有機ＥＬ装置及びその製造方法
【課題】生産性を向上することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【解決手段】絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要がある。赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法として、真空蒸着法がある。このような真空蒸着法によって低分子系の有機ＥＬ材料を成膜する場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、生産性を向上することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、前記第１コンタクト部を含む前記第１画素電極の上、前記第２コンタクト部を含む前記第２画素電極の上、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、生産性を向上することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施態様における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。
【図２】図２の（ａ）乃至（ｅ）は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図３】図３は、図２に示した第２有機ＥＬ素子をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図５】図５は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図６】図６の（ａ）乃至（ｅ）は、図５に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図７】図７は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図８】図８の（ａ）乃至（ｅ）は、図７に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図９】図９は、図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図５及び図７に示したアレイ基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
本実施形態では、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、対向基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプであるが、本実施形態においては、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、アレイ基板１００の側から光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
【００１５】
アレイ基板１００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板１０１を備えている。スイッチング素子ＳＷ、及び、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、絶縁基板１０１の上方において、画像を表示するアクティブエリア１０２にそれぞれ配置されている。
【００１６】
絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００１７】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１８】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、この第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００１９】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、この第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００２０】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。
【００２１】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。このような第４絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷの上方に配置され、しかも、画素電極ＰＥの下地となる絶縁膜として機能する。つまり、第４絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷと第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間に配置されている。
【００２２】
この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。具体的には、第４絶縁膜１１４は、例えば、アクリル基含有樹脂、ポリイミド基含有樹脂、シリコーン基含有樹脂、フッ素基含有樹脂、ウレタン基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂の少なくとも１つによって形成されている。また、第４絶縁膜１１４は、アクリル基含有樹脂、ポリイミド基含有樹脂、シリコーン基含有樹脂、フッ素基含有樹脂、ウレタン基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂の少なくとも１つの母材に、カーボンブラック、アセチレンブラック、ランプブラック、ボーンブラック、黒鉛、鉄黒、アニリンブラック、シアニンブラック、チタンブラック、アニリンブラックや酸化鉄系黒色顔料の少なくとも１つの黒色色材を混合した材料によって形成されても良い。
【００２３】
また、この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達する凹所を形成するコンタクトホールＣＨが形成されている。つまり、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄの一部は、コンタクトホールＣＨの底部に位置している。
【００２４】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する各々の画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。これらの画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。各画素電極ＰＥは互いに離間しており、隣接する画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４は、画素電極ＰＥに覆われていない。
【００２５】
このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はないが、ここに示した例では、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。透過層ＰＥＴは、第４絶縁膜１１４の直上及びコンタクトホールＣＨの直上に位置する反射層ＰＥＲの上に積層されている。
【００２６】
ここに示した例では、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、略同一サイズの略同一パターンで形成されており、反射層ＰＥＲの上面全体に透過層ＰＥＴが積層されている。透過層ＰＥＴは、第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔに接することはなく、また、反射層ＰＥＲの側面にも接していない。詳細については、後に述べるが、透過層ＰＥＴの側面の位置は、反射層ＰＥＲの側面の直上の位置と一致する位置であり、透過層ＰＥＴの側面と反射層ＰＥＲの側面とは、連続した平面あるいは連続した曲面を形成している。
【００２７】
反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する酸化物導電材料などの導電材料によって形成されている。
【００２８】
なお、画素電極ＰＥは、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、３層以上の積層構造であっても良い。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が対向基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層ＰＥＲを含んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射するボトムエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲを含んでいない。
【００２９】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００３０】
より具体的には、有機層ＯＲＧは、第４絶縁膜１１４の直上及びコンタクトホールＣＨの直上にそれぞれ位置する各画素電極ＰＥの上面（ここでは特に透過層ＰＥＴの上面）ＰＴの全体、及び、各画素電極ＰＥの側面（ここでは反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）ＰＳの全体に接している。また、有機層ＯＲＧは、隣接する画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔにも接している。
【００３１】
この有機層ＯＲＧは、少なくとも図示を省略した発光層を含んでいる。なお、有機層ＯＲＧは、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。また、有機層ＯＲＧを構成する発光層は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。なお、ここでは、『有機層』と称したが、有機層ＯＲＧが含む発光層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層の一部が無機系材料によって形成されていても良い。
【００３２】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００３３】
このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射する下面発光型の場合には、対向電極ＣＥは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。
【００３４】
対向基板２００は、アレイ基板１００に形成された第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上方に配置されている。この対向基板２００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。
【００３５】
図示した例では、アレイ基板１００と対向基板２００とが離間し、両者の間に空間が形成されているが、アレイ基板１００と対向基板２００との間には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を被覆する保護膜や樹脂層が配置されても良い。保護膜は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい絶縁材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成され、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を覆い、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。樹脂層は、光透過性を有する熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂などの有機化合物によって形成され、アレイ基板１００と対向基板２００との間に充填される充填層あるいはアレイ基板１００と対向基板２００とを接着する接着層として機能する。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３と樹脂層との間には、上述した保護膜が介在することが望ましい。
【００３６】
本実施形態においては、発光層を含む有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光色は赤色であり、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光色は緑色であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光色は青色である。
【００３７】
ここでは、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲を第１波長範囲と定義し、この第１波長範囲内にある色を赤色とする。また、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い範囲を第２波長範囲と定義し、この第２波長範囲内にある色を緑色とする。さらに、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲を第３波長範囲と定義し、この第３波長範囲内にある色を青色とする。
【００３８】
このような構成は、例えば、以下のような構成で実現可能である。すなわち、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の有機層ＯＲＧは、例えば、発光色が赤色の第１ドーパント材料、発光色が緑色の第２ドーパント材料、及び、発光色が青色の第３ドーパント材料を含でいる。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１については、第１ドーパント材料が発光し、赤色を呈する。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２については、第１ドーパント材料が消光しており、第２ドーパント材料が発光し、緑色を呈する。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３については、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料が消光しており、第３ドーパント材料が発光し、青色を呈する。
【００３９】
なお、有機層ＯＲＧの形態は、特に制限はなく、第１ドーパント材料を含む第１発光層、第２ドーパント材料を含む第２発光層、及び、第３ドーパント材料を含む第３発光層を積層した３層構造であっても良いし、第１発光層及び第２発光層を積層した２層構造であっても良いし、第１発光層のみからなる単層構造であっても良い。２層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料のみならず、第２ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良いし、第２発光層は、第２ドーパント材料のみならず、第１ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良い。単層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料、及び、第３ドーパント材料を含んでいても良い。
【００４０】
また、第１乃至第３ドーパント材料としては、光照射によって発光性能が変化する材料として、消光する材料を適用した場合について説明したが、消光に限らず、紫外線などの光照射によって発光色が変化するなどの発光性能が変化する材料が適用可能である。
【００４１】
例えば、光照射によって分子の立体構造が変化して発光色が変化するあるいは消光する材料が適用可能である。例えば、一方のドーパント材料が他方のドーパント材料の異性体である場合がこの例に相当する。異性体の一種として、シス体及びトランス体の例について簡単説明する。シス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が同じ側にある分子の立体構造を示し、トランス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が互いに反対側にある分子の立体構造を示している。このようなドーパント材料は、紫外光などの光照射により、シス体からトランス体に変化する、あるいは、トランス体からシス体に変化する材料から選択され、このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。
【００４２】
また、他の異性体の例としては、光変換型タンパク質あるいは蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射により、消光状態から活性化されて発光するようになる材料や、ある発光波長から別の発光波長に変換される材料などがあり、これらも本実施形態のドーパント材料として適用可能である。
【００４３】
また、光照射によって発光層に含まれるドーパント材料と添加剤あるいはホスト材料とが化学結合して発光色が変化するあるいは消光する材料も適用可能である。
【００４４】
本実施形態における表示パネル１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。
【００４５】
次に、図１に示した本実施形態における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【００４６】
図２は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【００４７】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。図示した例では、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、上述した通り、略同一サイズの略同一パターンであって、互いにＸＹ平面内でずれることなく重なっている。
【００４８】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤよりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【００４９】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【００５０】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。
【００５１】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００５２】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。
【００５３】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００５４】
次に、本実施形態におけるコンタクトホールＣＨのテーパー角θについて説明する。
【００５５】
図３は、図２に示した第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００５６】
スイッチング素子のドレイン電極Ｄと画素電極ＰＥとの間の第４絶縁膜１１４は、略平坦な上面１１４Ｔを有している。この上面１１４Ｔには、各画素電極ＰＥが配置される第１上面１１４Ｔ１と、画素電極ＰＥの周辺に位置する第４絶縁膜１１４の上面、つまり、隣接する画素電極ＰＥの間に位置する第４絶縁膜１１４の第２上面１１４Ｔ２とが含まれる。この第４絶縁膜１１４には、ドレイン電極Ｄまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。第４絶縁膜１１４の側面１１４Ｓは、緩やかに傾斜した平面となる場合もあり得るし、曲面となる場合もあり得る。
【００５７】
第４絶縁膜１１４の第１上面１１４Ｔ１に配置された反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、第４絶縁膜１１４の側面１１４Ｓを覆うとともに、コンタクトホールＣＨの底部に位置するドレイン電極Ｄにコンタクトしている。反射層ＰＥＲのうち、ドレイン電極Ｄにコンタクトしている部分が画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣに相当する。反射層ＰＥＲは、上面ＰＲＴ及び側面ＰＲＳを有している。
【００５８】
透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層されている。この透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳを覆うことはなく、第４絶縁膜１１４にも接していない。この透過層ＰＥＴは、上面ＰＴＴ及び側面ＰＴＳを有している。反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳ及び透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳは、ほとんど段差のない連続面であり、平面である場合もあり得るし、曲面である場合もあり得る。
【００５９】
このような２層積層構造の画素電極ＰＥは、詳細には後述するが、例えば、第４絶縁膜１１４の上に反射導電層を形成し、反射導電層の上に透過導電層を積層し、これらの反射導電層及び透過導電層を一括してエッチングすることにより形成可能である。このとき、反射導電層及び透過導電層の一部を除去するためのエッチングとしてドライエッチングを適用した場合には、反射導電層及び透過導電層を除去した際に、反射導電層の下地である第４絶縁膜１１４の表面も除去される場合がある。なお、エッチングとしてウエットエッチングを適用した場合には、第４絶縁膜１１４の表面はほとんど除去されない。
【００６０】
このため、第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔにおいて、画素電極ＰＥが配置される第１上面１１４Ｔ１は、いずれも略同一の位置であって同一平面を形成する一方で、画素電極ＰＥの間に位置する第２上面１１４Ｔ２は、第１上面１１４Ｔ１よりも窪んでいる場合がある。
【００６１】
有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上面ＰＴである透過層ＰＥＴの上面ＰＴＴに配置され、画素電極ＰＥの側面ＰＳである反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳ及び透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳを覆うとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔの一部である第２上面１１４Ｔ２を覆っている。
【００６２】
このような有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ１は、画素電極ＰＥの膜厚Ｔ２より厚いことが望ましい。有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ１とは、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に介在する有機層ＯＲＧの総厚である。画素電極ＰＥの膜厚Ｔ２とは、反射層ＰＥＲの膜厚と透過層ＰＥＴの膜厚との総和である。これにより、画素電極ＰＥの上面ＰＴと第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔとの段差によって有機層ＯＲＧの一部が途切れる不良を抑制することができ、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとのショートを抑制することが可能となる。一例として、反射層ＰＥＲの膜厚が１００ｎｍであり、透過層ＰＥＴの膜厚が２５ｎｍである場合、画素電極ＰＥの膜厚Ｔ１は１２５ｎｍである一方、有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ２が２００ｎｍである。
【００６３】
対向電極ＣＥは、画素電極ＰＥの直上及び画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の直上に位置する有機層ＯＲＧの上に配置されている。
【００６４】
本実施形態において、コンタクトホールＣＨのテーパー角θは、以下のように定義する。すなわち、コンタクトホールＣＨは、第４絶縁膜１１４の一部を除去することによって形成されるが、ドレイン電極Ｄの表面ＤＳに到達する側面１１４Ｓの形状が安定しにくいことから、図示した断面において、側面１１４Ｓとドレイン電極Ｄとの交点から水平方向に０．５μｍ離れた側面１１４Ｓの位置Ｐにおける接線Ｔと、ドレイン電極Ｄの表面ＤＳとのなす角度をテーパー角θと定義する。
【００６５】
本実施形態においては、テーパー角θは、４０度以下であることが望ましい。テーパー角θが４０度を越える急峻な側面１１４Ｓによって形成されたコンタクトホールＣＨでは、有機層ＯＲＧを形成した際に、膜の一部が途切れるおそれがある。その後、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成した際には、有機層ＯＲＧが途切れた部分で対向電極ＣＥと画素電極ＰＥとがショートして、有機ＥＬ素子が正常に発光しない不具合を招くおそれがある。このため、テーパー角θを４０度以下にすることにより、側面１１４Ｓの傾斜が緩やかになり、有機層ＯＲＧが途切れることを抑制することができる。これにより、対向電極ＣＥと画素電極ＰＥとのショートが抑制され、有機ＥＬ素子を正常に発光させることが可能となる。
【００６６】
このようなテーパー角θのコンタクトホールＣＨが形成された第４絶縁膜１１４は、詳細には後述するが、例えば、第４絶縁膜１１４を形成するための絶縁膜材料を塗布した後に、コンタクトホールＣＨを形成する箇所の絶縁膜材料を除去するパターニングを行い、焼成し、冷却することによって形成可能である。特に、絶縁膜材料を焼成する際の温度は、絶縁膜材料が溶融状態となる温度とする。
【００６７】
これにより、絶縁膜材料は水滴のようにその表面張力によって収縮し、徐々に温度を低下させて冷却した後には、収縮した状態が保持され、緩やかなテーパー角θのコンタクトホールＣＨが形成される。
【００６８】
このような本実施形態によれば、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略したため、樹脂材料によって格子状に隔壁を形成した構成と比較して、隔壁を形成する工程が不要となり、生産性を向上することが可能となる。
【００６９】
また、本実施形態によれば、画素電極ＰＥの周縁やコンタクトホールＣＨの直上を含む画素電極ＰＥの全体に有機層ＯＲＧが重なり、さらにこの有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥが配置されているため、画素電極ＰＥの略全体が発光に寄与する領域となる。このため、画素電極ＰＥの周縁の一部に重なるように配置された隔壁を形成した構成と比較して、発光に寄与する領域の面積（あるいは開口率）を向上することができる。
【００７０】
図２に示した例では、画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さとＹ方向に沿った長さとの積が発光に寄与する領域の面積となる。このような発光に寄与する領域の画素電極ＰＥについて、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１の直上に位置する面積の割合が、コンタクトホールＣＨの直上に位置する面積の割合よりも十分に大きくすることにより、正面方向つまり表示パネル１の法線方向から観察したときの色度のズレを緩和することができる。発明者の実験によれば、発光に寄与する領域の面積に対して、コンタクトホールＣＨの直上に位置する面積の割合が１５％程度である場合（つまり、第１上面１１４Ｔ１の直上に位置する面積の割合が約８５％である場合）には、色度のずれはほとんどないことが確認された。
【００７１】
また、本実施形態によれば、有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。このような構成によれば、発光層を塗り分けるための金属性のファインマスクが不要であり、このようなファインマスクを支持するための受けとしての隔壁、あるいは、発光層を塗り分ける際の混色を防止するための隔壁が不要となる。また、ファインマスクが接触することに起因したアレイ基板１００の表面の損傷の発生を抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態において、図２に示した構成によれば、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、一括してエッチングすることによって形成されている。このため、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを別々にエッチングすることによって形成した場合と比較して、アレイ基板１００を形成する工程数を削減することができ、さらに生産性を向上することが可能となる。
【００７３】
なお、図２に示した例においては、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に第４絶縁膜１１４のみを配置したが、第４絶縁膜１１４とスイッチング素子ＳＷとの間にパッシベーション膜として機能する無機化合物によって形成された絶縁膜を追加しても良い。
【００７４】
本実施形態では、画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層した反射層ＰＥＲと、反射層ＰＥＲの上に積層した透過層ＰＥＴとの２層積層構造である場合について説明した。この場合、反射層ＰＥＲは、アルミニウムや銀などによって形成可能であるが、樹脂製の第４絶縁膜１１４に対する付着性が銀よりも高く、しかも、銀よりもその上面ＰＲＴの平滑化が可能なアルミニウムによって形成することが望ましい。
【００７５】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【００７６】
図４は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図４に示した構成例は、図１に示した例と比較して、画素電極ＰＥが３層積層構造である点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【００７７】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００７８】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された第１透過層ＰＥＴ１、第１透過層ＰＥＴ１の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上に積層された第２透過層ＰＥＴ２を有している。これらの第１透過層ＰＥＴ１及び第２透過層ＰＥＴ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電材料によって形成されている。例えば、ＩＴＯは、樹脂製の第４絶縁膜１１４に対する付着性が銀（Ａｇ）よりも高く、比較的平滑な第１透過層ＰＥＴ１を形成可能である。
【００７９】
このような３層積層構造の画素電極ＰＥにおいては、反射層ＰＥＲは、第１透過層ＰＥＴ１の上に配置され、第４絶縁膜１１４への付着性を考慮する必要がないため、銀（Ａｇ）によって形成可能である。第１透過層ＰＥＴ１の上に形成した銀製の反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に形成した銀製の反射層ＰＥＲと比較して、その表面が平滑である。勿論、このような３層構造の画素電極ＰＥであっても、反射層ＰＥＲの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を適用しても良い。
【００８０】
第１透過層ＰＥＴ１は、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨの直上を含む第１透過層ＰＥＴ１の上面の略全体に積層されている。第２透過層ＰＥＴ２は、コンタクトホールＣＨの直上を含む反射層ＰＥＲの上面の略全体に積層されている。
【００８１】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面ＰＴ及び側面ＰＳを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００８２】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００８３】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【００８４】
なお、このような構成例においても、有機層ＯＲＧの膜厚は、画素電極ＰＥの膜厚より厚いことが望ましい。一例として、３層積層構造の画素電極ＰＥの膜厚Ｔ１は１７５ｎｍである一方、有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ２が２００ｎｍである。
【００８５】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【００８６】
図５は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図５に示した構成例は、図１に示した例と比較して、コンタクトホールＣＨの直上及びその周辺において画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲが欠落している点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【００８７】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００８８】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層された透過層ＰＥＴを有している。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１に配置され、コンタクトホールＣＨには延在していない。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上からコンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。
【００８９】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面（ここでは透過層ＰＥＴの上面）ＰＴ及び側面（ここでは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）を被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００９０】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００９１】
次に、図５に示した構成例における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【００９２】
図６は、図５に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【００９３】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。ここに示した例の画素電極ＰＥは、図２などに示したような一括エッチングによって形成された画素電極ＰＥとは異なる。すなわち、図６に示した画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴのサイズ及びパターンは、互いに異なっている。エッジＥＤは、反射層ＰＥＲの側面によって形成されるエッジＥＤＲと、透過層ＰＥＴの側面によって形成されるエッジＥＤＴとを含んでいる。
【００９４】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤ（ここでは透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴ）よりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【００９５】
反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ及びその周辺で欠落している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ及びコンタクトホールＣＨを覆っている。これらの反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは別々のパターニング工程を経て形成される。図示した例では、コンタクトホールＣＨ及びその周辺部分を除いては、反射層ＰＥＲのエッジＥＤＲと透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴとが重なっている。
【００９６】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｕ字型となっている。図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっている。図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略四角形となっている。これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【００９７】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【００９８】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００９９】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１００】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１０１】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【０１０２】
また、図１に示した例と比較して、画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲがコンタクトホールＣＨ付近で欠落しているため、発光に寄与する面積が僅かに低減するが、コンタクトホールＣＨの傾斜した側面１１４Ｓでの反射光の影響を受けないため、色度を向上することができる。
【０１０３】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【０１０４】
図７は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図７に示した構成例は、図１に示した例と比較して、コンタクトホールＣＨの直上及びその周辺において画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲが欠落し、しかも、反射層ＰＥＲの上面に積層された透過層ＰＥＴの側面の一部が反射層ＰＥＲの側面の位置よりも内側に位置している点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【０１０５】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【０１０６】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層された透過層ＰＥＴを有している。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１に配置され、コンタクトホールＣＨには延在していない。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴからコンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳの一部は、反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳの直上の位置よりも内側に位置している。
【０１０７】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面（ここでは透過層ＰＥＴの上面及び反射層ＰＥＲの一部の上面）ＰＴ及び側面（ここでは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）ＰＳを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【０１０８】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【０１０９】
次に、図７に示した構成例における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【０１１０】
図８は、図７に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【０１１１】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。ここに示した例の画素電極ＰＥは、図２などに示したような一括エッチングによって形成された画素電極ＰＥとは異なる。すなわち、図８に示した画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴのサイズ及びパターンは、互いに異なっている。エッジＥＤは、反射層ＰＥＲの側面によって形成されるエッジＥＤＲと、透過層ＰＥＴの側面によって形成されるエッジＥＤＴとを含んでいる。
【０１１２】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤ（ここでは透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴ）よりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【０１１３】
反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ及びその周辺で欠落している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ及びコンタクトホールＣＨを覆っている。これらの反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは別々のパターニング工程を経て形成される。図示した例では、コンタクトホールＣＨ及びその周辺部分を除いて、透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴは、反射層ＰＥＲのエッジＥＤＲよりも内側に位置している。
【０１１４】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｕ字型となっている。このようなエッジＥＤＲのうちの略Ｕ字型の部分は、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１５】
図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっている。このようなエッジＥＤＲのうちの略Ｌ字型の部分は、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１６】
図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略四角形となっている。このような略四角のエッジＥＤＲは、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１７】
これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【０１１８】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１９】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１２０】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１２１】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１２２】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【０１２３】
また、図５に示した例と比較して、画素電極ＰＥの透過層ＰＥＴが、コンタクトホールＣＨ付近を除いて、反射層ＰＥＲよりも外側にはみ出すことがないため、所望の色度とは異なる発光色を低減することができ、さらに色度を向上することができる。
【０１２４】
以上説明した本実施形態の有機ＥＬ装置において、各構成例の代表的なレイアウトにおける開口率を比較した。ここでは、アクティブエリアにおける精細度、画素間ピッチ、コンタクトホールＣＨのサイズなどの条件は同一とし、画素電極ＰＥの周縁の一部に重なるように配置された隔壁を形成した構成の開口率を１００％とした。
【０１２５】
本実施形態の各構成例の代表的なコンタクトホールと画素電極とのレイアウトにおいて、開口率は以下の通りである。すなわち、図２の（ａ）に示した例では、開口率は１７８％となった。図６の（ａ）に示した例では、開口率は１７３％となった。図８の（ａ）に示した例では、開口率は１３５％となった。このように、本実施形態によれば、隔壁を有する構成と比較して、隔壁を省略したことによって隔壁によって覆われていた画素電極の上に有機層及び対向電極が配置され、発光に寄与するため、開口率を向上できることが確認された。
【０１２６】
次に、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【０１２７】
図９は、図１に示した構成の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１２８】
まず、絶縁基板１０１の上方にスイッチング素子ＳＷなどを形成する（ＳＴ１１）。この工程では、スイッチング素子ＳＷの他に、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３なども形成する。このような工程をアレイ形成工程と称する。
【０１２９】
続いて、スイッチング素子ＳＷの上に第４絶縁膜１１４を形成するための絶縁膜材料を塗布し、この絶縁膜材料をパターニングしてスイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨを形成する（ＳＴ１２）。このような工程を絶縁膜パターニング工程と称する。
【０１３０】
続いて、パターニングした絶縁膜材料を焼成する（ＳＴ１３）。このとき、絶縁膜材料を焼成する温度は、絶縁膜材料が溶融状態となる温度（絶縁膜材料の融点付近の温度）とする。このような焼成により、絶縁膜材料の表面付近がその表面張力によって滑らかに変形し、しかも、パターニングによって形成されたコンタクトホールＣＨのテーパー角が４０度以下と小さくなる。その後、徐々に温度を低下させて冷却することにより、絶縁膜材料の表面形状が保持される。このようにして、コンタクトホールＣＨが形成された第４絶縁膜１１４が形成される。このような工程を焼成工程と称する。
【０１３１】
続いて、第４絶縁膜１１４の上及びコンタクトホールＣＨ内に反射導電層を形成する（ＳＴ１４）。ここでは、反射導電層は、アルミニウム（Ａｌ）によって形成した。このような工程を反射導電層形成工程と称する。
【０１３２】
続いて、反射導電層の上に透過導電層を積層する（ＳＴ１５）。ここでは、透過導電層は、ＩＴＯによって形成した。このような工程を透過導電層形成工程と称する。
【０１３３】
続いて、反射導電層及び透過導電層をパターニングする（ＳＴ１６）。このようなパターニング工程では、例えば、透過導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去するとともに除去した透過導電層の下の反射導電層もエッチングにより除去する。このように、反射導電層及び透過導電層を一括してエッチングする。反射導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有する画素電極ＰＥが形成される。このような工程を導電層パターニング工程と称する。
【０１３４】
続いて、画素電極ＰＥの上及び第４絶縁膜１１４の上に有機層ＯＲＧを形成する（ＳＴ１７）。このような工程を有機層形成工程と称する。
【０１３５】
続いて、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成する(ＳＴ１８)。このような工程を対向電極形成工程と称する。
【０１３６】
以上説明した工程を経て図１に示したような表示パネル１のアレイ基板１００が形成される。
【０１３７】
なお、図４に示したような３層積層構造の画素電極ＰＥを形成する場合には、例えば、上述したステップＳＴ１４に代えて、第４絶縁膜１１４の上に第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層を形成したのに続いて、透過導電層の上に反射層ＰＥＲを形成するために銀（Ａｇ）を用いて反射導電層を形成する。この場合、図９に示したステップＳＴ１６においては、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去した後に、除去した透過導電層の下の反射導電層をエッチングにより除去し、さらに、除去した反射導電層の下の透過導電層をエッチングにより除去する。このようにして、第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層、反射層ＰＥＲを形成するための反射導電層、及び、第２透過層ＰＥＴ２を形成するための透過導電層を一括してエッチングする。
【０１３８】
このように、画素電極の周縁に重なる隔壁を形成する工程を省略し、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを積層した構造の画素電極ＰＥを一括エッチングによって形成したため、製造工程数を削減することができ、生産性を向上することが可能となる。
【０１３９】
図１０は、図５及び図７に示した構成の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１４０】
アレイ基板形成工程（ＳＴ２１）は図９に示したアレイ基板形成工程と同一であり、以下同様に、絶縁膜パターニング工程（ＳＴ２２）は図９の絶縁膜パターニング工程と同一であり、焼成工程（ＳＴ２３）は図９の焼成工程と同一であり、及び、反射導電層形成工程（ＳＴ２４）は図９の反射導電層形成工程と同一であり、それぞれの工程の説明を省略する。
【０１４１】
続いて、反射導電層をパターニングする（ＳＴ２５）。このようなパターニング工程では、例えば、反射導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した反射導電層をエッチングにより除去する。反射導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲが形成される。このような工程を反射導電層パターニング工程と称する。
【０１４２】
続いて、反射導電層の上及び第４絶縁膜１１４の上に透過導電層を積層する（ＳＴ２６）。ここでは、透過導電層は、ＩＴＯによって形成した。このような工程を透過導電層形成工程と称する。
【０１４３】
続いて、透過導電層をパターニングする（ＳＴ２７）。このようなパターニング工程では、例えば、透過導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去する。透過導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有する画素電極ＰＥが形成される。このような工程を透過導電層パターニング工程と称する。
【０１４４】
続いて、画素電極ＰＥの上及び第４絶縁膜１１４の上に有機層ＯＲＧを形成する（ＳＴ２８）。このような工程を有機層形成工程と称する。
【０１４５】
続いて、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成する(ＳＴ２９)。このような工程を対向電極形成工程と称する。
【０１４６】
以上説明した工程を経て図５及び図７に示したようなアレイ基板１００が形成される。
【０１４７】
なお、図４に示したような３層積層構造の画素電極ＰＥを形成する場合には、例えば、上述したステップＳＴ２４に代えて、第４絶縁膜１１４の上に第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層を形成したのに続いて、透過導電層の上に反射層ＰＥＲを形成するために銀（Ａｇ）を用いて反射導電層を形成する。この場合、図１０に示したステップＳＴ２５においては、レジストから露出した反射導電層をエッチングにより除去した後に、除去した反射導電層の下の透過導電層をエッチングにより除去する。このようにして、第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層、及び、反射層ＰＥＲを形成するための反射導電層を形成するための透過導電層を一括してエッチングする。
【０１４８】
このように、画素電極の周縁に重なる隔壁を形成する工程を省略したため、製造工程数を削減することができ、生産性を向上することが可能となる。
【０１４９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【０１５０】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【０１５１】
また、本実施形態では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が反射層ＰＥＲを含むトップエミッションタイプである場合について説明したが、図１１に示したように、反射層を含まない画素電極ＰＥを備えたボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを適用しても良い。詳細については省略するが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透過層によって形成された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧと、有機層ＯＲＧの上に配置された対向電極ＣＥとによって構成されている。このようなボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについても、上記したトップエミッションタイプと同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【０１５２】
１…表示パネル
ＯＬＥＤ１…第１有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ２…第２有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ３…第３有機ＥＬ素子
１０１…絶縁基板
１１１…第１絶縁膜 １１２…第２絶縁膜 １１３…第３絶縁膜
１１４…第４絶縁膜 ＣＨ…コンタクトホール
ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極 ＰＥＣ…コンタクト部 ＰＥＲ…反射層 ＰＥＴ…透過層
ＯＲＧ…有機層 ＣＥ…対向電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）から正孔を注入するとともに、電子注入電極（陰極）から電子を注入し、発光層で正孔と電子とを再結合させて発光を得るものである。フルカラー表示を得るためには、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）にそれぞれ発光する画素を構成する必要がある。赤、緑、青の各画素を構成する有機ＥＬ素子の発光層には、赤色、緑色、青色といったそれぞれ異なる発光スペクトルで発光する発光材料を塗り分ける必要がある。このような発光材料を塗り分ける方法として、真空蒸着法がある。このような真空蒸着法によって低分子系の有機ＥＬ材料を成膜する場合、各色の画素毎に開口した金属性のファインマスクを用いてそれぞれ独立にマスク蒸着する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１５７９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、生産性を向上することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、
絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、前記第１コンタクト部を含む前記第１画素電極の上、前記第２コンタクト部を含む前記第２画素電極の上、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、生産性を向上することが可能な有機ＥＬ装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施態様における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含む表示パネルの構造を概略的に示す断面図である。
【図２】図２の（ａ）乃至（ｅ）は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図３】図３は、図２に示した第２有機ＥＬ素子をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図５】図５は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図６】図６の（ａ）乃至（ｅ）は、図５に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図７】図７は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【図８】図８の（ａ）乃至（ｅ）は、図７に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子における画素電極とコンタクトホールの位置関係を概略的に示す上面図である。
【図９】図９は、図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図５及び図７に示したアレイ基板の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１１は、本実施形態の他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子及び第１乃至第３有機ＥＬ素子を含むアレイ基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
本実施形態では、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置について説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含む表示パネル１の断面図である。なお、ここに示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、対向基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプであるが、本実施形態においては、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、アレイ基板１００の側から光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。
【００１５】
アレイ基板１００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板１０１を備えている。スイッチング素子ＳＷ、及び、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、絶縁基板１０１の上方において、画像を表示するアクティブエリア１０２にそれぞれ配置されている。
【００１６】
絶縁基板１０１の上には、第１絶縁膜１１１が配置されている。このような第１絶縁膜１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第１絶縁膜１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００１７】
第１絶縁膜１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１８】
半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１１２によって被覆されている。また、この第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第２絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００１９】
第２絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。ゲート電極Ｇは、第３絶縁膜１１３によって被覆されている。また、この第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。このような第３絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。この第３絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの無機化合物によって形成されている。
【００２０】
第３絶縁膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。
【００２１】
これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第４絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この第４絶縁膜１１４は、第３絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第４絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。このような第４絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷの上方に配置され、しかも、画素電極ＰＥの下地となる絶縁膜として機能する。つまり、第４絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷと第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間に配置されている。
【００２２】
この第４絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。具体的には、第４絶縁膜１１４は、例えば、アクリル基含有樹脂、ポリイミド基含有樹脂、シリコーン基含有樹脂、フッ素基含有樹脂、ウレタン基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂の少なくとも１つによって形成されている。また、第４絶縁膜１１４は、アクリル基含有樹脂、ポリイミド基含有樹脂、シリコーン基含有樹脂、フッ素基含有樹脂、ウレタン基含有樹脂、エポキシ基含有樹脂の少なくとも１つの母材に、カーボンブラック、アセチレンブラック、ランプブラック、ボーンブラック、黒鉛、鉄黒、アニリンブラック、シアニンブラック、チタンブラック、アニリンブラックや酸化鉄系黒色顔料の少なくとも１つの黒色色材を混合した材料によって形成されても良い。
【００２３】
また、この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達する凹所を形成するコンタクトホールＣＨが形成されている。つまり、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄの一部は、コンタクトホールＣＨの底部に位置している。
【００２４】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する各々の画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。これらの画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。各画素電極ＰＥは互いに離間しており、隣接する画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４は、画素電極ＰＥに覆われていない。
【００２５】
このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はないが、ここに示した例では、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。透過層ＰＥＴは、第４絶縁膜１１４の直上及びコンタクトホールＣＨの直上に位置する反射層ＰＥＲの上に積層されている。
【００２６】
ここに示した例では、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、略同一サイズの略同一パターンで形成されており、反射層ＰＥＲの上面全体に透過層ＰＥＴが積層されている。透過層ＰＥＴは、第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔに接することはなく、また、反射層ＰＥＲの側面にも接していない。詳細については、後に述べるが、透過層ＰＥＴの側面の位置は、反射層ＰＥＲの側面の直上の位置と一致する位置であり、透過層ＰＥＴの側面と反射層ＰＥＲの側面とは、連続した平面あるいは連続した曲面を形成している。
【００２７】
反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する酸化物導電材料などの導電材料によって形成されている。
【００２８】
なお、画素電極ＰＥは、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、３層以上の積層構造であっても良い。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が対向基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層ＰＥＲを含んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射するボトムエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲを含んでいない。
【００２９】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００３０】
より具体的には、有機層ＯＲＧは、第４絶縁膜１１４の直上及びコンタクトホールＣＨの直上にそれぞれ位置する各画素電極ＰＥの上面（ここでは特に透過層ＰＥＴの上面）ＰＴの全体、及び、各画素電極ＰＥの側面（ここでは反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）ＰＳの全体に接している。また、有機層ＯＲＧは、隣接する画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔにも接している。
【００３１】
この有機層ＯＲＧは、少なくとも図示を省略した発光層を含んでいる。なお、有機層ＯＲＧは、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。また、有機層ＯＲＧを構成する発光層は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。なお、ここでは、『有機層』と称したが、有機層ＯＲＧが含む発光層、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層の一部が無機系材料によって形成されていても良い。
【００３２】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００３３】
このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が絶縁基板１０１の側から光を放射する下面発光型の場合には、対向電極ＣＥは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。
【００３４】
対向基板２００は、アレイ基板１００に形成された第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上方に配置されている。この対向基板２００は、ガラス基板やプラスチック基板などの光透過性を有する絶縁基板である。
【００３５】
図示した例では、アレイ基板１００と対向基板２００とが離間し、両者の間に空間が形成されているが、アレイ基板１００と対向基板２００との間には、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を被覆する保護膜や樹脂層が配置されても良い。保護膜は、光透過性を有し且つ水分が浸透しにくい絶縁材料、例えば、シリコン窒化物やシリコン酸窒化物などの無機化合物によって形成され、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を覆い、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３への水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。樹脂層は、光透過性を有する熱硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型樹脂などの有機化合物によって形成され、アレイ基板１００と対向基板２００との間に充填される充填層あるいはアレイ基板１００と対向基板２００とを接着する接着層として機能する。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３と樹脂層との間には、上述した保護膜が介在することが望ましい。
【００３６】
本実施形態においては、発光層を含む有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。ここに示した例では、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の発光色は赤色であり、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の発光色は緑色であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の発光色は青色である。
【００３７】
ここでは、主波長が５９５ｎｍ乃至８００ｎｍの範囲を第１波長範囲と定義し、この第１波長範囲内にある色を赤色とする。また、主波長が４９０ｎｍより長く且つ５９５ｎｍよりも短い範囲を第２波長範囲と定義し、この第２波長範囲内にある色を緑色とする。さらに、主波長が４００ｎｍ乃至４９０ｎｍの範囲を第３波長範囲と定義し、この第３波長範囲内にある色を青色とする。
【００３８】
このような構成は、例えば、以下のような構成で実現可能である。すなわち、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の有機層ＯＲＧは、例えば、発光色が赤色の第１ドーパント材料、発光色が緑色の第２ドーパント材料、及び、発光色が青色の第３ドーパント材料を含でいる。第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１については、第１ドーパント材料が発光し、赤色を呈する。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２については、第１ドーパント材料が消光しており、第２ドーパント材料が発光し、緑色を呈する。第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３については、第１ドーパント材料及び第２ドーパント材料が消光しており、第３ドーパント材料が発光し、青色を呈する。
【００３９】
なお、有機層ＯＲＧの形態は、特に制限はなく、第１ドーパント材料を含む第１発光層、第２ドーパント材料を含む第２発光層、及び、第３ドーパント材料を含む第３発光層を積層した３層構造であっても良いし、第１発光層及び第２発光層を積層した２層構造であっても良いし、第１発光層のみからなる単層構造であっても良い。２層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料のみならず、第２ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良いし、第２発光層は、第２ドーパント材料のみならず、第１ドーパント材料や第３ドーパント材料を含んでいても良い。単層構造の場合、第１発光層は、第１ドーパント材料、第２ドーパント材料、及び、第３ドーパント材料を含んでいても良い。
【００４０】
また、第１乃至第３ドーパント材料としては、光照射によって発光性能が変化する材料として、消光する材料を適用した場合について説明したが、消光に限らず、紫外線などの光照射によって発光色が変化するなどの発光性能が変化する材料が適用可能である。
【００４１】
例えば、光照射によって分子の立体構造が変化して発光色が変化するあるいは消光する材料が適用可能である。例えば、一方のドーパント材料が他方のドーパント材料の異性体である場合がこの例に相当する。異性体の一種として、シス体及びトランス体の例について簡単説明する。シス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が同じ側にある分子の立体構造を示し、トランス体とは、主骨格に対して２つの側鎖（あるいは原子団）が互いに反対側にある分子の立体構造を示している。このようなドーパント材料は、紫外光などの光照射により、シス体からトランス体に変化する、あるいは、トランス体からシス体に変化する材料から選択され、このような材料として、例えば、フォトクロミック材料が挙げられる。
【００４２】
また、他の異性体の例としては、光変換型タンパク質あるいは蛍光タンパク質などと称される材料も挙げられる。例えば、蛍光タンパク質の中には、紫外光の照射により、消光状態から活性化されて発光するようになる材料や、ある発光波長から別の発光波長に変換される材料などがあり、これらも本実施形態のドーパント材料として適用可能である。
【００４３】
また、光照射によって発光層に含まれるドーパント材料と添加剤あるいはホスト材料とが化学結合して発光色が変化するあるいは消光する材料も適用可能である。
【００４４】
本実施形態における表示パネル１は、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略した構成を採用している。
【００４５】
次に、図１に示した本実施形態における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【００４６】
図２は、図１に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【００４７】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。図示した例では、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、上述した通り、略同一サイズの略同一パターンであって、互いにＸＹ平面内でずれることなく重なっている。
【００４８】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤよりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【００４９】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【００５０】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。
【００５１】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００５２】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。
【００５３】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００５４】
次に、本実施形態におけるコンタクトホールＣＨのテーパー角θについて説明する。
【００５５】
図３は、図２に示した第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した構造を示す断面図である。なお、この図においては、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００５６】
スイッチング素子のドレイン電極Ｄと画素電極ＰＥとの間の第４絶縁膜１１４は、略平坦な上面１１４Ｔを有している。この上面１１４Ｔには、各画素電極ＰＥが配置される第１上面１１４Ｔ１と、画素電極ＰＥの周辺に位置する第４絶縁膜１１４の上面、つまり、隣接する画素電極ＰＥの間に位置する第４絶縁膜１１４の第２上面１１４Ｔ２とが含まれる。この第４絶縁膜１１４には、ドレイン電極Ｄまで貫通したコンタクトホールＣＨが形成されている。第４絶縁膜１１４の側面１１４Ｓは、緩やかに傾斜した平面となる場合もあり得るし、曲面となる場合もあり得る。
【００５７】
第４絶縁膜１１４の第１上面１１４Ｔ１に配置された反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ内に延在し、第４絶縁膜１１４の側面１１４Ｓを覆うとともに、コンタクトホールＣＨの底部に位置するドレイン電極Ｄにコンタクトしている。反射層ＰＥＲのうち、ドレイン電極Ｄにコンタクトしている部分が画素電極ＰＥのコンタクト部ＰＥＣに相当する。反射層ＰＥＲは、上面ＰＲＴ及び側面ＰＲＳを有している。
【００５８】
透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層されている。この透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳを覆うことはなく、第４絶縁膜１１４にも接していない。この透過層ＰＥＴは、上面ＰＴＴ及び側面ＰＴＳを有している。反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳ及び透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳは、ほとんど段差のない連続面であり、平面である場合もあり得るし、曲面である場合もあり得る。
【００５９】
このような２層積層構造の画素電極ＰＥは、詳細には後述するが、例えば、第４絶縁膜１１４の上に反射導電層を形成し、反射導電層の上に透過導電層を積層し、これらの反射導電層及び透過導電層を一括してエッチングすることにより形成可能である。このとき、反射導電層及び透過導電層の一部を除去するためのエッチングとしてドライエッチングを適用した場合には、反射導電層及び透過導電層を除去した際に、反射導電層の下地である第４絶縁膜１１４の表面も除去される場合がある。なお、エッチングとしてウエットエッチングを適用した場合には、第４絶縁膜１１４の表面はほとんど除去されない。
【００６０】
このため、第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔにおいて、画素電極ＰＥが配置される第１上面１１４Ｔ１は、いずれも略同一の位置であって同一平面を形成する一方で、画素電極ＰＥの間に位置する第２上面１１４Ｔ２は、第１上面１１４Ｔ１よりも窪んでいる場合がある。
【００６１】
有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上面ＰＴである透過層ＰＥＴの上面ＰＴＴに配置され、画素電極ＰＥの側面ＰＳである反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳ及び透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳを覆うとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔの一部である第２上面１１４Ｔ２を覆っている。
【００６２】
このような有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ１は、画素電極ＰＥの膜厚Ｔ２より厚いことが望ましい。有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ１とは、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとの間に介在する有機層ＯＲＧの総厚である。画素電極ＰＥの膜厚Ｔ２とは、反射層ＰＥＲの膜厚と透過層ＰＥＴの膜厚との総和である。これにより、画素電極ＰＥの上面ＰＴと第４絶縁膜１１４の上面１１４Ｔとの段差によって有機層ＯＲＧの一部が途切れる不良を抑制することができ、画素電極ＰＥと対向電極ＣＥとのショートを抑制することが可能となる。一例として、反射層ＰＥＲの膜厚が１００ｎｍであり、透過層ＰＥＴの膜厚が２５ｎｍである場合、画素電極ＰＥの膜厚Ｔ１は１２５ｎｍである一方、有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ２が２００ｎｍである。
【００６３】
対向電極ＣＥは、画素電極ＰＥの直上及び画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４の直上に位置する有機層ＯＲＧの上に配置されている。
【００６４】
本実施形態において、コンタクトホールＣＨのテーパー角θは、以下のように定義する。すなわち、コンタクトホールＣＨは、第４絶縁膜１１４の一部を除去することによって形成されるが、ドレイン電極Ｄの表面ＤＳに到達する側面１１４Ｓの形状が安定しにくいことから、図示した断面において、側面１１４Ｓとドレイン電極Ｄとの交点から水平方向に０．５μｍ離れた側面１１４Ｓの位置Ｐにおける接線Ｔと、ドレイン電極Ｄの表面ＤＳとのなす角度をテーパー角θと定義する。
【００６５】
本実施形態においては、テーパー角θは、４０度以下であることが望ましい。テーパー角θが４０度を越える急峻な側面１１４Ｓによって形成されたコンタクトホールＣＨでは、有機層ＯＲＧを形成した際に、膜の一部が途切れるおそれがある。その後、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成した際には、有機層ＯＲＧが途切れた部分で対向電極ＣＥと画素電極ＰＥとがショートして、有機ＥＬ素子が正常に発光しない不具合を招くおそれがある。このため、テーパー角θを４０度以下にすることにより、側面１１４Ｓの傾斜が緩やかになり、有機層ＯＲＧが途切れることを抑制することができる。これにより、対向電極ＣＥと画素電極ＰＥとのショートが抑制され、有機ＥＬ素子を正常に発光させることが可能となる。
【００６６】
このようなテーパー角θのコンタクトホールＣＨが形成された第４絶縁膜１１４は、詳細には後述するが、例えば、第４絶縁膜１１４を形成するための絶縁膜材料を塗布した後に、コンタクトホールＣＨを形成する箇所の絶縁膜材料を除去するパターニングを行い、焼成し、冷却することによって形成可能である。特に、絶縁膜材料を焼成する際の温度は、絶縁膜材料が溶融状態となる温度とする。
【００６７】
これにより、絶縁膜材料は水滴のようにその表面張力によって収縮し、徐々に温度を低下させて冷却した後には、収縮した状態が保持され、緩やかなテーパー角θのコンタクトホールＣＨが形成される。
【００６８】
このような本実施形態によれば、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を区画するための隔壁を省略したため、樹脂材料によって格子状に隔壁を形成した構成と比較して、隔壁を形成する工程が不要となり、生産性を向上することが可能となる。
【００６９】
また、本実施形態によれば、画素電極ＰＥの周縁やコンタクトホールＣＨの直上を含む画素電極ＰＥの全体に有機層ＯＲＧが重なり、さらにこの有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥが配置されているため、画素電極ＰＥの略全体が発光に寄与する領域となる。このため、画素電極ＰＥの周縁の一部に重なるように配置された隔壁を形成した構成と比較して、発光に寄与する領域の面積（あるいは開口率）を向上することができる。
【００７０】
図２に示した例では、画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さとＹ方向に沿った長さとの積が発光に寄与する領域の面積となる。このような発光に寄与する領域の画素電極ＰＥについて、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１の直上に位置する面積の割合が、コンタクトホールＣＨの直上に位置する面積の割合よりも十分に大きくすることにより、正面方向つまり表示パネル１の法線方向から観察したときの色度のズレを緩和することができる。発明者の実験によれば、発光に寄与する領域の面積に対して、コンタクトホールＣＨの直上に位置する面積の割合が１５％程度である場合（つまり、第１上面１１４Ｔ１の直上に位置する面積の割合が約８５％である場合）には、色度のずれはほとんどないことが確認された。
【００７１】
また、本実施形態によれば、有機層ＯＲＧが第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在した連続膜でありながら、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の発光色は、互いに異なるように構成されている。このような構成によれば、発光層を塗り分けるための金属性のファインマスクが不要であり、このようなファインマスクを支持するための受けとしての隔壁、あるいは、発光層を塗り分ける際の混色を防止するための隔壁が不要となる。また、ファインマスクが接触することに起因したアレイ基板１００の表面の損傷の発生を抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態において、図２に示した構成によれば、画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは、一括してエッチングすることによって形成されている。このため、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを別々にエッチングすることによって形成した場合と比較して、アレイ基板１００を形成する工程数を削減することができ、さらに生産性を向上することが可能となる。
【００７３】
なお、図２に示した例においては、スイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとの間に第４絶縁膜１１４のみを配置したが、第４絶縁膜１１４とスイッチング素子ＳＷとの間にパッシベーション膜として機能する無機化合物によって形成された絶縁膜を追加しても良い。
【００７４】
本実施形態では、画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層した反射層ＰＥＲと、反射層ＰＥＲの上に積層した透過層ＰＥＴとの２層積層構造である場合について説明した。この場合、反射層ＰＥＲは、アルミニウムや銀などによって形成可能であるが、樹脂製の第４絶縁膜１１４に対する付着性が銀よりも高く、しかも、銀よりもその上面ＰＲＴの平滑化が可能なアルミニウムによって形成することが望ましい。
【００７５】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【００７６】
図４は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図４に示した構成例は、図１に示した例と比較して、画素電極ＰＥが３層積層構造である点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【００７７】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００７８】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された第１透過層ＰＥＴ１、第１透過層ＰＥＴ１の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上に積層された第２透過層ＰＥＴ２を有している。これらの第１透過層ＰＥＴ１及び第２透過層ＰＥＴ２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電材料によって形成されている。例えば、ＩＴＯは、樹脂製の第４絶縁膜１１４に対する付着性が銀（Ａｇ）よりも高く、比較的平滑な第１透過層ＰＥＴ１を形成可能である。
【００７９】
このような３層積層構造の画素電極ＰＥにおいては、反射層ＰＥＲは、第１透過層ＰＥＴ１の上に配置され、第４絶縁膜１１４への付着性を考慮する必要がないため、銀（Ａｇ）によって形成可能である。第１透過層ＰＥＴ１の上に形成した銀製の反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の上に形成した銀製の反射層ＰＥＲと比較して、その表面が平滑である。勿論、このような３層構造の画素電極ＰＥであっても、反射層ＰＥＲの材料としてアルミニウム（Ａｌ）を適用しても良い。
【００８０】
第１透過層ＰＥＴ１は、コンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨの直上を含む第１透過層ＰＥＴ１の上面の略全体に積層されている。第２透過層ＰＥＴ２は、コンタクトホールＣＨの直上を含む反射層ＰＥＲの上面の略全体に積層されている。
【００８１】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面ＰＴ及び側面ＰＳを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００８２】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００８３】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【００８４】
なお、このような構成例においても、有機層ＯＲＧの膜厚は、画素電極ＰＥの膜厚より厚いことが望ましい。一例として、３層積層構造の画素電極ＰＥの膜厚Ｔ１は１７５ｎｍである一方、有機層ＯＲＧの膜厚Ｔ２が２００ｎｍである。
【００８５】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【００８６】
図５は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図５に示した構成例は、図１に示した例と比較して、コンタクトホールＣＨの直上及びその周辺において画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲが欠落している点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【００８７】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【００８８】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層された透過層ＰＥＴを有している。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１に配置され、コンタクトホールＣＨには延在していない。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上からコンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。
【００８９】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面（ここでは透過層ＰＥＴの上面）ＰＴ及び側面（ここでは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）を被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【００９０】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【００９１】
次に、図５に示した構成例における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【００９２】
図６は、図５に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【００９３】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。ここに示した例の画素電極ＰＥは、図２などに示したような一括エッチングによって形成された画素電極ＰＥとは異なる。すなわち、図６に示した画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴのサイズ及びパターンは、互いに異なっている。エッジＥＤは、反射層ＰＥＲの側面によって形成されるエッジＥＤＲと、透過層ＰＥＴの側面によって形成されるエッジＥＤＴとを含んでいる。
【００９４】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤ（ここでは透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴ）よりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【００９５】
反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ及びその周辺で欠落している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ及びコンタクトホールＣＨを覆っている。これらの反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは別々のパターニング工程を経て形成される。図示した例では、コンタクトホールＣＨ及びその周辺部分を除いては、反射層ＰＥＲのエッジＥＤＲと透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴとが重なっている。
【００９６】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｕ字型となっている。図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっている。図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略四角形となっている。これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【００９７】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【００９８】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【００９９】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１００】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１０１】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【０１０２】
また、図１に示した例と比較して、画素電極ＰＥの反射層ＰＥＲがコンタクトホールＣＨ付近で欠落しているため、発光に寄与する面積が僅かに低減するが、コンタクトホールＣＨの傾斜した側面１１４Ｓでの反射光の影響を受けないため、色度を向上することができる。
【０１０３】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
【０１０４】
図７は、他の構成例における有機ＥＬ表示装置のスイッチング素子ＳＷ及び第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３を含むアレイ基板１００の断面図である。図７に示した構成例は、図１に示した例と比較して、コンタクトホールＣＨの直上及びその周辺において画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲが欠落し、しかも、反射層ＰＥＲの上面に積層された透過層ＰＥＴの側面の一部が反射層ＰＥＲの側面の位置よりも内側に位置している点で相違している。なお、図１に示した例と同一の構成については同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的に同一構造であるため、ここでは、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２を参照しながら具体的な構造について説明する。
【０１０５】
アレイ基板１００の絶縁基板１０１と第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３との間には、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、第４絶縁膜１１４、スイッチング素子ＳＷなどが配置されている。この第４絶縁膜１１４には、スイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨが形成されている。
【０１０６】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に配置されている。この画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１１４の上に積層された反射層ＰＥＲ、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴに積層された透過層ＰＥＴを有している。反射層ＰＥＲは、第４絶縁膜１１４の略平坦な第１上面１１４Ｔ１に配置され、コンタクトホールＣＨには延在していない。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲの上面ＰＲＴからコンタクトホールＣＨ内に延在し、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。透過層ＰＥＴの側面ＰＴＳの一部は、反射層ＰＥＲの側面ＰＲＳの直上の位置よりも内側に位置している。
【０１０７】
有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在している。つまり、有機層ＯＲＧは、各画素電極ＰＥの上面（ここでは透過層ＰＥＴの上面及び反射層ＰＥＲの一部の上面）ＰＴ及び側面（ここでは、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴの側面）ＰＳを被覆するとともに、画素電極ＰＥの間の第４絶縁膜１１４も被覆している。
【０１０８】
対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３に亘って延在し、有機層ＯＲＧを被覆している。
【０１０９】
次に、図７に示した構成例における第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各画素電極ＰＥとコンタクトホールＣＨとの位置関係について説明する。
【０１１０】
図８は、図７に示した第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の上面図である。なお、この図においては、有機層ＯＲＧ及び対向電極ＣＥについては第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の共通層であるため図示を省略し、画素電極ＰＥ及びコンタクトホールＣＨのみを図示している。
【０１１１】
第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３は、基本的には同一構造であり、Ｘ方向に並んでいる。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは、互いに離間して配置されている。また、各画素電極ＰＥは、Ｙ方向に延びた略長方形状に形成され、略矩形状のエッジＥＤを有している。ここに示した例の画素電極ＰＥは、図２などに示したような一括エッチングによって形成された画素電極ＰＥとは異なる。すなわち、図８に示した画素電極ＰＥを構成する反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴのサイズ及びパターンは、互いに異なっている。エッジＥＤは、反射層ＰＥＲの側面によって形成されるエッジＥＤＲと、透過層ＰＥＴの側面によって形成されるエッジＥＤＴとを含んでいる。
【０１１２】
コンタクトホールＣＨは、図示しないスイッチング素子ＳＷまで貫通している。このコンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのエッジＥＤ（ここでは透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴ）よりも内側に位置しており、画素電極ＰＥによって覆われている。なお、図示した例では、コンタクトホールＣＨは、四角形状であるが、コンタクトホールＣＨの形状はこの例に限らない。
【０１１３】
反射層ＰＥＲは、コンタクトホールＣＨ及びその周辺で欠落している。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲ及びコンタクトホールＣＨを覆っている。これらの反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴは別々のパターニング工程を経て形成される。図示した例では、コンタクトホールＣＨ及びその周辺部分を除いて、透過層ＰＥＴのエッジＥＤＴは、反射層ＰＥＲのエッジＥＤＲよりも内側に位置している。
【０１１４】
図中の（ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向の略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｕ字型となっている。このようなエッジＥＤＲのうちの略Ｕ字型の部分は、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１５】
図中の（ｂ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向端部付近であってＸ方向端部付近、つまり、画素電極ＰＥの角部付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型となっている。このようなエッジＥＤＲのうちの略Ｌ字型の部分は、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１６】
図中の（ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥのＹ方向の略中央付近であってＸ方向の略中央付近、つまり、画素電極ＰＥの略中央付近に位置している。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略四角形となっている。このような略四角のエッジＥＤＲは、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１７】
これらの（ａ）、（ｂ）、及び、（ｃ）に示した例では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥは同一サイズであり、Ｘ方向及びＹ方向に沿ったそれぞれの長さは同一である。
【０１１８】
図中の（ｄ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥが同一サイズであり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一であり、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１１９】
なお、（ｄ）に示した例のように、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１及び第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の各画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１２０】
図中の（ｅ）に示した例では、コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥの角部付近に位置しているが、（ｂ）に示した例と比較して、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい点で相違している。第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３の各々の画素電極ＰＥのＹ方向に沿った長さは同一である。第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより長く、また、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥのＸ方向に沿った長さは第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより長い。この場合、反射層ＰＥＲのコンタクトホールＣＨ付近のエッジＥＤＲは、略Ｌ字型あるいは直線状となっており、透過層ＰＥＴによって覆われている。
【０１２１】
なお、（ｅ）に示した例のように、第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥが第１有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１の画素電極ＰＥより大きく、第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３の画素電極ＰＥが第２有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２の画素電極ＰＥより大きい場合であっても、（ａ）及び（ｃ）に示した例と同様の位置にコンタクトホールＣＨを形成しても良い。
【０１２２】
このような構成例においても、上述した例と同様の効果が得られる。
【０１２３】
また、図５に示した例と比較して、画素電極ＰＥの透過層ＰＥＴが、コンタクトホールＣＨ付近を除いて、反射層ＰＥＲよりも外側にはみ出すことがないため、所望の色度とは異なる発光色を低減することができ、さらに色度を向上することができる。
【０１２４】
以上説明した本実施形態の有機ＥＬ装置において、各構成例の代表的なレイアウトにおける開口率を比較した。ここでは、アクティブエリアにおける精細度、画素間ピッチ、コンタクトホールＣＨのサイズなどの条件は同一とし、画素電極ＰＥの周縁の一部に重なるように配置された隔壁を形成した構成の開口率を１００％とした。
【０１２５】
本実施形態の各構成例の代表的なコンタクトホールと画素電極とのレイアウトにおいて、開口率は以下の通りである。すなわち、図２の（ａ）に示した例では、開口率は１７８％となった。図６の（ａ）に示した例では、開口率は１７３％となった。図８の（ａ）に示した例では、開口率は１３５％となった。このように、本実施形態によれば、隔壁を有する構成と比較して、隔壁を省略したことによって隔壁によって覆われていた画素電極の上に有機層及び対向電極が配置され、発光に寄与するため、開口率を向上できることが確認された。
【０１２６】
次に、本実施形態における有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【０１２７】
図９は、図１に示した構成の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１２８】
まず、絶縁基板１０１の上方にスイッチング素子ＳＷなどを形成する（ＳＴ１１）。この工程では、スイッチング素子ＳＷの他に、第１絶縁膜１１１、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３なども形成する。このような工程をアレイ形成工程と称する。
【０１２９】
続いて、スイッチング素子ＳＷの上に第４絶縁膜１１４を形成するための絶縁膜材料を塗布し、この絶縁膜材料をパターニングしてスイッチング素子ＳＷに到達するコンタクトホールＣＨを形成する（ＳＴ１２）。このような工程を絶縁膜パターニング工程と称する。
【０１３０】
続いて、パターニングした絶縁膜材料を焼成する（ＳＴ１３）。このとき、絶縁膜材料を焼成する温度は、絶縁膜材料が溶融状態となる温度（絶縁膜材料の融点付近の温度）とする。このような焼成により、絶縁膜材料の表面付近がその表面張力によって滑らかに変形し、しかも、パターニングによって形成されたコンタクトホールＣＨのテーパー角が４０度以下と小さくなる。その後、徐々に温度を低下させて冷却することにより、絶縁膜材料の表面形状が保持される。このようにして、コンタクトホールＣＨが形成された第４絶縁膜１１４が形成される。このような工程を焼成工程と称する。
【０１３１】
続いて、第４絶縁膜１１４の上及びコンタクトホールＣＨ内に反射導電層を形成する（ＳＴ１４）。ここでは、反射導電層は、アルミニウム（Ａｌ）によって形成した。このような工程を反射導電層形成工程と称する。
【０１３２】
続いて、反射導電層の上に透過導電層を積層する（ＳＴ１５）。ここでは、透過導電層は、ＩＴＯによって形成した。このような工程を透過導電層形成工程と称する。
【０１３３】
続いて、反射導電層及び透過導電層をパターニングする（ＳＴ１６）。このようなパターニング工程では、例えば、透過導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去するとともに除去した透過導電層の下の反射導電層もエッチングにより除去する。このように、反射導電層及び透過導電層を一括してエッチングする。反射導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有する画素電極ＰＥが形成される。このような工程を導電層パターニング工程と称する。
【０１３４】
続いて、画素電極ＰＥの上及び第４絶縁膜１１４の上に有機層ＯＲＧを形成する（ＳＴ１７）。このような工程を有機層形成工程と称する。
【０１３５】
続いて、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成する(ＳＴ１８)。このような工程を対向電極形成工程と称する。
【０１３６】
以上説明した工程を経て図１に示したような表示パネル１のアレイ基板１００が形成される。
【０１３７】
なお、図４に示したような３層積層構造の画素電極ＰＥを形成する場合には、例えば、上述したステップＳＴ１４に代えて、第４絶縁膜１１４の上に第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層を形成したのに続いて、透過導電層の上に反射層ＰＥＲを形成するために銀（Ａｇ）を用いて反射導電層を形成する。この場合、図９に示したステップＳＴ１６においては、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去した後に、除去した透過導電層の下の反射導電層をエッチングにより除去し、さらに、除去した反射導電層の下の透過導電層をエッチングにより除去する。このようにして、第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層、反射層ＰＥＲを形成するための反射導電層、及び、第２透過層ＰＥＴ２を形成するための透過導電層を一括してエッチングする。
【０１３８】
このように、画素電極の周縁に重なる隔壁を形成する工程を省略し、反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを積層した構造の画素電極ＰＥを一括エッチングによって形成したため、製造工程数を削減することができ、生産性を向上することが可能となる。
【０１３９】
図１０は、図５及び図７に示した構成の有機ＥＬ装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【０１４０】
アレイ基板形成工程（ＳＴ２１）は図９に示したアレイ基板形成工程と同一であり、以下同様に、絶縁膜パターニング工程（ＳＴ２２）は図９の絶縁膜パターニング工程と同一であり、焼成工程（ＳＴ２３）は図９の焼成工程と同一であり、及び、反射導電層形成工程（ＳＴ２４）は図９の反射導電層形成工程と同一であり、それぞれの工程の説明を省略する。
【０１４１】
続いて、反射導電層をパターニングする（ＳＴ２５）。このようなパターニング工程では、例えば、反射導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した反射導電層をエッチングにより除去する。反射導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲが形成される。このような工程を反射導電層パターニング工程と称する。
【０１４２】
続いて、反射導電層の上及び第４絶縁膜１１４の上に透過導電層を積層する（ＳＴ２６）。ここでは、透過導電層は、ＩＴＯによって形成した。このような工程を透過導電層形成工程と称する。
【０１４３】
続いて、透過導電層をパターニングする（ＳＴ２７）。このようなパターニング工程では、例えば、透過導電層の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィプロセスを経て画素電極ＰＥを形成する領域のレジストを除去する。その後、レジストから露出した透過導電層をエッチングにより除去する。透過導電層が除去された領域では、第４絶縁膜１１４が露出する。その後、残ったレジストを剥離し、所望の形状の反射層ＰＥＲ及び透過層ＰＥＴを有する画素電極ＰＥが形成される。このような工程を透過導電層パターニング工程と称する。
【０１４４】
続いて、画素電極ＰＥの上及び第４絶縁膜１１４の上に有機層ＯＲＧを形成する（ＳＴ２８）。このような工程を有機層形成工程と称する。
【０１４５】
続いて、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成する(ＳＴ２９)。このような工程を対向電極形成工程と称する。
【０１４６】
以上説明した工程を経て図５及び図７に示したようなアレイ基板１００が形成される。
【０１４７】
なお、図４に示したような３層積層構造の画素電極ＰＥを形成する場合には、例えば、上述したステップＳＴ２４に代えて、第４絶縁膜１１４の上に第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層を形成したのに続いて、透過導電層の上に反射層ＰＥＲを形成するために銀（Ａｇ）を用いて反射導電層を形成する。この場合、図１０に示したステップＳＴ２５においては、レジストから露出した反射導電層をエッチングにより除去した後に、除去した反射導電層の下の透過導電層をエッチングにより除去する。このようにして、第１透過層ＰＥＴ１を形成するための透過導電層、及び、反射層ＰＥＲを形成するための反射導電層を形成するための透過導電層を一括してエッチングする。
【０１４８】
このように、画素電極の周縁に重なる隔壁を形成する工程を省略したため、製造工程数を削減することができ、生産性を向上することが可能となる。
【０１４９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【０１５０】
本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。
【０１５１】
また、本実施形態では、第１乃至第３有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１乃至３が反射層ＰＥＲを含むトップエミッションタイプである場合について説明したが、図１１に示したように、反射層を含まない画素電極ＰＥを備えたボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを適用しても良い。詳細については省略するが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透過層によって形成された画素電極ＰＥと、画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧと、有機層ＯＲＧの上に配置された対向電極ＣＥとによって構成されている。このようなボトムエミッションタイプの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについても、上記したトップエミッションタイプと同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【０１５２】
１…表示パネル
ＯＬＥＤ１…第１有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ２…第２有機ＥＬ素子
ＯＬＥＤ３…第３有機ＥＬ素子
１０１…絶縁基板
１１１…第１絶縁膜 １１２…第２絶縁膜 １１３…第３絶縁膜
１１４…第４絶縁膜 ＣＨ…コンタクトホール
ＳＷ…スイッチング素子
ＰＥ…画素電極 ＰＥＣ…コンタクト部 ＰＥＲ…反射層 ＰＥＴ…透過層
ＯＲＧ…有機層 ＣＥ…対向電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、
前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、
前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、
前記第１コンタクト部を含む前記第１画素電極の上、前記第２コンタクト部を含む前記第２画素電極の上、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記画素電極は、ａ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置と一致する位置に第２側面を有する透過層を有する、あるいは、ｂ）上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、ｃ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第２側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれは、ａ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置と一致する位置に第２側面を有する透過層を有する、あるいは、ｂ）上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、ｃ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第２側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、前記画素電極が配置される第１上面、及び、前記画素電極の周辺に位置し前記第１上面よりも窪んだ第２上面を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極が配置される第１上面、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置し前記第１上面よりも窪んだ第２上面を有することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記絶縁膜に形成された前記コンタクトホールのテーパー角は、４０度以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記有機層の膜厚は、前記画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記有機層の膜厚は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜材料を焼成する温度は、前記絶縁膜材料が溶融状態となる温度であることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上方に配置され、前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記コンタクトホール内に延在し前記スイッチング素子に電気的に接続されたコンタクト部を有する画素電極と、
前記コンタクト部を含む前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、略矩形状のエッジを有する画素電極と、
前記絶縁膜に形成されるとともに前記画素電極の前記エッジよりも内側に位置し、前記画素電極によって覆われたコンタクトホールと、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方にそれぞれ配置された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子の上方に配置され、前記第１スイッチング素子に到達する第１コンタクトホール及び前記第２スイッチング素子に到達する第２コンタクトホールが形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記第１コンタクトホール内に延在し前記第１スイッチング素子に電気的に接続された第１コンタクト部を有する第１画素電極と、
前記絶縁膜の上において前記第１画素電極から離間して配置され、前記第２コンタクトホール内に延在し前記第２スイッチング素子に電気的に接続された第２コンタクト部を有する第２画素電極と、
前記第１コンタクト部を含む前記第１画素電極の上、前記第２コンタクト部を含む前記第２画素電極の上、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間の前記絶縁膜の上に延在した有機層と、
前記有機層の上に配置された対向電極と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記画素電極は、ａ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置と一致する位置に第２側面を有する透過層を有する、あるいは、ｂ）上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、ｃ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第２側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記第１画素電極及び前記第２画素電極のそれぞれは、ａ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置されるとともに前記コンタクトホール内に延在した反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置と一致する位置に第２側面を有する透過層を有する、あるいは、ｂ）上面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記コンタクトホール内に延在した透過層を有する、あるいは、ｃ）上面及び第１側面を有し前記絶縁膜の上に配置された反射層及び前記反射層の前記上面に積層されるとともに前記第１側面の直上の位置よりも内側の位置の一部に第２側面を有し前記コンタクトホール内に延在した透過層を有することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、前記画素電極が配置される第１上面、及び、前記画素電極の周辺に位置し前記第１上面よりも窪んだ第２上面を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記絶縁膜は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極が配置される第１上面、及び、前記第１画素電極と前記第２画素電極との間に位置し前記第１上面よりも窪んだ第２上面を有することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記絶縁膜に形成された前記コンタクトホールのテーパー角は、４０度以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記有機層の膜厚は、前記画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記有機層の膜厚は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極の膜厚より厚いことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
絶縁基板の上方にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子の上に絶縁膜材料を塗布し、前記絶縁膜材料をパターニングして前記スイッチング素子に到達するコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜材料を焼成した後に、冷却して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上及び前記コンタクトホール内に導電層を形成し、前記導電層をパターニングして前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極を形成し、
前記画素電極の上、及び、前記画素電極の周辺の前記絶縁膜の上に有機層を形成し、
前記有機層の上に対向電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁膜材料を焼成する温度は、前記絶縁膜材料が溶融状態となる温度であることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−１１３７３６（Ｐ２０１１−１１３７３６Ａ）
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２６７７５９（Ｐ２００９−２６７７５９）
【出願日】平成２１年１１月２５日（２００９．１１．２５）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月９日（２０１１．６．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１１月２５日（２００９．１１．２５）
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝モバイルディスプレイ株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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