発光装置及び電子機器
【課題】開口率を向上する。
【解決手段】発光領域には共通電極（陰極）７２と陽極７６との間に発光機能層７４を有する発光素子７０を備えた複数の画素回路Ｐが格子状に配置される。発光領域の対向する２辺にそって、第１接続電極３００と第２接続電極４００とが設けられる。複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとが全ての行間に設ける。但し、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとは分離部によって分離されている。
【解決手段】発光領域には共通電極（陰極）７２と陽極７６との間に発光機能層７４を有する発光素子７０を備えた複数の画素回路Ｐが格子状に配置される。発光領域の対向する２辺にそって、第１接続電極３００と第２接続電極４００とが設けられる。複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとが全ての行間に設ける。但し、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとは分離部によって分離されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ素子」という）素子が注目されている。ＯＬＥＤ素子は陰極と陽極と、それらの間に形成された発光機能層を備える。
複数のＯＬＥＤ素子を格子状に配置して、各ＯＬＥＤ素子の階調を制御することによって画像を表示ずる発光装置が知られている。この発光装置では、複数のＯＬＥＤ素子の陰極を共通陰極として形成し、ＯＬＥＤ素子で発光する光を共通陰極側から取り出すトップエミション構造が知られている。共通陰極は透明である必要があることから、その厚さはごく薄くするのが一般的である。このため、共通陰極が高抵抗となり、パネル面内で電圧降下が発生してしまうといった不都合があった。
そこで、画素間の隔壁上に補助陰極を形成する技術が知られている（特許文献１）。補助陰極は低抵抗のアルミ等で形成されている。この場合、補助陰極は画素間に精密に配置する必要があることから、マスク蒸着で形成するのが通常である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、マスク蒸着に用いるマスクは、スリットの間隔が狭くなる程、剛性が低下してしまう。従来の技術では、画素間に配線を形成するため、スリットの密度が高くなり、剛性が著しく低下してしまうといった問題があった。
これを解決するために、補助陰極を複数のパターンに分割し、パターン毎に異なるマスクを用いて蒸着させることによって、マスクの剛性を高めるといった技術も知られているが（例えば、特開2003-203769号）、製造工程が複雑になり、多数のマスクを使用するため、コスト高を招くといった問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、簡易な工程で、剛性が高いマスクを使用することが可能な発光装置及びその製造方法を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、 前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、前記複数の第１補助電極の端部と、前記複数の第２補助電極の端部とは、前記発光領域の内部で分離部を介して向かい合うように形成されることを特徴とする。
この発明によれば、第１補助電極と第２補助電極とは分離されている。よって、マスクの剛性を高めることができ、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。また、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
なお、第１方向は行方向で第２方向は列方向であってもよいし、あるいは、第１方向は列方向で第２方向は行方向であってもよい。
【０００６】
また、本発明に係る他の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、前記複数の第１補助電極と前記複数の第２補助電極とは、前記第１方向と平行かつ、前隣接する前記画素回路の間を通って記第２方向に交互に並ぶように配置されることを特徴とする。
この発明によれば、第１補助電極と第２補助電極とが交互に配置される。よって、補助電極のピッチを１／２にして、マスクの剛性をより高めることができ、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。また、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
【０００７】
また、上述した発光装置において、前記複数の画素回路の一部は、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の両方と隣接することが好ましい。両方の補助電極と接する画素回路では、共通電極のインピーダンスを等価的により低減することができる。この場合、両方の補助電極と隣接する画素回路は、発光領域Ｈの中心から所定範囲内にあることが好ましい。発光領域Ｈの中心部分は第１接続電極及び第２接続電極からの距離が長くなるので、共通電極のインピーダンスが等価的に大きくなる。そのような箇所に第１補助電極及び第２補助電極の双方から給電することにより、共通電極のインピーダンスを大幅に低減することが可能となる。
【０００８】
ここで、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の単位面積当たりの抵抗値は、前記共通電極の単位面積当たりの抵抗値よりも小さいことが好ましい。
また、前記複数の第１補助電極及び前記複数の第２補助電極は、前記共通電極の上又は下に接するように形成されることが好ましい。
【０００９】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えたことを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、あるいはディスプレイなどが該当する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の構成を示す回路図である。
【図３】同実施形態における補助電極と画素回路の関係を模式的に示す平面図である。
【図４】Ｚ−Ｚ’で発光装置を切断した一例を示す部分断面図である。
【図５】Ｚ−Ｚ’で発光装置を切断した他の例を示す部分断面図である。
【図６】第２実施形態における補助電極と画素回路の関係を模式的に示す平面図である。
【図７】同実施形態における補助電極と画素回路の他の関係を模式的に示す平面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。また、本発明は、以下に述べる各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態を変形して得られる各種の変形例や、各実施形態またはその変形例を応用して得られる形態をも技術的範囲に含みうる。なお、各図において共通する部分には同一の符号が付されている。
【００１２】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す回路図である。発光装置１は、発光領域Ｈと、走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにデータ線駆動回路２００を備える。発光領域Ｈには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含む。
【００１３】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯＬＥＤ素子７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ素子７０の陽極に接続される。また、トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極と接続される。
【００１４】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、データ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ素子７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。ＯＬＥＤ素子７０は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図４参照）。ＯＬＥＤ素子７０は、トップエミション構造を採用し、観察面に向けて発光する。この場合、共通電極７２はＩＴＯなどの比較的、抵抗値の高い材料で構成される。一方、後述する補助電極は、アルミなどで形成され、単位面積当たりの抵抗値が共通電極７２と比較して小さい。
【００１５】
図３に補助電極と画素回路の関係を模式的に示す。上述したように共通電極７２の抵抗値が高いことから、本実施形態では補助電極を用いてインピーダンスを低下させる。図３に示すように、発光領域Ｈの一辺Ａに沿って発光領域Ｈの外側に第１接続電極３００が形成されている。また、辺Ａに対向する辺Ｂに沿って発光領域Ｈの外側に第２接続電極４００が形成されている。
【００１６】
そして、第１接続電極３００と電気的に接続された複数の第１補助電極３０ａが辺Ａと交差して発光領域Ｈに延存するように形成される。また、第２接続電極４００と電気的に接続された複数の第２補助電極４０ａが辺Ｂと交差して発光領域Ｈに延存するように形成される。
画素回路Ｐは行方向と列方向に格子状に配列されている。そして、全ての行間に、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが形成される。つまり、列方向に隣接する画素回路Ｐの間を通るように第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが設けられている。但し、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとは幅Ｗの分離部３４によって分離されており、第１補助電極３０ａの端部と第２補助電極４０ａの端部とは向かい合うように形成されている。
【００１７】
図４にＺ−Ｚ’の部分断面図を示す。同図に示すように、基板３０の上に下地保護層３１が形成され、その上にｐチャネル型のトランジスタ６０が形成される。トランジスタ６０とＯＬＥＤ素子７０は単位回路Ｐの一部である。下地保護層３１の上層にはシリコン層６０１が形成される。シリコン層６０１を覆うように、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層６０１に対向する部分にゲート電極６２が設けられる。 トランジスタ６０においてゲート電極６２を介してシリコン層６０１にはゲート電極６２を介してIII族元素がドーピングされ、ドレイン領域６０ａおよびソース領域６０ｃが形成される。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域６０ｂとなる。なお、トランジスタ６０のゲート電極６２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。
【００１８】
第１層間絶縁層３３が、ゲート電極６２を覆うようにゲート絶縁層３２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに、ソース電極６３およびドレイン電極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層６０１と接続される。また、これらの電極と同一の工程でデータ線１１２が形成される。
【００１９】
回路保護膜３４が、ソース電極６３およびドレイン電極６１を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいても良い。これにより、トランジスタ６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極やドレイン電極の下に形成してもよい。
【００２０】
回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。回路段差平坦化膜３５は、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小さい。つまり、トランジスタ６０、走査線１１１、データ線１１２などにより生ずる凹凸を平坦化するために、回路段差平坦化膜３５は用いられる。回路段差平坦化膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から蒸着により回路段差平坦化膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は一般に蒸着によって膜を形成するため、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので回路段差平坦化膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を回路段差平坦化膜３５に用いることもできる。
【００２１】
回路段差平坦化膜３５上には、発光領域Ｈで画素電極７６（第１電極）を形成する。この実施形態における画素電極７６はＯＬＥＤ素子７０の陽極であり、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光を共通電極７２に向けて反射する。
【００２２】
次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の材料である。この場合、パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。
【００２３】
次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００２４】
次に、隔壁３７の上に第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとをマスクを用いて同時に形成する。この場合、蒸着法で電極を形成してもよいし、あるいはスパッタ法で電極を形成してもよい。第１補助電極３０ａおよび第２補助電極４０ａの材料としては、アルミなどの導電金属が好適である。
【００２５】
次に、第１補助電極３０ａ、第２補助電極４０ａおよび発光機能層７４を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透明であり、ＯＬＥＤ素子７０からの光は、図中上側の方向に射出される。この実施形態の共通電極７２をすべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能させるため、共通電極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。また、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。なお、共通電極７２を覆うように電極保護膜を形成してもよい。電極保護膜は、回路保護膜３４と同様に、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料が好適である。
【００２６】
仮に、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが繋がっていると、マスクに細長いスリット状の開口部を少なくとも発光領域Ｈの幅だけは形成する必要があるので、マスクの剛性が低下してしまう。
【００２７】
これに対して、本実施形態では、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとを、発光領域Ｈの外側から左右の辺Ａ及びＢをそれぞれ交差して内側に至るように形成したので、マスクの剛性を高めることができる。
ここで、分離部３４の幅Ｗは、狭いほどインピーダンスを低下させることができるので、電源電圧降下による輝度のばらつきを抑制できる。一方、分離部３４の幅Ｗが狭くなると、マスクの剛性が低下する。そこで、本実施形態では、必要とされるマスクの剛性が得られるように分離部３４の幅Ｗを定めている。
よって、本実施形態では、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。またマスクの剛性を高めることが可能であるため、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
【００２８】
なお、上述した第１実施形態では、共通電極７２の下に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図５に示すように共通電極７２の上に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを形成してもよい。
【００２９】
＜２．第２実施形態＞
第２実施形態に係る発光装置１は、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａの配置を除いて、第１実施形態の発光装置１と同様に構成されている。
図６に補助電極と画素回路の関係を模式的に示す。第２実施形態の複数の第１補助電極３０ａは、１行おきに（２行に１本の割合）設けられている。この点は、複数の第２補助電極４０ａについても同様である。そして、ある行において第１補助電極３０ａを配置した場合には、次の行では第２補助電極４０ｂを配置するといったように、第１補助電極３０ａと第２補助電極３０ｂとを交互に配置している。すなわち、複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとは、行方向と平行かつ、隣接する画素回路Ｐの間を通って列方向に交互に並ぶように配置される。
【００３０】
このように形成することで、第１補助電極３０ａ及び第１接続電極３００によってくし歯状の電極が形成され、また、第２補助電極４０ａ及び第２接続電極４００によってくし歯状の電極が形成される。そして、第１実施形態では、第１補助電極３０ａの端部と第２補助電極４０ａの端部とが分離部３４を介し向かい合うように形成されたのに対し、第２実施形態では、くし歯状の第１補助電極３０ａとくし歯状の第２補助電極４０ａとがかみ合うように形成される。
【００３１】
これによって、第１補助電極３０ａのピッチ及び第２補助電極４０ａのピッチが画素回路Ｐのピッチの半分となる。この結果、マスクの剛性を高めることができる。特に、画素回路のピッチを狭くなる高精細な発光装置に好適である。これにより、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。またマスクの剛性を高めることが可能であるため、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、列方向にみた場合、画素回路Ｐの上側又は下側に必ず第１補助電極３０ａ又は第２補助電極４０ａが設けられている。このため、電圧降下を抑制し、輝度のばらつきを改善することができる。
特に、発光領域Ｈの中心付近では、画素回路Ｐの上側に第１補助電極３０ａが設けられ、且つ、画素回路Ｐの下側に第２補助電極４０ａが設けられる領域がある。換言すれば、複数の画素回路Ｐの一部は、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの両方と隣接する。この例では、幅Ｑに渡って、画素回路Ｐは第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの双方から給電を受けることができ、電圧降下を抑制することができる。
【００３３】
第１接続電極３００に比較して第１補助電極３０ａは幅が狭く抵抗値も大きい。同様に第２接続電極４００に比較して第２補助電極４０ａは幅が狭く抵抗値も大きい。したがって、第１接続電極３００及び第２接続電極４００から距離に比例してインピーダンスは増加するので、発光領域Ｈの中心部分のインピーダンスが最も大きくなる。上述したように本実施形態においては、発光領域Ｈの中心部分において、画素回路Ｐは第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの双方から給電を受けることができるので、電圧降下を抑制することが可能となり、表示画像の品質を向上させることができる。
【００３４】
なお、上述した第２実施形態は、第１実施形態と同様に、共通電極７２の下に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを共通電極７２の下に形成してもよいし、あるいは、共通電極７２の上に形成してもよいことは勿論である。
また、図７に示すように幅Ｑ＝０であってもよい。但し、全ての画素回路Ｐが第１補助電極３０ａ又は第２補助電極４０ａの少なくとも一方から給電されるように、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａが配置されることが、電圧降下を抑制する観点から好ましい。
【００３５】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態では、第１接続電極３００を発光領域Ｈの右辺、第２接続電極４００を発光領域Ｈの左辺に設けた。そして、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを行方向と平行に配置した。本発明はこれに限定されるものではなく、第１接続電極３００を発光領域Ｈの上辺、第２接続電極４００を発光領域Ｈの下辺に設けてもよい。この場合、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを列方向と平行に配置すればよい。
【００３６】
より具体的には、複数の第１補助電極３０ａは行方向に隣接する画素回路Ｐの間を通って、列方向と平行に発光領域Ｈに延存し、複数の第２補助電極４０ａは行方向に隣接する画素回路Ｐの間を通って、列方向と平行に発光領域Ｈに延存する。そして、複数の第１補助電極３０ａの端部と、複数の第２補助電極４０ａの端部とは、発光領域Ｈの内部で分離部を介して向かい合うように形成すればよい。
複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとは、列方向と平行かつ、隣接する画素回路Ｐの間を通って行方向に交互に並ぶように配置してもよい。
【００３７】
＜３．応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図８は、上記実施形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置１はＯＬＥＤ素子７０を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００３８】
図９に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００３９】
図１０に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１に表示される。
【００４０】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００４１】
１……発光装置、３０ａ……第１補助電極、４０ａ……第２補助電極、７０……発光素子、７２……共通電極、７４……発光機能層、７６……陽極、３００……第１接続電極、４００……第２接続電極、３４……分離部、Ｐ……画素回路、Ｈ……発光領域。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶素子に代わる次世代の発光デバイスとして、有機ＥＬ（ElectroLuminescent）素子や発光ポリマー素子などと呼ばれる有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ素子」という）素子が注目されている。ＯＬＥＤ素子は陰極と陽極と、それらの間に形成された発光機能層を備える。
複数のＯＬＥＤ素子を格子状に配置して、各ＯＬＥＤ素子の階調を制御することによって画像を表示ずる発光装置が知られている。この発光装置では、複数のＯＬＥＤ素子の陰極を共通陰極として形成し、ＯＬＥＤ素子で発光する光を共通陰極側から取り出すトップエミション構造が知られている。共通陰極は透明である必要があることから、その厚さはごく薄くするのが一般的である。このため、共通陰極が高抵抗となり、パネル面内で電圧降下が発生してしまうといった不都合があった。
そこで、画素間の隔壁上に補助陰極を形成する技術が知られている（特許文献１）。補助陰極は低抵抗のアルミ等で形成されている。この場合、補助陰極は画素間に精密に配置する必要があることから、マスク蒸着で形成するのが通常である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２３９８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、マスク蒸着に用いるマスクは、スリットの間隔が狭くなる程、剛性が低下してしまう。従来の技術では、画素間に配線を形成するため、スリットの密度が高くなり、剛性が著しく低下してしまうといった問題があった。
これを解決するために、補助陰極を複数のパターンに分割し、パターン毎に異なるマスクを用いて蒸着させることによって、マスクの剛性を高めるといった技術も知られているが（例えば、特開2003-203769号）、製造工程が複雑になり、多数のマスクを使用するため、コスト高を招くといった問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、簡易な工程で、剛性が高いマスクを使用することが可能な発光装置及びその製造方法を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、 前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、前記複数の第１補助電極の端部と、前記複数の第２補助電極の端部とは、前記発光領域の内部で分離部を介して向かい合うように形成されることを特徴とする。
この発明によれば、第１補助電極と第２補助電極とは分離されている。よって、マスクの剛性を高めることができ、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。また、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
なお、第１方向は行方向で第２方向は列方向であってもよいし、あるいは、第１方向は列方向で第２方向は行方向であってもよい。
【０００６】
また、本発明に係る他の発光装置は、第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、前記複数の第１補助電極と前記複数の第２補助電極とは、前記第１方向と平行かつ、前隣接する前記画素回路の間を通って記第２方向に交互に並ぶように配置されることを特徴とする。
この発明によれば、第１補助電極と第２補助電極とが交互に配置される。よって、補助電極のピッチを１／２にして、マスクの剛性をより高めることができ、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。また、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
【０００７】
また、上述した発光装置において、前記複数の画素回路の一部は、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の両方と隣接することが好ましい。両方の補助電極と接する画素回路では、共通電極のインピーダンスを等価的により低減することができる。この場合、両方の補助電極と隣接する画素回路は、発光領域Ｈの中心から所定範囲内にあることが好ましい。発光領域Ｈの中心部分は第１接続電極及び第２接続電極からの距離が長くなるので、共通電極のインピーダンスが等価的に大きくなる。そのような箇所に第１補助電極及び第２補助電極の双方から給電することにより、共通電極のインピーダンスを大幅に低減することが可能となる。
【０００８】
ここで、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の単位面積当たりの抵抗値は、前記共通電極の単位面積当たりの抵抗値よりも小さいことが好ましい。
また、前記複数の第１補助電極及び前記複数の第２補助電極は、前記共通電極の上又は下に接するように形成されることが好ましい。
【０００９】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した発光装置を備えたことを特徴とする。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、あるいはディスプレイなどが該当する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の構成を示す回路図である。
【図３】同実施形態における補助電極と画素回路の関係を模式的に示す平面図である。
【図４】Ｚ−Ｚ’で発光装置を切断した一例を示す部分断面図である。
【図５】Ｚ−Ｚ’で発光装置を切断した他の例を示す部分断面図である。
【図６】第２実施形態における補助電極と画素回路の関係を模式的に示す平面図である。
【図７】同実施形態における補助電極と画素回路の他の関係を模式的に示す平面図である。
【図８】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図９】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【図１０】本発明に係る電子機器の具体的な形態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。また、本発明は、以下に述べる各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態を変形して得られる各種の変形例や、各実施形態またはその変形例を応用して得られる形態をも技術的範囲に含みうる。なお、各図において共通する部分には同一の符号が付されている。
【００１２】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す回路図である。発光装置１は、発光領域Ｈと、走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにデータ線駆動回路２００を備える。発光領域Ｈには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含む。
【００１３】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、およびＯＬＥＤ素子７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極はＯＬＥＤ素子７０の陽極に接続される。また、トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極と接続される。
【００１４】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、データ信号のレベルに応じた電流をＯＬＥＤ素子７０に供給する。これにより、ＯＬＥＤ素子７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。ＯＬＥＤ素子７０は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図４参照）。ＯＬＥＤ素子７０は、トップエミション構造を採用し、観察面に向けて発光する。この場合、共通電極７２はＩＴＯなどの比較的、抵抗値の高い材料で構成される。一方、後述する補助電極は、アルミなどで形成され、単位面積当たりの抵抗値が共通電極７２と比較して小さい。
【００１５】
図３に補助電極と画素回路の関係を模式的に示す。上述したように共通電極７２の抵抗値が高いことから、本実施形態では補助電極を用いてインピーダンスを低下させる。図３に示すように、発光領域Ｈの一辺Ａに沿って発光領域Ｈの外側に第１接続電極３００が形成されている。また、辺Ａに対向する辺Ｂに沿って発光領域Ｈの外側に第２接続電極４００が形成されている。
【００１６】
そして、第１接続電極３００と電気的に接続された複数の第１補助電極３０ａが辺Ａと交差して発光領域Ｈに延存するように形成される。また、第２接続電極４００と電気的に接続された複数の第２補助電極４０ａが辺Ｂと交差して発光領域Ｈに延存するように形成される。
画素回路Ｐは行方向と列方向に格子状に配列されている。そして、全ての行間に、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが形成される。つまり、列方向に隣接する画素回路Ｐの間を通るように第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが設けられている。但し、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとは幅Ｗの分離部３４によって分離されており、第１補助電極３０ａの端部と第２補助電極４０ａの端部とは向かい合うように形成されている。
【００１７】
図４にＺ−Ｚ’の部分断面図を示す。同図に示すように、基板３０の上に下地保護層３１が形成され、その上にｐチャネル型のトランジスタ６０が形成される。トランジスタ６０とＯＬＥＤ素子７０は単位回路Ｐの一部である。下地保護層３１の上層にはシリコン層６０１が形成される。シリコン層６０１を覆うように、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層６０１に対向する部分にゲート電極６２が設けられる。 トランジスタ６０においてゲート電極６２を介してシリコン層６０１にはゲート電極６２を介してIII族元素がドーピングされ、ドレイン領域６０ａおよびソース領域６０ｃが形成される。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域６０ｂとなる。なお、トランジスタ６０のゲート電極６２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。
【００１８】
第１層間絶縁層３３が、ゲート電極６２を覆うようにゲート絶縁層３２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに、ソース電極６３およびドレイン電極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層６０１と接続される。また、これらの電極と同一の工程でデータ線１１２が形成される。
【００１９】
回路保護膜３４が、ソース電極６３およびドレイン電極６１を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいても良い。これにより、トランジスタ６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極やドレイン電極の下に形成してもよい。
【００２０】
回路段差平坦化膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。回路段差平坦化膜３５は、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小さい。つまり、トランジスタ６０、走査線１１１、データ線１１２などにより生ずる凹凸を平坦化するために、回路段差平坦化膜３５は用いられる。回路段差平坦化膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から蒸着により回路段差平坦化膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は一般に蒸着によって膜を形成するため、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので回路段差平坦化膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を回路段差平坦化膜３５に用いることもできる。
【００２１】
回路段差平坦化膜３５上には、発光領域Ｈで画素電極７６（第１電極）を形成する。この実施形態における画素電極７６はＯＬＥＤ素子７０の陽極であり、回路段差平坦化膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光を共通電極７２に向けて反射する。
【００２２】
次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の材料である。この場合、パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。
【００２３】
次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００２４】
次に、隔壁３７の上に第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとをマスクを用いて同時に形成する。この場合、蒸着法で電極を形成してもよいし、あるいはスパッタ法で電極を形成してもよい。第１補助電極３０ａおよび第２補助電極４０ａの材料としては、アルミなどの導電金属が好適である。
【００２５】
次に、第１補助電極３０ａ、第２補助電極４０ａおよび発光機能層７４を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透明であり、ＯＬＥＤ素子７０からの光は、図中上側の方向に射出される。この実施形態の共通電極７２をすべてのＯＬＥＤ素子７０の陰極として機能させるため、共通電極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。また、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。なお、共通電極７２を覆うように電極保護膜を形成してもよい。電極保護膜は、回路保護膜３４と同様に、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い無機材料が好適である。
【００２６】
仮に、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとが繋がっていると、マスクに細長いスリット状の開口部を少なくとも発光領域Ｈの幅だけは形成する必要があるので、マスクの剛性が低下してしまう。
【００２７】
これに対して、本実施形態では、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａとを、発光領域Ｈの外側から左右の辺Ａ及びＢをそれぞれ交差して内側に至るように形成したので、マスクの剛性を高めることができる。
ここで、分離部３４の幅Ｗは、狭いほどインピーダンスを低下させることができるので、電源電圧降下による輝度のばらつきを抑制できる。一方、分離部３４の幅Ｗが狭くなると、マスクの剛性が低下する。そこで、本実施形態では、必要とされるマスクの剛性が得られるように分離部３４の幅Ｗを定めている。
よって、本実施形態では、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。またマスクの剛性を高めることが可能であるため、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。この結果、製造工程を簡素化でき、コストを削減することが可能となる。
【００２８】
なお、上述した第１実施形態では、共通電極７２の下に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、図５に示すように共通電極７２の上に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを形成してもよい。
【００２９】
＜２．第２実施形態＞
第２実施形態に係る発光装置１は、第１補助電極３０ａと第２補助電極４０ａの配置を除いて、第１実施形態の発光装置１と同様に構成されている。
図６に補助電極と画素回路の関係を模式的に示す。第２実施形態の複数の第１補助電極３０ａは、１行おきに（２行に１本の割合）設けられている。この点は、複数の第２補助電極４０ａについても同様である。そして、ある行において第１補助電極３０ａを配置した場合には、次の行では第２補助電極４０ｂを配置するといったように、第１補助電極３０ａと第２補助電極３０ｂとを交互に配置している。すなわち、複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとは、行方向と平行かつ、隣接する画素回路Ｐの間を通って列方向に交互に並ぶように配置される。
【００３０】
このように形成することで、第１補助電極３０ａ及び第１接続電極３００によってくし歯状の電極が形成され、また、第２補助電極４０ａ及び第２接続電極４００によってくし歯状の電極が形成される。そして、第１実施形態では、第１補助電極３０ａの端部と第２補助電極４０ａの端部とが分離部３４を介し向かい合うように形成されたのに対し、第２実施形態では、くし歯状の第１補助電極３０ａとくし歯状の第２補助電極４０ａとがかみ合うように形成される。
【００３１】
これによって、第１補助電極３０ａのピッチ及び第２補助電極４０ａのピッチが画素回路Ｐのピッチの半分となる。この結果、マスクの剛性を高めることができる。特に、画素回路のピッチを狭くなる高精細な発光装置に好適である。これにより、パネルが大きくなった場合でも1回の成膜で形成できる領域が広くなる。またマスクの剛性を高めることが可能であるため、パネルを作製する上でも工程の難易度を下げることが可能となる。
【００３２】
さらに、本実施形態では、列方向にみた場合、画素回路Ｐの上側又は下側に必ず第１補助電極３０ａ又は第２補助電極４０ａが設けられている。このため、電圧降下を抑制し、輝度のばらつきを改善することができる。
特に、発光領域Ｈの中心付近では、画素回路Ｐの上側に第１補助電極３０ａが設けられ、且つ、画素回路Ｐの下側に第２補助電極４０ａが設けられる領域がある。換言すれば、複数の画素回路Ｐの一部は、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの両方と隣接する。この例では、幅Ｑに渡って、画素回路Ｐは第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの双方から給電を受けることができ、電圧降下を抑制することができる。
【００３３】
第１接続電極３００に比較して第１補助電極３０ａは幅が狭く抵抗値も大きい。同様に第２接続電極４００に比較して第２補助電極４０ａは幅が狭く抵抗値も大きい。したがって、第１接続電極３００及び第２接続電極４００から距離に比例してインピーダンスは増加するので、発光領域Ｈの中心部分のインピーダンスが最も大きくなる。上述したように本実施形態においては、発光領域Ｈの中心部分において、画素回路Ｐは第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａの双方から給電を受けることができるので、電圧降下を抑制することが可能となり、表示画像の品質を向上させることができる。
【００３４】
なお、上述した第２実施形態は、第１実施形態と同様に、共通電極７２の下に第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを共通電極７２の下に形成してもよいし、あるいは、共通電極７２の上に形成してもよいことは勿論である。
また、図７に示すように幅Ｑ＝０であってもよい。但し、全ての画素回路Ｐが第１補助電極３０ａ又は第２補助電極４０ａの少なくとも一方から給電されるように、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａが配置されることが、電圧降下を抑制する観点から好ましい。
【００３５】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態では、第１接続電極３００を発光領域Ｈの右辺、第２接続電極４００を発光領域Ｈの左辺に設けた。そして、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを行方向と平行に配置した。本発明はこれに限定されるものではなく、第１接続電極３００を発光領域Ｈの上辺、第２接続電極４００を発光領域Ｈの下辺に設けてもよい。この場合、第１補助電極３０ａ及び第２補助電極４０ａを列方向と平行に配置すればよい。
【００３６】
より具体的には、複数の第１補助電極３０ａは行方向に隣接する画素回路Ｐの間を通って、列方向と平行に発光領域Ｈに延存し、複数の第２補助電極４０ａは行方向に隣接する画素回路Ｐの間を通って、列方向と平行に発光領域Ｈに延存する。そして、複数の第１補助電極３０ａの端部と、複数の第２補助電極４０ａの端部とは、発光領域Ｈの内部で分離部を介して向かい合うように形成すればよい。
複数の第１補助電極３０ａと複数の第２補助電極４０ａとは、列方向と平行かつ、隣接する画素回路Ｐの間を通って行方向に交互に並ぶように配置してもよい。
【００３７】
＜３．応用例＞
次に、本発明に係る発光装置を適用した電子機器について説明する。図８は、上記実施形態に係る発光装置１を表示装置に適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示装置としての発光装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。この発光装置１はＯＬＥＤ素子７０を用いるので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００３８】
図９に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００３９】
図１０に、上記実施形態に係る発光装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistant）を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示装置としての発光装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が発光装置１に表示される。
【００４０】
本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図８から図１０に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、電子写真方式を利用した画像印刷装置における像担持体に光を照射して潜像を形成するプリンタヘッドのような発光源、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００４１】
１……発光装置、３０ａ……第１補助電極、４０ａ……第２補助電極、７０……発光素子、７２……共通電極、７４……発光機能層、７６……陽極、３００……第１接続電極、４００……第２接続電極、３４……分離部、Ｐ……画素回路、Ｈ……発光領域。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、
前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、
前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、
前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、
前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、
前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、
前記複数の第１補助電極の端部と、前記複数の第２補助電極の端部とは、前記発光領域の内部で分離部を介して向かい合うように形成される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、
前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、
前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、
前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、
前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、
前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、
前記複数の第１補助電極と前記複数の第２補助電極とは、前記第１方向と平行かつ、前隣接する前記画素回路の間を通って記第２方向に交互に並ぶように配置される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記複数の画素回路の一部は、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の両方と隣接することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１補助電極及び前記第２補助電極の単位面積当たりの抵抗値は、前記共通電極の単位面積当たりの抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の第１補助電極及び前記複数の第２補助電極は、前記共通電極の上又は下に接するように形成されることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、
前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、
前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、
前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、
前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、
前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記第２方向に隣接する画素回路の間を通って、前記第１方向と平行に前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、
前記複数の第１補助電極の端部と、前記複数の第２補助電極の端部とは、前記発光領域の内部で分離部を介して向かい合うように形成される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１電極と第２電極との間に発光層を有する発光素子を備えた画素回路が複数、第1方向と前記第1方向に直交する第２方向とに沿って格子状に配置された発光領域と、
前記発光素子の第２電極は、前記複数の画素回路に共通に設けられ、前記発光層からの光を透過可能な共通電極として形成され、
前記発光領域の第1の辺の外側に前記第１の辺に沿って設けられた第１接続電極と、
前記共通電極及び前記第１接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第１補助電極と、
前記第１の辺と対向する前記発光領域の第２の辺の外側に前記第２の辺に沿って設けられた第２接続電極と、
前記共通電極及び前記第２接続電極と電気的に接続され、前記発光領域に延存する複数の第２補助電極とを備え、
前記複数の第１補助電極と前記複数の第２補助電極とは、前記第１方向と平行かつ、前隣接する前記画素回路の間を通って記第２方向に交互に並ぶように配置される、
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記複数の画素回路の一部は、前記第１補助電極及び前記第２補助電極の両方と隣接することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１補助電極及び前記第２補助電極の単位面積当たりの抵抗値は、前記共通電極の単位面積当たりの抵抗値よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記複数の第１補助電極及び前記複数の第２補助電極は、前記共通電極の上又は下に接するように形成されることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１０−２４４８２９（Ｐ２０１０−２４４８２９Ａ）
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−９１８４３（Ｐ２００９−９１８４３）
【出願日】平成２１年４月６日（２００９．４．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月２８日（２０１０．１０．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月６日（２００９．４．６）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]