有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルならびに電子機器
【課題】液滴吐出法を用いて有機発光層を形成する場合、各画素内での層厚分布が不均一になる傾向がある。この場合、各画素内部での発光強度を均一に保つことが困難となり、単位画素内部での発光強度不均一性により表示画質が低下するという課題が生じる。
【解決手段】有機発光層２０８の発光領域２１１内での層厚が薄く、電気抵抗の低下により電流が増え高輝度となる領域に、正孔注入層２０７よりも有機発光層２０８へのキャリア注入効率が低い高抵抗キャリア注入層２１５を配置する。層厚が薄く、電気的な抵抗値が低くなることで電流の集中が生じる領域に高抵抗キャリア注入層２１５が配置されるため、電流集中が緩和される。そのため、有機発光層２０８における層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が低下し、輝度分布を均一化することが可能となる。
【解決手段】有機発光層２０８の発光領域２１１内での層厚が薄く、電気抵抗の低下により電流が増え高輝度となる領域に、正孔注入層２０７よりも有機発光層２０８へのキャリア注入効率が低い高抵抗キャリア注入層２１５を配置する。層厚が薄く、電気的な抵抗値が低くなることで電流の集中が生じる領域に高抵抗キャリア注入層２１５が配置されるため、電流集中が緩和される。そのため、有機発光層２０８における層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が低下し、輝度分布を均一化することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子は、自発光の表示素子として急速に普及してきている。有機ＥＬ素子は、その発色性の良さから今後表示パネルとしての需要が期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する場合、液状の有機発光層前駆体を液滴吐出法を用いて各画素に吐出し、乾燥→アニールを行うことで有機発光層を形成する技術が知られている。液滴吐出法を用いて有機発光層を形成することで、有機発光層を形成すべき領域にのみ有機発光層前駆体を供給することができるため、スピンコート法等、基板全面に有機発光層前駆体を塗布した後、有機発光層が不要な領域をエッチングして除去する方法と比べ、廃棄物の量を抑制できるという長所がある。
【０００４】
また、有機発光層前駆体を必要とする部分にのみ吐出するため、有機発光層前駆体の消費量を削減することが可能となり、有機発光層の層形成を少ない有機発光層前駆体の使用量で行うことができる。そのため、環境負荷を削減し、且つ、エッチング工程の省略や、高価な有機発光層前駆体の使用量を削減できることからＴＡＴの短縮、製造コストの低減化が可能となる。液滴吐出法を用いて有機ＥＬ素子を形成している例としては、例えば特許文献１や特許文献２を挙げることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３３９９４９号公報
【特許文献２】特開２００６−１３１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、液滴吐出法を用いて有機発光層を形成する場合、有機発光層の形成にスピンコート法等を用いる場合と比べ、各画素内での層厚分布が不均一になる傾向がある。この場合、各画素内部での発光強度を均一に保つことが困難となり、単位画素内部での発光強度不均一性により表示画質が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と、前記基板上に配置される、第１電極と、前記第１電極上に位置し、平面視にて前記第１電極を覆うキャリア注入層と、前記キャリア注入層上に配置される有機発光層と、平面視にて発光領域内に位置し、前記キャリア注入層と前記有機発光層との間における少なくとも一部の領域に配置されるキャリア調整層と、前記有機発光層上に位置し、平面視にて前記有機発光層を覆う第２電極と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、キャリア調整層がキャリア注入層と有機発光層との間に配置される。キャリア調整層を配置することで、有機発光層の発光効率を有機エレクトロルミネッセンス素子内部で変調することが可能となり、輝度分布を制御することが可能となる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層は前記有機発光層と対応する層厚分布を有し、前記発光領域内の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
上記した構成によれば、キャリア調整層は発光領域内で層厚分布を有している。そのため、有機発光層の発光効率を有機エレクトロルミネッセンス素子内部で連続量として変調することが可能となり、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、平面視にて前記発光領域内に位置する前記有機発光層から見て、前記第１電極側、又は前記第２電極側の少なくとも片側が光透過性を有していることを特徴とする。
【００１３】
上記した構成によれば、平面視にて発光領域内に位置する有機発光層が射出する光を外部に取り出すことが可能となる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用いてなり、且つ前記低効率キャリア注入層を、前記有機発光層の層厚分布と逆の相関を持つ厚みを与え、前記低効率キャリア注入層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
【００１５】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が低くなることで有機発光層の層厚が薄い領域では、層厚の厚い領域と比べ電気的な抵抗値が低くなる。そのため、注入される電流が増え、高い輝度を示す。有機発光層の層厚が薄い領域に、低効率キャリア注入層を配置することで、有機発光層の層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を下げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、低効率キャリア注入層の層厚を連続量として変調することで、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚が、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚の平均値と比べ薄い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、前記キャリア調整層として配置していることを特徴とする。
【００１７】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が低くなることで有機発光層の層厚が薄い領域では、層厚の厚い領域と比べ注入される電流が増え、高い輝度を示す。有機発光層の層厚が薄い領域に、低効率キャリア注入層を配置することで、有機発光層の層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を下げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、有機発光層の層厚が薄い領域のみを補正するため、有機発光層の層厚が厚い領域の輝度は低下せず、輝度低下を抑えて輝度分布を均一化することが可能となる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用いてなり、且つ前記キャリア輸送層に前記有機発光層の層厚分布と正の相関を持つ厚みを与え、前記キャリア輸送層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
【００１９】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が高くなることで有機発光層の層厚が厚い領域では、層厚の薄い領域と比べ電気的な抵抗値が高くなる。そのため、注入される電流が減り、低い輝度を示す。有機発光層の層厚が厚い領域に、注入効率が高いキャリア輸送層を配置することで、有機発光層の層厚が厚い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を上げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、キャリア輸送層の層厚を連続量として変調することで、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機発光層の層厚が、前記有機発光層における層厚の平均値と比べて厚い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を前記キャリア調整層として配置することを特徴とする。
【００２１】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が高くなることで有機発光層の層厚が厚い領域では、層厚の薄い領域と比べ電気的な抵抗値が高くなる。そのため、注入される電流が減り、低い輝度を示す。有機発光層の層厚が厚い領域に、注入効率が高いキャリア輸送層を配置することで、有機発光層の層厚が厚い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を上げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、有機発光層の層厚が厚い領域のみを補正するため、有機発光層の層厚が薄い領域の輝度は低下せず、輝度低下を抑えて輝度分布を均一化することが可能となる。
【００２２】
［適用例８］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、（１）モニタ基板上にモニタ層間絶縁層を形成する工程と、（２）前記モニタ層間絶縁層上にモニタ第１電極を形成する工程と、（３）モニタ発光領域を含む領域を各素子毎に分離するモニタ隔壁を形成する工程と、（４）平面視にて前記モニタ隔壁の内側に、モニタキャリア注入層を形成する工程と、（５）モニタ有機発光層を形成する工程と、（６）前記モニタ有機発光層の、モニタ発光領域内での前記モニタ有機発光層の層厚分布を測定する工程と、（７）基板上に層間絶縁層を形成する工程と、（８）前記層間絶縁層上に第１電極を形成する工程と、（９）発光領域を含む領域を各素子毎に分離する隔壁を形成する工程と、（１０）平面視にて前記隔壁の内側に、キャリア注入層を形成する工程と、（１１）前記モニタ有機発光層の層厚分布に対応させて前記キャリア注入層上に、平面視にて前記発光領域を含む領域にキャリア調整層を形成する工程と、（１２）平面視にて前記隔壁の内側に有機発光層を形成する工程と、（１３）前記有機発光層上に、平面視にて少なくとも前記発光領域と重なる領域に第２電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
これによれば、製造条件を変えた場合に生じる有機発光層の層厚分布に対応させて、キャリア調整層を構成する部材、キャリア調整層の配置、層厚分布の調整を行う工程を用いることができるため、発光領域内での輝度分布を制御することができる。有機発光層の層厚分布は、製造方法が同じ場合、層厚分布の再現性は高い。そのため、モニタ基板を用いて層厚データと製造条件データを記録し、各製造条件データに合致した層厚データに基づき、キャリア調整層を形成することで輝度分布を制御することが可能となる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２５】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で厚い状態を有する。この場合、中央部では層厚が厚いため電気抵抗値が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そこで、有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、キャリア注入層の外周部に対して、少なくとも一部に形成する。その結果、周辺部での電気抵抗が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２７】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で厚い状態を有する。この場合、中央部では層厚が厚いため電気抵抗値が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そこで、中央部の少なくとも一部にキャリア輸送層を形成することで、中央部でのキャリア注入効率が高くなり、注入される電流は増加し、輝度は増加する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２９】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で薄い状態を有する。この場合、中央部では層厚が薄いため電気抵抗値が低くなり、注入される電流は増え、輝度は上昇する。こで、有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、中央部の少なくとも一部に形成する。その結果、中央部での電気抵抗が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００３１】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で薄い状態を有する。この場合、中央部では層厚が薄いため電気抵抗値が低くなり、注入される電流は増え、輝度は上昇する。そこで、外周部の少なくとも一部にキャリア輸送層を形成することで、外周部でのキャリア注入効率が高くなり、注入される電流は増加し、輝度は増加する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００３２】
［適用例１３］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンスパネルは、上記記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする。
【００３３】
これによれば、各々の有機エレクトロルミネッセンス素子内部での発光強度分布が均一性高く形成されているため、均一性の高い表示品質を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供することが可能となる。
【００３４】
［適用例１４］本適用例にかかる電子機器は、上記記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルを含むことを特徴とする。
【００３５】
これによれば、均一性の高い表示品質を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルを備えているため、均一性に優れた高い画像を表示し得る電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（有機エレクトロルミネッセンスパネルの構成）
以下、本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称する）パネルについて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図である。有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いており、例えばＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、サブ画素４０が設けられている。
【００３７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００３８】
サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２と共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、が含まれる。そして、保持容量１１３によって保持される画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、当該電源線１０３から駆動電流が与えられる第１電極としての画素電極２３と、画素電極２３と対向する第２電極としての対向電極５０との間に挟み込まれた、画素電極２３と対向電極５０を含む有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、が設けられている。
【００３９】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。
【００４０】
図２に示すように、基板２０Ａ上の実表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素４０がマトリクス状に規則的に配置される。ここで、基板２０Ａは、基板本体２０、及び基板本体２０上に設けられた、例えばＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３等を含むものである。
【００４１】
また、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は一つの基本単位となって表示単位画素４１を構成している。また、サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各々は、ＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ，Ｇ，Ｂ各々の発光に対応する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）を備える構成を有している。
【００４２】
なお、本実施形態において画素部３（図中一点鎖線内）は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４を挟むように、走査線駆動回路８０が配置されている。
【００４３】
また、実表示領域４の上方には検査回路９０が配置されている。検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネル１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００４４】
（有機ＥＬ素子−１：中央部が凸の場合（１））
次に、図３を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図３（ａ）は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。
【００４５】
ガラス基板を用いた基板２０Ａ上には、層間絶縁層２０２が配置されている。ここで発光領域２１１は、第１隔壁２０５によって区画された領域であり、典型的な寸法として、直径８０μｍ程度の直径を有している。領域Ａは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも厚い領域であり、平面視にて、直径４０μｍ程度の円形形状を有している。領域Ｂは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも薄い領域であり直径４０μｍから直径８０μｍ程度の範囲に配置されている。ここで、発光領域２１１の平面形状は、後述する第１隔壁２０５の平面形状と同等な形状を持つ。ここで、発光領域２１１の形状は、円形形状に限定されることはなく、例えば矩形、長方形、その他不定形を取ることができる。なお、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００４６】
層間絶縁層２０２は、例えば４００ｎｍの厚さを有している。層間絶縁層２０２を構成する物質としては、ここでは窒化珪素を用いている。層間絶縁層２０２上には、光透過性を有する、インジウム・錫・酸化物（以下ＩＴＯと称する）を構成材として、５０ｎｍ程度の厚さを有する第１電極（陽極）２０４が配置されている。第１電極２０４上には、有機発光層２０８に電流を流す領域を規定する第１隔壁２０５が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５を囲うように第２隔壁２０６が配置されている。第２隔壁２０６は例えば感光性のアクリル樹脂により構成されている。
【００４７】
第１隔壁２０５の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、ＣｕＰｃ，ＴＡＰＣ，ＴＰＤ等を用いてなる高抵抗キャリア注入層（キャリア調整層）としての高抵抗正孔注入層２１５は領域Ｂと重なるように配置されている。
【００４８】
なお、高抵抗正孔注入層２１５は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、高抵抗正孔注入層２１５を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば高抵抗正孔注入層２１５の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００４９】
高抵抗正孔注入層２１５、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が厚く（１２０ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が薄く（１００ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する頻度が高くなる。有機発光層２０８は、本実施形態に係る材質として、フルオレン系の高分子化合物にローダミンをドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材とし、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００５０】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００５１】
高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合、領域Ｂでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ｂに電流が集中する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ｂにおける輝度は領域Ａにおける輝度と比べ高くなる。図４（ａ）は、高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合における輝度の分布を示すグラフである。領域Ｂで輝度が高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００５２】
一方、領域Ｂに高抵抗正孔注入層２１５を配置してある場合には、高抵抗正孔注入層２１５により電気的な抵抗が発生し、電流の流入が抑えられる。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ｂにおける輝度は領域Ａにおける輝度と近い値となる。図４（ｂ）は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合における輝度の分布を示すグラフである。領域Ｂにおける輝度は抑えられ、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。
【００５３】
（変形例）
ここでは、基板２０Ａを通過させるボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１７Ｒについて説明したが、これは容易に有機ＥＬ素子１７（Ｇ，Ｂ）に適用することができる。
【００５４】
具体的には、有機ＥＬ素子１７Ｇに適用させる場合には、有機発光層２０８に用いる材料として、フルオレン系の高分子化合物に、クマリン系色素をドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、（イリジウム錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００５５】
また、有機ＥＬ素子１７Ｂに適用させる場合には、有機発光層２０８に用いる材料として、フルオレン系の高分子化合物に、ペニレン系色素をドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材として、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。この場合、発光波長に合わせて層間絶縁層２０２の層厚を各々最適化しても良く、発光効率、色純度を向上させることが可能となる。
【００５６】
また、本実施形態ではボトムエミッション型の構造について説明したが、これは容易にトップエミッション型に変更することが可能である。即ち、基板２０Ａと層間絶縁層２０２との間に例えば２００ｎｍ以上の厚みを有するアルミニウム等の反射層を配置し、光透過性を有する第２電極として酸化に強いＭｇ／Ａｇを用い、光反射層２１０を除いた構造を用いることで同様の効果を有するトップエミッション型の構造を得ることができる。また、光反射層を配置しないことで、両面で視認可能な構造を得ることも可能である。
【００５７】
また、高抵抗正孔注入層２１５の厚みは、一定の層厚を有する必要はなく、輝度分布を所望の輝度（例えば発光領域内で発光分布を均一化する、又は、敢えて発光領域２１１の周辺部の輝度を高める）分布に調整させるよう、層厚分布に分布を持たせても良い。また、高抵抗正孔注入層２１５の厚みを調整して、発光領域２１１の全面に高抵抗正孔注入層２１５を形成しても良い。
【００５８】
また、本実施形態では、陰極（第２電極２０９）材としてＣａを用いているが、これは、例えばＭｇＡｇやＬｉＦ等を用いても良い。また、陰極（第２電極２０９）と、有機発光層２０８及び高抵抗正孔注入層２１５との間に、電子輸送層としてオキシジアゾール誘導体や、アントラキノン誘導体層を構成することも好適である。
【００５９】
（有機ＥＬ素子−２：中央部が凸の場合（２））
次に、図５を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図５は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。また、デバイス構造が上記記載の「有機ＥＬ素子−１」と略同一の構成を有する部分については重複を避けるため、説明を省略する。ここでは、正孔注入層２０７以降の部分について説明する。なお、この場合においても、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００６０】
第１隔壁２０５の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、有機発光層２０８への正孔輸送効率を上げるべく、α−ＮＰＤ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，２−ＴＮＡＴＡ，ＴＣＴＡ，（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ，ＨＴＭ１，ＴＰＴＥ１，ＮＴＰＡ，ＴＦＬＴＬ等を用いてなるキャリア輸送層（キャリア調整層）としての正孔輸送層２１７は領域Ａと重なるように配置されている。
【００６１】
なお、正孔輸送層２１７は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、正孔輸送層２１７を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば正孔輸送層２１７の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００６２】
正孔輸送層２１７、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が厚く（１２０ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が薄く（１００ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する。
【００６３】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００６４】
正孔輸送層２１７による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが厚くなるため、電気抵抗が上昇し、領域Ａに流れる電流が減少する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は領域Ｂにおける輝度と比べ低くなる。図６（ａ），（ｂ）は輝度の分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。輝度補正をしない場合、図６（ａ）に示すように領域Ａでの輝度は低くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００６５】
一方、領域Ａに正孔輸送層２１７を配置してある場合には、正孔輸送層２１７により正孔の注入が促進されるため、電流の流入が促進される。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、正孔輸送層２１７が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。従って、領域Ａにおける輝度が図６（ｂ）に示すように上昇し、領域Ｂにおける輝度と近い値となり、発光領域２１１内部での発光強度が均一化する。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。ここで、高抵抗正孔注入層２１５に代えて正孔輸送層２１７と読み替えることで、上記した（変形例）と対応をとることができる。
【００６６】
（有機ＥＬ素子−３：中央部が凹の場合（１））
次に、図７を参照して、有機ＥＬパネル１の構造を説明する。図７（ａ）は、中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構成を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。以下図７を参照して、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。
【００６７】
ガラス基板を用いた基板２０Ａ上には、層間絶縁層２０２が配置されている。ここで発光領域２１１は、第１隔壁２０５によって区画された領域であり、典型的な寸法として、直径８０μｍ程度の直径を有している。領域Ａは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも薄い領域であり、平面視にて、直径４０μｍ程度の円形形状を有している。領域Ｂは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも厚い領域であり直径４０μｍから直径８０μｍ程度の範囲に配置されている。ここで、発光領域２１１の平面形状は、後述する第１隔壁２０５の平面形状と同等な形状を持つ。そのため、発光領域２１１の形状は、円形形状に限定されることはなく、例えば矩形、長方形、その他不定形を取ることができる。なお、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００６８】
層間絶縁層２０２は、例えば４００ｎｍの厚さを有している。層間絶縁層２０２を構成する物質としては、ここでは窒化珪素を用いている。層間絶縁層２０２上には、光透過性を有する、ＩＴＯを構成材として、５０ｎｍ程度の厚さを有する第１電極（陽極）２０４が配置されている。第１電極２０４上には、有機発光層２０８に電流を流す領域を規定する第１隔壁２０５が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５を囲うように第２隔壁２０６が配置されている。第２隔壁２０６は例えば感光性のアクリル樹脂により構成されている。
【００６９】
第２隔壁２０６の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、ＣｕＰＣ，ＴＡＰＣ，ＴＰＤ等を用いてなる高抵抗キャリア注入層（キャリア調整層）としての高抵抗正孔注入層２１５は領域Ａと重なるように配置されている。
【００７０】
なお、高抵抗正孔注入層２１５は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、高抵抗正孔注入層２１５を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば高抵抗正孔注入層２１５の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００７１】
高抵抗正孔注入層２１５、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が薄く（１００ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が厚く（１２０ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する頻度が高くなる。有機発光層２０８は、本実施形態に係る材質として、フルオレン系の高分子化合物にローダミンをドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材とし、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００７２】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００７３】
図７（ｂ）に示すように、高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ａに電流が集中する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は、領域Ｂにおける輝度と比べ高くなる。図８（ａ），（ｂ）は輝度分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。図８（ａ）に示すように、領域Ａでは輝度が高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００７４】
一方、領域Ａに高抵抗正孔注入層２１５を配置してある場合には、高抵抗正孔注入層２１５により電気的な抵抗が発生し、電流の流入が抑えられる。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、図８（ｂ）に示すように、領域Ａでの輝度は領域Ｂでの輝度と近い値となる。領域Ａにあたる領域での輝度は抑えられ、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。
【００７５】
（有機ＥＬ素子−４：中央部が凹の場合（２））
次に、図９を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図９は、中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。また、デバイス構造が上記記載の「有機ＥＬ素子−３」と略同一の構成を有する部分については重複を避けるため、説明を省略し、正孔注入層２０７以降について説明する。なお、この場合においても、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００７６】
第２隔壁２０６の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、有機発光層２０８への正孔輸送効率を上げるべく、α−ＮＰＤ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，２−ＴＮＡＴＡ，ＴＣＴＡ，（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ，ＨＴＭ１，ＴＰＴＥ１，ＮＴＰＡ，ＴＦＬＴＬ等を用いてなるキャリア輸送層（キャリア調整層）としての正孔輸送層２１７は領域Ｂと重なるように配置されている。
【００７７】
なお、正孔輸送層２１７は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、正孔輸送層２１７を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば正孔輸送層２１７の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００７８】
正孔輸送層２１７、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が薄く（１００ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が厚く（１２０ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する。
【００７９】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００８０】
正孔輸送層２１７による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ａに流れる電流が増加する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は領域Ｂにおける輝度と比べ高くなる。図１０（ａ），（ｂ）は輝度の分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。図１０（ａ）に示されるように、領域Ａでの輝度は高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００８１】
一方、領域Ｂに正孔輸送層２１７を配置してある場合には、正孔輸送層２１７により正孔の注入が促進されるため、電流の流入が促進される。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、正孔輸送層２１７が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。図１０（ｂ）に示されるように、領域Ｂにおける輝度が上昇し、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。ここで、高抵抗正孔注入層２１５に代えて正孔輸送層２１７と読み替えることで、上記した（変形例）と対応をとることができる。
【００８２】
（有機ＥＬ素子−５：層厚分布に偏心がある場合）
次に、有機発光層２０８の層厚分布に偏りがある場合の補正について説明する。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。図１１は、中央部と外れた領域に凸形状が発生した場合の有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。基本的なレイアウトは有機ＥＬ素子−１と同様の構成を有している。相違点は凸形状の位置が中心と外れていることである。そのため、補正用の高抵抗正孔注入層２１５も中心対称の位置と外れた位置に配置されている。この場合においても上記した方法と同様に輝度分布の補正を行うことができる。このように層厚分布に偏りが発生する場合としては、例えば図２に示す有機ＥＬパネル１の周辺部を構成するサブ画素４０に配置される有機ＥＬ素子１７Ｒに発生する場合が多い。この現象に対しても、再現性が高い事象であるため、補正を行うことが可能である。また、これ以外の場合でも「有機ＥＬ素子−１」から「有機ＥＬ素子−４」と同様の補正を行うことが可能である。また、（変形例）と同様な変形例を成立させることが可能である。
【００８３】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
次に、有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）から図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）は本実施形態に示す有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図である。以下、この図面に沿って説明を行う。製造方法としては有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の構成は殆ど同じであることから、有機ＥＬ素子１７Ｒを用いて製造方法を説明する。ここで、有機ＥＬ素子１７Ｒの製造工程として、まずモニタ用の基板に対して以下の工程を行う。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。
【００８４】
まず、工程１として、モニタ基板２０Ｄを洗浄し、層間絶縁層２０２となる窒化珪素層をＣＶＤ法（化学気相堆積法）等を用いて４００ｎｍ程度堆積する。
【００８５】
次に、工程２として、ＩＴＯを５０ｎｍ程度の厚さとなるようスパッタ法を用いて積層する。そして不要な部分をエッチング除去することで光透過性を有する第１電極２０４を形成する。
【００８６】
次に、工程３として、酸化珪素層を５０ｎｍ程度層形成し、発光領域２１１が形成される領域をエッチング除去することで第１隔壁２０５を形成する。
【００８７】
次に、工程４として、感光性アクリル樹脂を２μｍ程度の厚さに塗布し、露光・現像することで第２隔壁２０６を形成する。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ａ）に示す。
【００８８】
次に、工程５として、酸素プラズマ処理、四弗化炭素ガスでのプラズマ処理等を行い、第１電極２０４と第１隔壁２０５に親液性を与え、第２隔壁２０６に撥液性を与える。
【００８９】
次に、工程６として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液を液滴吐出法を用いて第２隔壁２０６内に吐出する。この場合において、第２隔壁２０６に撥液性を与えているため、第２隔壁２０６ではＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液は弾かれ、第１隔壁２０５、第１電極２０４上に流入するため、液滴吐出位置の若干のずれは補正され、液滴は第１隔壁２０５、第１電極２０４上に再現性高く配置される。
【００９０】
次に、工程７として、乾燥→アニール工程を行うことで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いたキャリア注入層としての正孔注入層２０７が形成される。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ｂ）に示す。
【００９１】
次に、工程８として、有機発光層前駆体を液滴吐出法により、第２隔壁２０６内に吐出する。この場合でも工程６と同様に液滴吐出位置の若干のずれは補正される。
【００９２】
次に、工程９として、乾燥→アニール工程を行うことで、有機発光層２０８が形成される。有機発光層２０８は正孔注入層２０７を介して電気的に第１電極２０４と接続され、発光領域２１１が形成される。ここで、乾燥工程は、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を５分以上、より好ましくは１０分以上一時間以下で行う工程を用いる条件を用いることができ、この場合には、有機発光層２０８の中央部が凸の形状が発生する場合が多い。そして、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を有機発光層前駆体を液滴吐出法を用いて第２隔壁２０６内に吐出した後、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を５分未満、より確実には１分以下、１０秒以上で行う条件で乾燥させることで有機発光層２０８の中央部が凹の形状を有する場合が多い。ここでは、中央部が凸の形状を有する有機発光層２０８を用いる場合に対して説明を続ける。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ｃ）に示す。
【００９３】
ここで、有機発光層前駆体を減圧乾燥させる工程において、その真空度は、乾燥に要する時間が上記した値に収まるよう設定されていれば良い。具体例としては例えば数Ｐａ程度の値を用いることができるが、これは一例であり、この値に制約されるものではない。
【００９４】
次に、工程１０として、有機発光層２０８の層厚分布を測定する。測定は、例えば触針式膜厚測定器等を用いて測定することが可能である。
【００９５】
次に、工程１１として有機発光層２０８の層厚分布の影響を打ち消すべくキャリア調整層のレイアウトを設定する。キャリア調整層としては、高抵抗正孔注入層２１５（図３参照）や、正孔輸送層２１７（図５参照）を層厚分布を与えない状態、又は層厚分布に対応させて配置できるようマスクパターンを決定する。
【００９６】
次に、工程１２として、モニタ基板２０Ｄに代えて、製品用の基板２０Ａを用いて工程１〜工程７までのプロセスを行う。ここで、モニタ基板２０Ｄを用いて条件出しを行う工程に代えて、製品用の基板２０Ａの一枚、又は数枚の基板を用いて条件出しを行っても良い。この場合には、より実際の基板に近い状態で測定を行うことが可能となる。この工程を終了した状態での断面図を図１３（ａ）に示す。
【００９７】
次に、工程１３として、工程１１で得られたキャリア調整層のレイアウトに従い、正孔注入層２０７上にキャリア調整層としての高抵抗正孔注入層２１５（図３参照）や、正孔輸送層２１７（図５参照）を正孔注入層２０７上に形成する。形成方法としては、蒸着法、グラビア印刷法やレーザ転写法等を用いることができる。ここでは、高抵抗正孔注入層２１５を形成する場合について説明を続ける。
【００９８】
次に、工程１４として、有機発光層２０８を形成する。形成方法としては、工程８、工程９と同じ設定条件を用いて形成する。同じ条件を用いることで、有機発光層２０８の層厚分布をモニタ基板２０Ｄ上に形成された層厚分布を再現することが可能となる。この工程を終了した状態での断面図を図１３（ｂ）に示す。
【００９９】
次に、工程１５として、カルシウムを５ｎｍ程度蒸着し、第２電極（陰極）２０９を形成する。
【０１００】
そして、工程１６として、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを蒸着することで光反射層２１０を形成することで有機ＥＬ素子１７Ｒが形成される。この断面構造を図１３（ｃ）に示す。
【０１０１】
ここでは、基板２０Ａを通過させて光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１７Ｒの製造方法について説明したが、これは容易にトップエミッション型の製造工程に変更することが可能である。即ち、基板２０Ａと層間絶縁層２０２との間に例えば２００ｎｍ以上の厚みを有するアルミニウム等の反射層を形成する工程を加えることで基板２０Ａ側の反射率を高くし、第２電極側に、光透過性を有する第２電極として酸化に強いＭｇ／Ａｇを用い、光反射層２１０の製造工程を除くことでトップエミッション型の構造が得られる工程を得ることができる。また、光反射層を形成する工程を省略することで、両面で視認可能な構造を得ることも可能である。
【０１０２】
（電子機器への搭載例）
以下、図１４を参照して、上述した有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図２参照）を含む有機ＥＬパネル１（図２参照）を用いる電子機器について説明する。図１４（ａ）には、有機ＥＬパネル１を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２と有機ＥＬパネル１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬパネル１に表示される画面がスクロールされる。図１４（ｂ）は有機ＥＬパネル１を備えた、情報携帯端末（ＰＤＡ）の構成を示す概略図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を備えた有機ＥＬパネル１を備える。操作ボタン４００１を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬパネル１に表示される。
【０１０３】
なお、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器としては、図１４に示すものの他、車載用のスピードメータや、回転計、その他モニタ等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】（ａ）は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図４】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図５】中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図６】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図７】中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図８】輝度の分布を示すグラフ。
【図９】中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図１０】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図１１】中央部と外れた領域に凸形状が発生した場合の有機ＥＬ素子の断面図。
【図１２】有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１３】有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１４】（ａ）は、有機ＥＬパネルを備えた携帯電話機、（ｂ）は表示装置を備えた情報携帯端末（ＰＤＡ）の構成を示す概略図。
【符号の説明】
【０１０５】
１…有機ＥＬパネル、３…画素部、４…実表示領域、５…ダミー領域、１７Ｂ…有機ＥＬ素子、１７Ｇ…有機ＥＬ素子、１７Ｒ…有機ＥＬ素子、２０…基板本体、２０Ａ…基板、２０Ｄ…モニタ基板、２３…画素電極、４０…サブ画素、４１…表示単位画素、５０…対向電極、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、２０２…層間絶縁層、２０４…第１電極、２０５…第１隔壁、２０６…第２隔壁、２０７…正孔注入層、２０８…有機発光層、２０９…第２電極、２１０…光反射層、２１１…発光領域、２１５…高抵抗正孔注入層、２１７…正孔輸送層、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びその製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネルならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子は、自発光の表示素子として急速に普及してきている。有機ＥＬ素子は、その発色性の良さから今後表示パネルとしての需要が期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する場合、液状の有機発光層前駆体を液滴吐出法を用いて各画素に吐出し、乾燥→アニールを行うことで有機発光層を形成する技術が知られている。液滴吐出法を用いて有機発光層を形成することで、有機発光層を形成すべき領域にのみ有機発光層前駆体を供給することができるため、スピンコート法等、基板全面に有機発光層前駆体を塗布した後、有機発光層が不要な領域をエッチングして除去する方法と比べ、廃棄物の量を抑制できるという長所がある。
【０００４】
また、有機発光層前駆体を必要とする部分にのみ吐出するため、有機発光層前駆体の消費量を削減することが可能となり、有機発光層の層形成を少ない有機発光層前駆体の使用量で行うことができる。そのため、環境負荷を削減し、且つ、エッチング工程の省略や、高価な有機発光層前駆体の使用量を削減できることからＴＡＴの短縮、製造コストの低減化が可能となる。液滴吐出法を用いて有機ＥＬ素子を形成している例としては、例えば特許文献１や特許文献２を挙げることができる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３３９９４９号公報
【特許文献２】特開２００６−１３１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、液滴吐出法を用いて有機発光層を形成する場合、有機発光層の形成にスピンコート法等を用いる場合と比べ、各画素内での層厚分布が不均一になる傾向がある。この場合、各画素内部での発光強度を均一に保つことが困難となり、単位画素内部での発光強度不均一性により表示画質が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板と、前記基板上に配置される、第１電極と、前記第１電極上に位置し、平面視にて前記第１電極を覆うキャリア注入層と、前記キャリア注入層上に配置される有機発光層と、平面視にて発光領域内に位置し、前記キャリア注入層と前記有機発光層との間における少なくとも一部の領域に配置されるキャリア調整層と、前記有機発光層上に位置し、平面視にて前記有機発光層を覆う第２電極と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、キャリア調整層がキャリア注入層と有機発光層との間に配置される。キャリア調整層を配置することで、有機発光層の発光効率を有機エレクトロルミネッセンス素子内部で変調することが可能となり、輝度分布を制御することが可能となる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層は前記有機発光層と対応する層厚分布を有し、前記発光領域内の少なくとも一部に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
上記した構成によれば、キャリア調整層は発光領域内で層厚分布を有している。そのため、有機発光層の発光効率を有機エレクトロルミネッセンス素子内部で連続量として変調することが可能となり、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、平面視にて前記発光領域内に位置する前記有機発光層から見て、前記第１電極側、又は前記第２電極側の少なくとも片側が光透過性を有していることを特徴とする。
【００１３】
上記した構成によれば、平面視にて発光領域内に位置する有機発光層が射出する光を外部に取り出すことが可能となる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用いてなり、且つ前記低効率キャリア注入層を、前記有機発光層の層厚分布と逆の相関を持つ厚みを与え、前記低効率キャリア注入層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
【００１５】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が低くなることで有機発光層の層厚が薄い領域では、層厚の厚い領域と比べ電気的な抵抗値が低くなる。そのため、注入される電流が増え、高い輝度を示す。有機発光層の層厚が薄い領域に、低効率キャリア注入層を配置することで、有機発光層の層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を下げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、低効率キャリア注入層の層厚を連続量として変調することで、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚が、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚の平均値と比べ薄い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、前記キャリア調整層として配置していることを特徴とする。
【００１７】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が低くなることで有機発光層の層厚が薄い領域では、層厚の厚い領域と比べ注入される電流が増え、高い輝度を示す。有機発光層の層厚が薄い領域に、低効率キャリア注入層を配置することで、有機発光層の層厚が薄い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を下げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、有機発光層の層厚が薄い領域のみを補正するため、有機発光層の層厚が厚い領域の輝度は低下せず、輝度低下を抑えて輝度分布を均一化することが可能となる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用いてなり、且つ前記キャリア輸送層に前記有機発光層の層厚分布と正の相関を持つ厚みを与え、前記キャリア輸送層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
【００１９】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が高くなることで有機発光層の層厚が厚い領域では、層厚の薄い領域と比べ電気的な抵抗値が高くなる。そのため、注入される電流が減り、低い輝度を示す。有機発光層の層厚が厚い領域に、注入効率が高いキャリア輸送層を配置することで、有機発光層の層厚が厚い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を上げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、キャリア輸送層の層厚を連続量として変調することで、輝度分布をより精密に制御することが可能となる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機発光層の層厚が、前記有機発光層における層厚の平均値と比べて厚い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を前記キャリア調整層として配置することを特徴とする。
【００２１】
上記した構成によれば、電気的な抵抗値が高くなることで有機発光層の層厚が厚い領域では、層厚の薄い領域と比べ電気的な抵抗値が高くなる。そのため、注入される電流が減り、低い輝度を示す。有機発光層の層厚が厚い領域に、注入効率が高いキャリア輸送層を配置することで、有機発光層の層厚が厚い領域での有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度を上げることができる。従って、発光領域内での輝度を均一化することが可能となる。また、有機発光層の層厚が厚い領域のみを補正するため、有機発光層の層厚が薄い領域の輝度は低下せず、輝度低下を抑えて輝度分布を均一化することが可能となる。
【００２２】
［適用例８］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、（１）モニタ基板上にモニタ層間絶縁層を形成する工程と、（２）前記モニタ層間絶縁層上にモニタ第１電極を形成する工程と、（３）モニタ発光領域を含む領域を各素子毎に分離するモニタ隔壁を形成する工程と、（４）平面視にて前記モニタ隔壁の内側に、モニタキャリア注入層を形成する工程と、（５）モニタ有機発光層を形成する工程と、（６）前記モニタ有機発光層の、モニタ発光領域内での前記モニタ有機発光層の層厚分布を測定する工程と、（７）基板上に層間絶縁層を形成する工程と、（８）前記層間絶縁層上に第１電極を形成する工程と、（９）発光領域を含む領域を各素子毎に分離する隔壁を形成する工程と、（１０）平面視にて前記隔壁の内側に、キャリア注入層を形成する工程と、（１１）前記モニタ有機発光層の層厚分布に対応させて前記キャリア注入層上に、平面視にて前記発光領域を含む領域にキャリア調整層を形成する工程と、（１２）平面視にて前記隔壁の内側に有機発光層を形成する工程と、（１３）前記有機発光層上に、平面視にて少なくとも前記発光領域と重なる領域に第２電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２３】
これによれば、製造条件を変えた場合に生じる有機発光層の層厚分布に対応させて、キャリア調整層を構成する部材、キャリア調整層の配置、層厚分布の調整を行う工程を用いることができるため、発光領域内での輝度分布を制御することができる。有機発光層の層厚分布は、製造方法が同じ場合、層厚分布の再現性は高い。そのため、モニタ基板を用いて層厚データと製造条件データを記録し、各製造条件データに合致した層厚データに基づき、キャリア調整層を形成することで輝度分布を制御することが可能となる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２５】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で厚い状態を有する。この場合、中央部では層厚が厚いため電気抵抗値が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そこで、有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、キャリア注入層の外周部に対して、少なくとも一部に形成する。その結果、周辺部での電気抵抗が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２７】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で厚い状態を有する。この場合、中央部では層厚が厚いため電気抵抗値が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そこで、中央部の少なくとも一部にキャリア輸送層を形成することで、中央部でのキャリア注入効率が高くなり、注入される電流は増加し、輝度は増加する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００２９】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で薄い状態を有する。この場合、中央部では層厚が薄いため電気抵抗値が低くなり、注入される電流は増え、輝度は上昇する。こで、有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、中央部の少なくとも一部に形成する。その結果、中央部での電気抵抗が高くなり、注入される電流は減り、輝度は低下する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする。
【００３１】
上記した適用例によれば、層厚分布の再現性が高いことから、モニタ有機発光層と同様有機発光層の層厚は中央部で薄い状態を有する。この場合、中央部では層厚が薄いため電気抵抗値が低くなり、注入される電流は増え、輝度は上昇する。そこで、外周部の少なくとも一部にキャリア輸送層を形成することで、外周部でのキャリア注入効率が高くなり、注入される電流は増加し、輝度は増加する。そのため、発光領域内で均一性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することが可能となる。
【００３２】
［適用例１３］本適用例にかかる有機エレクトロルミネッセンスパネルは、上記記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする。
【００３３】
これによれば、各々の有機エレクトロルミネッセンス素子内部での発光強度分布が均一性高く形成されているため、均一性の高い表示品質を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供することが可能となる。
【００３４】
［適用例１４］本適用例にかかる電子機器は、上記記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルを含むことを特徴とする。
【００３５】
これによれば、均一性の高い表示品質を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルを備えているため、均一性に優れた高い画像を表示し得る電子機器を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
（有機エレクトロルミネッセンスパネルの構成）
以下、本実施形態にかかる有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称する）パネルについて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図である。有機ＥＬパネル１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いており、例えばＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、サブ画素４０が設けられている。
【００３７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００３８】
サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２と共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、が含まれる。そして、保持容量１１３によって保持される画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、当該電源線１０３から駆動電流が与えられる第１電極としての画素電極２３と、画素電極２３と対向する第２電極としての対向電極５０との間に挟み込まれた、画素電極２３と対向電極５０を含む有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、が設けられている。
【００３９】
次に、本実施形態の有機ＥＬパネル１の具体的な態様を、図２を参照して説明する。ここで、図２は有機ＥＬパネル１の構成を模式的に示す平面図である。
【００４０】
図２に示すように、基板２０Ａ上の実表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素４０がマトリクス状に規則的に配置される。ここで、基板２０Ａは、基板本体２０、及び基板本体２０上に設けられた、例えばＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３等を含むものである。
【００４１】
また、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は一つの基本単位となって表示単位画素４１を構成している。また、サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各々は、ＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ，Ｇ，Ｂ各々の発光に対応する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）を備える構成を有している。
【００４２】
なお、本実施形態において画素部３（図中一点鎖線内）は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４を挟むように、走査線駆動回路８０が配置されている。
【００４３】
また、実表示領域４の上方には検査回路９０が配置されている。検査回路９０は、有機ＥＬパネル１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における有機ＥＬパネル１の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００４４】
（有機ＥＬ素子−１：中央部が凸の場合（１））
次に、図３を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図３（ａ）は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。
【００４５】
ガラス基板を用いた基板２０Ａ上には、層間絶縁層２０２が配置されている。ここで発光領域２１１は、第１隔壁２０５によって区画された領域であり、典型的な寸法として、直径８０μｍ程度の直径を有している。領域Ａは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも厚い領域であり、平面視にて、直径４０μｍ程度の円形形状を有している。領域Ｂは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも薄い領域であり直径４０μｍから直径８０μｍ程度の範囲に配置されている。ここで、発光領域２１１の平面形状は、後述する第１隔壁２０５の平面形状と同等な形状を持つ。ここで、発光領域２１１の形状は、円形形状に限定されることはなく、例えば矩形、長方形、その他不定形を取ることができる。なお、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００４６】
層間絶縁層２０２は、例えば４００ｎｍの厚さを有している。層間絶縁層２０２を構成する物質としては、ここでは窒化珪素を用いている。層間絶縁層２０２上には、光透過性を有する、インジウム・錫・酸化物（以下ＩＴＯと称する）を構成材として、５０ｎｍ程度の厚さを有する第１電極（陽極）２０４が配置されている。第１電極２０４上には、有機発光層２０８に電流を流す領域を規定する第１隔壁２０５が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５を囲うように第２隔壁２０６が配置されている。第２隔壁２０６は例えば感光性のアクリル樹脂により構成されている。
【００４７】
第１隔壁２０５の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、ＣｕＰｃ，ＴＡＰＣ，ＴＰＤ等を用いてなる高抵抗キャリア注入層（キャリア調整層）としての高抵抗正孔注入層２１５は領域Ｂと重なるように配置されている。
【００４８】
なお、高抵抗正孔注入層２１５は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、高抵抗正孔注入層２１５を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば高抵抗正孔注入層２１５の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００４９】
高抵抗正孔注入層２１５、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が厚く（１２０ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が薄く（１００ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する頻度が高くなる。有機発光層２０８は、本実施形態に係る材質として、フルオレン系の高分子化合物にローダミンをドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材とし、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００５０】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００５１】
高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合、領域Ｂでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ｂに電流が集中する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ｂにおける輝度は領域Ａにおける輝度と比べ高くなる。図４（ａ）は、高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合における輝度の分布を示すグラフである。領域Ｂで輝度が高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００５２】
一方、領域Ｂに高抵抗正孔注入層２１５を配置してある場合には、高抵抗正孔注入層２１５により電気的な抵抗が発生し、電流の流入が抑えられる。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ｂにおける輝度は領域Ａにおける輝度と近い値となる。図４（ｂ）は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合における輝度の分布を示すグラフである。領域Ｂにおける輝度は抑えられ、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。
【００５３】
（変形例）
ここでは、基板２０Ａを通過させるボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１７Ｒについて説明したが、これは容易に有機ＥＬ素子１７（Ｇ，Ｂ）に適用することができる。
【００５４】
具体的には、有機ＥＬ素子１７Ｇに適用させる場合には、有機発光層２０８に用いる材料として、フルオレン系の高分子化合物に、クマリン系色素をドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材として、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、（イリジウム錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００５５】
また、有機ＥＬ素子１７Ｂに適用させる場合には、有機発光層２０８に用いる材料として、フルオレン系の高分子化合物に、ペニレン系色素をドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材として、ＦＩｒｐｉｃ（イリジウム錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。この場合、発光波長に合わせて層間絶縁層２０２の層厚を各々最適化しても良く、発光効率、色純度を向上させることが可能となる。
【００５６】
また、本実施形態ではボトムエミッション型の構造について説明したが、これは容易にトップエミッション型に変更することが可能である。即ち、基板２０Ａと層間絶縁層２０２との間に例えば２００ｎｍ以上の厚みを有するアルミニウム等の反射層を配置し、光透過性を有する第２電極として酸化に強いＭｇ／Ａｇを用い、光反射層２１０を除いた構造を用いることで同様の効果を有するトップエミッション型の構造を得ることができる。また、光反射層を配置しないことで、両面で視認可能な構造を得ることも可能である。
【００５７】
また、高抵抗正孔注入層２１５の厚みは、一定の層厚を有する必要はなく、輝度分布を所望の輝度（例えば発光領域内で発光分布を均一化する、又は、敢えて発光領域２１１の周辺部の輝度を高める）分布に調整させるよう、層厚分布に分布を持たせても良い。また、高抵抗正孔注入層２１５の厚みを調整して、発光領域２１１の全面に高抵抗正孔注入層２１５を形成しても良い。
【００５８】
また、本実施形態では、陰極（第２電極２０９）材としてＣａを用いているが、これは、例えばＭｇＡｇやＬｉＦ等を用いても良い。また、陰極（第２電極２０９）と、有機発光層２０８及び高抵抗正孔注入層２１５との間に、電子輸送層としてオキシジアゾール誘導体や、アントラキノン誘導体層を構成することも好適である。
【００５９】
（有機ＥＬ素子−２：中央部が凸の場合（２））
次に、図５を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図５は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。また、デバイス構造が上記記載の「有機ＥＬ素子−１」と略同一の構成を有する部分については重複を避けるため、説明を省略する。ここでは、正孔注入層２０７以降の部分について説明する。なお、この場合においても、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００６０】
第１隔壁２０５の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、有機発光層２０８への正孔輸送効率を上げるべく、α−ＮＰＤ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，２−ＴＮＡＴＡ，ＴＣＴＡ，（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ，ＨＴＭ１，ＴＰＴＥ１，ＮＴＰＡ，ＴＦＬＴＬ等を用いてなるキャリア輸送層（キャリア調整層）としての正孔輸送層２１７は領域Ａと重なるように配置されている。
【００６１】
なお、正孔輸送層２１７は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、正孔輸送層２１７を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば正孔輸送層２１７の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００６２】
正孔輸送層２１７、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が厚く（１２０ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が薄く（１００ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する。
【００６３】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００６４】
正孔輸送層２１７による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが厚くなるため、電気抵抗が上昇し、領域Ａに流れる電流が減少する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は領域Ｂにおける輝度と比べ低くなる。図６（ａ），（ｂ）は輝度の分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。輝度補正をしない場合、図６（ａ）に示すように領域Ａでの輝度は低くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００６５】
一方、領域Ａに正孔輸送層２１７を配置してある場合には、正孔輸送層２１７により正孔の注入が促進されるため、電流の流入が促進される。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、正孔輸送層２１７が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。従って、領域Ａにおける輝度が図６（ｂ）に示すように上昇し、領域Ｂにおける輝度と近い値となり、発光領域２１１内部での発光強度が均一化する。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。ここで、高抵抗正孔注入層２１５に代えて正孔輸送層２１７と読み替えることで、上記した（変形例）と対応をとることができる。
【００６６】
（有機ＥＬ素子−３：中央部が凹の場合（１））
次に、図７を参照して、有機ＥＬパネル１の構造を説明する。図７（ａ）は、中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構成を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。以下図７を参照して、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。
【００６７】
ガラス基板を用いた基板２０Ａ上には、層間絶縁層２０２が配置されている。ここで発光領域２１１は、第１隔壁２０５によって区画された領域であり、典型的な寸法として、直径８０μｍ程度の直径を有している。領域Ａは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも薄い領域であり、平面視にて、直径４０μｍ程度の円形形状を有している。領域Ｂは、有機発光層２０８の厚さが有機発光層２０８の厚さの平均値よりも厚い領域であり直径４０μｍから直径８０μｍ程度の範囲に配置されている。ここで、発光領域２１１の平面形状は、後述する第１隔壁２０５の平面形状と同等な形状を持つ。そのため、発光領域２１１の形状は、円形形状に限定されることはなく、例えば矩形、長方形、その他不定形を取ることができる。なお、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００６８】
層間絶縁層２０２は、例えば４００ｎｍの厚さを有している。層間絶縁層２０２を構成する物質としては、ここでは窒化珪素を用いている。層間絶縁層２０２上には、光透過性を有する、ＩＴＯを構成材として、５０ｎｍ程度の厚さを有する第１電極（陽極）２０４が配置されている。第１電極２０４上には、有機発光層２０８に電流を流す領域を規定する第１隔壁２０５が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５を囲うように第２隔壁２０６が配置されている。第２隔壁２０６は例えば感光性のアクリル樹脂により構成されている。
【００６９】
第２隔壁２０６の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、ＣｕＰＣ，ＴＡＰＣ，ＴＰＤ等を用いてなる高抵抗キャリア注入層（キャリア調整層）としての高抵抗正孔注入層２１５は領域Ａと重なるように配置されている。
【００７０】
なお、高抵抗正孔注入層２１５は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、高抵抗正孔注入層２１５を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば高抵抗正孔注入層２１５の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００７１】
高抵抗正孔注入層２１５、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が薄く（１００ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が厚く（１２０ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する頻度が高くなる。有機発光層２０８は、本実施形態に係る材質として、フルオレン系の高分子化合物にローダミンをドープしたものや、ＣＢＰ（４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル）誘導体等をホスト材とし、ＰｔＯＥＰ（白金ポルフィリン錯体）誘導体をゲスト材として用いた材質を使用することができる。
【００７２】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００７３】
図７（ｂ）に示すように、高抵抗正孔注入層２１５による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ａに電流が集中する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は、領域Ｂにおける輝度と比べ高くなる。図８（ａ），（ｂ）は輝度分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。図８（ａ）に示すように、領域Ａでは輝度が高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００７４】
一方、領域Ａに高抵抗正孔注入層２１５を配置してある場合には、高抵抗正孔注入層２１５により電気的な抵抗が発生し、電流の流入が抑えられる。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、高抵抗正孔注入層２１５が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、図８（ｂ）に示すように、領域Ａでの輝度は領域Ｂでの輝度と近い値となる。領域Ａにあたる領域での輝度は抑えられ、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。
【００７５】
（有機ＥＬ素子−４：中央部が凹の場合（２））
次に、図９を参照して、有機ＥＬ素子の構造を説明する。図９は、中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネル１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。ここで、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）は同様の構造を有しているため、有機ＥＬ素子１７Ｒを例として記載している。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。ここでは、まず、有機ＥＬ素子１７Ｒの構造について説明する。また、デバイス構造が上記記載の「有機ＥＬ素子−３」と略同一の構成を有する部分については重複を避けるため、説明を省略し、正孔注入層２０７以降について説明する。なお、この場合においても、有機発光層２０８を平坦に作ることは困難であるが、有機発光層２０８の層厚分布は再現性高く発生するため、後述する構造を用いることで有機発光層２０８の層厚分布に起因する輝度分布を均一化することが可能となる。
【００７６】
第２隔壁２０６の内側には正孔注入層２０７が配置されている。正孔注入層２０７は、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレン・スルフォン酸））が用いられ、層厚は５０ｎｍ程度を有している。そして、有機発光層２０８への正孔輸送効率を上げるべく、α−ＮＰＤ，ｍ−ＭＴＤＡＴＡ，２−ＴＮＡＴＡ，ＴＣＴＡ，（ＤＴＰ）ＤＰＰＤ，ＨＴＭ１，ＴＰＴＥ１，ＮＴＰＡ，ＴＦＬＴＬ等を用いてなるキャリア輸送層（キャリア調整層）としての正孔輸送層２１７は領域Ｂと重なるように配置されている。
【００７７】
なお、正孔輸送層２１７は、有機発光層２０８の厚さの１０分の１程度以下の層厚にすることが好ましく、正孔輸送層２１７を配置する際に伴う層厚分布の変化に伴う、有機発光層２０８における層厚分布の変化を抑制することができる。この場合において、例えば正孔輸送層２１７の挿入による層厚分布の変動を含めて観察してある場合等では、１０分の１を超える層厚を用いることが可能である。
【００７８】
正孔輸送層２１７、正孔注入層２０７上には、有機発光層２０８が配置されている。有機発光層２０８の断面形状は、後述する製造工程を用いる場合、領域Ａに対応する中央部が薄く（１００ｎｍ程度）、領域Ｂに対応する周辺部が厚く（１２０ｎｍ程度）構成される。この構造は、典型的には後述する製造工程を用いる場合に発生する。
【００７９】
有機発光層２０８上には、５ｎｍ程度の厚さを有するカルシウムを用いた第２電極（陰極）２０９が配置されている。そして、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを用いた光反射層２１０が配置されている。そして、平面視にて第１隔壁２０５の内側では有機発光層２０８に電流が供給され、発光領域２１１が第１隔壁２０５の内側に配置される。
【００８０】
正孔輸送層２１７による補正を行わない場合、領域Ａでは、有機発光層２０８の厚さが薄くなるため、電気抵抗が低下し、領域Ａに流れる電流が増加する。点線で示す矢印は、補正を行わない場合の電流密度分布を模式化したものである。そのため、領域Ａにおける輝度は領域Ｂにおける輝度と比べ高くなる。図１０（ａ），（ｂ）は輝度の分布を示すグラフであり、（ａ）は輝度補正をしない場合の輝度分布、（ｂ）は輝度補正をした場合の輝度分布を示している。図１０（ａ）に示されるように、領域Ａでの輝度は高くなり、発光領域２１１内部での発光強度に分布ができることが示されている。
【００８１】
一方、領域Ｂに正孔輸送層２１７を配置してある場合には、正孔輸送層２１７により正孔の注入が促進されるため、電流の流入が促進される。そのため、電流分布が均一化する。実線で示す矢印は、正孔輸送層２１７が配置された場合の電流密度分布を模式化したものである。図１０（ｂ）に示されるように、領域Ｂにおける輝度が上昇し、発光領域２１１内部での発光強度が均一化することが示されている。即ち、素子内輝度が均一な有機ＥＬ素子１７Ｒを提供することが可能となる。なお、この実施形態においても、上記した（変形例）と同様な変形例を成立させることができる。ここで、高抵抗正孔注入層２１５に代えて正孔輸送層２１７と読み替えることで、上記した（変形例）と対応をとることができる。
【００８２】
（有機ＥＬ素子−５：層厚分布に偏心がある場合）
次に、有機発光層２０８の層厚分布に偏りがある場合の補正について説明する。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。図１１は、中央部と外れた領域に凸形状が発生した場合の有機ＥＬ素子１７Ｒの断面図である。基本的なレイアウトは有機ＥＬ素子−１と同様の構成を有している。相違点は凸形状の位置が中心と外れていることである。そのため、補正用の高抵抗正孔注入層２１５も中心対称の位置と外れた位置に配置されている。この場合においても上記した方法と同様に輝度分布の補正を行うことができる。このように層厚分布に偏りが発生する場合としては、例えば図２に示す有機ＥＬパネル１の周辺部を構成するサブ画素４０に配置される有機ＥＬ素子１７Ｒに発生する場合が多い。この現象に対しても、再現性が高い事象であるため、補正を行うことが可能である。また、これ以外の場合でも「有機ＥＬ素子−１」から「有機ＥＬ素子−４」と同様の補正を行うことが可能である。また、（変形例）と同様な変形例を成立させることが可能である。
【００８３】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
次に、有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）から図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）は本実施形態に示す有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図である。以下、この図面に沿って説明を行う。製造方法としては有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の構成は殆ど同じであることから、有機ＥＬ素子１７Ｒを用いて製造方法を説明する。ここで、有機ＥＬ素子１７Ｒの製造工程として、まずモニタ用の基板に対して以下の工程を行う。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義する。
【００８４】
まず、工程１として、モニタ基板２０Ｄを洗浄し、層間絶縁層２０２となる窒化珪素層をＣＶＤ法（化学気相堆積法）等を用いて４００ｎｍ程度堆積する。
【００８５】
次に、工程２として、ＩＴＯを５０ｎｍ程度の厚さとなるようスパッタ法を用いて積層する。そして不要な部分をエッチング除去することで光透過性を有する第１電極２０４を形成する。
【００８６】
次に、工程３として、酸化珪素層を５０ｎｍ程度層形成し、発光領域２１１が形成される領域をエッチング除去することで第１隔壁２０５を形成する。
【００８７】
次に、工程４として、感光性アクリル樹脂を２μｍ程度の厚さに塗布し、露光・現像することで第２隔壁２０６を形成する。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ａ）に示す。
【００８８】
次に、工程５として、酸素プラズマ処理、四弗化炭素ガスでのプラズマ処理等を行い、第１電極２０４と第１隔壁２０５に親液性を与え、第２隔壁２０６に撥液性を与える。
【００８９】
次に、工程６として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液を液滴吐出法を用いて第２隔壁２０６内に吐出する。この場合において、第２隔壁２０６に撥液性を与えているため、第２隔壁２０６ではＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液は弾かれ、第１隔壁２０５、第１電極２０４上に流入するため、液滴吐出位置の若干のずれは補正され、液滴は第１隔壁２０５、第１電極２０４上に再現性高く配置される。
【００９０】
次に、工程７として、乾燥→アニール工程を行うことで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用いたキャリア注入層としての正孔注入層２０７が形成される。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ｂ）に示す。
【００９１】
次に、工程８として、有機発光層前駆体を液滴吐出法により、第２隔壁２０６内に吐出する。この場合でも工程６と同様に液滴吐出位置の若干のずれは補正される。
【００９２】
次に、工程９として、乾燥→アニール工程を行うことで、有機発光層２０８が形成される。有機発光層２０８は正孔注入層２０７を介して電気的に第１電極２０４と接続され、発光領域２１１が形成される。ここで、乾燥工程は、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を５分以上、より好ましくは１０分以上一時間以下で行う工程を用いる条件を用いることができ、この場合には、有機発光層２０８の中央部が凸の形状が発生する場合が多い。そして、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を有機発光層前駆体を液滴吐出法を用いて第２隔壁２０６内に吐出した後、大気圧から減圧させることで行われる減圧乾燥を５分未満、より確実には１分以下、１０秒以上で行う条件で乾燥させることで有機発光層２０８の中央部が凹の形状を有する場合が多い。ここでは、中央部が凸の形状を有する有機発光層２０８を用いる場合に対して説明を続ける。この工程を終了した状態での断面図を図１２（ｃ）に示す。
【００９３】
ここで、有機発光層前駆体を減圧乾燥させる工程において、その真空度は、乾燥に要する時間が上記した値に収まるよう設定されていれば良い。具体例としては例えば数Ｐａ程度の値を用いることができるが、これは一例であり、この値に制約されるものではない。
【００９４】
次に、工程１０として、有機発光層２０８の層厚分布を測定する。測定は、例えば触針式膜厚測定器等を用いて測定することが可能である。
【００９５】
次に、工程１１として有機発光層２０８の層厚分布の影響を打ち消すべくキャリア調整層のレイアウトを設定する。キャリア調整層としては、高抵抗正孔注入層２１５（図３参照）や、正孔輸送層２１７（図５参照）を層厚分布を与えない状態、又は層厚分布に対応させて配置できるようマスクパターンを決定する。
【００９６】
次に、工程１２として、モニタ基板２０Ｄに代えて、製品用の基板２０Ａを用いて工程１〜工程７までのプロセスを行う。ここで、モニタ基板２０Ｄを用いて条件出しを行う工程に代えて、製品用の基板２０Ａの一枚、又は数枚の基板を用いて条件出しを行っても良い。この場合には、より実際の基板に近い状態で測定を行うことが可能となる。この工程を終了した状態での断面図を図１３（ａ）に示す。
【００９７】
次に、工程１３として、工程１１で得られたキャリア調整層のレイアウトに従い、正孔注入層２０７上にキャリア調整層としての高抵抗正孔注入層２１５（図３参照）や、正孔輸送層２１７（図５参照）を正孔注入層２０７上に形成する。形成方法としては、蒸着法、グラビア印刷法やレーザ転写法等を用いることができる。ここでは、高抵抗正孔注入層２１５を形成する場合について説明を続ける。
【００９８】
次に、工程１４として、有機発光層２０８を形成する。形成方法としては、工程８、工程９と同じ設定条件を用いて形成する。同じ条件を用いることで、有機発光層２０８の層厚分布をモニタ基板２０Ｄ上に形成された層厚分布を再現することが可能となる。この工程を終了した状態での断面図を図１３（ｂ）に示す。
【００９９】
次に、工程１５として、カルシウムを５ｎｍ程度蒸着し、第２電極（陰極）２０９を形成する。
【０１００】
そして、工程１６として、第２電極２０９を覆うように２００ｎｍ以上の層厚を有する、アルミニウムを蒸着することで光反射層２１０を形成することで有機ＥＬ素子１７Ｒが形成される。この断面構造を図１３（ｃ）に示す。
【０１０１】
ここでは、基板２０Ａを通過させて光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子１７Ｒの製造方法について説明したが、これは容易にトップエミッション型の製造工程に変更することが可能である。即ち、基板２０Ａと層間絶縁層２０２との間に例えば２００ｎｍ以上の厚みを有するアルミニウム等の反射層を形成する工程を加えることで基板２０Ａ側の反射率を高くし、第２電極側に、光透過性を有する第２電極として酸化に強いＭｇ／Ａｇを用い、光反射層２１０の製造工程を除くことでトップエミッション型の構造が得られる工程を得ることができる。また、光反射層を形成する工程を省略することで、両面で視認可能な構造を得ることも可能である。
【０１０２】
（電子機器への搭載例）
以下、図１４を参照して、上述した有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図２参照）を含む有機ＥＬパネル１（図２参照）を用いる電子機器について説明する。図１４（ａ）には、有機ＥＬパネル１を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２と有機ＥＬパネル１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、有機ＥＬパネル１に表示される画面がスクロールされる。図１４（ｂ）は有機ＥＬパネル１を備えた、情報携帯端末（ＰＤＡ）の構成を示す概略図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、ならびに有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を備えた有機ＥＬパネル１を備える。操作ボタン４００１を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機ＥＬパネル１に表示される。
【０１０３】
なお、有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含む有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器としては、図１４に示すものの他、車載用のスピードメータや、回転計、その他モニタ等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本実施形態の有機ＥＬパネルの配線構造を示す模式図。
【図２】有機ＥＬパネルの構成を模式的に示す平面図。
【図３】（ａ）は、中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線断面図。
【図４】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図５】中央部が凸となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図６】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図７】中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図８】輝度の分布を示すグラフ。
【図９】中央部が凹となる層厚分布を有する、有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の断面図。
【図１０】（ａ）は本実施形態使用前での輝度の分布を示すグラフ、（ｂ）は本実施形態使用後での輝度の分布を示すグラフ。
【図１１】中央部と外れた領域に凸形状が発生した場合の有機ＥＬ素子の断面図。
【図１２】有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１３】有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１４】（ａ）は、有機ＥＬパネルを備えた携帯電話機、（ｂ）は表示装置を備えた情報携帯端末（ＰＤＡ）の構成を示す概略図。
【符号の説明】
【０１０５】
１…有機ＥＬパネル、３…画素部、４…実表示領域、５…ダミー領域、１７Ｂ…有機ＥＬ素子、１７Ｇ…有機ＥＬ素子、１７Ｒ…有機ＥＬ素子、２０…基板本体、２０Ａ…基板、２０Ｄ…モニタ基板、２３…画素電極、４０…サブ画素、４１…表示単位画素、５０…対向電極、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、２０２…層間絶縁層、２０４…第１電極、２０５…第１隔壁、２０６…第２隔壁、２０７…正孔注入層、２０８…有機発光層、２０９…第２電極、２１０…光反射層、２１１…発光領域、２１５…高抵抗正孔注入層、２１７…正孔輸送層、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される、第１電極と、
前記第１電極上に位置し、平面視にて前記第１電極を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上に配置される有機発光層と、
平面視にて発光領域内に位置し、前記キャリア注入層と前記有機発光層との間における少なくとも一部の領域に配置されるキャリア調整層と、
前記有機発光層上に位置し、平面視にて前記有機発光層を覆う第２電極と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層は前記有機発光層と対応する層厚分布を有し、前記発光領域内における少なくとも一部に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、平面視にて前記発光領域内に位置する前記有機発光層から見て、前記第１電極側、又は前記第２電極側の少なくとも片側が光透過性を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用いてなり、且つ前記低効率キャリア注入層を、前記有機発光層の層厚分布と逆の相関を持つ厚みを与え、前記低効率キャリア注入層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚が、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚の平均値と比べ薄い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、前記キャリア調整層として配置していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用いてなり、且つ前記キャリア輸送層に前記有機発光層の層厚分布と正の相関を持つ厚みを与え、前記キャリア輸送層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機発光層の層厚が、前記有機発光層における層厚の平均値と比べて厚い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を前記キャリア調整層として配置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
（１）モニタ基板上にモニタ層間絶縁層を形成する工程と、
（２）前記モニタ層間絶縁層上にモニタ第１電極を形成する工程と、
（３）モニタ発光領域を含む領域を各素子毎に分離するモニタ隔壁を形成する工程と、
（４）平面視にて前記モニタ隔壁の内側に、モニタキャリア注入層を形成する工程と、
（５）モニタ有機発光層を形成する工程と、
（６）前記モニタ有機発光層の、モニタ発光領域内での前記モニタ有機発光層の層厚分布を測定する工程と、
（７）基板上に層間絶縁層を形成する工程と、
（８）前記層間絶縁層上に第１電極を形成する工程と、
（９）発光領域を含む領域を各素子毎に分離する隔壁を形成する工程と、
（１０）平面視にて前記隔壁の内側に、キャリア注入層を形成する工程と、
（１１）前記モニタ有機発光層の層厚分布に対応させて前記キャリア注入層上に、平面視にて前記発光領域を含む領域にキャリア調整層を形成する工程と、
（１２）平面視にて前記隔壁の内側に有機発光層を形成する工程と、
（１３）前記有機発光層上に、平面視にて少なくとも前記発光領域と重なる領域に第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルを含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置される、第１電極と、
前記第１電極上に位置し、平面視にて前記第１電極を覆うキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上に配置される有機発光層と、
平面視にて発光領域内に位置し、前記キャリア注入層と前記有機発光層との間における少なくとも一部の領域に配置されるキャリア調整層と、
前記有機発光層上に位置し、平面視にて前記有機発光層を覆う第２電極と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層は前記有機発光層と対応する層厚分布を有し、前記発光領域内における少なくとも一部に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、平面視にて前記発光領域内に位置する前記有機発光層から見て、前記第１電極側、又は前記第２電極側の少なくとも片側が光透過性を有していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用いてなり、且つ前記低効率キャリア注入層を、前記有機発光層の層厚分布と逆の相関を持つ厚みを与え、前記低効率キャリア注入層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚が、前記有機発光層の前記発光領域内での層厚の平均値と比べ薄い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を、前記キャリア調整層として配置していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用いてなり、且つ前記キャリア輸送層に前記有機発光層の層厚分布と正の相関を持つ厚みを与え、前記キャリア輸送層により、前記発光領域の少なくとも一部を覆うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機発光層の層厚が、前記有機発光層における層厚の平均値と比べて厚い領域の少なくとも一部に、前記キャリア注入層よりも前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を前記キャリア調整層として配置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
（１）モニタ基板上にモニタ層間絶縁層を形成する工程と、
（２）前記モニタ層間絶縁層上にモニタ第１電極を形成する工程と、
（３）モニタ発光領域を含む領域を各素子毎に分離するモニタ隔壁を形成する工程と、
（４）平面視にて前記モニタ隔壁の内側に、モニタキャリア注入層を形成する工程と、
（５）モニタ有機発光層を形成する工程と、
（６）前記モニタ有機発光層の、モニタ発光領域内での前記モニタ有機発光層の層厚分布を測定する工程と、
（７）基板上に層間絶縁層を形成する工程と、
（８）前記層間絶縁層上に第１電極を形成する工程と、
（９）発光領域を含む領域を各素子毎に分離する隔壁を形成する工程と、
（１０）平面視にて前記隔壁の内側に、キャリア注入層を形成する工程と、
（１１）前記モニタ有機発光層の層厚分布に対応させて前記キャリア注入層上に、平面視にて前記発光領域を含む領域にキャリア調整層を形成する工程と、
（１２）平面視にて前記隔壁の内側に有機発光層を形成する工程と、
（１３）前記有機発光層上に、平面視にて少なくとも前記発光領域と重なる領域に第２電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が厚い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の前記発光領域内での中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が低い低効率キャリア注入層を用い、且つ前記低効率キャリア注入層を前記キャリア注入層の中央部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記（１１）の工程は、前記発光領域内における前記モニタ有機発光層の層厚の平均値と比べ、中央部で層厚が薄い製造条件を用いる場合に、前記キャリア調整層として、前記キャリア注入層よりも、前記有機発光層へのキャリア注入効率が高いキャリア輸送層を用い、且つ前記キャリア輸送層を前記キャリア注入層の外周部の少なくとも一部に形成する工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネルを含むことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００９−２５３１３４（Ｐ２００９−２５３１３４Ａ）
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０１１３９（Ｐ２００８−１０１１３９）
【出願日】平成２０年４月９日（２００８．４．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１０月２９日（２００９．１０．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月９日（２００８．４．９）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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