新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体、除草剤及びその使用方法
【解決手段】式（Ｉ）：
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロアルキル、Ｒ2はＨ、アルキルカルボニル、置換フェニルカルボニル、アルコキシカルボニル、置換フェノキシカルボニル、置換フェニルスルホニル等、Ｒ3と
Ｒ4はＨ、アルキル、シクロアルキル、ハロゲン、ＣＮ等、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はＨ、
ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、置換フェニル（C1-C6）アルキル、置換複素環等
、ＡとＸはＯ、Ｓ、ＸはＨ、ハロゲン、アルキル基、アルケニル、置換フェニル、置換フェニルアルキルアミノカルボニル、ＯＨ、ＣＮ等から選択される１〜４個の置換基を示す。｝のハロアルキルスルホンアニリド誘導体、その塩類、該化合物を有効成分とする除草剤。
【効果】広い適用性、効果の持続性、作物−雑草間の選択性に優れ、特に水田用除草剤として優れている。
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロアルキル、Ｒ2はＨ、アルキルカルボニル、置換フェニルカルボニル、アルコキシカルボニル、置換フェノキシカルボニル、置換フェニルスルホニル等、Ｒ3と
Ｒ4はＨ、アルキル、シクロアルキル、ハロゲン、ＣＮ等、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8はＨ、
ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、置換フェニル（C1-C6）アルキル、置換複素環等
、ＡとＸはＯ、Ｓ、ＸはＨ、ハロゲン、アルキル基、アルケニル、置換フェニル、置換フェニルアルキルアミノカルボニル、ＯＨ、ＣＮ等から選択される１〜４個の置換基を示す。｝のハロアルキルスルホンアニリド誘導体、その塩類、該化合物を有効成分とする除草剤。
【効果】広い適用性、効果の持続性、作物−雑草間の選択性に優れ、特に水田用除草剤として優れている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハロアルキルスルホンアニリドとヘテロ環がアルキレン基等のスペーサーを介してヘテロ環内窒素原子と結合した骨格の化合物が除草剤として知られている（例えば、特許文献１参照。）が、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体に関する具体的な製法、化合物の物性及び除草活性は知られていない。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０７３２２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、ある種のハロアルキルスルホンアミド誘導体が除草剤として有用であることが知られているが、その除草効果、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性は充分ではなく、より優れた特性を備えた除草剤の創出が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、新規な除草剤を開発すべくスルホンアニリド構造を有する誘導体の合成とその生理活性について鋭意研究を重ねた結果、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体が文献未記載の新規化合物であり、先行技術に開示の化合物に比して顕著な除草効果、優れた作物−雑草間の選択性等の特性を兼ね備えており、除草剤、特に水田用除草剤として有用なことを見出し、本発明を完成させたものである。
【０００６】
即ち、本発明は一般式（Ｉ）
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C8）アルキル基を示す。Ｒ2は水素原子、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C18）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C18）アルコキシカルボニル基、（C2-C18）アルケニルオキシカルボニル基、（C2-C18）アルキニルオキシカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルコキシカルボニ
ル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）ア
ルキルスルホニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、同一又
は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシカルボニル基、フェノキシ（C1-C6）アルキルカルボニル基、Ｙ（Ｙは後記
に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に
示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換ベンジルオキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオカルボニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基を示す。
【０００７】
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
【０００８】
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）ア
ルキル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルカルボニルオ
キシ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、同一又
は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アル
キルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシ（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示
す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基はピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピラゾリル基又はピロリジニル基を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
水酸基又はシアノ基を示す。又、Ｒ5とＲ6、Ｒ5とＲ7、Ｒ5とＲ8、Ｒ6とＲ7、Ｒ6とＲ8及びＲ7とＲ8はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、Ｒ5とＲ6及びＲ7とＲ8はカルボニル基を形成することができ、Ｒ6とＲ7は二重結合を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Wは酸素原子又は硫黄原子を示す。
【０００９】
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6
）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6
）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ
（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル
基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニ
ル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノ
カルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキ
ルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す。又、Ｘはベンゼン環上の隣接する炭素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
【００１０】
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アル
キル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アル
コキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキ
ルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、
【００１１】
フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）
アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）
アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）
アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキ
ル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキ
シ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキル
チオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキ
ルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても
良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜
５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6
）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキ
ルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、
【００１２】
フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ
（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ
（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、
（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）
アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）
アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6
）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異
なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択さ
れる１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、
【００１３】
（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニル
アミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、
（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキル
スルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニ
ル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6
）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミ
ノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される
１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択さ
れる１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性に優れ、特に水田用除草剤として有用な新規化合物を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体の一般式（Ｉ）の定義において、「ハロゲン原子」とは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はフッ素原子を示す。「（C1-C6）アル
キレン基」とはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ジメチルメチレン基、テトラメチレン基、イソブチレン基、ジメチルエチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキレン基を示し、「（C2-C6）アルケニレン基」とは直鎖
又は分岐鎖状の炭素原子数２〜６個のアルケニレン基を示す。「（C1-C6）アルキル基」
とは、例えばメチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基、ノルマルヘキシル基等の直鎖又は分鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示す。「ハロ（C1-C6）アルキル基」とは、同一又は異なっても良い１以上の
ハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、例えばトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、２，３
−ジブロモプロピル基等を示す。「（C3-C6）シクロアルキル基」とは、シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−メチルシクロプロピル基、２−メチルシクロペンチル基等の炭素原子数３〜６個の脂環式アルキル基を示す。
【００１６】
「（C1-C6）アルコキシ基」とは、例えばメトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、セカンダリーブトキシ基、ターシャリーブトキシ基、ノルマルペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ノルマルヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基
を示す。「ハロ（C1-C6）アルコキシ基」とは、同一又は異なっても良い１以上のハロゲ
ン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基を示し、例えばジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基等を示す。「（C1-C6）アルコキシカルボニル基」とは、例えばメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ノルマルプロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ノルマルブトキシカルボニル基、ターシャリーブトキシカルボニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシカルボニル基を示す。「（C1-C6）アルキ
ルチオ基」とは、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ノルマルプロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ノルマルブチルチオ基、セカンダリーブチルチオ基、ターシャリーブチルチオ基、ノルマルペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ノルマルヘキシルチオ基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルチオ基を示す。「（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基」とは、例えばメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ノルマルプロピルスルフィニル基、イソプロピルスルフィニル基、ノルマルブチルスルフィニル基、セカンダリーブチルスルフィニル基、ターシャリーブチルスルフィニル基、ノルマルペンチルスルフィニル基、イソペンチルスルフィニル基、ノルマルヘキシルスルフィニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルフィニル基を示す。「（C1-C6
）アルキルスルホニル基」とは、例えばメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ノルマルプロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ノルマルブチルスルホニル基、セカンダリーブチルスルホニル基、ターシャリーブチルスルホニル基、ノルマルペンチルスルホニル基、イソペンチルスルホニル基、ノルマルヘキシルスルホニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルホニル基を示す。
又、「（C1-C6）」、「（C3-C6）」、「（C2-C18）」等の表現は各種置換基の炭素原子数の範囲を示す。
【００１７】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体の塩類としては、例えばナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属塩、カルシウムイオン等のアルカリ土類金属塩との塩等を例示することができる。又、塩類にあっては水和物であっても良い。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式中に１
つ又は複数個の不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体及びジアステレオマーが存在する場合もあるが、本発明は各々の光学異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
以下に本発明の代表的な製造方法を図式的に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
製造方法１
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体は以下の製造方法により製造することができる。
【化２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じくし、Ｌ
はハロゲン原子等の脱離基を示す。）
【００１９】
一般式（II）で表されるニトロ化合物を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下にホスゲン等のカルボニル化剤、又は、チオホスゲン等のチオカルボニル化剤を反応させることにより、一般式（III）で表される環状ニトロ化合物とし、該化合物を単離し又は単離
せずして、ニトロ基を還元することにより、一般式（IV）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表され
るハロアルキルスルホニル誘導体を反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−１）で表されるハロアル
キルスルホンアミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ2が水素原子の場合）を製造するこ
とができる。更に一般式（Ｉ−１）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せ
ずして、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ
）で表
されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００２０】
１−１） 一般式（II）→ 一般式（III）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できるカルボニル化
剤としては、例えば、ホスゲン、ジホスゲン、トリホスゲン、ジエチルカーボネート、１，１’−カルボニルジイミダゾール等を挙げることができる。チオカルボニル化剤としてはチオホスゲン、１，１’−チオカルボニルジイミダゾール等を例示することができる。カルボニル化剤又はチオカルボニル化剤の使用量は一般式（II）で表されるニトロ化合物に対して、０．３〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は一般式（II）で表されるニトロ化合物に対して０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。また、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２１】
１−２） 一般式（III）→ 一般式（IV）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、次に示す還元剤として使用する酸の水溶液をそのまま不活性溶媒として使用することもできる。本反応で使用できる還元剤としては、金属−酸、金属−塩等を例示することができ、金属としては、例えば鉄、スズ、亜鉛等を、酸としては、例えば塩酸、硫酸等の鉱酸類、酢酸等の有機酸類等を、塩としては、例えば、塩化スズ、塩化アンモニウム等を挙げることができる。また、これらを組み合わせて使用することも可能である。還元剤の使用量は一般式（III）で表される環状ニトロ化合物に対して、金属は１〜１０倍モル、酸および塩は
０．０５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。又、還元反応は触媒の存在下、接触水素添加法によっても行うことができ、触媒としては、例えば、パラジウム炭素等を挙げることができる。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２２】
１−３） 一般式（IV）→ 一般式（Ｉ−１）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、酢酸エチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、水等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等
を例示することができる。塩基の使用量は一般式（IV）で表されるアニリン類に対して０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。本反応においては反応を促進する目的で相間移動触媒を使用することもできる。使用できる相間移動触媒としては、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド等の４級アンモニウム塩、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル類等を例示することができる。本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は−２０℃〜使用する不活性溶媒の還流温度の範囲で行うことができ、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２３】
１−４） 一般式（Ｉ−１）→ 一般式（Ｉ）
本反応は１−３）に準じて行えば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
一般式（II）で表される出発物質は、公知の文献｛例えば、Tetrahedron Lett., 31,4661（1990）、Synth. Commun., 24(10), 1415（1994）、Bull. Soc. Chim. Fr., 10, 347
（1943）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。
【００２４】
製造方法２
【化３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００２５】
一般式（Ｖ）で表される複素環化合物と一般式（VI）で表されるニトロベンゼン類とを塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、一般式（III−１）
で表される化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、カルボニル基を還元することにより、一般式（III−２）で表されるアルコール類とし、該アルコール類を単離し又
は単離せずして、酸又は脱水剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下に脱水することにより、一般式（III−３）で表される環状不飽和化合物とし、該化合物を単離し又は
単離せずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−１）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル
誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−２）で表されるハロアルキルスル
ホンアミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ6とＲ7が二重結合を形成する場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−２）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は
単離せずして、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般
式（Ｉ
−３）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００２６】
２−１） 一般式（V）→ 一般式（III−１）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれ
ば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホロアミド等のアミド類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は一般式（V）で表される複素環化合物に対して
０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。また、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２７】
２−２） 一般式（III−１）→ 一般式（III−２）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化リチウムアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等の金属水素錯化合物を挙げることができる。還元剤の使用量は一般式（III−１）で表される化合物に対して０．２５〜１０倍モルの範囲から適宜選
択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２８】
２−３） 一般式（III−２）→ 一般式（III−３）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、脱水剤を使用する場合は、ピリジン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホロアミド等の不活性溶媒を使用することができる。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−２）で表されるアルコール類に対
して０．０１〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。本反応で使用できる脱水剤としては、例えば、塩化チオニル、塩化ホスホリル等のハロゲン化試剤、塩化メタンスルホニル等のスルホン化試剤、無水酢酸、無水フタル酸等のエステル化試剤が挙げら
れる。脱水剤の使用量は一般式（III−２）で表されるアルコール類に対して１〜１０倍
モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２９】
２−４） 一般式（III−３）→ 一般式（IV−１）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
２−５） 一般式（IV−１）→ 一般式（Ｉ−２）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
２−６） 一般式（Ｉ−２）→ 一般式（Ｉ−３）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
尚、一般式（V）で表される複素環化合物は公知の文献｛例えば、J. Am. Chem. Soc., 67, 522-523 (1945) 、特開昭５８−１８３６０３号公報等｝に記載の方法により又はこ
れらに準じて製造することができる。
【００３０】
製造方法３
【化４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じくし、Ｒ9は（C1-C6）アルキル基を示す。）
【００３１】
一般式（V−１）で表される複素環化合物と一般式（VI）で表されるニトロベンゼン類
とを塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、一般式（III−
４）で表される化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、カルボニル基を還元することにより、一般式（III−５）で表されるアルコール類とし、該アルコール類を単離
し又は単離せずして、Ｒ9ＯＨで表されるアルコール類と酸の存在下に反応させることに
より、一般式（III−６）で表されるエーテル類とし、該エーテル類を単離し又は単離せ
ずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−２）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体
を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−４）で表されるハロアルキルスルホンア
ミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ5又はＲ6がアルコキシ基の場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−４）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せず
して、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ−
５）で
表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００３２】
３−１） 一般式（V−１）→ 一般式（III−４）
本反応は２−１）と同様に行えば良い。
３−２） 一般式（III−４）→ 一般式（III−５）
本反応は２−２）と同様に行えば良い。
【００３３】
３−３） 一般式（III−５）→ 一般式（III−６）
本反応で使用する溶媒としては、目的とするＲ9に相当するアルコール（例えば、メタ
ノール、エタノール、ノルマルプロパノール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、イソブチルアルコール、セカンダリーブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコール等）を使用する。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−５）で表されるアルコール類に対して０．０１〜１０倍モルの範囲から適宜選
択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００３４】
３−４） 一般式（III−６）→ 一般式（IV−２）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
３−５） 一般式（IV−２）→ 一般式（Ｉ−４）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
３−６） 一般式（Ｉ−４）→ 一般式（Ｉ−５）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
尚、一般式（V−１）で表される複素環化合物は公知の文献｛例えば、J. Am. Chem. Soc., 67, 522-523 (1945) 、特開昭５８−１８３６０３号公報等｝に記載の方法により又
はこれらに準じて製造することができる。
【００３５】
製造方法４
【化５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００３６】
一般式（III−４）で表される化合物を還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存
在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−３）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−６）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体（一般式（
Ｉ）においてＲ5とＲ6がカルボニル基を形成する場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−６）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せずして、一般式Ｒ
2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ−７）で表される
ハロア
ルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。又、一般式（Ｉ−６）で表されるハロア
ルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にカルボニル基を還元することにより、本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロ
アルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００３７】
４−１） 一般式（III−４）→ 一般式（IV−３）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
４−２） 一般式（IV−３）→ 一般式（Ｉ−６）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
４−３） 一般式（Ｉ−６）→ 一般式（Ｉ−７）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
４−４） 一般式（Ｉ−６）→ 一般式（Ｉ−８）
本反応は２−２）と同様に行えば良い。
【００３８】
製造方法５
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００３９】
本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体は、一般式（III−
５）で表されるアルコール類を還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−４）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより製造することもできる。
また、一般式（III−５）で表されるアルコール類を酸及びトリエチルシランの存在下
、不活性溶媒の存在下又は非存在下にヒドロキシル基を還元することにより、一般式（III−７）で表される飽和複素環化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、還元剤
の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−５）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製
造することができる。
【００４０】
５−１） 一般式（III−４）→ 一般式（IV−４）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
５−２） 一般式（IV−４）→ 一般式（Ｉ−８）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
【００４１】
５−３） 一般式（III−５）→ 一般式（III−７）
本反応で使用するトリエチルシランの使用量は、一般式（III−５）で表されるアルコ
ール類に対して０．５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良いが、好ましくは１〜３倍モルの範囲である。本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−５）で表されるア
ルコール類に対して０．１〜５０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０℃〜使用する溶媒の沸点の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００４２】
５−４） 一般式（III−７）→ 一般式（IV−５）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
５−５） 一般式（IV−５）→ 一般式（Ｉ−９）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
【００４３】
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体の代表例を第１表及び第２表に、中間体である一般式（IV）で表されるアニリン類を第３表及び第４表に例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「ｎ−」はノルマルを、「ｉ−」はイソを、「ｓ−」はセカンダリーを、「ｔ−」はターシャリーを、「ｃ−」は脂環式炭化水素基を示す。「−」はＲ6とＲ7が結合して環中に二重結合を形成していることを示す。「Ｑ１」及び「Ｑ２」は下記構造を示す。
【化７】
【化８】
「（Ｒ体）」及び「（Ｓ体）」は各々の置換基が接続する不斉炭素の立体配置を示す。「置換位置」は各々の構造式において、ベンゼン環上のハロアルキルスルホニルアミノ基、ニトロ基又はアミノ基の置換位置を示し、物性は融点（℃）又は屈折率ｎD（℃）を示す
。又、第５表には第１表乃至第４表中の物性値がＮＭＲと記載されている化合物について1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表３】
【００４７】
【表４】
【００４８】
【表５】
【００４９】
【表６】
【００５０】
【表７】
【００５１】
【表８】
【００５２】
【表９】
【００５３】
【表１０】
【００５４】
【表１１】
【００５５】
【表１２】
【００５６】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を
有効成分として含有する除草剤は、例えばイヌビエ（イネ科１年生草、水田の雑草）、アゼナ（ゴマノハグサ科１年生草、水田の雑草）、コナギ（ミズアオイ科１年生草、水田の雑草）、ミズアオイ（ミズアオイ科１年生草、水田の雑草）、ヒメミソハギ（ミソハギ科１年生草、水田の雑草）、タマガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、水田の雑草）、マツバイ（カヤツリグサ科多年生草、湿地、水路、水田に発生、水田の多年生雑草）、オモダカ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生する多年生雑草）、ウリカワ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生する多年生雑草）、イヌホタルイ（カヤツリグサ科多年生草、水田、湿地、溝に発生）、クログワイ（カヤツリグサ科多年生草、水田、湿地、溝に発生）、スズメノテッポウ（イネ科越年草、水田裏作、低湿地に発生）、カラスムギ（イネ科越年草、平地、荒地、畑地に発生）、ヨモギ（キク科多年生草、山野、畑地に発生）、メヒシバ（イネ科１年生草、畑、樹園地の雑草）、ギシギシ（タデ科多年生草、畑地、道端に発生）、コゴメガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、畑地の雑草）、アオビユ（ヒユ科１年生草、空き地、道端、畑地に発生）、オナモミ（キク科１年生草、畑地の雑草）、イチビ（アオイ科１年生草、畑地の雑草）、シロバナヨウシュチョウセンアサガオ（ナス科１年生草、畑地の雑草）、オオイヌノフグリ（ゴマノハグサ科越年草、畑地の雑草）、ヤエムグラ（アカネ科越年草、畑地、樹園地の雑草）等の水田、畑、樹園地、湿地等に発生する１年生、越年生及び多年生雑草を除草するのに有用である。特に水田における雑草防除に有効であり、イネ−水田雑草間の選択性幅が広いことから水田用除草剤として優れた性能を有する。
【００５７】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は出芽前及び出芽後にある雑草に対して優れた除草効果を示すことから、有用植物の植え付け予定地に予め処理する、あるいは有用植物の植え付け後（有用植物が樹園のごとく既に定植されている場合を含む）雑草の発生始期から生育期に処理することにより本発明除草剤の有する特徴ある生理活性を効果的に発現させることができる。しかし本発明の除草剤はこのような態様においてのみ使用されねばならないというものではなく、例えば本発明除草剤は水田用除草剤として使用することができるばかりでなく、一般雑草の除草剤としても使用することができ、例えば刈り取り跡、休耕田畑、畦畔、農道、水路、牧草造成地、墓地、公園、道路、運動場、建物の周辺の空き地、開墾地、線路端、森林等の一般雑草の駆除のために使用することもできる。この場合、雑草の発生始期までに処理するのが経済的にも最も効果的であるが、必ずしもこれに限定されず、生育期にある雑草をも防除することが可能である。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を除草剤として使用する場合、農薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に製剤して使用するのが一般的である。即ち、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類は、これらを適当な不活性担体に、又は必要に応じて補助剤と一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、懸濁、混合、含浸、吸着若しくは付着させ、適切な剤型、例えば懸濁剤、乳懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、顆粒水和剤、粒剤、粉剤、錠剤、ジャンボ剤、パック剤等に製剤して使用すれば良い。
【００５８】
本発明で使用できる不活性担体としては固体又は液体の何れであっても良く、固体の担体になり得る材料としては、例えば植物質粉末類（例えばダイズ粉、穀物粉、木粉、樹皮粉、鋸粉、タバコ茎粉、クルミ殻粉、ふすま、繊維素粉末、植物エキス抽出後の残渣等）、粉砕合成樹脂等の合成重合体、粘土類（例えばカオリン、ベントナイト、酸性白土等）、タルク類（例えばタルク、ピロフィライト等）、シリカ類｛例えば珪藻土、珪砂、雲母、ホワイトカーボン（含水微粉珪素、含水珪酸ともいわれる合成高分散珪酸で、製品により珪酸カルシウムを主成分として含むものもある。）｝、活性炭、天然鉱物質類（例えばイオウ粉末、軽石、アタパルジャイトおよびゼオライト等）、焼成珪藻土、レンガ粉砕物、フライアッシュ、砂、プラスチック担体等（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等）、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム等の無機鉱物性粉末、硫安、燐
安、硝安、尿素、塩安等の化学肥料、堆肥等を挙げることができ、これらは単独で若しくは二種以上の混合物の形で使用される。
液体の担体になり得る材料としては、それ自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助剤の助けにより有効成分化合物を分散させ得ることとなるものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の混合物の形で使用され、例えば水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エーテル類（例えばエチルエーテル、ジオキサン、セロソルブ、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等）、ハロゲン化炭化水素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等）、エステル類（例えば酢酸エチル、ジイソプロピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル等）、ジメチルスルホキシド類等を挙げることができる。
【００５９】
他の補助剤としては次に例示する代表的な補助剤を挙げることができ、これらの補助剤は目的に応じて使用され、単独で、ある場合は二種以上の補助剤を併用し、又ある場合には全く補助剤を使用しないことも可能である。有効成分化合物の乳化、分散、可溶化及び／又は湿潤の目的のために界面活性剤が使用され、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレン高級脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、アルキルアリールスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸縮合物、リグニンスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル等の界面活性剤を例示することができる。
又、有効成分化合物の分散安定化、粘着及び／又は結合の目的のために、次に例示する補助剤を使用することもでき、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、松根油、糠油、ベントナイト、リグニンスルホン酸塩等の補助剤を使用することもできる。固体製品の流動性改良のために次に挙げる補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステアリン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用できる。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレンスルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用することもできる。消泡剤としては、例えばシリコーン油等の補助剤を使用することもできる。
【００６０】
有効成分化合物の配合割合は必要に応じて加減することができ特に制限されないが、通常０．００１重量％〜９０重量％程度であり、例えば、粉剤或いは粒剤とする場合は０．０１重量％〜５０重量％程度が好ましく、より好ましくは０．１重量％〜１０重量％程度であり、乳剤、水和剤或いは顆粒水和剤等とする場合は０．０１重量％〜９０重量％程度が好ましく、より好ましくは０．１重量％〜６０重量％程度である。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は、各種雑草を枯殺し若しくは生育を抑制するためにそのまま、又は水等で適宜希釈し、若しくは懸濁させた形で殺草若しくは生育抑制に有効な量を当該雑草に、又は当該雑草の発生若しくは成育が好ましくない場所において茎葉又は土壌に適用して使用すれば良い。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤の使用量は種々の因子、例えば目的、対象雑草、作物の生育状況、雑草の発生傾向、天候、環境条件、剤型、施用方法、施用場所、施用時期等により変動するが、有効成分化合物として１ヘクタール当たり０．１ｇ〜1０ｋｇの範囲から
目的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホ
ンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤を更に防除対象雑草、防除適期の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他の除草剤と混合して使用することも可能である。
【実施例】
【００６１】
次に、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１． ４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−５）の製造
１−１） ４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
２−（２−ニトロベンジルアミノ）−１−ブタノール（３．２ｇ、１４ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（７．１ｇ、７１ミリモル）、トリホスゲン（２．１ｇ、７．１ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．６ｇ）を得た。
収率：７２％
物性：ｎD１．５５１４（２３℃）
【００６２】
１−２） ４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−２）の製造
４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．６ｇ、１０ミリモル）、鉄粉末（２．８ｇ、５１ミリモル）、塩化アンモニウム（０．３ｇ、５．１ミリモル）をエタノール（３０ｍｌ）と水（１５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．５６１０（２３℃）
【００６３】
１−３） ４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−５）の製造
４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ、９．０ミリモル）とトリエチルアミン（１．４ｇ、１３ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．０ｇ、１１ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（２．２ｇ）を得た。
収率：６９％
物性：融点 ８１．４〜８３．６℃
【００６４】
実施例２． ４−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−６）の製造
４−エチル−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．０ｇ、２．８ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．４８ｇ、５．７ミ
リモル）をアセトニトリル（１０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．７８ｇ、５．７ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（１．２ｇ）を得た。
収率：９１％
物性：融点 ６９．３〜７１．７℃
【００６５】
実施例３． ４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１５）の製造
３−１） ４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
２−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−メチル−１−プロパノール（２．６ｇ、１２ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（５．９ｇ、５９ミリモル）、トリホスゲン（１．７ｇ、５．９ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．３ｇ）を得た。
収率：４３％
物性：融点 １０３〜１０６℃
【００６６】
３−２） ４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−７）の製造
４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．７５ｇ、３．０ミリモル）、鉄粉末（０．８４ｇ、１５ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０８ｇ、１．５ミリモル）をエタノール（２０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．６６ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：融点 ７３〜７６℃
【００６７】
３−３） ４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１５）の製造
４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．６６ｇ、３．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．４５ｇ、４．５ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．０ｇ、３．６ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（０．８７ｇ）を得た。
収率：８２％
物性：融点 １３４．９℃
【００６８】
実施例４． ４，４−ジメチル−３−[２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（
トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１６）の製造
４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（０．３５ｇ、０．９９ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１７ｇ、２．０ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２７ｇ、２．０ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４，４−ジメチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（０．４３ｇ）を得た。
収率：９０％
物性：融点 ６５．０〜６５．８℃
【００６９】
実施例５． ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２１）の製造
５−１） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオンの製造
１−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−プロパノ−ル（１．１ｇ、５．２ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（１．６ｇ、１６ミリモル）、チオホスゲン（０．７８ｇ、６．８ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．５６ｇ）を得た。
収率：４２％
物性：融点 １３７〜１３９℃
【００７０】
５−２） ５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．２−１０）の製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．４０ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．４４ｇ、７．９ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．７９ミリモル）をエタノール（１５ｍｌ）と水（７．５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．３６ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：ｎD１．６０９２（２２℃）
【００７１】
５−３） ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２１）の製造
５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．３６ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２４ｇ、２．４ミリモル）をクロロホルム（２０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５４ｇ、１．９ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（０．４９ｇ）を得た。
収率：８７％
物性：融点 ７４〜７６℃
【００７２】
実施例６． ５−メチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２２）の製造
５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（０．３３ｇ、０．９３ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１６ｇ、１．９ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２５ｇ、１．９ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、５−メチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジンチオン（０．３７ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．５１６８（２２℃）
【００７３】
実施例７． ５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２３）の製造
７−１） ５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
１−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−ブタノール（２．６ｇ、１２ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでピリジン（４．６ｇ、５９ミリモル）、トリホスゲン（１．７ｇ、５．９ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ）を得た。
収率：５１％
物性：ｎD１．５２８５（２４℃）
【００７４】
７−２） ５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−１１）の製造
５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ、６．０ミリモル）、鉄粉末（１．７ｇ、３０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１６ｇ、３．０ミリモル）をエタノール（２０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．３ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］
７．１３（ｄｄ，１H）、７．００（ｄ，１H）、６．６６（ｍ，２H）、
４．４６−４．３２（ｍ，３H）、４．２８（ｂｒｓ，２H）、
３．４８（ｄｄ，１H）、３．０３（ｄｄ，１H）、
１．７７−１．５９（ｍ，２H）、０．９５（ｔ，３H）
【００７５】
７−３） ５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］
−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２３）の製造
５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ、６．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．９ｇ、８．９ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．０ｇ、７．１ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ）を得た。
収率：７１％
物性：ｎD１．４８８５（２３℃）
【００７６】
実施例８． ５−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２４）の製造
５−エチル−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．３５ｇ、１．０ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１３ｇ、１．５ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２０ｇ、１．５ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、５−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（０．２３ｇ）を得た。
収率：５１％
物性：融点 ８５〜８７℃
【００７７】
実施例９． ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０７）の製造
９−１） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオンの製造
５−メチル−オキサゾリジン−２，４−ジオンナトリウム塩（２．３ｇ、１７ミリモル）をジメチルホルムアミド（５０ｍｌ）に溶解し、２−ニトロベンジルブロミド（３．０ｇ、１４ミリモル）を加え、６０℃にて３０分間加熱撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．３ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：融点 １１３．７〜１１３．９℃
【００７８】
９−２） ４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．０ｇ、２０ミリモル）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、氷冷下にて水素化ホウ素リチウム（０．４０ｇ、１８ミリモル）を加え、室温にて８時間撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（２．６ｇ）をジアステレオマー混合物として得た。
収率：８６％
物性（主生成物）：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］
７．９９（ｄ，１H）、７．６５−７．６３（ｍ，２H）、７．４９（ｔ，３H）、
４．８６（ｄｄ，１H）、４．８１（ｄ，１H）、４．８０（ｄ，１H）、
４．４４（ｄｑ，１H）、４．０２（ｄ，１H）、１．３８（ｄ，３H）
【００７９】
９−３） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（２．６ｇ、１０ミリモル）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、塩化チオニル（１．２ｇ、１０ミリモル）を加え、１時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に氷、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オン（２．０ｇ）を得た。
収率：８２％
物性：融点 ８２．９−８３．９℃
【００８０】
９−４） ３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−６２）の製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オン（１．９５ｇ、８．３３ミリモル）、鉄粉末（２．３ｇ、４２ミリモル）、塩化アンモニウム（０．２２ｇ、４．２ミリモル）をエタノール（２５ｍｌ）と水（１３ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（１．６ｇ）を得た。
収率：９４％
物性：融点 ９９．５−１０１．９℃
【００８１】
９−５） ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０７）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（１．６ｇ、７．８ミリモル）とトリエチルアミン（１．０ｇ、１０ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．７ｇ、９．４ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（２．１ｇ）を得た。
収率：７９％
物性：融点 １２０．２−１２１．２℃
【００８２】
実施例１０． ３−［２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル］−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０８）の製造
５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（０．３０ｇ、０．８９ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１５ｇ、１．８ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２４ｇ、１．８ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反
応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−［２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル］−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（０．２３ｇ）を得た。
収率：５９％
物性：融点 ６０．３−６８．６℃
【００８３】
実施例１１． ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８４）の製造
１１−１） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオンの製造
５，５−ジメチル−チアゾリジン−２，４−ジオン（１．５ｇ、１０ミリモル）をジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）に溶解し、２−ニトロベンジルブロミド（２．２ｇ、１０ミリモル）を加え、６０℃にて３０分間加熱撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオン（２．８ｇ）を得た。
収率：９９％
物性：融点 ７２．３−７３．２℃
【００８４】
１１−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オンの製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオン（２．０ｇ、７．１ミリモル）をテトラヒドロフラン（３５ｍｌ）に溶解し、氷冷下にて水素化ホウ素リチウム（０．２６ｇ、１１ミリモル）を加え、室温にて３．５時間撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（２．０ｇ）を得た。
収率：９９％
物性：融点 １３９．２−１４２．６℃
【００８５】
１１−３） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．８ｇ、６．５ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解し、氷冷下にてトリエチルシラン（１．１ｇ、９．７ミリモル）、トリフルオロ酢酸（７．４ｇ、６５ミリモル）を加え、室温にて１０時間撹拌した。反応液を減圧下にて溶媒を留去した後、残渣に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．６ｇ）を得た。
収率：９２％
物性：融点 １２７．８−１２９．２℃
【００８６】
１１−４） ３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−５４）の製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．４ｇ、
５．３ミリモル）、鉄粉末（１．５ｇ、２７ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１４ｇ、２．７ミリモル）をエタノール（３０ｍｌ）と水（１５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（１．３ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：ｎD１．５７８８（２５℃）
【００８７】
１１−５） ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８４）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（１．３ｇ、５．３ミリモル）とトリエチルアミン（０．７０ｇ、６．９ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．６ｇ、５．８ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：６２％
物性：融点 １１５．０−１１７．５℃
【００８８】
実施例１２． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８５）の製造
５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（０．２５ｇ、０．６８ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１１ｇ、１．４ミリモル）をアセトニトリル（１５ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．１９ｇ、１．４ミリモル）を加えて２．５時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（０．２８ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．４９７８（２６℃）
【００８９】
実施例１３． ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９５）の製造１３−１） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオンの製造
５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（１．９ｇ、１５ミリモル）、２−ニトロベンジルクロリド（２．６ｇ、１５ミリモル）、炭酸カリウム（２．５ｇ、１８ミリモル）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、２時間８０℃に加熱した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を水（２回）次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．７ｇ）を得た。
収率：９３％
物性：融点 １３３．５〜１３４．５℃
【００９０】
１３−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（２．１ｇ、８．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（４０ｍｌ）に溶解し、氷冷下に水素化ホウ素リチウム（０．２２ｇ、１０ミリモル）を加え、室温で一夜攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：融点 １１９〜１１９．５℃
【００９１】
１３−３） ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ、７．０ミリモル）のメタノール（３５ｍｌ）溶液にｐ−トルエンスルホン酸１水和物（０．１３ｇ、０．７０ミリモル）を加え、攪拌下、４時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ）を得た。
収率：９６％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
８．０１（ｄ，１Ｈ）、７．６１−７．６８（ｍ，２Ｈ）、７．４６−７．５０（ｍ，１Ｈ）、
４．８３（ＡＢ，２Ｈ）、４．４０（ｓ，１Ｈ）、３．３７（ｓ，３Ｈ）、１．４４（ｓ，３Ｈ）、
１．３９（ｓ，３Ｈ）
【００９２】
１３−４） ３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−５９）の製造
４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．４ｇ、５．０ミリモル）、鉄粉末（１．４ｇ、２５ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１３ｇ、２．５ミリモル）、エタノール（１２ｍｌ）及び水（６ｍｌ）の混合物を、攪拌下、３０分間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
７．１４（ｄｄ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，１Ｈ）、６．６９（ｄｄ，１Ｈ）、
６．６８（ｄ，１Ｈ）、４．７５（ｄ，１Ｈ）、４．１３（ｓ，１Ｈ）、
４．１２（ｂｒｓ，２Ｈ）、４．０７（ｄ，１Ｈ）、３．３８（ｓ，３Ｈ）、
１．４０（ｓ，３Ｈ）、１．２７（ｓ，３Ｈ）
【００９３】
１３−５） ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホ
ニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９５）の製造
３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．８８ｇ、３．５ミリモル）及びトリエチルアミン（０．４３ｇ、４．２ミリモル）をクロロホルム（３５ｍｌ）に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−３０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．２ｇ、４．２ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−３０〜−２５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：９０％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
１０．０（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．５８（ｄ，１Ｈ）、７．２５−７．４１（ｍ，３Ｈ）、
４．５１（ｓ，１Ｈ）、４．４２（ＡＢ，２Ｈ）、３．５１（ｓ，３Ｈ）、１．４２（ｓ，３Ｈ）、
１．３６（ｓ，３Ｈ）
【００９４】
実施例１４． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９７）の製造
４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（０．３８ｇ、１．０ミリモル）、炭酸水素ナトリウム（０．１７ｇ、２．０ミリモル）及びアセトニトリル（１０ｍｌ）の混合物にクロロギ酸イソブチル（０．２７ｇ、２．０ミリモル）を加え、攪拌下、２時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．３３ｇ）を得た。
収率：６８％
物性：ｎD １．４７９４（２６℃）
【００９５】
実施例１５． ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９４）の製造
１５−１） ３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−６４）の製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．１ｇ、４．０ミリモル）、鉄粉末（１．１ｇ、２０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１１ｇ、２．０ミリモル）、エタノール（１０ｍｌ）及び水（５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、１時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．９０ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：融点 １５９〜１６０℃
【００９６】
１５−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９４）の製造
３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．３５ｇ、１．５ミリモル）及びトリエチルアミン（０．１８ｇ、１．８ミリモル）をクロロホルム（１５ｍｌ）及びテトラヒドロフラン（７．５ｍｌ）の混合溶媒に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−４０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５１ｇ、１．８ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−４０〜−３５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（０．４４ｇ）を得た。
収率：８０％
物性：融点 ８８〜９２℃
【００９７】
実施例１６． ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８７）の製造
１６−１） ３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．２−５６）の製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．２ｇ、１２ミリモル）、鉄粉末（３．４ｇ、６０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．３２ｇ、６．０ミリモル）、エタノール（３０ｍｌ）及び水（１５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、１時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（２．７ｇ）を得た。
収率：９６％
物性：融点 １２２．５〜１２３．５℃
【００９８】
１６−２） ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８７）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（１．４ｇ、６．０ミリモル）及びトリエチルアミン（０．７３ｇ、７．２ミリモル）をクロロホルム（４０ｍｌ）に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−３０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．０ｇ、７．２ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−３０〜−２５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）にて精製し、５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（２．２ｇ）を得た。
収率：定量的
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
９．３０（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．５６（ｄ，１Ｈ）、７．５３（ｄ，１Ｈ）、
７．４３（ｄｄ，１Ｈ）、７．３２（ｄｄ，１Ｈ）、４．７４（ｓ，２Ｈ）、
１．５６（ｓ，６Ｈ）
【００９９】
実施例１７． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８９）の製造
５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（０．５５ｇ、１．５ミリモル）、炭酸水素ナトリウム（０．２５ｇ、３．０ミリモル）及びアセトニトリル（１０ｍｌ）の混合物にクロロギ酸イソブチル（０．４１ｇ、３．０ミリモル）を加え、攪拌下、２時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（０．６０ｇ）を得た。
収率：８６％
物性：ｎD １．４８６７（１５℃）
【０１００】
以下に本発明の代表的な製剤例及び試験例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、製剤例中、部とあるのは重量部を示す。
製剤例１． 乳剤
本発明化合物 １０部
キシレン ７０部
Ｎ−メチルピロリドン １０部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部
以上を均一に混合溶解して乳剤とする。
製剤例２． 粉剤
本発明化合物 ３部
クレー粉末 ８２部
珪藻土粉末 １５部
以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。
【０１０１】
製剤例３． 粒剤
本発明化合物 ５部
ベントナイトとクレーの混合粉末 ９０部
リグニンスルホン酸カルシウム ５部
以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、乾燥して粒剤とする。
製剤例４． 水和剤
本発明化合物 ２０部
カオリンと合成高分散珪酸 ７５部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部
以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。
【０１０２】
試験例１． 出芽前（pre）の水田雑草に対する除草効果試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタ
ルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍ
の状態に湛水した。翌日に、製剤例１から４に準じて調製した本発明化合物を有効成分とする薬剤の所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ又は３００ｇ／ｈａ）を水で希釈し水面に滴下処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、下記の基準に従って除草効果を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
除草効果（生育抑制程度）及び薬害の判定基準。
４・・・９０％〜１００％の除草効果、薬害。
３・・・７０％〜８９％の除草効果、薬害。
２・・・４０％〜６９％の除草効果、薬害。
１・・・１％〜３９％の除草効果、薬害。
０・・・０％の除草効果、薬害。
【０１０３】
試験例２． 出芽後（post）の水田雑草に対する除草効果試験。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌビエ
、イヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、
水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ又は３００ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
【０１０４】
試験例３． 移植水稲に対する薬害試験。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水深５ｃｍの状態に湛水
し、２葉期のイネ（品種：日本晴）を移植深度１ｃｍで２本移植した。温室内で育成し、移植５日後に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に薬害を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
【０１０５】
【表１３】
【０１０６】
【表１４】
【０１０７】
【表１５】
【０１０８】
【表１６】
【０１０９】
【表１７】
【０１１０】
【表１８】
【０１１１】
【表１９】
【０１１２】
試験例４．水田雑草に対する低薬量試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタ
ルイの種子を播種し、土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内
で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として３０ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第７表に示す。尚、比較化合物として特開２００４−１０７３２２号記載の化合物Ｎｏ．６−２８の化合物を用いた。
【０１１３】
試験例５． 移植水稲と雑草との選択性
移植水稲に対する薬害試験は試験例３と同様に、有効成分として３０００、１０００、３００、１００（ｇ／ｈａ）の処理を行い、出芽後の雑草に対する効果試験としては、イヌホタルイを試験例２と同様に播種し、３００、１００、３０、１０（ｇ／ｈａ）の処理を行った。温室内で育成し、処理２１日後に薬害、除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害、除草効果を評価した。その結果から、下記式に従って選択性指数を算出し、移植水稲とイヌホタルイとの選択性を評価した。結果を第７表に示す。尚、比較化合物として特開２００４−１０７３２２号記載の化合物Ｎｏ．６−２８の化合物を用いた。
［式１］
（イネ薬害０を示した最高薬量）
選択性指数 ＝ ――――――――――――――――――
（イヌホタルイ効果４を示した最低薬量）
【０１１４】
【表２０】
【０１１５】
【表２１】
【０１１６】
【表２２】
【０１１７】
【表２３】
【０１１８】
第７表の結果から本発明化合物は比較化合物に比べ、除草活性が高く、移植水稲に対して安全な化合物であることがわかる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハロアルキルスルホンアニリドとヘテロ環がアルキレン基等のスペーサーを介してヘテロ環内窒素原子と結合した骨格の化合物が除草剤として知られている（例えば、特許文献１参照。）が、本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体に関する具体的な製法、化合物の物性及び除草活性は知られていない。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１０７３２２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、ある種のハロアルキルスルホンアミド誘導体が除草剤として有用であることが知られているが、その除草効果、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性は充分ではなく、より優れた特性を備えた除草剤の創出が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者等は、新規な除草剤を開発すべくスルホンアニリド構造を有する誘導体の合成とその生理活性について鋭意研究を重ねた結果、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体が文献未記載の新規化合物であり、先行技術に開示の化合物に比して顕著な除草効果、優れた作物−雑草間の選択性等の特性を兼ね備えており、除草剤、特に水田用除草剤として有用なことを見出し、本発明を完成させたものである。
【０００６】
即ち、本発明は一般式（Ｉ）
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C8）アルキル基を示す。Ｒ2は水素原子、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C18）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C18）アルコキシカルボニル基、（C2-C18）アルケニルオキシカルボニル基、（C2-C18）アルキニルオキシカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルコキシカルボニ
ル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）ア
ルキルスルホニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、同一又
は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシカルボニル基、フェノキシ（C1-C6）アルキルカルボニル基、Ｙ（Ｙは後記
に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に
示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換ベンジルオキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオカルボニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基を示す。
【０００７】
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
【０００８】
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）ア
ルキル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルカルボニルオ
キシ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、同一又
は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アル
キルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシ（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示
す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基はピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピラゾリル基又はピロリジニル基を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
水酸基又はシアノ基を示す。又、Ｒ5とＲ6、Ｒ5とＲ7、Ｒ5とＲ8、Ｒ6とＲ7、Ｒ6とＲ8及びＲ7とＲ8はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、Ｒ5とＲ6及びＲ7とＲ8はカルボニル基を形成することができ、Ｒ6とＲ7は二重結合を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Wは酸素原子又は硫黄原子を示す。
【０００９】
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6
）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6
）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ
（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル
基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニ
ル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノ
カルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキ
ルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す。又、Ｘはベンゼン環上の隣接する炭素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
【００１０】
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アル
キル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アル
コキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキ
ルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、
【００１１】
フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）
アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）
アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、
モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）
アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキ
ル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキ
シ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキル
チオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキ
ルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても
良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜
５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6
）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキ
ルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、
【００１２】
フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ
（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ
（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、
（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）
アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）
アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6
）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異
なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択さ
れる１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、
【００１３】
（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニル
アミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、
（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキル
スルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニ
ル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6
）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミ
ノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される
１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択さ
れる１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類及び該化合物を有効成分として含有する除草剤並びにその使用方法に関する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、難防除雑草を含む多くの雑草種に対する広い適用性、効果の持続性、優れた作物−雑草間の選択性等の特性に優れ、特に水田用除草剤として有用な新規化合物を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明のハロアルキルスルホンアニリド誘導体の一般式（Ｉ）の定義において、「ハロゲン原子」とは塩素原子、臭素原子、沃素原子又はフッ素原子を示す。「（C1-C6）アル
キレン基」とはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ジメチルメチレン基、テトラメチレン基、イソブチレン基、ジメチルエチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキレン基を示し、「（C2-C6）アルケニレン基」とは直鎖
又は分岐鎖状の炭素原子数２〜６個のアルケニレン基を示す。「（C1-C6）アルキル基」
とは、例えばメチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、ノルマルペンチル基、ネオペンチル基、ノルマルヘキシル基等の直鎖又は分鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示す。「ハロ（C1-C6）アルキル基」とは、同一又は異なっても良い１以上の
ハロゲン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、例えばトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロイソプロピル基、クロロメチル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、２，３
−ジブロモプロピル基等を示す。「（C3-C6）シクロアルキル基」とは、シクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−メチルシクロプロピル基、２−メチルシクロペンチル基等の炭素原子数３〜６個の脂環式アルキル基を示す。
【００１６】
「（C1-C6）アルコキシ基」とは、例えばメトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ノルマルブトキシ基、セカンダリーブトキシ基、ターシャリーブトキシ基、ノルマルペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ノルマルヘキシルオキシ基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基
を示す。「ハロ（C1-C6）アルコキシ基」とは、同一又は異なっても良い１以上のハロゲ
ン原子により置換された直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシ基を示し、例えばジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基等を示す。「（C1-C6）アルコキシカルボニル基」とは、例えばメトキシカルボニ
ル基、エトキシカルボニル基、ノルマルプロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ノルマルブトキシカルボニル基、ターシャリーブトキシカルボニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルコキシカルボニル基を示す。「（C1-C6）アルキ
ルチオ基」とは、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ノルマルプロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ノルマルブチルチオ基、セカンダリーブチルチオ基、ターシャリーブチルチオ基、ノルマルペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ノルマルヘキシルチオ基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルチオ基を示す。「（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基」とは、例えばメチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ノルマルプロピルスルフィニル基、イソプロピルスルフィニル基、ノルマルブチルスルフィニル基、セカンダリーブチルスルフィニル基、ターシャリーブチルスルフィニル基、ノルマルペンチルスルフィニル基、イソペンチルスルフィニル基、ノルマルヘキシルスルフィニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルフィニル基を示す。「（C1-C6
）アルキルスルホニル基」とは、例えばメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ノルマルプロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ノルマルブチルスルホニル基、セカンダリーブチルスルホニル基、ターシャリーブチルスルホニル基、ノルマルペンチルスルホニル基、イソペンチルスルホニル基、ノルマルヘキシルスルホニル基等の直鎖又は分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルホニル基を示す。
又、「（C1-C6）」、「（C3-C6）」、「（C2-C18）」等の表現は各種置換基の炭素原子数の範囲を示す。
【００１７】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体の塩類としては、例えばナトリウムイオン、カリウムイオン等のアルカリ金属塩、カルシウムイオン等のアルカリ土類金属塩との塩等を例示することができる。又、塩類にあっては水和物であっても良い。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体は、その構造式中に１
つ又は複数個の不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体及びジアステレオマーが存在する場合もあるが、本発明は各々の光学異性体及びそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
以下に本発明の代表的な製造方法を図式的に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
製造方法１
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体は以下の製造方法により製造することができる。
【化２】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じくし、Ｌ
はハロゲン原子等の脱離基を示す。）
【００１９】
一般式（II）で表されるニトロ化合物を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下にホスゲン等のカルボニル化剤、又は、チオホスゲン等のチオカルボニル化剤を反応させることにより、一般式（III）で表される環状ニトロ化合物とし、該化合物を単離し又は単離
せずして、ニトロ基を還元することにより、一般式（IV）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表され
るハロアルキルスルホニル誘導体を反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−１）で表されるハロアル
キルスルホンアミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ2が水素原子の場合）を製造するこ
とができる。更に一般式（Ｉ−１）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せ
ずして、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ
）で表
されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００２０】
１−１） 一般式（II）→ 一般式（III）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できるカルボニル化
剤としては、例えば、ホスゲン、ジホスゲン、トリホスゲン、ジエチルカーボネート、１，１’−カルボニルジイミダゾール等を挙げることができる。チオカルボニル化剤としてはチオホスゲン、１，１’−チオカルボニルジイミダゾール等を例示することができる。カルボニル化剤又はチオカルボニル化剤の使用量は一般式（II）で表されるニトロ化合物に対して、０．３〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は一般式（II）で表されるニトロ化合物に対して０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。また、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２１】
１−２） 一般式（III）→ 一般式（IV）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、次に示す還元剤として使用する酸の水溶液をそのまま不活性溶媒として使用することもできる。本反応で使用できる還元剤としては、金属−酸、金属−塩等を例示することができ、金属としては、例えば鉄、スズ、亜鉛等を、酸としては、例えば塩酸、硫酸等の鉱酸類、酢酸等の有機酸類等を、塩としては、例えば、塩化スズ、塩化アンモニウム等を挙げることができる。また、これらを組み合わせて使用することも可能である。還元剤の使用量は一般式（III）で表される環状ニトロ化合物に対して、金属は１〜１０倍モル、酸および塩は
０．０５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。又、還元反応は触媒の存在下、接触水素添加法によっても行うことができ、触媒としては、例えば、パラジウム炭素等を挙げることができる。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２２】
１−３） 一般式（IV）→ 一般式（Ｉ−１）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類、アセトニトリル等のニトリル類、酢酸エチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、水等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等
を例示することができる。塩基の使用量は一般式（IV）で表されるアニリン類に対して０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。本反応においては反応を促進する目的で相間移動触媒を使用することもできる。使用できる相間移動触媒としては、テトラｎ−ブチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド等の４級アンモニウム塩、１８−クラウン−６等のクラウンエーテル類等を例示することができる。本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は−２０℃〜使用する不活性溶媒の還流温度の範囲で行うことができ、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２３】
１−４） 一般式（Ｉ−１）→ 一般式（Ｉ）
本反応は１−３）に準じて行えば良い。
反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。
一般式（II）で表される出発物質は、公知の文献｛例えば、Tetrahedron Lett., 31,4661（1990）、Synth. Commun., 24(10), 1415（1994）、Bull. Soc. Chim. Fr., 10, 347
（1943）等｝に記載の方法により又はこれらに準じて製造することができる。
【００２４】
製造方法２
【化３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００２５】
一般式（Ｖ）で表される複素環化合物と一般式（VI）で表されるニトロベンゼン類とを塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、一般式（III−１）
で表される化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、カルボニル基を還元することにより、一般式（III−２）で表されるアルコール類とし、該アルコール類を単離し又
は単離せずして、酸又は脱水剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下に脱水することにより、一般式（III−３）で表される環状不飽和化合物とし、該化合物を単離し又は
単離せずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−１）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル
誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−２）で表されるハロアルキルスル
ホンアミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ6とＲ7が二重結合を形成する場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−２）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は
単離せずして、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般
式（Ｉ
−３）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００２６】
２−１） 一般式（V）→ 一般式（III−１）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれ
ば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホロアミド等のアミド類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる塩基としては、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、ピリジン等の含窒素有機塩基類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウム、金属ナトリウム等の無機塩基類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の有機塩基類、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等のアルコラート類等を例示することができる。塩基の使用量は一般式（V）で表される複素環化合物に対して
０．５〜５倍モルの範囲で適宜選択すれば良い。本反応は等モル反応であるので、各反応剤を等モル使用すれば良いが、いずれかの反応剤を過剰に使用することもできる。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。また、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２７】
２−２） 一般式（III−１）→ 一般式（III−２）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、水等を例示することができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる還元剤としては、例えば、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素亜鉛、水素化リチウムアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミニウム等の金属水素錯化合物を挙げることができる。還元剤の使用量は一般式（III−１）で表される化合物に対して０．２５〜１０倍モルの範囲から適宜選
択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２８】
２−３） 一般式（III−２）→ 一般式（III−３）
本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。また、脱水剤を使用する場合は、ピリジン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホロアミド等の不活性溶媒を使用することができる。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−２）で表されるアルコール類に対
して０．０１〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。本反応で使用できる脱水剤としては、例えば、塩化チオニル、塩化ホスホリル等のハロゲン化試剤、塩化メタンスルホニル等のスルホン化試剤、無水酢酸、無水フタル酸等のエステル化試剤が挙げら
れる。脱水剤の使用量は一般式（III−２）で表されるアルコール類に対して１〜１０倍
モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００２９】
２−４） 一般式（III−３）→ 一般式（IV−１）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
２−５） 一般式（IV−１）→ 一般式（Ｉ−２）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
２−６） 一般式（Ｉ−２）→ 一般式（Ｉ−３）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
尚、一般式（V）で表される複素環化合物は公知の文献｛例えば、J. Am. Chem. Soc., 67, 522-523 (1945) 、特開昭５８−１８３６０３号公報等｝に記載の方法により又はこ
れらに準じて製造することができる。
【００３０】
製造方法３
【化４】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じくし、Ｒ9は（C1-C6）アルキル基を示す。）
【００３１】
一般式（V−１）で表される複素環化合物と一般式（VI）で表されるニトロベンゼン類
とを塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、一般式（III−
４）で表される化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、カルボニル基を還元することにより、一般式（III−５）で表されるアルコール類とし、該アルコール類を単離
し又は単離せずして、Ｒ9ＯＨで表されるアルコール類と酸の存在下に反応させることに
より、一般式（III−６）で表されるエーテル類とし、該エーテル類を単離し又は単離せ
ずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−２）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Ｌあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体
を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−４）で表されるハロアルキルスルホンア
ミド誘導体（一般式（Ｉ）においてＲ5又はＲ6がアルコキシ基の場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−４）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せず
して、一般式Ｒ2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ−
５）で
表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００３２】
３−１） 一般式（V−１）→ 一般式（III−４）
本反応は２−１）と同様に行えば良い。
３−２） 一般式（III−４）→ 一般式（III−５）
本反応は２−２）と同様に行えば良い。
【００３３】
３−３） 一般式（III−５）→ 一般式（III−６）
本反応で使用する溶媒としては、目的とするＲ9に相当するアルコール（例えば、メタ
ノール、エタノール、ノルマルプロパノール、イソプロピルアルコール、ノルマルブタノール、イソブチルアルコール、セカンダリーブチルアルコール、ターシャリーブチルアルコール等）を使用する。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−５）で表されるアルコール類に対して０．０１〜１０倍モルの範囲から適宜選
択して使用すれば良い。反応温度は０〜１５０℃の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００３４】
３−４） 一般式（III−６）→ 一般式（IV−２）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
３−５） 一般式（IV−２）→ 一般式（Ｉ−４）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
３−６） 一般式（Ｉ−４）→ 一般式（Ｉ−５）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
尚、一般式（V−１）で表される複素環化合物は公知の文献｛例えば、J. Am. Chem. Soc., 67, 522-523 (1945) 、特開昭５８−１８３６０３号公報等｝に記載の方法により又
はこれらに準じて製造することができる。
【００３５】
製造方法４
【化５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００３６】
一般式（III−４）で表される化合物を還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存
在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−３）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより、本発明化合物の一部である一般式（Ｉ−６）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体（一般式（
Ｉ）においてＲ5とＲ6がカルボニル基を形成する場合）を製造することができる。更に一般式（Ｉ−６）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せずして、一般式Ｒ
2−Ｌで表される化合物を反応させることにより、本発明の一般式（Ｉ−７）で表される
ハロア
ルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。又、一般式（Ｉ−６）で表されるハロア
ルキルスルホンアミド誘導体を単離し又は単離せずして、還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にカルボニル基を還元することにより、本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロ
アルキルスルホンアミド誘導体を製造することができる。
【００３７】
４−１） 一般式（III−４）→ 一般式（IV−３）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
４−２） 一般式（IV−３）→ 一般式（Ｉ−６）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
４−３） 一般式（Ｉ−６）→ 一般式（Ｉ−７）
本反応は１−４）と同様に行えば良い。
４−４） 一般式（Ｉ−６）→ 一般式（Ｉ−８）
本反応は２−２）と同様に行えば良い。
【００３８】
製造方法５
【化６】
（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｌ、Ａ、Ｘ及びWは前記に同じ。）
【００３９】
本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体は、一般式（III−
５）で表されるアルコール類を還元剤の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−４）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより製造することもできる。
また、一般式（III−５）で表されるアルコール類を酸及びトリエチルシランの存在下
、不活性溶媒の存在下又は非存在下にヒドロキシル基を還元することにより、一般式（III−７）で表される飽和複素環化合物とし、該化合物を単離し又は単離せずして、還元剤
の存在下、不活性溶媒の存在下又は非存在下にニトロ基を還元することにより、一般式（IV−５）で表されるアニリン類とし、該アニリン類を単離し又は単離せずして、Ｒ1ＳＯ2−Lあるいは（Ｒ1ＳＯ2）2Ｏで表されるハロアルキルスルホニル誘導体を塩基及び不活性溶媒の存在下又は非存在下に反応させることにより本発明の一般式（Ｉ−８）で表されるハロアルキルスルホンアミド誘導体を製
造することができる。
【００４０】
５−１） 一般式（III−４）→ 一般式（IV−４）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
５−２） 一般式（IV−４）→ 一般式（Ｉ−８）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
【００４１】
５−３） 一般式（III−５）→ 一般式（III−７）
本反応で使用するトリエチルシランの使用量は、一般式（III−５）で表されるアルコ
ール類に対して０．５〜１０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良いが、好ましくは１〜３倍モルの範囲である。本反応で使用できる不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば良く、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の鎖状又は環状エーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類等の不活性溶媒を挙げることができ、これらの不活性溶媒は単独で又は２種以上混合して使用することができる。本反応で使用できる酸としては、例えば、塩酸、硫酸等の鉱酸類、ギ酸、酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸類、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類が挙げられる。酸の使用量は一般式（III−５）で表されるア
ルコール類に対して０．１〜５０倍モルの範囲から適宜選択して使用すれば良い。反応温度は０℃〜使用する溶媒の沸点の範囲から選択すれば良く、反応時間は反応規模、反応温度等により一定しないが、数分〜４８時間の範囲で適宜選択すれば良い。反応終了後、目的物を含む反応系から常法により目的物を単離し、必要に応じて再結晶法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等で精製することにより目的物を製造することができる。又、本反応終了後に目的物を単離せずに次の反応に供することもできる。
【００４２】
５−４） 一般式（III−７）→ 一般式（IV−５）
本反応は１−２）と同様に行えば良い。
５−５） 一般式（IV−５）→ 一般式（Ｉ−９）
本反応は１−３）と同様に行えば良い。
【００４３】
以下に本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体の代表例を第１表及び第２表に、中間体である一般式（IV）で表されるアニリン類を第３表及び第４表に例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。表中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｂｕ」はブチル基を、「Ｈｅｘ」はヘキシル基を、「Ａｃ」はアセチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「ｎ−」はノルマルを、「ｉ−」はイソを、「ｓ−」はセカンダリーを、「ｔ−」はターシャリーを、「ｃ−」は脂環式炭化水素基を示す。「−」はＲ6とＲ7が結合して環中に二重結合を形成していることを示す。「Ｑ１」及び「Ｑ２」は下記構造を示す。
【化７】
【化８】
「（Ｒ体）」及び「（Ｓ体）」は各々の置換基が接続する不斉炭素の立体配置を示す。「置換位置」は各々の構造式において、ベンゼン環上のハロアルキルスルホニルアミノ基、ニトロ基又はアミノ基の置換位置を示し、物性は融点（℃）又は屈折率ｎD（℃）を示す
。又、第５表には第１表乃至第４表中の物性値がＮＭＲと記載されている化合物について1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表３】
【００４７】
【表４】
【００４８】
【表５】
【００４９】
【表６】
【００５０】
【表７】
【００５１】
【表８】
【００５２】
【表９】
【００５３】
【表１０】
【００５４】
【表１１】
【００５５】
【表１２】
【００５６】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を
有効成分として含有する除草剤は、例えばイヌビエ（イネ科１年生草、水田の雑草）、アゼナ（ゴマノハグサ科１年生草、水田の雑草）、コナギ（ミズアオイ科１年生草、水田の雑草）、ミズアオイ（ミズアオイ科１年生草、水田の雑草）、ヒメミソハギ（ミソハギ科１年生草、水田の雑草）、タマガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、水田の雑草）、マツバイ（カヤツリグサ科多年生草、湿地、水路、水田に発生、水田の多年生雑草）、オモダカ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生する多年生雑草）、ウリカワ（オモダカ科、水田、湿地、溝に発生する多年生雑草）、イヌホタルイ（カヤツリグサ科多年生草、水田、湿地、溝に発生）、クログワイ（カヤツリグサ科多年生草、水田、湿地、溝に発生）、スズメノテッポウ（イネ科越年草、水田裏作、低湿地に発生）、カラスムギ（イネ科越年草、平地、荒地、畑地に発生）、ヨモギ（キク科多年生草、山野、畑地に発生）、メヒシバ（イネ科１年生草、畑、樹園地の雑草）、ギシギシ（タデ科多年生草、畑地、道端に発生）、コゴメガヤツリ（カヤツリグサ科１年生草、畑地の雑草）、アオビユ（ヒユ科１年生草、空き地、道端、畑地に発生）、オナモミ（キク科１年生草、畑地の雑草）、イチビ（アオイ科１年生草、畑地の雑草）、シロバナヨウシュチョウセンアサガオ（ナス科１年生草、畑地の雑草）、オオイヌノフグリ（ゴマノハグサ科越年草、畑地の雑草）、ヤエムグラ（アカネ科越年草、畑地、樹園地の雑草）等の水田、畑、樹園地、湿地等に発生する１年生、越年生及び多年生雑草を除草するのに有用である。特に水田における雑草防除に有効であり、イネ−水田雑草間の選択性幅が広いことから水田用除草剤として優れた性能を有する。
【００５７】
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は出芽前及び出芽後にある雑草に対して優れた除草効果を示すことから、有用植物の植え付け予定地に予め処理する、あるいは有用植物の植え付け後（有用植物が樹園のごとく既に定植されている場合を含む）雑草の発生始期から生育期に処理することにより本発明除草剤の有する特徴ある生理活性を効果的に発現させることができる。しかし本発明の除草剤はこのような態様においてのみ使用されねばならないというものではなく、例えば本発明除草剤は水田用除草剤として使用することができるばかりでなく、一般雑草の除草剤としても使用することができ、例えば刈り取り跡、休耕田畑、畦畔、農道、水路、牧草造成地、墓地、公園、道路、運動場、建物の周辺の空き地、開墾地、線路端、森林等の一般雑草の駆除のために使用することもできる。この場合、雑草の発生始期までに処理するのが経済的にも最も効果的であるが、必ずしもこれに限定されず、生育期にある雑草をも防除することが可能である。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を除草剤として使用する場合、農薬製剤上の常法に従い、使用上都合の良い形状に製剤して使用するのが一般的である。即ち、本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類は、これらを適当な不活性担体に、又は必要に応じて補助剤と一緒に、適当な割合に配合して溶解、分離、懸濁、混合、含浸、吸着若しくは付着させ、適切な剤型、例えば懸濁剤、乳懸濁剤、乳剤、液剤、水和剤、顆粒水和剤、粒剤、粉剤、錠剤、ジャンボ剤、パック剤等に製剤して使用すれば良い。
【００５８】
本発明で使用できる不活性担体としては固体又は液体の何れであっても良く、固体の担体になり得る材料としては、例えば植物質粉末類（例えばダイズ粉、穀物粉、木粉、樹皮粉、鋸粉、タバコ茎粉、クルミ殻粉、ふすま、繊維素粉末、植物エキス抽出後の残渣等）、粉砕合成樹脂等の合成重合体、粘土類（例えばカオリン、ベントナイト、酸性白土等）、タルク類（例えばタルク、ピロフィライト等）、シリカ類｛例えば珪藻土、珪砂、雲母、ホワイトカーボン（含水微粉珪素、含水珪酸ともいわれる合成高分散珪酸で、製品により珪酸カルシウムを主成分として含むものもある。）｝、活性炭、天然鉱物質類（例えばイオウ粉末、軽石、アタパルジャイトおよびゼオライト等）、焼成珪藻土、レンガ粉砕物、フライアッシュ、砂、プラスチック担体等（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリデン等）、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム等の無機鉱物性粉末、硫安、燐
安、硝安、尿素、塩安等の化学肥料、堆肥等を挙げることができ、これらは単独で若しくは二種以上の混合物の形で使用される。
液体の担体になり得る材料としては、それ自体溶媒能を有するものの他、溶媒能を有さずとも補助剤の助けにより有効成分化合物を分散させ得ることとなるものから選択され、例えば代表例として次に挙げる担体を例示できるが、これらは単独で若しくは２種以上の混合物の形で使用され、例えば水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、エチレングリコール等）、ケトン類（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、エーテル類（例えばエチルエーテル、ジオキサン、セロソルブ、ジプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等）、脂肪族炭化水素類（例えばケロシン、鉱油等）、芳香族炭化水素類（例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ、アルキルナフタレン等）、ハロゲン化炭化水素類（例えばジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等）、エステル類（例えば酢酸エチル、ジイソプロピルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等）、ニトリル類（例えばアセトニトリル等）、ジメチルスルホキシド類等を挙げることができる。
【００５９】
他の補助剤としては次に例示する代表的な補助剤を挙げることができ、これらの補助剤は目的に応じて使用され、単独で、ある場合は二種以上の補助剤を併用し、又ある場合には全く補助剤を使用しないことも可能である。有効成分化合物の乳化、分散、可溶化及び／又は湿潤の目的のために界面活性剤が使用され、例えばポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、ポリオキシエチレン高級脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン樹脂酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、アルキルアリールスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸縮合物、リグニンスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル等の界面活性剤を例示することができる。
又、有効成分化合物の分散安定化、粘着及び／又は結合の目的のために、次に例示する補助剤を使用することもでき、例えばカゼイン、ゼラチン、澱粉、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、アラビアゴム、ポリビニルアルコール、松根油、糠油、ベントナイト、リグニンスルホン酸塩等の補助剤を使用することもできる。固体製品の流動性改良のために次に挙げる補助剤を使用することもでき、例えばワックス、ステアリン酸塩、燐酸アルキルエステル等の補助剤を使用できる。懸濁性製品の解こう剤として、例えばナフタレンスルホン酸縮合物、縮合燐酸塩等の補助剤を使用することもできる。消泡剤としては、例えばシリコーン油等の補助剤を使用することもできる。
【００６０】
有効成分化合物の配合割合は必要に応じて加減することができ特に制限されないが、通常０．００１重量％〜９０重量％程度であり、例えば、粉剤或いは粒剤とする場合は０．０１重量％〜５０重量％程度が好ましく、より好ましくは０．１重量％〜１０重量％程度であり、乳剤、水和剤或いは顆粒水和剤等とする場合は０．０１重量％〜９０重量％程度が好ましく、より好ましくは０．１重量％〜６０重量％程度である。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤は、各種雑草を枯殺し若しくは生育を抑制するためにそのまま、又は水等で適宜希釈し、若しくは懸濁させた形で殺草若しくは生育抑制に有効な量を当該雑草に、又は当該雑草の発生若しくは成育が好ましくない場所において茎葉又は土壌に適用して使用すれば良い。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤の使用量は種々の因子、例えば目的、対象雑草、作物の生育状況、雑草の発生傾向、天候、環境条件、剤型、施用方法、施用場所、施用時期等により変動するが、有効成分化合物として１ヘクタール当たり０．１ｇ〜1０ｋｇの範囲から
目的に応じて適宜選択すれば良い。本発明の一般式（Ｉ）で表されるハロアルキルスルホ
ンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有する除草剤を更に防除対象雑草、防除適期の拡大のため、或いは薬量の低減をはかる目的で他の除草剤と混合して使用することも可能である。
【実施例】
【００６１】
次に、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１． ４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−５）の製造
１−１） ４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
２−（２−ニトロベンジルアミノ）−１−ブタノール（３．２ｇ、１４ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（７．１ｇ、７１ミリモル）、トリホスゲン（２．１ｇ、７．１ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．６ｇ）を得た。
収率：７２％
物性：ｎD１．５５１４（２３℃）
【００６２】
１−２） ４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−２）の製造
４−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．６ｇ、１０ミリモル）、鉄粉末（２．８ｇ、５１ミリモル）、塩化アンモニウム（０．３ｇ、５．１ミリモル）をエタノール（３０ｍｌ）と水（１５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．５６１０（２３℃）
【００６３】
１−３） ４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−５）の製造
４−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ、９．０ミリモル）とトリエチルアミン（１．４ｇ、１３ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．０ｇ、１１ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（２．２ｇ）を得た。
収率：６９％
物性：融点 ８１．４〜８３．６℃
【００６４】
実施例２． ４−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−６）の製造
４−エチル−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．０ｇ、２．８ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．４８ｇ、５．７ミ
リモル）をアセトニトリル（１０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．７８ｇ、５．７ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（１．２ｇ）を得た。
収率：９１％
物性：融点 ６９．３〜７１．７℃
【００６５】
実施例３． ４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１５）の製造
３−１） ４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
２−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−メチル−１−プロパノール（２．６ｇ、１２ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（５．９ｇ、５９ミリモル）、トリホスゲン（１．７ｇ、５．９ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．３ｇ）を得た。
収率：４３％
物性：融点 １０３〜１０６℃
【００６６】
３−２） ４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−７）の製造
４，４−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．７５ｇ、３．０ミリモル）、鉄粉末（０．８４ｇ、１５ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０８ｇ、１．５ミリモル）をエタノール（２０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．６６ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：融点 ７３〜７６℃
【００６７】
３−３） ４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１５）の製造
４，４−ジメチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．６６ｇ、３．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．４５ｇ、４．５ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．０ｇ、３．６ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（０．８７ｇ）を得た。
収率：８２％
物性：融点 １３４．９℃
【００６８】
実施例４． ４，４−ジメチル−３−[２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（
トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−１６）の製造
４，４−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（０．３５ｇ、０．９９ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１７ｇ、２．０ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２７ｇ、２．０ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４，４−ジメチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（０．４３ｇ）を得た。
収率：９０％
物性：融点 ６５．０〜６５．８℃
【００６９】
実施例５． ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２１）の製造
５−１） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオンの製造
１−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−プロパノ−ル（１．１ｇ、５．２ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでトリエチルアミン（１．６ｇ、１６ミリモル）、チオホスゲン（０．７８ｇ、６．８ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．５６ｇ）を得た。
収率：４２％
物性：融点 １３７〜１３９℃
【００７０】
５−２） ５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．２−１０）の製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．４０ｇ、１．６ミリモル）、鉄粉末（０．４４ｇ、７．９ミリモル）、塩化アンモニウム（０．０４ｇ、０．７９ミリモル）をエタノール（１５ｍｌ）と水（７．５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．３６ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：ｎD１．６０９２（２２℃）
【００７１】
５−３） ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２１）の製造
５−メチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジンチオン（０．３６ｇ、１．６ミリモル）とトリエチルアミン（０．２４ｇ、２．４ミリモル）をクロロホルム（２０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−３０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５４ｇ、１．９ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（０．４９ｇ）を得た。
収率：８７％
物性：融点 ７４〜７６℃
【００７２】
実施例６． ５−メチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジンチオン（化合物Ｎｏ．１−２２）の製造
５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジンチオン（０．３３ｇ、０．９３ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１６ｇ、１．９ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２５ｇ、１．９ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、５−メチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジンチオン（０．３７ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．５１６８（２２℃）
【００７３】
実施例７． ５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２３）の製造
７−１） ５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノンの製造
１−（２−ニトロベンジルアミノ）−２−ブタノール（２．６ｇ、１２ミリモル）をクロロホルム（１００ｍｌ）に溶解し、反応溶液を０℃に冷却した。ついでピリジン（４．６ｇ、５９ミリモル）、トリホスゲン（１．７ｇ、５．９ミリモル）を加えた。そのままの温度で１．５時間撹拌した。反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ）を得た。
収率：５１％
物性：ｎD１．５２８５（２４℃）
【００７４】
７−２） ５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．２−１１）の製造
５−エチル−３−（２−ニトロベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ、６．０ミリモル）、鉄粉末（１．７ｇ、３０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１６ｇ、３．０ミリモル）をエタノール（２０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（１．３ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］
７．１３（ｄｄ，１H）、７．００（ｄ，１H）、６．６６（ｍ，２H）、
４．４６−４．３２（ｍ，３H）、４．２８（ｂｒｓ，２H）、
３．４８（ｄｄ，１H）、３．０３（ｄｄ，１H）、
１．７７−１．５９（ｍ，２H）、０．９５（ｔ，３H）
【００７５】
７−３） ５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］
−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２３）の製造
５−エチル−３−（２−アミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（２．０ｇ、６．０ミリモル）とトリエチルアミン（０．９ｇ、８．９ミリモル）をクロロホルム（２５ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．０ｇ、７．１ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−エチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−２−オキサゾリジノン（１．５ｇ）を得た。
収率：７１％
物性：ｎD１．４８８５（２３℃）
【００７６】
実施例８． ５−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（化合物Ｎｏ．１−２４）の製造
５−エチル−３−（２−トリフルオロメタンスルホニルアミノベンジル）−２−オキサゾリジノン（０．３５ｇ、１．０ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１３ｇ、１．５ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２０ｇ、１．５ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、５−エチル−３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−２−オキサゾリジノン（０．２３ｇ）を得た。
収率：５１％
物性：融点 ８５〜８７℃
【００７７】
実施例９． ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０７）の製造
９−１） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオンの製造
５−メチル−オキサゾリジン−２，４−ジオンナトリウム塩（２．３ｇ、１７ミリモル）をジメチルホルムアミド（５０ｍｌ）に溶解し、２−ニトロベンジルブロミド（３．０ｇ、１４ミリモル）を加え、６０℃にて３０分間加熱撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．３ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：融点 １１３．７〜１１３．９℃
【００７８】
９−２） ４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．０ｇ、２０ミリモル）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、氷冷下にて水素化ホウ素リチウム（０．４０ｇ、１８ミリモル）を加え、室温にて８時間撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（２．６ｇ）をジアステレオマー混合物として得た。
収率：８６％
物性（主生成物）：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］
７．９９（ｄ，１H）、７．６５−７．６３（ｍ，２H）、７．４９（ｔ，３H）、
４．８６（ｄｄ，１H）、４．８１（ｄ，１H）、４．８０（ｄ，１H）、
４．４４（ｄｑ，１H）、４．０２（ｄ，１H）、１．３８（ｄ，３H）
【００７９】
９−３） ５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（２．６ｇ、１０ミリモル）をテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、塩化チオニル（１．２ｇ、１０ミリモル）を加え、１時間加熱還流した。室温まで冷却した後、反応液に氷、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オン（２．０ｇ）を得た。
収率：８２％
物性：融点 ８２．９−８３．９℃
【００８０】
９−４） ３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−６２）の製造
５−メチル−３−（２−ニトロベンジル）−４−オキサゾリン−２−オン（１．９５ｇ、８．３３ミリモル）、鉄粉末（２．３ｇ、４２ミリモル）、塩化アンモニウム（０．２２ｇ、４．２ミリモル）をエタノール（２５ｍｌ）と水（１３ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（１．６ｇ）を得た。
収率：９４％
物性：融点 ９９．５−１０１．９℃
【００８１】
９−５） ５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０７）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（１．６ｇ、７．８ミリモル）とトリエチルアミン（１．０ｇ、１０ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．７ｇ、９．４ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（２．１ｇ）を得た。
収率：７９％
物性：融点 １２０．２−１２１．２℃
【００８２】
実施例１０． ３−［２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル］−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−２０８）の製造
５−メチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］−４−オキサゾリン−２−オン（０．３０ｇ、０．８９ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１５ｇ、１．８ミリモル）をアセトニトリル（２０ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．２４ｇ、１．８ミリモル）を加えて２時間還流した。室温に冷却した後、反
応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−［２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル］−５−メチル−４−オキサゾリン−２−オン（０．２３ｇ）を得た。
収率：５９％
物性：融点 ６０．３−６８．６℃
【００８３】
実施例１１． ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８４）の製造
１１−１） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオンの製造
５，５−ジメチル−チアゾリジン−２，４−ジオン（１．５ｇ、１０ミリモル）をジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）に溶解し、２−ニトロベンジルブロミド（２．２ｇ、１０ミリモル）を加え、６０℃にて３０分間加熱撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオン（２．８ｇ）を得た。
収率：９９％
物性：融点 ７２．３−７３．２℃
【００８４】
１１−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オンの製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２，４−ジオン（２．０ｇ、７．１ミリモル）をテトラヒドロフラン（３５ｍｌ）に溶解し、氷冷下にて水素化ホウ素リチウム（０．２６ｇ、１１ミリモル）を加え、室温にて３．５時間撹拌した。反応液に氷、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（２．０ｇ）を得た。
収率：９９％
物性：融点 １３９．２−１４２．６℃
【００８５】
１１−３） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．８ｇ、６．５ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解し、氷冷下にてトリエチルシラン（１．１ｇ、９．７ミリモル）、トリフルオロ酢酸（７．４ｇ、６５ミリモル）を加え、室温にて１０時間撹拌した。反応液を減圧下にて溶媒を留去した後、残渣に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去した。残渣を結晶化し、その粗結晶をヘキサン−エーテルで洗浄し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．６ｇ）を得た。
収率：９２％
物性：融点 １２７．８−１２９．２℃
【００８６】
１１−４） ３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−５４）の製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）チアゾリジン−２−オン（１．４ｇ、
５．３ミリモル）、鉄粉末（１．５ｇ、２７ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１４ｇ、２．７ミリモル）をエタノール（３０ｍｌ）と水（１５ｍｌ）に溶解し、１時間加熱還流した。室温に冷却した後に、反応液を吸引ろ過し、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（１．３ｇ）を得た。
収率：１００％
物性：ｎD１．５７８８（２５℃）
【００８７】
１１−５） ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８４）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（１．３ｇ、５．３ミリモル）とトリエチルアミン（０．７０ｇ、６．９ミリモル）をクロロホルム（３０ｍｌ）に溶解した後、反応溶液を−４０℃に冷却した。ついでトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．６ｇ、５．８ミリモル）を滴下した。そのままの温度で３０分間撹拌した。反応液に希塩酸を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：６２％
物性：融点 １１５．０−１１７．５℃
【００８８】
実施例１２． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１８５）の製造
５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］チアゾリジン−２−オン（０．２５ｇ、０．６８ミリモル）と炭酸水素ナトリウム（０．１１ｇ、１．４ミリモル）をアセトニトリル（１５ｍｌ）に懸濁し、ついでクロロギ酸イソブチル（０．１９ｇ、１．４ミリモル）を加えて２．５時間還流した。室温に冷却した後、反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。酢酸エチル層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルチアゾリジン−２−オン（０．２８ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：ｎD１．４９７８（２６℃）
【００８９】
実施例１３． ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９５）の製造１３−１） ５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオンの製造
５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（１．９ｇ、１５ミリモル）、２−ニトロベンジルクロリド（２．６ｇ、１５ミリモル）、炭酸カリウム（２．５ｇ、１８ミリモル）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、２時間８０℃に加熱した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を水（２回）次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．７ｇ）を得た。
収率：９３％
物性：融点 １３３．５〜１３４．５℃
【００９０】
１３−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（２．１ｇ、８．０ミリモル）をテトラヒドロフラン（４０ｍｌ）に溶解し、氷冷下に水素化ホウ素リチウム（０．２２ｇ、１０ミリモル）を加え、室温で一夜攪拌した。反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ）を得た。
収率：８８％
物性：融点 １１９〜１１９．５℃
【００９１】
１３−３） ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オンの製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ、７．０ミリモル）のメタノール（３５ｍｌ）溶液にｐ−トルエンスルホン酸１水和物（０．１３ｇ、０．７０ミリモル）を加え、攪拌下、４時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．９ｇ）を得た。
収率：９６％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
８．０１（ｄ，１Ｈ）、７．６１−７．６８（ｍ，２Ｈ）、７．４６−７．５０（ｍ，１Ｈ）、
４．８３（ＡＢ，２Ｈ）、４．４０（ｓ，１Ｈ）、３．３７（ｓ，３Ｈ）、１．４４（ｓ，３Ｈ）、
１．３９（ｓ，３Ｈ）
【００９２】
１３−４） ３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−５９）の製造
４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．４ｇ、５．０ミリモル）、鉄粉末（１．４ｇ、２５ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１３ｇ、２．５ミリモル）、エタノール（１２ｍｌ）及び水（６ｍｌ）の混合物を、攪拌下、３０分間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：２）にて精製し、３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
７．１４（ｄｄ，１Ｈ）、７．０５（ｄ，１Ｈ）、６．６９（ｄｄ，１Ｈ）、
６．６８（ｄ，１Ｈ）、４．７５（ｄ，１Ｈ）、４．１３（ｓ，１Ｈ）、
４．１２（ｂｒｓ，２Ｈ）、４．０７（ｄ，１Ｈ）、３．３８（ｓ，３Ｈ）、
１．４０（ｓ，３Ｈ）、１．２７（ｓ，３Ｈ）
【００９３】
１３−５） ４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホ
ニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９５）の製造
３−（２−アミノベンジル）−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．８８ｇ、３．５ミリモル）及びトリエチルアミン（０．４３ｇ、４．２ミリモル）をクロロホルム（３５ｍｌ）に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−３０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（１．２ｇ、４．２ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−３０〜−２５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（１．２ｇ）を得た。
収率：９０％
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
１０．０（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．５８（ｄ，１Ｈ）、７．２５−７．４１（ｍ，３Ｈ）、
４．５１（ｓ，１Ｈ）、４．４２（ＡＢ，２Ｈ）、３．５１（ｓ，３Ｈ）、１．４２（ｓ，３Ｈ）、
１．３６（ｓ，３Ｈ）
【００９４】
実施例１４． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９７）の製造
４−メトキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（０．３８ｇ、１．０ミリモル）、炭酸水素ナトリウム（０．１７ｇ、２．０ミリモル）及びアセトニトリル（１０ｍｌ）の混合物にクロロギ酸イソブチル（０．２７ｇ、２．０ミリモル）を加え、攪拌下、２時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−４−メトキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．３３ｇ）を得た。
収率：６８％
物性：ｎD １．４７９４（２６℃）
【００９５】
実施例１５． ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９４）の製造
１５−１） ３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．２−６４）の製造
４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２−オン（１．１ｇ、４．０ミリモル）、鉄粉末（１．１ｇ、２０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．１１ｇ、２．０ミリモル）、エタノール（１０ｍｌ）及び水（５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、１時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．９０ｇ）を得た。
収率：９５％
物性：融点 １５９〜１６０℃
【００９６】
１５−２） ４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（化合物Ｎｏ．１−１９４）の製造
３−（２−アミノベンジル）−４−ヒドロキシ−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２−オン（０．３５ｇ、１．５ミリモル）及びトリエチルアミン（０．１８ｇ、１．８ミリモル）をクロロホルム（１５ｍｌ）及びテトラヒドロフラン（７．５ｍｌ）の混合溶媒に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−４０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（０．５１ｇ、１．８ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−４０〜−３５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）にて精製し、４−ヒドロキシ−５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２−オン（０．４４ｇ）を得た。
収率：８０％
物性：融点 ８８〜９２℃
【００９７】
実施例１６． ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８７）の製造
１６−１） ３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．２−５６）の製造
５，５−ジメチル−３−（２−ニトロベンジル）オキサゾリジン−２，４−ジオン（３．２ｇ、１２ミリモル）、鉄粉末（３．４ｇ、６０ミリモル）、塩化アンモニウム（０．３２ｇ、６．０ミリモル）、エタノール（３０ｍｌ）及び水（１５ｍｌ）の混合物を、攪拌下、１時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物にテトラヒドロフランを加え、セライトを用いて不溶物を濾別した。濾液を減圧下に濃縮した後、酢酸エチルで抽出、有機層を水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、ヘキサンを加え、析出した固体を濾取し、３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（２．７ｇ）を得た。
収率：９６％
物性：融点 １２２．５〜１２３．５℃
【００９８】
１６−２） ５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８７）の製造
３−（２−アミノベンジル）−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（１．４ｇ、６．０ミリモル）及びトリエチルアミン（０．７３ｇ、７．２ミリモル）をクロロホルム（４０ｍｌ）に溶解し、ドライアイス−エタノール浴で−３０℃に冷却した。攪拌下、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（２．０ｇ、７．２ミリモル）のクロロホルム溶液を滴下し（反応温度−３０〜−２５℃）、その後、同温度で３０分間攪拌した。反応混合物に水を加えて攪拌した後、室温まで昇温した。有機層を水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）にて精製し、５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（２．２ｇ）を得た。
収率：定量的
物性：1Ｈ-ＮＭＲ［４００ ＭＨｚ， ＣＤＣｌ3，δ値（ｐｐｍ）］：
９．３０（ｂｒｓ，１Ｈ）、７．５６（ｄ，１Ｈ）、７．５３（ｄ，１Ｈ）、
７．４３（ｄｄ，１Ｈ）、７．３２（ｄｄ，１Ｈ）、４．７４（ｓ，２Ｈ）、
１．５６（ｓ，６Ｈ）
【００９９】
実施例１７． ３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（化合物Ｎｏ．１−１８９）の製造
５，５−ジメチル−３−［２−（トリフルオロメタンスルホニルアミノ）ベンジル］オキサゾリジン−２，４−ジオン（０．５５ｇ、１．５ミリモル）、炭酸水素ナトリウム（０．２５ｇ、３．０ミリモル）及びアセトニトリル（１０ｍｌ）の混合物にクロロギ酸イソブチル（０．４１ｇ、３．０ミリモル）を加え、攪拌下、２時間加熱、還流した。放冷後、反応混合物に水を加え、酢酸エチルで抽出、有機層を飽和重曹水、次いで飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に濃縮した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）にて精製し、３−｛２−［Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニル）アミノ］ベンジル｝−５，５−ジメチルオキサゾリジン−２，４−ジオン（０．６０ｇ）を得た。
収率：８６％
物性：ｎD １．４８６７（１５℃）
【０１００】
以下に本発明の代表的な製剤例及び試験例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、製剤例中、部とあるのは重量部を示す。
製剤例１． 乳剤
本発明化合物 １０部
キシレン ７０部
Ｎ−メチルピロリドン １０部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 １０部
以上を均一に混合溶解して乳剤とする。
製剤例２． 粉剤
本発明化合物 ３部
クレー粉末 ８２部
珪藻土粉末 １５部
以上を均一に混合粉砕して粉剤とする。
【０１０１】
製剤例３． 粒剤
本発明化合物 ５部
ベントナイトとクレーの混合粉末 ９０部
リグニンスルホン酸カルシウム ５部
以上を均一に混合し、適量の水を加えて混練し、造粒、乾燥して粒剤とする。
製剤例４． 水和剤
本発明化合物 ２０部
カオリンと合成高分散珪酸 ７５部
ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルと
アルキルベンゼンスルホン酸カルシウムとの混合物 ５部
以上を均一に混合粉砕して水和剤とする。
【０１０２】
試験例１． 出芽前（pre）の水田雑草に対する除草効果試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタ
ルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍ
の状態に湛水した。翌日に、製剤例１から４に準じて調製した本発明化合物を有効成分とする薬剤の所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ又は３００ｇ／ｈａ）を水で希釈し水面に滴下処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、下記の基準に従って除草効果を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
除草効果（生育抑制程度）及び薬害の判定基準。
４・・・９０％〜１００％の除草効果、薬害。
３・・・７０％〜８９％の除草効果、薬害。
２・・・４０％〜６９％の除草効果、薬害。
１・・・１％〜３９％の除草効果、薬害。
０・・・０％の除草効果、薬害。
【０１０３】
試験例２． 出芽後（post）の水田雑草に対する除草効果試験。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌビエ
、イヌホタルイの種子を播種し、アゼナの種子を混和した土壌７５ｃｍ3で覆土した後、
水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ又は３００ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
【０１０４】
試験例３． 移植水稲に対する薬害試験。
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水深５ｃｍの状態に湛水
し、２葉期のイネ（品種：日本晴）を移植深度１ｃｍで２本移植した。温室内で育成し、移植５日後に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として１０００ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に薬害を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害を評価した。結果を第６表に示す。尚、表中「−」は試験未実施を示す。
【０１０５】
【表１３】
【０１０６】
【表１４】
【０１０７】
【表１５】
【０１０８】
【表１６】
【０１０９】
【表１７】
【０１１０】
【表１８】
【０１１１】
【表１９】
【０１１２】
試験例４．水田雑草に対する低薬量試験
７５ｃｍ2のプラスチックポットに土壌（埴壌土）を充填し、水田雑草であるイヌホタ
ルイの種子を播種し、土壌７５ｃｍ3で覆土した後、水深５ｃｍの状態に湛水し、温室内
で育成した。供試植物が一葉期の時期に、本発明化合物を有効成分とする薬剤を所定有効薬量（有効成分として３０ｇ／ｈａ）の薬液として処理をした。ついで、温室内で育成し、処理２１日後に除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って除草効果を評価した。結果を第７表に示す。尚、比較化合物として特開２００４−１０７３２２号記載の化合物Ｎｏ．６−２８の化合物を用いた。
【０１１３】
試験例５． 移植水稲と雑草との選択性
移植水稲に対する薬害試験は試験例３と同様に、有効成分として３０００、１０００、３００、１００（ｇ／ｈａ）の処理を行い、出芽後の雑草に対する効果試験としては、イヌホタルイを試験例２と同様に播種し、３００、１００、３０、１０（ｇ／ｈａ）の処理を行った。温室内で育成し、処理２１日後に薬害、除草効果を調査し、無処理と比較して、試験例１の基準に従って薬害、除草効果を評価した。その結果から、下記式に従って選択性指数を算出し、移植水稲とイヌホタルイとの選択性を評価した。結果を第７表に示す。尚、比較化合物として特開２００４−１０７３２２号記載の化合物Ｎｏ．６−２８の化合物を用いた。
［式１］
（イネ薬害０を示した最高薬量）
選択性指数 ＝ ――――――――――――――――――
（イヌホタルイ効果４を示した最低薬量）
【０１１４】
【表２０】
【０１１５】
【表２１】
【０１１６】
【表２２】
【０１１７】
【表２３】
【０１１８】
第７表の結果から本発明化合物は比較化合物に比べ、除草活性が高く、移植水稲に対して安全な化合物であることがわかる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C8）アルキル基を示す。Ｒ2は水素原子、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C18）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C18）アルコキシカルボニル基、（C2-C18）アルケニルオキシカルボニル基、（C2-C18）アルキニルオキシカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルコキシカルボニ
ル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）ア
ルキルスルホニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、同一又
は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシカルボニル基、フェノキシ（C1-C6）アルキルカルボニル基、Ｙ（Ｙは後記
に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換ベンジルオキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオカルボニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基を示す。
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）ア
ルキル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルカルボニルオ
キシ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、同一又
は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アル
キルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシ（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示
す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基はピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピラゾリル基又はピロリジニル基を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、モノ（C1-C6）アルキルア
ミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
水酸基又はシアノ基を示す。又、Ｒ5とＲ6、Ｒ5とＲ7、Ｒ5とＲ8、Ｒ6とＲ7、Ｒ6とＲ8及びＲ7とＲ8はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、Ｒ5とＲ6及びＲ7とＲ8はカルボニル基を形成することができ、Ｒ6とＲ7は二重結合を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Wは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6
）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6
）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ
（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル
基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノ
カルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキ
ルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す。又、Ｘはベンゼン環上の隣接する炭素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アル
キル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アル
コキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキ
ルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6
）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6
）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ
カルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は
異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択
される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6
）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキ
ルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）
アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）
アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキ
ルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又
は異なっても良く、ハロゲン原子、 （C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C
2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6
）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェ
ニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル
基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハ
ロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハ
ロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、
（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）
アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異な
っても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択され
る１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6
）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）ア
ルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル
基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ
基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチ
オ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良
いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５
個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ、W及びＹは請求項１に同じくし、Ｒ3及びＲ4が水
素原子を示し、Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アル
キル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ
基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ （C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す請求項１記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項３】
Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ及びWは請求項１に同じくし、Ｒ1がフルオロ（C1-C6）アルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が水素原子を示し、Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、アルコキシ（C1-C6
）基、ハロアルコキシ（C1-C6）基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基から選択
される１〜４個の置換基を示し、Ｙが同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アル
コキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アル
キルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、
同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基
、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は請求項１に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）
アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコ
キシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基
を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコ
キシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6
）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6
）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は
異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）
アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカ
ルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アル
キルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アル
キルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異
なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルア
ミノカルボニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼ
ン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキ
ル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基
によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い請求項１記載の
ハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有することを特徴とする除草剤。
【請求項５】
請求項４記載の除草剤の有効量を土壌又は植物に処理することを特徴とする除草剤の使用方法。
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
｛式中、Ｒ1はハロ（C1-C8）アルキル基を示す。Ｒ2は水素原子、（C1-C6）アルコキシカルボニル（C1-C6）アルキル基、（C1-C18）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C18）アルコキシカルボニル基、（C2-C18）アルケニルオキシカルボニル基、（C2-C18）アルキニルオキシカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルコキシカルボニ
ル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、（C1-C6）ア
ルキルスルホニル（C1-C6）アルコキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、同一又
は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシカルボニル基、フェノキシ（C1-C6）アルキルカルボニル基、Ｙ（Ｙは後記
に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換ベンジルオキシカルボニル基、（C1-C6）アルキルチオカルボニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基又は同一若しくは異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基を示す。
Ｒ3及びＲ4は同一又は異なっても良く、水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基を示す。又、Ｒ3とＲ4はお互い結合して３〜７員環を形成することができる。
Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7及びＲ8は同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、（C3-C6）シクロアルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）ア
ルキル基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルカルボニルオ
キシ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、同一又
は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノ（C1-C6）アルキル基、モノ（C1-C6）アル
キルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル（C1-C6）アルキル基、フェニル（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキル基、フェノキシ（C1-C6）アルキル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェノキシ（C1-C6）アルキル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示
す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基はピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、フリル基、テトラヒドロフリル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピラゾリル基又はピロリジニル基を示す。）、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ。）、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、モノ（C1-C6）アルキルア
ミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
水酸基又はシアノ基を示す。又、Ｒ5とＲ6、Ｒ5とＲ7、Ｒ5とＲ8、Ｒ6とＲ7、Ｒ6とＲ8及びＲ7とＲ8はお互い結合して３〜７員環を形成することができ、Ｒ5とＲ6及びＲ7とＲ8はカルボニル基を形成することができ、Ｒ6とＲ7は二重結合を形成することができる。
Ａは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Wは酸素原子又は硫黄原子を示す。
Ｘは同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6
）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6
）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルコキシ
（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル
基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノ
カルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキ
ルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、Ｙ（Ｙは後記に示す。）から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す。又、Ｘはベンゼン環上の隣接する炭素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。
Ｙは同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル
基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキ
シ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルス
ルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は前記に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アル
キル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アル
コキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキ
ルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１以上の置換基を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6
）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6
）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシ
カルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は
異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択
される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アル
キニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6
）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキ
ルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、フェニルスルフィニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）
アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）
アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルフィニル基、フェニルスルホニル基、 同一又は異なっても良く、ハロゲ
ン原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シク
ロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、
（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ
（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）ア
ルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、
同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基
から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルスルホニル基、（C1-C6）アルキ
ルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又
は異なっても良く、ハロゲン原子、 （C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C
2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6
）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェ
ニルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル
基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハ
ロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハ
ロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、
（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）
アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキルカルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異な
っても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択され
る１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6
）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）ア
ルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基、シクロ（C3-C6）アルキル
基、ハロ（C1-C6）アルキル基、シクロハロ（C3-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ
基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチ
オ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、（C1-C6）アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異なっても良
いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基又はシアノ基から選択される１〜５
個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、水酸基
又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1−C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い。｝で表されるハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ、W及びＹは請求項１に同じくし、Ｒ3及びＲ4が水
素原子を示し、Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アル
キル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ
基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、ハロ （C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜４個の置換基を示す請求項１記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項３】
Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ａ及びWは請求項１に同じくし、Ｒ1がフルオロ（C1-C6）アルキル基を示し、Ｒ3及びＲ4が水素原子を示し、Ｘが同一又は異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、アルコキシ（C1-C6
）基、ハロアルコキシ（C1-C6）基、（C1-C6）アルコキシ（C1-C6）アルキル基から選択
される１〜４個の置換基を示し、Ｙが同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6
）アルキル基、シクロ（C3-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アル
コキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アル
キルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基、フェニル基、
同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキ
ル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基
、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）ア
ルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニル基、複素環基（複素環基は請求項１に同じ。）、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）
アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコ
キシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキル
スルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基
を有する置換複素環基（複素環基は前記に同じ）、フェノキシ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコ
キシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキ
ルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェノキシ基、フェニルチオ基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6
）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6
）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルチオ基、（C1-C6）アルキル
カルボニル基、ハロ（C1-C6）アルキルカルボニル基、フェニルカルボニル基、同一又は
異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を有する置換フェニルカルボニル基、（C1-C6）
アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、モノ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基
、同一又は異なっても良いジ（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、フェニルアミノカ
ルボニル基、同一又は異なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アル
キルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アル
キルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニルアミノカルボニル基、フェニル（C1-C6）アルキルアミノカルボニル基、同一又は異
なっても良く、ハロゲン原子、（C1-C6）アルキル基、ハロ（C1-C6）アルキル基、（C1-C6）アルコキシ基、ハロ（C1-C6）アルコキシ基、（C1-C6）アルキルチオ基、ハロ（C1-C6）アルキルチオ基、（C1-C6）アルキルスルフィニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルフィニル基、（C1-C6）アルキルスルホニル基、ハロ（C1-C6）アルキルスルホニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を環上に有する置換フェニル（C1-C6）アルキルア
ミノカルボニル基又はシアノ基から選択される１〜５個の置換基を示す。又、Ｙはベンゼ
ン環又は複素環上の隣接する炭素原子若しくは窒素原子と一緒になって、同一又は異なっても良く、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子（該窒素原子は水素原子、（C1-C6）アルキ
ル基、（C2-C6）アルケニル基、（C2-C6）アルキニル基又はシクロ（C3-C6）アルキル基
によって置換されていても良い。）から選択される１又は２個のヘテロ原子により中断されても良い（C1-C4）アルキレン基により５又は６員環を形成しても良い請求項１記載の
ハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項記載のハロアルキルスルホンアニリド誘導体又はその塩類を有効成分として含有することを特徴とする除草剤。
【請求項５】
請求項４記載の除草剤の有効量を土壌又は植物に処理することを特徴とする除草剤の使用方法。
【公開番号】特開２００６−２６５２４０（Ｐ２００６−２６５２４０Ａ）
【公開日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４８８９１（Ｐ２００６−４８８９１）
【出願日】平成１８年２月２４日（２００６．２．２４）
【出願人】（０００２３２６２３）日本農薬株式会社 (97)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２４日（２００６．２．２４）
【出願人】（０００２３２６２３）日本農薬株式会社 (97)
【Ｆターム（参考）】
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