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Fターム[2H090HB03]の内容

液晶−基板、絶縁膜及び配向部材 (35,882) | 絶縁膜及び配向部材の材料 (3,803) | 母材 (3,632) | 無機材料 (844) | シリコン酸化物系 (448)

Fターム[2H090HB03]に分類される特許

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【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置100においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第1基板10側の配向膜16には、画素電極9aの端部に平面視で重なる部分に、第2基板20に向けて突出した突部16aが設けられており、液晶層50の流動は突部16aによって阻害される。突部16aは、例えば、画素電極9aの端部と配向膜16との間に設けられた膜17aの形状が配向膜16の表面に反映されてなる。 (もっと読む)


【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、素子基板10および基板本体10w(第1基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層18(第1シリケートガラス層)であり、対向基板20および基板本体20w(第2基板)側においてシール材107と接するのは、BSG膜からなるシリケートガラス層28(第2シリケートガラス層)である。シール材107で囲まれた領域で、シリケートガラス層18は、画素電極9aおよびダミー画素電極9bの非形成領域9cで液晶層50に表面を向けており、シリケートガラス層28は、共通電極21の非形成領域21cで液晶層50に表面を向けている。 (もっと読む)


【課題】光学特性に優れた透明複合基板および前記透明複合基板を備えた信頼性の高い表示素子基板を提供すること。
【解決手段】本発明の透明複合基板1は、ガラスクロス(ガラス布帛)2とガラスクロス2に含浸したアッベ数が45以上である樹脂材料3とを有する複合層4と、複合層4上に設けられたガスバリア層5と、を有し、ガスバリア層5は、SiOxNyで表され、xおよびyが0.3<x/(x+y)≦1の関係を満足するケイ素化合物で構成されている。また、ガスバリア層5を構成するケイ素化合物では、xが1≦x≦2の関係を満足し、かつyが0≦y≦1の関係を満足することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】イオン性不純物トラップ用の電極を設けなくても、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置100においては、フレーム反転駆動方式が採用されている。また、第1基板10側の配向膜16には、画素電極9aの端部に平面視で重なる部分に、配向膜16の膜厚を他の領域より薄くする凹部16aが設けられている。凹部16aが設けられている部分では、液晶層50に印加される電界が他の領域と相違しているため、電界が加わった際の液晶分子50bの姿勢が他の領域と相違している。この液晶層50での流動が阻害されるので、イオン性不純物が移動しにくい。 (もっと読む)


【課題】垂直配向型の液晶表示装置における表示均一性の向上。
【解決手段】第1基板11及び第2基板12と、第1基板に設けられた第1電極13a及び第2電極13bと、第2基板に設けられた第3電極14a及び第4電極14bと、第1基板に設けられた第1垂直配向膜15と、第2基板に設けられた第2垂直配向膜16と、第1基板と第2基板の相互間に設けられた液晶層19を含み、第1及び第2垂直配向膜の少なくとも一方は一軸配向処理されており、第1電極と第3電極は、互いに重畳した領域がドットマトリクス表示部1を構成し、第2電極と第4電極は、互いに重畳した領域がセグメント表示部2を構成し、液晶層は、例えば、誘電率異方性が負の液晶材料と、感光性樹脂モノマーを重合させた高分子体を有しており、ドットマトリクス表示部に対応する領域よりもセグメント表示部に対応する領域の方が高分子体によって付加されるプレティルト角が小さい。 (もっと読む)


【課題】製造性を損なうことなく電圧印加による電気光学物質の劣化を抑制可能とした電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、電気光学物質層を挟持して対向配置された第1基板及び第2基板と、第1基板と第2基板とを貼り合わせるシール材と、複数の画素が配列された画素領域と、画素領域とシール材との間に電極が備えられたイオントラップ部と、第1基板及び第2基板の電気光学物質層側の表面に形成された配向膜と、を有する電気光学装置であって、イオントラップ部は、電気光学物質層に直流電圧を印加する第1トラップ電極と第2トラップ電極とを有しており、第1トラップ電極と配向膜との間、及び第2トラップ電極と配向膜との間の少なくとも一方に、電気光学物質層中のイオン性不純物を吸着保持するトラップ部絶縁膜が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い水蒸気バリアー性能を有するとともに、耐水性、耐熱性及び透明性及び平滑性に優れた水蒸気バリアーフィルムとその製造方法及びその水蒸気バリアーフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】基材1上に水蒸気バリアー層2と保護層3が積層された水蒸気バリアーフィルム10(11)を製造するにあたり、ポリシラザンを含有した第1の塗布液を基材1上に塗布して乾燥した後に、真空紫外光を照射して水蒸気バリアー層2を形成する工程と、酢酸ブチルの蒸発速度を100とした時に、蒸発速度が40以下の第一溶媒と、蒸発速度が100以上の第二溶媒を含み、且つポリシロキサンを含有した第2の塗布液を水蒸気バリアー層2上に塗布して乾燥した後に、真空紫外光を照射して保護層3を形成する工程とを経るようにして、水蒸気バリアーフィルム10(11)を作製するようにした。 (もっと読む)


【課題】有機半導体層の電気的特性を確保することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】電子機器は、光源と、有機半導体層を含む薄膜トランジスタと、光源から生じた光が有機半導体層に至る経路に配置され、その有機半導体層の光吸収波長域のうちの少なくとも一部を含む波長域の光を吸収すると共にそれ以外の波長域の光を透過する光吸収透過層とを備える。 (もっと読む)


【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置用基板、及び液晶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶装置用基板200は、ウエハ200aに面付けされた一対の基板を構成する第1素子基板10a、第2素子基板10b、第1対向基板20a、及び第2対向基板20bを備え、複数の素子基板10a,10b及び複数の対向基板20a,20bは、無機配向膜を構成する柱状構造物の積層方向が互いに揃うようにウエハ200aに配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20に溝260を形成した後、第2基板20に封止膜として金属膜27を形成する。この時点では、金属膜27において溝260の開口部265と重なる領域に開口部275が形成されているが、金属膜27を加熱して溶融させると、金属膜27の開口部275が塞がれ、その結果、溝260の開口部265が金属膜27によって塞がれ、溝260の内部は中空となる。しかる後には、金属膜27のうち、溝260の外部に形成されている部分を除去する一方、溝260の内部で開口部265を塞ぐ部分を残す。従って、溝260の側面261、262を反射面として利用することができる。 (もっと読む)


【課題】透光性基板に形成した溝の開口部を高い生産性をもって塞ぐことのできる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20には、画素電極9aの間(画素間領域10f)に向けて開口する中空の溝260が形成されており、かかる溝260の開口部265は透光性絶縁膜27によって塞がれている。このため、中空の溝260の側面261、262は、溝260内の媒質(真空)と第2基板20の媒質との屈折率の差に起因する反射面となる。透光性絶縁膜27は、シランガスを用いてCVD法により成膜したシリコン酸化膜であり、溝260の奥まで透光性絶縁膜27が形成されることはない。それ故、溝260において反射面として機能する側面261、262の面積が広い。 (もっと読む)


【課題】反射部を構成する溝の構造を改良して、入射した光をより効率よく画素電極に向かわせることのできる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20の基板本体20w(透光性基板)には、隣り合う画素電極9aの間(画素間領域10f)に向けて開口する第1溝260が形成されている。また、基板本体20wの一方面20sおよび第1溝260の側面261、262には透光膜25が形成されており、かかる透光膜25によって、第1溝260と平面視で重なる領域には、第1溝260より深くて第1溝260より幅が狭い第2溝265が形成されている。このため、第2溝265の側面266、267を反射面として利用し、画素間領域10fに向かおうとする光を画素電極9aに向かわせる。 (もっと読む)


【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、溝260を中空に封止するにあたって、第1封止膜27を形成する前、溝260内に犠牲膜24を形成しておき、第1封止膜27を形成した後、第1封止膜27の貫通部275を介して犠牲膜を除去する。そして、第1封止膜27上に第2封止膜28を形成し、第1封止膜27の貫通部275を第2封止膜28で塞ぐ。このため、第1封止膜27を溝260の開口部265を塞ぐように形成することができるとともに、第1封止膜27が溝260の奥まで形成されることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】配向膜を形成する際の下地に段差が存在していても、液晶分子を適正に配向させることのできる液晶装置、投射型表示装置、および液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、第1配向膜16を形成する際、第1基板10の一方面10sに対する法線方向Lから斜めに傾いた方向から配向膜形成材料の蒸着を行い、法線方向Lから斜めに傾いた柱状構造物36からなる柱状構造物層37を形成する。また、蒸着を3回行うとともに、蒸着時の傾斜方向の方位角方向を3回の蒸着の各々において相違させ、第1柱状構造物層161、第2柱状構造物層162および第3柱状構造物層163を順次形成する。このため、柱状構造物36の傾斜方向の方位角方向が3層の柱状構造物層37の各々において相違する。 (もっと読む)


【課題】液晶層中のイオン性不純物の拡散による偏在に起因する表示ムラが低減された液晶装置、および該液晶装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層50と、一対の基板のうち一方の基板としての素子基板10に設けられた複数の画素電極15と、一対の基板のうち他方の基板としての対向基板20に複数の画素電極15と対向して設けられた対向電極23とを備え、画素電極15には凸部15bが設けられ、凸部15bに対応する部分の対向電極23に凸部23bが設けられている。液晶層50を駆動することによって生ずる液晶分子LCの流動は、凸部15bおよび凸部23bによって阻害される。したがって、液晶層50中のイオン性不純物が特定の方向に拡散して偏在することよる表示ムラが低減される。凸部の代わりに凹部を設けてもよい。 (もっと読む)


【課題】電気光学物質中のイオン性不純物を所定の位置に確実に保持しておくことができる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、素子基板10には、シール材107の封止材108が設けられている辺107aと、画像表示領域10aとの間に凹状のイオン吸着部105が形成されている。イオン吸着部105において、凹部の内面はシリコン酸化膜からなる配向膜16からなり、かかる配向膜16は、クロマトグラフィーの担体としての機能を発揮し、イオン性不純物を吸着する。 (もっと読む)


【課題】無機配向膜の配向規制力を損なうことなく、表面絶縁膜の凹部の底部を絶縁膜で覆うことのできる液晶装置の製造方法、および液晶装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置100を製造するにあたって、無機配向膜形成工程において斜方蒸着により無機配向膜16、26を形成した後、表面絶縁膜形成工程では、無機配向膜16、26の表面側に、飽和溶液からの析出を利用した液相析出法により、表面絶縁膜17、27を形成する。かかる液相析出法によれば、無機配向膜16、26の凸部16a、26aの表面、および凸部16a、26aの間に発生している凹部16b、26bの底部に略一定の膜厚で表面絶縁膜17、27が形成される。このため、表面絶縁膜17、27を形成した後も、無機配向膜16、26の凹凸形状が残るため、配向規制力を損なうことがない。また、凹部16b、26bの底部で画素電極9aや共通電極21が露出することもない。 (もっと読む)


【課題】画像表示領域内でのイオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下が発生しにくい液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、第1期間と第2期間とにおいて、素子基板10側の画素電極9aと対向基板20側の共通電極21との極性を反転させ、かかる反転駆動に対応させて、素子基板10側の第1電極81および第2電極82を駆動する。その際、対向基板20側の第3電極83に対する第1電極81の極性は、共通電極21に対する画素電極9aの極性とは反対であり、対向基板20側の第3電極83に対する第2電極82の極性は、共通電極21に対する画素電極9aの極性と同一である。 (もっと読む)


【課題】配向膜の塗布均一性が向上し、パッド上の厚い配向膜領域が無くなり、表示領域へのダメージを最小限に抑制したパッド上の配向膜のエッチングが可能となると同時に、駆動基板と透明基板間のセルギャップを均一にする。
【解決手段】駆動基板の表面の層間絶縁膜26上の平面矩形状の金点パッド23が従来のレイアウトと比較して45度回転して形成されている。ダミーパッド27及び金点パッド23の上にシリコン酸化膜28、レジスト膜29を順次被覆した後、レジスト膜29をマスクとし、金点パッド23上のシリコン酸化膜28を除去すると同時に、層間絶縁膜26が露出した三角形状領域24のシリコン酸化膜28の部分を金点パッド23をマスクとして自己整合的にエッチングする。これにより、金点パッド23から層間絶縁膜26の角にかけて金点パッド23の表面よりも高くなる箇所をなくす。 (もっと読む)


【課題】無機配向膜が水分や不純物を吸着することを抑制しながら、無機配向膜を選択的に形成することのできる液晶装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置100において、素子基板10に配向膜16を形成するにあたっては、犠牲膜形成工程において、素子基板10における配向膜16の非形成領域10hに犠牲膜18a、18bを形成した後、無機配向膜形成工程において、犠牲膜18a、18bの表面側に、シリコン酸化膜等からなる配向膜16を斜め蒸着する。次に、リフトオフ工程では、犠牲膜18a、18bを選択的にエッチングする反応性ガスによって犠牲膜18a、18bを除去する。ここで、犠牲膜18a、18bはシリコン膜であり、反応性ガスは二フッ化キセノンガスである。 (もっと読む)


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