【課題】メチルアセチレンとメチルアセチレンを除く炭素原子数が３である炭化水素との分離方法の提供。
【解決手段】式（１）で示される配位子と金属イオンとを含むピラードレイヤー構造を有する配位高分子が有する、圧力および温度の同一条件下におけるメチルアセチレンとメチルアセチレンを除く炭素原子数が３である炭化水素との各々に対する保持能力の差異に基づき分離する。


［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子またはメチル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】ガス吸着圧力が低い環境であってもガスを吸着しうるガス吸着材を提供する。
【解決手段】式［Ｘ（Ｙ，Ｙ’）₂Ｌ₂］_nで表わされる単位構造を有した二次元平面格子積層型の基本構造を有する高分子金属錯体であって、Ｘは、コバルト、ニッケル、銅のいずれかの二価イオンであり、ＹはＣＦ₃ＢＦ₃^-イオン、Ｙ’はＣＦ₃ＳＯ₃^-イオンであり、Ｌの有機配位子が４,４’―ビピリジンであることを特徴とする高分子金属錯体。これを用いたガス吸着材及びガス分離装置。 （もっと読む）

【課題】
従来の６つの配位座ではなく、ＣｕやＰｔ等の４つの配位座を有する金属を使った有機／金属ハイブリッドポリマーを与える。
【解決手段】
スペーサー部位の両端に夫々フェナントロリン誘導体を設けた構造の配位子を使用する。夫々のフェナントロリンは配位数が２であるので、このような配位子と４つの配位座を有する金属とを１：１で錯体形成させることで、たとえば以下の構造式で表される所望の有機／金属ハイブリッドポリマーが形成される。
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【課題】サーモクロミズムなどで高機能性を示す有機-無機複合材料を提供する。
【解決手段】２，６-ジヒドロキシナフタレン-１，５-ジアルデヒドとアミンとを反応させ２，６-ジヒドロキシナフタレン-１，５-ジイミンを合成した後、周期表第4周期の亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、または鉄から選ばれた遷移金属化合物とを反応させ、式（Ｉ）で示されるメタロポリマーを簡便に合成する製法、および、その用途。
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【課題】室温近傍の温度域における水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である［Ｃｕ₂（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂］_nは、繰り返し単位であるＣｕ₂（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。そして、この有機金属錯体において、ａ軸とｂ軸で形成される平面中には、原子が密充填されていない空洞（空間）が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。この空洞が、水素吸着サイトとして機能する。 （もっと読む）

本発明は、エネルギー変換および太陽電池のためのデバイスおよびシステムが挙げられる、光起電性用途のための薄膜材料およびバンドギャップ材料を備える半導体およびオプトエレクトロニクの材料およびデバイスを調製するために使用される、ある種類の化合物、ポリマー化合物、および組成物に関する。具体的には、本発明は、光起電性層を調製するためのポリマー前駆体化合物および前駆物質に関する。前駆体化合物は、反復単位{M^A(ER)(ER)}および{M^B(ER)(ER)}を含み得、ここで各M^AはCuであり、各M^Bは、InまたはGaであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そして各Rは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される。
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本発明は、少なくとも２つの異なる非Ｓｉ金属元素を有するポリヘテロシロキサン材料の調製方法に関する。これらの方法により調製されたポリヘテロシロキサン材料は最適な溶媒中に容易に分散させることができる固体材料である。 （もっと読む）

【課題】気体吸着剤として用いられたときに、吸着させた炭化水素を容易に回収することが可能な配位高分子を提供すること。
【解決手段】一般式（１）の配位子と金属イオンとを含むピラードレイヤー構造を形成している、配位高分子。


［一般式（１）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はメチル基を示す。] （もっと読む）

【課題】高分子錯体の製造方法、及び該製造方法によって得られる高分子錯体を提供する
【解決手段】高分子錯体の製造方法であって、配位性部位を２つ以上有する配位子及び中心金属としての金属イオンを含み、且つ、前記配位子が前記中心金属イオンに配位して形成された第１の三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した第１の細孔を有する原料錯体を準備する工程、並びに、前記原料錯体を、液状の外相を実質的に含まない固体状態のまま、加熱を行うことによって、前記配位子及び前記中心金属イオンを含み、且つ、前記配位子が前記中心金属イオンに配位して形成された第２の三次元ネットワーク構造内に、三次元的に規則正しく整列した第２の細孔を有し、且つ、前記原料錯体よりも熱的安定性の高い高分子錯体へと変換する工程を含むことを特徴とする、高分子錯体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ピラジンを含むピラードレイヤー構造を有する配位高分子の製造において、ピラジンの使用量を抑制しながら、収率よく配位高分子を得ること。
【解決手段】Ｃｕ^２＋イオン、下記化学式（１）のアニオンを部分構造として含むピラジン誘導体及びピラジンを、溶媒を含む反応液中で反応させて、前記Ｃｕ^２＋イオン、化学式（１）の配位子及び前記ピラジンを２：２：１のモル比で含む、ピラードレイヤー構造を有する配位高分子を生成させるステップを備える、配位高分子の製造方法。反応させる前記ピラジン誘導体の量が、溶媒の総量１Ｌに対して５０ｍｍｏｌ以上４０００ｍｍｏｌ以下であり、反応させる前記ピラジンの量が、前記ピラジン誘導体１ｍｏｌに対して０．４５ｍｏｌ以上５ｍｏｌ以下である。
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【課題】有機無機複合体を容易に回収することが可能な新規の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｍ−Ｏ−Ｍ（Ｍは珪素原子または金属原子をそれぞれ独立に示す）で表される結合を含む珪素および金属の酸化物からなるとともに少なくとも一部の珪素原子に結合している有機基をもつ有機無機複合体の合成方法であって、
１以上のアルコキシ基をもち有機基と共有結合で結合した珪素原子を有するオルガノアルコキシシランおよび金属原子を含む金属化合物を極性溶媒である第一溶媒に溶解して原料溶液を調製する調製工程と、
オルガノアルコキシシランと金属化合物とを加水分解するとともに脱水縮合させて有機無機複合体を合成する反応工程と、
反応工程後の溶液に該溶液と相溶しない第二溶媒を加えて有機無機複合体を第二溶媒に溶解させた後、第二溶媒と相溶しない溶液を除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】吸蔵した水分子や水素のみによる向上の限界を超えた高い伝導度を実現できるプロトン伝導性の高い配位高分子錯体化合物を提供する。
【解決手段】２，３−ピラジンジカルボン酸と、トランス１，２−ビス（４−ピリジル）エチレンと、水分子とが、５配位金属イオンに配位結合して成る高分子錯体化合物であって、該錯体化合物によって形成される１次元カラム内に結晶水を含み、該結晶水の水分子と、前記配位結合している水分子とが水素結合しているプロトン伝導性配位高分子錯体化合物。 （もっと読む）

【課題】グラファイトに比べてＬｉイオン吸蔵性の優れた配位高分子錯体化合物を提供する。
【解決手段】２，３−ピラジンジカルボン酸が４配位金属イオンＭ（銅（II）、コバルト（II）、ニッケル（II）、ロジウム（I）、パラジウム（II）、白金（II）のいずれか）に配位結合して成る錯体化合物Ｑ同士がこれらと水素結合した水分子を介して連接してＸ−Ｙ平面に沿った２次元プレートＰを構成し、２次元プレートＰ同士がこれらと水素結合した隔壁部材Ｔ（トランス１，２−ビス（４−ピリジル）エチレンなど１２種のいずれか）を介してＺ軸方向に積層した３次元構造体。 （もっと読む）

【課題】室温におけるプロトン伝導性を高めた水分子内包配位高分子金属錯体化合物を提供する。
【解決手段】１ユニットが〔Ｍ_２（Ｃ_６Ｈ_２Ｎ_２Ｏ_４）_２（Ｃ_４Ｈ_４Ｎ_２）〕・４Ｈ_２Ｏで表わされる組成を有し、上記ＭはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｄから選択される５配位の金属元素であり、該金属元素Ｍと２，３−ピラジンジカルボキシレートとから成る２次元構造同士がピラジンから成る支柱で相互に間隙を置いて接続された３次元構造を有する配位高分子金属錯体を骨格とし、上記間隙が上記支柱で区切られて成る細孔内に上記４個の水分子が内包されていることを特徴とする水分子内包配位高分子金属錯体化合物。 （もっと読む）

【課題】ガス吸着性を高めた単結晶配位高分子金属錯体化合物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】１ユニットが〔Ｍ_２（Ｃ_６Ｈ_２Ｎ_２Ｏ_４）_２（Ｃ_４Ｈ_４Ｎ_２）〕・４Ｈ_２Ｏで表わされる組成を有し、上記ＭはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｄから選択される５配位の金属元素であり、該金属元素Ｍと２，３−ピラジンジカルボキシレートとから成る２次元構造同士がピラジンから成る支柱で相互に間隙を置いて接続された３次元構造を有する配位高分子金属錯体を骨格とし、上記間隙が上記支柱で区切られて成る細孔を有する配位高分子金属錯体化合物であって、バルクの単結晶を構成していることを特徴とする単結晶配位高分子金属錯体化合物。５配位の金属元素の塩とピラジンとの水溶液Ａの上に水を供給して水の層を形成し、水の層上に２，３−ピラジンジカルボン酸水溶液Ｂを供給速度０．０４〜０．４ｃｍ^３／秒で供給して水溶液Ｂの層を形成し、室温にて放置する。 （もっと読む）

【課題】高効率発光が可能で、塗布型プロセスで形成可能な発光素子を提供する。
【解決手段】Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選ばれる２種以上の金属を含む高分子混合金属錯体を発光材料として用いる発光素子。 （もっと読む）

【課題】新規な化学構造及び物性を有し、種々のガスの吸着及び脱着に有用な新規な有機金属錯体及びそれから成るガス吸蔵剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式[I]で示される繰返し単位から構成された有機カルボン酸金属錯体。


ただし、M¹及びM²は互いに独立して例えばCuやRh等の２価をとり得る金属、R^1a、R^1b、R^1c及びR^1dは互いに独立して例えばフェニル基のような共役系を含む有機基を表わす。 （もっと読む）

【課題】ポリエチレングリコールの優れた屈曲性、透明性を維持しながら酸化銅（ＩＩ）を含有させ、酸化銅（ＩＩ）の特性を発揮させる手段を提供すること、及び、ガラス基板や高分子樹脂基板等に積層する必要がなくて単層で適用できる紫外線カット性及び熱線カット性を有するハイブリッドを提供すること。
【解決手段】ポリエチレングリコールと酸化銅（ＩＩ）とのハイブリッド、紫外線カット性及び熱線カット性を有する該ハイブリッド及びゾル−ゲル法で該ハイブリッドを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体１１上にゲート電極１２を形成した後、基体１１及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、ゲート絶縁層１３上にソース／ドレイン電極１４を形成した後、ソース／ドレイン電極１４間に、導電路２３から成るチャネル形成領域１５を形成する工程から成り、このチャネル形成領域１５を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合（反応）して成るクラスター２０を得た後、該クラスター２０をソース／ドレイン電極１４の間のゲート絶縁層１３の部分に配置する工程から成る。 （もっと読む）

【化１】


テルピリジン系単量体および遷移金属に基づく高度に蛍光性の金属超分子が得られた。これらの強固な超分子は、紫から青、緑または黄色への発光によって、高量子収率を提供する。それらは、高輝度、高純度、低コスト、および優れた熱安定性のような所望の性質のため、高分子発光ダイオード(PLED)に対する見込みのある放射体として現れた。超分子は、式I［式中、Mは族IB、IIB VIIA、VIIIAまたはランタニド金属を表し;Rは独立して各出現において、水素、ハロゲン、アルキル、置換されたアルキル、アリール、置換されたアリール、または認められている供与体および受容体群よりなる群から選択され;Xは独立して各出現において、窒素または炭素原子であり;R'はアルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルキルケトン、アリールケトン、ヘテロアリールケトン、アルキルエステル、アリールエステル、ヘテロアリールエステル、アルキルアミド、アリールアミド、ヘテロアリールアミド、アルキルチオ、アリールチオ、フルオロアルキル、フルオロアリール、アミン、イミド、カルボキシレート、スルホニル、アルキレンオキシ、ポリアルキレンオキシ、またはその組合せから選択され;nは1ないし100,000の整数であり;Zは対イオンであって、アセテート、アセチルアセトネート、シクロヘキサンブチレート、エチルヘキサノエート、ハライド、ヘキサフルオロホスフェート、ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ニトレート、ペルクロレート、ホスフェート、スルフェート、テトラフルオロボレートまたはフルオロメタンスルホネートの群から選択され;yは0ないし4の整数である］によって表される分子構造を有する。
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