液晶装置の製造方法
【課題】良好な表示特性の液晶装置を高い生産性で製造する製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極９を備えた第１基板１０と、これに対向配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極９に対応する位置が表示領域Ｐとされ、この表示領域Ｐ間が非表示領域ＢＭとされる液晶装置の製造方法である。画素電極９を表示領域Ｐとなる位置に、その周縁部を非表示領域ＢＭとなる位置に形成し、画素電極９上の表示領域Ｐとなる位置に垂直配向膜４１を形成し、非表示領域ＢＭの少なくとも画素電極９の周縁部上に水平配向膜４２を形成する。このとき、基板１０Ａ上の配向膜４２ａにラビング処理し、レジストパターンＲをマスクにして表面改質して、水平配向膜４２を形成し、垂直配向膜４１の材料を形成する。
【解決手段】画素電極９を備えた第１基板１０と、これに対向配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極９に対応する位置が表示領域Ｐとされ、この表示領域Ｐ間が非表示領域ＢＭとされる液晶装置の製造方法である。画素電極９を表示領域Ｐとなる位置に、その周縁部を非表示領域ＢＭとなる位置に形成し、画素電極９上の表示領域Ｐとなる位置に垂直配向膜４１を形成し、非表示領域ＢＭの少なくとも画素電極９の周縁部上に水平配向膜４２を形成する。このとき、基板１０Ａ上の配向膜４２ａにラビング処理し、レジストパターンＲをマスクにして表面改質して、水平配向膜４２を形成し、垂直配向膜４１の材料を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクターがある。プロジェクターにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラストの表示が可能で、近年、プロジェクター用の液晶装置の液晶配向方式として採用されつつある。
【０００３】
しかし、垂直配向方式では液晶が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。しかも、画素電位を印加すると、画素電極端から基板面に平行な方向に、横方向の電界が発生する。そのため、この横方向の電界に起因して、液晶が様々な方向に倒れてしまい、ディスクリネーションを生じることがあった。ディスクリネーションが生じると、明暗のムラやコントラストの低下、残像等の表示欠陥が視認されてしまう。
【０００４】
そのため、表示領域では液晶を垂直配向させて、良好なコントラスト特性を確保し、画素領域周辺の、主に非表示領域では液晶を水平配向させ、液晶の配向を規制することでディスクリネーションを防止することが考えられる。このような構成の液晶装置は、特許文献１に開示されており、特許文献１の液晶装置では、表示領域に垂直配向膜を形成し、非表示領域に有機材料からなる水平配向膜を形成することによって、液晶の配向を規制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１６７３９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９４５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置では、表示領域と非表示領域に無機材料と有機材料という異種の配向膜を形成するため、表示領域と非表示領域に段差が生じやすくなり、段差に起因したディスクリネーションが発生しやすくなるという課題があった。
また、無機材料と有機材料では液晶中の不純物のひきつけやすさが異なるため、一方の材料に前記不純物が吸着しやすくなるという現象が発生した。そのため焼きつきや残像といった表示不良を抑制しづらいという課題があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載の液晶装置では、真空紫外領域の紫外線照射をすることにより、表示領域と非表示領域に異なる配向膜を形成しているが、大面積を精度よく、かつ部分的に真空紫外領域の紫外線を照射する装置を製造することは技術的に困難な状況である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて提案されたものであり、精度よく、かつ効率的に配向膜をパターニングし、良好な表示品質の液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第２の配向層を形成する工程と、前記非表示領域となる箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の配向層を表面改質する工程と、を有し前記第１の配向層を形成する工程は、前記レジストパターンを除去する工程と、前記配向下地層を覆って第１の配向層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、表示領域側から非表示領域側に張り出した画素電極の周縁部上（第２のエリア）には、液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成しているので、周縁上の液晶は、画素電位を印加した際に、揃った方向に配向するようになる。したがって表示領域（第１のエリア）内の液晶は、周縁部上の液晶によって配向する方向が規制され、画素電極端から基板と略平行な方向に発生する横方向電界に影響されることなく、一定の方向に配向するようになる。よって、表示領域での液晶の配向不良が防止され、ディスクリネーションが防止された液晶装置を製造することができる。
【００１１】
また、表示領域（第１のエリア）に配置された液晶は、画素電極周縁部上（第２のエリア）によって、配向する方向を規制されるようになるので、電圧が印加されていない状態で略０度に垂直配向させた場合にも、電圧を印加した際には揃った方向に倒れて配向するようになり、表示領域においてディスクリネーションが防止される。よって良好なコントラスト特性を有し、かつ表示不良が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１２】
また、液晶を所定の方位角で配向させる第２のエリアは、画素電極の非表示領域に張り出してなる周縁部上、すなわち、表示領域の外部のみに形成しているので、表示領域には、略０度に垂直配向された液晶のみが配置されるようになる。したがって画素の透過率は同一画素内で均一になり、所望の透過率とすることができる。よって透過率が所望のものとならないことに起因する各画素の表示コントラスト低下が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１３】
また、第２の配向層を形成する工程において、第２の配向層は画素電極の全面に形成されるため、容易に液晶への配向規制力を付与させることができる。
【００１４】
また、レジストパターンの形成方法は、公知の技術を適用できるため、第１の配向層と第２の配向層を簡便に配置することができる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することが好ましい。ここで、配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理等の手段が挙げられる。
【００１６】
このようにすれば、第１の配向層を形成した箇所と第２の配向層を形成した箇所の段差がほぼ無視できるものとなるため、段差に起因したディスクリネーションの発生を抑制することができる。
また、第１の配向層材料と第２の配向層材料は、どちらもシランカップリング剤であるため、液晶中の不純物は、一方だけの配向層材料に付着することが抑制される。そのため、焼き付きなどの表示不良を抑制することができる。
【００１７】
［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向層形成箇所と前記第２の配向層形成箇所のいずれにもレジストパターンが覆われていない状態で配向処理する工程を有することが好ましい。配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理などの手段が挙げられる。
【００１８】
このようにすれば、平坦な配向層に対して配向処理をすることができるので、配向規制力不足による表示不良を抑制することができる。
【００１９】
［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることが好ましい。
【００２０】
このようにすれば、垂直配向膜に適した長さのアルキル鎖と、水平配向膜に適した長さのアルキル鎖とを適当に形成することができる。
【００２１】
［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第１の配向層を形成する工程と、前記第１の配向層形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第１の配向層に対して表面改質を行う工程と、前記レジストパターンを覆って第２の配向層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、第２の配向層を形成する工程において、第２の配向層材料を第１基板に配する際に、第１の配向層上はレジストパターンに覆われており、レジストパターンに付着した第２の配向層材料はレジストパターンを除去すると該レジストパターンとともに除去される。したがって、第２の配向層材料を前記レジストパターン上も含めた全面に配しても、第１の配向層上に第２の配向層材料が付着されることが防止され、第１の配向層の配向性が損なわれることが防止される。よって、液晶に電圧を印加した際に、表示領域周縁部の液晶を良好に配向させることができ、良好な表示特性の液晶装置とすることができる。また、第１の配向膜材料を前記レジストパターン上も含めて全面に配することができるので、第１の配向層を効率よく形成することができる。
【００２３】
［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することが好ましい。ここで、配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理等の手段が挙げられる。
【００２４】
このようにすれば、第１の配向層を形成した箇所と第２の配向層を形成した箇所の段差がほぼ無視できるものとなるため、段差に起因したディスクリネーションの発生を抑制することができる。
また、第１の配向層材料と第２の配向層材料は、どちらもシランカップリング剤であるため、液晶中の不純物は、一方だけの配向層材料に付着することが抑制される。そのため、焼き付きなどの表示不良を抑制することができる。
【００２５】
［適用例７］上記適用例に記載の液晶装置において、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向膜形成箇所にレジストパターンが覆われた状態で配向処理する工程を有することが好ましい。配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理などの手段が挙げられる。
【００２６】
このようにすれば、画素電極上を前記レジストパターンで覆った状態で配向処理することができるので、画素電極が直接配向処理されることを防止できる。したがって画素電極が直接配向処理されることによる配向処理ムラが視認される等の表示不良が防止され、また、第１の配向層が直接配向処理されないため、第１の配向層が有する配向規制力が損なわれることがなく、良好なコントラスト特性を有することができる。
【００２７】
［適用例８］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることが好ましい。
【００２８】
このようにすれば、垂直配向膜に適した長さのアルキル鎖と、水平配向膜に適した長さのアルキル鎖とを適当に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る液晶装置の等価回路図。
【図２】液晶装置の表示部要部を平面視した模式図。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図。
【図４】電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図。
【図５】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図６】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図７】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図８】本発明に係る実施形態２における液晶装置の製造方法の説明図。
【図９】本発明に係る実施形態２における液晶装置の製造方法の説明図。
【図１０】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図１１】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（実施形態１）
【００３１】
以下、本発明の実施形態について、TFT（Thin−Film−Transistor）素子を用いたアクティブマトリックス型の透過型液晶装置の製造方法を例に説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００３２】
まず、本発明の製造方法の説明に先立ち図１〜４を用いて本発明の製造方法によって得られる液晶装置（透過型液晶装置）１の構成を説明する。
【００３３】
図１は透過型液晶装置１のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３４】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２，・・・、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３６】
図２は、透過型液晶装置１の表示部を示す図であって、画素電極９が配された第１基板の配向膜（図示せず）が形成された面側から平面視した模式図である。液晶装置の表示部は、画素電極９（外周９ａとする）に対応してその内側に設けられた表示領域Ｐと、この表示領域Ｐ間、すなわち表示領域Ｐに囲まれた位置に設けられた非表示領域ＢＭとから構成されており、画素電極９は、その周縁部が非表示領域ＢＭに張り出して配置されている。また、少なくとも表示領域Ｐ全体を含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには第２のエリアＡ２が形成されている。
【００３７】
図３は、図２のＸ−Ｘ線断面の模式図である。図３に示すように、透過型液晶装置１は、第１基板１０と、第２基板２０と、これら基板間に挟持された液晶層５０とから構成されている。第１基板１０は、ガラス等の透明な基板１０Ａと、この基板１０Ａ上に形成された画素電極９や遮光膜１３、および第１の配向層（垂直配向膜）４１、第２の配向層（水平配向膜）４２、配向下地層４３等から構成されている。ＴＦＴ素子（図示せず）や配線（図示せず）等は遮光膜１３上に形成されており、基板１０Ａ側から入射する光が、ＴＦＴ素子等にあたることはない。また、遮光膜１３が形成されていることにより、非表示領域ＢＭが規定され、非表示領域ＢＭ間の画素開口部として表示領域Ｐが規定されている。
【００３８】
また、第１基板１０上には、少なくとも表示領域Ｐを含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには、少なくとも画素電極９の非表示領域に張り出してなる周縁部９ｂ上を含んで第２のエリアＡ２が形成されている。図３に示すように第１のエリアＡ１と第２のエリアＡ２とは連続して設けられている。また、第１のエリアＡ１に対応する画素電極９上には、第１の配向層（垂直配向膜）４１が形成されており、第２のエリアＡ２に対応する画素電極９上および遮光膜１３上には、第２の配向層（水平配向膜）４２が形成されており、第１の配向層と第２の配向層の下地として配向下地層４３が形成されている。
【００３９】
第２基板２０は、ガラス等からなる透明な基板２０Ａと、第１の配向層（垂直配向膜）６１と、配向下地層６３と共通電極２１等から構成されている。なお、第２基板側にも遮光膜１３を形成してもよい。
【００４０】
図４は、画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図である。画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加すると、その間に電圧に応じて液晶層５０の液晶が配向し、透過型液晶装置１の厚さ方向に透過する光が変調され、透過型液晶装置１は階調表示が可能なものとなる。
【００４１】
このとき、本発明の透過型液晶装置１では、第２のエリアＡ２に位置する液晶５２については、電圧無印加状態において所定のプレチルト角で配向させているので、電圧を印加した場合に、揃った方向に倒れて配向する。したがって、第１のエリアＡ１に位置する液晶５１は、電圧を印加された場合に倒れる方向が液晶５２に規制され、揃った方向に配向するようになる。すなわち、第１のエリアＡ１の、第２のエリアＡ２近傍に位置する液晶は、第２のエリアＡ２の外周部となる画素電極９の周縁部９ｂ上の液晶５２の動作に大きく影響を受け、特にその倒れる方向が周縁部９ｂ上の液晶５２の倒れる方向に規制される。
これにより、第１のエリアＡ１の液晶５１は、全て揃った方向に倒れ、均一に配向するようになる。よって画素電極９の端部から第１基板１０に平行な方向に横方向電界が生じても、表示領域Ｐの液晶５１は、配向不良を生じることが防止される。
【００４２】
また、表示領域Ｐに対応する液晶５１と異なる配向となる液晶５２は、非表示領域ＢＭ内のみに配置しているので、表示領域（画素開口部）Ｐに対応する画素の透過率は液晶５１のみに規定され、均一なものとなる。したがって、画素の透過率を所望のものとすることができる。また、表示領域Ｐに対応する液晶５１は、配向不良が防止されているので、電圧無印加状態で略垂直に配向させることができる。
【００４３】
次に本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を、上記透過型液晶装置１の製造方法を例にして説明する。
【００４４】
図５〜図７は、上記透過型液晶装置１（液晶装置）の製造方法を説明する図である。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０Ａ上にＣｒ（クロム）等からなる遮光膜１３を格子状に形成し、この遮光膜１３によって非表示領域ＢＭを規定するとともに、この非表示領域ＢＭに囲まれた領域を表示領域（画素開口部）Ｐとする。続いて、遮光膜１３上に図１に示したＴＦＴ素子３０やデータ線６ａ、走査線３ａ等の配線を形成する。次に、表示領域Ｐから非表示領域ＢＭに張り出して、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電体を用いて画素電極９を形成する。これらの工程は、公知の方法を用いることができる。
【００４５】
次に図５（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜を形成し、配向下地層４３を形成する。その後、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層４３に照射することで配向下地層４３の表面改質をする。その後、短鎖シランカップリング剤をＳｉＯ2膜上に表面処理し、配向層４２ａを形成する。この短鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばヘキサメチルジシラザン等を用いる。
【００４６】
そして、図５（ｃ）に示すように、ラビング布をローラーに巻きつけたラビング処理装置５５により、配向層４２ａの全面にラビング処理を行い、配向層４２ａに配向性を付与する。この時、後述する垂直配向膜（第１の配向層）は形成されていないため、垂直配向膜に配向性が付与されてしまう等の不都合を生じることはない。
【００４７】
次に、図６（ａ）に示すように、配向層４２ａの第２の配向層形成箇所にレジストパターンＲを形成する。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することによって、図６（ｂ）に示すように、水平配向膜（第２の配向層）４２を形成する。水平配向膜４２が形成されたことにより、水平配向膜４２上に第２のエリアＡ２が形成可能となる。また、第２のエリアＡ２間が第１のエリアＡ１として規定される。その後、水平配向膜４２を覆っているレジストパターンＲを剥離する。
【００４８】
次に、水平配向膜４２が形成された基板１０Ａの第１のエリアＡ１となる位置に垂直配向膜を形成する。まず、基板１０Ａに、例えばＮ2雰囲気にて１５０〜１８０℃程度の温度で３時間程度乾燥処理を行う。その後、基板１０Ａを、例えばデシルトリメトキシシラン溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば１５０℃の温度で一時間加熱することによって、デシルトリメトキシシラン溶液の蒸気を基板１０Ａ上の配向下地層４３に接触させ、図６（ｃ）に示すように、垂直配向膜（第１の配向層）４１を形成する。
【００４９】
このとき、水平配向膜４２は緻密に付着しているため、水平配向膜４２上面に垂直配向膜の材料が付着することは抑制されている。
これにより、第１のエリアＡ１に垂直配向膜４１を、第２のエリアＡ２に水平配向膜４２を、それぞれ備えた第１基板１０を形成する。
【００５０】
また、第１基板１０とは別に図７（ａ）に示すように第２基板２０を形成する。この第２基板２０は、ガラス等の透明な材料からなる基板２０Ａ上に、ＩＴＯ等の透明導電体を用いて共通電極２１を形成し、この共通電極２１上に、配向下地層６３と垂直配向膜６１を形成する。共通電極２１の形成にはスパッタ法等が用いられる。配向下地層６３は例えば、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜をスピンコートにより形成した後、低圧水銀ランプやエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層６３に照射して表面改質した後にデシルトリメトキシシランを配向下地層６３上に表面処理し垂直配向膜６１とする。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０とを、垂直配向膜（第１の配向層）４１、６１および水平配向膜（第２の配向層）４２が内側になるように貼り合わせ、図７（ｃ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０との間に、液晶層５０を封入することで、透過型液晶装置１を形成する。
【００５２】
以上のような製造方法によれば、基板１０Ａ上の全面に第１の配向層材料を表面処理しても、第２の配向層上に第１の配向層材料が付着することが抑制される。このことから、良好な表示品質の液晶装置を製造できる。また、効率的に第２の配向層４２と第１の配向層４１とを形成することができ、よって高い生産性で液晶装置（透過型液晶装置）１を製造できる。
【００５３】
なお、本実施形態では、第２のエリアＡ２を画素電極９の周縁部と画素電極９間とに連続して形成しているが、画素電極９の周縁部９ｂのみに形成しても良い。また、遮光膜１３をＣｒ等によって形成して非表示領域ＢＭを規定しているが、例えば配線電極等によって非表示領域ＢＭを規定しても良い。
（実施形態２）
【００５４】
図８、図９は、実施形態２に係る上記透過型液晶装置（液晶装置）製造方法の説明図である。本実施形態に係る液晶装置について、これらの図を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図８（ａ）は実施形態１の図５（ａ）と同様であるため、説明を割愛する。
次に、図８（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜を形成し、配向下地層４３を形成する。その後、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層４３に照射することで配向下地層の表面改質をする。その後、長鎖シランカップリング剤をＳｉＯ2膜上に表面処理し、配向層４１ｂを形成する。この長鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばデシルトリメトキシシラン等を用いる。
【００５５】
次に、図９（ａ）に示すように、配向層４１ｂの第１の配向層形成箇所にレジストパターンＲを形成する。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することによって、図９（ｂ）に示すように、垂直配向膜（第１の配向層）４１を形成する。垂直配向膜４１が形成されたことにより、垂直配向膜４１上に第１のエリアＡ１が形成可能となる。また、第１のエリアＡ１間が第２のエリアＡ２として規定される。なお、垂直配向膜４１を覆っているレジストパターンＲについては、これを除去することなく、そのままに保持しておく。
【００５６】
次に、垂直配向膜４１が形成された基板１０Ａの第２のエリアＡ２となる位置に水平配向膜を形成する。基板１０Ａに、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することにより第２のエリアＡ２となる位置に形成された垂直配向膜４１は表面改質される。その後、短鎖シランカップリング剤でレジストパターンＲを覆って表面処理し、配向層４２ｂを形成する。この短鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばヘキサメチルジシラザン等を用いる。
【００５７】
このとき、垂直配向膜４１の上面はレジストパターンＲに覆われているので、垂直配向膜４１上面に水平配向膜の材料が付着することが防止される。
【００５８】
次に図９（ｃ）に示すように、ラビング布をローラーに巻きつけたラビング処理装置５５により、配向層４２ｂの全面にラビング処理を行い、配向層４２ｂに配向性を付与する。この時、垂直配向膜４１をレジストパターンＲで覆った状態でラビング処理しているので、垂直配向膜４１はラビング処理から保護され、垂直配向膜４１にラビング痕等のキズがつくことが防止され、また水平配向膜の材料が第１のエリアＡ１に転写されることが防止される。
【００５９】
そして図９（ｄ）に示すようにレジストパターンＲを除去すると水平配向膜（第２の配向層）４２が形成され、実施形態１の図６（ｃ）で示した構造となる。
以降の工程である、第２基板形成方法、液晶封入方法などは実施形態１と同様の方法であるため、割愛する。
【００６０】
以上のような製造方法によれば、配向層４２ｂの全面にラビング処理しても、垂直配向膜４１をレジストパターンＲで覆った状態でラビング処理しているので、垂直配向膜４１はラビング処理から保護され、垂直配向膜４１にラビング痕等のキズがつくことが防止される。また水平配向膜の材料が第１のエリアＡ１に転写されることが防止される。このことから、良好な表示品質の液晶装置を製造できる。また、実施形態１と同様に、高い生産性で液晶装置（透過型液晶装置）１を製造できる。
【００６１】
［電子機器］
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６２】
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６３】
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６４】
このように図１０に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置を備えた電子機器を提供できる。
【００６５】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクター）の構成について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１１において８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００６６】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００６７】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００６８】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００６９】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置を提供できる。
【符号の説明】
【００７０】
１…透過型液晶装置（液晶装置）、９…画素電極、１０…第１基板、１３…遮光膜、２０…第２基板、２１…共通電極、４１，６１…第１の配向層（垂直配向膜）、４２…第２の配向層（水平配向膜）、４３，６３…配向下地層、５０…液晶層、５５…ラビング装置、Ａ１…第１のエリア、Ｐ…表示領域（画素開口部）、ＢＭ…非表示領域、Ｒ…レジストパターン。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクターがある。プロジェクターにおいては高輝度、高コントラストが要求されており、その点、垂直配向方式の液晶装置は高コントラストの表示が可能で、近年、プロジェクター用の液晶装置の液晶配向方式として採用されつつある。
【０００３】
しかし、垂直配向方式では液晶が基板表面に対して垂直に立っており、電圧印加時に倒れる方位方向での相互作用が弱い。しかも、画素電位を印加すると、画素電極端から基板面に平行な方向に、横方向の電界が発生する。そのため、この横方向の電界に起因して、液晶が様々な方向に倒れてしまい、ディスクリネーションを生じることがあった。ディスクリネーションが生じると、明暗のムラやコントラストの低下、残像等の表示欠陥が視認されてしまう。
【０００４】
そのため、表示領域では液晶を垂直配向させて、良好なコントラスト特性を確保し、画素領域周辺の、主に非表示領域では液晶を水平配向させ、液晶の配向を規制することでディスクリネーションを防止することが考えられる。このような構成の液晶装置は、特許文献１に開示されており、特許文献１の液晶装置では、表示領域に垂直配向膜を形成し、非表示領域に有機材料からなる水平配向膜を形成することによって、液晶の配向を規制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１６７３９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９４５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の液晶装置では、表示領域と非表示領域に無機材料と有機材料という異種の配向膜を形成するため、表示領域と非表示領域に段差が生じやすくなり、段差に起因したディスクリネーションが発生しやすくなるという課題があった。
また、無機材料と有機材料では液晶中の不純物のひきつけやすさが異なるため、一方の材料に前記不純物が吸着しやすくなるという現象が発生した。そのため焼きつきや残像といった表示不良を抑制しづらいという課題があった。
【０００７】
また、特許文献２に記載の液晶装置では、真空紫外領域の紫外線照射をすることにより、表示領域と非表示領域に異なる配向膜を形成しているが、大面積を精度よく、かつ部分的に真空紫外領域の紫外線を照射する装置を製造することは技術的に困難な状況である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて提案されたものであり、精度よく、かつ効率的に配向膜をパターニングし、良好な表示品質の液晶装置を高い生産性で製造することができる製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第２の配向層を形成する工程と、前記非表示領域となる箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の配向層を表面改質する工程と、を有し前記第１の配向層を形成する工程は、前記レジストパターンを除去する工程と、前記配向下地層を覆って第１の配向層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、表示領域側から非表示領域側に張り出した画素電極の周縁部上（第２のエリア）には、液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成しているので、周縁上の液晶は、画素電位を印加した際に、揃った方向に配向するようになる。したがって表示領域（第１のエリア）内の液晶は、周縁部上の液晶によって配向する方向が規制され、画素電極端から基板と略平行な方向に発生する横方向電界に影響されることなく、一定の方向に配向するようになる。よって、表示領域での液晶の配向不良が防止され、ディスクリネーションが防止された液晶装置を製造することができる。
【００１１】
また、表示領域（第１のエリア）に配置された液晶は、画素電極周縁部上（第２のエリア）によって、配向する方向を規制されるようになるので、電圧が印加されていない状態で略０度に垂直配向させた場合にも、電圧を印加した際には揃った方向に倒れて配向するようになり、表示領域においてディスクリネーションが防止される。よって良好なコントラスト特性を有し、かつ表示不良が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１２】
また、液晶を所定の方位角で配向させる第２のエリアは、画素電極の非表示領域に張り出してなる周縁部上、すなわち、表示領域の外部のみに形成しているので、表示領域には、略０度に垂直配向された液晶のみが配置されるようになる。したがって画素の透過率は同一画素内で均一になり、所望の透過率とすることができる。よって透過率が所望のものとならないことに起因する各画素の表示コントラスト低下が防止された液晶装置を製造することができる。
【００１３】
また、第２の配向層を形成する工程において、第２の配向層は画素電極の全面に形成されるため、容易に液晶への配向規制力を付与させることができる。
【００１４】
また、レジストパターンの形成方法は、公知の技術を適用できるため、第１の配向層と第２の配向層を簡便に配置することができる。
【００１５】
［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することが好ましい。ここで、配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理等の手段が挙げられる。
【００１６】
このようにすれば、第１の配向層を形成した箇所と第２の配向層を形成した箇所の段差がほぼ無視できるものとなるため、段差に起因したディスクリネーションの発生を抑制することができる。
また、第１の配向層材料と第２の配向層材料は、どちらもシランカップリング剤であるため、液晶中の不純物は、一方だけの配向層材料に付着することが抑制される。そのため、焼き付きなどの表示不良を抑制することができる。
【００１７】
［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向層形成箇所と前記第２の配向層形成箇所のいずれにもレジストパターンが覆われていない状態で配向処理する工程を有することが好ましい。配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理などの手段が挙げられる。
【００１８】
このようにすれば、平坦な配向層に対して配向処理をすることができるので、配向規制力不足による表示不良を抑制することができる。
【００１９】
［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることが好ましい。
【００２０】
このようにすれば、垂直配向膜に適した長さのアルキル鎖と、水平配向膜に適した長さのアルキル鎖とを適当に形成することができる。
【００２１】
［適用例５］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第１の配向層を形成する工程と、前記第１の配向層形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第１の配向層に対して表面改質を行う工程と、前記レジストパターンを覆って第２の配向層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、第２の配向層を形成する工程において、第２の配向層材料を第１基板に配する際に、第１の配向層上はレジストパターンに覆われており、レジストパターンに付着した第２の配向層材料はレジストパターンを除去すると該レジストパターンとともに除去される。したがって、第２の配向層材料を前記レジストパターン上も含めた全面に配しても、第１の配向層上に第２の配向層材料が付着されることが防止され、第１の配向層の配向性が損なわれることが防止される。よって、液晶に電圧を印加した際に、表示領域周縁部の液晶を良好に配向させることができ、良好な表示特性の液晶装置とすることができる。また、第１の配向膜材料を前記レジストパターン上も含めて全面に配することができるので、第１の配向層を効率よく形成することができる。
【００２３】
［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することが好ましい。ここで、配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理等の手段が挙げられる。
【００２４】
このようにすれば、第１の配向層を形成した箇所と第２の配向層を形成した箇所の段差がほぼ無視できるものとなるため、段差に起因したディスクリネーションの発生を抑制することができる。
また、第１の配向層材料と第２の配向層材料は、どちらもシランカップリング剤であるため、液晶中の不純物は、一方だけの配向層材料に付着することが抑制される。そのため、焼き付きなどの表示不良を抑制することができる。
【００２５】
［適用例７］上記適用例に記載の液晶装置において、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向膜形成箇所にレジストパターンが覆われた状態で配向処理する工程を有することが好ましい。配向処理する工程としてはラビング、光配向、イオンビーム配向処理などの手段が挙げられる。
【００２６】
このようにすれば、画素電極上を前記レジストパターンで覆った状態で配向処理することができるので、画素電極が直接配向処理されることを防止できる。したがって画素電極が直接配向処理されることによる配向処理ムラが視認される等の表示不良が防止され、また、第１の配向層が直接配向処理されないため、第１の配向層が有する配向規制力が損なわれることがなく、良好なコントラスト特性を有することができる。
【００２７】
［適用例８］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることが好ましい。
【００２８】
このようにすれば、垂直配向膜に適した長さのアルキル鎖と、水平配向膜に適した長さのアルキル鎖とを適当に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る液晶装置の等価回路図。
【図２】液晶装置の表示部要部を平面視した模式図。
【図３】図２のＸ−Ｘ線断面図。
【図４】電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図。
【図５】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図６】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図７】本発明に係る実施形態１における液晶装置の製造方法の説明図。
【図８】本発明に係る実施形態２における液晶装置の製造方法の説明図。
【図９】本発明に係る実施形態２における液晶装置の製造方法の説明図。
【図１０】本発明に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図。
【図１１】本発明に係る投射型表示装置についての一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（実施形態１）
【００３１】
以下、本発明の実施形態について、TFT（Thin−Film−Transistor）素子を用いたアクティブマトリックス型の透過型液晶装置の製造方法を例に説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００３２】
まず、本発明の製造方法の説明に先立ち図１〜４を用いて本発明の製造方法によって得られる液晶装置（透過型液晶装置）１の構成を説明する。
【００３３】
図１は透過型液晶装置１のマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
図１に示すように、マトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と画素電極９への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３４】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２，・・・、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３６】
図２は、透過型液晶装置１の表示部を示す図であって、画素電極９が配された第１基板の配向膜（図示せず）が形成された面側から平面視した模式図である。液晶装置の表示部は、画素電極９（外周９ａとする）に対応してその内側に設けられた表示領域Ｐと、この表示領域Ｐ間、すなわち表示領域Ｐに囲まれた位置に設けられた非表示領域ＢＭとから構成されており、画素電極９は、その周縁部が非表示領域ＢＭに張り出して配置されている。また、少なくとも表示領域Ｐ全体を含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには第２のエリアＡ２が形成されている。
【００３７】
図３は、図２のＸ−Ｘ線断面の模式図である。図３に示すように、透過型液晶装置１は、第１基板１０と、第２基板２０と、これら基板間に挟持された液晶層５０とから構成されている。第１基板１０は、ガラス等の透明な基板１０Ａと、この基板１０Ａ上に形成された画素電極９や遮光膜１３、および第１の配向層（垂直配向膜）４１、第２の配向層（水平配向膜）４２、配向下地層４３等から構成されている。ＴＦＴ素子（図示せず）や配線（図示せず）等は遮光膜１３上に形成されており、基板１０Ａ側から入射する光が、ＴＦＴ素子等にあたることはない。また、遮光膜１３が形成されていることにより、非表示領域ＢＭが規定され、非表示領域ＢＭ間の画素開口部として表示領域Ｐが規定されている。
【００３８】
また、第１基板１０上には、少なくとも表示領域Ｐを含んで、第１のエリアＡ１が形成されており、非表示領域ＢＭには、少なくとも画素電極９の非表示領域に張り出してなる周縁部９ｂ上を含んで第２のエリアＡ２が形成されている。図３に示すように第１のエリアＡ１と第２のエリアＡ２とは連続して設けられている。また、第１のエリアＡ１に対応する画素電極９上には、第１の配向層（垂直配向膜）４１が形成されており、第２のエリアＡ２に対応する画素電極９上および遮光膜１３上には、第２の配向層（水平配向膜）４２が形成されており、第１の配向層と第２の配向層の下地として配向下地層４３が形成されている。
【００３９】
第２基板２０は、ガラス等からなる透明な基板２０Ａと、第１の配向層（垂直配向膜）６１と、配向下地層６３と共通電極２１等から構成されている。なお、第２基板側にも遮光膜１３を形成してもよい。
【００４０】
図４は、画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加したときの液晶の配向を模式的に示す図である。画素電極９と共通電極２１との間に電圧を印加すると、その間に電圧に応じて液晶層５０の液晶が配向し、透過型液晶装置１の厚さ方向に透過する光が変調され、透過型液晶装置１は階調表示が可能なものとなる。
【００４１】
このとき、本発明の透過型液晶装置１では、第２のエリアＡ２に位置する液晶５２については、電圧無印加状態において所定のプレチルト角で配向させているので、電圧を印加した場合に、揃った方向に倒れて配向する。したがって、第１のエリアＡ１に位置する液晶５１は、電圧を印加された場合に倒れる方向が液晶５２に規制され、揃った方向に配向するようになる。すなわち、第１のエリアＡ１の、第２のエリアＡ２近傍に位置する液晶は、第２のエリアＡ２の外周部となる画素電極９の周縁部９ｂ上の液晶５２の動作に大きく影響を受け、特にその倒れる方向が周縁部９ｂ上の液晶５２の倒れる方向に規制される。
これにより、第１のエリアＡ１の液晶５１は、全て揃った方向に倒れ、均一に配向するようになる。よって画素電極９の端部から第１基板１０に平行な方向に横方向電界が生じても、表示領域Ｐの液晶５１は、配向不良を生じることが防止される。
【００４２】
また、表示領域Ｐに対応する液晶５１と異なる配向となる液晶５２は、非表示領域ＢＭ内のみに配置しているので、表示領域（画素開口部）Ｐに対応する画素の透過率は液晶５１のみに規定され、均一なものとなる。したがって、画素の透過率を所望のものとすることができる。また、表示領域Ｐに対応する液晶５１は、配向不良が防止されているので、電圧無印加状態で略垂直に配向させることができる。
【００４３】
次に本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を、上記透過型液晶装置１の製造方法を例にして説明する。
【００４４】
図５〜図７は、上記透過型液晶装置１（液晶装置）の製造方法を説明する図である。
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０Ａ上にＣｒ（クロム）等からなる遮光膜１３を格子状に形成し、この遮光膜１３によって非表示領域ＢＭを規定するとともに、この非表示領域ＢＭに囲まれた領域を表示領域（画素開口部）Ｐとする。続いて、遮光膜１３上に図１に示したＴＦＴ素子３０やデータ線６ａ、走査線３ａ等の配線を形成する。次に、表示領域Ｐから非表示領域ＢＭに張り出して、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電体を用いて画素電極９を形成する。これらの工程は、公知の方法を用いることができる。
【００４５】
次に図５（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜を形成し、配向下地層４３を形成する。その後、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層４３に照射することで配向下地層４３の表面改質をする。その後、短鎖シランカップリング剤をＳｉＯ2膜上に表面処理し、配向層４２ａを形成する。この短鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばヘキサメチルジシラザン等を用いる。
【００４６】
そして、図５（ｃ）に示すように、ラビング布をローラーに巻きつけたラビング処理装置５５により、配向層４２ａの全面にラビング処理を行い、配向層４２ａに配向性を付与する。この時、後述する垂直配向膜（第１の配向層）は形成されていないため、垂直配向膜に配向性が付与されてしまう等の不都合を生じることはない。
【００４７】
次に、図６（ａ）に示すように、配向層４２ａの第２の配向層形成箇所にレジストパターンＲを形成する。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することによって、図６（ｂ）に示すように、水平配向膜（第２の配向層）４２を形成する。水平配向膜４２が形成されたことにより、水平配向膜４２上に第２のエリアＡ２が形成可能となる。また、第２のエリアＡ２間が第１のエリアＡ１として規定される。その後、水平配向膜４２を覆っているレジストパターンＲを剥離する。
【００４８】
次に、水平配向膜４２が形成された基板１０Ａの第１のエリアＡ１となる位置に垂直配向膜を形成する。まず、基板１０Ａに、例えばＮ2雰囲気にて１５０〜１８０℃程度の温度で３時間程度乾燥処理を行う。その後、基板１０Ａを、例えばデシルトリメトキシシラン溶液を有した容器とともに密閉容器内に放置する。そして、この容器を例えば１５０℃の温度で一時間加熱することによって、デシルトリメトキシシラン溶液の蒸気を基板１０Ａ上の配向下地層４３に接触させ、図６（ｃ）に示すように、垂直配向膜（第１の配向層）４１を形成する。
【００４９】
このとき、水平配向膜４２は緻密に付着しているため、水平配向膜４２上面に垂直配向膜の材料が付着することは抑制されている。
これにより、第１のエリアＡ１に垂直配向膜４１を、第２のエリアＡ２に水平配向膜４２を、それぞれ備えた第１基板１０を形成する。
【００５０】
また、第１基板１０とは別に図７（ａ）に示すように第２基板２０を形成する。この第２基板２０は、ガラス等の透明な材料からなる基板２０Ａ上に、ＩＴＯ等の透明導電体を用いて共通電極２１を形成し、この共通電極２１上に、配向下地層６３と垂直配向膜６１を形成する。共通電極２１の形成にはスパッタ法等が用いられる。配向下地層６３は例えば、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜をスピンコートにより形成した後、低圧水銀ランプやエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層６３に照射して表面改質した後にデシルトリメトキシシランを配向下地層６３上に表面処理し垂直配向膜６１とする。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０とを、垂直配向膜（第１の配向層）４１、６１および水平配向膜（第２の配向層）４２が内側になるように貼り合わせ、図７（ｃ）に示すように、第１基板１０と第２基板２０との間に、液晶層５０を封入することで、透過型液晶装置１を形成する。
【００５２】
以上のような製造方法によれば、基板１０Ａ上の全面に第１の配向層材料を表面処理しても、第２の配向層上に第１の配向層材料が付着することが抑制される。このことから、良好な表示品質の液晶装置を製造できる。また、効率的に第２の配向層４２と第１の配向層４１とを形成することができ、よって高い生産性で液晶装置（透過型液晶装置）１を製造できる。
【００５３】
なお、本実施形態では、第２のエリアＡ２を画素電極９の周縁部と画素電極９間とに連続して形成しているが、画素電極９の周縁部９ｂのみに形成しても良い。また、遮光膜１３をＣｒ等によって形成して非表示領域ＢＭを規定しているが、例えば配線電極等によって非表示領域ＢＭを規定しても良い。
（実施形態２）
【００５４】
図８、図９は、実施形態２に係る上記透過型液晶装置（液晶装置）製造方法の説明図である。本実施形態に係る液晶装置について、これらの図を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
図８（ａ）は実施形態１の図５（ａ）と同様であるため、説明を割愛する。
次に、図８（ｂ）に示すように、画素電極９が形成された基板１０Ａの画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、ゾルゲル系のＳｉＯ2膜を形成し、配向下地層４３を形成する。その後、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を配向下地層４３に照射することで配向下地層の表面改質をする。その後、長鎖シランカップリング剤をＳｉＯ2膜上に表面処理し、配向層４１ｂを形成する。この長鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばデシルトリメトキシシラン等を用いる。
【００５５】
次に、図９（ａ）に示すように、配向層４１ｂの第１の配向層形成箇所にレジストパターンＲを形成する。そして、このレジストパターンＲをマスクにして、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することによって、図９（ｂ）に示すように、垂直配向膜（第１の配向層）４１を形成する。垂直配向膜４１が形成されたことにより、垂直配向膜４１上に第１のエリアＡ１が形成可能となる。また、第１のエリアＡ１間が第２のエリアＡ２として規定される。なお、垂直配向膜４１を覆っているレジストパターンＲについては、これを除去することなく、そのままに保持しておく。
【００５６】
次に、垂直配向膜４１が形成された基板１０Ａの第２のエリアＡ２となる位置に水平配向膜を形成する。基板１０Ａに、低圧水銀ランプもしくはエキシマＵＶランプを用いて真空紫外光を照射することにより第２のエリアＡ２となる位置に形成された垂直配向膜４１は表面改質される。その後、短鎖シランカップリング剤でレジストパターンＲを覆って表面処理し、配向層４２ｂを形成する。この短鎖シランカップリング剤の材料としては、例えばヘキサメチルジシラザン等を用いる。
【００５７】
このとき、垂直配向膜４１の上面はレジストパターンＲに覆われているので、垂直配向膜４１上面に水平配向膜の材料が付着することが防止される。
【００５８】
次に図９（ｃ）に示すように、ラビング布をローラーに巻きつけたラビング処理装置５５により、配向層４２ｂの全面にラビング処理を行い、配向層４２ｂに配向性を付与する。この時、垂直配向膜４１をレジストパターンＲで覆った状態でラビング処理しているので、垂直配向膜４１はラビング処理から保護され、垂直配向膜４１にラビング痕等のキズがつくことが防止され、また水平配向膜の材料が第１のエリアＡ１に転写されることが防止される。
【００５９】
そして図９（ｄ）に示すようにレジストパターンＲを除去すると水平配向膜（第２の配向層）４２が形成され、実施形態１の図６（ｃ）で示した構造となる。
以降の工程である、第２基板形成方法、液晶封入方法などは実施形態１と同様の方法であるため、割愛する。
【００６０】
以上のような製造方法によれば、配向層４２ｂの全面にラビング処理しても、垂直配向膜４１をレジストパターンＲで覆った状態でラビング処理しているので、垂直配向膜４１はラビング処理から保護され、垂直配向膜４１にラビング痕等のキズがつくことが防止される。また水平配向膜の材料が第１のエリアＡ１に転写されることが防止される。このことから、良好な表示品質の液晶装置を製造できる。また、実施形態１と同様に、高い生産性で液晶装置（透過型液晶装置）１を製造できる。
【００６１】
［電子機器］
上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図１０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０（ａ）において、符号５００は携帯電話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６２】
図１０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１０（ｂ）において、符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードなどの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０２は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６３】
図１０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１０（ｃ）において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
【００６４】
このように図１０に示す電子機器は、表示部に上述の本発明の一例たる液晶装置を適用したものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置を備えた電子機器を提供できる。
【００６５】
［投射型表示装置］
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置（プロジェクター）の構成について、図１１を参照して説明する。図１１は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図１１において８１０は光源、８１３、８１４はダイクロイックミラー、８１５、８１６、８１７は反射ミラー、８１８は入射レンズ、８１９はリレーレンズ、８２０は出射レンズ、８２２、８２３、８２４は液晶光変調装置、８２５はクロスダイクロイックプリズム、８２６は投写レンズを示す。
【００６６】
光源８１０はメタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置８２２に入射される。
【００６７】
一方、ダイクロイックミラー８１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー８１４によって反射され、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置８２３に入射される。なお、青色光は第２のダイクロイックミラー８１４も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、出射レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられ、これを介して青色光が上述の本発明の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置８２４に入射される。
【００６８】
各光変調装置により変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投写され、画像が拡大されて表示される。
【００６９】
上記構造を有する投射型表示装置は、上述の本発明の一例たる液晶装置を備えたものであるので、高コントラストで、かつ表示品質が高い表示装置を提供できる。
【符号の説明】
【００７０】
１…透過型液晶装置（液晶装置）、９…画素電極、１０…第１基板、１３…遮光膜、２０…第２基板、２１…共通電極、４１，６１…第１の配向層（垂直配向膜）、４２…第２の配向層（水平配向膜）、４３，６３…配向下地層、５０…液晶層、５５…ラビング装置、Ａ１…第１のエリア、Ｐ…表示領域（画素開口部）、ＢＭ…非表示領域、Ｒ…レジストパターン。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第２の配向層を形成する工程と、前記非表示領域となる箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の配向層を表面改質する工程と、を有し、
前記第１の配向層を形成する工程は、前記レジストパターンを除去する工程と、前記配向下地層を覆って第１の配向層を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向層形成箇所と前記第２の配向層形成箇所のいずれにもレジストパターンが覆われていない状態で配向処理する工程を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第１の配向層を形成する工程と、前記第１の配向層形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第１の配向層に対して表面改質を行う工程と、前記レジストパターンを覆って第２の配向層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向膜形成箇所にレジストパターンが覆われた状態で配向処理する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第２の配向層を形成する工程と、前記非表示領域となる箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第２の配向層を表面改質する工程と、を有し、
前記第１の配向層を形成する工程は、前記レジストパターンを除去する工程と、前記配向下地層を覆って第１の配向層を形成する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向層形成箇所と前記第２の配向層形成箇所のいずれにもレジストパターンが覆われていない状態で配向処理する工程を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
複数の画素電極を有してなる第１基板と、該第１基板に対向して配置される第２基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、前記液晶層は初期配向状態が垂直配向を呈しかつ誘電率異方性が負の液晶によって形成され、前記画素電極に対応する位置が表示領域とされ、該表示領域間が非表示領域とされる液晶装置の製造方法であって、
前記画素電極を、前記第１基板の表示領域となる位置に形成し、かつその周縁部を前記非表示領域となる位置に張り出して形成する工程と、
前記画素電極上で、かつ少なくとも前記表示領域となる位置に、前記液晶を略垂直に配向させる第１の配向層を形成する工程と、
前記第１基板の画素電極側で、かつ前記非表示領域における、少なくとも前記液晶を所定の方位角で配向させる第２の配向層を形成する工程と、を有し、
前記第２の配向層を形成する工程は、前記画素電極が形成された第１基板の画素電極側に配向下地層を形成する工程と、前記配向下地層を覆って、前記第１の配向層を形成する工程と、前記第１の配向層形成箇所にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記第１の配向層に対して表面改質を行う工程と、前記レジストパターンを覆って第２の配向層を形成する工程と、その後に前記レジストパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の配向層を形成する工程は、長鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第１の配向層となる長鎖アルキル鎖を形成する工程を有し、前記第２の配向層を形成する工程は、短鎖アルキル基を含むシランカップリング剤を気相処理により反応させて、前記第２の配向層となる短鎖アルキル鎖を形成する工程と、前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記短鎖アルキル鎖が形成された面を一定方位方向に配向処理する工程は、前記第１の配向膜形成箇所にレジストパターンが覆われた状態で配向処理する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記長鎖アルキル鎖の炭素原子数を１０〜２０とし、前記短鎖アルキル鎖の炭素原子数を１〜３とすることを特徴とする請求項６または７に記載の液晶装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−２２５９７３（Ｐ２０１２−２２５９７３Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９０７５８（Ｐ２０１１−９０７５８）
【出願日】平成２３年４月１５日（２０１１．４．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１５日（２０１１．４．１５）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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