有機ＥＬ表示装置および電子機器
【課題】低コスト化を図りつつ表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、各画素において、下部電極１４の一部または全部がバンク層１５の開口部１５ａの基板側の周縁部から離間して設けられている。機能層１６を成膜する際の乾燥工程において、機能層１６に局所的に部分が薄膜化するが、上記構成により、その薄膜化部分が、下部電極１４から離れた位置に形成され易くなる（下部電極１４に対応する実質的な発光領域では機能層１６の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。下部電極１４および上部電極１８間における電気的短絡の発生が抑制される。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置１は、各画素において、下部電極１４の一部または全部がバンク層１５の開口部１５ａの基板側の周縁部から離間して設けられている。機能層１６を成膜する際の乾燥工程において、機能層１６に局所的に部分が薄膜化するが、上記構成により、その薄膜化部分が、下部電極１４から離れた位置に形成され易くなる（下部電極１４に対応する実質的な発光領域では機能層１６の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。下部電極１４および上部電極１８間における電気的短絡の発生が抑制される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は、自発光型の表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する発光層等の機能層は、低分子材料と高分子材料とに大別されるが、それらの成膜手法としては、低分子材料では真空蒸着法等の乾式法が用いられている。高分子材料では、スピンコーティング、インクジェット、ノズルジェット等の吐出系印刷法、あるいはフレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転印刷等の有版印刷法が用いられている。
【０００４】
上記のうち、真空蒸着法等の乾式法では、機能層材料を溶媒に溶解させる必要がないため、溶媒を除去する工程が不要である等の利点はあるが、メタルマスクを用いた塗り分けが難しい。このため、乾式法は、設備製造コストの面から、特にパネルの大型化、量産化に不向きである。そこで、パネルの大型化や量産化にも比較的容易に対応可能な印刷方式が注目されている。
【０００５】
印刷方式による成膜手法では、具体的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等を含む回路基板上に、画素毎に下部電極を形成した後、この下部電極に対向して開口部を有する画素分離膜（いわゆるバンク）を形成する。そして、成膜した画素分離膜に撥液処理を施した後、上記機能層材料を含む溶液を塗布し、乾燥させることで、各開口部に機能層を形成することができる。ところが、このような溶液の塗布および乾燥の工程を経る場合、画素分離膜と下部電極との濡れ性が異なるために、乾燥時にそれらの界面付近において機能層が薄膜化し、電気的短絡を発生させる要因となる。これによって、表示画質が劣化する問題がある。
【０００６】
そこで、上記のような画素分離膜と下部電極との間に、無機材料層を別途設ける（バンクを２層構造とする）ことにより、乾燥工程で生じる薄膜化部分が下部電極に接しないようにする手法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報
【特許文献２】特開２００５−３２６７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１，２の手法では、無機材料層を別途形成しなければならず（バンクを２段階の工程で形成しなければならず）、工程数や部品点数が増え、低コスト化を実現しにくいという問題がある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、低コスト化を図りつつ表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、複数の画素はそれぞれ、基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有するものである。第１電極は、その一部または全部が開口部の基板側の周縁部から離間して設けられている。
【００１１】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、画素分離膜の各開口部に対応して設けられ、基板側から順に第１電極、有機発光層を含む機能層および第２電極を有する画素において、第１電極の一部または全部が開口部の周縁部から離間して設けられている。これにより、成膜時に生じる機能層の薄膜化部分が、第１電極から離れた位置に形成され易くなる（第１電極に対応する実質的な発光領域では機能層の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。このため、第１電極および第２電極間における電気的短絡の発生が抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、画素分離膜における各開口部に対応して、基板側から順に第１電極、有機発光層を含む機能層および第２電極を有する画素を設け、その第１電極の一部または全部を、開口部の周縁部から離間して設けるようにしたので、成膜時に生じる機能層の厚みむらが発光領域に対向して形成されないようにすることができる。これにより、画素分離膜と第１電極との間に、短絡防止用の他の層を別途形成することなく、発光領域での電気的短絡の発生を抑制することができる。よって、低コスト化を図りつつ、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】図１に示した基板上の駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ素子（画素）の詳細断面構成を表す図である。
【図５】図１に示したバンク層の開口部付近の拡大断面図である。
【図６】下部電極およびバンク層の平面構成の一例を表す図である。
【図７】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】比較例１に係る有機ＥＬ素子における主要部分の構成を表す断面図である。
【図１３】比較例２に係る有機ＥＬ素子における主要部分の構成を表す断面図である。
【図１４】下部電極および開口周縁部間の距離と開口率の関係を表す特性図である。
【図１５】下部電極および開口周縁部間の距離と素子寿命の関係を表す特性図である。
【図１６】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１７】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１８】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１９】変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２０】上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２１】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（層間絶縁膜（親液性）上において、下部電極がバンク層（撥液性）の開口部の周縁部から離間して配設された例）
２．変形例１（画素位置に応じて離間距離が異なる場合の例）
３．変形例２（基板上に有機平坦化膜を形成する場合の例）
４．適用例（電子機器への適用例）
【００１６】
＜実施の形態＞
［有機ＥＬ表示装置の構成］
図１は、本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばフルカラー表示が可能な有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものである。この有機ＥＬ表示装置１では、例えば、駆動基板１０上に、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する複数の画素として、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂが例えばマトリクス状に配置されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、駆動基板１０上において、画素分離膜としてのバンク層１５によって区画された領域（開口部１５ａ）にそれぞれ設けられている。
【００１７】
（駆動基板１０）
駆動基板１０は、基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１および配線層１２等を含む駆動回路（後述の画素駆動回路１４０等）が配設されたものである。例えば、ＴＦＴ１１は、ゲートおよびソース・ドレイン等の電極配線層と、チャネルを形成する半導体層と、層間絶縁膜１１ａ，１１ｂとが積層されてなるものであり、配線層１２は、例えば層間絶縁膜１１ｂ上に形成されている。これらのＴＦＴ１１および配線層１２を覆うように、層間絶縁膜１３（無機絶縁膜）が設けられている。本実施の形態では、この層間絶縁膜１３の表面が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよびバンク層１５の形成面となっている。
【００１８】
基板１０ａは、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる。ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素駆動回路１４０における駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２に相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。層間絶縁膜１１ａ，１１ｂは、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および窒化チタン（ＴｉＮ）のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜もしくは混合組成物膜である。配線層１２は、導電性金属よりなり、例えばＴＦＴ１１のドレインに導通するものである。この配線層１２は、下部電極１４との接続面には、下部電極１４に対する接触抵抗が小さな金属またはそのような金属酸化物を有することが望ましい。配線層１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等からなるか、あるいはアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）をモリブデンまたはチタンで被覆したものでもよい。
【００１９】
層間絶縁膜１３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜よりなる。あるいは、酸窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）を含んでいてもよく、更には、導電性を有さない金属酸化物を含んでいてもよい。この層間絶縁膜１３には、配線層１２の表面まで貫通するコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールを埋め込むように下部電極１４が設けられている。これにより、下部電極１４と配線層１２とが電気的に接続され、下部電極１４を介して有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれに所定の電位が供給されるようになっている。
【００２０】
本実施の形態では、この層間絶縁膜１３が、後述のバンク層１５よりも、機能層１６の成膜時に使用される有機溶媒に対して濡れ性が高くなっており、ここでは親液性膜として機能する。詳細は後述するが、このような層間絶縁膜１３の表面に、下部電極１４と、撥液性を有するバンク層１５とが配設されている。
【００２１】
図２は、駆動基板１０の駆動回路の一例を表すものである。駆動基板１０では、表示領域１１０に画素駆動回路１４０が設けられ、表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。図３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２（前述のＴＦＴ１１の相当）と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）を有している。
【００２２】
画素駆動回路１４０では、列方向に信号線１２０Ａ、行方向に走査線１３０Ａがそれぞれ複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差部が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２３】
（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはそれぞれ、駆動基板１０上に、陽極としての下部電極１４、後述する発光層１６ｃを含む機能層１６、および陰極としての上部電極１８がこの順に積層されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層１９により被覆されており、更にこの保護層１９上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂等の接着層（図示せず）によってガラス等よりなる封止用基板２０が貼り合わされており、これによって表示領域全体が封止されている。
【００２４】
下部電極１４は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素毎に設けられている。下部電極１４は、例えば厚みが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、ボトムエミッション型の場合には、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜により構成されている。この下部電極１４は、トップエミッション型の場合には、光反射性に優れた（反射率４０％以上が望ましい）導電性材料を用いて構成される。この下部電極４は、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金よりなる。あるいは、下部電極１４は、それらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、ＩＴＯ、ＩｎＺｎＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。尚、下部電極１４が陽極として機能する場合には、下部電極１４は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましいが、そうでない材料（例えば、アルミニウム合金等）であっても、適切な正孔注入層を別途設けることによって下部電極１４として使用することができる。
【００２５】
図４は、有機ＥＬ素子（画素）の断面構造の一例を表すものである。このように、機能層１６は、下部電極が陽極として機能する場合、例えば、下部電極１４側から順に、正孔注入層１６ａ，正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃを積層したものである。尚、発光層１６ｃとしては、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれにおいて対応する色の発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）が設けられている。一方、発光層１０ｃ以外の、正孔注入層１６ａおよび正孔輸送層１６ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各画素に共通の層となっている。また、機能層１６（発光層１６ｃ）と上部電極１８との間には、各素子に共通して電子輸送層１７が設けられている。尚、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構造は、これに限定されず、他の層（例えば電子注入層等）を備えていてもよく、また、発光層の一部が共通の層となっていてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇにはそれぞれ対応する赤色，緑色の発光層が設けられ、青色の発光層は有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通の層として設けられていてもよい。
【００２６】
正孔注入層１６ａは、発光層１６ｃへの正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔注入層１６ａは、高分子材料からなり、印刷法によって成膜されるものである。その高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は１万〜３０万の範囲であればよく、特に５０００〜２０万程度が好ましい。また、２０００〜１万程度のオリゴマーを用いてもよいが、重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００未満では正孔輸送層以後の層を形成する際に、正孔注入層が溶解してしまうおそれがある。また３０万を超えると材料がゲル化し、成膜が困難になる。尚、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ；Gel Permiation Chromatography）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。このような正孔注入層１６ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択されればよいが、例えばポリアニリン、オリゴアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が挙げられる。正孔注入層１６ａの厚みは、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２７】
正孔輸送層１６ｂは、発光層１６ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。この正孔輸送層１６ｂについても、上記正孔注入層１６ａと同様、高分子材料からなり、印刷法によって成膜される。その重量平均分子量（Ｍｗ）は５万〜３０万であることが好ましく、特に１０万〜２０万であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が５万未満では、発光層１６ｃを形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、これによって有機ＥＬ素子の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こすおそれがある。一方、３０万を越えると、材料がゲル化するため、成膜が困難になる。このような正孔輸送層１６ｂを構成する高分子材料としては、後述の有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリアニリン、ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロール等が挙げられる。この正孔輸送層１６ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２８】
発光層１６ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。この発光層１６ｃは、高分子（発光）材料を含み、印刷法によって成膜されるものである。発光層１６ｃを構成する高分子材料としては、発光色毎に以下のものが挙げられる。例えば、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒおよび緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇでは、発光層１６ｃの高分子材料として、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン、ペリレン、９，１０ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６等を用いることができる。青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂでは、ホスト材料としてアントラセン誘導体を用い、低分子蛍光材料、燐鉱色素あるいは金属錯体などをドープ材料として用いることができる。この発光層１６ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２９】
これらの正孔注入層１６ａ，正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃの成膜時には、上記のような高分子材料を、例えばトルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、ブサイドクメン（１，２，４−トリメチルベンゼン）、ジハイドロベンゾフラン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、ｐ−アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、３−メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレン等のうちの少なくとも１種を含む有機溶媒に溶解させた溶液が用いられる。
【００３０】
電子輸送層１７は、発光層１６ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。この電子輸送層１７の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【００３１】
上部電極１８は、例えば、厚みが２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、金属導電膜により構成されている。具体的には、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの少なくとも１種を含む単体金属または合金が挙げられる。あるいは、ＩＴＯ等の透明導電膜が用いられてもよい。この上部電極１８は、下部電極１４と絶縁された状態で機能層１６上に形成され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極となっている。
【００３２】
尚、電子輸送層１７と上部電極１８との間には、図示しない電子注入層が設けられていてもよい。電子注入材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、更にはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。あるいは、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、更にはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム等の仕事関数の小さい金属を用いてもよい。
【００３３】
（バンク層１５）
バンク層１５は、開口部１５ａを複数有しており、上記のような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける下部電極１４と上部電極１８との絶縁性を確保すると共に、それぞれの画素領域を区画（分離）するためのものである。バンク層１５はまた、後述の製造工程において機能層１６を印刷形成する際、隣接画素への影響なく機能層１６の塗り分けを行うための隔壁としても機能するものである。このようなバンク層１５は、機能層１６の成膜時に使用される有機溶媒に対して濡れ性が低い状態（撥液状態）に保たれている。詳細には、バンク層１５は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂等のうちのいずれかよりなり、その表面に所定の撥液処理（例えば、フッ素ガスを用いたプラズマ処理等）を施したものである。あるいは、フッ素を含有する撥液性樹脂により構成されていてもよい。このバンク層１５の厚みは、例えば３００ｎｍ〜３０００ｎｍである。
【００３４】
このようなバンク層１５の開口部１５ａには、上述のように有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられるが、本実施の形態では、下部電極１４が開口部１５ａ内の所定の位置に設けられ、この下部電極１４を覆うように機能層１６が形成されている。以下、そのような開口部１５ａ付近の詳細構成について説明する。
【００３５】
（バンク層１５の開口付近の詳細構成）
図５は、バンク層１５の開口部１５ａ付近の断面構造を拡大したものである。図６は、バンク層１５の開口部１５ａに配置した下部電極１４を上面側からみたものである。尚、図５では、主要部分のみの構成を示している。このように、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各下部電極１４が、開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。ここでは、下部電極１４は、例えば矩形状の面形状を有しており、その矩形状における４辺に対応する端部１４ｅがそれぞれ、開口部１５ａの周縁部１５ｅから、距離Ｄ（離間距離）だけ間隔をあけて配置されている。即ち、ここでは、駆動基板１０上に設けられた層間絶縁膜１３の表面の一部が、バンク層１５および下部電極１４間の領域において露出しており、この露出した領域と下部電極１４とを覆うように機能層１６が設けられている。更に言い換えると、バンク層１５は、下部電極１４ではなく、層間絶縁膜１３の表面に接して設けられている。
【００３６】
このように機能層１６は、下部電極１４と、下部電極１４とバンク層１５との間の領域を覆うように設けられるが、この機能層１６は、成膜過程において生じる厚みむらを有している。詳細には、機能層１６は、印刷法によって成膜されるが、有機溶媒の乾燥工程において、局所的に薄膜化する部分（薄膜化部分Ａ）を生じる（詳細は後述）。本実施の形態では、このような機能層１６の薄膜化部分Ａが、開口部１５ａの周縁部１５ｅと、下部電極１４の端部１４ｅとの間の領域（つまり、露出した層間絶縁膜１３上の領域）に形成されている。換言すると、機能層１６は、少なくとも下部電極１４に対向する領域において略均一な厚みで形成されている。この下部電極１４に対向する領域が実質的な発光領域（発光領域１０Ｌ）となる。
【００３７】
上記のような距離Ｄ（μｍ）は、具体的には５μｍ以上であることが望ましく、以下の式（１）を満足することがより望ましい。更に望ましくは、以下の式（１），（２）を満足するとよい。但し、Ｂ（μｍ）を、隣り合う下部電極１４同士の間の幅とする。また、詳細には、図６に示したように、Ｘ方向，Ｙ方向のそれぞれに沿って２種類の幅Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）が存在するため、これらの幅Ｂ１，Ｂ２の両方において、以下の式（１），（２）が成り立つことがより望ましい。
５≦Ｄ≦（１／２）×（Ｂ−１５） ………（１）
２５≦Ｂ ………（２）
【００３８】
距離Ｄが小さくなり過ぎる場合、具体的には５μｍ未満である場合、下部電極１４の直上の領域、つまり発光領域１０Ｌに重畳して薄膜化部分Ａが形成されてしまい、発光領域１０Ｌにおける膜厚の均一性が得られない。即ち、実質開口率を低下させることとなるため、距離Ｄは５μｍ以上であることが望ましい。一方、距離Ｄが大きくなり過ぎると、発光領域１０Ｌに寄与しない面積が増えるため不要材料（機能層１６において発光に寄与しない有機材料）が増加し、また、下部電極４のサイズ自体を小さくする必要が生じることもあるため、逆に開口率を低下させてしまう。このため、距離Ｄの上限は、上記式（１）のように設定することが望ましい。尚、この式（１）の上限においては、Ｂが１５μｍ以上であることを必要条件とするが、これは、次のような理由に基づくものである。即ち、機能層１６の成膜プロセスでは、機能層材料（インク）をバンク層１５によって囲まれた領域に滴下するが、この際、インクをバンク層１５の上面にまで盛り上がるように滴下する（例えば後述の図９参照）。このため、下部電極１４同士の間隔が狭くなり過ぎると（Ｂが小さ過ぎると）、隣接画素にインクがはみ出し、発光不良の原因となる。Ｂが１５μｍ以上であれば、そのような隣接画素への影響が抑制されることが実験的にわかっているため、このことを加味して、上記式（１）の上限が設定されている。
【００３９】
尚、ここでは、下部電極１４の４つの端部１４ｅのそれぞれから周縁部１５ｅまでの各距離が等しいように図示しているが、必ずしも下部電極１４の各端部１４ｅが周縁部１５ｅから同じ距離だけ離れている必要はなく、各辺に対応する端部１４ｅ毎にそれぞれ離間距離が異なっていてもよい。また、必ずしも全ての端部１４ｅが周縁部１５ｅから離れていなくとも、少なくとも一部において、下部電極１４とバンク層１５が離間して配置されていればよい。例えば、下部電極１４の一部、例えば４辺のうちの１辺に対応する端部１４ｅが、周縁部１５ｅに接し（あるいはバンク層１５に重畳して形成され）、他の３辺に対応する端部１４ｅが周縁部１５ｅから離間して配置されたような構成であってもよい。
【００４０】
保護層１９は、例えば厚みが２〜３μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４１】
封止用基板２０は、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。この封止用基板２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２０には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光を取り出すと共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間および配線等において反射された外光を吸収して、コントラストを改善することができる。カラーフィルタは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して配置された赤色，緑色および青色のフィルタを有し、各色のフィルタは顔料を混入した樹脂よりなる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。
【００４２】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図７〜図１２は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法を工程順に表したものである。
【００４３】
まず、上述のように無機材料よりなる層間絶縁膜１３を最表面に有する（ＴＦＴ１１および配線層１２を覆う層間絶縁膜１３を有する）駆動基板１０を用意する。尚、層間絶縁膜１３は、上述のようにＳｉＯ2等の無機絶縁材料からなり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により成膜することができる。このような駆動基板１０において、層間絶縁膜１３の配線層１２に対応する領域に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）技術を用いて、コンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを埋め込むように上述した材料よりなる下部電極１４を成膜する。
【００４４】
この後、図７（Ａ）に示したように、成膜した下部電極１４を、所定の幅Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）の矩形状にパターニングする。続いて、駆動基板１０の全面に渡ってバンク層１５となる樹脂材料を成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法により、下部電極１４に対応する領域に開口部１５ａを形成する。この際、図７（Ｂ）に示したように、開口部１５ａを、その周縁部１５ｅが、下部電極１４の端部１４ｅから所定の距離Ｄだけ離間するように形成する。距離Ｄの調整は、下部電極１４のサイズではなく、バンク層１５の開口部１５ａのサイズを変更することにより行うとよい。即ち、開口部１５ａの形成時には所定の開口部１５ａの形成位置に対応して開口が設けられたフォトマスクを使用するが、そのフォトマスクにおける開口の形状や大きさを適宜設定することにより、距離Ｄを設定すればよい。また、そのような距離Ｄが、上述の式（１）を満たすようにすることが望ましい。
【００４５】
続いて、図８に示したように、形成したバンク層１５の表面に撥液処理を施す。撥液処理としては、例えばフッ素ガスまたはその混合ガスを用いた平行平板型のプラズマ処理等が挙げられる。尚、この撥液処理では、有機材料からなるバンク層１５のみが撥液化され、無機材料からなる下部電極１４および層間絶縁膜１３については、撥液化されずに親液性が保たれる。
【００４６】
次に、バンク層１５の複数の開口部１５ａ内に、上述した材料よりなる機能層１６を印刷法（湿式法）により形成する。具体的には、まず図９（Ａ）に示したように、機能層材料１６０（ここでは、例えば正孔注入材料を構成するポリアニリンまたはポリチオフェン等の溶液または分散液）を、液滴吐出法等を用いて塗布する。液滴吐出法等としては、例えばインクジェット法、スリットコート法およびノズルコート法等が挙げられる。このようにして滴下された機能層材料１６０は、バンク層１５と下部電極１４（および層間絶縁膜１３）との間の濡れ性の違いにより、バンク層１５の開口部１５ａ内に凝集される（図９（Ｂ））。尚、印刷法としては、上記のような液滴吐出法によるものの他、有版印刷法等を用いてもよい。
【００４７】
続いて、図１０に示したように、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、各開口部１５ａ内に機能層１６（ここでは、正孔注入層１６ａ）を形成する。具体的には、溶媒または分散媒を乾燥後、高温で加熱する。正孔注入材料としてポリアニリンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いる場合、大気雰囲気、もしくは酸素雰囲気が好ましい。酸素による導電性高分子の酸化により、導電性が発現しやすくなるためである。また、加熱温度は、例えば１５０℃〜３００℃、時間は、温度や雰囲気にもよるが、例えば５分〜３００分程度である。
【００４８】
上記乾燥工程では、濡れ性の異なる層同士の間の界面（バンク層１５と層間絶縁膜１３との界面）付近が、乾燥の過程において薄膜化の起点となり、上述の薄膜化部分Ａの一部を形成する。一方、成膜された正孔注入層１６ａの下部電極１４に対応する領域（発光領域）では、膜厚が略均一となる。
【００４９】
この後、正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃを、上記と同様の塗布、乾燥および熱処理の各工程を経て成膜することにより、機能層１６を形成する。機能層１６において、これらの正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃは、上記正孔注入層１６ａの形状に倣って順次積層されるため、下部電極１４に対応する発光領域では略均一な膜厚となる。
【００５０】
尚、正孔輸送層１６ｂを成膜する際には、熱処理工程を、窒素（Ｎ2）を主成分とする雰囲気中で行うことが好ましい。酸素や水分があると、作成された有機ＥＬ表示装置の発光効率や寿命が低下するおそれがあるため、酸素濃度は、例えば１００ｐｐｍ以下とするとよい。また、加熱温度は、例えば１００℃〜２３０℃とすることが望ましい。また、発光層１６ｃを成膜する際、詳細には、各色発光層が所定の位置に配されるように、塗布工程において、赤色発光材料、緑色発光材料および青色発光材料を複数の開口部１５ａのうちの選択的な開口部１５ａにそれぞれ塗布するようにする。具体的には、各色発光層の構成材料である高分子材料および低分子材料を、例えばキシレンとシクロヘキシルベンゼンを２：８に混合した溶媒に溶解した混合溶液または分散液を、正孔輸送層１６ｂ上に塗布する。
【００５１】
次に、図１１に示したように、機能層１６上の全面にわたって、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１７および上部電極１８をこの順に形成する。尚、この電子輸送層１７と上部電極１８との間に電子注入層を形成するようにしてもよい。これらの電子輸送層１７および上部電極１８（電子注入層を形成する場合には電子注入層についても）は、大気に暴露されることなく同一の成膜装置内において連続的に成膜される。このような連続成膜により大気中の水分による機能層１６の劣化が防止される。
【００５２】
上部電極１８を形成した後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護層１９を形成する。この後、例えば保護層１９上に、接着層（図示せず）を介して封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１が完成する。
【００５３】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、発光層１６ｃにおいて正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には下部電極１４および駆動基板１０を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には、上部電極１８，カラーフィルタ（図示せず）および封止用基板２０を透過してそれぞれ取り出される。
【００５４】
この有機ＥＬ表示装置１において、本実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素に対応する画素領域がバンク層１５の開口部１５ａによって区画され、この開口部１５ａに下部電極１４、発光層１６ｃを含む機能層１６が順に設けられている。このような開口部１５ａにおいて、下部電極１４は、開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。この開口部１５および下部電極１４の配置による作用効果について、以下に比較例（比較例１，２）を挙げて説明する。
【００５５】
（比較例１）
図１２は、比較例１に係るバンク層の開口部と下部電極との配置関係について示したものである。この比較例１においても、本実施の形態と同様、層間絶縁膜１０３上に下部電極１０４が配設されており、この下部電極１０４が配線層１０２と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１０３および下部電極１０４上には、画素分離のためのバンク層１０５が設けられ、バンク層１０５は下部電極１０４に対応する領域に開口部１０５ａを有している。そして、この開口部１０５ａ内における下部電極１０４上に、発光層を含む機能層１０６が、機能層材料を含む溶液の塗布工程、および溶媒の乾燥工程を含む印刷法により成膜されるようになっている。即ち、比較例１では、下部電極１０４の表面（上面）に開口部１０５ａの周縁部１０５ｅが配置されており、このため下部電極１０４の開口部１０５ａによって露出した部分に対応する領域が発光領域（発光領域１００ａ）となる。
【００５６】
ところが、この比較例１のように、下部電極１０４上に開口部１０５の周縁部１０５ｅが配置されている場合、機能層１０６の成膜過程（溶媒の乾燥工程）において、次のような不具合が生じる。即ち、機能層材料は、乾燥の過程において、バンク層１０５（撥液性）と下部電極１０４（親液性）との界面付近を起点として薄膜化し、これにより開口部１０５ａの周縁部１０５ｅ付近に薄膜化部分Ａ１００が形成される。即ち、発光領域１００ａ内に薄膜化部分Ａ１００が形成され、機能層１０６の発光に寄与する部分に膜厚のむらが生じる。この結果、上下電極間での電気的短絡が発生し易くなり、表示画質が低下してしまう。
【００５７】
（比較例２）
図１３は、比較例２に係るバンク層の開口部と下部電極との配置関係（２段バンク構造）について示したものである。この比較例２においても、本実施の形態および比較例１と同様、層間絶縁膜１０３上に下部電極１０４が配設されており、この下部電極１０４が配線層１０２と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１０３および下部電極１０４上には、画素分離のためのバンク層１０５が設けられ、バンク層１０５は下部電極１０４に対応する領域に開口部１０５ａを有している。そして、この開口部１０５ａ内における下部電極１０４上に、発光層を含む機能層１０６が、機能層材料を含む溶液の塗布工程、および溶媒の乾燥工程を含む印刷法により成膜されるようになっている。但し、比較例２では、上記比較例１と異なり、下部電極１０４とバンク層１０５との間に、例えばＳｉＯ2等よりなる無機絶縁膜１０７が設けられている。詳細には、下部電極１０７上に、開口部１０７ａを有する無機絶縁膜１０７が設けられ、この無機絶縁膜１０７上にバンク層１０５が形成されている。即ち、比較例２では、バンク層１０５の周縁部１０５ｅは、無機絶縁膜１０７上に配置され、下部電極１０４のうち、無機絶縁膜１０７の開口部１０７ａによって露出した部分に対応する領域が発光領域（発光領域１００ｂ）となる。
【００５８】
この比較例２のように、バンク層１０５と下部電極１０４との間に無機絶縁膜１０７を設けることで、機能層材料は、乾燥の過程において、バンク層１０５（撥液性）と無機絶縁膜１０７（親液性）との界面付近を起点として薄膜化する。これにより、開口部１０５ａの周縁部１０５ｅ付近において薄膜化部分Ａ１０１が形成されるが、発光領域１００ｂでは機能層１０６の膜厚むらの発生が抑制される。しかしながら、この比較例２の手法では、下部電極１０４を形成した後、バンク層１０５を形成する前に、無機絶縁膜１０７を成膜してパターニングする工程を要するため、工程数および部品点数が増え、低コスト化を実現しにくい。
【００５９】
これに対し、本実施の形態では、図４に示したように、層間絶縁膜１３上において、バンク層１５の各開口部１５ａでは、下部電極１４の一部または全部が開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して設けられている。即ち、バンク層１５と下部電極１４との間の領域に、親液性を有する層間絶縁膜１３が露出している。これにより、機能層１６の成膜時には、機能層材料（ここでは正孔注入材料）がバンク層１５と露出した層間絶縁膜１３との界面付近（開口部１５ａの周縁部１５ｅ付近）を起点として薄膜化する。これにより、薄膜化部分Ａが、下部電極１４から離れた位置に形成され易くなる（下部電極１４に対応する実質的な発光領域１０Ｌでは機能層１６の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。このため、下部電極１４および上部電極１８間における電気的短絡の発生が抑制される。
【００６０】
以上のように本実施の形態では、下部電極１４が、バンク層１５における開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配置されることにより、下部電極１４に対応する発光領域１０Ｌでは、機能層１６が略均一な膜厚で形成されるため、電気的短絡の発生を抑制できる。また、短絡防止用の層（上記比較例２の無機絶縁膜１０７）を別途設けることなく、即ちバンク層１５の開口部１５ａのサイズを調整するだけでよい（バンク層１５のパターニング時のマスクを変更するだけでよい）ため、工程数および部品点数を増加させることもない。よって、低コスト化を図りつつ表示画質を向上させることが可能となる。
【００６１】
（実施例）
上述のように、下部電極１４をバンク層１５から離間して配設した画素構造において、実質開口率および寿命について評価を行った。この際、まず、実施例として、以下のようなサンプルを形成した。即ち、基板１０ａとしてガラス基板（２５ｍｍ×２５ｍｍ）を用意し、この基板１０ａ上に、層間絶縁膜１３としてのＳｉＯ2層（膜厚３００ｎｍ）を形成した後、ＩＴＯ（膜厚６０ｎｍ）を成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、下部電極１４を形成した。この後、バンク層１５としては、ポリイミド樹脂材料を用い、開口部１５ａの形成後、熱処理（２３０℃、１時間）を施した。この後、酸素プラズマにより下部電極１４の洗浄を行った後、ＣＦ4ガスを用いたプラズマ処理により、バンク層１５の撥液処理を行った。
【００６２】
このようにして形成したバンク層１５上に、正孔注入層１６ａとして、日産化学工業株式会社製ＮＤ１５０１（商品名）を、ノズルコート法により塗布し、大気中で２３０℃３０分間ベークした。続いて、正孔輸送層１６ｂとして、正孔輸送材料をキシレンもしくはキシレンの沸点より高い溶媒もしくは混合溶媒で溶解させたＴＨＦ溶液をノズルコート法で塗布した。この後、塗布装置内を負圧の状態まで排気し、溶媒を真空乾燥させた後、１８０℃３０分でベークした。続いて、発光層１６ｃとしては、Ｂ画素にはイリジウム錯体を含む青色発光の高分子材料ＢＰＰ、Ｇ画素には緑色発光の高分子材料ＧＰＰ、Ｒ画素には赤色発光の高分子材料ＲＰＰに低分子材料をそれぞれ用いた。発光層１６ｃについても、塗布装置内を負圧の状態まで排気し、溶媒を真空乾燥させた後、１３０℃で３０分ベークした。この後、電子輸送層１７および上部電極１８をそれぞれ真空蒸着により成膜した。
【００６３】
上記のような構造において、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの間の距離Ｄを、１μｍ〜１５μｍの間で段階的に変化させて開口率および素子寿命を測定した。但し、これらの開口率および素子寿命は、上記比較例２で説明したような２段バンク構造を採用した場合の開口率および素子寿命をそれぞれ１００とした場合の相対値として示してある。尚、比較例２の２段バンク構造（無機絶縁膜１０７とバンク層１０５との２段構造）では、無機絶縁膜１０７として膜厚５０ｎｍのＳｉＯ2を用い、バンク層１０５として膜厚１μｍのポリイミド樹脂を用いた。このようにして測定した距離Ｄと開口率の関係を図１４、距離Ｄと素子寿命との関係を図１５にそれぞれ示す。
【００６４】
図１４および図１５に示したように、距離Ｄが大きくなるに従って、機能層１６の膜厚の均一性が確保され易くなり、開口率および素子寿命が向上していることがわかる。特に、距離Ｄが５μｍ以上であると、２段バンク構造を形成する場合をほぼ同等の効果が得られることもわかる。即ち、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの間の距離Ｄは５μｍ以上であることが望ましいことが実験により明らかとなった。
【００６５】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６６】
＜変形例１＞
図１６〜図１８は、変形例１に係る下部電極１４とバンク層１５の開口部１５との配置関係について説明するためのものである。上記実施の形態では、機能層１６の成膜時において、機能層材料を例えば液滴吐出法により塗布することを述べたが、この際、具体的には、塗布装置に設けられたノズルから所定量の機能性材料を滴下していくことによって行う。ここで、塗布装置では、画素数（画素列の数）と同数のノズルを設けることは、ノズルヘッドの巨大化を招き装置が大掛かりなものとなる。そのため、図１６に示したように、塗布装置には所定数のノズルを設置し、所定の画素列毎に往復スキャンしつつ滴下することにより、基板全体に対して機能層材料を塗布することが望ましい。
【００６７】
このように、往復スキャンしつつ機能性材料を滴下していく場合、バンク層１５の端部（詳細には、往復スキャンの切り目となる端部）に位置する画素Ｐｅと、それ以外の画素Ｐｃ（例えば、中央部に位置する画素）とにおいて、乾燥後の機能層１６の膜厚に違いが生じる。このため、本変形例では、画素位置に応じて、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの距離Ｄを異なるように設定する。
【００６８】
具体的には、中央部にある画素Ｐｃでは、図１７に示したように、スキャン方向Ｓ１の進行方向に沿った方向において、下部電極１４の両側の領域Ｓａ，Ｓｂの幅（距離Ｄ）はいずれもｄ１となっている。これは、中央部のように端部以外にある画素では、スキャン方向Ｓ１に沿って隣接画素が存在するため、下部電極１４の両側において滴下量が同等となり、塗布、乾燥後の機能層１６の膜厚は略均一となる。
【００６９】
一方、端部にある画素Ｐｅでは、スキャン方向Ｓ１の進行方向に沿って隣接画素が存在しないため、領域Ｓａ，Ｓｂにおいて距離Ｄをいずれも画素Ｐｃと同等（＝ｄ１）とした場合、機能層１６の端部側において、薄膜化部分Ａ１が発光領域１０Ｌに重畳して形成され、いわゆるスワスムラといわれる膜厚むらが発生してしまう（図１８（Ａ））。これは、往復スキャンの切り目となる端部において、機能性材料の滴下部分と非滴下部分とが混在するためである。そのため、このような端部画素Ｐｅでは、端部側の領域Ｓｂにおける距離Ｄ（＝ｄ２）を他の画素における距離Ｄ（＝ｄ１）よりも大きくなるように設定する。
【００７０】
尚、距離Ｄを局所的に変化させる際には、下部電極１４のサイズは変更せずに、バンク層１５における開口部１５ａの開口面積を調整するとよい。
【００７１】
本変形例のように、画素位置に応じて距離Ｄを変化させるようにしてもよく、例えばスキャン端に位置する画素では距離Ｄを相対的に大きく、中央部に位置する画素では距離Ｄを相対的に小さく設定することができる。これにより、上記実施の形態と同等の効果を得ると共に、スワスムラを抑制して、表示領域の全域において、良好な表示画質を実現することができる。
【００７２】
＜変形例２＞
図１９は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表したものである。本変形例では、上記実施の形態と同様、駆動基板１０上に、複数の開口部１５ａを有するバンク層１５を有し、各開口部１５ａにおいて下部電極１４が開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。また、そのような下部電極１４上に、発光層１６ｃを含む機能層１６が印刷法により成膜されており、機能層１６上には電子輸送層１７および上部電極１８が設けられている。尚、図示は省略するが、この上部電極１８上には保護膜１９および封止用基板２０を備えている。
【００７３】
但し、本変形例では、駆動基板１０において、ＴＦＴ１１および配線層１２を覆って、層間絶縁膜１３と共に有機平坦化膜２１が設けられている。このような有機平坦化膜２１を用いる場合には、その有機平坦化膜２１を下部電極１４の下層にのみ配置する。あるいは、バンク層１５下に配置されていてもよい。但し、バンク層５の開口部１５ａの周縁部１５ｅに対向する領域には、層間絶縁膜１３が露出するようにする。
【００７４】
本変形例のように、駆動基板１０の所定の領域に有機平坦化膜２１が設けられていてもよい。このような構成であっても、無機材料よりなる層間絶縁膜１３が、少なくともバンク層１５の開口部１５ａの周縁部１５ｅに対向して形成されていれば、機能層１６の薄膜化部分を発光領域外に形成することができ、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７５】
＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００７６】
（モジュール）
上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、例えば、図２０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１０の一辺に、封止用基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられている。
【００７７】
（適用例１）
図２１は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００７８】
（適用例２）
図２２は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００７９】
（適用例３）
図２３は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８０】
（適用例４）
図２４は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８１】
（適用例５）
図２５は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８２】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８３】
また、上記実施の形態等では、下部電極１４の全部（矩形状の全辺に対応する４つの端部の全て）が、バンク層１５の開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設された場合を例に挙げて説明したが、必ずしも全部において離間している必要はない。例えば、一部がバンク層１５と接触していてもよい。例えば、下部電極１４はその下層に設けられたドレイン電極等の配線層１２と電気的に接続されるが、その接続部分がバンク層１５と接触して形成されていてもよい。あるいは、そのような接続部分は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを埋め込むようにして形成されるため、通常、この接続部分に対応する領域では電極材料が沈みこみ、下部電極表面に窪みが生じる。このような窪み部分にバンク層が重畳して設けられていてもよい。
【００８４】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。また、上記実施の形態等では、青色以外の有機ＥＬ素子として赤色および緑色の有機ＥＬ素子を備えた表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、印刷法を用いて機能層を形成可能な表示装置全般に適用可能である。例えば、青色有機ＥＬ素子と黄色有機ＥＬ素子からなる表示装置への適用も可能である。
【００８５】
加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８６】
また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型あるいはボトムエミッション型である場合について説明したが、上面および下面の両方から光を取り出すタイプの有機ＥＬ表示装置にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１０ａ…基板、１１…ＴＦＴ、１２…配線層、１３…層間絶縁膜、１４…下部電極、１４ｅ…端部、１５…バンク層、１５ａ…開口部、１５ｅ…周縁部、１６…機能層、１６ａ…正孔注入層、１６ｂ…正孔輸送層、１６ｃ…発光層、１７…電子輸送層、１８…上部電極、１９…保護層、２０…封止用基板、２１…有機平坦化膜。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して画像表示を行う有機ＥＬ表示装置、およびそのような有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は、自発光型の表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。
【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する発光層等の機能層は、低分子材料と高分子材料とに大別されるが、それらの成膜手法としては、低分子材料では真空蒸着法等の乾式法が用いられている。高分子材料では、スピンコーティング、インクジェット、ノズルジェット等の吐出系印刷法、あるいはフレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転印刷等の有版印刷法が用いられている。
【０００４】
上記のうち、真空蒸着法等の乾式法では、機能層材料を溶媒に溶解させる必要がないため、溶媒を除去する工程が不要である等の利点はあるが、メタルマスクを用いた塗り分けが難しい。このため、乾式法は、設備製造コストの面から、特にパネルの大型化、量産化に不向きである。そこで、パネルの大型化や量産化にも比較的容易に対応可能な印刷方式が注目されている。
【０００５】
印刷方式による成膜手法では、具体的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）等を含む回路基板上に、画素毎に下部電極を形成した後、この下部電極に対向して開口部を有する画素分離膜（いわゆるバンク）を形成する。そして、成膜した画素分離膜に撥液処理を施した後、上記機能層材料を含む溶液を塗布し、乾燥させることで、各開口部に機能層を形成することができる。ところが、このような溶液の塗布および乾燥の工程を経る場合、画素分離膜と下部電極との濡れ性が異なるために、乾燥時にそれらの界面付近において機能層が薄膜化し、電気的短絡を発生させる要因となる。これによって、表示画質が劣化する問題がある。
【０００６】
そこで、上記のような画素分離膜と下部電極との間に、無機材料層を別途設ける（バンクを２層構造とする）ことにより、乾燥工程で生じる薄膜化部分が下部電極に接しないようにする手法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２４９３７５号公報
【特許文献２】特開２００５−３２６７９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１，２の手法では、無機材料層を別途形成しなければならず（バンクを２段階の工程で形成しなければならず）、工程数や部品点数が増え、低コスト化を実現しにくいという問題がある。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、低コスト化を図りつつ表示画質の劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、複数の画素はそれぞれ、基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有するものである。第１電極は、その一部または全部が開口部の基板側の周縁部から離間して設けられている。
【００１１】
本発明の電子機器は、上記本発明の有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器では、画素分離膜の各開口部に対応して設けられ、基板側から順に第１電極、有機発光層を含む機能層および第２電極を有する画素において、第１電極の一部または全部が開口部の周縁部から離間して設けられている。これにより、成膜時に生じる機能層の薄膜化部分が、第１電極から離れた位置に形成され易くなる（第１電極に対応する実質的な発光領域では機能層の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。このため、第１電極および第２電極間における電気的短絡の発生が抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ表示装置および電子機器によれば、画素分離膜における各開口部に対応して、基板側から順に第１電極、有機発光層を含む機能層および第２電極を有する画素を設け、その第１電極の一部または全部を、開口部の周縁部から離間して設けるようにしたので、成膜時に生じる機能層の厚みむらが発光領域に対向して形成されないようにすることができる。これにより、画素分離膜と第１電極との間に、短絡防止用の他の層を別途形成することなく、発光領域での電気的短絡の発生を抑制することができる。よって、低コスト化を図りつつ、表示画質の劣化を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２】図１に示した基板上の駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図３に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ素子（画素）の詳細断面構成を表す図である。
【図５】図１に示したバンク層の開口部付近の拡大断面図である。
【図６】下部電極およびバンク層の平面構成の一例を表す図である。
【図７】図１に示した有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を表す断面図である。
【図１２】比較例１に係る有機ＥＬ素子における主要部分の構成を表す断面図である。
【図１３】比較例２に係る有機ＥＬ素子における主要部分の構成を表す断面図である。
【図１４】下部電極および開口周縁部間の距離と開口率の関係を表す特性図である。
【図１５】下部電極および開口周縁部間の距離と素子寿命の関係を表す特性図である。
【図１６】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１７】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１８】変形例１に係る下部電極と開口部との配置関係を説明するための断面図である。
【図１９】変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表す図である。
【図２０】上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２１】上記実施の形態等の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２５】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（層間絶縁膜（親液性）上において、下部電極がバンク層（撥液性）の開口部の周縁部から離間して配設された例）
２．変形例１（画素位置に応じて離間距離が異なる場合の例）
３．変形例２（基板上に有機平坦化膜を形成する場合の例）
４．適用例（電子機器への適用例）
【００１６】
＜実施の形態＞
［有機ＥＬ表示装置の構成］
図１は、本発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置１）の断面構成を表すものである。有機ＥＬ表示装置１は、例えばフルカラー表示が可能な有機ＥＬテレビジョン装置等として用いられるものである。この有機ＥＬ表示装置１では、例えば、駆動基板１０上に、表示領域（後述の表示領域１１０）を構成する複数の画素として、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒ，緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇおよび青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂが例えばマトリクス状に配置されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、駆動基板１０上において、画素分離膜としてのバンク層１５によって区画された領域（開口部１５ａ）にそれぞれ設けられている。
【００１７】
（駆動基板１０）
駆動基板１０は、基板１０ａ上に、ＴＦＴ１１および配線層１２等を含む駆動回路（後述の画素駆動回路１４０等）が配設されたものである。例えば、ＴＦＴ１１は、ゲートおよびソース・ドレイン等の電極配線層と、チャネルを形成する半導体層と、層間絶縁膜１１ａ，１１ｂとが積層されてなるものであり、配線層１２は、例えば層間絶縁膜１１ｂ上に形成されている。これらのＴＦＴ１１および配線層１２を覆うように、層間絶縁膜１３（無機絶縁膜）が設けられている。本実施の形態では、この層間絶縁膜１３の表面が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂおよびバンク層１５の形成面となっている。
【００１８】
基板１０ａは、例えば、石英、ガラス、金属箔、シリコン、プラスチック等からなる。ＴＦＴ１１は、例えば後述の画素駆動回路１４０における駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２に相当するものであり、その構成は例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）であってもよい。層間絶縁膜１１ａ，１１ｂは、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および窒化チタン（ＴｉＮ）のうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜もしくは混合組成物膜である。配線層１２は、導電性金属よりなり、例えばＴＦＴ１１のドレインに導通するものである。この配線層１２は、下部電極１４との接続面には、下部電極１４に対する接触抵抗が小さな金属またはそのような金属酸化物を有することが望ましい。配線層１２は、例えばモリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）等からなるか、あるいはアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）をモリブデンまたはチタンで被覆したものでもよい。
【００１９】
層間絶縁膜１３は、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１種を含む単層膜あるいは積層膜よりなる。あるいは、酸窒化シリコン（ＳｉＮxＯy）または酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）を含んでいてもよく、更には、導電性を有さない金属酸化物を含んでいてもよい。この層間絶縁膜１３には、配線層１２の表面まで貫通するコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールを埋め込むように下部電極１４が設けられている。これにより、下部電極１４と配線層１２とが電気的に接続され、下部電極１４を介して有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれに所定の電位が供給されるようになっている。
【００２０】
本実施の形態では、この層間絶縁膜１３が、後述のバンク層１５よりも、機能層１６の成膜時に使用される有機溶媒に対して濡れ性が高くなっており、ここでは親液性膜として機能する。詳細は後述するが、このような層間絶縁膜１３の表面に、下部電極１４と、撥液性を有するバンク層１５とが配設されている。
【００２１】
図２は、駆動基板１０の駆動回路の一例を表すものである。駆動基板１０では、表示領域１１０に画素駆動回路１４０が設けられ、表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。図３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する下部電極１４の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２（前述のＴＦＴ１１の相当）と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）を有している。
【００２２】
画素駆動回路１４０では、列方向に信号線１２０Ａ、行方向に走査線１３０Ａがそれぞれ複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差部が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２３】
（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂはそれぞれ、駆動基板１０上に、陽極としての下部電極１４、後述する発光層１６ｃを含む機能層１６、および陰極としての上部電極１８がこの順に積層されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層１９により被覆されており、更にこの保護層１９上に熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂等の接着層（図示せず）によってガラス等よりなる封止用基板２０が貼り合わされており、これによって表示領域全体が封止されている。
【００２４】
下部電極１４は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素毎に設けられている。下部電極１４は、例えば厚みが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、ボトムエミッション型の場合には、透明導電膜、例えばインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、および酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金のうちのいずれかよりなる単層膜または２種以上からなる積層膜により構成されている。この下部電極１４は、トップエミッション型の場合には、光反射性に優れた（反射率４０％以上が望ましい）導電性材料を用いて構成される。この下部電極４は、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）等の金属元素の単体または合金よりなる。あるいは、下部電極１４は、それらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、ＩＴＯ、ＩｎＺｎＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金等の透明導電膜との積層構造を有していてもよい。尚、下部電極１４が陽極として機能する場合には、下部電極１４は正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましいが、そうでない材料（例えば、アルミニウム合金等）であっても、適切な正孔注入層を別途設けることによって下部電極１４として使用することができる。
【００２５】
図４は、有機ＥＬ素子（画素）の断面構造の一例を表すものである。このように、機能層１６は、下部電極が陽極として機能する場合、例えば、下部電極１４側から順に、正孔注入層１６ａ，正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃを積層したものである。尚、発光層１６ｃとしては、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれにおいて対応する色の発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）が設けられている。一方、発光層１０ｃ以外の、正孔注入層１６ａおよび正孔輸送層１６ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各画素に共通の層となっている。また、機能層１６（発光層１６ｃ）と上部電極１８との間には、各素子に共通して電子輸送層１７が設けられている。尚、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構造は、これに限定されず、他の層（例えば電子注入層等）を備えていてもよく、また、発光層の一部が共通の層となっていてもよい。例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇにはそれぞれ対応する赤色，緑色の発光層が設けられ、青色の発光層は有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通の層として設けられていてもよい。
【００２６】
正孔注入層１６ａは、発光層１６ｃへの正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔注入層１６ａは、高分子材料からなり、印刷法によって成膜されるものである。その高分子材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は１万〜３０万の範囲であればよく、特に５０００〜２０万程度が好ましい。また、２０００〜１万程度のオリゴマーを用いてもよいが、重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００未満では正孔輸送層以後の層を形成する際に、正孔注入層が溶解してしまうおそれがある。また３０万を超えると材料がゲル化し、成膜が困難になる。尚、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ；Gel Permiation Chromatography）により、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。このような正孔注入層１６ａの構成材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択されればよいが、例えばポリアニリン、オリゴアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が挙げられる。正孔注入層１６ａの厚みは、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２７】
正孔輸送層１６ｂは、発光層１６ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。この正孔輸送層１６ｂについても、上記正孔注入層１６ａと同様、高分子材料からなり、印刷法によって成膜される。その重量平均分子量（Ｍｗ）は５万〜３０万であることが好ましく、特に１０万〜２０万であることが好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が５万未満では、発光層１６ｃを形成するときに、高分子材料中の低分子成分が脱落し、これによって有機ＥＬ素子の初期性能が低下したり、素子の劣化を引き起こすおそれがある。一方、３０万を越えると、材料がゲル化するため、成膜が困難になる。このような正孔輸送層１６ｂを構成する高分子材料としては、後述の有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリフルオレン、ポリアニリン、ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロール等が挙げられる。この正孔輸送層１６ｂの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２８】
発光層１６ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。この発光層１６ｃは、高分子（発光）材料を含み、印刷法によって成膜されるものである。発光層１６ｃを構成する高分子材料としては、発光色毎に以下のものが挙げられる。例えば、赤色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒおよび緑色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｇでは、発光層１６ｃの高分子材料として、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープしたものが挙げられる。ドープ材料としては、例えばルブレン、ペリレン、９，１０ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６等を用いることができる。青色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｂでは、ホスト材料としてアントラセン誘導体を用い、低分子蛍光材料、燐鉱色素あるいは金属錯体などをドープ材料として用いることができる。この発光層１６ｃの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００２９】
これらの正孔注入層１６ａ，正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃの成膜時には、上記のような高分子材料を、例えばトルエン、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、ブサイドクメン（１，２，４−トリメチルベンゼン）、ジハイドロベンゾフラン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、１−メチルナフタレン、ｐ−アニシルアルコール、ジメチルナフタレン、３−メチルビフェニル、４−メチルビフェニル、３−イソプロピルビフェニル、モノイソプロピルナフタレン等のうちの少なくとも１種を含む有機溶媒に溶解させた溶液が用いられる。
【００３０】
電子輸送層１７は、発光層１６ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。この電子輸送層１７の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ３）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはそれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【００３１】
上部電極１８は、例えば、厚みが２ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、金属導電膜により構成されている。具体的には、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）のうちの少なくとも１種を含む単体金属または合金が挙げられる。あるいは、ＩＴＯ等の透明導電膜が用いられてもよい。この上部電極１８は、下部電極１４と絶縁された状態で機能層１６上に形成され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極となっている。
【００３２】
尚、電子輸送層１７と上部電極１８との間には、図示しない電子注入層が設けられていてもよい。電子注入材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、更にはこれらの酸化物及び複合酸化物の混合物を用いることができる。あるいは、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、更にはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム等の仕事関数の小さい金属を用いてもよい。
【００３３】
（バンク層１５）
バンク層１５は、開口部１５ａを複数有しており、上記のような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける下部電極１４と上部電極１８との絶縁性を確保すると共に、それぞれの画素領域を区画（分離）するためのものである。バンク層１５はまた、後述の製造工程において機能層１６を印刷形成する際、隣接画素への影響なく機能層１６の塗り分けを行うための隔壁としても機能するものである。このようなバンク層１５は、機能層１６の成膜時に使用される有機溶媒に対して濡れ性が低い状態（撥液状態）に保たれている。詳細には、バンク層１５は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂等のうちのいずれかよりなり、その表面に所定の撥液処理（例えば、フッ素ガスを用いたプラズマ処理等）を施したものである。あるいは、フッ素を含有する撥液性樹脂により構成されていてもよい。このバンク層１５の厚みは、例えば３００ｎｍ〜３０００ｎｍである。
【００３４】
このようなバンク層１５の開口部１５ａには、上述のように有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられるが、本実施の形態では、下部電極１４が開口部１５ａ内の所定の位置に設けられ、この下部電極１４を覆うように機能層１６が形成されている。以下、そのような開口部１５ａ付近の詳細構成について説明する。
【００３５】
（バンク層１５の開口付近の詳細構成）
図５は、バンク層１５の開口部１５ａ付近の断面構造を拡大したものである。図６は、バンク層１５の開口部１５ａに配置した下部電極１４を上面側からみたものである。尚、図５では、主要部分のみの構成を示している。このように、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各下部電極１４が、開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。ここでは、下部電極１４は、例えば矩形状の面形状を有しており、その矩形状における４辺に対応する端部１４ｅがそれぞれ、開口部１５ａの周縁部１５ｅから、距離Ｄ（離間距離）だけ間隔をあけて配置されている。即ち、ここでは、駆動基板１０上に設けられた層間絶縁膜１３の表面の一部が、バンク層１５および下部電極１４間の領域において露出しており、この露出した領域と下部電極１４とを覆うように機能層１６が設けられている。更に言い換えると、バンク層１５は、下部電極１４ではなく、層間絶縁膜１３の表面に接して設けられている。
【００３６】
このように機能層１６は、下部電極１４と、下部電極１４とバンク層１５との間の領域を覆うように設けられるが、この機能層１６は、成膜過程において生じる厚みむらを有している。詳細には、機能層１６は、印刷法によって成膜されるが、有機溶媒の乾燥工程において、局所的に薄膜化する部分（薄膜化部分Ａ）を生じる（詳細は後述）。本実施の形態では、このような機能層１６の薄膜化部分Ａが、開口部１５ａの周縁部１５ｅと、下部電極１４の端部１４ｅとの間の領域（つまり、露出した層間絶縁膜１３上の領域）に形成されている。換言すると、機能層１６は、少なくとも下部電極１４に対向する領域において略均一な厚みで形成されている。この下部電極１４に対向する領域が実質的な発光領域（発光領域１０Ｌ）となる。
【００３７】
上記のような距離Ｄ（μｍ）は、具体的には５μｍ以上であることが望ましく、以下の式（１）を満足することがより望ましい。更に望ましくは、以下の式（１），（２）を満足するとよい。但し、Ｂ（μｍ）を、隣り合う下部電極１４同士の間の幅とする。また、詳細には、図６に示したように、Ｘ方向，Ｙ方向のそれぞれに沿って２種類の幅Ｂ（Ｂ１，Ｂ２）が存在するため、これらの幅Ｂ１，Ｂ２の両方において、以下の式（１），（２）が成り立つことがより望ましい。
５≦Ｄ≦（１／２）×（Ｂ−１５） ………（１）
２５≦Ｂ ………（２）
【００３８】
距離Ｄが小さくなり過ぎる場合、具体的には５μｍ未満である場合、下部電極１４の直上の領域、つまり発光領域１０Ｌに重畳して薄膜化部分Ａが形成されてしまい、発光領域１０Ｌにおける膜厚の均一性が得られない。即ち、実質開口率を低下させることとなるため、距離Ｄは５μｍ以上であることが望ましい。一方、距離Ｄが大きくなり過ぎると、発光領域１０Ｌに寄与しない面積が増えるため不要材料（機能層１６において発光に寄与しない有機材料）が増加し、また、下部電極４のサイズ自体を小さくする必要が生じることもあるため、逆に開口率を低下させてしまう。このため、距離Ｄの上限は、上記式（１）のように設定することが望ましい。尚、この式（１）の上限においては、Ｂが１５μｍ以上であることを必要条件とするが、これは、次のような理由に基づくものである。即ち、機能層１６の成膜プロセスでは、機能層材料（インク）をバンク層１５によって囲まれた領域に滴下するが、この際、インクをバンク層１５の上面にまで盛り上がるように滴下する（例えば後述の図９参照）。このため、下部電極１４同士の間隔が狭くなり過ぎると（Ｂが小さ過ぎると）、隣接画素にインクがはみ出し、発光不良の原因となる。Ｂが１５μｍ以上であれば、そのような隣接画素への影響が抑制されることが実験的にわかっているため、このことを加味して、上記式（１）の上限が設定されている。
【００３９】
尚、ここでは、下部電極１４の４つの端部１４ｅのそれぞれから周縁部１５ｅまでの各距離が等しいように図示しているが、必ずしも下部電極１４の各端部１４ｅが周縁部１５ｅから同じ距離だけ離れている必要はなく、各辺に対応する端部１４ｅ毎にそれぞれ離間距離が異なっていてもよい。また、必ずしも全ての端部１４ｅが周縁部１５ｅから離れていなくとも、少なくとも一部において、下部電極１４とバンク層１５が離間して配置されていればよい。例えば、下部電極１４の一部、例えば４辺のうちの１辺に対応する端部１４ｅが、周縁部１５ｅに接し（あるいはバンク層１５に重畳して形成され）、他の３辺に対応する端部１４ｅが周縁部１５ｅから離間して配置されたような構成であってもよい。
【００４０】
保護層１９は、例えば厚みが２〜３μｍであり、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（ａ−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）等が好ましい。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００４１】
封止用基板２０は、接着層（図示せず）と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。この封止用基板２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板２０には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）が設けられていてもよい。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した各色光を取り出すと共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間および配線等において反射された外光を吸収して、コントラストを改善することができる。カラーフィルタは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して配置された赤色，緑色および青色のフィルタを有し、各色のフィルタは顔料を混入した樹脂よりなる。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。
【００４２】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
上記のような有機ＥＬ表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図７〜図１２は、有機ＥＬ表示装置１の製造方法を工程順に表したものである。
【００４３】
まず、上述のように無機材料よりなる層間絶縁膜１３を最表面に有する（ＴＦＴ１１および配線層１２を覆う層間絶縁膜１３を有する）駆動基板１０を用意する。尚、層間絶縁膜１３は、上述のようにＳｉＯ2等の無機絶縁材料からなり、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により成膜することができる。このような駆動基板１０において、層間絶縁膜１３の配線層１２に対応する領域に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング（ウェットエッチングまたはドライエッチング）技術を用いて、コンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを埋め込むように上述した材料よりなる下部電極１４を成膜する。
【００４４】
この後、図７（Ａ）に示したように、成膜した下部電極１４を、所定の幅Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）の矩形状にパターニングする。続いて、駆動基板１０の全面に渡ってバンク層１５となる樹脂材料を成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法により、下部電極１４に対応する領域に開口部１５ａを形成する。この際、図７（Ｂ）に示したように、開口部１５ａを、その周縁部１５ｅが、下部電極１４の端部１４ｅから所定の距離Ｄだけ離間するように形成する。距離Ｄの調整は、下部電極１４のサイズではなく、バンク層１５の開口部１５ａのサイズを変更することにより行うとよい。即ち、開口部１５ａの形成時には所定の開口部１５ａの形成位置に対応して開口が設けられたフォトマスクを使用するが、そのフォトマスクにおける開口の形状や大きさを適宜設定することにより、距離Ｄを設定すればよい。また、そのような距離Ｄが、上述の式（１）を満たすようにすることが望ましい。
【００４５】
続いて、図８に示したように、形成したバンク層１５の表面に撥液処理を施す。撥液処理としては、例えばフッ素ガスまたはその混合ガスを用いた平行平板型のプラズマ処理等が挙げられる。尚、この撥液処理では、有機材料からなるバンク層１５のみが撥液化され、無機材料からなる下部電極１４および層間絶縁膜１３については、撥液化されずに親液性が保たれる。
【００４６】
次に、バンク層１５の複数の開口部１５ａ内に、上述した材料よりなる機能層１６を印刷法（湿式法）により形成する。具体的には、まず図９（Ａ）に示したように、機能層材料１６０（ここでは、例えば正孔注入材料を構成するポリアニリンまたはポリチオフェン等の溶液または分散液）を、液滴吐出法等を用いて塗布する。液滴吐出法等としては、例えばインクジェット法、スリットコート法およびノズルコート法等が挙げられる。このようにして滴下された機能層材料１６０は、バンク層１５と下部電極１４（および層間絶縁膜１３）との間の濡れ性の違いにより、バンク層１５の開口部１５ａ内に凝集される（図９（Ｂ））。尚、印刷法としては、上記のような液滴吐出法によるものの他、有版印刷法等を用いてもよい。
【００４７】
続いて、図１０に示したように、熱処理（乾燥処理）を行うことにより、各開口部１５ａ内に機能層１６（ここでは、正孔注入層１６ａ）を形成する。具体的には、溶媒または分散媒を乾燥後、高温で加熱する。正孔注入材料としてポリアニリンやポリチオフェン等の導電性高分子を用いる場合、大気雰囲気、もしくは酸素雰囲気が好ましい。酸素による導電性高分子の酸化により、導電性が発現しやすくなるためである。また、加熱温度は、例えば１５０℃〜３００℃、時間は、温度や雰囲気にもよるが、例えば５分〜３００分程度である。
【００４８】
上記乾燥工程では、濡れ性の異なる層同士の間の界面（バンク層１５と層間絶縁膜１３との界面）付近が、乾燥の過程において薄膜化の起点となり、上述の薄膜化部分Ａの一部を形成する。一方、成膜された正孔注入層１６ａの下部電極１４に対応する領域（発光領域）では、膜厚が略均一となる。
【００４９】
この後、正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃを、上記と同様の塗布、乾燥および熱処理の各工程を経て成膜することにより、機能層１６を形成する。機能層１６において、これらの正孔輸送層１６ｂおよび発光層１６ｃは、上記正孔注入層１６ａの形状に倣って順次積層されるため、下部電極１４に対応する発光領域では略均一な膜厚となる。
【００５０】
尚、正孔輸送層１６ｂを成膜する際には、熱処理工程を、窒素（Ｎ2）を主成分とする雰囲気中で行うことが好ましい。酸素や水分があると、作成された有機ＥＬ表示装置の発光効率や寿命が低下するおそれがあるため、酸素濃度は、例えば１００ｐｐｍ以下とするとよい。また、加熱温度は、例えば１００℃〜２３０℃とすることが望ましい。また、発光層１６ｃを成膜する際、詳細には、各色発光層が所定の位置に配されるように、塗布工程において、赤色発光材料、緑色発光材料および青色発光材料を複数の開口部１５ａのうちの選択的な開口部１５ａにそれぞれ塗布するようにする。具体的には、各色発光層の構成材料である高分子材料および低分子材料を、例えばキシレンとシクロヘキシルベンゼンを２：８に混合した溶媒に溶解した混合溶液または分散液を、正孔輸送層１６ｂ上に塗布する。
【００５１】
次に、図１１に示したように、機能層１６上の全面にわたって、例えば真空蒸着法により、上述した材料よりなる電子輸送層１７および上部電極１８をこの順に形成する。尚、この電子輸送層１７と上部電極１８との間に電子注入層を形成するようにしてもよい。これらの電子輸送層１７および上部電極１８（電子注入層を形成する場合には電子注入層についても）は、大気に暴露されることなく同一の成膜装置内において連続的に成膜される。このような連続成膜により大気中の水分による機能層１６の劣化が防止される。
【００５２】
上部電極１８を形成した後、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、保護層１９を形成する。この後、例えば保護層１９上に、接着層（図示せず）を介して封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１に示した有機ＥＬ表示装置１が完成する。
【００５３】
［作用・効果］
有機ＥＬ表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、発光層１６ｃにおいて正孔と電子との再結合により発光が起こる。このようにして生じた光は、下面発光（ボトムエミッション）の場合には下部電極１４および駆動基板１０を透過して、上面発光（トップエミッション）の場合には、上部電極１８，カラーフィルタ（図示せず）および封止用基板２０を透過してそれぞれ取り出される。
【００５４】
この有機ＥＬ表示装置１において、本実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素に対応する画素領域がバンク層１５の開口部１５ａによって区画され、この開口部１５ａに下部電極１４、発光層１６ｃを含む機能層１６が順に設けられている。このような開口部１５ａにおいて、下部電極１４は、開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。この開口部１５および下部電極１４の配置による作用効果について、以下に比較例（比較例１，２）を挙げて説明する。
【００５５】
（比較例１）
図１２は、比較例１に係るバンク層の開口部と下部電極との配置関係について示したものである。この比較例１においても、本実施の形態と同様、層間絶縁膜１０３上に下部電極１０４が配設されており、この下部電極１０４が配線層１０２と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１０３および下部電極１０４上には、画素分離のためのバンク層１０５が設けられ、バンク層１０５は下部電極１０４に対応する領域に開口部１０５ａを有している。そして、この開口部１０５ａ内における下部電極１０４上に、発光層を含む機能層１０６が、機能層材料を含む溶液の塗布工程、および溶媒の乾燥工程を含む印刷法により成膜されるようになっている。即ち、比較例１では、下部電極１０４の表面（上面）に開口部１０５ａの周縁部１０５ｅが配置されており、このため下部電極１０４の開口部１０５ａによって露出した部分に対応する領域が発光領域（発光領域１００ａ）となる。
【００５６】
ところが、この比較例１のように、下部電極１０４上に開口部１０５の周縁部１０５ｅが配置されている場合、機能層１０６の成膜過程（溶媒の乾燥工程）において、次のような不具合が生じる。即ち、機能層材料は、乾燥の過程において、バンク層１０５（撥液性）と下部電極１０４（親液性）との界面付近を起点として薄膜化し、これにより開口部１０５ａの周縁部１０５ｅ付近に薄膜化部分Ａ１００が形成される。即ち、発光領域１００ａ内に薄膜化部分Ａ１００が形成され、機能層１０６の発光に寄与する部分に膜厚のむらが生じる。この結果、上下電極間での電気的短絡が発生し易くなり、表示画質が低下してしまう。
【００５７】
（比較例２）
図１３は、比較例２に係るバンク層の開口部と下部電極との配置関係（２段バンク構造）について示したものである。この比較例２においても、本実施の形態および比較例１と同様、層間絶縁膜１０３上に下部電極１０４が配設されており、この下部電極１０４が配線層１０２と電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１０３および下部電極１０４上には、画素分離のためのバンク層１０５が設けられ、バンク層１０５は下部電極１０４に対応する領域に開口部１０５ａを有している。そして、この開口部１０５ａ内における下部電極１０４上に、発光層を含む機能層１０６が、機能層材料を含む溶液の塗布工程、および溶媒の乾燥工程を含む印刷法により成膜されるようになっている。但し、比較例２では、上記比較例１と異なり、下部電極１０４とバンク層１０５との間に、例えばＳｉＯ2等よりなる無機絶縁膜１０７が設けられている。詳細には、下部電極１０７上に、開口部１０７ａを有する無機絶縁膜１０７が設けられ、この無機絶縁膜１０７上にバンク層１０５が形成されている。即ち、比較例２では、バンク層１０５の周縁部１０５ｅは、無機絶縁膜１０７上に配置され、下部電極１０４のうち、無機絶縁膜１０７の開口部１０７ａによって露出した部分に対応する領域が発光領域（発光領域１００ｂ）となる。
【００５８】
この比較例２のように、バンク層１０５と下部電極１０４との間に無機絶縁膜１０７を設けることで、機能層材料は、乾燥の過程において、バンク層１０５（撥液性）と無機絶縁膜１０７（親液性）との界面付近を起点として薄膜化する。これにより、開口部１０５ａの周縁部１０５ｅ付近において薄膜化部分Ａ１０１が形成されるが、発光領域１００ｂでは機能層１０６の膜厚むらの発生が抑制される。しかしながら、この比較例２の手法では、下部電極１０４を形成した後、バンク層１０５を形成する前に、無機絶縁膜１０７を成膜してパターニングする工程を要するため、工程数および部品点数が増え、低コスト化を実現しにくい。
【００５９】
これに対し、本実施の形態では、図４に示したように、層間絶縁膜１３上において、バンク層１５の各開口部１５ａでは、下部電極１４の一部または全部が開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して設けられている。即ち、バンク層１５と下部電極１４との間の領域に、親液性を有する層間絶縁膜１３が露出している。これにより、機能層１６の成膜時には、機能層材料（ここでは正孔注入材料）がバンク層１５と露出した層間絶縁膜１３との界面付近（開口部１５ａの周縁部１５ｅ付近）を起点として薄膜化する。これにより、薄膜化部分Ａが、下部電極１４から離れた位置に形成され易くなる（下部電極１４に対応する実質的な発光領域１０Ｌでは機能層１６の局所的な厚みの変化が生じにくくなる）。このため、下部電極１４および上部電極１８間における電気的短絡の発生が抑制される。
【００６０】
以上のように本実施の形態では、下部電極１４が、バンク層１５における開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配置されることにより、下部電極１４に対応する発光領域１０Ｌでは、機能層１６が略均一な膜厚で形成されるため、電気的短絡の発生を抑制できる。また、短絡防止用の層（上記比較例２の無機絶縁膜１０７）を別途設けることなく、即ちバンク層１５の開口部１５ａのサイズを調整するだけでよい（バンク層１５のパターニング時のマスクを変更するだけでよい）ため、工程数および部品点数を増加させることもない。よって、低コスト化を図りつつ表示画質を向上させることが可能となる。
【００６１】
（実施例）
上述のように、下部電極１４をバンク層１５から離間して配設した画素構造において、実質開口率および寿命について評価を行った。この際、まず、実施例として、以下のようなサンプルを形成した。即ち、基板１０ａとしてガラス基板（２５ｍｍ×２５ｍｍ）を用意し、この基板１０ａ上に、層間絶縁膜１３としてのＳｉＯ2層（膜厚３００ｎｍ）を形成した後、ＩＴＯ（膜厚６０ｎｍ）を成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、下部電極１４を形成した。この後、バンク層１５としては、ポリイミド樹脂材料を用い、開口部１５ａの形成後、熱処理（２３０℃、１時間）を施した。この後、酸素プラズマにより下部電極１４の洗浄を行った後、ＣＦ4ガスを用いたプラズマ処理により、バンク層１５の撥液処理を行った。
【００６２】
このようにして形成したバンク層１５上に、正孔注入層１６ａとして、日産化学工業株式会社製ＮＤ１５０１（商品名）を、ノズルコート法により塗布し、大気中で２３０℃３０分間ベークした。続いて、正孔輸送層１６ｂとして、正孔輸送材料をキシレンもしくはキシレンの沸点より高い溶媒もしくは混合溶媒で溶解させたＴＨＦ溶液をノズルコート法で塗布した。この後、塗布装置内を負圧の状態まで排気し、溶媒を真空乾燥させた後、１８０℃３０分でベークした。続いて、発光層１６ｃとしては、Ｂ画素にはイリジウム錯体を含む青色発光の高分子材料ＢＰＰ、Ｇ画素には緑色発光の高分子材料ＧＰＰ、Ｒ画素には赤色発光の高分子材料ＲＰＰに低分子材料をそれぞれ用いた。発光層１６ｃについても、塗布装置内を負圧の状態まで排気し、溶媒を真空乾燥させた後、１３０℃で３０分ベークした。この後、電子輸送層１７および上部電極１８をそれぞれ真空蒸着により成膜した。
【００６３】
上記のような構造において、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの間の距離Ｄを、１μｍ〜１５μｍの間で段階的に変化させて開口率および素子寿命を測定した。但し、これらの開口率および素子寿命は、上記比較例２で説明したような２段バンク構造を採用した場合の開口率および素子寿命をそれぞれ１００とした場合の相対値として示してある。尚、比較例２の２段バンク構造（無機絶縁膜１０７とバンク層１０５との２段構造）では、無機絶縁膜１０７として膜厚５０ｎｍのＳｉＯ2を用い、バンク層１０５として膜厚１μｍのポリイミド樹脂を用いた。このようにして測定した距離Ｄと開口率の関係を図１４、距離Ｄと素子寿命との関係を図１５にそれぞれ示す。
【００６４】
図１４および図１５に示したように、距離Ｄが大きくなるに従って、機能層１６の膜厚の均一性が確保され易くなり、開口率および素子寿命が向上していることがわかる。特に、距離Ｄが５μｍ以上であると、２段バンク構造を形成する場合をほぼ同等の効果が得られることもわかる。即ち、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの間の距離Ｄは５μｍ以上であることが望ましいことが実験により明らかとなった。
【００６５】
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明する。尚、上記実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６６】
＜変形例１＞
図１６〜図１８は、変形例１に係る下部電極１４とバンク層１５の開口部１５との配置関係について説明するためのものである。上記実施の形態では、機能層１６の成膜時において、機能層材料を例えば液滴吐出法により塗布することを述べたが、この際、具体的には、塗布装置に設けられたノズルから所定量の機能性材料を滴下していくことによって行う。ここで、塗布装置では、画素数（画素列の数）と同数のノズルを設けることは、ノズルヘッドの巨大化を招き装置が大掛かりなものとなる。そのため、図１６に示したように、塗布装置には所定数のノズルを設置し、所定の画素列毎に往復スキャンしつつ滴下することにより、基板全体に対して機能層材料を塗布することが望ましい。
【００６７】
このように、往復スキャンしつつ機能性材料を滴下していく場合、バンク層１５の端部（詳細には、往復スキャンの切り目となる端部）に位置する画素Ｐｅと、それ以外の画素Ｐｃ（例えば、中央部に位置する画素）とにおいて、乾燥後の機能層１６の膜厚に違いが生じる。このため、本変形例では、画素位置に応じて、下部電極１４と開口部１５ａの周縁部１５ｅとの距離Ｄを異なるように設定する。
【００６８】
具体的には、中央部にある画素Ｐｃでは、図１７に示したように、スキャン方向Ｓ１の進行方向に沿った方向において、下部電極１４の両側の領域Ｓａ，Ｓｂの幅（距離Ｄ）はいずれもｄ１となっている。これは、中央部のように端部以外にある画素では、スキャン方向Ｓ１に沿って隣接画素が存在するため、下部電極１４の両側において滴下量が同等となり、塗布、乾燥後の機能層１６の膜厚は略均一となる。
【００６９】
一方、端部にある画素Ｐｅでは、スキャン方向Ｓ１の進行方向に沿って隣接画素が存在しないため、領域Ｓａ，Ｓｂにおいて距離Ｄをいずれも画素Ｐｃと同等（＝ｄ１）とした場合、機能層１６の端部側において、薄膜化部分Ａ１が発光領域１０Ｌに重畳して形成され、いわゆるスワスムラといわれる膜厚むらが発生してしまう（図１８（Ａ））。これは、往復スキャンの切り目となる端部において、機能性材料の滴下部分と非滴下部分とが混在するためである。そのため、このような端部画素Ｐｅでは、端部側の領域Ｓｂにおける距離Ｄ（＝ｄ２）を他の画素における距離Ｄ（＝ｄ１）よりも大きくなるように設定する。
【００７０】
尚、距離Ｄを局所的に変化させる際には、下部電極１４のサイズは変更せずに、バンク層１５における開口部１５ａの開口面積を調整するとよい。
【００７１】
本変形例のように、画素位置に応じて距離Ｄを変化させるようにしてもよく、例えばスキャン端に位置する画素では距離Ｄを相対的に大きく、中央部に位置する画素では距離Ｄを相対的に小さく設定することができる。これにより、上記実施の形態と同等の効果を得ると共に、スワスムラを抑制して、表示領域の全域において、良好な表示画質を実現することができる。
【００７２】
＜変形例２＞
図１９は、変形例２に係る有機ＥＬ表示装置の断面構成を表したものである。本変形例では、上記実施の形態と同様、駆動基板１０上に、複数の開口部１５ａを有するバンク層１５を有し、各開口部１５ａにおいて下部電極１４が開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設されている。また、そのような下部電極１４上に、発光層１６ｃを含む機能層１６が印刷法により成膜されており、機能層１６上には電子輸送層１７および上部電極１８が設けられている。尚、図示は省略するが、この上部電極１８上には保護膜１９および封止用基板２０を備えている。
【００７３】
但し、本変形例では、駆動基板１０において、ＴＦＴ１１および配線層１２を覆って、層間絶縁膜１３と共に有機平坦化膜２１が設けられている。このような有機平坦化膜２１を用いる場合には、その有機平坦化膜２１を下部電極１４の下層にのみ配置する。あるいは、バンク層１５下に配置されていてもよい。但し、バンク層５の開口部１５ａの周縁部１５ｅに対向する領域には、層間絶縁膜１３が露出するようにする。
【００７４】
本変形例のように、駆動基板１０の所定の領域に有機平坦化膜２１が設けられていてもよい。このような構成であっても、無機材料よりなる層間絶縁膜１３が、少なくともバンク層１５の開口部１５ａの周縁部１５ｅに対向して形成されていれば、機能層１６の薄膜化部分を発光領域外に形成することができ、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【００７５】
＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した有機ＥＬ表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００７６】
（モジュール）
上記実施の形態等の有機ＥＬ表示装置は、例えば、図２０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、駆動基板１０の一辺に、封止用基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられている。
【００７７】
（適用例１）
図２１は、適用例１に係るテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００７８】
（適用例２）
図２２は、適用例２に係るデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００７９】
（適用例３）
図２３は、適用例３に係るノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８０】
（適用例４）
図２４は、適用例４に係るビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８１】
（適用例５）
図２５は、適用例５に係る携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る有機ＥＬ表示装置により構成されている。
【００８２】
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８３】
また、上記実施の形態等では、下部電極１４の全部（矩形状の全辺に対応する４つの端部の全て）が、バンク層１５の開口部１５ａの周縁部１５ｅから離間して配設された場合を例に挙げて説明したが、必ずしも全部において離間している必要はない。例えば、一部がバンク層１５と接触していてもよい。例えば、下部電極１４はその下層に設けられたドレイン電極等の配線層１２と電気的に接続されるが、その接続部分がバンク層１５と接触して形成されていてもよい。あるいは、そのような接続部分は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを埋め込むようにして形成されるため、通常、この接続部分に対応する領域では電極材料が沈みこみ、下部電極表面に窪みが生じる。このような窪み部分にバンク層が重畳して設けられていてもよい。
【００８４】
更に、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。また、上記実施の形態等では、青色以外の有機ＥＬ素子として赤色および緑色の有機ＥＬ素子を備えた表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されず、印刷法を用いて機能層を形成可能な表示装置全般に適用可能である。例えば、青色有機ＥＬ素子と黄色有機ＥＬ素子からなる表示装置への適用も可能である。
【００８５】
加えて、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８６】
また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型あるいはボトムエミッション型である場合について説明したが、上面および下面の両方から光を取り出すタイプの有機ＥＬ表示装置にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１…有機ＥＬ表示装置、１０…駆動基板、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１０ａ…基板、１１…ＴＦＴ、１２…配線層、１３…層間絶縁膜、１４…下部電極、１４ｅ…端部、１５…バンク層、１５ａ…開口部、１５ｅ…周縁部、１６…機能層、１６ａ…正孔注入層、１６ｂ…正孔輸送層、１６ｃ…発光層、１７…電子輸送層、１８…上部電極、１９…保護層、２０…封止用基板、２１…有機平坦化膜。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、
前記複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、
前記複数の画素はそれぞれ、前記基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有し、
前記第１電極は、その一部または全部が前記開口部の前記基板側の周縁部から離間して設けられている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記画素分離膜は撥液性を有し、
前記第１電極および前記画素分離膜は、前記基板上に親液性膜を介して設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記基板上に、前記画素を駆動するトランジスタ部と、このトランジスタ部を覆う層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜が前記親液性膜を兼ねている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記周縁部との離間距離は、前記画素分離膜における前記開口部の位置に応じて異なるものである
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記離間距離は、前記画素間分離膜の端部に設けられた開口部において、前記画素間分離膜の中央部に設けられた開口部よりも大きくなっている
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の開口部では、その開口面積が前記開口部の位置に応じて異なり、前記第１電極の大きさは同等である
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記下部電極下の選択的な領域に有機平坦化膜が設けられている
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記親液性膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１種を含むものである
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記画素分離膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂のうちのいずれかよりなる
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記機能層は高分子材料よりなる
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記第１電極は、前記親液性膜上において、前記開口部の前記周縁部よりも内側に配設されている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極は、前記開口部の前記周縁部から５μｍ以上離間して設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記機能層は、前記開口部の前記周縁部と前記第１電極との間の領域に局所的に薄膜化された部分を有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、
前記複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、
前記複数の画素はそれぞれ、前記基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有し、
前記第１電極は、その一部または全部が前記開口部の前記基板側の周縁部から離間して設けられている
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【請求項１】
基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、
前記複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、
前記複数の画素はそれぞれ、前記基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有し、
前記第１電極は、その一部または全部が前記開口部の前記基板側の周縁部から離間して設けられている
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記画素分離膜は撥液性を有し、
前記第１電極および前記画素分離膜は、前記基板上に親液性膜を介して設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記基板上に、前記画素を駆動するトランジスタ部と、このトランジスタ部を覆う層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜が前記親液性膜を兼ねている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記周縁部との離間距離は、前記画素分離膜における前記開口部の位置に応じて異なるものである
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記離間距離は、前記画素間分離膜の端部に設けられた開口部において、前記画素間分離膜の中央部に設けられた開口部よりも大きくなっている
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記複数の開口部では、その開口面積が前記開口部の位置に応じて異なり、前記第１電極の大きさは同等である
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記下部電極下の選択的な領域に有機平坦化膜が設けられている
請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記親液性膜は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１種を含むものである
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記画素分離膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂およびノボラック樹脂のうちのいずれかよりなる
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記機能層は高分子材料よりなる
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記第１電極は、前記親液性膜上において、前記開口部の前記周縁部よりも内側に配設されている
請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極は、前記開口部の前記周縁部から５μｍ以上離間して設けられている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記機能層は、前記開口部の前記周縁部と前記第１電極との間の領域に局所的に薄膜化された部分を有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
基板上に設けられると共に、複数の開口部を有する画素分離膜と、
前記複数の開口部に対応して設けられた複数の画素とを備え、
前記複数の画素はそれぞれ、前記基板側から順に第１電極と、少なくとも有機発光層を含む機能層と、第２電極とを有し、
前記第１電極は、その一部または全部が前記開口部の前記基板側の周縁部から離間して設けられている
有機ＥＬ表示装置を備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１２−１９０６８２（Ｐ２０１２−１９０６８２Ａ）
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５３９８９（Ｐ２０１１−５３９８９）
【出願日】平成２３年３月１１日（２０１１．３．１１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月４日（２０１２．１０．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１１日（２０１１．３．１１）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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