電気光学装置および投射型表示装置
【課題】電気光学物質中のイオン性不純物を所定の位置に確実に保持しておくことができる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０には、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａと、画像表示領域１０ａとの間に凹状のイオン吸着部１０５が形成されている。イオン吸着部１０５において、凹部の内面はシリコン酸化膜からなる配向膜１６からなり、かかる配向膜１６は、クロマトグラフィーの担体としての機能を発揮し、イオン性不純物を吸着する。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０には、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａと、画像表示領域１０ａとの間に凹状のイオン吸着部１０５が形成されている。イオン吸着部１０５において、凹部の内面はシリコン酸化膜からなる配向膜１６からなり、かかる配向膜１６は、クロマトグラフィーの担体としての機能を発揮し、イオン性不純物を吸着する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が保持された電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置では、素子基板と対向基板とをシール材によって貼り合わせ、素子基板と対向基板との間のうち、シール材によって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶材料が保持されている。かかる液晶装置において、シール材からイオン性不純物が溶出すると、表示特性の劣化を招くことが知られている。そこで、素子基板の液晶層が位置する側の面に凸部を設けることにより、素子基板の表面にイオン吸着部として機能する凹凸を設けることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８３６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、素子基板に設けた凸部の外周面によってイオン性不純物を吸着する構成では、液晶材料等の電気光学物質に流動が起こった際、吸着状態が弱いイオン性不純物がイオン吸着部から容易に離脱する。このため、イオン性不純物をイオン吸着部に確実に吸着しておくことができないという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学物質中のイオン性不純物を所定の位置に確実に保持しておくことができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板の間において前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質と、を有する電気光学装置において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部を備えていることを特徴とする。
【０００７】
本発明における「電気光学装置」とは、電気信号によって光の透過状態や発光状態を切り替えることによって表示等を行う装置であって、液晶装置や電気泳動型表示装置等を例示することができる。また、電気光学物質とは、電気信号によって光の透過性や発光特性等が切り換えられる物質を意味する。
【０００８】
本発明においては、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部が設けられているため、電気光学物質中のイオン性不純物は、イオン吸着部に保持される。また、イオン吸着部は凹状であるため、表面積が広く、イオン性不純物を吸着する能力が高い。さらに、イオン吸着部は凹状であるため、イオン性不純物は、イオン吸着部の内面で保持される。従って、吸着状態が弱いイオン性不純物であっても、電気光学物質の流動等によってイオン吸着部から離脱するという事態が発生しにくいので、イオン性不純物をイオン吸着部に滞留させておきやすい。それ故、本発明によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【０００９】
本発明において、前記一対の基板は、前記電気光学物質が位置する一方面側にスイッチング素子、画素電極および該画素電極の前記電気光学物質側の面側に設けられた無機配向膜を備えた素子基板と、前記電気光学物質が位置する一方面側に無機配向膜を備えた対向基板と、からなり、前記電気光学物質は、液晶材料であり、前記イオン吸着部の前記電気光学物質側の面は、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、イオン吸着部は、無機配向膜からなるため、ポリイミド等の有機配向膜と比較してイオン性不純物を吸着しやすい。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【００１０】
本発明において、前記イオン吸着部では、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜に対して前記電気光学物質と反対側に凹部が形成され、当該凹部は、当該無機配向膜の前記電気光学物質側の面に反映されていることが好ましい。かかる構成によれば、無機配向膜自身に凹部を形成しなくても、凹状のイオン吸着部の表面が無機配向膜からなる構成を容易に実現することができる。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板に形成されている絶縁膜に形成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、比較的上層側に凹部を形成することができるので、無機配向膜を形成するまでの間に他の膜によって凹部が埋まることを防止することができるという利点がある。
【００１２】
本発明において、前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板の基板本体に形成されている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、比較的容易に深い凹部を形成することができるという利点がある。
【００１３】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも前記素子基板に設けられている構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも前記対向基板に設けられている構成を採用してもよい。対向基板であれば、素子基板と違って、配線が形成されていないか、あるいは配線がたとえ形成されている場合でも、配線が極めて少ない。従って、対向基板であれば、配線の存在を気にせずに深い凹部を最適な領域に形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも、前記画素電極が設けられた画像表示領域と、前記シール材において液晶注入口が設けられた辺との間に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、液晶注入口から液晶材料を注入する際、液晶材料に含まれているイオン性不純物をイオン吸着部によって吸着することができる。また、液晶材料を注入した後、液晶注入口を封止する封止材からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物をイオン吸着部によって吸着することができる。ここで、イオン吸着部が凸状であると、液晶材料を注入する際の抵抗となるが、本発明では、イオン吸着部が凹状であるため、液晶材料をスムーズに注入することができる。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型の表示装置として用いることができる他、例えば、投射型表示装置に適用することもできる。かかる投射型表示装置は、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＦ−Ｆ′断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の形状を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の形成方法を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した場合を中心に説明する。従って、本発明における一対の基板は、スイッチング素子、画素電極および配向膜が形成された素子基板と、配向膜が形成された対向基板とからなる。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ｈが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｇとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｇは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２６】
図３および図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２７】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３１】
図５等を参照して詳しくは後述するが、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、少なくとも一方において液晶層５０と接する面には、凹状のイオン吸着部１０５が形成されており、本形態において、凹状のイオン吸着部１０５は、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材１０７の各辺１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄのうち、封止材１０８が設けられている辺１０７ａと、画像表示領域１０ａとの間に設けられている。
【００３２】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。また、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成することができる。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３６】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３７】
図４に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３８】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３９】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００４７】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００４９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（イオン吸着部１０５の具体的構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、イオン吸着部１０５を拡大して電気光学装置１００の断面構造を模式的に示す説明図、およびイオン吸着部１０５の具体的構成例を示す説明図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の形状を模式的に示す説明図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の形成方法を模式的に示す説明図である。なお、図５（ａ）は、液晶層５０を設ける前の状態を示してある。
【００５２】
図２および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０の液晶層５０と接する一方面１０ｓ側には、その最上層にイオン吸着部１０５が形成されている。イオン吸着部１０５は、シール材１０７と画像表示領域１０ａとの間に位置する周辺領域１０ｂに設けられており、対向基板２０の遮光層２９（額縁部分２９ａ）と重なっている。また、イオン吸着部１０５は、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間に設けられ、かかる辺１０７ａに沿って帯状に延在している。なお、本形態では、図２（ｂ）に示すように、周辺領域１０ｂのうち、画像表示領域１０ａの周りにはダミー画素電極９ｂが形成されていることから、本形態において、イオン吸着部１０５は、ダミー画素電極９ｂより外側（ダミー画素電極９ｂとシール材１０７との間）に設けられている。
【００５３】
ここで、イオン吸着部１０５は、イオン吸着部１０５の周りの領域（ダミー画素電極９ｂが形成されている領域等）よりも凹んだ複数の凹部１０ｍからなり、イオン吸着部１０５は凹状に形成されている。また、イオン吸着部１０５において、凹部１０ｍの内面には、シリコン酸化膜（無機配向膜）からなる配向膜１６が積層されている。このため、イオン吸着部１０５において、液晶層５０に接する面は配向膜１６からなる。本形態では、凹状のイオン吸着部１０５を構成するにあたって、層間絶縁膜４５の表面に凹部４５ｅが形成されており、かかる凹部４５ｅの形状は、配向膜１６の表面に凹部１０ｍとして反映されている。
【００５４】
本形態において、凹部１０ｍは、例えば、図６（ａ）に示すように、イオン吸着部１０５の延在方向に沿って延在する複数本の溝として形成されている。また、図６（ｂ）に示すように、凹部１０ｍは、互いに離間する穴として形成される場合もある。いずれの場合も、凹部１０ｍの内面は、斜め上向きのテーパー面、あるいは上向きの湾曲面として形成される。
【００５５】
かかる構成のイオン吸着部１０５は、例えば、図７に示す方法により製造することができる。例えば、図７（ａ）に示すように、層間絶縁膜４５の表面を研磨等の方法で平坦化した後、層間絶縁膜４５の表面にエッチングマスク１０ｘを形成した状態で化学エッチングを行えば、サイドエッチングによって、上向きの湾曲面を備えた凹部４５ｅが形成される。また、図７（ｂ）に示すように、ハーフトーンマスク等を用いた露光技術を利用して、部位によって厚さが異なるレジストマスクからなるエッチングマスク１０ｙを形成した状態でドライエッチングを行えば、層間絶縁膜４５とともにエッチングマスク１０ｙがエッチングされる結果、斜め上向きの概ねテーパー面を備えた凹部４５ｅが形成される。さらに、図７（ｃ）に示すように、レジストによって凸部を形成した後、レジストを加熱して溶融させ、側面がテーパーになっているエッチングマスク１０ｚを形成した状態でドライエッチングを行えば、層間絶縁膜４５とともにエッチングマスク１０ｚがエッチングされる結果、斜め上向きのテーパー面を備えた凹部４５ｅが形成される。
【００５６】
従って、凹部４５ｅを形成した後、エッチングマスク１０ｘ、１０ｙ、１０ｚを除去し、次に、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂを形成した後、斜方蒸着を利用して配向膜１６を形成すれば、凹部１０ｍの内面が配向膜１６で覆われたイオン吸着部１０５を形成することができる。なお、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂを形成した後、凹部４５ｅを形成し、しかる後に、斜方蒸着等を利用して配向膜１６を形成しても、凹部１０ｍの内面が配向膜１６で覆われたイオン吸着部１０５を形成することができる。
【００５７】
なお、本形態では、図５（ｂ）と図４とを対比すればわかるように、イオン吸着部１０５の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、イオン吸着部１０５の形成領域では、画像表示領域１０ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａ、および遮光層７ａの各々を構成する導電膜と同一の導電膜８ｔ、３ｔ、５ｔ、６ｔ、７ｔがこの順に形成されている。
【００５８】
（電気光学装置１００の製造方法／液晶材料の注入工程）
本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。
【００５９】
本形態では、図４〜図７を参照して説明したように素子基板１０および対向基板２０に各構成要素を形成した後、図５（ａ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせる。次に、矢印Ｌで示すように、減圧雰囲気中でシール材１０７の液晶注入口１０７ｇから液晶材料を注入し、しかる後に、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇを封止材１０８で封止する（図２（ａ）参照）。また、所定の工程で大型基板を単品サイズの素子基板１０や対向基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０には、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間にイオン吸着部１０５が形成されている。ここで、イオン吸着部１０５は、複数の凹部１０ｍを備えているため、イオン性不純物を吸着する能力を有する。また、イオン吸着部１０５において、凹部１０ｍの内面はシリコン酸化膜からなる配向膜１６からなり、かかる配向膜１６は、クロマトグラフィーの担体としての機能を発揮し、イオン性不純物を吸着する。特に、斜方蒸着により形成した配向膜１６は、素子基板１０から対向基板２０に向けて斜めに突出した複数の凸部を備えたカラム構造を有しているため、イオン性不純物を吸着する能力が高い。さらに、イオン吸着部１０５は、複数の凹部１０ｍを備えているため、イオン吸着部１０５においては、配向膜１６の表面積が広く、イオン吸着部１０５のイオン性不純物を吸着する能力が高い。
【００６１】
このため、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇからシール材１０７の内側に液晶材料を注入する際、液晶材料にイオン性不純物が混入している場合でも、かかるイオン性不純物は、液晶材料が流動しながらイオン吸着部１０５を通過する際、イオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６２】
また、封止材１０８を硬化させた後、封止材１０８からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６３】
さらに、シール材１０７からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６４】
また、本形態において、イオン吸着部１０５は凹状であるため、イオン性不純物は、イオン吸着部１０５の内面（凹部１０ｍの内面）で保持される。このため、吸着状態が弱いイオン性不純物であっても、イオン吸着部１０５から離脱しにくいので、イオン性不純物をイオン吸着部１０５に滞留させておきやすい。それ故、本形態によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【００６５】
また、イオン吸着部１０５を凸状に形成すると、液晶材料を注入する際に抵抗となるが、本形態では、イオン吸着部１０５が凹状であるため、液晶材料をスムーズに注入することができる。さらに、イオン吸着部１０５を凸状に形成すると、対向基板２０との隙間寸法との関係から高い寸法に大きな制約があるが、凹状のイオン吸着部１０５であれば、かかる制約がない。それ故、イオン吸着部１０５を深くすることができ、表面積の広いイオン吸着部１０５を形成することができる。
【００６６】
また、凹状のイオン吸着部１０５を設けるにあたって、本形態では、配向膜１６の下層側に設けられた層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成され、かかる凹部４５ｅは、配向膜１６の表面に凹部１０ｍとして反映されている。このため、配向膜１６自身に凹部を形成しなくても、表面が配向膜１６からなる凹状のイオン吸着部１０５を構成することができる。ここで、凹状のイオン吸着部１０５を設けるにあたっては、基板本体１０ｗに凹部を設けてもよいが、本形態では、層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成されている。すなわち、本形態では、上層側に位置する層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成されている。このため、配向膜１６を形成するまでの間に他の膜によって凹部が埋まることを防止することができるという利点がある。しかも、本形態では、配向膜１６が無機配向膜であるため、配向膜として、スピンコート法で形成したポリイミド層を利用した場合と違って、凹部４５ｅが埋まりにくい。
【００６７】
また、イオン吸着部１０５では、液晶材料の配向を制御できないが、イオン吸着部１０５は、対向基板２０の遮光層２９（額縁部分２９ａ）と重なる領域に設けられているため、表示品位の低下等を発生させることがない。
【００６８】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、イオン吸着部１０５を拡大して電気光学装置１００の断面構造を模式的に示す説明図、およびイオン吸着部１０５の具体的構成例を示す説明図である。なお、図８（ａ）は、液晶層５０を設ける前の状態を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６９】
実施の形態１では、素子基板１０の液晶層５０と接する一方面１０ｓ側にイオン吸着部１０５を設けたが、本形態では、図８に示すように、対向基板２０の液晶層５０と接する一方面２０ｓ側にイオン吸着部１０５が設けられている。本形態でも、実施の形態１と同様、イオン吸着部１０５は、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間に設けられている。また、イオン吸着部１０５は、周りの領域よりも凹んだ複数の凹部２０ｍからなり、イオン吸着部１０５は凹状に形成されている。また、イオン吸着部１０５において、凹部２０ｍの内面には、シリコン酸化膜（無機配向膜）からなる配向膜２６が積層されている。
【００７０】
本形態では、凹状のイオン吸着部１０５を構成するにあたって、基板本体２０ｗの表面に凹部２０ｅが形成されており、かかる凹部２０ｅの形状は、配向膜２６の表面に凹部２０ｍとして反映されている。このため、イオン吸着部１０５において、液晶層５０に接する面は配向膜２６からなる。ここで、イオン吸着部１０５と重なる領域には、絶縁膜２８や共通電極２１が形成されていない。このため、基板本体２０ｗの表面に形成した凹部２０ｅを配向膜２６の表面に凹部２０ｍとして確実に反映されることができる。
【００７１】
なお、凹部２０ｍは、実施の形態１で説明した凹部１０ｍと同様、イオン吸着部１０５の延在方向に沿って延在する複数本の溝や、互いに離間する穴として形成されており、いずれの場合も、凹部２０ｍの内面は、斜め上向きのテーパー面、あるいは上向きの湾曲面として形成される。かかる構成のイオン吸着部１０５は、図７を参照して説明した方法により形成することができる。
【００７２】
このように構成した電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇからシール材１０７の内側に液晶材料を注入する際、液晶材料にイオン性不純物が混入している場合でも、かかるイオン性不純物は、液晶材料が流動しながらイオン吸着部１０５を通過する際、イオン吸着部１０５に吸着される。また、封止材１０８を硬化させた後、封止材１０８からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。さらに、シール材１０７からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。それ故、本形態によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下が発生しない等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７３】
また、本形態では、対向基板２０の側にイオン吸着部１０５が設けられており、かかる構成によれば、イオン吸着部１０５を最適な領域に最適なサイズで形成することができる。具体的には、素子基板１０の場合には、多数の配線が形成されているため、イオン吸着部１０５を深く形成するには、配線を避ける必要があるが、対向基板２０には配線が形成されていない。従って、イオン吸着部１０５を最適な領域に最適なサイズで形成することができる。
【００７４】
［実施の形態３］
実施の形態１では、素子基板１０にイオン吸着部１０５を設け、実施の形態２では、対向基板２０にイオン吸着部１０５を設けたが、素子基板１０および対向基板２０の双方にイオン吸着部１０５を設けてもよい。
【００７５】
［実施の形態４］
上記実施の形態では、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間のみにイオン吸着部１０５を設けたが、シール材１０７において相対向する２つの辺に沿ってイオン吸着部１０５を設けてもよく、シール材１０７の４つの辺の各々に沿ってイオン吸着部１０５を設けてもよい。かかる構成によれば、シール材１０７から溶出したイオン性不純物をイオン吸着部１０５によって確実に吸着することができる。
【００７６】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、層間絶縁膜４５のみに凹部４５ｅを形成したが、さらに下方までエッチングして深い凹部１０ｍを形成してもよい。
【００７７】
上記実施の形態では、透過型の液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用したが、反射型の液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用してもよい。
【００７８】
上記実施の形態では、シール材１０７の途切れ部分からなる液晶注入口１０７ｇから液晶材料を注入したが、シール材１０７を素子基板１０に塗布した後、その内側に液晶材料を滴下し、その後、対向基板２０を重ね、しかる後にシール材１０７を硬化させる方式の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、液晶注入口１０７ｇおよび封止材１０８が設けられないので、イオン吸着部１０５は、液晶材料に予め混入していたイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物を吸着することを目的に設けられる。
【００７９】
上記実施の形態では、液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用したが、電気泳動型表示装置、有機エレクトロルミネッセンス装置等、液晶装置以外の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８０】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図９は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８１】
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【００８２】
（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００８３】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００８４】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８６】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８７】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８８】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９０】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９３】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９４】
（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００９５】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９６】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【００９７】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００９８】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９９】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【０１００】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成してもよい。
【０１０１】
（他の電子機器等）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。また、本発明を適用した電気光学装置１００については、電子ペーパーとして用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｍ、２０ｍ・・凹部、１６・・配向膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１０５・・イオン吸着部、１０７・・シール材、１０７ｇ・・液晶注入口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に電気光学物質が保持された電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置では、素子基板と対向基板とをシール材によって貼り合わせ、素子基板と対向基板との間のうち、シール材によって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶材料が保持されている。かかる液晶装置において、シール材からイオン性不純物が溶出すると、表示特性の劣化を招くことが知られている。そこで、素子基板の液晶層が位置する側の面に凸部を設けることにより、素子基板の表面にイオン吸着部として機能する凹凸を設けることが提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２８３６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術のように、素子基板に設けた凸部の外周面によってイオン性不純物を吸着する構成では、液晶材料等の電気光学物質に流動が起こった際、吸着状態が弱いイオン性不純物がイオン吸着部から容易に離脱する。このため、イオン性不純物をイオン吸着部に確実に吸着しておくことができないという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学物質中のイオン性不純物を所定の位置に確実に保持しておくことができる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、前記一対の基板の間において前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質と、を有する電気光学装置において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部を備えていることを特徴とする。
【０００７】
本発明における「電気光学装置」とは、電気信号によって光の透過状態や発光状態を切り替えることによって表示等を行う装置であって、液晶装置や電気泳動型表示装置等を例示することができる。また、電気光学物質とは、電気信号によって光の透過性や発光特性等が切り換えられる物質を意味する。
【０００８】
本発明においては、一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部が設けられているため、電気光学物質中のイオン性不純物は、イオン吸着部に保持される。また、イオン吸着部は凹状であるため、表面積が広く、イオン性不純物を吸着する能力が高い。さらに、イオン吸着部は凹状であるため、イオン性不純物は、イオン吸着部の内面で保持される。従って、吸着状態が弱いイオン性不純物であっても、電気光学物質の流動等によってイオン吸着部から離脱するという事態が発生しにくいので、イオン性不純物をイオン吸着部に滞留させておきやすい。それ故、本発明によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【０００９】
本発明において、前記一対の基板は、前記電気光学物質が位置する一方面側にスイッチング素子、画素電極および該画素電極の前記電気光学物質側の面側に設けられた無機配向膜を備えた素子基板と、前記電気光学物質が位置する一方面側に無機配向膜を備えた対向基板と、からなり、前記電気光学物質は、液晶材料であり、前記イオン吸着部の前記電気光学物質側の面は、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜からなることが好ましい。かかる構成によれば、イオン吸着部は、無機配向膜からなるため、ポリイミド等の有機配向膜と比較してイオン性不純物を吸着しやすい。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【００１０】
本発明において、前記イオン吸着部では、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜に対して前記電気光学物質と反対側に凹部が形成され、当該凹部は、当該無機配向膜の前記電気光学物質側の面に反映されていることが好ましい。かかる構成によれば、無機配向膜自身に凹部を形成しなくても、凹状のイオン吸着部の表面が無機配向膜からなる構成を容易に実現することができる。
【００１１】
本発明において、前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板に形成されている絶縁膜に形成されている構成を採用することができる。かかる構成によれば、比較的上層側に凹部を形成することができるので、無機配向膜を形成するまでの間に他の膜によって凹部が埋まることを防止することができるという利点がある。
【００１２】
本発明において、前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板の基板本体に形成されている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、比較的容易に深い凹部を形成することができるという利点がある。
【００１３】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも前記素子基板に設けられている構成を採用することができる。
【００１４】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも前記対向基板に設けられている構成を採用してもよい。対向基板であれば、素子基板と違って、配線が形成されていないか、あるいは配線がたとえ形成されている場合でも、配線が極めて少ない。従って、対向基板であれば、配線の存在を気にせずに深い凹部を最適な領域に形成することができる。
【００１５】
本発明において、前記イオン吸着部は、少なくとも、前記画素電極が設けられた画像表示領域と、前記シール材において液晶注入口が設けられた辺との間に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、液晶注入口から液晶材料を注入する際、液晶材料に含まれているイオン性不純物をイオン吸着部によって吸着することができる。また、液晶材料を注入した後、液晶注入口を封止する封止材からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物をイオン吸着部によって吸着することができる。ここで、イオン吸着部が凸状であると、液晶材料を注入する際の抵抗となるが、本発明では、イオン吸着部が凹状であるため、液晶材料をスムーズに注入することができる。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型の表示装置として用いることができる他、例えば、投射型表示装置に適用することもできる。かかる投射型表示装置は、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に用いた素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置のＦ−Ｆ′断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の形状を模式的に示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の形成方法を模式的に示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置に設けたイオン吸着部の説明図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した場合を中心に説明する。従って、本発明における一対の基板は、スイッチング素子、画素電極および配向膜が形成された素子基板と、配向膜が形成された対向基板とからなる。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、本形態の電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有する液晶装置であり、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ｈが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｇとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｇは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２６】
図３および図４等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２７】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３１】
図５等を参照して詳しくは後述するが、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、少なくとも一方において液晶層５０と接する面には、凹状のイオン吸着部１０５が形成されており、本形態において、凹状のイオン吸着部１０５は、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材１０７の各辺１０７ａ，１０７ｂ，１０７ｃ，１０７ｄのうち、封止材１０８が設けられている辺１０７ａと、画像表示領域１０ａとの間に設けられている。
【００３２】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。また、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、電気光学装置１００を反射型の液晶装置として構成することができる。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３６】
図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３７】
図４に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３８】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３９】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００４０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００４７】
画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４８】
画素電極９ａの表面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００４９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（イオン吸着部１０５の具体的構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、イオン吸着部１０５を拡大して電気光学装置１００の断面構造を模式的に示す説明図、およびイオン吸着部１０５の具体的構成例を示す説明図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の形状を模式的に示す説明図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の形成方法を模式的に示す説明図である。なお、図５（ａ）は、液晶層５０を設ける前の状態を示してある。
【００５２】
図２および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０の液晶層５０と接する一方面１０ｓ側には、その最上層にイオン吸着部１０５が形成されている。イオン吸着部１０５は、シール材１０７と画像表示領域１０ａとの間に位置する周辺領域１０ｂに設けられており、対向基板２０の遮光層２９（額縁部分２９ａ）と重なっている。また、イオン吸着部１０５は、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間に設けられ、かかる辺１０７ａに沿って帯状に延在している。なお、本形態では、図２（ｂ）に示すように、周辺領域１０ｂのうち、画像表示領域１０ａの周りにはダミー画素電極９ｂが形成されていることから、本形態において、イオン吸着部１０５は、ダミー画素電極９ｂより外側（ダミー画素電極９ｂとシール材１０７との間）に設けられている。
【００５３】
ここで、イオン吸着部１０５は、イオン吸着部１０５の周りの領域（ダミー画素電極９ｂが形成されている領域等）よりも凹んだ複数の凹部１０ｍからなり、イオン吸着部１０５は凹状に形成されている。また、イオン吸着部１０５において、凹部１０ｍの内面には、シリコン酸化膜（無機配向膜）からなる配向膜１６が積層されている。このため、イオン吸着部１０５において、液晶層５０に接する面は配向膜１６からなる。本形態では、凹状のイオン吸着部１０５を構成するにあたって、層間絶縁膜４５の表面に凹部４５ｅが形成されており、かかる凹部４５ｅの形状は、配向膜１６の表面に凹部１０ｍとして反映されている。
【００５４】
本形態において、凹部１０ｍは、例えば、図６（ａ）に示すように、イオン吸着部１０５の延在方向に沿って延在する複数本の溝として形成されている。また、図６（ｂ）に示すように、凹部１０ｍは、互いに離間する穴として形成される場合もある。いずれの場合も、凹部１０ｍの内面は、斜め上向きのテーパー面、あるいは上向きの湾曲面として形成される。
【００５５】
かかる構成のイオン吸着部１０５は、例えば、図７に示す方法により製造することができる。例えば、図７（ａ）に示すように、層間絶縁膜４５の表面を研磨等の方法で平坦化した後、層間絶縁膜４５の表面にエッチングマスク１０ｘを形成した状態で化学エッチングを行えば、サイドエッチングによって、上向きの湾曲面を備えた凹部４５ｅが形成される。また、図７（ｂ）に示すように、ハーフトーンマスク等を用いた露光技術を利用して、部位によって厚さが異なるレジストマスクからなるエッチングマスク１０ｙを形成した状態でドライエッチングを行えば、層間絶縁膜４５とともにエッチングマスク１０ｙがエッチングされる結果、斜め上向きの概ねテーパー面を備えた凹部４５ｅが形成される。さらに、図７（ｃ）に示すように、レジストによって凸部を形成した後、レジストを加熱して溶融させ、側面がテーパーになっているエッチングマスク１０ｚを形成した状態でドライエッチングを行えば、層間絶縁膜４５とともにエッチングマスク１０ｚがエッチングされる結果、斜め上向きのテーパー面を備えた凹部４５ｅが形成される。
【００５６】
従って、凹部４５ｅを形成した後、エッチングマスク１０ｘ、１０ｙ、１０ｚを除去し、次に、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂを形成した後、斜方蒸着を利用して配向膜１６を形成すれば、凹部１０ｍの内面が配向膜１６で覆われたイオン吸着部１０５を形成することができる。なお、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂを形成した後、凹部４５ｅを形成し、しかる後に、斜方蒸着等を利用して配向膜１６を形成しても、凹部１０ｍの内面が配向膜１６で覆われたイオン吸着部１０５を形成することができる。
【００５７】
なお、本形態では、図５（ｂ）と図４とを対比すればわかるように、イオン吸着部１０５の形成領域では、基板本体１０ｗの一方面側に絶縁膜１２、ゲート絶縁層２の第２ゲート絶縁層２ｂ、層間絶縁膜４１、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４４、および層間絶縁膜４５がこの順に形成されている。また、イオン吸着部１０５の形成領域では、画像表示領域１０ａとの高さ寸法を調整すること等を目的に、画素１００ａの遮光層８ａ、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａ、および遮光層７ａの各々を構成する導電膜と同一の導電膜８ｔ、３ｔ、５ｔ、６ｔ、７ｔがこの順に形成されている。
【００５８】
（電気光学装置１００の製造方法／液晶材料の注入工程）
本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００を製造するにあたっては、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板の状態で途中の工程までを行い、その後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。
【００５９】
本形態では、図４〜図７を参照して説明したように素子基板１０および対向基板２０に各構成要素を形成した後、図５（ａ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせる。次に、矢印Ｌで示すように、減圧雰囲気中でシール材１０７の液晶注入口１０７ｇから液晶材料を注入し、しかる後に、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇを封止材１０８で封止する（図２（ａ）参照）。また、所定の工程で大型基板を単品サイズの素子基板１０や対向基板２０に切断すれば、図２等を参照して説明した単品サイズの液晶パネル１００ｐを得ることができる。
【００６０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、素子基板１０には、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間にイオン吸着部１０５が形成されている。ここで、イオン吸着部１０５は、複数の凹部１０ｍを備えているため、イオン性不純物を吸着する能力を有する。また、イオン吸着部１０５において、凹部１０ｍの内面はシリコン酸化膜からなる配向膜１６からなり、かかる配向膜１６は、クロマトグラフィーの担体としての機能を発揮し、イオン性不純物を吸着する。特に、斜方蒸着により形成した配向膜１６は、素子基板１０から対向基板２０に向けて斜めに突出した複数の凸部を備えたカラム構造を有しているため、イオン性不純物を吸着する能力が高い。さらに、イオン吸着部１０５は、複数の凹部１０ｍを備えているため、イオン吸着部１０５においては、配向膜１６の表面積が広く、イオン吸着部１０５のイオン性不純物を吸着する能力が高い。
【００６１】
このため、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇからシール材１０７の内側に液晶材料を注入する際、液晶材料にイオン性不純物が混入している場合でも、かかるイオン性不純物は、液晶材料が流動しながらイオン吸着部１０５を通過する際、イオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６２】
また、封止材１０８を硬化させた後、封止材１０８からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６３】
さらに、シール材１０７からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。
【００６４】
また、本形態において、イオン吸着部１０５は凹状であるため、イオン性不純物は、イオン吸着部１０５の内面（凹部１０ｍの内面）で保持される。このため、吸着状態が弱いイオン性不純物であっても、イオン吸着部１０５から離脱しにくいので、イオン性不純物をイオン吸着部１０５に滞留させておきやすい。それ故、本形態によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下等が発生しにくい。
【００６５】
また、イオン吸着部１０５を凸状に形成すると、液晶材料を注入する際に抵抗となるが、本形態では、イオン吸着部１０５が凹状であるため、液晶材料をスムーズに注入することができる。さらに、イオン吸着部１０５を凸状に形成すると、対向基板２０との隙間寸法との関係から高い寸法に大きな制約があるが、凹状のイオン吸着部１０５であれば、かかる制約がない。それ故、イオン吸着部１０５を深くすることができ、表面積の広いイオン吸着部１０５を形成することができる。
【００６６】
また、凹状のイオン吸着部１０５を設けるにあたって、本形態では、配向膜１６の下層側に設けられた層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成され、かかる凹部４５ｅは、配向膜１６の表面に凹部１０ｍとして反映されている。このため、配向膜１６自身に凹部を形成しなくても、表面が配向膜１６からなる凹状のイオン吸着部１０５を構成することができる。ここで、凹状のイオン吸着部１０５を設けるにあたっては、基板本体１０ｗに凹部を設けてもよいが、本形態では、層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成されている。すなわち、本形態では、上層側に位置する層間絶縁膜４５に凹部４５ｅが形成されている。このため、配向膜１６を形成するまでの間に他の膜によって凹部が埋まることを防止することができるという利点がある。しかも、本形態では、配向膜１６が無機配向膜であるため、配向膜として、スピンコート法で形成したポリイミド層を利用した場合と違って、凹部４５ｅが埋まりにくい。
【００６７】
また、イオン吸着部１０５では、液晶材料の配向を制御できないが、イオン吸着部１０５は、対向基板２０の遮光層２９（額縁部分２９ａ）と重なる領域に設けられているため、表示品位の低下等を発生させることがない。
【００６８】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００に設けたイオン吸着部１０５の説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、イオン吸着部１０５を拡大して電気光学装置１００の断面構造を模式的に示す説明図、およびイオン吸着部１０５の具体的構成例を示す説明図である。なお、図８（ａ）は、液晶層５０を設ける前の状態を示してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６９】
実施の形態１では、素子基板１０の液晶層５０と接する一方面１０ｓ側にイオン吸着部１０５を設けたが、本形態では、図８に示すように、対向基板２０の液晶層５０と接する一方面２０ｓ側にイオン吸着部１０５が設けられている。本形態でも、実施の形態１と同様、イオン吸着部１０５は、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間に設けられている。また、イオン吸着部１０５は、周りの領域よりも凹んだ複数の凹部２０ｍからなり、イオン吸着部１０５は凹状に形成されている。また、イオン吸着部１０５において、凹部２０ｍの内面には、シリコン酸化膜（無機配向膜）からなる配向膜２６が積層されている。
【００７０】
本形態では、凹状のイオン吸着部１０５を構成するにあたって、基板本体２０ｗの表面に凹部２０ｅが形成されており、かかる凹部２０ｅの形状は、配向膜２６の表面に凹部２０ｍとして反映されている。このため、イオン吸着部１０５において、液晶層５０に接する面は配向膜２６からなる。ここで、イオン吸着部１０５と重なる領域には、絶縁膜２８や共通電極２１が形成されていない。このため、基板本体２０ｗの表面に形成した凹部２０ｅを配向膜２６の表面に凹部２０ｍとして確実に反映されることができる。
【００７１】
なお、凹部２０ｍは、実施の形態１で説明した凹部１０ｍと同様、イオン吸着部１０５の延在方向に沿って延在する複数本の溝や、互いに離間する穴として形成されており、いずれの場合も、凹部２０ｍの内面は、斜め上向きのテーパー面、あるいは上向きの湾曲面として形成される。かかる構成のイオン吸着部１０５は、図７を参照して説明した方法により形成することができる。
【００７２】
このように構成した電気光学装置１００においても、実施の形態１と同様、シール材１０７の液晶注入口１０７ｇからシール材１０７の内側に液晶材料を注入する際、液晶材料にイオン性不純物が混入している場合でも、かかるイオン性不純物は、液晶材料が流動しながらイオン吸着部１０５を通過する際、イオン吸着部１０５に吸着される。また、封止材１０８を硬化させた後、封止材１０８からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。さらに、シール材１０７からイオン性不純物が溶出した場合でも、かかるイオン性不純物は、画像表示領域１０ａに向かう途中でイオン吸着部１０５に吸着される。従って、画像表示領域１０ａにはイオン性不純物が侵入しにくい。それ故、本形態によれば、イオン性不純物に起因する表示品位の低下が発生しない等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７３】
また、本形態では、対向基板２０の側にイオン吸着部１０５が設けられており、かかる構成によれば、イオン吸着部１０５を最適な領域に最適なサイズで形成することができる。具体的には、素子基板１０の場合には、多数の配線が形成されているため、イオン吸着部１０５を深く形成するには、配線を避ける必要があるが、対向基板２０には配線が形成されていない。従って、イオン吸着部１０５を最適な領域に最適なサイズで形成することができる。
【００７４】
［実施の形態３］
実施の形態１では、素子基板１０にイオン吸着部１０５を設け、実施の形態２では、対向基板２０にイオン吸着部１０５を設けたが、素子基板１０および対向基板２０の双方にイオン吸着部１０５を設けてもよい。
【００７５】
［実施の形態４］
上記実施の形態では、シール材１０７の封止材１０８が設けられている辺１０７ａ（液晶注入口１０７ｇが設けられている辺１０７ａ）と、画像表示領域１０ａとの間のみにイオン吸着部１０５を設けたが、シール材１０７において相対向する２つの辺に沿ってイオン吸着部１０５を設けてもよく、シール材１０７の４つの辺の各々に沿ってイオン吸着部１０５を設けてもよい。かかる構成によれば、シール材１０７から溶出したイオン性不純物をイオン吸着部１０５によって確実に吸着することができる。
【００７６】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、層間絶縁膜４５のみに凹部４５ｅを形成したが、さらに下方までエッチングして深い凹部１０ｍを形成してもよい。
【００７７】
上記実施の形態では、透過型の液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用したが、反射型の液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用してもよい。
【００７８】
上記実施の形態では、シール材１０７の途切れ部分からなる液晶注入口１０７ｇから液晶材料を注入したが、シール材１０７を素子基板１０に塗布した後、その内側に液晶材料を滴下し、その後、対向基板２０を重ね、しかる後にシール材１０７を硬化させる方式の電気光学装置１００に本発明を適用してもよい。この場合、液晶注入口１０７ｇおよび封止材１０８が設けられないので、イオン吸着部１０５は、液晶材料に予め混入していたイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物を吸着することを目的に設けられる。
【００７９】
上記実施の形態では、液晶装置（電気光学装置１００）に本発明を適用したが、電気泳動型表示装置、有機エレクトロルミネッセンス装置等、液晶装置以外の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８０】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図９は、本発明を適用した投射型表示装置および光学ユニットの概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８１】
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、液晶パネルとして透過型の液晶パネルを用いた例であるのに対して、図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、液晶パネルとして反射型の液晶パネルを用いた例である。但し、以下に説明するように、投射型表示装置１１０、１０００はいずれも、光源部１３０、１０２１と、光源部１３０、１０２１から互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）と、光合成光学系により合成された光を投射する投射光学系１１８、１０２９とを有している。また、投射型表示装置１１０、１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９、１０２７（光合成光学系）を備えた光学ユニット２００が用いられている。
【００８２】
（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えている。
【００８３】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【００８４】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８６】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８７】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８８】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９０】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９３】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９４】
（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００９５】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９６】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【００９７】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００９８】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９９】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【０１００】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の電気光学装置に供給するように構成してもよい。
【０１０１】
（他の電子機器等）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。また、本発明を適用した電気光学装置１００については、電子ペーパーとして用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｍ、２０ｍ・・凹部、１６・・配向膜、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２６・・配向膜、５０・・液晶層、１００・・電気光学装置、１０５・・イオン吸着部、１０７・・シール材、１０７ｇ・・液晶注入口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一対の基板の間において前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質と、
を有する電気光学装置において、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、前記電気光学物質が位置する一方面側にスイッチング素子、画素電極および該画素電極の前記電気光学物質側の面側に設けられた無機配向膜を備えた素子基板と、前記電気光学物質が位置する一方面側に無機配向膜を備えた対向基板と、からなり、
前記電気光学物質は、液晶材料であり、
前記イオン吸着部の前記電気光学物質側の面は、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記イオン吸着部においては、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜に対して前記電気光学物質と反対側に凹部が形成され、
当該凹部は、当該無機配向膜の前記電気光学物質側の面に反映されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板に形成されている絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板の基板本体に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記イオン吸着部は、少なくとも前記素子基板に設けられていることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記イオン吸着部は、少なくとも前記対向基板に設けられていることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記イオン吸着部は、少なくとも、前記画素電極が設けられた画像表示領域と、前記シール材において液晶注入口が設けられた辺との間に設けられていることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板を貼り合わせるシール材と、
前記一対の基板の間において前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質と、
を有する電気光学装置において、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板は、前記電気光学物質と接する面に凹状のイオン吸着部を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、前記電気光学物質が位置する一方面側にスイッチング素子、画素電極および該画素電極の前記電気光学物質側の面側に設けられた無機配向膜を備えた素子基板と、前記電気光学物質が位置する一方面側に無機配向膜を備えた対向基板と、からなり、
前記電気光学物質は、液晶材料であり、
前記イオン吸着部の前記電気光学物質側の面は、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜からなることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記イオン吸着部においては、前記一対の基板のうち、当該イオン吸着部が形成されている基板に設けられた前記無機配向膜に対して前記電気光学物質と反対側に凹部が形成され、
当該凹部は、当該無機配向膜の前記電気光学物質側の面に反映されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板に形成されている絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記一対の基板のうち、当該凹部が形成されている基板の基板本体に形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記イオン吸着部は、少なくとも前記素子基板に設けられていることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記イオン吸着部は、少なくとも前記対向基板に設けられていることを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記イオン吸着部は、少なくとも、前記画素電極が設けられた画像表示領域と、前記シール材において液晶注入口が設けられた辺との間に設けられていることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１２−２５２０３２（Ｐ２０１２−２５２０３２Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２２１５６（Ｐ２０１１−１２２１５６）
【出願日】平成２３年５月３１日（２０１１．５．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年５月３１日（２０１１．５．３１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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