説明

液晶表示装置

【課題】液晶表示装置(LCD)は、低温環境下において液晶粘度が高くなるために、そのレスポンスが極めて遅くなるという問題がある。そこで低温環境下で液晶表示装置の応答速度を向上させる。
【解決手段】液晶層に赤外波長の光を吸収するナノメートルサイズの金属粒子が、Au、Ag/Pd合金、Tlであり、赤外波長の光を吸収するナノメートルサイズの金属粒子を前記液晶層を主に構成する液晶材料に対して、0.02wt%〜1.0wt%の範囲で添加された液晶セルと、赤外波長の光を照射する装置とを含む液晶表示装置を提供する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に低温環境下での使用に適した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
液晶表示装置(LCD)は、低温環境下において液晶粘度が高くなるために、そのレスポンスが極めて遅くなるという問題がある。レスポンスが遅いと動画像にボケが生じたり、前の画像が残ってしまったりし、表示品位を著しく損なう。特に車載、戸外表示板、携帯電話、携帯テレビなどに用いられる液晶表示装置において、低温環境下での応答速度の向上が望まれている。
【0003】
その対策として、特開2004−93841号公報には、ガラス基板上に設けた平面発熱源により、液晶セル全体を加熱するパネルヒータを採用した液晶表示装置が提案されている。また、特開2005−24866号公報には、熱源として赤外線LEDを採用し、ライトガイドでセル全面に対して照射を行う液晶表示装置が提案されている。
【0004】
【特許文献1】特開2004−93841号公報
【特許文献2】特開2005−24866号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特開2004−93841号公報に記載の提案では、本来加熱すべき液晶層を直接加熱することが出来ず、ガラス基板や偏光板を介して加熱を行うため、熱効率が低い。従って、電力の限られた携帯機器においては採用が難しい。
【0006】
特開2005−24866号公報に記載の提案では、照射された赤外線の吸収は主に偏光板で行われると考えられ、加熱すべき液晶層については液晶材料自身の赤外線吸収特性に依存するため、熱効率が低いと考えられる。
【0007】
本発明の目的は、低温環境下での応答速度を向上させた液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一観点によれば、液晶層に赤外波長の光を吸収するナノメートルサイズの金属粒子が添加された液晶セルと、赤外波長の光を照射する装置とを含む液晶表示装置が提供される。
【発明の効果】
【0009】
低温環境下において、液晶表示装置の応答速度が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
図1に、実施例による液晶表示装置の概略断面図を示す。本発明の実施例による液晶表示装置は、主に液晶表示部101と、ライトユニット102(ここではバックライトユニット)で構成される。ライトユニット102の光源は、例えば通常のバックライトで用いるLEDと、近赤外線を照射するIR(赤外)LEDとで構成される。液晶表示部101とライトユニット102との間に拡散板103を設ける。
【0011】
通常のLCDは液晶をガラス基板で挟む。ガラス基板の、波長3μm程度以上の赤外線透過率は低い。赤外線を用いて液晶層を加熱する場合、ガラス基板では吸収されず、液晶層で吸収されることが望ましい。
【0012】
発明者らは、ガラス基板での吸収を低減するために波長3μm以下の赤外線を用い、さらに、液晶表示部の液晶にナノメートルサイズの金属粒子を添加して、約3μm以下の近赤外線を液晶層で吸収させ、液晶表示部の応答速度の向上を図ることを意図した。近赤外線を照射することにより、ガラス基板を透過した近赤外線が、液晶層に直接吸収され、その吸収された光のエネルギーによって液晶層を加熱することが狙いである。従って、ライトユニット102には、少なくとも1種類の近赤外発光装置が含まれる。一般的な近赤外線発光装置としては、波長780nm〜960nmの近赤外LED(発光層:GaAs系化合物半導体等)が用いられる。
【0013】
(実施例1)
図2に、液晶表示部101の断面図を示し、その作成方法について説明する。実施例1では液晶セルがSTN(スーパーツイステッドネマチック)液晶セルであるイエローモードポジの液晶表示部101の態様を述べる。
【0014】
2つのガラス基板1A、1Bの各々の上に透明であるITO膜をCVD、蒸着、スパッタなどにより形成し、フォトリソグラフィーにて所望のITO電極パターン2および外部取出し配線2lを形成する。ITO電極パターン2が付いたガラス基板上にフレキソ印刷にて絶縁膜4を形成する。この絶縁膜4は必須では無いが、上下基板間の短絡防止のため形成することが望ましい。絶縁膜形成方法としてフレキソ印刷の他に、メタルマスクを用い、蒸着やスパッタなどの方法を行っても良い。
【0015】
次に、絶縁膜4の上に絶縁膜4とほぼ同じパターンの配向膜5をフレキソ印刷等で形成する。STN−LCDの場合、プレチルト角(基板平面からの液晶分子の傾き角)は2°〜8°が望ましい。実施例1ではSE−610(日産化学製)を用いる。
【0016】
次にラビング処理を施す。ラビングは布を巻いた円筒状のロールを高速に回転させ、配向膜5上を擦る工程である。実施例1では、上下基板間の液晶3の捩れ角が240°(左捩れ)になるよう処理を行う。
【0017】
シール材6を所定のパターンにスクリーン印刷する。シール材6の形成にはスクリーン印刷の代わりにディスペンサを用いても良い。シール材には熱硬化性のES−7500(三井化学製)を用いるが、光硬化性のものや、光・熱併用型シール材でも良い。このシール材6には直径6μmの大きさのグラスファイバーを数%含んでいる。
【0018】
導通材7を所定の位置に印刷する。ここではシール材ES−7500に6.5μmのAu鍍金を施したスチレンボールを数%含んだものを導通材7として所定の位置にスクリーン印刷する。
【0019】
シール材パターン6及び導通材パターン7は上側の基板1Bにのみ形成し、下側の基板1Aにはギャップコントロール材を乾式散布法にて散布する。ギャップコントロール材には6μmのプラスチックボールを用いるが、シリカから成る真絲球を用いても良い。
【0020】
2つの基板1A、1Bを、配向膜5が内側になるよう所定の位置で重ね合わせセル化し、プレスした状態で熱処理によりシール材6を硬化する。
【0021】
次にスクライバー装置によりガラス基板に傷をつけ、ブレイキングにより所定の大きさ、形に分割して空セルを作成する。
【0022】
上記の空セルに毛細管現象を利用した注入法でナノメートルサイズの金属粒子含有液晶3を注入し、その後エンドシール材で注入口を封止する。その後ガラス基板の面取りと洗浄を行い、液晶セル101cを作成する。
【0023】
注入するナノメートルサイズの金属粒子含有液晶3について説明する。一般的なSTN用液晶LC4(大日本インキ化学工業社製、複屈折率Δn:0.118、誘電率異方性Δε:9.2)に三菱マテリアル製のナノメートルサイズのロッド形状(短手方向10〜20nm、長手方向50〜100nm)のAu(金)粒子を0.5wt%添加し、ナノメートルサイズの金属粒子含有液晶LC4+Auを調製する。
【0024】
この液晶セル101cについて、分光透過率を測定した。
【0025】
図3Aに、測定系を示す。図示のように、液晶セル101cの下(背面)基板側に分光機能付き投光機9、上(前面)基板側に検光機10を配置する。電圧無印加時における液晶表示部101通過前の投光機9からの光強度を100%とした場合の検光機10で検出される光の強度を透過率(%)として測定した。
【0026】
図4に、可視領域〜近赤外領域の分光透過率を示す。比較のために、Au粒子を添加していない液晶LC4のみを注入した液晶セルの分光透過率も示す。図4に示すように、LC4にAu粒子を添加した液晶層を有する液晶セルの方が、近赤外領域の透過率が低い。このデータから、Au粒子含有液晶が近赤外線を吸収していることが分かる。また、波長が780nm以下の可視域(実施例1はイエローモードであるから特に黄色領域に注目する)の透過率については双方とも透過率がほとんど変わらないことから、Au粒子を添加することによる、液晶の黄色視域における透過率への影響はほとんど無いと考えられる。
【0027】
次に、液晶セルに偏光板8をクロスニコル配置で貼り付けSTNモードの液晶表示部101を完成する。
【0028】
完成した液晶表示部101の低温(−20℃、−30℃)下でのレスポンス特性(1/64Duty駆動、最適電圧にて)を測定した。
【0029】
図3Bに測定系を示す。測定にはLCD−5000(大塚電子製)を用いた。まず、電圧を印加しつつ、投光機9から発せられ、液晶表示部101を通過した光を検光機10にて測定し、電圧−コントラスト特性の測定を行った。その特性から最大コントラストを得られる最適電圧を求め、背面側から液晶表示部の液晶層に向けて近赤外線を照射しつつ、最適電圧でのレスポンス特性の測定を低温下で行った。レスポンスの測定は、近赤外線照射前(照射時間0)と照射後1分、3分、5分後にそれぞれ行い、比較した。
【0030】
図5A、図5Bに、LC4+Auを注入した液晶表示部の応答時間の表を示す。それぞれの表において、照射時間とは、近赤外線を照射した時間のことである。ここでは近赤外線の照射に50mw(波長940nm)のLEDを用いた。セルとLEDとの距離は約50mmであった。それぞれの表において、近赤外線の照射時間に対する応答時間(Rise+Decay)を比較する。図5A、図5Bに示すように、LC4+Auの液晶を用いた液晶表示部は、近赤外線を照射しない場合に比べ、近赤外線を照射した場合に応答時間が減少している。照射時間を3分、5分と長くした場合の応答時間については1分の場合とほとんど変わらず、応答時間はLEDを照射しない場合に比べて少なくとも約8%短縮している。従って、照射時間は1分程度で十分に応答時間減少の効果を発揮するといえる。なお、図5A、図5Bそれぞれの表に対応する液晶セルは互いに独立に作成されたものであり、セルの最適化は行っていないため、互いの表の応答時間に関しては比較できない。発明者らは、ナノメートルサイズのAu粒子を液晶に添加することによって、液晶層のAu粒子が近赤外線を吸収し、吸収した近赤外線のエネルギーが熱エネルギーとなって液晶層を加熱し、液晶の応答時間を短縮させたと考察した。
(実施例2)
実施例2では、垂直配向型LCDの場合の態様を説明する。一般的な垂直配向LCD用液晶M4(メルク社製、Δn:0.094、Δε:−3.3)に宇部興産製のAgとPdの合金であるナノメートルサイズのAg/Pd合金粒子(2nm−10nm程度の大きさ)を0.1wt%添加し、ナノメートルサイズの金属粒子含有液晶M4+Ag/Pdを調製する。
【0031】
このナノメートルサイズの金属粒子含有液晶M4+Ag/Pdを用いて垂直配向LCDを作成した。垂直配向LCDの作成方法は実施例1の場合とほぼ同様である。配向膜5にはSE−1211(日産化学製)を用いる。配向膜5のラビングは上下基板でアンチパラレルとなるように行う。均一なモノドメイン配向を得るためには、例えば特開2005−234254号公報に記載の方法を用いると良い。なお、配向膜の配向処理の方法はラビングに限らない。光配向法、イオンビーム配向法、プラズマビーム配向法、斜め蒸着法等を用いても良い。シール材にはES−7500(三井化学製)に3.9ミクロンの大きさのグラスファイバー数%を含んだものを用いる。導通材にはES−7500に4.4μmのAuボールを数%含んだものを用いる。ギャップ材には3.75μmのプラスチックボールを用いるがシリカから成る真絲球でも良い。
【0032】
図6に、この状態での液晶セルの可視領域〜近赤外領域での分光透過率を示す。分光透過率は実施例1と同様に図3Aに示した測定系にて測定した。図6には、比較のためAg/Pd合金粒子を添加していない液晶材料LC4のみを注入した場合の分光透過率と、液晶材料M4のみを注入した場合の分光透過率を併せて示す。図示のように、M4にAg/Pd合金粒子を添加した液晶を注入したセルの方が近赤外領域での透過率が低い。図6においてM4とM4+Ag/Pdの違いは0.1wt%のAg/Pd合金粒子が添加されているかいないかのみであるから、Ag/Pd合金粒子が近赤外領域の光を吸収していることが分かる。
【0033】
また、可視領域では、3種類の液晶セルの透過率はほぼ同様であり、M4+Ag/Pdは他の液晶とほぼ同等の可視光を透過することが分かる。なお、図6において透過率曲線が波打っているが、これはセル厚に応じた干渉が見られるためである。
【0034】
こうして作成した液晶セルの上下に偏光板をクロスニコル配置、ラビング方向に対して45°で貼り付け、ノーマリブラックの垂直配向型液晶表示部を作成する。なお、偏光板に視角補償板をつけても良い。
【0035】
このセルの低温(−30°)下でのレスポンス特性(1/4Duty駆動、最適電圧にて)を測定した。測定系は図3Bに示したのと同様で、実施例1と同様の方法で測定した。
【0036】
図7に、応答時間の表を示す。近赤外線照射のためのLEDは実施例1と同様である。図示の表によれば、近赤外線を照射することにより応答時間が少なくとも約14%短縮していることが分かる。本実施例においては、照射時間が1分と3分とでは応答時間が同等であるが、5分の場合には1分の場合よりもさらに応答時間が短縮している。実験結果が示すように、垂直配向LCDにおいても、ナノメートルサイズの金属粒子を添加することにより応答時間短縮の効果が得られる。
【0037】
(添加するナノメートルサイズの金属粒子の他の例)
なお、全てのナノメートルサイズの金属粒子が実施形態として適用できるわけではない。ここでは、適用できる他の金属としてTlを挙げる。
【0038】
図8に、垂直配向LCDの液晶M4にTlを0.1wt%添加した場合の−30°下における応答時間を示す。垂直配向LCDの作成要領は実施例2と同様である。測定方法は実施例1と同様である。図示のように、近赤外線を照射すると応答時間が少なくとも約10%短縮している。近赤外線の照射時間が1分より長い場合でも応答時間は1分の場合とほとんど変わらない事から、照射時間は1分程度で十分であるといえる。
【0039】
その他のナノメートルサイズの金属粒子として希土類金属(Sc、Y)や遷移金属(Ni等)が挙げられる。液晶への分散性が良いからである。
【0040】
これまでに説明したナノメートルサイズの金属粒子の添加量は、0.1wt%〜0.5wt%であった。0.1wt%で十分応答時間短縮効果が発揮されていることから、添加量の下限は0.02wt%程度まで良いと考えられる。また、添加量が多すぎると液晶の性質に変化があると考えられるので、添加量の上限は1.0wt%程度が良いであろう。
【0041】
また、そのサイズは1nm〜100nmが好ましい。1nm以下では赤外線吸収効果が低いと考えられる。また100nm以上では液晶への長期安定分散が困難と考えられるからである。
【0042】
上記のように、液晶表示部の液晶にナノメートルサイズの金属粒子を添加して、約3μm以下の近赤外線を液晶層に照射させることにより、液晶表示部の応答時間が少なくとも8%短縮する。
【0043】
図9に、応用例として考えられる液晶表示装置を示す。図9に示した液晶表示装置は道路の戸外表示板である。戸外表示板は、低温環境下においても素早く表示を行う必要がある。例えば速度規制を超えている自動車に対して、速度超過をセンサで感知した後、「スピード落とせ」などの表示を行いたい場合、液晶の動作が遅いと、表示を行う前に車が通り過ぎてしまうからである。本発明を適用すれば、液晶の動作速度が速くなり、寒冷地においても良好な表示機能が維持できるであろう。
【0044】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【0045】
図10A、図10Bに、ライトユニット102の他の形態を示す。図10Aに示すように、ライトユニット102として、サイドライトユニット(冷陰極管等を用いる)102の光を横方向から導光板103bに照射し、液晶表示部101のある上方向に光を導光させる形態でも良い。また、図10Bに示すように、液晶表示部101の前面から導光板103bにてライトユニット102(導光板の横に配置する。冷陰極管等を用いる)からの光を曲げて照射し、背面に反射板104を置き、光を反射させて液晶表示部101に照射させるフロントライトユニットの形態でも良い。
【0046】
また、液晶もしくはナノメートルサイズの金属粒子含有液晶の液晶セルへの注入法は、真空注入法や滴下注入法でも良い。真空注入法を用いる場合、注入口は1つで良い。滴下注入法の場合は注入口を設けず、上下基板を貼り合わせる前に液晶もしくはナノメートルサイズの金属粒子含有液晶の滴下注入を行う。
【0047】
また、赤外線光源光は、偏光スプリッタなどを利用して偏光板透過軸と平行な直線偏光とすることで、偏光板での吸収による熱効率の低下を抑制できるであろう。
【0048】
その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】図1は、液晶表示装置の概略断面図である。
【図2】図2は、液晶表示部の断面図である。
【図3】図3A及び図3Bは、測定系の概略図である。
【図4】図4は、波長に対する分光透過率のグラフである。
【図5】図5A、図5Bは、液晶表示部の応答時間の表である。
【図6】図6は、波長に対する分光透過率のグラフである。
【図7】図7は、液晶表示部の応答時間の表である。
【図8】図8は、液晶表示部の応答時間の表である。
【図9】図9は、液晶表示装置を適用した戸外表示板である。
【図10】図10Aおよび図10Bは、ライトユニットの例である。
【符号の説明】
【0050】
1A、1B 基板
2 電極
2l 配線
3 液晶
4 絶縁膜
5 配向膜
6 シール材
7 導通材
8 偏光板
9 投光機
10 検光機
101 液晶表示部
101c 液晶セル
102 ライトユニット
103 拡散板
103b 導光板

【特許請求の範囲】
【請求項1】
液晶層に赤外波長の光を吸収するナノメートルサイズの金属粒子が添加された液晶セルと、
赤外波長の光を照射する装置と
を含む液晶表示装置。
【請求項2】
前記ナノメートルサイズの金属粒子が、Au、Ag/Pd合金、Tlのいずれかである請求項1記載の液晶表示装置。
【請求項3】
前記前記ナノメートルサイズの金属粒子が、前記液晶層を主に構成する液晶材料に対して、0.02wt%〜1.0wt%の範囲で添加された請求項1または2記載の液晶表示装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【公開番号】特開2008−304589(P2008−304589A)
【公開日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−150124(P2007−150124)
【出願日】平成19年6月6日(2007.6.6)
【出願人】(000002303)スタンレー電気株式会社 (2,684)
【Fターム(参考)】