【課題】半導体集積回路の内蔵メモリとしてのＭＲＡＭへの不正アクセスに対する保護を改善すること。
【解決手段】半導体集積回路(１０)は、プロセッサ(１)と不揮発性メモリ(３)とを具備する。不揮発性メモリ(３)は、複数の磁気ランダムアクセスメモリセルと、複数の磁気リードオンリーメモリセルとを含む。複数の磁気ランダムアクセスメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが可能とされ、複数の磁気リードオンリーメモリセルはプロセッサ(１)による通常書き込みによって書き換えが不可能とされる。不揮発性メモリ(３)と接続された感知回路(２)は、不揮発性メモリ(３)の不正アクセスによる複数の磁気リードオンリーメモリセルの状態遷移を感知する。状態遷移に応答して、感知回路(２)は不正アクセスの検出結果をプロセッサ(１)に通知する。 （もっと読む）

【課題】セキュリティ情報を格納した領域への物理的な破壊攻撃を、従来よりも簡単な手法で検知する。
【解決手段】半導体装置１において、第１の機能モジュール３は、正常に動作しているか否かのテスト対象となる。第２の機能モジュール２は、第１の機能モジュール３にテストデータを出力し、テストデータに応じて第１の機能モジュールから出力された出力信号が正常なデータパターンと一致するか否かを判定する。第３の機能モジュール７は、耐タンパ性を必要とする。シールド配線ＳＬは、基板に対して垂直方向から見たときに第３の機能モジュール７が設けられた領域を覆うように設けられ、その両端部は第１の機能モジュール３と接続される。シールド配線ＳＬが断線しているとき、上記の出力信号は正常なデータパターンと一致しなくなる。 （もっと読む）

【課題】各処理装置による記憶装置へのアクセスを制御しつつ、特定の機器に負荷が集中することを防止可能になり、また、管理装置が故障しても、各処理装置が記憶装置に適切にアクセス可能な記憶装置共用システムを提供する。
【解決手段】記憶装置共用システムは、Ｎ（Ｎは２以上の整数）台の記憶装置を共用するＭ（Ｍは２以上の整数）台のアクセス制御装置と、アクセス制御装置の記憶装置へのアクセスを管理する管理装置を含む、管理装置は、Ｎ台の記憶装置内データを調べ記憶装置のいずれかに記憶されているデータの記憶位置を表すデータ位置情報を生成し、データ位置情報を各アクセス制御装置に送信し、アクセス制御装置は、管理装置からデータ位置情報を受信する通信手段と、アクセス要求元からのデータに対するアクセス要求を受け付けた場合に、データ位置情報が表す記憶位置へアクセスする制御手段を含む。 （もっと読む）

【課題】プログラムされるデータのランダム性を増加させるメモリコントローラ及びその動作方法、並びにメモリコントローラを含むメモリシステム、３次元メモリシステム、メモリカード、ソリッドステートドライブ、及び携帯用通信装置を提供する。
【解決手段】本発明のメモリコントローラの動作方法は、複数のシードグループのうちから現在プログラムされるページに対するシードグループに含まれるシードを用いて擬似乱数を生成する段階と、擬似乱数を用いてページにプログラムされるデータをランダマイズし、ランダマイズされたデータを出力する段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】他の装置上で認識されにくいフォーマットでデータを記録することができ、かつ、データアクセスの効率を落とさずにデータの記録および読み込みをすることができる情報処理装置、情報処理装置のデータアクセス方法およびデータアクセスプログラムを提供する。
【解決手段】記憶装置にアクセスするリードライト制御手段１２を備えた情報処理装置であって、情報処理装置を特定可能な装置固有情報をもとにアドレスデータ変換値を生成する変換情報生成手段１１を備え、リードライト制御手段１２は、入力されたアドレスデータにおける連続アクセス許容範囲に対応するデータを除くデータをアドレスデータ変換値にもとづいて変換し、変換後のアドレスデータで記憶装置にアクセスする。 （もっと読む）

【課題】各モードにおけるセキュリティーレベルを適切に制御することができる半導体装置の提供を図る。
【解決手段】不揮発性メモリ１１と、該不揮発性メモリに対するデータの受け渡しを行うインターフェイス１２と、を有する半導体装置であって、前記インターフェイスは、予め設定された複数のセキュリティーコードおよび前記不揮発性メモリの特定エリアＬＣＡに書き込まれたロックコードに従って、前記不揮発性メモリに書き込まれたデータのセキュリティーレベルを制御するセキュリティー論理部２０を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリ保護に於いて、効果的かつフレキシブルな保護ユニットを提供する。
【解決手段】処理素子による記憶素子１７へのアクセスは、当該処理素子に関連するメモリ保護ユニット１５，１６の第１のアクセスコントロールユニット３１と第２のアクセスコントロールユニット３２がアクセスを許可した場合に許可され、第１のアクセスコントロールユニット３１または第２のアクセスコントロールユニット３２がアクセスを拒否した場合には拒否される。第１のアクセスコントロールユニット３１は関連の処理素子によってのみプログラム可能であり、第２のアクセスコントロールユニット３２のプログラミングは、複数の処理素子を有するシステム使用されるが、前記関連の処理素子ではない付加的な処理素子によって読み出し可能である。 （もっと読む）

【課題】手間やコストの増加を抑制しつつ、データの漏えいや盗用を防止する。
【解決手段】記憶領域管理部１ｂ２は、データを記憶する記憶媒体１ｂ３が有する記憶領域に対して、認証処理部１ｂ１が第１のパスワードでアクセス認証に成功した場合にアクセス可能になると共に、上位装置２との間のデータの読み書きに使用される第１の領域と、認証処理部１ｂ１が第２のパスワードでアクセス認証に成功した場合に解除可能になる第２の領域とのいずれか一方を設定可能である。制御部１ａは、記憶部１ｂを切り離す場合には、記憶領域管理部１ｂ２に対して第１の領域が設定されている記憶領域に第２の領域を設定させる。 （もっと読む）

【課題】コールドブートアタックのようなセキュリティ攻撃の防止を可能にした半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数のメモリセルを含むメモリセルアレイと、メモリセルアレイへのデータの入出力を制御する入出力制御回路と、外部装置から提供された認証コードを記憶する記憶部と、外部から読み出し制御信号が入力されると、入出力制御回路から受け取るデータを暗号化して出力する入出力インターフェース回路とを有する。入出力インターフェース回路は、認証コードに一致する解除コードが上記の外部装置から入力された場合にのみ、入出力制御回路から受け取るデータを暗号化せずに出力する。 （もっと読む）

【課題】フォルトインジェクション攻撃による改ざんが行われた場合に、改ざんが行われたことを検知する。
【解決手段】複数のビットが含まれるビット列によって予め定められた認証条件と、入力されるビット列である認証値とを比較して認証処理を行う認証装置が、認証条件または認証値に含まれる複数のビットのそれぞれの前後に、隣り合うビットが異なる値を示す付加ビット列が付加されたビット列を記憶し、認証処理の際には、記憶したビット列から、認証条件または認証値に含まれる１ビットと、その１ビットに隣り合う前後の付加ビットのうち少なくとも２ビットずつとの少なくとも５ビットが含まれるビット列を読み出し、同値が少なくとも３ビット連続するビット列が含まれないと判定した場合に認証処理を行う。 （もっと読む）

【課題】保護対象の回路ブロックの上に配置された導電パターンに加えられた改変の検出する精度を向上するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板に形成された回路ブロックと、回路ブロックのうち保護対象の部分の上層に配置された導電パターンと、導電パターンに接続され、導電パターンの回路定数により決定される発振周波数で発振する発振回路と、発振回路の発振周波数が事前に設定された範囲に含まれるか否かを判定し、発振周波数が事前に設定された範囲に含まれない場合に、導電パターンに改変が加えられたことを検出する検出回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ケースが不正に開封される場合に、揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータを消去することができ、更に、補助電池の監視に必要な電力を極めて低く抑えることができる携帯端末装置を提供する。
【解決手段】携帯端末装置１では、補助電池７１からの電力供給が低レベル状態となったか監視し、その低レベル状態が検出された場合には、ＲＡＭ１１ｂに記憶されるデータを不揮発性メモリ１１ｃに退避し、補助電池７１からＲＡＭ１１ｂへの供給電力を遮断する。そして、不揮発性メモリ１１ｃへの退避後には、補助電池７１から退避手段へ供給される電力を遮断している。更に、開封検知スイッチが通電状態（開封状態）に切り替えられたときには、ＲＡＭ１１ｂへの通電を遮断し、ＲＡＭ１１ｂへの供給電力を無力化させ、更に、不揮発性メモリ１１ｃに開封形跡を残すか、もしくは不揮発性メモリ１１ｃの記憶データを消去している。 （もっと読む）

【課題】書込みが行われた情報の消去を確実に行い、情報の漏洩を確実に防止することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブの制御部は、論理ブロックアドレスそれぞれと不揮発性半導体メモリの物理アドレスそれぞれとの対応関係を示すアドレス管理テーブルを初期化して不揮発性半導体メモリの記憶領域をユーザデータが書き込まれていない状態に設定する第１消去モードと、前記アドレス管理テーブルを初期化して前記記憶領域をユーザデータが書き込まれていない状態に設定し、且つ前記記憶領内に含まれる、不良ブロック以外の各ブロックをイレーズする第２消去モードと、前記アドレス管理テーブルを初期化して前記記憶領域をユーザデータが書き込まれていない状態に設定し、且つ前記記憶領内に含まれる、不良ブロックを含むブロックそれぞれをイレーズする第３消去モードとを有する。 （もっと読む）

【課題】 設定されるセキュリティレベルに応じて、接続される記憶装置の属性に適応したデータ消去処理を行える。
【解決手段】 情報処理装置において、判断するデータ消去レベルが高い場合で、かつ、ジョブで利用する記憶手段がＳＳＤであると識別した場合は、生成される暗号鍵を用いて暗号化したデータをＳＳＤに書き込み、ジョブ終了毎に前記暗号鍵を消去する（Ｓ４〜Ｓ１０）。また、データ消去レベルが高い場合で、かつ、ジョブで利用する記憶手段がＨＤＤであると識別した場合は、データをＨＤＤに書き込み、かつ、ジョブ終了毎にデータが書き込まれた領域に特定データを上書してデータを消去する（Ｓ２２〜Ｓ２５）。 （もっと読む）

【課題】不揮発性ＲＡＭのＲＯＭ領域に対する意図しないデータの書き込みを防止すると共に、ＲＯＭ領域におけるデータを必要に応じて更新できるようにすること。
【解決手段】許可信号が入力されている間、ＲＯＭ領域１２へのデータの書き込みが許可されるため、このタイミングで実際にＲＯＭ領域１２への書き込みを発生させることにより、ＣＰＵ２０による処理に際して読み出すべきプログラムなどを必要に応じて更新できる。そして、許可信号の入力が終了した際に、それが意図的に入力したものであったのか否かに拘わらず、レジスタ３２に格納されているアドレス情報を初期値に更新する。これにより、ノイズの影響でレジスタ３２のアドレス情報が書き換えられた場合であっても、これを初期値に戻すことができるため、以降、ＲＯＭ領域１２への意図しないデータの書き込みが行われてしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】安全な環境を初期化する命令を実行するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】
マイクロプロセッサシステムにおいてセキュアオペレーションを起動する方法と装置が記載されている。一実施形態において、一の起動する論理プロセッサは、他の論理プロセッサの実行を停止し、メモリに初期化およびセキュアバーチャルマシンモニターソフトウェアをロードすることによりプロセスを起動する。起動するプロセッサは、認証と実行のために初期化ソフトウェアをセキュアメモリにロードする。初期化ソフトウェアは、セキュアシステムオペレーションの前に、そのセキュアバーチャルマシンモニターソフトウェアを認証および登録する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、対タンパ性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ユーザ入力部１３は、ユーザから認証コードの入力を受付ける。ＣＰＵ３は、入力された認証コードに基づいて、ユーザのアクセスが正当か否かを判定し、正当な場合にイネーブル信号を活性化する。正規ロウデコーダ９は、ＣＰＵ３によって指定されたロウアドレスをデコードし、デコード結果に基づいて、いずれかの正規メモリセルの行を選択する。冗長ロウデコーダ１４は、イネーブル信号が活性化された場合には限り、指定されたロウアドレスと、所定の正規メモリセルのロウアドレスとが一致したときに、正規ロウデコーダ９による選択を禁止し、いずれかの冗長メモリセル行を選択する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリーに書き込まれたデータに対して不正リード／ライト動作防止機能を要した集積回路装置及び集積回路装置の制御方法を提供する。
【解決手段】集積回路装置は、電気的に書換え可能な不揮発性メモリー１４と、外部装置からの指示に基づいて不揮発性メモリー１４を書換え可能にする制御回路１０と、を含み、制御回路１０は、外部装置からのシリアルデータを受信するシリアル通信回路１８と、受信したシリアルデータを解析するコマンド解析回路２０と、解析された内容に応じて不揮発性メモリー１４の書換えのための手順制御を行う不揮発性メモリー制御回路２２と、を含み、不揮発性メモリー制御回路２２は、不揮発性メモリー１４の所定のビットを読み出し、不揮発性メモリー１４の所定のビットにプロテクトデータが書かれている場合は、不揮発性メモリー１４の書き込み又は読み出しをプロテクトする。 （もっと読む）