を構成する材料においても、特定の波数で吸収が大きくなっていることがわかる。これは、有機物層２０を構成する化学結合に起因する吸収である。その吸収波数を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
表１における４桁の数字は、吸収波数（ｃｍ−１）である。
さらに、ＰＥＴでは波長が３００ｎｍ、ＰＩでは波長が４５０ｎｍ、ＬＣＰでは波長が４００ｎｍの領域で吸収のピークがあるので、これらのピークを利用して有機物層２０の残存を測定してもよい。この場合、赤外よりも波長の短い、いわゆる紫外線および可視光線を光源５１から照射することとなる。
【００２２】
底２２ａに有機物がどの程度残存しているかの評価に関しては、赤外顕微鏡を用いることができる。具体的には、赤外顕微鏡（パーキンエルマー社製Spotlight400）のイメージングＩＲ（infrared）機能を用いて、孔２２加工後の残渣について、材質の特定だけでなく、底２２ａを一定の空間分解能で分割してそれぞれをマッピングしていき、樹脂残渣の厚みおよび分布について評価する。樹脂残渣の厚みの対数と吸光度とは比例するため、吸光度を特定することで樹脂残渣の厚みを測定することができる。
【００２３】
樹脂残渣量に応じて、良品か不良品かを判断する光源５１からの光の照射量と、検出器５３における吸光後の検出量とのデータがコンピュータ６０に伝えられる。コンピュータ６０では、底２２ａにおける残渣２１の残量に応じて孔２２が規定どおりに形成されたかどうかを判断することができる。
【００２４】
例えば、底２２ａのうち、２０％以上の面積で残渣が残っていたら不良品と判断し、２０％未満の残量であれば良品と判断してもよい。この場合、残渣２１の被覆面積と底２２ａの面積との比率のみが問題となり、残渣２１の厚みは問題とならない。
【００２５】
残渣２１の厚みをも考慮して不良品の判定をする場合には、残渣２１による底２２ａの被覆面積と残渣２１の平均厚みとを掛け合わせることで残渣２１の体積を計算することができる。この体積が所定値以上であれば不良品と判断し、所定値未満であれば良品と判断してもよい。残渣２１による被覆面積が一定であっても、残渣２１の厚みが異なれば、後の洗浄工程において残渣２１をどの程度除去できるかが異なる。すなわち、残渣２１による被覆面積が広くても、残渣２１の厚みが薄ければ後の洗浄工程においてその残渣２１を除去できるために良品と判断する。これとは反対に、残渣２１の被覆面積が狭くても残渣２１の厚みが厚ければ残渣２１を後の洗浄工程で取り除くことができない。その結果、不良品と判断する。
【００２６】
また、残渣２１の体積および面積が所定値を超えないものの、所定値に近い場合には、レーザ４０による照射時間を長くすることで、有機物層２０の除去工程の時間を長くして確実に有機物層２０を除去するように、コンピュータ６０がレーザ４０を制御してもよい。
【００２７】
図７は、ポリイミドの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。図８は、ポリエチレンテレフタレートおよび液晶ポリマーの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【００２８】
図７および図８で示すように、短波長領域において吸収の多い領域（波長が２００から４５０ｎｍ）が見られるため、この領域を用いて、残渣２１の量を算出することが可能である。なお、紫外および可視領域での吸収は、赤外領域での吸収のように、有機物を構成する特定の化学結合に基づく吸収ではない。そのため、赤外吸収で見られた鋭いピークは紫外および可視領域では見当たらない。
【００２９】
実施の形態に従った孔２２の検査方法は、導電層１０上に形成されて、導電層１０に達する孔２２が設けられた有機物層２０の孔２２を検査する方法であって、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物の特定の化学結合によって、および／または特定の化学結合によらず吸収される量を測定することで、孔の底２２ａに残存する有機物の分布を測定する工程とを備える。
【００３０】
孔２２を有する導電部材の製造方法は、導電層１０上に形成された有機物層２０に、導電層１０に達する孔２２を形成する工程と、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔２２の底２２ａの有機物の分布を測定する工程と、孔２２の底２２ａの有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する。
【００３１】
以上のように構成された、この発明に従った方法では、底２２ａ全体にわたる残渣２１の分布を測定するため、孔２２の底２２ａの状体を正確に把握して良品か不良品かの判断をすることが可能となる。
【００３２】
（実施の形態２）
図９は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔の底での検査領域を示す図である。図１０は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの渦巻き状の照射軌跡を示す図である。図１１は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの同心円状の照射軌跡を示す図である。
【００３３】
図９で示すように、底２２ａのうち、１／４の扇形領域２５のみで残渣のマップを作成すれば、残りの領域でも、扇形領域２５と同じように残渣が分布していると推測することも可能である。円形の孔２２を形成する場合には、図１０および図１１で示すように、レーザの照射軌跡２６を渦巻き形状にするか、照射軌跡２７を同心円形状にすることがある。この場合には、残渣の分布は、円の中心に対して対称形状となり、全体の１／４の部分において残渣の分布を調べれば、他の部分でも同じように残渣が分布していると判断することができる。
【００３４】
すなわち、孔２２は円形状であり、電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形領域２５である。
【００３５】
この場合、有機物の光吸収を利用してマップを形成する領域の面積を小さくすることができるため、マップ形成時間を短縮することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
この発明は、導電層上に有機物層を形成して、その有機物層に孔を形成する、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板および液晶基板の分野において利用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１０，３０ 導電層、２０ 有機物層、２１ 残渣、２２ 孔、２２ａ 底、２５ 扇形領域、２６，２７ 照射領域、３１ 開口、４０ レーザ、５１ 光源、５２ 電磁波、５３ 検出器、６０ コンピュータ。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、孔の検査方法および孔を有する導電部材の製造方法に関し、より特定的には、ビアホール底の樹脂の残渣を評価する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線のビアホールに関連する発明が、たとえば特開平１０−１９０２４２号公報（特許文献１）、特開平１０−３２２０３４号公報（特許文献２）、特開平１０−８５９７６号公報（特許文献３）、特開２００１−１０２７２０号公報（特許文献４）および特開２００２−２５２４４２号公報（特許文献５）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１９０２４２号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０３４号公報
【特許文献３】特開平１０−８５９７６号公報
【特許文献４】特開２００１−１０２７２０号公報
【特許文献５】特開２００２−２５２４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
たとえば特許文献１では、ビアホール底の残渣を検出することが開示されているが、評価領域については、ホール底全体および１点のみであり、残渣の有無についてのみの実施例が開示されている。そのため、十分な判断ができないという問題があった。
【０００５】
そこで、この発明は上述のような問題点を解決するためになされたものであり、孔を確実に検査することが可能な方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に従った穴の検査方法は、導電層上に形成されて、導電層に達する孔が設けられた有機物層の孔を検査する方法であって、孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔の底に照射された電磁波が孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底に残存するの有機物の分布を測定する工程とを備える。
【０００７】
このように構成された検査方法では、孔底に残存する有機物の分布を測定するため、孔全体にわたって有機物の残存量を測定することができる。その結果、孔の底を正しく評価することができる。
【０００８】
好ましくは、有機物はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）およびＬＣＰ（液晶ポリマー）からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む。
【０００９】
好ましくは、孔は円形状であり、電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形の領域である。
【００１０】
この発明に従った孔を有する導電部材の製造方法は、導電層上に形成された有機物層に、導電層に達する孔を形成する工程と、孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔の底に照射された電磁波が孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔の底の有機物の分布を測定する工程と、孔の底の有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する。
【００１１】
このように構成された導電部材の製造方法では、孔底に残存する有機物の分布を測定するため、孔全体にわたって有機物の残存量を測定することができる。その結果、孔の底を正しく評価することができる。
【発明の効果】
【００１２】
この発明に従えば、確実に孔の検査を行なうことができる孔の検査方法および導電部材の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法を説明するための図である。
【図２】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において有機物を除去する工程を説明するための断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において孔の検査工程を説明するための断面図である。
【図４】ポリイミドの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図５】ポリエチレンテレフタレートの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図６】液晶ポリマーの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。
【図７】ポリイミドの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【図８】ポリエチレンテレフタレートおよび液晶ポリマーの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【図９】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔の底での検査領域を示す図である。
【図１０】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの渦巻き状の照射軌跡を示す図である。
【図１１】この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの同心円状の照射軌跡を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施の形態では同一または相当する部分については同一の参照符号を付し、その説明については繰返さない。また、各実施の形態を組合されることも可能である。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法を説明するための図である。図１を参照して、導電層１０、有機物層２０および導電層３０の積層構造体に開口３１を形成する。開口３１の直径はＤとされる。導電層１０はいずれの導電層であってもよい。たとえば、銅、アルミニウムなどの金属であってもよく、不純物が導入されたシリコンなどの半導体であってもよい。
【００１６】
また、有機物層２０は、たとえばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）および液晶ポリマー（ＬＣＰ）などのさまざまな有機物を採用することが可能である。
【００１７】
図２は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において有機物を除去する工程を説明するための断面図である。図２を参照して、レーザ４０により、有機物層２０に孔２２を形成する。このとき、レーザ４０は、導電層１０を露出させるようにレーザ４０が照射される。しかしながら、有機物２０の取り残しが孔２２の底部分に残存する場合がある。
【００１８】
図３は、この発明の実施の形態１に従った孔の検査方法において孔の検査工程を説明するための断面図である。図３を参照して、光源５１から電磁波５２を照射する。そして、孔２２の底２２ａから反射した電磁波を検出器５３が検出する。このときの検出量によって、底２２ａにどの程度残存した有機物２０が残っているかどうかを検出することができる。そして、底２２ａ全体で有機物２０の残存量のマップを作成する。
【００１９】
図４は、ポリイミドの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図５は、ポリエチレンテレフタレートの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図６は、液晶ポリマーの赤外領域における吸収（縦軸）と波数（横軸）との関係を示すグラフである。図４から図６を参照して、いずれの有機物層２０を構成する材料においても、特定の波数で吸収が大きくなっていることがわかる。これは、有機物層２０を構成する化学結合に起因する吸収である。その吸収波数を表１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
表１における４桁の数字は、吸収波数（ｃｍ−１）である。
さらに、ＰＥＴでは波長が３００ｎｍ、ＰＩでは波長が４５０ｎｍ、ＬＣＰでは波長が４００ｎｍの領域で吸収のピークがあるので、これらのピークを利用して有機物層２０の残存を測定してもよい。この場合、赤外よりも波長の短い、いわゆる紫外線および可視光線を光源５１から照射することとなる。
【００２２】
底２２ａに有機物がどの程度残存しているかの評価に関しては、赤外顕微鏡を用いることができる。具体的には、赤外顕微鏡（パーキンエルマー社製Spotlight400）のイメージングＩＲ（infrared）機能を用いて、孔２２加工後の残渣について、材質の特定だけでなく、底２２ａを一定の空間分解能で分割してそれぞれをマッピングしていき、樹脂残渣の厚みおよび分布について評価する。樹脂残渣の厚みの対数と吸光度とは比例するため、吸光度を特定することで樹脂残渣の厚みを測定することができる。
【００２３】
樹脂残渣量に応じて、良品か不良品かを判断する光源５１からの光の照射量と、検出器５３における吸光後の検出量とのデータがコンピュータ６０に伝えられる。コンピュータ６０では、底２２ａにおける残渣２１の残量に応じて孔２２が規定どおりに形成されたかどうかを判断することができる。
【００２４】
例えば、底２２ａのうち、２０％以上の面積で残渣が残っていたら不良品と判断し、２０％未満の残量であれば良品と判断してもよい。この場合、残渣２１の被覆面積と底２２ａの面積との比率のみが問題となり、残渣２１の厚みは問題とならない。
【００２５】
残渣２１の厚みをも考慮して不良品の判定をする場合には、残渣２１による底２２ａの被覆面積と残渣２１の平均厚みとを掛け合わせることで残渣２１の体積を計算することができる。この体積が所定値以上であれば不良品と判断し、所定値未満であれば良品と判断してもよい。残渣２１による被覆面積が一定であっても、残渣２１の厚みが異なれば、後の洗浄工程において残渣２１をどの程度除去できるかが異なる。すなわち、残渣２１による被覆面積が広くても、残渣２１の厚みが薄ければ後の洗浄工程においてその残渣２１を除去できるために良品と判断する。これとは反対に、残渣２１の被覆面積が狭くても残渣２１の厚みが厚ければ残渣２１を後の洗浄工程で取り除くことができない。その結果、不良品と判断する。
【００２６】
また、残渣２１の体積および面積が所定値を超えないものの、所定値に近い場合には、レーザ４０による照射時間を長くすることで、有機物層２０の除去工程の時間を長くして確実に有機物層２０を除去するように、コンピュータ６０がレーザ４０を制御してもよい。
【００２７】
図７は、ポリイミドの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。図８は、ポリエチレンテレフタレートおよび液晶ポリマーの可視および紫外領域における透過率（縦軸）と波長（横軸）との関係を示すグラフである。
【００２８】
図７および図８で示すように、短波長領域において吸収の多い領域（波長が２００から４５０ｎｍ）が見られるため、この領域を用いて、残渣２１の量を算出することが可能である。なお、紫外および可視領域での吸収は、赤外領域での吸収のように、有機物を構成する特定の化学結合に基づく吸収ではない。そのため、赤外吸収で見られた鋭いピークは紫外および可視領域では見当たらない。
【００２９】
実施の形態に従った孔２２の検査方法は、導電層１０上に形成されて、導電層１０に達する孔２２が設けられた有機物層２０の孔２２を検査する方法であって、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物の特定の化学結合によって、および／または特定の化学結合によらず吸収される量を測定することで、孔の底２２ａに残存する有機物の分布を測定する工程とを備える。
【００３０】
孔２２を有する導電部材の製造方法は、導電層１０上に形成された有機物層２０に、導電層１０に達する孔２２を形成する工程と、孔２２の底２２ａに波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、孔２２の底２２ａに照射された電磁波が孔２２の底２２ａに残存する有機物によって吸収される量を測定することで、孔２２の底２２ａの有機物の分布を測定する工程と、孔２２の底２２ａの有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する。
【００３１】
以上のように構成された、この発明に従った方法では、底２２ａ全体にわたる残渣２１の分布を測定するため、孔２２の底２２ａの状体を正確に把握して良品か不良品かの判断をすることが可能となる。
【００３２】
（実施の形態２）
図９は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔の底での検査領域を示す図である。図１０は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの渦巻き状の照射軌跡を示す図である。図１１は、この発明の実施の形態２に従った孔の検査方法において、孔を形成するときのレーザの同心円状の照射軌跡を示す図である。
【００３３】
図９で示すように、底２２ａのうち、１／４の扇形領域２５のみで残渣のマップを作成すれば、残りの領域でも、扇形領域２５と同じように残渣が分布していると推測することも可能である。円形の孔２２を形成する場合には、図１０および図１１で示すように、レーザの照射軌跡２６を渦巻き形状にするか、照射軌跡２７を同心円形状にすることがある。この場合には、残渣の分布は、円の中心に対して対称形状となり、全体の１／４の部分において残渣の分布を調べれば、他の部分でも同じように残渣が分布していると判断することができる。
【００３４】
すなわち、孔２２は円形状であり、電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形領域２５である。
【００３５】
この場合、有機物の光吸収を利用してマップを形成する領域の面積を小さくすることができるため、マップ形成時間を短縮することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
この発明は、導電層上に有機物層を形成して、その有機物層に孔を形成する、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板および液晶基板の分野において利用することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１０，３０ 導電層、２０ 有機物層、２１ 残渣、２２ 孔、２２ａ 底、２５ 扇形領域、２６，２７ 照射領域、３１ 開口、４０ レーザ、５１ 光源、５２ 電磁波、５３ 検出器、６０ コンピュータ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層上に形成されて、前記導電層に達する孔が設けられた有機物層の前記孔を検査する方法であって、
孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、
前記孔の底に照射された電磁波が前記孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、前記孔の底に残存する有機物の分布を測定する工程とを備えた、孔の検査方法。
【請求項２】
前記有機物はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）およびＬＣＰ（液晶ポリマー）からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、請求項１に記載の孔の検査方法。
【請求項３】
前記孔は円形状であり、前記電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形の領域である、請求項１または２に記載の孔の検査方法。
【請求項４】
導電層上に形成された有機物層に、前記導電層に達する孔を形成する工程と、
孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、
前記孔の底に照射された電磁波が前記孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、前記孔の底の有機物の分布を測定する工程と、
前記孔の底の有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する、孔を有する導電部材の製造方法。
【請求項１】
導電層上に形成されて、前記導電層に達する孔が設けられた有機物層の前記孔を検査する方法であって、
孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、
前記孔の底に照射された電磁波が前記孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、前記孔の底に残存する有機物の分布を測定する工程とを備えた、孔の検査方法。
【請求項２】
前記有機物はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）およびＬＣＰ（液晶ポリマー）からなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、請求項１に記載の孔の検査方法。
【請求項３】
前記孔は円形状であり、前記電磁波を照射する領域は、辺の長さが孔の半径に等しい、中心角が９０度以上の扇形の領域である、請求項１または２に記載の孔の検査方法。
【請求項４】
導電層上に形成された有機物層に、前記導電層に達する孔を形成する工程と、
孔の底に波長が０．２μｍ以上１０μｍ以下の電磁波を照射する工程と、
前記孔の底に照射された電磁波が前記孔の底に残存する有機物によって吸収される量を測定することで、前記孔の底の有機物の分布を測定する工程と、
前記孔の底の有機物の分布が所定範囲内であれば後工程を実施する、孔を有する導電部材の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１９０１２（Ｐ２０１２−１９０１２Ａ）
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５４７０２（Ｐ２０１０−１５４７０２）
【出願日】平成２２年７月７日（２０１０．７．７）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月７日（２０１０．７．７）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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