説明

発光素子、発光装置、照明装置、電子機器

【課題】三重項励起子のエネルギーを有効に用いて、発光素子の発光効率を向上させることを目的とする。また、発光素子、発光装置および電子機器の消費電力を低減させることを目的とする。
【解決手段】短波長の蛍光を発光する発光層を、燐光性化合物を含む発光層で挟む構成とすることにより、短波長の蛍光を発光する発光層で生じた三重項励起子のエネルギーを有効に利用できる。さらに、蛍光を発光する発光層の構成を工夫することにより、燐光性化合物を含む発光層と蛍光を発光する発光層との発光のバランスが向上させることができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子に関する。また、発光素子を有
する発光装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence)を利用し
た発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の
電極間に発光性の物質を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光
性の物質からの発光を得ることができる。
【0003】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く
、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好
適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも
大きな利点である。また、非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【0004】
また、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、大面積の素子を形成す
ることにより、面状の発光を容易に得ることができる。このことは、白熱電球やLEDに
代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明
等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【0005】
エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、
無機化合物であるかによって大きく分けられる。
【0006】
発光性の物質が有機化合物である場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電
極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる
。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化
合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカ
ニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【0007】
なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態
が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼
ばれている。
【0008】
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、材料に起因した問題が
多く、これらを克服するために素子構造の改良や材料開発等が行われている。
【0009】
例えば、非特許文献1では、トリプレットハーベスト(Triplet Havesti
ng)という方法を用い、高効率の発光素子を実現している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0010】
【非特許文献1】M.E.Kondakova,他8名,SID 08 DIGEST,PP219−222(2008)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
非特許文献1に記載の構成では、青色蛍光性化合物を含む発光層(Blue LEL)の
陰極側に黄色燐光性化合物を含む発光層(Yellow LEL)が設けられており、青
色蛍光性化合物の三重項エネルギーのうち、一部は陰極側へ移動してYellow LE
L中の黄色燐光性化合物を発光させることができる。一方、Blue LELから陽極側
に移動する三重項エネルギーに関しては、Blue LELよりも三重項励起エネルギー
の大きい電子ブロック層(EBL)がBlueLELの陽極側に設けられているため、B
lue LELから陽極側へは移動しない。その結果、青色蛍光性化合物の三重項エネル
ギーの一部は無放射過程によって消費され、発光に寄与しない。
【0012】
よって、本発明の一態様では、さらに三重項励起子のエネルギーを有効に用いて、発光素
子の発光効率を向上させることを目的とする。
【0013】
また、発光素子、発光装置および電子機器の消費電力を低減させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明者らは、短波長の蛍光を発光する発光層に対して、燐光を発光する物質(以下、燐
光性化合物という)を含む発光層で挟む構成とすることにより、短波長の蛍光を発光する
発光層で生じた三重項励起子のエネルギーを有効に利用できることを見いだした。また、
単に短波長の蛍光を発光する発光層に対して、燐光性化合物を含む発光層で挟むだけでは
、蛍光を発光する発光層をキャリアが突き抜けてしまい、発光強度のバランスが崩れてし
まう。しかし、蛍光を発光する発光層の構成を工夫することにより、燐光性化合物を含む
発光層と蛍光を発光する発光層との発光強度のバランスが向上することを見いだした。
【0015】
よって、本発明の一態様は、陽極と陰極の間に、陽極側から順に設けられた第1の層、第
2の層、第3の層、第4の層を有し、第1の層および第2の層は、正孔輸送性であり、第
3の層および第4の層は、電子輸送性であり、第1の層は、第1の燐光性化合物と第1の
正孔輸送性の有機化合物とを有し、第2の層は、第1の蛍光性化合物と第2の正孔輸送性
の有機化合物とを有し、第3の層は、第2の蛍光性化合物と第1の電子輸送性の有機化合
物とを有し、第4の層は、第2の燐光性化合物と第2の電子輸送性の有機化合物とを有し
、第2の正孔輸送性の有機化合物の三重項励起エネルギーは、第1の正孔輸送性の有機化
合物の三重項励起エネルギー以上であり、第1の電子輸送性の有機化合物の三重項励起エ
ネルギーは、第2の電子輸送性の有機化合物の三重項励起エネルギー以上であることを特
徴とする発光素子である。
【0016】
上記構成において、第1の正孔輸送性の有機化合物と第2の正孔輸送性の有機化合物が同
じ有機化合物であることが好ましい。第1の正孔輸送性の有機化合物と第2の正孔輸送性
の有機化合物が同じ有機化合物であることにより、キャリアの移動におけるエネルギー障
壁が小さくなる。
【0017】
また、上記構成において、第1の電子輸送性の有機化合物と第2の電子輸送性の有機化合
物が同じ有機化合物であることが好ましい。第1の電子輸送性の有機化合物と第2の電子
輸送性の有機化合物が同じ有機化合物であることにより、キャリアの移動におけるエネル
ギー障壁が小さくなる。
【0018】
また、上記構成において、第1の層と第2の層の間には、第1の正孔輸送性の有機化合物
もしくは第2の正孔輸送性の有機化合物の一方または両方からなる間隔層が設けられてい
ることが好ましい。また、第3の層と第4の層の間には、第1の電子輸送性の有機化合物
もしくは第2の電子輸送性の有機化合物の一方または両方からなる間隔層が設けられてい
ることが好ましい。間隔層を設けることにより、第2の層から第1の層および第3の層か
ら第4の層へのエネルギー移動を調整することができる。
【0019】
また、上記構成において、第2の層の膜厚と第3の層の膜厚の合計は、5nm乃至20n
mであることが好ましい。第2の層と第3の層の膜厚の合計が厚くなりすぎると、第1の
層および第4の層からの発光が弱くなり、第2の層と第3の層の膜厚の合計が薄くなりす
ぎると、第2の層と第3の層の発光が弱くなってしまう。このような範囲の膜厚にするこ
とにより、第1の層、第2の層、第3の層、第4の層、それぞれの層からの発光をバラン
ス良く得ることができる。
【0020】
また、上記構成において、第2の層における第1の蛍光性化合物の濃度は、0.1wt%
乃至10wt%であることが好ましい。また、第3の層における第2の蛍光性化合物の濃
度は、0.1wt%乃至10wt%であることが好ましい。このような濃度範囲にするこ
とにより、第2の層や第3の層の発光が強くなり第1の層や第4の層の発光が弱くなって
しまうことを抑制し、第1の層、第2の層、第3の層、第4の層、それぞれの層からの発
光をバランス良く得ることができる。
【0021】
また、上記構成において、第1の蛍光性有機化合物と第2の蛍光性有機化合物が同じ有機
化合物であることが好ましい。第1の蛍光性有機化合物と第2の蛍光性有機化合物が同じ
有機化合物であることにより、発光素子の作製が容易となる。
【0022】
また、上記構成において、第1の蛍光性有機化合物および第2の蛍光性有機化合物の発光
色は青色であり、第1の燐光性化合物と第2の燐光性化合物の発光色は、それぞれ緑色と
赤色であることが好ましい。このような構成とすることにより、白色発光素子を得ること
ができる。
【0023】
また、上記構成において、第1の燐光性化合物と第2の燐光性化合物が同じ有機化合物で
あることが好ましい。第1の燐光性化合物と第2の燐光性化合物が同じ有機化合物である
ことにより、発光素子の作製が容易となる。
【0024】
また、上記構成において、第1の蛍光性有機化合物と第2の蛍光性有機化合物が同じ有機
化合物であり、第1の燐光性化合物と第2の燐光性化合物が同じ有機化合物であり、第1
の燐光性化合物および第2の燐光性化合物の発光色と、第1の蛍光性化合物および第2の
蛍光性化合物の発光色とが補色の関係であることが好ましい。このような構成とすること
により、白色発光素子を得ることができる。
【0025】
また、本発明の態様は、上述した発光素子を有する発光装置も範疇に含めるものである。
本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源(照
明装置を含む)を含む。また、発光素子が形成されたパネルにコネクター、例えばFPC
(Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape A
utomated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier
Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント
配線板が設けられたモジュール、または発光素子にCOG(Chip On Glass
)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものと
する。
【0026】
また、本発明の態様の発光素子を表示部に用いた電子機器も本発明の範疇に含めるものと
する。したがって、本発明の態様の電子機器は、表示部を有し、表示部は、上述した発光
素子と発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0027】
本発明の態様を適用することにより、発光層で生じた一重項励起子および三重項励起子を
有効に用いることができ、高い発光効率の発光素子を実現することができる。
【0028】
また、本発明の態様を適用することにより、発光素子、発光装置、電子機器の消費電力を
低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図2】本発明の一態様の発光素子を説明するバンド図。
【図3】本発明の一態様の発光素子を説明するバンド図。
【図4】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図5】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図6】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図7】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図8】本発明の一態様の発光装置を説明する図。
【図9】本発明の一態様の発光装置を説明する図。
【図10】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図11】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図12】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図13】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図14】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図15】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図16】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明の態様は
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び
詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下
に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する
本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略することがある。
【0031】
(実施の形態1)
本発明の発光素子の一態様について図1乃至図4を用いて以下に説明する。
【0032】
本発明の一態様の発光素子は、一対の電極間に複数の層を有する。本明細書中において、
一対の電極間に設けられた複数の層をまとめて、以下、EL層という。EL層は少なくと
も発光層を有する。
【0033】
本形態において、発光素子は、図1に示すように、第1の電極102と、第2の電極10
4と、第1の電極102と第2の電極104との間に設けられたEL層103とから構成
されている。なお、本形態では第1の電極102は陽極として機能し、第2の電極104
は陰極として機能するものとして、以下説明をする。つまり、第1の電極102の方が第
2の電極104よりも電位が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電
圧を印加したときに、発光が得られるものとして、以下説明をする。
【0034】
基板101は発光素子の支持体として用いられる。基板101としては、例えばガラス、
またはプラスチックなどを用いることができる。なお、発光素子の支持体として機能する
ものであれば、これら以外のものでもよい。
【0035】
第1の電極102としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上が好ましい。
)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。
具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Ox
ide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム
−酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸
化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)等が挙げられる。これらの導電性金属酸化
物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わ
ない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化インジウムに対し1〜20
wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することがで
きる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO)は、
酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜1wt
%含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。この他、
金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、
モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)
、または金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
【0036】
第2の電極104としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下が好ましい。
)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。こ
のような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、す
なわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(M
g)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれ
らを含む合金(MgAg、AlLi)、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)
等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第2の電極10
4と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、
Al、Ag、ITO、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々
な導電性材料を第2の電極104として用いることができる。
【0037】
EL層103は、層の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質または
正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性(
電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質等から成る層と、本実施の形態で示す発光層と
を適宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層(ホ
ールブロッキング層)、電子輸送層、電子注入層等を実施の形態1で示す発光層と適宜組
み合わせて構成することができる。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。図
1では、一例として、第1の電極102、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層
114、第2の電極104が順に積層した構成を示している。
【0038】
正孔輸送層112は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質とし
ては、例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニ
ル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N
’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:TPD)、4
,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:TCT
A)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略
称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェ
ニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(スピ
ロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:B
SPB)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に
10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸
送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物
質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとし
てもよい。
【0039】
また、正孔輸送層112として、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポ
リ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−
[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル
)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニ
ル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分
子化合物を用いることもできる。
【0040】
発光層113は、発光性の高い物質を含む層である。本発明の一態様の発光素子において
、発光層113は、陽極として機能する第1の電極102側から順に設けられた、第1の
層121、第2の層122、第3の層123、第4の層124を有する。
【0041】
第1の層121は正孔輸送性であり、第1の燐光を発光する物質(以下、燐光性化合物と
いう)と第1の正孔輸送性の有機化合物とを有する。第1の燐光性化合物の三重項励起エ
ネルギーは、第1の正孔輸送性の有機化合物の三重項励起エネルギーよりも同じまたは小
さい。
【0042】
第2の層122は正孔輸送性であり、第1の蛍光を発光する物質(以下、蛍光性化合物と
いう)と第2の正孔輸送性の有機化合物と有する。第1の蛍光性化合物の一重項励起エネ
ルギーは、第2の正孔輸送性の有機化合物の一重項励起エネルギーよりも同じまたは小さ
い。
【0043】
第3の層123は電子輸送性であり、第2の蛍光性化合物と第1の電子輸送性の有機化合
物とを有する。第2の蛍光性化合物の一重項励起エネルギーは、第1の電子輸送性の有機
化合物の一重項励起エネルギーよりも同じまたは小さい。
【0044】
第4の層124は電子輸送性であり、第2の燐光性化合物と第2の電子輸送性の有機化合
物と有する。第2の燐光性化合物の三重項励起エネルギーは、第2の電子輸送性の有機化
合物の三重項励起エネルギーよりも同じまたは小さい。
【0045】
このような構成とすることにより、第1の電極102の方が第2の電極104よりも電位
が高くなるように、第1の電極102と第2の電極104に電圧を印加したときに、第2
の層122と第3の層123との界面付近に再結合領域が形成される。
【0046】
つまり、図2に示すように、第1の電極102から注入された正孔は、正孔輸送層112
を通り、第1の層121へ輸送される。第1の層121は正孔輸送性であるため、正孔は
第1の層121を通り、第2の層122へ輸送される。第2の層122も正孔輸送性であ
るため、正孔は、第2の層122と第3の層123の界面付近へ輸送される。一方、第2
の電極104から注入された電子は、電子輸送層114を通り、第4の層124へ輸送さ
れる。第4の層124は電子輸送性であるため、電子は、第4の層124を通り、第3の
層123へ輸送される。第3の層123も電子輸送性であるため、電子は、第3の層12
3と第2の層122の界面付近へ輸送される。そして、第2の層122と第3の層123
との界面付近で、正孔と電子が再結合する。この再結合領域131では、一重項励起状態
(S)の励起子と三重項励起状態(T)の励起子が生成し、その統計的な生成比は、
:T=1:3であると考えられている。一重項励起状態の励起子は、第2の層12
2に含まれる第1の蛍光性化合物の一重項励起状態および第3の層123に含まれる第2
の蛍光性化合物の一重項励起状態へエネルギー移動し、第1の蛍光性化合物および第2の
蛍光性化合物が発光する。
【0047】
一方、再結合領域131で生成した三重項励起状態の励起子は、従来の発光素子では、発
光に寄与することなく失活してしまっていた。もしくは、非特許文献1に記載されるよう
に、その一部だけが利用されていた。
【0048】
本発明の一態様の発光素子において、第2の正孔輸送性の有機化合物の三重項励起エネル
ギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)は、第1の正孔輸送性の有機化合物
の三重項励起エネルギーと同じまたはそれ以上の大きさであり、第1の電子輸送性の有機
化合物の三重項励起エネルギーは、第2の電子輸送性の有機化合物の三重項励起エネルギ
ーと同じまたはそれ以上の大きさである。このような構成とすることにより、再結合領域
131で発生した三重項励起状態の励起エネルギーは第2の層を介して第1の層121へ
移動することができ、第2の層を介して第1の層121へ移動した励起エネルギーから第
1の層121に含まれる第1の正孔輸送性の有機化合物の三重項励起状態へのエネルギー
移動が可能となる。また、再結合領域131で発生した三重項励起状態の励起エネルギー
は第3の層を介して第4の層124へ移動することができ、第3の層を介して第4の層1
24へ移動した励起エネルギーから第4の層124に含まれる第2の電子輸送性の有機化
合物の三重項励起状態へのエネルギー移動が可能となる。
【0049】
その結果、第1の正孔輸送性の有機化合物の三重項励起状態から、第1の燐光性化合物の
三重項励起状態へエネルギー移動が起こり、第1の燐光性化合物が発光する。また、第2
の電子輸送性の有機化合物の三重項励起状態から、第2の燐光性化合物の三重項励起状態
へのエネルギー移動が起こり、第2の燐光性化合物が発光する。
【0050】
すなわち、本発明の態様を適用することにより、再結合領域131で生成した一重項励起
状態の励起子および三重項励起状態の励起子をより有効に発光に利用することができる。
【0051】
また、本発明の一態様の発光素子は、上述した発光層113の構成を採用することにより
、再結合領域131を発光層113の中央付近に調整することが可能となり、キャリアの
突き抜けを抑制することができ、発光強度バランスを向上させることができる。また、各
層(第1の層121、第2の層122、第3の層123、第4の層124)の膜厚をそれ
ぞれ調整することにより、再結合領域131からの距離を調整することができるので、さ
らに発光バランスを向上させることが可能となる。
【0052】
また、上記構成において、第1の層121に含まれる第1の正孔輸送性の有機化合物と第
2の層122に含まれる第2の正孔輸送性の有機化合物が同じ有機化合物であることが好
ましい。同じ有機化合物であることにより、再結合領域131で発生した三重項励起状態
の励起エネルギーは移動しやすくなり、第1の層121に含まれる第1の正孔輸送性の有
機化合物の三重項励起状態へのエネルギー移動がよりスムーズに行われる。また、発光素
子の作製も容易となる。
【0053】
同様に、第3の層123に含まれる第1の電子輸送性の有機化合物と第4の層124に含
まれる第2の電子輸送性の有機化合物が同じ有機化合物であることが好ましい。同じ有機
化合物であることにより、再結合領域131で発生した三重項励起状態の励起エネルギー
は移動しやすくなり、第4の層124に含まれる第2の電子輸送性の有機化合物の三重項
励起状態へのエネルギー移動がよりスムーズに行われる。また、発光素子の作製も容易と
なる。
【0054】
また、図3に示すように、第1の層121と第2の層122との間には、第1の正孔輸送
性の有機化合物もしくは第2の正孔輸送性の有機化合物の一方または両方からなる間隔層
141が設けられていることが好ましい。図3では、一例として、第2の正孔輸送性の有
機化合物からなる間隔層141を図示した。間隔層141が設けられていることにより、
再結合領域131と第1の層121との距離を調整することが容易となり、三重項励起状
態からのエネルギーの移動に応じて、第1の層121からの発光強度を調整することが容
易となる。また、第2の層122に含まれる第1の蛍光性化合物の一重項励起エネルギー
が、フェルスター機構によるエネルギー移動により、第1の層121に含まれる第1の燐
光性化合物に移動してしまうことを防ぐことができる。さらに、間隔層141として、第
1の正孔輸送性の有機化合物もしくは第2の正孔輸送性の有機化合物の一方または両方を
用いることにより、三重項励起状態からのエネルギー移動をスムーズに行うことができる
。また、容易に間隔層を形成することができる。
【0055】
同様に、第3の層123と第4の層124との間には、第1の電子輸送性の有機化合物も
しくは第2の電子輸送性の有機化合物の一方または両方からなる間隔層が設けられている
ことが好ましい。図3では、一例として、第1の電子輸送性の有機化合物からなる間隔層
142を図示した。間隔層が設けられていることにより、再結合領域131と第4の層1
24との距離を調整することが容易となり、三重項励起状態からのエネルギーの移動に応
じて、第4の層124からの発光強度を調整することが容易となる。また、第3の層12
3に含まれる第2の蛍光性化合物の一重項励起エネルギーが、フェルスター機構によるエ
ネルギー移動により、第4の層124に含まれる第2の燐光性化合物に移動してしまうこ
とを防ぐことができる。さらに、間隔層として、第1の電子輸送性の有機化合物もしくは
第2の電子輸送性の有機化合物の一方または両方を用いることにより、三重項励起状態か
らのエネルギー移動をスムーズに行うことができる。また、容易に間隔層を形成すること
ができる。
【0056】
また、第2の層122と第3の層123の膜厚の合計は5nm以上20nm以下であるこ
とが好ましい。第2の層122と第3の層123の膜厚が薄すぎると、キャリアが突き抜
けてしまい再結合領域が広がってしまう。また、第2の層122と第3の層123の膜厚
が厚すぎると、再結合領域からの三重項励起エネルギーの移動が第1の層121および第
4の層124まで届かず、第1の燐光性化合物および第2の燐光性化合物が発光しなくな
ってしまう。よって、第2の層122と第3の層123の膜厚の合計は5nm以上20n
m以下であることが好ましい。
【0057】
また、第2の層122における第1の蛍光性化合物の濃度は、0.1wt%以上10wt
%以下であることが好ましい。第1の蛍光性化合物の濃度が低すぎると、第1の蛍光性化
合物からの発光が弱くなってしまう。また、第1の蛍光性化合物の濃度が高すぎると、再
結合領域からの三重項励起エネルギーからのエネルギーを第1の蛍光性化合物が受け取っ
てしまい、発光せずに失活してしまう。よって、第2の層122における第1の蛍光性化
合物の濃度は、0.1wt%以上10wt%以下であることが好ましい。
【0058】
同様に、第3の層123における第2の蛍光性化合物の濃度は、0.1wt%以上10w
t%以下であることが好ましい。第2の蛍光性化合物の濃度が低すぎると、第2の蛍光性
化合物からの発光が弱くなってしまう。また、第2の蛍光性化合物の濃度が高すぎると、
再結合領域からの三重項励起エネルギーからのエネルギーを第2の蛍光性化合物が受け取
ってしまい、発光せずに失活してしまう。よって、第3の層123における第2の蛍光性
化合物の濃度は、0.1wt%以上10wt%以下であることが好ましい。
【0059】
また、第2の層122に含まれる第1の蛍光性化合物と、第3の層123に含まれる第2
の蛍光性化合物は同じ有機化合物であることが好ましい。同じ有機化合物であることによ
り、再結合領域131から生じた励起子から、第2の層122および第3の層123への
エネルギー移動が、より均等に起こる。よって、発光バランスを向上させることができる
。また、発光素子の作製も容易になる。
【0060】
また、本発明の一態様の発光素子は、複数の発光性の高い物質からの発光を得ることがで
きるため、白色発光素子に好適に用いることができる。白色発光素子に適用することによ
り、高効率の白色発光素子を得ることができる。
【0061】
例えば、第1の蛍光性化合物の発光色と第1の燐光性化合物の発光色を補色の関係とする
ことで、白色発光素子を得ることができる。また、さらに、第2の蛍光性化合物の発光色
と第2の燐光性化合物の発光色を補色の関係とすることで、演色性に優れた白色発光素子
を得ることができる。
【0062】
なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にあ
る色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。
【0063】
また、例えば、第1の蛍光性化合物の発光色と第2の燐光性化合物の発光色を補色の関係
とすることで、白色発光素子を得ることができる。また、さらに、第2の蛍光性化合物の
発光色と第1の燐光性化合物の発光色を補色の関係とすることで、演色性に優れた白色発
光素子を得ることができる。
【0064】
また、第1の蛍光性化合物および第2の蛍光性化合物の発光色は青色であり、第1の燐光
性化合物と第2の燐光性化合物の発光色は、それぞれ緑色と赤色とすることで、演色性に
優れた白色発光素子を得ることができる。
【0065】
また、第1の蛍光性化合物と第2の蛍光性化合物が同じ有機化合物であり、第1の燐光性
化合物と第2の燐光性化合物が同じ有機化合物であり、第1の燐光性化合物および第2の
燐光性化合物の発光色と、第1の蛍光性化合物および第2の蛍光性化合物の発光色とを補
色の関係とすることで白色発光素子を得ることができる。第1の蛍光性化合物と第2の蛍
光性化合物が同じ有機化合物であることにより、再結合領域から、第2の層122および
第3の層123へのエネルギー移動が、より均等に起こり、発光バランスを向上させるこ
とができる。また、発光素子の作製も容易になる。さらに、第1の燐光性化合物と第2の
燐光性化合物とが同じ有機化合物とすることで、より容易に白色発光素子を作製すること
ができる。
【0066】
第2の層122および第3の層123における燐光性化合物としては種々の材料を用いる
ことができる。例えば、青色系の燐光性化合物として、ビス[2−(4’,6’−ジフル
オロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾ
リル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピ
リジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビ
ス[2−(3’,5’ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリ
ジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)(pic))、ビス[2
−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))などの有機金属錯体が挙げられる。
また、緑色系の燐光性化合物として、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イ
リジウム(III)(略称:Ir(ppy))、ビス(2−フェニルピリジナト−N,
2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)(aca
c))、ビス(1,2−ジフェニル−1H−ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)
アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)(acac))、ビス(ベンゾ[h]キ
ノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)(ac
ac))などの有機金属錯体が挙げられる。また、黄色系の燐光性化合物として、ビス(
2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチ
ルアセトナート(略称:Ir(dpo)(acac))、ビス[2−(4’−パーフル
オロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称
:Ir(p−PF−ph)(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチアゾラト−N
,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt)(aca
c))などの有機金属錯体が挙げられる。また、橙色系の燐光性化合物として、トリス(
2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(pq)
、ビス(2−フェニルキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナ
ート(略称:Ir(pq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(3,5−ジ
メチル−2−フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr−M
e)(acac)]などの有機金属錯体が挙げられる。また、赤色系の燐光性化合物と
して、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−N,C3’]イ
リジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)(acac))、ビ
ス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナ
ート(略称:Ir(piq)(acac))、(アセチルアセトナト)ビス[2,3−
ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(F
dpq)(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−
21H,23H−ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)などの有機金属錯体が
挙げられる。また、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム
(III)(略称:Tb(acac)(Phen))、トリス(1,3−ジフェニル−
1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:
Eu(DBM)(Phen))、トリス[1−(2−テノイル)−3,3,3−トリフ
ルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(T
TA)(Phen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多
重度間の電子遷移)であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【0067】
また、第1の層121および第4の層124における蛍光性化合物としては、種々の材料
を用いることができる。例えば、青色系の蛍光性化合物として、N,N’−ビス[4−(
9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4
’−ジアミン(略称:YGA2S)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(
10−フェニル−9−アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、2,5,
8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)などが挙げられる。ま
た、緑色系の蛍光性化合物として、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N
,9−ジフェニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9
,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェ
ニル−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−
ジフェニル−2−アントリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジ
アミン(略称:2DPAPA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イ
ル)−2−アントリル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン
(略称:2DPABPhA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N
−[4−(9H−カルバゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2
−アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−ア
ミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。また、黄色系の蛍光性化合物として、
ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニル
テトラセン(略称:BPT)などが挙げられる。また、赤色系の蛍光性化合物として、N
,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)テトラセン−5,11−ジアミン
(略称:p−mPhTD)、7,13−ジフェニル−N,N,N’,N’−テトラキス(
4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a]フルオランテン−3,10−ジアミン(
略称:p−mPhAFD)などが挙げられる。
【0068】
第1の層121および第2の層122における正孔輸送性の有機化合物としては、種々の
材料を用いることができる。例えば、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェ
ニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα−NPD)やN,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン
(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニル
アミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)ト
リフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチル
フェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4
’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―フェニルアミノ]
ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここ
に述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し
、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。また
、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルア
ミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ
)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:
PTPDMA)ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニ
ル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)などの高分子化合物を用いることもできる

【0069】
第3の層123および第4の層124における電子輸送性の有機化合物としては、種々の
材料を用いることができる。例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:
Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq
、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称
:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いる
ことができる。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト
]亜鉛(略称:Zn(BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチア
ゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を
有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフ
ェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(
略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4
−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェ
ニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]カルバゾール(略称:CO
11)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP
)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に10−6cm/Vs以上の電
子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。また、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−
ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,
9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6
’−ジイル)](略称:PF−BPy)などの高分子化合物を用いることもできる。
【0070】
例えば、第1の層における第1の燐光性化合物として赤色に発光する(アセチルアセトナ
ト)ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III
)(略称:Ir(Fdpq)(acac))を用い、第1の正孔輸送性の有機化合物と
して4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(略称:
TCTA)を用い、第2の層における第1の蛍光性化合物として青色に発光する2,5,
8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン(略称:TBP)を用い、第2の正孔輸
送性化合物として第1の正孔輸送性の化合物と同じTCTAを用い、第3の層における第
2の蛍光性化合物として第1の蛍光性化合物と同じTBPを用い、第1の電子輸送性の有
機化合物として9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)
フェニル]カルバゾール(略称:CO11)を用い、第4の層における第2の燐光性化合
物として緑色に発光するビス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(II
I)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)(acac))を用い、第2の電子
輸送性の有機化合物として第1の電子輸送性の有機化合物と同じCO11を用いることに
より、本発明の一態様を適用した白色発光素子を得ることができる。
【0071】
電子輸送層114は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質とし
ては、例えば、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4
−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロ
キシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(略称:BAlq)など、キ
ノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、
この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(
BOX))、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:
Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども
用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4
−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1
,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−
2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェニル−1,3,4−オ
キサジアゾール−2−イル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CO11)、3−
(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,2
,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バ
ソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に
10−6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸
送性の高い物質であれば、上これら以外のものを用いてもよい。また、電子輸送層は、単
層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層以上積層したものとしてもよい。
【0072】
また、電子輸送層114として、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−2,7−ジイ
ル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、ポリ[(9,9−
ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリジン−6,6’−
ジイル)](略称:PF−BPy)などの高分子化合物を用いることもできる。
【0073】
また、図4に示すように、第1の電極102と正孔輸送層112との間に正孔注入層11
1を設けてもよい。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化
物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(略称:CuPc)等の
フタロシアニン系の化合物、或いはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ
(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等の高分子等によっても正孔注入層を形
成することができる。
【0074】
また、正孔注入層111として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させ
た複合材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を
含有させたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶ
ことができる。つまり、第1の電極102として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事
関数の小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、7,7,8,8
−テトラシアノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F−TCNQ
)、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。
また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。
具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン
、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中
でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ま
しい。
【0075】
なお、本明細書中において、複合とは、単に2つの材料を混合させるだけでなく、複数の
材料を混合することによって材料間での電荷の授受が行われ得る状態になることを言う。
【0076】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合
物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高
い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm/Vs以上の正孔移動
度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化
合物を具体的に列挙する。
【0077】
例えば、芳香族アミン化合物としては、N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−N,N
’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’−ビス[N
−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPA
B)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル
(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−
N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等を挙げることができる。
【0078】
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、3−[N−(
9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾ
ール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−
イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、
3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−
9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等を挙げることができる。
【0079】
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、4,4’−ジ
(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カ
ルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9
−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス
[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等を
用いることができる。
【0080】
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、2−tert−
ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−t
ert−ブチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5
−ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,
10−ビス(4−フェニルフェニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10
−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセ
ン(略称:DPAnth)、2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnt
h)、9,10−ビス(4−メチル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、
9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−tert−ブチルアントラセン
、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テ
トラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチ
ル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10
’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル
)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェ
ニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、1×10−6
/Vs以上の正孔移動度を有し、炭素数14〜42である芳香族炭化水素を用いるこ
とがより好ましい。
【0081】
なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4,4’−ビス(2,2−ジ
フェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10−ビス[4−(2,2−ジ
フェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA)等が挙げられる。
【0082】
また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニ
ルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。
【0083】
また、図4に示すように、電子輸送層114と第2の電極104との間に、電子注入層1
15を設けてもよい。電子注入層115としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セ
シウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のようなアルカリ金属又はアルカリ
土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例えば、電子輸送性を有する物質か
らなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させたもの、
例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることができる。電子
注入層115として、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ
土類金属を含有させたものを用いることにより、第2の電極104からの電子注入が効率
良く行われるためより好ましい。
【0084】
EL層103の形成方法としては、種々の方法を用いることができ、乾式法、湿式法のど
ちらでも用いることができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコー
ト法など用いても構わない。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成し
ても構わない。
【0085】
以上のような構成を有する本発明の一態様の発光素子は、第1の電極102と第2の電極
104との間に生じた電位差により電流が流れ、EL層103において正孔と電子とが再
結合し、発光するものである。より具体的には、EL層103中の発光層113において
発光領域が形成されるような構成となっている。
【0086】
発光は、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方または両方を通って外
部に取り出される。従って、第1の電極102または第2の電極104のいずれか一方ま
たは両方は、透光性を有する電極である。第1の電極102のみが透光性を有する電極で
ある場合、図5(A)に示すように、発光は第1の電極102を通って基板側から取り出
される。また、第2の電極104のみが透光性を有する電極である場合、図5(B)に示
すように、発光は第2の電極104を通って基板と逆側から取り出される。第1の電極1
02および第2の電極104がいずれも透光性を有する電極である場合、図5(C)に示
すように、発光は第1の電極102および第2の電極104を通って、基板側および基板
側と逆側の両方から取り出される。
【0087】
なお第1の電極102と第2の電極104との間に設けられるEL層103の構成は、上
記のものには限定されない。発光領域と第1の電極102あるいは第2の電極104とが
近接することによって生じる消光を防ぐように、第1の電極102および第2の電極10
4から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成であり、発光層11
3が上述した構成を有するのであれば、上記以外のものでもよい。
【0088】
つまり、EL層103の積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質また
は正孔輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、正孔注入性の高い物質、バイポーラ性
(電子及び正孔の輸送性の高い物質)の物質、正孔ブロック材料等から成る層を、本発明
の一態様の発光層113と自由に組み合わせて構成すればよい。
【0089】
図6に示す発光素子は、基板101上に、陰極として機能する第2の電極104、EL層
103、陽極として機能する第1の電極102とが順に積層された構成となっている。E
L層103は、正孔輸送層112、発光層113、電子輸送層114を有し、発光層11
3は、第1の電極102側から順に、第1の層121、第2の層122、第3の層123
、第4の層124を有する。
【0090】
本実施の形態においては、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に発光素子を作製し
ている。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブマトリクス型の
発光装置を作製することができる。また、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に、
例えば、薄膜トランジスタ(TFT)を形成し、TFTと電気的に接続された電極上に発
光素子を作製してもよい。これにより、TFTによって発光素子の駆動を制御するアクテ
ィブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、TFTの構造は、特に限定されない。
スタガ型のTFTでもよいし、逆スタガ型のTFTでもよい。また、TFT基板に形成さ
れる駆動用回路についても、N型およびP型のTFTからなるものでもよいし、若しくは
N型またはP型のいずれか一方からのみなるものであってもよい。また、TFTに用いら
れる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。非晶質半導体膜を用いてもよいし、
結晶性半導体膜を用いてもよい。
【0091】
本発明の一態様の発光素子は、再結合領域で生成した一重項励起状態の励起子と三重項励
起状態の励起子をともに有効利用することにより、高い発光効率を実現することができる

【0092】
また、高い発光効率が得られるため、発光素子の消費電力を低減することができる。
【0093】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【0094】
(実施の形態2)
本実施の形態は、本発明の一態様に係る複数の発光ユニットを積層した構成の発光素子(
以下、積層型素子という)の態様について、図7を参照して説明する。この発光素子は、
第1の電極と第2の電極との間に、複数の発光ユニットを有する発光素子である。発光ユ
ニットとしては、少なくとも発光層を有していればよく、実施の形態1で示したEL層と
同様な構成を用いることができる。つまり、実施の形態1で示した発光素子は、1つの発
光ユニットを有する発光素子であり、本実施の形態では、複数の発光ユニットを有する発
光素子について説明する。
【0095】
図7において、第1の電極501と第2の電極502との間には、第1の発光ユニット5
11と第2の発光ユニット512が積層されており、第1の発光ユニット511と第2の
発光ユニット512との間には、電荷発生層513が設けられている。第1の電極501
と第2の電極502は実施の形態1と同様なものを適用することができる。また、第1の
発光ユニット511と第2の発光ユニット512は同じ構成であっても異なる構成であっ
てもよく、その構成は実施の形態1と同様なものを適用することができる。
【0096】
電荷発生層513には、有機化合物と金属酸化物の複合材料が含まれている。この有機化
合物と金属酸化物の複合材料は、実施の形態1で示した複合材料であり、有機化合物と酸
化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン等の金属酸化物を含む。有機化合物と
しては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オ
リゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化合物を用いることができる。なお
、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が10−6cm/Vs
以上であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質で
あれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャ
リア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現すること
ができる。
【0097】
なお、電荷発生層513は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合わ
せて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供与
性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせ
て形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜と
を組み合わせて形成してもよい。
【0098】
いずれにしても、第1の発光ユニット511と第2の発光ユニット512に挟まれる電荷
発生層513は、第1の電極501と第2の電極502に電圧を印加したときに、一方の
側の発光ユニットに電子を注入し、他方の側の発光ユニットに正孔を注入するものであれ
ば良い。例えば、図7において、第1の電極501の電位の方が第2の電極502の電位
よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層513は、第1の発光ユニット5
11に電子を注入し、第2の発光ユニット512に正孔を注入するものであればよい。
【0099】
本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、3つ以上
の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実
施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕
切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域で発光が可能であり、そ
のため長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗によ
る電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が
可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【0100】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【0101】
(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について説明する。
【0102】
本実施の形態では、画素部に本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について図8を
用いて説明する。なお、図8(A)は、発光装置を示す上面図、図8(B)は図8(A)
をA−A’およびB−B’で切断した断面図である。この発光装置は、発光素子の発光を
制御するものとして、点線で示された駆動回路部(ソース側駆動回路)601、画素部6
02、駆動回路部(ゲート側駆動回路)603を含んでいる。また、604は封止基板、
605はシール材であり、シール材605で囲まれた内側は、空間607になっている。
【0103】
なお、引き回し配線608はソース側駆動回路601及びゲート側駆動回路603に入力
される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリ
ントサーキット)609からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等
を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配
線基板(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装
置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとす
る。
【0104】
次に、断面構造について図8(B)を用いて説明する。素子基板610上には駆動回路部
及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路601と
、画素部602中の一つの画素が示されている。
【0105】
なお、ソース側駆動回路601はNチャネル型TFT623とPチャネル型TFT624
とを組み合わせたCMOS回路が形成される。また、駆動回路は、種々のCMOS回路、
PMOS回路もしくはNMOS回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、画素部
が形成された基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要は
なく、駆動回路を画素部が形成された基板上ではなく外部に形成することもできる。
【0106】
また、画素部602はスイッチング用TFT611と、電流制御用TFT612とそのド
レインに電気的に接続された第1の電極613とを含む複数の画素により形成される。な
お、第1の電極613の端部を覆って絶縁物614が形成されている。ここでは、ポジ型
の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【0107】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物614の上端部または下端部に曲率を有す
る曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物614の材料としてポジ型の感光性アク
リルを用いた場合、絶縁物614の上端部のみに曲率半径(0.2μm〜3μm)を有す
る曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物614として、光の照射によってエッチ
ャントに不溶解性となるネガ型、或いは光の照射によってエッチャントに溶解性となるポ
ジ型のいずれも使用することができる。
【0108】
第1の電極613上には、EL層616、および第2の電極617がそれぞれ形成されて
いる。ここで、第1の電極613に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝
導性化合物、およびこれらの混合物を用いることができる。第1の電極613を陽極とし
て用いる場合には、その中でも、仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上)金属、合
金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、珪
素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、窒化チタン膜、ク
ロム膜、タングステン膜、Zn膜、Pt膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウム
を主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン
膜との3層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も
低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【0109】
また、EL層616は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法
等の種々の方法によって形成される。EL層616は、実施の形態1で示した発光層を有
している。また、EL層616を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分
子化合物(オリゴマー、デンドリマーを含む)でのいずれを用いてもよい。また、EL層
616に用いる材料としては、有機化合物だけでなく、無機化合物を用いてもよい。
【0110】
また、第2の電極617に用いる材料としては、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合
物、およびこれらの混合物を用いることができる。第2の電極を陰極として用いる場合に
は、その中でも、仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性
化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第1
族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカ
リ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等
のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(MgAg、AlLi)等が挙げられる。
なお、EL層616で生じた光を第2の電極617を透過させる場合には、第2の電極6
17として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜(酸化インジウム−酸化スズ(IT
O)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸
化亜鉛(IZO)、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム(IWZO
)等)との積層を用いることも可能である。
【0111】
さらにシール材605で封止基板604を素子基板610と貼り合わせることにより、素
子基板610、封止基板604、およびシール材605で囲まれた空間607に発光素子
618が備えられた構造になっている。なお、空間607には、充填材が充填されており
、不活性気体(窒素やアルゴン等)が充填される場合の他、シール材605で充填される
場合もある。
【0112】
なお、シール材605にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料は
できるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板604に
用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiberglass−Rein
forced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルま
たはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【0113】
以上のようにして、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置を得ることができる。
【0114】
本発明の一態様の発光装置は、実施の形態1乃至実施の形態2で示した発光素子を有する
。そのため、発光効率の高い発光装置を得ることができる。また、発光装置の消費電力を
低減することができる。
【0115】
以上のように、本実施の形態では、薄膜トランジスタによって発光素子の駆動を制御する
アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、パッシブマトリクス型
の発光装置であってもよい。図9には本発明の一態様を適用して作製したパッシブマトリ
クス型の発光装置を示す。なお、図9(A)は、発光装置を示す斜視図、図9(B)は図
9(A)をX−Yで切断した断面図である。図9において、基板951上には、電極95
2と電極956との間にはEL層955が設けられている。電極952の端部は絶縁層9
53で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設けられている。隔壁
層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭く
なっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層954の短辺方向の断面は、台形状であ
り、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接する辺)の方が
上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁層953と接しない辺)よりも短
い。このように、隔壁層954を設けることで、陰極をパターニングすることができる。
また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、発光効率の高い本発明の一態様の発
光素子を含むことによって、消費電力の低い発光装置を得ることができる。
【0116】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【0117】
(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態3に示す発光装置をその一部に含む本発明の一態様の電子
機器について説明する。本発明の一態様の電子機器は、実施の形態1乃至実施の形態2で
示した発光素子を有し、発光効率の高い表示部を有する。また、消費電力の低い表示部を
有する。
【0118】
本発明の一態様の発光装置を用いて作製された電子機器として、ビデオカメラ、デジタル
カメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーデ
ィオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコン
ピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装
置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体
を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置)などが挙げられる。これらの電
子機器の具体例を図10に示す。
【0119】
図10(A)は本実施の形態に係るテレビ装置であり、筐体9101、支持台9102、
表示部9103、スピーカー部9104、ビデオ入力端子9105等を含む。このテレビ
装置において、表示部9103は、実施の形態1乃至実施の形態2で説明したものと同様
の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く
、消費電力が低いという特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9103も
同様の特徴を有するため、このテレビ装置は低消費電力化が図られている。このような特
徴により、テレビ装置において、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができる
ので、筐体9101や支持台9102の小型軽量化を図ることが可能である。本実施の形
態に係るテレビ装置は、低消費電力及び小型軽量化が図られているので、それにより住環
境に適合した製品を提供することができる。
【0120】
図10(B)は本実施の形態に係るコンピュータであり、本体9201、筐体9202、
表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイ
ス9206等を含む。このコンピュータにおいて、表示部9203は、実施の形態1乃至
実施の形態2で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている
。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有している。その発光
素子で構成される表示部9203も同様の特徴を有するため、このコンピュータは低消費
電力化が図られている。このような特徴により、コンピュータにおいて、電源回路を大幅
に削減、若しくは縮小することができるので、本体9201や筐体9202の小型軽量化
を図ることが可能である。本実施の形態に係るコンピュータは、低消費電力及び小型軽量
化が図られているので、環境に適合した製品を提供することができる。
【0121】
図10(C)はカメラであり、本体9301、表示部9302、筐体9303、外部接続
ポート9304、リモコン受信部9305、受像部9306、バッテリー9307、音声
入力部9308、操作キー9309、接眼部9310等を含む。このカメラにおいて、表
示部9302は、実施の形態1乃至実施の形態2で説明したものと同様の発光素子をマト
リクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低い
という特徴を有している。その発光素子で構成される表示部9302も同様の特徴を有す
るため、このカメラは低消費電力化が図られている。このような特徴により、カメラにお
いて、電源回路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9301の小型
軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係るカメラは、低消費電力及び小型軽量
化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【0122】
図10(D)は本実施の形態に係る携帯電話であり、本体9401、筐体9402、表示
部9403、音声入力部9404、音声出力部9405、操作キー9406、外部接続ポ
ート9407、アンテナ9408等を含む。この携帯電話において、表示部9403は、
実施の形態1乃至実施の形態2で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列し
て構成されている。当該発光素子は、発光効率が高く、消費電力が低いという特徴を有し
ている。その発光素子で構成される表示部9403も同様の特徴を有するため、この携帯
電話は低消費電力化が図られている。このような特徴により、携帯電話において、電源回
路を大幅に削減、若しくは縮小することができるので、本体9401や筐体9402の小
型軽量化を図ることが可能である。本実施の形態に係る携帯電話は、低消費電力及び小型
軽量化が図られているので、携帯に適した製品を提供することができる。
【0123】
図16には、図10(D)とは異なる構成の携帯電話の一例を示す。図16(A)が正面
図、図16(B)が背面図、図16(C)が展開図である。図16に示す携帯電話は、電
話と携帯情報端末の双方の機能を備えており、コンピュータを内蔵し、音声通話以外にも
様々なデータ処理が可能な所謂スマートフォンである。
【0124】
図16に示す携帯電話は、筐体1001及び1002二つの筐体で構成されている。筐体
1001には、表示部1101、スピーカー1102、マイクロフォン1103、操作キ
ー1104、ポインティングデバイス1105、カメラ用レンズ1106、外部接続端子
1107等を備え、筐体1002には、キーボード1201、外部メモリスロット120
2、カメラ用レンズ1203、ライト1204、イヤホン端子1108等を備えている。
また、アンテナは筐体1001内部に内蔵されている。
【0125】
また、上記構成に加えて、非接触ICチップ、小型記録装置等を内蔵していてもよい。
【0126】
表示部1101には、実施の形態3で示した発光装置を組み込むことが可能であり、使用
形態に応じて表示の方向が適宜変化する。表示部1101と同一面上にカメラ用レンズ1
106を備えているため、テレビ電話が可能である。また、表示部1101をファインダ
ーとしカメラ用レンズ1203及びライト1204で静止画及び動画の撮影が可能である
。スピーカー1102及びマイクロフォン1103は音声通話に限らず、テレビ電話、録
音、再生等が可能である。操作キー1104では、電話の発着信、電子メール等の簡単な
情報入力、画面のスクロール、カーソル移動等が可能である。更に、重なり合った筐体1
001と筐体1002(図16(A))は、スライドし図16(C)のように展開し、携
帯情報端末として使用できる。この場合、キーボード1201、ポインティングデバイス
1105を用い円滑な操作が可能である。外部接続端子1107はACアダプタ及びUS
Bケーブル等の各種ケーブルと接続可能であり、充電及びコンピュータ等とのデータ通信
が可能である。また、外部メモリスロット1202に記録媒体を挿入しより大量のデータ
保存及び移動に対応できる。
【0127】
また、上記機能に加えて、赤外線通信機能、テレビ受信機能等を備えたものであってもよ
い。
【0128】
図11は音響再生装置、具体例としてカーオーディオであり、本体701、表示部702
、操作スイッチ703、704を含む。表示部702は実施の形態3の発光装置(パッシ
ブマトリクス型またはアクティブマトリクス型)で実現することができる。また、この表
示部702はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明の一
態様に係る発光素子を用いることにより、車両用電源(12〜42V)を使って、低消費
電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。また、本実施の形態では車載
用オーディオを示すが、携帯型や家庭用のオーディオ装置に用いても良い。
【0129】
図12は、音響再生装置の一例としてデジタルプレーヤーを示している。図12に示すデ
ジタルプレーヤーは、本体710、表示部711、メモリ部712、操作部713、イヤ
ホン714等を含んでいる。なお、イヤホン714の代わりにヘッドホンや無線式イヤホ
ンを用いることができる。表示部711として、実施の形態3の発光装置(パッシブマト
リクス型またはアクティブマトリクス型)で実現することができる。また、この表示部7
11はセグメント方式の発光装置で形成しても良い。いずれにしても、本発明の一態様に
係る発光素子を用いることにより、二次電池(ニッケル−水素電池など)を使っても表示
が可能であり、低消費電力化を図りつつ、明るい表示部を構成することができる。メモリ
部712は、ハードディスクや不揮発性メモリを用いている。例えば、記録容量が20〜
200ギガバイト(GB)のNAND型不揮発性メモリを用い、操作部713を操作する
ことにより、映像や音声(音楽)を記録、再生することができる。なお、図11における
表示部702及び図12における表示部711は黒色の背景に白色の文字を表示すること
で消費電力を抑えられる。これは携帯型のオーディオ装置において特に有効である。
【0130】
以上の様に、本発明の一態様を適用して作製した発光装置の適用範囲は極めて広く、この
発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様を適用
することにより、発光効率が高く、低消費電力の表示部を有する電子機器を作製すること
が可能となる。
【0131】
また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。本発明の一態
様の発光素子を照明装置として用いる例を、図13を用いて説明する。
【0132】
図13には、本発明の一態様に係る発光装置を照明装置として用いた電子機器の一例とし
て、本発明の一態様を適用した発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置を示す
。図13に示した液晶表示装置は、筐体901、液晶層902、バックライト903、筐
体904を有し、液晶層902は、ドライバIC905と接続されている。また、バック
ライト903は、本発明の一態様を適用した発光装置が用いられおり、端子906により
、電流が供給されている。
【0133】
本発明の一態様に係る発光装置は薄型で発光効率が高く、低消費電力であるため、本発明
の一態様に係る発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、表示装
置の薄型化、低消費電力化も可能となる。また、本発明の一態様に係る発光装置は、面発
光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化が可能であり、
液晶表示装置の大面積化も可能になる。
【0134】
図14は、本発明の一態様に係る発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた
例である。図14に示す電気スタンドは、筐体2001と、光源2002を有し、光源2
002として、本発明の一態様に係る発光装置が用いられている。本発明の発光装置は発
光効率が高く、低消費電力であるため、電気スタンドも消費電力が低い。
【0135】
図15は、本発明の一態様を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた
例である。本発明の一態様に係る発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装
置として用いることができる。また、本発明の一態様に係る発光装置は、発光効率が高く
、低消費電力であるため、低消費電力の照明装置として用いることが可能となる。このよ
うに、本発明の一態様を適用した発光装置を、室内の照明装置3001として用いた部屋
に、図10(A)で説明したような、本発明の一態様に係るテレビ装置3002を設置し
て公共放送や映画を鑑賞することができる。このような場合、両装置は低消費電力である
ので、環境への負荷を低減することができる。
【0136】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【0137】
101 基板
102 第1の電極
103 EL層
104 第2の電極
111 正孔注入層
112 正孔輸送層
113 発光層
114 電子輸送層
115 電子注入層
121 第1の層
122 第2の層
123 第3の層
124 第4の層
131 再結合領域
141 間隔層
142 間隔層
501 第1の電極
502 第2の電極
511 第1の発光ユニット
512 第2の発光ユニット
513 電荷発生層
601 駆動回路部(ソース側駆動回路)
602 画素部
603 駆動回路部(ゲート側駆動回路)
604 封止基板
605 シール材
607 空間
608 配線
609 FPC(フレキシブルプリントサーキット)
610 素子基板
611 スイッチング用TFT
612 電流制御用TFT
613 第1の電極
614 絶縁物
616 EL層
617 第2の電極
618 発光素子
623 Nチャネル型TFT
624 Pチャネル型TFT
701 本体
702 表示部
703 操作スイッチ
710 本体
711 表示部
712 メモリ部
713 操作部
714 イヤホン
901 筐体
902 液晶層
903 バックライト
904 筐体
905 ドライバIC
906 端子
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 EL層
956 電極
1001 筐体
1002 筐体
1101 表示部
1102 スピーカー
1103 マイクロフォン
1104 操作キー
1105 ポインティングデバイス
1106 カメラ用レンズ
1107 外部接続端子
1108 イヤホン端子
1201 キーボード
1202 外部メモリスロット
1203 カメラ用レンズ
1204 ライト
2001 筐体
2002 光源
3001 照明装置
3002 テレビ装置
9101 筐体
9102 支持台
9103 表示部
9104 スピーカー部
9105 ビデオ入力端子
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9301 本体
9302 表示部
9303 筐体
9304 外部接続ポート
9305 リモコン受信部
9306 受像部
9307 バッテリー
9308 音声入力部
9309 操作キー
9310 接眼部
9401 本体
9402 筐体
9403 表示部
9404 音声入力部
9405 音声出力部
9406 操作キー
9407 外部接続ポート
9408 アンテナ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
陽極と陰極の間に、前記陽極側から順に設けられた、第1の層、第2の層、第3の層、第4の層を有し、
前記第1の層および前記第2の層は、正孔輸送性であり、
前記第3の層および前記第4の層は、電子輸送性であり、
前記第1の層は、第1の発光性を有する物質と第1のホスト材料とを有し、
前記第2の層は、第2の発光性を有する物質と第2のホスト材料とを有し、
前記第3の層は、第3の発光性を有する物質と第3のホスト材料とを有し、
前記第4の層は、第4の発光性を有する物質と第4のホスト材料とを有し、
前記第2のホスト材料の三重項励起エネルギーは、前記第1のホスト材料の三重項励起エネルギー以上であり、
前記第3のホスト材料の三重項励起エネルギーは、前記第4のホスト材料の三重項励起エネルギー以上であり、
前記第2の層で発生した三重項励起エネルギーが前記第1の層へ移動し、前記第1の層に含まれる前記第1の発光性を有する物質の三重項励起状態から発光し、
前記第3の層で発生した三重項励起エネルギーが前記第4の層へ移動し、前記第4の層に含まれる前記第4の発光性を有する物質の三重項励起状態から発光することを特徴とする発光素子。
【請求項2】
請求項1において、
前記第2の発光性を有する物質および前記第3の発光性を有する物質の発光色は青色であり、
前記第1の発光性を有する物質と前記第4の発光性を有する物質の発光色は、それぞれ緑色と赤色であることを特徴とする発光素子。
【請求項3】
請求項1または請求項2において、
前記第2の発光性を有する物質と前記第3の発光性を有する物質が同じ種類の物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項5】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項6】
表示部を有し、
前記表示部は、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の発光素子と前記発光素子の発光を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【公開番号】特開2012−238888(P2012−238888A)
【公開日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−173545(P2012−173545)
【出願日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【分割の表示】特願2009−190171(P2009−190171)の分割
【原出願日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】