携帯端末装置
【課題】ケースが不正に開封される場合に、揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータを消去することができ、更に、補助電池の監視に必要な電力を極めて低く抑えることができる携帯端末装置を提供する。
【解決手段】携帯端末装置１では、補助電池７１からの電力供給が低レベル状態となったか監視し、その低レベル状態が検出された場合には、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避し、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの供給電力を遮断する。そして、不揮発性メモリ１１ｃへの退避後には、補助電池７１から退避手段へ供給される電力を遮断している。更に、開封検知スイッチが通電状態（開封状態）に切り替えられたときには、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断し、ＲＡＭ１１ｂへの供給電力を無力化させ、更に、不揮発性メモリ１１ｃに開封形跡を残すか、もしくは不揮発性メモリ１１ｃの記憶データを消去している。
【解決手段】携帯端末装置１では、補助電池７１からの電力供給が低レベル状態となったか監視し、その低レベル状態が検出された場合には、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避し、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの供給電力を遮断する。そして、不揮発性メモリ１１ｃへの退避後には、補助電池７１から退避手段へ供給される電力を遮断している。更に、開封検知スイッチが通電状態（開封状態）に切り替えられたときには、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断し、ＲＡＭ１１ｂへの供給電力を無力化させ、更に、不揮発性メモリ１１ｃに開封形跡を残すか、もしくは不揮発性メモリ１１ｃの記憶データを消去している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯端末装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯型光学的情報読取装置などの携帯端末装置は、一般的に、端末内に様々な情報を記憶するメモリが設けられており、メモリ内に記憶される情報の中には、ユーザが厳密な管理を望む重要な情報が含まれる場合もありうる。このような重要な情報が不正に読み出されると、ユーザが不利益を被ることが懸念されるため、現在では、端末内に耐タンパ機能を付加し、不正アクセスによる情報漏洩を適切に防止することが求められている。なお、このような技術としては、例えば特許文献１のようなものが提供されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３７７５３公報
【特許文献２】特開２０００−１８１８０４公報
【特許文献３】特開平６−１７５９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１では、タンパ発生時にバックアップ電源を遮断し、即座にＲＡＭ内の情報を消去する構成が開示されており、この構成によれば、タンパ発生時に即座にメモリ内容を消去できるため、情報漏洩を効果的に防止することができる。しかしながら、特許文献１の構成の場合、主電源からの無通電状態が長時間継続したときに、バックアップ電源が放電しきってしまい、タンパ発生時でなくてもメモリ内容が消去される虞がある。この場合、不正行為等が行われていないのにもかかわらず、メモリ復旧などの余計な作業負担が生じかねない。また、通常時にメモリ内に保持しておくべきデータが消去されてしまう虞があるため、データ消失に起因する不測の不利益を被る懸念もある。
【０００５】
また、特許文献２の耐タンパ装置では、装置内に物理的攻撃を監視する監視手段が設けられると共に、メモリ情報を消去するための破壊回路やこの破壊回路を動作させるための電力供給源などが設けられており、外部からの攻撃があった場合には破壊回路によってメモリ情報を消去している。この構成でも、タンパ発生時にメモリ内容を消去することができるため、不正アクセスによる情報漏洩を効果的に防止することができる。しかしながら、特許文献２の構成は、物理的攻撃の監視の際に監視用の微小電流を流し続ける必要があるため、監視時において電力供給源での電力消費を抑えにくく、耐タンパ動作が可能となる期間（耐タンパ動作に必要な電力を確保し続けることができる期間）が短くなりやすい。
【０００６】
一方、電力供給が断たれた場合であってもメモリ内容を保持し得る構成として、特許文献３のようなものが提供されている。この技術では、電池の放電量が予め一定量を超えた場合に揮発メモリの内容を補助記憶装置に退避するようにしている。しかしながら、この特許文献３の構成は、耐タンパ機能を備えていないため、データ退避先の補助記憶装置に対して不正アクセス等がなされたときに情報の漏洩を防ぐことができない。また、特許文献３の技術は、電力供給が完全に断たれる場合を問題としているため、放電量が大きい充放電が繰り返されるときの放電深度に対して何ら対策がなされておらず、使われ方によって電池寿命を早めてしまう場合がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、補助電池の電池容量が低下する場合に、放電深度をそれほど進行させずに揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避させることができ、ケースが不正に開封される場合には、揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータを消去することができ、更に、補助電池の監視に必要な電力を極めて低く抑えることができる携帯端末装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、電子部品を収容するケースと、前記ケース内に収容され、前記電子部品に対して電力を供給する主電池と、電力供給を条件として情報を保持する揮発性メモリと、前記揮発性メモリからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリと、前記ケース内において前記主電池とは異なる位置に配置され、少なくとも前記主電池から前記揮発性メモリへ電力が供給されないときに当該揮発性メモリに対して電力を供給する補助電池と、前記補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、前記補助電池からの電力供給が可能とされ、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記揮発性メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに退避する退避手段と、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記補助電池から前記揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段と、前記補助電池からの通電ラインに接続され、前記ケースが非開封状態のときに前記通電ラインを非通電状態とし、前記ケースが開封状態となったときに前記通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、前記通電遮断手段による通電遮断後、前記揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段と、前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の携帯端末装置において、前記補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに前記揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、前記退避手段は、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、前記記憶維持用蓄電手段による放電中に前記揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の携帯端末装置において、前記退避手段によって前記揮発性メモリのデータを前記不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、前記補助電力遮断手段が、前記通知手段によって前記通知信号が出力されたことを条件として前記補助電池から前記退避手段への電力供給を遮断することを特徴とする。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の携帯端末装置において、前記補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、前記ケース内に前記主電池が装着されているときに、前記主電池からの通電によって前記補助電池が充電されることを特徴とする。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の携帯端末装置において、前記開封検知スイッチは、Ｂ接点方式の機械式スイッチからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明では、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、補助電池からの電力供給が可能とされ、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、揮発性メモリに記憶されるデータを不揮発性メモリに退避する退避手段と、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、補助電池から揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段とが設けられている。
このようにすると、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに、補助電池の電力を利用して、揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避することができる。また、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに補助電池から揮発性メモリへの電力供給を遮断しているため、放電深度の進行を抑えることができる。
更に、補助電池からの通電ラインに接続され、ケースが非開封状態のときに通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、開封検知スイッチによって通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、前記通電遮断手段による通電遮断後、揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段とが設けられている。この構成によれば、ケースが開封状態となったときにその状態を適切に検出し、揮発性メモリを早期に揮発させてデータを消去できる。
また、開封検知スイッチによって通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段が設けられているため、揮発性メモリの内容消去だけでなく、不揮発性メモリに対しても開封に対する適切な対処（開封の形跡を残存させる対処、或いは記憶内容を消去する対処）が可能となる。
更に、補助電池からの通電ラインに接続される開封検知スイッチは、ケースが非開封状態のときに通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電ラインを通電状態に切り替えるように構成されているため、通常時（非開封状態の時）には開封の監視に必要な電力が極めて低く抑えられ、補助電池による電力供給をより長期間にわたって維持しやすくなる。
【００１４】
請求項２の発明は、補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、補助電力遮断手段によって補助電池から揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、退避手段は、補助電力遮断手段によって補助電池から揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、記憶維持用蓄電手段による放電中に揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行っている。
このようにすると、補助電池からの揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに、記憶維持用蓄電手段からの放電によって揮発性メモリの内容を維持する時間を稼ぐことができ、その放電期間中に揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避することができる。
【００１５】
請求項３の発明は、退避手段によって揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、補助電力遮断手段が、通知手段によって通知信号が出力されたことを条件として補助電池から退避手段への電力供給を遮断している。
このようにすると、揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したことが確実に確認されてから、退避手段への電力供給が遮断されることとなる。
【００１６】
請求項４の発明は、補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、ケース内に主電池が装着されているときに、主電池からの通電によって補助電池が充電されるようになっている。このようにすると、補助電池の交換作業をあまり行わずとも、補助電池の充電状態を良好に保ちやすくなる。
【００１７】
請求項５の発明は、開封検知スイッチが、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されている。このようにすると、ケースが非開封状態のときに補助電池からの通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電状態に切り替え可能な構成を簡易かつ安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る携帯端末を概略的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はその側面図である。
【図２】図２は、第1実施形態に係る携帯端末の電気的構成を概略的に例示するブロック図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１実施形態に係る携帯端末で用いられる無線リーダ部を概略的に例示するブロック図であり、図３（Ｂ）は、情報コード読取部の構成を概略的に例示するブロック図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る携帯端末の一部の回路構成を例示する回路図である。
【図５】図５は、図４の回路構成で用いられるＤタイプフリップフロップの入力と出力の関係を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[第１実施形態]
以下、本発明の携帯端末を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
（携帯端末の全体構成）
まず、図１〜図３を参照し、携帯端末の全体構成について概説する。
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る携帯端末を概略的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はその側面図である。図２は、第1実施形態に係る携帯端末の電気的構成を概略的に例示するブロック図である。図３（Ａ）は、第１実施形態に係る携帯端末で用いられる無線リーダ部を概略的に例示するブロック図であり、図３（Ｂ）は、情報コード読取部の構成を概略的に例示するブロック図である。
【００２０】
図１（Ａ）（Ｂ）に示す携帯端末装置１は、ユーザによって携帯されて様々な場所で用いられる携帯情報端末として構成されており、バーコードや二次元コードなどの情報コードを読み取る情報コードリーダとしての機能と、無線タグを読み取る無線タグリーダとしての機能とを備え、読み取りを二方式で行うことが可能となっている。この携帯端末装置１は、ケース２によって外殻が構成され、このケース２の内部に図２等に示す各種電気部品が収容されている。ケース２は、図１（Ｂ）に示すように上ケース２ａと下ケース２ｂとが例えば図示しない連結部材（ねじ等）によって連結されており、この連結部材を取り外すことで開封することができるようになっている。
【００２１】
図２に示すように、携帯端末装置１は、全体的制御を司る制御部１０を備えており、この制御部１０に、メモリ１１、キー操作部１２、液晶表示器１３、ブザー１４、バイブレータ１５、ＬＥＤ１６、無線リーダ部２０、情報コード読取部３０、ＩｒＤＡ通信部４０、Bluetooth通信部５０、シリアル通信部６０などが接続されている。
【００２２】
制御部１０は、マイコンを主体として構成されるものであり、ＣＰＵ（図４のＣＰＵ参照）、システムバス（図４のバス接続参照）、入出力インタフェース等を有し、メモリ１１とともに情報処理装置として機能している。メモリ１１は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリなどの半導体メモリによって構成されており、様々なプログラムや様々なデータを記憶可能に構成されている。なお、図４では、メモリ１１がＦＲＯＭ１１ａ、ＲＡＭ１１ｂ、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリ１１ｃなどによって構成される例を示している。
【００２３】
キー操作部１２は、複数のキーによって構成され、使用者のキー操作に応じて制御部１０に対して操作信号を与える構成をなしており、制御部１０は、キー操作部１２から操作信号を受けたとき、その操作信号に応じた動作を行うように構成されている。なお、図１ではキー操作部１２を構成する複数のキーの図示を省略しているが、このキー操作部１２は、外部操作可能な構成で様々なキー配列とすることができる。液晶表示器１３は、公知の液晶表示パネルによって構成されており、制御部１０によって表示内容が制御されるようになっている。ブザー１４は、公知のブザーによって構成されており、制御部１０からの動作信号に応じて所定の音を発生させるように構成されている。バイブレータ１５は、携帯機器に搭載される公知のバイブレータによって構成されており、制御部１０からの駆動信号に応じて振動を発生させるように構成されている。また、ＬＥＤ１６は、制御部１０からの信号に応じて点灯するように構成されている。
【００２４】
無線リーダ部２０は、アンテナ２５及び制御部１０と協働して図示しない無線タグとの間で電磁波による通信を行い、無線タグ（図示略）に記憶されるデータの読み取り、或いは無線タグへのデータの書き込みを行うように機能している。この無線リーダ部２０は、公知の電波方式で伝送を行う回路として構成されており、図３（Ａ）に示すように、送信回路２１、受信回路２２、整合回路２３などを有している。
【００２５】
送信回路２１は、キャリア発振器、符号化部、増幅器、送信部フィルタ、変調部などによって構成されており、キャリア発振器から例えば周波数９５３ＭＨｚのキャリア（搬送波）が出力される構成をなしている。また、符号化部は、制御部１０に接続されており、当該制御部１０より出力される送信データを符号化して変調部に出力している。変調部は、キャリア発振器からのキャリア（搬送波）、及び符号化部からの送信データが入力される部分であり、キャリア発振器より出力されるキャリア（搬送波）に対し、通信対象へのコマンド送信時に符号化部より出力される符号化された送信符号（変調信号）によってＡＳＫ（Amplitude Shift Keying）変調された被変調信号を生成し、増幅器に出力している。増幅器は、入力信号（変調部によって変調された被変調信号）を所定のゲインで増幅し、その増幅信号を送信部フィルタに出力しており、送信部フィルタは、増幅器からの増幅信号をフィルタリングした送信信号を、整合回路２３を介してアンテナ２５に出力している。このようにしてアンテナ２５に送信信号が出力されると、その送信信号が電磁波として当該アンテナ２５より外部に放射される。
【００２６】
一方、アンテナ２５によって受信された電波信号は、整合回路２３を介して受信回路２２に入力される。この受信回路２２は、受信部フィルタ、増幅器、復調部、二値化処理部、複号化部などによって構成されており、アンテナ２５を介して受信された信号を受信部フィルタによってフィルタリングした後、増幅器によって増幅し、その増幅信号を復調部によって復調する。そして、その復調された信号波形を二値化処理部によって二値化し、復号化部にて復号化した後、その復号化された信号を受信データとして制御部１０に出力している。
【００２７】
情報コード読取部３０は、ＣＣＤエリアセンサなどの固体撮像素子からなる受光センサ３３、結像レンズ３７、複数個のＬＥＤやレンズ等から構成される照明部３１などを備えた構成をなしており、制御部１０と協働して読取対象物Ｒに付された情報コードＣ（バーコードやＱＲコード（登録商標）等）を読み取るように機能する。この情報コード読取部３０では、情報コードの読み取りを行う場合、まず、制御部１０から指令を受けた照明部３１にて照明光Ｌｆが出射され、この照明光Ｌｆが図示しないケースに形成された読取口（図示略）を通って読取対象物Ｒに照射されるようになっている。そして、照明光Ｌｆが情報コードＣにて反射した反射光Ｌｒは読取口を通って装置内に取り込まれ、結像レンズ３７を通って受光センサ３３に受光される。読取口と受光センサ３３との間に配される結像レンズ３７は、情報コードＣの像を受光センサ３３上に結像させる構成をなしており、受光センサ３３はこの情報コードＣの像に応じた受光信号を出力する。受光センサ３３から出力される受光信号は、画像データとしてメモリ１１（図２）に記憶され、デコード処理などに用いられるようになっている。なお、情報コード読取部３０には、受光センサ３３からの信号を増幅する公知の増幅回路や、その増幅された信号をデジタル信号に変換する公知のＡＤ変換回路等が設けられているがこれらの回路については図示を省略している。
【００２８】
更に、制御部１０には、ＩｒＤＡ通信部４０、Bluetooth通信部５０、シリアル通信部６０が接続されている。ＩｒＤＡ通信部４０は、規格化された公知のＩｒＤＡ通信方式で光無線データ通信を行うインタフェースとして構成されている。また、Bluetooth通信部５０は、公知のBluetooth通信規格に基づいて無線通信を行うBluetooth通信インタフェースとして構成されている。シリアル通信部５６は、規格化された公知のシリアル通信方式で外部装置と通信を行う通信インタフェースである。
【００２９】
また、携帯端末装置１には、主電池１７や電源回路として構成される電源部１８が設けられており、これらによって制御部１０や各種電気部品に電力が供給されている。主電池１７は、充電可能な二次電池（例えばリチウムイオン電池等）によって構成されており、充電時には図示しない充電装置からの電力供給を受けることが可能となっている。なお、携帯端末装置１には、主電池１７以外に補助電池７１も設けられているが、図１では補助電池７１の図示を省略している。
【００３０】
（特徴的構成）
次に、携帯端末装置１の特徴的構成について説明する。なお、図４は、第１実施形態に係る携帯端末の一部の回路構成を例示する回路図である。また、図５は、図４の回路構成で用いられるＤタイプフリップフロップの入力と出力の関係を説明する説明図である。
【００３１】
本実施形態に係る携帯端末装置１では、ケース内のメモリ１１に重要な情報（例えば、秘匿性の高い情報コードを読み取った情報、決済データなどの情報等）が記憶される場合が多く、第三者によって不正開封された場合に適切な対処が求められる。一方で、正規使用の場合には必要なデータを継続的に保存しておくべき場合も多い。そこで、本実施形態では以下に説明する回路構成を用いることで適切なバックアップ動作を行い、このような問題を解消している。
【００３２】
＜１．バックアップ動作のための回路構成＞
本実施形態では、具体的には図４のような回路構成をなしている。この回路構成では、主電池の一端側に電源部１８（電源回路）が接続されており、電源キーがオン状態となっているときに、電源部（電源回路）１８から電源供給ラインを通ってＣＰＵ、ＦＲＯM１１ａ，ＲＡＭ１１ｂに電力が供給されるようになっている。また、ＣＰＵは、ＲＡＭ１１ｂと退避用不揮発性メモリ１１ｃ（以下、単に不揮発性メモリ１１ｃとも称する）の間のスイッチＳＷ１を切り替え可能に構成されており、ＣＰＵに電力が供給されて動作可能状態となっているときには、ＣＰＵがスイッチＳＷ１をオン状態又はオフ状態に切り替えることができるようになっている。従って、ＣＰＵに動作用電力が供給されないとき（例えば主電池１７が取り外されている時）には、スイッチＳＷ１がオフ状態に維持され、このときには、電源部（電源回路）１８側から不揮発性メモリ１１ｃに対し電力が供給されないようになっている。なお、ＣＰＵ，ＦＲＯＭ１１ａ、ＲＡＭ１１ｂ、不揮発性メモリ１１ｃ、退避制御用ゲートアレイ７７は、バスラインによってバス接続されており、各部品に電力が供給されているときにはバスラインを介してデータの入力動作或いはデータの出力動作を行うことができるようになっている。なお、バスラインには、データを保持するバッファが介在している。
【００３３】
図４の回路構成では、メモリ１１として、各種プログラム等を記憶するＦＲＯＭ１１ａ、電力供給を条件として情報を保持するＲＡＭ１１ｂ、ＲＡＭ１１ｂからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリ１１ｃ（ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ等）などが設けられている。なお、これら以外のメモリについては図示を省略している。ＲＡＭ１１ｂは、電力供給を受けているときに記憶が維持され、電力供給が途絶えたときに揮発する揮発性メモリであり、携帯端末装置１で扱われるプログラムや様々なデータ（データをやり取りするための暗号鍵、頻繁に使用するデータ（処理速度を向上させるために揮発メモリに記憶しておくべきもの）、情報コードを読み取ったデータ、決済処理で扱われる各種決済データ等）を記憶可能とされている。不揮発性メモリ１１ｃは、バスラインを介してＲＡＭ１１ｂに接続されており、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを退避して記憶可能に構成されている。
【００３４】
また、ケース２内において主電池１７とは異なる位置に補助電池７１（サブ電池）が配置されている。この補助電池７１は、少なくとも主電池１７からＲＡＭ１１ｂへ電力が供給されないときに当該ＲＡＭ１１ｂに対して電力を供給するように構成されている。
【００３５】
更に、携帯端末装置１の内部には、電圧監視回路７９、退避制御用ゲートアレイ７７、昇圧回路７５、Ｄタイプフリップフロップ（以下Ｄフリップフロップともいう）８１などが設けられている。電圧監視回路７９は、「電池状態監視手段」の一例に相当し、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否か（具体的には、電源ラインＢｕＶが閾値Ｖ１を下回る状態となったか否か）を監視するように機能している。また、退避制御用ゲートアレイ７７は、「退避手段」の一例に相当し、補助電池７１からの電力（より詳しくは昇圧回路７５で昇圧された電力）が供給可能とされ、電圧監視回路７９（電池状態監視手段）によって前記「所定の低レベル状態」が検出された場合に、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避するように機能している。
【００３６】
また、主電池１７から電源部（電源回路）１８までの電力ラインには、降圧回路１９（降圧ＩＣ）が接続され、主電池１７の電圧を降圧させて出力している。降圧回路１９（降圧ＩＣ）の出力側には、ダイオードＤ１のアノード側が接続され、ダイオードＤ１のカソード側には抵抗Ｒ１の一端側が接続されている。また、ダイオードＤ１のアノード側にはＮチャネル型ＦＥＴ５（以下、単にＦＥＴ５とも称する）のゲート端子が接続され、このＮチャネル型ＦＥＴ５のソース端子は接地されている。また、Ｎチャネル型ＦＥＴ５のドレイン端子は、Ｐチャネル型ＦＥＴ６（以下、単にＦＥＴ６とも称する）のゲート端子が接続され、、Ｎチャネル型ＦＥＴ５のドレイン端子とＰチャネル型ＦＥＴ６のゲート端子の間には抵抗Ｒ６の一端側が接続され、抵抗Ｒ６の他端側はＮチャネル型ＦＥＴ５のゲート端子に接続されている。
【００３７】
更に、Ｐチャネル型ＦＥＴ６のドレイン端子には抵抗Ｒ１の他端側（ダイオードＤ１側とは反対側）が接続され、Ｐチャネル型ＦＥＴ６のソース端子には、補助電池７１の一端側からの電力ラインが接続されている。この構成では、主電池１７が装着されているときに、Ｎチャネル型ＦＥＴ５がオン状態となり、更にＰチャネル型ＦＥＴ６もオン状態となる。従って、降圧回路１９（降圧ＩＣ）からダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１を介して電流が供給され、補助電池７１が充電される。また、このとき、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間のＢｕＶの電圧に基づいて、後述するメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）に電力が供給されるようになっている。一方、主電池１７が装着されていないときには、、Ｎチャネル型ＦＥＴ５及びＰチャネル型ＦＥＴ６がいずれもオフ状態となる。
【００３８】
また、補助電池７１の一端側（接地側とは反対側）には、開封検知スイッチ７３が接続されている。この開封検知スイッチ７３は、補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続され、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるように機能している。この開封検知スイッチ７３は、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されており、図１（Ｂ）のように上ケース２ａと下ケース２ｂとが結合している場合には、開封検知スイッチ７３の押圧部（スイッチ操作部）が上ケース２ａ又は下ケース２ｂに押圧された押圧状態が維持され、このときには通電ライン８５ａが非通電状態で維持される。一方、ケース２が開封されて上ケース２ａと下ケース２ｂが離間したときには、開封検知スイッチ７３の押圧部（スイッチ操作部）が非押圧状態となり、このときには通電ライン８５ａが通電状態で維持されるようになっている。
【００３９】
上記開封検知スイッチ７３は、一端側が補助電池７１の一端側に接続され、他端側は、信号Ｓ５の信号ライン８５ｂとして、ＣＰＵの１つのポート，ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の一方の入力端子、退避制御用ゲートアレイ７７の入力端子、トランジスタＴｒ２のエミッタ端子にそれぞれ接続されている。開封検知スイッチ７３の他端側に接続される信号ライン８５ｂは、抵抗Ｒ５を介して接地されており、開封検知スイッチ７３がオン状態（通電状態）となっているときに補助電池７１から電力が供給され、信号Ｓ５がＨレベル信号となるように構成されている。逆に、開封検知スイッチ７３がオフ状態（非通電状態）となっているときには、補助電池７１からの電力供給が遮断され、信号Ｓ５がＬレベル信号となるように構成されている。
【００４０】
ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）は、電源部（電源回路）１８からの電源供給ラインの電圧レベルが反転されて一方の入力端子に入力され、開封検知スイッチ７３からの信号ライン８５ｂの電圧レベルが他方の入力端子に入力されるようになっている。そして、電源供給ラインがＬレベルの場合（即ち電源部（電源回路）１８からの電力供給が途絶えている電源オフ状態）であって、且つ信号ライン８５ｂがＨレベルの場合（即ち、開封検知スイッチ７３がオン状態）の場合にＨレベル信号を出力するようになっている。
【００４１】
Ｎチャネル型ＦＥＴ４（以下、単にＦＥＴ４とも称する）は、ゲート端子がＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力端子に接続され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からＨレベル信号が出力されるときにオン状態となるように構成されている。このようにＮチャネル型ＦＥＴ４がオン状態となったとき（即ち、電源オフ状態であってケース２が開封されたとき）には、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が放電され、ＲＡＭ１１ｂが揮発して記憶内容が消去されるようになっている。
【００４２】
また、補助電池７１の一端側に接続されるもう一つの通電ライン８６ａには、Ｐチャネル型ＦＥＴ２（以下、単にＦＥＴ２とも称する）のドレイン端子と、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子とが接続されている。Ｐチャネル型ＦＥＴ２は、ゲート端子がＮチャネル型ＦＥＴ１（以下、単にＦＥＴ１とも称する）のドレイン端子に接続され、ソース端子が上述のダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間（電圧ＢｕＶが生じる部分）に接続されている。また、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子には通電ライン８６を介してコンデンサＣ３の一端側が接続されると共に、電圧監視回路７９が接続され、更に、Ｄフリップフロップ回路８１のＰＲＥ端子が接続されている。Ｎチャネル型ＦＥＴ１は、ゲート端子がＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力端子に接続されており、ソース端子が接地されている。また、Ｎチャネル型ＦＥＴ１のドレイン端子とＰチャネル型ＦＥＴ２のゲート端子の間のラインには、抵抗Ｒ２の一端側が接続されており、抵抗Ｒ２の他端側はＰチャネル型ＦＥＴ２のドレイン端子と補助電池７１の間に接続されている。
【００４３】
この構成では、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＬレベルのときにＮチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオフとなり、このときには、通電ライン８６ａを介した補助電池７１からの電力供給（通電ライン８６ｂ側への電力供給）が遮断されるようになっている。一方、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＨレベルのときには、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオンとなり、このときには、補助電池７１から通電ライン８６ａを介して通電ライン８６ｂ側に電力が供給され、コンデンサＣ１やＲＡＭ１１ｂに電力が供給されるようになっている。
【００４４】
コンデンサＣ３は、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子に接続されると共に、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間の電圧ＢｕＶラインに接続され、主電池１７が接続されているときにこの主電池１７からの電力によって充電されるようになっている。また、主電池１７が取り外されている場合でも、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＨレベルのとき（即ち、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオンのとき）には、補助電池７１からの電力供給によって充電されるようになっている。一方、主電池１７が取り外されて主電池１７からの電力供給が途絶え、且つＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＬレベルとなって（即ち、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオフとなり）補助電池７１からの電力供給が途絶えたときには放電するようになっている。
【００４５】
電圧監視回路７９は、「電池状態監視手段」の一例に相当するものであり、例えば公知の比較器などによって構成され、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否か（具体的には、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子及び電源ラインＢｕＶに接続される通電ライン８６ｂが閾値Ｖ１を下回る状態となったか否か）を監視するように機能しており、通電ライン８６ｂの電圧が閾値Ｖ１を下回ったときにＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の入力端子及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の入力端子にＬレベル信号を出力している。逆に、通電ライン８６ｂの電圧が閾値Ｖ１以上のときにはＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の入力端子及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の入力端子にＨレベル信号を出力している。なお、電圧監視回路７９からＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に出力される信号は、反転されてＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に入力されるようになっている。
【００４６】
Ｄフリップフロップ回路８１は、公知のＤタイプフリップフロップ回路によって構成されており、入力と出力の関係が図５のようになっている。本実施形態では、電源キーによってオフ操作がなされたとき、ＣＰＵへの電力供給が完全に遮断される前に、ＣＰＵがＤフリップフロップ回路８１のＤ端子への信号Ｓ１をＨレベルに設定し、その状態でＣＬＫ端子へのＳ２をＬレベルからＨレベルに切り替えており、その後、電源をオフにしている。従って、電源オフ後には、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からの出力がＨレベルに維持され、この信号がＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に入力されるようになっている。
【００４７】
ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）は、信号Ｓ５がＬレベル（即ち、開封検知スイッチ７３がオフ状態）、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子がＨレベル、電圧監視回路７９からの出力がＨレベルの場合にＨレベル信号が出力されるようになっており、そうでない場合には、Ｌレベル信号が出力されるようになっている。
【００４８】
ＯＲ回路（ＯＲ２）は、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からの出力がＨレベルのとき（電源オフ状態で開封検知スイッチ７３がオン状態となったとき）又はＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）からの出力がＬレベルのとき（電源オフ時に電圧監視回路７９からの出力がＬレベルとなったとき、即ち、電源オフ時に通電ライン８６ｂの電圧がＶ１未満に低下したとき）にＨレベル信号を出力するように構成されている。
【００４９】
Ｎチャネル型ＦＥＴ３は、ゲート端子がＯＲ回路（ＯＲ２）の出力端子に接続され、ソース端子が接地されており、ドレイン端子が抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ１のベース端子に接続されている。このＮチャネル型ＦＥＴ３は、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＨレベルとなったときにオン状態となり、このようにＮチャネル型ＦＥＴ３がオン状態となったときにトランジスタＴｒ１がオン状態となるように構成されている。
【００５０】
また、補助電池７１からの通電ライン８６ｂには、ダイオードＤ３のアノード端子が接続されており、ダイオードＤ３のカソード端子は、ＲＡＭ１１ｂに接続されている。更に、ダイオードＤ３のカソード側には、コンデンサＣ１の一端側が接続されており、コンデンサＣ１の他端側は接地されている。この構成では、電源部（電源回路）１８からの電力供給がオフとなっているとき、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオン状態であれば補助電池７１からコンデンサＣ１及びＲＡＭ１１ｂに電力が供給されることになる。
【００５１】
＜２．主電池の装着時の基本動作＞
このように構成される携帯端末装置１では、補助電池７１が充電可能な二次電池によって構成され、主電池１７が装着されているときには、上述したように、Ｎチャネル型ＦＥＴ５がオン状態となり、且つＰチャネル型ＦＥＴ６がオン状態となる。これにより、降圧回路１９（降圧ＩＣ）からダイオードＤ１、抵抗（充電電流制限抵抗）Ｒ１を介して充電電流が供給され、補助電池７１（サブ電池）が充電される。あわせて、ダイオードＤ１−抵抗Ｒ１間の電圧ＢｕＶに基づいて、上述のメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）に電力が供給される。
【００５２】
また、主電池１７が装着されている場合、電源キーがオン状態のときには、電源部（電源回路）１８から電力供給ライン（電源供給ライン）を通ってＣＰＵ、ＦＲＯＭ１１ａ，ＲＡＭ１１ｂ、コンデンサＣ１に電力が供給され、スイッチＳＷ１がオン状態のときには不揮発性メモリ１１ｃにも電力が供給される。
【００５３】
＜３．電源オフ時の基本動作＞
携帯端末装置１は、電源キーの操作で電源をオフするとき（電源部（電源回路）１８からの電力供給を遮断しようとするとき）、上述したように電源オフに先立ってＣＰＵが信号Ｓ１をＨレベルに設定すると共に、その状態で信号Ｓ２をＬレベルからＨレベルに切り替え、その後に電源部（電源回路）１８からの電力供給が遮断されるようになっている。これにより、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からの出力がＨレベルとなる。このとき、通電ライン８６ｂの電圧がＶ１以上であり、ケース２が開封されていない状態（即ち、開封検知スイッチ７３がオフ状態）の場合には、ＦＥＴ１及びＦＥＴ２がいずれもオン状態となるため、通電ライン８６ｂに接続されるＢｕＶと補助電池７１（サブ電池）とが通電状態となる。この場合、この後に主電池１７が取り外されたとしても、メモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）などは、ＢｕＶに接続された補助電池７１の電力で動作を継続できる。
【００５４】
＜４．補助電池の電圧低下時の動作＞
次に、主電池１７が取り外された状態で補助電池７１の端子電圧が低下した場合について説明する。
主電池１７が取り外された状態で補助電池７１の端子電圧が低下した場合、その低下が大きくなると、ＢｕＶの電圧（即ち、通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧（閾値電圧）Ｖ１を下回ることになる。このようにＢｕＶの電圧（通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧（閾値電圧）Ｖ１を下回ると、上述のようにＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）からＬレベルの信号が出力され、これによりＦＥＴ１、ＦＥＴ２がいずれもオフ状態となる。このとき、補助電池７１と通電ライン８６ｂとの接続が遮断され、通電ライン８６ｂには補助電池７１から電力が供給されなくなる。これにより、通電ライン８６ｂを介したＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断される。
【００５５】
また、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたとき、同時に、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の出力がＨレベルとなり、これによりＯＲ回路（ＯＲ２）の出力もＨレベルになる。そして、ＯＲ回路（ＯＲ２）からのＨレベル信号の出力に応じて、Ｎチャネル型ＦＥＴ３及びトランジスタＴｒ１がオン状態となり、補助電池７１から昇圧回路７５へ電力が供給される。これにより、昇圧回路７５が動作し、昇圧された電圧を退避制御用ゲートアレイ７７に供給する。なお、このとき、ＢｕＶライン（即ち、通電ライン８６ｂ）が補助電池７１から切り離されるが、コンデンサＣ３が設けられているため、退避処理が終わるまでコンデンサＣ３からの電力供給によりメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）、昇圧回路７５等）を動作させることができる。
【００５６】
また、このように補助電池７１の電圧低下時に昇圧回路７５が駆動されたときには、退避制御用ゲートアレイ７７が動作し、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避させるようになっている。
【００５７】
退避制御用ゲートアレイ７７は、例えば昇圧回路７５から駆動電圧が供給されたことをトリガとして動作が開始するように構成されており、動作開始後には、まず、開封検知信号Ｓ５を確認している。そして、開封検知信号Ｓ５がＬレベル（即ち、開封検知スイッチ７３が非通電状態）であれば、退避動作を実行し、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避（記憶）している。そして、そのデータ退避動作の完了後に完了信号Ｓ３を出力している。
【００５８】
また、本実施形態では、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２がオフ状態となったときに補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されるが、退避制御用ゲートアレイ７７による退避動作中には、上述のコンデンサＣ１によってＲＡＭ１１ｂへの放電がなされるようになっているため、このコンデンサＣ１の放電によってＲＡＭ１１ｂへの電力供給が維持されている間にＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。
【００５９】
退避制御用ゲートアレイ７７は、上述の退避動作が終了した後に、Ｈレベルの完了信号Ｓ３を所定期間出力し、その後、Ｓ３のラインをＬレベルに戻す。一方、ＣＰＵからの信号Ｓ１，Ｓ２は、電源オフ時にはＬレベルになっているため、Ｈレベルの完了信号Ｓ３がＯＲ回路（ＯＲ１）に入力されると、Ｄフリップフロップ回路８１のＤ端子がＬレベルに維持された状態でＣＬＫ端子にはＬレベルからＨレベルの立ち上がり信号が入力される。これにより、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からはＬレベルの信号が出力され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の出力はＬレベルに切り替わる。従って、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力がＨレベルでない限り、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＬレベルとなり、ＦＥＴ３、トランジスタＴｒ１がいずれもオフ状態となる。これにより、補助電池７１から昇圧回路７５への電力供給が停止する。
【００６０】
なお、本実施形態では、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）、Ｎチャネル型ＦＥＴ１、Ｐチャネル型ＦＥＴ２、ＯＲ回路（ＯＲ１）、ＯＲ回路（ＯＲ２）、Ｄフリップフロップ回路８１、Ｎチャネル型ＦＥＴ３、抵抗Ｒ３，トランジスタＴｒ１が「補助電力遮断手段」の一例に相当し、電圧監視回路７９（電池状態監視手段）によって所定の低レベル状態（ＢｕＶの電圧が監視電圧Ｖ１を下回る状態）が検出された場合に、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへ供給される電力を遮断するように機能する。具体的には、退避制御用ゲートアレイ７７（通知手段）は、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したときにＨレベルの完了信号Ｓ３（通知信号）を出力しており、上記「補助電力遮断手段」は、この通知手段によって完了信号Ｓ３（通知信号）が出力されたことを条件として補助電池７１から退避制御用ゲートアレイ７７（退避手段）への電力供給を遮断している。
【００６１】
また、コンデンサＣ１は、「記憶維持用蓄電手段」の一例に相当しており、ＢｕＶ電圧（通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧Ｖ１を上回るときには、補助電池７１からの電力供給を受けて充電可能に構成され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），Ｎチャネル型ＦＥＴ１，Ｐチャネル型ＦＥＴ２によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときには、ＲＡＭ１１ｂに対して放電するように構成されている。
【００６２】
＜５．ケースの開封時の動作＞
次に、電源オフ時にケース２が開封された場合について説明する。
図４の構成では、開封検知スイッチ７３が、上述したようにＢ接点方式の機械式スイッチによって構成されており、携帯端末装置１が未開封のときにオープン状態（非通電状態）となり、携帯端末装置１が開封されたときにオン状態（通電状態）となるように構成されている。
【００６３】
この構成では、携帯端末装置１の電源がオフの状態（電源部（電源回路）１８からの電力供給ラインがＬレベルの状態）でケース２が開封された場合、開封検知信号Ｓ５がＬレベルからＨレベルに変化し、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力がＬレベルからＨレベルに変化する。すると、Ｎチャネル型ＦＥＴ４がオン状態となるため、ＲＡＭ１１ｂの電源供給ラインに接続されたコンデンサＣ１の電荷が放電する。また、信号ライン８５ｂがＨレベルとなるためＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力はＬレベルになり、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２がオフ状態となる。従って、補助電池７１からコンデンサＣ１，ＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断される。このような動作により、ＲＡＭ１１ｂへの電力供給が即座に遮断されてＲＡＭ１１ｂのメモリ内容が消去（揮発）される。
【００６４】
なお、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）、Ｎチャネル型ＦＥＴ４は、「通電遮断手段」の一例に相当し、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断するように機能する。また、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）及びＮチャネル型ＦＥＴ４は、「放電手段」の一例に相当し、通電遮断手段による通電遮断後、ＲＡＭ１１ｂへ供給されていた電力を無力化させるように機能する。
【００６５】
また、上記のように開封検知信号Ｓ５がＬレベルからＨレベルに変化し、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からの出力がＨレベルになったときには、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＨレベルに変化する。そして、Ｎチャネル型ＦＥＴ３、トランジスタＴｒ１がともにオン状態になり、補助電池７１から昇圧回路７５へ電力が供給される。これにより、昇圧回路７５が駆動し、昇圧された電圧を退避制御用ゲートアレイ７７や不揮発性メモリ１１ｃ（退避用不揮発性メモリ）に供給する。
【００６６】
退避制御用ゲートアレイ７７は、上述したように昇圧回路７５から駆動電圧を供給されたときに動作が開始し、まず、開封検知信号Ｓ５を確認している。そして、Ｓ５がＬレベルの場合は上述したように退避処理を行っている。一方、開封検知スイッチ７３がオン状態となって開封検知信号Ｓ５がＨレベルになっているときには退避処理を行わず、不揮発性メモリ１１ｃの内容の全てもしくは一部を消去し、不揮発性メモリ１１ｃ内のある特定のアドレスに開封検知の動作を行ったことを記録する。
【００６７】
なお、退避制御用ゲートアレイ７７は、「記録手段」若しくは「消去手段」の一例に相当し、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリ１１ｃに開封された形跡を残す、もしくは記憶されたデータを消去するように機能する。
【００６８】
また、本実施形態では、ＢｕＶ電圧（即ち通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧Ｖ１を下回り、ＦＥＴ２がオフ状態（ＢｕＶ電源なし）となっているときでも、開封時のタンパアクション（退避用不揮発性メモリ１１ｃの消去等）ができるように、トランジスタＴｒ２を介して補助電池７１から昇圧回路７５に電力を供給可能となっている。
【００６９】
なお、本実施形態では、電源キーの操作によって電源オン状態となり、電源部（電源回路）１８から電力供給ライン（電源供給ライン）への電力供給が開始された時には、ＣＰＵが不揮発性メモリ１１ｃ（退避用不揮発性メモリ）の内容を読み出すようになっている。そして、上述のように不揮発性メモリ１１ｃのある特定のアドレスに開封検知の動作を行ったことが記録されている場合には、ＦＲＯＭ１１ａ内のファイルデータを消去したり、端末機能を停止させることができるようになっている。
【００７０】
また、本実施形態では、電源がオン状態のとき（電源部（電源回路）１８から電力が供給されているとき）に開封検知スイッチ７３が開封検知した場合、信号ライン８５ｂはＨレベルになるが、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）のもう一方の端子の入力（電源供給ラインの反転入力）がＬレベルとなるため、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力はＬレベルに維持されたままとなる。この場合、ＦＥＴ４や昇圧回路７５は動作しないが、本実施形態では開封検知信号Ｓ５をＣＰＵが監視しており、ＣＰＵが開封と判断した場合（Ｓ５がＨレベルに変化したと判断した場合）には、ＣＰＵがＲＡＭ１１ｂや不揮発性メモリ１１ｃに記憶されたデータを消去したり、端末の特定機能を停止するように制御を行っている。
【００７１】
本実施形態の回路構成では、補助電池７１に接続される回路は、ＦＥＴ２、ＦＥＴ１（抵抗Ｒ２を介して接続）、ＦＥＴ６、トランジスタＴｒ１、開封検知スイッチ７３であるが、主電池１７が取り外され、補助電池７１の電圧が監視電圧Ｖ１を下回り、更に、ケース２が開封されていない場合、ＦＥＴ２、ＦＥＴ１（抵抗Ｒ２を介して接続）、ＦＥＴ６、トランジスタＴｒ１が全てオフ状態となるため電流が流れない。また、開封検知スイッチ７３も非通電状態（オープン状態）のため電流は流れない。このように、補助電池７１からの通電経路が全て遮断された状態となるため、微小な電流さえも消費しなくて済み、長時間放置されたあとでも、確実にタンパアクションさせることができる。
【００７２】
（本実施形態の主な効果）
本実施形態に係る携帯端末装置１では、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、補助電池７１からの電力供給が可能とされ、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避手段と、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへ供給される電力を遮断し、少なくとも退避手段によってＲＡＭ１１ｂのデータが不揮発性メモリ１１ｃに退避された後に、補助電池７１から退避手段へ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段とが設けられている。従って、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに、補助電池７１の電力を利用して、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。また、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給を遮断することができるため、放電深度の進行を抑えることができる。
【００７３】
ところで、揮発メモリのバックアップ用２次電池（リチウム２次電池など）は、放電量を大きく設定した充放電を繰り返した場合、電池容量が徐々に低下し、電池容量が半減してしまうような寿命を早く迎えてしまう。一方、バックアップ用の２次電池は通常、端末装置内部に配置され、交換することを想定しない。特に耐タンパ機能を持たせた端末装置では、交換できる構造自体が改造や解析の糸口になりかねないためである。このため、端末装置の実働期間に合わせ、放電深度を深くしない設定が必要になる。
【００７４】
また、バックアップ対象のデータは、端末装置の実運用に必要不可欠なデータを持たせる場合があるので（例えば、データをやり取りするための暗号鍵や、頻繁に使うようなデータで処理速度を向上させるために揮発メモリに保持する場合など）、バックアップ電池残量がなくなって、データが揮発してしまうと、次回使用時にデータの再ダウンロードが必要になり、使い勝手が悪くなる。このため、バックアップ電池残量が少なくなってきた場合には、不揮発性メモリにデータを退避できると便利である。本実施形態では、このようないずれの要求をも満たすことができ、上述したバックアップ電池の放電深度を深くせずに、バックアップ電池残量が少なくなってきた場合に、不揮発性メモリにデータを退避することが可能となる。
【００７５】
一方、近年の機器では、携帯端末内のセキュリティ性の要求が特に高くなってきており、ケースが開封されたときに、機器内のセキュリティ情報を漏洩させにくい何らかのタンパアクションを実行する必要がある。一方、常時、電源供給されている機器では、タンパアクションのための電力確保が可能だが、携帯端末のような電池駆動の機器では、電池を外された場合には電力確保ができない。このため、重要データを揮発メモリに持たせ、タンパ発生時にバックアップ電源を遮断して、即座にメモリ内容を揮発させる必要がある。
【００７６】
このような問題に対し、本実施形態では開封検知スイッチ７３（補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続され、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるスイッチ）が設けられ、更に、この開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断する通電遮断手段と、通電遮断後、ＲＡＭ１１ｂへ供給されていた電力を無力化させる放電手段とが設けられている。この構成によれば、ケース２が開封状態となったときにその状態を適切に検出し、ＲＡＭ１１ｂを早期に揮発させてデータを消去できる。
また、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリ１１ｃに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段が設けられているため、ＲＡＭ１１ｂの内容消去だけでなく、不揮発性メモリ１１ｃに対しても開封に対する適切な対処（開封の形跡を残存させる対処、或いは記憶内容を消去する対処）が可能となる。
【００７７】
更に、補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続される開封検知スイッチ７３は、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるように構成されているため、通常時（非開封状態の時）には開封の監視に必要な電力が極めて低く抑えられ、補助電池７１による電力供給をより長期間にわたって維持しやすくなる。
【００７８】
また、本実施形態では、補助電池７１からの電力供給を受けて充電可能に構成され、補助電力遮断手段によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときにＲＡＭ１１ｂに対して放電可能なコンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）が設けられている。そして、退避手段は、補助電力遮断手段によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたとき、コンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）による放電中にＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータの退避動作を行っている。
このようにすると、補助電池７１からのＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときに、コンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）からの放電によってＲＡＭ１１ｂの内容を維持する時間を稼ぐことができ、その放電期間中にＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。
【００７９】
また、本実施形態では、退避手段によってＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段が設けられており、補助電力遮断手段は、通知手段によって通知信号が出力されたことを条件として補助電池７１から退避手段への電力供給を遮断している。
このようにすると、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したことが確実に確認されてから、退避手段への電力供給が遮断されることとなる。また、退避動作後には補助電池７１からの不要な電力供給を適切に抑えることができる。
【００８０】
また、本実施形態では、補助電池７１が、充電可能な二次電池によって構成され、ケース２内に主電池１７が装着されているときに、主電池１７からの通電によって補助電池７１が充電されるようになっている。このようにすると、補助電池７１の交換作業をあまり行わずとも、補助電池７１の充電状態を良好に保ちやすくなる。
【００８１】
また、本実施形態では、開封検知スイッチ７３が、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されている。このようにすると、ケース２が非開封状態のときに補助電池７１からの通電ラインを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電状態に切り替え可能な構成を簡易かつ安価に実現できる。
【符号の説明】
【００８２】
１ 携帯端末装置
２ ケース
１７ 主電池
１１ｂ ＲＡＭ（揮発性メモリ）
１１ｃ 不揮発性メモリ
７１ 補助電池
７３ 開封検知スイッチ
７７ 退避制御用ゲートアレイ（退避手段、記録手段、消去手段、通知手段）
７９ 電圧監視回路（電池状態監視手段）
８１ Ｄタイプフリップフロップ回路（補助電力遮断手段）
８５ａ 通電ライン
ＡＮＤ１ ＡＮＤ回路（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＡＮＤ２ ＡＮＤ回路（補助電力遮断手段）
ＡＮＤ３ ＡＮＤ回路（通電遮断手段、放電手段）
Ｃ１ コンデンサ（記憶維持用蓄電手段）
Ｔｒ１ トランジスタ（補助電力遮断手段）
ＯＲ１ ＯＲ回路（補助電力遮断手段）
ＯＲ２ ＯＲ回路（補助電力遮断手段）
ＦＥＴ１ Ｎチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＦＥＴ２ Ｐチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＦＥＴ３ Ｎチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段）
ＦＥＴ４ Ｎチャネル型ＦＥＴ（通電遮断手段、放電手段）
Ｒ３ 抵抗（補助電力遮断手段）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯端末装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯型光学的情報読取装置などの携帯端末装置は、一般的に、端末内に様々な情報を記憶するメモリが設けられており、メモリ内に記憶される情報の中には、ユーザが厳密な管理を望む重要な情報が含まれる場合もありうる。このような重要な情報が不正に読み出されると、ユーザが不利益を被ることが懸念されるため、現在では、端末内に耐タンパ機能を付加し、不正アクセスによる情報漏洩を適切に防止することが求められている。なお、このような技術としては、例えば特許文献１のようなものが提供されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３７７５３公報
【特許文献２】特開２０００−１８１８０４公報
【特許文献３】特開平６−１７５９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１では、タンパ発生時にバックアップ電源を遮断し、即座にＲＡＭ内の情報を消去する構成が開示されており、この構成によれば、タンパ発生時に即座にメモリ内容を消去できるため、情報漏洩を効果的に防止することができる。しかしながら、特許文献１の構成の場合、主電源からの無通電状態が長時間継続したときに、バックアップ電源が放電しきってしまい、タンパ発生時でなくてもメモリ内容が消去される虞がある。この場合、不正行為等が行われていないのにもかかわらず、メモリ復旧などの余計な作業負担が生じかねない。また、通常時にメモリ内に保持しておくべきデータが消去されてしまう虞があるため、データ消失に起因する不測の不利益を被る懸念もある。
【０００５】
また、特許文献２の耐タンパ装置では、装置内に物理的攻撃を監視する監視手段が設けられると共に、メモリ情報を消去するための破壊回路やこの破壊回路を動作させるための電力供給源などが設けられており、外部からの攻撃があった場合には破壊回路によってメモリ情報を消去している。この構成でも、タンパ発生時にメモリ内容を消去することができるため、不正アクセスによる情報漏洩を効果的に防止することができる。しかしながら、特許文献２の構成は、物理的攻撃の監視の際に監視用の微小電流を流し続ける必要があるため、監視時において電力供給源での電力消費を抑えにくく、耐タンパ動作が可能となる期間（耐タンパ動作に必要な電力を確保し続けることができる期間）が短くなりやすい。
【０００６】
一方、電力供給が断たれた場合であってもメモリ内容を保持し得る構成として、特許文献３のようなものが提供されている。この技術では、電池の放電量が予め一定量を超えた場合に揮発メモリの内容を補助記憶装置に退避するようにしている。しかしながら、この特許文献３の構成は、耐タンパ機能を備えていないため、データ退避先の補助記憶装置に対して不正アクセス等がなされたときに情報の漏洩を防ぐことができない。また、特許文献３の技術は、電力供給が完全に断たれる場合を問題としているため、放電量が大きい充放電が繰り返されるときの放電深度に対して何ら対策がなされておらず、使われ方によって電池寿命を早めてしまう場合がある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、補助電池の電池容量が低下する場合に、放電深度をそれほど進行させずに揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避させることができ、ケースが不正に開封される場合には、揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータを消去することができ、更に、補助電池の監視に必要な電力を極めて低く抑えることができる携帯端末装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１の発明は、電子部品を収容するケースと、前記ケース内に収容され、前記電子部品に対して電力を供給する主電池と、電力供給を条件として情報を保持する揮発性メモリと、前記揮発性メモリからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリと、前記ケース内において前記主電池とは異なる位置に配置され、少なくとも前記主電池から前記揮発性メモリへ電力が供給されないときに当該揮発性メモリに対して電力を供給する補助電池と、前記補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、前記補助電池からの電力供給が可能とされ、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記揮発性メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに退避する退避手段と、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記補助電池から前記揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段と、前記補助電池からの通電ラインに接続され、前記ケースが非開封状態のときに前記通電ラインを非通電状態とし、前記ケースが開封状態となったときに前記通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、前記通電遮断手段による通電遮断後、前記揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段と、前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載の携帯端末装置において、前記補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに前記揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、前記退避手段は、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、前記記憶維持用蓄電手段による放電中に前記揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行うことを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の携帯端末装置において、前記退避手段によって前記揮発性メモリのデータを前記不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、前記補助電力遮断手段が、前記通知手段によって前記通知信号が出力されたことを条件として前記補助電池から前記退避手段への電力供給を遮断することを特徴とする。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の携帯端末装置において、前記補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、前記ケース内に前記主電池が装着されているときに、前記主電池からの通電によって前記補助電池が充電されることを特徴とする。
【００１２】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の携帯端末装置において、前記開封検知スイッチは、Ｂ接点方式の機械式スイッチからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明では、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、補助電池からの電力供給が可能とされ、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、揮発性メモリに記憶されるデータを不揮発性メモリに退避する退避手段と、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、補助電池から揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段とが設けられている。
このようにすると、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに、補助電池の電力を利用して、揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避することができる。また、補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに補助電池から揮発性メモリへの電力供給を遮断しているため、放電深度の進行を抑えることができる。
更に、補助電池からの通電ラインに接続され、ケースが非開封状態のときに通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、開封検知スイッチによって通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、前記通電遮断手段による通電遮断後、揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段とが設けられている。この構成によれば、ケースが開封状態となったときにその状態を適切に検出し、揮発性メモリを早期に揮発させてデータを消去できる。
また、開封検知スイッチによって通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段が設けられているため、揮発性メモリの内容消去だけでなく、不揮発性メモリに対しても開封に対する適切な対処（開封の形跡を残存させる対処、或いは記憶内容を消去する対処）が可能となる。
更に、補助電池からの通電ラインに接続される開封検知スイッチは、ケースが非開封状態のときに通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電ラインを通電状態に切り替えるように構成されているため、通常時（非開封状態の時）には開封の監視に必要な電力が極めて低く抑えられ、補助電池による電力供給をより長期間にわたって維持しやすくなる。
【００１４】
請求項２の発明は、補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、補助電力遮断手段によって補助電池から揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、退避手段は、補助電力遮断手段によって補助電池から揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、記憶維持用蓄電手段による放電中に揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行っている。
このようにすると、補助電池からの揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに、記憶維持用蓄電手段からの放電によって揮発性メモリの内容を維持する時間を稼ぐことができ、その放電期間中に揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避することができる。
【００１５】
請求項３の発明は、退避手段によって揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、補助電力遮断手段が、通知手段によって通知信号が出力されたことを条件として補助電池から退避手段への電力供給を遮断している。
このようにすると、揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したことが確実に確認されてから、退避手段への電力供給が遮断されることとなる。
【００１６】
請求項４の発明は、補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、ケース内に主電池が装着されているときに、主電池からの通電によって補助電池が充電されるようになっている。このようにすると、補助電池の交換作業をあまり行わずとも、補助電池の充電状態を良好に保ちやすくなる。
【００１７】
請求項５の発明は、開封検知スイッチが、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されている。このようにすると、ケースが非開封状態のときに補助電池からの通電ラインを非通電状態とし、ケースが開封状態となったときに通電状態に切り替え可能な構成を簡易かつ安価に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る携帯端末を概略的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はその側面図である。
【図２】図２は、第1実施形態に係る携帯端末の電気的構成を概略的に例示するブロック図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１実施形態に係る携帯端末で用いられる無線リーダ部を概略的に例示するブロック図であり、図３（Ｂ）は、情報コード読取部の構成を概略的に例示するブロック図である。
【図４】図４は、第１実施形態に係る携帯端末の一部の回路構成を例示する回路図である。
【図５】図５は、図４の回路構成で用いられるＤタイプフリップフロップの入力と出力の関係を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[第１実施形態]
以下、本発明の携帯端末を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。
（携帯端末の全体構成）
まず、図１〜図３を参照し、携帯端末の全体構成について概説する。
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る携帯端末を概略的に示す平面図であり、図１（Ｂ）はその側面図である。図２は、第1実施形態に係る携帯端末の電気的構成を概略的に例示するブロック図である。図３（Ａ）は、第１実施形態に係る携帯端末で用いられる無線リーダ部を概略的に例示するブロック図であり、図３（Ｂ）は、情報コード読取部の構成を概略的に例示するブロック図である。
【００２０】
図１（Ａ）（Ｂ）に示す携帯端末装置１は、ユーザによって携帯されて様々な場所で用いられる携帯情報端末として構成されており、バーコードや二次元コードなどの情報コードを読み取る情報コードリーダとしての機能と、無線タグを読み取る無線タグリーダとしての機能とを備え、読み取りを二方式で行うことが可能となっている。この携帯端末装置１は、ケース２によって外殻が構成され、このケース２の内部に図２等に示す各種電気部品が収容されている。ケース２は、図１（Ｂ）に示すように上ケース２ａと下ケース２ｂとが例えば図示しない連結部材（ねじ等）によって連結されており、この連結部材を取り外すことで開封することができるようになっている。
【００２１】
図２に示すように、携帯端末装置１は、全体的制御を司る制御部１０を備えており、この制御部１０に、メモリ１１、キー操作部１２、液晶表示器１３、ブザー１４、バイブレータ１５、ＬＥＤ１６、無線リーダ部２０、情報コード読取部３０、ＩｒＤＡ通信部４０、Bluetooth通信部５０、シリアル通信部６０などが接続されている。
【００２２】
制御部１０は、マイコンを主体として構成されるものであり、ＣＰＵ（図４のＣＰＵ参照）、システムバス（図４のバス接続参照）、入出力インタフェース等を有し、メモリ１１とともに情報処理装置として機能している。メモリ１１は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリなどの半導体メモリによって構成されており、様々なプログラムや様々なデータを記憶可能に構成されている。なお、図４では、メモリ１１がＦＲＯＭ１１ａ、ＲＡＭ１１ｂ、ＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリ１１ｃなどによって構成される例を示している。
【００２３】
キー操作部１２は、複数のキーによって構成され、使用者のキー操作に応じて制御部１０に対して操作信号を与える構成をなしており、制御部１０は、キー操作部１２から操作信号を受けたとき、その操作信号に応じた動作を行うように構成されている。なお、図１ではキー操作部１２を構成する複数のキーの図示を省略しているが、このキー操作部１２は、外部操作可能な構成で様々なキー配列とすることができる。液晶表示器１３は、公知の液晶表示パネルによって構成されており、制御部１０によって表示内容が制御されるようになっている。ブザー１４は、公知のブザーによって構成されており、制御部１０からの動作信号に応じて所定の音を発生させるように構成されている。バイブレータ１５は、携帯機器に搭載される公知のバイブレータによって構成されており、制御部１０からの駆動信号に応じて振動を発生させるように構成されている。また、ＬＥＤ１６は、制御部１０からの信号に応じて点灯するように構成されている。
【００２４】
無線リーダ部２０は、アンテナ２５及び制御部１０と協働して図示しない無線タグとの間で電磁波による通信を行い、無線タグ（図示略）に記憶されるデータの読み取り、或いは無線タグへのデータの書き込みを行うように機能している。この無線リーダ部２０は、公知の電波方式で伝送を行う回路として構成されており、図３（Ａ）に示すように、送信回路２１、受信回路２２、整合回路２３などを有している。
【００２５】
送信回路２１は、キャリア発振器、符号化部、増幅器、送信部フィルタ、変調部などによって構成されており、キャリア発振器から例えば周波数９５３ＭＨｚのキャリア（搬送波）が出力される構成をなしている。また、符号化部は、制御部１０に接続されており、当該制御部１０より出力される送信データを符号化して変調部に出力している。変調部は、キャリア発振器からのキャリア（搬送波）、及び符号化部からの送信データが入力される部分であり、キャリア発振器より出力されるキャリア（搬送波）に対し、通信対象へのコマンド送信時に符号化部より出力される符号化された送信符号（変調信号）によってＡＳＫ（Amplitude Shift Keying）変調された被変調信号を生成し、増幅器に出力している。増幅器は、入力信号（変調部によって変調された被変調信号）を所定のゲインで増幅し、その増幅信号を送信部フィルタに出力しており、送信部フィルタは、増幅器からの増幅信号をフィルタリングした送信信号を、整合回路２３を介してアンテナ２５に出力している。このようにしてアンテナ２５に送信信号が出力されると、その送信信号が電磁波として当該アンテナ２５より外部に放射される。
【００２６】
一方、アンテナ２５によって受信された電波信号は、整合回路２３を介して受信回路２２に入力される。この受信回路２２は、受信部フィルタ、増幅器、復調部、二値化処理部、複号化部などによって構成されており、アンテナ２５を介して受信された信号を受信部フィルタによってフィルタリングした後、増幅器によって増幅し、その増幅信号を復調部によって復調する。そして、その復調された信号波形を二値化処理部によって二値化し、復号化部にて復号化した後、その復号化された信号を受信データとして制御部１０に出力している。
【００２７】
情報コード読取部３０は、ＣＣＤエリアセンサなどの固体撮像素子からなる受光センサ３３、結像レンズ３７、複数個のＬＥＤやレンズ等から構成される照明部３１などを備えた構成をなしており、制御部１０と協働して読取対象物Ｒに付された情報コードＣ（バーコードやＱＲコード（登録商標）等）を読み取るように機能する。この情報コード読取部３０では、情報コードの読み取りを行う場合、まず、制御部１０から指令を受けた照明部３１にて照明光Ｌｆが出射され、この照明光Ｌｆが図示しないケースに形成された読取口（図示略）を通って読取対象物Ｒに照射されるようになっている。そして、照明光Ｌｆが情報コードＣにて反射した反射光Ｌｒは読取口を通って装置内に取り込まれ、結像レンズ３７を通って受光センサ３３に受光される。読取口と受光センサ３３との間に配される結像レンズ３７は、情報コードＣの像を受光センサ３３上に結像させる構成をなしており、受光センサ３３はこの情報コードＣの像に応じた受光信号を出力する。受光センサ３３から出力される受光信号は、画像データとしてメモリ１１（図２）に記憶され、デコード処理などに用いられるようになっている。なお、情報コード読取部３０には、受光センサ３３からの信号を増幅する公知の増幅回路や、その増幅された信号をデジタル信号に変換する公知のＡＤ変換回路等が設けられているがこれらの回路については図示を省略している。
【００２８】
更に、制御部１０には、ＩｒＤＡ通信部４０、Bluetooth通信部５０、シリアル通信部６０が接続されている。ＩｒＤＡ通信部４０は、規格化された公知のＩｒＤＡ通信方式で光無線データ通信を行うインタフェースとして構成されている。また、Bluetooth通信部５０は、公知のBluetooth通信規格に基づいて無線通信を行うBluetooth通信インタフェースとして構成されている。シリアル通信部５６は、規格化された公知のシリアル通信方式で外部装置と通信を行う通信インタフェースである。
【００２９】
また、携帯端末装置１には、主電池１７や電源回路として構成される電源部１８が設けられており、これらによって制御部１０や各種電気部品に電力が供給されている。主電池１７は、充電可能な二次電池（例えばリチウムイオン電池等）によって構成されており、充電時には図示しない充電装置からの電力供給を受けることが可能となっている。なお、携帯端末装置１には、主電池１７以外に補助電池７１も設けられているが、図１では補助電池７１の図示を省略している。
【００３０】
（特徴的構成）
次に、携帯端末装置１の特徴的構成について説明する。なお、図４は、第１実施形態に係る携帯端末の一部の回路構成を例示する回路図である。また、図５は、図４の回路構成で用いられるＤタイプフリップフロップの入力と出力の関係を説明する説明図である。
【００３１】
本実施形態に係る携帯端末装置１では、ケース内のメモリ１１に重要な情報（例えば、秘匿性の高い情報コードを読み取った情報、決済データなどの情報等）が記憶される場合が多く、第三者によって不正開封された場合に適切な対処が求められる。一方で、正規使用の場合には必要なデータを継続的に保存しておくべき場合も多い。そこで、本実施形態では以下に説明する回路構成を用いることで適切なバックアップ動作を行い、このような問題を解消している。
【００３２】
＜１．バックアップ動作のための回路構成＞
本実施形態では、具体的には図４のような回路構成をなしている。この回路構成では、主電池の一端側に電源部１８（電源回路）が接続されており、電源キーがオン状態となっているときに、電源部（電源回路）１８から電源供給ラインを通ってＣＰＵ、ＦＲＯM１１ａ，ＲＡＭ１１ｂに電力が供給されるようになっている。また、ＣＰＵは、ＲＡＭ１１ｂと退避用不揮発性メモリ１１ｃ（以下、単に不揮発性メモリ１１ｃとも称する）の間のスイッチＳＷ１を切り替え可能に構成されており、ＣＰＵに電力が供給されて動作可能状態となっているときには、ＣＰＵがスイッチＳＷ１をオン状態又はオフ状態に切り替えることができるようになっている。従って、ＣＰＵに動作用電力が供給されないとき（例えば主電池１７が取り外されている時）には、スイッチＳＷ１がオフ状態に維持され、このときには、電源部（電源回路）１８側から不揮発性メモリ１１ｃに対し電力が供給されないようになっている。なお、ＣＰＵ，ＦＲＯＭ１１ａ、ＲＡＭ１１ｂ、不揮発性メモリ１１ｃ、退避制御用ゲートアレイ７７は、バスラインによってバス接続されており、各部品に電力が供給されているときにはバスラインを介してデータの入力動作或いはデータの出力動作を行うことができるようになっている。なお、バスラインには、データを保持するバッファが介在している。
【００３３】
図４の回路構成では、メモリ１１として、各種プログラム等を記憶するＦＲＯＭ１１ａ、電力供給を条件として情報を保持するＲＡＭ１１ｂ、ＲＡＭ１１ｂからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリ１１ｃ（ＥＥＰＲＯＭやフラッシュメモリ等）などが設けられている。なお、これら以外のメモリについては図示を省略している。ＲＡＭ１１ｂは、電力供給を受けているときに記憶が維持され、電力供給が途絶えたときに揮発する揮発性メモリであり、携帯端末装置１で扱われるプログラムや様々なデータ（データをやり取りするための暗号鍵、頻繁に使用するデータ（処理速度を向上させるために揮発メモリに記憶しておくべきもの）、情報コードを読み取ったデータ、決済処理で扱われる各種決済データ等）を記憶可能とされている。不揮発性メモリ１１ｃは、バスラインを介してＲＡＭ１１ｂに接続されており、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを退避して記憶可能に構成されている。
【００３４】
また、ケース２内において主電池１７とは異なる位置に補助電池７１（サブ電池）が配置されている。この補助電池７１は、少なくとも主電池１７からＲＡＭ１１ｂへ電力が供給されないときに当該ＲＡＭ１１ｂに対して電力を供給するように構成されている。
【００３５】
更に、携帯端末装置１の内部には、電圧監視回路７９、退避制御用ゲートアレイ７７、昇圧回路７５、Ｄタイプフリップフロップ（以下Ｄフリップフロップともいう）８１などが設けられている。電圧監視回路７９は、「電池状態監視手段」の一例に相当し、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否か（具体的には、電源ラインＢｕＶが閾値Ｖ１を下回る状態となったか否か）を監視するように機能している。また、退避制御用ゲートアレイ７７は、「退避手段」の一例に相当し、補助電池７１からの電力（より詳しくは昇圧回路７５で昇圧された電力）が供給可能とされ、電圧監視回路７９（電池状態監視手段）によって前記「所定の低レベル状態」が検出された場合に、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避するように機能している。
【００３６】
また、主電池１７から電源部（電源回路）１８までの電力ラインには、降圧回路１９（降圧ＩＣ）が接続され、主電池１７の電圧を降圧させて出力している。降圧回路１９（降圧ＩＣ）の出力側には、ダイオードＤ１のアノード側が接続され、ダイオードＤ１のカソード側には抵抗Ｒ１の一端側が接続されている。また、ダイオードＤ１のアノード側にはＮチャネル型ＦＥＴ５（以下、単にＦＥＴ５とも称する）のゲート端子が接続され、このＮチャネル型ＦＥＴ５のソース端子は接地されている。また、Ｎチャネル型ＦＥＴ５のドレイン端子は、Ｐチャネル型ＦＥＴ６（以下、単にＦＥＴ６とも称する）のゲート端子が接続され、、Ｎチャネル型ＦＥＴ５のドレイン端子とＰチャネル型ＦＥＴ６のゲート端子の間には抵抗Ｒ６の一端側が接続され、抵抗Ｒ６の他端側はＮチャネル型ＦＥＴ５のゲート端子に接続されている。
【００３７】
更に、Ｐチャネル型ＦＥＴ６のドレイン端子には抵抗Ｒ１の他端側（ダイオードＤ１側とは反対側）が接続され、Ｐチャネル型ＦＥＴ６のソース端子には、補助電池７１の一端側からの電力ラインが接続されている。この構成では、主電池１７が装着されているときに、Ｎチャネル型ＦＥＴ５がオン状態となり、更にＰチャネル型ＦＥＴ６もオン状態となる。従って、降圧回路１９（降圧ＩＣ）からダイオードＤ１及び抵抗Ｒ１を介して電流が供給され、補助電池７１が充電される。また、このとき、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間のＢｕＶの電圧に基づいて、後述するメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）に電力が供給されるようになっている。一方、主電池１７が装着されていないときには、、Ｎチャネル型ＦＥＴ５及びＰチャネル型ＦＥＴ６がいずれもオフ状態となる。
【００３８】
また、補助電池７１の一端側（接地側とは反対側）には、開封検知スイッチ７３が接続されている。この開封検知スイッチ７３は、補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続され、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるように機能している。この開封検知スイッチ７３は、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されており、図１（Ｂ）のように上ケース２ａと下ケース２ｂとが結合している場合には、開封検知スイッチ７３の押圧部（スイッチ操作部）が上ケース２ａ又は下ケース２ｂに押圧された押圧状態が維持され、このときには通電ライン８５ａが非通電状態で維持される。一方、ケース２が開封されて上ケース２ａと下ケース２ｂが離間したときには、開封検知スイッチ７３の押圧部（スイッチ操作部）が非押圧状態となり、このときには通電ライン８５ａが通電状態で維持されるようになっている。
【００３９】
上記開封検知スイッチ７３は、一端側が補助電池７１の一端側に接続され、他端側は、信号Ｓ５の信号ライン８５ｂとして、ＣＰＵの１つのポート，ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の一方の入力端子、退避制御用ゲートアレイ７７の入力端子、トランジスタＴｒ２のエミッタ端子にそれぞれ接続されている。開封検知スイッチ７３の他端側に接続される信号ライン８５ｂは、抵抗Ｒ５を介して接地されており、開封検知スイッチ７３がオン状態（通電状態）となっているときに補助電池７１から電力が供給され、信号Ｓ５がＨレベル信号となるように構成されている。逆に、開封検知スイッチ７３がオフ状態（非通電状態）となっているときには、補助電池７１からの電力供給が遮断され、信号Ｓ５がＬレベル信号となるように構成されている。
【００４０】
ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）は、電源部（電源回路）１８からの電源供給ラインの電圧レベルが反転されて一方の入力端子に入力され、開封検知スイッチ７３からの信号ライン８５ｂの電圧レベルが他方の入力端子に入力されるようになっている。そして、電源供給ラインがＬレベルの場合（即ち電源部（電源回路）１８からの電力供給が途絶えている電源オフ状態）であって、且つ信号ライン８５ｂがＨレベルの場合（即ち、開封検知スイッチ７３がオン状態）の場合にＨレベル信号を出力するようになっている。
【００４１】
Ｎチャネル型ＦＥＴ４（以下、単にＦＥＴ４とも称する）は、ゲート端子がＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力端子に接続され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からＨレベル信号が出力されるときにオン状態となるように構成されている。このようにＮチャネル型ＦＥＴ４がオン状態となったとき（即ち、電源オフ状態であってケース２が開封されたとき）には、コンデンサＣ１に蓄積された電荷が放電され、ＲＡＭ１１ｂが揮発して記憶内容が消去されるようになっている。
【００４２】
また、補助電池７１の一端側に接続されるもう一つの通電ライン８６ａには、Ｐチャネル型ＦＥＴ２（以下、単にＦＥＴ２とも称する）のドレイン端子と、トランジスタＴｒ１のエミッタ端子とが接続されている。Ｐチャネル型ＦＥＴ２は、ゲート端子がＮチャネル型ＦＥＴ１（以下、単にＦＥＴ１とも称する）のドレイン端子に接続され、ソース端子が上述のダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間（電圧ＢｕＶが生じる部分）に接続されている。また、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子には通電ライン８６を介してコンデンサＣ３の一端側が接続されると共に、電圧監視回路７９が接続され、更に、Ｄフリップフロップ回路８１のＰＲＥ端子が接続されている。Ｎチャネル型ＦＥＴ１は、ゲート端子がＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力端子に接続されており、ソース端子が接地されている。また、Ｎチャネル型ＦＥＴ１のドレイン端子とＰチャネル型ＦＥＴ２のゲート端子の間のラインには、抵抗Ｒ２の一端側が接続されており、抵抗Ｒ２の他端側はＰチャネル型ＦＥＴ２のドレイン端子と補助電池７１の間に接続されている。
【００４３】
この構成では、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＬレベルのときにＮチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオフとなり、このときには、通電ライン８６ａを介した補助電池７１からの電力供給（通電ライン８６ｂ側への電力供給）が遮断されるようになっている。一方、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＨレベルのときには、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオンとなり、このときには、補助電池７１から通電ライン８６ａを介して通電ライン８６ｂ側に電力が供給され、コンデンサＣ１やＲＡＭ１１ｂに電力が供給されるようになっている。
【００４４】
コンデンサＣ３は、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子に接続されると共に、ダイオードＤ１と抵抗Ｒ１の間の電圧ＢｕＶラインに接続され、主電池１７が接続されているときにこの主電池１７からの電力によって充電されるようになっている。また、主電池１７が取り外されている場合でも、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＨレベルのとき（即ち、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオンのとき）には、補助電池７１からの電力供給によって充電されるようになっている。一方、主電池１７が取り外されて主電池１７からの電力供給が途絶え、且つＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力がＬレベルとなって（即ち、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオフとなり）補助電池７１からの電力供給が途絶えたときには放電するようになっている。
【００４５】
電圧監視回路７９は、「電池状態監視手段」の一例に相当するものであり、例えば公知の比較器などによって構成され、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否か（具体的には、Ｐチャネル型ＦＥＴ２のソース端子及び電源ラインＢｕＶに接続される通電ライン８６ｂが閾値Ｖ１を下回る状態となったか否か）を監視するように機能しており、通電ライン８６ｂの電圧が閾値Ｖ１を下回ったときにＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の入力端子及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の入力端子にＬレベル信号を出力している。逆に、通電ライン８６ｂの電圧が閾値Ｖ１以上のときにはＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の入力端子及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の入力端子にＨレベル信号を出力している。なお、電圧監視回路７９からＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に出力される信号は、反転されてＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に入力されるようになっている。
【００４６】
Ｄフリップフロップ回路８１は、公知のＤタイプフリップフロップ回路によって構成されており、入力と出力の関係が図５のようになっている。本実施形態では、電源キーによってオフ操作がなされたとき、ＣＰＵへの電力供給が完全に遮断される前に、ＣＰＵがＤフリップフロップ回路８１のＤ端子への信号Ｓ１をＨレベルに設定し、その状態でＣＬＫ端子へのＳ２をＬレベルからＨレベルに切り替えており、その後、電源をオフにしている。従って、電源オフ後には、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からの出力がＨレベルに維持され、この信号がＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）及びＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）に入力されるようになっている。
【００４７】
ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）は、信号Ｓ５がＬレベル（即ち、開封検知スイッチ７３がオフ状態）、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子がＨレベル、電圧監視回路７９からの出力がＨレベルの場合にＨレベル信号が出力されるようになっており、そうでない場合には、Ｌレベル信号が出力されるようになっている。
【００４８】
ＯＲ回路（ＯＲ２）は、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からの出力がＨレベルのとき（電源オフ状態で開封検知スイッチ７３がオン状態となったとき）又はＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）からの出力がＬレベルのとき（電源オフ時に電圧監視回路７９からの出力がＬレベルとなったとき、即ち、電源オフ時に通電ライン８６ｂの電圧がＶ１未満に低下したとき）にＨレベル信号を出力するように構成されている。
【００４９】
Ｎチャネル型ＦＥＴ３は、ゲート端子がＯＲ回路（ＯＲ２）の出力端子に接続され、ソース端子が接地されており、ドレイン端子が抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ１のベース端子に接続されている。このＮチャネル型ＦＥＴ３は、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＨレベルとなったときにオン状態となり、このようにＮチャネル型ＦＥＴ３がオン状態となったときにトランジスタＴｒ１がオン状態となるように構成されている。
【００５０】
また、補助電池７１からの通電ライン８６ｂには、ダイオードＤ３のアノード端子が接続されており、ダイオードＤ３のカソード端子は、ＲＡＭ１１ｂに接続されている。更に、ダイオードＤ３のカソード側には、コンデンサＣ１の一端側が接続されており、コンデンサＣ１の他端側は接地されている。この構成では、電源部（電源回路）１８からの電力供給がオフとなっているとき、Ｎチャネル型ＦＥＴ１及びＰチャネル型ＦＥＴ２がいずれもオン状態であれば補助電池７１からコンデンサＣ１及びＲＡＭ１１ｂに電力が供給されることになる。
【００５１】
＜２．主電池の装着時の基本動作＞
このように構成される携帯端末装置１では、補助電池７１が充電可能な二次電池によって構成され、主電池１７が装着されているときには、上述したように、Ｎチャネル型ＦＥＴ５がオン状態となり、且つＰチャネル型ＦＥＴ６がオン状態となる。これにより、降圧回路１９（降圧ＩＣ）からダイオードＤ１、抵抗（充電電流制限抵抗）Ｒ１を介して充電電流が供給され、補助電池７１（サブ電池）が充電される。あわせて、ダイオードＤ１−抵抗Ｒ１間の電圧ＢｕＶに基づいて、上述のメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）に電力が供給される。
【００５２】
また、主電池１７が装着されている場合、電源キーがオン状態のときには、電源部（電源回路）１８から電力供給ライン（電源供給ライン）を通ってＣＰＵ、ＦＲＯＭ１１ａ，ＲＡＭ１１ｂ、コンデンサＣ１に電力が供給され、スイッチＳＷ１がオン状態のときには不揮発性メモリ１１ｃにも電力が供給される。
【００５３】
＜３．電源オフ時の基本動作＞
携帯端末装置１は、電源キーの操作で電源をオフするとき（電源部（電源回路）１８からの電力供給を遮断しようとするとき）、上述したように電源オフに先立ってＣＰＵが信号Ｓ１をＨレベルに設定すると共に、その状態で信号Ｓ２をＬレベルからＨレベルに切り替え、その後に電源部（電源回路）１８からの電力供給が遮断されるようになっている。これにより、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からの出力がＨレベルとなる。このとき、通電ライン８６ｂの電圧がＶ１以上であり、ケース２が開封されていない状態（即ち、開封検知スイッチ７３がオフ状態）の場合には、ＦＥＴ１及びＦＥＴ２がいずれもオン状態となるため、通電ライン８６ｂに接続されるＢｕＶと補助電池７１（サブ電池）とが通電状態となる。この場合、この後に主電池１７が取り外されたとしても、メモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）等）などは、ＢｕＶに接続された補助電池７１の電力で動作を継続できる。
【００５４】
＜４．補助電池の電圧低下時の動作＞
次に、主電池１７が取り外された状態で補助電池７１の端子電圧が低下した場合について説明する。
主電池１７が取り外された状態で補助電池７１の端子電圧が低下した場合、その低下が大きくなると、ＢｕＶの電圧（即ち、通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧（閾値電圧）Ｖ１を下回ることになる。このようにＢｕＶの電圧（通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧（閾値電圧）Ｖ１を下回ると、上述のようにＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）からＬレベルの信号が出力され、これによりＦＥＴ１、ＦＥＴ２がいずれもオフ状態となる。このとき、補助電池７１と通電ライン８６ｂとの接続が遮断され、通電ライン８６ｂには補助電池７１から電力が供給されなくなる。これにより、通電ライン８６ｂを介したＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断される。
【００５５】
また、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたとき、同時に、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の出力がＨレベルとなり、これによりＯＲ回路（ＯＲ２）の出力もＨレベルになる。そして、ＯＲ回路（ＯＲ２）からのＨレベル信号の出力に応じて、Ｎチャネル型ＦＥＴ３及びトランジスタＴｒ１がオン状態となり、補助電池７１から昇圧回路７５へ電力が供給される。これにより、昇圧回路７５が動作し、昇圧された電圧を退避制御用ゲートアレイ７７に供給する。なお、このとき、ＢｕＶライン（即ち、通電ライン８６ｂ）が補助電池７１から切り離されるが、コンデンサＣ３が設けられているため、退避処理が終わるまでコンデンサＣ３からの電力供給によりメモリバックアップ用の各回路（ＯＲ回路（ＯＲ１）、Ｄフリップフロップ回路８１、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２），ＯＲ回路（ＯＲ２），ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）、昇圧回路７５等）を動作させることができる。
【００５６】
また、このように補助電池７１の電圧低下時に昇圧回路７５が駆動されたときには、退避制御用ゲートアレイ７７が動作し、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避させるようになっている。
【００５７】
退避制御用ゲートアレイ７７は、例えば昇圧回路７５から駆動電圧が供給されたことをトリガとして動作が開始するように構成されており、動作開始後には、まず、開封検知信号Ｓ５を確認している。そして、開封検知信号Ｓ５がＬレベル（即ち、開封検知スイッチ７３が非通電状態）であれば、退避動作を実行し、ＲＡＭ１１ｂに記憶されたデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避（記憶）している。そして、そのデータ退避動作の完了後に完了信号Ｓ３を出力している。
【００５８】
また、本実施形態では、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２がオフ状態となったときに補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されるが、退避制御用ゲートアレイ７７による退避動作中には、上述のコンデンサＣ１によってＲＡＭ１１ｂへの放電がなされるようになっているため、このコンデンサＣ１の放電によってＲＡＭ１１ｂへの電力供給が維持されている間にＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。
【００５９】
退避制御用ゲートアレイ７７は、上述の退避動作が終了した後に、Ｈレベルの完了信号Ｓ３を所定期間出力し、その後、Ｓ３のラインをＬレベルに戻す。一方、ＣＰＵからの信号Ｓ１，Ｓ２は、電源オフ時にはＬレベルになっているため、Ｈレベルの完了信号Ｓ３がＯＲ回路（ＯＲ１）に入力されると、Ｄフリップフロップ回路８１のＤ端子がＬレベルに維持された状態でＣＬＫ端子にはＬレベルからＨレベルの立ち上がり信号が入力される。これにより、Ｄフリップフロップ回路８１のＱ端子からはＬレベルの信号が出力され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）の出力はＬレベルに切り替わる。従って、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力がＨレベルでない限り、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＬレベルとなり、ＦＥＴ３、トランジスタＴｒ１がいずれもオフ状態となる。これにより、補助電池７１から昇圧回路７５への電力供給が停止する。
【００６０】
なお、本実施形態では、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ２）、Ｎチャネル型ＦＥＴ１、Ｐチャネル型ＦＥＴ２、ＯＲ回路（ＯＲ１）、ＯＲ回路（ＯＲ２）、Ｄフリップフロップ回路８１、Ｎチャネル型ＦＥＴ３、抵抗Ｒ３，トランジスタＴｒ１が「補助電力遮断手段」の一例に相当し、電圧監視回路７９（電池状態監視手段）によって所定の低レベル状態（ＢｕＶの電圧が監視電圧Ｖ１を下回る状態）が検出された場合に、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへ供給される電力を遮断するように機能する。具体的には、退避制御用ゲートアレイ７７（通知手段）は、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したときにＨレベルの完了信号Ｓ３（通知信号）を出力しており、上記「補助電力遮断手段」は、この通知手段によって完了信号Ｓ３（通知信号）が出力されたことを条件として補助電池７１から退避制御用ゲートアレイ７７（退避手段）への電力供給を遮断している。
【００６１】
また、コンデンサＣ１は、「記憶維持用蓄電手段」の一例に相当しており、ＢｕＶ電圧（通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧Ｖ１を上回るときには、補助電池７１からの電力供給を受けて充電可能に構成され、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１），Ｎチャネル型ＦＥＴ１，Ｐチャネル型ＦＥＴ２によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときには、ＲＡＭ１１ｂに対して放電するように構成されている。
【００６２】
＜５．ケースの開封時の動作＞
次に、電源オフ時にケース２が開封された場合について説明する。
図４の構成では、開封検知スイッチ７３が、上述したようにＢ接点方式の機械式スイッチによって構成されており、携帯端末装置１が未開封のときにオープン状態（非通電状態）となり、携帯端末装置１が開封されたときにオン状態（通電状態）となるように構成されている。
【００６３】
この構成では、携帯端末装置１の電源がオフの状態（電源部（電源回路）１８からの電力供給ラインがＬレベルの状態）でケース２が開封された場合、開封検知信号Ｓ５がＬレベルからＨレベルに変化し、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力がＬレベルからＨレベルに変化する。すると、Ｎチャネル型ＦＥＴ４がオン状態となるため、ＲＡＭ１１ｂの電源供給ラインに接続されたコンデンサＣ１の電荷が放電する。また、信号ライン８５ｂがＨレベルとなるためＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）の出力はＬレベルになり、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２がオフ状態となる。従って、補助電池７１からコンデンサＣ１，ＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断される。このような動作により、ＲＡＭ１１ｂへの電力供給が即座に遮断されてＲＡＭ１１ｂのメモリ内容が消去（揮発）される。
【００６４】
なお、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ１）、ＦＥＴ１、ＦＥＴ２、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）、Ｎチャネル型ＦＥＴ４は、「通電遮断手段」の一例に相当し、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断するように機能する。また、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）及びＮチャネル型ＦＥＴ４は、「放電手段」の一例に相当し、通電遮断手段による通電遮断後、ＲＡＭ１１ｂへ供給されていた電力を無力化させるように機能する。
【００６５】
また、上記のように開封検知信号Ｓ５がＬレベルからＨレベルに変化し、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）からの出力がＨレベルになったときには、ＯＲ回路（ＯＲ２）の出力がＨレベルに変化する。そして、Ｎチャネル型ＦＥＴ３、トランジスタＴｒ１がともにオン状態になり、補助電池７１から昇圧回路７５へ電力が供給される。これにより、昇圧回路７５が駆動し、昇圧された電圧を退避制御用ゲートアレイ７７や不揮発性メモリ１１ｃ（退避用不揮発性メモリ）に供給する。
【００６６】
退避制御用ゲートアレイ７７は、上述したように昇圧回路７５から駆動電圧を供給されたときに動作が開始し、まず、開封検知信号Ｓ５を確認している。そして、Ｓ５がＬレベルの場合は上述したように退避処理を行っている。一方、開封検知スイッチ７３がオン状態となって開封検知信号Ｓ５がＨレベルになっているときには退避処理を行わず、不揮発性メモリ１１ｃの内容の全てもしくは一部を消去し、不揮発性メモリ１１ｃ内のある特定のアドレスに開封検知の動作を行ったことを記録する。
【００６７】
なお、退避制御用ゲートアレイ７７は、「記録手段」若しくは「消去手段」の一例に相当し、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリ１１ｃに開封された形跡を残す、もしくは記憶されたデータを消去するように機能する。
【００６８】
また、本実施形態では、ＢｕＶ電圧（即ち通電ライン８６ｂの電圧）が監視電圧Ｖ１を下回り、ＦＥＴ２がオフ状態（ＢｕＶ電源なし）となっているときでも、開封時のタンパアクション（退避用不揮発性メモリ１１ｃの消去等）ができるように、トランジスタＴｒ２を介して補助電池７１から昇圧回路７５に電力を供給可能となっている。
【００６９】
なお、本実施形態では、電源キーの操作によって電源オン状態となり、電源部（電源回路）１８から電力供給ライン（電源供給ライン）への電力供給が開始された時には、ＣＰＵが不揮発性メモリ１１ｃ（退避用不揮発性メモリ）の内容を読み出すようになっている。そして、上述のように不揮発性メモリ１１ｃのある特定のアドレスに開封検知の動作を行ったことが記録されている場合には、ＦＲＯＭ１１ａ内のファイルデータを消去したり、端末機能を停止させることができるようになっている。
【００７０】
また、本実施形態では、電源がオン状態のとき（電源部（電源回路）１８から電力が供給されているとき）に開封検知スイッチ７３が開封検知した場合、信号ライン８５ｂはＨレベルになるが、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）のもう一方の端子の入力（電源供給ラインの反転入力）がＬレベルとなるため、ＡＮＤ回路（ＡＮＤ３）の出力はＬレベルに維持されたままとなる。この場合、ＦＥＴ４や昇圧回路７５は動作しないが、本実施形態では開封検知信号Ｓ５をＣＰＵが監視しており、ＣＰＵが開封と判断した場合（Ｓ５がＨレベルに変化したと判断した場合）には、ＣＰＵがＲＡＭ１１ｂや不揮発性メモリ１１ｃに記憶されたデータを消去したり、端末の特定機能を停止するように制御を行っている。
【００７１】
本実施形態の回路構成では、補助電池７１に接続される回路は、ＦＥＴ２、ＦＥＴ１（抵抗Ｒ２を介して接続）、ＦＥＴ６、トランジスタＴｒ１、開封検知スイッチ７３であるが、主電池１７が取り外され、補助電池７１の電圧が監視電圧Ｖ１を下回り、更に、ケース２が開封されていない場合、ＦＥＴ２、ＦＥＴ１（抵抗Ｒ２を介して接続）、ＦＥＴ６、トランジスタＴｒ１が全てオフ状態となるため電流が流れない。また、開封検知スイッチ７３も非通電状態（オープン状態）のため電流は流れない。このように、補助電池７１からの通電経路が全て遮断された状態となるため、微小な電流さえも消費しなくて済み、長時間放置されたあとでも、確実にタンパアクションさせることができる。
【００７２】
（本実施形態の主な効果）
本実施形態に係る携帯端末装置１では、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、補助電池７１からの電力供給が可能とされ、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避手段と、電池状態監視手段によって所定の低レベル状態が検出された場合に、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへ供給される電力を遮断し、少なくとも退避手段によってＲＡＭ１１ｂのデータが不揮発性メモリ１１ｃに退避された後に、補助電池７１から退避手段へ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段とが設けられている。従って、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに、補助電池７１の電力を利用して、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。また、補助電池７１からの電力供給が所定の低レベル状態まで低下したときに補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給を遮断することができるため、放電深度の進行を抑えることができる。
【００７３】
ところで、揮発メモリのバックアップ用２次電池（リチウム２次電池など）は、放電量を大きく設定した充放電を繰り返した場合、電池容量が徐々に低下し、電池容量が半減してしまうような寿命を早く迎えてしまう。一方、バックアップ用の２次電池は通常、端末装置内部に配置され、交換することを想定しない。特に耐タンパ機能を持たせた端末装置では、交換できる構造自体が改造や解析の糸口になりかねないためである。このため、端末装置の実働期間に合わせ、放電深度を深くしない設定が必要になる。
【００７４】
また、バックアップ対象のデータは、端末装置の実運用に必要不可欠なデータを持たせる場合があるので（例えば、データをやり取りするための暗号鍵や、頻繁に使うようなデータで処理速度を向上させるために揮発メモリに保持する場合など）、バックアップ電池残量がなくなって、データが揮発してしまうと、次回使用時にデータの再ダウンロードが必要になり、使い勝手が悪くなる。このため、バックアップ電池残量が少なくなってきた場合には、不揮発性メモリにデータを退避できると便利である。本実施形態では、このようないずれの要求をも満たすことができ、上述したバックアップ電池の放電深度を深くせずに、バックアップ電池残量が少なくなってきた場合に、不揮発性メモリにデータを退避することが可能となる。
【００７５】
一方、近年の機器では、携帯端末内のセキュリティ性の要求が特に高くなってきており、ケースが開封されたときに、機器内のセキュリティ情報を漏洩させにくい何らかのタンパアクションを実行する必要がある。一方、常時、電源供給されている機器では、タンパアクションのための電力確保が可能だが、携帯端末のような電池駆動の機器では、電池を外された場合には電力確保ができない。このため、重要データを揮発メモリに持たせ、タンパ発生時にバックアップ電源を遮断して、即座にメモリ内容を揮発させる必要がある。
【００７６】
このような問題に対し、本実施形態では開封検知スイッチ７３（補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続され、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるスイッチ）が設けられ、更に、この開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断する通電遮断手段と、通電遮断後、ＲＡＭ１１ｂへ供給されていた電力を無力化させる放電手段とが設けられている。この構成によれば、ケース２が開封状態となったときにその状態を適切に検出し、ＲＡＭ１１ｂを早期に揮発させてデータを消去できる。
また、開封検知スイッチ７３によって通電ライン８５ａが通電状態に切り替えられたときに、不揮発性メモリ１１ｃに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段が設けられているため、ＲＡＭ１１ｂの内容消去だけでなく、不揮発性メモリ１１ｃに対しても開封に対する適切な対処（開封の形跡を残存させる対処、或いは記憶内容を消去する対処）が可能となる。
【００７７】
更に、補助電池７１からの通電ライン８５ａに接続される開封検知スイッチ７３は、ケース２が非開封状態のときに通電ライン８５ａを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電ライン８５ａを通電状態に切り替えるように構成されているため、通常時（非開封状態の時）には開封の監視に必要な電力が極めて低く抑えられ、補助電池７１による電力供給をより長期間にわたって維持しやすくなる。
【００７８】
また、本実施形態では、補助電池７１からの電力供給を受けて充電可能に構成され、補助電力遮断手段によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときにＲＡＭ１１ｂに対して放電可能なコンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）が設けられている。そして、退避手段は、補助電力遮断手段によって補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたとき、コンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）による放電中にＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータの退避動作を行っている。
このようにすると、補助電池７１からのＲＡＭ１１ｂへの電力供給が遮断されたときに、コンデンサＣ１（記憶維持用蓄電手段）からの放電によってＲＡＭ１１ｂの内容を維持する時間を稼ぐことができ、その放電期間中にＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避することができる。
【００７９】
また、本実施形態では、退避手段によってＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段が設けられており、補助電力遮断手段は、通知手段によって通知信号が出力されたことを条件として補助電池７１から退避手段への電力供給を遮断している。
このようにすると、ＲＡＭ１１ｂのデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避する退避動作が完了したことが確実に確認されてから、退避手段への電力供給が遮断されることとなる。また、退避動作後には補助電池７１からの不要な電力供給を適切に抑えることができる。
【００８０】
また、本実施形態では、補助電池７１が、充電可能な二次電池によって構成され、ケース２内に主電池１７が装着されているときに、主電池１７からの通電によって補助電池７１が充電されるようになっている。このようにすると、補助電池７１の交換作業をあまり行わずとも、補助電池７１の充電状態を良好に保ちやすくなる。
【００８１】
また、本実施形態では、開封検知スイッチ７３が、Ｂ接点方式の機械式スイッチによって構成されている。このようにすると、ケース２が非開封状態のときに補助電池７１からの通電ラインを非通電状態とし、ケース２が開封状態となったときに通電状態に切り替え可能な構成を簡易かつ安価に実現できる。
【符号の説明】
【００８２】
１ 携帯端末装置
２ ケース
１７ 主電池
１１ｂ ＲＡＭ（揮発性メモリ）
１１ｃ 不揮発性メモリ
７１ 補助電池
７３ 開封検知スイッチ
７７ 退避制御用ゲートアレイ（退避手段、記録手段、消去手段、通知手段）
７９ 電圧監視回路（電池状態監視手段）
８１ Ｄタイプフリップフロップ回路（補助電力遮断手段）
８５ａ 通電ライン
ＡＮＤ１ ＡＮＤ回路（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＡＮＤ２ ＡＮＤ回路（補助電力遮断手段）
ＡＮＤ３ ＡＮＤ回路（通電遮断手段、放電手段）
Ｃ１ コンデンサ（記憶維持用蓄電手段）
Ｔｒ１ トランジスタ（補助電力遮断手段）
ＯＲ１ ＯＲ回路（補助電力遮断手段）
ＯＲ２ ＯＲ回路（補助電力遮断手段）
ＦＥＴ１ Ｎチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＦＥＴ２ Ｐチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段、通電遮断手段）
ＦＥＴ３ Ｎチャネル型ＦＥＴ（補助電力遮断手段）
ＦＥＴ４ Ｎチャネル型ＦＥＴ（通電遮断手段、放電手段）
Ｒ３ 抵抗（補助電力遮断手段）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収容するケースと、
前記ケース内に収容され、前記電子部品に対して電力を供給する主電池と、
電力供給を条件として情報を保持する揮発性メモリと、
前記揮発性メモリからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリと、
前記ケース内において前記主電池とは異なる位置に配置され、少なくとも前記主電池から前記揮発性メモリへ電力が供給されないときに当該揮発性メモリに対して電力を供給する補助電池と、
前記補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、
前記補助電池からの電力供給が可能とされ、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記揮発性メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに退避する退避手段と、
前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記補助電池から前記揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段と、
前記補助電池からの通電ラインに接続され、前記ケースが非開封状態のときに前記通電ラインを非通電状態とし、前記ケースが開封状態となったときに前記通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、
前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、
前記通電遮断手段による通電遮断後、前記揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段と、
前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段と、
を備えたことを特徴とする携帯端末装置。
【請求項２】
前記補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに前記揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、
前記退避手段は、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、前記記憶維持用蓄電手段による放電中に前記揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の携帯端末装置。
【請求項３】
前記退避手段によって前記揮発性メモリのデータを前記不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、
前記補助電力遮断手段が、前記通知手段によって前記通知信号が出力されたことを条件として前記補助電池から前記退避手段への電力供給を遮断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の携帯端末装置。
【請求項４】
前記補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、
前記ケース内に前記主電池が装着されているときに、前記主電池からの通電によって前記補助電池が充電されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の携帯端末装置。
【請求項５】
前記開封検知スイッチは、Ｂ接点方式の機械式スイッチからなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の携帯端末装置。
【請求項１】
電子部品を収容するケースと、
前記ケース内に収容され、前記電子部品に対して電力を供給する主電池と、
電力供給を条件として情報を保持する揮発性メモリと、
前記揮発性メモリからの情報を退避可能に接続される不揮発性メモリと、
前記ケース内において前記主電池とは異なる位置に配置され、少なくとも前記主電池から前記揮発性メモリへ電力が供給されないときに当該揮発性メモリに対して電力を供給する補助電池と、
前記補助電池からの電力供給が所定の低レベル状態となったか否かを監視する電池状態監視手段と、
前記補助電池からの電力供給が可能とされ、前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記揮発性メモリに記憶されるデータを前記不揮発性メモリに退避する退避手段と、
前記電池状態監視手段によって前記所定の低レベル状態が検出された場合に、前記補助電池から前記揮発性メモリへ供給される電力を遮断する補助電力遮断手段と、
前記補助電池からの通電ラインに接続され、前記ケースが非開封状態のときに前記通電ラインを非通電状態とし、前記ケースが開封状態となったときに前記通電ラインを通電状態に切り替える開封検知スイッチと、
前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記揮発性メモリへの通電を遮断する通電遮断手段と、
前記通電遮断手段による通電遮断後、前記揮発性メモリへ供給されていた電力を無力化させる放電手段と、
前記開封検知スイッチによって前記通電ラインが通電状態に切り替えられたときに、前記不揮発性メモリに開封された形跡を残す記録手段、もしくは記憶されたデータを消去する消去手段と、
を備えたことを特徴とする携帯端末装置。
【請求項２】
前記補助電池からの電力供給を受けて充電可能に構成され、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたときに前記揮発性メモリに対して放電可能な記憶維持用蓄電手段を備え、
前記退避手段は、前記補助電力遮断手段によって前記補助電池から前記揮発性メモリへの電力供給が遮断されたとき、前記記憶維持用蓄電手段による放電中に前記揮発性メモリに記憶されるデータの退避動作を行うことを特徴とする請求項１に記載の携帯端末装置。
【請求項３】
前記退避手段によって前記揮発性メモリのデータを前記不揮発性メモリに退避する退避動作が完了したときに通知信号を出力する通知手段を備え、
前記補助電力遮断手段が、前記通知手段によって前記通知信号が出力されたことを条件として前記補助電池から前記退避手段への電力供給を遮断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の携帯端末装置。
【請求項４】
前記補助電池が、充電可能な二次電池によって構成され、
前記ケース内に前記主電池が装着されているときに、前記主電池からの通電によって前記補助電池が充電されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の携帯端末装置。
【請求項５】
前記開封検知スイッチは、Ｂ接点方式の機械式スイッチからなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の携帯端末装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−７０２０６（Ｐ２０１２−７０２０６Ａ）
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１３０３８（Ｐ２０１０−２１３０３８）
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ
【出願人】（５０１４２８５４５）株式会社デンソーウェーブ (1,155)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月５日（２０１２．４．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ
【出願人】（５０１４２８５４５）株式会社デンソーウェーブ (1,155)
【Ｆターム（参考）】
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