有機ＥＬ装置、電子機器、有機ＥＬ装置の製造方法
【課題】高い発光輝度と色再現性が得られる有機ＥＬ装置、この有機ＥＬ装置を備えた電子機器、有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の有機ＥＬ装置１０は、素子基板１上に順に積層形成された反射層２１と、透明な第１の電極としての画素電極２３と、有機発光層を含む機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂと、透明な第２の電極としての陰極２５と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと、半透過反射層２８と、を備え、反射層２１と半透過反射層２８の間で光共振器を構成した。光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、有機ＥＬ素子２０の発光色に応じて適正な光路長となるように層厚を設定した。
【解決手段】本適用例の有機ＥＬ装置１０は、素子基板１上に順に積層形成された反射層２１と、透明な第１の電極としての画素電極２３と、有機発光層を含む機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂと、透明な第２の電極としての陰極２５と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと、半透過反射層２８と、を備え、反射層２１と半透過反射層２８の間で光共振器を構成した。光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、有機ＥＬ素子２０の発光色に応じて適正な光路長となるように層厚を設定した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子を有する有機ＥＬ装置、電子機器、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置として、第１透明電極、発光層および第２透明電極を有する有機発光素子と、有機発光素子を制御するスイッチング素子を有する駆動層とを備え、駆動層内の層間絶縁膜を介して反射膜を設け、反射膜が第１透明電極の外側にある有機発光表示装置が知られている（特許文献１）。
上記有機発光表示装置は、発光層からそのまま第２透明電極側に射出した発光と反射膜で反射した発光とが共振して輝度が上昇する、所謂光共振構造を有している。この光共振構造は、発光層における発光色すなわち光の波長に応じて、発光層と反射膜との間の距離が設定されている。これにより、発光色ごとの輝度を高めようとするものである。
【０００３】
さらには、有機発光層を含む機能層を有する発光素子が複数形成された素子基板と、複数の発光素子に対応する色要素が形成された封止基板とが接着層を介して接合された有機ＥＬ発光装置が知られている（特許文献２）。
上記有機ＥＬ発光装置は、色要素として発光色に対応したカラーフィルタを備え、カラーフィルタによって発光色の色度補正を行い、より鮮やかな色表現を可能としたものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２５２０８７号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の有機発光表示装置並びに有機ＥＬ発光装置では、第１透明電極上に発光層が積層形成されるため、発光層の膜厚がばらつくと、ねらいの光共振構造が得られないおそれがある。
また、カラーフィルタが形成された封止基板と、機能層が形成された素子基板と接合させる場合、発光領域とカラーフィルタの着色領域とが平面的に位置精度よく合致していないと、光漏れが発生して適正に色度補正がなされないというおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であって、基板上に順に積層形成された反射層と、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、半透過反射層と、を備え、前記反射層と前記半透過反射層の間で光共振器が構成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の電極と機能層と第２の電極とにより有機ＥＬ素子が構成され、当該有機ＥＬ素子上に、光共振器を構成する光路長調整層と半透過反射層とが積層されている。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態に応じて光路長調整層の層厚を調整すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記半透過反射層上に発光色に対応した少なくとも１色のフィルタエレメントが形成されていることが好ましい。
この構成によれば、光共振器上に積層された少なくとも１色のフィルタエレメントを備えることにより、発光色の色度が補正され、優れた色度バランスと高い発光輝度とを有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記半透過反射層と前記少なくとも１色のフィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、ガスバリア性を有する保護膜を設けることにより、フィルタエレメントから放出される水蒸気などのガス成分が半透過反射層を通じて有機ＥＬ素子に到達することを防ぐことができる。すなわち、フィルタエレメントから放出されるガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを防ぎ、長い発光寿命が得られる有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例４］本適用例の他の有機ＥＬ装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であって、透明な基板上に順に積層形成された半透過反射層、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、反射層と、を備え、前記半透過反射層と前記反射層との間で光共振器が構成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１の電極と機能層と第２の電極とにより有機ＥＬ素子が構成され、当該有機ＥＬ素子上に、光共振器を構成する光路長調整層と反射層とが積層されている。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態に応じて光路長調整層の層厚を調整すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記基板上の複数の画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層が形成され、前記発光色に対応して前記光路長調整層の層厚が設定されていることが好ましい。
この構成によれば、発光色ごとに好ましい光共振状態が得られる。すなわち、高い発光輝度を有し、フルカラーの発光が可能なトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記光路長調整層は、光透過性の超微粒子または前記超微粒子を含む光透過性の高分子膜からなることを特徴とする。
この構成によれば、超微粒子を介して発光が伝達され、光路長調整層における発光の漏れなどの輝度損失を低減することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるように、前記超微粒子の粒径が選定されていることが好ましい。
この構成によれば、光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるので、可視光の散乱が抑制され、より高い透明性を有する光路長調整層とすることができる。すなわち、光路長調整層において発光が減衰し難く、より高い輝度の発光を得ることができる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、光路長調整層から放出される水蒸気などのガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを低減し、長い発光寿命を有する有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記複数の画素領域を区画する隔壁部を備え、前記第２の電極は、前記隔壁部と前記複数の画素領域とを覆うように形成され、前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、発光を阻害しない隔壁部上に補助電極が設けられ、第２の電極の面抵抗ばらつきを低減することができる。したがって、発光時に機能層を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が複数の有機ＥＬ素子間においてばらつくことを低減することができる。すなわち、複数の有機ＥＬ素子間においてより均一な発光輝度が得られるトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１８】
［適用例１０］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高い発光輝度を有するトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を備え、優れた視認性を有する電子機器を提供することができる。
【００１９】
［適用例１１］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上の画素領域に反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、前記光路長調整層上に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程とを備え、前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする。
【００２０】
この方法によれば、第１電極形成工程と機能層形成工程と第２電極形成工程とにより有機ＥＬ素子が形成される。そして、光路長調整層形成工程では、当該有機ＥＬ素子上に、半透過反射層と反射層との間で光共振器を構成する光路長調整層が形成される。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態を考慮して光路長調整層の層厚を設定すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２１】
［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、フィルタエレメント形成材料を含む少なくとも１色の液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して、少なくとも１色のフィルタエレメントを前記半透過反射層上に形成する成膜工程とを備えたことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程と成膜工程とにより、少なくとも１色のフィルタエレメントを光共振器上に積層形成することができる。したがって、有機ＥＬ素子からの発光が漏れなくフィルタエレメントを通過し、発光色の色度をフィルタエレメントにより補正して、優れた色度バランスと高い発光輝度とを有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２２】
［適用例１３］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記半透過反射層と前記フィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、ガスバリア性を有する保護膜を形成することにより、フィルタエレメントから放出される水蒸気などのガス成分が半透過反射層を通じて有機ＥＬ素子に到達することを防ぐことができる。すなわち、フィルタエレメントから放出されるガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを防ぎ、長い発光寿命が得られるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２３】
［適用例１４］本適用例の他の有機ＥＬ装置の製造方法は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上の画素領域に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程と、前記半透過反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、前記光路長調整層上に反射層を形成する反射層形成工程とを備え、前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする。
【００２４】
この方法によれば、第１電極形成工程と機能層形成工程と第２電極形成工程とにより有機ＥＬ素子が形成される。そして、光路長調整層形成工程では、当該有機ＥＬ素子上に、半透過反射層と反射層との間で光共振器を構成する光路長調整層が形成される。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態を考慮して光路長調整層の層厚を設定すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２５】
［適用例１５］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記機能層形成工程は、前記基板上の複数の前記画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層を形成し、前記光路長調整層形成工程は、前記機能層における発光波長に応じて、前記光路長調整層の層厚を設定することが好ましい。
この方法によれば、機能層における発光波長に応じて、光路長調整層の層厚を設定するので、発光色ごとに好ましい共振状態が得られる。すなわち、高い発光輝度を有し、フルカラーの発光が可能なトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２６】
［適用例１６］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、前記機能層形成工程は、有機発光層形成材料を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して前記有機発光層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程において有機発光層形成材料を含む液状体を吐出することにより、画素領域ごとに材料の無駄を省いて効率よく有機発光層を形成することができる。
【００２７】
［適用例１７］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、前記光路長調整層形成工程は、光透過性の超微粒子を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して前記光路長調整層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程において光透過性の超微粒子を含む液状体を吐出することにより、画素領域ごとに材料の無駄を省いて効率よく光路長調整層を形成することができる。また、液状体の吐出量を調整すれば、光路長調整層の層厚を容易に可変することができる。すなわち、超微粒子からなり発光の損失が低減された光路長調整層を所望の層厚で形成することができる。
【００２８】
［適用例１８］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、湿式法を用いて光路長調整層を形成しても、第２の電極が保護膜で保護されるので、光路長調整層から放出される水蒸気などのガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを低減し、長い発光寿命を有する有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２９】
［適用例１９］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２電極形成工程は、前記隔壁部と前記複数の前記画素領域とを覆うように前記第２の電極を形成し、前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極を形成する補助電極形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、補助電極形成工程では、発光を阻害しない隔壁部上に補助電極を形成し、第２の電極の面抵抗ばらつきを低減することができる。したがって、発光時に機能層を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が複数の有機ＥＬ素子間においてばらつくことを低減することができる。すなわち、複数の有機ＥＬ素子間においてより均一な発光輝度が得られるトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００３１】
（実施形態１）
＜トップエミッション型の有機ＥＬ装置＞
本実施形態は、発光素子としての有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を例に図１〜図３を参照して説明する。
図１は有機ＥＬ装置を示す概略正面図、図２は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
【００３２】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の発光画素７を備えた素子基板１と、素子基板１に所定の間隔を置いて対向配置された封止基板２とを備えている。封止基板２は、複数の発光画素７が設けられた発光領域６を額縁状に封着するように、高い気密性を有する封着剤を用いて素子基板１に接合されている。
【００３３】
発光画素７は、発光素子としての有機ＥＬ素子を備えるものであって、同色の発光が得られる発光画素７が、縦方向（Ｙ軸方向）に配列した所謂ストライプ方式となっている。なお、実際には、発光画素７は微細なものであり、図示の都合上拡大して現している。
【００３４】
素子基板１は、封止基板２よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、発光画素７を駆動する２つの走査線駆動回路部３と１つのデータ線駆動回路部４が設けられている。走査線駆動回路部３、データ線駆動回路部４は、例えば、電気回路が集積されたＩＣとして素子基板１に実装してもよいし、当該駆動回路部３，４を素子基板１の表面に直接形成してもよい。
【００３５】
素子基板１の端子部１ａには、これらの駆動回路部３，４と外部駆動回路とを接続するための中継基板５が実装されている。中継基板５は、例えば、フレキシブル回路基板などを用いることができる。
【００３６】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の電気的な構成について説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、発光画素７を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００３７】
有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動回路部３に接続されＸ軸方向に延在する複数の走査線３１と、データ線駆動回路部４に接続されＹ軸方向に延在する複数の信号線４１と、各信号線４１に並列して延在する複数の電源線４２と、を備えている。マトリクス状に直交する走査線３１と信号線４１とによって区画された領域内に発光画素７が設けられている。
【００３８】
それぞれの発光画素７は、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介して信号線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２と、この駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む第１の電極としての画素電極２３と、この画素電極２３と第２の電極としての陰極２５との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。
【００３９】
走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときの信号線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。すなわち、画素電極２３と陰極２５と機能層２４とにより、発光素子としての有機ＥＬ素子２０が構成されている。
【００４０】
次に、有機ＥＬ装置１０の詳しい構造について、図３を参照して説明する。なお、図３においては、素子基板１に形成された各ＴＦＴ１１，１２および保持容量１３を含む回路部１ｂの詳細は、図示省略した。
【００４１】
図３に示すように、素子基板１は、複数の画素領域Ｅを有している。各画素領域Ｅには、反射層２１、絶縁膜２２、画素電極２３、機能層２４、陰極２５、保護膜２６、光路長調整層２７、半透過反射層２８、保護膜２９が順に積層されている。前述したように画素電極２３と、機能層２４と、陰極２５とにより有機ＥＬ素子２０を構成するものである。有機ＥＬ素子２０から射出して半透過反射層２８を透過する発光と、有機ＥＬ素子２０から射出して半透過反射層２８と反射層２１とで反射して再び半透過反射層２８を透過する発光とが共振するように、発光色に応じた層厚を有する光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが有機ＥＬ素子２０上に設けられている。すなわち、有機ＥＬ装置１０は、反射層２１と半透過反射層２８との間で光共振器が構成され、封止基板２側から発光が射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
【００４２】
素子基板１は、例えばガラス基板などの透明な基板、あるいは例えばシリコン基板などの不透明な基板の両方を用いることができる。
【００４３】
素子基板１上に設けられた反射層２１は、光共振器を構成するものであって、高い光反射率が得られる材料で構成することが好ましい。例えば、アルミ（Ａｌ）や、アルミの化合物であるＡｌＮｄなどが挙げられる。厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
また、反射層２１の表面（反射面）は、反射光の散乱を防ぐためほぼ平坦となることが望ましい。それゆえに、素子基板１の表面に形成された回路部１ｂにおける凹凸を緩和する絶縁性を有する平坦化層を設け、該平坦化層上に反射層２１を形成することが好ましい。
【００４４】
反射層２１を覆うように積層された絶縁膜２２は、高い光透過率が得られる材料で構成されることが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、あるいはこれらの混合物が挙げられる。厚みはおよそ１０ｎｍである。
【００４５】
反射層２１上に絶縁膜２２を介して積層された画素電極２３は、透明な導電膜からなるものであって、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜が挙げられる。厚みはおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００４６】
本実施形態では、反射層２１と画素電極２３との間に絶縁膜２２を設けたが、これは、画素電極２３のパターニングに際して、下層に位置する反射層２１がエッチングされないように絶縁膜２２で保護する役割を担うものである。したがって、反射層２１や画素電極２３の材料の選択やパターニング方法によっては、絶縁膜２２を設けなくてもよい。すなわち、反射層２１を構成する薄膜に画素電極２３を構成する薄膜を積層してからパターニングを行う手法を用いて、素子基板１上に平面的にほぼ同一形状の反射層２１と画素電極２３とを形成してもよい。
【００４７】
画素電極２３を有する画素領域Ｅは、画素電極２３の周縁部を覆うように設けられた第１隔壁部５１と、第１隔壁部５１上に設けられた第２隔壁部５２と、さらに第２隔壁部５２上に設けられた第３隔壁部５４とにより区画されている。
【００４８】
第１隔壁部５１は、絶縁性の無機材料からなるものであって、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、あるいはこれらの混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜１０ｎｍである。画素電極２３の周縁部を覆うように第１隔壁部５１を設けることにより、後に積層される陰極２５と画素電極２３との第２隔壁部５２際における短絡を防止するものである。
【００４９】
第２隔壁部５２は、絶縁性の有機化合物からなるものであって、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。厚みはおよそ１μｍ〜１．５μｍである。
【００５０】
画素電極２３上に積層された機能層２４は、有機発光層を含む複数種の有機層からなる。本実施形態では、有機発光層における発光色に応じて、画素領域Ｅに塗り分け形成される。機能層２４ｒは赤色（Ｒ）の発光色が得られ、機能層２４ｇは緑色（Ｇ）の発光色が得られ、機能層２４ｂは青色（Ｂ）の発光色が得られる。これらを総称して機能層２４と呼ぶ。
【００５１】
機能層２４の具体的な例としては、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層が積層されたものが挙げられる。厚みはおよそ１００ｎｍである。
【００５２】
正孔注入輸送層の形成材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等を用いることができる。この場合、有機発光層に対して画素電極２３側から注入される正孔（ホール）の注入量と、陰極２５側から注入される電子の注入量とのキャリアバランスを考慮すると、仕事関数の関係からポリチオフェン誘導体を用いることが好ましい。
【００５３】
有機発光層の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。塗布型の発光材料としては高分子有機材料が好適であり、例えば、ペニレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などが挙げられる。また、これらの高分子有機材料に、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしてもよい。
【００５４】
燐光であれば、例えば、燐光用ホスト材料として、４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル（ＣＢＰ）誘導体を用い、これに赤色燐光材料である白金ポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ）誘導体、緑色燐光材料であるイリジウム錯体のＩｒ（ｐｐｙ）３誘導体、青色燐光材料であるイリジウム錯体のＦＩｒｐｉｃ誘導体を発光色に応じて添加し、シクロヘキシルベンゼン、ジハライドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等の有機溶媒、あるいはこれらの有機溶媒の混合溶媒に溶解させた溶液を用いることができる。特に、イリジウム錯体に対して優れた溶解性を示すジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルムなどの塩素系有機溶媒が好ましい。
【００５５】
電子注入輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などが挙げられ、これらの形成材料を用いた成膜方法としては、真空蒸着法が好ましい。
【００５６】
陰極２５は、透明な導電膜からなり、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆うように設けられている。陰極２５の形成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ：Ａｌまたはこれらの酸化物の複合体を用いることができる。厚みはおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００５７】
本実施形態では、第２隔壁部５２を覆う陰極２５上に補助電極５３が設けられている。その目的は、陰極２５の抵抗のばらつきを抑制して、有機ＥＬ素子２０に流れる電流量を安定化させようとするものである。したがって、補助電極５３を設ける位置としては、発光を阻害しない第２隔壁部５２上が好ましく、且つ平面的には画素領域Ｅ（すなわち発光画素７）を取り囲んで格子状に設けることが望ましい。補助電極５３の形成材料としては、陰極２５よりも面抵抗が小さい、Ａｌなどの金属材料が挙げられる。
【００５８】
陰極２５を覆うように保護膜２６が設けられている。保護膜２６は、有機ＥＬ素子２０に発光を阻害する水蒸気などのガスが侵入することを防ぐものである。したがって、高いガスバリア性（気体非透過性）と光透明性とを兼ね備える材料で形成されることが好ましい。形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、またはこれらの材料の混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００５９】
画素領域Ｅには、光共振器において発光色ごとに所定の光路長を付与するため、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが層厚を異ならせて設けられている。詳しくは、後述する。
【００６０】
第３隔壁部５４は、保護膜２６で覆われた第２隔壁部５２上に設けられている。その目的は、層厚が異なる光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを塗り分け形成するにあたり、画素領域Ｅ内に吐出された液状体を保持する役目を果たす。第３隔壁部５４の形成材料は、第２隔壁部５２と同様に、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。厚みはおよそ１μｍ〜１．５μｍである。
【００６１】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆うように半透過反射層２８が設けられている。半透過反射層２８は、光共振器を構成するものであり、光透過性と光反射性とを兼ね備える必要がある。有機ＥＬ素子２０における発光を効率よく取り出すため、透過率は５０％以上とする。半透過反射層２８の形成材料としては、Ｃａ−Ａｇ、Ｍｇ−Ａｇの合金を用いることができる。例えば、Ｍｇ−Ａｇの合金では、光の消衰係数を考慮すると、透過率を５０％以上とするためには、厚みが２０ｎｍ以下となり、１０ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
【００６２】
半透過反射層２８を覆うように保護膜２９が設けられている。その目的は、保護膜２６と同様に、有機ＥＬ素子２０に発光を阻害する水蒸気などのガスの侵入を防ぎ、且つ取り扱いなどにより半透過反射層２８にキズなどの欠損が生ずることを防止するものである。形成材料は、ガスバリア性と光透明性とを兼ね備えた酸化シリコン、窒化シリコン、またはこれらの材料の混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００６３】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色の発光が得られる複数の有機ＥＬ素子２０を備えた素子基板１は、空間７０を介して封止基板２と接合される。
【００６４】
封止基板２は、透明な基板であって、例えば、ガラス基板を用いることができる。前述したように、封止基板２は、発光領域６（図１参照）を囲む領域において封着剤により素子基板１と接合され、空間７０に水蒸気等のガスが侵入しないように封着される。これにより、有機ＥＬ素子２０を保護する保護膜２６，２９と相まって、より長い発光寿命を確保し、高い信頼性を有する有機ＥＬ装置１０を実現している。
【００６５】
本実施形態では、素子基板１と封止基板２とを所定の間隔で対向させることにより空間７０を設けたが、これに限定されず、空間７０を透明な封着剤により充填した構造としてもよい。
また、空間７０の間隔を保つために、素子基板１と封止基板２との間にスペーサ（貝柱やギャップ材）を配置してもよい。スペーサを配置する場所は、第３隔壁部５４上が好ましい。スペーサを設けることにより、封止基板２を外側から押圧しても、封止基板２がたわみ難く、封止基板２によって有機ＥＬ素子２０が損傷することを防ぐことができる。
【００６６】
次に、光共振構造について説明する。発光色ごとに所望のピーク波長λの発光を取り出そうとする場合、反射層２１と半透過反射層２８との光学的距離Ｌと、光が反射層２１および半透過反射層２８で反射する際に生じる位相シフトΦ（ラジアン）との関係が以下の数式（１）で導かれることが知られている（国際公開；ＷＯ０１／０３９５５４号公報）。
（２Ｌ）／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）・・・・（１）
【００６７】
そこで、本実施形態では、赤色（Ｒ）の波長域を６００ｎｍ〜７５０ｎｍとし、緑色（Ｇ）の波長域を５００ｎｍ〜６００ｎｍとし、青色（Ｂ）の波長域を４００ｎｍ〜５００ｎｍとして、この間にピーク波長λが得られるように、発光色ごとの光学的距離Ｌを設定した。
【００６８】
光学的距離Ｌは、反射層２１と半透過反射層２８との間に存在する各層の光学的な距離の和により求められる。本実施形態では、絶縁膜２２、画素電極２３、機能層２４、陰極２５、保護膜２６、それぞれの層厚をほぼ一定としているため、発光色ごとの光学的距離Ｌは、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの光学的な距離によって決まる。
【００６９】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの光学的な距離は、層厚と屈折率とにより決まる。
本実施形態の光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、光透過性を有する超微粒子からなることを特徴としている。適度な屈折率と粒径を有する超微粒子を選定して、層厚を異ならせることにより、発光色ごとに好適な光学的距離Ｌを実現して、光共振状態を最適化した。
【００７０】
具体的には、超微粒子として粒子径が１０ｎｍ〜３０ｎｍ（数平均粒径２２ｎｍ）のアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）を用いた。アンチモンドープ酸化スズの屈折率ｎは、およそ１．６５である。そして、赤色の発光色に対応する光路長調整層２７ｒの層厚を１５０ｎｍとし、緑色の発光色に対応する光路長調整層２７ｇの層厚を９０ｎｍとし、青色の発光色に対応する光路長調整層２７ｂの層厚を６０ｎｍとした。
【００７１】
超微粒子を用いて光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する方法としては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いている。詳しくは、有機ＥＬ装置１０の製造方法において述べる。
【００７２】
超微粒子を用いる場合、粒子径のサイズ効果による光の散乱を考慮する必要がある。超微粒子を球形として定義したとき、散乱係数の波長λと散乱粒子の粒子直径Ｄの大きさに関わるサイズパラメータをαとすると、以下の数式（２）が成り立つことが知られている。
α＝πＤ／λ・・・・（２）
【００７３】
α＜０．４がレイリー散乱の領域とされ、０．４＜α＜３がミー散乱の領域とされ、３＜αが回折散乱の領域とされている。ミー散乱の領域では、可視光の散乱が起こるのでレイリー散乱の領域にあることが好ましい。レイリー散乱の領域とすることで可視光の散乱が抑制され、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの透明性が増すことになる。
【００７４】
具体的には、数式（２）においてαを０．４とするとＤ＝０．４λ／π≒０．１２７λとなるため、最も波長が短い青色の発光を基準とすれば、λ＝４００ｎｍとしたときには、粒子直径Ｄはおよそ５０ｎｍとなる。すなわち、超微粒子の粒径を５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００７５】
発光色ごとに超微粒子の粒径を変えても構わないとすれば、光路長調整層２７ｒは、赤色の波長域の下限値を基準とすると、λ＝６００ｎｍのとき、粒径は７６ｎｍ以下とすることが好ましい。同様に、光路長調整層２７ｇは、緑色の波長域の下限値を基準とすると、λ＝５００ｎｍのとき、粒径は６３ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００７６】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。図４は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図５〜図８における（ａ）〜（ｑ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００７７】
図４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法は、素子基板１に反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ１）と、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ６）とを備えている。そして、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ８）と、陰極２５を覆う保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ９）とを備えている。さらに、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ１０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ１１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆う半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ１２）と、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ１３）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ１４）とを備えている。
【００７８】
なお、素子基板１上に有機ＥＬ素子２０を駆動するための回路部１ｂを形成する工程の説明は省略するが、薄膜トランジスタや保持容量並びにこれらの素子を繋ぐ配線等の形成方法は公知の形成方法を用いることができる。
【００７９】
図４のステップＳ１は、反射層形成工程である。ステップＳ１では、図５（ａ）に示すように、素子基板１の回路部１ｂ上に発光画素７（図１参照）に対応した反射層２１を形成する。形成方法としては、アルミ（Ａｌ）をターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍのアルミ薄膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該アルミ薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、反射層２１を形成する。形成材料は前述したようにアルミに限定されず、ＡｌＮｄでもよい。反射層２１の形成方法は、スパッタ法に限定されず、マスク蒸着法を用いて選択的に形成する方法も採用することができる。そして、ステップＳ２へ進む。
【００８０】
図４のステップＳ２は、絶縁膜形成工程である。ステップＳ２では、図５（ｂ）に示すように、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する。形成方法としては、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの酸化シリコン薄膜を各反射層２１を覆うように形成する。フォトリソグラフィ法により該酸化シリコン薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、絶縁膜２２を形成する。形成材料は前述したように酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００８１】
図４のステップＳ３は、画素電極形成工程である。ステップＳ３では、図５（ｃ）に示すように、反射層２１上に画素電極２３を形成する。形成方法としては、ＩＴＯをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明導電膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該透明導電膜を所定の形状にパターニングすることにより、画素電極２３を形成する。形成材料は前述したようにＩＴＯに限定されず、ＩＺＯでもよい。反射層２１は絶縁膜２２により覆われているので、透明導電膜をパターニングする際に、反射層２１がエッチングされることはない。また、絶縁膜２２を介することにより画素電極２３の密着性も確保できる。透明導電膜の形成方法は、スパッタ法に限定されず、真空蒸着法、ＣＶＤ法等も採用することができる。そして、ステップＳ４へ進む。
【００８２】
図４のステップＳ４は、第１隔壁部形成工程である。ステップＳ４では、図５（ｄ）に示すように、各画素電極２３間を埋めると共に、画素電極２３の周縁部を覆う第１隔壁部５１を形成する。形成方法としては、画素電極２３の必要な部分をフォトレジストによりマスキングした状態で、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法で厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜を成膜して第１隔壁部５１とする方法が挙げられる。そして、ステップＳ５へ進む。
【００８３】
図４のステップＳ５は、第２隔壁部形成工程である。ステップＳ５では、図５（ｅ）に示すように、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する。形成方法としては、第１隔壁部５１が形成された素子基板１の表面に、感光性のポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂を塗布して、厚みがおよそ１μｍ〜１．５μｍの感光性樹脂層を形成する。そして、当該感光性樹脂層を露光・現像することにより、画素電極２３をとり囲む第２隔壁部５２を形成する。第２隔壁部５２により区画された領域が画素領域Ｅとなる。なお、第２隔壁部５２の厚み（言い換えれば高さ）は、以降の工程において、画素領域Ｅの塗布される液状体の総量と画素領域Ｅの平面的な面積により決定される。そして、ステップＳ６へ進む。
【００８４】
図４のステップＳ６は、機能層形成工程である。前述したように本実施形態の機能層２４は、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層が積層されたものであり、本実施形態では、正孔注入輸送層、有機発光層をそれぞれ液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成する。
【００８５】
まず、図５（ｅ）に示した画素領域Ｅを後の液状体の吐出に対応して予め表面処理する。酸素ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施す。これにより、無機材料からなる画素電極２３の表面と画素領域Ｅ内に突出した同じく無機材料からなる第１隔壁部５１の表面を親液化する。続いて、フッ素系の例えばＣＦ4を処理ガスとするプラズマ処理を施す。これにより、有機材料からなる第２隔壁部５２の表面（頭頂部、側面部）を撥液化する。
【００８６】
次に、図６（ｆ）に示すように、正孔注入輸送層形成材料を含む液状体を画素領域Ｅに塗布し、塗布された液状体を乾燥させて溶媒成分を除去することにより成膜して正孔注入輸送層を形成する。塗布方法として、吐出ヘッドのノズルから液状体を液滴として吐出するインクジェット法を用いる。吐出ヘッドは、インクジェットプリンタなどの記録装置に搭載されているものであり、ノズルから液滴を吐出する駆動手段として圧電素子を備えている。当該液状体が充填された吐出ヘッドと素子基板１とを走査することにより、各画素領域Ｅに液滴として吐出する。
また、予め表面処理が施されているので画素領域Ｅ内に着弾した液滴は、よく濡れ広がる。第２隔壁部５２に掛かって着弾した液滴も表面が撥液化されているので、画素領域Ｅ内に収容される。
これにより、必要量の液状体を液滴として（量的、吐出位置的な観点で）高精度に、且つ無駄なく塗布することが可能である。
【００８７】
本実施形態では、正孔注入輸送層形成材料として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用い、これにグリコール系、アルコール系、エーテル系の有機溶媒（主溶媒）を加えて溶解させ、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルフォン酸（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）などの副溶媒を添加した液状体（溶液）を使用して、画素領域Ｅに吐出した。
【００８８】
次に、有機発光層形成材料を含む液状体を同様にして画素領域Ｅに吐出し、吐出された液状体を乾燥させて溶媒成分を除去することにより成膜して、正孔注入輸送層上に有機発光層を形成する。当然ながら赤、緑、青、３色の発光色が得られる有機発光層形成材料が前述した形成材料の中から選択された３種の液状体（溶液）を用いる。当該液状体は、それぞれ異なる吐出ヘッドに充填され、ノズルから液滴として発光色に応じた所望の画素領域Ｅに吐出する。
【００８９】
これらの液状体の乾燥方法としては、赤外線等を照射するランプアニールや、ヒータによる基板の加熱などの方法を採用することができるが、溶媒成分を均質に乾燥させることができる点で、減圧乾燥が好ましい。
【００９０】
次に、前述した形成材料を用いて電子注入輸送層を有機発光層上に形成する。形成方法としては真空蒸着法を用いる。
【００９１】
以上の工程を経ることにより、図６（ｇ）に示すように、画素領域Ｅに機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂが形成される。なお、本実施形態では、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みがほぼ同等となるように液状体を塗布した。そして、ステップＳ７へ進む。
【００９２】
図４のステップＳ７は、陰極形成工程である。ステップＳ７では、図６（ｈ）に示すように、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂと第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する。形成方法としては、ＩＴＯを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明な導電膜からなる陰極２５を形成する。形成材料は前述したようにＩＴＯに限定されない。真空蒸着法はスパッタ法に比べて機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂに熱衝撃などのダメージを与え難いので、歩留りよく有機ＥＬ素子２０を製造することができる。そして、ステップＳ８へ進む。
【００９３】
図４のステップＳ８は、補助電極形成工程である。ステップＳ８では、図６（ｉ）に示すように、第２隔壁部５２を覆う陰極２５上に補助電極５３を形成する。形成方法としては、形成材料であるアルミを蒸着源としてマスク蒸着する方法が挙げられる。補助電極５３の厚みや形成幅は、陰極２５の面抵抗や有機ＥＬ素子２０を流れる電流量を考慮して設定する。そして、ステップＳ９へ進む。
【００９４】
図４のステップＳ９は、第１保護膜形成工程である。ステップＳ９では、図７（ｊ）に示すように、陰極２５および補助電極５３を覆う保護膜２６を形成する。形成方法としては、酸化シリコンを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍとなるように保護膜２６を形成する。前述したように形成材料としては酸化シリコンに限定されない。そして、ステップＳ１０へ進む。
【００９５】
図４のステップＳ１０は、第３隔壁部形成工程である。ステップＳ１０では、図７（ｋ）に示すように、第２隔壁部５２上に第３隔壁部５４を形成する。形成方法は、第２隔壁部５２の場合と同じである。ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂の有機材料からなり厚みおよそ１μｍ〜２μｍの第３隔壁部５４を形成する。そして、ステップＳ１１へ進む。
【００９６】
図４のステップＳ１１は、光路長調整層形成工程である。本実施形態では、機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの形成方法と同様にインクジェット法を用いて、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂ（図３参照）を形成する。液状体（溶液）の構成は、以下の通り。
超微粒子；アンチモンドープ酸化スズ；粒径１０ｎｍ〜３０ｎｍ（数平均２２ｎｍ）
分散溶媒；トルエンとトリメチルベンゼン混合液；混合比２０：８０
ＡＴＯ固形分；３０ｗｔ％
この液状体の塗布にあたり、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに対して、親液性と撥液性とを付与する表面処理（プラズマ処理）を予め行うことが好ましい。
【００９７】
図７（ｍ）に示すように、超微粒子を含む上記液状体を吐出ヘッドに充填し、画素領域Ｅに液滴として吐出する。上記液状体の吐出量は、発光色ごとに異ならせる。そして、図８（ｎ）に示すように、吐出された上記液状体を乾燥することにより成膜して、発光色ごとに層厚が異なる光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する。インクジェット法を採用しているので、発光色ごとに所定量の上記液状体を精度よく塗布することができる。これにより、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの層厚をねらいの値（光路長調整層２７ｒが１５０ｎｍ、光路長調整層２７ｇが９０ｎｍ、光路長調整層２７ｂが６０ｎｍ）とすることができる。
【００９８】
なお、上記液状体の構成は、これに限定されない。例えば、超微粒子としては、ＡＴＯ以外にも、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯなどの超微粒子を用いることもできる。この場合、超微粒子の粒径は、およそ２２ｎｍであるが、吐出ヘッドのノズルから上記液状体を吐出することを考慮すれば、ノズル径よりも小さくなるように設定することは言うまでもない。
また、分散溶媒に対する超微粒子の分散性を考慮して、樹脂バインダーに超微粒子を混ぜ合わせたものを用いてもよい。樹脂バインダーとしては、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。そして、ステップＳ１２へ進む。
【００９９】
図４のステップＳ１２は、半透過反射層形成工程である。ステップＳ１２では、図８（ｐ）に示すように、各光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆う半透過反射層２８を形成する。形成方法としては、形成材料としてＭｇ−Ａｇの合金を使用し、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて成膜する方法が挙げられる。前述したように、５０％以上の透過率を確保しつつ、光反射性を持たせるため、膜厚は、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとする。形成材料はＭｇ−Ａｇの合金に限定されず、Ｃａ−Ａｇの合金でもよい。そして、ステップＳ１３へ進む。
【０１００】
図４のステップＳ１３は、第２保護膜形成工程である。ステップＳ１３では、図８（ｑ）に示すように、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する。保護膜２９の形成方法は、ステップＳ９と同様なため、説明を省略する。そして、ステップＳ１４へ進む。
【０１０１】
図４のステップＳ１４は、封止工程である。ステップＳ１４では、図３に示すように、素子基板１と封止基板２とを空間７０を介して封着する。
【０１０２】
以上の有機ＥＬ装置１０の製造工程によれば、インクジェット法を用いているので、必要量の液状体が精度よく所望の画素領域Ｅに吐出され、所望の層厚を有する機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂおよび光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成することができる。すなわち、光共振構造が最適化された有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
また、有機ＥＬ素子２０の発光状態（輝度や分光特性、色度分布）のばらつきを考慮して、有機ＥＬ素子２０上に光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと半透過反射層２８とを積層すれば、より好適な光共振構造を有する有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【０１０３】
図９は有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフである。図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを設けない場合に比べて、赤色（Ｒ）の波長域（６００ｎｍ〜７５０ｎｍ）、緑色（Ｇ）の波長域（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青色（Ｂ）の波長域（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）においてそれぞれピーク波長が得られる。また、その光強度は、およそ１．５倍に上昇している。さらには、分光特性がシャープになっている。
【０１０４】
図１０は有機ＥＬ装置の発光における色度分布を示すグラフである。図１０に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、色再現性を示すＮＴＳＣ比がほぼ１００％であった。これに対して光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを設けない場合は、ＮＴＳＣ比が６３％であった。すなわち、色再現性が向上した。
【０１０５】
（実施形態２）
＜他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置＞
次に、他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置について図１１を参照して説明する。なお、実施形態１の構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明する。
【０１０６】
図１１は、他の有機ＥＬ装置の構造を示す要部概略断面図である。図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に対して、画素領域Ｅに発光色に対応したフィルタエレメントとしての着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを備えている。また、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を設け、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂが液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成されている。
【０１０７】
着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、公知の材料を用いることができ、例えば、色材としての顔料が透明な有機樹脂材料に分散された着色層形成材料からなる。着色層６１ｒは赤色のフィルタエレメントであり、着色層６１ｇは緑色のフィルタエレメントであり、着色層６１ｂは青色のフィルタエレメントである。
【０１０８】
着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、画素領域Ｅにおいて保護膜２９上に積層形成されている。
【０１０９】
第２隔壁部５２上に形成された補助電極５３は、アルミなどの導電性金属材料からなり、低い面抵抗を示す膜厚を有することから、遮光性をも兼ね備えることとなる。したがって、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂ間において遮光膜（所謂ブラックマトリクス）の機能を果たす。
【０１１０】
このような有機ＥＬ装置８０によれば、反射層２１と半透過反射層２８との間で最適化された光共振器が構成されると共に、有機ＥＬ素子２０の発光色に対応した着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを備えているので、発光の色度補正がなされ、高い発光輝度と、優れた色再現性とを実現したトップエミッション型の有機ＥＬ装置８０を提供することができる。
【０１１１】
また、封止基板２の素子基板１に面する側に各色のフィルタエレメントを設ける場合に比べて、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂが保護膜２９上に積層されているため、視差（視角方向の差）による色度ずれが防止される。
【０１１２】
なお、有機ＥＬ装置８０の着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、３色に限定されない。例えば、有機ＥＬ素子２０の発光における色度に応じて、少なくとも１色の着色層を備えれば、色度補正がなされ、色再現性を高めることができる。
【０１１３】
＜他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置８０の製造方法について図１２および図１３を参照して説明する。図１２は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１３（ａ）および（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【０１１４】
図１２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０の製造方法は、素子基板１に反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ２１）と、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ２２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ２３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ２４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ２５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ２６）とを備えている。また、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆うように陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ２７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ２８）と、陰極２５を覆うように保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ２９）とを備えている。また、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ３０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ３１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆うように半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ３２）とを備えている。そして、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ３３）と、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を形成する第４隔壁部形成工程（ステップＳ３４）と、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成する着色層形成工程（ステップＳ３５）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ３６）とを備えている。
【０１１５】
ステップＳ２１〜ステップＳ３３は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法におけるステップＳ１〜ステップＳ１３と同じであるため説明を省略する。ステップＳ３６の封止工程も同様である。したがって、上記実施形態１と異なるステップＳ３４、ステップＳ３５について説明する。
【０１１６】
図１２のステップＳ３４は、第４隔壁部形成工程である。ステップＳ３４では、図１１に示すように、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を形成する。実質的には、保護膜２９上に形成する。形成方法は、第３隔壁部５４の形成方法と同じであり、感光性のポリイミド系樹脂または感光性のアクリル系樹脂を塗布し、これを露光・現像することにより、有機材料をからなる第４隔壁部５５を形成する。厚み（高さ）はおよそ１．５μｍ〜２μｍである。そして、ステップＳ３５へ進む。
【０１１７】
図１２のステップＳ３５は、着色層形成工程である。ステップＳ３５では、図１３（ａ）に示すように、前述した着色層形成材料を含む液状体を色ごとに異なる吐出ヘッドに充填し、吐出ヘッド（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と素子基板１とを走査して、第４隔壁部５５により区画された所望の画素領域Ｅに対応する色の液状体を吐出する。必要量の液状体が液滴として画素領域Ｅに吐出される。
【０１１８】
液状体は、溶媒として水や有機溶媒を用いることができる。溶媒に対して５ｗｔ％〜１５ｗｔ％程度の着色層形成材料を分散させる。吐出特性を安定化させるために、粘度や表面張力を調整する。調整方法としては、補助的な溶媒を用いたり、界面活性剤等を添加する方法がある。粘度が３ｍＰａ，ｓ以上２０ｍＰａ，ｓ以下、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上４５ｍＮ／ｍ以下に調整されてなることが好ましい。
【０１１９】
なお、上記３色の液状体を吐出するにあたり、第４隔壁部５５により区画された画素領域Ｅに対して親液性と撥液性とを付与する表面処理（プラズマ処理）を予め行うことが好ましい。
【０１２０】
吐出された液状体を減圧乾燥などの方法を用いて乾燥し、溶媒成分を除去することにより成膜して、図１３（ｂ）に示すように、画素領域Ｅ内に所望の厚みの着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成することができる。
【０１２１】
このような有機ＥＬ装置８０の製造方法によれば、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂにより発光の色度補正がなされ、高い発光輝度と、優れた色再現性とを実現したトップエミッション型の有機ＥＬ装置８０を製造することができる。
また、インクジェット法を用いて着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成するので、着色層形成材料の無駄を省いて効率よく着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成することができる。
【０１２２】
さらに、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、２つの保護膜２６，２９と光路長調整層２７とを介して有機ＥＬ素子２０に積層されるので、湿式のインクジェット法を用いて形成しても、有機ＥＬ素子２０の発光に与える影響を少なくすることができる。
【０１２３】
なお、着色層形成工程（ステップＳ３５）では、３色の液状体を吐出することに限定されない。有機ＥＬ素子２０の発光における色度に応じて、少なくとも１色の液状体を吐出し、少なくとも１色の着色層を形成すればよい。
【０１２４】
図１４（ａ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ、（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の色度図である。図１４（ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０は、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂに加えて、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを設けることにより、発光色ごとの分光特性がさらにシャープになっている。
また、図１４（ｂ）に示すように、色再現性を示すＮＴＳＣ比は、さらに拡張して１１８％の値を示した。すなわち、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に比べてさらに高い色再現性を有する。
【０１２５】
（実施形態３）
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置＞
次に、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置について図１５を参照して説明する。なお、実施形態１の構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明する。また、主に構成が異なる部分について説明する。
【０１２６】
図１５は実施形態３の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図１５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置９０は、有機ＥＬ素子２０からの発光が素子基板１側に射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に対して、光共振器等の構造が異なる。
【０１２７】
すなわち、素子基板１は、透明なガラス基板等を用いる。これに対して封止基板２は、透明なガラス基板でも、不透明なセラミックス基板やステンレスなどの金属基板でもよい。
【０１２８】
図示省略したが、素子基板１は、有機ＥＬ素子２０をスイッチングするための回路部を備えることは言うまでもない。
【０１２９】
素子基板１上に半透過反射層２８と、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２と、画素電極２３とが順に積層されている。
【０１３０】
第１隔壁部５１および第２隔壁部５２並びに第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅには、画素電極２３上に機能層２４、陰極２５、保護膜２６、光路長調整層２７、反射層２１、保護膜２９が順に積層されている。
【０１３１】
画素電極２３と、機能層２４と、陰極２５とにより有機ＥＬ素子２０が構成されている。機能層２４ｒは赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を有し、機能層２４ｇは緑（Ｇ）の発光が得られる有機発光層を有し、機能層２４ｂは青（Ｂ）の発光が得られる有機発光層を有している。半透過反射層２８と反射層２１との間で光共振器が構成され、発光色に対応して最適な光路長を付与する光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが設けられている。
【０１３２】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、それぞれアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）からなる数平均粒径が２２ｎｍの超微粒子により構成され、上記実施形態１と同じである。すなわち、光路長調整層２７ｒの層厚は１５０ｎｍであり、光路長調整層２７ｇの層厚は９０ｎｍであり、光路長調整層２７ｂの層厚は６０ｎｍである。
【０１３３】
このような構成によれば、最適化された光共振構造を備え、高い発光輝度と色再現性を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置９０を提供することができる。
【０１３４】
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置９０の製造方法について図１６および図１７を参照して説明する。図１６は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１７（ａ）〜（ｄ）は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【０１３５】
図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置９０の製造方法は、素子基板１に半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ４１）と、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ４２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ４３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ４４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ４５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ４６）とを備えている。そして、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ４７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ４８）と、陰極２５を覆う保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ４９）とを備えている。さらに、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ５０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ５１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆う反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ５２）と、反射層２１を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ５３）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ５４）とを備えている。
【０１３６】
以降、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法に対して同じ工程の説明は省略し、異なる工程について説明する。
【０１３７】
図１６のステップＳ４１は、半透過反射層形成工程である。ステップＳ４１では、図１７（ａ）に示すように、素子基板１の回路部（図示省略）上に発光画素７（図１参照）に対応した半透過反射層２８を形成する。形成方法としては、形成材料としてＭｇ−Ａｇの合金を使用し、マスク蒸着する方法が挙げられる。５０％以上の透過率を確保しつつ、光反射性を持たせるため、膜厚は、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとする。形成材料はＭｇ−Ａｇの合金に限定されず、Ｃａ−Ａｇの合金でもよい。そして、ステップＳ４２へ進む。
【０１３８】
図１６のステップＳ４２には、絶縁膜形成工程である。ステップＳ４２では、図１７（ｂ）に示すように、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２を形成する。形成方法としては、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの酸化シリコン薄膜を半透過反射層２８を覆うように形成する。フォトリソグラフィ法により該酸化シリコン薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、絶縁膜２２を形成する。形成材料は前述したように酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。そして、ステップＳ４３へ進む。
【０１３９】
図１６のステップＳ４３は、画素電極形成工程である。ステップＳ４３では、図１７（ｃ）に示すように、半透過反射層２８上に画素電極２３を形成する。形成方法としては、ＩＴＯをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明導電膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該透明導電膜を所定の形状にパターニングすることにより、画素電極２３を形成する。形成材料はＩＴＯに限定されず、ＩＺＯでもよい。透明導電膜の形成方法は、スパッタ法に限定されず、真空蒸着法、ＣＶＤ法等も採用することができる。そして、ステップＳ４４へ進む。
【０１４０】
図１６のステップＳ４４〜ステップＳ５１は、上記実施形態１のステップＳ４〜ステップＳ１１と同じであるため、説明を省略する。
【０１４１】
続いて、図１６のステップＳ５２は、反射層形成工程である。ステップＳ５２では、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆うように反射層２１を形成する。形成方法としては、形成材料としてアルミ（Ａｌ）を用い、真空蒸着法またはスパッタ法により成膜する方法が挙げられる。厚みがおよそ５０〜１００ｎｍとなるように成膜する。そして、ステップＳ５３へ進む。
【０１４２】
図１６のステップ５３は、第２保護膜形成工程である。ステップＳ５３では、図１７（ｄ）に示すように、反射層２１を覆う保護膜２９を形成する。形成方法は、酸化シリコンを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍとなるように保護膜２９を形成する。形成材料としては酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。
【０１４３】
このような有機ＥＬ装置９０の製造方法によれば、最適化された光共振構造を備え、高い発光輝度と色再現性を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置９０を製造することができる。
【０１４４】
（実施形態４）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について携帯型電話機を例に説明する。図１８は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略図である。
【０１４５】
図１８に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機１００は、操作ボタン１０３を備えた本体１０２と、本体１０２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部１０１とを備えている。
表示部１０１には、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０または上記実施形態２の有機ＥＬ装置８０あるいは上記実施形態３の有機ＥＬ装置９０のいずれかが搭載されている。
したがって、高い発光輝度と色再現性を有し、見映えのよい携帯型電話機１００を提供することができる。
【０１４６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１４７】
（変形例１）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０において、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みはほぼ同等としたが、これに限定されない。例えば、発光色ごとに厚みを異ならせてもよい。言い換えれば、所望の発光が得られるように各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂを構成する有機発光層などの層構造を変えてもよい。各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みが異なっていたとしても、最適な光学的距離Ｌとなるように光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの層厚を設定すればよい。また、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを液滴吐出法（インクジェット法）により形成するので、液状体の吐出量を調整することにより、層厚の調整を容易に行うことができる。
【０１４８】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂのうち正孔注入輸送層、有機発光層を形成する方法は、液滴吐出法（インクジェット法）に限定されない。例えば、所望の部位に成膜が可能なマスク蒸着法を用いることができる。したがって、有機発光層は、低分子の有機発光材料を用いて成膜してもよい。
【０１４９】
（変形例３）発光色に応じた光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを含む光共振器の構成は、３色の発光が得られる有機ＥＬ素子２０に対応したものに限定されない。図１９（ａ）および（ｂ）は、変形例の有機ＥＬ装置を示す概略図である。同図（ａ）は概略正面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図である。例えば、図１９（ａ）に示すように、変形例の有機ＥＬ装置２００は、平面視でほぼ円形の発光画素２０７が千鳥に配列した素子基板２０１と、素子基板２０１に接合され、これを封着する封止基板２０２とを備える。
発光画素２０７の等価回路は、図２に示した発光画素７と同様であって、有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタと保持容量とを有する。発光画素２０７は、例えば、赤色などの単色発光が得られるものである。
上記薄膜トランジスタを駆動する駆動回路との電気的な接続は、端子部２０１ａに実装された中継基板２０３を介して行われる。
図１９（ｂ）に示すように、素子基板２０１上には、発光が素子基板２０１側に漏れないように膜形成領域２０４に亘って設けられた反射層２１１と、反射層２１１を覆う絶縁膜２１２と、反射層２１１に積層された複数の画素電極２１３とを備える。
複数の画素電極２１３を覆って順に積層された機能層２１４、陰極２１６、保護膜２１８、光路長調整層２１９、半透過反射層２２１、保護膜２２２を有する。
画素電極２１３と、機能層２１４と、陰極２１６とにより有機ＥＬ素子が構成され、反射層２１１と半透過反射層２２１との間で光共振器が構成されている。
膜形成領域２０４は、複数の画素電極２１３を囲むように設けられ、第１隔壁部２１５とこれに重畳された第２隔壁部２２０とにより区画されている。第１隔壁部２１５上には補助電極２１７が設けられている。
封止基板２０２は、額縁状に設けられた接着層２０６により素子基板２０１と接合されている。
このような構成によれば、高い発光輝度で単色の発光が得られる複数の有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型の有機ＥＬ装置２００を提供することができる。このような有機ＥＬ装置２００は、例えば、画像形成装置における感光体ドラムの露光用光源として用いることができる。
また、各部の製造方法は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法を適用することができる。複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように第１隔壁部２１５、第２隔壁部２２０を有しているので、機能層２１４および光路長調整層２１９は、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成することができる。言い換えれば、隔壁部は有機ＥＬ素子を１つずつ区画しなくてもよい。
【０１５０】
（変形例４）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０または上記実施形態２の有機ＥＬ装置８０あるいは上記実施形態３の有機ＥＬ装置９０のいずれかが搭載される電子機器は、携帯型電話機１００に限定されない。例えば、パーソナルコンピュータや携帯型情報端末、カーナビゲータ、ビューワーなどの各種表示装置などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】実施形態１の有機ＥＬ装置を示す概略正面図。
【図２】実施形態１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】実施形態１の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図４】実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ｆ）〜（ｉ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ｊ）〜（ｍ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ｎ）〜（ｑ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図９】実施形態１の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ。
【図１０】実施形態１の有機ＥＬ装置の発光における色度分布を示すグラフ。
【図１１】実施形態２の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１２】実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ、（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の色度図。
【図１５】実施形態３の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１６】実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】実施形態４の電子機器としての携帯型電話機を示す概略図。
【図１９】（ａ）は変形例の有機ＥＬ装置を示す概略正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図。
【符号の説明】
【０１５２】
１…基板としての素子基板、２…封止基板、７…発光画素、１０，８０…トップエミッション型の有機ＥＬ装置、２０…有機ＥＬ素子、２１…反射層、２３…第１の電極としての画素電極、２４，２４ｒ，２４ｇ，２４ｂ…機能層、２５…第２の電極としての陰極、２６，２９…保護膜、２７，２７ｒ，２７ｇ，２７ｂ…光路長調整層、２８…半透過反射層、５２…隔壁部としての第２隔壁部、５３…補助電極、６１ｒ，６１ｇ，６１ｂ…フィルタエレメントとしての着色層、９０…ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置、１００…電子機器としての携帯型電話機、Ｅ…画素領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子を有する有機ＥＬ装置、電子機器、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置として、第１透明電極、発光層および第２透明電極を有する有機発光素子と、有機発光素子を制御するスイッチング素子を有する駆動層とを備え、駆動層内の層間絶縁膜を介して反射膜を設け、反射膜が第１透明電極の外側にある有機発光表示装置が知られている（特許文献１）。
上記有機発光表示装置は、発光層からそのまま第２透明電極側に射出した発光と反射膜で反射した発光とが共振して輝度が上昇する、所謂光共振構造を有している。この光共振構造は、発光層における発光色すなわち光の波長に応じて、発光層と反射膜との間の距離が設定されている。これにより、発光色ごとの輝度を高めようとするものである。
【０００３】
さらには、有機発光層を含む機能層を有する発光素子が複数形成された素子基板と、複数の発光素子に対応する色要素が形成された封止基板とが接着層を介して接合された有機ＥＬ発光装置が知られている（特許文献２）。
上記有機ＥＬ発光装置は、色要素として発光色に対応したカラーフィルタを備え、カラーフィルタによって発光色の色度補正を行い、より鮮やかな色表現を可能としたものである。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２５２０８７号公報
【特許文献２】特開２００７−１２８７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の有機発光表示装置並びに有機ＥＬ発光装置では、第１透明電極上に発光層が積層形成されるため、発光層の膜厚がばらつくと、ねらいの光共振構造が得られないおそれがある。
また、カラーフィルタが形成された封止基板と、機能層が形成された素子基板と接合させる場合、発光領域とカラーフィルタの着色領域とが平面的に位置精度よく合致していないと、光漏れが発生して適正に色度補正がなされないというおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例の有機ＥＬ装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置であって、基板上に順に積層形成された反射層と、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、半透過反射層と、を備え、前記反射層と前記半透過反射層の間で光共振器が構成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、第１の電極と機能層と第２の電極とにより有機ＥＬ素子が構成され、当該有機ＥＬ素子上に、光共振器を構成する光路長調整層と半透過反射層とが積層されている。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態に応じて光路長調整層の層厚を調整すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記半透過反射層上に発光色に対応した少なくとも１色のフィルタエレメントが形成されていることが好ましい。
この構成によれば、光共振器上に積層された少なくとも１色のフィルタエレメントを備えることにより、発光色の色度が補正され、優れた色度バランスと高い発光輝度とを有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記半透過反射層と前記少なくとも１色のフィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、ガスバリア性を有する保護膜を設けることにより、フィルタエレメントから放出される水蒸気などのガス成分が半透過反射層を通じて有機ＥＬ素子に到達することを防ぐことができる。すなわち、フィルタエレメントから放出されるガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを防ぎ、長い発光寿命が得られる有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例４］本適用例の他の有機ＥＬ装置は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であって、透明な基板上に順に積層形成された半透過反射層、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、反射層と、を備え、前記半透過反射層と前記反射層との間で光共振器が構成されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１の電極と機能層と第２の電極とにより有機ＥＬ素子が構成され、当該有機ＥＬ素子上に、光共振器を構成する光路長調整層と反射層とが積層されている。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態に応じて光路長調整層の層厚を調整すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例５］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記基板上の複数の画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層が形成され、前記発光色に対応して前記光路長調整層の層厚が設定されていることが好ましい。
この構成によれば、発光色ごとに好ましい光共振状態が得られる。すなわち、高い発光輝度を有し、フルカラーの発光が可能なトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１４】
［適用例６］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記光路長調整層は、光透過性の超微粒子または前記超微粒子を含む光透過性の高分子膜からなることを特徴とする。
この構成によれば、超微粒子を介して発光が伝達され、光路長調整層における発光の漏れなどの輝度損失を低減することができる。
【００１５】
［適用例７］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるように、前記超微粒子の粒径が選定されていることが好ましい。
この構成によれば、光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるので、可視光の散乱が抑制され、より高い透明性を有する光路長調整層とすることができる。すなわち、光路長調整層において発光が減衰し難く、より高い輝度の発光を得ることができる。
【００１６】
［適用例８］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、光路長調整層から放出される水蒸気などのガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを低減し、長い発光寿命を有する有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例９］上記適用例の有機ＥＬ装置において、前記複数の画素領域を区画する隔壁部を備え、前記第２の電極は、前記隔壁部と前記複数の画素領域とを覆うように形成され、前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、発光を阻害しない隔壁部上に補助電極が設けられ、第２の電極の面抵抗ばらつきを低減することができる。したがって、発光時に機能層を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が複数の有機ＥＬ素子間においてばらつくことを低減することができる。すなわち、複数の有機ＥＬ素子間においてより均一な発光輝度が得られるトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１８】
［適用例１０］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、高い発光輝度を有するトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を備え、優れた視認性を有する電子機器を提供することができる。
【００１９】
［適用例１１］本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上の画素領域に反射層を形成する反射層形成工程と、前記反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、前記光路長調整層上に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程とを備え、前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする。
【００２０】
この方法によれば、第１電極形成工程と機能層形成工程と第２電極形成工程とにより有機ＥＬ素子が形成される。そして、光路長調整層形成工程では、当該有機ＥＬ素子上に、半透過反射層と反射層との間で光共振器を構成する光路長調整層が形成される。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態を考慮して光路長調整層の層厚を設定すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２１】
［適用例１２］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、フィルタエレメント形成材料を含む少なくとも１色の液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して、少なくとも１色のフィルタエレメントを前記半透過反射層上に形成する成膜工程とを備えたことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程と成膜工程とにより、少なくとも１色のフィルタエレメントを光共振器上に積層形成することができる。したがって、有機ＥＬ素子からの発光が漏れなくフィルタエレメントを通過し、発光色の色度をフィルタエレメントにより補正して、優れた色度バランスと高い発光輝度とを有するトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２２】
［適用例１３］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記半透過反射層と前記フィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、ガスバリア性を有する保護膜を形成することにより、フィルタエレメントから放出される水蒸気などのガス成分が半透過反射層を通じて有機ＥＬ素子に到達することを防ぐことができる。すなわち、フィルタエレメントから放出されるガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを防ぎ、長い発光寿命が得られるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２３】
［適用例１４］本適用例の他の有機ＥＬ装置の製造方法は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板上の画素領域に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程と、前記半透過反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、前記光路長調整層上に反射層を形成する反射層形成工程とを備え、前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする。
【００２４】
この方法によれば、第１電極形成工程と機能層形成工程と第２電極形成工程とにより有機ＥＬ素子が形成される。そして、光路長調整層形成工程では、当該有機ＥＬ素子上に、半透過反射層と反射層との間で光共振器を構成する光路長調整層が形成される。したがって、有機ＥＬ素子の発光状態を考慮して光路長調整層の層厚を設定すれば、好ましい光共振状態が得られる。ゆえに、好ましい光共振状態が得られ高い発光輝度を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２５】
［適用例１５］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記機能層形成工程は、前記基板上の複数の前記画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層を形成し、前記光路長調整層形成工程は、前記機能層における発光波長に応じて、前記光路長調整層の層厚を設定することが好ましい。
この方法によれば、機能層における発光波長に応じて、光路長調整層の層厚を設定するので、発光色ごとに好ましい共振状態が得られる。すなわち、高い発光輝度を有し、フルカラーの発光が可能なトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２６】
［適用例１６］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、前記機能層形成工程は、有機発光層形成材料を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して前記有機発光層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程において有機発光層形成材料を含む液状体を吐出することにより、画素領域ごとに材料の無駄を省いて効率よく有機発光層を形成することができる。
【００２７】
［適用例１７］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、前記光路長調整層形成工程は、光透過性の超微粒子を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、吐出された前記液状体を固化して前記光路長調整層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする。
この方法によれば、吐出工程において光透過性の超微粒子を含む液状体を吐出することにより、画素領域ごとに材料の無駄を省いて効率よく光路長調整層を形成することができる。また、液状体の吐出量を調整すれば、光路長調整層の層厚を容易に可変することができる。すなわち、超微粒子からなり発光の損失が低減された光路長調整層を所望の層厚で形成することができる。
【００２８】
［適用例１８］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、湿式法を用いて光路長調整層を形成しても、第２の電極が保護膜で保護されるので、光路長調整層から放出される水蒸気などのガス成分により、有機ＥＬ素子が失活することを低減し、長い発光寿命を有する有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００２９】
［適用例１９］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２電極形成工程は、前記隔壁部と前記複数の前記画素領域とを覆うように前記第２の電極を形成し、前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極を形成する補助電極形成工程を備えることが好ましい。
この方法によれば、補助電極形成工程では、発光を阻害しない隔壁部上に補助電極を形成し、第２の電極の面抵抗ばらつきを低減することができる。したがって、発光時に機能層を介して第１の電極と第２の電極との間を流れる電流が複数の有機ＥＬ素子間においてばらつくことを低減することができる。すなわち、複数の有機ＥＬ素子間においてより均一な発光輝度が得られるトップエミッション型あるいはボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
【００３１】
（実施形態１）
＜トップエミッション型の有機ＥＬ装置＞
本実施形態は、発光素子としての有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置を例に図１〜図３を参照して説明する。
図１は有機ＥＬ装置を示す概略正面図、図２は有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図３は有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。
【００３２】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、３色の発光画素７を備えた素子基板１と、素子基板１に所定の間隔を置いて対向配置された封止基板２とを備えている。封止基板２は、複数の発光画素７が設けられた発光領域６を額縁状に封着するように、高い気密性を有する封着剤を用いて素子基板１に接合されている。
【００３３】
発光画素７は、発光素子としての有機ＥＬ素子を備えるものであって、同色の発光が得られる発光画素７が、縦方向（Ｙ軸方向）に配列した所謂ストライプ方式となっている。なお、実際には、発光画素７は微細なものであり、図示の都合上拡大して現している。
【００３４】
素子基板１は、封止基板２よりも一回り大きく、額縁状に張り出した部分には、発光画素７を駆動する２つの走査線駆動回路部３と１つのデータ線駆動回路部４が設けられている。走査線駆動回路部３、データ線駆動回路部４は、例えば、電気回路が集積されたＩＣとして素子基板１に実装してもよいし、当該駆動回路部３，４を素子基板１の表面に直接形成してもよい。
【００３５】
素子基板１の端子部１ａには、これらの駆動回路部３，４と外部駆動回路とを接続するための中継基板５が実装されている。中継基板５は、例えば、フレキシブル回路基板などを用いることができる。
【００３６】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の電気的な構成について説明する。図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、発光画素７を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００３７】
有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動回路部３に接続されＸ軸方向に延在する複数の走査線３１と、データ線駆動回路部４に接続されＹ軸方向に延在する複数の信号線４１と、各信号線４１に並列して延在する複数の電源線４２と、を備えている。マトリクス状に直交する走査線３１と信号線４１とによって区画された領域内に発光画素７が設けられている。
【００３８】
それぞれの発光画素７は、走査線３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１１と、このＴＦＴ１１を介して信号線４１から供給される画素信号を保持する保持容量１３と、該保持容量１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２と、この駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線４２に電気的に接続したときに該電源線４２から駆動電流が流れ込む第１の電極としての画素電極２３と、この画素電極２３と第２の電極としての陰極２５との間に挟み込まれた機能層２４とを有している。
【００３９】
走査線３１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１がオン状態になると、そのときの信号線４１の電位が保持容量１３に保持され、該保持容量１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して、電源線４２から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層２４を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２４は、これを流れる電流量に応じて発光する。すなわち、画素電極２３と陰極２５と機能層２４とにより、発光素子としての有機ＥＬ素子２０が構成されている。
【００４０】
次に、有機ＥＬ装置１０の詳しい構造について、図３を参照して説明する。なお、図３においては、素子基板１に形成された各ＴＦＴ１１，１２および保持容量１３を含む回路部１ｂの詳細は、図示省略した。
【００４１】
図３に示すように、素子基板１は、複数の画素領域Ｅを有している。各画素領域Ｅには、反射層２１、絶縁膜２２、画素電極２３、機能層２４、陰極２５、保護膜２６、光路長調整層２７、半透過反射層２８、保護膜２９が順に積層されている。前述したように画素電極２３と、機能層２４と、陰極２５とにより有機ＥＬ素子２０を構成するものである。有機ＥＬ素子２０から射出して半透過反射層２８を透過する発光と、有機ＥＬ素子２０から射出して半透過反射層２８と反射層２１とで反射して再び半透過反射層２８を透過する発光とが共振するように、発光色に応じた層厚を有する光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが有機ＥＬ素子２０上に設けられている。すなわち、有機ＥＬ装置１０は、反射層２１と半透過反射層２８との間で光共振器が構成され、封止基板２側から発光が射出するトップエミッション型の有機ＥＬ装置である。
【００４２】
素子基板１は、例えばガラス基板などの透明な基板、あるいは例えばシリコン基板などの不透明な基板の両方を用いることができる。
【００４３】
素子基板１上に設けられた反射層２１は、光共振器を構成するものであって、高い光反射率が得られる材料で構成することが好ましい。例えば、アルミ（Ａｌ）や、アルミの化合物であるＡｌＮｄなどが挙げられる。厚みは、およそ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
また、反射層２１の表面（反射面）は、反射光の散乱を防ぐためほぼ平坦となることが望ましい。それゆえに、素子基板１の表面に形成された回路部１ｂにおける凹凸を緩和する絶縁性を有する平坦化層を設け、該平坦化層上に反射層２１を形成することが好ましい。
【００４４】
反射層２１を覆うように積層された絶縁膜２２は、高い光透過率が得られる材料で構成されることが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、あるいはこれらの混合物が挙げられる。厚みはおよそ１０ｎｍである。
【００４５】
反射層２１上に絶縁膜２２を介して積層された画素電極２３は、透明な導電膜からなるものであって、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜が挙げられる。厚みはおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００４６】
本実施形態では、反射層２１と画素電極２３との間に絶縁膜２２を設けたが、これは、画素電極２３のパターニングに際して、下層に位置する反射層２１がエッチングされないように絶縁膜２２で保護する役割を担うものである。したがって、反射層２１や画素電極２３の材料の選択やパターニング方法によっては、絶縁膜２２を設けなくてもよい。すなわち、反射層２１を構成する薄膜に画素電極２３を構成する薄膜を積層してからパターニングを行う手法を用いて、素子基板１上に平面的にほぼ同一形状の反射層２１と画素電極２３とを形成してもよい。
【００４７】
画素電極２３を有する画素領域Ｅは、画素電極２３の周縁部を覆うように設けられた第１隔壁部５１と、第１隔壁部５１上に設けられた第２隔壁部５２と、さらに第２隔壁部５２上に設けられた第３隔壁部５４とにより区画されている。
【００４８】
第１隔壁部５１は、絶縁性の無機材料からなるものであって、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、あるいはこれらの混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜１０ｎｍである。画素電極２３の周縁部を覆うように第１隔壁部５１を設けることにより、後に積層される陰極２５と画素電極２３との第２隔壁部５２際における短絡を防止するものである。
【００４９】
第２隔壁部５２は、絶縁性の有機化合物からなるものであって、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。厚みはおよそ１μｍ〜１．５μｍである。
【００５０】
画素電極２３上に積層された機能層２４は、有機発光層を含む複数種の有機層からなる。本実施形態では、有機発光層における発光色に応じて、画素領域Ｅに塗り分け形成される。機能層２４ｒは赤色（Ｒ）の発光色が得られ、機能層２４ｇは緑色（Ｇ）の発光色が得られ、機能層２４ｂは青色（Ｂ）の発光色が得られる。これらを総称して機能層２４と呼ぶ。
【００５１】
機能層２４の具体的な例としては、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層が積層されたものが挙げられる。厚みはおよそ１００ｎｍである。
【００５２】
正孔注入輸送層の形成材料としては、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等を用いることができる。この場合、有機発光層に対して画素電極２３側から注入される正孔（ホール）の注入量と、陰極２５側から注入される電子の注入量とのキャリアバランスを考慮すると、仕事関数の関係からポリチオフェン誘導体を用いることが好ましい。
【００５３】
有機発光層の形成材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。塗布型の発光材料としては高分子有機材料が好適であり、例えば、ペニレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などが挙げられる。また、これらの高分子有機材料に、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしてもよい。
【００５４】
燐光であれば、例えば、燐光用ホスト材料として、４，４−ジカルバゾール−４，４−ビフェニル（ＣＢＰ）誘導体を用い、これに赤色燐光材料である白金ポルフィリン錯体（ＰｔＯＥＰ）誘導体、緑色燐光材料であるイリジウム錯体のＩｒ（ｐｐｙ）３誘導体、青色燐光材料であるイリジウム錯体のＦＩｒｐｉｃ誘導体を発光色に応じて添加し、シクロヘキシルベンゼン、ジハライドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム等の有機溶媒、あるいはこれらの有機溶媒の混合溶媒に溶解させた溶液を用いることができる。特に、イリジウム錯体に対して優れた溶解性を示すジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルムなどの塩素系有機溶媒が好ましい。
【００５５】
電子注入輸送層の形成材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体などが挙げられ、これらの形成材料を用いた成膜方法としては、真空蒸着法が好ましい。
【００５６】
陰極２５は、透明な導電膜からなり、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆うように設けられている。陰極２５の形成材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯ：Ａｌまたはこれらの酸化物の複合体を用いることができる。厚みはおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００５７】
本実施形態では、第２隔壁部５２を覆う陰極２５上に補助電極５３が設けられている。その目的は、陰極２５の抵抗のばらつきを抑制して、有機ＥＬ素子２０に流れる電流量を安定化させようとするものである。したがって、補助電極５３を設ける位置としては、発光を阻害しない第２隔壁部５２上が好ましく、且つ平面的には画素領域Ｅ（すなわち発光画素７）を取り囲んで格子状に設けることが望ましい。補助電極５３の形成材料としては、陰極２５よりも面抵抗が小さい、Ａｌなどの金属材料が挙げられる。
【００５８】
陰極２５を覆うように保護膜２６が設けられている。保護膜２６は、有機ＥＬ素子２０に発光を阻害する水蒸気などのガスが侵入することを防ぐものである。したがって、高いガスバリア性（気体非透過性）と光透明性とを兼ね備える材料で形成されることが好ましい。形成材料としては、酸化シリコン、窒化シリコン、またはこれらの材料の混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００５９】
画素領域Ｅには、光共振器において発光色ごとに所定の光路長を付与するため、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが層厚を異ならせて設けられている。詳しくは、後述する。
【００６０】
第３隔壁部５４は、保護膜２６で覆われた第２隔壁部５２上に設けられている。その目的は、層厚が異なる光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを塗り分け形成するにあたり、画素領域Ｅ内に吐出された液状体を保持する役目を果たす。第３隔壁部５４の形成材料は、第２隔壁部５２と同様に、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂を用いることができる。厚みはおよそ１μｍ〜１．５μｍである。
【００６１】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆うように半透過反射層２８が設けられている。半透過反射層２８は、光共振器を構成するものであり、光透過性と光反射性とを兼ね備える必要がある。有機ＥＬ素子２０における発光を効率よく取り出すため、透過率は５０％以上とする。半透過反射層２８の形成材料としては、Ｃａ−Ａｇ、Ｍｇ−Ａｇの合金を用いることができる。例えば、Ｍｇ−Ａｇの合金では、光の消衰係数を考慮すると、透過率を５０％以上とするためには、厚みが２０ｎｍ以下となり、１０ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
【００６２】
半透過反射層２８を覆うように保護膜２９が設けられている。その目的は、保護膜２６と同様に、有機ＥＬ素子２０に発光を阻害する水蒸気などのガスの侵入を防ぎ、且つ取り扱いなどにより半透過反射層２８にキズなどの欠損が生ずることを防止するものである。形成材料は、ガスバリア性と光透明性とを兼ね備えた酸化シリコン、窒化シリコン、またはこれらの材料の混合物が挙げられる。厚みはおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍである。
【００６３】
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、３色の発光が得られる複数の有機ＥＬ素子２０を備えた素子基板１は、空間７０を介して封止基板２と接合される。
【００６４】
封止基板２は、透明な基板であって、例えば、ガラス基板を用いることができる。前述したように、封止基板２は、発光領域６（図１参照）を囲む領域において封着剤により素子基板１と接合され、空間７０に水蒸気等のガスが侵入しないように封着される。これにより、有機ＥＬ素子２０を保護する保護膜２６，２９と相まって、より長い発光寿命を確保し、高い信頼性を有する有機ＥＬ装置１０を実現している。
【００６５】
本実施形態では、素子基板１と封止基板２とを所定の間隔で対向させることにより空間７０を設けたが、これに限定されず、空間７０を透明な封着剤により充填した構造としてもよい。
また、空間７０の間隔を保つために、素子基板１と封止基板２との間にスペーサ（貝柱やギャップ材）を配置してもよい。スペーサを配置する場所は、第３隔壁部５４上が好ましい。スペーサを設けることにより、封止基板２を外側から押圧しても、封止基板２がたわみ難く、封止基板２によって有機ＥＬ素子２０が損傷することを防ぐことができる。
【００６６】
次に、光共振構造について説明する。発光色ごとに所望のピーク波長λの発光を取り出そうとする場合、反射層２１と半透過反射層２８との光学的距離Ｌと、光が反射層２１および半透過反射層２８で反射する際に生じる位相シフトΦ（ラジアン）との関係が以下の数式（１）で導かれることが知られている（国際公開；ＷＯ０１／０３９５５４号公報）。
（２Ｌ）／λ＋Φ／２π＝ｍ（ｍは整数）・・・・（１）
【００６７】
そこで、本実施形態では、赤色（Ｒ）の波長域を６００ｎｍ〜７５０ｎｍとし、緑色（Ｇ）の波長域を５００ｎｍ〜６００ｎｍとし、青色（Ｂ）の波長域を４００ｎｍ〜５００ｎｍとして、この間にピーク波長λが得られるように、発光色ごとの光学的距離Ｌを設定した。
【００６８】
光学的距離Ｌは、反射層２１と半透過反射層２８との間に存在する各層の光学的な距離の和により求められる。本実施形態では、絶縁膜２２、画素電極２３、機能層２４、陰極２５、保護膜２６、それぞれの層厚をほぼ一定としているため、発光色ごとの光学的距離Ｌは、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの光学的な距離によって決まる。
【００６９】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの光学的な距離は、層厚と屈折率とにより決まる。
本実施形態の光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、光透過性を有する超微粒子からなることを特徴としている。適度な屈折率と粒径を有する超微粒子を選定して、層厚を異ならせることにより、発光色ごとに好適な光学的距離Ｌを実現して、光共振状態を最適化した。
【００７０】
具体的には、超微粒子として粒子径が１０ｎｍ〜３０ｎｍ（数平均粒径２２ｎｍ）のアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）を用いた。アンチモンドープ酸化スズの屈折率ｎは、およそ１．６５である。そして、赤色の発光色に対応する光路長調整層２７ｒの層厚を１５０ｎｍとし、緑色の発光色に対応する光路長調整層２７ｇの層厚を９０ｎｍとし、青色の発光色に対応する光路長調整層２７ｂの層厚を６０ｎｍとした。
【００７１】
超微粒子を用いて光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する方法としては、液滴吐出法（インクジェット法）を用いている。詳しくは、有機ＥＬ装置１０の製造方法において述べる。
【００７２】
超微粒子を用いる場合、粒子径のサイズ効果による光の散乱を考慮する必要がある。超微粒子を球形として定義したとき、散乱係数の波長λと散乱粒子の粒子直径Ｄの大きさに関わるサイズパラメータをαとすると、以下の数式（２）が成り立つことが知られている。
α＝πＤ／λ・・・・（２）
【００７３】
α＜０．４がレイリー散乱の領域とされ、０．４＜α＜３がミー散乱の領域とされ、３＜αが回折散乱の領域とされている。ミー散乱の領域では、可視光の散乱が起こるのでレイリー散乱の領域にあることが好ましい。レイリー散乱の領域とすることで可視光の散乱が抑制され、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの透明性が増すことになる。
【００７４】
具体的には、数式（２）においてαを０．４とするとＤ＝０．４λ／π≒０．１２７λとなるため、最も波長が短い青色の発光を基準とすれば、λ＝４００ｎｍとしたときには、粒子直径Ｄはおよそ５０ｎｍとなる。すなわち、超微粒子の粒径を５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００７５】
発光色ごとに超微粒子の粒径を変えても構わないとすれば、光路長調整層２７ｒは、赤色の波長域の下限値を基準とすると、λ＝６００ｎｍのとき、粒径は７６ｎｍ以下とすることが好ましい。同様に、光路長調整層２７ｇは、緑色の波長域の下限値を基準とすると、λ＝５００ｎｍのとき、粒径は６３ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００７６】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、有機ＥＬ装置１０の製造方法について、図４〜図８を参照して説明する。図４は有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図５〜図８における（ａ）〜（ｑ）は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【００７７】
図４に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法は、素子基板１に反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ１）と、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ６）とを備えている。そして、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ８）と、陰極２５を覆う保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ９）とを備えている。さらに、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ１０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ１１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆う半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ１２）と、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ１３）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ１４）とを備えている。
【００７８】
なお、素子基板１上に有機ＥＬ素子２０を駆動するための回路部１ｂを形成する工程の説明は省略するが、薄膜トランジスタや保持容量並びにこれらの素子を繋ぐ配線等の形成方法は公知の形成方法を用いることができる。
【００７９】
図４のステップＳ１は、反射層形成工程である。ステップＳ１では、図５（ａ）に示すように、素子基板１の回路部１ｂ上に発光画素７（図１参照）に対応した反射層２１を形成する。形成方法としては、アルミ（Ａｌ）をターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５０ｎｍ〜１００ｎｍのアルミ薄膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該アルミ薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、反射層２１を形成する。形成材料は前述したようにアルミに限定されず、ＡｌＮｄでもよい。反射層２１の形成方法は、スパッタ法に限定されず、マスク蒸着法を用いて選択的に形成する方法も採用することができる。そして、ステップＳ２へ進む。
【００８０】
図４のステップＳ２は、絶縁膜形成工程である。ステップＳ２では、図５（ｂ）に示すように、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する。形成方法としては、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの酸化シリコン薄膜を各反射層２１を覆うように形成する。フォトリソグラフィ法により該酸化シリコン薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、絶縁膜２２を形成する。形成材料は前述したように酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。そして、ステップＳ３へ進む。
【００８１】
図４のステップＳ３は、画素電極形成工程である。ステップＳ３では、図５（ｃ）に示すように、反射層２１上に画素電極２３を形成する。形成方法としては、ＩＴＯをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明導電膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該透明導電膜を所定の形状にパターニングすることにより、画素電極２３を形成する。形成材料は前述したようにＩＴＯに限定されず、ＩＺＯでもよい。反射層２１は絶縁膜２２により覆われているので、透明導電膜をパターニングする際に、反射層２１がエッチングされることはない。また、絶縁膜２２を介することにより画素電極２３の密着性も確保できる。透明導電膜の形成方法は、スパッタ法に限定されず、真空蒸着法、ＣＶＤ法等も採用することができる。そして、ステップＳ４へ進む。
【００８２】
図４のステップＳ４は、第１隔壁部形成工程である。ステップＳ４では、図５（ｄ）に示すように、各画素電極２３間を埋めると共に、画素電極２３の周縁部を覆う第１隔壁部５１を形成する。形成方法としては、画素電極２３の必要な部分をフォトレジストによりマスキングした状態で、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法で厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの薄膜を成膜して第１隔壁部５１とする方法が挙げられる。そして、ステップＳ５へ進む。
【００８３】
図４のステップＳ５は、第２隔壁部形成工程である。ステップＳ５では、図５（ｅ）に示すように、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する。形成方法としては、第１隔壁部５１が形成された素子基板１の表面に、感光性のポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂を塗布して、厚みがおよそ１μｍ〜１．５μｍの感光性樹脂層を形成する。そして、当該感光性樹脂層を露光・現像することにより、画素電極２３をとり囲む第２隔壁部５２を形成する。第２隔壁部５２により区画された領域が画素領域Ｅとなる。なお、第２隔壁部５２の厚み（言い換えれば高さ）は、以降の工程において、画素領域Ｅの塗布される液状体の総量と画素領域Ｅの平面的な面積により決定される。そして、ステップＳ６へ進む。
【００８４】
図４のステップＳ６は、機能層形成工程である。前述したように本実施形態の機能層２４は、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層が積層されたものであり、本実施形態では、正孔注入輸送層、有機発光層をそれぞれ液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成する。
【００８５】
まず、図５（ｅ）に示した画素領域Ｅを後の液状体の吐出に対応して予め表面処理する。酸素ガスを処理ガスとするプラズマ処理を施す。これにより、無機材料からなる画素電極２３の表面と画素領域Ｅ内に突出した同じく無機材料からなる第１隔壁部５１の表面を親液化する。続いて、フッ素系の例えばＣＦ4を処理ガスとするプラズマ処理を施す。これにより、有機材料からなる第２隔壁部５２の表面（頭頂部、側面部）を撥液化する。
【００８６】
次に、図６（ｆ）に示すように、正孔注入輸送層形成材料を含む液状体を画素領域Ｅに塗布し、塗布された液状体を乾燥させて溶媒成分を除去することにより成膜して正孔注入輸送層を形成する。塗布方法として、吐出ヘッドのノズルから液状体を液滴として吐出するインクジェット法を用いる。吐出ヘッドは、インクジェットプリンタなどの記録装置に搭載されているものであり、ノズルから液滴を吐出する駆動手段として圧電素子を備えている。当該液状体が充填された吐出ヘッドと素子基板１とを走査することにより、各画素領域Ｅに液滴として吐出する。
また、予め表面処理が施されているので画素領域Ｅ内に着弾した液滴は、よく濡れ広がる。第２隔壁部５２に掛かって着弾した液滴も表面が撥液化されているので、画素領域Ｅ内に収容される。
これにより、必要量の液状体を液滴として（量的、吐出位置的な観点で）高精度に、且つ無駄なく塗布することが可能である。
【００８７】
本実施形態では、正孔注入輸送層形成材料として、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用い、これにグリコール系、アルコール系、エーテル系の有機溶媒（主溶媒）を加えて溶解させ、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルスルフォン酸（ＤＭＳＯ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルフォルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）などの副溶媒を添加した液状体（溶液）を使用して、画素領域Ｅに吐出した。
【００８８】
次に、有機発光層形成材料を含む液状体を同様にして画素領域Ｅに吐出し、吐出された液状体を乾燥させて溶媒成分を除去することにより成膜して、正孔注入輸送層上に有機発光層を形成する。当然ながら赤、緑、青、３色の発光色が得られる有機発光層形成材料が前述した形成材料の中から選択された３種の液状体（溶液）を用いる。当該液状体は、それぞれ異なる吐出ヘッドに充填され、ノズルから液滴として発光色に応じた所望の画素領域Ｅに吐出する。
【００８９】
これらの液状体の乾燥方法としては、赤外線等を照射するランプアニールや、ヒータによる基板の加熱などの方法を採用することができるが、溶媒成分を均質に乾燥させることができる点で、減圧乾燥が好ましい。
【００９０】
次に、前述した形成材料を用いて電子注入輸送層を有機発光層上に形成する。形成方法としては真空蒸着法を用いる。
【００９１】
以上の工程を経ることにより、図６（ｇ）に示すように、画素領域Ｅに機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂが形成される。なお、本実施形態では、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みがほぼ同等となるように液状体を塗布した。そして、ステップＳ７へ進む。
【００９２】
図４のステップＳ７は、陰極形成工程である。ステップＳ７では、図６（ｈ）に示すように、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂと第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する。形成方法としては、ＩＴＯを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明な導電膜からなる陰極２５を形成する。形成材料は前述したようにＩＴＯに限定されない。真空蒸着法はスパッタ法に比べて機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂに熱衝撃などのダメージを与え難いので、歩留りよく有機ＥＬ素子２０を製造することができる。そして、ステップＳ８へ進む。
【００９３】
図４のステップＳ８は、補助電極形成工程である。ステップＳ８では、図６（ｉ）に示すように、第２隔壁部５２を覆う陰極２５上に補助電極５３を形成する。形成方法としては、形成材料であるアルミを蒸着源としてマスク蒸着する方法が挙げられる。補助電極５３の厚みや形成幅は、陰極２５の面抵抗や有機ＥＬ素子２０を流れる電流量を考慮して設定する。そして、ステップＳ９へ進む。
【００９４】
図４のステップＳ９は、第１保護膜形成工程である。ステップＳ９では、図７（ｊ）に示すように、陰極２５および補助電極５３を覆う保護膜２６を形成する。形成方法としては、酸化シリコンを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍとなるように保護膜２６を形成する。前述したように形成材料としては酸化シリコンに限定されない。そして、ステップＳ１０へ進む。
【００９５】
図４のステップＳ１０は、第３隔壁部形成工程である。ステップＳ１０では、図７（ｋ）に示すように、第２隔壁部５２上に第３隔壁部５４を形成する。形成方法は、第２隔壁部５２の場合と同じである。ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂の有機材料からなり厚みおよそ１μｍ〜２μｍの第３隔壁部５４を形成する。そして、ステップＳ１１へ進む。
【００９６】
図４のステップＳ１１は、光路長調整層形成工程である。本実施形態では、機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの形成方法と同様にインクジェット法を用いて、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂ（図３参照）を形成する。液状体（溶液）の構成は、以下の通り。
超微粒子；アンチモンドープ酸化スズ；粒径１０ｎｍ〜３０ｎｍ（数平均２２ｎｍ）
分散溶媒；トルエンとトリメチルベンゼン混合液；混合比２０：８０
ＡＴＯ固形分；３０ｗｔ％
この液状体の塗布にあたり、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに対して、親液性と撥液性とを付与する表面処理（プラズマ処理）を予め行うことが好ましい。
【００９７】
図７（ｍ）に示すように、超微粒子を含む上記液状体を吐出ヘッドに充填し、画素領域Ｅに液滴として吐出する。上記液状体の吐出量は、発光色ごとに異ならせる。そして、図８（ｎ）に示すように、吐出された上記液状体を乾燥することにより成膜して、発光色ごとに層厚が異なる光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する。インクジェット法を採用しているので、発光色ごとに所定量の上記液状体を精度よく塗布することができる。これにより、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの層厚をねらいの値（光路長調整層２７ｒが１５０ｎｍ、光路長調整層２７ｇが９０ｎｍ、光路長調整層２７ｂが６０ｎｍ）とすることができる。
【００９８】
なお、上記液状体の構成は、これに限定されない。例えば、超微粒子としては、ＡＴＯ以外にも、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＩＴＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯなどの超微粒子を用いることもできる。この場合、超微粒子の粒径は、およそ２２ｎｍであるが、吐出ヘッドのノズルから上記液状体を吐出することを考慮すれば、ノズル径よりも小さくなるように設定することは言うまでもない。
また、分散溶媒に対する超微粒子の分散性を考慮して、樹脂バインダーに超微粒子を混ぜ合わせたものを用いてもよい。樹脂バインダーとしては、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などが挙げられる。そして、ステップＳ１２へ進む。
【００９９】
図４のステップＳ１２は、半透過反射層形成工程である。ステップＳ１２では、図８（ｐ）に示すように、各光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆う半透過反射層２８を形成する。形成方法としては、形成材料としてＭｇ−Ａｇの合金を使用し、真空蒸着法またはスパッタ法を用いて成膜する方法が挙げられる。前述したように、５０％以上の透過率を確保しつつ、光反射性を持たせるため、膜厚は、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとする。形成材料はＭｇ−Ａｇの合金に限定されず、Ｃａ−Ａｇの合金でもよい。そして、ステップＳ１３へ進む。
【０１００】
図４のステップＳ１３は、第２保護膜形成工程である。ステップＳ１３では、図８（ｑ）に示すように、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する。保護膜２９の形成方法は、ステップＳ９と同様なため、説明を省略する。そして、ステップＳ１４へ進む。
【０１０１】
図４のステップＳ１４は、封止工程である。ステップＳ１４では、図３に示すように、素子基板１と封止基板２とを空間７０を介して封着する。
【０１０２】
以上の有機ＥＬ装置１０の製造工程によれば、インクジェット法を用いているので、必要量の液状体が精度よく所望の画素領域Ｅに吐出され、所望の層厚を有する機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂおよび光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成することができる。すなわち、光共振構造が最適化された有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
また、有機ＥＬ素子２０の発光状態（輝度や分光特性、色度分布）のばらつきを考慮して、有機ＥＬ素子２０上に光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと半透過反射層２８とを積層すれば、より好適な光共振構造を有する有機ＥＬ装置１０を製造することができる。
【０１０３】
図９は有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフである。図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを設けない場合に比べて、赤色（Ｒ）の波長域（６００ｎｍ〜７５０ｎｍ）、緑色（Ｇ）の波長域（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、青色（Ｂ）の波長域（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）においてそれぞれピーク波長が得られる。また、その光強度は、およそ１．５倍に上昇している。さらには、分光特性がシャープになっている。
【０１０４】
図１０は有機ＥＬ装置の発光における色度分布を示すグラフである。図１０に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、色再現性を示すＮＴＳＣ比がほぼ１００％であった。これに対して光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを設けない場合は、ＮＴＳＣ比が６３％であった。すなわち、色再現性が向上した。
【０１０５】
（実施形態２）
＜他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置＞
次に、他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置について図１１を参照して説明する。なお、実施形態１の構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明する。
【０１０６】
図１１は、他の有機ＥＬ装置の構造を示す要部概略断面図である。図１１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に対して、画素領域Ｅに発光色に対応したフィルタエレメントとしての着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを備えている。また、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を設け、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂが液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成されている。
【０１０７】
着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、公知の材料を用いることができ、例えば、色材としての顔料が透明な有機樹脂材料に分散された着色層形成材料からなる。着色層６１ｒは赤色のフィルタエレメントであり、着色層６１ｇは緑色のフィルタエレメントであり、着色層６１ｂは青色のフィルタエレメントである。
【０１０８】
着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、画素領域Ｅにおいて保護膜２９上に積層形成されている。
【０１０９】
第２隔壁部５２上に形成された補助電極５３は、アルミなどの導電性金属材料からなり、低い面抵抗を示す膜厚を有することから、遮光性をも兼ね備えることとなる。したがって、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂ間において遮光膜（所謂ブラックマトリクス）の機能を果たす。
【０１１０】
このような有機ＥＬ装置８０によれば、反射層２１と半透過反射層２８との間で最適化された光共振器が構成されると共に、有機ＥＬ素子２０の発光色に対応した着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを備えているので、発光の色度補正がなされ、高い発光輝度と、優れた色再現性とを実現したトップエミッション型の有機ＥＬ装置８０を提供することができる。
【０１１１】
また、封止基板２の素子基板１に面する側に各色のフィルタエレメントを設ける場合に比べて、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂが保護膜２９上に積層されているため、視差（視角方向の差）による色度ずれが防止される。
【０１１２】
なお、有機ＥＬ装置８０の着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、３色に限定されない。例えば、有機ＥＬ素子２０の発光における色度に応じて、少なくとも１色の着色層を備えれば、色度補正がなされ、色再現性を高めることができる。
【０１１３】
＜他のトップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置８０の製造方法について図１２および図１３を参照して説明する。図１２は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１３（ａ）および（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【０１１４】
図１２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０の製造方法は、素子基板１に反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ２１）と、反射層２１を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ２２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ２３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ２４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ２５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ２６）とを備えている。また、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆うように陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ２７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ２８）と、陰極２５を覆うように保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ２９）とを備えている。また、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ３０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ３１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆うように半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ３２）とを備えている。そして、半透過反射層２８を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ３３）と、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を形成する第４隔壁部形成工程（ステップＳ３４）と、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成する着色層形成工程（ステップＳ３５）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ３６）とを備えている。
【０１１５】
ステップＳ２１〜ステップＳ３３は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法におけるステップＳ１〜ステップＳ１３と同じであるため説明を省略する。ステップＳ３６の封止工程も同様である。したがって、上記実施形態１と異なるステップＳ３４、ステップＳ３５について説明する。
【０１１６】
図１２のステップＳ３４は、第４隔壁部形成工程である。ステップＳ３４では、図１１に示すように、第３隔壁部５４上に第４隔壁部５５を形成する。実質的には、保護膜２９上に形成する。形成方法は、第３隔壁部５４の形成方法と同じであり、感光性のポリイミド系樹脂または感光性のアクリル系樹脂を塗布し、これを露光・現像することにより、有機材料をからなる第４隔壁部５５を形成する。厚み（高さ）はおよそ１．５μｍ〜２μｍである。そして、ステップＳ３５へ進む。
【０１１７】
図１２のステップＳ３５は、着色層形成工程である。ステップＳ３５では、図１３（ａ）に示すように、前述した着色層形成材料を含む液状体を色ごとに異なる吐出ヘッドに充填し、吐出ヘッド（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と素子基板１とを走査して、第４隔壁部５５により区画された所望の画素領域Ｅに対応する色の液状体を吐出する。必要量の液状体が液滴として画素領域Ｅに吐出される。
【０１１８】
液状体は、溶媒として水や有機溶媒を用いることができる。溶媒に対して５ｗｔ％〜１５ｗｔ％程度の着色層形成材料を分散させる。吐出特性を安定化させるために、粘度や表面張力を調整する。調整方法としては、補助的な溶媒を用いたり、界面活性剤等を添加する方法がある。粘度が３ｍＰａ，ｓ以上２０ｍＰａ，ｓ以下、表面張力が３０ｍＮ／ｍ以上４５ｍＮ／ｍ以下に調整されてなることが好ましい。
【０１１９】
なお、上記３色の液状体を吐出するにあたり、第４隔壁部５５により区画された画素領域Ｅに対して親液性と撥液性とを付与する表面処理（プラズマ処理）を予め行うことが好ましい。
【０１２０】
吐出された液状体を減圧乾燥などの方法を用いて乾燥し、溶媒成分を除去することにより成膜して、図１３（ｂ）に示すように、画素領域Ｅ内に所望の厚みの着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成することができる。
【０１２１】
このような有機ＥＬ装置８０の製造方法によれば、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂにより発光の色度補正がなされ、高い発光輝度と、優れた色再現性とを実現したトップエミッション型の有機ＥＬ装置８０を製造することができる。
また、インクジェット法を用いて着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成するので、着色層形成材料の無駄を省いて効率よく着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを形成することができる。
【０１２２】
さらに、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂは、２つの保護膜２６，２９と光路長調整層２７とを介して有機ＥＬ素子２０に積層されるので、湿式のインクジェット法を用いて形成しても、有機ＥＬ素子２０の発光に与える影響を少なくすることができる。
【０１２３】
なお、着色層形成工程（ステップＳ３５）では、３色の液状体を吐出することに限定されない。有機ＥＬ素子２０の発光における色度に応じて、少なくとも１色の液状体を吐出し、少なくとも１色の着色層を形成すればよい。
【０１２４】
図１４（ａ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ、（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の色度図である。図１４（ａ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置８０は、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂに加えて、着色層６１ｒ，６１ｇ，６１ｂを設けることにより、発光色ごとの分光特性がさらにシャープになっている。
また、図１４（ｂ）に示すように、色再現性を示すＮＴＳＣ比は、さらに拡張して１１８％の値を示した。すなわち、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に比べてさらに高い色再現性を有する。
【０１２５】
（実施形態３）
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置＞
次に、ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置について図１５を参照して説明する。なお、実施形態１の構成と同じ構成については、同じ符号を付して説明する。また、主に構成が異なる部分について説明する。
【０１２６】
図１５は実施形態３の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図１５に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置９０は、有機ＥＬ素子２０からの発光が素子基板１側に射出するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置である。上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０に対して、光共振器等の構造が異なる。
【０１２７】
すなわち、素子基板１は、透明なガラス基板等を用いる。これに対して封止基板２は、透明なガラス基板でも、不透明なセラミックス基板やステンレスなどの金属基板でもよい。
【０１２８】
図示省略したが、素子基板１は、有機ＥＬ素子２０をスイッチングするための回路部を備えることは言うまでもない。
【０１２９】
素子基板１上に半透過反射層２８と、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２と、画素電極２３とが順に積層されている。
【０１３０】
第１隔壁部５１および第２隔壁部５２並びに第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅには、画素電極２３上に機能層２４、陰極２５、保護膜２６、光路長調整層２７、反射層２１、保護膜２９が順に積層されている。
【０１３１】
画素電極２３と、機能層２４と、陰極２５とにより有機ＥＬ素子２０が構成されている。機能層２４ｒは赤（Ｒ）の発光が得られる有機発光層を有し、機能層２４ｇは緑（Ｇ）の発光が得られる有機発光層を有し、機能層２４ｂは青（Ｂ）の発光が得られる有機発光層を有している。半透過反射層２８と反射層２１との間で光共振器が構成され、発光色に対応して最適な光路長を付与する光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂが設けられている。
【０１３２】
光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂは、それぞれアンチモンドープ酸化スズ（ＡＴＯ）からなる数平均粒径が２２ｎｍの超微粒子により構成され、上記実施形態１と同じである。すなわち、光路長調整層２７ｒの層厚は１５０ｎｍであり、光路長調整層２７ｇの層厚は９０ｎｍであり、光路長調整層２７ｂの層厚は６０ｎｍである。
【０１３３】
このような構成によれば、最適化された光共振構造を備え、高い発光輝度と色再現性を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置９０を提供することができる。
【０１３４】
＜ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置９０の製造方法について図１６および図１７を参照して説明する。図１６は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１７（ａ）〜（ｄ）は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
【０１３５】
図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置９０の製造方法は、素子基板１に半透過反射層２８を形成する半透過反射層形成工程（ステップＳ４１）と、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２を形成する絶縁膜形成工程（ステップＳ４２）と、画素電極２３を形成する画素電極形成工程（ステップＳ４３）とを備えている。また、第１隔壁部５１を形成する第１隔壁部形成工程（ステップＳ４４）と、第１隔壁部５１上に第２隔壁部５２を形成する第２隔壁部形成工程（ステップＳ４５）と、画素電極２３上に機能層２４を形成する機能層形成工程（ステップＳ４６）とを備えている。そして、機能層２４と第２隔壁部５２とを覆う陰極２５を形成する陰極形成工程（ステップＳ４７）と、陰極２５の補助電極５３を形成する補助電極形成工程（ステップＳ４８）と、陰極２５を覆う保護膜２６を形成する第１保護膜形成工程（ステップＳ４９）とを備えている。さらに、第３隔壁部５４を形成する第３隔壁部形成工程（ステップＳ５０）と、第３隔壁部５４により区画された画素領域Ｅに光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを形成する光路長調整層形成工程（ステップＳ５１）と、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを覆う反射層２１を形成する反射層形成工程（ステップＳ５２）と、反射層２１を覆う保護膜２９を形成する第２保護膜形成工程（ステップＳ５３）と、有機ＥＬ素子２０が形成された素子基板１と封止基板２とを接合して封着する封止工程（ステップＳ５４）とを備えている。
【０１３６】
以降、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法に対して同じ工程の説明は省略し、異なる工程について説明する。
【０１３７】
図１６のステップＳ４１は、半透過反射層形成工程である。ステップＳ４１では、図１７（ａ）に示すように、素子基板１の回路部（図示省略）上に発光画素７（図１参照）に対応した半透過反射層２８を形成する。形成方法としては、形成材料としてＭｇ−Ａｇの合金を使用し、マスク蒸着する方法が挙げられる。５０％以上の透過率を確保しつつ、光反射性を持たせるため、膜厚は、およそ１０ｎｍ〜２０ｎｍとする。形成材料はＭｇ−Ａｇの合金に限定されず、Ｃａ−Ａｇの合金でもよい。そして、ステップＳ４２へ進む。
【０１３８】
図１６のステップＳ４２には、絶縁膜形成工程である。ステップＳ４２では、図１７（ｂ）に示すように、半透過反射層２８を覆う絶縁膜２２を形成する。形成方法としては、酸化シリコンをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの酸化シリコン薄膜を半透過反射層２８を覆うように形成する。フォトリソグラフィ法により該酸化シリコン薄膜を所定の形状にパターニングすることにより、絶縁膜２２を形成する。形成材料は前述したように酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。そして、ステップＳ４３へ進む。
【０１３９】
図１６のステップＳ４３は、画素電極形成工程である。ステップＳ４３では、図１７（ｃ）に示すように、半透過反射層２８上に画素電極２３を形成する。形成方法としては、ＩＴＯをターゲットとしスパッタ法によって厚みがおよそ１０ｎｍ〜２０ｎｍの透明導電膜を形成する。フォトリソグラフィ法により該透明導電膜を所定の形状にパターニングすることにより、画素電極２３を形成する。形成材料はＩＴＯに限定されず、ＩＺＯでもよい。透明導電膜の形成方法は、スパッタ法に限定されず、真空蒸着法、ＣＶＤ法等も採用することができる。そして、ステップＳ４４へ進む。
【０１４０】
図１６のステップＳ４４〜ステップＳ５１は、上記実施形態１のステップＳ４〜ステップＳ１１と同じであるため、説明を省略する。
【０１４１】
続いて、図１６のステップＳ５２は、反射層形成工程である。ステップＳ５２では、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂと第３隔壁部５４とを覆うように反射層２１を形成する。形成方法としては、形成材料としてアルミ（Ａｌ）を用い、真空蒸着法またはスパッタ法により成膜する方法が挙げられる。厚みがおよそ５０〜１００ｎｍとなるように成膜する。そして、ステップＳ５３へ進む。
【０１４２】
図１６のステップ５３は、第２保護膜形成工程である。ステップＳ５３では、図１７（ｄ）に示すように、反射層２１を覆う保護膜２９を形成する。形成方法は、酸化シリコンを蒸着源とし真空蒸着法によって厚みがおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍとなるように保護膜２９を形成する。形成材料としては酸化シリコンに限定されず、窒化シリコンまたはこれらの化合物でもよい。
【０１４３】
このような有機ＥＬ装置９０の製造方法によれば、最適化された光共振構造を備え、高い発光輝度と色再現性を有するボトムエミッション型の有機ＥＬ装置９０を製造することができる。
【０１４４】
（実施形態４）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について携帯型電話機を例に説明する。図１８は、電子機器としての携帯型電話機を示す概略図である。
【０１４５】
図１８に示すように、本実施形態の電子機器としての携帯型電話機１００は、操作ボタン１０３を備えた本体１０２と、本体１０２にヒンジを介して折畳式に取り付けられた表示部１０１とを備えている。
表示部１０１には、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０または上記実施形態２の有機ＥＬ装置８０あるいは上記実施形態３の有機ＥＬ装置９０のいずれかが搭載されている。
したがって、高い発光輝度と色再現性を有し、見映えのよい携帯型電話機１００を提供することができる。
【０１４６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１４７】
（変形例１）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０において、各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みはほぼ同等としたが、これに限定されない。例えば、発光色ごとに厚みを異ならせてもよい。言い換えれば、所望の発光が得られるように各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂを構成する有機発光層などの層構造を変えてもよい。各機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂの厚みが異なっていたとしても、最適な光学的距離Ｌとなるように光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂの層厚を設定すればよい。また、光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを液滴吐出法（インクジェット法）により形成するので、液状体の吐出量を調整することにより、層厚の調整を容易に行うことができる。
【０１４８】
（変形例２）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法において、機能層２４ｒ，２４ｇ，２４ｂのうち正孔注入輸送層、有機発光層を形成する方法は、液滴吐出法（インクジェット法）に限定されない。例えば、所望の部位に成膜が可能なマスク蒸着法を用いることができる。したがって、有機発光層は、低分子の有機発光材料を用いて成膜してもよい。
【０１４９】
（変形例３）発光色に応じた光路長調整層２７ｒ，２７ｇ，２７ｂを含む光共振器の構成は、３色の発光が得られる有機ＥＬ素子２０に対応したものに限定されない。図１９（ａ）および（ｂ）は、変形例の有機ＥＬ装置を示す概略図である。同図（ａ）は概略正面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図である。例えば、図１９（ａ）に示すように、変形例の有機ＥＬ装置２００は、平面視でほぼ円形の発光画素２０７が千鳥に配列した素子基板２０１と、素子基板２０１に接合され、これを封着する封止基板２０２とを備える。
発光画素２０７の等価回路は、図２に示した発光画素７と同様であって、有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタと保持容量とを有する。発光画素２０７は、例えば、赤色などの単色発光が得られるものである。
上記薄膜トランジスタを駆動する駆動回路との電気的な接続は、端子部２０１ａに実装された中継基板２０３を介して行われる。
図１９（ｂ）に示すように、素子基板２０１上には、発光が素子基板２０１側に漏れないように膜形成領域２０４に亘って設けられた反射層２１１と、反射層２１１を覆う絶縁膜２１２と、反射層２１１に積層された複数の画素電極２１３とを備える。
複数の画素電極２１３を覆って順に積層された機能層２１４、陰極２１６、保護膜２１８、光路長調整層２１９、半透過反射層２２１、保護膜２２２を有する。
画素電極２１３と、機能層２１４と、陰極２１６とにより有機ＥＬ素子が構成され、反射層２１１と半透過反射層２２１との間で光共振器が構成されている。
膜形成領域２０４は、複数の画素電極２１３を囲むように設けられ、第１隔壁部２１５とこれに重畳された第２隔壁部２２０とにより区画されている。第１隔壁部２１５上には補助電極２１７が設けられている。
封止基板２０２は、額縁状に設けられた接着層２０６により素子基板２０１と接合されている。
このような構成によれば、高い発光輝度で単色の発光が得られる複数の有機ＥＬ素子を備えたトップエミッション型の有機ＥＬ装置２００を提供することができる。このような有機ＥＬ装置２００は、例えば、画像形成装置における感光体ドラムの露光用光源として用いることができる。
また、各部の製造方法は、上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０の製造方法を適用することができる。複数の有機ＥＬ素子を取り囲むように第１隔壁部２１５、第２隔壁部２２０を有しているので、機能層２１４および光路長調整層２１９は、液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成することができる。言い換えれば、隔壁部は有機ＥＬ素子を１つずつ区画しなくてもよい。
【０１５０】
（変形例４）上記実施形態１の有機ＥＬ装置１０または上記実施形態２の有機ＥＬ装置８０あるいは上記実施形態３の有機ＥＬ装置９０のいずれかが搭載される電子機器は、携帯型電話機１００に限定されない。例えば、パーソナルコンピュータや携帯型情報端末、カーナビゲータ、ビューワーなどの各種表示装置などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】実施形態１の有機ＥＬ装置を示す概略正面図。
【図２】実施形態１の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】実施形態１の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図４】実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ｆ）〜（ｉ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ｊ）〜（ｍ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ｎ）〜（ｑ）は実施形態１の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図９】実施形態１の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ。
【図１０】実施形態１の有機ＥＬ装置の発光における色度分布を示すグラフ。
【図１１】実施形態２の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１２】実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の分光特性を示すグラフ、（ｂ）は実施形態２の有機ＥＬ装置の色度図。
【図１５】実施形態３の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。
【図１６】実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は実施形態３の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】実施形態４の電子機器としての携帯型電話機を示す概略図。
【図１９】（ａ）は変形例の有機ＥＬ装置を示す概略正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線で切った概略断面図。
【符号の説明】
【０１５２】
１…基板としての素子基板、２…封止基板、７…発光画素、１０，８０…トップエミッション型の有機ＥＬ装置、２０…有機ＥＬ素子、２１…反射層、２３…第１の電極としての画素電極、２４，２４ｒ，２４ｇ，２４ｂ…機能層、２５…第２の電極としての陰極、２６，２９…保護膜、２７，２７ｒ，２７ｇ，２７ｂ…光路長調整層、２８…半透過反射層、５２…隔壁部としての第２隔壁部、５３…補助電極、６１ｒ，６１ｇ，６１ｂ…フィルタエレメントとしての着色層、９０…ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置、１００…電子機器としての携帯型電話機、Ｅ…画素領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置であって、
基板上に順に積層形成された反射層と、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、半透過反射層と、を備え、
前記反射層と前記半透過反射層の間で光共振器が構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記半透過反射層上に発光色に対応した少なくとも１色のフィルタエレメントが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記半透過反射層と前記少なくとも１色のフィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であって、
透明な基板上に順に積層形成された半透過反射層、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、反射層と、を備え、
前記半透過反射層と前記反射層との間で光共振器が構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記基板上の複数の画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層が形成され、
前記発光色に対応して前記光路長調整層の層厚が設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記光路長調整層は、光透過性の超微粒子または前記超微粒子を含む光透過性の高分子膜からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるように、前記超微粒子の粒径が選定されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記複数の画素領域を区画する隔壁部を備え、
前記第２の電極は、前記隔壁部と前記複数の画素領域とを覆うように形成され、
前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上の画素領域に反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、
前記光路長調整層上に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程とを備え、
前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板上の複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
フィルタエレメント形成材料を含む少なくとも１色の液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して、少なくとも１色のフィルタエレメントを前記半透過反射層上に形成する成膜工程とを備えたことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半透過反射層と前記フィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上の画素領域に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程と、
前記半透過反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、
前記光路長調整層上に反射層を形成する反射層形成工程とを備え、
前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記機能層形成工程は、前記基板上の複数の前記画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層を形成し、
前記光路長調整層形成工程は、前記機能層における発光波長に応じて、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
前記機能層形成工程は、有機発光層形成材料を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して前記有機発光層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
前記光路長調整層形成工程は、光透過性の超微粒子を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して前記光路長調整層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護層形成工程を備えることを特徴とする請求項１７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２電極形成工程は、前記隔壁部と前記複数の前記画素領域とを覆うように前記第２の電極を形成し、
前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極を形成する補助電極形成工程を備えたことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置であって、
基板上に順に積層形成された反射層と、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、半透過反射層と、を備え、
前記反射層と前記半透過反射層の間で光共振器が構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記半透過反射層上に発光色に対応した少なくとも１色のフィルタエレメントが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記半透過反射層と前記少なくとも１色のフィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置であって、
透明な基板上に順に積層形成された半透過反射層、透明な第１の電極と、有機発光層を含む機能層と、透明な第２の電極と、光路長調整層と、反射層と、を備え、
前記半透過反射層と前記反射層との間で光共振器が構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記基板上の複数の画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層が形成され、
前記発光色に対応して前記光路長調整層の層厚が設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記光路長調整層は、光透過性の超微粒子または前記超微粒子を含む光透過性の高分子膜からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記光路長調整層における光の散乱状態がレイリー散乱となるように、前記超微粒子の粒径が選定されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記複数の画素領域を区画する隔壁部を備え、
前記第２の電極は、前記隔壁部と前記複数の画素領域とを覆うように形成され、
前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
トップエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上の画素領域に反射層を形成する反射層形成工程と、
前記反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、
前記光路長調整層上に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程とを備え、
前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記基板上の複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
フィルタエレメント形成材料を含む少なくとも１色の液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して、少なくとも１色のフィルタエレメントを前記半透過反射層上に形成する成膜工程とを備えたことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記半透過反射層と前記フィルタエレメントとの間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護膜形成工程を備えることを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上の画素領域に半透過反射層を形成する半透過反射層形成工程と、
前記半透過反射層上に透明な第１の電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１の電極上に有機発光層を含む機能層を形成する機能層形成工程と、
前記機能層上に透明な第２の電極を形成する第２電極形成工程と、
前記第２の電極上に光路長調整層を形成する光路長調整層形成工程と、
前記光路長調整層上に反射層を形成する反射層形成工程とを備え、
前記光路長調整層形成工程は、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層を透過する発光と、前記有機発光層から射出し前記半透過反射層と前記反射層とで反射して前記半透過反射層を透過する発光とが共振するように、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記機能層形成工程は、前記基板上の複数の前記画素領域に複数の発光色に対応した前記機能層を形成し、
前記光路長調整層形成工程は、前記機能層における発光波長に応じて、前記光路長調整層の層厚を設定することを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
前記機能層形成工程は、有機発光層形成材料を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して前記有機発光層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基板上の前記複数の前記画素領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程を備え、
前記光路長調整層形成工程は、光透過性の超微粒子を含む液状体を前記画素領域に吐出する吐出工程と、
吐出された前記液状体を固化して前記光路長調整層を形成する成膜工程とを含むことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の電極と前記光路長調整層との間に、ガスバリア性を有する保護膜を形成する保護層形成工程を備えることを特徴とする請求項１７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２電極形成工程は、前記隔壁部と前記複数の前記画素領域とを覆うように前記第２の電極を形成し、
前記隔壁部上に前記第２の電極に比べて面抵抗が低い補助電極を形成する補助電極形成工程を備えたことを特徴とする請求項１１乃至１８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
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【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００９−２７２１５０（Ｐ２００９−２７２１５０Ａ）
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１２１９２６（Ｐ２００８−１２１９２６）
【出願日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月８日（２００８．５．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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