発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器
【課題】生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供する。
【解決手段】発光装置の製造方法は、基板１００上に発光素子を形成し、封止用基板１０５上に封止樹脂膜１３４と、封止樹脂膜１３４を取り囲むループ状の接着膜１４４と、を形成し、基板１００と封止用基板１０５とを第１の圧力の下で貼り合わせた後、両基板周辺の圧力を第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させる、ことを特徴とする。
【解決手段】発光装置の製造方法は、基板１００上に発光素子を形成し、封止用基板１０５上に封止樹脂膜１３４と、封止樹脂膜１３４を取り囲むループ状の接着膜１４４と、を形成し、基板１００と封止用基板１０５とを第１の圧力の下で貼り合わせた後、両基板周辺の圧力を第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させる、ことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）等の自発光素子が２次元配列された自発光型の素子基板を備える発光装置又は表示装置の研究開発が行われている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの一対の電極間に形成された発光機能層と、を備える。発光機能層は、例えば有機ＥＬ層、正孔注入層及びインターレイヤからなる。有機ＥＬ層は蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層において正孔と電子とが再結合する際に発生するエネルギーによって発光する。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられる発光材料や電極材料の中には、水分や酸素と接触することにより劣化しやすいものがある。水分や酸素の浸入を防ぐため、有機ＥＬ素子が形成された領域を封止する必要がある。封止にはいくつかの方法があるが、特許文献１には、有機ＥＬ素子の積層構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる厚さ１０μｍ以下の保護層を設ける方法が開示されている。この保護層は、真空蒸着法やスパッタ法により形成される。
【０００５】
他の方法として、有機ＥＬ素子が形成された領域を樹脂で被覆する方法も知られている。特許文献２には、光硬化性樹脂層を光透過性を有するフィルム上に形成した封止材により、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子をラミネート加工して封止する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−０８９９５９号公報
【特許文献２】特開２００４−１３９９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示されている方法では、凹凸を有する有機ＥＬ素子の表面に真空蒸着法やスパッタ法により保護層を形成するため、水分や酸素を遮断するのに十分な厚さの保護層を得るのに時間がかかるという問題がある。
【０００８】
特許文献２に開示されている方法では、光硬化性樹脂層を凹凸を有する有機ＥＬ素子の表面に十分に密着させ、かつ貼り合わせ面や樹脂層に含まれる気泡を追い出すため、有機ＥＬ素子と封止材とをラミネート加工した後、加熱ローラ等により加熱圧着する工程を経る必要がある。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点に係る発光装置の製造方法は、第１の基板に、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、第２の基板上の、前記第１の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、第１の圧力の下で、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、貼り合わせられた前記第１の基板及び前記第２の基板の周辺の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させることを特徴とする。
【００１１】
前記発光装置の製造方法において、前記第１の基板上に前記発光素子が複数形成され、前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第２の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成されてもよい。
【００１２】
前記第２の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されていてもよい。
【００１３】
貼り合わせられた前記第１の基板の端部、前記第２の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備えてもよい。
【００１４】
本発明の第２の観点に係る発光装置は、本発明の第１の観点に係る方法により製造された発光装置を備える。
【００１５】
本発明の第３の観点に係る発光装置は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第１の基板と、前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第１の基板と貼り合わせられている第２の基板と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第４の観点に係る電子機器は、本発明の第３の観点に係る発光装置を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る発光装置を有するデジタルカメラを示した図である。
【図２】本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータを示した図である。
【図３】本発明に係る発光装置を有する携帯電話機を示した図である。
【図４】本発明に係る発光装置を有するテレビを示した図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の一部を切り欠いて示した図である。
【図６】図５に示した発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】本発明に係る発光装置に備えられている画素の等価回路図である。
【図８】本発明に係る発光装置の一部を拡大して示した部分平面模式図である。
【図９】本発明に係る発光装置に備えられている画素の１つの拡大平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線断面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における有機ＥＬ素子基板の形成過程を説明するための図である。
【図１３】（ｃ），（ｄ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における有機ＥＬ素子基板の形成過程を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。
【図１５】図１４に示すラミネート基板のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において有機ＥＬ素子基板とラミネート基板とを減圧下で貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、貼り合わせた有機ＥＬ素子基板とラミネート基板とを大気圧下に置いた後の状態を示す図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。
【図１９】図１８に示すラミネート基板のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態の変形例に用いられる有機ＥＬ素子基板の平面図である。
【図２２】本発明の第２実施形態の変形例に用いられるラミネート基板の平面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
本発明に係る発光装置は、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ発光装置、ＬＣＤ等に用いられる。これらの発光装置は、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等の電子機器の表示部（ディスプレイ）に用いられる。具体例について図１〜４を参照しながら説明する。カメラ１２００は図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、レンズ部１２０１と、操作部１２０２と、表示部１２０３と、ファインダー１２０４と、を備える。表示部１２０３は、本発明に係る発光装置を有する。同様に、パーソナルコンピュータ１２１０は図２に示すように、表示部１２１１と操作部１２１２とを備える。表示部１２１１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図３に示すように、携帯電話機１２２０は表示部１２２１と、操作部１２２２と、受話部１２２３と、送話部１２２４と、を備える。表示部１２２１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図４に示すように、テレビ１２３０は表示部１２３１を備える。表示部１２３１は、本発明に係る発光装置を有する。
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を、発光装置８００の製造工程を例に図面を参照しながら説明する。発光装置８００は基板側に光を放出する、ボトムエミッション型の発光装置である。図５及び図６に示すように、発光装置８００はガラス基板１００と、封止用基板１０５と、封止樹脂層１３５を備える。ガラス基板１００上には、複数の画素１２０が形成されている。画素１２０は有機ＥＬ素子であり、ガラス基板１００上に二次元配列されている。画素１２０の間は隔壁１３０によって仕切られている。画素１２０が形成されている領域は封止樹脂層１３５によって封止されている。
【００２２】
発光装置８００の構造を、図７乃至図９を参照しながらさらに詳細に説明する。図７は画素１２０の構成を説明するための等価回路図である。図８は発光装置８００の部分拡大平面図であり、図９は発光装置８００に備えられている画素１２０のうちの１つを拡大して示した平面図である。
【００２３】
図７に示すように、各画素１２０はキャパシタＣｓ、アノード線Ｌａ、信号線Ｌｄ、走査線Ｌｓ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ、選択トランジスタＴｒ１１、駆動トランジスタＴｒ１２、を備える。平面視すると、アノード線Ｌａ、信号線Ｌｄ及び走査線Ｌｓは図８に示すように画素１２０の開口部の間に縦横に交差して配置されている。図９は、画素１２０の構造をより具体的に示した平面図である。なお、図８、図９においては構造の理解を容易にするため、対向電極４６、無機膜４７、封止樹脂層１３５及び封止用基板１０５は省略されている。
【００２４】
キャパシタＣｓは、駆動トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間電圧を保持するためのものであり、図７及び図９に示すように、駆動トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に接続されている。
【００２５】
選択トランジスタＴｒ１１は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを選択するスイッチとして機能するトランジスタである。図９及び図１１に示すように、そのドレイン電極は信号線Ｌｄに接続されている。ソース電極は駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極に接続されている。ゲート電極は走査線Ｌｓに接続されている。
【００２６】
図１０に示すように、画素１２０は有機ＥＬ層４５を備える。有機ＥＬ層４５は電流を供給されることにより発光する。有機ＥＬ層４５に電流を供給するため、画素１２０は駆動トランジスタＴｒ１２と、アノード電極４２と、対向電極４６と、を備える。駆動トランジスタＴｒ１２は、例えば薄膜トランジスタである。アノード電極４２は例えばＩＴＯ等の透明電極材料で形成されている。対向電極４６は、ボトムエミッション型の発光装置８００の場合、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Ａｌ等の光反射性導電金属からなる上層と、から構成されている。
【００２７】
有機ＥＬ層４５を形成する有機ＥＬ材料の中には、酸素や水分と接触すると劣化するものがある。また、対向電極４６を構成する材料、特にＢａ等からなる低仕事関数材料層は酸素と触れると容易に酸化され、発光装置８００の性能を低下させる。これを防ぐため、画素１２０は図６に示すように、封止樹脂層１３５及び無機膜４７によって封止されている。封止樹脂層１３５は例えばエポキシ系ＵＶ硬化性樹脂で形成されている。無機膜４７は例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＮ等で形成されている。
【００２８】
発光装置８００の製造方法の実施形態について図１２〜図１７を参照しながら説明する。なお、ここでは理解を容易にするために発光装置８００の製造方法を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】
まず、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板１００上にＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇを形成し、窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜１０６で被覆する。ゲート絶縁膜１０６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成される。なお、図１２（ａ）では省略されているが、他の金属配線や電極、例えば信号線、スイッチトランジスタのゲート電極等もこの工程で形成することができる。
【００３０】
次に図１２（ｂ）に示すように、アノード電極４２、駆動トランジスタＴｒ１２を構成するソース電極、ドレイン電極等が、ゲート絶縁膜１０６上に公知の工程により形成される。
【００３１】
発光装置８００がボトムエミッション型の場合、アノード電極４２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等で形成される透明導電膜である。その厚みは、例えば５０〜３００ｎｍである。ソース電極及びドレイン電極は、例えばＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる。アノード電極４２は、駆動トランジスタＴｒ１２を経由して供給される電流を、次の工程で形成される有機ＥＬ層へと供給する。
【００３２】
次に図１３（ｃ）に示すように、隔壁１３０と有機ＥＬ層４５が形成される。隔壁１３０はポリイミド等からなり、各駆動トランジスタＴｒ１２及び各アノード電極４２を互いに絶縁する役割を果たす。さらに後述するように、有機ＥＬ層４５が形成される際の仕切りの役割も果たす。
【００３３】
有機ＥＬ層４５は電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。有機ＥＬ層４５は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成される。
【００３４】
有機ＥＬ層４５は、上記の発光材料を適した溶媒、例えば水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。この際、隔壁１３０で仕切られた各領域に溶液を塗布することで、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することができる。
【００３５】
溶液を塗布する前に、酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理によりアノード電極４２表面の親液化を行ってもよい。アノード電極４２を親液化することで、塗布された溶液（分散液）がアノード電極４２の表面に均一に広がる。この結果、膜厚が均一な有機ＥＬ層４５を形成することができる。
【００３６】
さらに、隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておいてもよい。ここで撥液とは、水系の溶媒、有機系溶媒のいずれもを弾く性質を示す。隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておくことで、塗布された溶液（分散液）が隔壁１３０上に広がるのを防ぎ、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することが容易となる。
【００３７】
本実施形態においては発明の理解を容易にするために有機ＥＬ層４５として単一の層からなるものを例示したが、有機ＥＬ層４５はさらに、正孔注入層若しくはインターレイヤ又はその両方を備えていてもよい。正孔注入層が形成される場合、正孔注入層は、アノード電極４２と有機ＥＬ層４５との間に形成される。正孔注入層は有機ＥＬ層４５に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層は正孔（ホール）注入・輸送が可能な有機高分子系の材料、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）から構成される。
【００３８】
更に、インターレイヤが形成される場合、インターレイヤは正孔注入層と有機ＥＬ層４５との間に形成される。インターレイヤは正孔注入層の正孔注入性を抑制して有機ＥＬ層４５内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、有機ＥＬ層４５の発光効率を高める。
【００３９】
次に図１３（ｄ）に示すように、隔壁１３０及び有機ＥＬ層４５を覆うように対向電極４６が形成される。発光装置８００がボトムエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Ａｌ等の光反射性導電金属からなる上層を有する積層構造を備える。一方、発光装置８００がトップエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる厚さ１０ｎｍ程度の膜厚の極薄い光透過性低仕事関数層と、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ等の光反射性導体層を有する透明積層構造を備える。
【００４０】
対向電極４６の上には無機膜４７が形成される。図１３（ｄ）に示すように、無機膜４７は対向電極４６を覆うように形成される。無機膜４７は、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＮ等をスパッタ法やプラズマＣＶＤ法で堆積させることにより形成される。このようにして、ガラス基板１００上に、有機ＥＬ素子が二次元配列された素子形成領域４００が形成される。
【００４１】
次の工程では、素子形成領域４００が封止される。ここでは、封止は図１４及び図１５に示すラミネート基板１１０を用いて行われる。ラミネート基板１１０は封止樹脂膜１３４と、それを取り囲むようにループ状に形成された接着膜１４４とを有する。封止樹脂膜１３４と接着膜１４４との間には、図１４及び図１５に示すように空間が形成されている。封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４は、例えばＵＶ硬化型エポキシ樹脂からなる。両者は同一の樹脂から形成されていてもよいが、接着膜１４４の方が封止樹脂膜１３４よりも接着性が高いことが好ましい。
【００４２】
封止工程を、図１６及び図１７を参照しながら説明する。貼り合わせは減圧下で行われる。まず準備段階として、有機ＥＬ素子が形成されたガラス基板１００とラミネート基板１１０とを、例えば耐圧容器（図示せず）内に置く。耐圧容器内の空気を抜き、減圧する。この際圧力は特に限定されない。両者を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在している微量の水分や空気を除去して減少させることができる。この結果、得られる発光装置８００の信頼性や耐久性が向上する。この際、水分や空気をより少なくするために、必要に応じて加熱を行ったり、減圧下に置く時間を長くしたりしてもよい。
【００４３】
次に図１６（ａ）に示すように、素子形成領域４００と、封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４とが対向するようにガラス基板１００とラミネート基板１１０とを配置する。ラミネート基板１１０を、図１６（ｂ）に示すようにガラス基板１１０へと押しつけ、密着させる。この際、ループ状の接着膜１４４と封止樹脂膜１３４との間には、図１６（ｂ）に示すように空間Ｓが形成されている。空間Ｓは、ループ状の接着膜１４４によって外気から遮断されている。この状態では、空間Ｓ内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。
【００４４】
次に、貼り合わせられたガラス基板１００とラミネート基板１１０の周辺の圧力を上昇させる。最も簡便な方法としては、耐圧容器を開放して、内部の圧力を大気圧に戻す。すると空間Ｓと外部との圧力差により、封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４は図１７に示すように押しつぶされ、ガラス基板１００とラミネート基板１１０とはさらに強く密着する。
【００４５】
ガラス基板１００とラミネート基板１１０とを十分に密着させた後、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４を硬化させ、それぞれ封止樹脂層１３５及び接着部１４５とする。その後、ガラス基板１００と、ラミネート基板１０５と、接着部１４５とを含む領域を切断し除去することによって、図５及び図６に示す発光装置８００が得られる。
【００４６】
本実施形態では発光装置８００を構成する２種類の基板を減圧下で貼り合わせた後、内外の圧力差を利用して密着させる。２種類の基板を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在する微量の水分や空気を除去することができる。このため、得られる発光装置８００は従来よりも高い耐久性を有する。また、圧力差を利用して両者を密着させるため、従来技術では必須であった大型の加熱ローラー等による圧着工程が不要である。さらに、加熱ローラー等を用いて一端部から他端部へと順番に圧力をかける場合に比べ、基板全体に均一に圧力をかけることができる。このため、歪みや接着ムラが生じにくく、より高い信頼性を有する発光装置８００が得られる。
【００４７】
なお、本実施形態では耐圧容器を開放することにより貼り合わせられたガラス基板１００とラミネート基板１１０の周辺の圧力を上昇させたが、耐圧容器内に空気又は不活性ガス等を導入することにより内部の圧力を上昇させてもよい。上昇後の圧力は、完成後の発光装置の厚み、求められる接着力、各基板の強度など、各種要因を考慮した上で任意に選択することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を図１８〜図２０を参照しながら説明する。第１実施形態との違いは、ラミネート基板１１０の代わりに図１８及び図１９に示すラミネート基板１１５を使用する点である。その他の構成や製造工程は、第１実施形態と同様である。
【００４９】
ラミネート基板１１５は、図１８及び図１９に示すように、封止樹脂膜１３４の周囲に接着膜１３９を有する。接着膜１３９は、封止樹脂膜１３４よりも接着性が高い樹脂で形成されている。ラミネート基板１１５の外周部には、ループ状の接着膜１４４が形成されている。これがガラス基板１００と貼り合わせられると、２つの接着膜１３９と１４４との間に空間Ｓが形成される。
【００５０】
貼り合わせ工程を経た後、第１実施形態と同様に、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９，１４４を硬化させ、それぞれ封止樹脂層１３５、接着部１４０，１４５とする。ガラス基板１００と、ラミネート基板１１５と、接着部１４５とを含む領域を切断し除去すると、図２０に示す発光装置８１０が得られる。
【００５１】
図２０に示すように、発光装置８１０は第１実施形態で得られた発光装置８００と異なり、封止樹脂層１３５の周囲に接着部１４０を有する。接着部１４０は封止樹脂層１３５よりも接着性が高い樹脂であり、ガラス基板１００とラミネート基板１１５とをより強固に結合させる。このため、発光装置８１０は機械的強度が高く、より耐久性に優れる。
【００５２】
（変形例）
第１実施形態及び第２実施形態では発明の理解を容易にするために１枚のガラス基板１００上に１つの素子形成領域４００を形成する例を示したが、本発明の範囲はこれに限られない。例えば、１枚のガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００を形成することもできる。第２実施形態の変形例として、１枚のガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００を形成し複数の発光装置８１０を得る方法について、図２１〜図２３を参照しながら説明する。
【００５３】
本変形例では、図２１に示すように、ガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００が形成され、これが図２２に示すラミネート基板１１６と貼り合わせられる。ラミネート基板１１６は、素子形成領域４００と対応する位置に封止樹脂膜１３４を有する。各封止樹脂膜１３４の周囲には接着膜１３９が形成されている。そして封止用基板１０５の外周部には、複数の封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９を取り囲むように、ループ状の接着膜１３９が形成されている。
【００５４】
貼り合わせ工程ではまず、複数の素子形成領域４００を有するガラス基板１００とラミネート基板１１６とが例えば耐圧容器（図示せず）内に導入される。耐圧容器内を所定の温度及び大気圧より低い所定の圧力に調整した後、各素子形成領域４００と各封止樹脂膜１３４とが対向するよう両者が貼り合わせられる。図２３（ａ）は、減圧下で両者を貼り合わせた状態を、図２１及び図２２に示したＤ−Ｄ’線における断面図で示したものである。この状態では、空間Ｓ内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。
【００５５】
次に、例えば耐圧容器の弁を開放して貼り合わせられた両基板の周辺の圧力を上昇させる。すると図２３（ｂ）に示すように、空間Ｓと外部との圧力差により封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９，１４４は押しつぶされ、ガラス基板１００とラミネート基板１１６とはさらに強く密着する。
【００５６】
第１実施形態及び第２実施形態と同様に封止樹脂膜１３４、接着膜１３９，１４４を紫外線照射により硬化させてそれぞれ封止樹脂層１３５、接着部１４０，１４５とした後、図２３（ｂ）に破線で示されたスクライブ・ブレイクラインに沿って、ガラス基板１００及びラミネート基板１１６を切断する。このスクライブ・ブレイクラインは、平面視では図２１及び図２２に示すように配置されている。このため、スクライブ・ブレイクラインに沿ってガラス基板１００及びラミネート基板１１６を切断すると、接着部１４５も合わせて除去される。このようにして、図２３（ｃ）に示すように複数の発光装置８１０が得られる。本変形例では６つの素子形成領域４００が形成されており、一度の工程で６枚の発光装置８１０を得ることが出来るため、生産性が特に高い。さらに、気圧差を利用することで基板全体に均一に圧力をかけることができるため、部位による品質のバラつきが少なく、安定した品質の発光装置８１０が得られる。
【００５７】
以上、本発明について実施形態を示しながら詳しく述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る発光装置及びその製造方法は、有機ＥＬ素子を有する発光装置以外にも、有機ＥＬ表示装置、液晶表示パネル等に適用することができる。その他、本技術分野の通常の知識に基づいて様々な変形例が可能であり、それらの変形例は本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５８】
Ｃｓ…キャパシタ、Ｌａ…アノード線、Ｌｄ…信号線、Ｌｓ…走査線、ＯＥＬ…有機ＥＬ素子、Ｓ…空間、Ｔｒ１１…選択トランジスタ、Ｔｒ１２…駆動トランジスタ、Ｔｒ１２ｇ…ゲート電極、４２…アノード電極、４５…有機ＥＬ層、４６…対向電極、４７…無機膜、１００…ガラス基板、１０５…封止用基板、１１０，１１５，１１６…ラミネート基板、１０６…ゲート絶縁膜、１２０…画素、１２５…層間絶縁膜、１３０…隔壁、１３４…封止樹脂膜、１３５…封止樹脂層、１３９，１４４…接着膜、１４０，１４５…接着部、４００…素子形成領域、８００，８１０…発光装置、１２００…デジタルカメラ、１２０１…レンズ部、１２０２…操作部、１２０３…表示部、１２０４…ファインダー、１２１０…パーソナルコンピュータ、１２１１…表示部、１２１２…操作部、１２２０…携帯電話機、１２２１…表示部、１２２２…操作部、１２２３…受話部、１２２４…送話部、１２３０…テレビ、１２３１…表示部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置（ＬＣＤ）に続く次世代の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）等の自発光素子が２次元配列された自発光型の素子基板を備える発光装置又は表示装置の研究開発が行われている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、これらの一対の電極間に形成された発光機能層と、を備える。発光機能層は、例えば有機ＥＬ層、正孔注入層及びインターレイヤからなる。有機ＥＬ層は蛍光あるいは燐光を発光することが可能な材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成されている。有機ＥＬ素子は、有機ＥＬ層において正孔と電子とが再結合する際に発生するエネルギーによって発光する。
【０００４】
有機ＥＬ素子に用いられる発光材料や電極材料の中には、水分や酸素と接触することにより劣化しやすいものがある。水分や酸素の浸入を防ぐため、有機ＥＬ素子が形成された領域を封止する必要がある。封止にはいくつかの方法があるが、特許文献１には、有機ＥＬ素子の積層構造体の外表面に、電気絶縁性無機化合物からなる厚さ１０μｍ以下の保護層を設ける方法が開示されている。この保護層は、真空蒸着法やスパッタ法により形成される。
【０００５】
他の方法として、有機ＥＬ素子が形成された領域を樹脂で被覆する方法も知られている。特許文献２には、光硬化性樹脂層を光透過性を有するフィルム上に形成した封止材により、ガラス基板上に形成された有機ＥＬ素子をラミネート加工して封止する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−０８９９５９号公報
【特許文献２】特開２００４−１３９９７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示されている方法では、凹凸を有する有機ＥＬ素子の表面に真空蒸着法やスパッタ法により保護層を形成するため、水分や酸素を遮断するのに十分な厚さの保護層を得るのに時間がかかるという問題がある。
【０００８】
特許文献２に開示されている方法では、光硬化性樹脂層を凹凸を有する有機ＥＬ素子の表面に十分に密着させ、かつ貼り合わせ面や樹脂層に含まれる気泡を追い出すため、有機ＥＬ素子と封止材とをラミネート加工した後、加熱ローラ等により加熱圧着する工程を経る必要がある。
【０００９】
本発明は上記問題に鑑みなされたものであり、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点に係る発光装置の製造方法は、第１の基板に、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、第２の基板上の、前記第１の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、第１の圧力の下で、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、貼り合わせられた前記第１の基板及び前記第２の基板の周辺の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させることを特徴とする。
【００１１】
前記発光装置の製造方法において、前記第１の基板上に前記発光素子が複数形成され、前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第２の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成されてもよい。
【００１２】
前記第２の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されていてもよい。
【００１３】
貼り合わせられた前記第１の基板の端部、前記第２の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備えてもよい。
【００１４】
本発明の第２の観点に係る発光装置は、本発明の第１の観点に係る方法により製造された発光装置を備える。
【００１５】
本発明の第３の観点に係る発光装置は、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第１の基板と、前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第１の基板と貼り合わせられている第２の基板と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第４の観点に係る電子機器は、本発明の第３の観点に係る発光装置を備える。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、生産性が改善された発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明に係る発光装置を有するデジタルカメラを示した図である。
【図２】本発明に係る発光装置を有するパーソナルコンピュータを示した図である。
【図３】本発明に係る発光装置を有する携帯電話機を示した図である。
【図４】本発明に係る発光装置を有するテレビを示した図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の一部を切り欠いて示した図である。
【図６】図５に示した発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】本発明に係る発光装置に備えられている画素の等価回路図である。
【図８】本発明に係る発光装置の一部を拡大して示した部分平面模式図である。
【図９】本発明に係る発光装置に備えられている画素の１つの拡大平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線断面図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における有機ＥＬ素子基板の形成過程を説明するための図である。
【図１３】（ｃ），（ｄ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法における有機ＥＬ素子基板の形成過程を説明するための図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。
【図１５】図１４に示すラミネート基板のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において有機ＥＬ素子基板とラミネート基板とを減圧下で貼り合わせる工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法において、貼り合わせた有機ＥＬ素子基板とラミネート基板とを大気圧下に置いた後の状態を示す図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法において用いられるラミネート基板の平面図である。
【図１９】図１８に示すラミネート基板のＣ−Ｃ’線断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法により得られた発光装置の断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態の変形例に用いられる有機ＥＬ素子基板の平面図である。
【図２２】本発明の第２実施形態の変形例に用いられるラミネート基板の平面図である。
【図２３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２実施形態の変形例に係る発光装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法、発光装置及びこれを備える電子機器について、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
本発明に係る発光装置は、有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ発光装置、ＬＣＤ等に用いられる。これらの発光装置は、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビ等の電子機器の表示部（ディスプレイ）に用いられる。具体例について図１〜４を参照しながら説明する。カメラ１２００は図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、レンズ部１２０１と、操作部１２０２と、表示部１２０３と、ファインダー１２０４と、を備える。表示部１２０３は、本発明に係る発光装置を有する。同様に、パーソナルコンピュータ１２１０は図２に示すように、表示部１２１１と操作部１２１２とを備える。表示部１２１１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図３に示すように、携帯電話機１２２０は表示部１２２１と、操作部１２２２と、受話部１２２３と、送話部１２２４と、を備える。表示部１２２１は、本発明に係る発光装置を有する。更に、図４に示すように、テレビ１２３０は表示部１２３１を備える。表示部１２３１は、本発明に係る発光装置を有する。
【００２１】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を、発光装置８００の製造工程を例に図面を参照しながら説明する。発光装置８００は基板側に光を放出する、ボトムエミッション型の発光装置である。図５及び図６に示すように、発光装置８００はガラス基板１００と、封止用基板１０５と、封止樹脂層１３５を備える。ガラス基板１００上には、複数の画素１２０が形成されている。画素１２０は有機ＥＬ素子であり、ガラス基板１００上に二次元配列されている。画素１２０の間は隔壁１３０によって仕切られている。画素１２０が形成されている領域は封止樹脂層１３５によって封止されている。
【００２２】
発光装置８００の構造を、図７乃至図９を参照しながらさらに詳細に説明する。図７は画素１２０の構成を説明するための等価回路図である。図８は発光装置８００の部分拡大平面図であり、図９は発光装置８００に備えられている画素１２０のうちの１つを拡大して示した平面図である。
【００２３】
図７に示すように、各画素１２０はキャパシタＣｓ、アノード線Ｌａ、信号線Ｌｄ、走査線Ｌｓ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ、選択トランジスタＴｒ１１、駆動トランジスタＴｒ１２、を備える。平面視すると、アノード線Ｌａ、信号線Ｌｄ及び走査線Ｌｓは図８に示すように画素１２０の開口部の間に縦横に交差して配置されている。図９は、画素１２０の構造をより具体的に示した平面図である。なお、図８、図９においては構造の理解を容易にするため、対向電極４６、無機膜４７、封止樹脂層１３５及び封止用基板１０５は省略されている。
【００２４】
キャパシタＣｓは、駆動トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間電圧を保持するためのものであり、図７及び図９に示すように、駆動トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に接続されている。
【００２５】
選択トランジスタＴｒ１１は、有機ＥＬ素子ＯＥＬを選択するスイッチとして機能するトランジスタである。図９及び図１１に示すように、そのドレイン電極は信号線Ｌｄに接続されている。ソース電極は駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極に接続されている。ゲート電極は走査線Ｌｓに接続されている。
【００２６】
図１０に示すように、画素１２０は有機ＥＬ層４５を備える。有機ＥＬ層４５は電流を供給されることにより発光する。有機ＥＬ層４５に電流を供給するため、画素１２０は駆動トランジスタＴｒ１２と、アノード電極４２と、対向電極４６と、を備える。駆動トランジスタＴｒ１２は、例えば薄膜トランジスタである。アノード電極４２は例えばＩＴＯ等の透明電極材料で形成されている。対向電極４６は、ボトムエミッション型の発光装置８００の場合、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Ａｌ等の光反射性導電金属からなる上層と、から構成されている。
【００２７】
有機ＥＬ層４５を形成する有機ＥＬ材料の中には、酸素や水分と接触すると劣化するものがある。また、対向電極４６を構成する材料、特にＢａ等からなる低仕事関数材料層は酸素と触れると容易に酸化され、発光装置８００の性能を低下させる。これを防ぐため、画素１２０は図６に示すように、封止樹脂層１３５及び無機膜４７によって封止されている。封止樹脂層１３５は例えばエポキシ系ＵＶ硬化性樹脂で形成されている。無機膜４７は例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＮ等で形成されている。
【００２８】
発光装置８００の製造方法の実施形態について図１２〜図１７を参照しながら説明する。なお、ここでは理解を容易にするために発光装置８００の製造方法を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】
まず、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板１００上にＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる駆動トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇを形成し、窒化ケイ素、酸化ケイ素等からなるゲート絶縁膜１０６で被覆する。ゲート絶縁膜１０６は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により形成される。なお、図１２（ａ）では省略されているが、他の金属配線や電極、例えば信号線、スイッチトランジスタのゲート電極等もこの工程で形成することができる。
【００３０】
次に図１２（ｂ）に示すように、アノード電極４２、駆動トランジスタＴｒ１２を構成するソース電極、ドレイン電極等が、ゲート絶縁膜１０６上に公知の工程により形成される。
【００３１】
発光装置８００がボトムエミッション型の場合、アノード電極４２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等で形成される透明導電膜である。その厚みは、例えば５０〜３００ｎｍである。ソース電極及びドレイン電極は、例えばＣｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｂ合金膜等からなる。アノード電極４２は、駆動トランジスタＴｒ１２を経由して供給される電流を、次の工程で形成される有機ＥＬ層へと供給する。
【００３２】
次に図１３（ｃ）に示すように、隔壁１３０と有機ＥＬ層４５が形成される。隔壁１３０はポリイミド等からなり、各駆動トランジスタＴｒ１２及び各アノード電極４２を互いに絶縁する役割を果たす。さらに後述するように、有機ＥＬ層４５が形成される際の仕切りの役割も果たす。
【００３３】
有機ＥＬ層４５は電圧を印加することにより光を発生する機能を有する。有機ＥＬ層４５は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の高分子発光材料、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む発光材料から構成される。
【００３４】
有機ＥＬ層４５は、上記の発光材料を適した溶媒、例えば水系溶媒あるいはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解（又は分散）した溶液（分散液）をノズルコート法やインクジェット法等により塗布し、溶媒を揮発させることによって形成される。この際、隔壁１３０で仕切られた各領域に溶液を塗布することで、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することができる。
【００３５】
溶液を塗布する前に、酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理によりアノード電極４２表面の親液化を行ってもよい。アノード電極４２を親液化することで、塗布された溶液（分散液）がアノード電極４２の表面に均一に広がる。この結果、膜厚が均一な有機ＥＬ層４５を形成することができる。
【００３６】
さらに、隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておいてもよい。ここで撥液とは、水系の溶媒、有機系溶媒のいずれもを弾く性質を示す。隔壁１３０の表面にあらかじめ撥液処理を施しておくことで、塗布された溶液（分散液）が隔壁１３０上に広がるのを防ぎ、有機ＥＬ層４５を所望の位置に所望の厚みで形成することが容易となる。
【００３７】
本実施形態においては発明の理解を容易にするために有機ＥＬ層４５として単一の層からなるものを例示したが、有機ＥＬ層４５はさらに、正孔注入層若しくはインターレイヤ又はその両方を備えていてもよい。正孔注入層が形成される場合、正孔注入層は、アノード電極４２と有機ＥＬ層４５との間に形成される。正孔注入層は有機ＥＬ層４５に正孔を供給する機能を有する。正孔注入層は正孔（ホール）注入・輸送が可能な有機高分子系の材料、例えば導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とドーパントであるポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）から構成される。
【００３８】
更に、インターレイヤが形成される場合、インターレイヤは正孔注入層と有機ＥＬ層４５との間に形成される。インターレイヤは正孔注入層の正孔注入性を抑制して有機ＥＬ層４５内において電子と正孔とを再結合させやすくする機能を有し、有機ＥＬ層４５の発光効率を高める。
【００３９】
次に図１３（ｄ）に示すように、隔壁１３０及び有機ＥＬ層４５を覆うように対向電極４６が形成される。発光装置８００がボトムエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、Ａｌ等の光反射性導電金属からなる上層を有する積層構造を備える。一方、発光装置８００がトップエミッション型の場合、対向電極４６は、例えばＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ等の仕事関数の低い材料からなる厚さ１０ｎｍ程度の膜厚の極薄い光透過性低仕事関数層と、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚のＩＴＯ等の光反射性導体層を有する透明積層構造を備える。
【００４０】
対向電極４６の上には無機膜４７が形成される。図１３（ｄ）に示すように、無機膜４７は対向電極４６を覆うように形成される。無機膜４７は、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＮ等をスパッタ法やプラズマＣＶＤ法で堆積させることにより形成される。このようにして、ガラス基板１００上に、有機ＥＬ素子が二次元配列された素子形成領域４００が形成される。
【００４１】
次の工程では、素子形成領域４００が封止される。ここでは、封止は図１４及び図１５に示すラミネート基板１１０を用いて行われる。ラミネート基板１１０は封止樹脂膜１３４と、それを取り囲むようにループ状に形成された接着膜１４４とを有する。封止樹脂膜１３４と接着膜１４４との間には、図１４及び図１５に示すように空間が形成されている。封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４は、例えばＵＶ硬化型エポキシ樹脂からなる。両者は同一の樹脂から形成されていてもよいが、接着膜１４４の方が封止樹脂膜１３４よりも接着性が高いことが好ましい。
【００４２】
封止工程を、図１６及び図１７を参照しながら説明する。貼り合わせは減圧下で行われる。まず準備段階として、有機ＥＬ素子が形成されたガラス基板１００とラミネート基板１１０とを、例えば耐圧容器（図示せず）内に置く。耐圧容器内の空気を抜き、減圧する。この際圧力は特に限定されない。両者を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在している微量の水分や空気を除去して減少させることができる。この結果、得られる発光装置８００の信頼性や耐久性が向上する。この際、水分や空気をより少なくするために、必要に応じて加熱を行ったり、減圧下に置く時間を長くしたりしてもよい。
【００４３】
次に図１６（ａ）に示すように、素子形成領域４００と、封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４とが対向するようにガラス基板１００とラミネート基板１１０とを配置する。ラミネート基板１１０を、図１６（ｂ）に示すようにガラス基板１１０へと押しつけ、密着させる。この際、ループ状の接着膜１４４と封止樹脂膜１３４との間には、図１６（ｂ）に示すように空間Ｓが形成されている。空間Ｓは、ループ状の接着膜１４４によって外気から遮断されている。この状態では、空間Ｓ内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。
【００４４】
次に、貼り合わせられたガラス基板１００とラミネート基板１１０の周辺の圧力を上昇させる。最も簡便な方法としては、耐圧容器を開放して、内部の圧力を大気圧に戻す。すると空間Ｓと外部との圧力差により、封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４は図１７に示すように押しつぶされ、ガラス基板１００とラミネート基板１１０とはさらに強く密着する。
【００４５】
ガラス基板１００とラミネート基板１１０とを十分に密着させた後、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜１３４及び接着膜１４４を硬化させ、それぞれ封止樹脂層１３５及び接着部１４５とする。その後、ガラス基板１００と、ラミネート基板１０５と、接着部１４５とを含む領域を切断し除去することによって、図５及び図６に示す発光装置８００が得られる。
【００４６】
本実施形態では発光装置８００を構成する２種類の基板を減圧下で貼り合わせた後、内外の圧力差を利用して密着させる。２種類の基板を減圧下に置くことで、素子や樹脂の表面又は内部に存在する微量の水分や空気を除去することができる。このため、得られる発光装置８００は従来よりも高い耐久性を有する。また、圧力差を利用して両者を密着させるため、従来技術では必須であった大型の加熱ローラー等による圧着工程が不要である。さらに、加熱ローラー等を用いて一端部から他端部へと順番に圧力をかける場合に比べ、基板全体に均一に圧力をかけることができる。このため、歪みや接着ムラが生じにくく、より高い信頼性を有する発光装置８００が得られる。
【００４７】
なお、本実施形態では耐圧容器を開放することにより貼り合わせられたガラス基板１００とラミネート基板１１０の周辺の圧力を上昇させたが、耐圧容器内に空気又は不活性ガス等を導入することにより内部の圧力を上昇させてもよい。上昇後の圧力は、完成後の発光装置の厚み、求められる接着力、各基板の強度など、各種要因を考慮した上で任意に選択することができる。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法を図１８〜図２０を参照しながら説明する。第１実施形態との違いは、ラミネート基板１１０の代わりに図１８及び図１９に示すラミネート基板１１５を使用する点である。その他の構成や製造工程は、第１実施形態と同様である。
【００４９】
ラミネート基板１１５は、図１８及び図１９に示すように、封止樹脂膜１３４の周囲に接着膜１３９を有する。接着膜１３９は、封止樹脂膜１３４よりも接着性が高い樹脂で形成されている。ラミネート基板１１５の外周部には、ループ状の接着膜１４４が形成されている。これがガラス基板１００と貼り合わせられると、２つの接着膜１３９と１４４との間に空間Ｓが形成される。
【００５０】
貼り合わせ工程を経た後、第１実施形態と同様に、紫外線照射により光硬化性エポキシ樹脂からなる封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９，１４４を硬化させ、それぞれ封止樹脂層１３５、接着部１４０，１４５とする。ガラス基板１００と、ラミネート基板１１５と、接着部１４５とを含む領域を切断し除去すると、図２０に示す発光装置８１０が得られる。
【００５１】
図２０に示すように、発光装置８１０は第１実施形態で得られた発光装置８００と異なり、封止樹脂層１３５の周囲に接着部１４０を有する。接着部１４０は封止樹脂層１３５よりも接着性が高い樹脂であり、ガラス基板１００とラミネート基板１１５とをより強固に結合させる。このため、発光装置８１０は機械的強度が高く、より耐久性に優れる。
【００５２】
（変形例）
第１実施形態及び第２実施形態では発明の理解を容易にするために１枚のガラス基板１００上に１つの素子形成領域４００を形成する例を示したが、本発明の範囲はこれに限られない。例えば、１枚のガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００を形成することもできる。第２実施形態の変形例として、１枚のガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００を形成し複数の発光装置８１０を得る方法について、図２１〜図２３を参照しながら説明する。
【００５３】
本変形例では、図２１に示すように、ガラス基板１００上に複数の素子形成領域４００が形成され、これが図２２に示すラミネート基板１１６と貼り合わせられる。ラミネート基板１１６は、素子形成領域４００と対応する位置に封止樹脂膜１３４を有する。各封止樹脂膜１３４の周囲には接着膜１３９が形成されている。そして封止用基板１０５の外周部には、複数の封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９を取り囲むように、ループ状の接着膜１３９が形成されている。
【００５４】
貼り合わせ工程ではまず、複数の素子形成領域４００を有するガラス基板１００とラミネート基板１１６とが例えば耐圧容器（図示せず）内に導入される。耐圧容器内を所定の温度及び大気圧より低い所定の圧力に調整した後、各素子形成領域４００と各封止樹脂膜１３４とが対向するよう両者が貼り合わせられる。図２３（ａ）は、減圧下で両者を貼り合わせた状態を、図２１及び図２２に示したＤ−Ｄ’線における断面図で示したものである。この状態では、空間Ｓ内の圧力は耐圧容器内の圧力と実質的に等しい。
【００５５】
次に、例えば耐圧容器の弁を開放して貼り合わせられた両基板の周辺の圧力を上昇させる。すると図２３（ｂ）に示すように、空間Ｓと外部との圧力差により封止樹脂膜１３４及び接着膜１３９，１４４は押しつぶされ、ガラス基板１００とラミネート基板１１６とはさらに強く密着する。
【００５６】
第１実施形態及び第２実施形態と同様に封止樹脂膜１３４、接着膜１３９，１４４を紫外線照射により硬化させてそれぞれ封止樹脂層１３５、接着部１４０，１４５とした後、図２３（ｂ）に破線で示されたスクライブ・ブレイクラインに沿って、ガラス基板１００及びラミネート基板１１６を切断する。このスクライブ・ブレイクラインは、平面視では図２１及び図２２に示すように配置されている。このため、スクライブ・ブレイクラインに沿ってガラス基板１００及びラミネート基板１１６を切断すると、接着部１４５も合わせて除去される。このようにして、図２３（ｃ）に示すように複数の発光装置８１０が得られる。本変形例では６つの素子形成領域４００が形成されており、一度の工程で６枚の発光装置８１０を得ることが出来るため、生産性が特に高い。さらに、気圧差を利用することで基板全体に均一に圧力をかけることができるため、部位による品質のバラつきが少なく、安定した品質の発光装置８１０が得られる。
【００５７】
以上、本発明について実施形態を示しながら詳しく述べたが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る発光装置及びその製造方法は、有機ＥＬ素子を有する発光装置以外にも、有機ＥＬ表示装置、液晶表示パネル等に適用することができる。その他、本技術分野の通常の知識に基づいて様々な変形例が可能であり、それらの変形例は本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５８】
Ｃｓ…キャパシタ、Ｌａ…アノード線、Ｌｄ…信号線、Ｌｓ…走査線、ＯＥＬ…有機ＥＬ素子、Ｓ…空間、Ｔｒ１１…選択トランジスタ、Ｔｒ１２…駆動トランジスタ、Ｔｒ１２ｇ…ゲート電極、４２…アノード電極、４５…有機ＥＬ層、４６…対向電極、４７…無機膜、１００…ガラス基板、１０５…封止用基板、１１０，１１５，１１６…ラミネート基板、１０６…ゲート絶縁膜、１２０…画素、１２５…層間絶縁膜、１３０…隔壁、１３４…封止樹脂膜、１３５…封止樹脂層、１３９，１４４…接着膜、１４０，１４５…接着部、４００…素子形成領域、８００，８１０…発光装置、１２００…デジタルカメラ、１２０１…レンズ部、１２０２…操作部、１２０３…表示部、１２０４…ファインダー、１２１０…パーソナルコンピュータ、１２１１…表示部、１２１２…操作部、１２２０…携帯電話機、１２２１…表示部、１２２２…操作部、１２２３…受話部、１２２４…送話部、１２３０…テレビ、１２３１…表示部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、
第２の基板上の、前記第１の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、
第１の圧力の下で、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、
貼り合わせられた前記第１の基板及び前記第２の基板の周辺の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板上に前記発光素子が複数形成され、
前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第２の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、
前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、
前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
貼り合わせられた前記第１の基板の端部、前記第２の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法により製造されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第１の基板と、
前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第１の基板と貼り合わせられている第２の基板と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を備える電子機器。
【請求項１】
第１の基板に、第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を形成し、
第２の基板上の、前記第１の基板の前記発光素子が形成されている領域と対応する領域に樹脂膜を形成し、前記樹脂膜を取り囲みかつ前記樹脂膜との間に空間が形成されるようにループ状の第一接着膜を形成し、
第１の圧力の下で、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記発光素子と前記樹脂膜とが対向するように前記第一接着膜を介して貼り合わせ、
貼り合わせられた前記第１の基板及び前記第２の基板の周辺の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力へと変化させることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板上に前記発光素子が複数形成され、
前記複数の発光素子が形成されている領域と対応する前記第２の基板上の領域に前記樹脂膜が複数形成され、
前記第一接着膜は前記複数の樹脂膜を取り囲むように形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の基板上の、前記第一接着膜よりも内側の領域に前記樹脂膜を取り囲む第二接着膜を形成する工程をさらに含み、
前記空間は前記第一接着膜と前記第二接着膜との間に形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
貼り合わせられた前記第１の基板の端部、前記第２の基板の端部及び前記第一接着膜を除去する工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法により製造されることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の電極と、前記第１の電極と対向する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に備えられた発光機能層と、を有する発光素子を備えた第１の基板と、
前記発光素子と対応する位置に形成された樹脂層と、前記樹脂層を取り囲み、且つ前記樹脂層との間に空間が設けられるように形成されたループ状の接着部と、を有し、前記樹脂層及び前記接着部を介して前記第１の基板と貼り合わせられている第２の基板と、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を備える電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２０１２−７４２７４（Ｐ２０１２−７４２７４Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１８５６９（Ｐ２０１０−２１８５６９）
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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