新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成
【課題】
高い活性を有し、高い光学収率を与える光学活性な新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成反応を提供することにある。
【解決手段】
次式
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
で示され、（Ｓ）−体である、新規な光学活性Ｎ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物。
高い活性を有し、高い光学収率を与える光学活性な新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成反応を提供することにある。
【解決手段】
次式
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
で示され、（Ｓ）−体である、新規な光学活性Ｎ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なシッフ塩基配位子化合物に関する。より詳しくはＮ，Ｎ，Ｐ−三座のシッフ塩基配位子化合物であり、該化合物およびニッケル化合物ならびに銅化合物の存在下、２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛とから高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンを製造することができる。
高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンは、例えば、医薬・農薬等の原料や合成中間体として有用な化合物である。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学活性なビナフトールから誘導された光学活性なホスホロアミダイト配位子と銅トリフラートからなる錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とが円滑に反応して、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることが見出されている。（非特許文献１）
これらの配位子では、不斉収率は９８％ ｅｅと満足出来るものではあるが、銅塩（２ｍｏｌ％）や配位子（４ｍｏｌ％）の使用量が多く、反応温度も−３０℃と低い温度で不斉合成しなければならない。
あるいは、次式で示されるＮ，Ｎ，Ｐ−三座配位子と銅錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とが円滑に反応して、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることも見出されている。（非特許文献２）
【０００３】
【化１】
（ここで、Ｒは水素またはメチル基）
【０００４】
しかしながら、これらの配位子では、不斉収率が７２〜９２％ ｅｅと十分に満足できるものではない。
また、ピリジン骨格にシッフ塩基を備えたＮ，Ｎ，Ｐ−三座のシッフ塩基配位子化合物と銅錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とを反応させて、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることも見出されている。（非特許文献３）
しかしながら、これらの配位子でも、不斉収率が高くて９１％ ｅｅ止まりであり、十分に満足できるものではなく、反応で使用する銅錯体量や配位子量も多い。
【０００５】
【非特許文献１】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９７，３６，２６２０
【非特許文献２】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９９，３８，３５１８
【非特許文献３】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ． ２０００，４１，１００２５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、高い活性を有し、高い光学収率を与える光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成反応を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は、一般式（１）
【０００８】
【化２】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４はフェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
で示され、（Ｓ）−体である、光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物である。
【０００９】
さらには、該化合物とニッケル化合物ならびに銅化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属化合物の存在下、２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛を反応させて高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンを得る製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物並びに該化合物を用いた、光学純度が高い（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物を高活性かつ高収率で得る製法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物は、下記一般式（１）で示され、（Ｓ）−体である。
【００１２】
【化３】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４はフェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
【００１３】
Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基であるが、具体的には水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基およびフェニル基が挙げられ、構造異性体も含まれる。好ましくは、水素、メチル基、フェニル基である。より好ましくは水素である。
Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基であるが、具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基（ｉ−プロピル基またはｉ−Ｐｒと略記することもある。）、ターシャリーブチル基（ｔ−ブチル基またはｔ−Ｂｕと略記することもある。）、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられ、構造異性体も含まれる。好ましいＲ２は、エチル基，ｉ−プロピル基、ｔ-ブチル基が挙げられ、より好ましくは、ｉ−プロピル基およびｔ−ブチル基である。
Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロへキシル基が挙げられ、同一でも異なっていても何ら問題はない。好ましくは、少なくとも１つはフェニル基を含むものであり、より好ましくはＲ３およびＲ４がともにフェニル基の場合である。
【００１４】
以下に、Ｒ１が水素、Ｒ２がｉ−プロピル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基であるＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の合成方法を次式に示した。
なお、Ｒ２がｔ−ブチル基の場合も本製法に準じて合成することができる。
【００１５】
【化４】
【００１６】
以下、上記反応式を簡単に説明する。
（第一ステップ）
光学活性であるバリン（（Ｓ）−バリン）１当量を、濃硫酸およびジエチルエーテル溶媒（体積比＝１：２）に添加し、水素化ホウ素ナトリウム（またはテトラヒドロホウ酸ナトリウム）２．８当量を加えて、０℃で２４時間反応させ、（Ｓ）−バリノール（化合物（２））が５４％の収率で得られた。
得られた化合物（２）の光学活性は保たれていた。
なお、（Ｓ）−バリノールは、市販されており、市販品をそのまま使用しても何ら問題はない。
【００１７】
（第二ステップ）
次に、１当量の化合物（２）に対して、２．２当量のｐ−ＴｓＣｌ（ｐ−トルエンスルホニルクロリド）をピリジン溶媒（化合物（２）１ｇあたり５ｍｌ）に加えて、０〜２５℃（室温）で２４時間攪拌し、水酸基およびアミノ基をトシル基（Ｔｓ基）で保護した化合物（３）を７４％の収率で得た。
【００１８】
（第三ステップ）
得られた化合物（３）をベンゼン（化合物（３）１ｍｍｏｌあたり５ｍｌ）に溶解させ、２０％の水酸化カリウムを体積でベンゼンの半量加えて室温下（およそ２５℃）で２時間攪拌反応させた。その結果、環化反応が定量的に進行し、化合物（４）が９９％以上の収率で得られた。
【００１９】
（第四ステップ）
化合物（４）をテトラヒドロフラン（化合物（４）１ｍｍｏｌあたり２ｍｌ）に溶解させ、１当量のカリウムジフェニルホスフィド（０．５Ｍテトラヒドロフラン溶液）を加えて室温下（およそ２５℃）で２時間攪拌し、開環反応させて化合物（５）を８０％の収率で得た。
【００２０】
（第五ステップ）
得られた化合物（５）は、濃硫酸（化合物（５）１ｍｍｏｌあたり６ｍｌ）に添加して１００℃で５時間反応させてアミン化合物（６）を８８％の収率で得た。
【００２１】
（第六ステップ）
得られたアミン化合物（６）と当量の化合物（７）である２−キノリンカルバルデヒド（２−Ｑｕｉｎｏｌｉｎｅｃａｒｂａｌｄｅｈｙｄｅ）を共にベンゼン（化合物（６）１ｍｍｏｌあたり１０ｍｌ）に溶解させ、脱水剤として無水の硫酸ナトリウムを加え、室温下（およそ２５℃）で６時間攪拌しながら反応させた。その結果、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物（８）が５４％の収率で得られた。
【００２２】
この場合の化合物は、一般式（１）では、Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−プロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基に相当する。
得られた化合物の元素分析値は、以下の通りであった。
Ｃ：７８．７９、Ｈ：６．６３およびＮ：６．８５
なお、上記配位子（化合物（８））の分子量をＣ２７Ｈ２７Ｎ２Ｐとして計算すると、その値は
Ｃ：７９．００、Ｈ：６．６３およびＮ：６．８２となり、一致することが確認できた。
【００２３】
その他の光学活性を有する新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物は、上記の各ステップの方法に準じて合成することができる。
たとえば、第一ステップにおいて（Ｓ）−バリンのｉ−プロピル基の代わりに、ｔ−ブチル基を有する（Ｓ）−ｔ−ロイシンを用いた場合では、ｉ−プロピル基の代わりにｔ−ブチル基の配位子化合物が得られる。
【００２４】
ケトイミン型の配位子は、第六ステップの２−キノリンカルバルデヒドをケトン型のキノリン化合物に変えて使用すればよい。具体的な化合物は、前述したＲ１が炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基を有するケトン型のキノリン化合物が挙げられる。
【００２５】
本発明で使用する２−シクロアルケン−１−オンは一般式（２）で示される構造式の化合物であり、ｎの値は１〜８までの整数を表す。
【００２６】
【化５】
具体的には、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オン、２−シクロオクテン−１−オン、２−シクロノネン−１−オン、２−シクロデセン−１−オン、２−シクロウンデセン−１−オン、２−シクロドデセン−１−オンが挙げられる。
好ましくは、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オン、２−シクロオクテン−１−オン、２−シクロドデセン−１−オンが挙げられ、より好ましくは２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オンが挙げられ、さらに好ましくは２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロペンテン−１−オンであり、最も好ましくは２−シクロヘキセン−１−オンである。
本発明で使用する２−シクロアルケン−１−オンは、市販品をそのまま使用しても何ら問題はないが、脱水操作を施したものを使用するのが好ましい。
脱水操作としては、通常の方法が使用される。
具体的には、モレキュラシーブと接触させる方法や、無水の無機塩（例えば硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム）を添加後、蒸留あるいは、ろ過する方法、さらには脱水剤を添加後、精密蒸留する方法が挙げられる。
【００２７】
本発明の不斉合成反応において使用するジアルキル亜鉛は、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基を有する亜鉛化合物が挙げられる。好ましくはジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛およびジブチル亜鉛が挙げられ、より好ましくはジメチル亜鉛およびジエチル亜鉛である。
【００２８】
前記ジアルキル亜鉛の使用量は、特に制限はないが、２−シクロアルケン−１−オン１モルに対して、好ましくは０．９〜３モル、より好ましくは１〜２モルであり、さらに好ましくは１．１〜１．８モルである。
【００２９】
本発明で使用する金属化合物、すなわち、ニッケル化合物ならびに銅化合物は、特に制限はなく、通常のニッケル化合物と銅化合物が用いられる。好ましくは銅化合物である。 具体的な銅化合物としては、［（ＣｕＯＴｆ）２・Ｃ６Ｈ６］、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＢＦ４、ＣｕＴＣ、Ｃｕ（ＯＡｃ）、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ・Ｍｅ２Ｓ、ＣｕＣＮ、ＣｕＳＰｈ、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＰＦ６、［（ＣｕＯＴｆ）２・ｔｏｌｕｅｎｅ］、ＣｕＩなどの銅１価化合物、Ｃｕ（ＯＴf）２、Ｃｕ（ＯＡｃ）２、Ｃｕ（ＯＡｃ）２・Ｈ２Ｏ、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０、Ｃｕ（ＣｌＯ４）２・６Ｈ２０、Ｃｕ（ＢＦ４）２・６Ｈ２Ｏ、Ｃｕ（ＳｂＦ６）２、Ｃｕ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）２、Ｃｕ（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｂｕｔｙｒａｔｅ）２、Ｃｕ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏａｔｅ）２、Ｃｕ（ａｃａｃ）２、Ｃｕ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２などの銅２価化合物が挙げられる。
具体的なニッケル化合物としては、Ｎｉ（ＯＴf）２、Ｎｉ（ＯＡｃ）２、Ｎｉ（ＯＡｃ）２・Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＳＯ４・５Ｈ２０、Ｎｉ（ＣｌＯ４）２・６Ｈ２０、Ｎｉ（ＢＦ４）２・６Ｈ２Ｏ、Ｎｉ（ＳｂＦ６）２、Ｎｉ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）２、Ｎｉ（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｂｕｔｙｒａｔｅ）２、Ｎｉ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏａｔｅ）２、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２などのニッケル２価化合物が挙げられる。
好ましい化合物は、Ｎｉ（ａｃａｃ）２およびＣｕ（ＯＴf）２、［Ｃｕ（ＯＴｆ）２・Ｃ６Ｈ６］、ＣｕＴＣ、Ｃｕ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２であり、さらに好ましくは、Ｃｕ（ＯＴf）２である。なお、上記のニッケル化合物ならびに銅化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
また、配位子の略号は、以下のとおりである。
ＯＴｆ：ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ
ＴＣ：ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ
ａｃａｃ：ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｏ
【００３０】
金属化合物（すなわち、ニッケル化合物ならびに銅化合物）の使用量は、２−シクロアルケン−１−オン１モルに対して、特に制限はないが、好ましくは０．０１モル％〜１０モル％であり、より好ましくは０．０１モル％〜３モル％であり、さらに好ましくは０．１モル％〜１モル％であり、最も好ましくは０．１５モル％〜０．８モル％である。
【００３１】
一般式（１）の新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物の使用量は、金属化合物１モルに対して、特に制限はないが、好ましくは０．８倍モル〜５倍モル、より好ましくは０．９倍モル〜４倍モルであり、さらに好ましくは１倍モル〜３倍モルである。
【００３２】
本発明の不斉合成反応は、溶媒の存在下又は非存在下において行われるが、溶媒を使用する場合には、反応を阻害しないものならば特に限定されず、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類（分岐状及び環状のものも含む）；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類（分岐状及び環状のものも含む）；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはハロゲン化脂肪族炭化水素類およびハロゲン化芳香族炭化水素類が使用される。さらに好ましくはハロゲン化脂肪族炭化水素類である。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００３３】
前記溶媒の使用量は、反応の均一性や攪拌性により適宜調節するが、２−シクロアルケン−１−オン１ｇに対して、好ましくは１０〜１００ｇ、更に好ましくは１５〜６０ｇである。
【００３４】
本発明の反応温度は、特に限定はされないが、好ましくは−５０〜３０℃、更に好ましくは−４０〜２０℃、特に好ましくは−２５〜１０℃である。
反応圧力は特に制限されない。
反応時間は、金属化合物の使用量や、原料の濃度および反応温度等の条件により大きく変わるが、通常は０．５時間〜２４時間である。
好ましくは１時間〜１２時間であり、さらに好ましくは２時間〜１０時間である。
なお、本発明の合成態様としては、特に制限はされないが、金属化合物、配位子および溶媒（例えば塩化メチレン）を加えて室温下で攪拌し、次に、反応基質である２−シクロアルケン−１−オンを加え攪拌する。その後、所定の温度に設定し、ジアルキル亜鉛を一定量滴下し、一定時間所定の温度にて反応させる手順が好ましい。
あるいは、金属化合物と配位子を前もって反応させて、金属配位子錯体とし、該錯体を溶媒に加えて同様の反応を実施しても何ら問題はない。
所定時間が経過した後、塩酸にて反応をクエンチし、反応系を室温に戻す。
なお、上記反応は、不活性ガスの雰囲気下にて実施する。
不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンが挙げられるが、好ましくは、窒素およびアルゴンである。
【００３５】
本発明によって、対応する光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物が得られるが、これは、例えば、加水分解、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の一般的な方法によって単離・精製される。
【実施例】
【００３６】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、上述した合成方法により得られた本願発明の光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物の同定には以下に示す各種分析機器を用いた。
【００３７】
（１）１Ｈ−ＮＭＲ：ＪＮＭ−ＬＡ４００（日本電子社製）
（２）ＩＲ：ＦＴ−ＩＲ ＳＰＥＣＴＲＵＭ１０００（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ社製）
（３）旋光度：ＳＥＰＡ−３００旋光計（堀場社製）
（４）ＭＳ：ＬＣＱ ＤＥＣＡ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製）
（５）元素分析：ＣＨＮ ＣＯＲＤＥＲ ＭＴ−５（ヤナコ分析工業社製）
を使用した。
【００３８】
次に、本発明の反応によって得られる（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物の光学純度は、光学活性カラムを用いたガスクロマトグラフィーにより、以下の条件で測定した。
【００３９】
ガスクロマトグラフィー装置名：Ｇ−５０００（日立社製）
カラム：Ｓｕｐｅlｃｏ（商標）γ−ＤＥＸ−２２５（３０ｍ×０．２５ｍｍ（ｉ．ｄ．）（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
ただし、（Ｓ）−３−アルキルシクロヘプタン−1−オンでは、Ｓｕｐｅlｃｏ（商標）β−ＤＥＸ−２２５（３０ｍ×０．２５ｍｍ（ｉ．ｄ．）（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）を使用した。
カラム温度：８０℃（３０分保持）⇒１２０℃（１０℃／ｍｉｎ昇温）
キャリアーガス：Ｈｅ
ガス流速 ：１．２ｍＬ／ｍｉｎ
ＩＮＪ（注入）温度：２５０℃
ＤＥＴ（検出）温度：３００℃
検出器 ：ＦＩＤ
【００４０】
Ｒ１が水素、Ｒ２がイソプロピル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基である新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の物性値は以下の通りである。
【００４１】
【化６】
（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基：ｙｅｌｌｏｗ−ｂｒｏｗｎ ｏｉｌ）
【００４２】
（１）水素核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ測定結果）
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ３）：δ ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ），２．０８（ｍ，１Ｈ），２．５３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），３．２３（ｍ，１Ｈ），７．１９−７．２５（ｍ，３Ｈ），７．３０−７．３２（ｍ，３Ｈ），７．３９−７．４６（ｍ，４Ｈ），７．５５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．３７（ｓ，１Ｈ）
なお、測定値の解析については、ケミカルシフトはテトラメチルシランを基準に算出し、上記の各ピークに記載の略号は以下の内容である。
（ｓ＝ｓｉｎｇｌｅｔ、ｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ、ｔ＝ｔｒｉｐｌｅｔ、ｑ＝ｑｕａｒｔｅｔ、ｑｕｉｎｔ＝ｑｕｉｎｔｅｔ、ｍ＝ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ、ｄｔ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｔｒｉｐｌｅｔｓ、ｄｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔｓ、ｄｄｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔｓ；ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｃｏｎｓｔａｎｔ（ｓ） ｉｎ Ｈｚ；ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）
【００４３】
（２）赤外吸収スペクトル（ＩＲ測定結果）
ＩＲ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）：νｍａｘ（ｃｍ−１）３０５３，２９５８，２８７０，１７１２，１６４３，１５９６，１５５９，１５０２，１４８１，１４３３，１３６８，１１１３，１０６７，１０２６，９９９，８９５，８３４，７８８，７４９，６９６
（３）旋光度
（４）質量分析（ＭＳ測定結果）
ＭＳ：ｍ／ｚ ４１１（Ｍ＋Ｈ＋）
（５）元素分析
ＥＡ：Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．Ｆｏｒ Ｃ２７Ｈ２７Ｎ２Ｐ：Ｃ，７９．００；Ｈ，６．６３；Ｎ，６．８２．
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ，７８．７９；Ｈ，６．６３；Ｎ，６．８５．
【００４４】
Ｒ１が水素、Ｒ２がｔ−ブチル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基である新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の物性値は以下の通りである。
【００４５】
【化７】
（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｔ−Ｂｕ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基：ｙｅｌｌｏｗ−ｂｒｏｗｎ ｏｉｌ）
【００４６】
（１）水素核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ測定結果）
１Ｈ−ＮＭＲ （４００ＭＨｚ，溶媒；ＣＤＣｌ３）：δ ０．９４（ｓ，９Ｈ），２．５０（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），３．０９（ｍ，１Ｈ），７．１３−７．１９（ｍ，３Ｈ），７．３３−７．３７（ｍ，５Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．５５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ）
【００４７】
（２）赤外吸収スペクトル（ＩＲ測定結果）
ＩＲ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）： νｍａｘ（ｃｍ−１）３０５３，２９５７，２８６７，１７１３，１６４５，１５９６，１５５９，１５０３，１４７９，１４３３，１３９３，１３６５，１１１２，１０００，９６０，８９０，８３４，７５０，７３８，６９６
（３）旋光度
（４）質量分析（ＭＳ測定結果）
ＭＳ：ｍ／ｚ ４２５（Ｍ＋Ｈ＋）
（５）元素分析
ＥＡ：Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．Ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ２９Ｎ２Ｐ：Ｃ，７９．２２；Ｈ，６．８９；Ｎ，６．６０．
Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．２１；Ｈ，６．９９；Ｎ，６．６０．
【００４８】
実施例１
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
３０ｍｌの反応容器（アンプル管）に、マグネット、銅化合物としてＣｕ（ＯＴｆ）２０．０１ｍｍｏｌ、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝イソプロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）０．０２５ｍｍｏｌおよびジクロロメタン１．５ｍＬを加えて、十分にアルゴン置換した後、室温下（２０〜３０℃）で３０分攪拌した。
次に、２−シクロヘキセン−１−オン９６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を添加して、さらに１０分間攪拌した。その後、０℃に冷却してジエチル亜鉛溶液１．５ｍＬ（１．５ｍｍｏｌ：ＡＬＤＲＩＣＨ社製１．０Ｍヘキサン含有溶液）加えて５時間反応させた。反応後、１Ｎの塩酸水溶液を加えて、反応をクエンチし、有機溶剤にて生成物を抽出したのち、ガスクロマトグラフィーにて分析した。分析結果から、２−シクロヘキセン−１−オンの添加率はほぼ１００％（＞９９％）であり、（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンが９７％ ｅｅの光学収率で得られた。
【００４９】
実施例２〜６
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
銅化合物および新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の使用量および反応温度を表１に記載の条件に変えて、実施例１に準じて反応をおこなった。
その結果を表１に合わせて示した。
【００５０】
【表１】
【００５１】
上記反応式に用いた配位子８は、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１=水素、Ｒ２＝イソプロピル基（ｉ−Ｐｒと記載することもある）、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）である。
【００５２】
実施例７〜９
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
新規な新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ターシャリーブチル基（ｔ−Ｂｕと記載することもある）、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）を用いた以外は実施例１に順じて反応をおこなった。その反応条件および反応結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】
実施例１０〜１５
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロアルカン−１−オンの合成）
反応基質を２−シクロヘキセン−１−オンも含め、２−シクロペンテン−１−オンおよび２−シクロヘプテン−１−オンに拡大して実施例１に準じて反応を行った。
その反応条件および反応結果を表３にまとめて示す。
用いた配位子は、Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物およびＲ１＝水素、Ｒ２＝t−Ｂｕ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物である。
【００５５】
【表３】
【００５６】
実施例１６
（ニッケル化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
３０ｍｌの反応容器（アンプル管）に、マグネット、ニッケル化合物としてＮｉ（ａｃａｃ）２０．０７ｍｍｏｌ、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝イソプロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）０．１６ｍｍｏｌおよびアセトニトリル１．５ｍＬを加えて、十分にアルゴン置換した後、室温下（２０〜３０℃）で３０分攪拌した。
次に、２−シクロヘキセン−１−オン９６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を添加して、さらに１０分間攪拌した。その後、−２５℃に冷却してジエチル亜鉛溶液１．５ｍＬ（１．５ｍｍｏｌ：ＡＬＤＲＩＣＨ社製１．０Ｍヘキサン含有溶液）加えて１６時間反応させた。反応後、１Ｎの塩酸水溶液を加えて、反応をクエンチし、有機溶剤にて生成物を抽出したのち、ガスクロマトグラフィーにて分析した。分析結果から、２−シクロヘキセン−１−オンの収率は８２％であり、（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン１−オンが７８％ ｅｅの光学収率で得られた。
【００５７】
実施例１７
（銅化合物による（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサン−１−オンの合成）
銅化合物およびＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子を含む条件を以下のように変えて、実施例１に準じて反応をおこなった。
その結果を表３に合わせて示した。
【００５８】
【表４】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なシッフ塩基配位子化合物に関する。より詳しくはＮ，Ｎ，Ｐ−三座のシッフ塩基配位子化合物であり、該化合物およびニッケル化合物ならびに銅化合物の存在下、２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛とから高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンを製造することができる。
高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンは、例えば、医薬・農薬等の原料や合成中間体として有用な化合物である。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学活性なビナフトールから誘導された光学活性なホスホロアミダイト配位子と銅トリフラートからなる錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とが円滑に反応して、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることが見出されている。（非特許文献１）
これらの配位子では、不斉収率は９８％ ｅｅと満足出来るものではあるが、銅塩（２ｍｏｌ％）や配位子（４ｍｏｌ％）の使用量が多く、反応温度も−３０℃と低い温度で不斉合成しなければならない。
あるいは、次式で示されるＮ，Ｎ，Ｐ−三座配位子と銅錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とが円滑に反応して、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることも見出されている。（非特許文献２）
【０００３】
【化１】
（ここで、Ｒは水素またはメチル基）
【０００４】
しかしながら、これらの配位子では、不斉収率が７２〜９２％ ｅｅと十分に満足できるものではない。
また、ピリジン骨格にシッフ塩基を備えたＮ，Ｎ，Ｐ−三座のシッフ塩基配位子化合物と銅錯体の存在下、２−シクロへキセノンとジエチル亜鉛とを反応させて、高選択的に光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサノンを与えることも見出されている。（非特許文献３）
しかしながら、これらの配位子でも、不斉収率が高くて９１％ ｅｅ止まりであり、十分に満足できるものではなく、反応で使用する銅錯体量や配位子量も多い。
【０００５】
【非特許文献１】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９７，３６，２６２０
【非特許文献２】Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．Ｅｎｇｌ．１９９９，３８，３５１８
【非特許文献３】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ． ２０００，４１，１００２５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、高い活性を有し、高い光学収率を与える光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物および該化合物を用いた不斉合成反応を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は、一般式（１）
【０００８】
【化２】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４はフェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
で示され、（Ｓ）−体である、光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物である。
【０００９】
さらには、該化合物とニッケル化合物ならびに銅化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属化合物の存在下、２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛を反応させて高エナンチオ選択的な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンを得る製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物並びに該化合物を用いた、光学純度が高い（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物を高活性かつ高収率で得る製法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物は、下記一般式（１）で示され、（Ｓ）−体である。
【００１２】
【化３】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４はフェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
【００１３】
Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基であるが、具体的には水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基およびフェニル基が挙げられ、構造異性体も含まれる。好ましくは、水素、メチル基、フェニル基である。より好ましくは水素である。
Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基であるが、具体的には、メチル基、エチル基、イソプロピル基（ｉ−プロピル基またはｉ−Ｐｒと略記することもある。）、ターシャリーブチル基（ｔ−ブチル基またはｔ−Ｂｕと略記することもある。）、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられ、構造異性体も含まれる。好ましいＲ２は、エチル基，ｉ−プロピル基、ｔ-ブチル基が挙げられ、より好ましくは、ｉ−プロピル基およびｔ−ブチル基である。
Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロへキシル基が挙げられ、同一でも異なっていても何ら問題はない。好ましくは、少なくとも１つはフェニル基を含むものであり、より好ましくはＲ３およびＲ４がともにフェニル基の場合である。
【００１４】
以下に、Ｒ１が水素、Ｒ２がｉ−プロピル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基であるＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の合成方法を次式に示した。
なお、Ｒ２がｔ−ブチル基の場合も本製法に準じて合成することができる。
【００１５】
【化４】
【００１６】
以下、上記反応式を簡単に説明する。
（第一ステップ）
光学活性であるバリン（（Ｓ）−バリン）１当量を、濃硫酸およびジエチルエーテル溶媒（体積比＝１：２）に添加し、水素化ホウ素ナトリウム（またはテトラヒドロホウ酸ナトリウム）２．８当量を加えて、０℃で２４時間反応させ、（Ｓ）−バリノール（化合物（２））が５４％の収率で得られた。
得られた化合物（２）の光学活性は保たれていた。
なお、（Ｓ）−バリノールは、市販されており、市販品をそのまま使用しても何ら問題はない。
【００１７】
（第二ステップ）
次に、１当量の化合物（２）に対して、２．２当量のｐ−ＴｓＣｌ（ｐ−トルエンスルホニルクロリド）をピリジン溶媒（化合物（２）１ｇあたり５ｍｌ）に加えて、０〜２５℃（室温）で２４時間攪拌し、水酸基およびアミノ基をトシル基（Ｔｓ基）で保護した化合物（３）を７４％の収率で得た。
【００１８】
（第三ステップ）
得られた化合物（３）をベンゼン（化合物（３）１ｍｍｏｌあたり５ｍｌ）に溶解させ、２０％の水酸化カリウムを体積でベンゼンの半量加えて室温下（およそ２５℃）で２時間攪拌反応させた。その結果、環化反応が定量的に進行し、化合物（４）が９９％以上の収率で得られた。
【００１９】
（第四ステップ）
化合物（４）をテトラヒドロフラン（化合物（４）１ｍｍｏｌあたり２ｍｌ）に溶解させ、１当量のカリウムジフェニルホスフィド（０．５Ｍテトラヒドロフラン溶液）を加えて室温下（およそ２５℃）で２時間攪拌し、開環反応させて化合物（５）を８０％の収率で得た。
【００２０】
（第五ステップ）
得られた化合物（５）は、濃硫酸（化合物（５）１ｍｍｏｌあたり６ｍｌ）に添加して１００℃で５時間反応させてアミン化合物（６）を８８％の収率で得た。
【００２１】
（第六ステップ）
得られたアミン化合物（６）と当量の化合物（７）である２−キノリンカルバルデヒド（２−Ｑｕｉｎｏｌｉｎｅｃａｒｂａｌｄｅｈｙｄｅ）を共にベンゼン（化合物（６）１ｍｍｏｌあたり１０ｍｌ）に溶解させ、脱水剤として無水の硫酸ナトリウムを加え、室温下（およそ２５℃）で６時間攪拌しながら反応させた。その結果、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物（８）が５４％の収率で得られた。
【００２２】
この場合の化合物は、一般式（１）では、Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−プロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基に相当する。
得られた化合物の元素分析値は、以下の通りであった。
Ｃ：７８．７９、Ｈ：６．６３およびＮ：６．８５
なお、上記配位子（化合物（８））の分子量をＣ２７Ｈ２７Ｎ２Ｐとして計算すると、その値は
Ｃ：７９．００、Ｈ：６．６３およびＮ：６．８２となり、一致することが確認できた。
【００２３】
その他の光学活性を有する新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物は、上記の各ステップの方法に準じて合成することができる。
たとえば、第一ステップにおいて（Ｓ）−バリンのｉ−プロピル基の代わりに、ｔ−ブチル基を有する（Ｓ）−ｔ−ロイシンを用いた場合では、ｉ−プロピル基の代わりにｔ−ブチル基の配位子化合物が得られる。
【００２４】
ケトイミン型の配位子は、第六ステップの２−キノリンカルバルデヒドをケトン型のキノリン化合物に変えて使用すればよい。具体的な化合物は、前述したＲ１が炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基を有するケトン型のキノリン化合物が挙げられる。
【００２５】
本発明で使用する２−シクロアルケン−１−オンは一般式（２）で示される構造式の化合物であり、ｎの値は１〜８までの整数を表す。
【００２６】
【化５】
具体的には、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オン、２−シクロオクテン−１−オン、２−シクロノネン−１−オン、２−シクロデセン−１−オン、２−シクロウンデセン−１−オン、２−シクロドデセン−１−オンが挙げられる。
好ましくは、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オン、２−シクロオクテン−１−オン、２−シクロドデセン−１−オンが挙げられ、より好ましくは２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロペンテン−１−オン、２−シクロヘプテン−１−オンが挙げられ、さらに好ましくは２−シクロヘキセン−１−オン、２−シクロペンテン−１−オンであり、最も好ましくは２−シクロヘキセン−１−オンである。
本発明で使用する２−シクロアルケン−１−オンは、市販品をそのまま使用しても何ら問題はないが、脱水操作を施したものを使用するのが好ましい。
脱水操作としては、通常の方法が使用される。
具体的には、モレキュラシーブと接触させる方法や、無水の無機塩（例えば硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム）を添加後、蒸留あるいは、ろ過する方法、さらには脱水剤を添加後、精密蒸留する方法が挙げられる。
【００２７】
本発明の不斉合成反応において使用するジアルキル亜鉛は、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基を有する亜鉛化合物が挙げられる。好ましくはジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛およびジブチル亜鉛が挙げられ、より好ましくはジメチル亜鉛およびジエチル亜鉛である。
【００２８】
前記ジアルキル亜鉛の使用量は、特に制限はないが、２−シクロアルケン−１−オン１モルに対して、好ましくは０．９〜３モル、より好ましくは１〜２モルであり、さらに好ましくは１．１〜１．８モルである。
【００２９】
本発明で使用する金属化合物、すなわち、ニッケル化合物ならびに銅化合物は、特に制限はなく、通常のニッケル化合物と銅化合物が用いられる。好ましくは銅化合物である。 具体的な銅化合物としては、［（ＣｕＯＴｆ）２・Ｃ６Ｈ６］、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＢＦ４、ＣｕＴＣ、Ｃｕ（ＯＡｃ）、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＢｒ・Ｍｅ２Ｓ、ＣｕＣＮ、ＣｕＳＰｈ、［Ｃｕ（ＣＨ３ＣＮ）４］ＰＦ６、［（ＣｕＯＴｆ）２・ｔｏｌｕｅｎｅ］、ＣｕＩなどの銅１価化合物、Ｃｕ（ＯＴf）２、Ｃｕ（ＯＡｃ）２、Ｃｕ（ＯＡｃ）２・Ｈ２Ｏ、ＣｕＣｌ２、ＣｕＢｒ２、ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０、Ｃｕ（ＣｌＯ４）２・６Ｈ２０、Ｃｕ（ＢＦ４）２・６Ｈ２Ｏ、Ｃｕ（ＳｂＦ６）２、Ｃｕ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）２、Ｃｕ（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｂｕｔｙｒａｔｅ）２、Ｃｕ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏａｔｅ）２、Ｃｕ（ａｃａｃ）２、Ｃｕ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２などの銅２価化合物が挙げられる。
具体的なニッケル化合物としては、Ｎｉ（ＯＴf）２、Ｎｉ（ＯＡｃ）２、Ｎｉ（ＯＡｃ）２・Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２、ＮｉＢｒ２、ＮｉＳＯ４・５Ｈ２０、Ｎｉ（ＣｌＯ４）２・６Ｈ２０、Ｎｉ（ＢＦ４）２・６Ｈ２Ｏ、Ｎｉ（ＳｂＦ６）２、Ｎｉ（ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｙｌａｃｅｔａｔｅ）２、Ｎｉ（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｂｕｔｙｒａｔｅ）２、Ｎｉ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘａｎｏａｔｅ）２、Ｎｉ（ａｃａｃ）２、Ｎｉ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２などのニッケル２価化合物が挙げられる。
好ましい化合物は、Ｎｉ（ａｃａｃ）２およびＣｕ（ＯＴf）２、［Ｃｕ（ＯＴｆ）２・Ｃ６Ｈ６］、ＣｕＴＣ、Ｃｕ（ｎａｐｈｔｈｅｎａｔｅ）２であり、さらに好ましくは、Ｃｕ（ＯＴf）２である。なお、上記のニッケル化合物ならびに銅化合物は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
また、配位子の略号は、以下のとおりである。
ＯＴｆ：ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ
ＴＣ：ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２−ｃａｒｂｏｘｙｌａｔｅ
ａｃａｃ：ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｏ
【００３０】
金属化合物（すなわち、ニッケル化合物ならびに銅化合物）の使用量は、２−シクロアルケン−１−オン１モルに対して、特に制限はないが、好ましくは０．０１モル％〜１０モル％であり、より好ましくは０．０１モル％〜３モル％であり、さらに好ましくは０．１モル％〜１モル％であり、最も好ましくは０．１５モル％〜０．８モル％である。
【００３１】
一般式（１）の新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物の使用量は、金属化合物１モルに対して、特に制限はないが、好ましくは０．８倍モル〜５倍モル、より好ましくは０．９倍モル〜４倍モルであり、さらに好ましくは１倍モル〜３倍モルである。
【００３２】
本発明の不斉合成反応は、溶媒の存在下又は非存在下において行われるが、溶媒を使用する場合には、反応を阻害しないものならば特に限定されず、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類（分岐状及び環状のものも含む）；塩化メチレン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類（分岐状及び環状のものも含む）；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられるが、好ましくはハロゲン化脂肪族炭化水素類およびハロゲン化芳香族炭化水素類が使用される。さらに好ましくはハロゲン化脂肪族炭化水素類である。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用しても良い。
【００３３】
前記溶媒の使用量は、反応の均一性や攪拌性により適宜調節するが、２−シクロアルケン−１−オン１ｇに対して、好ましくは１０〜１００ｇ、更に好ましくは１５〜６０ｇである。
【００３４】
本発明の反応温度は、特に限定はされないが、好ましくは−５０〜３０℃、更に好ましくは−４０〜２０℃、特に好ましくは−２５〜１０℃である。
反応圧力は特に制限されない。
反応時間は、金属化合物の使用量や、原料の濃度および反応温度等の条件により大きく変わるが、通常は０．５時間〜２４時間である。
好ましくは１時間〜１２時間であり、さらに好ましくは２時間〜１０時間である。
なお、本発明の合成態様としては、特に制限はされないが、金属化合物、配位子および溶媒（例えば塩化メチレン）を加えて室温下で攪拌し、次に、反応基質である２−シクロアルケン−１−オンを加え攪拌する。その後、所定の温度に設定し、ジアルキル亜鉛を一定量滴下し、一定時間所定の温度にて反応させる手順が好ましい。
あるいは、金属化合物と配位子を前もって反応させて、金属配位子錯体とし、該錯体を溶媒に加えて同様の反応を実施しても何ら問題はない。
所定時間が経過した後、塩酸にて反応をクエンチし、反応系を室温に戻す。
なお、上記反応は、不活性ガスの雰囲気下にて実施する。
不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンが挙げられるが、好ましくは、窒素およびアルゴンである。
【００３５】
本発明によって、対応する光学活性な（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物が得られるが、これは、例えば、加水分解、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の一般的な方法によって単離・精製される。
【実施例】
【００３６】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。なお、上述した合成方法により得られた本願発明の光学活性で新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物の同定には以下に示す各種分析機器を用いた。
【００３７】
（１）１Ｈ−ＮＭＲ：ＪＮＭ−ＬＡ４００（日本電子社製）
（２）ＩＲ：ＦＴ−ＩＲ ＳＰＥＣＴＲＵＭ１０００（Ｐｅｒｋｉｎ Ｅｌｍｅｒ社製）
（３）旋光度：ＳＥＰＡ−３００旋光計（堀場社製）
（４）ＭＳ：ＬＣＱ ＤＥＣＡ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製）
（５）元素分析：ＣＨＮ ＣＯＲＤＥＲ ＭＴ−５（ヤナコ分析工業社製）
を使用した。
【００３８】
次に、本発明の反応によって得られる（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オン化合物の光学純度は、光学活性カラムを用いたガスクロマトグラフィーにより、以下の条件で測定した。
【００３９】
ガスクロマトグラフィー装置名：Ｇ−５０００（日立社製）
カラム：Ｓｕｐｅlｃｏ（商標）γ−ＤＥＸ−２２５（３０ｍ×０．２５ｍｍ（ｉ．ｄ．）（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）
ただし、（Ｓ）−３−アルキルシクロヘプタン−1−オンでは、Ｓｕｐｅlｃｏ（商標）β−ＤＥＸ−２２５（３０ｍ×０．２５ｍｍ（ｉ．ｄ．）（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）を使用した。
カラム温度：８０℃（３０分保持）⇒１２０℃（１０℃／ｍｉｎ昇温）
キャリアーガス：Ｈｅ
ガス流速 ：１．２ｍＬ／ｍｉｎ
ＩＮＪ（注入）温度：２５０℃
ＤＥＴ（検出）温度：３００℃
検出器 ：ＦＩＤ
【００４０】
Ｒ１が水素、Ｒ２がイソプロピル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基である新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の物性値は以下の通りである。
【００４１】
【化６】
（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基：ｙｅｌｌｏｗ−ｂｒｏｗｎ ｏｉｌ）
【００４２】
（１）水素核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ測定結果）
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ３）：δ ０．９５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ），２．０８（ｍ，１Ｈ），２．５３（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），３．２３（ｍ，１Ｈ），７．１９−７．２５（ｍ，３Ｈ），７．３０−７．３２（ｍ，３Ｈ），７．３９−７．４６（ｍ，４Ｈ），７．５５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．３７（ｓ，１Ｈ）
なお、測定値の解析については、ケミカルシフトはテトラメチルシランを基準に算出し、上記の各ピークに記載の略号は以下の内容である。
（ｓ＝ｓｉｎｇｌｅｔ、ｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ、ｔ＝ｔｒｉｐｌｅｔ、ｑ＝ｑｕａｒｔｅｔ、ｑｕｉｎｔ＝ｑｕｉｎｔｅｔ、ｍ＝ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ、ｄｔ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｔｒｉｐｌｅｔｓ、ｄｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔｓ、ｄｄｄ＝ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔ ｏｆ ｄｏｕｂｌｅｔｓ；ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｃｏｎｓｔａｎｔ（ｓ） ｉｎ Ｈｚ；ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）
【００４３】
（２）赤外吸収スペクトル（ＩＲ測定結果）
ＩＲ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）：νｍａｘ（ｃｍ−１）３０５３，２９５８，２８７０，１７１２，１６４３，１５９６，１５５９，１５０２，１４８１，１４３３，１３６８，１１１３，１０６７，１０２６，９９９，８９５，８３４，７８８，７４９，６９６
（３）旋光度
（４）質量分析（ＭＳ測定結果）
ＭＳ：ｍ／ｚ ４１１（Ｍ＋Ｈ＋）
（５）元素分析
ＥＡ：Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．Ｆｏｒ Ｃ２７Ｈ２７Ｎ２Ｐ：Ｃ，７９．００；Ｈ，６．６３；Ｎ，６．８２．
Ｆｏｕｎｄ： Ｃ，７８．７９；Ｈ，６．６３；Ｎ，６．８５．
【００４４】
Ｒ１が水素、Ｒ２がｔ−ブチル基であり、Ｒ３およびＲ４がフェニル基である新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の物性値は以下の通りである。
【００４５】
【化７】
（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｔ−Ｂｕ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基：ｙｅｌｌｏｗ−ｂｒｏｗｎ ｏｉｌ）
【００４６】
（１）水素核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ測定結果）
１Ｈ−ＮＭＲ （４００ＭＨｚ，溶媒；ＣＤＣｌ３）：δ ０．９４（ｓ，９Ｈ），２．５０（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），３．０９（ｍ，１Ｈ），７．１３−７．１９（ｍ，３Ｈ），７．３３−７．３７（ｍ，５Ｈ），７．４４−７．４９（ｍ，２Ｈ），７．５５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．７２（ｄｄ，Ｊ＝８．０，８．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ）
【００４７】
（２）赤外吸収スペクトル（ＩＲ測定結果）
ＩＲ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）： νｍａｘ（ｃｍ−１）３０５３，２９５７，２８６７，１７１３，１６４５，１５９６，１５５９，１５０３，１４７９，１４３３，１３９３，１３６５，１１１２，１０００，９６０，８９０，８３４，７５０，７３８，６９６
（３）旋光度
（４）質量分析（ＭＳ測定結果）
ＭＳ：ｍ／ｚ ４２５（Ｍ＋Ｈ＋）
（５）元素分析
ＥＡ：Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ．Ｆｏｒ Ｃ２８Ｈ２９Ｎ２Ｐ：Ｃ，７９．２２；Ｈ，６．８９；Ｎ，６．６０．
Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．２１；Ｈ，６．９９；Ｎ，６．６０．
【００４８】
実施例１
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
３０ｍｌの反応容器（アンプル管）に、マグネット、銅化合物としてＣｕ（ＯＴｆ）２０．０１ｍｍｏｌ、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝イソプロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）０．０２５ｍｍｏｌおよびジクロロメタン１．５ｍＬを加えて、十分にアルゴン置換した後、室温下（２０〜３０℃）で３０分攪拌した。
次に、２−シクロヘキセン−１−オン９６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を添加して、さらに１０分間攪拌した。その後、０℃に冷却してジエチル亜鉛溶液１．５ｍＬ（１．５ｍｍｏｌ：ＡＬＤＲＩＣＨ社製１．０Ｍヘキサン含有溶液）加えて５時間反応させた。反応後、１Ｎの塩酸水溶液を加えて、反応をクエンチし、有機溶剤にて生成物を抽出したのち、ガスクロマトグラフィーにて分析した。分析結果から、２−シクロヘキセン−１−オンの添加率はほぼ１００％（＞９９％）であり、（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンが９７％ ｅｅの光学収率で得られた。
【００４９】
実施例２〜６
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
銅化合物および新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子の使用量および反応温度を表１に記載の条件に変えて、実施例１に準じて反応をおこなった。
その結果を表１に合わせて示した。
【００５０】
【表１】
【００５１】
上記反応式に用いた配位子８は、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１=水素、Ｒ２＝イソプロピル基（ｉ−Ｐｒと記載することもある）、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）である。
【００５２】
実施例７〜９
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
新規な新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ターシャリーブチル基（ｔ−Ｂｕと記載することもある）、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）を用いた以外は実施例１に順じて反応をおこなった。その反応条件および反応結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】
実施例１０〜１５
（銅化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロアルカン−１−オンの合成）
反応基質を２−シクロヘキセン−１−オンも含め、２−シクロペンテン−１−オンおよび２−シクロヘプテン−１−オンに拡大して実施例１に準じて反応を行った。
その反応条件および反応結果を表３にまとめて示す。
用いた配位子は、Ｒ１＝水素、Ｒ２＝ｉ−Ｐｒ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物およびＲ１＝水素、Ｒ２＝t−Ｂｕ、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物である。
【００５５】
【表３】
【００５６】
実施例１６
（ニッケル化合物による（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン−１−オンの合成）
３０ｍｌの反応容器（アンプル管）に、マグネット、ニッケル化合物としてＮｉ（ａｃａｃ）２０．０７ｍｍｏｌ、新規なＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子（Ｒ１＝水素、Ｒ２＝イソプロピル基、Ｒ３＝Ｒ４＝フェニル基の化合物）０．１６ｍｍｏｌおよびアセトニトリル１．５ｍＬを加えて、十分にアルゴン置換した後、室温下（２０〜３０℃）で３０分攪拌した。
次に、２−シクロヘキセン−１−オン９６ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を添加して、さらに１０分間攪拌した。その後、−２５℃に冷却してジエチル亜鉛溶液１．５ｍＬ（１．５ｍｍｏｌ：ＡＬＤＲＩＣＨ社製１．０Ｍヘキサン含有溶液）加えて１６時間反応させた。反応後、１Ｎの塩酸水溶液を加えて、反応をクエンチし、有機溶剤にて生成物を抽出したのち、ガスクロマトグラフィーにて分析した。分析結果から、２−シクロヘキセン−１−オンの収率は８２％であり、（Ｓ）−３−エチルシクロヘキサン１−オンが７８％ ｅｅの光学収率で得られた。
【００５７】
実施例１７
（銅化合物による（Ｓ）−３−アルキルシクロヘキサン−１−オンの合成）
銅化合物およびＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子を含む条件を以下のように変えて、実施例１に準じて反応をおこなった。
その結果を表３に合わせて示した。
【００５８】
【表４】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で示され、（Ｓ）−体であるＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物。
【化１】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
一般式（１）の配位子化合物と、
ニッケル化合物ならびに銅化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属化合物の存在下、
２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛とを反応させることを特徴とする、
（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンの製造方法。
【請求項３】
２−シクロアルケン−１−オンが２−シクロヘキセン−１−オンである請求項２に記載の
（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンの製造方法。
【請求項１】
一般式（１）で示され、（Ｓ）−体であるＮ，Ｎ，Ｐ−三座シッフ塩基配位子化合物。
【化１】
（Ｒ１は、水素、炭素数１〜６のアルキル基およびフェニル基からなる群より選ばれる基である。Ｒ２は、炭素数１〜６のアルキル基である。Ｒ３およびＲ４は、フェニル基およびシクロヘキシル基であり、同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
一般式（１）の配位子化合物と、
ニッケル化合物ならびに銅化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属化合物の存在下、
２−シクロアルケン−１−オンとジアルキル亜鉛とを反応させることを特徴とする、
（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンの製造方法。
【請求項３】
２−シクロアルケン−１−オンが２−シクロヘキセン−１−オンである請求項２に記載の
（Ｓ）−３−アルキルシクロアルカン−１−オンの製造方法。
【公開番号】特開２００９−２４２３０４（Ｐ２００９−２４２３０４Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−９１１７９（Ｐ２００８−９１１７９）
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（５０４１５０４５０）国立大学法人神戸大学 (421)
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２２日（２００９．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月３１日（２００８．３．３１）
【出願人】（５０４１５０４５０）国立大学法人神戸大学 (421)
【出願人】（００００００２０６）宇部興産株式会社 (2,022)
【Ｆターム（参考）】
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