磁気ディスク装置の製造方法
【課題】磁気ヘッドのライト素子のライト電流を調整し、テーブルを作成する製造方法に関し、ライト素子の熱膨張の影響を受けず、ライト電流を調整する。
【解決手段】磁気ディスクのエラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑えて、信号をライトし、エラーレート測定範囲のセクタをリードし、エラーレートを測定して、最適ライト電流に調整する。ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【解決手段】磁気ディスクのエラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑えて、信号をライトし、エラーレート測定範囲のセクタをリードし、エラーレートを測定して、最適ライト電流に調整する。ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上量制御機構を設けた磁気ヘッドのライト素子のライト電流を調整し、ライト電流調整テーブルを作成するための磁気ディスク装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのライト素子に与えるライト電流を変えることで、ライト特性(エラーレート)が変化することが知られている。ライト電流で、ライト特性が変化する要因は、（１）電流そのもので発生する磁界の変化による効果と、（２）電流が変わることにより、素子の発熱量が変化し、素子と媒体間の距離(磁気スペーシング)が変化する事の効果とがある。
【０００３】
磁気ヘッドには、浮上量制御機構を設けた磁気ヘッドと、浮上量制御機構を設けていない磁気ヘッドとが知られている。浮上量制御機構を設けていない磁気ヘッドでは、ライト電流を通電して、素子の発熱量で、素子とディスク媒体間の距離が変化した後の測定データを使用するため、電流そのもので発生する磁界の変化のみでライト電流の調整を行うことが出来なかった。
【０００４】
図１４は、浮上量制御機構として発熱素子を有する磁気ヘッドのライト開始からのオーバーライト特性を測定した説明図である。オーバーライト特性は、セクタに、低周波数の記録データをライトした後、高周波数の記録データをライトし、その後、そのセクタをリードし、リード信号の低周波数成分の比率を測定したものである。
【０００５】
図１４では、横軸が、セクタ番号(Ｓｃｔ Ｎｏ．)、縦軸が、測定したオーバーライト特性（ｄＢ）であり、ひし形のプロットが、発熱素子をオフし、浮上量制御を行わない場合のライト開始セクタ０からのオーバーライト特性を、正方形のプロットが、発熱素子をオンし、浮上量制御を行った場合のライト開始セクタ０からのオーバーライト特性を、示す。
【０００６】
図１４から明らかな如く、浮上制御を行わない場合では、ライト開始直後の磁気スペーシングと、時間が経過し、磁気ヘッド素子が充分に膨張した時の磁気スペーシングが異なる、即ち、ライト開始直後の磁気スペーシングが、定常時よりも高くなる為に、ライト開始直後のライト特性が悪くなる。
【０００７】
一方、発熱素子（ヒータ素子など）を磁気ヘッドに搭載し、この素子の発熱量を制御することで磁気スペーシングを制御する場合には、ライト開始の直前に、ヒータ素子を発熱させ、磁気スペーシングをライト開始時と定常時で一定に保つことができる。これを、プリヒートという。
【０００８】
このため、図１４のヒータオンに示すように、ライト開始直後のライト特性の悪化を緩和できる。図１５は、従来のスペーシング調整とライト電流調整の処理の説明図、図１６は、そのライト電流調整の説明図である。
【０００９】
図１５に示すように、リード時のスペーシングを調整し、ライト時のスペーシングを大まかに調整する（Ｓ１００）。例えば、磁気ヘッドの発熱素子の発熱量を調整する。この状態で、ライト電流の調整を行う(Ｓ１０２)。図１６に示すように、エラーレート測定範囲を、１回のライトコマンドでライトする。例えば、磁気ディスクの１回転の各セクタ０〜ｎ−１を、ライト素子に設定したライト電流を流し、データライトする。次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。例えば、磁気ディスクの１回転の各セクタ０〜ｎ−１を、リード素子で、リードする。
【００１０】
次に、各セクタのリードデータのエラーの有無を判定し、エラーレートを測定する。このエラーレートの測定を、ライト電流の最大値から最小値まで、変更して行い、エラーレートが最小となるライト電流を求め、それをライト電流に確定する。このライト電流の最適値は、電流によるヘッド素子の突き出し効果も含め調整される。
【００１１】
そして、ライトアシスト・プリヒート調整を行う（Ｓ１０４）。ライト時の素子スペーシングが、リード時の素子スペーシングと同じになるように、エラーレートを元に、ライト時のヒータ発熱量を調整する。
【００１２】
このようなライト電流の調整方法は、下記特許文献１〜３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−１５９２０６号公報
【特許文献２】特開２００７−３１７２７８号公報
【特許文献３】特開２００８−１１２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従来の方法では、ライト電流の最適化を実施すると、ライト時の素子スペーシングはライト電流の設定値により変化するため、ライト電流調整前後でスペーシングが変わってしまい、素子スペーシングに余裕がない設計の場合は、ヘッドとディスク媒体の衝突の危険性が生じる。
【００１５】
また、従来の方法では、磁気スペーシングが電流により変化することも含んだ形で、ライト電流の最適値を決めているため、ライト電流の調整を行った後、決定したライト電流条件で、ライト時のスペーシングを再度調整すると、ライト電流調整時とスペーシングが変わってしまうため、今度は、電流調整値が最適点から外れてしまう問題がある。
【００１６】
また、ライトを行っているときのライト素子部のスペーシングを測定することは、難しいため、スペーシングを一定値に制御しながら、ライト電流を変化させて、電流の調整を行うことも難しい。
【００１７】
従って、本発明の目的は、ライト電流のヘッド素子の突き出しの影響を除外し、ライト電流の変更による特性変化のみで、ライト電流を調整するための磁気ディスク装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この目的の達成のため、磁気ディスク装置の製造方法は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する。
【発明の効果】
【００１９】
エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の磁気ディスク装置の一実施の形態の外観図である。
【図２】図１の磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１の磁気ディスク装置の回路ブロック図である。
【図４】図３の磁気ディスク装置のライト波形図である。
【図５】図３のライトドライバの設定値と、生成されるライト波形との関係図である。
【図６】本発明のライト電流調整の第１の実施の形態の説明図である。
【図７】図６のライト電流による熱突き出しの説明図である。
【図８】図７のライト開始時の拡大図である。
【図９】本発明のライト電流調整処理の第１の実施の形態のフロー図である。
【図１０】エラーレートのライト電流パラメータの依存特性の説明図である。
【図１１】図９により、作成されるライト電流テーブル３８の説明図である。
【図１２】本発明のライト電流調整の第２の実施の形態の説明図である。
【図１３】本発明のライト電流調整の第３の実施の形態の説明図である。
【図１４】従来の浮上量制御によるオーバーライト特性の説明図である。
【図１５】従来のスペーシング調整とライト電流調整の処理の説明図である。
【図１６】図１５のライト電流調整の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、磁気ディスク装置、ライト電流調整の第１の実施の形態、ライト電流調整処理、ライト電流調整の第２の実施の形態、ライト電流調整の第３の実施の形態、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。
【００２２】
（磁気ディスク装置）
図１は、本発明の磁気ディスク装置の一実施の形態の外観図である。図２は、図１の磁気ヘッドの断面図である。図１に示すように、磁気ディスク装置１９は、ディスクエンクロージャ１内に、磁気ディスク１２と、ヘッドスライダを含む磁気ヘッド１４と、磁気ヘッド１４を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ１５と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８と、回路基板とを備える。
【００２３】
回路基板には、ヘッドＩＣの他、温湿度センサ１６が設置されている。温度センサは、熱電対やサーミスタ、ＩＣ化温度センサ、バンドギャップベース温度センサなどを使用できる。又、湿度センサは、抵抗式や静電容量式のポリマー湿度センサなどが用いられる。
【００２４】
磁気ディスク１２は、スピンドルモータ１１に取り付けられ、回転する。ヘッドサスペンションアッセンブリ１５は、ピボット１７に取り付けられ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８によって、磁気ヘッド１４を、磁気ディスク１２の任意の半径位置に位置決めする。
【００２５】
ランプロード機構１３は、磁気ディスク１２から退避した磁気ヘッド１４をパーキングするための機構である。この実施の形態の磁気ディスク装置では、ランプロード機構１３を備えているが、装置停止中、磁気ヘッド１４が、磁気ディスク１２のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも、同様に適用できる。
【００２６】
図２は、図１の磁気ヘッド１４を、磁気ディスク１２の周方向からみた断面図である。磁気ヘッド１４内には、記録コイル２３と記録コア２８からなるライト素子と、再生(リード)素子２１と、ヒータ（発熱素子）２２とが設けられている。再生素子２１は、ＧＭＲ素子（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）やＴＭＲ素子（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）が用いられる。
【００２７】
磁気ヘッド１４表面には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２７が形成されている。このダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２７の表面エネルギーは高いため、潤滑膜や水蒸気、その他コンタミネーションが付着しやすい。ここで、本実施の形態では、磁気ヘッド１４の表面に、低表面エネルギー処理が施されている。低表面エネルギー化は、フッ素イオン注入やフッ素系樹脂の塗布により可能である。
【００２８】
一方、磁気ディスク１２には、基板２９上に、磁性膜２６（垂直記録ディスクの場合、ＳＵＬ層等も含む。）、その上にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２５、その上の最表面には潤滑膜２４が形成されている。
【００２９】
この潤滑膜２４は、塗布条件や処理条件により、下地膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２５に吸着している成分の量が変化する。例えば、加熱処理やＵＶ照射処理を施すことにより、吸着成分は増加する。
【００３０】
図３は、本発明の磁気ディスク装置の一実施例の回路ブロック図、図４は、そのライト電流の波形図、図５は、ライト電流波形の調整パラメータの説明図である。図３において、図１、図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。
【００３１】
図３に示すように、図１で説明したディスクエンクロージャ（ＤＥ）１のＶＣＭ１８の近傍には、プリアンプ（ヘッドＩＣ）６０が設けられている。更に、ＤＥ１には、ＤＥ１内の温度、湿度を検出する温度／湿度センサ１６が設けられている。
【００３２】
一方、プリント回路アッセンブリ（制御回路部）３０には、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）３４、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）３３、リード／ライトチャネル回路（ＲＤＣ）３２、サーボコントロール回路３７、データバッファ（ＲＡＭ）３５、ＲＯＭ（リードオンリーメモリ）３６が設けられている。この実施の形態では、ＨＤＣ３４，ＭＣＵ３３，ＲＤＣ３２は、１つのＬＳＩ３１内に設けられている。
【００３３】
リード／ライトチャネル回路（ＲＤＣ）３２は、プリアンプ６０に接続され、磁気ヘッド１４のデータ読み取り及び書込みを制御する。即ち、信号整形、データ変調及びデータ復調を行う。サーボコントロール回路（ＳＶＣ）３７は、スピンドルモータ１１を駆動制御し、且つＶＣＭ１８を駆動制御する。
【００３４】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）３４は、主に、インターフェイス・プロトコル制御、データバッファ制御、ディスク・フォーマット制御を行う。データバッファ（ＲＡＭ）３５は、リードデータやライトデータを一時格納する。
【００３５】
又、データバッファ３５は、後述するライト電流テーブル３８を記憶する。このライト電流テーブル３８は、磁気ディスク１２のシステム領域に格納されており、装置の起動時に、磁気ディスク１２のシステム領域から読み出され、データバッファ（ＲＡＭ）３５に格納される。
【００３６】
マイクロコントローラ（ＭＣＵ）３３は、ＨＤＣ３４、ＲＤＣ３２、ＳＶＣ３７の制御と、ＲＡＭ３５、ＲＯＭ３６の管理を行う。ＲＯＭ３６は、各種のプログラムやパラメータを格納する。
【００３７】
又、図３のプリアンプ６０は、リード素子２１(図２参照)からのリード信号を増幅して、リードチャネル回路３２に出力するリードドライバ（アンプ）６４と、リードチャネル回路３２からの設定電力量を受け、磁気ヘッド１４の発熱体２２を駆動するヒータ駆動回路６１と、ヒータ駆動回路６１を制御するヒータ制御回路（図示せず）とを有する。
【００３８】
更に、図３のプリアンプ６０は、ＭＣＵ３３から、ライト電流パラメータが設定され、リードチャネル回路３２のライト信号(２値)により、ライト電流波形(図４で後述する)を生成し、ライト電流をライトコイル２３に供給するライトドライバ６３を有する。
【００３９】
図４及び図５により、図３のライトドライバ６３のライト電流波形の生成動作を説明する。図４は、縦軸が、電流の大きさ、横軸が時間を示す。ライトドライバ６３は、ライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとを変更できる。
【００４０】
図５に示すように、ライトドライバ６３の回路特性から、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとの値が、設計上決定されている。
【００４１】
例えば、ライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋに対し、設定値を「１」と指定すると、ライトピーク電流値は、「１６．１９ｍＡ」のライト波形が、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓに対し、設定値「２」を指定すると、ライト駆動電流値が、「５４ｍＡ」のライト波形が生成される。
【００４２】
以下、このライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗの設定値を、Ｉｗパラメータと称す。
【００４３】
（ライト電流調整の第１の実施の形態）
図６は、本発明のライト電流調整の第１の実施の形態の説明図、図７は、図６のライト電流による熱突き出しの説明図、図８は、図７のライト開始時の拡大図である。
【００４４】
図６に示すように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００４５】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００４６】
図６のように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とする。通常、エラーレート測定範囲は、磁気ディスク１２のトラック１周であり、例えば、測定範囲は、１０００セクタである。
【００４７】
磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０をライトし、セクタ１〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。第２周目には、セクタ１をライトし、セクタ０，２〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。磁気ディスク１２の第３周目には、セクタ２をライトし、セクタ０、１、３〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｎ周目には、セクタ(ｎ−１)をライトし、セクタ０〜ｎ−２は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００４８】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００４９】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００５０】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【００５１】
このライトとリードを、Ｉｗパラメータを変更して、Ｉｗパラメータ毎にエラーレートを測定し、後述するように、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【００５２】
図７及び図８は、ライト電流による熱突き出しのシミュレーションによる特性図である。図中、ｄ，ｅ，ｆは、従来の連続セクタを連続してライトした場合のスペーシング特性であり、ｄは、ライト電流の設定最小値の場合、ｅは、ライト電流の設計値の場合、ｆは、ライト電流の設定最大値の場合を示す。
【００５３】
又、図中、ａ，ｂ，ｃは、本実施の形態による、連続セクタを分割してライトした場合のスペーシング特性であり、ａは、ライト電流の設定最小値の場合、ｂは、ライト電流の設計値の場合、ｃは、ライト電流の設定最大値の場合を示す。
【００５４】
尚、スペーシング特性は、磁気ヘッドの熱膨張率を測定しておき、シミュレーションにより、ライト素子にライト電流を印加した場合の、印加時間、電流値から算出した。
【００５５】
図７及び図８のｄ，ｅ，ｆの特性で明らかな如く、従来のライト電流調整のライト方法では、ライト電流を流しながら、連続してセクタをライトするため、ライト開始時（ここでは、セクタ０）から、次第に、スペーシングが、小さくなり、又、流すライト電流値によっても、スペーシングの変化量が相違する。
【００５６】
一方、本実施の形態では、分割して、ライトし、インターバルを挿入するため、ａ、ｂ、ｃの特性のように、スペーシングの変化は、極めて小さく（図では、０．５ｎｍ程度）、磁気スペーシングの変化を抑えて、ライト電流の調整ができる。又、流す電流値によっても、スペーシングの変化は、極めて小さく、磁気スペーシングの変化を抑えて、ライト電流の調整ができる。
【００５７】
このように、設定ライト電流による、及び設定ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化を抑えることができ、磁気スペーシングを一定に保ちながら、ライト電流の調整ができる。このため、スペーシング変化の影響から独立してライト電流の調整が出来るようになり、調整精度の向上が期待できる。
【００５８】
（ライト電流調整処理）
図９は、本発明のライト電流調整処理の第１の実施の形態のフロー図であり、装置の出荷前に、ＭＣＵ３３が、行う測定処理を示す。又、図１０は、エラーレートのライト電流パラメータの依存特性の説明図、図１１は、図９により、作成されるライト電流テーブル３８の説明図である。
【００５９】
図１０、図１１を参照して、図９の処理を説明する。
【００６０】
（Ｓ１０）ＭＣＵ３３には、先ず、ライト電流調整プログラムが、図示しない外部装置からインストールされる。ＭＣＵ３３は、リード時のスペーシングを調整する。即ち、ＭＣＵ３３は、発熱素子２２のヒーターパワーを増加しながら、リード素子２１で、磁気ディスク１２のデータをリードし、リード信号から、磁気ヘッド１４が、磁気ディスク１２に接触したかを判定し、接触したと判定した時のヒーターパワーから、所望のスペーシング（例えば、５ｎｍ）に要するヒーターパワーを換算し、そのヒーターパワーを発熱素子２２のヒータ制御回路に設定する。所謂、タッチダウン測定を行う。これにより、リード時のスペーシングが調整される。次に、ＭＣＵ３３は、ライト時のスペーシングを大まかに調整する。即ち、ライト時のスペーシングは、ライトによるヘッドの熱膨張を考慮し、リード時のスペーシングのヒーターパワーより小さいヒーターパワーに設定する。
【００６１】
（Ｓ１２）ＭＣＵ３３は、ライトドライバ６３の電流パラメータＩｗを初期化する。図５で説明したように、電流パラメータＩｗは、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとの値が、選択できる。ここでは、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとを変更する。そして、初期値は、例えば、設定値０に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓの値を選択する。尚、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとは、個々に選択でき、図５の例では、１６＊１６＝２５６の数の選択ができる。
【００６２】
（Ｓ１４）ＭＣＵ３３は、ライトするセクタ番号ｍを「０」に初期化する。
【００６３】
（Ｓ１６）ＭＣＵ３３は、磁気ディスク１２の回転に同期して、リードチャネル回路３１を介し、測定用ライトデータを、ライトドライバ６３に送り、設定した電流パラメータＩｗのライト波形を生成させ、磁気ディスク１２のセクタ０に、磁気ヘッド１４のライト素子２３により、ライトする。そして、ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍを、「ｍ＋１」にインクリメントする。
【００６４】
（Ｓ１８）ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、エラーレート測定範囲の「ｎ−１」を越えたかを判定する。ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、「ｎ−１」を越えていないと判定すると、磁気ディスク１２の回転を待ち、即ち、インターバルを挿入して、ステップＳ１６に戻る。このようにして、図６で説明したような、エラーレート測定範囲を分割し、且つインターバルを挿入したセクタライトを実行する。
【００６５】
（Ｓ２０）一方、ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、エラーレート測定範囲の「ｎ−１」を越えたと判定すると、設定した電流パラメータＩｗでの、エラーレート測定範囲のライトは、終了したと判定し、リードに移る。ＭＣＵ３３は、リードチャネル回路３１に、エラーレート測定範囲の各セクタ０〜ｎ−１のリードコマンドを指示する。磁気ヘッド１４のリード素子２１は、磁気ディスク１２のセクタ０〜ｎ−１をリードし、リード信号を、リードチャネル回路３２に出力する。リードチャネル回路３２は、セクタ毎に、リード信号を復調し、エラー訂正して、リードデータに変換する。この時、ＭＣＵ３３は、リードチャネル回路３２の復調情報からエラーレートを計算する。例えば、リードチャネル回路３２に設けられたビタビ復号器（最尤復号器）の尤度情報により、エラーレートを測定する。
【００６６】
（Ｓ２２）ＭＣＵ３３は、ライトドライバ６３の電流パラメータＩｗを変更する。ステップＳ１２及び図５で説明したように、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとを変更する。例えば、設定値０に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、設定値１に対応するライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓの値を選択する。
【００６７】
（Ｓ２４）ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えたかを判定する。図５では、設定値１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとが、最大値である。ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えていないと判定すると、この変更した電流パラメータＩｗでライトするため、ステップＳ１４に戻る。この例では、図５の２５６通りの電流パラメータの変更を行う。
【００６８】
（Ｓ２６）ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えていると判定すると、図５の２５６通りの電流パラメータＩｗでライトし、エラーレートを測定し終わったと判断する。ＭＣＵ３３は、この結果から最適ライト電流（電流パラメータ）を決定する。基本的には、エラーレートが最小の電流パラメータを、最適ライト電流として、決定する。
【００６９】
（Ｓ２８）ＭＣＵ３３は、ライトアシスト・プリヒート調整を行う。ライト時の素子スペーシングが、リード時の素子スペーシングと同じになるように、エラーレートを元に、ライト時のヒータ発熱量を調整する。そして、ライト電流調整を終了する。
【００７０】
図１０は、測定結果としてのライトピーク(オーバーシュート)電流値と、測定されたエラーレートとの関係の一例の図であり、横軸は、ライト電流オーバーシュートを、ｍＡで表示し、縦軸は、エラーレートを、ビットエラーレート（ＢＥＲ）で示す。例えば、ＢＥＲ＝−５．０は、１／１０の５乗のビットエラーレート（１０万ビット中、１ビットがエラー）である。
【００７１】
図１０の例では、本実施の形態の測定結果を、ひし形のプロットで、比較のため、従来のライト電流調整による測定結果を、正方形のプロットで図示している。図１０のひし形のプロットから、エラーレートが最小となる１０１ｍＡのライトピーク電流値が、最適なライト電流値として、選択される。
【００７２】
又、図１０から理解されるように、従来の方法（正方形のプロット）では、ライト電流を増加させると、磁気スペーシングも変化する。即ち、電流を増やすと、熱膨張により、ヘッドと媒体間の距離が近くなる。このため、電流を増やすほど、エラーレートが良くなる傾向がある。
【００７３】
一方、本実施の形態のライト方法では、磁気スペーシングが変化しないため、電流を上げると、単純にエラーレートが良くなる訳ではなく、悪化するケースもあり、図１０は、これを示している。
【００７４】
尚、測定ばらつきを除去するため、更に、測定結果に対し、移動平均を行うと良い。例えば、図１０では、電流値が、７６ｍＡ、８５ｍＡ，９５ｍＡのエラーレートの平均値により、８５ｍＡのエラーレートを計算する。
【００７５】
又、他の要因、例えば、サイドイレーズ特性や、電流値Ｉｗの飽和特性の未飽和領域に対する余裕等を考慮して、エラーレートが最小のライト電流を決定しても良い。
【００７６】
図１１に示すように、ライト電流パラメータテーブル３８(図３も参照)には、この決定した電流パラメータ調整値が格納される。この場合、磁気ディスク装置のヘッド毎に、電流パラメータ調整値を測定し、テーブル３８に格納する。
【００７７】
又、ゾーンビットレコーデイング方式（ゾーン毎に、周波数を変えて、ライトする）の場合には、ゾーン毎に、電流パラメータ調整値が異なる場合があるため、ゾーン（ゾーンの代表トラック）毎に、電流パラメータ調整値を測定し、テーブル３８に格納する。例えば、磁気ディスク１２の半径方向を、３０ゾーンに分割し、各々のゾーンの代表トラックで、電流パラメータ調整値を測定し、そのゾーンの調整値として、テーブル３８に格納する。
【００７８】
更に、３０ゾーンに分割した場合に、ゾーン０、９，１９、２９で、測定を行い、他のゾーンの調整値は、これらの補完値を使用するようにしても良い。
【００７９】
ＭＡＲＴデータ１１８に格納してある初期のエラーレートと比較して、エラーレートが改善されたかを判定する。ＭＣＵ３３は、エラーレートが改善された場合には、ＤＦＨヒータパワー補正処理を終了する。一方、エラーレートが改善されなければ、ステップＳ３８に戻り、ヒータパワーを増加する処理を行う。
【００８０】
（ライト電流調整の第２の実施の形態）
図１２は、本発明のライト電流調整の第２の実施の形態の説明図である。
【００８１】
図１２に示すように、図６と同様に、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００８２】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００８３】
図１２に示すように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とすると、磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０を、ライトし、ｍ(＝５)セクタ間隔で、スキップし、セクタｍ（＝５）を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ（＝１０）を、ライトする。その中間のセクタ１〜４、６〜９、１１〜は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８４】
第２周目には、セクタ１を、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ６を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ１１を、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８５】
以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｍ周目には、セクタ４を、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ９を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ１４を、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８６】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００８７】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００８８】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【００８９】
このライトとリードを、Ｉｗパラメータを変更して、Ｉｗパラメータ毎にエラーレートを測定し、後述するように、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【００９０】
この実施の形態では、１回転で、ｍセクタ間隔で、複数のセクタをライトするため、ライト時間は、ｍ回転でよく、測定時間の短縮を実現できる。
【００９１】
（ライト電流調整の第３の実施の形態）
図１３は、本発明のライト電流調整の第３の実施の形態の説明図である。
【００９２】
図１３に示すように、図６、図１２と同様に、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００９３】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００９４】
図１３に示すように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とすると、磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０を、第１のライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタｍ＋１を、第２のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ＋１を、第３のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタ１〜ｍ、ｍ＋２〜２ｍ、２ｍ＋２〜は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９５】
第２周目には、セクタ１を、第４のライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタｍ＋２を、第５のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ＋２を、第６のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９６】
以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｍ周目には、セクタｍを、第２ｍのライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍを、他のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ３ｍを、更に他のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９７】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００９８】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００９９】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【０１００】
この時、電流切り替えしているため、ライト電流、即ち、Ｉｗパラメータ毎に、測定したエラーレートを分類し、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【０１０１】
この実施の形態では、ライトシーケンスにおいて、１回転で、ｍセクタライトし、且つ電流切り替えするため、第１、第２の実施の形態のように、ライトシーケンスを調整範囲の電流パラメータ毎に行う必要がない。このため、更に、測定時間を短縮できる。
【０１０２】
尚、本実施の形態を要約すると、以下の通りである。
【０１０３】
磁気ディスクの製造方法は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する。
【０１０４】
又、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる。
【０１０５】
又、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる。
【０１０６】
又、前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなる。
【０１０７】
又、前記両ライトステップは、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなる。
【０１０８】
又、前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトするステップからなる。
【０１０９】
又、前記エラーレート測定ステップは、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定するステップからなる。
【０１１０】
又、前記エラーレート測定ステップは、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算するステップからなる。
【０１１１】
更に、磁気ディスク装置は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有し、前記制御回路は、前記前記磁気ヘッドのライト素子のライト電流値を格納するテーブルを有し、前記テーブルのライト電流値は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値である。
【０１１２】
更に、前記テーブルは、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記測定により、決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納する。
【０１１３】
更に、前記テーブルは、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記測定により、決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納する。
【０１１４】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値を、前記テーブルに格納する。
【０１１５】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトする。
【０１１６】
更に、前記制御回路は、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトする。
【０１１７】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトする。
【０１１８】
更に、前記制御回路は、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定する。
【０１１９】
更に、前記制御回路は、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算する。
【０１２０】
（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、１枚の磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置で説明したが、２枚以上の磁気ディスクを搭載した装置にも適用できる。同様に、磁気ヘッドの形態は、図２のものに限らず、他の分離型磁気ヘッドの形態にも適用できる。エラーレート測定範囲も、実施の形態に限らず、他の範囲を採用しうる。
【０１２１】
尚、本発明は、以下に付記する発明を包含する。
【０１２２】
（付記１）磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有することを特徴とする磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２３】
（付記２）前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２４】
（付記３）前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２５】
（付記４）前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２６】
（付記５）前記両ライトステップは、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなることを特徴とする付記４の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２７】
（付記６）前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトするステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２８】
（付記７）前記エラーレート測定ステップは、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２９】
（付記８）前記エラーレート測定ステップは、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１３０】
（付記９）磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有し、前記制御回路は、前記前記磁気ヘッドのライト素子のライト電流値を格納するテーブルを有し、前記テーブルのライト電流値は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【０１３１】
（付記１０）前記テーブルは、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記測定により、決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３２】
（付記１１）前記テーブルは、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記測定により、決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３３】
（付記１２）前記制御回路は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値を、前記テーブルに格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３４】
（付記１３）前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトすることを特徴とする付記１２の磁気ディスク装置。
【０１３５】
（付記１４）前記制御回路は、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトすることを特徴とする付記１３の磁気ディスク装置。
【０１３６】
（付記１５）前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトすることを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３７】
（付記１６）前記制御回路は、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３８】
（付記１７）前記制御回路は、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【符号の説明】
【０１４０】
１ 磁気ディスクエンクロージャ（ＤＥ）
１１ スピンドルモータ
１２ 磁気ディスク
１４ 磁気ヘッド
１６ 温度／湿度センサ
１８ アクチュエータ（ＶＣＭ）
２１ リード素子
２２ 発熱素子
２３ ライト素子
３０ 制御回路基板
３２ リードチャネル回路（ＲＤＣ）
３３ マイクロコントローラ（ＭＣＵ）
３４ ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）
３５ データバッファ（ＲＡＭ）
３６ ＲＯＭ
３７ サーボコントローラ
３８ ライト電流テーブル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上量制御機構を設けた磁気ヘッドのライト素子のライト電流を調整し、ライト電流調整テーブルを作成するための磁気ディスク装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのライト素子に与えるライト電流を変えることで、ライト特性(エラーレート)が変化することが知られている。ライト電流で、ライト特性が変化する要因は、（１）電流そのもので発生する磁界の変化による効果と、（２）電流が変わることにより、素子の発熱量が変化し、素子と媒体間の距離(磁気スペーシング)が変化する事の効果とがある。
【０００３】
磁気ヘッドには、浮上量制御機構を設けた磁気ヘッドと、浮上量制御機構を設けていない磁気ヘッドとが知られている。浮上量制御機構を設けていない磁気ヘッドでは、ライト電流を通電して、素子の発熱量で、素子とディスク媒体間の距離が変化した後の測定データを使用するため、電流そのもので発生する磁界の変化のみでライト電流の調整を行うことが出来なかった。
【０００４】
図１４は、浮上量制御機構として発熱素子を有する磁気ヘッドのライト開始からのオーバーライト特性を測定した説明図である。オーバーライト特性は、セクタに、低周波数の記録データをライトした後、高周波数の記録データをライトし、その後、そのセクタをリードし、リード信号の低周波数成分の比率を測定したものである。
【０００５】
図１４では、横軸が、セクタ番号(Ｓｃｔ Ｎｏ．)、縦軸が、測定したオーバーライト特性（ｄＢ）であり、ひし形のプロットが、発熱素子をオフし、浮上量制御を行わない場合のライト開始セクタ０からのオーバーライト特性を、正方形のプロットが、発熱素子をオンし、浮上量制御を行った場合のライト開始セクタ０からのオーバーライト特性を、示す。
【０００６】
図１４から明らかな如く、浮上制御を行わない場合では、ライト開始直後の磁気スペーシングと、時間が経過し、磁気ヘッド素子が充分に膨張した時の磁気スペーシングが異なる、即ち、ライト開始直後の磁気スペーシングが、定常時よりも高くなる為に、ライト開始直後のライト特性が悪くなる。
【０００７】
一方、発熱素子（ヒータ素子など）を磁気ヘッドに搭載し、この素子の発熱量を制御することで磁気スペーシングを制御する場合には、ライト開始の直前に、ヒータ素子を発熱させ、磁気スペーシングをライト開始時と定常時で一定に保つことができる。これを、プリヒートという。
【０００８】
このため、図１４のヒータオンに示すように、ライト開始直後のライト特性の悪化を緩和できる。図１５は、従来のスペーシング調整とライト電流調整の処理の説明図、図１６は、そのライト電流調整の説明図である。
【０００９】
図１５に示すように、リード時のスペーシングを調整し、ライト時のスペーシングを大まかに調整する（Ｓ１００）。例えば、磁気ヘッドの発熱素子の発熱量を調整する。この状態で、ライト電流の調整を行う(Ｓ１０２)。図１６に示すように、エラーレート測定範囲を、１回のライトコマンドでライトする。例えば、磁気ディスクの１回転の各セクタ０〜ｎ−１を、ライト素子に設定したライト電流を流し、データライトする。次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。例えば、磁気ディスクの１回転の各セクタ０〜ｎ−１を、リード素子で、リードする。
【００１０】
次に、各セクタのリードデータのエラーの有無を判定し、エラーレートを測定する。このエラーレートの測定を、ライト電流の最大値から最小値まで、変更して行い、エラーレートが最小となるライト電流を求め、それをライト電流に確定する。このライト電流の最適値は、電流によるヘッド素子の突き出し効果も含め調整される。
【００１１】
そして、ライトアシスト・プリヒート調整を行う（Ｓ１０４）。ライト時の素子スペーシングが、リード時の素子スペーシングと同じになるように、エラーレートを元に、ライト時のヒータ発熱量を調整する。
【００１２】
このようなライト電流の調整方法は、下記特許文献１〜３に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００８−１５９２０６号公報
【特許文献２】特開２００７−３１７２７８号公報
【特許文献３】特開２００８−１１２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従来の方法では、ライト電流の最適化を実施すると、ライト時の素子スペーシングはライト電流の設定値により変化するため、ライト電流調整前後でスペーシングが変わってしまい、素子スペーシングに余裕がない設計の場合は、ヘッドとディスク媒体の衝突の危険性が生じる。
【００１５】
また、従来の方法では、磁気スペーシングが電流により変化することも含んだ形で、ライト電流の最適値を決めているため、ライト電流の調整を行った後、決定したライト電流条件で、ライト時のスペーシングを再度調整すると、ライト電流調整時とスペーシングが変わってしまうため、今度は、電流調整値が最適点から外れてしまう問題がある。
【００１６】
また、ライトを行っているときのライト素子部のスペーシングを測定することは、難しいため、スペーシングを一定値に制御しながら、ライト電流を変化させて、電流の調整を行うことも難しい。
【００１７】
従って、本発明の目的は、ライト電流のヘッド素子の突き出しの影響を除外し、ライト電流の変更による特性変化のみで、ライト電流を調整するための磁気ディスク装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この目的の達成のため、磁気ディスク装置の製造方法は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する。
【発明の効果】
【００１９】
エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の磁気ディスク装置の一実施の形態の外観図である。
【図２】図１の磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１の磁気ディスク装置の回路ブロック図である。
【図４】図３の磁気ディスク装置のライト波形図である。
【図５】図３のライトドライバの設定値と、生成されるライト波形との関係図である。
【図６】本発明のライト電流調整の第１の実施の形態の説明図である。
【図７】図６のライト電流による熱突き出しの説明図である。
【図８】図７のライト開始時の拡大図である。
【図９】本発明のライト電流調整処理の第１の実施の形態のフロー図である。
【図１０】エラーレートのライト電流パラメータの依存特性の説明図である。
【図１１】図９により、作成されるライト電流テーブル３８の説明図である。
【図１２】本発明のライト電流調整の第２の実施の形態の説明図である。
【図１３】本発明のライト電流調整の第３の実施の形態の説明図である。
【図１４】従来の浮上量制御によるオーバーライト特性の説明図である。
【図１５】従来のスペーシング調整とライト電流調整の処理の説明図である。
【図１６】図１５のライト電流調整の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を、磁気ディスク装置、ライト電流調整の第１の実施の形態、ライト電流調整処理、ライト電流調整の第２の実施の形態、ライト電流調整の第３の実施の形態、他の実施の形態の順で説明するが、本発明は、この実施の形態に限られない。
【００２２】
（磁気ディスク装置）
図１は、本発明の磁気ディスク装置の一実施の形態の外観図である。図２は、図１の磁気ヘッドの断面図である。図１に示すように、磁気ディスク装置１９は、ディスクエンクロージャ１内に、磁気ディスク１２と、ヘッドスライダを含む磁気ヘッド１４と、磁気ヘッド１４を支持するヘッドサスペンションアッセンブリ１５と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８と、回路基板とを備える。
【００２３】
回路基板には、ヘッドＩＣの他、温湿度センサ１６が設置されている。温度センサは、熱電対やサーミスタ、ＩＣ化温度センサ、バンドギャップベース温度センサなどを使用できる。又、湿度センサは、抵抗式や静電容量式のポリマー湿度センサなどが用いられる。
【００２４】
磁気ディスク１２は、スピンドルモータ１１に取り付けられ、回転する。ヘッドサスペンションアッセンブリ１５は、ピボット１７に取り付けられ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８によって、磁気ヘッド１４を、磁気ディスク１２の任意の半径位置に位置決めする。
【００２５】
ランプロード機構１３は、磁気ディスク１２から退避した磁気ヘッド１４をパーキングするための機構である。この実施の形態の磁気ディスク装置では、ランプロード機構１３を備えているが、装置停止中、磁気ヘッド１４が、磁気ディスク１２のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置でも、同様に適用できる。
【００２６】
図２は、図１の磁気ヘッド１４を、磁気ディスク１２の周方向からみた断面図である。磁気ヘッド１４内には、記録コイル２３と記録コア２８からなるライト素子と、再生(リード)素子２１と、ヒータ（発熱素子）２２とが設けられている。再生素子２１は、ＧＭＲ素子（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）やＴＭＲ素子（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ素子）が用いられる。
【００２７】
磁気ヘッド１４表面には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２７が形成されている。このダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２７の表面エネルギーは高いため、潤滑膜や水蒸気、その他コンタミネーションが付着しやすい。ここで、本実施の形態では、磁気ヘッド１４の表面に、低表面エネルギー処理が施されている。低表面エネルギー化は、フッ素イオン注入やフッ素系樹脂の塗布により可能である。
【００２８】
一方、磁気ディスク１２には、基板２９上に、磁性膜２６（垂直記録ディスクの場合、ＳＵＬ層等も含む。）、その上にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２５、その上の最表面には潤滑膜２４が形成されている。
【００２９】
この潤滑膜２４は、塗布条件や処理条件により、下地膜であるダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）保護膜２５に吸着している成分の量が変化する。例えば、加熱処理やＵＶ照射処理を施すことにより、吸着成分は増加する。
【００３０】
図３は、本発明の磁気ディスク装置の一実施例の回路ブロック図、図４は、そのライト電流の波形図、図５は、ライト電流波形の調整パラメータの説明図である。図３において、図１、図２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。
【００３１】
図３に示すように、図１で説明したディスクエンクロージャ（ＤＥ）１のＶＣＭ１８の近傍には、プリアンプ（ヘッドＩＣ）６０が設けられている。更に、ＤＥ１には、ＤＥ１内の温度、湿度を検出する温度／湿度センサ１６が設けられている。
【００３２】
一方、プリント回路アッセンブリ（制御回路部）３０には、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）３４、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）３３、リード／ライトチャネル回路（ＲＤＣ）３２、サーボコントロール回路３７、データバッファ（ＲＡＭ）３５、ＲＯＭ（リードオンリーメモリ）３６が設けられている。この実施の形態では、ＨＤＣ３４，ＭＣＵ３３，ＲＤＣ３２は、１つのＬＳＩ３１内に設けられている。
【００３３】
リード／ライトチャネル回路（ＲＤＣ）３２は、プリアンプ６０に接続され、磁気ヘッド１４のデータ読み取り及び書込みを制御する。即ち、信号整形、データ変調及びデータ復調を行う。サーボコントロール回路（ＳＶＣ）３７は、スピンドルモータ１１を駆動制御し、且つＶＣＭ１８を駆動制御する。
【００３４】
ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）３４は、主に、インターフェイス・プロトコル制御、データバッファ制御、ディスク・フォーマット制御を行う。データバッファ（ＲＡＭ）３５は、リードデータやライトデータを一時格納する。
【００３５】
又、データバッファ３５は、後述するライト電流テーブル３８を記憶する。このライト電流テーブル３８は、磁気ディスク１２のシステム領域に格納されており、装置の起動時に、磁気ディスク１２のシステム領域から読み出され、データバッファ（ＲＡＭ）３５に格納される。
【００３６】
マイクロコントローラ（ＭＣＵ）３３は、ＨＤＣ３４、ＲＤＣ３２、ＳＶＣ３７の制御と、ＲＡＭ３５、ＲＯＭ３６の管理を行う。ＲＯＭ３６は、各種のプログラムやパラメータを格納する。
【００３７】
又、図３のプリアンプ６０は、リード素子２１(図２参照)からのリード信号を増幅して、リードチャネル回路３２に出力するリードドライバ（アンプ）６４と、リードチャネル回路３２からの設定電力量を受け、磁気ヘッド１４の発熱体２２を駆動するヒータ駆動回路６１と、ヒータ駆動回路６１を制御するヒータ制御回路（図示せず）とを有する。
【００３８】
更に、図３のプリアンプ６０は、ＭＣＵ３３から、ライト電流パラメータが設定され、リードチャネル回路３２のライト信号(２値)により、ライト電流波形(図４で後述する)を生成し、ライト電流をライトコイル２３に供給するライトドライバ６３を有する。
【００３９】
図４及び図５により、図３のライトドライバ６３のライト電流波形の生成動作を説明する。図４は、縦軸が、電流の大きさ、横軸が時間を示す。ライトドライバ６３は、ライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとを変更できる。
【００４０】
図５に示すように、ライトドライバ６３の回路特性から、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとの値が、設計上決定されている。
【００４１】
例えば、ライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋに対し、設定値を「１」と指定すると、ライトピーク電流値は、「１６．１９ｍＡ」のライト波形が、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓに対し、設定値「２」を指定すると、ライト駆動電流値が、「５４ｍＡ」のライト波形が生成される。
【００４２】
以下、このライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗの設定値を、Ｉｗパラメータと称す。
【００４３】
（ライト電流調整の第１の実施の形態）
図６は、本発明のライト電流調整の第１の実施の形態の説明図、図７は、図６のライト電流による熱突き出しの説明図、図８は、図７のライト開始時の拡大図である。
【００４４】
図６に示すように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００４５】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００４６】
図６のように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とする。通常、エラーレート測定範囲は、磁気ディスク１２のトラック１周であり、例えば、測定範囲は、１０００セクタである。
【００４７】
磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０をライトし、セクタ１〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。第２周目には、セクタ１をライトし、セクタ０，２〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。磁気ディスク１２の第３周目には、セクタ２をライトし、セクタ０、１、３〜ｎ−１は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｎ周目には、セクタ(ｎ−１)をライトし、セクタ０〜ｎ−２は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００４８】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００４９】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００５０】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【００５１】
このライトとリードを、Ｉｗパラメータを変更して、Ｉｗパラメータ毎にエラーレートを測定し、後述するように、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【００５２】
図７及び図８は、ライト電流による熱突き出しのシミュレーションによる特性図である。図中、ｄ，ｅ，ｆは、従来の連続セクタを連続してライトした場合のスペーシング特性であり、ｄは、ライト電流の設定最小値の場合、ｅは、ライト電流の設計値の場合、ｆは、ライト電流の設定最大値の場合を示す。
【００５３】
又、図中、ａ，ｂ，ｃは、本実施の形態による、連続セクタを分割してライトした場合のスペーシング特性であり、ａは、ライト電流の設定最小値の場合、ｂは、ライト電流の設計値の場合、ｃは、ライト電流の設定最大値の場合を示す。
【００５４】
尚、スペーシング特性は、磁気ヘッドの熱膨張率を測定しておき、シミュレーションにより、ライト素子にライト電流を印加した場合の、印加時間、電流値から算出した。
【００５５】
図７及び図８のｄ，ｅ，ｆの特性で明らかな如く、従来のライト電流調整のライト方法では、ライト電流を流しながら、連続してセクタをライトするため、ライト開始時（ここでは、セクタ０）から、次第に、スペーシングが、小さくなり、又、流すライト電流値によっても、スペーシングの変化量が相違する。
【００５６】
一方、本実施の形態では、分割して、ライトし、インターバルを挿入するため、ａ、ｂ、ｃの特性のように、スペーシングの変化は、極めて小さく（図では、０．５ｎｍ程度）、磁気スペーシングの変化を抑えて、ライト電流の調整ができる。又、流す電流値によっても、スペーシングの変化は、極めて小さく、磁気スペーシングの変化を抑えて、ライト電流の調整ができる。
【００５７】
このように、設定ライト電流による、及び設定ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化を抑えることができ、磁気スペーシングを一定に保ちながら、ライト電流の調整ができる。このため、スペーシング変化の影響から独立してライト電流の調整が出来るようになり、調整精度の向上が期待できる。
【００５８】
（ライト電流調整処理）
図９は、本発明のライト電流調整処理の第１の実施の形態のフロー図であり、装置の出荷前に、ＭＣＵ３３が、行う測定処理を示す。又、図１０は、エラーレートのライト電流パラメータの依存特性の説明図、図１１は、図９により、作成されるライト電流テーブル３８の説明図である。
【００５９】
図１０、図１１を参照して、図９の処理を説明する。
【００６０】
（Ｓ１０）ＭＣＵ３３には、先ず、ライト電流調整プログラムが、図示しない外部装置からインストールされる。ＭＣＵ３３は、リード時のスペーシングを調整する。即ち、ＭＣＵ３３は、発熱素子２２のヒーターパワーを増加しながら、リード素子２１で、磁気ディスク１２のデータをリードし、リード信号から、磁気ヘッド１４が、磁気ディスク１２に接触したかを判定し、接触したと判定した時のヒーターパワーから、所望のスペーシング（例えば、５ｎｍ）に要するヒーターパワーを換算し、そのヒーターパワーを発熱素子２２のヒータ制御回路に設定する。所謂、タッチダウン測定を行う。これにより、リード時のスペーシングが調整される。次に、ＭＣＵ３３は、ライト時のスペーシングを大まかに調整する。即ち、ライト時のスペーシングは、ライトによるヘッドの熱膨張を考慮し、リード時のスペーシングのヒーターパワーより小さいヒーターパワーに設定する。
【００６１】
（Ｓ１２）ＭＣＵ３３は、ライトドライバ６３の電流パラメータＩｗを初期化する。図５で説明したように、電流パラメータＩｗは、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓと、立ち上がり時間ｔｃｓｗとの値が、選択できる。ここでは、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとを変更する。そして、初期値は、例えば、設定値０に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓの値を選択する。尚、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとは、個々に選択でき、図５の例では、１６＊１６＝２５６の数の選択ができる。
【００６２】
（Ｓ１４）ＭＣＵ３３は、ライトするセクタ番号ｍを「０」に初期化する。
【００６３】
（Ｓ１６）ＭＣＵ３３は、磁気ディスク１２の回転に同期して、リードチャネル回路３１を介し、測定用ライトデータを、ライトドライバ６３に送り、設定した電流パラメータＩｗのライト波形を生成させ、磁気ディスク１２のセクタ０に、磁気ヘッド１４のライト素子２３により、ライトする。そして、ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍを、「ｍ＋１」にインクリメントする。
【００６４】
（Ｓ１８）ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、エラーレート測定範囲の「ｎ−１」を越えたかを判定する。ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、「ｎ−１」を越えていないと判定すると、磁気ディスク１２の回転を待ち、即ち、インターバルを挿入して、ステップＳ１６に戻る。このようにして、図６で説明したような、エラーレート測定範囲を分割し、且つインターバルを挿入したセクタライトを実行する。
【００６５】
（Ｓ２０）一方、ＭＣＵ３３は、セクタ番号ｍが、エラーレート測定範囲の「ｎ−１」を越えたと判定すると、設定した電流パラメータＩｗでの、エラーレート測定範囲のライトは、終了したと判定し、リードに移る。ＭＣＵ３３は、リードチャネル回路３１に、エラーレート測定範囲の各セクタ０〜ｎ−１のリードコマンドを指示する。磁気ヘッド１４のリード素子２１は、磁気ディスク１２のセクタ０〜ｎ−１をリードし、リード信号を、リードチャネル回路３２に出力する。リードチャネル回路３２は、セクタ毎に、リード信号を復調し、エラー訂正して、リードデータに変換する。この時、ＭＣＵ３３は、リードチャネル回路３２の復調情報からエラーレートを計算する。例えば、リードチャネル回路３２に設けられたビタビ復号器（最尤復号器）の尤度情報により、エラーレートを測定する。
【００６６】
（Ｓ２２）ＭＣＵ３３は、ライトドライバ６３の電流パラメータＩｗを変更する。ステップＳ１２及び図５で説明したように、設定値０〜１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとを変更する。例えば、設定値０に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、設定値１に対応するライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓの値を選択する。
【００６７】
（Ｓ２４）ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えたかを判定する。図５では、設定値１５（４ビット）に対応するライトピーク（オーバーシュート）電流値Ｉｗｏ−ｐｋと、ライト駆動電流値Ｉｗｏ−ｓｓとが、最大値である。ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えていないと判定すると、この変更した電流パラメータＩｗでライトするため、ステップＳ１４に戻る。この例では、図５の２５６通りの電流パラメータの変更を行う。
【００６８】
（Ｓ２６）ＭＣＵ３３は、選択した電流パラメータＩｗが、最大値を越えていると判定すると、図５の２５６通りの電流パラメータＩｗでライトし、エラーレートを測定し終わったと判断する。ＭＣＵ３３は、この結果から最適ライト電流（電流パラメータ）を決定する。基本的には、エラーレートが最小の電流パラメータを、最適ライト電流として、決定する。
【００６９】
（Ｓ２８）ＭＣＵ３３は、ライトアシスト・プリヒート調整を行う。ライト時の素子スペーシングが、リード時の素子スペーシングと同じになるように、エラーレートを元に、ライト時のヒータ発熱量を調整する。そして、ライト電流調整を終了する。
【００７０】
図１０は、測定結果としてのライトピーク(オーバーシュート)電流値と、測定されたエラーレートとの関係の一例の図であり、横軸は、ライト電流オーバーシュートを、ｍＡで表示し、縦軸は、エラーレートを、ビットエラーレート（ＢＥＲ）で示す。例えば、ＢＥＲ＝−５．０は、１／１０の５乗のビットエラーレート（１０万ビット中、１ビットがエラー）である。
【００７１】
図１０の例では、本実施の形態の測定結果を、ひし形のプロットで、比較のため、従来のライト電流調整による測定結果を、正方形のプロットで図示している。図１０のひし形のプロットから、エラーレートが最小となる１０１ｍＡのライトピーク電流値が、最適なライト電流値として、選択される。
【００７２】
又、図１０から理解されるように、従来の方法（正方形のプロット）では、ライト電流を増加させると、磁気スペーシングも変化する。即ち、電流を増やすと、熱膨張により、ヘッドと媒体間の距離が近くなる。このため、電流を増やすほど、エラーレートが良くなる傾向がある。
【００７３】
一方、本実施の形態のライト方法では、磁気スペーシングが変化しないため、電流を上げると、単純にエラーレートが良くなる訳ではなく、悪化するケースもあり、図１０は、これを示している。
【００７４】
尚、測定ばらつきを除去するため、更に、測定結果に対し、移動平均を行うと良い。例えば、図１０では、電流値が、７６ｍＡ、８５ｍＡ，９５ｍＡのエラーレートの平均値により、８５ｍＡのエラーレートを計算する。
【００７５】
又、他の要因、例えば、サイドイレーズ特性や、電流値Ｉｗの飽和特性の未飽和領域に対する余裕等を考慮して、エラーレートが最小のライト電流を決定しても良い。
【００７６】
図１１に示すように、ライト電流パラメータテーブル３８(図３も参照)には、この決定した電流パラメータ調整値が格納される。この場合、磁気ディスク装置のヘッド毎に、電流パラメータ調整値を測定し、テーブル３８に格納する。
【００７７】
又、ゾーンビットレコーデイング方式（ゾーン毎に、周波数を変えて、ライトする）の場合には、ゾーン毎に、電流パラメータ調整値が異なる場合があるため、ゾーン（ゾーンの代表トラック）毎に、電流パラメータ調整値を測定し、テーブル３８に格納する。例えば、磁気ディスク１２の半径方向を、３０ゾーンに分割し、各々のゾーンの代表トラックで、電流パラメータ調整値を測定し、そのゾーンの調整値として、テーブル３８に格納する。
【００７８】
更に、３０ゾーンに分割した場合に、ゾーン０、９，１９、２９で、測定を行い、他のゾーンの調整値は、これらの補完値を使用するようにしても良い。
【００７９】
ＭＡＲＴデータ１１８に格納してある初期のエラーレートと比較して、エラーレートが改善されたかを判定する。ＭＣＵ３３は、エラーレートが改善された場合には、ＤＦＨヒータパワー補正処理を終了する。一方、エラーレートが改善されなければ、ステップＳ３８に戻り、ヒータパワーを増加する処理を行う。
【００８０】
（ライト電流調整の第２の実施の形態）
図１２は、本発明のライト電流調整の第２の実施の形態の説明図である。
【００８１】
図１２に示すように、図６と同様に、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００８２】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００８３】
図１２に示すように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とすると、磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０を、ライトし、ｍ(＝５)セクタ間隔で、スキップし、セクタｍ（＝５）を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ（＝１０）を、ライトする。その中間のセクタ１〜４、６〜９、１１〜は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８４】
第２周目には、セクタ１を、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ６を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ１１を、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８５】
以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｍ周目には、セクタ４を、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ９を、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ１４を、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００８６】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００８７】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００８８】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【００８９】
このライトとリードを、Ｉｗパラメータを変更して、Ｉｗパラメータ毎にエラーレートを測定し、後述するように、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【００９０】
この実施の形態では、１回転で、ｍセクタ間隔で、複数のセクタをライトするため、ライト時間は、ｍ回転でよく、測定時間の短縮を実現できる。
【００９１】
（ライト電流調整の第３の実施の形態）
図１３は、本発明のライト電流調整の第３の実施の形態の説明図である。
【００９２】
図１３に示すように、図６、図１２と同様に、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くする。これにより、ライト素子の発熱を軽減し、さらにライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。
【００９３】
又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【００９４】
図１３に示すように、エラーレート測定範囲をセクタ０〜ｎ−１とすると、磁気ディスク１２の第１周目には、セクタ０を、第１のライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタｍ＋１を、第２のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ＋１を、第３のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタ１〜ｍ、ｍ＋２〜２ｍ、２ｍ＋２〜は、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９５】
第２周目には、セクタ１を、第４のライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタｍ＋２を、第５のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍ＋２を、第６のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９６】
以下、同様に、磁気ディスク１２の第ｍ周目には、セクタｍを、第２ｍのライト電流パラメータで、ライトし、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ２ｍを、他のライト電流パラメータで、ライトし、更に、ｍセクタ間隔で、スキップし、セクタ３ｍを、更に他のライト電流パラメータで、ライトする。その中間のセクタは、ライトしない（即ち、ライト電流を流さない）。
【００９７】
このように、エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、個々のライト時間を短くし、且つインターバル時間を挿入して、ライトして、全エラーレート測定範囲のセクタに、ライトを行う。
【００９８】
次に、エラーレート測定範囲を、１回のリードコマンドでリードする。即ち、エラーレート測定範囲のセクタ０〜ｎ−１を、磁気ディスク１２の１回転の間に、リードし、リードチャネル回路３２で、各セクタのエラーの有無を検出し、ＭＣＵ３３が、その結果を受け、測定範囲のエラーレートを計算する。
【００９９】
又、測定のばらつきを軽減するため、前述のリード動作を複数回繰り返し、エラーレートを測定し、複数回の平均値を、測定エラーレートとして、決定する。尚、ライトは、繰り返す必要がない。
【０１００】
この時、電流切り替えしているため、ライト電流、即ち、Ｉｗパラメータ毎に、測定したエラーレートを分類し、基本的には、エラーレートが最小のＩｗパラメータを、ライト電流最適値に決定する。
【０１０１】
この実施の形態では、ライトシーケンスにおいて、１回転で、ｍセクタライトし、且つ電流切り替えするため、第１、第２の実施の形態のように、ライトシーケンスを調整範囲の電流パラメータ毎に行う必要がない。このため、更に、測定時間を短縮できる。
【０１０２】
尚、本実施の形態を要約すると、以下の通りである。
【０１０３】
磁気ディスクの製造方法は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する。
【０１０４】
又、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる。
【０１０５】
又、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる。
【０１０６】
又、前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなる。
【０１０７】
又、前記両ライトステップは、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなる。
【０１０８】
又、前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトするステップからなる。
【０１０９】
又、前記エラーレート測定ステップは、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定するステップからなる。
【０１１０】
又、前記エラーレート測定ステップは、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算するステップからなる。
【０１１１】
更に、磁気ディスク装置は、磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有し、前記制御回路は、前記前記磁気ヘッドのライト素子のライト電流値を格納するテーブルを有し、前記テーブルのライト電流値は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値である。
【０１１２】
更に、前記テーブルは、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記測定により、決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納する。
【０１１３】
更に、前記テーブルは、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記測定により、決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納する。
【０１１４】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値を、前記テーブルに格納する。
【０１１５】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトする。
【０１１６】
更に、前記制御回路は、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトする。
【０１１７】
更に、前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトする。
【０１１８】
更に、前記制御回路は、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定する。
【０１１９】
更に、前記制御回路は、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算する。
【０１２０】
（他の実施の形態）
前述の実施の形態では、１枚の磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置で説明したが、２枚以上の磁気ディスクを搭載した装置にも適用できる。同様に、磁気ヘッドの形態は、図２のものに限らず、他の分離型磁気ヘッドの形態にも適用できる。エラーレート測定範囲も、実施の形態に限らず、他の範囲を採用しうる。
【０１２１】
尚、本発明は、以下に付記する発明を包含する。
【０１２２】
（付記１）磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有することを特徴とする磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２３】
（付記２）前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２４】
（付記３）前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２５】
（付記４）前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２６】
（付記５）前記両ライトステップは、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなることを特徴とする付記４の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２７】
（付記６）前記両ライトステップは、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトするステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２８】
（付記７）前記エラーレート測定ステップは、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１２９】
（付記８）前記エラーレート測定ステップは、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算するステップからなることを特徴とする付記１の磁気ディスク装置の製造方法。
【０１３０】
（付記９）磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有し、前記制御回路は、前記前記磁気ヘッドのライト素子のライト電流値を格納するテーブルを有し、前記テーブルのライト電流値は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【０１３１】
（付記１０）前記テーブルは、前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記測定により、決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３２】
（付記１１）前記テーブルは、前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記測定により、決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３３】
（付記１２）前記制御回路は、前記磁気ディスクのエラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトし、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定し、前記測定して得たエラーレートが最小である前記ライト電流値を、前記テーブルに格納することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３４】
（付記１３）前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトすることを特徴とする付記１２の磁気ディスク装置。
【０１３５】
（付記１４）前記制御回路は、前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトすることを特徴とする付記１３の磁気ディスク装置。
【０１３６】
（付記１５）前記制御回路は、前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、１つのセクタに信号をライトすることを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３７】
（付記１６）前記制御回路は、前記リード信号を復調する際の尤度情報から、前記エラーレートを測定することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【０１３８】
（付記１７）前記制御回路は、前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタを複数回リードし、複数回のエラーレートを測定し、その平均値を計算することを特徴とする付記９の磁気ディスク装置。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
エラーレート測定範囲に対して行うライトを、複数回に分割し、ライト毎に、インターバル時間を入れる事で、ライト素子の冷却を行い、ライト電流による熱突き出しを抑える。又、ライト電流を変える事で生じる熱突き出し量の変化も抑え、磁気スペーシングを一定に保つことができ、スペーシング変化の影響から独立して、ライト電流の最適化を行うことが可能となる。
【符号の説明】
【０１４０】
１ 磁気ディスクエンクロージャ（ＤＥ）
１１ スピンドルモータ
１２ 磁気ディスク
１４ 磁気ヘッド
１６ 温度／湿度センサ
１８ アクチュエータ（ＶＣＭ）
２１ リード素子
２２ 発熱素子
２３ ライト素子
３０ 制御回路基板
３２ リードチャネル回路（ＲＤＣ）
３３ マイクロコントローラ（ＭＣＵ）
３４ ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）
３５ データバッファ（ＲＡＭ）
３６ ＲＯＭ
３７ サーボコントローラ
３８ ライト電流テーブル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、
前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、
前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、
前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、
前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、
前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する
ことを特徴とする磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項２】
前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、
前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項３】
前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、
前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項４】
前記両ライトステップは、
前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項５】
前記両ライトステップは、
前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなる
ことを特徴とする請求項４の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項１】
磁気ディスクの回転により浮上する、少なくとも、リード素子とライト素子と、発熱素子とを有する磁気ヘッドと、前記磁気ディスクの半径方向に、前記磁気ヘッドを移動するアクチュエータと、外部からのコマンドに応じて、前記磁気ヘッドにより、前記磁気ディスクのデータのリード及びライトを実行する制御回路とを有する磁気ディスク装置の製造方法であって、
前記磁気ヘッドのライト素子により、エラーレート測定範囲の複数のセクタの先頭セクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトするステップと、
前記磁気ヘッドのライト素子により、前記先頭セクタの次のセクタから、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、信号をライトし、前記エラーレート測定範囲の全セクタに信号をライトするステップと、
前記磁気ヘッドのリード素子により、前記エラーレート測定範囲の全セクタをリードし、エラーレートを測定するステップと、
前記測定されたエラーレートが最小である前記ライト電流値を決定するステップと、
前記決定したライト電流値を前記磁気ヘッドのライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップとを有する
ことを特徴とする磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項２】
前記磁気ディスク装置の複数の磁気ヘッドの各々に対し、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、
前記格納ステップは、前記決定した個々の磁気ヘッドのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項３】
前記磁気ディスクの半径方向に分割した複数のゾーンの各々で、前記ライトステップと、前記エラーレート測定ステップを行うステップを更に有し、
前記格納ステップは、前記決定した個々のゾーンのライト電流値を、ライト電流パラメータとして、テーブルに格納するステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項４】
前記両ライトステップは、
前記磁気ディスクの１回転で、ｍ（ｍ＞１、整数）セクタの間隔で、設定されたライト電流値で、複数のセクタに信号をライトするステップからなる
ことを特徴とする請求項１の磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項５】
前記両ライトステップは、
前記複数のセクタ間で、設定したライト電流値を変更して、信号をライトするステップからなる
ことを特徴とする請求項４の磁気ディスク装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−１７６７４９（Ｐ２０１０−１７６７４９Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８３０９（Ｐ２００９−１８３０９）
【出願日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
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