発光装置の製造方法及び発光装置
【課題】バンクにより囲まれた区画領域に発光素子を形成する際、形成された発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光装置の製造方法及び発光装置を提供する。
【解決手段】区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、その上層部Ｔを平坦化した。
【解決手段】区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、その上層部Ｔを平坦化した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、機能材料で基板上に所定のパターンを形成してディスプレイといった発光装置を製造する技術が開発されているが、近年においては、機能材料を所定の溶媒中に溶解または分散して形成された液状組成物を吐出ヘッドから吐出して、基板の所望の位置に塗布させることでパターンを形成する、所謂、液滴吐出法が注目されている。この液滴吐出法は、機能材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する機能材料が少なくて済むなどの利点がある。
【０００３】
ところで、例えば有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）の画素パターンを液滴吐出法で形成する場合、基板上に吐出した液状組成物が隣接する画素に流出するのを防ぐため、基板上にバンク（仕切部材）を設け、バンクにより囲まれた区画領域に液状組成物を吐出するようにしている。このとき、区画領域内に塗布された液状組成物は、その中央部分が盛り上った凸状態となり、溶媒を除去すると、バンクに向かうに連れて膜厚が厚くなって前記中央部分が凹んだ凹状形状となる。その結果、溶媒を除去した後、機能材料で構成された機能層（たとえば、発光層）は、その膜厚の分布が不均一なものとなることから、発光ムラ（色ムラ）が発生する問題が生じる。
【０００４】
そこで、バンクの側面と区画領域の底面に形成された画素電極との間に、バンクの側面から画素電極に向けて傾斜した連結面を設けることで、溶媒を除去して形成される機能層を連結面に接触させて、機能層を平坦化させる技術が開示されている（たとえば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−１９８４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記有機ＥＬディスプレイといった各種発光装置では、高効率な発光特性を得る等のために各種配線が複雑に引き回されている。そして、区画領域周辺にも、配線が引き回されている。このため、バンクの上層部の表面形状が、区画領域周辺のあるバンクの下方の下地の構造の影響を受けて凹凸形状を成す。従って、区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられたバンクの各上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称にならない場合がある。そのため、液滴吐出法を使用して区画領域内に塗布された液状組成物は、その周縁部がバンクの各上層部の表面上に塗布されるが、上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称でないことから、溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、バンクに引っ張られるので、膜厚が不均一な膜が形成されてしまうという問題が生ずる。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、バンクにより囲まれた区画領域に発光素子を形成する際、形成された発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光装置の製造方法及び発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の第１の配線と、該複数の第１の配線の各々と交差するように互いに所定の間隔で配置された複数の第２の配線と、前記複数の第１の配線と前記複数の第２の配線とを覆うように形成して、前記第１の配線と前記第２の配線との交差部に対応して区画領域を形成するバンクと、前記バンクによって形成された前記各区画領域にそれぞれ形成された発光素子とを備えた発光装置の製造方法において、前記バンクを形成するバンク形成工程と、前記バンクの上層部を平坦化するバンク平坦化工程と、前記バンクによって形成された前記各区画領域に発光層を形成する発光層形成工程とを含んでいる。
【０００８】
これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。
【０００９】
この発光装置の製造方法において、前記バンク平坦化工程は、化学的機械的研磨法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は、確実に平坦化される。従って、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。
【００１０】
この発光装置の製造方法において、前記発光層形成工程は、液滴吐出法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の材料で均一な膜厚を有した発光層を有する発光素子を形成することができる。
【００１１】
本発明の発光装置は、上記記載の発光装置の製造方法によって製造されている。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態として、発光装置を有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ装置）に適用した場合について図面に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの正面図である。
【００１３】
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、ディスプレイ部２と、該ディスプレイ部２の下側部（図１中Ｙ矢印方向）に接続されたフレキシブル回路基板３とから構成されている。
【００１４】
ディスプレイ部２は、基板４を備えている。基板４は、本実施形態では、ガラス板で構成されている。基板４は、その中央に略四角形状の表示領域５を備えている。基板４上であって、表示領域５以外の領域（以下、「非表示領域」という）６には、一対の走査線駆動回路７等が形成されている。
【００１５】
表示領域５には、列方向（図１中Ｙ矢印方向）にｎ個、行方向（図１中Ｘ矢印方向）にｍ個の区画領域８が、それぞれ等ピッチで形成されている。そして、ｍ×ｎ個の各区画領域８に対応して、赤用画素９Ｒ、緑用画素９Ｇ、青用画素９Ｂがマトリクス状に形成されている。そして、行方向に沿っては、赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂ→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→…→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂの順に繰り返して形成されている。また、Ｙ矢印方向（列方向）に沿っては、同色の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂが形成されている。
【００１６】
また、非表示領域６には、一対の走査線駆動回路７が形成されている。各走査線駆動回路７は、協働してｎ行ある画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群を順次走査して一行の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを選択するための走査信号（電圧信号）を順次出力する。
【００１７】
一方、フレキシブル回路基板３上には、データ線駆動回路１０と制御回路１１とが形成されている。データ線駆動回路１０は、前記走査線駆動回路７が出力した走査信号によって選択された行の各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群に対して、その各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂから出射される光の輝度（発光輝度）を決定する電気信号としての画像信号を出力する。制御回路１１は、各走査線駆動回路７及びデータ線駆動回路１０の駆動を制御するための各種制御信号を生成し、その生成した制御信号を各駆動回路７，１０にそれぞれ出力する。
【００１８】
また、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂには、画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを駆動させるための駆動電力が供給されるようになっている。そして、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを順次走査してその選択された各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群における発光輝度をデータ線駆動回路１０によって制御することにより、任意の画像が表示領域５上に表示される。
【００１９】
図２（ａ）に、ｍ×ｎ個ある区画領域８のうちの一つの区画領域８及びその周辺の配線パターンを説明する平面図を示し、図２（ｂ）に、図２（ａ）中ａ−ａ線断面図を示す。
図２（ａ）に示すように、Ｘ矢印方向に沿って形成された走査信号を供給する第２の配線としての走査線ＬＸと、Ｙ矢印方向に沿って形成された画像信号を供給するデータ線ＬＹと、前記データ線ＬＹに平行になるように形成された駆動電力を供給する第１の配線としての給電線ＬＺに挟まれる領域に、前記区画領域８が形成されている。そして、この区画領域８には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための周辺回路が総て配置されている。
【００２０】
詳しくは、周辺回路は、スイッチングトランジスタＱsw、保持容量Ｃp及び駆動トラン
ジスタＱdを備えている。
スイッチングトランジスタＱswは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、走査線ＬＸからの走査信号がゲートに供給される。そして、走査線ＬＸから走査信号が供給されると、スイッチングトランジスタＱswはオンになり、その結果、データ線ＬＹから画像信号がスイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給される。
【００２１】
保持容量Ｃpは、給電線ＬＺに沿って形成された第１電極用配線１２Ａと、絶縁層（図
２（ｂ）参照）Ｍを挟んでその下方（基板４側）に形成された第２電極用配線１２Ｂとから構成されている。第１電極用配線１２Ａは、コンタクトホールＨを介して給電線ＬＺと電気的に接続されている。第２電極用配線１２Ｂは、第１電極用配線１２Ａと平行になる
ように形成され、その一端がスイッチングトランジスタＱswのソースに接続されている。そして、保持容量Ｃpは、スイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給さ
れた画像信号に応じた電荷量を蓄積する。
【００２２】
駆動トランジスタＱdは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＱdのゲートには、スイッチングトランジスタＱswの
ドレイン／ソース間に供給された画像信号が供給されるようになっている。そして、ゲートに供給された画像信号の電圧値に応じて、即ち、保持容量Ｃpに蓄積された電荷量に対
応した電圧値に応じて、ドレイン／ソース間の導電率が制御され、同電圧値に応じた電流が駆動電流として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるようになっている。
【００２３】
図２（ｂ）に示すように、基板４の上方には区画領域８を区画形成するバンク１４が形成されている。詳しくは、基板４上に、Ｙ矢印方向に所定長さだけ延設されるようにして前記第２電極用配線１２Ｂが形成されている。また、基板４上全面には、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って絶縁層Ｍが形成されている。従って、第２電極用配線１２Ｂが形成された領域に対応した絶縁層Ｍの表面は、その周囲の絶縁層Ｍに比べて凸状に盛り上った形状になる。
【００２４】
そして、その盛り上った絶縁層Ｍ上には、第２電極用配線１２Ｂと平行になるようにして第１電極用配線１２Ａが形成されている。つまり、第１電極用配線１２Ａと第２電極用配線１２Ｂとは絶縁層Ｍを挟んで対向する位置に形成されている。また、絶縁層Ｍ上には、第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹが延設されている。
【００２５】
さらに、絶縁層Ｍ上全面には、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って第１の層間絶縁層Ｓ１が形成されている。従って、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１の表面は、その周囲の第１の層間絶縁層Ｓ１に比べて凸状に盛り上った形状になる。
【００２６】
そして、第１電極用配線１２Ａによって盛り上った第１の層間絶縁層Ｓ１上には、Ｙ矢印方向に延設された給電線ＬＺが形成されている。また、第１の層間絶縁層Ｓ１上全面には、給電線ＬＺ上に渡って第２の層間絶縁層Ｓ２が形成されている。従って、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。また、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。
【００２７】
尚、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域は、その下層に、前記したように、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂが積層されている一方、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域は、その下層に、前記したように、データ線ＬＹのみが積層されている。このため、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域が第２の層間絶縁層Ｓ２において最も高く盛り上っている。
【００２８】
そして、その給電線ＬＺによって最も盛り上った部分を除いた第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域には、略長方形状を成す陽極としての画素電極１３が形成されている。
【００２９】
また、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、画素電極１３の外周縁を取り囲む位置には、バンク１４が形成されている。そして、このバンク１４によって前記区画領域８が形成されている。
【００３０】
バンク１４は、基板４側に形成された第１のバンクとしての親液性バンク１４ａと、該
親液性バンク１４ａ上に形成された第２のバンクとしての撥液性バンク１４ｂとから構成されている。そして、親液性バンク１４ａは、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及びデータ線ＬＹが形成された領域を被覆するように第２の層間絶縁層Ｓ２上に形成されている。従って、親液性バンク１４ａの上端面は、凸状に盛り上った形状になる。
【００３１】
また、撥液性バンク１４ｂは、親液性バンク１４ａ上に形成されている。そして、親液性バンク１４ａの周縁部は、撥液性バンク１４ｂより画素電極１３側に張り出すようにして形成されている。各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になっている。従って、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心線Ｌｏ（図２（ａ）参照）に対して対称になっている。
【００３２】
画素電極１３上には、正孔輸送層１６、発光層１７の順に積層されてなる機能層１８が形成されている。発光層１７は、有機材料で構成されている。撥液性バンク１４ｂ及び発光層１７上全面に渡って陰極１９が形成されている。そして、画素電極１３と、該画素電極１３と相対して形成した陰極１９と、画素電極１３と陰極１９との間に機能層１８とを備えたエレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが構成されている。
【００３３】
このような構成を有する有機ＥＬディスプレイ１は、図２（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。また、各正孔輸送層１６上に形成される発光層１７も、正孔輸送層１６と同様に、その膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。
【００３４】
次に、前記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について図３〜図７に従って説明する。
先ず、ガラス板である基板４を洗浄した後に、プラズマＣＶＤ法によって珪素層を成膜し、その後、レーザアニールすることで成膜した珪素層を多結晶化する。この多結晶化された層は、駆動トランジスタＱｄやスイッチングトランジスタＱｓｗといった各種薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャンネルを形成する層と同じ層であり、配線として使用する領域には不純物ドーピングして低抵抗化する。更に、図３（ａ）示すように、基板４上の所定に位置に、フォトリソグラフィー法等を使用することで第２電極用配線１２Ｂをパターニング形成する。その後、図３（ｂ）示すように、基板４上全面に、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、例えば、プラズマ法によって成膜して絶縁層Ｍを形成する。
【００３５】
続いて、第２電極用配線１２Ｂと重なるように絶縁層Ｍ上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層をフォトリソグラフィー法等を使用することで、第１電極用配線１２Ａをパターニング形成する。また、このとき、同時に、絶縁層Ｍ上に第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹを形成する。このとき、データ線ＬＹは、第２電極用配線１２Ｂ上に形成された絶縁層Ｍ上には形成せず、基板４上に形成された絶縁層Ｍ上に形成する（図３（ｃ）参照）。
【００３６】
その後、図３（ｄ）示すように、絶縁層Ｍ上全面に、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜して第１の層間絶縁層Ｓ１を形成する。従って、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。
【００３７】
続いて、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層を、フォトリソグラフィー法等を使用することで、給電線ＬＺをパターニング形成する。更に、第１の層間絶縁層Ｓ１上、及び、給電線ＬＺ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜することで第２の層間絶縁層Ｓ２を形成する（図４（ａ）参照）。
【００３８】
従って、給電線ＬＺが形成された領域に対応した第２の層間絶縁層Ｓ２は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及び給電線ＬＺの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。
【００３９】
そして、図４（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域に、例えば、スパッタ法で形成したインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった光透過性を有する導電材料を成膜する。そして、その後に、フォトリソグラフィー法等を使用することで、パターニングして画素電極１３を形成する。
【００４０】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、給電線ＬＺの上方に対応する領域及び画素電極１３の周縁部を含む領域を開口部ＫｏとするマスクＫを設け、該マスクＫ越しに、酸化珪素（ＳｉＯ２）を蒸着法によって成膜する。その後、マスクＫを除去すると、図４（ｄ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の凸形状に盛り上った位置に親液性バンク１４ａが形成される。従って、その上層部が凸状に盛り上った親液性バンク１４ａが形成される。
【００４１】
続いて、図５（ａ）に示すように、撥液性バンク１４ｂとなる層を形成する。（バンク形成工程）撥液性バンク１４ｂを形成するには、まず、溶媒に溶かした感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。更に、１００〜１５０℃程度の温度で熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理の温度は、樹脂の感光性を用いてパターン形成ができる範囲で高くした方が膜の強度が高くなるため望ましい。また、後の工程で研磨することを考慮して、形成する撥液性バンク１４ｂの膜厚よりも１〜２μｍ程度厚い膜厚で形成することが望ましい。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層１５の表面を平坦化する。つまり、所定のスラリーＳｐを塗布しながらパッドＰｇを回転させて有機樹脂層１５の上層部を研磨する（バンク平坦化工程）。
【００４３】
スラリーＳｐには有機材料の化学的機械的研磨に好適なものを使用する。例えば、砥粒と酸化剤を混合したものを好適に使用することができる。更にｐH調整剤を加えたもので
あっても良い。酸化剤としては、過酸化水素水、硝酸第２鉄、ヨウ素酸カリウム等の酸性酸化剤や、水酸化カリウム、塩酸ヒドロキシアミン、モノエタノールアミン等の強アルカリ性アミン塩、ペルオキソ系化合物等を用いることができる。砥粒としては、アルミナの粒子、酸化ジルコニウムの粒子を使用することができる。特に砥粒としてアルミナを、酸化剤として過酸化水素水を用い、アルカリ性に調整したスラリーＳｐを用いることで良好な研磨を行うことができる。この結果、有機樹脂層１５の上層部Ｔをほぼ平坦にすることができる。
【００４４】
洗浄を行い、スラリーＳｐを除去した後、所定のパターンで露光及び現像を行い、有機樹脂層１５をパターニングして撥液性バンク１４ｂを形成する（図５（ｃ）参照）。撥液
性バンク１４ｂは親液性バンク１４ａ上に画素電極１３を取り囲む様に配置される。更に１５０℃以上の温度で熱処理を行い、形成した撥液性バンク１４ｂの膜の特性を安定化させる。
【００４５】
４フッ化メタン等の含フッ素ガスを用いたプラズマ処理を行い、撥液性バンク１４ｂの表面を撥液化する。この時、画素電極１３の表面はフッ素との反応性が低いため、撥液化されることは無い。
【００４６】
続いて、画素電極１３上に正孔輸送層１６を形成する。本実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌを吐出可能とする液滴吐出ヘッド２０を選択する。この液滴吐出ヘッド２０は、Ｘ矢印方向に沿って延設された案内レール２１に支持されてＸ矢印方向または反Ｘ矢印方向（走査方向）に移動可能である。
【００４７】
そして、液滴吐出ヘッド２０の位置を案内レール２１に沿って調整して、液滴吐出ヘッド２０に形成されたノズルＮが、所定の画素電極１３（例えば、１行目の画素電極１３）と対向する位置に合わせる。この状態で、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して区画領域８内に塗布する。すると、親液性バンク１４ａに接触することによって画素電極１３上全面に液状組成物Ｌが濡れ広がる。また、撥液性バンク１４ｂによって隣接した他の画素電極１３上には液状組成物Ｌが濡れ広がることはない。さらに、このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌは、区画領域８の中心線Ｌｏに対して対称の位置に塗布される。
【００４８】
以降、液滴吐出ヘッド２０をＸ矢印方向に沿って各画素ピッチずつ移動させながら、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して、１行分のｍ個の区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。その後、他の行の区画領域８内にも前記と同様にして、液状組成物Ｌを順次塗布することで全ての区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。
【００４９】
その後、液状組成物Ｌが塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。この結果、図６（ｂ）に示すように、各画素電極１３上に正孔輸送層１６が形成される。このとき、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される正孔輸送層１６の膜厚は、各区画領域８内において均一となる。
【００５０】
その後、赤用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌｒを吐出する液滴吐出ヘッド３０を順次選択する。そして、前記と同様にして、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０のノズルＮｒから液滴化した液状組成物Ｌｒを区画領域８に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する（発光層形成工程）。
【００５１】
このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌｒは、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。
【００５２】
以降、同様に、緑用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッド、青用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッドを順次選択する（図示略）。そして、各液滴吐出ヘッドのノズルから液滴化し
た液状組成物を区画領域８内に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する。このときも、前記と同様に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物は、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。
【００５３】
その後、再び、各液状組成物が塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。
【００５４】
この結果、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される発光層１７の膜厚は、図７（ｂ）に示すように、各区画領域８内において均一となる。
【００５５】
その後、撥液性バンク１４ｂ及び各発光層１７上に、ＬｉＦ層、Ｃａ層、Ａｌ層等を蒸着方法等により積層し、陰極１９を形成する。さらに、ディスプレイ部２と、別途製造されたフレキシブル回路基板３とを接続して、有機ＥＬディスプレイ１が製造される。
【００５６】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化した。その結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心に対してほぼ対称にすることができる。
【００５７】
従って、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する際、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌが、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物Ｌ中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、正孔輸送層１６の膜厚を均一にすることができる。
（２）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを研磨して撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにした。従って、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを確実に平坦化することができる。
（３）本実施形態によれば、発光層１７も正孔輸送層１６と同様に液滴吐出法を用いて形成したので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物が、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、発光層１７の膜厚を均一にすることができる。
（４）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚のばらつきを抑えることができるので、良好な発光特性を有する有機ＥＬディスプレイ１を実現することができる。
（５）本実施形態によれば、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたので、正孔輸送層材料及び発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板４全面に正孔輸送層材料及び発光材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する正孔輸送層材料及び発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の正孔輸送層材料で均一な膜厚を有した正孔輸送層１６、及び少量の発光材料で均一な膜厚を有した発光層１７を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができる。
（６）有機膜は容易に厚い膜を形成することが可能であり、平坦化の為に研磨する膜厚を含めて成膜を行っても成膜工程への影響が少なく効率的に生産することが可能である。例えば、駆動回路と配線との間の層間絶縁膜等の無機膜にＣＭＰを行い平坦化を行おうとした場合、研磨する膜厚を含めて成膜すると、成膜時間が長くなり生産性が低下する。また、成膜のために真空装置が必要であり、成膜の能力を向上するためのコストも高い。
（第２実施形態）
次に、有機ＥＬディスプレイ１の他の製造方法について図８に従って説明する。この第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法は、撥液性バンク１４ｂの形成工程が異なっている他は、上記第１実施形態と同じである。従って、上記第１実施形態と異なる撥液性バンク１４ｂの形成工程のみについて説明する。
【００５８】
図８（ａ）に示すように、上記第１実施形態と同様にして、親液性バンク１４ａを形成した後、溶媒に溶かしたアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。その後、更に熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理は、有機樹脂から十分に溶媒が除去され、膜の特性が安定する様な条件で行うことが望ましい。例えばアクリル樹脂の場合１８０〜２００℃の温度で３０分程度行う。また、ポリイミド樹脂では２００〜４００℃の温度で２時間以上行うと良い。
【００５９】
次に、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層の表面を平坦化する。この化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）処理は、上記第１実施形態とほぼ同様である。
有機樹脂層１５の表面を平坦化した後、図８（ｂ）に示すように、感光性のレジスト等をスピンコート或いはスリットコート法を用いて塗布する。続いて、熱処理によりレジストを膜化してレジスト膜ＲＡを形成する。その後、図８（ｃ）に示すようにその後、所定のパターンで露光し現像することによりレジスト膜ＲＡをパターニングしてレジストパターンＲＢを形成する。
【００６０】
次に、プラズマにより、レジストパターンＲＢ及び有機樹脂層１５をエッチングする。レジスト膜と有機樹脂層のエッチングレートが適当な選択比を有する様にエッチング条件を選ぶことで、レジストパターンＲＢを有機樹脂層１５に転写することができる。この様なエッチングは、エッチングガスとして酸素を用いた減圧雰囲気でのプラズマにより容易に行うことができる。この様な工程を用いて撥液性バンク１４ｂを形成する。
【００６１】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を行う前に有機樹脂層を十分に安定化させることができる。この結果、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）時の膜剥がれや局所的なエッチングを防ぎ、高い平坦性を有する撥液性バンク１４ｂを安定して形成することができる。
（第３実施形態）
次に、第１及び第２実施形態で説明した発光装置としての有機ＥＬディスプレイ１の電子機器の適用について図９に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００６２】
図９は、大型テレビ７０の斜視図である。この大型テレビ７０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット７１と、スピーカー７２と、複数の操作ボタン７３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示ユニット７１は、その各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの正孔輸送層１６及び発光層１７は、その形状や膜厚のばらつきが無いので、輝度ムラのない表示品位の優れた画像を表示する大型テレビを提供することができる。
【００６３】
尚、発明の実施形態は、上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１及び第２実施形態では、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の方法を使用することによって撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにしてもよい。本実施形態のように、撥液性バンク１４ｂがアクリル樹脂やポリイミド樹脂等といった低融点材料で形成されている場合では、たとえば、リフロー等が挙げられる。
【００６４】
○上記第１及び第２実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９で構成した。これを、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９以外に、例えば、発光層１７と陰極１９との間に電子輸送層を備えた構成の有機ＥＬ素子に適応してもよい。この場合においても、液滴吐出法によって電子輸送層を形成することで、電子輸送層の各膜厚を均一にすることができる。
【００６５】
○上記第１及び第２実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、発光材料を含んだ液状組成物Ｌをディスペンサーを用いて凹状領域８内全面に塗布するようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００６６】
○上記第１及び第２実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを使用したが、これに限定されるものではない。要は、少なくとも一部の層が液状組成物によって形成される発光素子であればどんな発光素子であってもよい。
【００６７】
○上記第１及び第２実施形態では、発光装置として有機ＥＬディスプレイ１に適用したが、本発明は、これに限定されない。発光装置として、たとえば、光プリンタの光書き込みヘッドにも適用可能である。
【００６８】
図１０（ａ）に、光プリンタの光書き込みヘッドに使用される素子基板の上面図を示し、図１０（ｂ）に、その拡大図を示す。
図１０（ａ）に示すように、光書き込みヘッド８０は、ＥＬ素子部８１、走査線駆動回路８２、素子基板８３及び図示しない各種駆動素子を備えている。
【００６９】
図１０（ｂ）に示すように、ＥＬ素子部８１は、素子基板８３上に形成されている。詳しくは、素子基板８３上に、横方向に複数個の有機ＥＬ素子８５が直線上に連なって形成された有機ＥＬ素子８５群が、縦方向に半ピッチずれて３列並んで配置されている。つまり、千鳥格子状に有機ＥＬ素子８５が配置されている。
【００７０】
走査線駆動回路８２は、素子基板８３上のＥＬ素子部８１に隣接して形成され、図示しない走査線を介して各有機ＥＬ素子８５に電気的に接続されている。また、走査線駆動回路８２は、その両端側に外部接続端子８７が接続され、各走査線に走査信号を出力するタイミングを制御する制御信号等を出力する図示しない外部制御回路に電気的に接続されるようになっている。また、各種駆動素子は、上記第１実施形態と同様な周辺回路である。そして、素子基板８３上にはＥＬ素子部８１及び走査線駆動回路８２を封止する封止基板８８が設けられている。
【００７１】
そして、各有機ＥＬ素子８５の間には、上記第１及び第２実施形態と同様なバンクＢが形成されている。このような構成をした光書き込みヘッド８０においても、上記第１及び第２実施形態と同様に、バンクＢの上層部が化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化されている。従って、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】有機ＥＬディスプレイの正面図。
【図２】（ａ）は、区画領域及びその周辺の配線パターンを説明するための平面図、（ｂ）は、（ａ）中ａ−ａ線断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図４】同じく、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図５】同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図６】同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図７】同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図９】第３実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、別例を説明するための図。
【符号の説明】
【００７３】
ＯＬＥＤ…発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、Ｔ…上層部、１…発光装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、２…基板、８…区画領域、１３…陽極としての画素電極、１４…バンク、１４ａ…第１のバンクとしての親液性バンク、１４ｂ…第２のバンクとしての撥液性バンク、１７…発光層、１９…陰極。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、機能材料で基板上に所定のパターンを形成してディスプレイといった発光装置を製造する技術が開発されているが、近年においては、機能材料を所定の溶媒中に溶解または分散して形成された液状組成物を吐出ヘッドから吐出して、基板の所望の位置に塗布させることでパターンを形成する、所謂、液滴吐出法が注目されている。この液滴吐出法は、機能材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する機能材料が少なくて済むなどの利点がある。
【０００３】
ところで、例えば有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、「有機ＥＬディスプレイ」という）の画素パターンを液滴吐出法で形成する場合、基板上に吐出した液状組成物が隣接する画素に流出するのを防ぐため、基板上にバンク（仕切部材）を設け、バンクにより囲まれた区画領域に液状組成物を吐出するようにしている。このとき、区画領域内に塗布された液状組成物は、その中央部分が盛り上った凸状態となり、溶媒を除去すると、バンクに向かうに連れて膜厚が厚くなって前記中央部分が凹んだ凹状形状となる。その結果、溶媒を除去した後、機能材料で構成された機能層（たとえば、発光層）は、その膜厚の分布が不均一なものとなることから、発光ムラ（色ムラ）が発生する問題が生じる。
【０００４】
そこで、バンクの側面と区画領域の底面に形成された画素電極との間に、バンクの側面から画素電極に向けて傾斜した連結面を設けることで、溶媒を除去して形成される機能層を連結面に接触させて、機能層を平坦化させる技術が開示されている（たとえば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−１９８４８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記有機ＥＬディスプレイといった各種発光装置では、高効率な発光特性を得る等のために各種配線が複雑に引き回されている。そして、区画領域周辺にも、配線が引き回されている。このため、バンクの上層部の表面形状が、区画領域周辺のあるバンクの下方の下地の構造の影響を受けて凹凸形状を成す。従って、区画領域を挟んで互いに対向する位置に設けられたバンクの各上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称にならない場合がある。そのため、液滴吐出法を使用して区画領域内に塗布された液状組成物は、その周縁部がバンクの各上層部の表面上に塗布されるが、上層部の表面形状がその区画領域の中心に対して対称でないことから、溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、バンクに引っ張られるので、膜厚が不均一な膜が形成されてしまうという問題が生ずる。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、バンクにより囲まれた区画領域に発光素子を形成する際、形成された発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光装置の製造方法及び発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の第１の配線と、該複数の第１の配線の各々と交差するように互いに所定の間隔で配置された複数の第２の配線と、前記複数の第１の配線と前記複数の第２の配線とを覆うように形成して、前記第１の配線と前記第２の配線との交差部に対応して区画領域を形成するバンクと、前記バンクによって形成された前記各区画領域にそれぞれ形成された発光素子とを備えた発光装置の製造方法において、前記バンクを形成するバンク形成工程と、前記バンクの上層部を平坦化するバンク平坦化工程と、前記バンクによって形成された前記各区画領域に発光層を形成する発光層形成工程とを含んでいる。
【０００８】
これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。
【０００９】
この発光装置の製造方法において、前記バンク平坦化工程は、化学的機械的研磨法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は、確実に平坦化される。従って、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。
【００１０】
この発光装置の製造方法において、前記発光層形成工程は、液滴吐出法によって行われるようにしてもよい。
これによれば、発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板全面に機能材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の材料で均一な膜厚を有した発光層を有する発光素子を形成することができる。
【００１１】
本発明の発光装置は、上記記載の発光装置の製造方法によって製造されている。
これによれば、バンクの上層部の表面形状は平坦になる。従って、発光素子が、たとえば、２つの電極層に挟まれた発光層を備えたエレクトロルミネッセンス素子構造を有した素子であり、且つ、その発光層が液滴吐出法によって形成されるようにした場合、区画領域内に吐出された液状組成物が、区画領域の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、区画領域に塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各バンクによって均一に引っ張られるので、形成される発光層の膜厚が区画領域内において均一になる。このため、発光素子の膜厚のばらつきが抑えられて良好な発光特性を有する発光素子を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、本発明の一実施形態として、発光装置を有機ＥＬディスプレイ（有機ＥＬ装置）に適用した場合について図面に従って説明する。図１は、有機ＥＬディスプレイの正面図である。
【００１３】
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイ１は、ディスプレイ部２と、該ディスプレイ部２の下側部（図１中Ｙ矢印方向）に接続されたフレキシブル回路基板３とから構成されている。
【００１４】
ディスプレイ部２は、基板４を備えている。基板４は、本実施形態では、ガラス板で構成されている。基板４は、その中央に略四角形状の表示領域５を備えている。基板４上であって、表示領域５以外の領域（以下、「非表示領域」という）６には、一対の走査線駆動回路７等が形成されている。
【００１５】
表示領域５には、列方向（図１中Ｙ矢印方向）にｎ個、行方向（図１中Ｘ矢印方向）にｍ個の区画領域８が、それぞれ等ピッチで形成されている。そして、ｍ×ｎ個の各区画領域８に対応して、赤用画素９Ｒ、緑用画素９Ｇ、青用画素９Ｂがマトリクス状に形成されている。そして、行方向に沿っては、赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂ→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→…→赤用画素９Ｒ→緑用画素９Ｇ→青用画素９Ｂの順に繰り返して形成されている。また、Ｙ矢印方向（列方向）に沿っては、同色の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂが形成されている。
【００１６】
また、非表示領域６には、一対の走査線駆動回路７が形成されている。各走査線駆動回路７は、協働してｎ行ある画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群を順次走査して一行の画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを選択するための走査信号（電圧信号）を順次出力する。
【００１７】
一方、フレキシブル回路基板３上には、データ線駆動回路１０と制御回路１１とが形成されている。データ線駆動回路１０は、前記走査線駆動回路７が出力した走査信号によって選択された行の各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群に対して、その各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂから出射される光の輝度（発光輝度）を決定する電気信号としての画像信号を出力する。制御回路１１は、各走査線駆動回路７及びデータ線駆動回路１０の駆動を制御するための各種制御信号を生成し、その生成した制御信号を各駆動回路７，１０にそれぞれ出力する。
【００１８】
また、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂには、画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを駆動させるための駆動電力が供給されるようになっている。そして、各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂを順次走査してその選択された各画素９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ群における発光輝度をデータ線駆動回路１０によって制御することにより、任意の画像が表示領域５上に表示される。
【００１９】
図２（ａ）に、ｍ×ｎ個ある区画領域８のうちの一つの区画領域８及びその周辺の配線パターンを説明する平面図を示し、図２（ｂ）に、図２（ａ）中ａ−ａ線断面図を示す。
図２（ａ）に示すように、Ｘ矢印方向に沿って形成された走査信号を供給する第２の配線としての走査線ＬＸと、Ｙ矢印方向に沿って形成された画像信号を供給するデータ線ＬＹと、前記データ線ＬＹに平行になるように形成された駆動電力を供給する第１の配線としての給電線ＬＺに挟まれる領域に、前記区画領域８が形成されている。そして、この区画領域８には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するための周辺回路が総て配置されている。
【００２０】
詳しくは、周辺回路は、スイッチングトランジスタＱsw、保持容量Ｃp及び駆動トラン
ジスタＱdを備えている。
スイッチングトランジスタＱswは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、走査線ＬＸからの走査信号がゲートに供給される。そして、走査線ＬＸから走査信号が供給されると、スイッチングトランジスタＱswはオンになり、その結果、データ線ＬＹから画像信号がスイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給される。
【００２１】
保持容量Ｃpは、給電線ＬＺに沿って形成された第１電極用配線１２Ａと、絶縁層（図
２（ｂ）参照）Ｍを挟んでその下方（基板４側）に形成された第２電極用配線１２Ｂとから構成されている。第１電極用配線１２Ａは、コンタクトホールＨを介して給電線ＬＺと電気的に接続されている。第２電極用配線１２Ｂは、第１電極用配線１２Ａと平行になる
ように形成され、その一端がスイッチングトランジスタＱswのソースに接続されている。そして、保持容量Ｃpは、スイッチングトランジスタＱswのドレイン／ソース間に供給さ
れた画像信号に応じた電荷量を蓄積する。
【００２２】
駆動トランジスタＱdは、例えば、ＮチャネルＭＯＳ構造を有した薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）である。駆動トランジスタＱdのゲートには、スイッチングトランジスタＱswの
ドレイン／ソース間に供給された画像信号が供給されるようになっている。そして、ゲートに供給された画像信号の電圧値に応じて、即ち、保持容量Ｃpに蓄積された電荷量に対
応した電圧値に応じて、ドレイン／ソース間の導電率が制御され、同電圧値に応じた電流が駆動電流として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるようになっている。
【００２３】
図２（ｂ）に示すように、基板４の上方には区画領域８を区画形成するバンク１４が形成されている。詳しくは、基板４上に、Ｙ矢印方向に所定長さだけ延設されるようにして前記第２電極用配線１２Ｂが形成されている。また、基板４上全面には、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って絶縁層Ｍが形成されている。従って、第２電極用配線１２Ｂが形成された領域に対応した絶縁層Ｍの表面は、その周囲の絶縁層Ｍに比べて凸状に盛り上った形状になる。
【００２４】
そして、その盛り上った絶縁層Ｍ上には、第２電極用配線１２Ｂと平行になるようにして第１電極用配線１２Ａが形成されている。つまり、第１電極用配線１２Ａと第２電極用配線１２Ｂとは絶縁層Ｍを挟んで対向する位置に形成されている。また、絶縁層Ｍ上には、第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹが延設されている。
【００２５】
さらに、絶縁層Ｍ上全面には、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って第１の層間絶縁層Ｓ１が形成されている。従って、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１の表面は、その周囲の第１の層間絶縁層Ｓ１に比べて凸状に盛り上った形状になる。
【００２６】
そして、第１電極用配線１２Ａによって盛り上った第１の層間絶縁層Ｓ１上には、Ｙ矢印方向に延設された給電線ＬＺが形成されている。また、第１の層間絶縁層Ｓ１上全面には、給電線ＬＺ上に渡って第２の層間絶縁層Ｓ２が形成されている。従って、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。また、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域に対応した位置は、その周囲に比べて凸形状に盛り上っている。
【００２７】
尚、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域は、その下層に、前記したように、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂが積層されている一方、第２の層間絶縁層Ｓ２のデータ線ＬＹが形成された領域は、その下層に、前記したように、データ線ＬＹのみが積層されている。このため、第２の層間絶縁層Ｓ２の給電線ＬＺが形成された領域が第２の層間絶縁層Ｓ２において最も高く盛り上っている。
【００２８】
そして、その給電線ＬＺによって最も盛り上った部分を除いた第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域には、略長方形状を成す陽極としての画素電極１３が形成されている。
【００２９】
また、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、画素電極１３の外周縁を取り囲む位置には、バンク１４が形成されている。そして、このバンク１４によって前記区画領域８が形成されている。
【００３０】
バンク１４は、基板４側に形成された第１のバンクとしての親液性バンク１４ａと、該
親液性バンク１４ａ上に形成された第２のバンクとしての撥液性バンク１４ｂとから構成されている。そして、親液性バンク１４ａは、第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及びデータ線ＬＹが形成された領域を被覆するように第２の層間絶縁層Ｓ２上に形成されている。従って、親液性バンク１４ａの上端面は、凸状に盛り上った形状になる。
【００３１】
また、撥液性バンク１４ｂは、親液性バンク１４ａ上に形成されている。そして、親液性バンク１４ａの周縁部は、撥液性バンク１４ｂより画素電極１３側に張り出すようにして形成されている。各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦になっている。従って、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に設けられた撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心線Ｌｏ（図２（ａ）参照）に対して対称になっている。
【００３２】
画素電極１３上には、正孔輸送層１６、発光層１７の順に積層されてなる機能層１８が形成されている。発光層１７は、有機材料で構成されている。撥液性バンク１４ｂ及び発光層１７上全面に渡って陰極１９が形成されている。そして、画素電極１３と、該画素電極１３と相対して形成した陰極１９と、画素電極１３と陰極１９との間に機能層１８とを備えたエレクトロルミネッセンス素子としての有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが構成されている。
【００３３】
このような構成を有する有機ＥＬディスプレイ１は、図２（ｂ）に示すように、正孔輸送層１６の膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。また、各正孔輸送層１６上に形成される発光層１７も、正孔輸送層１６と同様に、その膜厚が区画領域８内に渡って均一になっている。
【００３４】
次に、前記のような構造を有する有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について図３〜図７に従って説明する。
先ず、ガラス板である基板４を洗浄した後に、プラズマＣＶＤ法によって珪素層を成膜し、その後、レーザアニールすることで成膜した珪素層を多結晶化する。この多結晶化された層は、駆動トランジスタＱｄやスイッチングトランジスタＱｓｗといった各種薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のチャンネルを形成する層と同じ層であり、配線として使用する領域には不純物ドーピングして低抵抗化する。更に、図３（ａ）示すように、基板４上の所定に位置に、フォトリソグラフィー法等を使用することで第２電極用配線１２Ｂをパターニング形成する。その後、図３（ｂ）示すように、基板４上全面に、第２電極用配線１２Ｂ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、例えば、プラズマ法によって成膜して絶縁層Ｍを形成する。
【００３５】
続いて、第２電極用配線１２Ｂと重なるように絶縁層Ｍ上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層をフォトリソグラフィー法等を使用することで、第１電極用配線１２Ａをパターニング形成する。また、このとき、同時に、絶縁層Ｍ上に第１電極用配線１２Ａに隣接して並設するようにデータ線ＬＹを形成する。このとき、データ線ＬＹは、第２電極用配線１２Ｂ上に形成された絶縁層Ｍ上には形成せず、基板４上に形成された絶縁層Ｍ上に形成する（図３（ｃ）参照）。
【００３６】
その後、図３（ｄ）示すように、絶縁層Ｍ上全面に、第１電極用配線１２Ａ及びデータ線ＬＹ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜して第１の層間絶縁層Ｓ１を形成する。従って、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。
【００３７】
続いて、第１電極用配線１２Ａが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１上に、例えばスパッタ法により形成したアルミニウム層を、フォトリソグラフィー法等を使用することで、給電線ＬＺをパターニング形成する。更に、第１の層間絶縁層Ｓ１上、及び、給電線ＬＺ上に渡って酸化珪素（ＳｉＯ２）を、たとえばプラズマＣＶＤ法によって成膜することで第２の層間絶縁層Ｓ２を形成する（図４（ａ）参照）。
【００３８】
従って、給電線ＬＺが形成された領域に対応した第２の層間絶縁層Ｓ２は、その周囲の領域に比べて第１及び第２電極用配線１２Ａ，１２Ｂ、及び給電線ＬＺの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。また、データ線ＬＹが形成された領域に対応した第１の層間絶縁層Ｓ１は、その周囲の領域に比べてデータ線ＬＹの膜厚の分だけ凸状に盛り上っている。
【００３９】
そして、図４（ｂ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上であって、走査線ＬＸ（図２（ａ）参照）と、データ線ＬＹと、給電線ＬＺとに挟まれる領域に、例えば、スパッタ法で形成したインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）といった光透過性を有する導電材料を成膜する。そして、その後に、フォトリソグラフィー法等を使用することで、パターニングして画素電極１３を形成する。
【００４０】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の、給電線ＬＺの上方に対応する領域及び画素電極１３の周縁部を含む領域を開口部ＫｏとするマスクＫを設け、該マスクＫ越しに、酸化珪素（ＳｉＯ２）を蒸着法によって成膜する。その後、マスクＫを除去すると、図４（ｄ）に示すように、第２の層間絶縁層Ｓ２上の凸形状に盛り上った位置に親液性バンク１４ａが形成される。従って、その上層部が凸状に盛り上った親液性バンク１４ａが形成される。
【００４１】
続いて、図５（ａ）に示すように、撥液性バンク１４ｂとなる層を形成する。（バンク形成工程）撥液性バンク１４ｂを形成するには、まず、溶媒に溶かした感光性のアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。更に、１００〜１５０℃程度の温度で熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理の温度は、樹脂の感光性を用いてパターン形成ができる範囲で高くした方が膜の強度が高くなるため望ましい。また、後の工程で研磨することを考慮して、形成する撥液性バンク１４ｂの膜厚よりも１〜２μｍ程度厚い膜厚で形成することが望ましい。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層１５の表面を平坦化する。つまり、所定のスラリーＳｐを塗布しながらパッドＰｇを回転させて有機樹脂層１５の上層部を研磨する（バンク平坦化工程）。
【００４３】
スラリーＳｐには有機材料の化学的機械的研磨に好適なものを使用する。例えば、砥粒と酸化剤を混合したものを好適に使用することができる。更にｐH調整剤を加えたもので
あっても良い。酸化剤としては、過酸化水素水、硝酸第２鉄、ヨウ素酸カリウム等の酸性酸化剤や、水酸化カリウム、塩酸ヒドロキシアミン、モノエタノールアミン等の強アルカリ性アミン塩、ペルオキソ系化合物等を用いることができる。砥粒としては、アルミナの粒子、酸化ジルコニウムの粒子を使用することができる。特に砥粒としてアルミナを、酸化剤として過酸化水素水を用い、アルカリ性に調整したスラリーＳｐを用いることで良好な研磨を行うことができる。この結果、有機樹脂層１５の上層部Ｔをほぼ平坦にすることができる。
【００４４】
洗浄を行い、スラリーＳｐを除去した後、所定のパターンで露光及び現像を行い、有機樹脂層１５をパターニングして撥液性バンク１４ｂを形成する（図５（ｃ）参照）。撥液
性バンク１４ｂは親液性バンク１４ａ上に画素電極１３を取り囲む様に配置される。更に１５０℃以上の温度で熱処理を行い、形成した撥液性バンク１４ｂの膜の特性を安定化させる。
【００４５】
４フッ化メタン等の含フッ素ガスを用いたプラズマ処理を行い、撥液性バンク１４ｂの表面を撥液化する。この時、画素電極１３の表面はフッ素との反応性が低いため、撥液化されることは無い。
【００４６】
続いて、画素電極１３上に正孔輸送層１６を形成する。本実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する。具体的には、図６（ａ）に示すように、正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌを吐出可能とする液滴吐出ヘッド２０を選択する。この液滴吐出ヘッド２０は、Ｘ矢印方向に沿って延設された案内レール２１に支持されてＸ矢印方向または反Ｘ矢印方向（走査方向）に移動可能である。
【００４７】
そして、液滴吐出ヘッド２０の位置を案内レール２１に沿って調整して、液滴吐出ヘッド２０に形成されたノズルＮが、所定の画素電極１３（例えば、１行目の画素電極１３）と対向する位置に合わせる。この状態で、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して区画領域８内に塗布する。すると、親液性バンク１４ａに接触することによって画素電極１３上全面に液状組成物Ｌが濡れ広がる。また、撥液性バンク１４ｂによって隣接した他の画素電極１３上には液状組成物Ｌが濡れ広がることはない。さらに、このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌは、区画領域８の中心線Ｌｏに対して対称の位置に塗布される。
【００４８】
以降、液滴吐出ヘッド２０をＸ矢印方向に沿って各画素ピッチずつ移動させながら、ノズルＮから液滴化した液状組成物Ｌを吐出して、１行分のｍ個の区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。その後、他の行の区画領域８内にも前記と同様にして、液状組成物Ｌを順次塗布することで全ての区画領域８内に液状組成物Ｌを塗布する。
【００４９】
その後、液状組成物Ｌが塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。この結果、図６（ｂ）に示すように、各画素電極１３上に正孔輸送層１６が形成される。このとき、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される正孔輸送層１６の膜厚は、各区画領域８内において均一となる。
【００５０】
その後、赤用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌｒを吐出する液滴吐出ヘッド３０を順次選択する。そして、前記と同様にして、図７（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０のノズルＮｒから液滴化した液状組成物Ｌｒを区画領域８に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する（発光層形成工程）。
【００５１】
このとき、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物Ｌｒは、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。
【００５２】
以降、同様に、緑用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッド、青用発光層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物を吐出する液滴吐出ヘッドを順次選択する（図示略）。そして、各液滴吐出ヘッドのノズルから液滴化し
た液状組成物を区画領域８内に吐出して先に形成した各正孔輸送層１６上に塗布する。このときも、前記と同様に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は平坦化されているので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物は、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。
【００５３】
その後、再び、各液状組成物が塗布された基板４を、例えば、図示しない密閉容器中に載置し、その容器内を減圧することで、塗布された液状組成物中の溶媒を蒸発させて除去する。
【００５４】
この結果、区画領域８を取り囲む撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面の凹凸は区画領域８に対してほぼ対称となるため、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られる。この結果、形成される発光層１７の膜厚は、図７（ｂ）に示すように、各区画領域８内において均一となる。
【００５５】
その後、撥液性バンク１４ｂ及び各発光層１７上に、ＬｉＦ層、Ｃａ層、Ａｌ層等を蒸着方法等により積層し、陰極１９を形成する。さらに、ディスプレイ部２と、別途製造されたフレキシブル回路基板３とを接続して、有機ＥＬディスプレイ１が製造される。
【００５６】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、区画領域８を挟んで互いに対向する位置に親液性バンク１４ａと該親液性バンク１４ａ上に形成された撥液性バンク１４ｂとで構成されるバンク１４を形成した。そして、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化した。その結果、各撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔの表面形状は、その区画領域８の中心に対してほぼ対称にすることができる。
【００５７】
従って、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６を形成する際、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した正孔輸送層材料が溶媒中に溶解または分散した液状組成物Ｌが、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物Ｌ中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物Ｌは、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、正孔輸送層１６の膜厚を均一にすることができる。
（２）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを研磨して撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにした。従って、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを確実に平坦化することができる。
（３）本実施形態によれば、発光層１７も正孔輸送層１６と同様に液滴吐出法を用いて形成したので、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに接触した液状組成物が、区画領域８の中心に対して対称の位置に塗布される。この結果、液状組成物中の溶媒を除去する時に、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔに塗布された液状組成物は、互いに対向する位置に設けられた各撥液性バンク１４ｂによって均一に引っ張られるので、区画領域８内において、発光層１７の膜厚を均一にすることができる。
（４）本実施形態によれば、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの膜厚のばらつきを抑えることができるので、良好な発光特性を有する有機ＥＬディスプレイ１を実現することができる。
（５）本実施形態によれば、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたので、正孔輸送層材料及び発光材料をパターン形成に使用される量しか使用しないので、例えば、基板４全面に正孔輸送層材料及び発光材料を塗布するスピンコート法に比べて、使用する正孔輸送層材料及び発光材料の量を少なくすることができる。また、真空装置等といった大型の装置を使用すること無く、少量の正孔輸送層材料で均一な膜厚を有した正孔輸送層１６、及び少量の発光材料で均一な膜厚を有した発光層１７を有する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを形成することができる。
（６）有機膜は容易に厚い膜を形成することが可能であり、平坦化の為に研磨する膜厚を含めて成膜を行っても成膜工程への影響が少なく効率的に生産することが可能である。例えば、駆動回路と配線との間の層間絶縁膜等の無機膜にＣＭＰを行い平坦化を行おうとした場合、研磨する膜厚を含めて成膜すると、成膜時間が長くなり生産性が低下する。また、成膜のために真空装置が必要であり、成膜の能力を向上するためのコストも高い。
（第２実施形態）
次に、有機ＥＬディスプレイ１の他の製造方法について図８に従って説明する。この第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法は、撥液性バンク１４ｂの形成工程が異なっている他は、上記第１実施形態と同じである。従って、上記第１実施形態と異なる撥液性バンク１４ｂの形成工程のみについて説明する。
【００５８】
図８（ａ）に示すように、上記第１実施形態と同様にして、親液性バンク１４ａを形成した後、溶媒に溶かしたアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂をスピンコート或いはスリットコート法等を用いて親液性バンク１４ａ及び画素電極１３上の全面に渡って塗布する。その後、更に熱処理を行い、塗布した有機樹脂から溶媒を除去し、膜化して有機樹脂層１５を形成する。この熱処理は、有機樹脂から十分に溶媒が除去され、膜の特性が安定する様な条件で行うことが望ましい。例えばアクリル樹脂の場合１８０〜２００℃の温度で３０分程度行う。また、ポリイミド樹脂では２００〜４００℃の温度で２時間以上行うと良い。
【００５９】
次に、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用して、形成した有機樹脂層の表面を平坦化する。この化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）処理は、上記第１実施形態とほぼ同様である。
有機樹脂層１５の表面を平坦化した後、図８（ｂ）に示すように、感光性のレジスト等をスピンコート或いはスリットコート法を用いて塗布する。続いて、熱処理によりレジストを膜化してレジスト膜ＲＡを形成する。その後、図８（ｃ）に示すようにその後、所定のパターンで露光し現像することによりレジスト膜ＲＡをパターニングしてレジストパターンＲＢを形成する。
【００６０】
次に、プラズマにより、レジストパターンＲＢ及び有機樹脂層１５をエッチングする。レジスト膜と有機樹脂層のエッチングレートが適当な選択比を有する様にエッチング条件を選ぶことで、レジストパターンＲＢを有機樹脂層１５に転写することができる。この様なエッチングは、エッチングガスとして酸素を用いた減圧雰囲気でのプラズマにより容易に行うことができる。この様な工程を用いて撥液性バンク１４ｂを形成する。
【００６１】
上記したように、本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を行う前に有機樹脂層を十分に安定化させることができる。この結果、化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）時の膜剥がれや局所的なエッチングを防ぎ、高い平坦性を有する撥液性バンク１４ｂを安定して形成することができる。
（第３実施形態）
次に、第１及び第２実施形態で説明した発光装置としての有機ＥＬディスプレイ１の電子機器の適用について図９に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【００６２】
図９は、大型テレビ７０の斜視図である。この大型テレビ７０は、有機ＥＬディスプレイ１を搭載した大型テレビ用の表示ユニット７１と、スピーカー７２と、複数の操作ボタン７３とを備えている。この場合でも、有機ＥＬディスプレイ１を用いた表示ユニット７１は、その各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの正孔輸送層１６及び発光層１７は、その形状や膜厚のばらつきが無いので、輝度ムラのない表示品位の優れた画像を表示する大型テレビを提供することができる。
【００６３】
尚、発明の実施形態は、上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記第１及び第２実施形態では、撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他の方法を使用することによって撥液性バンク１４ｂの上層部Ｔを平坦化するようにしてもよい。本実施形態のように、撥液性バンク１４ｂがアクリル樹脂やポリイミド樹脂等といった低融点材料で形成されている場合では、たとえば、リフロー等が挙げられる。
【００６４】
○上記第１及び第２実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９で構成した。これを、画素電極１３、正孔輸送層１６、発光層１７及び陰極１９以外に、例えば、発光層１７と陰極１９との間に電子輸送層を備えた構成の有機ＥＬ素子に適応してもよい。この場合においても、液滴吐出法によって電子輸送層を形成することで、電子輸送層の各膜厚を均一にすることができる。
【００６５】
○上記第１及び第２実施形態では、液滴吐出法を用いて正孔輸送層１６及び発光層１７を形成するようにしたが、これに限定されるものではない。例えば、発光材料を含んだ液状組成物Ｌをディスペンサーを用いて凹状領域８内全面に塗布するようにしてもよい。このようにすることで、上記実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００６６】
○上記第１及び第２実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを使用したが、これに限定されるものではない。要は、少なくとも一部の層が液状組成物によって形成される発光素子であればどんな発光素子であってもよい。
【００６７】
○上記第１及び第２実施形態では、発光装置として有機ＥＬディスプレイ１に適用したが、本発明は、これに限定されない。発光装置として、たとえば、光プリンタの光書き込みヘッドにも適用可能である。
【００６８】
図１０（ａ）に、光プリンタの光書き込みヘッドに使用される素子基板の上面図を示し、図１０（ｂ）に、その拡大図を示す。
図１０（ａ）に示すように、光書き込みヘッド８０は、ＥＬ素子部８１、走査線駆動回路８２、素子基板８３及び図示しない各種駆動素子を備えている。
【００６９】
図１０（ｂ）に示すように、ＥＬ素子部８１は、素子基板８３上に形成されている。詳しくは、素子基板８３上に、横方向に複数個の有機ＥＬ素子８５が直線上に連なって形成された有機ＥＬ素子８５群が、縦方向に半ピッチずれて３列並んで配置されている。つまり、千鳥格子状に有機ＥＬ素子８５が配置されている。
【００７０】
走査線駆動回路８２は、素子基板８３上のＥＬ素子部８１に隣接して形成され、図示しない走査線を介して各有機ＥＬ素子８５に電気的に接続されている。また、走査線駆動回路８２は、その両端側に外部接続端子８７が接続され、各走査線に走査信号を出力するタイミングを制御する制御信号等を出力する図示しない外部制御回路に電気的に接続されるようになっている。また、各種駆動素子は、上記第１実施形態と同様な周辺回路である。そして、素子基板８３上にはＥＬ素子部８１及び走査線駆動回路８２を封止する封止基板８８が設けられている。
【００７１】
そして、各有機ＥＬ素子８５の間には、上記第１及び第２実施形態と同様なバンクＢが形成されている。このような構成をした光書き込みヘッド８０においても、上記第１及び第２実施形態と同様に、バンクＢの上層部が化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）を使用することで平坦化されている。従って、上記各実施形態と同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】有機ＥＬディスプレイの正面図。
【図２】（ａ）は、区画領域及びその周辺の配線パターンを説明するための平面図、（ｂ）は、（ａ）中ａ−ａ線断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図４】同じく、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図５】同じく、（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図６】同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図７】同じく、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、第１実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、第２実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造方法を説明するための図。
【図９】第３実施形態に係る電子機器としての大型テレビの斜視図。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、別例を説明するための図。
【符号の説明】
【００７３】
ＯＬＥＤ…発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子、Ｔ…上層部、１…発光装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、２…基板、８…区画領域、１３…陽極としての画素電極、１４…バンク、１４ａ…第１のバンクとしての親液性バンク、１４ｂ…第２のバンクとしての撥液性バンク、１７…発光層、１９…陰極。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の第１の配線と、該複数の第１の配線の各々と交差するように互いに所定の間隔で配置された複数の第２の配線と、
前記複数の第１の配線と前記複数の第２の配線とを覆うように形成して、前記第１の配線と前記第２の配線との交差部に対応して設けられた発光層と
前記発光層を区画するように配置された隔壁と
を備えた発光装置の製造方法において、
前記隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁の上層部を平坦化する隔壁平坦化工程と、
前記隔壁によって区画された領域に発光層を形成する発光層形成工程と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記隔壁平坦化工程は、化学的機械的研磨法によって行われることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
前記隔壁が有機樹脂により形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、
前記発光層形成工程は、液滴吐出法によって行われることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１】
基板上に、一方向に沿って互いに所定の間隔で配置された複数の第１の配線と、該複数の第１の配線の各々と交差するように互いに所定の間隔で配置された複数の第２の配線と、
前記複数の第１の配線と前記複数の第２の配線とを覆うように形成して、前記第１の配線と前記第２の配線との交差部に対応して設けられた発光層と
前記発光層を区画するように配置された隔壁と
を備えた発光装置の製造方法において、
前記隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記隔壁の上層部を平坦化する隔壁平坦化工程と、
前記隔壁によって区画された領域に発光層を形成する発光層形成工程と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法において、
前記隔壁平坦化工程は、化学的機械的研磨法によって行われることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法において、
前記隔壁が有機樹脂により形成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の発光装置の製造方法において、
前記発光層形成工程は、液滴吐出法によって行われることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２００７−９５６１０（Ｐ２００７−９５６１０Ａ）
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２８６４０８（Ｐ２００５−２８６４０８）
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年４月１２日（２００７．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年９月３０日（２００５．９．３０）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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