発光装置
【課題】発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制する。
【解決手段】発光装置１においては、素子層３０の上に、第２層間絶縁膜３５と、補助電極１５０と、共通電極７２が順に積層される。補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。補助電極１５０は、共通電極７２に電位を供給する第２電極用電源線と重なって電気的に接続される部分を有する。
【解決手段】発光装置１においては、素子層３０の上に、第２層間絶縁膜３５と、補助電極１５０と、共通電極７２が順に積層される。補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも基板１０の面内において外側に位置するよう形成され、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。補助電極１５０は、共通電極７２に電位を供給する第２電極用電源線と重なって電気的に接続される部分を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の有効領域に複数の発光素子が配列され、有効領域を囲む周辺領域に各種配線等が配置された発光装置が知られている。各発光素子は、第１電極と第２電極の間に挟まれ有機ＥＬ材料などの発光材料で形成される発光層を有する。多くの場合、この第２電極は複数の発光素子に共通して設けられた共通電極であり、上記有効領域全体にわたって設けられる。しかしながら、電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し、基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。そこで、従来から、共通電極よりも低抵抗の材料で形成され共通電極と電気的に接続された補助電極を設け、共通電極の抵抗を下げることが行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５２９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、補助電極は、例えば、アルミニウムなどの遮光性の部材で形成される場合が多い。このため、発光素子からの出射光を遮ることがないように発光素子の間隙の領域を通るように形成されるのが望ましく、高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し、共通電極は光透過性の材料で形成されて、有効領域全体を覆う領域に一様に形成される。よって、補助電極と比較して、位置合わせにおける誤差が許容され得る。よって、補助電極よりも共通陰極の位置合わせの誤差が問題となる。したがって、共通電極の誤差を吸収可能なように基板上において周辺領域の幅（いわゆる、「額縁領域」）を十分に確保することが望ましく、装置の小型化の妨げとなっていた。
【０００５】
また、発光素子の発光を制御するためのトランジスタなどの回路素子は、共通電極や補助電極の下層に配置される。このため、共通電極および補助電極との間に絶縁層を設けて、共通電極および補助電極を回路素子から絶縁する。ところが、絶縁層が段差を含む場合には、その段差と重なる上層部分で電極に断線や亀裂が生じるおそれがある。断線や亀裂が生じた箇所では電極の抵抗値が増加するので、発光素子の輝度ムラが顕著となる。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な発光装置を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の第１の発光装置は、基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第２電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第２電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層とを有し、前記第２電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、前記周辺領域において、前記第２電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する。
【０００７】
本発明の発光装置においては、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極は、有効領域においては、発光素子の間隙の領域を通るように形成される。このため、高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから、共通電極の形成に際しては、位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。すなわち、補助電極は共通電極よりも小さな誤差で形成される場合が多い。よって、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。そして、補助電極は、第２電極よりも抵抗が低くなるように構成される。特に、補助電極は、第２電極よりも低抵抗の材料で形成されることが好ましい。
【０００８】
さらに、本発明の発光装置では、共通電極の端は絶縁層の端よりも内側に配置される。絶縁層は、例えば、回路段差平坦化膜であり、下層の凸凹を平坦化するために厚く形成されることが多い。よって、絶縁層の端は大きな段差となる。これに対し、共通電極は、脆い材料で形成されたり、あるいは薄く形成されることが多いので、絶縁層の端の段差の影響で共通電極に断線または亀裂が生じることがある。しかしながら、本発明においては、共通電極の端は絶縁層の端よりも内側に配置されるから、共通電極における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。本発明の好適な態様において、前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置されるのが好ましい。この態様によれば、第２電極を外気から保護することができる。
【０００９】
加えて、本発明の第２の発光装置は、基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する発光装置であって、前記複数の発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、前記複数の発光素子に共通に設けられた第２電極と、前記複数の第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層と、前記第２電極または前記補助配線と前記素子層との間を絶縁する絶縁層とを備え、前記第２電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第１の領域に設けられており、前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第１の領域と重なり、前記周辺領域において前記第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられており、前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通るように設けられており、且つ、前記周辺領域において、前記第１の領域の内側と前記第１の領域の外側であって且つ前記第２の領域の内側である領域とを通り前記第２の領域の外側に至るように設けられている。
【００１０】
上記第２の発光装置においては、補助電極は、共通電極が設けられた第１の領域よりも外側の領域にも設けられる。よって、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極は、有効領域においては、発光素子の間隙の領域を通るように形成されるから、補助電極の形成には高精度な位置合わせ機構を用いられる。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから、共通電極の形成に際しては位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。よって、補助電極の誤差は共通電極よりも小さいので、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。
【００１１】
さらに、上記第２の発光装置では、共通電極が設けられた第１の領域は、絶縁層が設けられる第２の領域よりも内側に配置される。よって、絶縁層の端と共通電極とが重なる部分において、共通電極における断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００１２】
上記第２の発光装置の好適な態様において、前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から外側に至るように、第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有する。好ましくは、前記補助電極は、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有するようにしてもよい。この場合、前記絶縁層の前記第１の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置するようにしてもよい。
【００１３】
上記第２の発光装置の別の好適な態様において、前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から前記第２の領域の外側に至るように前記第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極である。
【００１４】
また、上記第２の発光装置について上述したいずれかの態様において、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記第１の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、前記第２電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続される。この場合、好ましくは、前記第２電極用電源線は、前記第１の領域の外側に設けるようにしてもよい。
さらに、本発明は、上記いずれかの態様の第１または第２の発光装置を有する電子機器としても把握される。この電子機器によれば、上述のいずれかの効果を達成可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に補助電極および画素電極をさらに形成した状態を示す平面図である。
【図２】同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１(Ｂ）の一部の拡大図である。
【図４】同装置の部分断面図である。
【図５】同装置の部分簡略断面図である。
【図６】比較例において、共通電極に亀裂が生じた様子を示す図である。
【図７】第１実施形態の変形例に係る発光装置の部分断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図９】同装置の部分簡略断面図である。
【図１０】本発明の変形例に係る発光装置の部分簡略断面図である。
【図１１】本発明の変形例に係る発光装置の部分簡略断面図である。
【図１２】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。
【図１３】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。
【図１４】発光装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１５】発光装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１６】発光装置を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜Ａ−１：第１実施形態＞
図１(Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図であり、図１(Ｂ）は図１(Ａ）の状態の後に補助電極１５０および画素電極７６をさらに形成した状態を示す平面図である。図１(Ａ）に示すように、この発光装置１は、基板１０とフレキシブル基板２０とを備える。基板１０の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic conductive film:異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、データ線駆動回路２００が設けられており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電源電圧が基板１０に供給される。
【００１７】
基板１０には、有効領域Ａと、その外側（つまり基板もしくは基板１０の外周と有効領域Ａの間）の周辺領域Ｂが設けられている。周辺領域Ｂには走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０が形成されている。プリチャージ回路１２０は書き込み動作に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための回路である。走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０は、有効領域Ａの周辺にある周辺回路である。但し、周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良否を検査する検査回路（図示せず）を含んでもよいし、データ線駆動回路２００が周辺領域Ｂに設けられた周辺回路であってもよい。
【００１８】
有効領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含み、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。
【００１９】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、および発光素子（ＯＬＥＤ素子）７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は発光素子７０の陽極に接続される。また、トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極と接続される。
【００２０】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、データ信号のレベルに応じた電流を発光素子７０に供給する。これにより、発光素子７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００２１】
また、図１(Ａ）に示すように、周辺領域Ｂの外周部側（つまり基板もしくは基板１０の外周と周辺領域Ｂの間）には、コの字状の第２電極用電源線１４０が形成されている。第２電極用電源線１４０は、後述するように発光素子の陰極（第２電極）に電源電圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。なお、第２電極用電源線１４０をコの字状に（つまり、基板１０の３辺に沿って）配設する替わりに、基板１０の対向する２辺に沿って設ける態様としてもよい。すなわち、図示の例では、各走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂに沿って配設されてもよい。
【００２２】
発光素子７０は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図４参照）。共通電極７２は、図１(Ｂ）に示すように有効領域Ａ全体と周辺領域Ｂの一部にわたる領域（第１の領域）に形成される。また、共通電極７２と第２電極用電源線１４０とを接続する補助電極１５０が、周辺領域Ｂにおいて周辺回路を覆うように形成される。補助電極１５０は、有効領域Ａに設けられる補助電極の第１部分１５０ａと、周辺領域Ｂに設けられる補助電極の第２部分１５０ｂとを含んでいる。有効領域Ａでは補助電極１５０の第１部分１５０ａと画素電極７６とが接触しないように、補助電極１５０の第１部分１５０ａが格子状に形成されている。つまり発光素子７０の間隙に補助電極１５０の第１部分１５０ａが配置されている。本明細書でいう補助電極とは、共通電極７２に重ねて電気的に接続され、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。明確化のため、図３に、図１(Ｂ）の一部を拡大して示す。
【００２３】
この実施形態の発光装置１は、トップエミッションの形式で構成されており、発光機能層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は、透明材料から形成されている。このため、周辺領域Ｂを共通電極７２によって遮光することはできない。一方、上述した補助電極１５０には、導電性および遮光性を有する金属が用いられるため、補助電極１５０によって遮光が可能である。これにより、周辺回路に光が入射して光電流が発生することを抑制できる。また、補助電極１５０は、有効領域Ａの画素電極７６と同一の工程で形成され得る。したがって、周辺領域Ｂに遮光性を付加するために特別な工程は不要である。
【００２４】
図４に発光装置１の部分断面図を示す。同図において、有効領域Ａには発光素子７０が形成される一方、周辺領域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される。同図において発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。同図に示すように、基板１０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、および６０が形成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０はｐチャネル型である。トランジスタ４０，５０は走査線駆動回路１００Ａの一部であり、トランジスタ６０と発光素子７０は単位回路Ｐの一部である。
【００２５】
トランジスタ４０、５０、および６０は、基板１０の表面に形成された酸化珪素を主体とする下地保護層３１の上に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０１、５０１および６０１が形成される。シリコン層４０１、５０１および６０１を覆うように、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層４０１、５０１および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が設けられる。トランジスタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ族元素がドーピングされ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。ここで、Ｖ族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。
【００２６】
トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂとなる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。
【００２７】
第１層間絶縁層３３が、ゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。また、これらの電極と同一の工程で第２電極用電源線１４０、データ線１１２および電流供給線１１３が形成される。これらの電極および第２電極用電源線１４０などは導電性を有するアルミニウム等の材料で形成される。
【００２８】
回路保護膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいても良い。回路保護膜３４により、トランジスタ４０、５０、および６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極やドレイン電極の下に形成してもよい。
【００２９】
第２層間絶縁膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。ここで、第２層間絶縁膜は、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０と、後述の画素電極７６、補助電極１５０、あるいは共通電極７２との間に設けられ、これらを絶縁する役目を果たす。この際に、走査線や信号線に供給される信号が遅延しないように、膜厚が設定される。なお、第２層間絶縁膜３５は、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小さくすることが好ましい。つまり、トランジスタ４０，５０，６０、走査線１１１、データ線１１２、電流供給線１１３などにより生ずる凹凸を平坦化するために、第２層間絶縁膜３５は用いられる。この第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ全体において上述の第１の領域（共通電極７２が形成される領域）と重なり、周辺領域Ｂにおいて第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられる。詳細には、本実施形態においては、基板１０の４辺のうち第２電極用電源線１４０が配設された左右両辺および上辺の少なくとも３辺側においては、第２の領域は第１の領域よりも基板１０の面内における外側方向に突出している。
【００３０】
第２層間絶縁膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から化学気相成長法（chemical vapor deposition: CVD）により第２層間絶縁膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は化学気相成長法によって膜を形成した場合、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので第２層間絶縁膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を第２層間絶縁膜３５に用いることもできる。以上のように、第２層間絶縁膜はこのように所定の膜厚が必要であるため、周辺領域に段差を発生させることがある。
【００３１】
第２層間絶縁膜３５上には、有効領域Ａで画素電極７６（第１電極）および補助電極の第１部分１５０ａを形成すると同時に、周辺領域Ｂに補助電極の第２部分１５０ｂを形成する。即ち、画素電極７６と補助電極１５０とは同一の層において、同一の材料を用いて同時に形成される。この実施形態における画素電極７６は発光素子７０の陽極であり、発光素子７０ごとに相互に離間して形成されて、第２層間絶縁膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光を共通電極７２に向けて反射する。この場合には、補助電極１５０もこれらの材料から形成される。
【００３２】
また、画素電極７６としては、仕事関数が高いＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第１層と、反射性の金属、例えばアルミニウムからなる第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。この場合には、補助電極１５０は、第１層と第２層の両方を有してもよいし、これらのうちいずれかの層を有していてもよい。
【００３３】
補助電極１５０は、有効領域Ａにおいて複数の発光素子７０の間隙を通るように格子状に形成され（第１部分１５０ａ）、周辺領域においては第２層間絶縁膜３５が形成された第２の領域が、共通電極７２が形成された第１の領域よりもはみ出した側（本実施形態では基板１０の左右両辺および上辺側）において、第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至るように形成される（第２部分１５０ｂ）。補助電極１５０は、周辺領域Ｂにおいて、回路保護膜３４に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４０と接続される。図示のように、第２電極用電源線１４０上には、第２層間絶縁膜３５が形成されず、回路保護膜３４にコンタクトホールを形成するだけで、補助電極１５０の第２部分１５０ｂを第２電極用電源線１４０に直接接触させることができる。
【００３４】
次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、各画素電極７６の外形縁を隔壁３７により覆うように形成されることにより、開口部３７ａを有する。よって、開口部３７ａの各々の全体は、画素電極７６に重なり、発光機能層７４が形成される前の段階では、開口部３７ａを通して画素電極７６が露出している。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。つまり隔壁３７は複数の発光素子を区分する。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の絶縁性材料である。この場合、パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが同時に形成される。有効領域Ａにおいて、このコンタクトホールＣＨを介して補助電極１５０の第１部分１５０ａと後述する共通電極７２が接続される。また、周辺領域Ｂにおける補助電極１５０の第２部分１５０ｂの上には、隔壁３７と同一の層が設けられていない。
【００３５】
次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００３６】
次に、有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって補助電極１５０および発光機能層７４を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透光性であり、発光素子７０からの光は、共通電極７２を透過して図中上側の方向に射出される。この実施形態の共通電極７２をすべての発光素子７０の陰極として機能させるため、共通電極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。また、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。
【００３７】
また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料は緻密な素材であり、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成されているため、有効領域Ａの単位回路Ｐおよび周辺領域Ｂの周辺回路が外気から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。
【００３８】
また、共通電極７２を形成するに先立って、隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成される。このコンタクトホールＣＨを介して有効領域Ａにおいて補助電極の第１部分１５０ａと共通電極７２が接続される。有効領域Ａにおいて格子状に形成される補助電極の第１部分１５０ａ（図１(Ｂ）参照）に共通電極７２が接続されることにより、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができる。これに加えて、補助電極の第２部分１５０ｂは、周辺領域Ｂにおいて隔壁３７により覆われていないため共通電極７２と広い面積で面接触するので、接続抵抗を下げることができる。したがって、電源インピーダンスを大幅に低減することが可能となる。
【００３９】
次に、共通電極７２および補助電極１５０を覆うように封止膜８０が形成される。封止膜８０には、例えば、透明度が高く防湿性が良好な酸窒化珪素、酸化珪素などのガス透過率が低い無機材料が用いられる。この封止膜８０は、周辺回路（トランジスタ４０，５０を有する走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０）の領域全体を覆っている。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０が形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板（対向基板）１１０が接合される。シール９０は、例えば、接着剤でもよいし、対向基板１１０を保持するためのスペーサを接着剤で接合してもよい。
【００４０】
図５は、図４における領域Ｃの簡略断面図である。すなわち、周辺領域Ｂのうち、走査線駆動回路１００の一部であるトランジスタ４０，５０より外側の端部の断面図である。説明の簡易のため、図４に示した下地保護層３１、ゲート絶縁層３２、第１層間絶縁層３３、回路保護膜３４およびこれらの各層に挟まれたトランジスタ４０、５０および６０の各電極を、図５においては素子層３０として纏めて示す。この素子層３０内の上層部には、第２電極用電源線１４０が形成されており、上述したように、第２電極用電源線１４０の上面は上層の電極とのコンタクト領域として機能する。図４には、素子層３０および第２電極用電源線１４０の他に、第２層間絶縁膜３５、補助電極１５０、共通電極７２、封止膜８０、シール９０および対向基板１１０が示されている。以下、この図を参照して、各層の相対的な位置関係について詳細に説明する。
なお、上述したように、第２層間絶縁膜３５は下層に配置されたトランジスタや配線などにより生ずる凹凸を平坦化するために用いられる。加えて、第２層間絶縁膜３５は、アクリル系、ポリイミド系の絶縁性の有機高分子材料などで形成され、素子層３０内に配置されたトランジスタ４０、５０、６０などの回路素子から陽極７６、共通電極７２、補助電極１５０等の電極を絶縁する機能も有する。すなわち、発光素子の発光を制御するための回路素子から各電極を絶縁する絶縁層として機能する。
【００４１】
図５に示されるように、第２電極用電源線１４０を含む素子層３０の上層には第２層間絶縁膜３５が形成され、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２は、第２電極用電源線１４０のコンタクト領域の内側の端Ｅ３よりもさらに内側である。第２層間絶縁膜３５の上面と、素子層３０の上面のうち第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２と端Ｅ３とに挟まれる領域およびコンタクト領域とには、補助電極１５０の第２部分１５０ｂ（以下、単に「補助電極１５０」という）が形成される。これより、補助電極１５０は、第２電極用電源線１４０と接して重なり、第２電極用電源線１４０と電気的に接続される。図示の例においては、補助電極１５０の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端と一致しているが、一致している必要はなく、補助電極１５０がコンタクト領域を覆うように形成されていればよい。すなわち補助電極の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端よりもさらに外側に位置する構成としてもよい。
なお、本明細書において、「内側」「外側」とは基板１０の端Ｅ５を基準とした場合の基板面内における相対位置を示す。よって、例えば、「端Ｅ１は、（略）端Ｅ２よりも内側である」とは、端Ｅ１と基板１０の端Ｅ５との距離は、端Ｅ２と端Ｅ５との距離よりも長いことを示す。
【００４２】
補助電極１５０の上には、共通電極７２が形成される。共通電極７２の端Ｅ１は第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。また、補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するよう形成される。なお、上述したように、補助電極１５０は画素電極７６と同時に形成され、次いで、隔壁３７、発光機能層７４を順に形成した後に、隔壁３７および発光機能層７４を覆うように、共通電極７２が形成される。
【００４３】
上述したように、補助電極１５０には導電性および遮光性を有する金属が用いられる。このため、有効領域Ａにおいて補助電極１５０と画素電極７６とが重ならないように、補助電極１５０の第１部分１５０ａは格子状に形成されている。つまり、有効領域Ａにおいては、発光素子７０からの出射光を遮断しないように、発光素子７０の間隙のみに補助電極１５０の第１部分１５０ａが配置される。発光素子７０は互いに微小な間隔で配置されているから、補助電極１５０は高精度なアライメント機構を用いて形成されることが望ましい。これに対し、共通電極７２は、透明材料から形成されるため、有効領域Ａにおいて発光素子７０を覆うように有効領域Ａ内において一様に形成されている。このため、共通電極７２は、補助電極１５０の形成に用いるアライメント機構よりも精度が低いものを用いても形成することが可能である。ところが、精度の低いアライメント機構を用いて共通電極７２が形成された場合、共通電極７２の端Ｅ１の位置が変動するおそれがある。
【００４４】
いまここで、共通電極７２の端Ｅ１の位置の誤差の範囲をｔ１とし、補助電極１５０の端Ｅ４の位置の誤差の範囲をｔ２とする。補助電極１５０に対して精度がより高いアライメント機構を用いた場合、ｔ１＞ｔ２となる。また、補助電極１５０の形成に必要とされる程度の精度を有する単一のアライメント機構を補助電極と共通電極７２の両方に対して用いた場合には、おおよそｔ１＝ｔ２となる。よって、補助電極１５０の誤差ｔ２が共通電極７２の誤差よりも大きくなる可能性は低く、仮に、後者の場合においてｔ１＜ｔ２となったとしても、高精度のアライメント機構を用いているので、ｔ１の誤差はさほど問題とならない。そこで、本実施形態においては、補助電極１５０の端Ｅ４が共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するように構成する。この構成によれば、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４max（端Ｅ４が基板１０の端Ｅ５側に最も近づいた場合の位置）から端Ｅ５までの距離を考慮して、周辺領域Ｂの幅（すなわち、「額縁領域」）を決定することができる。よって、より大きな誤差が許容される共通電極７２の端Ｅ１を補助電極１５０の端Ｅ４よりも外側に配置する場合と比較して、額縁領域を縮小することが可能となる。すなわち、共通電極７２の形成に用いられるアライメント機構の精度が額縁領域の幅に与える影響を低減することが可能となる。なお、共通電極７２の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ１maxが、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４maxよりも内側となるように、端Ｅ２および端Ｅ４の基準位置（誤差がない場合の位置）を定めることが望ましい。
【００４５】
図６に、比較例として、共通電極７２が第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２に重なって形成された場合を示す。図６に示されるように、この比較例においては、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも外側に配置されている。上述したように、第２層間絶縁膜３５は、下層の凸凹を平坦化するために厚く形成されることが多い。よって、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２は大きな段差となる。これに対し、共通電極７２は、例えば、ＩＴＯなどの薄膜材料で形成される。このため、比較例に示す構成においては、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２の段差の影響で共通電極７２に図６に示すような亀裂Ｉが生じることがある。亀裂Ｉが生じると、亀裂部分で抵抗値が増加するため、亀裂Ｉが生じた部分と亀裂Ｉが生じていない部分で流れる電流値が異なり電圧降下量が異なってしまう。しかしながら、本実施形態においては、共通電極７２の端Ｅ１は第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に配置されるから、共通電極７２における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子７０の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００４６】
＜Ａ−２：第１実施形態の変形例＞
上述した実施形態では、補助電極１５０と画素電極７６とが同時に形成された場合の構成について説明したが、画素電極７６と同時ではなく隔壁３７が形成された後の工程で補助電極１５０を形成するようにしてもよい。
【００４７】
図７は、本変形例に係る発光装置１Ａの部分断面図である。図７に示されるように、発光装置１Ａにおいては、第２層間絶縁膜３５および隔壁３７を覆うように補助電極１５０（１５０ａ，１５０ｂ）が形成されている。上述した実施形態では、図４に示されるように、補助電極１５０は第２層間絶縁層３５と隔壁３７との上に形成された部分を有していた。これに対して、この変形例では、隔壁３７がある部分では、隔壁３７の上に補助電極１５０が形成される。ここで、隔壁３７は、第２層間絶縁層３５と同様に、共通電極７２や補助電極１５０をトランジスタ４０，５０，６０から分離する絶縁層として機能する。また、上述した第１実施形態と同様に、補助電極１５０の端Ｅ４は第２電極用電源線１４０と重なり、共通電極７２の端Ｅ１は補助電極１５０の端Ｅ４よりも内側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に形成される。
【００４８】
発光装置１Ａの製造工程の概略は、以下の通りである。第２層間絶縁膜３５を形成した後、第２層間絶縁膜３５の上層に画素電極７６を形成する。この後、画素電極７６の上層に隔壁３７を形成し、第２層間絶縁膜３５および隔壁３７の上の開口部３７ａを除く表面に補助電極１５０を形成する。次に、隔壁３７で画定された画素電極７６上の空間（すなわち、開口部３７ａ）に発光機能層７４を形成する。なお、逆に、発光機能層７４を形成した後に補助電極１５０を形成してもよい。さらに、透光性を有する共通電極７２を有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成する。この後、共通電極７２の上に封止膜８０が形成される。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０は形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板１１０が接合される。
【００４９】
補助電極１５０を形成した後に発光機能層７４を形成するのであれば、補助電極１５０を形成する時点で発光機能層７４が未だ形成されていないため、補助電極１５０の形成にフォトリソグラフィを用いても発光機能層７４を劣化させる虞がない。よって、フォトリソグラフィにより補助電極１５０のパターンを形成することができ、トランジスタ４０、５０、６０や走査線１１１などの配線と同様の精度で補助電極１５０を形成することができる。一方、発光機能層７４を形成した後に補助電極１５０を形成するのであれば、補助電極１５０が発光材料で汚染されることなく、補助電極１５０と共通電極７２とを接続できるという利点がある。
【００５０】
さらに、本変形例では、補助電極１５０の上層に共通電極７２が形成されるので、共通電極７２よりも厚い補助電極１５０を形成しても共通電極７２に応力がかからない。よって、上層からの応力による共通電極７２の変形が抑制される。
【００５１】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置について説明する。図８は、本実施形態に係る発光装置２Ａの部分断面図である。図９８に示すように、補助電極１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成され、補助電極１５０および共通電極７２を覆うように封止膜８０が形成される。発光装置２Ａは、共通電極７２が補助電極１５０の下層に形成される点を除いて第１実施形態の発光装置１Ａ（図７）と同様である。よって、その説明を適宜省略する。
【００５２】
上記発光装置１Ａと同様に、本実施形態では、隔壁３７がある部分では、隔壁３７より上層に補助電極１５０が形成される。よって、隔壁３７は、第２層間絶縁層３５と同様に、共通電極７２や補助電極１５０をトランジスタ４０，５０，６０から分離する絶縁層として機能する。
【００５３】
発光装置２Ａの製造工程の概略は、以下の通りである。第２層間絶縁膜３５を形成した後、第２層間絶縁膜３５の上層に画素電極７６を形成する。この後、画素電極７６の上層に隔壁３７を形成し、隔壁３７で画定された画素電極７６上の空間（すなわち、開口部３７ａ）に発光機能層７４を形成する。さらに、透明な共通電極７２を有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成する。この後、共通電極７２の上の開口部３７ａの上層を除く領域に補助電極１５０を形成し、封止膜８０が形成される。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０は形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板１１０が接合される。
【００５４】
図９に、図８における領域Ｆの部分簡略断面図を示す。図８および図９に示されるように、発光装置２Ａにおいては、走査線駆動回路１００の一部であるトランジスタ４０，５０より基板１０の面内の外側において、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に形成され、補助電極１５０の端Ｅ４よりも内側に形成される。よって、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５５】
＜Ｃ：変形例＞
（１）上記第１および第２実施形態においては、共通電極７２または補助電極１５０の上層を封止膜８０で覆うことにより、素子層３０、第２電極用電源線、第２層間絶縁膜３５、共通電極７２、補助電極１５０を含む層構造を外気から保護する構成としていたが、封止膜８０を省く構成としてもよい。
図１０に本変形例に係る発光装置１Ｃの簡略断面図を示す。図１０に示されるように、発光装置１Ｃにおいては、封止膜８０が設けられておらず、シール９０と対向基板１１０により、基板１０上に形成された層構造を保護している。なお、対向基板１１０の内側に、水分を吸着するための乾燥剤（図示略）を配置したり、あるいは、対向基板１１０自体に乾燥剤を埋め込んだものを用いる構成としてもよい。また、対向基板１１０とシール９０の替わりに封止缶を用いてもよい。
図１１に本変形例に係る別の発光装置１Ｄの簡略断面図を示す。図１１に示されるように、発光装置１Ｄにおいては、対向基板１１０と基板１０の上に形成された層構造との間に防湿性充填材６５を充填することにより、層構造を外気から保護している。防湿性充填材６５としては光透過性で低吸湿のものが望ましく、エポキシ系、またはウレタン系接着剤等を用いることができる。
【００５６】
（２）上記第１〜第４実施形態においては、第２電極用電源線１４０が周辺領域Ｂにコの字状に形成された態様について説明したが、これに限られず適宜変形が可能である。
各図１２および図１３は、本変形例に係る各発光装置のレイアウトの概略を説明するための図である。これらの図において、上述した実施形態と共通する部分については同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。
【００５７】
図１２の（Ａ）に示すように、発光装置３Ａにおいては、基板１０の対向する２辺の各辺縁部に沿って第２電極用電源線１４０が配設される。さらに、残る２辺の一方の辺に沿う領域に信号入力端子Ｇが配設され、当該信号入力端子Ｇの基板１０の面内における内側には第１電極用電源線１３０が配設される。第２電極用電源線１４０の内側には有効領域Ａに沿って走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが各々有効領域Ａに沿って配置され、電源線１４０によって給電されるとともに、信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号が与えられる。また、第１電極用電源線１３０の内側にはデータ線駆動回路２００が有効領域Ａに沿って配置される。データ線駆動回路２００は、第１電極用電源線１３０から給電されつつ信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号を受け取り、各データ線に与える。
【００５８】
この例において、第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ、およびデータ線駆動回路２００の全部、ならびに第１電極用電源線１３０の一部（図示の例では、信号入力端子Ｇが配設された辺を長手方向としたとき、長手方向に延在する部分全部と長手方向と直交する方向に基板１０の下辺に向かって延びる部分の一部）を覆うように形成される。また、共通電極７２は、有効領域Ａおよび走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂの全部を覆い、第２電極用電源線１４０が配設される側のその左右の端は、第２層間絶縁膜３５の端よりも内側となるように形成される。また、共通電極７２の端のうち、下辺側（信号入力端子Ｇ側）の端は、有効領域Ａの外側且つデータ線駆動回路２００の内側に位置し、上辺側の端は第２層間絶縁膜３５の端よりも内側に位置する。すなわち、共通電極７２の四辺の各端は、第２層間絶縁膜３５の対応する各辺の端よりも内側に位置する。換言すれば、第２層間絶縁膜３５の端はすべての辺において共通電極７２の端よりも外側に突出している。すなわち、第２の領域は第１の領域全体を覆い、且つ、すべての辺側において第１の領域よりも外側にはみ出している。
【００５９】
補助電極は、信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向を長手とするストライプ状の個別電極１５０ｃとして形成される。詳細には、個別電極１５０ｃは有効領域Ａにおいては発光素子Ｐの間隙を通り、周辺領域Ｂにおいては第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り、第２の領域の外側に至り、第２電極用電源線１４０と重なる領域まで延びて第２電極用電源線１４０と電気的に接続する。すなわち、その端は、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側であり、且つ、共通電極７２の端よりも外側に位置する。本変形例によっても、上述した各実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
次に、図１２の（Ｂ）に示されるように、発光装置３Ｂは、走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて、発光装置３Ａと同様の構成をしている。すなわち、発光装置３Ｂにおいては、走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は、各データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂの外側に、基板１０の対向する２辺（左右両辺）に沿って配置され、補助電極１５０は、第２電極用電源線１４０と直交する方向（すなわち、信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向）を長手としたストライプ状に形成される。発光装置３Ａと同様に、補助電極１５０の左右の各端は、共通電極７２の端よりも外側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置し、第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって、発光装置３Ｂによっても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
なお、発光装置３Ａおよび３Ｂのいずれにおいても、図１２の（Ａ）の右側に示されるように、補助電極１５０がストライプ状の複数の個別電極１５０ｃと周辺領域Ｂに形成されて複数の個別電極１５０ｃを接続する接続電極１５０ｄとを有するようにしてもよい。この場合、接続電極１５０ｄは、第１の領域の内側に重なる部分と、第１の領域の外側であり且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至る部分とを有し、さらに第２電極用電源線１４０と重なるように形成される。すなわち、接続電極１５０ｄは、第２電極用電源線１４０と重なるだけでなく、第２層間絶縁膜３５の端および共通電極７２の端が接続電極１５０ｄと重なるように配置されている。
【００６２】
図１３の（Ａ）および（Ｂ）に、発光装置の他のレイアウト例を示す。図１３の（Ａ）に示されるように、発光装置４Ａにおいては、基板１０の下辺縁に沿って信号入力端子Ｇが配設され、その内側に第２電極用電源線１４０がコの字状に配設される。さらに、第２電極用電源線１４０の内側には第１電極用電源線１３０がコの字状に配設され、この電源線１３０と有効領域Ａとの間にデータ線駆動回路２００が配設される。走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂは有効領域Ａの左右各辺に沿う領域に各々配設される。
【００６３】
図示のように、第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ全体と、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ、およびデータ線駆動回路２００の全部と、第１電極用電源線１３０の一部（図示の例では、信号入力端子Ｇが配設された辺を長手方向としたとき、長手方向に延在する部分）を覆うように形成される。共通電極７２は、第２層間絶縁膜３５とほぼ同じ部分を覆い、且つ、共通電極７２の四辺の各端において第２層間絶縁膜３５の対応する端よりも内側となるように形成される。よって、本変形例においては、基板１０のすべての辺側において、第２層間絶縁膜３５が形成される第２の領域は、基板１０の面内における外側方向に共通電極７２が形成される第１の領域よりもはみ出している。
【００６４】
図示のように、補助電極は、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂと平行な方向を長手として延在するストライプ状の個別電極１５０ｅとして形成される。基板１０の下端側における個別電極１５０ｅの端は、第２電極用電源線１４０と重なって接するように形成される。なお、この例において、個別電極１５０ｅは第１電極用電源線１３０と交差しているが、第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することにより、個別電極１５０ｅが第１電極用電源線１３０と接することなく第２電極用電源線１４０とのみ接するように形成する。同様に、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とは重なるが、第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することで、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とが電気的に接触しない構成とすることができる。一方、基板１０の上端側における個別電極１５０ｅの端は、共通電極７２の端個別電極１５０ｅよりも外側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端（第２の領域）よりも外側に位置するように形成される。よって、発光装置４Ａによっても、上述した各実施形態と同様の効果が得られる。
【００６５】
次に、図１３の（Ｂ）に示されるように、発光装置４Ｂは、走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて、発光装置４Ａと同様の構成をしている。すなわち、発光装置４Ｂにおいては、走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は、基板１０下端側において信号入力端子Ｇよりも内側にコの字状に配置され、補助電極１５０は、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂと平行な方向を長手としたストライプ状に形成される。発光装置４Ａと同様に、補助電極１５０の上下の各端は、共通電極７２の端よりも外側にであり、且つ、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置するとともに、下端は、第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって、発光装置４Ｂによっても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
【００６６】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、周辺領域Ｂにおいて、補助配線１５０は、第２電極用電源線１４０の延在方向に対し交差する方向に、ストライプ状に延在している。即ち、図１乃至図３では、補助配線１５０ｂは第２電極用電源線１４０の延在方向にも延在しているが、第２電極用電源線１４０の延在方向に対して交差する方向にのみ延在させてもよい。換言すれば、補助配線１５０は、第２電極用電源線１４０の延在方向と平行に形成される必要は必ずしもなく、第２電極用電源１４０と交差するように形成されていればよい。
【００６７】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１４ないし図１６には、以上の何れかの形態に係る発光装置を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００６８】
図１４は、発光装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂと、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。発光装置１、１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂは有機発光ダイオード素子を発光素子７０として使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００６９】
図１５は、発光装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂとを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂに表示される画面がスクロールされる。
【００７０】
図１６は、発光装置を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂとを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置１、１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂに表示される。
【００７１】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１４から図１６に示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド（書込ヘッド）が使用されるが、この種の光ヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【符号の説明】
【００７２】
１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂ…発光装置、１０…基板、７０…発光素子、３４…回路保護膜、３５…第２層間絶縁膜（絶縁層）、３７…隔壁、３７ａ…開口部、６５…防湿性充填材、７２…共通電極（第２電極）、７４…発光機能層、７６…画素電極（第１電極）、８０…封止膜、９０…シール、１００Ａ，１００Ｂ…走査線駆動回路、１１０…対向基板、１１１…走査線、１１２…データ線、１１３…電源供給線、１２０…プリチャージ回路、１４０…第２電極用電源線、１５０…補助電極、１５０ｃ，１５０ｅ…個別電極、１５０ｄ…接続電極、２００，２００Ａ，２００Ｂ…データ線駆動回路、Ａ…有効領域、Ｂ…周辺領域、Ｃ，Ｆ…領域、Ｅ１〜Ｅ５…端、Ｇ…信号入力端子、Ｐ…単位回路。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子などの発光素子を用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上の有効領域に複数の発光素子が配列され、有効領域を囲む周辺領域に各種配線等が配置された発光装置が知られている。各発光素子は、第１電極と第２電極の間に挟まれ有機ＥＬ材料などの発光材料で形成される発光層を有する。多くの場合、この第２電極は複数の発光素子に共通して設けられた共通電極であり、上記有効領域全体にわたって設けられる。しかしながら、電極自体が有する抵抗により電極の面内において電圧降下が発生し、基板における位置によって発光素子に供給される電位がばらついて発光素子の輝度が位置によってばらつくおそれがある。そこで、従来から、共通電極よりも低抵抗の材料で形成され共通電極と電気的に接続された補助電極を設け、共通電極の抵抗を下げることが行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３５２９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、補助電極は、例えば、アルミニウムなどの遮光性の部材で形成される場合が多い。このため、発光素子からの出射光を遮ることがないように発光素子の間隙の領域を通るように形成されるのが望ましく、高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し、共通電極は光透過性の材料で形成されて、有効領域全体を覆う領域に一様に形成される。よって、補助電極と比較して、位置合わせにおける誤差が許容され得る。よって、補助電極よりも共通陰極の位置合わせの誤差が問題となる。したがって、共通電極の誤差を吸収可能なように基板上において周辺領域の幅（いわゆる、「額縁領域」）を十分に確保することが望ましく、装置の小型化の妨げとなっていた。
【０００５】
また、発光素子の発光を制御するためのトランジスタなどの回路素子は、共通電極や補助電極の下層に配置される。このため、共通電極および補助電極との間に絶縁層を設けて、共通電極および補助電極を回路素子から絶縁する。ところが、絶縁層が段差を含む場合には、その段差と重なる上層部分で電極に断線や亀裂が生じるおそれがある。断線や亀裂が生じた箇所では電極の抵抗値が増加するので、発光素子の輝度ムラが顕著となる。
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、発光装置の額縁領域を縮小するとともに、発光素子の輝度ムラを抑制するこが可能な発光装置を提供することを解決課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の第１の発光装置は、基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第２電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第２電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層とを有し、前記第２電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、前記周辺領域において、前記第２電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する。
【０００７】
本発明の発光装置においては、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極は、有効領域においては、発光素子の間隙の領域を通るように形成される。このため、高精度な位置合わせ機構を用いて形成されるのが望ましい。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから、共通電極の形成に際しては、位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。すなわち、補助電極は共通電極よりも小さな誤差で形成される場合が多い。よって、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。そして、補助電極は、第２電極よりも抵抗が低くなるように構成される。特に、補助電極は、第２電極よりも低抵抗の材料で形成されることが好ましい。
【０００８】
さらに、本発明の発光装置では、共通電極の端は絶縁層の端よりも内側に配置される。絶縁層は、例えば、回路段差平坦化膜であり、下層の凸凹を平坦化するために厚く形成されることが多い。よって、絶縁層の端は大きな段差となる。これに対し、共通電極は、脆い材料で形成されたり、あるいは薄く形成されることが多いので、絶縁層の端の段差の影響で共通電極に断線または亀裂が生じることがある。しかしながら、本発明においては、共通電極の端は絶縁層の端よりも内側に配置されるから、共通電極における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。本発明の好適な態様において、前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置されるのが好ましい。この態様によれば、第２電極を外気から保護することができる。
【０００９】
加えて、本発明の第２の発光装置は、基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する発光装置であって、前記複数の発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、前記複数の発光素子に共通に設けられた第２電極と、前記複数の第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層と、前記第２電極または前記補助配線と前記素子層との間を絶縁する絶縁層とを備え、前記第２電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第１の領域に設けられており、前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第１の領域と重なり、前記周辺領域において前記第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられており、前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通るように設けられており、且つ、前記周辺領域において、前記第１の領域の内側と前記第１の領域の外側であって且つ前記第２の領域の内側である領域とを通り前記第２の領域の外側に至るように設けられている。
【００１０】
上記第２の発光装置においては、補助電極は、共通電極が設けられた第１の領域よりも外側の領域にも設けられる。よって、補助電極の端は共通電極の端よりも外側に配置される。また、補助電極は、有効領域においては、発光素子の間隙の領域を通るように形成されるから、補助電極の形成には高精度な位置合わせ機構を用いられる。これに対し、共通電極は有効領域全体を覆う領域に一様に形成されるから、共通電極の形成に際しては位置合わせ精度が補助電極ほど要求されない。よって、補助電極の誤差は共通電極よりも小さいので、本発明によれば、共通電極の端を補助陰極の端よりも外側に配置する構成と比較して、補助電極の誤差に応じて額縁領域を縮小することができ、装置の小型化が可能となる。
【００１１】
さらに、上記第２の発光装置では、共通電極が設けられた第１の領域は、絶縁層が設けられる第２の領域よりも内側に配置される。よって、絶縁層の端と共通電極とが重なる部分において、共通電極における断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００１２】
上記第２の発光装置の好適な態様において、前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から外側に至るように、第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有する。好ましくは、前記補助電極は、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有するようにしてもよい。この場合、前記絶縁層の前記第１の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置するようにしてもよい。
【００１３】
上記第２の発光装置の別の好適な態様において、前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から前記第２の領域の外側に至るように前記第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極である。
【００１４】
また、上記第２の発光装置について上述したいずれかの態様において、前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記第１の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、前記第２電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続される。この場合、好ましくは、前記第２電極用電源線は、前記第１の領域の外側に設けるようにしてもよい。
さらに、本発明は、上記いずれかの態様の第１または第２の発光装置を有する電子機器としても把握される。この電子機器によれば、上述のいずれかの効果を達成可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成の一部を示す概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の状態の後に補助電極および画素電極をさらに形成した状態を示す平面図である。
【図２】同装置の画素回路の詳細を示す回路図である。
【図３】図１(Ｂ）の一部の拡大図である。
【図４】同装置の部分断面図である。
【図５】同装置の部分簡略断面図である。
【図６】比較例において、共通電極に亀裂が生じた様子を示す図である。
【図７】第１実施形態の変形例に係る発光装置の部分断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る発光装置の部分断面図である。
【図９】同装置の部分簡略断面図である。
【図１０】本発明の変形例に係る発光装置の部分簡略断面図である。
【図１１】本発明の変形例に係る発光装置の部分簡略断面図である。
【図１２】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。
【図１３】本発明の変形例に係る発光装置のレイアウトの概略である。
【図１４】発光装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１５】発光装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１６】発光装置を適用した携帯情報端末の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付の図面を参照しながら本発明に係る実施の形態を説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
＜Ａ−１：第１実施形態＞
図１(Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る発光装置１の構成の一部を示す概略平面図であり、図１(Ｂ）は図１(Ａ）の状態の後に補助電極１５０および画素電極７６をさらに形成した状態を示す平面図である。図１(Ａ）に示すように、この発光装置１は、基板１０とフレキシブル基板２０とを備える。基板１０の端部には接続端子が形成され、この接続端子とフレキシブル基板２０に形成された接続端子とが、ＡＣＦ（anisotropic conductive film:異方性導電膜）と呼ばれる導電粒子を含有したフィルム状の接着剤を介して圧着固定される。また、フレキシブル基板２０には、データ線駆動回路２００が設けられており、さらに、フレキシブル基板２０を介して各種の電源電圧が基板１０に供給される。
【００１７】
基板１０には、有効領域Ａと、その外側（つまり基板もしくは基板１０の外周と有効領域Ａの間）の周辺領域Ｂが設けられている。周辺領域Ｂには走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０が形成されている。プリチャージ回路１２０は書き込み動作に先立って、データ線１１２の電位を所定の電位に設定するための回路である。走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂ、ならびにプリチャージ回路１２０は、有効領域Ａの周辺にある周辺回路である。但し、周辺回路は、単位回路Ｐや配線の良否を検査する検査回路（図示せず）を含んでもよいし、データ線駆動回路２００が周辺領域Ｂに設けられた周辺回路であってもよい。
【００１８】
有効領域Ａには、複数の走査線１１１と複数のデータ線１１２が形成され、それらの交差点の各々の近傍には複数の単位回路（画素回路）Ｐが設けられている。単位回路ＰはＯＬＥＤ（organic light emitting diode）素子を含み、電流供給線１１３から給電を受ける。複数の電流供給線１１３は第１電極用電源線１３０に接続されている。
【００１９】
図２は、発光装置１の単位回路Ｐの詳細を示す回路図である。各単位回路Ｐは、ｎチャネル型のトランジスタ６８、ｐチャネル型のトランジスタ６０、容量素子６９、および発光素子（ＯＬＥＤ素子）７０を含む。ｐチャネル型のトランジスタ６０のソース電極は電流供給線１１３に接続される一方、そのドレイン電極は発光素子７０の陽極に接続される。また、トランジスタ６０のソース電極とゲート電極との間には、容量素子６９が設けられている。ｎチャネル型のトランジスタ６８のゲート電極は走査線１１１に接続され、そのソース電極は、データ線１１２に接続され、そのドレイン電極はトランジスタ６０のゲート電極と接続される。
【００２０】
単位回路Ｐは、その単位回路Ｐに対応する走査線１１１を走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが選択すると、トランジスタ６８がオンされて、データ線１１２を介して供給されるデータ信号を内部の容量素子６９に保持する。そして、トランジスタ６０が、データ信号のレベルに応じた電流を発光素子７０に供給する。これにより、発光素子７０は、データ信号のレベルに応じた輝度で発光する。
【００２１】
また、図１(Ａ）に示すように、周辺領域Ｂの外周部側（つまり基板もしくは基板１０の外周と周辺領域Ｂの間）には、コの字状の第２電極用電源線１４０が形成されている。第２電極用電源線１４０は、後述するように発光素子の陰極（第２電極）に電源電圧（この例では、Ｖｓｓ：グランドレベル）を供給するための配線である。なお、第２電極用電源線１４０をコの字状に（つまり、基板１０の３辺に沿って）配設する替わりに、基板１０の対向する２辺に沿って設ける態様としてもよい。すなわち、図示の例では、各走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂに沿って配設されてもよい。
【００２２】
発光素子７０は、画素電極７６（陽極）と共通電極７２（陰極）との間に挟まれた発光機能層（発光層を含む）７４を有する（図４参照）。共通電極７２は、図１(Ｂ）に示すように有効領域Ａ全体と周辺領域Ｂの一部にわたる領域（第１の領域）に形成される。また、共通電極７２と第２電極用電源線１４０とを接続する補助電極１５０が、周辺領域Ｂにおいて周辺回路を覆うように形成される。補助電極１５０は、有効領域Ａに設けられる補助電極の第１部分１５０ａと、周辺領域Ｂに設けられる補助電極の第２部分１５０ｂとを含んでいる。有効領域Ａでは補助電極１５０の第１部分１５０ａと画素電極７６とが接触しないように、補助電極１５０の第１部分１５０ａが格子状に形成されている。つまり発光素子７０の間隙に補助電極１５０の第１部分１５０ａが配置されている。本明細書でいう補助電極とは、共通電極７２に重ねて電気的に接続され、共通電極７２の抵抗を下げる導体のことである。明確化のため、図３に、図１(Ｂ）の一部を拡大して示す。
【００２３】
この実施形態の発光装置１は、トップエミッションの形式で構成されており、発光機能層７４からの光が共通電極７２を通過して射出される。共通電極７２は、透明材料から形成されている。このため、周辺領域Ｂを共通電極７２によって遮光することはできない。一方、上述した補助電極１５０には、導電性および遮光性を有する金属が用いられるため、補助電極１５０によって遮光が可能である。これにより、周辺回路に光が入射して光電流が発生することを抑制できる。また、補助電極１５０は、有効領域Ａの画素電極７６と同一の工程で形成され得る。したがって、周辺領域Ｂに遮光性を付加するために特別な工程は不要である。
【００２４】
図４に発光装置１の部分断面図を示す。同図において、有効領域Ａには発光素子７０が形成される一方、周辺領域Ｂには周辺回路たる走査線駆動回路１００Ａが形成される。同図において発光装置１の上面が光を射出する射出面となる。同図に示すように、基板１０の上に下地保護層３１が形成され、その上にトランジスタ４０、５０、および６０が形成される。トランジスタ４０はｎチャネル型、トランジスタ５０および６０はｐチャネル型である。トランジスタ４０，５０は走査線駆動回路１００Ａの一部であり、トランジスタ６０と発光素子７０は単位回路Ｐの一部である。
【００２５】
トランジスタ４０、５０、および６０は、基板１０の表面に形成された酸化珪素を主体とする下地保護層３１の上に設けられている。下地保護層３１の上層にはシリコン層４０１、５０１および６０１が形成される。シリコン層４０１、５０１および６０１を覆うように、ゲート絶縁層３２が下地保護層３１の上層に設けられる。ゲート絶縁層３２は、例えば酸化珪素から形成される。ゲート絶縁層３２の上面のうちシリコン層４０１、５０１および６０１に対向する部分にゲート電極４２、５２および６２が設けられる。トランジスタ４０においてゲート電極４２を介してシリコン層４０１にはＶ族元素がドーピングされ、ドレイン領域４０ｃおよびソース領域４０ａが形成される。ここで、Ｖ族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域４０ｂとなる。
【００２６】
トランジスタ５０および６０においてゲート電極５２および６２を介してシリコン層５０１および６０１にはゲート電極５２および６２を介してIII族元素がドーピングされ、ドレイン領域５０ａおよび６０ａ、ならびにソース領域５０ｃおよび６０ｃが形成される。ここで、III族元素がドーピングされていない領域がチャネル領域５０ｂおよび６０ｂとなる。なお、トランジスタ４０、５０、および６０のゲート電極４２、５２、および６２を形成するのと同時に走査線１１１が形成される。
【００２７】
第１層間絶縁層３３が、ゲート電極４２、５２および６２を覆うようにゲート絶縁層３２の上層に形成される。第１層間絶縁層３３の材料には酸化珪素等が用いられる。さらに、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ならびにドレイン電極６１が、ゲート絶縁層３２および第１層間絶縁層３３にわたって開孔するコンタクトホールを介してシリコン層４０１、５０１、および６０１と接続される。また、これらの電極と同一の工程で第２電極用電源線１４０、データ線１１２および電流供給線１１３が形成される。これらの電極および第２電極用電源線１４０などは導電性を有するアルミニウム等の材料で形成される。
【００２８】
回路保護膜３４が、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０を覆うように第１層間絶縁層３３の上層に設けられる。回路保護膜３４は、例えば、窒化珪素や酸窒化珪素などのガス透過率が低い材料から形成されている。また、これらの窒化珪素や酸窒化珪素は、非晶質材料であってもよいし、水素を含んでいても良い。回路保護膜３４により、トランジスタ４０、５０、および６０からの水素の離脱を防止できる。なお、回路保護膜３４をソース電極やドレイン電極の下に形成してもよい。
【００２９】
第２層間絶縁膜３５が回路保護膜３４の上層に設けられる。ここで、第２層間絶縁膜は、ソース電極４１、５１、および６３、ドレイン・ソース電極４３、ドレイン電極６１、ならびに第２電極用電源線１４０と、後述の画素電極７６、補助電極１５０、あるいは共通電極７２との間に設けられ、これらを絶縁する役目を果たす。この際に、走査線や信号線に供給される信号が遅延しないように、膜厚が設定される。なお、第２層間絶縁膜３５は、回路保護膜３４に対向する下面の凹凸よりも回路保護膜３４とは反対の上面の凹凸が小さくすることが好ましい。つまり、トランジスタ４０，５０，６０、走査線１１１、データ線１１２、電流供給線１１３などにより生ずる凹凸を平坦化するために、第２層間絶縁膜３５は用いられる。この第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ全体において上述の第１の領域（共通電極７２が形成される領域）と重なり、周辺領域Ｂにおいて第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられる。詳細には、本実施形態においては、基板１０の４辺のうち第２電極用電源線１４０が配設された左右両辺および上辺の少なくとも３辺側においては、第２の領域は第１の領域よりも基板１０の面内における外側方向に突出している。
【００３０】
第２層間絶縁膜３５の材料には、例えば、アクリル系、ポリイミド系の有機高分子材料が用いられる。この場合、有機樹脂にパターニングのための感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。あるいは、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料から化学気相成長法（chemical vapor deposition: CVD）により第２層間絶縁膜３５を形成し、エッチング等によりその上面を平坦化してもよい。無機材料は化学気相成長法によって膜を形成した場合、その膜厚は１μｍ以下であり、しかもほぼ一様であるから、上面が下層の凹凸の影響を受けやすいのに対し、有機樹脂はコーティングによって形成するのでその膜厚を２〜３μｍ程度に大きくでき、しかもその上面は下層の凹凸の影響を受け難いので第２層間絶縁膜３５の材料に適している。尤も、ある程度の凹凸を許容するのであれば、酸化珪素、酸窒化珪素等の無機材料を第２層間絶縁膜３５に用いることもできる。以上のように、第２層間絶縁膜はこのように所定の膜厚が必要であるため、周辺領域に段差を発生させることがある。
【００３１】
第２層間絶縁膜３５上には、有効領域Ａで画素電極７６（第１電極）および補助電極の第１部分１５０ａを形成すると同時に、周辺領域Ｂに補助電極の第２部分１５０ｂを形成する。即ち、画素電極７６と補助電極１５０とは同一の層において、同一の材料を用いて同時に形成される。この実施形態における画素電極７６は発光素子７０の陽極であり、発光素子７０ごとに相互に離間して形成されて、第２層間絶縁膜３５および回路保護膜３４を貫通するコンタクトホールを介してトランジスタ６０のドレイン電極６１と接続される。また、陽極である画素電極７６の材料としては、仕事関数が大きい材料が望ましく、例えば、ニッケル、金、白金等またはそれらの合金が好適である。これらの材料は反射性を持つので、発光機能層７４で発光した光を共通電極７２に向けて反射する。この場合には、補助電極１５０もこれらの材料から形成される。
【００３２】
また、画素電極７６としては、仕事関数が高いＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第１層と、反射性の金属、例えばアルミニウムからなる第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。この場合には、補助電極１５０は、第１層と第２層の両方を有してもよいし、これらのうちいずれかの層を有していてもよい。
【００３３】
補助電極１５０は、有効領域Ａにおいて複数の発光素子７０の間隙を通るように格子状に形成され（第１部分１５０ａ）、周辺領域においては第２層間絶縁膜３５が形成された第２の領域が、共通電極７２が形成された第１の領域よりもはみ出した側（本実施形態では基板１０の左右両辺および上辺側）において、第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至るように形成される（第２部分１５０ｂ）。補助電極１５０は、周辺領域Ｂにおいて、回路保護膜３４に形成されたコンタクトホールを介して第２電極用電源線１４０と接続される。図示のように、第２電極用電源線１４０上には、第２層間絶縁膜３５が形成されず、回路保護膜３４にコンタクトホールを形成するだけで、補助電極１５０の第２部分１５０ｂを第２電極用電源線１４０に直接接触させることができる。
【００３４】
次に、隔壁３７を形成する。隔壁３７は、各画素電極７６の外形縁を隔壁３７により覆うように形成されることにより、開口部３７ａを有する。よって、開口部３７ａの各々の全体は、画素電極７６に重なり、発光機能層７４が形成される前の段階では、開口部３７ａを通して画素電極７６が露出している。隔壁３７は、画素電極７６とその後に形成される共通電極７２（第２電極）との間、もしくは複数の画素電極７６同士の間を絶縁するものである。隔壁３７を設けることによりそれぞれの画素電極７６を独立して制御することができ、複数の発光素子をそれぞれ所定の輝度で発光させることができる。つまり隔壁３７は複数の発光素子を区分する。例えば、アクリルもしくはポリイミド等が隔壁３７の絶縁性材料である。この場合、パターニングのため感光性材料を混合して、フォトレジストと同様に露光でパターニングしても良い。隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが同時に形成される。有効領域Ａにおいて、このコンタクトホールＣＨを介して補助電極１５０の第１部分１５０ａと後述する共通電極７２が接続される。また、周辺領域Ｂにおける補助電極１５０の第２部分１５０ｂの上には、隔壁３７と同一の層が設けられていない。
【００３５】
次に、画素電極７６の上に、少なくとも発光層を含む発光機能層７４を形成する。発光層には有機ＥＬ物質が用いられる。有機ＥＬ物質は、低分子材料であっても良いし、高分子材料であっても良い。発光機能層７４を構成する他の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層、および電子ブロック層の一部又は全部を備えていてもよい。
【００３６】
次に、有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって補助電極１５０および発光機能層７４を覆うように、共通電極７２（第２電極）が形成される。共通電極７２は透光性であり、発光素子７０からの光は、共通電極７２を透過して図中上側の方向に射出される。この実施形態の共通電極７２をすべての発光素子７０の陰極として機能させるため、共通電極７２は電子を注入しやすいように、仕事関数が低い材料によって形成される。例えば、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、またはリチウム等やそれらの合金である。また、この合金は仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料を用いることが望ましい。例えば、マグネシウムと銀の合金が好適である。これらの金属または合金を共通電極７２に使用する場合には、透光性を得るために厚さを小さくすればよい。
【００３７】
また、共通電極７２（第２電極）は、上記の仕事関数が低い材料、もしくは、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、ＩＴＯ（indium tin oxide）、ＩＺＯ（indium zinc oxide）、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料からなる光透過性、導電性を備えた第２層とを含み、発光機能層側に第１層が設けられる構成であってもよい。ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＺｎＯ2のような酸化導電材料は緻密な素材であり、ガス透過率が低い。このような材料で共通電極７２を形成すれば、共通電極７２が有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成されているため、有効領域Ａの単位回路Ｐおよび周辺領域Ｂの周辺回路が外気から保護され、これらの劣化が抑制される。このように、共通電極７２（第２電極）が上記の第２層を含む構成であれば、第１層を構成する材料と比して光透過性、導電性が優れているため、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができるとともに、発光機能層からの光取り出し効率を向上させることができる。また、共通電極７２（第２電極）が、仕事関数が低い材料とその材料を安定化される材料からある第１層と、上記の酸化導電材料からなる第２層とを含んで構成することにより、第１層と第２層が反応し、電子注入効率が劣化するのを防止することができる。
【００３８】
また、共通電極７２を形成するに先立って、隔壁３７にはコンタクトホールＣＨが形成される。このコンタクトホールＣＨを介して有効領域Ａにおいて補助電極の第１部分１５０ａと共通電極７２が接続される。有効領域Ａにおいて格子状に形成される補助電極の第１部分１５０ａ（図１(Ｂ）参照）に共通電極７２が接続されることにより、共通電極７２の電源インピーダンスを大幅に低減することができる。これに加えて、補助電極の第２部分１５０ｂは、周辺領域Ｂにおいて隔壁３７により覆われていないため共通電極７２と広い面積で面接触するので、接続抵抗を下げることができる。したがって、電源インピーダンスを大幅に低減することが可能となる。
【００３９】
次に、共通電極７２および補助電極１５０を覆うように封止膜８０が形成される。封止膜８０には、例えば、透明度が高く防湿性が良好な酸窒化珪素、酸化珪素などのガス透過率が低い無機材料が用いられる。この封止膜８０は、周辺回路（トランジスタ４０，５０を有する走査線駆動回路１００Ａ、１００Ｂおよびプリチャージ回路１２０）の領域全体を覆っている。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０が形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板（対向基板）１１０が接合される。シール９０は、例えば、接着剤でもよいし、対向基板１１０を保持するためのスペーサを接着剤で接合してもよい。
【００４０】
図５は、図４における領域Ｃの簡略断面図である。すなわち、周辺領域Ｂのうち、走査線駆動回路１００の一部であるトランジスタ４０，５０より外側の端部の断面図である。説明の簡易のため、図４に示した下地保護層３１、ゲート絶縁層３２、第１層間絶縁層３３、回路保護膜３４およびこれらの各層に挟まれたトランジスタ４０、５０および６０の各電極を、図５においては素子層３０として纏めて示す。この素子層３０内の上層部には、第２電極用電源線１４０が形成されており、上述したように、第２電極用電源線１４０の上面は上層の電極とのコンタクト領域として機能する。図４には、素子層３０および第２電極用電源線１４０の他に、第２層間絶縁膜３５、補助電極１５０、共通電極７２、封止膜８０、シール９０および対向基板１１０が示されている。以下、この図を参照して、各層の相対的な位置関係について詳細に説明する。
なお、上述したように、第２層間絶縁膜３５は下層に配置されたトランジスタや配線などにより生ずる凹凸を平坦化するために用いられる。加えて、第２層間絶縁膜３５は、アクリル系、ポリイミド系の絶縁性の有機高分子材料などで形成され、素子層３０内に配置されたトランジスタ４０、５０、６０などの回路素子から陽極７６、共通電極７２、補助電極１５０等の電極を絶縁する機能も有する。すなわち、発光素子の発光を制御するための回路素子から各電極を絶縁する絶縁層として機能する。
【００４１】
図５に示されるように、第２電極用電源線１４０を含む素子層３０の上層には第２層間絶縁膜３５が形成され、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２は、第２電極用電源線１４０のコンタクト領域の内側の端Ｅ３よりもさらに内側である。第２層間絶縁膜３５の上面と、素子層３０の上面のうち第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２と端Ｅ３とに挟まれる領域およびコンタクト領域とには、補助電極１５０の第２部分１５０ｂ（以下、単に「補助電極１５０」という）が形成される。これより、補助電極１５０は、第２電極用電源線１４０と接して重なり、第２電極用電源線１４０と電気的に接続される。図示の例においては、補助電極１５０の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端と一致しているが、一致している必要はなく、補助電極１５０がコンタクト領域を覆うように形成されていればよい。すなわち補助電極の端Ｅ４はコンタクト領域の外側の端よりもさらに外側に位置する構成としてもよい。
なお、本明細書において、「内側」「外側」とは基板１０の端Ｅ５を基準とした場合の基板面内における相対位置を示す。よって、例えば、「端Ｅ１は、（略）端Ｅ２よりも内側である」とは、端Ｅ１と基板１０の端Ｅ５との距離は、端Ｅ２と端Ｅ５との距離よりも長いことを示す。
【００４２】
補助電極１５０の上には、共通電極７２が形成される。共通電極７２の端Ｅ１は第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に位置するよう形成される。また、補助電極１５０の端Ｅ４は、共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するよう形成される。なお、上述したように、補助電極１５０は画素電極７６と同時に形成され、次いで、隔壁３７、発光機能層７４を順に形成した後に、隔壁３７および発光機能層７４を覆うように、共通電極７２が形成される。
【００４３】
上述したように、補助電極１５０には導電性および遮光性を有する金属が用いられる。このため、有効領域Ａにおいて補助電極１５０と画素電極７６とが重ならないように、補助電極１５０の第１部分１５０ａは格子状に形成されている。つまり、有効領域Ａにおいては、発光素子７０からの出射光を遮断しないように、発光素子７０の間隙のみに補助電極１５０の第１部分１５０ａが配置される。発光素子７０は互いに微小な間隔で配置されているから、補助電極１５０は高精度なアライメント機構を用いて形成されることが望ましい。これに対し、共通電極７２は、透明材料から形成されるため、有効領域Ａにおいて発光素子７０を覆うように有効領域Ａ内において一様に形成されている。このため、共通電極７２は、補助電極１５０の形成に用いるアライメント機構よりも精度が低いものを用いても形成することが可能である。ところが、精度の低いアライメント機構を用いて共通電極７２が形成された場合、共通電極７２の端Ｅ１の位置が変動するおそれがある。
【００４４】
いまここで、共通電極７２の端Ｅ１の位置の誤差の範囲をｔ１とし、補助電極１５０の端Ｅ４の位置の誤差の範囲をｔ２とする。補助電極１５０に対して精度がより高いアライメント機構を用いた場合、ｔ１＞ｔ２となる。また、補助電極１５０の形成に必要とされる程度の精度を有する単一のアライメント機構を補助電極と共通電極７２の両方に対して用いた場合には、おおよそｔ１＝ｔ２となる。よって、補助電極１５０の誤差ｔ２が共通電極７２の誤差よりも大きくなる可能性は低く、仮に、後者の場合においてｔ１＜ｔ２となったとしても、高精度のアライメント機構を用いているので、ｔ１の誤差はさほど問題とならない。そこで、本実施形態においては、補助電極１５０の端Ｅ４が共通電極７２の端Ｅ１よりも外側に位置するように構成する。この構成によれば、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４max（端Ｅ４が基板１０の端Ｅ５側に最も近づいた場合の位置）から端Ｅ５までの距離を考慮して、周辺領域Ｂの幅（すなわち、「額縁領域」）を決定することができる。よって、より大きな誤差が許容される共通電極７２の端Ｅ１を補助電極１５０の端Ｅ４よりも外側に配置する場合と比較して、額縁領域を縮小することが可能となる。すなわち、共通電極７２の形成に用いられるアライメント機構の精度が額縁領域の幅に与える影響を低減することが可能となる。なお、共通電極７２の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ１maxが、補助電極１５０の誤差が基板１０の端Ｅ５側で最大となる位置Ｅ４maxよりも内側となるように、端Ｅ２および端Ｅ４の基準位置（誤差がない場合の位置）を定めることが望ましい。
【００４５】
図６に、比較例として、共通電極７２が第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２に重なって形成された場合を示す。図６に示されるように、この比較例においては、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも外側に配置されている。上述したように、第２層間絶縁膜３５は、下層の凸凹を平坦化するために厚く形成されることが多い。よって、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２は大きな段差となる。これに対し、共通電極７２は、例えば、ＩＴＯなどの薄膜材料で形成される。このため、比較例に示す構成においては、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２の段差の影響で共通電極７２に図６に示すような亀裂Ｉが生じることがある。亀裂Ｉが生じると、亀裂部分で抵抗値が増加するため、亀裂Ｉが生じた部分と亀裂Ｉが生じていない部分で流れる電流値が異なり電圧降下量が異なってしまう。しかしながら、本実施形態においては、共通電極７２の端Ｅ１は第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に配置されるから、共通電極７２における断線や亀裂が防止される。よって、断線や亀裂による抵抗値の増加を未然に防ぐことができる。したがって、発光素子７０の輝度ムラを抑制することが可能である。
【００４６】
＜Ａ−２：第１実施形態の変形例＞
上述した実施形態では、補助電極１５０と画素電極７６とが同時に形成された場合の構成について説明したが、画素電極７６と同時ではなく隔壁３７が形成された後の工程で補助電極１５０を形成するようにしてもよい。
【００４７】
図７は、本変形例に係る発光装置１Ａの部分断面図である。図７に示されるように、発光装置１Ａにおいては、第２層間絶縁膜３５および隔壁３７を覆うように補助電極１５０（１５０ａ，１５０ｂ）が形成されている。上述した実施形態では、図４に示されるように、補助電極１５０は第２層間絶縁層３５と隔壁３７との上に形成された部分を有していた。これに対して、この変形例では、隔壁３７がある部分では、隔壁３７の上に補助電極１５０が形成される。ここで、隔壁３７は、第２層間絶縁層３５と同様に、共通電極７２や補助電極１５０をトランジスタ４０，５０，６０から分離する絶縁層として機能する。また、上述した第１実施形態と同様に、補助電極１５０の端Ｅ４は第２電極用電源線１４０と重なり、共通電極７２の端Ｅ１は補助電極１５０の端Ｅ４よりも内側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に形成される。
【００４８】
発光装置１Ａの製造工程の概略は、以下の通りである。第２層間絶縁膜３５を形成した後、第２層間絶縁膜３５の上層に画素電極７６を形成する。この後、画素電極７６の上層に隔壁３７を形成し、第２層間絶縁膜３５および隔壁３７の上の開口部３７ａを除く表面に補助電極１５０を形成する。次に、隔壁３７で画定された画素電極７６上の空間（すなわち、開口部３７ａ）に発光機能層７４を形成する。なお、逆に、発光機能層７４を形成した後に補助電極１５０を形成してもよい。さらに、透光性を有する共通電極７２を有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成する。この後、共通電極７２の上に封止膜８０が形成される。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０は形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板１１０が接合される。
【００４９】
補助電極１５０を形成した後に発光機能層７４を形成するのであれば、補助電極１５０を形成する時点で発光機能層７４が未だ形成されていないため、補助電極１５０の形成にフォトリソグラフィを用いても発光機能層７４を劣化させる虞がない。よって、フォトリソグラフィにより補助電極１５０のパターンを形成することができ、トランジスタ４０、５０、６０や走査線１１１などの配線と同様の精度で補助電極１５０を形成することができる。一方、発光機能層７４を形成した後に補助電極１５０を形成するのであれば、補助電極１５０が発光材料で汚染されることなく、補助電極１５０と共通電極７２とを接続できるという利点がある。
【００５０】
さらに、本変形例では、補助電極１５０の上層に共通電極７２が形成されるので、共通電極７２よりも厚い補助電極１５０を形成しても共通電極７２に応力がかからない。よって、上層からの応力による共通電極７２の変形が抑制される。
【００５１】
＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る発光装置について説明する。図８は、本実施形態に係る発光装置２Ａの部分断面図である。図９８に示すように、補助電極１５０は共通電極７２の上に面接触するように形成され、補助電極１５０および共通電極７２を覆うように封止膜８０が形成される。発光装置２Ａは、共通電極７２が補助電極１５０の下層に形成される点を除いて第１実施形態の発光装置１Ａ（図７）と同様である。よって、その説明を適宜省略する。
【００５２】
上記発光装置１Ａと同様に、本実施形態では、隔壁３７がある部分では、隔壁３７より上層に補助電極１５０が形成される。よって、隔壁３７は、第２層間絶縁層３５と同様に、共通電極７２や補助電極１５０をトランジスタ４０，５０，６０から分離する絶縁層として機能する。
【００５３】
発光装置２Ａの製造工程の概略は、以下の通りである。第２層間絶縁膜３５を形成した後、第２層間絶縁膜３５の上層に画素電極７６を形成する。この後、画素電極７６の上層に隔壁３７を形成し、隔壁３７で画定された画素電極７６上の空間（すなわち、開口部３７ａ）に発光機能層７４を形成する。さらに、透明な共通電極７２を有効領域Ａおよび周辺領域Ｂにわたって形成する。この後、共通電極７２の上の開口部３７ａの上層を除く領域に補助電極１５０を形成し、封止膜８０が形成される。但し、基板１０の外端縁には封止膜８０は形成されず、この外端縁においては、回路保護膜３４の上にシール９０が接合され、その上部に透明封止基板１１０が接合される。
【００５４】
図９に、図８における領域Ｆの部分簡略断面図を示す。図８および図９に示されるように、発光装置２Ａにおいては、走査線駆動回路１００の一部であるトランジスタ４０，５０より基板１０の面内の外側において、共通電極７２の端Ｅ１は、第２層間絶縁膜３５の端Ｅ２よりも内側に形成され、補助電極１５０の端Ｅ４よりも内側に形成される。よって、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５５】
＜Ｃ：変形例＞
（１）上記第１および第２実施形態においては、共通電極７２または補助電極１５０の上層を封止膜８０で覆うことにより、素子層３０、第２電極用電源線、第２層間絶縁膜３５、共通電極７２、補助電極１５０を含む層構造を外気から保護する構成としていたが、封止膜８０を省く構成としてもよい。
図１０に本変形例に係る発光装置１Ｃの簡略断面図を示す。図１０に示されるように、発光装置１Ｃにおいては、封止膜８０が設けられておらず、シール９０と対向基板１１０により、基板１０上に形成された層構造を保護している。なお、対向基板１１０の内側に、水分を吸着するための乾燥剤（図示略）を配置したり、あるいは、対向基板１１０自体に乾燥剤を埋め込んだものを用いる構成としてもよい。また、対向基板１１０とシール９０の替わりに封止缶を用いてもよい。
図１１に本変形例に係る別の発光装置１Ｄの簡略断面図を示す。図１１に示されるように、発光装置１Ｄにおいては、対向基板１１０と基板１０の上に形成された層構造との間に防湿性充填材６５を充填することにより、層構造を外気から保護している。防湿性充填材６５としては光透過性で低吸湿のものが望ましく、エポキシ系、またはウレタン系接着剤等を用いることができる。
【００５６】
（２）上記第１〜第４実施形態においては、第２電極用電源線１４０が周辺領域Ｂにコの字状に形成された態様について説明したが、これに限られず適宜変形が可能である。
各図１２および図１３は、本変形例に係る各発光装置のレイアウトの概略を説明するための図である。これらの図において、上述した実施形態と共通する部分については同一の符号を付し、その説明は適宜省略する。
【００５７】
図１２の（Ａ）に示すように、発光装置３Ａにおいては、基板１０の対向する２辺の各辺縁部に沿って第２電極用電源線１４０が配設される。さらに、残る２辺の一方の辺に沿う領域に信号入力端子Ｇが配設され、当該信号入力端子Ｇの基板１０の面内における内側には第１電極用電源線１３０が配設される。第２電極用電源線１４０の内側には有効領域Ａに沿って走査線駆動回路１００Ａおよび１００Ｂが各々有効領域Ａに沿って配置され、電源線１４０によって給電されるとともに、信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号が与えられる。また、第１電極用電源線１３０の内側にはデータ線駆動回路２００が有効領域Ａに沿って配置される。データ線駆動回路２００は、第１電極用電源線１３０から給電されつつ信号入力端子Ｇを介して外部からの制御信号を受け取り、各データ線に与える。
【００５８】
この例において、第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ、およびデータ線駆動回路２００の全部、ならびに第１電極用電源線１３０の一部（図示の例では、信号入力端子Ｇが配設された辺を長手方向としたとき、長手方向に延在する部分全部と長手方向と直交する方向に基板１０の下辺に向かって延びる部分の一部）を覆うように形成される。また、共通電極７２は、有効領域Ａおよび走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂの全部を覆い、第２電極用電源線１４０が配設される側のその左右の端は、第２層間絶縁膜３５の端よりも内側となるように形成される。また、共通電極７２の端のうち、下辺側（信号入力端子Ｇ側）の端は、有効領域Ａの外側且つデータ線駆動回路２００の内側に位置し、上辺側の端は第２層間絶縁膜３５の端よりも内側に位置する。すなわち、共通電極７２の四辺の各端は、第２層間絶縁膜３５の対応する各辺の端よりも内側に位置する。換言すれば、第２層間絶縁膜３５の端はすべての辺において共通電極７２の端よりも外側に突出している。すなわち、第２の領域は第１の領域全体を覆い、且つ、すべての辺側において第１の領域よりも外側にはみ出している。
【００５９】
補助電極は、信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向を長手とするストライプ状の個別電極１５０ｃとして形成される。詳細には、個別電極１５０ｃは有効領域Ａにおいては発光素子Ｐの間隙を通り、周辺領域Ｂにおいては第１の領域の内側と第１の領域の外側であって且つ第２の領域の内側である領域とを通り、第２の領域の外側に至り、第２電極用電源線１４０と重なる領域まで延びて第２電極用電源線１４０と電気的に接続する。すなわち、その端は、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側であり、且つ、共通電極７２の端よりも外側に位置する。本変形例によっても、上述した各実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
次に、図１２の（Ｂ）に示されるように、発光装置３Ｂは、走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて、発光装置３Ａと同様の構成をしている。すなわち、発光装置３Ｂにおいては、走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は、各データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂの外側に、基板１０の対向する２辺（左右両辺）に沿って配置され、補助電極１５０は、第２電極用電源線１４０と直交する方向（すなわち、信号入力端子Ｇが配設される辺と同じ方向）を長手としたストライプ状に形成される。発光装置３Ａと同様に、補助電極１５０の左右の各端は、共通電極７２の端よりも外側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置し、第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって、発光装置３Ｂによっても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
なお、発光装置３Ａおよび３Ｂのいずれにおいても、図１２の（Ａ）の右側に示されるように、補助電極１５０がストライプ状の複数の個別電極１５０ｃと周辺領域Ｂに形成されて複数の個別電極１５０ｃを接続する接続電極１５０ｄとを有するようにしてもよい。この場合、接続電極１５０ｄは、第１の領域の内側に重なる部分と、第１の領域の外側であり且つ第２の領域の内側である領域とを通り第２の領域の外側に至る部分とを有し、さらに第２電極用電源線１４０と重なるように形成される。すなわち、接続電極１５０ｄは、第２電極用電源線１４０と重なるだけでなく、第２層間絶縁膜３５の端および共通電極７２の端が接続電極１５０ｄと重なるように配置されている。
【００６２】
図１３の（Ａ）および（Ｂ）に、発光装置の他のレイアウト例を示す。図１３の（Ａ）に示されるように、発光装置４Ａにおいては、基板１０の下辺縁に沿って信号入力端子Ｇが配設され、その内側に第２電極用電源線１４０がコの字状に配設される。さらに、第２電極用電源線１４０の内側には第１電極用電源線１３０がコの字状に配設され、この電源線１３０と有効領域Ａとの間にデータ線駆動回路２００が配設される。走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂは有効領域Ａの左右各辺に沿う領域に各々配設される。
【００６３】
図示のように、第２層間絶縁膜３５は、有効領域Ａ全体と、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂ、およびデータ線駆動回路２００の全部と、第１電極用電源線１３０の一部（図示の例では、信号入力端子Ｇが配設された辺を長手方向としたとき、長手方向に延在する部分）を覆うように形成される。共通電極７２は、第２層間絶縁膜３５とほぼ同じ部分を覆い、且つ、共通電極７２の四辺の各端において第２層間絶縁膜３５の対応する端よりも内側となるように形成される。よって、本変形例においては、基板１０のすべての辺側において、第２層間絶縁膜３５が形成される第２の領域は、基板１０の面内における外側方向に共通電極７２が形成される第１の領域よりもはみ出している。
【００６４】
図示のように、補助電極は、走査線駆動回路１００Ａ，１００Ｂと平行な方向を長手として延在するストライプ状の個別電極１５０ｅとして形成される。基板１０の下端側における個別電極１５０ｅの端は、第２電極用電源線１４０と重なって接するように形成される。なお、この例において、個別電極１５０ｅは第１電極用電源線１３０と交差しているが、第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することにより、個別電極１５０ｅが第１電極用電源線１３０と接することなく第２電極用電源線１４０とのみ接するように形成する。同様に、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とは重なるが、第１電極用電源線１３０と第２電極用電源線１４０とを別々の層で形成することで、共通電極７２と第１電極用電源線１３０とが電気的に接触しない構成とすることができる。一方、基板１０の上端側における個別電極１５０ｅの端は、共通電極７２の端個別電極１５０ｅよりも外側であり、さらに、第２層間絶縁膜３５の端（第２の領域）よりも外側に位置するように形成される。よって、発光装置４Ａによっても、上述した各実施形態と同様の効果が得られる。
【００６５】
次に、図１３の（Ｂ）に示されるように、発光装置４Ｂは、走査線駆動回路とデータ線駆動回路の位置が逆転している点を除いて、発光装置４Ａと同様の構成をしている。すなわち、発光装置４Ｂにおいては、走査線駆動回路１００が基板１０の下辺側の周辺領域Ｂにおいて有効領域Ａに沿って配置され、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂが基板１０の各左辺および右辺側の周辺領域Ｂに配置される。第２電極用電源線１４０は、基板１０下端側において信号入力端子Ｇよりも内側にコの字状に配置され、補助電極１５０は、データ線駆動回路２００Ａ，２００Ｂと平行な方向を長手としたストライプ状に形成される。発光装置４Ａと同様に、補助電極１５０の上下の各端は、共通電極７２の端よりも外側にであり、且つ、第２層間絶縁膜３５の端よりも外側に位置するとともに、下端は、第２電極用電源線１４０と重なり接するように形成される。よって、発光装置４Ｂによっても、上述した実施形態と同様の効果が得られる。
【００６６】
図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示すように、周辺領域Ｂにおいて、補助配線１５０は、第２電極用電源線１４０の延在方向に対し交差する方向に、ストライプ状に延在している。即ち、図１乃至図３では、補助配線１５０ｂは第２電極用電源線１４０の延在方向にも延在しているが、第２電極用電源線１４０の延在方向に対して交差する方向にのみ延在させてもよい。換言すれば、補助配線１５０は、第２電極用電源線１４０の延在方向と平行に形成される必要は必ずしもなく、第２電極用電源１４０と交差するように形成されていればよい。
【００６７】
＜Ｄ：電子機器＞
次に、本発明に係る発光装置を利用した電子機器について説明する。図１４ないし図１６には、以上の何れかの形態に係る発光装置を表示装置として採用した電子機器の形態が図示されている。
【００６８】
図１４は、発光装置を採用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂと、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを具備する。発光装置１、１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂは有機発光ダイオード素子を発光素子７０として使用しているので、視野角が広く見易い画面を表示できる。
【００６９】
図１５は、発光装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２と、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂとを備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂに表示される画面がスクロールされる。
【００７０】
図１６は、発光装置を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２と、各種の画像を表示する発光装置１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂとを備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった様々な情報が発光装置１、１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂに表示される。
【００７１】
なお、本発明に係る発光装置が適用される電子機器としては、図１４から図１６に示した機器のほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンタ、スキャナ、複写機、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。また、本発明に係る発光装置の用途は画像の表示に限定されない。例えば、光書込型のプリンタや電子複写機といった画像形成装置においては、用紙に形成されるべき画像に応じて感光体を露光する光ヘッド（書込ヘッド）が使用されるが、この種の光ヘッドとしても本発明の発光装置は利用される。
【符号の説明】
【００７２】
１，１Ａ，１Ｃ，１Ｄ，２Ａ，３Ａ，３Ｂ，４Ａ，４Ｂ…発光装置、１０…基板、７０…発光素子、３４…回路保護膜、３５…第２層間絶縁膜（絶縁層）、３７…隔壁、３７ａ…開口部、６５…防湿性充填材、７２…共通電極（第２電極）、７４…発光機能層、７６…画素電極（第１電極）、８０…封止膜、９０…シール、１００Ａ，１００Ｂ…走査線駆動回路、１１０…対向基板、１１１…走査線、１１２…データ線、１１３…電源供給線、１２０…プリチャージ回路、１４０…第２電極用電源線、１５０…補助電極、１５０ｃ，１５０ｅ…個別電極、１５０ｄ…接続電極、２００，２００Ａ，２００Ｂ…データ線駆動回路、Ａ…有効領域、Ｂ…周辺領域、Ｃ，Ｆ…領域、Ｅ１〜Ｅ５…端、Ｇ…信号入力端子、Ｐ…単位回路。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第２電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、
前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、
前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第２電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層と、
を有し、
前記第２電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、
前記周辺領域において、前記第２電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する、
発光装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置される、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、
前記複数の発光素子に共通に設けられた第２電極と、
前記複数の第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、
前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、
前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層と、
前記第２電極または前記補助配線と前記素子層との間を絶縁する絶縁層と、を備え、
前記第２電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第１の領域に設けられており、
前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第１の領域と重なり、前記周辺領域において前記第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられており、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通るように設けられており、且つ、前記周辺領域において、前記第１の領域の内側と前記第１の領域の外側であって且つ前記第２の領域の内側である領域とを通り前記第２の領域の外側に至るように設けられている、
発光装置。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から外側に至るように、第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記絶縁層の前記第１の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置したことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から前記第２の領域の外側に至るように前記第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極である、
請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記第１の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、
前記第２電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第２電極用電源線は、前記第１の領域の外側に設けられたことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置を有する電子機器。
【請求項１】
基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有し、前記各発光素子は第１電極と第２電極と両者の間にある発光層とを有し、前記第２電極は前記複数の発光素子に共通に設けられ、前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層を有する発光装置であって、
前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、
前記素子層の上層に配置されるとともに、前記第２電極および前記補助電極よりも下層に配置される部分を有し、前記第２電極および前記補助電極を前記回路素子から絶縁するための絶縁層と、
を有し、
前記第２電極は、前記有効領域を覆い、前記周辺領域にはみだして一様に形成され、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通り、前記周辺領域の一部に形成され、
前記周辺領域において、前記第２電極の端は、前記基板の面内において前記補助電極の端および前記絶縁層の端の各々よりも内側に位置する、
発光装置。
【請求項２】
前記第２電極は、前記補助電極の下層に配置される、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
基板上に複数の発光素子が配列された有効領域と当該有効領域を囲む周辺領域とを有する発光装置であって、
前記複数の発光素子の各々に対応して設けられた複数の第１電極と、
前記複数の発光素子に共通に設けられた第２電極と、
前記複数の第１電極と前記第２電極との間に介在する発光層と、
前記第２電極と電気的に接続した補助電極と、
前記発光素子の発光を制御するための回路素子が配置された素子層と、
前記第２電極または前記補助配線と前記素子層との間を絶縁する絶縁層と、を備え、
前記第２電極は、前記有効領域全体と前記周辺領域の少なくとも一部とを含む第１の領域に設けられており、
前記絶縁層は、前記有効領域全体において前記第１の領域と重なり、前記周辺領域において前記第１の領域よりも第１の方向にはり出した第２の領域に設けられており、
前記補助電極は、前記有効領域において前記複数の発光素子の間隙を通るように設けられており、且つ、前記周辺領域において、前記第１の領域の内側と前記第１の領域の外側であって且つ前記第２の領域の内側である領域とを通り前記第２の領域の外側に至るように設けられている、
発光装置。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から外側に至るように、第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極を有することを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記補助電極は、前記周辺領域において前記複数の個別電極を互いに接続する接続電極をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記絶縁層の前記第１の方向における端が、前記接続電極と重なるように前記接続電極を配置したことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子は、マトリクス状に配列しており、
前記補助電極は、前記複数の発光素子の間隙を通り、且つ、前記有効領域の内側から前記第２の領域の外側に至るように前記第１の方向に沿ってストライプ状に設けられた複数の個別電極である、
請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２電極に電位を供給するための第２電極用電源線が、前記第１の方向と交差するように前記周辺領域に設けられており、
前記第２電極用電源線は、前記補助電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記第２電極用電源線は、前記第１の領域の外側に設けられたことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置を有する電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１２−１４２３１５（Ｐ２０１２−１４２３１５Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１０２２９４（Ｐ２０１２−１０２２９４）
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【分割の表示】特願２００７−３１９２７０（Ｐ２００７−３１９２７０）の分割
【原出願日】平成１９年１２月１１日（２００７．１２．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年４月２７日（２０１２．４．２７）
【分割の表示】特願２００７−３１９２７０（Ｐ２００７−３１９２７０）の分割
【原出願日】平成１９年１２月１１日（２００７．１２．１１）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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