有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明
【課題】
本発明は、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、成膜の均一性を向上する有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、
下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
本発明は、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、成膜の均一性を向上する有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、
下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の有機層を形成するための有機電界発光素子用組成物に関する。本発明はまた、有機電界発光素子用組成物を用いて形成される有機層を有する有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、通常、基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に配置された発光層や電荷輸送層などの有機層を有するものである。この有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法が使用される。
真空蒸着法は、良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性のデバイスが得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点があり、現在実用化されている有機電界発光素子の多くは低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。
【０００３】
一方で、湿式成膜法は、真空プロセスが要らず大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能を持った複数の材料を入れることが可能である、等の利点がある。湿式成膜法を用いる場合、材料としては通常、高分子材料が使用される。しかしながら、高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難であること、連続駆動時に末端残基による劣化が起こること、高分子材料自体の高純度化が困難で不純物を含むことなどの問題があり、一部の高分子材料を用いた素子以外は実用レベルに至っていないのが現状である。そこで、上記問題を解決する試みとして、特許文献１や特許文献２では、低分子材料などを用いて、湿式成膜法により有機層を形成しているが、これらの素子は発光効率が不十分であり、実用性に乏しかった。
【０００４】
また、例えば特許文献３では、インクジェット法により、発光性低分子材料を湿式成膜法で形成するに際し、溶液の溶剤に対する相対粘度を調製することで、インクジェットの吐出安定性や画素内での発光層膜厚の均一性を確保することが開示されている。しかしながら、得られる素子特性については、改善が必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許３０６９１３９号公報
【特許文献２】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献３】特開２００８−２７７３２２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、成膜の均一性を向上する有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
湿式成膜法による有機層の形成においては、溶媒に層構成材料を溶解又は分散させた組成物を用いて層を形成する。通常、湿式成膜に用いる組成物は塗布方式や塗布対象に合わせて液物性（粘度や表面張力など）の調製を行うが、それだけでは不十分であり、本発明者らの検討によって、特に有機電界発光素子用の低分子系材料においては、溶媒が蒸発す
る際の組成物の粘度の変化率が、成膜の均一性に顕著な影響を及ぼすことを見出して、本発明に到達した。
【０００８】
即ち、本発明は低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物、及びこれを用いて形成される層を含む有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に存する。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明の組成物はその溶媒成分が乾燥蒸発し、溶質成分が濃縮される過程において、粘度の増加率が高くなるように調製されている。そのため、例えばバンクによって区画された領域内に選択的に塗布する場合は、バンク内での膜厚分布が均一化され、特に発光素子を大面積で形成する際の膜厚分布均一性が向上する。そのメカニズムはまだ明らかではないが、以下のように説明できる。すなわちバンク内で液滴状の組成物が乾燥する際には、液滴形状はバンクの形状や表面性状の影響によりメニスカスを形成し、毛細管力に起因する溶媒の流動が生じる。その結果、典型的な例としてはバンクのエッジ部に向けて膜厚が偏る現象が見られる。また発光素子を大面積で形成する際には、塗布環境の溶媒蒸気濃度の分布の影響により、蒸発速度の差に起因する溶媒の流動が生じる。その結果、典型的な例としては素子間の継ぎ目や基板の外周方向に向けて膜厚が偏る現象が見られる。
【００１０】
しかしながら、本発明の組成物は溶媒の乾燥蒸発に伴う粘度の増加率が高いので、前記流動現象に伴う溶質の流動が起こりにくく、結果として平坦な膜厚分布が得られる。
つまり、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成される膜を有する有機電界発光素子は、平坦な膜分布のため、素子性能が高く、大面積化が容易である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物における、濃縮率と組成物の粘度の関係を示す。縦軸は組成物の粘度（ｃＰ）、横軸は濃縮率を示す。
【図３】実施例４〜６及び比較例２における測定サンプル基板の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物である。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【００１３】
＜式（１）について＞
（ｎについて）
式（１）より算出される増粘係数ｎは、通常０．２以上、好ましくは０．３以上、さらに好ましくは０．４以上、また、通常４以下、好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下である。
増粘係数ｎの値が小さすぎると、有機電界発光素子用組成物中の溶質の流動抑制効果が生じにくく塗布膜の平坦性が十分でなくなるおそれがある。また、増粘係数ｎの値が大きすぎると、レベリングが阻害され塗布膜面の表面粗さに影響するおそれがある。
【００１４】
（粘度係数の算出方法）
粘度係数の算出方法は、以下の通りである。
例えば、予めＥ型回転粘度計であるＴＶ−２０形粘度計（東機産業社製）を使用して組成物の粘度を測定した後、組成物（１０ｇ）を、ガラス製シャーレ中、マグネットスターラーで撹拌しながら、減圧雰囲気下で溶剤成分を徐々に揮発させ、溶質成分を濃縮する。組成物重量が、１／２（５ｇ）、１／３（３．３ｇ）、１／４（２．５ｇ）まで減少した時点での組成物の粘度を、濃縮前の組成物と同様の方法で測定する。
【００１５】
測定は、室温（２５℃）で行い、回転数１０〜１００ｒｐｍの範囲内であれば特に制限はない。
尚、本発明の特定に用いる測定機器は、上記と同等の測定が可能であれば、上記の測定機器に限定されるものではなく、その他の測定機器を用いてもよいが、上記の測定機器を用いることが好ましい。
【００１６】
上記の、組成物重量と粘度との関係をグラフにして、近似曲線を求める。
より詳しくは横軸ｘを上記濃縮濃度の倍数（１，２，３・・・）とし、縦軸ｙを粘度として、測定データを打点した曲線を、指数関数で近似すると以下のような式の形になる。
ｙ＝Ａ×ｅｘｐ（ｋ×ｘ）
ここで粘度係数ｎ＝ｋであり、またμ＝Ａ×ｅｘｐ（ｋ）の関係にある。
【００１７】
［濃縮前の状態］
濃縮前の溶質濃度Ｃは、通常０．２重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１．０重量％以上、また通常５．０重量％以下、好ましくは４．０重量％以下、更に好ましくは３．０重量％以下である。
上記範囲内であると、溶質の溶解安定性と成膜性のバランスが良い為、薄膜塗布が安定的に可能な点で好ましい。
濃縮前の粘度μは、通常１．０ｃＰ以上、好ましくは１．５ｃＰ以上、更に好ましくは２．０ｃＰ以上、通常５．０ｃＰ以下、好ましくは４．５ｃＰ以下、更に好ましくは４．０ｃＰ以下である。
上記範囲内であると塗布時の液ダレやエア噛みが生じにくい為、生産性が向上する点で好ましい。
【００１８】
＜本発明の有機電界発光素子用組成物の構成成分及び組成＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物を含有する。
本発明における低分子化合物の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以
下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。
低分子化合物としては、発光性低分子化合物及び／又は電荷輸送性低分子化合物が好ましい。
【００１９】
［発光性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として発光性低分子化合物を含有することが好ましい。
発光性低分子化合物としては、単一の分子量で規定される発光の性質を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光性低分子化合物であってもよく、燐光発光性低分子化合物であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光性低分子化合物である。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光性低分子化合物の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
【００２０】
以下、発光性低分子化合物のうち蛍光発光性低分子化合物の例を挙げるが、蛍光発光性低分子化合物は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
【００２１】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【００２２】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００２３】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
【００２４】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
【００２５】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリ
ス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【００２６】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
以下に、発光性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、Ｈｅｘはヘキシル基を表す。
＜発光性低分子化合物の例示＞
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】
［電荷輸送性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として、電荷輸送性低分子化合物を含んでいることが好ましい。
本発明においては、電荷輸送性低分子化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００３０】
発光層において、発光材料をドーパント材料とし、電荷輸送性低分子化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
電荷輸送性低分子化合物は、従来有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物であればよく、特に発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
電荷輸送性低分子化合物として具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等が挙げられる。
【００３１】
例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで
代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフ
チルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピ
ロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等が挙げられる。
【００３２】
以下に、電荷輸送性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、Ｂｕはブチル基を表す。
＜電荷輸送性低分子化合物の例示＞
【００３３】
【化３】
【００３４】
［溶剤］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常さらに溶剤を含有する。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤の溶解性パラメータ（Hildebrand
Solubility Parameter）は、通常８cal/cm3以上、好ましくは８．５cal/cm3以上、また
通常１１cal/cm3以下、好ましくは１０．５cal/cm3以下である。
【００３５】
更に、溶剤の溶解性としては、常温・常圧下で、発光性低分子化合物及び電荷輸送性低分子化合物を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
【００３６】
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼ
ン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００３７】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００３８】
溶剤の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。なお、有機電界発光素子用組成物として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
また、本発明における有機電界発光素子用組成物は、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
【００３９】
（非発光性のポリマー）
本発明の有機電界発光素子用組成物は、更に非発光性のポリマーを含有することが好ましい。
非発光性のポリマーは、ストレートシリコーンオイル及び変性シリコーンオイルが挙げられ、ストレートシリコーンオイルが好ましい。
ストレートシリコーンオイルとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルアルキルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリメチルハイドロジェンシロキサン、ポリ環状シロキサンなどが挙げられる。
【００４０】
変性シリコーンオイルとしては、例えば、ポリエーテル変性ポリシロキサン、ポリエステル変性ポリシロキサン、アラルキル変性ポリシロキサン、フロロアルキル変性ポリシロキサンなどが挙げられる。
その他の非発光性ポリマーとしては、例えば、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリビニル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンなどが挙げられる。
【００４１】
非発光性のポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１，０００以上、好ましくは１０，０００以上、また通常１，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下である。
上記範囲内であると、有機電界発光素子用組成物中の溶媒に適度な溶解性を示す為、組
成物の保存安定性が良好な点で好ましい。
【００４２】
有機電界発光素子用組成物に非発光性のポリマーが含有される場合、固形分に対する濃度で、通常１重量％以上、好ましくは５重量％以上、さらに好ましくは１０重量％以上、また通常５０重量％未満、好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。
上記範囲内であると、有機電界発光素子用組成物中の低分子成分と適度な相溶性を示す為、素子の発光特性を向上させる点で好ましい。
【００４３】
さらに、その他に含まれていてもよいものとして、界面活性剤、粘度調製剤、フィラー粒子などが挙げられる。
界面活性剤としては、例えば、アニオン性、カチオン性、非イオン性、両性界面活性剤等、各種のものを用いることができるが、電気的特性に悪影響を及ぼす可能性が低い点で、非イオン性界面活性剤を用いるのが好ましい。
【００４４】
アニオン性界面活性剤としては、例えば、「エマール１０」（花王社製）等のアルキル硫酸エステル塩系界面活性剤、同じく「ペレックスＮＢ−Ｌ」等のアルキルナフタレンスルフォン酸塩系界面活性剤、同じく「ホモゲノールＬ−１８」、「ホモゲノールＬ−１００」等の特殊高分子系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、特殊高分子系界面活性剤が好ましく、特殊ポリカルボン酸型高分子系界面活性剤が更に好ましい。
【００４５】
又、カチオン性界面活性剤としては、例えば、「アセタミン２４」（花王社製）等のアルキルアミン塩系界面活性剤、同じく「コータミン２４Ｐ」、「コータミン８６Ｗ」等の第４級アンモニウム塩系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、第４級アンモニウム塩系界面活性剤が好ましく、ステアリルトリメチルアンモニウム塩系界面活性剤が更に好ましい。
【００４６】
又、非イオン系性面活性剤としては、例えば、「ＳＨ８４００」（トーレシリコーン社製）、「ＫＰ３４１」（シリコーン社製）等のシリコーン系界面活性剤、「ＦＣ４３０」（住友３Ｍ社製）、「Ｆ４７０」（大日本インキ化学工業社製）、「ＤＦＸ−１８」（ネオス社製）等の弗素系界面活性剤、「エマルゲン１０４Ｐ」（花王社製）、「エマルゲンＡ６０」等のポリオキシエチレン系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、シリコーン系界面活性剤が好ましく、ポリジメチルシロキサンにポリエーテル基又はアラルキル基の側鎖が付加された構造を有する、いわゆるポリエーテル変性又はアラルキル変性シリコーン系界面活性剤が更に好ましい。
【００４７】
界面活性剤は２種類以上の組み合わせでも良く、シリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤／特殊高分子系界面活性剤、弗素系界面活性剤／特殊高分子系界面活性剤の組み合わせ等が挙げられる。中でも、シリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤が好ましい。このシリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤の組み合わせでは、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤／オリゴマー型弗素系界面活性剤等が挙げられる。具体的には、例えば、「ＴＳＦ４４６０」（ジーイー東芝シリコーン社製）／「ＤＦＸ−１８」（ネオス社製）、「ＢＹＫ−３００」（ビックケミー社製）／「Ｓ−３９３」（セイミケミカル社製）、「ＫＰ３４０」（信越シリコーン社製）／「Ｆ−４７８」（大日本インキ社製）、「ＳＨ７ＰＡ」（トーレシリコーン社製）／「ＤＳ−４０１」（ダイキン社製）、「Ｌ−７７」（日本ユニカー社製）／「ＦＣ４４３０」（住友３Ｍ社製）等が挙げられる。
【００４８】
本発明の有機電界発光素子用組成物の界面活性剤の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．２重量％以下である。
また、粘度を調節するために、粘度調製剤が含まれていてもよい。粘度調整剤としては、例えば、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアマイドなどの高分子系増粘剤や、高沸点芳香族やケトン、エステルなどの溶剤型希釈剤が挙げられる。
【００４９】
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度調節剤の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．２重量％以下である。
また、塗布膜厚や電気的特性の調整のために、フィラー粒子が含まれていてもよい。フィラー粒子としては、例えばフタロシアニンやアントラキノンなどの有機顔料、シリカや酸化チタンなどの無機顔料が挙げられる。
本発明の有機電界発光素子用組成物のフィラー粒子の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．５重量％以下である。
【００５０】
［有機電界発光素子用組成物の物性など］
本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力は、通常２５ｍＮ／ｍ以上、好ましくは２８ｍＮ／ｍ以上、また通常４０ｍＮ／ｍ以下、好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。
上記範囲内であると、インクジェットやノズルプリントでの吐出安定性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の沸点は、通常１５０℃以上、好ましくは１７０℃以上、また通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下である。
上記範囲内であると、吐出安定性と塗布乾燥の均一性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧は、通常１Ｐａ以上、好ましくは１０Ｐａ以上、また通常２００Ｐａ以下、好ましくは１００Ｐａ以下である。
【００５１】
上記範囲内であると、吐出安定性と塗布乾燥の均一性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の比重は、通常０．８以上、好ましくは０．８５以上、また通常１．０以下、好ましくは０．９５以下である。
上記範囲内であると、インクジェットやノズルプリントでの吐出安定性が良好である。
【００５２】
＜本発明の効果を奏する理由＞
式（１）より算出される増粘係数ｎが、０．２以上である本発明の有機電界発光素子用組成物であることで、本発明の効果が奏される理由を以下の通り推測する。
増粘係数ｎの値が前記範囲内であると、局所的な溶媒蒸発に伴う表面張力変化や溶媒の拡散現象に起因する流動を、粘度の増加が打ち消す方向に作用するため、有機電界発光素子用組成物に含まれる溶質の流動抑制効果が生じやすくなる。流動抑制効果が生じると、膜内の溶質の偏析や偏在が抑制されるため、組成物を用いて湿式成膜法で形成した膜の均一性に優れるものと推測される。
【００５３】
＜用途＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、特に湿式成膜法に用いられることが好ましい。
本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、組成物ジェット法、ノズルプリント法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷等の有機溶剤を含有する組成物を用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、組成物ジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。
【００５４】
中でも、バンクによって区画された領域内への選択的な湿式成膜が容易であることから、インクジェット法、及びノズルプリント法を用いることが特に好ましい。
尚、本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子における発光層の形成に用いられることが特に好ましい。
【００５５】
＜本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法＞
本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
特に、本発明の有機電界発光素子用組成物は、以下に記載する方法、特に好ましい方法を組み合わせるなどして用いることにより製造することができる。
［溶解工程］
本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法においては、通常溶解工程を有する。
溶解工程は、固体を有機溶剤に混合した混合液を攪拌して、固体が浮遊していることが目視で確認できなくなるようにする工程をいう。
【００５６】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物を有機溶媒に溶解させる際に、レオロジー調整剤を添加して、溶解させることで製造することができる。
レオロジー調整剤とは、溶液の粘弾性挙動を変化させるために添加する材料であり、例えば、シリカやクレイなどの無機系材料や、前記（非発光のポリマー）の項で記載のポリマーやオリゴマーなどの有機系材料が挙げられる。このうち有機電界発光素子用組成物には、ポリマー系のレオロジー調整剤、つまり前記（非発光のポリマー）の項で記載のポリマーが好適に用いられる。
レオロジー調整剤の分子量は、通常１０００以上、好ましくは１０，０００以上、また通常１０００，０００以下、好ましくは５００,０００以下である。
【００５７】
（溶解条件）
溶解工程における温度は、通常３０℃以上、好ましくは５０℃以上、また通常１００℃以下、好ましく８０℃以下である。
上記範囲内であると、有機溶剤が蒸発して濃度が変化したり、溶解度が低下したりせずに所望の濃度が得られる点で好ましい。
溶剤に溶質を溶解する場合、攪拌を行いながら溶解してもよい。その場合、攪拌速度は、通常常１０ｒｐｍ以上、好ましくは２０ｒｐｍ以上、また通常２００ｒｐｍ以下、好ましく１００ｒｐｍ以下である。
溶解工程における雰囲気は、本発明の効果を損なわない限りは特に制限はないが、不活性ガスが挙げられる。不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン、などが挙げられ、取り扱い容易な点で、窒素が好ましい。
【００５８】
［ろ過工程］
溶解後、更にろ過を行うことが好ましい。
ろ過をする時期は、上記を溶解工程の直後（加熱した場合は、保管温度まで冷却後）、保管容器に充填する際、保管容器から取り出して使用する直前、のいずれか又はそれらの組み合わせが好ましい。
本発明のろ過に用いられるフィルターの絶対ろ過精度は、通常０．５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下である。
【００５９】
＜有機電界発光素子＞
以下に、本発明の方法で製造される有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等について、図１を参照して説明する。
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【００６０】
（基板）
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００６１】
（陽極）
陽極は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００６２】
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極の厚みは任意であり、陽極は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調製して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００６３】
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極から発光層へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極上に形成される。
本発明に係る正孔注入層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【００６４】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層を構成する材料を適切な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
【００６５】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶媒を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００６６】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
【００６７】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【００６８】
【化４】
【００６９】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００７０】
【化５】
【００７１】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【００７２】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ１及びＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００７３】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００７４】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【００７５】
（電子受容性化合物）
正孔注入層は電子受容性化合物を含有することが好ましく、したがって正孔注入層用組成物も電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子を受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物
がさらに好ましい。
【００７６】
電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及び、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。なお、電子受容性化合物は、１種類のみを用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００７７】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化するため、正孔注入層の導電率を向上させることができる。
電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【００７８】
（溶媒）
正孔注入層用組成物が含有する溶媒のうち少なくとも１種は、正孔注入層の材料を溶解しうる溶媒であることが好ましい。
また、溶媒の沸点は、通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、通常４００℃以下、好ましくは３００℃以下である。溶媒の沸点が低すぎると形成した膜の乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、溶媒の沸点が高すぎると乾燥工程の温度が高くなり、他の層２や基板１（例えば、ガラス基板）に悪影響を与える可能性がある。
【００７９】
溶媒の例を挙げると、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。具体的に、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。また、エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。さらに、芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。また、アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。またその他、ジメチルスルホキシド、等も溶媒として用いることができる。
【００８０】
上述した溶媒の中でも、正孔注入層の材料を溶解する能力（溶解能）、若しくは材料との親和性が高い溶媒の方が好ましい。正孔注入層用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。
なお、溶媒は１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００８１】
（その他の成分）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物以外に、さらにその他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００８２】
（成膜方法）
正孔注入層用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布し、乾燥することによって正孔注入層を形成する。塗布後、通常は加熱等により乾燥を行う。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。ただし、正孔注入層用組成物が本発明のアリールアミンポリマーを含有する場合には、塗布後に架橋を行わせるようにする。
【００８３】
なお、真空蒸着法による層形成の場合には、まず材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気する。その後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層の形成に用いることもできる。
【００８４】
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。膜厚が薄すぎると正孔注入能が不十分になる可能性があり、厚すぎると抵抗が高くなる可能性がある。
なお、正孔注入層は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
【００８５】
［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【００８６】
このような正孔輸送層の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として
例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【００８７】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【００８８】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒａ又はＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【００８９】
【化６】
【００９０】
（式（ＩＩ）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００９１】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００９２】
溶解性、耐熱性の点から、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフ
ェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【００９３】
Ａｒａ及びＡｒｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００９４】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）及び／又は下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【００９５】
【化７】
【００９６】
（式（ＩＩＩ−１）中、Ｒa、Ｒb、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲa又はＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲa又はＲb同士で環を形成していてもよい。）
【００９７】
【化８】
【００９８】
（式（ＩＩＩ−２）中、Ｒｅ及びＲｆは、それぞれ独立に、上記式（ＩＩＩ−１）におけるＲa、Ｒb、Ｒｃ又はＲｄと同義である。ｒ及びｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅ及びＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅ又はＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、―Ｏ―、―ＢＲ―、―ＮＲ―、―ＳｉＲ２―、―ＰＲ―、―ＳＲ―、―ＣＲ２―又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
【００９９】
また、ポリアリーレン誘導体としては、上記式（ＩＩＩ−１）及び／又は上記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１００】
【化９】
【０１０１】
（式（ＩＩＩ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。ｖ及びｗは、それぞれ独立に０又は１を表す。）
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
【０１０２】
上記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。用いる溶媒は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。
【０１０３】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層の形成の場合と同様である。
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１０４】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
【０１０５】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＩＩ）や式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１０６】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１０７】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
【０１０８】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１０９】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層）上に成膜後、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
【０１１０】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１１１】
加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１１２】
（バンク）
基板上、又は正孔輸送層上には、パターン状にバンクが設けられていてもよい。バンクのパターンの形状は特に限定されるものではなく、発光層６の形状や陰極の形状等に合わせて適宜選択されるが、網目状のパターン又はストライブ状のパターンであることが好ま
しい。
バンクにより区画された領域に設けられる層が、発光層である場合は、発光領域のパターンを反転させたパターン等とすることができる。陰極を区画すること等を目的として設けられる場合、上記バンクを陰極隔壁として利用し、有機電界発光パネルにおける、陰極のストライプ状パターニングに用いることができる。
またバンクの断面形状についても特に限定されず、例えば断面形状は矩形状であってもよく、半円形状であってもよく、また逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等であってもよい。またバンクの上面から見た形状についても特に限定されず、矩形、楕円形、又は角が丸い長方形等の開口部をもつ形状、あるいは直線状の形状であってもよい。
【０１１３】
バンク材料としては、目的とするパターン状にバンクを形成可能な材料であれば特に限定されず、例えばバンクが電荷輸送性を有するものとしてもよい。バンクが電荷輸送性を有する場合、発光面内にバンク材料の残渣（剥離不良）があった場合にも、素子の発光ムラを少なくできるという利点がある。
上記バンクの材料としては、具体的には、スクリーン印刷レジスト材料、フォトレジストなどのレジスト材料、又は上記正孔輸送層の形成に用いられる材料等を用いることができる。
【０１１４】
スクリーン印刷レジスト材料は、直接必要な部分にのみ樹脂を印刷するため、スクリーン印刷レジスト材料をバンクの材料として用いた場合、比較的無駄が少なくまた大面積にも対応し易い。また現像工程が必要ないため、現像液等による正孔輸送層の特性低下がないという利点がある。またフォトレジストは汎用されていることから、フォトレジストをバンクの材料として用いた場合、プロセス条件として既知の条件を利用することができ、微細加工精度が高く、さらにはポジ型、ネガ型等の種類を含む材料選択、露光、現像、ベーク等の条件を適切に設定することにより、逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等の断面形状を比較的容易に作製することができるという利点がある。
【０１１５】
また、上記バンクの材料として正孔輸送層の形成に用いられる材料を用いる利点としては、例えばパターニング後、正孔輸送層上に残渣が残ってしまった場合であっても、機能性層に影響を及ぼす可能性が少ない点がある。又はフトーンマスクを用いるフォトリソグラフィー等を用いて、凹型の断面形状を持ち、正孔輸送層とバンクを兼用する構造を正孔輸送層の材料で形成し、製造工程を簡略化できるという点が挙げられる。
【０１１６】
上記バンクの材料として用いられるフォトレジストとしては、ポジ型、ネガ型のいずれも使用できる。ポジ型フォトレジストの例としては、ＴＥＬＲ−Ｐ００３ ＰＭ（東京応化工業社製）、ＭＣＰＲ ｉ７０１０Ｎ（ローム・アンド・ハース社製）が挙げられる。ネガ型フォトレジストの例としては、ＺＰＮ２４６４（日本ゼオン社製）がある。使用するフォトレジストは、バンクを形成する目的に応じて選択することが好ましい。例えば、インクジェット印刷用として形成する場合は、テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が好適である。一方、バンクをパッシブマトリクスディスプレイ等における陰極隔壁として形成する場合は、逆テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が望ましい。
【０１１７】
また、正孔輸送層と同様の材料としては、上述した正孔注入層や正孔輸送層の欄で説明した材料や、後述する正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等の欄で説明するいかなる材料も用いることが可能である。上記の中でも、本実施形態において異なる発光色を良好に塗り分けるためには、発光層をバンク形成直後に成膜することが望ましいという観点から、発光層に隣接する層であることが好ましい。
【０１１８】
バンクの膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、また、通常１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の範囲である。これにより機能性層（ここでは発光層６）又は機能性層以降に成膜される層の膜厚ムラを抑制することができる。なお正孔輸送層上に成膜される第１層目の層が発光層６である場合は特に、バンクの膜厚が、発光層６の膜厚より大きいことが好ましい。
【０１１９】
またバンクの幅についても本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、フォトレジストの解像度、バンクが設けられる層とバンクとの密着性等の面から通常１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。また通常上記バンクが設けられた領域は通常、有機電界発光素子の非発光領域とされるため、有機電界発光素子の発光効率や発光面積等の面から、通常５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下である。
【０１２０】
（発光層）
正孔注入層の上、又は正孔輸送層を設けた場合には正孔輸送層の上には発光層が設けられる。発光層は、電界を与えられた電極２，９間において、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
発光層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で形成されることが好ましい。つまり、本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光層形成用組成物であることが好ましい。
【０１２１】
・発光層の形成方法
湿式成膜法により発光層を形成する場合、前記［低分子化合物］の項に記載の化合物を溶媒に溶解して発光層用組成物を調製し、その組成物を塗布し、乾燥する。また、必要に応じて塗布後には架橋を行なうようにしてもよい。成膜、乾燥、架橋などは、正孔注入層及び正孔輸送層などと同様に行なえばよい。
【０１２２】
発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１２３】
（正孔阻止層）
発光層と後述の電子注入層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層の上に、発光層の陰極側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体；ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体；ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）；バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。
【０１２４】
なお、正孔阻止層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及
び任意の比率で併用してもよい。
正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。正孔阻止層が薄過ぎると正孔阻止能力不足による発光効率の低下が生じる場合があり、正孔阻止層が厚過ぎると、素子の電圧が高くなる場合がある。
【０１２５】
（電子輸送層７）
発光層と後述の電子注入層の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させる役割を有する。
電子輸送層７を構成する材料に求められる物性としては、電界を与えられた電極２，９間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができることが挙げられる。このような条件を満たす材料としては電子輸送性化合物が挙げられる。その中でも、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。その例を挙げると、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１２６】
なお、電子輸送層７の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１２７】
（電子注入層）
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率よく発光層へ注入する役割を果たす層である。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。この場合、電子注入層の膜厚は０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０１２８】
なお、電子注入層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及
び任意の比率で併用してもよい。
電子注入層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０１２９】
（陰極）
陰極は、発光層側の層（電子注入層又は発光層など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料と同様のものを用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましい。その例を挙げると、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適切な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１３０】
なお、陰極の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層（図示せず。）を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
（その他の層）
本発明に係る有機電界発光素子は、その要旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層３〜８の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１３１】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。電子阻止層は、正孔注入層又は正孔輸送層と発光層との間に設けられる層である。この電子阻止層は、発光層から移動してくる電子が正孔注入層又は正孔輸送層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを果たすものである。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０１３２】
電子阻止層の材料に求められる特性としては、正孔輸送能が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、発光層を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共ポリマー（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０１３３】
なお、電子阻止層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
さらに陰極と発光層又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等で形成された極薄絶縁膜（厚さは通常０．１ｎｍ〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Applied Physics Letters，１９９７年，Ｖｏｌ．７０，ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；IEEE Transactions on Electron Devices，１９９７年，Ｖｏｌ．４４，ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．１５４等参照）。
【０１３４】
また、以上説明した層構成において、基板１以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極、電子注入層、電子輸送層７、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層及び陽極の順に設けてもよい。
更には、例えば少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０１３５】
また、例えば基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Carrier Generation Layer：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１３６】
更には、有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層１〜９には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１３７】
＜有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明は、上述のような本発明の有機電界発光素子を備えるものである。有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【０１３８】
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０１３９】
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
（実施例１）
下記の通り調製した組成物（Ａ）を用いて、下記の通り増粘係数の算出を行った。
（組成物（Ａ）の調製）
以下に示す有機化合物（Ｃ３）、（Ｃ４）、及びイリジウム錯体（Ｄ２）を、（Ｃ３）：（Ｃ４）：（Ｄ２）＝１０：１０：１（重量比）の比率で、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを用い、固形分濃度１重量％となるよう溶解させ、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製メンブレンフィルターを用いてろ過した。
【０１４０】
【化１０】
【０１４１】
次いで以下の構造式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマー（重量分子量Ｍｗ＝約５０万）を前記溶液の固形分に対して１／５（重量比）となるように添加し、十分に溶解させ、本発明の有機電界発光素子用組成物を調製した。
【０１４２】
【化１１】
【０１４３】
（増粘係数の算出）
上記の通り調製した組成物（Ａ）の粘度をＥ型回転粘度計であるＴＶ−２０形粘度計（東機産業社製）で測定した。続いて、該組成物（Ａ）（１０ｇ）を、ガラス製シャーレ中でマグネットスターラーで撹拌しながら、減圧雰囲気下で溶剤成分を徐々に揮発させた。上記組成物の重量がそれぞれ１／２（５ｇ）、１／３（３．３ｇ）、１／４（２．５ｇ）まで減少した時点での組成物の粘度を、濃縮前の組成物と同様に測定した。
【０１４４】
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
（実施例２）
下記の通り調製した組成物（Ｂ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１４５】
（組成物（Ｂ）の調製）
実施例１の（組成物（Ａ）の調製）において、前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを、下記式（ＨＰ２）で表される非発光性のポリマーＡＤＳ２００ＲＥ（American Dye Source社製；分子量Ｍｗ＝約１００万）に、さらに溶液の固形分に対して、１／５（重量比）から１／１０（重量比）に変更した以外は、実施例１と同様にして、溶解を行い本発明の有機電界発光素子用組成物（Ｂ）を調製した。
【０１４６】
【化１２】
【０１４７】
（実施例３）
下記の通り調製した組成物（Ｃ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１４８】
（組成物（Ｃ）の調製）
実施例１で用いた前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを、下記式（ＨＰ３）で表される非発光性のポリマーＫＦ−９６−１００００ＣＳ（重量分子量Ｍｗ＝約６万）（信越シリコーン社製）に、さらに溶液の固形分に対して、１／５（重量比）から１／１０（重量比）に変更した以外は、実施例１と同様にして、溶解を行い本発明の有機電界発光素子用組成物（Ｃ）を調製した。
【０１４９】
【化１３】
【０１５０】
（比較例１）
下記の通り調製した組成物（Ｄ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１５１】
（組成物（Ｄ）の調製）
実施例１において、前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを添加しないことの他は、実施例１と同様にして組成物を調製し、組成物（Ｄ）を得た。
【０１５２】
【表１】
【０１５３】
【表２】
＜インクジェット成膜性の評価＞
（実施例４）
図３に示す測定サンプルを作製して、インクジェット法により形成された発光層の膜形状の評価を行った。
【０１５４】
（測定サンプル基板の作成）
＜透明導電膜付き基板の準備＞
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。陽極を形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
【０１５５】
＜正孔注入層の形成＞
次に、正孔注入層形成用組成物の調製を行った。下記式（ＩＶ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子量６００００）２重量％と、下記式（Ａ１）で表される電子受容性化合物０．４重量％を、溶剤として安息香酸エチルに溶解し、固形分濃度２．４重量％の正孔注入層形成用組成物とした。
【０１５６】
【化１４】
【０１５７】
【化１５】
【０１５８】
上記陽極を形成した基板上に、上記正孔注入層形成用組成物を用いてスピンコート法にて成膜した。スピンコートは、気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。成膜後、ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥した後、オーブン大気中で、２３０℃１時間ベークして上記ポリマーを架橋させ、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１５９】
＜正孔輸送層の形成＞
次に、正孔輸送層形成用組成物の調製を行った。下記式（Ｖ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子量９５０００）１．４重量％を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解し、正孔輸送層形成用組成物とした。シクロヘキシルベンゼンは、市販品にモレキュラーシーブを入れて脱水したものを用い、正孔輸送層形成用組成物の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
【０１６０】
【化１６】
【０１６１】
上記正孔注入層を形成した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層形成用組成物を用いてスピンコート法にて塗布した。スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。成膜後、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークして上記ポリマーを架橋させ、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層形成用組成物の調製、スピンコート法による塗布、ベークのすべてを、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露させずに行った。
【０１６２】
＜下引き層の形成＞
親水性化合物−１としてポリビニルピロリドンＫ−９０（日本触媒社製）を０．２５ｇ、親水性化合物−２としてポリビニルピロリドンＫ−３０（日本触媒社製）を０．７５ｇ、塗布性調製剤としてポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンＢＹＫ−３３０（ビックケミー社製）を１ｍｇ、溶媒−１としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｇ、溶媒−２として３−メトキシ−１−ブタノール１００ｇ、以上を配合し十分に混合することにより下引き層用組成物を調製した。
【０１６３】
この下引き層用組成物を用いて、スピンコートにより、乾燥膜厚が７０ｎｍになるように正孔輸送層上に塗布して下引き層を形成した。乾燥は、ホットプレートにて８０℃で１分間で実施した。
＜バンクの形成＞
まず、バンクを形成するための感光性組成物を調製した。
＜バインダー樹脂−１＞
以下の合成例１で製造された樹脂を使用した。
【０１６４】
［合成例１：バインダー樹脂−１の製造］
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１４５重量部を窒素置換しながら攪拌し、１２０℃に昇温した。これに、スチレン２０重量部、グリシジルメタクリレート５７重量部及びトリシクロデカン骨格を有するモノアクリレートＦＡ−５１３Ｍ（日立化成社製）８２重量部を滴下し、更に、１４０℃で２時間攪拌し続けた。次に、反応容器内を空気置換し、アクリル酸２７重量部にトリスジメチルアミノメチルフェノール０．７重量部及びハイドロキノン０．１２重量部を投入し、１２０℃で６時間反応を続けた。その後、テトラヒドロ無水フタル酸（ＴＨＰＡ）５２重量部、トリエチルアミン０．７重量部を加え、１２０℃で３．５時間反応させ、下記式で表されるアルカリ可溶性樹脂であるバインダー樹脂−１を得た。この樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は約８０００であった。
【０１６５】
【化１７】
【０１６６】
＜エチレン性不飽和化合物−１＞
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）（日本化薬社製）
＜エチレン性不飽和化合物−２＞
デコナールアクリレートＤＡ−３１４（ナガセケムテックス社製）
【０１６７】
【化１８】
【０１６８】
＜エチレン性不飽和化合物−３＞
【０１６９】
【化１９】
【０１７０】
＜光重合開始剤−１＞
イルガキュアー９０７（チバスペシャルケミカルズ社製）
【０１７１】
【化２０】
【０１７２】
＜塗布性調製剤−１＞
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン ＢＹＫ−３３０（ビックケミー社製）
＜撥液性成分−１＞
メガファック ＲＳ−１０２（ＤＩＣ社製）
＜溶剤−１＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１７３】
バインダー樹脂−１を４８ｇ、エチレン性不飽和化合物−１を２４ｇ、エチレン性不飽和化合物−２を２４ｇ、エチレン性不飽和化合物−３を５ｇ、光重合開始剤−１を３ｇ、塗布性調製剤−１を０．１ｇ、撥液性成分−１を０．６ｇ、溶剤−１を３１０ｇ、以上を配合し十分に混合することにより、バンク形成用の撥液性感光性組成物を調製した。
【０１７４】
この撥液性感光性組成物を上記形成された下引き層上に、それぞれスピンコートにより乾燥膜厚２μｍになるよう塗布して撥液性感光性組成物層を形成した。 乾燥は１分間、
真空乾燥し、さらにホットプレートにて８０℃、１分間の条件で実施した。
その後、撥液性感光性組成物層形成面に対して、合成石英製のフォトマスクをギャップ１００μｍに保持し、線幅が３０μｍで線ピッチが１００μｍである直交格子状のマトリクスパターンを、３ｋＷ高圧水銀を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２の露光条件にて露光を施した。
【０１７５】
次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）０．５重量％と特級エタノール２重量％を含有する水溶液を現像液として、２３℃において水圧０．１ＭＰａのシャワー現像を３０秒間実施したのち、水洗スプレーにて３０秒間水洗し、圧空で水気を切った。
その後これを２３０℃のオーブンで３０分間ポストベークし、撥液性感光性組成物層を用いて形成されたマトリクスパターンを有する基板を得た。
なお、この撥液性感光性組成物層のマトリクスパターンの形成工程は、紫外光をカットしたイエロー光の下で実施した。
【０１７６】
＜インクジェット成膜＞
実施例１にて得られた組成物（Ａ）（１．５ｇ）を、真空脱泡処理した後、インクジェットカートリッジＤＭＣ−１１６１０（富士フィルムダイマティクス社製）に充填し、インクジェットプリンタＤＭＰ−２８３１（富士フィルムダイマティクス社製）にて、上記手法によって作製された高さが２μｍ、開口幅が７０μｍ角で１００μｍ間隔の撥液性バンクにより区画化された領域に、１滴の液滴量が約１１ｐｌになるように吐出電圧を調整し、１区画（画素）あたり３滴を順番に着弾させた。また全体として１００区画×１００区画の領域、すなわち１０ｍｍ角の面積の領域に着弾させた。その後、塗布された液滴状の組成物を減圧条件（１Ｔｏｒｒ以下）にて予備乾燥させ、次いで１３０℃の真空オーブンにて１時間の焼成を行い、マトリクスパターン状の発光層膜を得た。
【０１７７】
＜発光層膜形状の測定＞
上記の通りインクジェット塗布された発光層のうち、１０ｍｍ角の領域の４隅より１０区画×１０区画分内側の部分のバンク内画素膜厚形状の状態を光学顕微鏡（ＯＬＹＭＰＵＳ社製）及び三次元非接触式表面形状測定器Ｖｅｒｔｓｃａｎ（菱化システム社製）によって観察、測定した。その結果を表３に示す。
（実施例５）
実施例４において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を実施例２で得られた組成物（Ｂ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１７８】
（実施例６）
実施例４において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を実施例３で得られた組成物（Ｃ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１７９】
（比較例２）
実施例６において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を比較例１で得られた組成物（Ｄ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１８０】
【表３】
【０１８１】
表３に示すが如く、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いた場合、発光層の膜形状は均一である。つまり、素子とした場合に、膜が不均一に形成された場合に生じる電流集中が起きにくい為、駆動寿命が長い。また、この様な膜を有する有機電界発光素子は、短絡やダークスポットが生じない。
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ バンク
６ 発光層
７ 陰極
８ 電子注入層
９ 電子輸送層
１０ａ〜１０ｄ 有機電界発光素子
１１ 電子阻止層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の有機層を形成するための有機電界発光素子用組成物に関する。本発明はまた、有機電界発光素子用組成物を用いて形成される有機層を有する有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、通常、基板上に陽極、陰極及び該陽極と該陰極の間に配置された発光層や電荷輸送層などの有機層を有するものである。この有機層の形成方法としては、真空蒸着法や湿式成膜法が使用される。
真空蒸着法は、良質な膜を基板に対して均一に成膜できること、積層化が容易で優れた特性のデバイスが得やすいこと、作製プロセス由来の不純物の混入が極めて少ないこと、等の利点があり、現在実用化されている有機電界発光素子の多くは低分子材料を用いた真空蒸着法によるものである。
【０００３】
一方で、湿式成膜法は、真空プロセスが要らず大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能を持った複数の材料を入れることが可能である、等の利点がある。湿式成膜法を用いる場合、材料としては通常、高分子材料が使用される。しかしながら、高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難であること、連続駆動時に末端残基による劣化が起こること、高分子材料自体の高純度化が困難で不純物を含むことなどの問題があり、一部の高分子材料を用いた素子以外は実用レベルに至っていないのが現状である。そこで、上記問題を解決する試みとして、特許文献１や特許文献２では、低分子材料などを用いて、湿式成膜法により有機層を形成しているが、これらの素子は発光効率が不十分であり、実用性に乏しかった。
【０００４】
また、例えば特許文献３では、インクジェット法により、発光性低分子材料を湿式成膜法で形成するに際し、溶液の溶剤に対する相対粘度を調製することで、インクジェットの吐出安定性や画素内での発光層膜厚の均一性を確保することが開示されている。しかしながら、得られる素子特性については、改善が必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許３０６９１３９号公報
【特許文献２】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献３】特開２００８−２７７３２２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、湿式成膜法で形成された低分子系有機層を有する有機電界発光素子の製造に用い、成膜の均一性を向上する有機電界発光素子用組成物により、安価で性能の高い有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
湿式成膜法による有機層の形成においては、溶媒に層構成材料を溶解又は分散させた組成物を用いて層を形成する。通常、湿式成膜に用いる組成物は塗布方式や塗布対象に合わせて液物性（粘度や表面張力など）の調製を行うが、それだけでは不十分であり、本発明者らの検討によって、特に有機電界発光素子用の低分子系材料においては、溶媒が蒸発す
る際の組成物の粘度の変化率が、成膜の均一性に顕著な影響を及ぼすことを見出して、本発明に到達した。
【０００８】
即ち、本発明は低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物、及びこれを用いて形成される層を含む有機電界発光素子、並びに有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に存する。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明の組成物はその溶媒成分が乾燥蒸発し、溶質成分が濃縮される過程において、粘度の増加率が高くなるように調製されている。そのため、例えばバンクによって区画された領域内に選択的に塗布する場合は、バンク内での膜厚分布が均一化され、特に発光素子を大面積で形成する際の膜厚分布均一性が向上する。そのメカニズムはまだ明らかではないが、以下のように説明できる。すなわちバンク内で液滴状の組成物が乾燥する際には、液滴形状はバンクの形状や表面性状の影響によりメニスカスを形成し、毛細管力に起因する溶媒の流動が生じる。その結果、典型的な例としてはバンクのエッジ部に向けて膜厚が偏る現象が見られる。また発光素子を大面積で形成する際には、塗布環境の溶媒蒸気濃度の分布の影響により、蒸発速度の差に起因する溶媒の流動が生じる。その結果、典型的な例としては素子間の継ぎ目や基板の外周方向に向けて膜厚が偏る現象が見られる。
【００１０】
しかしながら、本発明の組成物は溶媒の乾燥蒸発に伴う粘度の増加率が高いので、前記流動現象に伴う溶質の流動が起こりにくく、結果として平坦な膜厚分布が得られる。
つまり、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成される膜を有する有機電界発光素子は、平坦な膜分布のため、素子性能が高く、大面積化が容易である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】実施例１〜３、及び比較例１で得られた組成物における、濃縮率と組成物の粘度の関係を示す。縦軸は組成物の粘度（ｃＰ）、横軸は濃縮率を示す。
【図３】実施例４〜６及び比較例２における測定サンプル基板の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
＜有機電界発光素子用組成物＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物である。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【００１３】
＜式（１）について＞
（ｎについて）
式（１）より算出される増粘係数ｎは、通常０．２以上、好ましくは０．３以上、さらに好ましくは０．４以上、また、通常４以下、好ましくは３以下、さらに好ましくは２以下である。
増粘係数ｎの値が小さすぎると、有機電界発光素子用組成物中の溶質の流動抑制効果が生じにくく塗布膜の平坦性が十分でなくなるおそれがある。また、増粘係数ｎの値が大きすぎると、レベリングが阻害され塗布膜面の表面粗さに影響するおそれがある。
【００１４】
（粘度係数の算出方法）
粘度係数の算出方法は、以下の通りである。
例えば、予めＥ型回転粘度計であるＴＶ−２０形粘度計（東機産業社製）を使用して組成物の粘度を測定した後、組成物（１０ｇ）を、ガラス製シャーレ中、マグネットスターラーで撹拌しながら、減圧雰囲気下で溶剤成分を徐々に揮発させ、溶質成分を濃縮する。組成物重量が、１／２（５ｇ）、１／３（３．３ｇ）、１／４（２．５ｇ）まで減少した時点での組成物の粘度を、濃縮前の組成物と同様の方法で測定する。
【００１５】
測定は、室温（２５℃）で行い、回転数１０〜１００ｒｐｍの範囲内であれば特に制限はない。
尚、本発明の特定に用いる測定機器は、上記と同等の測定が可能であれば、上記の測定機器に限定されるものではなく、その他の測定機器を用いてもよいが、上記の測定機器を用いることが好ましい。
【００１６】
上記の、組成物重量と粘度との関係をグラフにして、近似曲線を求める。
より詳しくは横軸ｘを上記濃縮濃度の倍数（１，２，３・・・）とし、縦軸ｙを粘度として、測定データを打点した曲線を、指数関数で近似すると以下のような式の形になる。
ｙ＝Ａ×ｅｘｐ（ｋ×ｘ）
ここで粘度係数ｎ＝ｋであり、またμ＝Ａ×ｅｘｐ（ｋ）の関係にある。
【００１７】
［濃縮前の状態］
濃縮前の溶質濃度Ｃは、通常０．２重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１．０重量％以上、また通常５．０重量％以下、好ましくは４．０重量％以下、更に好ましくは３．０重量％以下である。
上記範囲内であると、溶質の溶解安定性と成膜性のバランスが良い為、薄膜塗布が安定的に可能な点で好ましい。
濃縮前の粘度μは、通常１．０ｃＰ以上、好ましくは１．５ｃＰ以上、更に好ましくは２．０ｃＰ以上、通常５．０ｃＰ以下、好ましくは４．５ｃＰ以下、更に好ましくは４．０ｃＰ以下である。
上記範囲内であると塗布時の液ダレやエア噛みが生じにくい為、生産性が向上する点で好ましい。
【００１８】
＜本発明の有機電界発光素子用組成物の構成成分及び組成＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物を含有する。
本発明における低分子化合物の分子量は、通常１００００以下、好ましくは５０００以
下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。
低分子化合物としては、発光性低分子化合物及び／又は電荷輸送性低分子化合物が好ましい。
【００１９】
［発光性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として発光性低分子化合物を含有することが好ましい。
発光性低分子化合物としては、単一の分子量で規定される発光の性質を有する化合物であれば特に制限はなく、公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光性低分子化合物であってもよく、燐光発光性低分子化合物であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光性低分子化合物である。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光性低分子化合物の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
【００２０】
以下、発光性低分子化合物のうち蛍光発光性低分子化合物の例を挙げるが、蛍光発光性低分子化合物は以下の例示物に限定されるものではない。
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光発光材料）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、クリセン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。
【００２１】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光発光材料）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光発光材料）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【００２２】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光発光材料）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００２３】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
【００２４】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
【００２５】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリ
ス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【００２６】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
以下に、発光性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、Ｈｅｘはヘキシル基を表す。
＜発光性低分子化合物の例示＞
【００２７】
【化１】
【００２８】
【化２】
【００２９】
［電荷輸送性低分子化合物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物として、電荷輸送性低分子化合物を含んでいることが好ましい。
本発明においては、電荷輸送性低分子化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００３０】
発光層において、発光材料をドーパント材料とし、電荷輸送性低分子化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
電荷輸送性低分子化合物は、従来有機電界発光素子の発光層に用いられている化合物であればよく、特に発光層のホスト材料として使用されている化合物が好ましい。
電荷輸送性低分子化合物として具体的には、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピリジン系化合物、フェナントロリン系化合物、オキサジアゾール系化合物、シロール系化合物等が挙げられる。
【００３１】
例えば、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで
代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４'，４''−トリス（１−ナフ
チルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２'，７，７'−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９'−スピ
ロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）などのオキサジアゾール系化合物、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール系化合物、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）などのフェナントロリン系化合物等が挙げられる。
【００３２】
以下に、電荷輸送性低分子化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、Ｂｕはブチル基を表す。
＜電荷輸送性低分子化合物の例示＞
【００３３】
【化３】
【００３４】
［溶剤］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常さらに溶剤を含有する。
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる溶剤の溶解性パラメータ（Hildebrand
Solubility Parameter）は、通常８cal/cm3以上、好ましくは８．５cal/cm3以上、また
通常１１cal/cm3以下、好ましくは１０．５cal/cm3以下である。
【００３５】
更に、溶剤の溶解性としては、常温・常圧下で、発光性低分子化合物及び電荷輸送性低分子化合物を、各々、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上溶解することが好ましい。
以下に溶剤の具体例を挙げるが、本発明の効果を損なわない限り、これらに限定されるものではない。
【００３６】
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼ
ン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００３７】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、及び比率で用いてもよい。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００３８】
溶剤の使用量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。含有量が下限を下回ると、粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。なお、有機電界発光素子用組成物として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
また、本発明における有機電界発光素子用組成物は、成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有してもよい。
【００３９】
（非発光性のポリマー）
本発明の有機電界発光素子用組成物は、更に非発光性のポリマーを含有することが好ましい。
非発光性のポリマーは、ストレートシリコーンオイル及び変性シリコーンオイルが挙げられ、ストレートシリコーンオイルが好ましい。
ストレートシリコーンオイルとしては、例えば、ポリジメチルシロキサン、ポリメチルアルキルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリメチルハイドロジェンシロキサン、ポリ環状シロキサンなどが挙げられる。
【００４０】
変性シリコーンオイルとしては、例えば、ポリエーテル変性ポリシロキサン、ポリエステル変性ポリシロキサン、アラルキル変性ポリシロキサン、フロロアルキル変性ポリシロキサンなどが挙げられる。
その他の非発光性ポリマーとしては、例えば、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリビニル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンなどが挙げられる。
【００４１】
非発光性のポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１，０００以上、好ましくは１０，０００以上、また通常１，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下である。
上記範囲内であると、有機電界発光素子用組成物中の溶媒に適度な溶解性を示す為、組
成物の保存安定性が良好な点で好ましい。
【００４２】
有機電界発光素子用組成物に非発光性のポリマーが含有される場合、固形分に対する濃度で、通常１重量％以上、好ましくは５重量％以上、さらに好ましくは１０重量％以上、また通常５０重量％未満、好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下である。
上記範囲内であると、有機電界発光素子用組成物中の低分子成分と適度な相溶性を示す為、素子の発光特性を向上させる点で好ましい。
【００４３】
さらに、その他に含まれていてもよいものとして、界面活性剤、粘度調製剤、フィラー粒子などが挙げられる。
界面活性剤としては、例えば、アニオン性、カチオン性、非イオン性、両性界面活性剤等、各種のものを用いることができるが、電気的特性に悪影響を及ぼす可能性が低い点で、非イオン性界面活性剤を用いるのが好ましい。
【００４４】
アニオン性界面活性剤としては、例えば、「エマール１０」（花王社製）等のアルキル硫酸エステル塩系界面活性剤、同じく「ペレックスＮＢ−Ｌ」等のアルキルナフタレンスルフォン酸塩系界面活性剤、同じく「ホモゲノールＬ−１８」、「ホモゲノールＬ−１００」等の特殊高分子系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、特殊高分子系界面活性剤が好ましく、特殊ポリカルボン酸型高分子系界面活性剤が更に好ましい。
【００４５】
又、カチオン性界面活性剤としては、例えば、「アセタミン２４」（花王社製）等のアルキルアミン塩系界面活性剤、同じく「コータミン２４Ｐ」、「コータミン８６Ｗ」等の第４級アンモニウム塩系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、第４級アンモニウム塩系界面活性剤が好ましく、ステアリルトリメチルアンモニウム塩系界面活性剤が更に好ましい。
【００４６】
又、非イオン系性面活性剤としては、例えば、「ＳＨ８４００」（トーレシリコーン社製）、「ＫＰ３４１」（シリコーン社製）等のシリコーン系界面活性剤、「ＦＣ４３０」（住友３Ｍ社製）、「Ｆ４７０」（大日本インキ化学工業社製）、「ＤＦＸ−１８」（ネオス社製）等の弗素系界面活性剤、「エマルゲン１０４Ｐ」（花王社製）、「エマルゲンＡ６０」等のポリオキシエチレン系界面活性剤等が挙げられる。これらのうち、シリコーン系界面活性剤が好ましく、ポリジメチルシロキサンにポリエーテル基又はアラルキル基の側鎖が付加された構造を有する、いわゆるポリエーテル変性又はアラルキル変性シリコーン系界面活性剤が更に好ましい。
【００４７】
界面活性剤は２種類以上の組み合わせでも良く、シリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤／特殊高分子系界面活性剤、弗素系界面活性剤／特殊高分子系界面活性剤の組み合わせ等が挙げられる。中でも、シリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤が好ましい。このシリコーン系界面活性剤／弗素系界面活性剤の組み合わせでは、ポリエーテル変性シリコーン系界面活性剤／オリゴマー型弗素系界面活性剤等が挙げられる。具体的には、例えば、「ＴＳＦ４４６０」（ジーイー東芝シリコーン社製）／「ＤＦＸ−１８」（ネオス社製）、「ＢＹＫ−３００」（ビックケミー社製）／「Ｓ−３９３」（セイミケミカル社製）、「ＫＰ３４０」（信越シリコーン社製）／「Ｆ−４７８」（大日本インキ社製）、「ＳＨ７ＰＡ」（トーレシリコーン社製）／「ＤＳ−４０１」（ダイキン社製）、「Ｌ−７７」（日本ユニカー社製）／「ＦＣ４４３０」（住友３Ｍ社製）等が挙げられる。
【００４８】
本発明の有機電界発光素子用組成物の界面活性剤の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．２重量％以下である。
また、粘度を調節するために、粘度調製剤が含まれていてもよい。粘度調整剤としては、例えば、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリアマイドなどの高分子系増粘剤や、高沸点芳香族やケトン、エステルなどの溶剤型希釈剤が挙げられる。
【００４９】
本発明の有機電界発光素子用組成物の粘度調節剤の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．２重量％以下である。
また、塗布膜厚や電気的特性の調整のために、フィラー粒子が含まれていてもよい。フィラー粒子としては、例えばフタロシアニンやアントラキノンなどの有機顔料、シリカや酸化チタンなどの無機顔料が挙げられる。
本発明の有機電界発光素子用組成物のフィラー粒子の含有量は、通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、また通常１重量％以下、好ましくは０．５重量％以下である。
【００５０】
［有機電界発光素子用組成物の物性など］
本発明の有機電界発光素子用組成物の表面張力は、通常２５ｍＮ／ｍ以上、好ましくは２８ｍＮ／ｍ以上、また通常４０ｍＮ／ｍ以下、好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。
上記範囲内であると、インクジェットやノズルプリントでの吐出安定性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の沸点は、通常１５０℃以上、好ましくは１７０℃以上、また通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下である。
上記範囲内であると、吐出安定性と塗布乾燥の均一性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の蒸気圧は、通常１Ｐａ以上、好ましくは１０Ｐａ以上、また通常２００Ｐａ以下、好ましくは１００Ｐａ以下である。
【００５１】
上記範囲内であると、吐出安定性と塗布乾燥の均一性が良好である。
また、本発明の有機電界発光素子用組成物の比重は、通常０．８以上、好ましくは０．８５以上、また通常１．０以下、好ましくは０．９５以下である。
上記範囲内であると、インクジェットやノズルプリントでの吐出安定性が良好である。
【００５２】
＜本発明の効果を奏する理由＞
式（１）より算出される増粘係数ｎが、０．２以上である本発明の有機電界発光素子用組成物であることで、本発明の効果が奏される理由を以下の通り推測する。
増粘係数ｎの値が前記範囲内であると、局所的な溶媒蒸発に伴う表面張力変化や溶媒の拡散現象に起因する流動を、粘度の増加が打ち消す方向に作用するため、有機電界発光素子用組成物に含まれる溶質の流動抑制効果が生じやすくなる。流動抑制効果が生じると、膜内の溶質の偏析や偏在が抑制されるため、組成物を用いて湿式成膜法で形成した膜の均一性に優れるものと推測される。
【００５３】
＜用途＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、特に湿式成膜法に用いられることが好ましい。
本発明における湿式成膜法とは、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、組成物ジェット法、ノズルプリント法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷等の有機溶剤を含有する組成物を用いて成膜する方法をいう。パターニングのし易さという点で、ダイコート法、ロールコート法、スプレーコート法、組成物ジェット法、フレキソ印刷法が好ましい。
【００５４】
中でも、バンクによって区画された領域内への選択的な湿式成膜が容易であることから、インクジェット法、及びノズルプリント法を用いることが特に好ましい。
尚、本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子における発光層の形成に用いられることが特に好ましい。
【００５５】
＜本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法＞
本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法の一例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
特に、本発明の有機電界発光素子用組成物は、以下に記載する方法、特に好ましい方法を組み合わせるなどして用いることにより製造することができる。
［溶解工程］
本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法においては、通常溶解工程を有する。
溶解工程は、固体を有機溶剤に混合した混合液を攪拌して、固体が浮遊していることが目視で確認できなくなるようにする工程をいう。
【００５６】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、低分子化合物を有機溶媒に溶解させる際に、レオロジー調整剤を添加して、溶解させることで製造することができる。
レオロジー調整剤とは、溶液の粘弾性挙動を変化させるために添加する材料であり、例えば、シリカやクレイなどの無機系材料や、前記（非発光のポリマー）の項で記載のポリマーやオリゴマーなどの有機系材料が挙げられる。このうち有機電界発光素子用組成物には、ポリマー系のレオロジー調整剤、つまり前記（非発光のポリマー）の項で記載のポリマーが好適に用いられる。
レオロジー調整剤の分子量は、通常１０００以上、好ましくは１０，０００以上、また通常１０００，０００以下、好ましくは５００,０００以下である。
【００５７】
（溶解条件）
溶解工程における温度は、通常３０℃以上、好ましくは５０℃以上、また通常１００℃以下、好ましく８０℃以下である。
上記範囲内であると、有機溶剤が蒸発して濃度が変化したり、溶解度が低下したりせずに所望の濃度が得られる点で好ましい。
溶剤に溶質を溶解する場合、攪拌を行いながら溶解してもよい。その場合、攪拌速度は、通常常１０ｒｐｍ以上、好ましくは２０ｒｐｍ以上、また通常２００ｒｐｍ以下、好ましく１００ｒｐｍ以下である。
溶解工程における雰囲気は、本発明の効果を損なわない限りは特に制限はないが、不活性ガスが挙げられる。不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン、などが挙げられ、取り扱い容易な点で、窒素が好ましい。
【００５８】
［ろ過工程］
溶解後、更にろ過を行うことが好ましい。
ろ過をする時期は、上記を溶解工程の直後（加熱した場合は、保管温度まで冷却後）、保管容器に充填する際、保管容器から取り出して使用する直前、のいずれか又はそれらの組み合わせが好ましい。
本発明のろ過に用いられるフィルターの絶対ろ過精度は、通常０．５μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下である。
【００５９】
＜有機電界発光素子＞
以下に、本発明の方法で製造される有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等について、図１を参照して説明する。
図１は本発明にかかる有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【００６０】
（基板）
基板は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００６１】
（陽極）
陽極は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
陽極の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板上に塗布することにより陽極を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に導電性高分子を塗布して陽極を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００６２】
陽極は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極の厚みは任意であり、陽極は基板と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
陽極に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調製して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００６３】
（正孔注入層）
正孔注入層は、陽極から発光層へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極上に形成される。
本発明に係る正孔注入層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【００６４】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層を形成する場合、通常は、正孔注入層を構成する材料を適切な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層を形成する。
【００６５】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶媒を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
正孔輸送性化合物としては、陽極から正孔注入層への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【００６６】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
【００６７】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【００６８】
【化４】
【００６９】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【００７０】
【化５】
【００７１】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、水素原子又は任意の置換基を表す。））
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【００７２】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ１及びＲ２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００７３】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【００７４】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【００７５】
（電子受容性化合物）
正孔注入層は電子受容性化合物を含有することが好ましく、したがって正孔注入層用組成物も電子受容性化合物を含有していることが好ましい。電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子を受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物
がさらに好ましい。
【００７６】
電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、及び、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。なお、電子受容性化合物は、１種類のみを用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００７７】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化するため、正孔注入層の導電率を向上させることができる。
電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【００７８】
（溶媒）
正孔注入層用組成物が含有する溶媒のうち少なくとも１種は、正孔注入層の材料を溶解しうる溶媒であることが好ましい。
また、溶媒の沸点は、通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、通常４００℃以下、好ましくは３００℃以下である。溶媒の沸点が低すぎると形成した膜の乾燥速度が速く、膜質が悪化する可能性がある。また、溶媒の沸点が高すぎると乾燥工程の温度が高くなり、他の層２や基板１（例えば、ガラス基板）に悪影響を与える可能性がある。
【００７９】
溶媒の例を挙げると、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。具体的に、エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。また、エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。さらに、芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。また、アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。またその他、ジメチルスルホキシド、等も溶媒として用いることができる。
【００８０】
上述した溶媒の中でも、正孔注入層の材料を溶解する能力（溶解能）、若しくは材料との親和性が高い溶媒の方が好ましい。正孔注入層用組成物の濃度を任意に設定して、成膜工程の効率に優れる濃度の組成物を調製できるためである。
なお、溶媒は１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００８１】
（その他の成分）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔輸送性化合物及び電子受容性化合物以外に、さらにその他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
【００８２】
（成膜方法）
正孔注入層用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布し、乾燥することによって正孔注入層を形成する。塗布後、通常は加熱等により乾燥を行う。加熱工程において使用する加熱手段は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されない。加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブン及びホットプレートが好ましい。ただし、正孔注入層用組成物が本発明のアリールアミンポリマーを含有する場合には、塗布後に架橋を行わせるようにする。
【００８３】
なお、真空蒸着法による層形成の場合には、まず材料（正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気する。その後、るつぼを加熱して（２種以上材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極上に正孔注入層を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱し蒸発させて正孔注入層の形成に用いることもできる。
【００８４】
正孔注入層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。膜厚が薄すぎると正孔注入能が不十分になる可能性があり、厚すぎると抵抗が高くなる可能性がある。
なお、正孔注入層は単一の層からなる構成としてもよいが、複数の層が積層された構成としてもよい。後者の場合、複数の層は同一の材料からなる層であってもよいし、異なる材料からなる層であってもよい。
【００８５】
［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層は、正孔注入層がある場合には正孔注入層の上に、正孔注入層が無い場合には陽極の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
正孔輸送層を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層に接するため、発光層からの発光を消光したり、発光層との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【００８６】
このような正孔輸送層の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層に使用される正孔輸送性化合物として
例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【００８７】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【００８８】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒａ又はＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【００８９】
【化６】
【００９０】
（式（ＩＩ）中、Ａｒａ及びＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００９１】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環由来の基及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【００９２】
溶解性、耐熱性の点から、Ａｒａ及びＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフ
ェニル基）及びフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【００９３】
Ａｒａ及びＡｒｂにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【００９４】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）及び／又は下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【００９５】
【化７】
【００９６】
（式（ＩＩＩ−１）中、Ｒa、Ｒb、Ｒｃ及びＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔ及びｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲa又はＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲa又はＲb同士で環を形成していてもよい。）
【００９７】
【化８】
【００９８】
（式（ＩＩＩ−２）中、Ｒｅ及びＲｆは、それぞれ独立に、上記式（ＩＩＩ−１）におけるＲa、Ｒb、Ｒｃ又はＲｄと同義である。ｒ及びｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅ及びＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅ又はＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を表す。）
Ｘの具体例としては、―Ｏ―、―ＢＲ―、―ＮＲ―、―ＳｉＲ２―、―ＰＲ―、―ＳＲ―、―ＣＲ２―又はこれらが結合してなる基である。尚、Ｒは、水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
【００９９】
また、ポリアリーレン誘導体としては、上記式（ＩＩＩ−１）及び／又は上記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１００】
【化９】
【０１０１】
（式（ＩＩＩ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。ｖ及びｗは、それぞれ独立に０又は１を表す。）
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、Ａｒａ及びＡｒｂと同様である。
【０１０２】
上記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
湿式成膜法で正孔輸送層を形成する場合は、上記正孔注入層の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。用いる溶媒は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層の形成の場合と同様である。
【０１０３】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層の形成の場合と同様である。
正孔輸送層は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１０４】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
【０１０５】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＩＩ）や式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１０６】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１０７】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤及び重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
【０１０８】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１０９】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層）上に成膜後、加熱及び／又は光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
【０１１０】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１１１】
加熱及び光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
このようにして形成される正孔輸送層の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１１２】
（バンク）
基板上、又は正孔輸送層上には、パターン状にバンクが設けられていてもよい。バンクのパターンの形状は特に限定されるものではなく、発光層６の形状や陰極の形状等に合わせて適宜選択されるが、網目状のパターン又はストライブ状のパターンであることが好ま
しい。
バンクにより区画された領域に設けられる層が、発光層である場合は、発光領域のパターンを反転させたパターン等とすることができる。陰極を区画すること等を目的として設けられる場合、上記バンクを陰極隔壁として利用し、有機電界発光パネルにおける、陰極のストライプ状パターニングに用いることができる。
またバンクの断面形状についても特に限定されず、例えば断面形状は矩形状であってもよく、半円形状であってもよく、また逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等であってもよい。またバンクの上面から見た形状についても特に限定されず、矩形、楕円形、又は角が丸い長方形等の開口部をもつ形状、あるいは直線状の形状であってもよい。
【０１１３】
バンク材料としては、目的とするパターン状にバンクを形成可能な材料であれば特に限定されず、例えばバンクが電荷輸送性を有するものとしてもよい。バンクが電荷輸送性を有する場合、発光面内にバンク材料の残渣（剥離不良）があった場合にも、素子の発光ムラを少なくできるという利点がある。
上記バンクの材料としては、具体的には、スクリーン印刷レジスト材料、フォトレジストなどのレジスト材料、又は上記正孔輸送層の形成に用いられる材料等を用いることができる。
【０１１４】
スクリーン印刷レジスト材料は、直接必要な部分にのみ樹脂を印刷するため、スクリーン印刷レジスト材料をバンクの材料として用いた場合、比較的無駄が少なくまた大面積にも対応し易い。また現像工程が必要ないため、現像液等による正孔輸送層の特性低下がないという利点がある。またフォトレジストは汎用されていることから、フォトレジストをバンクの材料として用いた場合、プロセス条件として既知の条件を利用することができ、微細加工精度が高く、さらにはポジ型、ネガ型等の種類を含む材料選択、露光、現像、ベーク等の条件を適切に設定することにより、逆テーパー形状の台形状やテーパー形状の台形状等の断面形状を比較的容易に作製することができるという利点がある。
【０１１５】
また、上記バンクの材料として正孔輸送層の形成に用いられる材料を用いる利点としては、例えばパターニング後、正孔輸送層上に残渣が残ってしまった場合であっても、機能性層に影響を及ぼす可能性が少ない点がある。又はフトーンマスクを用いるフォトリソグラフィー等を用いて、凹型の断面形状を持ち、正孔輸送層とバンクを兼用する構造を正孔輸送層の材料で形成し、製造工程を簡略化できるという点が挙げられる。
【０１１６】
上記バンクの材料として用いられるフォトレジストとしては、ポジ型、ネガ型のいずれも使用できる。ポジ型フォトレジストの例としては、ＴＥＬＲ−Ｐ００３ ＰＭ（東京応化工業社製）、ＭＣＰＲ ｉ７０１０Ｎ（ローム・アンド・ハース社製）が挙げられる。ネガ型フォトレジストの例としては、ＺＰＮ２４６４（日本ゼオン社製）がある。使用するフォトレジストは、バンクを形成する目的に応じて選択することが好ましい。例えば、インクジェット印刷用として形成する場合は、テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が好適である。一方、バンクをパッシブマトリクスディスプレイ等における陰極隔壁として形成する場合は、逆テーパー形状の断面を有するバンク形成に適したフォトレジストの使用が望ましい。
【０１１７】
また、正孔輸送層と同様の材料としては、上述した正孔注入層や正孔輸送層の欄で説明した材料や、後述する正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層等の欄で説明するいかなる材料も用いることが可能である。上記の中でも、本実施形態において異なる発光色を良好に塗り分けるためには、発光層をバンク形成直後に成膜することが望ましいという観点から、発光層に隣接する層であることが好ましい。
【０１１８】
バンクの膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１０ｎｍ以上、好ましくは１００ｎｍ以上、また、通常１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下の範囲である。これにより機能性層（ここでは発光層６）又は機能性層以降に成膜される層の膜厚ムラを抑制することができる。なお正孔輸送層上に成膜される第１層目の層が発光層６である場合は特に、バンクの膜厚が、発光層６の膜厚より大きいことが好ましい。
【０１１９】
またバンクの幅についても本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、フォトレジストの解像度、バンクが設けられる層とバンクとの密着性等の面から通常１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。また通常上記バンクが設けられた領域は通常、有機電界発光素子の非発光領域とされるため、有機電界発光素子の発光効率や発光面積等の面から、通常５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下である。
【０１２０】
（発光層）
正孔注入層の上、又は正孔輸送層を設けた場合には正孔輸送層の上には発光層が設けられる。発光層は、電界を与えられた電極２，９間において、陽極から注入された正孔と、陰極から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
発光層は、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法で形成されることが好ましい。つまり、本発明の有機電界発光素子用組成物は、発光層形成用組成物であることが好ましい。
【０１２１】
・発光層の形成方法
湿式成膜法により発光層を形成する場合、前記［低分子化合物］の項に記載の化合物を溶媒に溶解して発光層用組成物を調製し、その組成物を塗布し、乾燥する。また、必要に応じて塗布後には架橋を行なうようにしてもよい。成膜、乾燥、架橋などは、正孔注入層及び正孔輸送層などと同様に行なえばよい。
【０１２２】
発光層の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１２３】
（正孔阻止層）
発光層と後述の電子注入層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。正孔阻止層は、発光層の上に、発光層の陰極側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層は、陽極から移動してくる正孔が陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体；ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体；ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）；バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層の材料として好ましい。
【０１２４】
なお、正孔阻止層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及
び任意の比率で併用してもよい。
正孔阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。正孔阻止層が薄過ぎると正孔阻止能力不足による発光効率の低下が生じる場合があり、正孔阻止層が厚過ぎると、素子の電圧が高くなる場合がある。
【０１２５】
（電子輸送層７）
発光層と後述の電子注入層の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させる役割を有する。
電子輸送層７を構成する材料に求められる物性としては、電界を与えられた電極２，９間において陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができることが挙げられる。このような条件を満たす材料としては電子輸送性化合物が挙げられる。その中でも、通常、陰極又は電子注入層からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。その例を挙げると、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１２６】
なお、電子輸送層７の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１２７】
（電子注入層）
電子注入層は、陰極から注入された電子を効率よく発光層へ注入する役割を果たす層である。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。この場合、電子注入層の膜厚は０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０１２８】
なお、電子注入層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及
び任意の比率で併用してもよい。
電子注入層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０１２９】
（陰極）
陰極は、発光層側の層（電子注入層又は発光層など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極の材料としては、前記の陽極に使用される材料と同様のものを用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましい。その例を挙げると、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適切な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１３０】
なお、陰極の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
陰極の膜厚は、通常、陽極と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層（図示せず。）を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
（その他の層）
本発明に係る有機電界発光素子は、その要旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極と陰極との間に、上記説明にある層３〜８の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１３１】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。電子阻止層は、正孔注入層又は正孔輸送層と発光層との間に設けられる層である。この電子阻止層は、発光層から移動してくる電子が正孔注入層又は正孔輸送層に到達するのを阻止することで、発光層内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層内に閉じこめる役割と、正孔注入層から注入された正孔を効率よく発光層の方向に輸送する役割とを果たすものである。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０１３２】
電子阻止層の材料に求められる特性としては、正孔輸送能が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、発光層を湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共ポリマー（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０１３３】
なお、電子阻止層の材料は、１種類を用いてもよく、２種類以上を任意の組み合わせ及び任意の比率で併用してもよい。
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
さらに陰極と発光層又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等で形成された極薄絶縁膜（厚さは通常０．１ｎｍ〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Applied Physics Letters，１９９７年，Ｖｏｌ．７０，ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；IEEE Transactions on Electron Devices，１９９７年，Ｖｏｌ．４４，ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．１５４等参照）。
【０１３４】
また、以上説明した層構成において、基板１以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極、電子注入層、電子輸送層７、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層及び陽極の順に設けてもよい。
更には、例えば少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０１３５】
また、例えば基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Carrier Generation Layer：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１３６】
更には、有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層１〜９には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０１３７】
＜有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明は、上述のような本発明の有機電界発光素子を備えるものである。有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【０１３８】
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０１３９】
次に、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
（実施例１）
下記の通り調製した組成物（Ａ）を用いて、下記の通り増粘係数の算出を行った。
（組成物（Ａ）の調製）
以下に示す有機化合物（Ｃ３）、（Ｃ４）、及びイリジウム錯体（Ｄ２）を、（Ｃ３）：（Ｃ４）：（Ｄ２）＝１０：１０：１（重量比）の比率で、溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを用い、固形分濃度１重量％となるよう溶解させ、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製メンブレンフィルターを用いてろ過した。
【０１４０】
【化１０】
【０１４１】
次いで以下の構造式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマー（重量分子量Ｍｗ＝約５０万）を前記溶液の固形分に対して１／５（重量比）となるように添加し、十分に溶解させ、本発明の有機電界発光素子用組成物を調製した。
【０１４２】
【化１１】
【０１４３】
（増粘係数の算出）
上記の通り調製した組成物（Ａ）の粘度をＥ型回転粘度計であるＴＶ−２０形粘度計（東機産業社製）で測定した。続いて、該組成物（Ａ）（１０ｇ）を、ガラス製シャーレ中でマグネットスターラーで撹拌しながら、減圧雰囲気下で溶剤成分を徐々に揮発させた。上記組成物の重量がそれぞれ１／２（５ｇ）、１／３（３．３ｇ）、１／４（２．５ｇ）まで減少した時点での組成物の粘度を、濃縮前の組成物と同様に測定した。
【０１４４】
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
（実施例２）
下記の通り調製した組成物（Ｂ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１４５】
（組成物（Ｂ）の調製）
実施例１の（組成物（Ａ）の調製）において、前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを、下記式（ＨＰ２）で表される非発光性のポリマーＡＤＳ２００ＲＥ（American Dye Source社製；分子量Ｍｗ＝約１００万）に、さらに溶液の固形分に対して、１／５（重量比）から１／１０（重量比）に変更した以外は、実施例１と同様にして、溶解を行い本発明の有機電界発光素子用組成物（Ｂ）を調製した。
【０１４６】
【化１２】
【０１４７】
（実施例３）
下記の通り調製した組成物（Ｃ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１４８】
（組成物（Ｃ）の調製）
実施例１で用いた前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを、下記式（ＨＰ３）で表される非発光性のポリマーＫＦ−９６−１００００ＣＳ（重量分子量Ｍｗ＝約６万）（信越シリコーン社製）に、さらに溶液の固形分に対して、１／５（重量比）から１／１０（重量比）に変更した以外は、実施例１と同様にして、溶解を行い本発明の有機電界発光素子用組成物（Ｃ）を調製した。
【０１４９】
【化１３】
【０１５０】
（比較例１）
下記の通り調製した組成物（Ｄ）を用いて、実施例１と同様にして増粘係数の算出を行った。
測定した、濃縮率と組成物の粘度との関係の結果を表１に示し、これをグラフ化したものを図２に示す。
また、図２から得られる指数近似曲線より算出される増粘係数を表２に示す。
【０１５１】
（組成物（Ｄ）の調製）
実施例１において、前記式（ＨＰ１）で表される非発光性のポリマーを添加しないことの他は、実施例１と同様にして組成物を調製し、組成物（Ｄ）を得た。
【０１５２】
【表１】
【０１５３】
【表２】
＜インクジェット成膜性の評価＞
（実施例４）
図３に示す測定サンプルを作製して、インクジェット法により形成された発光層の膜形状の評価を行った。
【０１５４】
（測定サンプル基板の作成）
＜透明導電膜付き基板の準備＞
ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を１２０ｎｍの厚さに堆積したもの（三容真空社製、スパッタ成膜品）を通常のフォトリソグラフィー技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。陽極を形成した基板を、界面活性剤水溶液による超音波洗浄、超純水による水洗、超純水による超音波洗浄、超純水による水洗の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
【０１５５】
＜正孔注入層の形成＞
次に、正孔注入層形成用組成物の調製を行った。下記式（ＩＶ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子量６００００）２重量％と、下記式（Ａ１）で表される電子受容性化合物０．４重量％を、溶剤として安息香酸エチルに溶解し、固形分濃度２．４重量％の正孔注入層形成用組成物とした。
【０１５６】
【化１４】
【０１５７】
【化１５】
【０１５８】
上記陽極を形成した基板上に、上記正孔注入層形成用組成物を用いてスピンコート法にて成膜した。スピンコートは、気温２３℃、相対湿度５０％の大気中で行ない、スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。成膜後、ホットプレート上で８０℃、１分間加熱乾燥した後、オーブン大気中で、２３０℃１時間ベークして上記ポリマーを架橋させ、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
【０１５９】
＜正孔輸送層の形成＞
次に、正孔輸送層形成用組成物の調製を行った。下記式（Ｖ）の繰り返し構造を有するポリマー（重量平均分子量９５０００）１．４重量％を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンに溶解し、正孔輸送層形成用組成物とした。シクロヘキシルベンゼンは、市販品にモレキュラーシーブを入れて脱水したものを用い、正孔輸送層形成用組成物の調製は、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で行った。
【０１６０】
【化１６】
【０１６１】
上記正孔注入層を形成した基板を窒素グローブボックスに入れ、正孔注入層上に、上記正孔輸送層形成用組成物を用いてスピンコート法にて塗布した。スピナ回転数は１５００ｒｐｍ、スピナ時間は３０秒とした。成膜後、ホットプレート上で２３０℃１時間ベークして上記ポリマーを架橋させ、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
正孔輸送層形成用組成物の調製、スピンコート法による塗布、ベークのすべてを、酸素濃度１．０ｐｐｍ、水分濃度１．０ｐｐｍの窒素グローブボックス中で大気暴露させずに行った。
【０１６２】
＜下引き層の形成＞
親水性化合物−１としてポリビニルピロリドンＫ−９０（日本触媒社製）を０．２５ｇ、親水性化合物−２としてポリビニルピロリドンＫ−３０（日本触媒社製）を０．７５ｇ、塗布性調製剤としてポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンＢＹＫ−３３０（ビックケミー社製）を１ｍｇ、溶媒−１としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１００ｇ、溶媒−２として３−メトキシ−１−ブタノール１００ｇ、以上を配合し十分に混合することにより下引き層用組成物を調製した。
【０１６３】
この下引き層用組成物を用いて、スピンコートにより、乾燥膜厚が７０ｎｍになるように正孔輸送層上に塗布して下引き層を形成した。乾燥は、ホットプレートにて８０℃で１分間で実施した。
＜バンクの形成＞
まず、バンクを形成するための感光性組成物を調製した。
＜バインダー樹脂−１＞
以下の合成例１で製造された樹脂を使用した。
【０１６４】
［合成例１：バインダー樹脂−１の製造］
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１４５重量部を窒素置換しながら攪拌し、１２０℃に昇温した。これに、スチレン２０重量部、グリシジルメタクリレート５７重量部及びトリシクロデカン骨格を有するモノアクリレートＦＡ−５１３Ｍ（日立化成社製）８２重量部を滴下し、更に、１４０℃で２時間攪拌し続けた。次に、反応容器内を空気置換し、アクリル酸２７重量部にトリスジメチルアミノメチルフェノール０．７重量部及びハイドロキノン０．１２重量部を投入し、１２０℃で６時間反応を続けた。その後、テトラヒドロ無水フタル酸（ＴＨＰＡ）５２重量部、トリエチルアミン０．７重量部を加え、１２０℃で３．５時間反応させ、下記式で表されるアルカリ可溶性樹脂であるバインダー樹脂−１を得た。この樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は約８０００であった。
【０１６５】
【化１７】
【０１６６】
＜エチレン性不飽和化合物−１＞
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）（日本化薬社製）
＜エチレン性不飽和化合物−２＞
デコナールアクリレートＤＡ−３１４（ナガセケムテックス社製）
【０１６７】
【化１８】
【０１６８】
＜エチレン性不飽和化合物−３＞
【０１６９】
【化１９】
【０１７０】
＜光重合開始剤−１＞
イルガキュアー９０７（チバスペシャルケミカルズ社製）
【０１７１】
【化２０】
【０１７２】
＜塗布性調製剤−１＞
ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン ＢＹＫ−３３０（ビックケミー社製）
＜撥液性成分−１＞
メガファック ＲＳ−１０２（ＤＩＣ社製）
＜溶剤−１＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０１７３】
バインダー樹脂−１を４８ｇ、エチレン性不飽和化合物−１を２４ｇ、エチレン性不飽和化合物−２を２４ｇ、エチレン性不飽和化合物−３を５ｇ、光重合開始剤−１を３ｇ、塗布性調製剤−１を０．１ｇ、撥液性成分−１を０．６ｇ、溶剤−１を３１０ｇ、以上を配合し十分に混合することにより、バンク形成用の撥液性感光性組成物を調製した。
【０１７４】
この撥液性感光性組成物を上記形成された下引き層上に、それぞれスピンコートにより乾燥膜厚２μｍになるよう塗布して撥液性感光性組成物層を形成した。 乾燥は１分間、
真空乾燥し、さらにホットプレートにて８０℃、１分間の条件で実施した。
その後、撥液性感光性組成物層形成面に対して、合成石英製のフォトマスクをギャップ１００μｍに保持し、線幅が３０μｍで線ピッチが１００μｍである直交格子状のマトリクスパターンを、３ｋＷ高圧水銀を用いて３００ｍＪ／ｃｍ２の露光条件にて露光を施した。
【０１７５】
次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）０．５重量％と特級エタノール２重量％を含有する水溶液を現像液として、２３℃において水圧０．１ＭＰａのシャワー現像を３０秒間実施したのち、水洗スプレーにて３０秒間水洗し、圧空で水気を切った。
その後これを２３０℃のオーブンで３０分間ポストベークし、撥液性感光性組成物層を用いて形成されたマトリクスパターンを有する基板を得た。
なお、この撥液性感光性組成物層のマトリクスパターンの形成工程は、紫外光をカットしたイエロー光の下で実施した。
【０１７６】
＜インクジェット成膜＞
実施例１にて得られた組成物（Ａ）（１．５ｇ）を、真空脱泡処理した後、インクジェットカートリッジＤＭＣ−１１６１０（富士フィルムダイマティクス社製）に充填し、インクジェットプリンタＤＭＰ−２８３１（富士フィルムダイマティクス社製）にて、上記手法によって作製された高さが２μｍ、開口幅が７０μｍ角で１００μｍ間隔の撥液性バンクにより区画化された領域に、１滴の液滴量が約１１ｐｌになるように吐出電圧を調整し、１区画（画素）あたり３滴を順番に着弾させた。また全体として１００区画×１００区画の領域、すなわち１０ｍｍ角の面積の領域に着弾させた。その後、塗布された液滴状の組成物を減圧条件（１Ｔｏｒｒ以下）にて予備乾燥させ、次いで１３０℃の真空オーブンにて１時間の焼成を行い、マトリクスパターン状の発光層膜を得た。
【０１７７】
＜発光層膜形状の測定＞
上記の通りインクジェット塗布された発光層のうち、１０ｍｍ角の領域の４隅より１０区画×１０区画分内側の部分のバンク内画素膜厚形状の状態を光学顕微鏡（ＯＬＹＭＰＵＳ社製）及び三次元非接触式表面形状測定器Ｖｅｒｔｓｃａｎ（菱化システム社製）によって観察、測定した。その結果を表３に示す。
（実施例５）
実施例４において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を実施例２で得られた組成物（Ｂ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１７８】
（実施例６）
実施例４において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を実施例３で得られた組成物（Ｃ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１７９】
（比較例２）
実施例６において、＜インクジェット成膜＞での組成物（Ａ）を比較例１で得られた組成物（Ｄ）に変更した他は、実施例４と同様にして、＜インクジェット成膜＞及び＜発光層膜形状の測定＞を行った。
その結果を表３に示す。
【０１８０】
【表３】
【０１８１】
表３に示すが如く、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いた場合、発光層の膜形状は均一である。つまり、素子とした場合に、膜が不均一に形成された場合に生じる電流集中が起きにくい為、駆動寿命が長い。また、この様な膜を有する有機電界発光素子は、短絡やダークスポットが生じない。
【産業上の利用可能性】
【０１８２】
本発明は、有機電界発光素子が使用される各種の分野、例えば、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯等の分野において、好適に使用することが出来る。
【符号の説明】
【０１８３】
１ 基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ バンク
６ 発光層
７ 陰極
８ 電子注入層
９ 電子輸送層
１０ａ〜１０ｄ 有機電界発光素子
１１ 電子阻止層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、
下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【請求項２】
濃縮前の溶質濃度Ｃが、０．２重量％以上、５．０重量％以下で、
濃縮前の粘度μが、１．０ｃＰ以上、５．０ｃＰ以下であることを特徴とする、
請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
非発光性のポリマーを、固形分に対して１重量％以上、５０重量％未満含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項４】
非発光性ポリマーがストレートシリコーンオイルであることを特徴とする、請求項３に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、インクジェット法又はノズルプリント法で膜を形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも一層が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物で形成された有機層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
請求項６に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【請求項１】
低分子化合物と溶媒とを含有する有機電界発光素子用組成物であって、
下記式（１）から算出される増粘係数ｎが０．２以上であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
μc＝μ×ｅｘｐ（ｎ×（Ｃc／Ｃ−１）） （１）
（式中、ｎは増粘係数、
Ｃは濃縮前の溶質濃度（重量％）、
Ｃcは濃縮後の溶質濃度（重量％）、
μは濃縮前の粘度（ｃＰ）、
μcは濃縮後の粘度（ｃＰ）、
を表す。）
【請求項２】
濃縮前の溶質濃度Ｃが、０．２重量％以上、５．０重量％以下で、
濃縮前の粘度μが、１．０ｃＰ以上、５．０ｃＰ以下であることを特徴とする、
請求項１に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
非発光性のポリマーを、固形分に対して１重量％以上、５０重量％未満含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項４】
非発光性ポリマーがストレートシリコーンオイルであることを特徴とする、請求項３に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて、インクジェット法又はノズルプリント法で膜を形成することを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に、陽極及び陰極、該陽極及び陰極の間に配置された有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層の少なくとも一層が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物で形成された有機層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
請求項６に記載の有機電界発光素子を備えたことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【図１】
【図３】
【図２】
【図３】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−１０９２８６（Ｐ２０１２−１０９２８６Ａ）
【公開日】平成２４年６月７日（２０１２．６．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６１６６４（Ｐ２００９−６１６６４）
【出願日】平成２１年３月１３日（２００９．３．１３）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月７日（２０１２．６．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１３日（２００９．３．１３）
【出願人】（０００００５９６８）三菱化学株式会社 (4,356)
【Ｆターム（参考）】
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