電気光学装置および電子機器
【課題】シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。シール材１０７で囲まれた領域で、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで液晶層５０に表面を向けており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで液晶層５０に表面を向けている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１基板と第２基板との間のシール材で囲まれた領域に電気光学物質層が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置等では、第１基板と第２基板との間のシール材で囲まれた領域に電気光学物質層が設けられており、電気光学物質層等の構成要素は、シール材によって、外部から侵入しようとする水分等から保護されている。但し、水分は、シール材によって第１基板と第２基板とを貼り合わせた後も、シール材と第１基板との間、シール材と第２基板との間、およびシール材を透過して内部に侵入する。
【０００３】
このため、特許文献１では、画素電極が形成された基板においてシール材と重なる位置にボロンシリケートガラス層が存在する場合にはシール材とボロンシリケートガラス層との接着力が弱いとして、配向膜を形成する際、シール材と接する位置に無機膜を斜方蒸着により形成し、接着力を高めることが提案されている。
【０００４】
一方、特許文献２では、共通電極が形成された基板側においてボロンシリケートガラス層を平坦化膜として形成した後、その上層に共通電極を形成した構造が提案されており、この場合、シール材と接するのは共通電極である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４８７４３号公報
【特許文献２】特開２００６−１５４１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明者は、リンやボロンを含有するシリケートガラスが水分を吸着、保持する能力に優れていることに着目し、シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層等を水分から保護することを検討するものであるが、かかる技術的思想については、特許文献１、２には一切記載されていない。すなわち、特許文献１、２でも、ボロンシリケートガラス層を用いた構成が記載されているが、特許文献１では、画素電極が形成された基板においてボロンシリケートガラス層が一部露出しているだけであり、特許文献２では、共通電極によってボロンシリケートガラス層が完全に覆われている。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、一方面側に複数の画素電極が形成された第１基板と、一方面側に共通電極が形成された第２基板と、前記第１基板の一方面側と前記第２基板の一方面側とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層と、を有し、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第１基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記画素電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第１シリケートガラス層と、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第２基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第２シリケートガラス層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１基板側においてシール材と接するのは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含む第１シリケートガラス層であり、第２基板側においてシール材と接するのは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含む第２シリケートガラス層であり、かかる第１シリケートガラス層および第２シリケートガラス層は、水分を吸着して保持する性質を有している。このため、第１基板とシール材との間、および第２基板とシール材との間から水分がシール材で囲まれた領域に侵入しにくい。また、第１シリケートガラス層は、画素電極の非形成領域、および画素電極に対して第１基板とは反対側のうちの少なくとも一方にも設けられているため、シール材で囲まれた領域に水分が侵入しても、水分は、画素電極に阻害されることなく、第１シリケートガラス層に吸着され保持される。また、第２シリケートガラス層は、共通電極の非形成領域、および共通電極に対して第２基板とは反対側のうちの少なくとも一方にも設けられているため、シール材で囲まれた領域に水分が侵入しても、水分は、共通電極に阻害されることなく、第２シリケートガラス層に吸着され保持される。このため、シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００１０】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されており、前記第２シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１基板側および第２基板側にリンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層を１層ずつ設ければよいという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極に対して前記第１基板側で接するように設けられて前記画素電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記画素電極から露出し、前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極に対して前記第２基板側で接するように設けられて前記共通電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出している構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、画素電極を平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、共通電極を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００１２】
この場合、前記共通電極には、前記画素電極と平面視で重ならない位置に開口部が形成されており、前記第２シリケートガラス層は、前記開口部を介して前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることが好ましい。かかる構成によれば、第２シリケートガラス層が電気光学物質層側に向ける面積が広いので、シール材で囲まれた領域に侵入した水分を第２シリケートガラス層によって効率よく吸着し保持することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極と該画素電極に対して前記第１基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第１配向膜との間に設けられ、前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極と該共通電極に対して前記第２基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第２配向膜との間に設けられている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第１シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、第１配向膜を平坦面に形成することができるとともに、水分が第１配向膜を透過して下層側に形成された構成要素が水分によって劣化することを抑制することができる。また、第２シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、第２配向膜を平坦面に形成することができるとともに、水分が第２配向膜を透過して下層側に形成された構成要素が水分によって劣化することを抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記第１シリケートガラス層および前記第２シリケートガラス層は、例えば、ボロンシリケートガラスからなる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置を液晶装置として構成した場合、前記電気光学物質層層は、液晶層である。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の具体的構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の端部の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の端部の断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えた液晶装置であり、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図２等を参照して後述する素子基板１０では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスターを構成するスイッチング素子としての電界効果型トランジスター３０、および画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側（素子基板１０の端部と画像表示領域１０ａとの間の外周領域１０ｃ）には、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の具体的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、電気光学物質層としての液晶層５０が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃ（画像表示領域１０ａより外周側の四角枠状領域）のうち、素子基板１０が対向基板２０から張り出している側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２は、シール材１０７より外周側に設けられている。かかる端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。本形態において、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は一部がシール材１０７と平面視で重なっている。
【００２６】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した電界効果型トランジスター３０、および電界効果型トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には第１配向膜１６が形成されている。
【００２７】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って包含した領域として形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の液晶層５０（電気光学物質層）側の表面には第２配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと平面的に重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２４ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２４ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２４ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２４ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２４ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３１】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の電気光学装置１００を構成することができる。かかる反射型の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３２】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３３】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３４】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの具体的構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して電界効果型トランジスター３０が形成されており、本形態において、電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。電界効果型トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。電界効果型トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ（第１基板）の液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスター３０、および第１配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（第２基板）、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および第２配向膜２６を主体として構成されている。
【００３７】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して電界効果型トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３８】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた電界効果型トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２はシリコン酸化膜等からなる。
【００３９】
電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。電界効果型トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、電界効果型トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４０】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４１】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４２】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４３】
容量線５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４４】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４５】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側（液晶層５０の側）には、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層１８が形成されている。本形態において、層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。シリケートガラス層１８は、例えば、常圧ＣＶＤ法等によって成膜することができ、その際の成膜温度は、例えば、３５０〜４５０℃である。なお、シリケートガラス層１８として、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。本形態において、シリケートガラス層１８はボロンシリケートガラスからなり、表面は平坦化されている。
【００４６】
シリケートガラス層１８の上層側（液晶層５０の側）には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。このため、シリケートガラス層１８の液晶層５０側の面（表面）と、画素電極９ａの基板本体１０ｗ側の面とが接している。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、シリケートガラス層１８および層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４７】
画素電極９ａの表面には、ポリイミド膜や無機配向膜等の第１配向膜１６が形成されている。本形態において、第１配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００４８】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミド膜や無機配向膜等の第２配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。また、第２配向膜２６は、第１配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる第１配向膜１６および第２配向膜２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４９】
また、遮光層２９と共通電極２１との間には、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と表面が接する領域にわたって形成されている。本形態において、シリケートガラス層１８はボロンシリケートガラスからなり、シリケートガラス層２８の液晶層５０側の面（表面）は、共通電極２１の基板本体２０ｗ側の面と接している。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、電界効果型トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（第１シリケートガラス層の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の端部の断面図である。図４に示すように、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８の液晶層５０側の表面は、画素電極９ａの基板本体１０ｗ側の面と直接、接している。ここで、シリケートガラス層１８は、素子基板１０の略全面に形成されている。これに対して、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂは、シール材１０７で囲まれた領域のみに形成されている。また、第１配向膜１６は、画像表示領域１０ａからダミー画素電極９ｂの形成領域に至る領域（画像表示領域１０ａを構成する画素電極９ａ上、隣り合う画素電極９ａ間、画像表示領域１０ａの最外部に配置された画素電極９ａとダミー画素電極９ｂとの間、ダミー画素電極９ｂ上、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士の間のそれぞれを含む領域）に選択的に形成され、第１配向膜１６とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、第１配向膜１６は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。従って、シリケートガラス層１８は、第１配向膜１６の端部とシール材１０７との間で液晶層５０に表面が露出しているとともに、さらにその外側では、表面がシール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。
【００５２】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂは島状に形成されており、隣接する画素電極９ａの間、および隣接するダミー画素電極９ｂの間は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃになっている。また、ダミー画素電極９ｂとシール材１０７との間も、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃになっている。このため、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの下地として形成されたシリケートガラス層１８は、シール材１０７で囲まれた領域において、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）側に表面が露出された第１シリケートガラス層として形成されている。ここで、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃのうち、シール材１０７の近傍では、液晶層５０に直接、接している。これに対して、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂによって挟まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）側に露出した表面は第１配向膜１６によって覆われている。但し、第１配向膜１６は、斜方蒸着により形成した無機配向膜であり、複数の凸部を有するカラム構造を有しているため、凸部（カラム）の間では、底部でシリケートガラス層１８が液晶層５０に露出している。
【００５３】
（第２シリケートガラス層の構成）
対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側で接している。ここで、シリケートガラス層２８は、対向基板２０の略全面に形成されている。これに対して、共通電極２１は、シール材１０７で囲まれた領域のみに形成され、かつ、共通電極２１とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、共通電極２１は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。また、第２配向膜２６は概ね、共通電極２１が形成されている領域のみに形成され、かつ、第２配向膜２６とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、第２配向膜２６は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。従って、シリケートガラス層１８は、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）においてシール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。
【００５４】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、シール材１０７の近傍は、共通電極２１の非形成領域２１ｃになっている。このため、共通電極２１の下地とされたシリケートガラス層２８は、シール材１０７で囲まれた領域において、共通電極２１の非形成領域２１cでは、共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質層）側に表面が露出した第２シリケートガラス層として形成されている。ここで、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃのうち、シール材１０７の近傍では、液晶層５０に直接、接している。但し、第２配向膜２６は、斜方蒸着により形成した無機配向膜であり、複数の凸部を有するカラム構造を有している。このため、共通電極２１の表面に第２配向膜２６が形成されている構成を採用した場合でも、第２配向膜２６の凸部（カラム）の間では、底部でシリケートガラス層２８が液晶層５０に露出している構造となる。
【００５５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。ここで、ＢＳＧ膜は、水分を吸着して保持する性質を有している。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０側に露出されているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１８に吸着され保持される。また、共通電極２１の下地とされたシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の非形成領域２１ｃにおいて表面が共通電極２１から液晶層５０側に露出しているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００５６】
また、本形態において、シール材１０７と面接触する第１シリケートガラス層は、画素電極９ａの下地に形成されており、画素電極９ａの非形成領域９ｃにおいて画素電極９ａから液晶層５０側に表面が露出されるシリケートガラス層１８と同一の層とされている。また、シール材１０７と面接触する第２シリケートガラス層は、共通電極２１の下地に形成されており、共通電極２１の非形成領域９ｃにおいて共通電極２１から液晶層５０側に表面が露出されるシリケートガラス層２８と同一の層とされている。このため、素子基板１０側および対向基板２０側にＢＳＧ膜を１層ずつ設ければよいという利点がある。
【００５７】
また、第１シリケートガラス層（シリケートガラス層１８）は画素電極９ａの下層側に設けられているため、シリケートガラス層１８が有する平坦化膜としての性質によって、画素電極９ａを平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層（シリケートガラス層２８）は共通電極２１の下層側に設けられているため、シリケートガラス層２８が有する平坦化膜としての性質によって、共通電極２１を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００５８】
さらに、素子基板１０側および対向基板２０側が略同一の構成を有しているため、シリケートガラス層１８、２８が水分を吸着して誘電率が変化した場合でも、かかる誘電率の変化に起因する画素電極９ａに寄生する容量の変化の割合と共通電極２１に寄生する容量の変化の割合が同等である。このため、フレーム反転駆動方式を採用した際、共通電極２１の電位（Ｖcom）がシフトしにくいという利点がある。
【００５９】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。なお、本形態および後述する実施の形態３、４、５の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００６０】
図５に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８は、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて、その表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃにおいて、その表面が共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出されている。
【００６１】
従って、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、液晶層５０の水分は、画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層１８、２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６２】
ここで、共通電極２１には、画素電極９ａと平面視で重ならない位置に開口部２１ａが形成されている。開口部２１ａは複数個所に独立して形成されているため、共通電極２１は全体が繋がっている。このように構成した開口部２１ａは、共通電極２１の非形成領域２１ｃの一部を構成しており、開口部２１ａでは、シリケートガラス層２８の表面が、共通電極２１の開口部２１ａを通じて液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出している。このため、シリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の開口部２１ａを通じて共通電極２１から液晶層５０側に露出する表面の面積が広いので、シール材１０７で囲まれた領域に侵入した水分をシリケートガラス層２８によって効率よく吸着し保持することができる。
【００６３】
また、開口部２１ａは、画素電極９ａと平面視で重ならない位置に形成されているため、表示の品位を低下させることがない。
【００６４】
［実施の形態３］
図６は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。図６に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８は、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。従って、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。
【００６５】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）に向けて露出する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで表面が共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質層）に向けて露出する第２シリケートガラス層として形成されている。
【００６６】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間にノンドープのシリケートガラス層等の下地膜１５が形成されており、かかる下地膜１５は、シール材１０７で囲まれた領域の全体に形成されている。このため、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃでは下地膜１５を介して液晶層５０に接している。この場合でも、液晶層５０の水分は、下地膜１５に吸着された後、シリケートガラス層１８に移動し保持される。
【００６７】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間にノンドープのシリケートガラス層等の下地膜２５が形成されており、かかる下地膜２５は、シール材１０７で囲まれた領域の全体に形成されている。このため、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで下地膜２５を介して液晶層５０に接している。この場合でも、液晶層５０の水分は、下地膜２５に吸着された後、シリケートガラス層１８に移動し保持される。
【００６８】
それ故、本形態でも、実施の形態１と同様、液晶層５０の水分は、画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層１８、２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６９】
［実施の形態４］
図７は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。図７に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されている。
【００７０】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間（画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層１７が下地膜として形成されており、かかるシリケートガラス層１７は、素子基板１０の略全面に形成されている。従って、本形態では、シリケートガラス層１７が、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１７は、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００７１】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間（共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層２７が下地膜として形成されており、かかるシリケートガラス層２７は、対向基板２０の略全面に形成されている。従って、本形態では、シリケートガラス層２７が、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２７は、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第２シリケートガラス層として形成されている。
【００７２】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等のシリケートガラス層１７（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）である。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層２７（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１７に吸着され保持される。また、シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２７に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００７３】
また、第１シリケートガラス層（シリケートガラス層１７）は画素電極９ａと第１配向膜１６との間に設けられているため、シリケートガラス層１７が有する平坦化膜としての性質によって、第１配向膜１６を平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層（シリケートガラス層２７）は共通電極２１と第２配向膜２６との間に設けられているため、シリケートガラス層２８が有する平坦化膜としての性質によって、第２配向膜２６を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００７４】
さらに、素子基板１０側および対向基板２０側が略同一の構成を有しているため、シリケートガラス層１７、２７が水分を吸着して誘電率が変化した場合でも、かかる誘電率の変化に起因する画素電極９ａに寄生する容量の変化の割合と共通電極２１に寄生する容量の変化の割合が同等である。このため、フレーム反転駆動方式を採用した際、共通電極２１の電位（Ｖcom）がシフトしにくいという利点がある。
【００７５】
［実施の形態５］
図８は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の端部の断面図である。図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されている。
【００７６】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間（画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層１７が下地膜として形成されている。本形態において、シリケートガラス層１７は、シール材１０７で囲まれた領域内のみに形成されている。
【００７７】
従って、本形態では、シリケートガラス層１８が、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域においては、シリケートガラス層１７が、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００７８】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間（共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層２７が下地膜として形成されている。本形態において、シリケートガラス層２７は、シール材１０７で囲まれた領域内のみに形成されている。
【００７９】
従って、本形態では、シリケートガラス層２８が、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域においては、シリケートガラス層２７が、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００８０】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等のシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等シリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層１７（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１７に吸着され保持される。また、シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２７に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００８１】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置等である場合に本発明を適用してもよい。
【００８２】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８３】
（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８４】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８５】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８７】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８８】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９０】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９１】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９２】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９３】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９４】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９５】
（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９６】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９７】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９８】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９９】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１００】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１０１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０２】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、９ｃ・・画素電極の非形成領域、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｃ・・外周領域、１０ｗ・・素子基板の基板本体（第１基板）、１６・・第１配向膜、１７、１８・・シリケートガラス層（第１シリケートガラス層）、２０・・対向基板、２０ｗ・・対向基板の基板本体（第２基板）、２１・・対向電極、２１ｃ・・共通電極の非形成領域、２６・・第２配向膜、２７、２８・・シリケートガラス層（第２シリケートガラス層）、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｂ・・ダミー画素
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１基板と第２基板との間のシール材で囲まれた領域に電気光学物質層が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電気光学装置のうち、液晶装置等では、第１基板と第２基板との間のシール材で囲まれた領域に電気光学物質層が設けられており、電気光学物質層等の構成要素は、シール材によって、外部から侵入しようとする水分等から保護されている。但し、水分は、シール材によって第１基板と第２基板とを貼り合わせた後も、シール材と第１基板との間、シール材と第２基板との間、およびシール材を透過して内部に侵入する。
【０００３】
このため、特許文献１では、画素電極が形成された基板においてシール材と重なる位置にボロンシリケートガラス層が存在する場合にはシール材とボロンシリケートガラス層との接着力が弱いとして、配向膜を形成する際、シール材と接する位置に無機膜を斜方蒸着により形成し、接着力を高めることが提案されている。
【０００４】
一方、特許文献２では、共通電極が形成された基板側においてボロンシリケートガラス層を平坦化膜として形成した後、その上層に共通電極を形成した構造が提案されており、この場合、シール材と接するのは共通電極である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４８７４３号公報
【特許文献２】特開２００６−１５４１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明者は、リンやボロンを含有するシリケートガラスが水分を吸着、保持する能力に優れていることに着目し、シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層等を水分から保護することを検討するものであるが、かかる技術的思想については、特許文献１、２には一切記載されていない。すなわち、特許文献１、２でも、ボロンシリケートガラス層を用いた構成が記載されているが、特許文献１では、画素電極が形成された基板においてボロンシリケートガラス層が一部露出しているだけであり、特許文献２では、共通電極によってボロンシリケートガラス層が完全に覆われている。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、シリケートガラスによって、シール材と基板との界面からの水分の侵入や、シール材で囲まれた領域内に侵入した水分の影響を低減することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、一方面側に複数の画素電極が形成された第１基板と、一方面側に共通電極が形成された第２基板と、前記第１基板の一方面側と前記第２基板の一方面側とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層と、を有し、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第１基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記画素電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第１シリケートガラス層と、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第２基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第２シリケートガラス層と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１基板側においてシール材と接するのは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含む第１シリケートガラス層であり、第２基板側においてシール材と接するのは、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含む第２シリケートガラス層であり、かかる第１シリケートガラス層および第２シリケートガラス層は、水分を吸着して保持する性質を有している。このため、第１基板とシール材との間、および第２基板とシール材との間から水分がシール材で囲まれた領域に侵入しにくい。また、第１シリケートガラス層は、画素電極の非形成領域、および画素電極に対して第１基板とは反対側のうちの少なくとも一方にも設けられているため、シール材で囲まれた領域に水分が侵入しても、水分は、画素電極に阻害されることなく、第１シリケートガラス層に吸着され保持される。また、第２シリケートガラス層は、共通電極の非形成領域、および共通電極に対して第２基板とは反対側のうちの少なくとも一方にも設けられているため、シール材で囲まれた領域に水分が侵入しても、水分は、共通電極に阻害されることなく、第２シリケートガラス層に吸着され保持される。このため、シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００１０】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されており、前記第２シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１基板側および第２基板側にリンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層を１層ずつ設ければよいという利点がある。
【００１１】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極に対して前記第１基板側で接するように設けられて前記画素電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記画素電極から露出し、前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極に対して前記第２基板側で接するように設けられて前記共通電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出している構成を採用することができる。かかる構成によれば、第１シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、画素電極を平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、共通電極を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００１２】
この場合、前記共通電極には、前記画素電極と平面視で重ならない位置に開口部が形成されており、前記第２シリケートガラス層は、前記開口部を介して前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることが好ましい。かかる構成によれば、第２シリケートガラス層が電気光学物質層側に向ける面積が広いので、シール材で囲まれた領域に侵入した水分を第２シリケートガラス層によって効率よく吸着し保持することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極と該画素電極に対して前記第１基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第１配向膜との間に設けられ、前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極と該共通電極に対して前記第２基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第２配向膜との間に設けられている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第１シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、第１配向膜を平坦面に形成することができるとともに、水分が第１配向膜を透過して下層側に形成された構成要素が水分によって劣化することを抑制することができる。また、第２シリケートガラス層が有する平坦化膜としての性質によって、第２配向膜を平坦面に形成することができるとともに、水分が第２配向膜を透過して下層側に形成された構成要素が水分によって劣化することを抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記第１シリケートガラス層および前記第２シリケートガラス層は、例えば、ボロンシリケートガラスからなる。
【００１５】
本発明を適用した電気光学装置を液晶装置として構成した場合、前記電気光学物質層層は、液晶層である。
【００１６】
本発明を適用した電気光学装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の具体的構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の端部の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電気光学装置の断面構成を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態５に係る電気光学装置の端部の断面図である。
【図９】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１９】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを備えた液晶装置であり、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図２等を参照して後述する素子基板１０では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素トランジスターを構成するスイッチング素子としての電界効果型トランジスター３０、および画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２０】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側（素子基板１０の端部と画像表示領域１０ａとの間の外周領域１０ｃ）には、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通している。
【００２２】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の具体的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００２３】
図２に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、電気光学物質層としての液晶層５０が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。
【００２４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃ（画像表示領域１０ａより外周側の四角枠状領域）のうち、素子基板１０が対向基板２０から張り出している側では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２は、シール材１０７より外周側に設けられている。かかる端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。本形態において、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４は一部がシール材１０７と平面視で重なっている。
【００２６】
詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した電界効果型トランジスター３０、および電界効果型トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には第１配向膜１６が形成されている。
【００２７】
また、素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００２８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って包含した領域として形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の液晶層５０（電気光学物質層）側の表面には第２配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと平面的に重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２４ｔが形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２４ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｓに導通しており、定電位配線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２４ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２４ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部６ｔ、２４ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３１】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。なお、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する場合もあり、かかる構成によれば、反射型の電気光学装置１００を構成することができる。かかる反射型の電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３２】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３３】
本形態において、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３４】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの具体的構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの平面図、および電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３（ａ）では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して電界効果型トランジスター３０が形成されており、本形態において、電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。電界効果型トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。電界効果型トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３６】
図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗ（第１基板）の液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスター３０、および第１配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（第２基板）、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および第２配向膜２６を主体として構成されている。
【００３７】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して電界効果型トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３８】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた電界効果型トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２はシリコン酸化膜等からなる。
【００３９】
電界効果型トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。電界効果型トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、電界効果型トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００４０】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００４１】
ゲート電極３ｃの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００４２】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の絶縁膜４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００４３】
容量線５ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、絶縁膜４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２および絶縁膜４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４４】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなり、本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４５】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側（液晶層５０の側）には、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層１８が形成されている。本形態において、層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。シリケートガラス層１８は、例えば、常圧ＣＶＤ法等によって成膜することができ、その際の成膜温度は、例えば、３５０〜４５０℃である。なお、シリケートガラス層１８として、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、ＰＨ3、Ｏ3等であり、ボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、Ｏ3等であり、ボロン・リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）を形成する場合、使用する原料ガスは、ＳｉＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3、Ｏ3等である。本形態において、シリケートガラス層１８はボロンシリケートガラスからなり、表面は平坦化されている。
【００４６】
シリケートガラス層１８の上層側（液晶層５０の側）には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。このため、シリケートガラス層１８の液晶層５０側の面（表面）と、画素電極９ａの基板本体１０ｗ側の面とが接している。本形態において、画素電極９ａは、ＩＴＯ膜からなる。画素電極９ａは、中継電極７ｂと部分的に重なっており、シリケートガラス層１８および層間絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに導通している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００４７】
画素電極９ａの表面には、ポリイミド膜や無機配向膜等の第１配向膜１６が形成されている。本形態において、第１配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）からなる。
【００４８】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミド膜や無機配向膜等の第２配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。また、第２配向膜２６は、第１配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜）である。かかる第１配向膜１６および第２配向膜２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４９】
また、遮光層２９と共通電極２１との間には、リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含むシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と表面が接する領域にわたって形成されている。本形態において、シリケートガラス層１８はボロンシリケートガラスからなり、シリケートガラス層２８の液晶層５０側の面（表面）は、共通電極２１の基板本体２０ｗ側の面と接している。
【００５０】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、電界効果型トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５１】
（第１シリケートガラス層の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の端部の断面図である。図４に示すように、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８の液晶層５０側の表面は、画素電極９ａの基板本体１０ｗ側の面と直接、接している。ここで、シリケートガラス層１８は、素子基板１０の略全面に形成されている。これに対して、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂは、シール材１０７で囲まれた領域のみに形成されている。また、第１配向膜１６は、画像表示領域１０ａからダミー画素電極９ｂの形成領域に至る領域（画像表示領域１０ａを構成する画素電極９ａ上、隣り合う画素電極９ａ間、画像表示領域１０ａの最外部に配置された画素電極９ａとダミー画素電極９ｂとの間、ダミー画素電極９ｂ上、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士の間のそれぞれを含む領域）に選択的に形成され、第１配向膜１６とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、第１配向膜１６は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。従って、シリケートガラス層１８は、第１配向膜１６の端部とシール材１０７との間で液晶層５０に表面が露出しているとともに、さらにその外側では、表面がシール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。
【００５２】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂは島状に形成されており、隣接する画素電極９ａの間、および隣接するダミー画素電極９ｂの間は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃになっている。また、ダミー画素電極９ｂとシール材１０７との間も、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃになっている。このため、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの下地として形成されたシリケートガラス層１８は、シール材１０７で囲まれた領域において、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）側に表面が露出された第１シリケートガラス層として形成されている。ここで、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃのうち、シール材１０７の近傍では、液晶層５０に直接、接している。これに対して、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂによって挟まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）側に露出した表面は第１配向膜１６によって覆われている。但し、第１配向膜１６は、斜方蒸着により形成した無機配向膜であり、複数の凸部を有するカラム構造を有しているため、凸部（カラム）の間では、底部でシリケートガラス層１８が液晶層５０に露出している。
【００５３】
（第２シリケートガラス層の構成）
対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側で接している。ここで、シリケートガラス層２８は、対向基板２０の略全面に形成されている。これに対して、共通電極２１は、シール材１０７で囲まれた領域のみに形成され、かつ、共通電極２１とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、共通電極２１は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。また、第２配向膜２６は概ね、共通電極２１が形成されている領域のみに形成され、かつ、第２配向膜２６とシール材１０７との間には隙間が介在している。このため、第２配向膜２６は、シール材１０７と重なる領域には形成されていない。従って、シリケートガラス層１８は、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）においてシール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。
【００５４】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、シール材１０７の近傍は、共通電極２１の非形成領域２１ｃになっている。このため、共通電極２１の下地とされたシリケートガラス層２８は、シール材１０７で囲まれた領域において、共通電極２１の非形成領域２１cでは、共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質層）側に表面が露出した第２シリケートガラス層として形成されている。ここで、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃのうち、シール材１０７の近傍では、液晶層５０に直接、接している。但し、第２配向膜２６は、斜方蒸着により形成した無機配向膜であり、複数の凸部を有するカラム構造を有している。このため、共通電極２１の表面に第２配向膜２６が形成されている構成を採用した場合でも、第２配向膜２６の凸部（カラム）の間では、底部でシリケートガラス層２８が液晶層５０に露出している構造となる。
【００５５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜からなるシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。ここで、ＢＳＧ膜は、水分を吸着して保持する性質を有している。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０側に露出されているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１８に吸着され保持される。また、共通電極２１の下地とされたシリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の非形成領域２１ｃにおいて表面が共通電極２１から液晶層５０側に露出しているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００５６】
また、本形態において、シール材１０７と面接触する第１シリケートガラス層は、画素電極９ａの下地に形成されており、画素電極９ａの非形成領域９ｃにおいて画素電極９ａから液晶層５０側に表面が露出されるシリケートガラス層１８と同一の層とされている。また、シール材１０７と面接触する第２シリケートガラス層は、共通電極２１の下地に形成されており、共通電極２１の非形成領域９ｃにおいて共通電極２１から液晶層５０側に表面が露出されるシリケートガラス層２８と同一の層とされている。このため、素子基板１０側および対向基板２０側にＢＳＧ膜を１層ずつ設ければよいという利点がある。
【００５７】
また、第１シリケートガラス層（シリケートガラス層１８）は画素電極９ａの下層側に設けられているため、シリケートガラス層１８が有する平坦化膜としての性質によって、画素電極９ａを平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層（シリケートガラス層２８）は共通電極２１の下層側に設けられているため、シリケートガラス層２８が有する平坦化膜としての性質によって、共通電極２１を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００５８】
さらに、素子基板１０側および対向基板２０側が略同一の構成を有しているため、シリケートガラス層１８、２８が水分を吸着して誘電率が変化した場合でも、かかる誘電率の変化に起因する画素電極９ａに寄生する容量の変化の割合と共通電極２１に寄生する容量の変化の割合が同等である。このため、フレーム反転駆動方式を採用した際、共通電極２１の電位（Ｖcom）がシフトしにくいという利点がある。
【００５９】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。なお、本形態および後述する実施の形態３、４、５の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して、それらの説明を省略する。
【００６０】
図５に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８は、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃにおいて、その表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃにおいて、その表面が共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出されている。
【００６１】
従って、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、液晶層５０の水分は、画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層１８、２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６２】
ここで、共通電極２１には、画素電極９ａと平面視で重ならない位置に開口部２１ａが形成されている。開口部２１ａは複数個所に独立して形成されているため、共通電極２１は全体が繋がっている。このように構成した開口部２１ａは、共通電極２１の非形成領域２１ｃの一部を構成しており、開口部２１ａでは、シリケートガラス層２８の表面が、共通電極２１の開口部２１ａを通じて液晶層５０（電気光学物質）側に向けて露出している。このため、シリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の開口部２１ａを通じて共通電極２１から液晶層５０側に露出する表面の面積が広いので、シール材１０７で囲まれた領域に侵入した水分をシリケートガラス層２８によって効率よく吸着し保持することができる。
【００６３】
また、開口部２１ａは、画素電極９ａと平面視で重ならない位置に形成されているため、表示の品位を低下させることがない。
【００６４】
［実施の形態３］
図６は、本発明の実施の形態３に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。図６に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されており、シリケートガラス層１８は、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されており、シリケートガラス層２８は、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。従って、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。
【００６５】
また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃで表面が画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂから液晶層５０（電気光学物質層）に向けて露出する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで表面が共通電極２１から液晶層５０（電気光学物質層）に向けて露出する第２シリケートガラス層として形成されている。
【００６６】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間にノンドープのシリケートガラス層等の下地膜１５が形成されており、かかる下地膜１５は、シール材１０７で囲まれた領域の全体に形成されている。このため、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１８は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの非形成領域９ｃでは下地膜１５を介して液晶層５０に接している。この場合でも、液晶層５０の水分は、下地膜１５に吸着された後、シリケートガラス層１８に移動し保持される。
【００６７】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間にノンドープのシリケートガラス層等の下地膜２５が形成されており、かかる下地膜２５は、シール材１０７で囲まれた領域の全体に形成されている。このため、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２８は、共通電極２１の非形成領域２１ｃで下地膜２５を介して液晶層５０に接している。この場合でも、液晶層５０の水分は、下地膜２５に吸着された後、シリケートガラス層１８に移動し保持される。
【００６８】
それ故、本形態でも、実施の形態１と同様、液晶層５０の水分は、画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層１８、２８に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００６９】
［実施の形態４］
図７は、本発明の実施の形態４に係る電気光学装置１００の断面構成を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素１００ａの断面図、および電気光学装置端部の断面図である。図７に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されている。
【００７０】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間（画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層１７が下地膜として形成されており、かかるシリケートガラス層１７は、素子基板１０の略全面に形成されている。従って、本形態では、シリケートガラス層１７が、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層１７は、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００７１】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間（共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層２７が下地膜として形成されており、かかるシリケートガラス層２７は、対向基板２０の略全面に形成されている。従って、本形態では、シリケートガラス層２７が、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域において、シリケートガラス層２７は、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第２シリケートガラス層として形成されている。
【００７２】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等のシリケートガラス層１７（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）である。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層２７（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１７に吸着され保持される。また、シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２７に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００７３】
また、第１シリケートガラス層（シリケートガラス層１７）は画素電極９ａと第１配向膜１６との間に設けられているため、シリケートガラス層１７が有する平坦化膜としての性質によって、第１配向膜１６を平坦面に形成することができるという利点がある。また、第２シリケートガラス層（シリケートガラス層２７）は共通電極２１と第２配向膜２６との間に設けられているため、シリケートガラス層２８が有する平坦化膜としての性質によって、第２配向膜２６を平坦面に形成することができるという利点がある。
【００７４】
さらに、素子基板１０側および対向基板２０側が略同一の構成を有しているため、シリケートガラス層１７、２７が水分を吸着して誘電率が変化した場合でも、かかる誘電率の変化に起因する画素電極９ａに寄生する容量の変化の割合と共通電極２１に寄生する容量の変化の割合が同等である。このため、フレーム反転駆動方式を採用した際、共通電極２１の電位（Ｖcom）がシフトしにくいという利点がある。
【００７５】
［実施の形態５］
図８は、本発明の実施の形態５に係る電気光学装置１００の端部の断面図である。図８に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、素子基板１０では、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側にシリケートガラス層１８が形成されている。また、対向基板２０では、共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側にシリケートガラス層２８が形成されている。
【００７６】
ここで、素子基板１０では、画素電極９ａと第１配向膜１６との間（画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層１７が下地膜として形成されている。本形態において、シリケートガラス層１７は、シール材１０７で囲まれた領域内のみに形成されている。
【００７７】
従って、本形態では、シリケートガラス層１８が、シール材１０７と接する第１シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域においては、シリケートガラス層１７が、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００７８】
また、対向基板２０では、共通電極２１と第２配向膜２６との間（共通電極２１に対して基板本体２０ｗ側とは反対側）に、ＢＳＧ膜、ＰＳＧ膜あるいはＢＰＳＧ膜からなるシリケートガラス層２７が下地膜として形成されている。本形態において、シリケートガラス層２７は、シール材１０７で囲まれた領域内のみに形成されている。
【００７９】
従って、本形態では、シリケートガラス層２８が、シール材１０７と接する第２シリケートガラス層として形成されている。また、シール材１０７で囲まれた領域においては、シリケートガラス層２７が、表面を液晶層５０（電気光学物質層）に向ける第１シリケートガラス層として形成されている。
【００８０】
このように構成した電気光学装置１００でも、実施の形態１と同様、素子基板１０および基板本体１０ｗ（第１基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等のシリケートガラス層１８（第１シリケートガラス層）であり、対向基板２０および基板本体２０ｗ（第２基板）側においてシール材１０７と接するのは、ＢＳＧ膜等シリケートガラス層２８（第２シリケートガラス層）である。このため、素子基板１０とシール材１０７との間、および対向基板２０とシール材１０７との間から水分がシール材１０７で囲まれた領域に侵入しにくい。また、シリケートガラス層１７（第１シリケートガラス層）は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂに阻害されることなく、シリケートガラス層１７に吸着され保持される。また、シリケートガラス層２７（第２シリケートガラス層）は、共通電極２１の表面で液晶層５０に表面を向けているため、シール材１０７で囲まれた領域に水分が侵入しても、液晶層５０の水分は、共通電極２１に阻害されることなく、シリケートガラス層２７に吸着され保持される。このため、シール材１０７で囲まれた領域内に設けられた液晶層５０や電界効果型トランジスター３０等の構成要素が水分によって劣化しにくい。
【００８１】
［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として液晶装置を例示したが、電気光学装置１００が有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマ表示装置等である場合に本発明を適用してもよい。
【００８２】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を適用した電子機器について説明する。図９は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８３】
（投射型表示装置の第１例）
図９（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（電気光学装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８４】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８５】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８７】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８８】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００９０】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の電気光学装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９１】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９２】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９３】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９４】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９５】
（投射型表示装置の第２例）
図９（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９６】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９７】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９８】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の電気光学装置１００に入射する。
【００９９】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の電気光学装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【０１００】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。
【０１０１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０２】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、９ｃ・・画素電極の非形成領域、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｃ・・外周領域、１０ｗ・・素子基板の基板本体（第１基板）、１６・・第１配向膜、１７、１８・・シリケートガラス層（第１シリケートガラス層）、２０・・対向基板、２０ｗ・・対向基板の基板本体（第２基板）、２１・・対向電極、２１ｃ・・共通電極の非形成領域、２６・・第２配向膜、２７、２８・・シリケートガラス層（第２シリケートガラス層）、１００・・電気光学装置、１００ａ・・画素、１００ｂ・・ダミー画素
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に複数の画素電極が形成された第１基板と、
一方面側に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板の一方面側と前記第２基板の一方面側とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層と、
を有し、
リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第１基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記画素電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第１シリケートガラス層と、
リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第２基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第２シリケートガラス層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されており、
電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極に対して前記第１基板側で接するように設けられて前記画素電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記画素電極から露出し、
前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極に対して前記第２基板側で接するように設けられて前記共通電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記共通電極には、前記画素電極と平面視で重ならない位置に開口部が形成されており、
前記第２シリケートガラス層は、前記開口部を介して前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極と該画素電極に対して前記第１基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第１配向膜との間に設けられ、
前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極と該共通電極に対して前記第２基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第２配向膜との間に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１シリケートガラス層および前記第２シリケートガラス層は、ボロンシリケートガラスからなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学物質層層は、液晶層であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１】
一方面側に複数の画素電極が形成された第１基板と、
一方面側に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板の一方面側と前記第２基板の一方面側とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間のうち、前記シール材で囲まれた領域内に設けられた電気光学物質層と、
を有し、
リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第１基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記画素電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第１シリケートガラス層と、
リンおよびボロンのうちの少なくとも一方を含み、前記シール材に接して前記第２基板に設けられているとともに、前記シール材で囲まれた領域内において、前記共通電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する位置、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の位置のうちの少なくとも一方に設けられた第２シリケートガラス層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１シリケートガラス層は、前記シール材と接する層と同一の層によって、前記画素電極の非形成領域において前記画素電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されており、
電極の非形成領域において前記共通電極から前記電気光学物質層側に表面が露出する部分、および前記共通電極の前記電気光学物質層側の部分のうちの少なくとも一方が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極に対して前記第１基板側で接するように設けられて前記画素電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記画素電極から露出し、
前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極に対して前記第２基板側で接するように設けられて前記共通電極の非形成領域で前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記共通電極には、前記画素電極と平面視で重ならない位置に開口部が形成されており、
前記第２シリケートガラス層は、前記開口部を介して前記電気光学物質層層側に表面が前記共通電極から露出していることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１シリケートガラス層は、前記画素電極と該画素電極に対して前記第１基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第１配向膜との間に設けられ、
前記第２シリケートガラス層は、前記共通電極と該共通電極に対して前記第２基板とは反対側に形成された無機配向膜からなる第２配向膜との間に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１シリケートガラス層および前記第２シリケートガラス層は、ボロンシリケートガラスからなることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記電気光学物質層層は、液晶層であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−１０９２５８（Ｐ２０１３−１０９２５８Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５５８５７（Ｐ２０１１−２５５８５７）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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