説明

有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置

【課題】燐光を発光することが可能な新規物質を提供する。または、発光効率の高い新規物質を提供する。
【解決手段】4−アリールピリミジン誘導体を配位子とし、イリジウムを中心金属とする有機金属錯体を提供する。具体的には、一般式(G1)で表される構造を有する有機金属錯体を提供する。一般式(G1)中、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、Arは、置換又は無置換の炭素数6〜10のアリーレン基を表す。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
一般式(G1)で表される構造を有する有機金属錯体。
【化1】


(式中、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、Arは、置換又は無置換の炭素数6〜10のアリーレン基を表す。)
【請求項2】
一般式(G2)で表される構造を有する有機金属錯体。
【化2】


(式中、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項3】
一般式(G3)で表される構造を有する有機金属錯体。
【化3】


(式中、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項4】
一般式(G4)で表される有機金属錯体。
【化4】


(式中、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、Arは、置換又は無置換の炭素数6〜10のアリーレン基を表す。)
【請求項5】
一般式(G5)で表される有機金属錯体。
【化5】


(式中、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項6】
一般式(G6)で表される有機金属錯体。
【化6】


(式中、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項7】
一般式(G7)で表される有機金属錯体。
【化7】


(式中、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、Arは、置換又は無置換の炭素数6〜10のアリーレン基を表す。)
【請求項8】
一般式(G8)で表される有機金属錯体。
【化8】


(式中、Rは、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表し、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜Rは、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項9】
一般式(G9)で表される有機金属錯体。
【化9】


(式中、Rは、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、又は置換もしくは無置換のフェニル基を表し、Rは、水素、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基を表し、R〜R12は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基を表す。)
【請求項10】
請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、
前記モノアニオン性の配位子は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は2つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子である有機金属錯体。
【請求項11】
請求項4乃至請求項6のいずれか一項において、
前記モノアニオン性の配位子は、一般式(L1)乃至(L7)のいずれか一である有機金属錯体。
【化10】


(式中、R71〜R109は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数1〜4のアルキルチオ基を表す。また、A〜Aは、それぞれ独立に、窒素、水素と結合するsp混成炭素、または置換基Rと結合するsp炭素を表し、前記置換基Rは炭素数1〜4のアルキル基、ハロゲン基、炭素数1〜4のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。)
【請求項12】
一対の電極間に、
請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項13】
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含む発光素子。
【請求項14】
請求項12又は請求項13に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項15】
請求項14に記載の発光装置を表示部に備える電子機器。
【請求項16】
請求項14に記載の発光装置を発光部に備える照明装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【図30】
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【図31】
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【図32】
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【図33】
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【図34】
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【図35】
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【図36】
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【図37】
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【図38】
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【図39】
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【図40】
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【図41】
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【図42】
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【図43】
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【図44】
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【図45】
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【図46】
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【図47】
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【図48】
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【図50】
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【図51】
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【図52】
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【図53】
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【図54】
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【図55】
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【図56】
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【図57】
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【図58】
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【図59】
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【図60】
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【図61】
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【図62】
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【図63】
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【図64】
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【図65】
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【図66】
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【図67】
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【図68】
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【図70】
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【図71】
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【図72】
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【図73】
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【図74】
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【図75】
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【図76】
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【図77】
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【図78】
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【図79】
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【図80】
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【図81】
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【図82】
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【図83】
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【図84】
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【図85】
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【図86】
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【図87】
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【図88】
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【図89】
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【図90】
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【図91】
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【図92】
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【図93】
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【図94】
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【図95】
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【図96】
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【図97】
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【図98】
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【図99】
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【図100】
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【図101】
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【図102】
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【図103】
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【図104】
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【図105】
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【図106】
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【図107】
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【図108】
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【図109】
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【図110】
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【図111】
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【図112】
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【図113】
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【図114】
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【図115】
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【図116】
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【図117】
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【図118】
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【図119】
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【公開番号】特開2012−149030(P2012−149030A)
【公開日】平成24年8月9日(2012.8.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−229039(P2011−229039)
【出願日】平成23年10月18日(2011.10.18)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】