有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子機器の製造方法
【課題】 液滴吐出装置を用いて、ムラのない均一な厚さの正孔輸送層または発光層をもつ有機エレクトロルミネッセンス素子を製造すること。
【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が、基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。
【解決手段】 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が、基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の製造方法および電気光学装置の製造方法に関し、特にインクジェット法を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」）素子を備えた有機ＥＬ表示装置の開発が加速している。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に替わり得る薄型表示装置であるとされているからである。有機ＥＬ素子の製造方法としては、非特許文献１に示されるような、低分子の発光材料を蒸着法で基板上に成膜する方法と、非特許文献２に示されるような、高分子の発光材料を基板上に付与する方法が主に知られている。
【０００３】
特に、高分子を用いる有機ＥＬ素子の製造方法において、特許文献１に示されるような、液状の高分子をインクジェット法で付与する方法が注目されている。インクジェット法によれば、表示装置をカラー化する際に、各色に対応した高分子をそれぞれインクジェット法で所定の位置に付与すればよいので、困難とされる発光層のパターニングを行う必要がない。また、付与する高分子の使用量を必要最低限の量にまで抑えることができるという利点がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.51(12)，21 September 1987（第９１３頁）
【非特許文献２】Appl.Phys.Lett.71(1)，7 July 1997（第３４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インクジェット法により有機ＥＬ素子を製造する際には、基板上に形成した薄膜を加工して隔壁を作り、この隔壁に囲まれた被吐出部に液状の高分子を付与していく。しかしながら、付与された高分子が被吐出部に均一に濡れ広がらないと、厚さにムラが生じたり、高分子が隔壁を越えて拡散して混色を起こすことがある。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、隔壁に撥液性をもたせると同時に被吐出部に親液性をもたせて、液状の高分子をムラなく均一な厚さに付与することが可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。好ましくは、上記構成のうちの工程Ｂが、前記底部上にシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいる。
【０００８】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できることである。
【０００９】
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有していてもよい。
【００１０】
また、前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。あるいは、前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。
【００１１】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層によって、画素電極から正孔輸送層または発光層へのイオン拡散を防止できることである。
【００１２】
さらに、上述した微粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが望ましい。
【００１３】
上記の条件を満たすことによって得られる効果の一つは、液状の第１の材料を液滴吐出装置によって吐出する際に、目詰まりすることなく、液状の第１の材料を所望の方向へ吐出できることである。
【００１４】
また、前記工程Ａは、フッ素を含有する高分子化合物、またはフッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含んでもよい。
【００１５】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できるという本発明の効果をさらに高めることができることである。
【００１６】
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上の画素電極を覆う親液層を形成する工程Ａと、前記画素電極上の前記親液層が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ｂと、前記底部上に液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。好ましくは、上記構成のうちの工程Ａが、前記底部上にシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいる。
【００１７】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できることである。
【００１８】
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有していてもよい。
【００１９】
また、前記工程Ａは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。あるいは、前記工程Ａは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。
【００２０】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層によって、画素電極から正孔輸送層または発光層へのイオン拡散を防止できることである。
【００２１】
さらに、上述した微粒子は、平均粒径が１μｍ以下であることが望ましい。
【００２２】
上記の条件を満たすことによって得られる効果の一つは、液状の第１の材料を液滴吐出装置によって吐出する際に、目詰まりすることなく、液状の第１の材料を所望の方向へ吐出できることである。
【００２３】
また、前記工程Ｂは、フッ素を含有する高分子化合物、またはフッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含んでもよい。
【００２４】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できるという本発明の効果をさらに高めることができることである。
【００２５】
本発明のある態様では、前記親液層に光を照射する工程を含んでおり、このときの光の波長は４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層の、正孔輸送材料または発光材料に対する親液性が高くなることである。
【００２７】
本発明の他の態様では、前記隔壁は、フッ素を含有する有機分子を含んでいる。
【００２８】
上記構成によって得られる効果の一つは、隔壁が、正孔輸送材料または発光材料に対する撥液性をもつことである。
【００２９】
本発明の他の態様では、前記隔壁の表面を、フルオロカーボン系の化合物を反応ガスに用いてプラズマ処理する工程を含んでいる。
【００３０】
上記構成によって得られる効果の一つは、隔壁の、正孔輸送材料または発光材料に対する撥液性がさらに向上することである。
【００３１】
なお、本発明は、種々の態様で実現することができる。具体的には、電気光学装置の製造方法または電子機器の製造方法として実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３３】
（第１の実施形態）
（Ａ．表示装置）
始めに、有機ＥＬ素子を用いた電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。
【００３４】
図１を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の電気的な構成を説明する。有機ＥＬ表示装置１は、走査線駆動回路４１と、走査線駆動回路４１に連結された複数本の走査線４３と、データ線駆動回路４２と、データ線駆動回路４２に連結された複数本のデータ線４４と、複数本の走査線４３と複数本のデータ線４４との交差に対応して配置された複数の画素領域４５と、を有する。ここで、複数の画素領域４５のそれぞれは、少なくとも一つのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子と、流れる電流の大きさに応じて発光する有機ＥＬ素子と、を有している。
【００３５】
有機ＥＬ表示装置１の表示動作は、書き込み期間と発光期間とを繰り返して行われる。書き込み期間において、走査線駆動回路４１は、走査線４３を順次選択し、選択された走査線４３に対応する画素領域４５のＴＦＴ素子をオンする。ＴＦＴ素子がオンしている状態で、データ線駆動回路４２からのデータ信号が、データ線４４を介して当該ＴＦＴ素子のソースに印加されると、当該画素領域４５には、データ信号に応じた電圧が書き込まれる。すべての画素領域４５への書き込みが完了すると、書き込み期間が終了する。続く発光期間では、書き込まれた電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子に流れ、発光が行われる。有機ＥＬ表示装置１は、上述の書き込み期間と発光期間を短時間で繰り返し実行することによって、画面表示を行う表示装置である。
【００３６】
図２を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の構造をより具体的に説明する。なお、図２（ａ）は、有機ＥＬ表示装置１のＸＺ断面を示しており、図２（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置１における複数の被吐出部３１（後述）のＸＹ平面上での位置関係を示している。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、図１を参照して説明した構成要素に加えて、支持基板２０と、支持基板２０上に形成された回路素子層１１と、複数の画素電極２１と、複数の画素電極２１の間に形成された隔壁としてのバンク２２と、親液層２３と、正孔輸送層２４と、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇ、および青色発光層２５Ｂ（不図示）とからなる発光層２５と、陰極２６と、を有している。
【００３８】
支持基板２０は、可視光に対して光透過性を有する基板であり、例えばガラス基板である。
【００３９】
回路素子層１１は、支持基板２０上で所定の方向に延びる複数の走査線と、複数の走査線を覆うように形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に位置するとともに複数の走査線が延びる方向に対して直交する方向に延びる複数のデータ線と、走査線およびデータ線の交点付近に位置する複数のＴＦＴ素子３０と、複数のＴＦＴ素子３０を覆うように形成されたポリイミドなどからなる層間絶縁層１５および層間絶縁層１８と、を有する層である。ＴＦＴ素子３０は、シリコンからなる半導体層１３と、半導体層１３上に形成されたゲート絶縁層１４と、ゲート絶縁層１４上に形成されたゲート電極１９と、ソース電極１６およびドレイン電極１７とを有する。層間絶縁層１５には、ソース電極１６およびドレイン電極１７に対応する位置にそれぞれスルーホール２７および２８が設けられている。ソース電極１６は、半導体層１３の表面からスルーホール２７内を経由して層間絶縁層１５の表面にまで延設されている。また、ドレイン電極１７は、半導体層１３の表面からスルーホール２８内を経由して層間絶縁層１５の表面にまで延設されている。さらに、層間絶縁層１８にはドレイン電極１７に対応する位置にスルーホール２９が設けられており、画素電極２１は、このスルーホール２９内にまで延設され、層間絶縁層１５上のドレイン電極１７と接続されている。こうした構成からなるそれぞれのＴＦＴ素子３０は、バンク２２に対応する位置に位置している。つまり、図２（ｂ）の紙面に垂直な方向から観察すると、複数のＴＦＴ素子３０のそれぞれは、バンク２２に覆われるように位置している。
【００４０】
以下では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて、「回路基板」とも表記する。本実施形態においては、この回路基板が本発明の「基板」に対応する。
【００４１】
なお、本発明の「基板」は、必ずしも上述したような回路素子層１１を含む回路基板である必要はない。「基板」の態様は、有機ＥＬ素子の用途に応じて様々に変えることができる。例えば、単なるガラス基板やプラスチック基板などでも良い。
【００４２】
複数の画素電極２１は、回路素子層１１上にマトリクス状に配置されており、それぞれが画素領域４５を規定する。そして、複数の画素電極２１のそれぞれは、可視光に対して光透過性を有する電極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極である。
【００４３】
バンク２２は、Ｚ軸方向から見ると格子状の形状を有しており、複数の画素電極２１のそれぞれの周囲を囲む。バンク２２は、フッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を加工して形成される。
【００４４】
格子状のバンク２２が規定する凹部内には、画素電極２１側から順に、親液層２３、正孔輸送層２４、および発光層２５Ｒ（または発光層２５Ｇ、２５Ｂ）が位置している。
【００４５】
以下では、格子状のバンク２２が規定する凹部を「被吐出部３１」とも呼ぶ。この凹部（つまり「被吐出部３１」）の側面は、バンク２２によって構成され、底部は、画素電極２１、親液層２３、および正孔輸送層２４のうちのいずれか一つによって構成される。具体的には、「被吐出部３１」は、側面がバンク２２で底部が画素電極２１である凹部、側面がバンク２２で底部が親液層２３である凹部、および側面がバンク２２で底部が正孔輸送層２４である凹部、のいずれをも包含する概念である。そして、図２（ｂ）に示すように、複数の被吐出部３１が形成するマトリクスの行方向および列方向は、それぞれＸ軸方向およびＹ軸方向と平行である。
【００４６】
親液層２３は、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する材料からなっている。そして、液状の正孔輸送材料２４Ａ（後述）に対する親液層２３の親液性は、液状の正孔輸送材料２４Ａに対するバンク２２の親液性よりも高い。つまり、液状の正孔輸送材料２４Ａが親液層２３上で呈する接触角は、正孔輸送材料２４Ａがバンク２２上で呈する接触角よりも小さい。なお、後述するように、親液層２３を形成する工程は、液状の親液材料２３Ａを画素電極２１上に付与する工程を含んでいる。
【００４７】
正孔輸送層２４には、例えばトリフェニルアミンを骨格として有する高分子材料を用いることができる。このような高分子としては、化合物１として示すＡＤＳ社製「ＡＤＳ２５４ＢＥ」を採用することができる。トリフェニルアミン骨格を有する高分子は、正孔輸送性を有することから、このような高分子を含んだ膜は正孔輸送層として機能し得る。さらに、トリフェニルアミンを骨格として有する高分子は、現在主流であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルフォン酸）とは異なり、分散系ではないので、不純物イオンの軽減を図ることができ、信頼性に対して有効であると考えられる。なお、後述するように、正孔輸送層２４を形成する工程は、液状の正孔輸送材料２４Ａを親液層２３上に付与する工程を含んでいる。
【００４８】
【化１】
【００４９】
発光層２５は、高分子有機化合物からなり、電気を光に変えるエレクトロルミネッセンス現象を担う発光物質の層である。発光層２５には、赤色の光を発する発光層２５Ｒ、緑色の光を発する発光層２５Ｇ、および青色の光を発する発光層２５Ｂの３種類があり、これらは所定の規則に従って配置されている。陰極２６と画素電極２１との間に電圧を印加すると、発光層２５に正孔と電子が注入される。発光層２５は、これらの正孔と電子が再結合したときに光を発する。正孔輸送層２４は、画素電極２１から注入される正孔を効率良く発光層２５へ輸送するための層であり、有機化合物からなる。陰極２６は、光を反射する金属からなる。発光層２５からＺ軸の負の方向へ出射した光は、回路素子層１１および支持基板２０を透過する。一方、発光層２５からＺ軸の正の方向へ出射した光は、陰極２６で反射されてＺ軸の負の方向へ進み、回路素子層１１および支持基板２０を透過する。このように、この有機ＥＬ表示装置１は、支持基板２０側から光を取り出す、ボトムエミッション型として構成されている。なお、後述するように、発光層２５を形成する工程は、液状の発光材料２５Ａを正孔輸送層２４上に付与する工程を含んでいる。
【００５０】
発光層２５を構成する発光材料としては、以下に化合物２から６として示す、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものを使用することができる。ドープする物質としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等が挙げられる。この他にも、燐光発光材料であるイリジウム錯体、例えばＩｒ（ｐｐｙ）３なども挙げられる。
【００５１】
【化２】
【００５２】
【化３】
【００５３】
【化４】
【００５４】
【化５】
【００５５】
【化６】
【００５６】
さらに、赤色発光材料としては、例えばＭＥＨ−ＰＰＶ（poly Methoxy（2ethyl）hexyloxy paraphenylene vinylene）を、青色発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレンを、緑色発光材料としては、例えばＰＰＶ（poly（para-phenylene vinylene））を用いることができる。
【００５７】
（Ｂ．製造装置）
図３を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の製造に用いる製造装置Ａを説明する。なお、以下では、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して基体１０と表記する。
【００５８】
製造装置Ａは、基体１０の被吐出部３１に対して、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを塗布する装置である。製造装置Ａは、すべての画素電極２１上に親液材料２３Ａを付与する吐出装置３００Ｌと、画素電極２１上の親液材料２３Ａを乾燥して親液層２３を得る乾燥装置３５０Ｌと、親液層２３に光を照射する光照射装置４００Ｌと、すべての親液層２３上に正孔輸送材料２４Ａを付与する吐出装置３００Ｈと、親液層２３上の正孔輸送材料２４Ａを乾燥して正孔輸送層２４を得る乾燥装置３５０Ｈと、赤色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＲＡを付与する吐出装置３００Ｒと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＲＡを乾燥して発光層２５Ｒを得る乾燥装置３５０Ｒと、緑色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＧＡを付与する吐出装置３００Ｇと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＧＡを乾燥して発光層２５Ｇを得る乾燥装置３５０Ｇと、青色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＢＡを付与する吐出装置３００Ｂと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＢＡを乾燥して発光層２５Ｂを得る乾燥装置３５０Ｂと、を備えている。
【００５９】
さらに製造装置Ａは、吐出装置３００Ｌ、乾燥装置３５０Ｌ、光照射装置４００Ｌ、吐出装置３００Ｈ、乾燥装置３５０Ｈ、吐出装置３００Ｒ、乾燥装置３５０Ｒ、吐出装置３００Ｇ、乾燥装置３５０Ｇ、吐出装置３００Ｂ、乾燥装置３５０Ｂの順番に基体１０を搬送する搬送装置２７０も備えている。このように、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法は、５つの液滴吐出装置を利用する。なお、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、いずれも、後述する液状の材料の一種である。
【００６０】
（Ｃ．液滴吐出装置の全体構成）
図４に示す液滴吐出装置３００Ｌは、基本的には液状の親液材料２３Ａを吐出するためのインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置３００Ｌは、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。なお、他の４つの液滴吐出装置３００Ｈ、３００Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂの構造および機能は、液滴吐出装置３００Ｌの構造および機能と基本的に同じであり、このため、これら４つの液滴吐出装置の構造および機能の説明は省略する。
【００６１】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図５）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。
【００６２】
ステージ１０６は、上述の基体１０を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基体１０の位置を固定する機能も有する。
【００６３】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００６４】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００６５】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。
【００６６】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基体１０はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基体１０に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図５）は、基体１０に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部３１）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００６７】
制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基体１０上に、液状の材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００６８】
上記構成を有する液滴吐出装置３００Ｌは、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図５）を基体１０に対して相対移動させるとともに、被吐出部３１に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。
【００６９】
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、液滴吐出装置３００Ｌのような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
【００７０】
（Ｄ．ヘッド）
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３００Ｌにおけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、複数のノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１と、を備えている。液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の配向材料１１１が常に充填される。
【００７１】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の配向材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００７２】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動波形を与えることで、対応するノズル１１８から液状の配向材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の配向材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００７３】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」とも表記する。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。また、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００７４】
（Ｅ．制御部）
次に、図６を参照しながら、制御部１１２の構成を説明する。制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
【００７５】
走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。
【００７６】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置３００Ｌの外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図６では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００７７】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部３１に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部３１に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４において対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。
【００７８】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、およびバスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００７９】
（Ｆ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、いずれも上述の条件を満たす液状の材料である。
【００８０】
また、これらの液状の材料１１１が微粒子を含有している場合は、当該微粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが望ましい。この条件を満たす液状の材料１１１は、ヘッド１１４のノズル１１８から、目詰まりすることなく、所望の方向へ吐出される。親液材料２３Ａは、上述した通り、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有しているが、これらの微粒子の平均粒径は、１μｍ以下である。
【００８１】
なお、本実施形態においては、正孔輸送材料２４Ａが本発明の「第１の材料」に対応し、親液材料２３Ａが本発明の「第２の材料」に対応する。
【００８２】
（Ｇ．製造方法）
図７および図８を参照しながら、上述の液滴吐出装置を用いた有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。なお、図７および図８においては、図２（ａ）における絶縁層１２、半導体層１３、ゲート絶縁層１４、ソース電極１６、ドレイン電極１７、およびゲート電極１９の図示を省略し、これらすべてを代表して、ＴＦＴ素子３０として図示する。
【００８３】
まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板２０上に回路素子層１１および画素電極２１を形成する。なお、上述のように、本実施形態では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて「回路基板」とも表記する。同様に、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して「基体１０」と表記する。
【００８４】
次に、回路素子層１１上および画素電極２１上をＵＶ洗浄する。そして、図７（ａ）に示すように、回路素子層１１上および画素電極２１上を覆うようにスピンコート法を用いて、黒顔料およびフッ素を含有する有機分子からなる樹脂有機薄膜（すなわち樹脂ブラック）を塗布する。このことで、回路素子層１１上および画素電極２１上に樹脂ブラック層２２Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２２Ａの全面を覆うようにネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層２２Ａ上にレジスト層２２Ｂを形成する。
【００８５】
続いて、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａとをパターニングする。具体的には、図７（ｂ）に示すように、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂが形成されるべき領域に対応する部位に遮光部ＡＢを有するフォトマスクＰＭを介して、レジスト層２２Ｂに光ｈνを照射する。そして、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていない部分、すなわち発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに対応する部分のレジスト層２２Ｂと、対応する樹脂ブラック層２２Ａとを取り除く。そのことによって、図７（ｃ）に示すように、後に形成されるべき発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを囲む形状を有する、樹脂ブラックからなるバンク２２とレジスト層２２Ｂとが、回路基板上に残る。その後、所定の薬液を用いてレジスト層２２Ｂを剥離して、回路基板上には、図７（ｄ）に示すように、バンク２２と画素電極２１とで規定される被吐出部３１が形成される。ここで、画素電極２１とバンク２２とは、凹部を形取っている。画素電極２１は、その凹部の底部を構成する。
【００８６】
以上のような工程を経て、回路基板上の画素電極２１が凹部の底部になるように、バンクが形成される。
【００８７】
次に、バンク２２の表面に対して、プラズマ処理を行う。プラズマ処理は、基体１０をフルオロカーボン系化合物を含有するガスにさらし、当該ガスにエネルギーを与えてプラズマ化してバンク２２の表面と反応させて行う。このプラズマ処理によって、バンク２２の、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性を高めることができる。
【００８８】
続いて、基体１０に設けられた被吐出部３１に、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを順次付与していく。これらの工程は、図３に示す製造装置Ａによって行われる。
【００８９】
被吐出部３１が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｌのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｌは、被吐出部３１のすべてに親液材料２３Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から親液材料２３Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｌは、被吐出部３１の底部を構成する画素電極２１の表面に親液材料２３Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に親液材料２３Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｌ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の親液材料２３Ａを完全に乾燥させることで、図８（ａ）に示すように、被吐出部３１に親液層２３が形成される。
【００９０】
親液層２３が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、光照射装置４００Ｌに運ばれる。そして、光照射装置４００Ｌは、基体１０に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射する。親液層２３は、このような波長の光に対して反応し、親液性が高まる性質を持っている。したがって、当該工程を経た親液層２３は、正孔輸送材料２４Ａあるいは発光材料２５Ｒ、２５Ｇ、および２５Ｂに対する親液性が高まる。
【００９１】
なお、光照射装置４００Ｌは、上述のように波長４００ｎｍ以下の光を照射するが、親液層２３に含まれる微粒子の種類によって、実際に反応に寄与する光の波長は異なる。具体的には、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と、金属を含む微粒子とを含有する親液層２３は、波長４００ｎｍ以下の光のうち、その金属を含有する微粒子が光触媒として機能する波長の光に反応する。例えば、本実施形態で用いる、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液層２３は、酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子が光触媒として機能する、波長３８０ｎｍ以下の光に反応する。また、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む親液層２３は、波長が２５０ｎｍ以下の光に反応する。
【００９２】
続いて、基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｈのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ｂ）に示すように、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１のすべてに正孔輸送材料２４Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から正孔輸送材料２４Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に正孔輸送材料２４Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に正孔輸送材料２４Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｈ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の正孔輸送材料２４Ａを完全に乾燥させることで、図８（ｂ）に示すように、被吐出部３１に正孔輸送層２４が形成される。
【００９３】
ところで、親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高くなっている。これは、バンク２２に撥液性の高いフッ素を含有する有機分子を用いるとともに、バンク２２をプラズマ処理して撥液性を高めていることと、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液性の高い親液層２３にさらに光を照射して親液性を高めていることによる。このため、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に着弾した正孔輸送材料２４Ａの液滴は、バンク２２に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとする。このような作用によって、正孔輸送材料２４Ａは親液層２３上に均一に濡れ広がり、これを乾燥させて得られた正孔輸送層２４は、均一な厚さを持つ層となる。
【００９４】
正孔輸送層２４が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ｃ）に示すように、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＲＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＲＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＲＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｒが形成される。
【００９５】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｇのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＧＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＧＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＧＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｇが形成される。
【００９６】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｂのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＢＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＢＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＢＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｂが形成される。
【００９７】
こうして得られた発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、ムラのない、均一な厚さを持つ層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【００９８】
次に、図８（ｄ）に示すように、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、およびバンク２２を覆うように陰極２６を設ける。その後、封止基板３２と基体１０とを、互いの周辺部で接着することで、図８（ｄ）に示す有機ＥＬ表示装置１が得られる。なお、封止基板３２と基体１０との間には不活性ガス３３が封入されている。
【００９９】
このような有機ＥＬ表示装置１において、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂから発した光は、画素電極２１と、回路素子層１１と、支持基板２０と、を介して射出する。このように回路素子層１１を介して光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置は、ボトムエミッション型の表示装置と呼ばれる。
【０１００】
こうして得られた有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂがムラのない均一な厚さの層となる。したがって、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、良好な表示特性を実現することができる。さらに、表示装置自体が大型で、このため被吐出部３１が大きい場合であっても、正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡの被吐出部３１での濡れ性がよいので、これらを均一な厚さの層に形成することができる。したがって、被吐出部３１が大きくても、良好な表示特性を維持することができる。
【０１０１】
また、正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡの着弾位置が被吐出部３１の中のいずれの位置であっても、バンク２２に対して反撥するとともに被吐出部３１の底部に濡れ広がろうとするので、吐出位置制御の精度が低くても高品位な表示装置を製造できる。よって、表示装置の生産性を向上することができる。同様の理由で、着弾位置不良や、被吐出部３１の端部の角での濡れ不足を原因とする不具合が低減されるので、表示装置の信頼性を高めることができる。さらに、画素電極２１と正孔輸送層２４との間に親液層２３が配置されているので、画素電極２１から正孔輸送層２４への不純物イオンの拡散を抑えることができ、表示装置の寿命を向上させることができる。
【０１０２】
（第２の実施形態）
前述の第１の実施形態においては、バンク２２を形成した後で被吐出部３１に親液層２３を形成する。一方、本実施形態においては、回路基板の表面全体に親液層２３を塗布した後で、親液層２３の表面上にバンク２２を形成する。そして、この点を除くと、本実施形態は、第１の実施形態と基本的に同じである。詳細は以下の通りである。
【０１０３】
まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板２０上に回路素子層１１を形成する。その後、回路素子層１１上に複数の画素電極２１をマトリクス状に形成する。なお、上述のように、本実施形態では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて「回路基板」とも表記する。同様に、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して「基体１０」と表記する。
【０１０４】
次に、回路素子層１１上および画素電極２１上をＵＶ洗浄する。そして、基体１０は、製造装置Ａ中の搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｌのステージ１０６に運ばれる。ここで、図９（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｌは、回路素子層１１上および画素電極２１を覆う親液材料２３Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から親液材料２３Ａを吐出する。回路素子層１１上および画素電極２１を覆って親液材料２３Ａの層が形成された後に、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｌ内に位置させる。そして、親液材料２３Ａを完全に乾燥させることで、基体１０の表面に親液層２３を得る。この結果、回路基板上の画素電極２１を覆う親液層２３が形成される。
【０１０５】
親液層２３が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、光照射装置４００Ｌに運ばれる。そして、光照射装置４００Ｌは、基体１０に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射する。親液層２３は、このような波長の光に対して反応し、親液性が高まる性質を持っている。したがって、当該工程を経た親液層２３は、正孔輸送材料２４Ａあるいは発光材料２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに対する親液性が高まる。
【０１０６】
なお、光照射装置４００Ｌは、上述のように波長４００ｎｍ以下の光を照射するが、親液層２３に含まれる微粒子の種類によって、実際に反応に寄与する光の波長は異なる。具体的には、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と、金属を含む微粒子とを含有する親液層２３は、波長４００ｎｍ以下の光のうち、その金属を含有する微粒子が光触媒として機能する波長の光に反応する。例えば、本実施形態で用いる、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液層２３は、酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子が光触媒として機能する、波長３８０ｎｍ以下の光に反応する。また、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む親液層２３は、波長が２５０ｎｍ以下の光に反応する。
【０１０７】
ここで、基体１０は製造装置Ａから取り出されて、バンク２２の形成のための工程を経る。すなわち、まず図９（ｂ）に示すように、親液層２３の表面に、スピンコート法を用いて樹脂ブラック層２２Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２２Ａの全面を覆うようにネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層２２Ａ上にレジスト層２２Ｂを形成する。
【０１０８】
次に、図９（ｃ）および（ｄ）に示すように、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａとをパターニングし、その後、レジスト層２２Ｂを剥離して、バンク２２を形成する。親液層２３とバンク２２とは、凹部を形取るようになる。親液層２３は、その凹部の底部である。続いて、バンク２２の表面に対して、撥液性を高めるためにプラズマ処理を行う。なお、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａのパターニング法、レジスト層２２Ｂの剥離法、およびプラズマ処理の方法は、第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０９】
こうして、図９（ｄ）に示すように、基体１０上に親液層２３を底部とする被吐出部３１が形成される。つまり、画素電極２１上の親液層２３が凹部の底部になるようにバンク２２が形成される。
【０１１０】
被吐出部３１が設けられた基体１０は、再び製造装置Ａに戻され、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｈのステージ１０６に運ばれる。そして、図１０（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１のすべてに正孔輸送材料２４Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から正孔輸送材料２４Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に正孔輸送材料２４Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に正孔輸送材料２４Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｈ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の正孔輸送材料２４Ａを完全に乾燥させることで、図１０（ａ）に示すように、被吐出部３１上に正孔輸送層２４が形成される。
【０１１１】
ところで、被吐出部３１の底部を形成する親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高くなっている。これは、バンク２２に撥液性の高いフッ素を含有する有機分子を用いるとともに、バンク２２をプラズマ処理して撥液性を高めていることと、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液性の高い親液層２３に光を照射して親液性を高めていることによる。このため、被吐出部３１に着弾した正孔輸送材料２４Ａの液滴は、バンク２２に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとする。このような作用によって、正孔輸送材料２４Ａは親液層２３上に均一に濡れ広がり、これを乾燥させて得られた正孔輸送層２４は、均一な厚さを持つ層となる。
【０１１２】
被吐出部３１に正孔輸送層２４が形成されると、基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図１０（ｂ）に示すように、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＲＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＲＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＲＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｒが形成される。
【０１１３】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｇのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＧＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＧＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＧＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｇが形成される。
【０１１４】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｂのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＢＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＢＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＢＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｂが形成される。
【０１１５】
こうして得られた発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、ムラのない、均一な厚さを持つ層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【０１１６】
次に、図１０（ｃ）に示すように発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、およびバンク２２を覆うように陰極２６を設ける。その後、封止基板３２と基体１０とを、互いの周辺部で接着することで、図１０（ｃ）に示す有機ＥＬ表示装置１が得られる。なお、封止基板３２と基体１０との間には不活性ガス３３が封入されている。
【０１１７】
こうして得られた有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂのそれぞれが均一な厚さの層となる。したがって、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、第１の実施形態で示した効果と同様の効果を奏する。
【０１１８】
（第３の実施形態）
第１の実施形態および第２の実施形態においては、バンク２２の形成のために塗布したレジスト層２２Ｂは、樹脂ブラック層２２Ａおよびレジスト層２２Ｂのパターニング後に剥離したが、レジスト層２２Ｂ自体に、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性を持たせて、レジスト層２２Ｂを剥離せずに製造することもできる。以下では、この方式を用いた第３の実施形態について説明する。
【０１１９】
本実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法は、以降で述べる事項を除いては第２の実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法と同じである。このため、第２の実施形態と共通する部分については説明を省略する。
【０１２０】
図１１は、本実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法を示した図である。図１１（ａ）は、回路基板上に、親液層２３、樹脂ブラック層２２Ａおよびレジスト層２２Ｂを設けた後に、レジスト層２２Ｂに光を照射してパターニングを行った状態の基体１０を示す。
【０１２１】
ここで、レジスト層２２Ｂには、フッ素を含有する高分子化合物からなるフォトレジストが用いられている。このような材料から形成されたレジスト層２２Ｂは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して撥液性を有する。
【０１２２】
本実施形態においては、この後、レジスト層２２Ｂを剥離しない。したがって、第２の実施形態におけるバンク２２に相当する構成要素は、樹脂ブラック層からなるバンク２２と、レジスト層２２Ｂとを合わせたものとなる。以下では、バンク２２と、レジスト層２２Ｂとを合わせたものをバンク２２’と呼ぶ。本実施形態における被吐出部３１の側面は、バンク２２’で規定される。また、バンク２２’は、撥液性を有するレジスト層２２Ｂを表面に有するので、この後、バンク２２’の撥液性を高めるためのプラズマ処理は行わなくてよい。
【０１２３】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、被吐出部３１に、第２の実施形態と同様の工程によって正孔輸送層２４、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、陰極２６、および封止基板３２を形成する。
【０１２４】
こうして得られた有機ＥＬ表示装置１においては、正孔輸送層２４は、ムラのない均一な厚さの層となる。これは、親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性が、バンク２２’の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高いために、正孔輸送材料２４Ａがバンク２２’に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとするためである。
【０１２５】
また、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂも、ムラのない均一な厚さの層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２’の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡがバンク２２’に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【０１２６】
本実施形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、第２実施形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１と同様の効果が得られる。加えて、本実施形態の製造方法では、レジスト層２２Ｂの剥離工程と、バンク２２’のプラズマ処理工程とを行う必要がないので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１２７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１２８】
（変形例１）
上述の各実施形態では、正孔輸送層２４と発光層２５とを分離して積層したが、正孔輸送層２４を発光層２５に混合することも可能である。その際は、正孔輸送層２４はなくてもよい。この場合は、親液層２３の表面に直接発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを付与すればよい。このとき、親液層２３の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は、バンク２２または２２’の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性より高いので、親液層２３上に着弾した発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２またはバンク２２’の底部に配置された親液層２３上を均一に濡れ広がる。したがって、ムラのない均一な厚さの発光層２５を形成することができる。
【０１２９】
（変形例２）
上述の各実施形態では、親液材料２３Ａにはシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とが含有されていたが、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む材料であっても良い。あるいは、酸化チタン（ＴｉＯ2）の代わりに、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有させてもよい。このような親液材料２３Ａは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して親液性を有する。
【０１３０】
また、親液材料２３Ａは、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する材料であってもよい。さらに、酸化チタンや酸化亜鉛などの上記金属がシリカでコーティングされた微粒子を含有する材料などを用いることができる。このような親液材料２３Ａも、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して親液性を有する。
【０１３１】
（変形例３）
上述の各実施形態では、親液層２３の親液性を高めるために親液層２３に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射していたが、この工程は省略してもよい。この場合、親液層２３の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は低下するものの、それでもバンク２２の正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高い。したがって、この変形例によれば、光を照射する工程を省略することができるので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１３２】
（変形例４）
第２の実施形態および第３の実施形態において、親液層２３は吐出装置３００Ｌを用いてインクジェット法によって形成したが、この他にも液状の材料を塗布する方法であればどのような方法で形成してもよい。親液層２３の形成に適用することが可能な方法の例としては、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、スリットコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ディップコーティング方法、フレキソ印刷法、およびスクリーン印刷法などを挙げることができる。
【０１３３】
（変形例５）
第３の実施形態において、レジスト２２Ｂにはフッ素を含有する高分子化合物からなるフォトレジストを用いたが、フッ素を含有する有機分子を混合したフォトレジストを用いてもよい。このようなフォトレジストによって形成されたレジスト２２Ｂは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して撥液性をもつ。このため、上述の各実施形態と同様に、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂをムラのない均一な厚さで付与することができる。フッ素を含有する有機分子としては、界面活性剤が好ましい。具体的には、日本サーファクタント工業製のＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン製のＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子製のサーフロンＳ−１４１、１４５、大日本インキ製のメガファックＦ−１４１、１４４、ネオス製のフタージェント Ｆ−２００、Ｆ２５１、ダイキン工業製のユニダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム製の、フロラードＦＣ−１７０、１７６、ＪＥＭＣＯ製のエフトップＥＦ−シリーズ、等のフッ素系の非イオン界面活性あるいは、カチオン系、アニオン系、両性界面活性剤を用いることができる。これらの界面活性剤は、フォトレジストに添加する種類および量を調整することによって、フォトレジストの撥液性を任意に設定することができる。
【０１３４】
（変形例６）
上述の各実施形態では、樹脂ブラック層２２Ａとレジスト層２２Ｂとをパターニングしてバンク２２を形成していたが、レジスト層２２Ｂに撥液性のある材料を用いる場合においては、レジスト層２２Ｂのみからバンク２２を形成してもよい。より具体的には、樹脂ブラック層２２Ａを塗布せずにレジスト層２２Ｂを塗布し、その後レジスト層２２Ｂをパターニングしたものをバンク２２とすればよい。このような方法でバンク２２を形成した場合でも、親液層２３の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いので、均一な厚さの正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを形成することができる。
【０１３５】
（変形例７）
第１の実施形態および第２の実施形態においては、バンク２２の表面に対してプラズマ処理を行ったが、この工程は省略してもよい。この場合、バンク２２の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性は低下するものの、プラズマ処理工程を省略することができるので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１３６】
（電子機器）
次に、第１から第３の実施形態、および変形例１から７に示した製造方法で製造された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置を、具体的な電子機器に組み込んだ例について説明する。図１２は、表示部５２０に上述の有機ＥＬ表示装置を組み込んだ携帯電話機５００の構成を示す模式図である。この携帯電話機５００は、表示部５２０において、電話番号や日付情報を始めとする各種情報を表示することができる。この携帯電話機５００は、第１から第３の実施形態に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法、または変形例１から７に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法によって製造することができる。このような製造方法によれば、良好な表示特性を実現することができて、かつ信頼性が高く寿命の長い携帯電話機５００を製造することができる。
【０１３７】
図１３は、表示部６２０に上述の有機ＥＬ表示装置を組み込んだパーソナルコンピュータ６００の構成を示す模式図である。このパーソナルコンピュータ６００は、表示部６２０において、入力装置６３０によって入力された情報を始めとする各種情報を表示することができる。このパーソナルコンピュータ６００は、第１から第３の実施形態に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法、または変形例１から７に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法によって製造することができる。このような製造方法によれば、良好な表示特性を実現することができて、かつ信頼性が高く寿命の長いパーソナルコンピュータ６００を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】有機ＥＬ表示装置の電気的な構成を説明するためのブロック図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置を構成する基板の構造を示す模式図である。
【図３】有機ＥＬ素子の製造装置を示す模式図である。
【図４】液滴吐出装置を示す模式図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、液滴吐出装置におけるヘッドを示す模式図である。
【図６】液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図である。
【図７】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図８】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図９】（ａ）から（ｄ）は、第２の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１０】（ａ）から（ｃ）は、第２の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、第３の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置を組み込んだ携帯電話機の構成を示す模式図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置を組み込んだパーソナルコンピュータの構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…基体、１１…回路素子層、１２…絶縁層、１３…半導体層、１４…ゲート絶縁層、１５，１８…層間絶縁層、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、１９…ゲート電極、２０…支持基板、２１…画素電極、２２…バンク、２２Ａ…樹脂ブラック層、２２Ｂ…レジスト、２３…親液層、２３Ａ…親液材料、２４…正孔輸送層、２４Ａ…正孔輸送材料、２５，２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ…発光層、２５ＲＡ，２５ＧＡ，２５ＢＡ…発光材料、２６…陰極、２７，２８，２９…スルーホール、３０…ＴＦＴ素子、３１…被吐出部、３２…封止基板、３３…不活性ガス、４１…走査線駆動回路、４２…データ線駆動回路、４３…走査線、４４…データ線、４５…画素領域、１０１…タンク、１０３…吐出ヘッド部、１０４…第１位置制御装置、１０４ａ…支持部、１０６…ステージ、１０８…第２位置制御装置、１１０…チューブ、１１１…材料、１１２…制御部、１１４…ヘッド、１１８…ノズル、１２０…キャビティ、１２２…隔壁、１２４…振動子、１２４Ａ…電極、１２４Ｃ…ピエゾ素子、１２６…振動板、１２７…吐出部、１２８…ノズルプレート、１３０…供給口、１３１…孔、２００…入力バッファメモリ、２０２…記憶装置、２０４…処理部、２０６…走査駆動部、２０８…ヘッド駆動部、２７０…搬送装置、３００Ｌ，３００Ｈ，３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂ…吐出装置、３５０Ｌ，３５０Ｈ，３５０Ｒ，３５０Ｇ，３５０Ｂ…乾燥装置、４００Ｌ…光照射装置、５００…携帯電話機、５２０…表示部、６００…パーソナルコンピュータ、６２０…表示部、６３０…入力装置。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の製造方法および電気光学装置の製造方法に関し、特にインクジェット法を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」）素子を備えた有機ＥＬ表示装置の開発が加速している。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に替わり得る薄型表示装置であるとされているからである。有機ＥＬ素子の製造方法としては、非特許文献１に示されるような、低分子の発光材料を蒸着法で基板上に成膜する方法と、非特許文献２に示されるような、高分子の発光材料を基板上に付与する方法が主に知られている。
【０００３】
特に、高分子を用いる有機ＥＬ素子の製造方法において、特許文献１に示されるような、液状の高分子をインクジェット法で付与する方法が注目されている。インクジェット法によれば、表示装置をカラー化する際に、各色に対応した高分子をそれぞれインクジェット法で所定の位置に付与すればよいので、困難とされる発光層のパターニングを行う必要がない。また、付与する高分子の使用量を必要最低限の量にまで抑えることができるという利点がある。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１５３９６７号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.51(12)，21 September 1987（第９１３頁）
【非特許文献２】Appl.Phys.Lett.71(1)，7 July 1997（第３４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インクジェット法により有機ＥＬ素子を製造する際には、基板上に形成した薄膜を加工して隔壁を作り、この隔壁に囲まれた被吐出部に液状の高分子を付与していく。しかしながら、付与された高分子が被吐出部に均一に濡れ広がらないと、厚さにムラが生じたり、高分子が隔壁を越えて拡散して混色を起こすことがある。
【０００６】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、隔壁に撥液性をもたせると同時に被吐出部に親液性をもたせて、液状の高分子をムラなく均一な厚さに付与することが可能な有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。好ましくは、上記構成のうちの工程Ｂが、前記底部上にシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいる。
【０００８】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できることである。
【０００９】
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有していてもよい。
【００１０】
また、前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。あるいは、前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。
【００１１】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層によって、画素電極から正孔輸送層または発光層へのイオン拡散を防止できることである。
【００１２】
さらに、上述した微粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが望ましい。
【００１３】
上記の条件を満たすことによって得られる効果の一つは、液状の第１の材料を液滴吐出装置によって吐出する際に、目詰まりすることなく、液状の第１の材料を所望の方向へ吐出できることである。
【００１４】
また、前記工程Ａは、フッ素を含有する高分子化合物、またはフッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含んでもよい。
【００１５】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できるという本発明の効果をさらに高めることができることである。
【００１６】
本発明による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上の画素電極を覆う親液層を形成する工程Ａと、前記画素電極上の前記親液層が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ｂと、前記底部上に液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、を含んでおり、前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であって、前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い。好ましくは、上記構成のうちの工程Ａが、前記底部上にシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいる。
【００１７】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できることである。
【００１８】
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有していてもよい。
【００１９】
また、前記工程Ａは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。あるいは、前記工程Ａは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含んでいてもよい。
【００２０】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層によって、画素電極から正孔輸送層または発光層へのイオン拡散を防止できることである。
【００２１】
さらに、上述した微粒子は、平均粒径が１μｍ以下であることが望ましい。
【００２２】
上記の条件を満たすことによって得られる効果の一つは、液状の第１の材料を液滴吐出装置によって吐出する際に、目詰まりすることなく、液状の第１の材料を所望の方向へ吐出できることである。
【００２３】
また、前記工程Ｂは、フッ素を含有する高分子化合物、またはフッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含んでもよい。
【００２４】
上記構成によって得られる効果の一つは、正孔輸送材料または発光材料をムラなく均一な厚さに形成できるという本発明の効果をさらに高めることができることである。
【００２５】
本発明のある態様では、前記親液層に光を照射する工程を含んでおり、このときの光の波長は４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
上記構成によって得られる効果の一つは、親液層の、正孔輸送材料または発光材料に対する親液性が高くなることである。
【００２７】
本発明の他の態様では、前記隔壁は、フッ素を含有する有機分子を含んでいる。
【００２８】
上記構成によって得られる効果の一つは、隔壁が、正孔輸送材料または発光材料に対する撥液性をもつことである。
【００２９】
本発明の他の態様では、前記隔壁の表面を、フルオロカーボン系の化合物を反応ガスに用いてプラズマ処理する工程を含んでいる。
【００３０】
上記構成によって得られる効果の一つは、隔壁の、正孔輸送材料または発光材料に対する撥液性がさらに向上することである。
【００３１】
なお、本発明は、種々の態様で実現することができる。具体的には、電気光学装置の製造方法または電子機器の製造方法として実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３３】
（第１の実施形態）
（Ａ．表示装置）
始めに、有機ＥＬ素子を用いた電気光学装置としての有機ＥＬ表示装置の構造について説明する。
【００３４】
図１を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の電気的な構成を説明する。有機ＥＬ表示装置１は、走査線駆動回路４１と、走査線駆動回路４１に連結された複数本の走査線４３と、データ線駆動回路４２と、データ線駆動回路４２に連結された複数本のデータ線４４と、複数本の走査線４３と複数本のデータ線４４との交差に対応して配置された複数の画素領域４５と、を有する。ここで、複数の画素領域４５のそれぞれは、少なくとも一つのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子と、流れる電流の大きさに応じて発光する有機ＥＬ素子と、を有している。
【００３５】
有機ＥＬ表示装置１の表示動作は、書き込み期間と発光期間とを繰り返して行われる。書き込み期間において、走査線駆動回路４１は、走査線４３を順次選択し、選択された走査線４３に対応する画素領域４５のＴＦＴ素子をオンする。ＴＦＴ素子がオンしている状態で、データ線駆動回路４２からのデータ信号が、データ線４４を介して当該ＴＦＴ素子のソースに印加されると、当該画素領域４５には、データ信号に応じた電圧が書き込まれる。すべての画素領域４５への書き込みが完了すると、書き込み期間が終了する。続く発光期間では、書き込まれた電圧に応じた電流が有機ＥＬ素子に流れ、発光が行われる。有機ＥＬ表示装置１は、上述の書き込み期間と発光期間を短時間で繰り返し実行することによって、画面表示を行う表示装置である。
【００３６】
図２を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の構造をより具体的に説明する。なお、図２（ａ）は、有機ＥＬ表示装置１のＸＺ断面を示しており、図２（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置１における複数の被吐出部３１（後述）のＸＹ平面上での位置関係を示している。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、図１を参照して説明した構成要素に加えて、支持基板２０と、支持基板２０上に形成された回路素子層１１と、複数の画素電極２１と、複数の画素電極２１の間に形成された隔壁としてのバンク２２と、親液層２３と、正孔輸送層２４と、赤色発光層２５Ｒ、緑色発光層２５Ｇ、および青色発光層２５Ｂ（不図示）とからなる発光層２５と、陰極２６と、を有している。
【００３８】
支持基板２０は、可視光に対して光透過性を有する基板であり、例えばガラス基板である。
【００３９】
回路素子層１１は、支持基板２０上で所定の方向に延びる複数の走査線と、複数の走査線を覆うように形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に位置するとともに複数の走査線が延びる方向に対して直交する方向に延びる複数のデータ線と、走査線およびデータ線の交点付近に位置する複数のＴＦＴ素子３０と、複数のＴＦＴ素子３０を覆うように形成されたポリイミドなどからなる層間絶縁層１５および層間絶縁層１８と、を有する層である。ＴＦＴ素子３０は、シリコンからなる半導体層１３と、半導体層１３上に形成されたゲート絶縁層１４と、ゲート絶縁層１４上に形成されたゲート電極１９と、ソース電極１６およびドレイン電極１７とを有する。層間絶縁層１５には、ソース電極１６およびドレイン電極１７に対応する位置にそれぞれスルーホール２７および２８が設けられている。ソース電極１６は、半導体層１３の表面からスルーホール２７内を経由して層間絶縁層１５の表面にまで延設されている。また、ドレイン電極１７は、半導体層１３の表面からスルーホール２８内を経由して層間絶縁層１５の表面にまで延設されている。さらに、層間絶縁層１８にはドレイン電極１７に対応する位置にスルーホール２９が設けられており、画素電極２１は、このスルーホール２９内にまで延設され、層間絶縁層１５上のドレイン電極１７と接続されている。こうした構成からなるそれぞれのＴＦＴ素子３０は、バンク２２に対応する位置に位置している。つまり、図２（ｂ）の紙面に垂直な方向から観察すると、複数のＴＦＴ素子３０のそれぞれは、バンク２２に覆われるように位置している。
【００４０】
以下では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて、「回路基板」とも表記する。本実施形態においては、この回路基板が本発明の「基板」に対応する。
【００４１】
なお、本発明の「基板」は、必ずしも上述したような回路素子層１１を含む回路基板である必要はない。「基板」の態様は、有機ＥＬ素子の用途に応じて様々に変えることができる。例えば、単なるガラス基板やプラスチック基板などでも良い。
【００４２】
複数の画素電極２１は、回路素子層１１上にマトリクス状に配置されており、それぞれが画素領域４５を規定する。そして、複数の画素電極２１のそれぞれは、可視光に対して光透過性を有する電極であり、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）電極である。
【００４３】
バンク２２は、Ｚ軸方向から見ると格子状の形状を有しており、複数の画素電極２１のそれぞれの周囲を囲む。バンク２２は、フッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を加工して形成される。
【００４４】
格子状のバンク２２が規定する凹部内には、画素電極２１側から順に、親液層２３、正孔輸送層２４、および発光層２５Ｒ（または発光層２５Ｇ、２５Ｂ）が位置している。
【００４５】
以下では、格子状のバンク２２が規定する凹部を「被吐出部３１」とも呼ぶ。この凹部（つまり「被吐出部３１」）の側面は、バンク２２によって構成され、底部は、画素電極２１、親液層２３、および正孔輸送層２４のうちのいずれか一つによって構成される。具体的には、「被吐出部３１」は、側面がバンク２２で底部が画素電極２１である凹部、側面がバンク２２で底部が親液層２３である凹部、および側面がバンク２２で底部が正孔輸送層２４である凹部、のいずれをも包含する概念である。そして、図２（ｂ）に示すように、複数の被吐出部３１が形成するマトリクスの行方向および列方向は、それぞれＸ軸方向およびＹ軸方向と平行である。
【００４６】
親液層２３は、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する材料からなっている。そして、液状の正孔輸送材料２４Ａ（後述）に対する親液層２３の親液性は、液状の正孔輸送材料２４Ａに対するバンク２２の親液性よりも高い。つまり、液状の正孔輸送材料２４Ａが親液層２３上で呈する接触角は、正孔輸送材料２４Ａがバンク２２上で呈する接触角よりも小さい。なお、後述するように、親液層２３を形成する工程は、液状の親液材料２３Ａを画素電極２１上に付与する工程を含んでいる。
【００４７】
正孔輸送層２４には、例えばトリフェニルアミンを骨格として有する高分子材料を用いることができる。このような高分子としては、化合物１として示すＡＤＳ社製「ＡＤＳ２５４ＢＥ」を採用することができる。トリフェニルアミン骨格を有する高分子は、正孔輸送性を有することから、このような高分子を含んだ膜は正孔輸送層として機能し得る。さらに、トリフェニルアミンを骨格として有する高分子は、現在主流であるＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルフォン酸）とは異なり、分散系ではないので、不純物イオンの軽減を図ることができ、信頼性に対して有効であると考えられる。なお、後述するように、正孔輸送層２４を形成する工程は、液状の正孔輸送材料２４Ａを親液層２３上に付与する工程を含んでいる。
【００４８】
【化１】
【００４９】
発光層２５は、高分子有機化合物からなり、電気を光に変えるエレクトロルミネッセンス現象を担う発光物質の層である。発光層２５には、赤色の光を発する発光層２５Ｒ、緑色の光を発する発光層２５Ｇ、および青色の光を発する発光層２５Ｂの３種類があり、これらは所定の規則に従って配置されている。陰極２６と画素電極２１との間に電圧を印加すると、発光層２５に正孔と電子が注入される。発光層２５は、これらの正孔と電子が再結合したときに光を発する。正孔輸送層２４は、画素電極２１から注入される正孔を効率良く発光層２５へ輸送するための層であり、有機化合物からなる。陰極２６は、光を反射する金属からなる。発光層２５からＺ軸の負の方向へ出射した光は、回路素子層１１および支持基板２０を透過する。一方、発光層２５からＺ軸の正の方向へ出射した光は、陰極２６で反射されてＺ軸の負の方向へ進み、回路素子層１１および支持基板２０を透過する。このように、この有機ＥＬ表示装置１は、支持基板２０側から光を取り出す、ボトムエミッション型として構成されている。なお、後述するように、発光層２５を形成する工程は、液状の発光材料２５Ａを正孔輸送層２４上に付与する工程を含んでいる。
【００５０】
発光層２５を構成する発光材料としては、以下に化合物２から６として示す、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものを使用することができる。ドープする物質としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等が挙げられる。この他にも、燐光発光材料であるイリジウム錯体、例えばＩｒ（ｐｐｙ）３なども挙げられる。
【００５１】
【化２】
【００５２】
【化３】
【００５３】
【化４】
【００５４】
【化５】
【００５５】
【化６】
【００５６】
さらに、赤色発光材料としては、例えばＭＥＨ−ＰＰＶ（poly Methoxy（2ethyl）hexyloxy paraphenylene vinylene）を、青色発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレンを、緑色発光材料としては、例えばＰＰＶ（poly（para-phenylene vinylene））を用いることができる。
【００５７】
（Ｂ．製造装置）
図３を参照しながら、有機ＥＬ表示装置１の製造に用いる製造装置Ａを説明する。なお、以下では、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して基体１０と表記する。
【００５８】
製造装置Ａは、基体１０の被吐出部３１に対して、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを塗布する装置である。製造装置Ａは、すべての画素電極２１上に親液材料２３Ａを付与する吐出装置３００Ｌと、画素電極２１上の親液材料２３Ａを乾燥して親液層２３を得る乾燥装置３５０Ｌと、親液層２３に光を照射する光照射装置４００Ｌと、すべての親液層２３上に正孔輸送材料２４Ａを付与する吐出装置３００Ｈと、親液層２３上の正孔輸送材料２４Ａを乾燥して正孔輸送層２４を得る乾燥装置３５０Ｈと、赤色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＲＡを付与する吐出装置３００Ｒと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＲＡを乾燥して発光層２５Ｒを得る乾燥装置３５０Ｒと、緑色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＧＡを付与する吐出装置３００Ｇと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＧＡを乾燥して発光層２５Ｇを得る乾燥装置３５０Ｇと、青色に対応する画素領域４５内の正孔輸送層２４上に発光材料２５ＢＡを付与する吐出装置３００Ｂと、正孔輸送層２４上の発光材料２５ＢＡを乾燥して発光層２５Ｂを得る乾燥装置３５０Ｂと、を備えている。
【００５９】
さらに製造装置Ａは、吐出装置３００Ｌ、乾燥装置３５０Ｌ、光照射装置４００Ｌ、吐出装置３００Ｈ、乾燥装置３５０Ｈ、吐出装置３００Ｒ、乾燥装置３５０Ｒ、吐出装置３００Ｇ、乾燥装置３５０Ｇ、吐出装置３００Ｂ、乾燥装置３５０Ｂの順番に基体１０を搬送する搬送装置２７０も備えている。このように、本実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法は、５つの液滴吐出装置を利用する。なお、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、いずれも、後述する液状の材料の一種である。
【００６０】
（Ｃ．液滴吐出装置の全体構成）
図４に示す液滴吐出装置３００Ｌは、基本的には液状の親液材料２３Ａを吐出するためのインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置３００Ｌは、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。なお、他の４つの液滴吐出装置３００Ｈ、３００Ｒ、３００Ｇ、３００Ｂの構造および機能は、液滴吐出装置３００Ｌの構造および機能と基本的に同じであり、このため、これら４つの液滴吐出装置の構造および機能の説明は省略する。
【００６１】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図５）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。
【００６２】
ステージ１０６は、上述の基体１０を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基体１０の位置を固定する機能も有する。
【００６３】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００６４】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００６５】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。
【００６６】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基体１０はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基体１０に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図５）は、基体１０に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部３１）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００６７】
制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基体１０上に、液状の材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００６８】
上記構成を有する液滴吐出装置３００Ｌは、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図５）を基体１０に対して相対移動させるとともに、被吐出部３１に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。
【００６９】
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、液滴吐出装置３００Ｌのような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
【００７０】
（Ｄ．ヘッド）
図５（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３００Ｌにおけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数の振動子１２４と、複数のノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、供給口１３０と、孔１３１と、を備えている。液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の配向材料１１１が常に充填される。
【００７１】
複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の配向材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００７２】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動波形を与えることで、対応するノズル１１８から液状の配向材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の配向材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００７３】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」とも表記する。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。また、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００７４】
（Ｅ．制御部）
次に、図６を参照しながら、制御部１１２の構成を説明する。制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
【００７５】
走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。
【００７６】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置３００Ｌの外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図６では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００７７】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部３１に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部３１に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４において対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。
【００７８】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、およびバスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００７９】
（Ｆ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、いずれも上述の条件を満たす液状の材料である。
【００８０】
また、これらの液状の材料１１１が微粒子を含有している場合は、当該微粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが望ましい。この条件を満たす液状の材料１１１は、ヘッド１１４のノズル１１８から、目詰まりすることなく、所望の方向へ吐出される。親液材料２３Ａは、上述した通り、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有しているが、これらの微粒子の平均粒径は、１μｍ以下である。
【００８１】
なお、本実施形態においては、正孔輸送材料２４Ａが本発明の「第１の材料」に対応し、親液材料２３Ａが本発明の「第２の材料」に対応する。
【００８２】
（Ｇ．製造方法）
図７および図８を参照しながら、上述の液滴吐出装置を用いた有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。なお、図７および図８においては、図２（ａ）における絶縁層１２、半導体層１３、ゲート絶縁層１４、ソース電極１６、ドレイン電極１７、およびゲート電極１９の図示を省略し、これらすべてを代表して、ＴＦＴ素子３０として図示する。
【００８３】
まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板２０上に回路素子層１１および画素電極２１を形成する。なお、上述のように、本実施形態では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて「回路基板」とも表記する。同様に、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して「基体１０」と表記する。
【００８４】
次に、回路素子層１１上および画素電極２１上をＵＶ洗浄する。そして、図７（ａ）に示すように、回路素子層１１上および画素電極２１上を覆うようにスピンコート法を用いて、黒顔料およびフッ素を含有する有機分子からなる樹脂有機薄膜（すなわち樹脂ブラック）を塗布する。このことで、回路素子層１１上および画素電極２１上に樹脂ブラック層２２Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２２Ａの全面を覆うようにネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層２２Ａ上にレジスト層２２Ｂを形成する。
【００８５】
続いて、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａとをパターニングする。具体的には、図７（ｂ）に示すように、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂが形成されるべき領域に対応する部位に遮光部ＡＢを有するフォトマスクＰＭを介して、レジスト層２２Ｂに光ｈνを照射する。そして、所定のエッチング液を用いてエッチングすることで、光ｈνが照射されていない部分、すなわち発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに対応する部分のレジスト層２２Ｂと、対応する樹脂ブラック層２２Ａとを取り除く。そのことによって、図７（ｃ）に示すように、後に形成されるべき発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを囲む形状を有する、樹脂ブラックからなるバンク２２とレジスト層２２Ｂとが、回路基板上に残る。その後、所定の薬液を用いてレジスト層２２Ｂを剥離して、回路基板上には、図７（ｄ）に示すように、バンク２２と画素電極２１とで規定される被吐出部３１が形成される。ここで、画素電極２１とバンク２２とは、凹部を形取っている。画素電極２１は、その凹部の底部を構成する。
【００８６】
以上のような工程を経て、回路基板上の画素電極２１が凹部の底部になるように、バンクが形成される。
【００８７】
次に、バンク２２の表面に対して、プラズマ処理を行う。プラズマ処理は、基体１０をフルオロカーボン系化合物を含有するガスにさらし、当該ガスにエネルギーを与えてプラズマ化してバンク２２の表面と反応させて行う。このプラズマ処理によって、バンク２２の、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性を高めることができる。
【００８８】
続いて、基体１０に設けられた被吐出部３１に、親液材料２３Ａ、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを順次付与していく。これらの工程は、図３に示す製造装置Ａによって行われる。
【００８９】
被吐出部３１が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｌのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｌは、被吐出部３１のすべてに親液材料２３Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から親液材料２３Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｌは、被吐出部３１の底部を構成する画素電極２１の表面に親液材料２３Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に親液材料２３Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｌ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の親液材料２３Ａを完全に乾燥させることで、図８（ａ）に示すように、被吐出部３１に親液層２３が形成される。
【００９０】
親液層２３が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、光照射装置４００Ｌに運ばれる。そして、光照射装置４００Ｌは、基体１０に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射する。親液層２３は、このような波長の光に対して反応し、親液性が高まる性質を持っている。したがって、当該工程を経た親液層２３は、正孔輸送材料２４Ａあるいは発光材料２５Ｒ、２５Ｇ、および２５Ｂに対する親液性が高まる。
【００９１】
なお、光照射装置４００Ｌは、上述のように波長４００ｎｍ以下の光を照射するが、親液層２３に含まれる微粒子の種類によって、実際に反応に寄与する光の波長は異なる。具体的には、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と、金属を含む微粒子とを含有する親液層２３は、波長４００ｎｍ以下の光のうち、その金属を含有する微粒子が光触媒として機能する波長の光に反応する。例えば、本実施形態で用いる、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液層２３は、酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子が光触媒として機能する、波長３８０ｎｍ以下の光に反応する。また、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む親液層２３は、波長が２５０ｎｍ以下の光に反応する。
【００９２】
続いて、基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｈのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ｂ）に示すように、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１のすべてに正孔輸送材料２４Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から正孔輸送材料２４Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に正孔輸送材料２４Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に正孔輸送材料２４Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｈ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の正孔輸送材料２４Ａを完全に乾燥させることで、図８（ｂ）に示すように、被吐出部３１に正孔輸送層２４が形成される。
【００９３】
ところで、親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高くなっている。これは、バンク２２に撥液性の高いフッ素を含有する有機分子を用いるとともに、バンク２２をプラズマ処理して撥液性を高めていることと、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液性の高い親液層２３にさらに光を照射して親液性を高めていることによる。このため、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に着弾した正孔輸送材料２４Ａの液滴は、バンク２２に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとする。このような作用によって、正孔輸送材料２４Ａは親液層２３上に均一に濡れ広がり、これを乾燥させて得られた正孔輸送層２４は、均一な厚さを持つ層となる。
【００９４】
正孔輸送層２４が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図８（ｃ）に示すように、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＲＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＲＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＲＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｒが形成される。
【００９５】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｇのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＧＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＧＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＧＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｇが形成される。
【００９６】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｂのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＢＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＢＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＢＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１に発光層２５Ｂが形成される。
【００９７】
こうして得られた発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、ムラのない、均一な厚さを持つ層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【００９８】
次に、図８（ｄ）に示すように、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、およびバンク２２を覆うように陰極２６を設ける。その後、封止基板３２と基体１０とを、互いの周辺部で接着することで、図８（ｄ）に示す有機ＥＬ表示装置１が得られる。なお、封止基板３２と基体１０との間には不活性ガス３３が封入されている。
【００９９】
このような有機ＥＬ表示装置１において、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂから発した光は、画素電極２１と、回路素子層１１と、支持基板２０と、を介して射出する。このように回路素子層１１を介して光を射出するエレクトロルミネッセンス表示装置は、ボトムエミッション型の表示装置と呼ばれる。
【０１００】
こうして得られた有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂがムラのない均一な厚さの層となる。したがって、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、良好な表示特性を実現することができる。さらに、表示装置自体が大型で、このため被吐出部３１が大きい場合であっても、正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡの被吐出部３１での濡れ性がよいので、これらを均一な厚さの層に形成することができる。したがって、被吐出部３１が大きくても、良好な表示特性を維持することができる。
【０１０１】
また、正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡの着弾位置が被吐出部３１の中のいずれの位置であっても、バンク２２に対して反撥するとともに被吐出部３１の底部に濡れ広がろうとするので、吐出位置制御の精度が低くても高品位な表示装置を製造できる。よって、表示装置の生産性を向上することができる。同様の理由で、着弾位置不良や、被吐出部３１の端部の角での濡れ不足を原因とする不具合が低減されるので、表示装置の信頼性を高めることができる。さらに、画素電極２１と正孔輸送層２４との間に親液層２３が配置されているので、画素電極２１から正孔輸送層２４への不純物イオンの拡散を抑えることができ、表示装置の寿命を向上させることができる。
【０１０２】
（第２の実施形態）
前述の第１の実施形態においては、バンク２２を形成した後で被吐出部３１に親液層２３を形成する。一方、本実施形態においては、回路基板の表面全体に親液層２３を塗布した後で、親液層２３の表面上にバンク２２を形成する。そして、この点を除くと、本実施形態は、第１の実施形態と基本的に同じである。詳細は以下の通りである。
【０１０３】
まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、支持基板２０上に回路素子層１１を形成する。その後、回路素子層１１上に複数の画素電極２１をマトリクス状に形成する。なお、上述のように、本実施形態では、支持基板２０と、支持基板２０上の回路素子層１１と、をまとめて「回路基板」とも表記する。同様に、発光層２５が設けられる以前の有機ＥＬ表示装置１を指して「基体１０」と表記する。
【０１０４】
次に、回路素子層１１上および画素電極２１上をＵＶ洗浄する。そして、基体１０は、製造装置Ａ中の搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｌのステージ１０６に運ばれる。ここで、図９（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｌは、回路素子層１１上および画素電極２１を覆う親液材料２３Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から親液材料２３Ａを吐出する。回路素子層１１上および画素電極２１を覆って親液材料２３Ａの層が形成された後に、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｌ内に位置させる。そして、親液材料２３Ａを完全に乾燥させることで、基体１０の表面に親液層２３を得る。この結果、回路基板上の画素電極２１を覆う親液層２３が形成される。
【０１０５】
親液層２３が設けられた基体１０は、搬送装置２７０によって、光照射装置４００Ｌに運ばれる。そして、光照射装置４００Ｌは、基体１０に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射する。親液層２３は、このような波長の光に対して反応し、親液性が高まる性質を持っている。したがって、当該工程を経た親液層２３は、正孔輸送材料２４Ａあるいは発光材料２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂに対する親液性が高まる。
【０１０６】
なお、光照射装置４００Ｌは、上述のように波長４００ｎｍ以下の光を照射するが、親液層２３に含まれる微粒子の種類によって、実際に反応に寄与する光の波長は異なる。具体的には、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と、金属を含む微粒子とを含有する親液層２３は、波長４００ｎｍ以下の光のうち、その金属を含有する微粒子が光触媒として機能する波長の光に反応する。例えば、本実施形態で用いる、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液層２３は、酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子が光触媒として機能する、波長３８０ｎｍ以下の光に反応する。また、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む親液層２３は、波長が２５０ｎｍ以下の光に反応する。
【０１０７】
ここで、基体１０は製造装置Ａから取り出されて、バンク２２の形成のための工程を経る。すなわち、まず図９（ｂ）に示すように、親液層２３の表面に、スピンコート法を用いて樹脂ブラック層２２Ａを形成する。さらに樹脂ブラック層２２Ａの全面を覆うようにネガ型のアクリル系化学増幅型感光性レジストを塗布することで、樹脂ブラック層２２Ａ上にレジスト層２２Ｂを形成する。
【０１０８】
次に、図９（ｃ）および（ｄ）に示すように、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａとをパターニングし、その後、レジスト層２２Ｂを剥離して、バンク２２を形成する。親液層２３とバンク２２とは、凹部を形取るようになる。親液層２３は、その凹部の底部である。続いて、バンク２２の表面に対して、撥液性を高めるためにプラズマ処理を行う。なお、レジスト層２２Ｂと樹脂ブラック層２２Ａのパターニング法、レジスト層２２Ｂの剥離法、およびプラズマ処理の方法は、第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０９】
こうして、図９（ｄ）に示すように、基体１０上に親液層２３を底部とする被吐出部３１が形成される。つまり、画素電極２１上の親液層２３が凹部の底部になるようにバンク２２が形成される。
【０１１０】
被吐出部３１が設けられた基体１０は、再び製造装置Ａに戻され、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｈのステージ１０６に運ばれる。そして、図１０（ａ）に示すように、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１のすべてに正孔輸送材料２４Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４から正孔輸送材料２４Ａを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｈは、被吐出部３１の底部を構成する親液層２３の表面に正孔輸送材料２４Ａを吐出する。基体１０のすべての被吐出部３１に正孔輸送材料２４Ａの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｈ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の正孔輸送材料２４Ａを完全に乾燥させることで、図１０（ａ）に示すように、被吐出部３１上に正孔輸送層２４が形成される。
【０１１１】
ところで、被吐出部３１の底部を形成する親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高くなっている。これは、バンク２２に撥液性の高いフッ素を含有する有機分子を用いるとともに、バンク２２をプラズマ処理して撥液性を高めていることと、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とを含有する親液性の高い親液層２３に光を照射して親液性を高めていることによる。このため、被吐出部３１に着弾した正孔輸送材料２４Ａの液滴は、バンク２２に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとする。このような作用によって、正孔輸送材料２４Ａは親液層２３上に均一に濡れ広がり、これを乾燥させて得られた正孔輸送層２４は、均一な厚さを持つ層となる。
【０１１２】
被吐出部３１に正孔輸送層２４が形成されると、基体１０は、搬送装置２７０によって、吐出装置３００Ｒのステージ１０６に運ばれる。そして、図１０（ｂ）に示すように、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＲＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｒは、赤色に対応する発光層２５Ｒが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＲＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＲＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｒ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＲＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｒが形成される。
【０１１３】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｇのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＧＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｇは、緑色に対応する発光層２５Ｇが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＧＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＧＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｇ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＧＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｇが形成される。
【０１１４】
次に搬送装置２７０は、基体１０を吐出装置３００Ｂのステージ１０６に位置させる。そして、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成されるように、ヘッド１１４から発光材料２５ＢＡを吐出する。より具体的には、吐出装置３００Ｂは、青色に対応する発光層２５Ｂが形成されるべき被吐出部３１の底部を構成する正孔輸送層２４の表面に発光材料２５ＢＡを吐出する。基体１０の所定の被吐出部３１のすべてに発光材料２５ＢＡの層が形成された場合には、搬送装置２７０が基体１０を乾燥装置３５０Ｂ内に位置させる。そして、被吐出部３１上の発光材料２５ＢＡを完全に乾燥させることで、被吐出部３１上に発光層２５Ｂが形成される。
【０１１５】
こうして得られた発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂは、ムラのない、均一な厚さを持つ層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【０１１６】
次に、図１０（ｃ）に示すように発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、およびバンク２２を覆うように陰極２６を設ける。その後、封止基板３２と基体１０とを、互いの周辺部で接着することで、図１０（ｃ）に示す有機ＥＬ表示装置１が得られる。なお、封止基板３２と基体１０との間には不活性ガス３３が封入されている。
【０１１７】
こうして得られた有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂのそれぞれが均一な厚さの層となる。したがって、この有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、第１の実施形態で示した効果と同様の効果を奏する。
【０１１８】
（第３の実施形態）
第１の実施形態および第２の実施形態においては、バンク２２の形成のために塗布したレジスト層２２Ｂは、樹脂ブラック層２２Ａおよびレジスト層２２Ｂのパターニング後に剥離したが、レジスト層２２Ｂ自体に、正孔輸送材料２４Ａ、および対応する発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性を持たせて、レジスト層２２Ｂを剥離せずに製造することもできる。以下では、この方式を用いた第３の実施形態について説明する。
【０１１９】
本実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法は、以降で述べる事項を除いては第２の実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法と同じである。このため、第２の実施形態と共通する部分については説明を省略する。
【０１２０】
図１１は、本実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法を示した図である。図１１（ａ）は、回路基板上に、親液層２３、樹脂ブラック層２２Ａおよびレジスト層２２Ｂを設けた後に、レジスト層２２Ｂに光を照射してパターニングを行った状態の基体１０を示す。
【０１２１】
ここで、レジスト層２２Ｂには、フッ素を含有する高分子化合物からなるフォトレジストが用いられている。このような材料から形成されたレジスト層２２Ｂは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して撥液性を有する。
【０１２２】
本実施形態においては、この後、レジスト層２２Ｂを剥離しない。したがって、第２の実施形態におけるバンク２２に相当する構成要素は、樹脂ブラック層からなるバンク２２と、レジスト層２２Ｂとを合わせたものとなる。以下では、バンク２２と、レジスト層２２Ｂとを合わせたものをバンク２２’と呼ぶ。本実施形態における被吐出部３１の側面は、バンク２２’で規定される。また、バンク２２’は、撥液性を有するレジスト層２２Ｂを表面に有するので、この後、バンク２２’の撥液性を高めるためのプラズマ処理は行わなくてよい。
【０１２３】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、被吐出部３１に、第２の実施形態と同様の工程によって正孔輸送層２４、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂ、陰極２６、および封止基板３２を形成する。
【０１２４】
こうして得られた有機ＥＬ表示装置１においては、正孔輸送層２４は、ムラのない均一な厚さの層となる。これは、親液層２３の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性が、バンク２２’の正孔輸送材料２４Ａに対する親液性よりも高いために、正孔輸送材料２４Ａがバンク２２’に対して反撥するとともに、親液層２３上に濡れ広がろうとするためである。
【０１２５】
また、発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂも、ムラのない均一な厚さの層となる。これは、正孔輸送層２４の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性が、バンク２２’の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いために、発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡがバンク２２’に対して反撥するとともに、正孔輸送層２４上に濡れ広がろうとするためである。
【０１２６】
本実施形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１は、第２実施形態の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置１と同様の効果が得られる。加えて、本実施形態の製造方法では、レジスト層２２Ｂの剥離工程と、バンク２２’のプラズマ処理工程とを行う必要がないので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１２７】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１２８】
（変形例１）
上述の各実施形態では、正孔輸送層２４と発光層２５とを分離して積層したが、正孔輸送層２４を発光層２５に混合することも可能である。その際は、正孔輸送層２４はなくてもよい。この場合は、親液層２３の表面に直接発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡを付与すればよい。このとき、親液層２３の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は、バンク２２または２２’の発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性より高いので、親液層２３上に着弾した発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡは、バンク２２またはバンク２２’の底部に配置された親液層２３上を均一に濡れ広がる。したがって、ムラのない均一な厚さの発光層２５を形成することができる。
【０１２９】
（変形例２）
上述の各実施形態では、親液材料２３Ａにはシリカ（ＳｉＯ2）の微粒子と酸化チタン（ＴｉＯ2）の微粒子とが含有されていたが、シリカ（ＳｉＯ2）の微粒子のみを含む材料であっても良い。あるいは、酸化チタン（ＴｉＯ2）の代わりに、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、および酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有させてもよい。このような親液材料２３Ａは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して親液性を有する。
【０１３０】
また、親液材料２３Ａは、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する材料であってもよい。さらに、酸化チタンや酸化亜鉛などの上記金属がシリカでコーティングされた微粒子を含有する材料などを用いることができる。このような親液材料２３Ａも、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して親液性を有する。
【０１３１】
（変形例３）
上述の各実施形態では、親液層２３の親液性を高めるために親液層２３に対して波長４００ｎｍ以下の光を照射していたが、この工程は省略してもよい。この場合、親液層２３の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は低下するものの、それでもバンク２２の正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高い。したがって、この変形例によれば、光を照射する工程を省略することができるので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１３２】
（変形例４）
第２の実施形態および第３の実施形態において、親液層２３は吐出装置３００Ｌを用いてインクジェット法によって形成したが、この他にも液状の材料を塗布する方法であればどのような方法で形成してもよい。親液層２３の形成に適用することが可能な方法の例としては、押出コーティング方法、スピンコーティング方法、グラビアコーティング方法、リバースロールコーティング方法、ロッドコーティング方法、スリットコーティング方法、マイクログラビアコーティング方法、ディップコーティング方法、フレキソ印刷法、およびスクリーン印刷法などを挙げることができる。
【０１３３】
（変形例５）
第３の実施形態において、レジスト２２Ｂにはフッ素を含有する高分子化合物からなるフォトレジストを用いたが、フッ素を含有する有機分子を混合したフォトレジストを用いてもよい。このようなフォトレジストによって形成されたレジスト２２Ｂは、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対して撥液性をもつ。このため、上述の各実施形態と同様に、正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂをムラのない均一な厚さで付与することができる。フッ素を含有する有機分子としては、界面活性剤が好ましい。具体的には、日本サーファクタント工業製のＮＩＫＫＯＬ ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン製のＺＯＮＹＬ ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子製のサーフロンＳ−１４１、１４５、大日本インキ製のメガファックＦ−１４１、１４４、ネオス製のフタージェント Ｆ−２００、Ｆ２５１、ダイキン工業製のユニダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム製の、フロラードＦＣ−１７０、１７６、ＪＥＭＣＯ製のエフトップＥＦ−シリーズ、等のフッ素系の非イオン界面活性あるいは、カチオン系、アニオン系、両性界面活性剤を用いることができる。これらの界面活性剤は、フォトレジストに添加する種類および量を調整することによって、フォトレジストの撥液性を任意に設定することができる。
【０１３４】
（変形例６）
上述の各実施形態では、樹脂ブラック層２２Ａとレジスト層２２Ｂとをパターニングしてバンク２２を形成していたが、レジスト層２２Ｂに撥液性のある材料を用いる場合においては、レジスト層２２Ｂのみからバンク２２を形成してもよい。より具体的には、樹脂ブラック層２２Ａを塗布せずにレジスト層２２Ｂを塗布し、その後レジスト層２２Ｂをパターニングしたものをバンク２２とすればよい。このような方法でバンク２２を形成した場合でも、親液層２３の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性は、バンク２２の正孔輸送材料２４Ａおよび発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する親液性よりも高いので、均一な厚さの正孔輸送層２４および発光層２５Ｒ、２５Ｇ、２５Ｂを形成することができる。
【０１３５】
（変形例７）
第１の実施形態および第２の実施形態においては、バンク２２の表面に対してプラズマ処理を行ったが、この工程は省略してもよい。この場合、バンク２２の、正孔輸送材料２４Ａ、および発光材料２５ＲＡ、２５ＧＡ、２５ＢＡに対する撥液性は低下するものの、プラズマ処理工程を省略することができるので、有機ＥＬ素子および有機ＥＬ表示装置の製造工程を簡略化することができる。
【０１３６】
（電子機器）
次に、第１から第３の実施形態、および変形例１から７に示した製造方法で製造された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置を、具体的な電子機器に組み込んだ例について説明する。図１２は、表示部５２０に上述の有機ＥＬ表示装置を組み込んだ携帯電話機５００の構成を示す模式図である。この携帯電話機５００は、表示部５２０において、電話番号や日付情報を始めとする各種情報を表示することができる。この携帯電話機５００は、第１から第３の実施形態に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法、または変形例１から７に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法によって製造することができる。このような製造方法によれば、良好な表示特性を実現することができて、かつ信頼性が高く寿命の長い携帯電話機５００を製造することができる。
【０１３７】
図１３は、表示部６２０に上述の有機ＥＬ表示装置を組み込んだパーソナルコンピュータ６００の構成を示す模式図である。このパーソナルコンピュータ６００は、表示部６２０において、入力装置６３０によって入力された情報を始めとする各種情報を表示することができる。このパーソナルコンピュータ６００は、第１から第３の実施形態に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法、または変形例１から７に示した有機ＥＬ素子の製造方法を含む製造方法によって製造することができる。このような製造方法によれば、良好な表示特性を実現することができて、かつ信頼性が高く寿命の長いパーソナルコンピュータ６００を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】有機ＥＬ表示装置の電気的な構成を説明するためのブロック図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置を構成する基板の構造を示す模式図である。
【図３】有機ＥＬ素子の製造装置を示す模式図である。
【図４】液滴吐出装置を示す模式図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、液滴吐出装置におけるヘッドを示す模式図である。
【図６】液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図である。
【図７】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図８】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図９】（ａ）から（ｄ）は、第２の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１０】（ａ）から（ｃ）は、第２の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、第３の実施形態の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する図である。
【図１２】有機ＥＬ表示装置を組み込んだ携帯電話機の構成を示す模式図である。
【図１３】有機ＥＬ表示装置を組み込んだパーソナルコンピュータの構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…基体、１１…回路素子層、１２…絶縁層、１３…半導体層、１４…ゲート絶縁層、１５，１８…層間絶縁層、１６…ソース電極、１７…ドレイン電極、１９…ゲート電極、２０…支持基板、２１…画素電極、２２…バンク、２２Ａ…樹脂ブラック層、２２Ｂ…レジスト、２３…親液層、２３Ａ…親液材料、２４…正孔輸送層、２４Ａ…正孔輸送材料、２５，２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ…発光層、２５ＲＡ，２５ＧＡ，２５ＢＡ…発光材料、２６…陰極、２７，２８，２９…スルーホール、３０…ＴＦＴ素子、３１…被吐出部、３２…封止基板、３３…不活性ガス、４１…走査線駆動回路、４２…データ線駆動回路、４３…走査線、４４…データ線、４５…画素領域、１０１…タンク、１０３…吐出ヘッド部、１０４…第１位置制御装置、１０４ａ…支持部、１０６…ステージ、１０８…第２位置制御装置、１１０…チューブ、１１１…材料、１１２…制御部、１１４…ヘッド、１１８…ノズル、１２０…キャビティ、１２２…隔壁、１２４…振動子、１２４Ａ…電極、１２４Ｃ…ピエゾ素子、１２６…振動板、１２７…吐出部、１２８…ノズルプレート、１３０…供給口、１３１…孔、２００…入力バッファメモリ、２０２…記憶装置、２０４…処理部、２０６…走査駆動部、２０８…ヘッド駆動部、２７０…搬送装置、３００Ｌ，３００Ｈ，３００Ｒ，３００Ｇ，３００Ｂ…吐出装置、３５０Ｌ，３５０Ｈ，３５０Ｒ，３５０Ｇ，３５０Ｂ…乾燥装置、４００Ｌ…光照射装置、５００…携帯電話機、５２０…表示部、６００…パーソナルコンピュータ、６２０…表示部、６３０…入力装置。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、
前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、
前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、
を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であり、
前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上にシリカの微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記微粒子の平均粒径は１μｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、フッ素を含有する高分子化合物が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、フッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
基板上の画素電極を覆う親液層を形成する工程Ａと、
前記画素電極上の前記親液層が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ｂと、
前記底部上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、
を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であり、
前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上にシリカの微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記微粒子の平均粒径は１μｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、フッ素を含有する高分子化合物が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項９から１４のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、フッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記親液層に光を照射する工程をさらに含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記光の波長は、４００ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記隔壁は、フッ素を含有する有機分子を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記隔壁の表面を、フルオロカーボン系の化合物を反応ガスに用いてプラズマ処理する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を包含した電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１から２０のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を包含した電子機器の製造方法。
【請求項１】
基板上の画素電極が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ａと、
前記底部上に親液層を形成する工程Ｂと、
前記親液層上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、
を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であり、
前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上にシリカの微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記微粒子の平均粒径は１μｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、フッ素を含有する高分子化合物が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、フッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
基板上の画素電極を覆う親液層を形成する工程Ａと、
前記画素電極上の前記親液層が凹部の底部になるように、前記凹部を規定する隔壁を形成する工程Ｂと、
前記底部上に、液滴吐出装置を用いて液状の第１の材料を付与する工程Ｃと、
を含んだ有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記第１の材料は、正孔輸送材料および発光材料のどちらか一方であり、
前記液状の第１の材料に対する前記親液層の親液性は、前記液状の第１の材料に対する前記隔壁の親液性よりも高い、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上にシリカの微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記液状の第２の材料は、さらに酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種からなる微粒子を含有する、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上に、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ａは、前記底部上に、シリカと、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、および酸化鉄のうちの少なくとも１種以上と、の組成の組み合わせからなる微粒子を含有する液状の第２の材料を付与して前記親液層を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記微粒子の平均粒径は１μｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、フッ素を含有する高分子化合物が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項９から１４のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記工程Ｂは、フッ素を含有する有機分子が混合されたフォトレジストから前記隔壁を形成する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記親液層に光を照射する工程をさらに含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記光の波長は、４００ｎｍ以下である、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記隔壁は、フッ素を含有する有機分子を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１から１６のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記隔壁の表面を、フルオロカーボン系の化合物を反応ガスに用いてプラズマ処理する工程を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２１】
請求項１から２０のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を包含した電気光学装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１から２０のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を包含した電子機器の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００６−１６４５８９（Ｐ２００６−１６４５８９Ａ）
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３５０８１５（Ｐ２００４−３５０８１５）
【出願日】平成１６年１２月３日（２００４．１２．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月２２日（２００６．６．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月３日（２００４．１２．３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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