【課題】メチルアセチレンとメチルアセチレンを除く炭素原子数が３である炭化水素との分離方法の提供。
【解決手段】式（１）で示される配位子と金属イオンとを含むピラードレイヤー構造を有する配位高分子が有する、圧力および温度の同一条件下におけるメチルアセチレンとメチルアセチレンを除く炭素原子数が３である炭化水素との各々に対する保持能力の差異に基づき分離する。


［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子またはメチル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】室温近傍の温度域における水素の吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である［Ｃｕ₂（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂］_nは、繰り返し単位であるＣｕ₂（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）₂が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。そして、この有機金属錯体において、ａ軸とｂ軸で形成される平面中には、原子が密充填されていない空洞（空間）が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。この空洞が、水素吸着サイトとして機能する。 （もっと読む）

【課題】気体吸着剤として用いられたときに、吸着させた炭化水素を容易に回収することが可能な配位高分子を提供すること。
【解決手段】一般式（１）の配位子と金属イオンとを含むピラードレイヤー構造を形成している、配位高分子。


［一般式（１）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５及びＸ^６はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又はメチル基を示す。] （もっと読む）

【課題】ピラジンを含むピラードレイヤー構造を有する配位高分子の製造において、ピラジンの使用量を抑制しながら、収率よく配位高分子を得ること。
【解決手段】Ｃｕ^２＋イオン、下記化学式（１）のアニオンを部分構造として含むピラジン誘導体及びピラジンを、溶媒を含む反応液中で反応させて、前記Ｃｕ^２＋イオン、化学式（１）の配位子及び前記ピラジンを２：２：１のモル比で含む、ピラードレイヤー構造を有する配位高分子を生成させるステップを備える、配位高分子の製造方法。反応させる前記ピラジン誘導体の量が、溶媒の総量１Ｌに対して５０ｍｍｏｌ以上４０００ｍｍｏｌ以下であり、反応させる前記ピラジンの量が、前記ピラジン誘導体１ｍｏｌに対して０．４５ｍｏｌ以上５ｍｏｌ以下である。
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【課題】簡便な方法によりキャリア移動度が高い半導体薄膜を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表わされる金属錯体からなる半導体薄膜。一般式（Ｉ）中、Ｍは遷移金属原子を含有する基を、Ｌは配位子を表わす。Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、ヘテロ原子又はヘテロ原子を含有する基を表わす。Ｂ^１−Ｑ（Ａ^１）（Ａ^２）−Ｂ^２は、共役系を構成している。ｍは、０〜４の整数であり、ｎは、正の整数である。
【化１】
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【課題】リン酸もしくは亜リン酸をプロトン源とする有機−無機ハイブリッド膜を簡便な製膜法で作製し、無加湿で動作する燃料電池用の電解質膜を提供する。
【解決手段】リン酸もしくは亜リン酸とシルセスキオキサンよりなる自立固体膜を形成する組成物であって、リン酸もしくは亜リン酸とシルセスキオキサンもしくはシランカップリング剤のモル比が、3≧P/Si≧0.1において自立固体膜を形成し、あるいはゼオライトとリン酸の重量比が、40％≧ゼオライト/H3PO4もしくはH3PO3≧3％とする。更に好ましくは、シルセスキオキサンに対して、ジエポキシ化合物、ジアミン化合物、酸無水物、ジイソシアネート化合物、ジチオシアネート化合物、ジイソチオシアネート化合物のいずれか一つかまたは複数が、モル比で2.5≧全化合物/Si≧0.1で混合される。 （もっと読む）

【課題】室温におけるプロトン伝導性を高めた水分子内包配位高分子金属錯体化合物を提供する。
【解決手段】１ユニットが[ＭＡ・２｛(Ｃ_４Ｈ_２Ｎ_２)−(ＣＯＯＨ)_２｝]・ｎＨ_２Ｏで表わされる組成を有し、平面４配位構造を取る金属イオンＭＡと、２，３−ピラジンジカルボン酸と、結晶水としての水分子とから成る水分子内包１次元鎖状配位高分子金属錯体化合物。１ユニットが[ＭＢ・２｛(Ｃ_４Ｈ_２Ｎ_２)−(ＣＯＯＨ)_２｝・２Ｈ_２Ｏ〕・Ｈ_２Ｏで表わされる組成を有し、６配位八面体構造を取る金属イオンＭＢと、２，３−ピラジンジカルボン酸と、配位子としての水分子および細孔内の水分子とから成る水分子内包３次元配位高分子金属錯体化合物。 （もっと読む）

本発明は、ホウ素、アルミニウムおよび／またはチタニウム、およびケイ素結合分岐状アルコキシ基を含有するシリコーン樹脂；同シリコーン樹脂を含有するシリコーン組成物；シリコーン組成物を基板に塗布して膜を形成し、膜のシリコーン樹脂を熱分解することからなる被覆基板の製造方法に関する。前記シリコーン樹脂は、（ＥＯ_ｓ／２）_ｔ（ＨＳｉＯ_３／２）_ｖ（（Ｒ^１Ｏ）_３ＳｉＯ_１／２）_ｗ（（Ｒ^１Ｏ）_２ＳｉＯ_２／２）_ｘ（Ｒ^１ＯＳｉＯ_３／２）_ｙ（ＳｉＯ_４／２）_ｚ（各Ｅは独立してホウ素、アルミニウム、およびチタニウムから選択される原子であり；Ｒ^１はＣ_１からＣ_１０の分岐状アルキルであり；Ｅがホウ素またはアルミニウムであるときは、ｓ＝３で、Ｅがチタニウムであるときは、ｓ＝４であり；ｔは０．０１から０．８であり；ｖは０から０．９９であり；ｗは０から０．９９であり；ｘは０から０．９９であり；ｙは０から０．９９であり；ｚは０から０．８であり；ｗ＋ｘ＋ｙ＝０．０１から０．９９；かつ、ｔ＋ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される。 （もっと読む）

【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体１１上にゲート電極１２を形成した後、基体１１及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、ゲート絶縁層１３上にソース／ドレイン電極１４を形成した後、ソース／ドレイン電極１４間に、導電路２３から成るチャネル形成領域１５を形成する工程から成り、このチャネル形成領域１５を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合（反応）して成るクラスター２０を得た後、該クラスター２０をソース／ドレイン電極１４の間のゲート絶縁層１３の部分に配置する工程から成る。 （もっと読む）