有機金属錯体及びその製造方法
【課題】室温近傍の温度域における水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。そして、この有機金属錯体において、a軸とb軸で形成される平面中には、原子が密充填されていない空洞(空間)が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはCu原子、O原子、N原子が露呈する。この空洞が、水素吸着サイトとして機能する。
【解決手段】有機金属錯体である[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。そして、この有機金属錯体において、a軸とb軸で形成される平面中には、原子が密充填されていない空洞(空間)が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはCu原子、O原子、N原子が露呈する。この空洞が、水素吸着サイトとして機能する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、水素貯蔵材として機能し得る有機金属錯体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
燃料電池は、周知のように、アノードに水素等の燃料ガスが供給される一方でカソードに酸素等の酸化剤ガスが供給されて発電する。従って、例えば、燃料電池を搭載した燃料電池車では、水素を充填したガス貯蔵用容器が搭載される。燃料電池車は、酸化剤ガスとしての大気と、前記ガス貯蔵用容器から供給された水素とを反応ガスとして走行する。
【0003】
このことから諒解されるように、ガス貯蔵用容器の水素収容量が大きいほど燃料電池車を長距離にわたって走行させることができる。しかしながら、過度に大きなガス貯蔵用容器を搭載することは、燃料電池車の重量を大きくすることになり、結局、燃料電池の負荷が大きくなるという不具合を招く。この観点から、ガス貯蔵用容器の体積を小さく維持しながら水素収容量を向上させる様々な試みがなされている。
【0004】
その一手法として、水素吸蔵合金をはじめとする水素を吸蔵ないし吸着する物質(以下、水素吸蔵材という)を容器内に収容することが試みられている。この種の水素吸蔵材がその分子構造内に水素を取り込むので、容器の容積よりも多量の水素を収容することが可能となる。
【0005】
このような水素吸蔵材の好適な例として、有機金属錯体が知られている。すなわち、金属核に対して有機物が結合した化合物である。
【0006】
有機金属錯体においては、金属核に対して有機物が規則的に結合している。このため、分子構造中に径が比較的均一な細孔が形成されるものもある。この細孔の内壁が、水素を物理的に吸着する部位となる。勿論、水素吸着量が多いものほど好ましい。
【0007】
例えば、非特許文献1では、種々の温度における[Cu3(ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシラート)2(H2O)3]n(以下、Cu−BTCとも表記する)の水素吸着特性が報告されている。すなわち、77Kにおいては圧力外挿値で3.6wt%、室温(298K)においては水素圧力が65bar(6.5MPa)で0.35%であり、室温の水素吸着量は0.4wt%よりも少ない、とのことである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】B. Panella, M. Hirscher, H. Puteer, U. Muller Advanced Functional Materials 第16巻第4号 p520-524 2006年3月発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、例えば、燃料電池車の使用環境温度は、一般的には室温近傍である。従って、この場合、水素貯蔵材としての有機金属錯体の水素の吸着量・放出量は、室温近傍で一層大きいことが好ましい。
【0010】
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、室温近傍での水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
前記の目的を達成するために、本発明に係る有機金属錯体は、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されることを特徴とする。
【0012】
この有機金属錯体は、室温近傍の温度域における水素貯蔵量が比較的大きい。すなわち、例えば、この有機金属錯体を容器に収容することにより、該容器に、多量の水素ガスを収容することが可能となる。
【0013】
なお、この有機金属錯体は、概ね、1個のCuダイマー単位(Cu−Cu結合)に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合し、且つ隣接する前記Cuダイマー単位同士が1個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを介して結合した構造をなす。
【0014】
さらに、この有機金属錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2同士が二次元的に結合することで形成された二次元構造体が積層した層状化合物ともなり得る。
【0015】
この場合、該有機金属錯体の単位胞には、12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが含まれる。ヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群は、P63mcである。このことは、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶の晶系が六方晶に属することを意味する。
【0016】
また、この有機金属錯体には、複数個の前記Cuダイマー単位と複数個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートによって囲繞された空間が存在することが多い。この空間の開口径及び内径は数Å、すなわち、10Åに満たないが、この程度であれば、水素分子は進入・進出することが可能である。
【0017】
しかも、この場合、前記空間の内方にはCu原子、O原子、N原子が臨む。これらは、水素分子の吸着サイトとして有効に機能する。
【0018】
以上のような理由から、この有機金属錯体は、周囲の水素雰囲気が加圧又は減圧されることに対応し、室温付近の温度領域であっても多量の水素を貯蔵又は放出することが可能となる。
【0019】
また、本発明は、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表される有機金属錯体の製造方法であって、
酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とを溶媒に溶解して溶液を得る工程と、
前記溶液を50〜140℃で24〜168時間加熱することで酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応生成物を得る工程と、
前記反応生成物からゲスト分子を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【0020】
このような過程を経ることにより、上記した有機金属錯体、すなわち、室温近傍での温度域における水素貯蔵量が大きな[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを容易に得ることができる。
【0021】
ここで、前記溶液に対して酢酸又はギ酸を添加することが好ましい。この場合、得られた[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶性が高くなる。換言すれば、酢酸又はギ酸を添加した後に上記の加熱処理を行うことにより、結晶性の高い[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを容易に得ることができる。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る有機金属錯体は、室温近傍の温度域における水素貯蔵量が比較的大きい。このため、該有機金属錯体を容器に収容することにより、該容器に、多量の水素ガスを収容することが可能となる。従って、水素の供給可能時間、ひいては、例えば、燃料電池の運転継続時間の長期化を図ることができる。
【0023】
これにより、例えば、燃料電池車を運転する際の水素の補充頻度を低減することができる。換言すれば、燃料電池車の運転距離を大きくし得る。
【0024】
また、本発明に係る有機金属錯体の製造方法によれば、上記した有機金属錯体を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2に対して2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合した構造を示す立体模式図である。
【図2】ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの平面模式図である。
【図3】[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの単位胞を示す立体模式図である。
【図4】前記単位胞のa軸及びb軸によって形成される平面を、c軸方向からの視点で示した平面模式図である。
【図5】図4における平面の要部をさらに拡大した平面模式図である。
【図6】図4及び図5に示される二次元構造が積層して構成された三次元構造を、視点をa軸方向として示す立体模式図である。
【図7】図6の要部拡大図である。
【図8】図6に示される三次元構造を、c軸方向からの視点で示した平面模式図である。
【図9】図8の要部拡大図である。
【図10】脱ゲスト処理前の結晶の倒立顕微鏡写真である。
【図11】脱ゲスト処理後の結晶の走査型電子顕微鏡写真である。
【図12】[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nのX線回折理論パターンと、脱ゲスト処理後の結晶につきX線回折測定を行って得られた実測パターンである。
【図13】結晶の重量に対する貯蔵水素重量の割合と、容積型水素圧力−組成等温線図測定装置のサンプルセル内の水素圧力との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、本発明に係る有機金属錯体及びその製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【0027】
本実施の形態に係る有機金属錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2を繰り返し単位とし、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されるものである。
【0028】
ここで、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2に対して2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合した構造を図1に示す。なお、この構造中、破線で囲繞した部分が繰り返し単位に相当する。また、説明の便宜上、ピリジン環中等の共役結合は全て省略しており、以下においても同様である。
【0029】
先ず、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの構造につき、該構造を平面的に示した図2を参照して説明する。この図2から諒解されるように、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、ピリジン環の3−位及び5−位の各々にカルボキシラート基(−COO)が結合することで形成される。なお、2−位、4−位及び6−位には水素が結合する。
【0030】
前記繰り返し単位につき説明すると、図1の破線で囲繞した部分に示すように、2個のCu原子によってダイマー単位が形成されている。このダイマー単位を構成する2個のCu原子に対し、2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合する。
【0031】
すなわち、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートは2個のカルボキシラートを有し、この中の1個のカルボキシラート中のO原子が1個のCu原子に結合するとともに、該カルボキシラート中の別のO原子が残余の1個のCu原子に結合する。この繰り返し単位中のダイマー単位に対して、別の繰り返し単位中のピリジン−3,5−ジカルボキシラート1個と、さらに別の繰り返し単位中のピリジン−3,5−ジカルボキシラート1個とが同様に結合することにより、図1の構造が形成される。
【0032】
換言すれば、図1の構造は、ダイマー単位に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合することによって形成される。4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、ダイマー単位中のCu−Cu結合軸を中心として、互いに約90°離間している。以下においては、このような配位結合の構成を「Cu2(COO)4パドルホイール構造」とも表記する。
【0033】
ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成する残余の1個のカルボキシラートは、別のダイマー単位(図示せず)に対して同様の配位結合をなし、これにより別のCu2(COO)4パドルホイール構造を構成する。また、Cu2(COO)4パドルホイール構造を構成するダイマー単位中の一方のCuには、別のCu2(COO)4パドルホイール構造を構成するピリジン−3,5−ジカルボキシラート中のN原子と配位結合を形成するものもある。その結果、図3に示す単位胞が形成される。なお、図3中の矢印a、矢印b及び矢印cは、該単位胞におけるa軸、b軸及びc軸を示す。
【0034】
この単位胞には、12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが含まれる。すなわち、Cuとピリジン−3,5−ジカルボキシラートとの組成比は1:1である。勿論、ダイマー単位と4個のカルボキシラートとは、上記したようにCu2(COO)4パドルホイール構造を構成する。
【0035】
また、ヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群は、P63mcである。すなわち、この単位胞の晶系は、六方晶に属する。前記a軸と前記b軸との交差角度は120°であり、前記b軸と前記c軸との交差角度、及び前記c軸と前記a軸との交差角度はともに90°である。さらに、機器分析によって計測されたa軸及びb軸の長さは18.71〜19.41Å、c軸の長さは13.40〜13.62Åである。
【0036】
ここで、a軸及びb軸によって形成される平面を図4に示す。ダイマー単位の中心は、a軸に対して平行な直線の上、b軸に対して平行な直線の上、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行な直線の上に位置している。
【0037】
この中、b軸に対して平行な直線上に位置して互いに隣接する2個のダイマー単位同士は、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合している。また、ダイマー単位を間に挟んで位置する2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、a軸とb軸で形成される平面に対して直交し、且つダイマー単位の中心が位置するb軸に平行な直線を含む平面を間に挟んで互いに対向する。すなわち、前記平面を境として互いに反対側の領域に位置している。
【0038】
互いに隣接する2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、さらに、図5に示すように、a軸とb軸で形成される平面に対して平行な面を挟み、互いに対向する。すなわち、前記平面を境として互いに反対側の領域に位置している。
【0039】
そして、これらのピリジン−3,5−ジカルボキシラート同士では、ピリジン環中のN原子同士が互いに最も離間する位置となるようにしてダイマー単位に配位結合している。具体的には、一方のピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成するピリジン環中のN原子がc軸方向の最下端となるとともに、残余の一方のピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成するピリジン環中のN原子がc軸方向の最上端となる。
【0040】
以上のように、b軸に対して平行な方向には、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成されている。
【0041】
a軸においても、上記と同様の構造が形成される。すなわち、a軸に対して平行な直線上に位置して互いに隣接する2個のダイマー単位同士は、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合し、且つ、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成される。
【0042】
また、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行な直線上に位置して互いに隣接する2つのダイマー単位同士も、上記と同様にピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合している。さらに、前記2等分線に平行な方向では、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成される。
【0043】
図4に示すように、Cu2(COO)4パドルホイール構造は、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸に平行な上記直線状構造とが交差する位置X、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが交差する位置Y、及び、a軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが交差する位置Zの3位置のみに位置する。すなわち、a軸に平行な上記直線状構造と、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが同位置で交差することはない。
【0044】
b軸に平行に延在する上記直線状構造においては、位置Xと位置Yが交互に存在する。また、a軸に平行に延在する上記直線状構造では位置Xと位置Zが交互に存在し、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造では位置Zと位置Yが交互に存在する。
【0045】
結局、この有機金属錯体では、a軸とb軸で形成される平面に対して平行な面方向に、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とがCu2(COO)4パドルホイール構造によって網目状の二次元構造を形成している。
【0046】
この有機金属錯体は、a軸方向を視点とする図6に示すように、上記した二次元構造がc軸方向に沿って積層することで三次元構造を形成したものである。なお、図6では、下方から第1層、第2層、第3層及び第4層がこの順序で積層された構成を示している。
【0047】
図6の要部拡大図である図7に示すように、第1層と第2層は、第1層に存在し且つ第2層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子が、第2層に存在するダイマー単位中の第1層側に近接するCu原子に対して配位結合を形成することで結合する。なお、第1層に存在するダイマー単位中の第2層側に近接するCu原子と、第2層に存在し且つ第1層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子とは、結合を形成しない。
【0048】
第2層と第3層も、第2層に存在し且つ第3層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子が、第3層に存在するダイマー単位中の第2層側に近接するCu原子と配位結合を形成することで結合する。
【0049】
第3層と第4層の間の結合は、第1層と第2層の間の結合と同一である。すなわち、第3層と第4層の間で形成されるN原子のCu原子に対する配位結合の位置は、第1層と第2層の間で形成されるN原子のCu原子に対する配位結合の位置に一致する。
【0050】
第4層上にさらなる層が積層した場合、第4層と第5層との間の結合は、第2層と第3層の間の結合と同一となる。このことから諒解されるように、c軸方向に沿う積層構造は、第1層と第2層の結合様式が順次繰り返されたものとなる。
【0051】
図8は、視点をc軸方向として示した前記積層構造の平面図である。この図8に示されるように、この有機金属錯体には、a軸とb軸で形成される平面中に原子が密充填されていない空洞(空間)が複数箇所存在する。この空洞は開口径及び内径が数Åの孔形状であり、図8の拡大図である図9から容易に諒解されるように、その内面にはCu原子、O原子、N原子が露呈する。
【0052】
開口径及び内径が数Åの空洞(孔形状の空間)は、水素分子が進入又は滲出するに十分な寸法である。しかも、該空洞の内面に露呈したCu原子、O原子、N原子は、水素分子の吸着サイトとして有効に機能する。このため、この有機金属錯体は、周囲の水素雰囲気が加圧又は減圧されることに対応し、室温付近の温度領域であっても多量の水素を貯蔵又は放出し得る。
【0053】
以上の構造をなす有機金属錯体につき、回折角度2θを5°〜20°の範囲内としてX線回折測定を行うと、5.2°〜5.5°、8.33°〜8.63°、9.17°〜9.47°、10.55°〜10.95°、12.41°〜12.81°、13.03°〜13.33°、14.10°〜14.44°、15.56〜15.76、15.93°〜16.43°、16.85°〜17.25°、17.23°〜17.73°、18.49°〜18.99°、19.27°〜19.77°の位置にピークが出現する。
【0054】
次に、この有機金属錯体、すなわち、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの製造方法につき説明する。本実施の形態においては、原料成分が溶解した溶液を得る第1工程と、前記溶液に対して結晶性向上成分を添加する第2工程と、前記溶液を加熱して前記原料成分同士の反応生成物を得る第3工程と、前記反応生成物からゲスト分子を除去する第4工程とが実施される。
【0055】
はじめに、第1工程において、原料成分を溶媒に溶解する。
【0056】
原料成分としては、カルボキシル酸銅塩と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とが選定される。なお、カルボキシル酸銅塩は、具体的には、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物である。
【0057】
また、溶媒は、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物、及びピリジン−3,5−ジカルボン酸の双方を溶解可能なものであればよく、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、エタノール、メタノール等を好適な例として挙げることができる。とりわけ、結晶性が高い有機金属錯体を得ることができることから、ジメチルホルムアミドが最も好適である。
【0058】
溶媒に対する酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物の添加割合は、0.01〜1.0mol%に設定することが好ましく、0.1〜0.5mol%に設定することがより好ましい。一方、溶媒に対するピリジン−3,5−ジカルボン酸の添加割合は、0.01〜3.0mol%に設定することが好ましく、0.2〜1.0mol%に設定することがより好ましい。
【0059】
なお、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物の添加割合をピリジン−3,5−ジカルボン酸の添加割合に比して小さくする方が好ましい。この場合、結晶性が高い有機金属錯体を得ることができるようになるからである。
【0060】
このような原料成分が溶解された溶液に対し、次に、第2工程において、有機金属錯体の結晶性を向上させる結晶性向上成分を添加する。なお、結晶性向上成分は、具体的には酢酸又はギ酸である。
【0061】
溶媒に対する添加割合は、酢酸の場合には0.0001〜0.5mol%、ギ酸の場合には0.0001〜0.1mol%に設定すれば十分である。なお、酢酸のより好ましい添加割合は0.001〜0.1mol%であり、ギ酸のより好ましい添加割合は0.001〜0.05mol%である。このような極少量であっても、最終生成物である有機金属錯体の結晶性が著しく向上する。
【0062】
次に、この溶液を密閉容器に収容した後、該密閉容器を密閉する。そして、第3工程において、この密閉容器ごと前記溶液50〜140℃で24〜168時間加熱する。50℃未満や24時間未満であると、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物とピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応がさほど進行せず、反応生成物の収量も少なくなる。また、140℃を超える温度で168時間を超える加熱を行っても、反応速度や収量が飽和するので不経済である。第3工程における一層好ましい加熱条件は、70〜90℃、60〜120時間である。
【0063】
この加熱により、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物とピリジン−3,5−ジカルボン酸とが反応を起こし、結晶性が高い[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nが生成する。なお、加熱方法は特に限定されるものではないが、好適な具体例としてサンドバスが挙げられる。
【0064】
反応生成物である[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、上記の空洞(孔形状の空間)等に溶媒分子や水分等をゲスト分子として含むものである。そこで、第4工程において脱ゲスト処理を行い、ゲスト分子を除去する。
【0065】
溶媒分子に対する脱ゲスト処理は、以下のようにして行われる。すなわち、先ず、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶表面を、上記したような溶媒で洗浄する。これにより未反応の原料成分、すなわち、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物、及びピリジン−3,5−ジカルボン酸が洗浄溶媒中に溶解し、結晶表面から除去される。
【0066】
その後、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶を脱水クロロホルムに浸漬する。これにより、空洞中等に存在する溶媒分子が脱水クロロホルムの分子に置換される。
【0067】
一晩が経過した後、脱水クロロホルムを新たなものに交換し、さらに、脱水クロロホルムを交換しながら1週間静置する。これにより、溶媒分子の略全量が脱水クロロホルムに置換される。なお、脱水クロロホルムの交換は、1週間中に1〜10回行えばよいが、回数が多いほど前記置換が確実なものとなる。従って、少なくとも5回は交換することが好ましい。
【0068】
このようにして溶媒分子の脱ゲスト処理を行った後、水分及び脱水クロロホルムの脱ゲスト処理を行う。具体的には、有機金属錯体と脱水クロロホルムを濾過によって分離した後、有機金属錯体に対して減圧下で加熱処理を施す。
【0069】
この際には、圧力が0.013Pa以下の高真空であることが好ましい。このような高真空環境は、例えば、ターボ分子ポンプを用いることで得ることができる。
【0070】
また、好適な加熱温度は40〜300℃であり、一層好適な加熱温度は80〜200℃である。昇温に際しては、昇温速度を1℃/分程度の緩やかなものとすることが好ましい。
【0071】
この減圧加熱処理を1〜7日継続することにより、水分及び脱水クロロホルムが除去され、高純度の[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶が得られるに至る。
【0072】
脱ゲスト処理が終了したCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、大気中に放置すると、水分を吸着して失活する傾向がある。このため、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で保管することが好ましい。
【0073】
なお、上記した実施の形態では、原料成分を溶解した溶液に対して酢酸又はギ酸を添加するようにしているが、これらを添加することなく(すなわち、第2工程を実施することなく)、第3工程及び第4工程を実施するようにしてもよい。この場合においても、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを得ることが可能である。
【実施例1】
【0074】
以下、本発明を実施例によって詳述するが、本発明が当該実施例に限定されるものではないことは勿論である。
【0075】
9.89mlのジメチルホルムアミドに対し、56.7mgの酢酸銅一水和物を先ず添加して溶解させた後、該溶液に対して65.3mgのピリジン−3,5−ジカルボン酸を添加して溶解させた。さらに、その後、0.11mlの酢酸を添加して十分に撹拌した。
【0076】
この溶液を容積が20mlのバイアル瓶に封入し、該バイアル瓶をサンドバスに埋入して70℃で90時間保持した。これにより、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶が生成した。
【0077】
以上の操作を30回行い、合計で約1gの[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶を得た。
【0078】
次に、この中から0.05gを秤量し、50mlの脱水ジメチルホルムアミドで洗浄した。さらに、洗浄後の結晶を脱水クロロホルムに浸漬し、この状態で静置した。一晩が経過した後、脱水クロロホルムを新たなものと交換した。この後は24時間おきに1回、脱水クロロホルムを新たなものと交換した。
【0079】
次に、濾過を行って脱水クロロホルムと結晶を分離し、結晶を真空加熱処理可能な容器に封入した。この容器内を、ターボ分子ポンプによって0.013Pa以下の高真空とした。その一方で、該容器をマントルヒータで120℃に加熱して2日間保持した。
【0080】
最後に、アルゴン雰囲気としたグローブボックス中で前記容器を分解し、結晶を回収した。
【0081】
脱ゲスト処理前の結晶の倒立顕微鏡写真と、処理後の結晶の走査型電子顕微鏡写真を図10、図11にそれぞれ示す。これら図10及び図11に示されるように、結晶の形状は正六角柱に略近似される。
【0082】
また、脱ゲスト処理後の結晶につき、一定波長の単色X線ビームを結晶に照射し、様々な方向に回折するX線の方向と強度を測定することで結晶構造を決定した。その結果、図4及び図5に示す二次元構造が積層した三次元構造であると判断された。なお、この決定に際しては、理学社製のRAXIS−RAPIDを使用するとともに、測定データをコンピュータで解析した。
【0083】
さらに、脱ゲスト処理後の結晶につきX線回折測定を行った。結果として得られた実測パターンを図12の上方に示す。この場合、回折角度2θが5.2°〜5.5°、8.33°〜8.63°、9.17°〜9.47°、10.55°〜10.95°、12.41°〜12.81°、13.03°〜13.33°、14.10°〜14.44°、15.56〜15.76、15.93°〜16.43°、16.85°〜17.25°、17.23°〜17.73°、18.49°〜18.99°、19.27°〜19.77°である位置に、ピークが出現することが認められた。
【0084】
なお、図12の下方は[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの理論パターンであり、これら理論パターンと実測パターンを対比することにより、両者が殆ど一致していることが分かる。この結果は、脱ゲスト処理後の結晶が、図4及び図5に示す二次元構造が積層した三次元構造であることを支持する。
【0085】
さらに、脱ゲスト処理後の結晶を0.228g、容積型水素圧力−組成等温線図測定装置のサンプルセル内に収容し、測定系の温度を25℃に設定した。続いて、水素ガスを圧力が8.27Mpaとなるまでサンプルセル内に段階的に導入して加圧を行った。この途中の各水素圧力における水素の吸蔵平衡圧力から水素貯蔵量を算出した。
【0086】
その後、サンプルセル内の水素圧力が0.008Mpaとなるまで段階的に放出することで減圧を行った。この途中の各水素圧力における水素の放出平衡圧力から水素放出量を算出した。
【0087】
得られた結果を、グラフとして図13に示す。このグラフの横軸は、結晶の重量に対する貯蔵水素重量の割合を百分率として示したものであり、縦軸は、サンプルセル内の水素圧力である。
【0088】
この図13から、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの水素貯蔵量・放出量が水素圧力に依存して変化することが分かる。また、水素圧力が6.5MPa、8.27MPaであるとき、各々の水素貯蔵量は、0.45wt%、0.517wt%である。この数値は、前記非特許文献1に記載されたCu−BTCの室温における水素圧力6.5MPa時での水素吸着量0.35%を上回る。
【0089】
このことから、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nが室温近傍で一層多量の水素を貯蔵することが可能な物質であることが明らかである。
【技術分野】
【0001】
本発明は、例えば、水素貯蔵材として機能し得る有機金属錯体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
燃料電池は、周知のように、アノードに水素等の燃料ガスが供給される一方でカソードに酸素等の酸化剤ガスが供給されて発電する。従って、例えば、燃料電池を搭載した燃料電池車では、水素を充填したガス貯蔵用容器が搭載される。燃料電池車は、酸化剤ガスとしての大気と、前記ガス貯蔵用容器から供給された水素とを反応ガスとして走行する。
【0003】
このことから諒解されるように、ガス貯蔵用容器の水素収容量が大きいほど燃料電池車を長距離にわたって走行させることができる。しかしながら、過度に大きなガス貯蔵用容器を搭載することは、燃料電池車の重量を大きくすることになり、結局、燃料電池の負荷が大きくなるという不具合を招く。この観点から、ガス貯蔵用容器の体積を小さく維持しながら水素収容量を向上させる様々な試みがなされている。
【0004】
その一手法として、水素吸蔵合金をはじめとする水素を吸蔵ないし吸着する物質(以下、水素吸蔵材という)を容器内に収容することが試みられている。この種の水素吸蔵材がその分子構造内に水素を取り込むので、容器の容積よりも多量の水素を収容することが可能となる。
【0005】
このような水素吸蔵材の好適な例として、有機金属錯体が知られている。すなわち、金属核に対して有機物が結合した化合物である。
【0006】
有機金属錯体においては、金属核に対して有機物が規則的に結合している。このため、分子構造中に径が比較的均一な細孔が形成されるものもある。この細孔の内壁が、水素を物理的に吸着する部位となる。勿論、水素吸着量が多いものほど好ましい。
【0007】
例えば、非特許文献1では、種々の温度における[Cu3(ベンゼン−1,3,5−トリカルボキシラート)2(H2O)3]n(以下、Cu−BTCとも表記する)の水素吸着特性が報告されている。すなわち、77Kにおいては圧力外挿値で3.6wt%、室温(298K)においては水素圧力が65bar(6.5MPa)で0.35%であり、室温の水素吸着量は0.4wt%よりも少ない、とのことである。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0008】
【非特許文献1】B. Panella, M. Hirscher, H. Puteer, U. Muller Advanced Functional Materials 第16巻第4号 p520-524 2006年3月発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
しかしながら、例えば、燃料電池車の使用環境温度は、一般的には室温近傍である。従って、この場合、水素貯蔵材としての有機金属錯体の水素の吸着量・放出量は、室温近傍で一層大きいことが好ましい。
【0010】
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、室温近傍での水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
前記の目的を達成するために、本発明に係る有機金属錯体は、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されることを特徴とする。
【0012】
この有機金属錯体は、室温近傍の温度域における水素貯蔵量が比較的大きい。すなわち、例えば、この有機金属錯体を容器に収容することにより、該容器に、多量の水素ガスを収容することが可能となる。
【0013】
なお、この有機金属錯体は、概ね、1個のCuダイマー単位(Cu−Cu結合)に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合し、且つ隣接する前記Cuダイマー単位同士が1個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを介して結合した構造をなす。
【0014】
さらに、この有機金属錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2同士が二次元的に結合することで形成された二次元構造体が積層した層状化合物ともなり得る。
【0015】
この場合、該有機金属錯体の単位胞には、12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが含まれる。ヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群は、P63mcである。このことは、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶の晶系が六方晶に属することを意味する。
【0016】
また、この有機金属錯体には、複数個の前記Cuダイマー単位と複数個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートによって囲繞された空間が存在することが多い。この空間の開口径及び内径は数Å、すなわち、10Åに満たないが、この程度であれば、水素分子は進入・進出することが可能である。
【0017】
しかも、この場合、前記空間の内方にはCu原子、O原子、N原子が臨む。これらは、水素分子の吸着サイトとして有効に機能する。
【0018】
以上のような理由から、この有機金属錯体は、周囲の水素雰囲気が加圧又は減圧されることに対応し、室温付近の温度領域であっても多量の水素を貯蔵又は放出することが可能となる。
【0019】
また、本発明は、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表される有機金属錯体の製造方法であって、
酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とを溶媒に溶解して溶液を得る工程と、
前記溶液を50〜140℃で24〜168時間加熱することで酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応生成物を得る工程と、
前記反応生成物からゲスト分子を除去する工程と、
を有することを特徴とする。
【0020】
このような過程を経ることにより、上記した有機金属錯体、すなわち、室温近傍での温度域における水素貯蔵量が大きな[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを容易に得ることができる。
【0021】
ここで、前記溶液に対して酢酸又はギ酸を添加することが好ましい。この場合、得られた[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶性が高くなる。換言すれば、酢酸又はギ酸を添加した後に上記の加熱処理を行うことにより、結晶性の高い[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを容易に得ることができる。
【発明の効果】
【0022】
本発明に係る有機金属錯体は、室温近傍の温度域における水素貯蔵量が比較的大きい。このため、該有機金属錯体を容器に収容することにより、該容器に、多量の水素ガスを収容することが可能となる。従って、水素の供給可能時間、ひいては、例えば、燃料電池の運転継続時間の長期化を図ることができる。
【0023】
これにより、例えば、燃料電池車を運転する際の水素の補充頻度を低減することができる。換言すれば、燃料電池車の運転距離を大きくし得る。
【0024】
また、本発明に係る有機金属錯体の製造方法によれば、上記した有機金属錯体を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2に対して2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合した構造を示す立体模式図である。
【図2】ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの平面模式図である。
【図3】[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの単位胞を示す立体模式図である。
【図4】前記単位胞のa軸及びb軸によって形成される平面を、c軸方向からの視点で示した平面模式図である。
【図5】図4における平面の要部をさらに拡大した平面模式図である。
【図6】図4及び図5に示される二次元構造が積層して構成された三次元構造を、視点をa軸方向として示す立体模式図である。
【図7】図6の要部拡大図である。
【図8】図6に示される三次元構造を、c軸方向からの視点で示した平面模式図である。
【図9】図8の要部拡大図である。
【図10】脱ゲスト処理前の結晶の倒立顕微鏡写真である。
【図11】脱ゲスト処理後の結晶の走査型電子顕微鏡写真である。
【図12】[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nのX線回折理論パターンと、脱ゲスト処理後の結晶につきX線回折測定を行って得られた実測パターンである。
【図13】結晶の重量に対する貯蔵水素重量の割合と、容積型水素圧力−組成等温線図測定装置のサンプルセル内の水素圧力との関係を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下、本発明に係る有機金属錯体及びその製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【0027】
本実施の形態に係る有機金属錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2を繰り返し単位とし、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されるものである。
【0028】
ここで、繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2に対して2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合した構造を図1に示す。なお、この構造中、破線で囲繞した部分が繰り返し単位に相当する。また、説明の便宜上、ピリジン環中等の共役結合は全て省略しており、以下においても同様である。
【0029】
先ず、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの構造につき、該構造を平面的に示した図2を参照して説明する。この図2から諒解されるように、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、ピリジン環の3−位及び5−位の各々にカルボキシラート基(−COO)が結合することで形成される。なお、2−位、4−位及び6−位には水素が結合する。
【0030】
前記繰り返し単位につき説明すると、図1の破線で囲繞した部分に示すように、2個のCu原子によってダイマー単位が形成されている。このダイマー単位を構成する2個のCu原子に対し、2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが結合する。
【0031】
すなわち、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートは2個のカルボキシラートを有し、この中の1個のカルボキシラート中のO原子が1個のCu原子に結合するとともに、該カルボキシラート中の別のO原子が残余の1個のCu原子に結合する。この繰り返し単位中のダイマー単位に対して、別の繰り返し単位中のピリジン−3,5−ジカルボキシラート1個と、さらに別の繰り返し単位中のピリジン−3,5−ジカルボキシラート1個とが同様に結合することにより、図1の構造が形成される。
【0032】
換言すれば、図1の構造は、ダイマー単位に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合することによって形成される。4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、ダイマー単位中のCu−Cu結合軸を中心として、互いに約90°離間している。以下においては、このような配位結合の構成を「Cu2(COO)4パドルホイール構造」とも表記する。
【0033】
ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成する残余の1個のカルボキシラートは、別のダイマー単位(図示せず)に対して同様の配位結合をなし、これにより別のCu2(COO)4パドルホイール構造を構成する。また、Cu2(COO)4パドルホイール構造を構成するダイマー単位中の一方のCuには、別のCu2(COO)4パドルホイール構造を構成するピリジン−3,5−ジカルボキシラート中のN原子と配位結合を形成するものもある。その結果、図3に示す単位胞が形成される。なお、図3中の矢印a、矢印b及び矢印cは、該単位胞におけるa軸、b軸及びc軸を示す。
【0034】
この単位胞には、12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが含まれる。すなわち、Cuとピリジン−3,5−ジカルボキシラートとの組成比は1:1である。勿論、ダイマー単位と4個のカルボキシラートとは、上記したようにCu2(COO)4パドルホイール構造を構成する。
【0035】
また、ヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群は、P63mcである。すなわち、この単位胞の晶系は、六方晶に属する。前記a軸と前記b軸との交差角度は120°であり、前記b軸と前記c軸との交差角度、及び前記c軸と前記a軸との交差角度はともに90°である。さらに、機器分析によって計測されたa軸及びb軸の長さは18.71〜19.41Å、c軸の長さは13.40〜13.62Åである。
【0036】
ここで、a軸及びb軸によって形成される平面を図4に示す。ダイマー単位の中心は、a軸に対して平行な直線の上、b軸に対して平行な直線の上、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行な直線の上に位置している。
【0037】
この中、b軸に対して平行な直線上に位置して互いに隣接する2個のダイマー単位同士は、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合している。また、ダイマー単位を間に挟んで位置する2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、a軸とb軸で形成される平面に対して直交し、且つダイマー単位の中心が位置するb軸に平行な直線を含む平面を間に挟んで互いに対向する。すなわち、前記平面を境として互いに反対側の領域に位置している。
【0038】
互いに隣接する2個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートは、さらに、図5に示すように、a軸とb軸で形成される平面に対して平行な面を挟み、互いに対向する。すなわち、前記平面を境として互いに反対側の領域に位置している。
【0039】
そして、これらのピリジン−3,5−ジカルボキシラート同士では、ピリジン環中のN原子同士が互いに最も離間する位置となるようにしてダイマー単位に配位結合している。具体的には、一方のピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成するピリジン環中のN原子がc軸方向の最下端となるとともに、残余の一方のピリジン−3,5−ジカルボキシラートを構成するピリジン環中のN原子がc軸方向の最上端となる。
【0040】
以上のように、b軸に対して平行な方向には、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成されている。
【0041】
a軸においても、上記と同様の構造が形成される。すなわち、a軸に対して平行な直線上に位置して互いに隣接する2個のダイマー単位同士は、ピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合し、且つ、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成される。
【0042】
また、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行な直線上に位置して互いに隣接する2つのダイマー単位同士も、上記と同様にピリジン−3,5−ジカルボキシラートの配位結合を介して結合している。さらに、前記2等分線に平行な方向では、ダイマー単位とピリジン−3,5−ジカルボキシラートとが交互に結合した直線状構造が形成される。
【0043】
図4に示すように、Cu2(COO)4パドルホイール構造は、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸に平行な上記直線状構造とが交差する位置X、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが交差する位置Y、及び、a軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが交差する位置Zの3位置のみに位置する。すなわち、a軸に平行な上記直線状構造と、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とが同位置で交差することはない。
【0044】
b軸に平行に延在する上記直線状構造においては、位置Xと位置Yが交互に存在する。また、a軸に平行に延在する上記直線状構造では位置Xと位置Zが交互に存在し、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造では位置Zと位置Yが交互に存在する。
【0045】
結局、この有機金属錯体では、a軸とb軸で形成される平面に対して平行な面方向に、b軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸に平行に延在する上記直線状構造と、a軸とb軸との交差角の2等分線に平行に延在する上記直線状構造とがCu2(COO)4パドルホイール構造によって網目状の二次元構造を形成している。
【0046】
この有機金属錯体は、a軸方向を視点とする図6に示すように、上記した二次元構造がc軸方向に沿って積層することで三次元構造を形成したものである。なお、図6では、下方から第1層、第2層、第3層及び第4層がこの順序で積層された構成を示している。
【0047】
図6の要部拡大図である図7に示すように、第1層と第2層は、第1層に存在し且つ第2層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子が、第2層に存在するダイマー単位中の第1層側に近接するCu原子に対して配位結合を形成することで結合する。なお、第1層に存在するダイマー単位中の第2層側に近接するCu原子と、第2層に存在し且つ第1層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子とは、結合を形成しない。
【0048】
第2層と第3層も、第2層に存在し且つ第3層側に近接するピリジン−3,5−ジカルボキシラートのピリジン環中のN原子が、第3層に存在するダイマー単位中の第2層側に近接するCu原子と配位結合を形成することで結合する。
【0049】
第3層と第4層の間の結合は、第1層と第2層の間の結合と同一である。すなわち、第3層と第4層の間で形成されるN原子のCu原子に対する配位結合の位置は、第1層と第2層の間で形成されるN原子のCu原子に対する配位結合の位置に一致する。
【0050】
第4層上にさらなる層が積層した場合、第4層と第5層との間の結合は、第2層と第3層の間の結合と同一となる。このことから諒解されるように、c軸方向に沿う積層構造は、第1層と第2層の結合様式が順次繰り返されたものとなる。
【0051】
図8は、視点をc軸方向として示した前記積層構造の平面図である。この図8に示されるように、この有機金属錯体には、a軸とb軸で形成される平面中に原子が密充填されていない空洞(空間)が複数箇所存在する。この空洞は開口径及び内径が数Åの孔形状であり、図8の拡大図である図9から容易に諒解されるように、その内面にはCu原子、O原子、N原子が露呈する。
【0052】
開口径及び内径が数Åの空洞(孔形状の空間)は、水素分子が進入又は滲出するに十分な寸法である。しかも、該空洞の内面に露呈したCu原子、O原子、N原子は、水素分子の吸着サイトとして有効に機能する。このため、この有機金属錯体は、周囲の水素雰囲気が加圧又は減圧されることに対応し、室温付近の温度領域であっても多量の水素を貯蔵又は放出し得る。
【0053】
以上の構造をなす有機金属錯体につき、回折角度2θを5°〜20°の範囲内としてX線回折測定を行うと、5.2°〜5.5°、8.33°〜8.63°、9.17°〜9.47°、10.55°〜10.95°、12.41°〜12.81°、13.03°〜13.33°、14.10°〜14.44°、15.56〜15.76、15.93°〜16.43°、16.85°〜17.25°、17.23°〜17.73°、18.49°〜18.99°、19.27°〜19.77°の位置にピークが出現する。
【0054】
次に、この有機金属錯体、すなわち、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの製造方法につき説明する。本実施の形態においては、原料成分が溶解した溶液を得る第1工程と、前記溶液に対して結晶性向上成分を添加する第2工程と、前記溶液を加熱して前記原料成分同士の反応生成物を得る第3工程と、前記反応生成物からゲスト分子を除去する第4工程とが実施される。
【0055】
はじめに、第1工程において、原料成分を溶媒に溶解する。
【0056】
原料成分としては、カルボキシル酸銅塩と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とが選定される。なお、カルボキシル酸銅塩は、具体的には、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物である。
【0057】
また、溶媒は、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物、及びピリジン−3,5−ジカルボン酸の双方を溶解可能なものであればよく、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、エタノール、メタノール等を好適な例として挙げることができる。とりわけ、結晶性が高い有機金属錯体を得ることができることから、ジメチルホルムアミドが最も好適である。
【0058】
溶媒に対する酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物の添加割合は、0.01〜1.0mol%に設定することが好ましく、0.1〜0.5mol%に設定することがより好ましい。一方、溶媒に対するピリジン−3,5−ジカルボン酸の添加割合は、0.01〜3.0mol%に設定することが好ましく、0.2〜1.0mol%に設定することがより好ましい。
【0059】
なお、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物の添加割合をピリジン−3,5−ジカルボン酸の添加割合に比して小さくする方が好ましい。この場合、結晶性が高い有機金属錯体を得ることができるようになるからである。
【0060】
このような原料成分が溶解された溶液に対し、次に、第2工程において、有機金属錯体の結晶性を向上させる結晶性向上成分を添加する。なお、結晶性向上成分は、具体的には酢酸又はギ酸である。
【0061】
溶媒に対する添加割合は、酢酸の場合には0.0001〜0.5mol%、ギ酸の場合には0.0001〜0.1mol%に設定すれば十分である。なお、酢酸のより好ましい添加割合は0.001〜0.1mol%であり、ギ酸のより好ましい添加割合は0.001〜0.05mol%である。このような極少量であっても、最終生成物である有機金属錯体の結晶性が著しく向上する。
【0062】
次に、この溶液を密閉容器に収容した後、該密閉容器を密閉する。そして、第3工程において、この密閉容器ごと前記溶液50〜140℃で24〜168時間加熱する。50℃未満や24時間未満であると、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物とピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応がさほど進行せず、反応生成物の収量も少なくなる。また、140℃を超える温度で168時間を超える加熱を行っても、反応速度や収量が飽和するので不経済である。第3工程における一層好ましい加熱条件は、70〜90℃、60〜120時間である。
【0063】
この加熱により、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物とピリジン−3,5−ジカルボン酸とが反応を起こし、結晶性が高い[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nが生成する。なお、加熱方法は特に限定されるものではないが、好適な具体例としてサンドバスが挙げられる。
【0064】
反応生成物である[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、上記の空洞(孔形状の空間)等に溶媒分子や水分等をゲスト分子として含むものである。そこで、第4工程において脱ゲスト処理を行い、ゲスト分子を除去する。
【0065】
溶媒分子に対する脱ゲスト処理は、以下のようにして行われる。すなわち、先ず、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶表面を、上記したような溶媒で洗浄する。これにより未反応の原料成分、すなわち、酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物、及びピリジン−3,5−ジカルボン酸が洗浄溶媒中に溶解し、結晶表面から除去される。
【0066】
その後、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶を脱水クロロホルムに浸漬する。これにより、空洞中等に存在する溶媒分子が脱水クロロホルムの分子に置換される。
【0067】
一晩が経過した後、脱水クロロホルムを新たなものに交換し、さらに、脱水クロロホルムを交換しながら1週間静置する。これにより、溶媒分子の略全量が脱水クロロホルムに置換される。なお、脱水クロロホルムの交換は、1週間中に1〜10回行えばよいが、回数が多いほど前記置換が確実なものとなる。従って、少なくとも5回は交換することが好ましい。
【0068】
このようにして溶媒分子の脱ゲスト処理を行った後、水分及び脱水クロロホルムの脱ゲスト処理を行う。具体的には、有機金属錯体と脱水クロロホルムを濾過によって分離した後、有機金属錯体に対して減圧下で加熱処理を施す。
【0069】
この際には、圧力が0.013Pa以下の高真空であることが好ましい。このような高真空環境は、例えば、ターボ分子ポンプを用いることで得ることができる。
【0070】
また、好適な加熱温度は40〜300℃であり、一層好適な加熱温度は80〜200℃である。昇温に際しては、昇温速度を1℃/分程度の緩やかなものとすることが好ましい。
【0071】
この減圧加熱処理を1〜7日継続することにより、水分及び脱水クロロホルムが除去され、高純度の[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶が得られるに至る。
【0072】
脱ゲスト処理が終了したCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nは、大気中に放置すると、水分を吸着して失活する傾向がある。このため、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中で保管することが好ましい。
【0073】
なお、上記した実施の形態では、原料成分を溶解した溶液に対して酢酸又はギ酸を添加するようにしているが、これらを添加することなく(すなわち、第2工程を実施することなく)、第3工程及び第4工程を実施するようにしてもよい。この場合においても、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nを得ることが可能である。
【実施例1】
【0074】
以下、本発明を実施例によって詳述するが、本発明が当該実施例に限定されるものではないことは勿論である。
【0075】
9.89mlのジメチルホルムアミドに対し、56.7mgの酢酸銅一水和物を先ず添加して溶解させた後、該溶液に対して65.3mgのピリジン−3,5−ジカルボン酸を添加して溶解させた。さらに、その後、0.11mlの酢酸を添加して十分に撹拌した。
【0076】
この溶液を容積が20mlのバイアル瓶に封入し、該バイアル瓶をサンドバスに埋入して70℃で90時間保持した。これにより、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶が生成した。
【0077】
以上の操作を30回行い、合計で約1gの[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの結晶を得た。
【0078】
次に、この中から0.05gを秤量し、50mlの脱水ジメチルホルムアミドで洗浄した。さらに、洗浄後の結晶を脱水クロロホルムに浸漬し、この状態で静置した。一晩が経過した後、脱水クロロホルムを新たなものと交換した。この後は24時間おきに1回、脱水クロロホルムを新たなものと交換した。
【0079】
次に、濾過を行って脱水クロロホルムと結晶を分離し、結晶を真空加熱処理可能な容器に封入した。この容器内を、ターボ分子ポンプによって0.013Pa以下の高真空とした。その一方で、該容器をマントルヒータで120℃に加熱して2日間保持した。
【0080】
最後に、アルゴン雰囲気としたグローブボックス中で前記容器を分解し、結晶を回収した。
【0081】
脱ゲスト処理前の結晶の倒立顕微鏡写真と、処理後の結晶の走査型電子顕微鏡写真を図10、図11にそれぞれ示す。これら図10及び図11に示されるように、結晶の形状は正六角柱に略近似される。
【0082】
また、脱ゲスト処理後の結晶につき、一定波長の単色X線ビームを結晶に照射し、様々な方向に回折するX線の方向と強度を測定することで結晶構造を決定した。その結果、図4及び図5に示す二次元構造が積層した三次元構造であると判断された。なお、この決定に際しては、理学社製のRAXIS−RAPIDを使用するとともに、測定データをコンピュータで解析した。
【0083】
さらに、脱ゲスト処理後の結晶につきX線回折測定を行った。結果として得られた実測パターンを図12の上方に示す。この場合、回折角度2θが5.2°〜5.5°、8.33°〜8.63°、9.17°〜9.47°、10.55°〜10.95°、12.41°〜12.81°、13.03°〜13.33°、14.10°〜14.44°、15.56〜15.76、15.93°〜16.43°、16.85°〜17.25°、17.23°〜17.73°、18.49°〜18.99°、19.27°〜19.77°である位置に、ピークが出現することが認められた。
【0084】
なお、図12の下方は[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの理論パターンであり、これら理論パターンと実測パターンを対比することにより、両者が殆ど一致していることが分かる。この結果は、脱ゲスト処理後の結晶が、図4及び図5に示す二次元構造が積層した三次元構造であることを支持する。
【0085】
さらに、脱ゲスト処理後の結晶を0.228g、容積型水素圧力−組成等温線図測定装置のサンプルセル内に収容し、測定系の温度を25℃に設定した。続いて、水素ガスを圧力が8.27Mpaとなるまでサンプルセル内に段階的に導入して加圧を行った。この途中の各水素圧力における水素の吸蔵平衡圧力から水素貯蔵量を算出した。
【0086】
その後、サンプルセル内の水素圧力が0.008Mpaとなるまで段階的に放出することで減圧を行った。この途中の各水素圧力における水素の放出平衡圧力から水素放出量を算出した。
【0087】
得られた結果を、グラフとして図13に示す。このグラフの横軸は、結晶の重量に対する貯蔵水素重量の割合を百分率として示したものであり、縦軸は、サンプルセル内の水素圧力である。
【0088】
この図13から、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nの水素貯蔵量・放出量が水素圧力に依存して変化することが分かる。また、水素圧力が6.5MPa、8.27MPaであるとき、各々の水素貯蔵量は、0.45wt%、0.517wt%である。この数値は、前記非特許文献1に記載されたCu−BTCの室温における水素圧力6.5MPa時での水素吸着量0.35%を上回る。
【0089】
このことから、[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nが室温近傍で一層多量の水素を貯蔵することが可能な物質であることが明らかである。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項2】
請求項1記載の錯体において、1個のCuダイマー単位に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合し、且つ隣接する前記Cuダイマー単位同士が1個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを介して結合することを特徴とする有機金属錯体。
【請求項3】
請求項1又は2記載の錯体において、当該錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2同士が二次元的に結合することで形成された二次元構造体が積層した層状化合物であることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項4】
請求項3記載の錯体において、その単位胞に12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートとを含み、且つヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群がP63mcであることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載の錯体において、複数個の前記Cuダイマー単位と複数個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートによって囲繞された空間が存在することを特徴とする有機金属錯体。
【請求項6】
請求項5記載の錯体において、前記空間に水素を貯蔵することが可能であることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項7】
繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表される有機金属錯体の製造方法であって、
酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とを溶媒に溶解して溶液を得る工程と、
前記溶液を50〜140℃で24〜168時間加熱することで酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応生成物を得る工程と、
前記反応生成物からゲスト分子を除去する工程と、
を有することを特徴とする有機金属錯体の製造方法。
【請求項8】
請求項7記載の製造方法において、前記溶液に対して酢酸又はギ酸を添加する工程をさらに有することを特徴とする有機金属錯体の製造方法。
【請求項1】
繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表されることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項2】
請求項1記載の錯体において、1個のCuダイマー単位に対して4個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートが配位結合し、且つ隣接する前記Cuダイマー単位同士が1個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートを介して結合することを特徴とする有機金属錯体。
【請求項3】
請求項1又は2記載の錯体において、当該錯体は、Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2同士が二次元的に結合することで形成された二次元構造体が積層した層状化合物であることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項4】
請求項3記載の錯体において、その単位胞に12個のCu原子と12個のピリジン−3,5−ジカルボキシラートとを含み、且つヘルマン・モーガンの表記法によって表される該単位胞の空間群がP63mcであることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれか1項に記載の錯体において、複数個の前記Cuダイマー単位と複数個の前記ピリジン−3,5−ジカルボキシラートによって囲繞された空間が存在することを特徴とする有機金属錯体。
【請求項6】
請求項5記載の錯体において、前記空間に水素を貯蔵することが可能であることを特徴とする有機金属錯体。
【請求項7】
繰り返し単位であるCu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2が複数個互いに結合して形成され、その組成式が[Cu2(ピリジン−3,5−ジカルボキシラート)2]nで表される有機金属錯体の製造方法であって、
酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸とを溶媒に溶解して溶液を得る工程と、
前記溶液を50〜140℃で24〜168時間加熱することで酢酸銅一水和物又は酢酸銅無水物と、ピリジン−3,5−ジカルボン酸との反応生成物を得る工程と、
前記反応生成物からゲスト分子を除去する工程と、
を有することを特徴とする有機金属錯体の製造方法。
【請求項8】
請求項7記載の製造方法において、前記溶液に対して酢酸又はギ酸を添加する工程をさらに有することを特徴とする有機金属錯体の製造方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【公開番号】特開2011−63648(P2011−63648A)
【公開日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−213416(P2009−213416)
【出願日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【出願人】(000005326)本田技研工業株式会社 (23,863)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【出願人】(000005326)本田技研工業株式会社 (23,863)
【Fターム(参考)】
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