磁気抵抗材料
【目的】 磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し鋭敏に電気抵抗が変化する磁気抵抗材料を提供する。
【構成】 その原子比組成が（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙＡｇ１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）により表される合金、又は（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙ（Ａｇ１−ｚＣｕｚ）１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６、ｚ≦０．１４）により表される合金により、磁気抵抗材料を構成する。
【構成】 その原子比組成が（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙＡｇ１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）により表される合金、又は（Ｃｏ１−ｘＦｅｘ）ｙ（Ａｇ１−ｚＣｕｚ）１−ｙ（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６、ｚ≦０．１４）により表される合金により、磁気抵抗材料を構成する。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子比組成のＣｏＦｅＡｇ合金（又は、ＣｏＦｅＡｇＣｕ合金）により構成され、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effect）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気抵抗材料が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下してしまう。つまり、図７（ａ），（ｂ）に示すように、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界感度が低いため、実用に適していない。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗材料は、その原子比組成が（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）で表される合金からなることを特徴とする。
【０００６】なお、母相であるＡｇ中には、Ｃｕがその固溶限（１４原子％）まで固溶していてもよい。
【０００７】
【作用】本願発明者等は、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべく、種々実験研究を行った。その結果、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）合金の原子比組成を所定の範囲とすることにより、磁界感度が高い磁気抵抗材料を得ることができるとの知見を得た。本願発明は、このような実験結果に基づいてなされたものである。
【０００８】即ち、本発明に係る磁気抵抗材料は、下記化学式１に示される原子比組成の合金により構成されている。
【０００９】
【化１】（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６。
【００１０】この化学式１におけるｙの値が０．２以下（ｙ≦０．２）の場合又は０．３６以上（ｙ≧０．３６）の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１（％／Ｏｅ）未満になる。また、ｘの値が０．３以下（ｘ≦０．３）の場合又は０．８以上（ｘ≧０．８）の場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上とすることが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使用するためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１（％／Ｏｅ）以上であることが必要である。このため、前記化学式１におけるｘの値は０．３＜ｘ＜０．８とし、ｙの値は０．２＜ｙ＜０．３６）とすることが必要である。なお、ｘの値が０．４を超え０．６未満（０．４＜ｘ＜０．６）であると共に、ｙの値が０．２４乃至０．３５（０．２４≦ｙ≦０．３５）である（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金は、磁気抵抗材料の磁界感度が約０．０５（％／Ｏｅ）以上となり、微弱な磁界を検知する磁気ヘッドにも使用することができる。このため、ｘの値は０．４＜ｘ＜０．６、ｙの値は０．２４≦ｙ≦０．３５とすることがより一層好ましい。
【００１１】また、母相であるＡｇ中にＣｕがその固溶限（１４原子％）まで固溶していても、磁界感度は殆ど変化しない。従って、下記化学式２に示す原子比組成の合金であっても、前記化学式１に示す原子比組成の合金と同様の磁界感度を得ることができる。
【００１２】
【化２】
（Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６ｚ≦０．１４。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について、その特許請求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【００１４】平行平板電極型高周波スパッタリング装置を使用し、Ａｇ又はＡｇＣｕ合金ターゲット上にＦｅＣｏ合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガラス基板上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１０００Åの磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲット及びＦｅＣｏ合金の組成を種々変化させて、磁気抵抗膜の原子比組成が相互に異なる複数の試料を形成した。なお、成膜条件は、雰囲気ガスがＡｒガス、圧力が０．４Ｐａ、装置出力が３００Ｗ、成膜時間が５分間である。また、成膜時のマスクとしては、ステンレス（ＳＵＳ）製メタルマスクを用いた。
【００１５】次に、これらの試料を、Ａｒガス（流量：２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、２７０℃の温度で１時間保持した後、炉中で室温まで冷却した。
【００１６】これらの試料の磁界感度を、図３に示す４端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電流密度が１００Ａ／ｍｍ2 の電流をガラス基板１上の磁気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加した。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定した。
【００１７】磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を下記表１，２及び図１，２に示す。但し、表１及び図１は（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示し、表２及び図２は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示す。また、表１，２中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び図１から明らかなように、（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の場合、ｘの値を０．３＜ｘ＜０．８とし、且つ、ｙの値を０．２＜ｙ＜０．３６とすることにより、磁界感度を確実に０．０１０（％／Ｏｅ）以上とすることができる。また、表２及び図２から明らかなように、母相であるＡｇの１４原子％までをＣｕに置換しても、磁界感度は殆ど変化せず、良好な磁界感度を示す。
【００２１】次に、磁気抵抗膜成膜後の熱処理温度と磁界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、１２０乃至３６０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気抵抗膜は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y（ｙは、０．２４、０．２８、０．３２又は０．３５）合金により形成されたものである。そして、これらの試料に対し、図３に示す方法により磁界感度を調べた。その結果を、表３及び図５に示す。なお、表３中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００２２】
【表３】
【００２３】この表３及び図５から明らかなように、組成により最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に係る磁気抵抗材料は、１２０乃至３３０℃の温度で熱処理を施すことにより、熱処理しない場合に比して磁界感度が向上する。
【００２４】次に、本発明に係る磁気抵抗材料をＭＲ素子として磁気ヘッドに組み込む場合の構造例について説明する。図４（ａ），（ｂ）は、夫々磁気ヘッドのギャップ内にＭＲ素子を配置したインギャップタイプ（in gap type）及びギャップの外に両側をシールしたＭＲ素子を配置したピギーバックタイプ（piggy back type）の磁気ヘッドを示す模式的断面図である。この種の磁気ヘッドは、絶縁層１３に埋め込まれたコイル１４を下コア１１ａ又は１１ｂ及び上コア１２で挟んで構成されており、インギャップタイプの場合は、下コア１１ａの先端（リーディングポール）と上コア１２の先端（トレーリングポール）との間にピギーバックタイプの場合は、下コア（シールド）１１ｂとシールド１６との間にＭＲ素子１５が配置されている。
【００２５】この磁気ヘッド用のＭＲ素子として、パーマロイ（Ｎｉ0.81Ｆｅ0.19）により形成されたもの及び（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）0.28Ａｇ0.72により形成されたものを用意し、ＭＲ素子の線幅を変化させて、図３の方法により磁界感度を調べた。その結果を、下記表４及び図６に示す。なお、表４中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００２６】
【表４】
【００２７】この表４及び図６から、素子線幅１０μｍ以下の場合は、従来の磁気抵抗材料であるパーマロイよりも、本発明に係る磁気抵抗材料の方が磁界感度が高くなることがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る磁気抵抗材料は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）の原子組成比が所定の範囲の合金により構成されているから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係る磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界検出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図２】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y合金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図３】 磁界感度の測定方法を示す模式図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）は、夫々インギャップタイプ及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面図である。
【図５】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y合金の熱処理温度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図６】 ＭＲ素子の線幅と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…磁気抵抗膜、１０…磁気抵抗部材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗材料に関し、所定の原子比組成のＣｏＦｅＡｇ合金（又は、ＣｏＦｅＡｇＣｕ合金）により構成され、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】外部磁界の変化に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果（ＭＲ効果：Magnetoresistive effect）を示す磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界を検出するためのセンサ等に使用されている。従来、磁気抵抗材料としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）等の合金磁気抵抗材料が使用されている。また、析出型磁気抵抗材料として、Ｃｕ中にＣｏを析出させた析出型磁気抵抗材料、Ａｇ中にＣｏを析出させた析出型磁気抵抗材料及びＡｇ中にＦｅＣｏ合金を析出させた磁気抵抗材料が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した従来の磁気抵抗材料には、以下に示す問題点がある。即ち、パーマロイ等の合金磁気抵抗材料は、飽和磁化が比較的大きいため、センサ又はヘッドとして使用する場合に分解能を向上させるべく磁気抵抗部材の幅（線幅）を小さくすると、反磁界の影響が強くなり、感度が低下してしまう。つまり、図７（ａ），（ｂ）に示すように、長手方向に磁気異方性を付与した磁気抵抗部材１０に対しその長手方向に電流を流し、直角方向の外部磁界Ｈexを検出しようとすると、外部磁界Ｈexによる磁気材料部材１０の磁化Ｍが反磁界Ｈd として作用して外部磁界Ｈexを相対的に弱め、結果的に感度が低下する。一方、析出型磁気抵抗材料の場合は、飽和磁化が小さく反磁界の影響を殆ど受けないため、磁気抵抗部材の線幅を狭くしても感度は殆ど低下しないものの、絶対的な磁界感度が低いため、実用に適していない。
【０００４】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する磁気抵抗材料を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗材料は、その原子比組成が（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y（但し、０．３＜ｘ＜０．８、０．２＜ｙ＜０．３６）で表される合金からなることを特徴とする。
【０００６】なお、母相であるＡｇ中には、Ｃｕがその固溶限（１４原子％）まで固溶していてもよい。
【０００７】
【作用】本願発明者等は、磁界感度（磁気抵抗変化率ＭＲの磁界による微分値）が高い磁気抵抗材料を得るべく、種々実験研究を行った。その結果、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）合金の原子比組成を所定の範囲とすることにより、磁界感度が高い磁気抵抗材料を得ることができるとの知見を得た。本願発明は、このような実験結果に基づいてなされたものである。
【０００８】即ち、本発明に係る磁気抵抗材料は、下記化学式１に示される原子比組成の合金により構成されている。
【０００９】
【化１】（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６。
【００１０】この化学式１におけるｙの値が０．２以下（ｙ≦０．２）の場合又は０．３６以上（ｙ≧０．３６）の場合は、磁界感度（ｄＭＲ／ｄＨ）が０．０１（％／Ｏｅ）未満になる。また、ｘの値が０．３以下（ｘ≦０．３）の場合又は０．８以上（ｘ≧０．８）の場合も、磁界感度を０．０１（％／Ｏｅ）以上とすることが困難である。ＭＲ効果を利用するセンサに使用するためには、磁気抵抗材料の磁界感度が０．０１（％／Ｏｅ）以上であることが必要である。このため、前記化学式１におけるｘの値は０．３＜ｘ＜０．８とし、ｙの値は０．２＜ｙ＜０．３６）とすることが必要である。なお、ｘの値が０．４を超え０．６未満（０．４＜ｘ＜０．６）であると共に、ｙの値が０．２４乃至０．３５（０．２４≦ｙ≦０．３５）である（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金は、磁気抵抗材料の磁界感度が約０．０５（％／Ｏｅ）以上となり、微弱な磁界を検知する磁気ヘッドにも使用することができる。このため、ｘの値は０．４＜ｘ＜０．６、ｙの値は０．２４≦ｙ≦０．３５とすることがより一層好ましい。
【００１１】また、母相であるＡｇ中にＣｕがその固溶限（１４原子％）まで固溶していても、磁界感度は殆ど変化しない。従って、下記化学式２に示す原子比組成の合金であっても、前記化学式１に示す原子比組成の合金と同様の磁界感度を得ることができる。
【００１２】
【化２】
（Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６ｚ≦０．１４。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について、その特許請求の範囲から外れる比較例と比較して説明する。
【００１４】平行平板電極型高周波スパッタリング装置を使用し、Ａｇ又はＡｇＣｕ合金ターゲット上にＦｅＣｏ合金を載置した複合ターゲットを用いて、ガラス基板上に、幅が１ｍｍ、長さが２０ｍｍ、厚さが１０００Åの磁気抵抗膜を形成した。このとき、ターゲット及びＦｅＣｏ合金の組成を種々変化させて、磁気抵抗膜の原子比組成が相互に異なる複数の試料を形成した。なお、成膜条件は、雰囲気ガスがＡｒガス、圧力が０．４Ｐａ、装置出力が３００Ｗ、成膜時間が５分間である。また、成膜時のマスクとしては、ステンレス（ＳＵＳ）製メタルマスクを用いた。
【００１５】次に、これらの試料を、Ａｒガス（流量：２リットル／分）中で２５℃／分の昇温速度で昇温し、２７０℃の温度で１時間保持した後、炉中で室温まで冷却した。
【００１６】これらの試料の磁界感度を、図３に示す４端子法にて測定した。即ち、電流源Ａの電極間距離を１９ｍｍ、電圧測定器Ｖの電極間距離を１１ｍｍとし、電流密度が１００Ａ／ｍｍ2 の電流をガラス基板１上の磁気抵抗膜２に流し、外部磁界Ｈexを−５ｋＯｅ〜５ｋＯｅの範囲で変化させた。外部磁界Ｈexの変化速度は約５ｋＯｅ／分とした。このときの外部磁界Ｈexの変化に対する電圧変化を電圧測定器Ｖで測定し、磁界の変化に対する抵抗の変化率に換算した。なお、磁界は、測定電流に直角であり、且つ、試料の表面に平行な方向に印加した。また、外部磁界Ｈexの強度はガウスメータで測定した。
【００１７】磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を下記表１，２及び図１，２に示す。但し、表１及び図１は（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示し、表２及び図２は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y合金により構成された磁気抵抗膜の原子比組成と磁界感度との関係を示す。また、表１，２中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１及び図１から明らかなように、（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の場合、ｘの値を０．３＜ｘ＜０．８とし、且つ、ｙの値を０．２＜ｙ＜０．３６とすることにより、磁界感度を確実に０．０１０（％／Ｏｅ）以上とすることができる。また、表２及び図２から明らかなように、母相であるＡｇの１４原子％までをＣｕに置換しても、磁界感度は殆ど変化せず、良好な磁界感度を示す。
【００２１】次に、磁気抵抗膜成膜後の熱処理温度と磁界感度との関係を調べた結果について説明する。上述の方法と同様にしてガラス基板上に磁気抵抗膜を形成し、１２０乃至３６０℃の温度で熱処理をした。但し、磁気抵抗膜は（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y（ｙは、０．２４、０．２８、０．３２又は０．３５）合金により形成されたものである。そして、これらの試料に対し、図３に示す方法により磁界感度を調べた。その結果を、表３及び図５に示す。なお、表３中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００２２】
【表３】
【００２３】この表３及び図５から明らかなように、組成により最適な温度範囲が若干異なるものの、本発明に係る磁気抵抗材料は、１２０乃至３３０℃の温度で熱処理を施すことにより、熱処理しない場合に比して磁界感度が向上する。
【００２４】次に、本発明に係る磁気抵抗材料をＭＲ素子として磁気ヘッドに組み込む場合の構造例について説明する。図４（ａ），（ｂ）は、夫々磁気ヘッドのギャップ内にＭＲ素子を配置したインギャップタイプ（in gap type）及びギャップの外に両側をシールしたＭＲ素子を配置したピギーバックタイプ（piggy back type）の磁気ヘッドを示す模式的断面図である。この種の磁気ヘッドは、絶縁層１３に埋め込まれたコイル１４を下コア１１ａ又は１１ｂ及び上コア１２で挟んで構成されており、インギャップタイプの場合は、下コア１１ａの先端（リーディングポール）と上コア１２の先端（トレーリングポール）との間にピギーバックタイプの場合は、下コア（シールド）１１ｂとシールド１６との間にＭＲ素子１５が配置されている。
【００２５】この磁気ヘッド用のＭＲ素子として、パーマロイ（Ｎｉ0.81Ｆｅ0.19）により形成されたもの及び（Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）0.28Ａｇ0.72により形成されたものを用意し、ＭＲ素子の線幅を変化させて、図３の方法により磁界感度を調べた。その結果を、下記表４及び図６に示す。なお、表４中の数値（磁界感度）の単位は、％／Ｏｅである。
【００２６】
【表４】
【００２７】この表４及び図６から、素子線幅１０μｍ以下の場合は、従来の磁気抵抗材料であるパーマロイよりも、本発明に係る磁気抵抗材料の方が磁界感度が高くなることがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る磁気抵抗材料は、Ｃｏ、Ｆｅ及びＡｇ（又は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ及びＣｕ）の原子組成比が所定の範囲の合金により構成されているから、磁界感度が高く、僅かな磁界変化に対し電気抵抗が鋭敏に変化する。このため、本発明に係る磁気抵抗材料は、磁気記録再生装置のヘッド及び磁界検出用センサ等に使用されるＭＲ素子の材料として極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y合金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図２】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y合金の原子比組成と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図３】 磁界感度の測定方法を示す模式図である。
【図４】 （ａ），（ｂ）は、夫々インギャップタイプ及びピギーバックタイプの磁気ヘッドを示す模式的断面図である。
【図５】 （Ｃｏ0.5Ｆｅ0.5）yＡｇ1-y合金の熱処理温度と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【図６】 ＭＲ素子の線幅と磁界感度との関係を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…磁気抵抗膜、１０…磁気抵抗部材、１１ａ、１１ｂ…下コア、１２…上コア、１３…絶縁層、１４…コイル、１５…ＭＲ素子、１６…シールド
【特許請求の範囲】
【請求項１】 その原子比組成が下記（１）式で表される合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。
（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y …（１）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６
【請求項２】 その原子比組成が下記（２）式で表される合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。
（Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６ｚ≦０．１４
【請求項１】 その原子比組成が下記（１）式で表される合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。
（Ｃｏ1-xＦｅx）yＡｇ1-y …（１）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６
【請求項２】 その原子比組成が下記（２）式で表される合金からなることを特徴とする磁気抵抗材料。
（Ｃｏ1-xＦｅx）y（Ａｇ1-zＣｕz）1-y …（２）
但し、０．３＜ｘ＜０．８０．２＜ｙ＜０．３６ｚ≦０．１４
【図１】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開平７−２５４５１０
【公開日】平成７年（１９９５）１０月３日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平５−２１６３４０
【出願日】平成５年（１９９３）８月３１日
【出願人】（０００００４０７５）ヤマハ株式会社 (5,930)
【公開日】平成７年（１９９５）１０月３日
【国際特許分類】
【出願日】平成５年（１９９３）８月３１日
【出願人】（０００００４０７５）ヤマハ株式会社 (5,930)
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