有機ＥＬ表示装置及びその製造方法
【課題】上部透明電極とその補助電極を備えるとともに、高い開口率を有し、しかも容易に製造することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極１４と、該下部電極上に配置された絶縁層１８と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極２８と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層２６と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極２０と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁２４とを有し、前記上部電極と前記上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置１０。
【解決手段】基板１２と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極１４と、該下部電極上に配置された絶縁層１８と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極２８と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層２６と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極２０と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁２４とを有し、前記上部電極と前記上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置１０。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型の表示装置として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が進んでいる。
図９は、有機ＥＬ表示装置の表示パネルの構成の一例を概略的に示している。この有機ＥＬ表示パネル３０は、基板３１上に、有機ＥＬ素子として、陽極（下部電極）３２、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５、陰極（上部電極）３６が形成され、さらにその上に、酸素や水分による有機ＥＬ素子の劣化等を防ぐため、保護層（封止部材）３７が設けられている。
【０００３】
このような構成の有機ＥＬ表示パネル３０を備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合、例えば以下のような工程が行われる。
ガラス等の透明基板３１上に真空蒸着によりＩＴＯ等の透明な陽極（引出電極）３２を形成し、次いで絶縁層や隔壁（図示せず）を形成する。そして、シャドーマスクを用いて、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５等を真空蒸着（マスク蒸着）により所定の位置に順次成膜した後、Ａｌ、ＭｇＡｇ等の陰極３６を成膜する。なお、有機ＥＬ層３８は、図９に示したような構成に限らず、例えば輸送層３３，３５が無いもの、電極３２，３６と輸送層３３，３５との間に注入層を設けたもの、あるいは発光層等を直列に積層させた、いわゆるマルチフォトンエミッション素子など種々のタイプがある。
【０００４】
下部電極（陽極）３２と上部電極（陰極）３６との間に電圧を選択的に印加することにより発光層３４が発光し、発光層３４からの光は陽極３２を通して透明基板３１から取り出される。このように透明基板３１側から発光層３４の光を取り出す表示パネルはボトムエミッション型と呼ばれる。
一方、上部電極として透明な電極を用い、上部電極側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネルも開発されている。
【０００５】
透明有機ＥＬ表示パネルや、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネル等において、上部電極及び上部電極配線にＩＴＯ等の透明電極材料を用いた場合、そのような透明電極材料は抵抗が高く、陰極配線部での電圧降下が大きくなり、素子に十分な電圧を印加できないためパネルの輝度が低下してしまう。その対策として、上部電極に接続する補助電極を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００６】
図１０は、補助電極を形成した従来の有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示し、図１１は、この有機ＥＬ表示パネル７０のＡ−Ａ´断面を概略的に示している。この有機ＥＬ表示パネル７０では、基板７１上に下部電極７２と、絶縁層７７を順次形成した後、発光領域の１つの角部で内側に突出するように上部電極用補助電極７４が形成されている。そして、絶縁隔壁７６、有機ＥＬ層７３、上部電極７５が順次形成され、補助電極７４の発光領域の内側に突出する部分７４ａと上部電極７５とが接続している（特許文献４参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２０３１９６号公報
【特許文献２】特開２００５−２３５４９１号公報
【特許文献３】特開２００５−２６７９９１号公報
【特許文献４】特開２００４−１０３５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように補助電極の一部が発光領域の内側に突出するように形成すると、開口部が狭まり、画素有効領域が小さくなり、また、製造工程が複雑になるという問題がある。
このような問題を解決するため、本発明は、上部透明電極とその補助電極を備えるとともに、高い開口率を有し、しかも容易に製造することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明では以下の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が提供される。
【００１０】
＜１＞ 基板と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極と、該下部電極上に配置された絶縁層と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁とを有し、前記上部電極と上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１１】
＜２＞ 前記上部電極用補助電極が、前記絶縁隔壁を隔てて形成されていることを特徴とする＜１＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１２】
＜３＞ 前記下部電極及び前記上部透明電極に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極を有し、該引出電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
＜４＞ 前記下部電極に接続された下部電極用補助電極を有し、該下部電極用補助電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする＜１＞ないし＜３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
＜５＞ 前記上部透明電極が、ＩＴＯにより形成されていることを特徴とする＜１＞ないし＜４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
＜６＞ 前記上部電極用補助電極が、Ｍｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることを特徴とする＜５＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
＜７＞ 前記下部電極が、透明電極であることを特徴とする＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
＜８＞ ＜１＞ないし＜７＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記下部電極と、前記絶縁層と、前記上部電極用補助電極と、前記絶縁隔壁と、前記有機ＥＬ層と、前記上部透明電極とを順次形成する工程を含み、前記上部透明電極をスパッタ法により形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１８】
＜９＞ 少なくとも前記有機ＥＬ層の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することを特徴とする＜８＞に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、上部透明電極とその補助電極を備えるとともに、高い開口率を有し、しかも容易に製造することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る有機ＥＬ表示装置について具体的に説明する。
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示パネルの一例を概略的に示している。本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、図１Ｂに示されるように、絶縁隔壁２４の幅が上部で拡大しており、上部電極２８と上部電極用補助電極２０が、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側（絶縁隔壁２４の中心部に近い側）で接続していることを主な特徴としている。以下、このような本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１０についてその製造方法とともに説明する。
【００２１】
＜基板＞
まず、基板１２上に下部電極（陽極）１４をストライプ状に形成する。図２Ａ及び図２Ｂは、基板１２上にストライプ状に形成した下部電極１４のパターンの一例を示している。
基板１２としては、ガラス、樹脂等の透明基板を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の樹脂基板を好適に用いることができる。
【００２２】
また、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、基板側から発光を取り出す必要がないため、金属からなる不透明基板を用いることができる。例えば、ステンレス、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕやこれらの合金等の金属基板を用いれば、高いガスバリア性を有するものとなる。なお、このような金属製の基板を用いる場合には、基板１２と下部電極１４との間に電気絶縁性を確保するための絶縁膜を設けておく。
【００２３】
＜下部電極＞
基板１２上に形成する下部電極１４としては、有機ＥＬ素子の陽極を構成する公知の材料、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ、ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物を好適に用いることができる。なお、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、下部電極１４は透明である必要はないが、透明な有機ＥＬ表示パネル１０を備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、下部電極１４は透明電極を採用する必要があり、導電性、透明性等の点でＩＴＯが好ましい。
基板１２上にストライプ状の下部電極（陽極）１４を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法により所望のパターンに形成することができる。なお、下部電極１４とともに同じ材料で上部電極（陰極）用引出配線１６を同時に形成してもよい。
【００２４】
下部電極（陽極）１４の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ程度、特に５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内で形成することができる。このような厚みを有する陽極１４であれば、有機ＥＬ素子の陽極１４として十分に機能するとともに、可視光の透過率を十分高くすることができる。
【００２５】
＜絶縁層＞
下部電極１４を形成した後、絶縁層１８を形成する。図３Ａ及び図３Ｂは、絶縁層１８の配置パターンの一例を示している。
絶縁層１８を構成する材料としては、公知の絶縁材料を用いることができ、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、アモルファスフッ素樹脂等を用いることができる。透過型の有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合には可視光に対して光透過性を有する材料が用いられる。絶縁層１８を形成する方法としては、上記のような絶縁材料を基板１２上に塗布し、フォトリソグラフィーにより所定のパターンに形成すればよい。また、絶縁層１８として無機膜を使用する場合もある。その時に使用される無機膜としては、例えば、酸化シリコンＳｉＯｘ、窒化シリコンＳｉＮｘ、酸化タンタルＴａＯｘ、窒素タンタルＴａＮｘ等の酸化膜や窒化膜を用いることができる。無機膜の成膜には、スッパタ法、ＣＶＤ法による真空蒸着等を用い、成膜後にフォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングすることで絶縁層１８を所定のパターンに形成する。なお、本発明では、後に形成する上部電極２８と上部電極用補助電極２０とを、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続させるため、絶縁層１８は比較的狭い幅で形成することができる。絶縁層１８の幅を狭くすることで開口率を高くすることができる。
絶縁層１８の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍ程度、特に２００ｎｍ〜２μｍの範囲内で形成することができる。
【００２６】
＜上部電極用補助電極＞
絶縁層１８を形成した後、絶縁層１８上に上部電極用補助電極２０を形成する。図４Ａ及び図４Ｂは、上部電極用補助電極２０の配置パターンの一例を示している。
上部電極用補助電極２０は、後述の上部透明電極２８より抵抗が小さい材料で形成し、上部透明電極２８がＩＴＯである場合、ＩＴＯとのコンタクト性の観点からＭｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることが好ましい。フォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングすることで絶縁層１８上に所望のパターン形状の上部電極用補助電極２０を形成することができる。本発明では、上部電極用補助電極２０と後に形成する上部透明電極２８とを、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続させるため、上部電極用補助電極２０を比較的狭い幅で形成することができる。また、例えば図４Ａに示すように、後に形成する絶縁隔壁２４によって隔てられるように上部電極用補助電極２０を形成すれば、補助電極２０を介した上部電極間のショートを防ぐことができる。
上部電極用補助電極２０の厚さに関しては、後に形成する絶縁隔壁２４の高さ、有機ＥＬ層２６及び上部電極２８の厚さにもよるが、５０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内とすることができる。
【００２７】
上部電極用補助電極２０を形成する際、下部電極１４に接続された下部電極用補助電極２２、あるいは下部電極１４及び上部透明電極２８に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極２２を同時に形成することもできる。上部電極用補助電極２０と、下部電極用補助電極２２あるいは引出電極２２を同じ材料により同時に形成すれば、工程を簡略化することができる。
【００２８】
＜絶縁隔壁＞
上部電極用補助電極２０を形成した後、絶縁隔壁２４を形成する。図５Ａ及び図５Ｂは、絶縁隔壁２４の配置パターンの一例を示している。
図５Ｂに示されるように、絶縁隔壁２４は、上部で幅が拡大し、幅が最も拡大している部分２５が上部電極用補助電極２０の上方に位置するように形成する。絶縁隔壁２４を形成する方法としては、公知の感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングにより不溶な部分を除去することができる。これにより、逆テーパ形状の断面を有する絶縁隔壁２４を形成することができる。また、ポジ型感光性樹脂を絶縁隔壁２４に用いた場合は、露光条件を調整することにより、エッチングを行うことなく、逆テーパ形状を得ることができる。なお、図５Ｂに示されるように、２本の上部電極用補助電極２０を隔てるように絶縁隔壁２４を形成すれば、前記したように補助電極２０を介した上部電極（陰極）２８間のショートを防ぐことができる。
【００２９】
絶縁隔壁２４の高さは特に限定されるものではなく、０．２μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは１μｍ〜８μｍ、より好ましくは２μｍ〜６μｍ程度の範囲内であれば、容易に形成することができる上、絶縁隔壁２４の根元の幅ｄと最上部の幅Ｄとの差を比較的大きくすることができ、後述の上部電極２８と上部電極用補助電極２０との接続を確保し易くなる。なお、上部電極２８と上部電極用補助電極２０との接続を確保し易くするため、絶縁隔壁２４の根元の幅ｄと上部の最大幅Ｄとの差が、１〜５０μｍ、好ましくは２μｍ〜２０μｍ、より好ましくは５〜１０μｍとなるように絶縁隔壁２４を形成することが好ましい。
【００３０】
＜有機ＥＬ層＞
絶縁隔壁２４を形成した後、有機ＥＬ層２６を形成する。図６Ａ及び図６Ｂは、有機ＥＬ層２６が形成された状態を概略的に示している。本発明では、少なくとも有機ＥＬ層２６の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することができる。例えば、ベタマスクを用いて真空熱抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次成膜する。この場合、ストライブマスクや画素個別マスクを用いてのマスク蒸着のような精密なアライメントを行う必要がなく、有機ＥＬ層を容易に形成することができる。このようにストライブマスクや画素独立マスクを用いずにベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により各層を形成すれば、図６Ｂに示されるように、有機ＥＬ層２６が、下部電極（陽極）１４、絶縁隔壁２４、及び上部電極用補助電極２０の上にほぼ均一に形成される。ただし、上部電極用補助電極２０の上面の一部は絶縁隔壁２４の最大幅部２５に隠れているため、それより内側の部分には有機ＥＬ層２６はほとんど形成されず、上部電極用補助電極２０が露出した状態となる。
【００３１】
正孔輸送層に使用する材料としては、例えばカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
発光層に含有されるホスト材料としては、例えばカルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、前述の正孔輸送層、後述の電子輸送層として例示されている材料等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
電子輸送層に使用する材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
＜上部透明電極＞
有機ＥＬ層２６を形成した後、ストライプ状の複数の下部電極１４と交差する方向にストライプ状の上部透明電極２８を形成する。上部透明電極２８を形成する方法としては、スパッタ蒸着法が好適である。上部透明電極２８を構成する材料からなるターゲットにアルゴンイオンビームを照射して有機ＥＬ層２６上に成膜する。上部透明電極２８の材料としては、導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。スパッタ蒸着法により成膜すれば、真空加熱蒸着よりもカバレッジが良く、ターゲットから放出された材料は絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下側にも回り込んで堆積する。従って、上部電極用補助電極２０上の有機ＥＬ層２６が形成されていない部分にも上部透明電極２８が形成される。これにより、上部電極２８と上部電極用補助電極２０を、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５の内側（絶縁隔壁２４の中心部に近い側）で接続させることができる。
【００３５】
＜封止部材＞
上部透明電極２８を形成した後、水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するため、必要に応じて封止部材（保護層）により有機ＥＬ素子を被覆する。封止部材としては、例えば、ガラス、プラスチック等を用いることができる。
【００３６】
上記のような工程により有機ＥＬ表示パネル１０を製造すれば、絶縁層１８と補助電極２０を細く（狭く）形成しても、絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下で上部透明電極２８とその補助電極２０との接続を確保することができるため、補助電極２０により上部透明電極２８の電圧降下を抑制することができる。また、下部電極１４と上部透明電極２８との間に配置された有機ＥＬ層２６が画素となり、各画素は、図１Ａに見られるように矩形となる。従って、上記のように製造された有機ＥＬ表示パネル１０は、高い開口率を有するものとなり、このような有機ＥＬ表示パネル１０を備えた有機ＥＬ表示装置は、高輝度かつ高精細の表示が可能となる。
【００３７】
図７は、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの他の態様を示している。この有機ＥＬ表示パネル５０では、絶縁層５８上に、絶縁隔壁２４と上部電極用補助電極５２がそれぞれ左右に分かれるように形成されている。そして、下部電極（陽極）１４上及び補助電極５２上に有機ＥＬ層２６と上部電極（陰極）２８とが順次形成されており、この場合も、上部電極２８と上部電極用補助電極５２は、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層５８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続している。すなわち、図７に示すような構成の有機ＥＬ表示パネル５０でも、絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下で上部透明電極２８とその補助電極５２との接続を確保することができるため、絶縁層５８と補助電極５２を細く形成しておくことができ、開口率を高くすることができる。
【００３８】
図８は、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルのさらに他の態様を示している。この有機ＥＬ表示パネル６０では、絶縁層６８上に上部電極用補助電極６２が形成され、さらに上部電極用補助電極６２上に絶縁隔壁２４が形成されている。そして、下部電極（陽極）１４上及び補助電極６２上に有機ＥＬ層２６と上部透明電極（陰極）２８とが順次形成されており、この場合も、上部電極２８と上部電極用補助電極６２は、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層６８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続している。しかも、この有機ＥＬ表示パネル６０は、補助電極６２上に絶縁隔壁２４が形成されているため、絶縁層６８を一層狭く形成することができ、開口率をより高くすることができる。
【００３９】
以上のように本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、上部透明電極とその補助電極とが、絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続しているため、開口率が高くなり、このような有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置は、高輝度かつ高精細の表示が可能となる。また、本発明によれば、有機ＥＬ層を形成する際、ストライブマスクや画素個別マスクを用いる必要が無いため、高精度なアライメント機構を必要としないので有機ＥＬ層及び上部電極用補助電極を容易に形成することができる。さらに、上部電極（陰極）用補助電極が基板側に予め形成されるので、上部電極（陰極）形成後に補助配線を形成する必要がなく、例えば、下部電極（陽極）用の補助電極および引出電極を形成する工程で上部電極（陰極）用補助電極を一緒に形成することもできる。従って、製造が容易であり、低消費電力、かつ、高輝度の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４０】
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば絶縁隔壁の形状は、上部が拡径していれば図５Ｂ等に示すような上部に向けて連続的に拡径する逆テーパ形状に限らず、例えば上部に向けて段階的に拡径した形状や、いわゆるオーバーハングとしてもよい。
また、上部電極が陰極の場合について説明したが、例えばトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であって、上部電極として陽極を用いる場合にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の要部となるパネルの一例を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａに示すパネルのＢ−Ｂ´線部分断面図である。
【図２Ａ】下部電極（陽極）の配置の一例を示す概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図３Ａ】絶縁層の配置の一例を示す概略平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図４Ａ】絶縁隔壁の配置の一例を示す概略平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図５Ａ】有機ＥＬ層の配置の一例を示す概略平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図６Ａ】従来の有機ＥＬ表示装置のパネルの一例を示す概略平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの他の例を概略的に示す部分断面図である。
【図８】本発明に係る有機ＥＬ表示パネルのさらに他の例を概略的に示す部分断面図である。
【図９】有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示す概略断面図である。
【図１０】上部電極用補助電極を備えた従来の有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示す概略平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ´断面を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０・・・有機ＥＬ表示パネル
１２・・・基板
１４・・・下部電極（陽極）
１６・・・上部電極（陰極）用引出配線
１８・・・絶縁層
２０・・・上部電極用補助電極
２２・・・補助電極（引出電極）
２４・・・絶縁隔壁
２５・・・最大幅部
２６・・・有機ＥＬ層
２８・・・上部透明電極（陰極）
３０・・・有機ＥＬ表示パネル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型の表示装置として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の開発が進んでいる。
図９は、有機ＥＬ表示装置の表示パネルの構成の一例を概略的に示している。この有機ＥＬ表示パネル３０は、基板３１上に、有機ＥＬ素子として、陽極（下部電極）３２、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５、陰極（上部電極）３６が形成され、さらにその上に、酸素や水分による有機ＥＬ素子の劣化等を防ぐため、保護層（封止部材）３７が設けられている。
【０００３】
このような構成の有機ＥＬ表示パネル３０を備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合、例えば以下のような工程が行われる。
ガラス等の透明基板３１上に真空蒸着によりＩＴＯ等の透明な陽極（引出電極）３２を形成し、次いで絶縁層や隔壁（図示せず）を形成する。そして、シャドーマスクを用いて、正孔輸送層３３、発光層３４、電子輸送層３５等を真空蒸着（マスク蒸着）により所定の位置に順次成膜した後、Ａｌ、ＭｇＡｇ等の陰極３６を成膜する。なお、有機ＥＬ層３８は、図９に示したような構成に限らず、例えば輸送層３３，３５が無いもの、電極３２，３６と輸送層３３，３５との間に注入層を設けたもの、あるいは発光層等を直列に積層させた、いわゆるマルチフォトンエミッション素子など種々のタイプがある。
【０００４】
下部電極（陽極）３２と上部電極（陰極）３６との間に電圧を選択的に印加することにより発光層３４が発光し、発光層３４からの光は陽極３２を通して透明基板３１から取り出される。このように透明基板３１側から発光層３４の光を取り出す表示パネルはボトムエミッション型と呼ばれる。
一方、上部電極として透明な電極を用い、上部電極側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネルも開発されている。
【０００５】
透明有機ＥＬ表示パネルや、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示パネル等において、上部電極及び上部電極配線にＩＴＯ等の透明電極材料を用いた場合、そのような透明電極材料は抵抗が高く、陰極配線部での電圧降下が大きくなり、素子に十分な電圧を印加できないためパネルの輝度が低下してしまう。その対策として、上部電極に接続する補助電極を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００６】
図１０は、補助電極を形成した従来の有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示し、図１１は、この有機ＥＬ表示パネル７０のＡ−Ａ´断面を概略的に示している。この有機ＥＬ表示パネル７０では、基板７１上に下部電極７２と、絶縁層７７を順次形成した後、発光領域の１つの角部で内側に突出するように上部電極用補助電極７４が形成されている。そして、絶縁隔壁７６、有機ＥＬ層７３、上部電極７５が順次形成され、補助電極７４の発光領域の内側に突出する部分７４ａと上部電極７５とが接続している（特許文献４参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２０３１９６号公報
【特許文献２】特開２００５−２３５４９１号公報
【特許文献３】特開２００５−２６７９９１号公報
【特許文献４】特開２００４−１０３５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように補助電極の一部が発光領域の内側に突出するように形成すると、開口部が狭まり、画素有効領域が小さくなり、また、製造工程が複雑になるという問題がある。
このような問題を解決するため、本発明は、上部透明電極とその補助電極を備えるとともに、高い開口率を有し、しかも容易に製造することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明では以下の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が提供される。
【００１０】
＜１＞ 基板と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極と、該下部電極上に配置された絶縁層と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁とを有し、前記上部電極と上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１１】
＜２＞ 前記上部電極用補助電極が、前記絶縁隔壁を隔てて形成されていることを特徴とする＜１＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１２】
＜３＞ 前記下部電極及び前記上部透明電極に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極を有し、該引出電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
＜４＞ 前記下部電極に接続された下部電極用補助電極を有し、該下部電極用補助電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする＜１＞ないし＜３＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
＜５＞ 前記上部透明電極が、ＩＴＯにより形成されていることを特徴とする＜１＞ないし＜４＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
＜６＞ 前記上部電極用補助電極が、Ｍｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることを特徴とする＜５＞に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
＜７＞ 前記下部電極が、透明電極であることを特徴とする＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
＜８＞ ＜１＞ないし＜７＞のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記下部電極と、前記絶縁層と、前記上部電極用補助電極と、前記絶縁隔壁と、前記有機ＥＬ層と、前記上部透明電極とを順次形成する工程を含み、前記上部透明電極をスパッタ法により形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【００１８】
＜９＞ 少なくとも前記有機ＥＬ層の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することを特徴とする＜８＞に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、上部透明電極とその補助電極を備えるとともに、高い開口率を有し、しかも容易に製造することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る有機ＥＬ表示装置について具体的に説明する。
図１Ａ、図１Ｂ、及び図１Ｃは、本発明に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示パネルの一例を概略的に示している。本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１０は、図１Ｂに示されるように、絶縁隔壁２４の幅が上部で拡大しており、上部電極２８と上部電極用補助電極２０が、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側（絶縁隔壁２４の中心部に近い側）で接続していることを主な特徴としている。以下、このような本発明に係る有機ＥＬ表示パネル１０についてその製造方法とともに説明する。
【００２１】
＜基板＞
まず、基板１２上に下部電極（陽極）１４をストライプ状に形成する。図２Ａ及び図２Ｂは、基板１２上にストライプ状に形成した下部電極１４のパターンの一例を示している。
基板１２としては、ガラス、樹脂等の透明基板を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の樹脂基板を好適に用いることができる。
【００２２】
また、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、基板側から発光を取り出す必要がないため、金属からなる不透明基板を用いることができる。例えば、ステンレス、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕやこれらの合金等の金属基板を用いれば、高いガスバリア性を有するものとなる。なお、このような金属製の基板を用いる場合には、基板１２と下部電極１４との間に電気絶縁性を確保するための絶縁膜を設けておく。
【００２３】
＜下部電極＞
基板１２上に形成する下部電極１４としては、有機ＥＬ素子の陽極を構成する公知の材料、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ、ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物を好適に用いることができる。なお、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、下部電極１４は透明である必要はないが、透明な有機ＥＬ表示パネル１０を備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合には、下部電極１４は透明電極を採用する必要があり、導電性、透明性等の点でＩＴＯが好ましい。
基板１２上にストライプ状の下部電極（陽極）１４を形成する方法としては、フォトリソグラフィー法により所望のパターンに形成することができる。なお、下部電極１４とともに同じ材料で上部電極（陰極）用引出配線１６を同時に形成してもよい。
【００２４】
下部電極（陽極）１４の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ程度、特に５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内で形成することができる。このような厚みを有する陽極１４であれば、有機ＥＬ素子の陽極１４として十分に機能するとともに、可視光の透過率を十分高くすることができる。
【００２５】
＜絶縁層＞
下部電極１４を形成した後、絶縁層１８を形成する。図３Ａ及び図３Ｂは、絶縁層１８の配置パターンの一例を示している。
絶縁層１８を構成する材料としては、公知の絶縁材料を用いることができ、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、アモルファスフッ素樹脂等を用いることができる。透過型の有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置を製造する場合には可視光に対して光透過性を有する材料が用いられる。絶縁層１８を形成する方法としては、上記のような絶縁材料を基板１２上に塗布し、フォトリソグラフィーにより所定のパターンに形成すればよい。また、絶縁層１８として無機膜を使用する場合もある。その時に使用される無機膜としては、例えば、酸化シリコンＳｉＯｘ、窒化シリコンＳｉＮｘ、酸化タンタルＴａＯｘ、窒素タンタルＴａＮｘ等の酸化膜や窒化膜を用いることができる。無機膜の成膜には、スッパタ法、ＣＶＤ法による真空蒸着等を用い、成膜後にフォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングすることで絶縁層１８を所定のパターンに形成する。なお、本発明では、後に形成する上部電極２８と上部電極用補助電極２０とを、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続させるため、絶縁層１８は比較的狭い幅で形成することができる。絶縁層１８の幅を狭くすることで開口率を高くすることができる。
絶縁層１８の厚さは特に限定されるものではないが、例えば、１００ｎｍ〜１０μｍ程度、特に２００ｎｍ〜２μｍの範囲内で形成することができる。
【００２６】
＜上部電極用補助電極＞
絶縁層１８を形成した後、絶縁層１８上に上部電極用補助電極２０を形成する。図４Ａ及び図４Ｂは、上部電極用補助電極２０の配置パターンの一例を示している。
上部電極用補助電極２０は、後述の上部透明電極２８より抵抗が小さい材料で形成し、上部透明電極２８がＩＴＯである場合、ＩＴＯとのコンタクト性の観点からＭｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることが好ましい。フォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングすることで絶縁層１８上に所望のパターン形状の上部電極用補助電極２０を形成することができる。本発明では、上部電極用補助電極２０と後に形成する上部透明電極２８とを、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続させるため、上部電極用補助電極２０を比較的狭い幅で形成することができる。また、例えば図４Ａに示すように、後に形成する絶縁隔壁２４によって隔てられるように上部電極用補助電極２０を形成すれば、補助電極２０を介した上部電極間のショートを防ぐことができる。
上部電極用補助電極２０の厚さに関しては、後に形成する絶縁隔壁２４の高さ、有機ＥＬ層２６及び上部電極２８の厚さにもよるが、５０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内とすることができる。
【００２７】
上部電極用補助電極２０を形成する際、下部電極１４に接続された下部電極用補助電極２２、あるいは下部電極１４及び上部透明電極２８に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極２２を同時に形成することもできる。上部電極用補助電極２０と、下部電極用補助電極２２あるいは引出電極２２を同じ材料により同時に形成すれば、工程を簡略化することができる。
【００２８】
＜絶縁隔壁＞
上部電極用補助電極２０を形成した後、絶縁隔壁２４を形成する。図５Ａ及び図５Ｂは、絶縁隔壁２４の配置パターンの一例を示している。
図５Ｂに示されるように、絶縁隔壁２４は、上部で幅が拡大し、幅が最も拡大している部分２５が上部電極用補助電極２０の上方に位置するように形成する。絶縁隔壁２４を形成する方法としては、公知の感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィーによるパターニング後、エッチングにより不溶な部分を除去することができる。これにより、逆テーパ形状の断面を有する絶縁隔壁２４を形成することができる。また、ポジ型感光性樹脂を絶縁隔壁２４に用いた場合は、露光条件を調整することにより、エッチングを行うことなく、逆テーパ形状を得ることができる。なお、図５Ｂに示されるように、２本の上部電極用補助電極２０を隔てるように絶縁隔壁２４を形成すれば、前記したように補助電極２０を介した上部電極（陰極）２８間のショートを防ぐことができる。
【００２９】
絶縁隔壁２４の高さは特に限定されるものではなく、０．２μｍ〜１００μｍ程度、好ましくは１μｍ〜８μｍ、より好ましくは２μｍ〜６μｍ程度の範囲内であれば、容易に形成することができる上、絶縁隔壁２４の根元の幅ｄと最上部の幅Ｄとの差を比較的大きくすることができ、後述の上部電極２８と上部電極用補助電極２０との接続を確保し易くなる。なお、上部電極２８と上部電極用補助電極２０との接続を確保し易くするため、絶縁隔壁２４の根元の幅ｄと上部の最大幅Ｄとの差が、１〜５０μｍ、好ましくは２μｍ〜２０μｍ、より好ましくは５〜１０μｍとなるように絶縁隔壁２４を形成することが好ましい。
【００３０】
＜有機ＥＬ層＞
絶縁隔壁２４を形成した後、有機ＥＬ層２６を形成する。図６Ａ及び図６Ｂは、有機ＥＬ層２６が形成された状態を概略的に示している。本発明では、少なくとも有機ＥＬ層２６の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することができる。例えば、ベタマスクを用いて真空熱抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次成膜する。この場合、ストライブマスクや画素個別マスクを用いてのマスク蒸着のような精密なアライメントを行う必要がなく、有機ＥＬ層を容易に形成することができる。このようにストライブマスクや画素独立マスクを用いずにベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により各層を形成すれば、図６Ｂに示されるように、有機ＥＬ層２６が、下部電極（陽極）１４、絶縁隔壁２４、及び上部電極用補助電極２０の上にほぼ均一に形成される。ただし、上部電極用補助電極２０の上面の一部は絶縁隔壁２４の最大幅部２５に隠れているため、それより内側の部分には有機ＥＬ層２６はほとんど形成されず、上部電極用補助電極２０が露出した状態となる。
【００３１】
正孔輸送層に使用する材料としては、例えばカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、フェニルアゾールやフェニルアジンを配位子に有するＩｒ錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
発光層は、発光材料のみで構成されていても良く、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でも良い。発光材料は蛍光発光材料でも燐光発光材料であっても良く、ドーパントは１種であっても２種以上であっても良い。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は１種であっても２種以上であっても良く、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料を混合した構成が挙げられる。
発光層に含有されるホスト材料としては、例えばカルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、前述の正孔輸送層、後述の電子輸送層として例示されている材料等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
電子輸送層に使用する材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
＜上部透明電極＞
有機ＥＬ層２６を形成した後、ストライプ状の複数の下部電極１４と交差する方向にストライプ状の上部透明電極２８を形成する。上部透明電極２８を形成する方法としては、スパッタ蒸着法が好適である。上部透明電極２８を構成する材料からなるターゲットにアルゴンイオンビームを照射して有機ＥＬ層２６上に成膜する。上部透明電極２８の材料としては、導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。スパッタ蒸着法により成膜すれば、真空加熱蒸着よりもカバレッジが良く、ターゲットから放出された材料は絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下側にも回り込んで堆積する。従って、上部電極用補助電極２０上の有機ＥＬ層２６が形成されていない部分にも上部透明電極２８が形成される。これにより、上部電極２８と上部電極用補助電極２０を、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層１８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５の内側（絶縁隔壁２４の中心部に近い側）で接続させることができる。
【００３５】
＜封止部材＞
上部透明電極２８を形成した後、水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するため、必要に応じて封止部材（保護層）により有機ＥＬ素子を被覆する。封止部材としては、例えば、ガラス、プラスチック等を用いることができる。
【００３６】
上記のような工程により有機ＥＬ表示パネル１０を製造すれば、絶縁層１８と補助電極２０を細く（狭く）形成しても、絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下で上部透明電極２８とその補助電極２０との接続を確保することができるため、補助電極２０により上部透明電極２８の電圧降下を抑制することができる。また、下部電極１４と上部透明電極２８との間に配置された有機ＥＬ層２６が画素となり、各画素は、図１Ａに見られるように矩形となる。従って、上記のように製造された有機ＥＬ表示パネル１０は、高い開口率を有するものとなり、このような有機ＥＬ表示パネル１０を備えた有機ＥＬ表示装置は、高輝度かつ高精細の表示が可能となる。
【００３７】
図７は、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの他の態様を示している。この有機ＥＬ表示パネル５０では、絶縁層５８上に、絶縁隔壁２４と上部電極用補助電極５２がそれぞれ左右に分かれるように形成されている。そして、下部電極（陽極）１４上及び補助電極５２上に有機ＥＬ層２６と上部電極（陰極）２８とが順次形成されており、この場合も、上部電極２８と上部電極用補助電極５２は、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層５８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続している。すなわち、図７に示すような構成の有機ＥＬ表示パネル５０でも、絶縁隔壁２４の最大幅部２５の下で上部透明電極２８とその補助電極５２との接続を確保することができるため、絶縁層５８と補助電極５２を細く形成しておくことができ、開口率を高くすることができる。
【００３８】
図８は、本発明に係る有機ＥＬ表示パネルのさらに他の態様を示している。この有機ＥＬ表示パネル６０では、絶縁層６８上に上部電極用補助電極６２が形成され、さらに上部電極用補助電極６２上に絶縁隔壁２４が形成されている。そして、下部電極（陽極）１４上及び補助電極６２上に有機ＥＬ層２６と上部透明電極（陰極）２８とが順次形成されており、この場合も、上部電極２８と上部電極用補助電極６２は、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５と絶縁層６８との間であって、絶縁隔壁２４の幅が最も拡大している部分２５よりも内側で接続している。しかも、この有機ＥＬ表示パネル６０は、補助電極６２上に絶縁隔壁２４が形成されているため、絶縁層６８を一層狭く形成することができ、開口率をより高くすることができる。
【００３９】
以上のように本発明に係る有機ＥＬ表示パネルは、上部透明電極とその補助電極とが、絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続しているため、開口率が高くなり、このような有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置は、高輝度かつ高精細の表示が可能となる。また、本発明によれば、有機ＥＬ層を形成する際、ストライブマスクや画素個別マスクを用いる必要が無いため、高精度なアライメント機構を必要としないので有機ＥＬ層及び上部電極用補助電極を容易に形成することができる。さらに、上部電極（陰極）用補助電極が基板側に予め形成されるので、上部電極（陰極）形成後に補助配線を形成する必要がなく、例えば、下部電極（陽極）用の補助電極および引出電極を形成する工程で上部電極（陰極）用補助電極を一緒に形成することもできる。従って、製造が容易であり、低消費電力、かつ、高輝度の有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００４０】
以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば絶縁隔壁の形状は、上部が拡径していれば図５Ｂ等に示すような上部に向けて連続的に拡径する逆テーパ形状に限らず、例えば上部に向けて段階的に拡径した形状や、いわゆるオーバーハングとしてもよい。
また、上部電極が陰極の場合について説明したが、例えばトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であって、上部電極として陽極を用いる場合にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】本発明に係る有機ＥＬ表示装置の要部となるパネルの一例を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａに示すパネルのＢ−Ｂ´線部分断面図である。
【図２Ａ】下部電極（陽極）の配置の一例を示す概略平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図３Ａ】絶縁層の配置の一例を示す概略平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図４Ａ】絶縁隔壁の配置の一例を示す概略平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図５Ａ】有機ＥＬ層の配置の一例を示す概略平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線部分断面図である。
【図６Ａ】従来の有機ＥＬ表示装置のパネルの一例を示す概略平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示すパネルのＡ−Ａ´線断面図である。
【図７】本発明に係る有機ＥＬ表示パネルの他の例を概略的に示す部分断面図である。
【図８】本発明に係る有機ＥＬ表示パネルのさらに他の例を概略的に示す部分断面図である。
【図９】有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示す概略断面図である。
【図１０】上部電極用補助電極を備えた従来の有機ＥＬ表示パネルの構成の一例を示す概略平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ´断面を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０・・・有機ＥＬ表示パネル
１２・・・基板
１４・・・下部電極（陽極）
１６・・・上部電極（陰極）用引出配線
１８・・・絶縁層
２０・・・上部電極用補助電極
２２・・・補助電極（引出電極）
２４・・・絶縁隔壁
２５・・・最大幅部
２６・・・有機ＥＬ層
２８・・・上部透明電極（陰極）
３０・・・有機ＥＬ表示パネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極と、該下部電極上に配置された絶縁層と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁とを有し、前記上部電極と上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記上部電極用補助電極が、前記絶縁隔壁を隔てて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記下部電極及び前記上部透明電極に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極を有し、該引出電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記下部電極に接続された下部電極用補助電極を有し、該下部電極用補助電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記上部透明電極が、ＩＴＯにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記上部電極用補助電極が、Ｍｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記下部電極が、透明電極であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記下部電極と、前記絶縁層と、前記上部電極用補助電極と、前記絶縁隔壁と、前記有機ＥＬ層と、前記上部透明電極とを順次形成する工程を含み、前記上部透明電極をスパッタ法により形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
少なくとも前記有機ＥＬ層の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、該基板上にストライプ状に配置された下部電極と、該下部電極上に配置された絶縁層と、前記下部電極と交差する方向にストライプ状に配置された上部透明電極と、前記下部電極と前記上部透明電極との間に配置された有機ＥＬ層と、前記絶縁層上に配置され、前記上部透明電極と接続する上部電極用補助電極と、前記絶縁層上又は前記上部電極用補助電極上に配置され、上部で幅が拡大している絶縁隔壁とを有し、前記上部電極と上部電極用補助電極とが、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分と前記絶縁層との間であって、前記絶縁隔壁の幅が最も拡大している部分よりも内側で接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記上部電極用補助電極が、前記絶縁隔壁を隔てて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記下部電極及び前記上部透明電極に外部駆動回路からの信号を伝える引出電極を有し、該引出電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記下部電極に接続された下部電極用補助電極を有し、該下部電極用補助電極が前記上部電極用補助電極と同じ材料により形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記上部透明電極が、ＩＴＯにより形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記上部電極用補助電極が、Ｍｏ、Ｃｒ、及びＴｉの少なくともいずれか一種を含むものであることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記下部電極が、透明電極であることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、前記下部電極と、前記絶縁層と、前記上部電極用補助電極と、前記絶縁隔壁と、前記有機ＥＬ層と、前記上部透明電極とを順次形成する工程を含み、前記上部透明電極をスパッタ法により形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
少なくとも前記有機ＥＬ層の一部を、ベタマスクを用いて真空加熱蒸着法により形成することを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−８４５４１（Ｐ２００８−８４５４１Ａ）
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−２５９５６４（Ｐ２００６−２５９５６４）
【出願日】平成１８年９月２５日（２００６．９．２５）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月１０日（２００８．４．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年９月２５日（２００６．９．２５）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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