液晶装置及び電子機器
【課題】配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】配向膜が形成された一対の基板間に液晶５０ａを挟持する液晶装置１００であって、一対の基板の少なくとも一方の基板１０に形成された配向膜１６は、第１の膜１６１と、第１の膜１６１に積層して配置された第２の膜１６２と、を備え、第１の膜１６１の第１遅相軸と第２の膜１６２の第２遅相軸とは交差しており、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差は、概ね０になっている。
【解決手段】配向膜が形成された一対の基板間に液晶５０ａを挟持する液晶装置１００であって、一対の基板の少なくとも一方の基板１０に形成された配向膜１６は、第１の膜１６１と、第１の膜１６１に積層して配置された第２の膜１６２と、を備え、第１の膜１６１の第１遅相軸と第２の膜１６２の第２遅相軸とは交差しており、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差は、概ね０になっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、特許文献１に記載されるような液晶装置が知られている。特許文献１の液晶装置は、２枚の基板により液晶層を挟持し、各基板の内面側に、液晶層の配向を制御する配向膜を備えたものである。配向膜には、有機材料で形成された有機配向膜と、無機材料で形成された無機配向膜がある。特許文献１の液晶装置の配向膜は、斜方蒸着で形成された無機配向膜である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−４５７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配向膜の表面の有機材料又は無機材料は、液晶層の配向制御を行うために、特定の方向性を持って配向している。そのため、配向膜自体に光学異方性が生じ、表示のコントラストを低下させる場合がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された前記配向膜は、第１の膜と、前記第１の膜に積層して配置された第２の膜と、を備え、前記第１の膜の第１遅相軸と前記第２の膜の第２遅相軸とは交差しており、前記第１の膜と前記第２の膜との積層によって発現される位相差は、概ね０になっていることを特徴とする。
【０００７】
この液晶装置によれば、第１の膜の第１遅相軸と第２の膜の第２遅相軸とが交差しており、第１の膜と第２の膜との積層によって発現される位相差が概ね０になっている。そのため、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置を提供することができる。
【０００８】
前記液晶装置において、前記第１遅相軸と前記第２遅相軸とは、概ね直交していてもよい。
【０００９】
この液晶装置によれば、第１の膜の位相差と第２の膜の位相差とを確実に相殺することができる。
【００１０】
前記液晶装置において、前記第１の膜及び前記第２の膜は、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有し、前記第１の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向きとし、前記第２の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向きとしたときに、前記第１遅相軸は前記第１の長軸の向きと概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の長軸の向きと概ね直交していてもよい。
【００１１】
第１の膜と第２の膜を柱状の結晶体で形成した場合、その結晶体の長軸の方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、結晶体の長軸方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜と第２の膜の結晶体の長軸方向を特定の関係に設定することで、第１の膜と第２の膜の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００１２】
前記液晶装置において、前記第１の膜と前記第２の膜の間には、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有する第３の膜が配置され、前記第３の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向きとしたときに、前記第３の長軸の向きは、前記第１の長軸の向き及び前記第２の長軸の向きの双方の向きと異なる向きであってもよい。
【００１３】
この液晶装置によれば、第３の膜がバッファ層として機能するので、第２の膜を第１の膜に積層して配置するときの結晶体の配列の乱れを緩和することができる。すなわち、第１の膜の上に直接第２の膜の結晶体を成長させようとした場合、下地の第１の膜の結晶体の成長方向が第２の膜の結晶体の成長方向と大きく異なるため、所望の方向にうまく第２の膜の結晶体が成長しない場合がある。その場合、第１の膜の上に、結晶体の成長方向が第１の膜と第２の膜の結晶体の成長方向の中間にある第３の膜を形成し、これを下地として第２の膜を形成すれば、第２の膜の結晶体の成長方向を所望の方向に制御し易い。
【００１４】
前記液晶装置において、前記第１の長軸の向きと前記第３の長軸の向きのなす角度は、概ね４５度であってもよい。
【００１５】
この液晶装置によれば、第３の膜における第３の長軸の向きが第１の膜における第１の長軸の向きと第２の膜における第２の長軸の向きとのなす角度の概ね中央値となるので、第２の膜を第１の膜に積層して配置するときの結晶体の配列の乱れを緩和しやすくなる。
【００１６】
前記液晶装置において、前記第１の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度と前記第２の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度とを概ね等しくすることで、前記第１の膜と前記第２の膜の屈折率異方性が概ね等しくなっていてもよい。
【００１７】
この液晶装置によれば、第１の膜の結晶体の長軸が基板となす角度と第２の膜の結晶体の長軸が基板となす角度とが概ね等しいので、第１の膜の成膜条件（例えば蒸着角度）と第２の膜の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００１８】
前記液晶装置において、前記第１の膜及び前記第２の膜は、有機材料を光配向処理することにより形成されたものであり、前記第１遅相軸は前記第１の膜の配向方向と概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の膜の配向方向と概ね直交していてもよい。
【００１９】
第１の膜と第２の膜を有機材料を光配向処理することによって形成した場合、形成された膜の配向方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、形成された膜の配向方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜と第２の膜の配向方向を特定の関係に設定することで、第１の膜と第２の膜の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００２０】
前記液晶装置において、前記配向膜は、前記一対の基板の双方の基板に形成されていてもよい。
【００２１】
この液晶装置によれば、一対の基板の双方の基板に形成された配向膜全体の位相差が低減されることとなる。したがって、配向膜が一対の基板の一方の基板のみに形成されている構成に比べて、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することができる。
【００２２】
前記液晶装置において、前記第１の膜と前記第２の膜は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じであってもよい。
【００２３】
この液晶装置によれば、第１の膜の成膜条件（例えば材料、処理時間）と第２の膜の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上述した液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００２５】
この電子機器によれば、上述した液晶装置を備えているので、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る液晶装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図３】同実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。
【図４】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための斜視図である。
【図５】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図６】同実施形態に係る配向膜の微視的構造を説明するための模式図である。
【図７】第２実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。
【図８】第３実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図９】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図１０】第４実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図１１】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図１２】同実施形態に係る配向膜を作製するための光配向処理を示す断面図である。
【図１３】電子機器の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、液晶装置１００の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、液晶装置１００の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。なお、本実施形態では、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２９】
液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とを備えている。素子基板１０と対向基板２０とは、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされている。シール材５２には、液晶を注入するための開口部５５（液晶注入口）が形成されており、該開口部５５が封止材５４により封止されている。シール材５２及び封止材５４に囲まれた領域内には、液晶層５０が封入されている。シール材５２及び封止材５４の内周側に沿って平面視矩形枠状の額縁５３が形成されており、額縁５３の内側の領域が表示領域１１となっている。
【００３０】
表示領域１１の内側には、複数の画素１２がマトリクス状に設けられている。画素１２は、表示領域１１の最小表示単位を構成している。シール材５２の外側の領域には、素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２が形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３１】
素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１１の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００３２】
素子基板１０の液晶層５０側には、複数の画素電極９が配列形成されている。画素電極９は、画素１２ごとに設けられている。素子基板１０には、複数のスイッチング素子（図示略）が設けられている。スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスターにより構成され、画素１２ごとに設けられている。スイッチング素子のソース領域は、図示略のデータ線を介してデータ線駆動回路１０１と電気的に接続されている。スイッチング素子のゲート電極は、図示略の走査線を介して走査線駆動回路１０４と電気的に接続されている。スイッチング素子のドレイン領域は、画素電極９と電気的に接続されている。
【００３３】
画素電極９上には、第１配向膜１６が形成されている。対向基板２０の液晶層５０側に、額縁５３および遮光膜（図示略）が形成されている。額縁５３および遮光膜（図示略）の上に表示領域１１の全面を覆う共通電極２１が形成されている。共通電極２１上には、第２配向膜２２が形成されている。液晶層５０に電界が印加されていない状態の液晶層５０の配向状態は、第１配向膜１６および第２配向膜２２により制御されている。
【００３４】
液晶装置１００は、反射型の液晶装置として構成されている。画素電極９は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の高反射率の金属材料からなる反射電極として構成されている。共通電極２１は、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる透明電極として構成されている。
【００３５】
表示すべき画像の画像信号は、液晶装置１００の外部から外部回路実装端子１０２を介して供給される。データ線駆動回路１０１は、画像信号に含まれる画素ごとの階調値を示す画像データに基づいて、液晶層５０を駆動する駆動電圧波形をスイッチング素子に出力する。走査線駆動回路１０４は、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示すデータに基づいて、スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、スイッチング素子のオンオフを制御する。
【００３６】
スイッチング素子がオンになると、上記の駆動電圧波形が画素電極９に供給され、画素電極９に電圧が印加される。共通電極２１の電位は、例えば複数の画素１２で共通の共通電位に保持されている。液晶層５０には、画素電極９と共通電極２１との間の電位差に相当する電圧が印加される。この電圧により生じる電界によって、液晶層５０の配向状態が変化する。液晶層５０に入射した光は、液晶層５０の配向状態に応じて画素１２ごとに偏光状態が変化する。液晶層５０から射出された光を偏光板（図示略）に通すことにより、画像データに応じた階調値の光が偏光板から射出される。このようにして、画像データに対応する画像を表示することが可能になっている。
【００３７】
図２は、第１実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。なお、図２においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００３８】
液晶装置１００は、第１配向膜１６が形成された素子基板１０と第２配向膜２２が形成された対向基板２０との間に液晶５０ａを挟持した構成となっている。液晶５０ａは、第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２と第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２とによって所定のプレチルト角が付与されている。
【００３９】
第１配向膜１６は、素子基板１０上に配置された第１の膜１６１と、第１の膜１６１に積層して配置された第２の膜１６２と、を備えている。第１の膜１６１及び第２の膜１６２は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００４０】
第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜１６１及び第２の膜１６２の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。ここで、「概ね同じ厚み」とは、第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとが完全に同一ではなく、わずかな厚みの差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２の厚みは、第１の膜１６１の厚みに対して、例えば±５％程度の厚みの差は許容されることを意味している。
【００４１】
第２配向膜２２は、対向基板２０上に配置された第１の膜２２１と、第１の膜２２１に積層して配置された第２の膜２２２と、を備えている。第１の膜２２１及び第２の膜２２２は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００４２】
第２配向膜２２について、第１の膜２２１の厚みと第２の膜２２２の厚みとは、第１配向膜１６における第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとの関係と同様、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜２２１及び第２の膜２２２の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。
【００４３】
図３は、第１実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。なお、図３において、符号Ｖａ１は素子基板１０側の第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向き、符号Ｖａ２は対向基板２０側の第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向きである。また、図３においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、第１配向膜１６、第２配向膜２２、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００４４】
一対の基板１０，２０には、シリコン酸化物又は金属酸化物を物理蒸着することにより、配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜が形成されている。物理蒸着を行う方法としては、斜方蒸着法やスパッタ法等が好適である。本実施形態では、配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜は、真空蒸着法によってＳｉＯ２が斜方蒸着されて形成されている。
【００４５】
斜方蒸着については、例えば基板面から所定の角度だけ傾いた方向から蒸着を行うことにより、蒸着と同じ方位に所望の角度傾いた方向に、ＳｉＯ２のカラムを成長させ、これによって配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜のそれぞれに異方性を付与している。すなわち、一対の基板１０，２０の配向膜における第２の膜は、カラムの長軸を基板上に投影したときの基板の上面上における長軸の向きに沿うように、配向規制力を有している。
【００４６】
素子基板１０側の第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２の蒸着の向きＶａ１と対向基板２０側の第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２の蒸着の向きＶａ２とは、互いに平行であって反対の向きとなっている。したがって、これら第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２と第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２とは、互いに平行であって反対の向きに配向規制方向を有している。
【００４７】
図６は、第１実施形態に係る配向膜の微視的構造を説明するための模式図である。ここでは、第１配向膜１６と第２配向膜２２のうち第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の微視的構造を例に挙げて説明する。なお、図６においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、基板上面における所定の方向をＸ軸方向、基板上面においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向とＹ軸方向のそれぞれの直交する方向（基板上面の法線方向）をＺ軸方向とする。また、図６において、図６（ａ）は第１の膜１６１の微視的構造を示す図（Ｙ軸方向から視た図）、図６（ｂ）は図６（ａ）を基板の法線の周りに９０度だけ回転した図（Ｘ軸方向から視た図）、図６（ｃ）は第１の膜１６１及び第２の膜１６２の微視的構造を示す図（Ｘ軸方向から視た図）である。
【００４８】
第１の膜１６１は、図６（ａ）に示すように微視的に見て、無機材料が斜め方向１６１Ｄに沿って成長したカラム１６１ａを有している。ここで、斜め方向１６１Ｄは、ＸＺ平面に対して略平行な方向となる。第１の膜１６１は、微視的には、素子基板１０上において、無機材料が斜方蒸着される斜め方向１６１Ｄに沿って延びた、カラム（柱状部分）１６１ａを有している。カラム１６１ａは、素子基板１０の上面に対して所定の傾斜角度θ１をなして配置されている。ここで、傾斜角度θ１は、第１の膜１６１の結晶体１６１ａの長軸が基板となす角度である。このような構造からなる第１の膜１６１は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。
【００４９】
第２の膜１６２は、図６（ｂ）に示すように、第１の膜１６１が形成された素子基板１０を基板の法線の周りに９０度だけ回転した後、第１の膜１６１の上に形成することができる。
【００５０】
第２の膜１６２は、図６（ｃ）に示すように微視的に見て、無機材料が斜め方向１６２Ｄに沿って成長したカラム１６２ａを有している。ここで、斜め方向１６２Ｄは、ＹＺ平面に対して略平行な方向となる。第２の膜１６２は、微視的には、第１の膜１６１上において、無機材料が斜方蒸着される斜め方向１６２Ｄに沿って延びた、カラム（柱状部分）１６２ａを有している。カラム１６２ａは、第１の膜１６１の上面（素子基板１０の上面）に対して所定の傾斜角度θ２をなして配置されている。ここで、傾斜角度θ２は、第２の膜１６２の結晶体１６２ａの長軸が基板となす角度である。このような構造からなる第２の膜１６２は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。
【００５１】
本実施形態では、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度θ２とを概ね等しくすることで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の屈折率異方性が概ね等しくなっている。ここで、「傾斜角度が概ね等しい」とは、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度θ２とが完全に同一ではなく、わずかな角度の差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度は、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１に対して、例えば±５％程度の角度の差は許容されることを意味している。
【００５２】
図４は、第１実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための斜視図である。図５は、第１実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜１６と第２配向膜２２のうち第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図４において、図４（ａ）は第１の膜１６１の光学的異方性を説明するための斜視図、図４（ｂ）は第２の膜１６２の光学的異方性を説明するための斜視図である。また、図５において、図５（ａ）は第１の膜１６１の光学的異方性を説明するための平面図、図５（ｂ）は第２の膜１６２の光学的異方性を説明するための平面図である。
【００５３】
図４には、第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の屈折率楕円体における光軸方向の主屈折率が示されている。本実施形態では、第１の膜１６１において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＜ｎｙ＜ｎｚなる関係、第２の膜１６２において主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’はｎｘ’＜ｎｙ’＜ｎｚ’なる関係を満たす構成（二軸性の屈折率楕円体）とされている。すなわち、第１の膜１６１において、基板の法線方向から傾いた方向の屈折率ｎｚが他の方向の屈折率ｎｘ、ｎｙより大きく、屈折率楕円体では米粒型となる。第２の膜１６２においても、基板の法線方向から傾いた方向の屈折率ｎｚ’が他の方向の屈折率ｎｘ’、ｎｙ’より大きく、屈折率楕円体では米粒型となる。このように、第１の膜１６１及び第２の膜１６２の屈折率楕円体を二軸性の屈折率楕円体としてもよいし、これに替えて、第１の膜１６１において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚなる関係、第２の膜１６２において主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’はｎｘ’＝ｎｙ’＜ｎｚ’なる関係を満たす構成（一軸性の屈折率楕円体）としてもよい。
【００５４】
本実施形態では、第１の膜１６１における主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘと第２の膜１６２における主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’とは、それぞれ互いに概ね同じになっている。つまり、第１の膜１６１の屈折率異方性と第２の膜１６２の屈折率異方性とは、概ね同じ屈折率異方性となっている。ここで、「概ね同じ屈折率異方性」とは、第１の膜１６１の屈折率異方性と第２の膜１６２の屈折率異方性とが完全に同一ではなく、わずかな屈折率異方性の差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２の屈折率異方性は、第１の膜１６１の屈折率異方性に対して、例えば±５％程度の屈折率異方性の差は許容されることを意味している。
【００５５】
第１の膜１６１は、カラム１６１ａを形成した無機膜により、第１遅相軸１６１Ｌを有したものとなっている。第１遅相軸１６１Ｌは、図４（ａ）に示した楕円体を、基板の法線方向から視て基板上面に投影した楕円形の長軸の長さ方向に一致する。
【００５６】
第２の膜１６２は、カラム１６２ａを形成した無機膜により、第２遅相軸１６２Ｌを有したものとなっている。第２遅相軸１６２Ｌは、図４（ｂ）に示した楕円体を、基板の法線方向から視て基板上面に投影した楕円形の長軸の長さ方向に一致する。
【００５７】
図５に示すように、第１遅相軸１６１Ｌの方向は、カラム１６１ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１６１ａの長軸方向と第１遅相軸１６１Ｌとの間には一対一の関係があり、カラム１６１ａの長軸方向が決まると、第１遅相軸１６１Ｌの方向が決まる。図５では、例えば、カラム１６１ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向き１６１Ｄａとしたときに、第１遅相軸１６１Ｌは第１の長軸の向き１６１Ｄａと概ね直交している。
【００５８】
同様に、第２遅相軸１６２Ｌの方向も、カラム１６２ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１６２ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向き１６２Ｄａとしたときに、第２遅相軸１６２Ｌは第２の長軸の向き１６２Ｄａと概ね直交している。
【００５９】
第１の長軸の向き１６１Ｄａと第２の長軸の向き１６２Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとは、概ね直交している。
【００６０】
ここで、「概ね直交する」とは、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとのなす角度が９０度±５％、すなわち８５．５度以上９４．５度以下の範囲を意味している。つまり、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとが完全に９０度ではなく、わずかに斜めに交差していても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【００６１】
このように９０度に対して５％の範囲内でずれていても、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差を概ね０にすることができる。ここで、「概ね０」とは、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差が完全に相殺される場合だけでなく、製造誤差の範囲内で２つの膜の遅相軸が直交する方向から若干ずれて、配向膜全体の面内の位相差が完全には０とならない場合を含む意味である。
【００６２】
ここで、第１の膜１６１の位相差Ｒは、以下の式によって定義される。
Ｒ＝Δｎ×ｄ
ただし、Δｎは第１の膜１６１の屈折率異方性（例えば、図４（ａ）に示した第１の膜１６１の主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘを基板上面の法線方向から視て合成した屈折率）を示している。また、ｄは第１の膜１６１の厚みを示している。
【００６３】
第２の膜１６２の位相差Ｒ’は、以下の式によって定義される。
Ｒ’＝Δｎ’×ｄ’
ただし、Δｎ’は第２の膜１６２の屈折率異方性（例えば、図４（ｂ）に示した第２の膜１６２の主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’を基板上面の法線方向から視て合成した屈折率）を示している。また、ｄ’は第２の膜１６２の厚みを示している。
【００６４】
上述したように、本実施形態では、第１の膜１６１と第２の膜１６２とは、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである。そのため、第１の膜１６１の位相差Ｒと第２の膜１６２の位相差Ｒ’とは、概ね同じ位相差となる。
【００６５】
本実施形態の液晶装置１００によれば、第１の膜１６１の第１遅相軸１６１Ｌと第２の膜１６２の第２遅相軸１６２Ｌとが交差しており、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差が概ね０になっている。そのため、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置１００を提供することができる。
【００６６】
また、この構成によれば、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとが概ね直交しているので、第１の膜１６１の位相差と第２の膜１６２の位相差とを確実に相殺することができる。
【００６７】
第１の膜１６１と第２の膜１６２を柱状の結晶体で形成した場合、その結晶体の長軸の方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、結晶体の長軸方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜１６１と第２の膜１６２の結晶体の長軸方向を特定の関係に設定することで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００６８】
また、この構成によれば、第１の膜１６１のカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２のカラム１６２ａの傾斜角度θ２とを概ね等しくすることで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の屈折率異方性が概ね等しくなっている。このため、第１の膜１６１の成膜条件（例えば蒸着角度）と第２の膜１６２の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００６９】
また、この構成によれば、上述した配向膜が一対の基板の双方の基板１０，２０に形成されているので、一対の基板の双方の基板１０，２０に形成された配向膜全体の位相差が低減されることとなる。したがって、上述した配向膜が一対の基板の一方の基板のみに形成されている構成に比べて、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することができる。
【００７０】
また、この構成によれば、第１の膜１６１と第２の膜１６２は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである。そのため、第１の膜１６１の成膜条件（例えば材料、処理時間）と第２の膜１６２の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００７１】
なお、本実施形態の液晶装置１００では、第１の膜１６１と第２の膜１６２は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである構成を例に挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第１の膜１６１と第２の膜１６２の一方の膜の屈折率異方性を他方の膜の屈折率異方性よりも大きくし、屈折率異方性を大きくした一方の膜の厚みを他方の膜の厚みよりも小さくしてもよい。この場合、例えば、一方の膜の形成材料としてタンタルオキサイドを用い、他方の膜の形成材料としてＳｉＯ２を用いることができる。
【００７２】
（第２実施形態）
図７は、図３に対応した、本発明の第２実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための図である。本実施形態では、ツイストＶＡモードの液晶装置を例に挙げて説明する。なお、図７において、符号Ｖｂ１は素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜（図示略）の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向き、符号Ｖｂ２は対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜（図示略）の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向きである。また、図７においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、第１配向膜１６、第２配向膜２２、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００７３】
図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置２００は、素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜の蒸着の向きＶｂ１と対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜の蒸着の向きＶｂ２とは、ツイスト角Ｔをなしている点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図３と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７４】
このツイスト角Ｔは、１２０度である。したがって、素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜と対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜とは、ツイスト角Ｔが１２０度の向きに配向規制方向を有している。
【００７５】
本実施形態の液晶装置２００においても、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能となる。特に、ツイストＶＡモードにおいて、蒸着の向きＶｂ１，Ｖｂ２に起因するツイスト角Ｔのばらつきによってコントラスト変動が助長されることを抑制することができる。
【００７６】
（第３実施形態）
図８は、図２に対応した、本発明の第３実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。なお、図８においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００７７】
図８に示すように、本実施形態に係る液晶装置３００は、第１の膜と第２の膜との間には、バッファ層としての第３の膜が配置されている点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７８】
液晶装置３００は、第１配向膜１７が形成された素子基板１０と第２配向膜２３が形成された対向基板２０との間に液晶５０ａを挟持した構成となっている。液晶５０ａは、第１配向膜１７を構成する第２の膜１７３と第２配向膜２３を構成する第２の膜２３３とによって所定のプレチルト角が付与されている。
【００７９】
第１配向膜１７は、素子基板１０上に配置された第１の膜１７１と、第１の膜１７１上に配置された第３の膜１７２と、第３の膜１７２上に配置された第２の膜１７３とを備えている。第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００８０】
第１の膜１７１の厚みと第２の膜１７３の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。第３の膜１７２の厚みは、第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みに対して、薄い厚みとなっている。第３の膜１７２の厚みは、例えば、第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みを３０ｎｍ程度としたとき、１０ｎｍ程度に設定することができる。
【００８１】
第２配向膜２３は、対向基板２０上に配置された第１の膜２３１と、第１の膜２３１上に配置された第３の膜２３２と、第３の膜２３２上に配置された第２の膜２３３とを備えている。第１の膜２３１、第３の膜２３２及び第２の膜２３３は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００８２】
第２配向膜２３について、第１の膜２３１の厚みと第２の膜２３３の厚みとは、第１配向膜１７と同様、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。第３の膜２３２の厚みは、第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みに対して、薄い厚みとなっている。第３の膜２３２の厚みは、例えば、第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みを３０ｎｍ程度としたとき、１０ｎｍ程度に設定することができる。
【００８３】
図９は、図５に対応した、第３実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜１７と第２配向膜２３のうち第１配向膜１７を構成する第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図９において、図９（ａ）は第１の膜１７１の光学的異方性を説明するための平面図、図９（ｂ）は第３の膜１７２の光学的異方性を説明するための平面図、図９（ｃ）は第２の膜１７３の光学的異方性を説明するための平面図である。
【００８４】
図９に示すように、第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３は、微視的には、基板上において、それぞれ無機材料が斜方蒸着される斜め方向に沿って延びた、カラム（柱状部分）１７１ａ，１７２ａ，１７３ａを有している。
【００８５】
第１遅相軸１７１Ｌの方向は、カラム１７１ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１７１ａの長軸方向と第１遅相軸１７１Ｌとの関係には一対一の関係があり、カラム１７１ａの長軸方向が決まると、第１遅相軸１７１Ｌの方向が決まる。図９では、例えば、カラム１７１ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向き１７１Ｄａとしたときに、第１遅相軸１７１Ｌは第１の長軸の向き１７１Ｄａと概ね直交している。
【００８６】
同様に、第３遅相軸１７２Ｌの方向も、カラム１７２ａの長軸方向と一定の関係を持って配置されている。カラム１７２ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向き１７２Ｄａとしたときに、第３遅相軸１７２Ｌは第３の長軸の向き１７２Ｄａと概ね直交している。なお、第３の膜１７２は位相差を有しているものの、第３の膜１７２の厚みが第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みに比べて十分に薄いので、その位相差は無視できる程の大きさとなっている。
【００８７】
同様に、第２遅相軸１７３Ｌの方向も、カラム１７３ａの長軸方向と一定の関係を持って配置されている。カラム１７３ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向き１７３Ｄａとしたときに、第３遅相軸１７３Ｌは第３の長軸の向き１７３Ｄａと概ね直交している。
【００８８】
第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の長軸の向き１７３Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１７１Ｌと第２遅相軸１７３Ｌとは、概ね直交している。
【００８９】
第１の長軸の向き１７１Ｄａと第３の長軸の向き１７２Ｄａとは、概ね４５度である。
ここで、「概ね４５度」とは、第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の長軸の向き１７２Ｄａとのなす角度が４５度±５％、すなわち４２．２５度以上４７．２５度以下の範囲を意味している。つまり、第１の長軸の向き１７１Ｄａと第３の長軸の向き１７２Ｄａとが完全に４５度ではなく、第３の長軸の向き１７２Ｄａが第１の長軸の向き１７１Ｄａ及び第２の長軸の向き１７３Ｄａの双方の向きと異なっていても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【００９０】
本実施形態の液晶装置３００によれば、第３の膜１７２がバッファ層として機能するので、第２の膜１７３を第１の膜１７１に積層して配置するときのカラム１７３ａの配列の乱れを緩和することができる。すなわち、第１の膜１７１の上に直接第２の膜１７３のカラム１７３ａを成長させようとした場合、下地の第１の膜１７１のカラム１７１ａの成長方向が第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向と大きく異なるため、所望の方向にうまく第２の膜１７３のカラム１７３ａが成長しない場合がある。その場合、第１の膜１７１の上に、カラムの成長方向が第１の膜１７１のカラム１７１ａの成長方向と第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向の中間にある第３の膜１７２を形成し、これを下地として第２の膜１７３を形成すれば、第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向を所望の方向に制御し易い。
【００９１】
また、この構成によれば、第３の膜１７２における第３の長軸の向き１７２Ｄａが第１の膜１７１における第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の膜１７３における第２の長軸の向き１７３Ｄａとのなす角度の概ね中央値となるので、第２の膜１７３を第１の膜１７１に積層して配置するときのカラム１７３ａの配列の乱れを緩和しやすくなる。
【００９２】
なお、本実施形態の液晶装置３００では、第３の膜１７２を第１の膜１７１の上に斜方蒸着により形成した斜方蒸着膜としたが、これに限らない。例えば、第３の膜を第１の膜の上に垂直に蒸着させて形成する垂直蒸着膜としてもよい。これにより、第３の膜自体の持つ光学的異方性は無視できることとなる。
【００９３】
（第４実施形態）
図１０は、図２に対応した、本発明の第４実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。ここでは、第１配向膜と第２配向膜のうち第１配向膜の構成を例に挙げて説明する。なお、図１０においては、便宜上、画素電極、共通電極、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００９４】
本実施形態に係る液晶装置は、有機材料を光配向処理することにより第１の膜及び第２の膜を形成している点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９５】
図１０に示すように、第１配向膜１８は、素子基板１０上に配置された第１の膜１８１と、第１の膜１８１に積層して配置された第２の膜１８２と、を備えている。第１の膜１８１及び第２の膜１８２は、有機材料を光配向処理することによって形成されている。
【００９６】
第１の膜１８１は、微視的に見て、有機材料が斜め方向（図示略）に沿った構造となっている。このような構造からなる第１の膜１８１は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。第２の膜１８２は、微視的に見て、有機材料が斜め方向１８２Ｄに沿った構造となっている。このような構造からなる第２の膜１８２は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。第１の膜１８１の厚みと第２の膜１８２の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。
【００９７】
図１２は、第４実施形態に係る配向膜を作製するための光配向処理を示す断面図である。図１２に示すように、配向膜は、偏光紫外線ＵＶを基板１０に設けられた塗膜１８ａ（配向膜形成材料）に照射して、液晶配向を生じさせる光配向法によって形成することができる。
【００９８】
例えば、先ず、配向膜形成材料を含む液滴を基板１０上に塗布し、溶媒を乾燥させる。次に、光配向法によって所定の配向方向を持つよう基板１０上に第１の膜を形成する。その後、第１の膜の配向方向と配向方向が概ね直交するよう第１の膜の上に第２の膜を形成する。これにより、第１の膜の配向方向と第２の膜の配向方向とが概ね直交した配向膜を形成することができる。
【００９９】
この光配向法は、有機分子中の光配向機能を発現させる光配向性基、例えばアゾ基等の光異性化によるもの、シンナモイル基、クマリン基、カルコン基等の光二量化によるもの、ベンゾフェノン基等の光架橋やポリイミド樹脂等の光分解によるもの等がある。光異性化、光二量化や光架橋を利用した配向膜形成材料としては、基板１０に塗布した際に均一な膜が得られるように、側鎖や主鎖に前記のような光配向性基を導入した高分子材料が用いられる。
【０１００】
図１１は、第４実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜と第２配向膜のうち第１配向膜を構成する第１の膜１８１及び第２の膜１８２の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図１１において、図１１（ａ）は第１の膜１８１の光学的異方性を説明するための平面図、図１１（ｂ）は第２の膜１８２の光学的異方性を説明するための平面図である。
【０１０１】
図１１に示すように、第１遅相軸１８１Ｌの方向は、第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと一定の関係性を持って配置されている。第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと第１遅相軸１８１Ｌとの間には一対一の関係があり、第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａが決まると、第１遅相軸１８１Ｌの方向が決まる。第１遅相軸１８１Ｌは第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと概ね直交している。
【０１０２】
同様に、第２遅相軸１８２Ｌの方向も、第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａと一定の関係性を持って配置されている。第２遅相軸１８２Ｌは第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａと概ね直交している。
【０１０３】
第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとは、概ね直交している。
【０１０４】
ここで、「概ね直交する」とは、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとのなす角度が９０度±５％、すなわち８５．５度以上９４．５度以下の範囲を意味している。つまり、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとが完全に９０度ではなく、わずかに斜めに交差していても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【０１０５】
このように９０度に対して５％の範囲内でずれていても、第１の膜１８１と第２の膜１８２とによって発現される第１の膜１８１と第２の膜１８２との積層によって発現される位相差を概ね０にすることができる。ここで、「概ね０」とは、第１の膜１８１と第２の膜１８２との積層によって発現される位相差が完全に相殺される場合だけでなく、製造誤差の範囲内で２つの膜の遅相軸が直交する方向から若干ずれて、配向膜全体の面内の位相差が完全には０とならない場合を含む意味である。
【０１０６】
第１の膜１８１と第２の膜１８２を有機材料を光配向処理することによって形成した場合、形成された膜の配向方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、形成された膜の配向方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜１８１と第２の膜１８２の配向方向を特定の関係に設定することで、第１の膜１８１と第２の膜１８２の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【０１０７】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１３に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成されたコントラストが変動することを抑制した表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【０１０８】
上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、液晶プロジェクターのライトバルブ、高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（ＨＴＰＳ）、反射型高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（Ｒ−ＨＴＰＳ）、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）、デジタルサイネージ、ＥＶＦ（Electronic View Finder）として用いることができる。また、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた表示部を備えた電子機器を提供できる。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…素子基板、１６，１７，１８…第１配向膜、２０…対向基板、２２，２３…第２配向膜、５０…液晶層、５０ａ…液晶、１００，２００，３００…液晶装置、１６１，１７１，１８１，２２１，２３１…第１の膜、１６１ａ，１６２ａ，１７１ａ，１７２ａ，１７３ａ…カラム（結晶体）、１６１Ｄａ，１７１Ｄａ…第１の長軸の向き、１６１Ｌ，１７１Ｌ，１８１Ｌ…第１遅相軸、１６２，１７３，１８２，２２２，２３３…第２の膜、１６２Ｄａ，１７３Ｄａ…第２の長軸の向き、１６２Ｌ，１７３Ｌ，１８２Ｌ…第２遅相軸、１７２，２３２…第３の膜、１７２Ｄａ…第３の長軸の向き、１８１Ｄａ…第１の膜の配向方向、１８２Ｄａ…第２の膜の配向方向、１３００…携帯電話（電子機器）、θ１…第１の膜の結晶体の長軸が基板となす角度、θ２…第２の膜の結晶体の長軸が基板となす角度
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、特許文献１に記載されるような液晶装置が知られている。特許文献１の液晶装置は、２枚の基板により液晶層を挟持し、各基板の内面側に、液晶層の配向を制御する配向膜を備えたものである。配向膜には、有機材料で形成された有機配向膜と、無機材料で形成された無機配向膜がある。特許文献１の液晶装置の配向膜は、斜方蒸着で形成された無機配向膜である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−４５７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配向膜の表面の有機材料又は無機材料は、液晶層の配向制御を行うために、特定の方向性を持って配向している。そのため、配向膜自体に光学異方性が生じ、表示のコントラストを低下させる場合がある。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の液晶装置は、配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶装置であって、前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された前記配向膜は、第１の膜と、前記第１の膜に積層して配置された第２の膜と、を備え、前記第１の膜の第１遅相軸と前記第２の膜の第２遅相軸とは交差しており、前記第１の膜と前記第２の膜との積層によって発現される位相差は、概ね０になっていることを特徴とする。
【０００７】
この液晶装置によれば、第１の膜の第１遅相軸と第２の膜の第２遅相軸とが交差しており、第１の膜と第２の膜との積層によって発現される位相差が概ね０になっている。そのため、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置を提供することができる。
【０００８】
前記液晶装置において、前記第１遅相軸と前記第２遅相軸とは、概ね直交していてもよい。
【０００９】
この液晶装置によれば、第１の膜の位相差と第２の膜の位相差とを確実に相殺することができる。
【００１０】
前記液晶装置において、前記第１の膜及び前記第２の膜は、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有し、前記第１の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向きとし、前記第２の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向きとしたときに、前記第１遅相軸は前記第１の長軸の向きと概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の長軸の向きと概ね直交していてもよい。
【００１１】
第１の膜と第２の膜を柱状の結晶体で形成した場合、その結晶体の長軸の方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、結晶体の長軸方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜と第２の膜の結晶体の長軸方向を特定の関係に設定することで、第１の膜と第２の膜の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００１２】
前記液晶装置において、前記第１の膜と前記第２の膜の間には、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有する第３の膜が配置され、前記第３の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向きとしたときに、前記第３の長軸の向きは、前記第１の長軸の向き及び前記第２の長軸の向きの双方の向きと異なる向きであってもよい。
【００１３】
この液晶装置によれば、第３の膜がバッファ層として機能するので、第２の膜を第１の膜に積層して配置するときの結晶体の配列の乱れを緩和することができる。すなわち、第１の膜の上に直接第２の膜の結晶体を成長させようとした場合、下地の第１の膜の結晶体の成長方向が第２の膜の結晶体の成長方向と大きく異なるため、所望の方向にうまく第２の膜の結晶体が成長しない場合がある。その場合、第１の膜の上に、結晶体の成長方向が第１の膜と第２の膜の結晶体の成長方向の中間にある第３の膜を形成し、これを下地として第２の膜を形成すれば、第２の膜の結晶体の成長方向を所望の方向に制御し易い。
【００１４】
前記液晶装置において、前記第１の長軸の向きと前記第３の長軸の向きのなす角度は、概ね４５度であってもよい。
【００１５】
この液晶装置によれば、第３の膜における第３の長軸の向きが第１の膜における第１の長軸の向きと第２の膜における第２の長軸の向きとのなす角度の概ね中央値となるので、第２の膜を第１の膜に積層して配置するときの結晶体の配列の乱れを緩和しやすくなる。
【００１６】
前記液晶装置において、前記第１の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度と前記第２の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度とを概ね等しくすることで、前記第１の膜と前記第２の膜の屈折率異方性が概ね等しくなっていてもよい。
【００１７】
この液晶装置によれば、第１の膜の結晶体の長軸が基板となす角度と第２の膜の結晶体の長軸が基板となす角度とが概ね等しいので、第１の膜の成膜条件（例えば蒸着角度）と第２の膜の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００１８】
前記液晶装置において、前記第１の膜及び前記第２の膜は、有機材料を光配向処理することにより形成されたものであり、前記第１遅相軸は前記第１の膜の配向方向と概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の膜の配向方向と概ね直交していてもよい。
【００１９】
第１の膜と第２の膜を有機材料を光配向処理することによって形成した場合、形成された膜の配向方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、形成された膜の配向方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜と第２の膜の配向方向を特定の関係に設定することで、第１の膜と第２の膜の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００２０】
前記液晶装置において、前記配向膜は、前記一対の基板の双方の基板に形成されていてもよい。
【００２１】
この液晶装置によれば、一対の基板の双方の基板に形成された配向膜全体の位相差が低減されることとなる。したがって、配向膜が一対の基板の一方の基板のみに形成されている構成に比べて、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することができる。
【００２２】
前記液晶装置において、前記第１の膜と前記第２の膜は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じであってもよい。
【００２３】
この液晶装置によれば、第１の膜の成膜条件（例えば材料、処理時間）と第２の膜の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００２４】
本発明の電子機器は、上述した液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００２５】
この電子機器によれば、上述した液晶装置を備えているので、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る液晶装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】第１実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図３】同実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。
【図４】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための斜視図である。
【図５】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図６】同実施形態に係る配向膜の微視的構造を説明するための模式図である。
【図７】第２実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。
【図８】第３実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図９】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図１０】第４実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。
【図１１】同実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。
【図１２】同実施形態に係る配向膜を作製するための光配向処理を示す断面図である。
【図１３】電子機器の一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、液晶装置１００の概略構成を示す模式図である。図１（ａ）は、液晶装置１００の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。なお、本実施形態では、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置を例に挙げて説明する。
【００２９】
液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とを備えている。素子基板１０と対向基板２０とは、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされている。シール材５２には、液晶を注入するための開口部５５（液晶注入口）が形成されており、該開口部５５が封止材５４により封止されている。シール材５２及び封止材５４に囲まれた領域内には、液晶層５０が封入されている。シール材５２及び封止材５４の内周側に沿って平面視矩形枠状の額縁５３が形成されており、額縁５３の内側の領域が表示領域１１となっている。
【００３０】
表示領域１１の内側には、複数の画素１２がマトリクス状に設けられている。画素１２は、表示領域１１の最小表示単位を構成している。シール材５２の外側の領域には、素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２が形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３１】
素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１１の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００３２】
素子基板１０の液晶層５０側には、複数の画素電極９が配列形成されている。画素電極９は、画素１２ごとに設けられている。素子基板１０には、複数のスイッチング素子（図示略）が設けられている。スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスターにより構成され、画素１２ごとに設けられている。スイッチング素子のソース領域は、図示略のデータ線を介してデータ線駆動回路１０１と電気的に接続されている。スイッチング素子のゲート電極は、図示略の走査線を介して走査線駆動回路１０４と電気的に接続されている。スイッチング素子のドレイン領域は、画素電極９と電気的に接続されている。
【００３３】
画素電極９上には、第１配向膜１６が形成されている。対向基板２０の液晶層５０側に、額縁５３および遮光膜（図示略）が形成されている。額縁５３および遮光膜（図示略）の上に表示領域１１の全面を覆う共通電極２１が形成されている。共通電極２１上には、第２配向膜２２が形成されている。液晶層５０に電界が印加されていない状態の液晶層５０の配向状態は、第１配向膜１６および第２配向膜２２により制御されている。
【００３４】
液晶装置１００は、反射型の液晶装置として構成されている。画素電極９は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の高反射率の金属材料からなる反射電極として構成されている。共通電極２１は、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）等の透明導電性材料からなる透明電極として構成されている。
【００３５】
表示すべき画像の画像信号は、液晶装置１００の外部から外部回路実装端子１０２を介して供給される。データ線駆動回路１０１は、画像信号に含まれる画素ごとの階調値を示す画像データに基づいて、液晶層５０を駆動する駆動電圧波形をスイッチング素子に出力する。走査線駆動回路１０４は、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示すデータに基づいて、スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、スイッチング素子のオンオフを制御する。
【００３６】
スイッチング素子がオンになると、上記の駆動電圧波形が画素電極９に供給され、画素電極９に電圧が印加される。共通電極２１の電位は、例えば複数の画素１２で共通の共通電位に保持されている。液晶層５０には、画素電極９と共通電極２１との間の電位差に相当する電圧が印加される。この電圧により生じる電界によって、液晶層５０の配向状態が変化する。液晶層５０に入射した光は、液晶層５０の配向状態に応じて画素１２ごとに偏光状態が変化する。液晶層５０から射出された光を偏光板（図示略）に通すことにより、画像データに応じた階調値の光が偏光板から射出される。このようにして、画像データに対応する画像を表示することが可能になっている。
【００３７】
図２は、第１実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。なお、図２においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００３８】
液晶装置１００は、第１配向膜１６が形成された素子基板１０と第２配向膜２２が形成された対向基板２０との間に液晶５０ａを挟持した構成となっている。液晶５０ａは、第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２と第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２とによって所定のプレチルト角が付与されている。
【００３９】
第１配向膜１６は、素子基板１０上に配置された第１の膜１６１と、第１の膜１６１に積層して配置された第２の膜１６２と、を備えている。第１の膜１６１及び第２の膜１６２は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００４０】
第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜１６１及び第２の膜１６２の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。ここで、「概ね同じ厚み」とは、第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとが完全に同一ではなく、わずかな厚みの差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２の厚みは、第１の膜１６１の厚みに対して、例えば±５％程度の厚みの差は許容されることを意味している。
【００４１】
第２配向膜２２は、対向基板２０上に配置された第１の膜２２１と、第１の膜２２１に積層して配置された第２の膜２２２と、を備えている。第１の膜２２１及び第２の膜２２２は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００４２】
第２配向膜２２について、第１の膜２２１の厚みと第２の膜２２２の厚みとは、第１配向膜１６における第１の膜１６１の厚みと第２の膜１６２の厚みとの関係と同様、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜２２１及び第２の膜２２２の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。
【００４３】
図３は、第１実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための模式図である。なお、図３において、符号Ｖａ１は素子基板１０側の第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向き、符号Ｖａ２は対向基板２０側の第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向きである。また、図３においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、第１配向膜１６、第２配向膜２２、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００４４】
一対の基板１０，２０には、シリコン酸化物又は金属酸化物を物理蒸着することにより、配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜が形成されている。物理蒸着を行う方法としては、斜方蒸着法やスパッタ法等が好適である。本実施形態では、配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜は、真空蒸着法によってＳｉＯ２が斜方蒸着されて形成されている。
【００４５】
斜方蒸着については、例えば基板面から所定の角度だけ傾いた方向から蒸着を行うことにより、蒸着と同じ方位に所望の角度傾いた方向に、ＳｉＯ２のカラムを成長させ、これによって配向膜を構成する第１の膜及び第２の膜のそれぞれに異方性を付与している。すなわち、一対の基板１０，２０の配向膜における第２の膜は、カラムの長軸を基板上に投影したときの基板の上面上における長軸の向きに沿うように、配向規制力を有している。
【００４６】
素子基板１０側の第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２の蒸着の向きＶａ１と対向基板２０側の第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２の蒸着の向きＶａ２とは、互いに平行であって反対の向きとなっている。したがって、これら第１配向膜１６を構成する第２の膜１６２と第２配向膜２２を構成する第２の膜２２２とは、互いに平行であって反対の向きに配向規制方向を有している。
【００４７】
図６は、第１実施形態に係る配向膜の微視的構造を説明するための模式図である。ここでは、第１配向膜１６と第２配向膜２２のうち第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の微視的構造を例に挙げて説明する。なお、図６においてはＸＹＺ座標系を設定し、このＸＹＺ座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。この際、基板上面における所定の方向をＸ軸方向、基板上面においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向とＹ軸方向のそれぞれの直交する方向（基板上面の法線方向）をＺ軸方向とする。また、図６において、図６（ａ）は第１の膜１６１の微視的構造を示す図（Ｙ軸方向から視た図）、図６（ｂ）は図６（ａ）を基板の法線の周りに９０度だけ回転した図（Ｘ軸方向から視た図）、図６（ｃ）は第１の膜１６１及び第２の膜１６２の微視的構造を示す図（Ｘ軸方向から視た図）である。
【００４８】
第１の膜１６１は、図６（ａ）に示すように微視的に見て、無機材料が斜め方向１６１Ｄに沿って成長したカラム１６１ａを有している。ここで、斜め方向１６１Ｄは、ＸＺ平面に対して略平行な方向となる。第１の膜１６１は、微視的には、素子基板１０上において、無機材料が斜方蒸着される斜め方向１６１Ｄに沿って延びた、カラム（柱状部分）１６１ａを有している。カラム１６１ａは、素子基板１０の上面に対して所定の傾斜角度θ１をなして配置されている。ここで、傾斜角度θ１は、第１の膜１６１の結晶体１６１ａの長軸が基板となす角度である。このような構造からなる第１の膜１６１は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。
【００４９】
第２の膜１６２は、図６（ｂ）に示すように、第１の膜１６１が形成された素子基板１０を基板の法線の周りに９０度だけ回転した後、第１の膜１６１の上に形成することができる。
【００５０】
第２の膜１６２は、図６（ｃ）に示すように微視的に見て、無機材料が斜め方向１６２Ｄに沿って成長したカラム１６２ａを有している。ここで、斜め方向１６２Ｄは、ＹＺ平面に対して略平行な方向となる。第２の膜１６２は、微視的には、第１の膜１６１上において、無機材料が斜方蒸着される斜め方向１６２Ｄに沿って延びた、カラム（柱状部分）１６２ａを有している。カラム１６２ａは、第１の膜１６１の上面（素子基板１０の上面）に対して所定の傾斜角度θ２をなして配置されている。ここで、傾斜角度θ２は、第２の膜１６２の結晶体１６２ａの長軸が基板となす角度である。このような構造からなる第２の膜１６２は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。
【００５１】
本実施形態では、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度θ２とを概ね等しくすることで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の屈折率異方性が概ね等しくなっている。ここで、「傾斜角度が概ね等しい」とは、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度θ２とが完全に同一ではなく、わずかな角度の差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２におけるカラム１６２ａの傾斜角度は、第１の膜１６１におけるカラム１６１ａの傾斜角度θ１に対して、例えば±５％程度の角度の差は許容されることを意味している。
【００５２】
図４は、第１実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための斜視図である。図５は、第１実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜１６と第２配向膜２２のうち第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図４において、図４（ａ）は第１の膜１６１の光学的異方性を説明するための斜視図、図４（ｂ）は第２の膜１６２の光学的異方性を説明するための斜視図である。また、図５において、図５（ａ）は第１の膜１６１の光学的異方性を説明するための平面図、図５（ｂ）は第２の膜１６２の光学的異方性を説明するための平面図である。
【００５３】
図４には、第１配向膜１６を構成する第１の膜１６１及び第２の膜１６２の屈折率楕円体における光軸方向の主屈折率が示されている。本実施形態では、第１の膜１６１において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＜ｎｙ＜ｎｚなる関係、第２の膜１６２において主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’はｎｘ’＜ｎｙ’＜ｎｚ’なる関係を満たす構成（二軸性の屈折率楕円体）とされている。すなわち、第１の膜１６１において、基板の法線方向から傾いた方向の屈折率ｎｚが他の方向の屈折率ｎｘ、ｎｙより大きく、屈折率楕円体では米粒型となる。第２の膜１６２においても、基板の法線方向から傾いた方向の屈折率ｎｚ’が他の方向の屈折率ｎｘ’、ｎｙ’より大きく、屈折率楕円体では米粒型となる。このように、第１の膜１６１及び第２の膜１６２の屈折率楕円体を二軸性の屈折率楕円体としてもよいし、これに替えて、第１の膜１６１において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚなる関係、第２の膜１６２において主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’はｎｘ’＝ｎｙ’＜ｎｚ’なる関係を満たす構成（一軸性の屈折率楕円体）としてもよい。
【００５４】
本実施形態では、第１の膜１６１における主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘと第２の膜１６２における主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’とは、それぞれ互いに概ね同じになっている。つまり、第１の膜１６１の屈折率異方性と第２の膜１６２の屈折率異方性とは、概ね同じ屈折率異方性となっている。ここで、「概ね同じ屈折率異方性」とは、第１の膜１６１の屈折率異方性と第２の膜１６２の屈折率異方性とが完全に同一ではなく、わずかな屈折率異方性の差があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。具体的には、第２の膜１６２の屈折率異方性は、第１の膜１６１の屈折率異方性に対して、例えば±５％程度の屈折率異方性の差は許容されることを意味している。
【００５５】
第１の膜１６１は、カラム１６１ａを形成した無機膜により、第１遅相軸１６１Ｌを有したものとなっている。第１遅相軸１６１Ｌは、図４（ａ）に示した楕円体を、基板の法線方向から視て基板上面に投影した楕円形の長軸の長さ方向に一致する。
【００５６】
第２の膜１６２は、カラム１６２ａを形成した無機膜により、第２遅相軸１６２Ｌを有したものとなっている。第２遅相軸１６２Ｌは、図４（ｂ）に示した楕円体を、基板の法線方向から視て基板上面に投影した楕円形の長軸の長さ方向に一致する。
【００５７】
図５に示すように、第１遅相軸１６１Ｌの方向は、カラム１６１ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１６１ａの長軸方向と第１遅相軸１６１Ｌとの間には一対一の関係があり、カラム１６１ａの長軸方向が決まると、第１遅相軸１６１Ｌの方向が決まる。図５では、例えば、カラム１６１ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向き１６１Ｄａとしたときに、第１遅相軸１６１Ｌは第１の長軸の向き１６１Ｄａと概ね直交している。
【００５８】
同様に、第２遅相軸１６２Ｌの方向も、カラム１６２ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１６２ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向き１６２Ｄａとしたときに、第２遅相軸１６２Ｌは第２の長軸の向き１６２Ｄａと概ね直交している。
【００５９】
第１の長軸の向き１６１Ｄａと第２の長軸の向き１６２Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとは、概ね直交している。
【００６０】
ここで、「概ね直交する」とは、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとのなす角度が９０度±５％、すなわち８５．５度以上９４．５度以下の範囲を意味している。つまり、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとが完全に９０度ではなく、わずかに斜めに交差していても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【００６１】
このように９０度に対して５％の範囲内でずれていても、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差を概ね０にすることができる。ここで、「概ね０」とは、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差が完全に相殺される場合だけでなく、製造誤差の範囲内で２つの膜の遅相軸が直交する方向から若干ずれて、配向膜全体の面内の位相差が完全には０とならない場合を含む意味である。
【００６２】
ここで、第１の膜１６１の位相差Ｒは、以下の式によって定義される。
Ｒ＝Δｎ×ｄ
ただし、Δｎは第１の膜１６１の屈折率異方性（例えば、図４（ａ）に示した第１の膜１６１の主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘを基板上面の法線方向から視て合成した屈折率）を示している。また、ｄは第１の膜１６１の厚みを示している。
【００６３】
第２の膜１６２の位相差Ｒ’は、以下の式によって定義される。
Ｒ’＝Δｎ’×ｄ’
ただし、Δｎ’は第２の膜１６２の屈折率異方性（例えば、図４（ｂ）に示した第２の膜１６２の主屈折率ｎｘ’、ｎｙ’、ｎｘ’を基板上面の法線方向から視て合成した屈折率）を示している。また、ｄ’は第２の膜１６２の厚みを示している。
【００６４】
上述したように、本実施形態では、第１の膜１６１と第２の膜１６２とは、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである。そのため、第１の膜１６１の位相差Ｒと第２の膜１６２の位相差Ｒ’とは、概ね同じ位相差となる。
【００６５】
本実施形態の液晶装置１００によれば、第１の膜１６１の第１遅相軸１６１Ｌと第２の膜１６２の第２遅相軸１６２Ｌとが交差しており、第１の膜１６１と第２の膜１６２との積層によって発現される位相差が概ね０になっている。そのため、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能な液晶装置１００を提供することができる。
【００６６】
また、この構成によれば、第１遅相軸１６１Ｌと第２遅相軸１６２Ｌとが概ね直交しているので、第１の膜１６１の位相差と第２の膜１６２の位相差とを確実に相殺することができる。
【００６７】
第１の膜１６１と第２の膜１６２を柱状の結晶体で形成した場合、その結晶体の長軸の方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、結晶体の長軸方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜１６１と第２の膜１６２の結晶体の長軸方向を特定の関係に設定することで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【００６８】
また、この構成によれば、第１の膜１６１のカラム１６１ａの傾斜角度θ１と第２の膜１６２のカラム１６２ａの傾斜角度θ２とを概ね等しくすることで、第１の膜１６１と第２の膜１６２の屈折率異方性が概ね等しくなっている。このため、第１の膜１６１の成膜条件（例えば蒸着角度）と第２の膜１６２の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００６９】
また、この構成によれば、上述した配向膜が一対の基板の双方の基板１０，２０に形成されているので、一対の基板の双方の基板１０，２０に形成された配向膜全体の位相差が低減されることとなる。したがって、上述した配向膜が一対の基板の一方の基板のみに形成されている構成に比べて、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することができる。
【００７０】
また、この構成によれば、第１の膜１６１と第２の膜１６２は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである。そのため、第１の膜１６１の成膜条件（例えば材料、処理時間）と第２の膜１６２の成膜条件とを同じ条件で行うことができる。よって、製造が容易になる。
【００７１】
なお、本実施形態の液晶装置１００では、第１の膜１６１と第２の膜１６２は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じである構成を例に挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第１の膜１６１と第２の膜１６２の一方の膜の屈折率異方性を他方の膜の屈折率異方性よりも大きくし、屈折率異方性を大きくした一方の膜の厚みを他方の膜の厚みよりも小さくしてもよい。この場合、例えば、一方の膜の形成材料としてタンタルオキサイドを用い、他方の膜の形成材料としてＳｉＯ２を用いることができる。
【００７２】
（第２実施形態）
図７は、図３に対応した、本発明の第２実施形態に係る配向膜の蒸着方向を説明するための図である。本実施形態では、ツイストＶＡモードの液晶装置を例に挙げて説明する。なお、図７において、符号Ｖｂ１は素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜（図示略）の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向き、符号Ｖｂ２は対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜（図示略）の蒸着方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における蒸着の向きである。また、図７においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、第１配向膜１６、第２配向膜２２、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００７３】
図７に示すように、本実施形態に係る液晶装置２００は、素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜の蒸着の向きＶｂ１と対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜の蒸着の向きＶｂ２とは、ツイスト角Ｔをなしている点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図３と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７４】
このツイスト角Ｔは、１２０度である。したがって、素子基板１０側の第１配向膜を構成する第２の膜と対向基板２０側の第２配向膜を構成する第２の膜とは、ツイスト角Ｔが１２０度の向きに配向規制方向を有している。
【００７５】
本実施形態の液晶装置２００においても、配向膜自体の持つ位相差によってコントラストが低下することを抑制することが可能となる。特に、ツイストＶＡモードにおいて、蒸着の向きＶｂ１，Ｖｂ２に起因するツイスト角Ｔのばらつきによってコントラスト変動が助長されることを抑制することができる。
【００７６】
（第３実施形態）
図８は、図２に対応した、本発明の第３実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。なお、図８においては、便宜上、画素電極９、共通電極２１、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００７７】
図８に示すように、本実施形態に係る液晶装置３００は、第１の膜と第２の膜との間には、バッファ層としての第３の膜が配置されている点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７８】
液晶装置３００は、第１配向膜１７が形成された素子基板１０と第２配向膜２３が形成された対向基板２０との間に液晶５０ａを挟持した構成となっている。液晶５０ａは、第１配向膜１７を構成する第２の膜１７３と第２配向膜２３を構成する第２の膜２３３とによって所定のプレチルト角が付与されている。
【００７９】
第１配向膜１７は、素子基板１０上に配置された第１の膜１７１と、第１の膜１７１上に配置された第３の膜１７２と、第３の膜１７２上に配置された第２の膜１７３とを備えている。第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００８０】
第１の膜１７１の厚みと第２の膜１７３の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。第３の膜１７２の厚みは、第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みに対して、薄い厚みとなっている。第３の膜１７２の厚みは、例えば、第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みを３０ｎｍ程度としたとき、１０ｎｍ程度に設定することができる。
【００８１】
第２配向膜２３は、対向基板２０上に配置された第１の膜２３１と、第１の膜２３１上に配置された第３の膜２３２と、第３の膜２３２上に配置された第２の膜２３３とを備えている。第１の膜２３１、第３の膜２３２及び第２の膜２３３は、シリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）によって形成されている。結晶体の結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。
【００８２】
第２配向膜２３について、第１の膜２３１の厚みと第２の膜２３３の厚みとは、第１配向膜１７と同様、概ね同じ厚みとなっている。第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定することができる。第３の膜２３２の厚みは、第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みに対して、薄い厚みとなっている。第３の膜２３２の厚みは、例えば、第１の膜２３１及び第２の膜２３３の双方の厚みを３０ｎｍ程度としたとき、１０ｎｍ程度に設定することができる。
【００８３】
図９は、図５に対応した、第３実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜１７と第２配向膜２３のうち第１配向膜１７を構成する第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図９において、図９（ａ）は第１の膜１７１の光学的異方性を説明するための平面図、図９（ｂ）は第３の膜１７２の光学的異方性を説明するための平面図、図９（ｃ）は第２の膜１７３の光学的異方性を説明するための平面図である。
【００８４】
図９に示すように、第１の膜１７１、第３の膜１７２及び第２の膜１７３は、微視的には、基板上において、それぞれ無機材料が斜方蒸着される斜め方向に沿って延びた、カラム（柱状部分）１７１ａ，１７２ａ，１７３ａを有している。
【００８５】
第１遅相軸１７１Ｌの方向は、カラム１７１ａの長軸方向と一定の関係性を持って配置されている。カラム１７１ａの長軸方向と第１遅相軸１７１Ｌとの関係には一対一の関係があり、カラム１７１ａの長軸方向が決まると、第１遅相軸１７１Ｌの方向が決まる。図９では、例えば、カラム１７１ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向き１７１Ｄａとしたときに、第１遅相軸１７１Ｌは第１の長軸の向き１７１Ｄａと概ね直交している。
【００８６】
同様に、第３遅相軸１７２Ｌの方向も、カラム１７２ａの長軸方向と一定の関係を持って配置されている。カラム１７２ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向き１７２Ｄａとしたときに、第３遅相軸１７２Ｌは第３の長軸の向き１７２Ｄａと概ね直交している。なお、第３の膜１７２は位相差を有しているものの、第３の膜１７２の厚みが第１の膜１７１及び第２の膜１７３の双方の厚みに比べて十分に薄いので、その位相差は無視できる程の大きさとなっている。
【００８７】
同様に、第２遅相軸１７３Ｌの方向も、カラム１７３ａの長軸方向と一定の関係を持って配置されている。カラム１７３ａの長軸を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向き１７３Ｄａとしたときに、第３遅相軸１７３Ｌは第３の長軸の向き１７３Ｄａと概ね直交している。
【００８８】
第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の長軸の向き１７３Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１７１Ｌと第２遅相軸１７３Ｌとは、概ね直交している。
【００８９】
第１の長軸の向き１７１Ｄａと第３の長軸の向き１７２Ｄａとは、概ね４５度である。
ここで、「概ね４５度」とは、第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の長軸の向き１７２Ｄａとのなす角度が４５度±５％、すなわち４２．２５度以上４７．２５度以下の範囲を意味している。つまり、第１の長軸の向き１７１Ｄａと第３の長軸の向き１７２Ｄａとが完全に４５度ではなく、第３の長軸の向き１７２Ｄａが第１の長軸の向き１７１Ｄａ及び第２の長軸の向き１７３Ｄａの双方の向きと異なっていても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【００９０】
本実施形態の液晶装置３００によれば、第３の膜１７２がバッファ層として機能するので、第２の膜１７３を第１の膜１７１に積層して配置するときのカラム１７３ａの配列の乱れを緩和することができる。すなわち、第１の膜１７１の上に直接第２の膜１７３のカラム１７３ａを成長させようとした場合、下地の第１の膜１７１のカラム１７１ａの成長方向が第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向と大きく異なるため、所望の方向にうまく第２の膜１７３のカラム１７３ａが成長しない場合がある。その場合、第１の膜１７１の上に、カラムの成長方向が第１の膜１７１のカラム１７１ａの成長方向と第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向の中間にある第３の膜１７２を形成し、これを下地として第２の膜１７３を形成すれば、第２の膜１７３のカラム１７３ａの成長方向を所望の方向に制御し易い。
【００９１】
また、この構成によれば、第３の膜１７２における第３の長軸の向き１７２Ｄａが第１の膜１７１における第１の長軸の向き１７１Ｄａと第２の膜１７３における第２の長軸の向き１７３Ｄａとのなす角度の概ね中央値となるので、第２の膜１７３を第１の膜１７１に積層して配置するときのカラム１７３ａの配列の乱れを緩和しやすくなる。
【００９２】
なお、本実施形態の液晶装置３００では、第３の膜１７２を第１の膜１７１の上に斜方蒸着により形成した斜方蒸着膜としたが、これに限らない。例えば、第３の膜を第１の膜の上に垂直に蒸着させて形成する垂直蒸着膜としてもよい。これにより、第３の膜自体の持つ光学的異方性は無視できることとなる。
【００９３】
（第４実施形態）
図１０は、図２に対応した、本発明の第４実施形態に係る配向膜の概略構成を示す断面図である。ここでは、第１配向膜と第２配向膜のうち第１配向膜の構成を例に挙げて説明する。なお、図１０においては、便宜上、画素電極、共通電極、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００９４】
本実施形態に係る液晶装置は、有機材料を光配向処理することにより第１の膜及び第２の膜を形成している点で、上述の第１実施形態に係る液晶装置１００と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９５】
図１０に示すように、第１配向膜１８は、素子基板１０上に配置された第１の膜１８１と、第１の膜１８１に積層して配置された第２の膜１８２と、を備えている。第１の膜１８１及び第２の膜１８２は、有機材料を光配向処理することによって形成されている。
【００９６】
第１の膜１８１は、微視的に見て、有機材料が斜め方向（図示略）に沿った構造となっている。このような構造からなる第１の膜１８１は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。第２の膜１８２は、微視的に見て、有機材料が斜め方向１８２Ｄに沿った構造となっている。このような構造からなる第２の膜１８２は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。第１の膜１８１の厚みと第２の膜１８２の厚みとは、概ね同じ厚みとなっている。
【００９７】
図１２は、第４実施形態に係る配向膜を作製するための光配向処理を示す断面図である。図１２に示すように、配向膜は、偏光紫外線ＵＶを基板１０に設けられた塗膜１８ａ（配向膜形成材料）に照射して、液晶配向を生じさせる光配向法によって形成することができる。
【００９８】
例えば、先ず、配向膜形成材料を含む液滴を基板１０上に塗布し、溶媒を乾燥させる。次に、光配向法によって所定の配向方向を持つよう基板１０上に第１の膜を形成する。その後、第１の膜の配向方向と配向方向が概ね直交するよう第１の膜の上に第２の膜を形成する。これにより、第１の膜の配向方向と第２の膜の配向方向とが概ね直交した配向膜を形成することができる。
【００９９】
この光配向法は、有機分子中の光配向機能を発現させる光配向性基、例えばアゾ基等の光異性化によるもの、シンナモイル基、クマリン基、カルコン基等の光二量化によるもの、ベンゾフェノン基等の光架橋やポリイミド樹脂等の光分解によるもの等がある。光異性化、光二量化や光架橋を利用した配向膜形成材料としては、基板１０に塗布した際に均一な膜が得られるように、側鎖や主鎖に前記のような光配向性基を導入した高分子材料が用いられる。
【０１００】
図１１は、第４実施形態に係る配向膜の光学的異方性を説明するための平面図である。ここでは、第１配向膜と第２配向膜のうち第１配向膜を構成する第１の膜１８１及び第２の膜１８２の光学的異方性を例に挙げて説明する。なお、図１１において、図１１（ａ）は第１の膜１８１の光学的異方性を説明するための平面図、図１１（ｂ）は第２の膜１８２の光学的異方性を説明するための平面図である。
【０１０１】
図１１に示すように、第１遅相軸１８１Ｌの方向は、第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと一定の関係性を持って配置されている。第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと第１遅相軸１８１Ｌとの間には一対一の関係があり、第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａが決まると、第１遅相軸１８１Ｌの方向が決まる。第１遅相軸１８１Ｌは第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと概ね直交している。
【０１０２】
同様に、第２遅相軸１８２Ｌの方向も、第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａと一定の関係性を持って配置されている。第２遅相軸１８２Ｌは第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａと概ね直交している。
【０１０３】
第１の膜１８１の配向方向１８１Ｄａと第２の膜１８２の配向方向１８２Ｄａとは、概ね直交している。そのため、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとは、概ね直交している。
【０１０４】
ここで、「概ね直交する」とは、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとのなす角度が９０度±５％、すなわち８５．５度以上９４．５度以下の範囲を意味している。つまり、第１遅相軸１８１Ｌと第２遅相軸１８２Ｌとが完全に９０度ではなく、わずかに斜めに交差していても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【０１０５】
このように９０度に対して５％の範囲内でずれていても、第１の膜１８１と第２の膜１８２とによって発現される第１の膜１８１と第２の膜１８２との積層によって発現される位相差を概ね０にすることができる。ここで、「概ね０」とは、第１の膜１８１と第２の膜１８２との積層によって発現される位相差が完全に相殺される場合だけでなく、製造誤差の範囲内で２つの膜の遅相軸が直交する方向から若干ずれて、配向膜全体の面内の位相差が完全には０とならない場合を含む意味である。
【０１０６】
第１の膜１８１と第２の膜１８２を有機材料を光配向処理することによって形成した場合、形成された膜の配向方向とその膜に形成される遅相軸との間には一定の関係が存在し、形成された膜の配向方向が決まると遅相軸の方向も決まる。そのため、第１の膜１８１と第２の膜１８２の配向方向を特定の関係に設定することで、第１の膜１８１と第２の膜１８２の面内の位相差を相殺し、配向膜全体として位相差の小さい配向膜を形成することができる。
【０１０７】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図１３は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１３に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の液晶装置により構成されたコントラストが変動することを抑制した表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
【０１０８】
上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、液晶プロジェクターのライトバルブ、高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（ＨＴＰＳ）、反射型高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（Ｒ−ＨＴＰＳ）、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）、デジタルサイネージ、ＥＶＦ（Electronic View Finder）として用いることができる。また、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた表示部を備えた電子機器を提供できる。
【符号の説明】
【０１０９】
１０…素子基板、１６，１７，１８…第１配向膜、２０…対向基板、２２，２３…第２配向膜、５０…液晶層、５０ａ…液晶、１００，２００，３００…液晶装置、１６１，１７１，１８１，２２１，２３１…第１の膜、１６１ａ，１６２ａ，１７１ａ，１７２ａ，１７３ａ…カラム（結晶体）、１６１Ｄａ，１７１Ｄａ…第１の長軸の向き、１６１Ｌ，１７１Ｌ，１８１Ｌ…第１遅相軸、１６２，１７３，１８２，２２２，２３３…第２の膜、１６２Ｄａ，１７３Ｄａ…第２の長軸の向き、１６２Ｌ，１７３Ｌ，１８２Ｌ…第２遅相軸、１７２，２３２…第３の膜、１７２Ｄａ…第３の長軸の向き、１８１Ｄａ…第１の膜の配向方向、１８２Ｄａ…第２の膜の配向方向、１３００…携帯電話（電子機器）、θ１…第１の膜の結晶体の長軸が基板となす角度、θ２…第２の膜の結晶体の長軸が基板となす角度
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された前記配向膜は、
第１の膜と、
前記第１の膜に積層して配置された第２の膜と、を備え、
前記第１の膜の第１遅相軸と前記第２の膜の第２遅相軸とは交差しており、
前記第１の膜と前記第２の膜との積層によって発現される位相差は、概ね０になっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１遅相軸と前記第２遅相軸とは、概ね直交していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１の膜及び前記第２の膜は、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有し、
前記第１の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向きとし、前記第２の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向きとしたときに、
前記第１遅相軸は前記第１の長軸の向きと概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の長軸の向きと概ね直交していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１の膜と前記第２の膜の間には、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有する第３の膜が配置され、
前記第３の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向きとしたときに、
前記第３の長軸の向きは、前記第１の長軸の向き及び前記第２の長軸の向きの双方の向きと異なる向きであることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１の長軸の向きと前記第３の長軸の向きのなす角度は、概ね４５度であることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度と前記第２の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度とを概ね等しくすることで、前記第１の膜と前記第２の膜の屈折率異方性が概ね等しくなっていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１の膜及び前記第２の膜は、有機材料を光配向処理することにより形成されたものであり、
前記第１遅相軸は前記第１の膜の配向方向と概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の膜の配向方向と概ね直交していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜は、前記一対の基板の双方の基板に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１の膜と前記第２の膜は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
配向膜が形成された一対の基板間に液晶を挟持する液晶装置であって、
前記一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された前記配向膜は、
第１の膜と、
前記第１の膜に積層して配置された第２の膜と、を備え、
前記第１の膜の第１遅相軸と前記第２の膜の第２遅相軸とは交差しており、
前記第１の膜と前記第２の膜との積層によって発現される位相差は、概ね０になっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１遅相軸と前記第２遅相軸とは、概ね直交していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１の膜及び前記第２の膜は、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有し、
前記第１の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第１の長軸の向きとし、前記第２の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第２の長軸の向きとしたときに、
前記第１遅相軸は前記第１の長軸の向きと概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の長軸の向きと概ね直交していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１の膜と前記第２の膜の間には、前記基板の上面に対して傾斜した柱状の結晶体を有する第３の膜が配置され、
前記第３の膜の結晶体の長軸を前記基板の上面に投影したときの前記基板の上面上における長軸の向きを第３の長軸の向きとしたときに、
前記第３の長軸の向きは、前記第１の長軸の向き及び前記第２の長軸の向きの双方の向きと異なる向きであることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１の長軸の向きと前記第３の長軸の向きのなす角度は、概ね４５度であることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度と前記第２の膜の結晶体の長軸が前記基板となす角度とを概ね等しくすることで、前記第１の膜と前記第２の膜の屈折率異方性が概ね等しくなっていることを特徴とする請求項３〜５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１の膜及び前記第２の膜は、有機材料を光配向処理することにより形成されたものであり、
前記第１遅相軸は前記第１の膜の配向方向と概ね直交しており、前記第２遅相軸は前記第２の膜の配向方向と概ね直交していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜は、前記一対の基板の双方の基板に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１の膜と前記第２の膜は、屈折率異方性が概ね同じであって、厚みが概ね同じであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１０３３１３（Ｐ２０１２−１０３３１３Ａ）
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４９４５６（Ｐ２０１０−２４９４５６）
【出願日】平成２２年１１月８日（２０１０．１１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月８日（２０１０．１１．８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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