成形プラスチック部品の一部に対するめっきを防ぐプロセス
【課題】表面処理後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。
【解決手段】本発明は、二重ショット成形プラスチック部品の非めっき等級樹脂部分に触媒毒を組み込み、触媒毒を含有している該部分上に任意の無電解めっき化学物質が析出する傾向を遅延させる方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスチック成形体を選択的にめっきする改良方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一体成形物体は、例えばプリント回路及び配線板の形成に用いられている。多くの場合、２つの別個の成型工程を用いて成形体の２つの部分が形成される。例えば２ショット成形は、２種の射出成形ポリマーの組み合わせにより、２つの部分を有するデバイス、例えば成形相互接続デバイス（プリント基板を含む）などを製造する手段である。またプロセスは、２色プラスチック成形体の製造、及び１つの成形部品中で硬質プラスチックと軟質プラスチックとを組み合わせるためにも用いられている。
【０００３】
典型的な２ショット成形プロセスは、以下の工程を含む：
１．第１のショットを成形する；
２．第１のショットを第２のポリマーで外層成形（ｏｖｅｒｍｏｌｄ）する；
３．露出領域をエッチング及び活性化する；
４．無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっきを施し、めっき材料を析出させる。
【０００４】
製品が最終用途に必要な性質を有していることに加えて、使用するために選択される２種のポリマーは、２ショット成形プロセスにおいて適合性でなければならず、まためっきに好適な組み合わせを提供しなければならない。ポリマーのうちの一方をめっきし、他方はめっきしないために、一般に成形プロセス後めっきすべきポリマーを選択的に活性化すること、又はポリマー中に触媒が配置されているポリマー、即ち特定の割合のパラジウムを含有しているポリマーを使用することが必要であることが見出されている。これらは例えば特許文献１に記載されており、その主題を参照することにより全体を本願に援用する。他の２ショット（又は多ショット）成形プロセスは、特許文献２及び特許文献３に記載されており、その主題を参照することにより全体を本願に援用する。
【０００５】
しかしこれらプロセスは、依然として非めっき性ポリマー（ｎｏｎ−ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）の少なくとも一部、特に２種のポリマーが接触する箇所に隣接する箇所に不要なめっきを施してしてしまう場合があり、これは成形した相互接続デバイスの性能に影響を及ぼす恐れがある。したがって成形した相互接続デバイスのめっき部（ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）と非めっき部（ｎｏｎ−ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）との間に明確な境界線を提供する２ショット射出成形プロセスを開発することが望ましい。
【０００６】
本発明は一般に、第１の部分上に無電解めっきを受容することができる第１の部分と、第２の部分上への無電解めっきを実質的に阻止する第２の部分とを有する成形体に関する。より具体的には本発明は、プリント基板用成形ブランク及び成形体、並びに該ブランクを形成するプロセス及び該成形体の一部を形成するための２つの別個の成形工程を含む成形体の一部をめっきするプロセスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７，１８９，１２０号明細書（Ｚａｄｅｒｅｊ）
【特許文献２】米国特許第５，４０７，６２２号明細書（Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ等）
【特許文献３】米国特許第６，６０１，２９６号明細書（Ｄａｉｌｅｙ等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、第１のショットが回路パターンを形成し、第２のショットが前記回路パターンの周囲に支持構造を形成する２ショット射出成形プロセスにより、付着性金属被覆を施すための成形体、例えば回路パターンを有するプリント基板などを形成することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、選択的に金属被覆を施すための成形体を形成して、成形体のめっき部と非めっき部との間に明確な境界線を提供することにある。
【００１０】
本発明の更に別の目的は、成形体の非めっき部に付着する金属を最小限に抑える、又は付着させない、成形体の選択的金属被覆プロセスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的のために、本発明は一般に、
選択的にめっきが施されているめっき体であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｂ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能であり、該プラスチック部上に析出している無電解金属めっき層を有する第２プラスチック部と、
を含み、
前記第１プラスチック部が無電解金属めっきを少なくとも実質的に含まない、選択的にめっきが施されているめっき体に関する。
【００１２】
また本発明は一般に、プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）プラスチック部品を提供する工程であって、
ｉ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｉｉ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、
を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部は無電解めっきを少なくとも実質的に含まないが、前記第２プラスチック部は少なくとも部分的にめっきされる、プラスチック部品にめっきを施す方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
上述の通り二重ショット射出成形プロセスは、共にプラスチック部品を構成している非めっき性ポリマー及びめっき性ポリマーの一方、次いで他方からそれぞれ第１の「ショット」及び第２の「ショット」を形成する。２つの部分は密閉型（１又は複数）に圧入され、該２つの部分の材料が型穴内で固化する。成形された該材料は型の形状を保持しており、次いで完成成形部品は型穴から取り出される。
【００１４】
無電解金属が非めっき部上にめっきされるのを阻止するために、本発明は二重ショット成形プラスチック部品の一部に触媒毒を組み込み、その後供される無電解めっき化学反応によって該触媒毒化合物を含有している部分上にめっき析出物が生じる傾向を遅延させる方法に関する。次いで二重ショット成形プラスチック部品は、クロム酸／硫酸エッチング、又はアルカリ性過マンガン酸塩溶液、中和剤、コロイド活性化、アクセラレーション（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ）を利用する標準的なプラスチックめっき（ｐｌａｔｉｎｇ−ｏｎ−ｐｌａｓｔｉｃ）プロセスラインを介して処理され、次いで無電解銅又は無電解ニッケルめっき化学反応に供される。当該技術分野において既知である他のプラスチックめっきプロセスを本発明の実施において用いてもよい。これに代えて、めっきされるプラスチック又は樹脂はパラジウムなどのめっき触媒が樹脂に組み込まれていてもよく、めっきされないプラスチック又は樹脂部分には触媒毒又はめっき毒が組み込まれていてもよい。したがって、意図的にめっきしないプラスチック又は樹脂は、触媒毒又はめっき毒を有し、成形体の他の部分は触媒めっき毒を有しないことが重要である。これにより成形体全体を活性化する、又は一部のみを活性化することが可能になるが、いずれの場合も触媒毒又はめっき毒を含む領域はめっきされない（たとえ活性化されたとしても）。
【００１５】
プラスチックめっきラインの工程を介して処理された後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。また本明細書に記載される革新的なプロセスは、無電解銅又は無電解ニッケルめっき化学物質が部品全体に亘って境界を超えてつながり、２種の異なる種類の樹脂にまたがる不要なめっき（ｅｘｔｒａｎｅｏｕｓ ｐｌａｔｅ）が生じない。
【００１６】
本発明は、硫黄含有化合物などの触媒毒を二重ショット樹脂マトリクスの特定の部分に組み込む。結果としてめっき品質の高い成型プラスチック部品が得られ、めっき廃棄物が減少し、また二重ショット成形片の不要なめっきに関する悩ましい工業的問題が解決する。プラスチック表面が硫黄を多く含むと、めっき化学反応によって後に金属化され所望の効果が得られる潜在的接着部位を形成する効果がなくなる。触媒毒がポリマーマトリクス内に均一に分布できるよう、触媒毒はポリマーマトリクスに対して適合性を有さなければならない。
【００１７】
触媒毒は、第１プラスチック部のポリマーマトリクスに対して適合性があり、該第１プラスチック部中に触媒毒を均一に分布させることができるよう選択される。任意的に、しかし好ましくは、硫黄含有化合物は非分極性種である。硫黄含有化合物はパラジウム毒として機能して触媒作用を停止させ、また過安定剤（ｏｖｅｒｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）として機能して部品の第１プラスチック部上への無電解めっきを阻止する。また触媒毒は、エッチング／中和後表面濃度最大化剤として作用する。最後に触媒毒は、表面濃度を最大化させること以外は、エッチング工程及び中和工程により影響を受けない。本発明の利点の１つは、基材のめっき部と該基材の非めっき部との間に明確な境界線が存在することであり、これは先行技術のプロセスではみられないものである。
【００１８】
１つの実施形態では非めっき部には、例えばＲ−ＳＨ又はＲ＝Ｓ結合を有する硫黄含有化合物が分散しており、めっき部にはパラジウム触媒が分散している。
【００１９】
１つの実施形態における触媒毒は、構造Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有し、式中Ｒはアルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、他の有機環構造、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００２０】
好適な物質の例としては、以下の式を有する物質が挙げられる。
【化１】
【００２１】
別の実施形態では、触媒毒は、無電解銅めっきにおいて安定剤として用いられている２−メルカプトベンゾチアゾール、及び無電解ニッケルめっきにおいて安定剤として用いられているチオ尿素などの無電解めっきにおいて安定剤として用いられている硫黄含有化合物である。他の安定剤も当業者に知られている。更に、硫黄種が一般に好ましいが、無電解銅プロセス及び無電解ニッケルプロセスの少なくともいずれかの場合、適合性ヨード化合物も非めっき部における触媒毒として有用でもある。好適なヨード化合物の例はヨード安息香酸である。他の好適なヨード化合物も当業者に一般的に知られている。セレン化合物を用いてもよい。しかし触媒毒は鉛、アンチモン、又はビスマスなどの金属安定剤をいずれも含有しないことが好ましく、その理由はこれら金属が環境的にあまり好ましくないためである。
【００２２】
幾つかの好適な安定剤は、Ｒ．Ｔ．Ｖａｎｄｅｒｂｉｌｔ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（Ｎｏｒｗａｌｋ，ＣＴ）から商品名ＶＡＮＡＸ（登録商標）として入手可能である。これら化合物としては特に、ＶＡＮＡＸ（登録商標）８８２Ａ、チアジアゾール誘導体、ＶＡＮＡＸ（登録商標）８２９、置換１，３，４−チアジアゾール、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１９６固体、アルキルジチオリン酸塩、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１８９固体、不活性担体上の１，３，４−チアジアゾール誘導体、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１８９、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、及びＶＡＮＡＸ（登録商標）ＤＴＤＭ、４，４’−ジチオジモルホリンが挙げられる。他の類似硫黄含有物質も本発明の実施において有用である。
【００２３】
１つの実施形態では本発明のプロセスは、プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に材料が実質的に均一に分布しており、該材料が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、第２プラスチック部であって、該ブラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、少なくとも実質的に無電解めっきを施されないまま残る方法に関する。
【００２４】
めっきを阻止するために第１プラスチック部に添加される触媒毒の量は、触媒毒が用いられている部分、及び用いられている具体的なプラスチックに依存する。触媒毒の量は、めっきが停止するまで触媒毒をプラスチック部分に徐々に添加することにより決定することができる。触媒毒の量は、触媒毒の硫黄含量に基づいて測定される。硫黄として測定される触媒毒の濃度は典型的には、少なくとも約０．０１５ｍｇ／Ｌ、より好ましくは約０．０２５ｍｇ／Ｌ〜約２．５ｍｇ／Ｌ、最も好ましくは約０．０５ｍｇ／Ｌ〜約５．０ｍｇ／Ｌである。
【００２５】
上述の通り二重ショット成形片は、めっき部と非めっき部とを含む。それぞれの部分に様々なポリマーを用いてもよく、好適な材料及び材料の好適な組み合わせの例を以下の表１に示す。めっき部及び非めっき部における樹脂の他の好適な組み合わせも当業者に知られている。
【表１】
ＡＢＳ−アクリロニトリルブタジエンスチレン
ＰＣ−ポリカーボネート
ＰＰＯ−ポリフェニレンオキシド
ＬＣＰ−液晶ポリマー
ＳＰＳ−シンジオタクチックポリスチレン
【００２６】
非めっき部は、実質的に１００％樹脂であり、触媒毒物質以外の充填材を全く含まないことが一般に好ましい。これが好ましい理由は、該部分が処理中エッチングされるとき、除去される充填材が存在せず、したがって接着部位が生じないためである。非めっき部に用いることができる充填材が幾つか存在する場合もあるが、これら材料の供給は非常に限られている。充填材は、エッチング化学反応により生じる接着部位として、部品の境界線にまたがる過剰な不要なめっきを生じさせる場合がある。掻き傷（ｓｃｒａｔｃｈ）、欠け目（ｎｉｃｋ）、刻み目（ｋｎｕｒｌ）なども不所望のめっきを生じさせる場合があるが、本発明に従って触媒毒を含むことによりこの問題は解決される。
【００２７】
めっき性プラスチック部上に無電解めっきを施すよう該プラスチック部を調製するために、幾つかの典型的な無電解めっきサイクルのうちの１つを介して該プラスチック部を処理する。各種無電解めっきサイクルが知られており、本発明で用いることができる。これらサイクルの幾つかを以下に記載するが、ほんの１例として提供するものであって限定するものではない。
【００２８】
１つの実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）クロム酸／硫酸又はアルカリ性過マンガン酸塩／腐食剤混合物、
２）中和、
３）コロイド活性化、
４）アクセラレーション、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
典型的にはプロセスの各工程の間に冷水によるすすぎ工程が介在する。
【００２９】
別の実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）クロム酸／硫酸、
２）中和、
３）イオン性パラジウム活性化（酸又はアルカリ）、
４）イオン性還元剤、次亜リン酸塩、又はジメチルアミノボラン（ＤＭＡＢ）混合物、
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３０】
更に別の実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）アルカリ性過マンガン酸塩／腐食剤混合物、
２）中和、
３）イオン性パラジウム活性化、
４）イオン性還元剤、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３１】
更に別の実施形態では、プラスチック部品がパラジウム粒子などのパラジウム触媒を含んでいる場合、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）イオン性還元剤、及び
２）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３２】
最後にプラスチック部品のめっき部に液晶ポリマーが用いられる場合、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）腐食剤エッチング、
２）中和のための酸予備浸漬（ｐｒｅ−ｄｉｐ）、
３）コロイド活性化、
４）アクセラレーション、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３３】
また、液晶ポリマーの場合以下のプロセスを用いてもよい：
１）腐食剤エッチング、
２）中和のための酸予備浸漬、
３）イオン性パラジウム活性化、
４）イオン性還元剤、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３４】
これらの場合も、無電解めっきサイクルの各工程の間に冷水によるすすぎ工程が介在することが好ましい。
【００３５】
当該技術分野において既知である他の無電解めっきプロセスも本発明で用いるのに好適である。
【実施例】
【００３６】
実施例１
アクリロニトリルブタジエンスチレンターポリマー（ＡＢＳ）基材を以下のサイクルを介して処理した：
（１）４５０ｇ／Ｌのクロム酸及び３５０ｇ／Ｌの硫酸と、０．１％ｗ／ｖのＭｅｔｅｘ（登録商標）Ｓｐｒａｙ Ｓｔｏｐ−Ｌ（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）とを含む溶液を８分間１６０°Ｆ（７１℃）の温度で塗布、
（２）冷水ですすぐ（３回）−１分間、
（３）５体積％のＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３３９中和剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴ）と、３．５体積％の塩酸とを、２分間１１５°Ｆ（４６℃）の温度で塗布、
（４）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（５）０．６体積％のＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｄ−３４濃縮活性化剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）と、２０体積％の塩酸とを、３分間８５°Ｆ（２９℃）の温度で塗布、
（６）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（７）６０ｇ／ＬのＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３６９促進剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を、２分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、硬水が問題となる場合は、Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３６９促進剤でＭａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ（登録商標）２５（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を代用してもよい、
（８）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（９）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｊ−６４ＥＮ又はＵｌｔｒａｄｅｐ（登録商標）６０無電解銅（それぞれＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）、
（１０）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（１１）必要に応じて更なる処理工程。
【００３７】
めっき部としてめっき等級のＡＢＳ樹脂（ＧＥから入手可能）、及び触媒毒物質として０．２５重量％のテトラメチルチウラムモノスルフィドを含有しているＧＥ１００％ポリカーボネート樹脂を、上記サイクルを介して処理した。無電解めっき後、部品間に細い線が見られたため、２種のプラスチックを区別することができた。ＱＣ検査後不用なめっきは見られなかった。
【００３８】
実施例２
液晶ポリマー（ＬＣＰ）基材を以下のサイクルを介して処理した：
（１）Ｍａｃｕｄｉｚｅｒ（登録商標）９２７６（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）１００体積％Ｍ−７９−２２４を、６分間〜１０分間１９０°Ｆ（８８℃）の温度で塗布、
（２）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（３）５５ｇ／ＬのＭａｃｕｄｉｚｅｒ（登録商標）９２７８ Ｇｌａｓｓ Ｅｔｃｈ（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）と、７体積％の硫酸とを、５分間１１０°Ｆ（４３℃）の温度で塗布、
（４）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（５）酸浸漬−１０％硫酸を１分間〜２分間７５°Ｆ（２４℃）の温度で塗布、
（６）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（７）Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ９０（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）−１０体積％のＡ、５体積％のＢ、及び２．５体積％のＣを、２分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、
（８）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（９）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｄ−３４濃縮物（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）−０．８体積％Ｄ−３４濃縮物の２０体積％塩酸溶液を、２分間〜４分間８０°Ｆ（２７℃）の温度で塗布、
（１０）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（１１）６０ｇ／ＬのＵｌｔｒａｃｅｌ（登録商標）９３６９（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を２分間〜３分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、
（１２）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（１３）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｊ−６４ＥＮ又はＵｌｔｒａｄｅｐ（登録商標）６０無電解銅（それぞれＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）、
（１４）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（１５）必要に応じて更なる処理工程。
【００３９】
工程３から工程６は、めっきされる部品が充填材としてガラスを含有し、表面の外観を精密化する必要がある場合のみ必要である。
【００４０】
上記処理サイクルは各種液晶ポリマーに応用できる。該処理サイクルは、Ｖｅｃｔｒａ（登録商標）Ｃ８１０樹脂（Ｔｉｃｏｎａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｆｌｏｒｅｎｃｅ，ＫＹから入手可能）などのＶｅｃｔｒａ（登録商標）ＬＣＰ樹脂に特に有効であることが見出されている。
【００４１】
本発明の特定の実施形態を参照して本発明について上に記載したが、本明細書に開示される本発明の概念から逸脱することなく多くの変更、修正、及び交換を行い得ることは明らかである。従って本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨及び広義の範囲内のかかる変更、修正、及び交換を全て包含することを意図する。本明細書に引用される全ての特許出願、特許、及び他の刊行物は参照することにより全体を本願に援用する。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラスチック成形体を選択的にめっきする改良方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一体成形物体は、例えばプリント回路及び配線板の形成に用いられている。多くの場合、２つの別個の成型工程を用いて成形体の２つの部分が形成される。例えば２ショット成形は、２種の射出成形ポリマーの組み合わせにより、２つの部分を有するデバイス、例えば成形相互接続デバイス（プリント基板を含む）などを製造する手段である。またプロセスは、２色プラスチック成形体の製造、及び１つの成形部品中で硬質プラスチックと軟質プラスチックとを組み合わせるためにも用いられている。
【０００３】
典型的な２ショット成形プロセスは、以下の工程を含む：
１．第１のショットを成形する；
２．第１のショットを第２のポリマーで外層成形（ｏｖｅｒｍｏｌｄ）する；
３．露出領域をエッチング及び活性化する；
４．無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっきを施し、めっき材料を析出させる。
【０００４】
製品が最終用途に必要な性質を有していることに加えて、使用するために選択される２種のポリマーは、２ショット成形プロセスにおいて適合性でなければならず、まためっきに好適な組み合わせを提供しなければならない。ポリマーのうちの一方をめっきし、他方はめっきしないために、一般に成形プロセス後めっきすべきポリマーを選択的に活性化すること、又はポリマー中に触媒が配置されているポリマー、即ち特定の割合のパラジウムを含有しているポリマーを使用することが必要であることが見出されている。これらは例えば特許文献１に記載されており、その主題を参照することにより全体を本願に援用する。他の２ショット（又は多ショット）成形プロセスは、特許文献２及び特許文献３に記載されており、その主題を参照することにより全体を本願に援用する。
【０００５】
しかしこれらプロセスは、依然として非めっき性ポリマー（ｎｏｎ−ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）の少なくとも一部、特に２種のポリマーが接触する箇所に隣接する箇所に不要なめっきを施してしてしまう場合があり、これは成形した相互接続デバイスの性能に影響を及ぼす恐れがある。したがって成形した相互接続デバイスのめっき部（ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）と非めっき部（ｎｏｎ−ｐｌａｔｅａｂｌｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）との間に明確な境界線を提供する２ショット射出成形プロセスを開発することが望ましい。
【０００６】
本発明は一般に、第１の部分上に無電解めっきを受容することができる第１の部分と、第２の部分上への無電解めっきを実質的に阻止する第２の部分とを有する成形体に関する。より具体的には本発明は、プリント基板用成形ブランク及び成形体、並びに該ブランクを形成するプロセス及び該成形体の一部を形成するための２つの別個の成形工程を含む成形体の一部をめっきするプロセスに関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７，１８９，１２０号明細書（Ｚａｄｅｒｅｊ）
【特許文献２】米国特許第５，４０７，６２２号明細書（Ｃｌｅｖｅｌａｎｄ等）
【特許文献３】米国特許第６，６０１，２９６号明細書（Ｄａｉｌｅｙ等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、第１のショットが回路パターンを形成し、第２のショットが前記回路パターンの周囲に支持構造を形成する２ショット射出成形プロセスにより、付着性金属被覆を施すための成形体、例えば回路パターンを有するプリント基板などを形成することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、選択的に金属被覆を施すための成形体を形成して、成形体のめっき部と非めっき部との間に明確な境界線を提供することにある。
【００１０】
本発明の更に別の目的は、成形体の非めっき部に付着する金属を最小限に抑える、又は付着させない、成形体の選択的金属被覆プロセスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的のために、本発明は一般に、
選択的にめっきが施されているめっき体であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｂ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能であり、該プラスチック部上に析出している無電解金属めっき層を有する第２プラスチック部と、
を含み、
前記第１プラスチック部が無電解金属めっきを少なくとも実質的に含まない、選択的にめっきが施されているめっき体に関する。
【００１２】
また本発明は一般に、プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）プラスチック部品を提供する工程であって、
ｉ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｉｉ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、
を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部は無電解めっきを少なくとも実質的に含まないが、前記第２プラスチック部は少なくとも部分的にめっきされる、プラスチック部品にめっきを施す方法に関する。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
上述の通り二重ショット射出成形プロセスは、共にプラスチック部品を構成している非めっき性ポリマー及びめっき性ポリマーの一方、次いで他方からそれぞれ第１の「ショット」及び第２の「ショット」を形成する。２つの部分は密閉型（１又は複数）に圧入され、該２つの部分の材料が型穴内で固化する。成形された該材料は型の形状を保持しており、次いで完成成形部品は型穴から取り出される。
【００１４】
無電解金属が非めっき部上にめっきされるのを阻止するために、本発明は二重ショット成形プラスチック部品の一部に触媒毒を組み込み、その後供される無電解めっき化学反応によって該触媒毒化合物を含有している部分上にめっき析出物が生じる傾向を遅延させる方法に関する。次いで二重ショット成形プラスチック部品は、クロム酸／硫酸エッチング、又はアルカリ性過マンガン酸塩溶液、中和剤、コロイド活性化、アクセラレーション（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ）を利用する標準的なプラスチックめっき（ｐｌａｔｉｎｇ−ｏｎ−ｐｌａｓｔｉｃ）プロセスラインを介して処理され、次いで無電解銅又は無電解ニッケルめっき化学反応に供される。当該技術分野において既知である他のプラスチックめっきプロセスを本発明の実施において用いてもよい。これに代えて、めっきされるプラスチック又は樹脂はパラジウムなどのめっき触媒が樹脂に組み込まれていてもよく、めっきされないプラスチック又は樹脂部分には触媒毒又はめっき毒が組み込まれていてもよい。したがって、意図的にめっきしないプラスチック又は樹脂は、触媒毒又はめっき毒を有し、成形体の他の部分は触媒めっき毒を有しないことが重要である。これにより成形体全体を活性化する、又は一部のみを活性化することが可能になるが、いずれの場合も触媒毒又はめっき毒を含む領域はめっきされない（たとえ活性化されたとしても）。
【００１５】
プラスチックめっきラインの工程を介して処理された後、成形部品の一部のみが無電解めっきを受容可能になるが、他の部分は受容可能にならない。また本明細書に記載される革新的なプロセスは、無電解銅又は無電解ニッケルめっき化学物質が部品全体に亘って境界を超えてつながり、２種の異なる種類の樹脂にまたがる不要なめっき（ｅｘｔｒａｎｅｏｕｓ ｐｌａｔｅ）が生じない。
【００１６】
本発明は、硫黄含有化合物などの触媒毒を二重ショット樹脂マトリクスの特定の部分に組み込む。結果としてめっき品質の高い成型プラスチック部品が得られ、めっき廃棄物が減少し、また二重ショット成形片の不要なめっきに関する悩ましい工業的問題が解決する。プラスチック表面が硫黄を多く含むと、めっき化学反応によって後に金属化され所望の効果が得られる潜在的接着部位を形成する効果がなくなる。触媒毒がポリマーマトリクス内に均一に分布できるよう、触媒毒はポリマーマトリクスに対して適合性を有さなければならない。
【００１７】
触媒毒は、第１プラスチック部のポリマーマトリクスに対して適合性があり、該第１プラスチック部中に触媒毒を均一に分布させることができるよう選択される。任意的に、しかし好ましくは、硫黄含有化合物は非分極性種である。硫黄含有化合物はパラジウム毒として機能して触媒作用を停止させ、また過安定剤（ｏｖｅｒｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）として機能して部品の第１プラスチック部上への無電解めっきを阻止する。また触媒毒は、エッチング／中和後表面濃度最大化剤として作用する。最後に触媒毒は、表面濃度を最大化させること以外は、エッチング工程及び中和工程により影響を受けない。本発明の利点の１つは、基材のめっき部と該基材の非めっき部との間に明確な境界線が存在することであり、これは先行技術のプロセスではみられないものである。
【００１８】
１つの実施形態では非めっき部には、例えばＲ−ＳＨ又はＲ＝Ｓ結合を有する硫黄含有化合物が分散しており、めっき部にはパラジウム触媒が分散している。
【００１９】
１つの実施形態における触媒毒は、構造Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有し、式中Ｒはアルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、他の有機環構造、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される。
【００２０】
好適な物質の例としては、以下の式を有する物質が挙げられる。
【化１】
【００２１】
別の実施形態では、触媒毒は、無電解銅めっきにおいて安定剤として用いられている２−メルカプトベンゾチアゾール、及び無電解ニッケルめっきにおいて安定剤として用いられているチオ尿素などの無電解めっきにおいて安定剤として用いられている硫黄含有化合物である。他の安定剤も当業者に知られている。更に、硫黄種が一般に好ましいが、無電解銅プロセス及び無電解ニッケルプロセスの少なくともいずれかの場合、適合性ヨード化合物も非めっき部における触媒毒として有用でもある。好適なヨード化合物の例はヨード安息香酸である。他の好適なヨード化合物も当業者に一般的に知られている。セレン化合物を用いてもよい。しかし触媒毒は鉛、アンチモン、又はビスマスなどの金属安定剤をいずれも含有しないことが好ましく、その理由はこれら金属が環境的にあまり好ましくないためである。
【００２２】
幾つかの好適な安定剤は、Ｒ．Ｔ．Ｖａｎｄｅｒｂｉｌｔ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃ．（Ｎｏｒｗａｌｋ，ＣＴ）から商品名ＶＡＮＡＸ（登録商標）として入手可能である。これら化合物としては特に、ＶＡＮＡＸ（登録商標）８８２Ａ、チアジアゾール誘導体、ＶＡＮＡＸ（登録商標）８２９、置換１，３，４−チアジアゾール、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１９６固体、アルキルジチオリン酸塩、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１８９固体、不活性担体上の１，３，４−チアジアゾール誘導体、ＶＡＮＡＸ（登録商標）１８９、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、及びＶＡＮＡＸ（登録商標）ＤＴＤＭ、４，４’−ジチオジモルホリンが挙げられる。他の類似硫黄含有物質も本発明の実施において有用である。
【００２３】
１つの実施形態では本発明のプロセスは、プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に材料が実質的に均一に分布しており、該材料が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、第２プラスチック部であって、該ブラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、少なくとも実質的に無電解めっきを施されないまま残る方法に関する。
【００２４】
めっきを阻止するために第１プラスチック部に添加される触媒毒の量は、触媒毒が用いられている部分、及び用いられている具体的なプラスチックに依存する。触媒毒の量は、めっきが停止するまで触媒毒をプラスチック部分に徐々に添加することにより決定することができる。触媒毒の量は、触媒毒の硫黄含量に基づいて測定される。硫黄として測定される触媒毒の濃度は典型的には、少なくとも約０．０１５ｍｇ／Ｌ、より好ましくは約０．０２５ｍｇ／Ｌ〜約２．５ｍｇ／Ｌ、最も好ましくは約０．０５ｍｇ／Ｌ〜約５．０ｍｇ／Ｌである。
【００２５】
上述の通り二重ショット成形片は、めっき部と非めっき部とを含む。それぞれの部分に様々なポリマーを用いてもよく、好適な材料及び材料の好適な組み合わせの例を以下の表１に示す。めっき部及び非めっき部における樹脂の他の好適な組み合わせも当業者に知られている。
【表１】
ＡＢＳ−アクリロニトリルブタジエンスチレン
ＰＣ−ポリカーボネート
ＰＰＯ−ポリフェニレンオキシド
ＬＣＰ−液晶ポリマー
ＳＰＳ−シンジオタクチックポリスチレン
【００２６】
非めっき部は、実質的に１００％樹脂であり、触媒毒物質以外の充填材を全く含まないことが一般に好ましい。これが好ましい理由は、該部分が処理中エッチングされるとき、除去される充填材が存在せず、したがって接着部位が生じないためである。非めっき部に用いることができる充填材が幾つか存在する場合もあるが、これら材料の供給は非常に限られている。充填材は、エッチング化学反応により生じる接着部位として、部品の境界線にまたがる過剰な不要なめっきを生じさせる場合がある。掻き傷（ｓｃｒａｔｃｈ）、欠け目（ｎｉｃｋ）、刻み目（ｋｎｕｒｌ）なども不所望のめっきを生じさせる場合があるが、本発明に従って触媒毒を含むことによりこの問題は解決される。
【００２７】
めっき性プラスチック部上に無電解めっきを施すよう該プラスチック部を調製するために、幾つかの典型的な無電解めっきサイクルのうちの１つを介して該プラスチック部を処理する。各種無電解めっきサイクルが知られており、本発明で用いることができる。これらサイクルの幾つかを以下に記載するが、ほんの１例として提供するものであって限定するものではない。
【００２８】
１つの実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）クロム酸／硫酸又はアルカリ性過マンガン酸塩／腐食剤混合物、
２）中和、
３）コロイド活性化、
４）アクセラレーション、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
典型的にはプロセスの各工程の間に冷水によるすすぎ工程が介在する。
【００２９】
別の実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）クロム酸／硫酸、
２）中和、
３）イオン性パラジウム活性化（酸又はアルカリ）、
４）イオン性還元剤、次亜リン酸塩、又はジメチルアミノボラン（ＤＭＡＢ）混合物、
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３０】
更に別の実施形態では、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）アルカリ性過マンガン酸塩／腐食剤混合物、
２）中和、
３）イオン性パラジウム活性化、
４）イオン性還元剤、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３１】
更に別の実施形態では、プラスチック部品がパラジウム粒子などのパラジウム触媒を含んでいる場合、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）イオン性還元剤、及び
２）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３２】
最後にプラスチック部品のめっき部に液晶ポリマーが用いられる場合、無電解めっきサイクルは以下の工程を含む：
１）腐食剤エッチング、
２）中和のための酸予備浸漬（ｐｒｅ−ｄｉｐ）、
３）コロイド活性化、
４）アクセラレーション、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３３】
また、液晶ポリマーの場合以下のプロセスを用いてもよい：
１）腐食剤エッチング、
２）中和のための酸予備浸漬、
３）イオン性パラジウム活性化、
４）イオン性還元剤、及び
５）無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっき。
【００３４】
これらの場合も、無電解めっきサイクルの各工程の間に冷水によるすすぎ工程が介在することが好ましい。
【００３５】
当該技術分野において既知である他の無電解めっきプロセスも本発明で用いるのに好適である。
【実施例】
【００３６】
実施例１
アクリロニトリルブタジエンスチレンターポリマー（ＡＢＳ）基材を以下のサイクルを介して処理した：
（１）４５０ｇ／Ｌのクロム酸及び３５０ｇ／Ｌの硫酸と、０．１％ｗ／ｖのＭｅｔｅｘ（登録商標）Ｓｐｒａｙ Ｓｔｏｐ−Ｌ（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）とを含む溶液を８分間１６０°Ｆ（７１℃）の温度で塗布、
（２）冷水ですすぐ（３回）−１分間、
（３）５体積％のＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３３９中和剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴ）と、３．５体積％の塩酸とを、２分間１１５°Ｆ（４６℃）の温度で塗布、
（４）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（５）０．６体積％のＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｄ−３４濃縮活性化剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）と、２０体積％の塩酸とを、３分間８５°Ｆ（２９℃）の温度で塗布、
（６）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（７）６０ｇ／ＬのＭａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３６９促進剤（マクダーミッド インコーポレーテッド，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を、２分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、硬水が問題となる場合は、Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）９３６９促進剤でＭａｃｃｅｌｅｒａｔｏｒ（登録商標）２５（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を代用してもよい、
（８）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（９）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｊ−６４ＥＮ又はＵｌｔｒａｄｅｐ（登録商標）６０無電解銅（それぞれＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）、
（１０）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（１１）必要に応じて更なる処理工程。
【００３７】
めっき部としてめっき等級のＡＢＳ樹脂（ＧＥから入手可能）、及び触媒毒物質として０．２５重量％のテトラメチルチウラムモノスルフィドを含有しているＧＥ１００％ポリカーボネート樹脂を、上記サイクルを介して処理した。無電解めっき後、部品間に細い線が見られたため、２種のプラスチックを区別することができた。ＱＣ検査後不用なめっきは見られなかった。
【００３８】
実施例２
液晶ポリマー（ＬＣＰ）基材を以下のサイクルを介して処理した：
（１）Ｍａｃｕｄｉｚｅｒ（登録商標）９２７６（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）１００体積％Ｍ−７９−２２４を、６分間〜１０分間１９０°Ｆ（８８℃）の温度で塗布、
（２）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（３）５５ｇ／ＬのＭａｃｕｄｉｚｅｒ（登録商標）９２７８ Ｇｌａｓｓ Ｅｔｃｈ（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）と、７体積％の硫酸とを、５分間１１０°Ｆ（４３℃）の温度で塗布、
（４）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（５）酸浸漬−１０％硫酸を１分間〜２分間７５°Ｆ（２４℃）の温度で塗布、
（６）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（７）Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ９０（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）−１０体積％のＡ、５体積％のＢ、及び２．５体積％のＣを、２分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、
（８）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（９）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｄ−３４濃縮物（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）−０．８体積％Ｄ−３４濃縮物の２０体積％塩酸溶液を、２分間〜４分間８０°Ｆ（２７℃）の温度で塗布、
（１０）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（１１）６０ｇ／ＬのＵｌｔｒａｃｅｌ（登録商標）９３６９（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）を２分間〜３分間１２０°Ｆ（４９℃）の温度で塗布、
（１２）冷水ですすぐ（２回）１分間、
（１３）Ｍａｃｕｐｌｅｘ（登録商標）Ｊ−６４ＥＮ又はＵｌｔｒａｄｅｐ（登録商標）６０無電解銅（それぞれＭａｃＤｅｒｍｉｄ，Ｉｎｃ．，Ｗａｔｅｒｂｕｒｙ，ＣＴから入手可能）、
（１４）冷水ですすぐ（３回）１分間、
（１５）必要に応じて更なる処理工程。
【００３９】
工程３から工程６は、めっきされる部品が充填材としてガラスを含有し、表面の外観を精密化する必要がある場合のみ必要である。
【００４０】
上記処理サイクルは各種液晶ポリマーに応用できる。該処理サイクルは、Ｖｅｃｔｒａ（登録商標）Ｃ８１０樹脂（Ｔｉｃｏｎａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｆｌｏｒｅｎｃｅ，ＫＹから入手可能）などのＶｅｃｔｒａ（登録商標）ＬＣＰ樹脂に特に有効であることが見出されている。
【００４１】
本発明の特定の実施形態を参照して本発明について上に記載したが、本明細書に開示される本発明の概念から逸脱することなく多くの変更、修正、及び交換を行い得ることは明らかである。従って本発明は、添付の特許請求の範囲の趣旨及び広義の範囲内のかかる変更、修正、及び交換を全て包含することを意図する。本明細書に引用される全ての特許出願、特許、及び他の刊行物は参照することにより全体を本願に援用する。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的にめっきが施されているめっき体であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｂ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能であり、該プラスチック部上に析出している無電解金属めっき層を有する第２プラスチック部と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、無電解金属めっきを少なくとも実質的に含まないことを特徴とする、選択的にめっきが施されているめっき体。
【請求項２】
触媒毒が、有機硫黄化合物及び有機ヨード化合物からなる群から選択される請求項１に記載のめっき体。
【請求項３】
触媒毒が、式Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有する硫黄種であり、式中Ｒが、アルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、有機環基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項２に記載のめっき体。
【請求項４】
触媒毒が、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、置換チアジアゾール、アルキルジチオリン酸塩、不活性担体上のチアジアゾール誘導体、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、ピペリジニウムペンタメチレンジチオカルバマートからなる群から選択される請求項２に記載のめっき体。
【請求項５】
有機ヨード化合物が、ヨード安息香酸である請求項２に記載のめっき体。
【請求項６】
触媒毒が、金属安定剤を全く含有していない請求項２に記載のめっき体。
【請求項７】
無電解金属めっき層が、無電解ニッケル及び無電解銅からなる群から選択される請求項１に記載のめっき体。
【請求項８】
プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）プラスチック部品を提供する工程であって、
ｉ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｉｉ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、
を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、無電解めっきを少なくとも実質的に含まないことを特徴とする、プラスチック部品にめっきを施す方法。
【請求項９】
無電解めっきが、無電解銅及び無電解ニッケルから選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第２プラスチック部が、アクリロニトリルブタジエンスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート、液晶ポリマー、パラジウム充填液晶ポリマー、及びパラジウム充填シンジオタクチックポリスチレンからなる群から選択される樹脂である請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第１プラスチック部が、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリプロピレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート／ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、シンジオタクチックポリスチレン、及び液晶ポリマーからなる群から選択される樹脂である請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
第１プラスチック部が、実質的に１００％樹脂である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１プラスチック部が、該プラスチック部上に接着部位を生じさせ得る充填材を全く含有していない請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
触媒毒が、硫黄種及び有機ヨード化合物からなる群から選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
触媒毒が、式Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有する硫黄種であって、式中Ｒが、アルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、有機環基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
触媒毒が、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、置換チアジアゾール、アルキルジチオリン酸塩、不活性担体上のチアジアゾール誘導体、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、ピペリジニウムペンタメチレンジチオカルバマートからなる群から選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
有機ヨード化合物が、ヨード安息香酸である請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
触媒毒が、金属安定剤を全く含有していない請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
触媒毒が、硫黄に基づいて約０．０１５ｍｇ／Ｌ〜約５．０ｍｇ／Ｌの濃度で第１プラスチック部に存在している請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
触媒毒が、約 の濃度で第１プラスチック部に存在している請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
プラスチック部品が、二重ショット成形プラスチック部品である請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
第２プラスチック部が、硫黄種及び有機ヨード化合物のいずれかからなる群から選択される充填材を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
第２プラスチック部が、パラジウム触媒を含有している請求項８に記載の方法。
【請求項１】
選択的にめっきが施されているめっき体であって、
ａ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｂ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能であり、該プラスチック部上に析出している無電解金属めっき層を有する第２プラスチック部と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、無電解金属めっきを少なくとも実質的に含まないことを特徴とする、選択的にめっきが施されているめっき体。
【請求項２】
触媒毒が、有機硫黄化合物及び有機ヨード化合物からなる群から選択される請求項１に記載のめっき体。
【請求項３】
触媒毒が、式Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有する硫黄種であり、式中Ｒが、アルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、有機環基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項２に記載のめっき体。
【請求項４】
触媒毒が、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、置換チアジアゾール、アルキルジチオリン酸塩、不活性担体上のチアジアゾール誘導体、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、ピペリジニウムペンタメチレンジチオカルバマートからなる群から選択される請求項２に記載のめっき体。
【請求項５】
有機ヨード化合物が、ヨード安息香酸である請求項２に記載のめっき体。
【請求項６】
触媒毒が、金属安定剤を全く含有していない請求項２に記載のめっき体。
【請求項７】
無電解金属めっき層が、無電解ニッケル及び無電解銅からなる群から選択される請求項１に記載のめっき体。
【請求項８】
プラスチック部品にめっきを施す方法であって、
ａ）プラスチック部品を提供する工程であって、
ｉ）第１プラスチック部であって、該プラスチック部中に触媒毒が実質的に均一に分布しており、該触媒毒が該プラスチック部上への無電解めっきを阻止する第１プラスチック部と、
ｉｉ）第２プラスチック部であって、該プラスチック部上に無電解めっきを受容可能である第２プラスチック部と、
を含むプラスチック部品を提供する工程と、
ｂ）無電解めっきを受容可能な前記第２プラスチック部上において無電解めっきを受容するよう前記プラスチック部品を調製する工程と、
ｃ）無電解めっき浴中で前記プラスチック部品にめっきを施す工程と、
を含み、
前記第１プラスチック部が、無電解めっきを少なくとも実質的に含まないことを特徴とする、プラスチック部品にめっきを施す方法。
【請求項９】
無電解めっきが、無電解銅及び無電解ニッケルから選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第２プラスチック部が、アクリロニトリルブタジエンスチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート、液晶ポリマー、パラジウム充填液晶ポリマー、及びパラジウム充填シンジオタクチックポリスチレンからなる群から選択される樹脂である請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第１プラスチック部が、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート、ポリカーボネート、ナイロン、ポリプロピレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン／ポリカーボネート／ポリプロピレン、ポリフェニレンオキシド、ポリカーボネート、シンジオタクチックポリスチレン、及び液晶ポリマーからなる群から選択される樹脂である請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
第１プラスチック部が、実質的に１００％樹脂である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１プラスチック部が、該プラスチック部上に接着部位を生じさせ得る充填材を全く含有していない請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
触媒毒が、硫黄種及び有機ヨード化合物からなる群から選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
触媒毒が、式Ｒ−ＳＨ又はＲ＝Ｓを有する硫黄種であって、式中Ｒが、アルキル基、アルケン基、アルキン基、芳香族基、有機環基、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
触媒毒が、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、置換チアジアゾール、アルキルジチオリン酸塩、不活性担体上のチアジアゾール誘導体、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾールのエーテル誘導体、ピペリジニウムペンタメチレンジチオカルバマートからなる群から選択される請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
有機ヨード化合物が、ヨード安息香酸である請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
触媒毒が、金属安定剤を全く含有していない請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
触媒毒が、硫黄に基づいて約０．０１５ｍｇ／Ｌ〜約５．０ｍｇ／Ｌの濃度で第１プラスチック部に存在している請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
触媒毒が、約 の濃度で第１プラスチック部に存在している請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
プラスチック部品が、二重ショット成形プラスチック部品である請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
第２プラスチック部が、硫黄種及び有機ヨード化合物のいずれかからなる群から選択される充填材を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項２３】
第２プラスチック部が、パラジウム触媒を含有している請求項８に記載の方法。
【公表番号】特表２０１１−５１５５８０（Ｐ２０１１−５１５５８０Ａ）
【公表日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５００８２７（Ｐ２０１１−５００８２７）
【出願日】平成２１年２月１０日（２００９．２．１０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０３３６４１
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１１７１８７
【国際公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【出願人】（５９１０６９７３２）マクダーミッド インコーポレーテッド (38)
【氏名又は名称原語表記】ＭＡＣＤＥＲＭＩＤ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２３年５月１９日（２０１１．５．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月１０日（２００９．２．１０）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００９／０３３６４１
【国際公開番号】ＷＯ２００９／１１７１８７
【国際公開日】平成２１年９月２４日（２００９．９．２４）
【出願人】（５９１０６９７３２）マクダーミッド インコーポレーテッド (38)
【氏名又は名称原語表記】ＭＡＣＤＥＲＭＩＤ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【Ｆターム（参考）】
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