説明

磁気記録媒体

【課題】長期にわたって優れた電磁変換特性および寸法安定性を有するとともに生産適正に優れた磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の面にバックコート層を有する磁気記録媒体。前記磁性層表面に存在する深さ20nm以上の凹みの数は100個/10000μm2以下であり、前記磁性層中のゾル分率は5.0%以下であり、前記支持体は、エンタルピー緩和に基づく吸熱量は0.5以上2.0J/g以下であり、かつガラス転移温度Tgが110℃以上140℃以下である。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は磁気記録媒体に関し、詳しくは、長期にわたって優れた電磁変換特性および寸法安定性を有する磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、磁気テープの分野では、パーソナルコンピュータ、ワークステーション等の普及に伴って、外部記憶媒体としてコンピュータデータを記録するための磁気記録媒体の研究が盛んに行われている。このような用途の磁気記録媒体の実用化に際しては、特にコンピュータの小型化、情報処理能力の増大と相俟って、記録装置の大容量化、小型化を満足するために、記録容量の向上が強く要求される。
【0003】
このため、磁気抵抗(MR)を動作原理とする再生ヘッドが提案され、ハードディスク等で使用され始め、磁気テープへの応用が提案されている。MRヘッドは誘導型磁気ヘッドに比較して数倍の再生出力が得られ、かつ誘導コイルを用いないため、インピーダンスノイズ等の機器ノイズが大幅に低下し、磁気記録媒体のノイズを下げることで大きなS/N比を得ることが可能になってきた。換言すれば従来機器ノイズに隠れていた磁気記録媒体ノイズを小さくすれば良好な記録再生が行うことができ、高密度記録特性を飛躍的に向上できることになる。
【0004】
データバックアップ用テープの分野ではバックアップの対象となるハードディスクの大容量化に伴い、1巻当たり800GB以上の記憶容量のものが商品化されており、今後ハードディスクのさらなる大容量化に対応するためバックアップ用テープの高容量化は不可欠である。バックアップテープ1巻当たりの高容量化のためには、テープ全厚を薄くして1巻当たりのテープ長を長くすること、磁性層厚みを薄くすることで厚み損失を小さくして記録波長を短くすることともに、トラック幅を狭くして幅方向の記録密度を高くする手段がある。
【0005】
より高い記録密度でかつより大きな記録容量を実現するために、磁気記録媒体の記録・再生時のトラック幅は狭くなる傾向にある。さらに、磁気テープの分野では、高密度記録を可能とするために磁気テープの薄手化が進展しており、総厚さ10μm以下の磁気テープも数多く登場している。しかし、磁気記録媒体の厚さが薄くなると、保管時や走行時の温湿度、テンション変化等の影響を受けやすくなる。
【0006】
すなわち、リニア記録方式を採用する磁気記録再生システムの記録・再生時には磁気ヘッドが磁気テープの幅方向に移動し、いずれかのトラックを選択しなければならないが、トラック幅が狭くなるに従い、磁気テープとヘッドとの相対位置を制御するために高い精度が必要になる。上述した様なMRヘッドおよび微粒子磁性体を使用しS/N比を向上させ狭トラック化を実現しても、使用される環境の温湿度やドライブ内テンションの変動により磁気記録媒体が変形し、記録されたトラックを再生ヘッドが読み出せなくなる場合が生じるため媒体の寸度安定性もこれまで以上のものが要求される。このような高密度の磁気記録媒体にあっては、安定な記録再生を維持するためには従来の媒体よりもさらに高度な寸度安定性が要求される。寸法安定性を高める手段として、特許文献1には、非磁性支持体に特定の熱処理を施して、その非晶部(=アモルファス部)に起因するエンタルピー緩和に基づく吸熱量を特定の値以下とすることが提案されている。
【0007】
また、記録密度向上のために記録波長もより短いものになってきている。記録波長記録波長を短くすると、磁性層と磁気ヘッドとの間とのスペーシングの影響が大きくなるので、磁性層表面に凹みがあると、スペーシング損失により、出力ピークの半値幅(PW50)が広くなったり、出力が低下したりしてエラーレートが高くなる。また、トラック幅を狭くして幅方向の記録密度を高くすると磁気記録媒体からの漏れ磁束が小さくなるため、再生ヘッドに微小磁束でも高い出力が得られるMRヘッドを使用する必要がある。例えば特許文献2には、磁性層表面に存在する凹みの数に関して、最小記録bit長の1/3以上の深さが100個/10000μm2以下であってかつ前記磁性層表面の中心平均粗さSRaが1.0〜6.0の範囲であることを特徴とする磁気記録再生システムが提案されている。特許文献2に提案されているように、高密度記録された信号を良好なSNRで再生するために、磁性層の表面性を制御することが求められる。
【特許文献1】特開2007−188613号公報
【特許文献2】特許第3818581号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
しかし本発明者らが上記特許文献1および2に記載の技術について検討を重ねた結果、特許文献1に記載の磁気記録媒体では、必ずしも高密度記録に好適な磁性層表面性を得ることができないこと、特許文献2に記載の磁気記録媒体は生産適正が必ずしも十分ではないことが判明した。
【0009】
そこで本発明の目的は、長期にわたって優れた電磁変換特性および寸法安定性を有するとともに生産適正に優れた磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記目的は、下記手段によって達成された。
[1]非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の面にバックコート層を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層表面に存在する深さ20nm以上の凹みの数は100個/10000μm2以下であり、
前記磁性層中のゾル分率は5.0%以下であり、
前記支持体は、エンタルピー緩和に基づく吸熱量は0.5以上2.0J/g以下であり、かつガラス転移温度Tgが110℃以上140℃以下である磁気記録媒体。
[2]熱収縮率が0.20%以下である[1]に記載の磁気記録媒体。
[3]テープ状磁気記録媒体であり、テープ幅変化率が800ppm以下である[1]または[2]に記載の磁気記録媒体。
[4]再生ヘッドのトラック幅が4.0μm以下のシステムで使用される[1]〜[3]のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、優れた電磁変換特性(例えば、ドロップアウトが少ない)および優れた寸法安定性(例えば、動作環境中でのテープ幅変化や、長期保存によるテープ幅変化が少ない。)を有し、生産適正(工程内での切断が少ない)に優れる磁気記録媒体を得ることができる。更に本発明の磁気記録媒体は、走行耐久性にも優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0012】
本発明は、非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の面にバックコート層を有する磁気記録媒体に関する。本発明の磁気記録媒体は、磁性層表面に存在する深さ20nm以上の凹みの数は100個/10000μm2以下であり、磁性層中のゾル分率は5.0%以下であり、支持体のエンタルピー緩和に基づく吸熱量は0.5以上2.0J/g以下であり、ガラス転移温度Tgは110℃以上140℃以下である。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層表面に存在する深さ20nm以上の凹みの数が100個/10000μm2以下であることにより、ドロップアウトを低減し優れた電磁変換特性を得ることができる。更に、非磁性支持体のエンタルピー緩和に基づく吸熱量が0.5以上2.0J/g以下であることにより、動作環境中や長期保存中の寸法変化を低減することができる。更に、ガラス転移温度Tgが110℃以上140℃以下である非磁性支持体を用いることにより、工程での切断を防ぎ、優れた生産適正を実現することができる。そして磁性層中のゾル分率が5.0%以下であることにより、走行中のヘッド汚れを低減することができる。上記特許文献1に記載の技術では、上記磁気記録媒体を実現することは困難であった。以下に、この点について説明する。
【0013】
特許文献1に記載の技術では、磁性層表面に凹みが多数発生し、これにより電磁変換特性が低下する場合があった。本発明者らの検討の結果、この凹みは、カレンダー処理後にロール状に巻いた磁気記録媒体原反を熱処理することにより、磁性層表面にバックコート層表面の突起が写ることが原因で発生することが明らかとなった。上記熱処理を行わなければ凹み発生を防ぐことはできるが、上記熱処理には磁性層の硬化を進め走行時のヘッド汚れの原因となる未硬化物を低減する効果があるため、良好な走行性を得るためには排除すべきでない。他方、前記熱処理を磁性層表面がバックコート層表面と接触しない状態で行うため、ウェブ状の磁気記録媒体原反に対して熱処理を施すことも考えられるが、これでは磁性層の硬化を十分に進めることは難しい。
そこで本発明者らは鋭意検討を重ね、例えば以下の方法によりロール状で磁性層表面とバックコート層表面が接触した状態で磁性層硬化促進のための熱処理を施しても、磁性層表面の凹み発生を抑制できることを新たに見出した。これにより上記物性を有する本発明の磁気記録媒体を実現することができた。
(1)上記熱処理後、ウェブ状で搬送される磁気記録媒体原反に対し加熱処理を施すか、カレンダー処理により凹みを緩和する。
(2)磁性層表面とバックコート層表面が接触した状態で熱処理を行ってもバックコート層表面の突起が磁性層表面に写らないようにバックコート層を柔軟に設計する。
上記(1)、(2)の詳細は後述する。
以下に、本発明の磁気記録媒体について更に詳細に説明する。
【0014】
I.非磁性支持体
本発明の磁気記録媒体において、非磁性支持体のガラス転移温度Tgは110℃以上140℃以下である。非磁性支持体のガラス転移温度Tgが110℃未満ではヤング率が低いためにテープ幅変化率が高くなり、ガラス転移温度Tgが140℃を超えると工程での切断が多くなり生産性が低下する。非磁性支持体のガラス転移温度Tgは、好ましくは115〜135℃、より好ましくは120〜130℃である。本発明における「ガラス転移温度」は、1Hzで測定した動的粘弾性測定の損失正接(tanδ)の極大値の温度によって測定された値をいうものとし、例えば後述する実施例に示す方法により測定することができる。
【0015】
前記非磁性支持体としては、例えば、二軸延伸を行ったポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンズオキシダゾール等を使用できる。好ましくは、ポリエチレンナフタレート(PEN)や、特開2005−163020号公報に記載してあるようなポリエチレンテレフタレート(PET)を主成分としたポリイミドとのポリマーアロイフィルムが挙げられる。これらの非磁性支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、熱処理等を行ってもよい。また、これらの非磁性支持体の表面に金属補強層などが設けられていてもよい。
【0016】
非磁性支持体を調製する方法は、特に限定されないが、長手方向、幅方向の力学的強度を調整することが好ましい。具体的には上述した樹脂をフィルム状に形成(製膜)する際に、長手方向、幅方向を適度に延伸する方法を用いることが好ましい。本発明で用いる支持体のヤング率は長手方向、横方向ともに4.4〜15GPaであることが好ましく、5.5〜11GPaであることがより好ましい。長手方向、横方向のヤング率はそれぞれ異なっていても良い。未延伸フィルムを二軸延伸し、二軸配向させることにより、長手方向、幅方向の力学的強度を調整することができる。延伸方法としては、逐次二軸延伸法または同時二軸延伸法を用いることができる。最初に長手方向、次に幅方向の延伸を行なう逐次二軸延伸法を用い、長手方向の延伸を3段階以上に分けて、縦延伸温度80℃〜180℃、総縦延伸倍率3.0倍〜6.0倍、縦延伸速度5,000%/分〜50,000%/分の範囲で行う方法が好ましい。幅方向の延伸方法としてはテンターを用いる方法が好ましく、延伸温度はフィルムのガラス転移温度(Tg)〜Tg+100℃、幅方向延伸倍率は場合により縦倍率より大きく3.2倍〜7.0倍、幅方向の延伸速度1,000%/分〜20,000%/分の範囲で行うことが好ましい。さらに必要に応じて、再縦延伸、再横延伸を行っても良い。延伸条件である延伸倍率、延伸温度は、分子配向条件に大きく影響するので、非磁性支持体である二軸配向フィルムを得るためにそれらの条件を適切に選ぶことが好ましい。
【0017】
次に、この二軸配向フィルムを熱処理することが好ましい。この場合の熱処理温度は冷結晶化温度(Tc)+40〜Tc+100℃で、時間は0.5秒〜60秒の範囲が好適である。この熱処理条件によって、また熱処理後常温に戻す際の工程温度条件等により、ガラス転移温度や熱収縮量が変化するので、ここでも二軸配向フィルムを得るためにそれらの条件を適切に選ぶことが好ましい。
【0018】
このようにして得られた二軸配向フィルムに対して熱処理を行い、その熱処理条件を適切なものとすることで、非磁性支持体にエンタルピー緩和を行い、電磁変換特性および走行耐久性に優れる磁気記録媒体を得ることができる。なおこの熱処理は支持体のみの場合に限らず、磁性層形成後などいずれの状態で行ってよい。熱処理の温度は、二軸配向フィルムを構成する材料のガラス転移温度(Tg)よりも1℃〜52℃低い温度とすることができ、好ましくは15℃〜52℃、更に好ましくは20℃〜45℃低い温度である。熱処理の温度が支持体フィルムを構成する材料のガラス転移温度よりも52℃を超えて低いと熱処理時間が長くなり過ぎ、一方、熱処理の温度がガラス転移点よりも高いと、主鎖のミクロブラウン運動が大きくなりすぎることによりエンタルピー緩和が進まない。エンタルピー緩和を促進させるためには処理温度を支持体Tg−1℃に近く高温とするほうがよいが、高温処理を行うとウェブの熱収縮率が高くなることによってウェブの変形故障が増加したり、コアに巻いてロール状態で熱処理したときのコア芯側の面圧が増加して表面性が劣化するため必要なエンタルピー緩和を満たす範囲で適温とすることが好ましい.
【0019】
上記熱処理の具体的な温度は支持体を構成する材料によって異なる。上記熱処理の時間は、例えば1時間〜14日であり、好ましくは5時間〜7日、更に好ましくは10時間〜50時間である。熱処理の時間が1時間未満では、熱処理の効果が安定して発現せず、14日を超えると、それ以下の処理時間と効果は変わらないが、生産効率上好ましくない。尚、この熱処理の後は室温状態まで徐冷するとさらに好ましい。
【0020】
上記熱処理によって、支持体におけるアモルファス部に起因するエンタルピー緩和に基づく吸熱量(以下、エンタルピー緩和量(ΔH)と称する)を0.5J/g以上2.0J/g以下とすることができる。このアモルファス部に起因するエンタルピー緩和は、下記の理由等によって起こるものである。即ち、非磁性支持体を構成する高分子物質等のアモルファス部はガラス転移温度以上で液体状態である。液体状態からこれらの物質を急冷するとガラス転移温度までは、平衡状態を保ちつつエンタルピーが減少する。そして、これらの物質の温度がそのガラス転移温度を下回ると液体状態であったアモルファス部に相変化が生じてその粘性が急激に増大する。そのため、アモルファス部を構成する高分子物質などのセグメントの運動性が減少する。その結果、アモルファス部のエンタルピーの減少が、この冷却の温度降下に追従できず、アモルファス部は非平衡状態のまま変化する。このようにガラス転移温度以下に急冷された高分子物質などは非平衡状態となり、平衡状態に比して過剰なエンタルピーを有していることになる。そして、この過剰エンタルピーを有する物質は、徐々にアモルファス部が非平衡状態から平衡ガラス状態に変化して過剰のエンタルピーを放出する。前記熱処理を行うことで、液体状態から平衡ガラス状態への変化の過程を促進して安定化を早く実現することができる。そして、この状態にある物質を、そのガラス転移温度よりも低い温度から徐々に昇温させていくと、ガラス転移温度においてアモルファス部に起因するエンタルピー緩和に基づく吸熱が起こり、高分子物質などのアモルファス部は平衡ガラス状態から液体状態に相変化する。
【0021】
以上の説明から明らかなように、このエンタルピー緩和は、アモルファス部が非平衡状態から平衡状態に変化することに起因するエンタルピーの減少量、引いては上記熱処理の程度と相関関係があり、熱処理の程度が大きいほどエンタルピー緩和量(ΔH)は大きくなる。エンタルピー緩和量(ΔH)の値が0.5J/gに満たないと、ガラス状態の非平衡度が大きく、非磁性支持体の寸度安定性が磁気記録媒体用の非磁性支持体として用いるには不十分である。また、エンタルピー緩和量(ΔH)が2.0J/gを超えると、延伸により高めた配向度が低下する等の問題が生じる。本発明の磁気記録媒体において、上述の吸熱量(ΔH)の値は、0.5以上2.0J/g以下であり、好ましくは0.6J/g以上1.9J/g以下であり、更に好ましくは0.7J/g以上1.8J/g以下である。
【0022】
また、前記非磁性支持体の磁性層塗布面側の中心面平均粗さ(JISB0660−1998、ISO4287−1997)がカットオフ値0.25mmにおいて、例えば1.8nm以上9nm以下、好ましくは2nm以上8nm以下の範囲である。支持体の両面の粗さは異なっていてもよい。本発明の磁気記録媒体における非磁性支持体の好ましい厚さとしては3μm以上10μm以下である。
【0023】
II.磁性層
<磁性層表面の深さ20nm以上の凹みの数>
本発明の磁気記録媒体において、磁性層表面に存在する深さ20nmの凹みの数は、100個/100002μm以下である。前記凹みの数が100個/10000μm2を超えると、ドロップアウトが増大し良好な電磁変換特性を得ることが困難となる。特にこの現象は狭トラック化された再生ヘッド、例えばトラック幅が4μm以下の再生ヘッドにより磁性層に記録された信号を再生する際に顕在化する。前記凹みの数は、理想的にはゼロであることが最も好ましいが、実用上の下限値は2個/100002μm程度である。前記凹みの数は、好ましくは2〜90個/100002μm、より好ましくは2〜70個/100002μmである。前記凹みの数は、米国デジタルインスツルメンツ社製NanoscopeIIIで磁性層の3次元粗さを測定し、平均面から深さ20nm以上の凹みの個数をカウントして求めた値をいい、測定方法の詳細は後述する実施例を参照できる。ここで、平均面とは測定面内の凹凸の体積が等しくなる面のことである。凹み数の制御方法については前述の通りであり、詳細は後述する。
【0024】
<強磁性金属粉末(強磁性金属微粉末)>
強磁性粉末としては、強磁性金属粉末を使用することができる。強磁性金属粉末は、高密度磁気記録特性に優れていることが知られており、強磁性金属粉末を使用することにより優れた電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることができる。本発明の磁気記録媒体の磁性層に使用される強磁性金属粉末の平均長の軸長(以下、平均長軸長と称する)は、例えば20nm以上60nm以下であるが、25nm以上50nm以下であることが好ましく、30nm以上45nm以下であることがさらに好ましい。強磁性金属粉末の平均長軸長が20nm以上であれば、熱揺らぎにより磁気特性の低下を有効に抑えることができる。また、平均長軸長が60nm以下であれば、低ノイズを維持したまま良好なS/Nを得ることができる。
【0025】
強磁性金属粉末の平均長の軸径(=平均長軸長)は、透過型電子顕微鏡写真で強磁性金属粉末を撮影し、その写真から強磁性金属粉末の短軸径と長軸径とを直接読みとる方法と画像解析装置カールツァイス製IBASSIで透過型電子顕微鏡写真トレースして読みとる方法を併用して得られる値の平均から求めることができる。
【0026】
本発明の磁気記録媒体における磁性層に用いられる強磁性金属粉末としては、Feを主成分とするものであれば、特に限定されないが、α−Feを主成分とする強磁性合金粉末が好ましい。これらの強磁性粉末には所定の原子以外にAl、Si、S、Sc、Ca、Ti、V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Co、Mn、Zn、Ni、Sr、B等の原子を含んでもかまわない。Al、Si、Ca、Y、Ba、La、Nd、Co、Ni、Bの少なくとも1つがα−Fe以外に含まれるものが好ましく、特に、Co,Al,Yが含まれるものが好ましい。さらに具体的には、CoがFeに対して10原子%〜40原子%、Alが2原子%〜20原子%、Yが1原子%〜15原子%含まれるものが好ましい。
【0027】
上記強磁性金属粉末には後述する分散剤、潤滑剤、界面活性剤、帯電防止剤等で分散前にあらかじめ処理を行ってもかまわない。また、強磁性金属粉末は、少量の水、水酸化物または酸化物を含むものであってもよい。強磁性金属粉末の含水率は0.01〜2%とすることが好ましい。結合剤の種類によって強磁性金属粉末の含水率は最適化するのが好ましい。強磁性金属粉末のpHは、用いる結合剤との組合せにより最適化することが好ましい。その範囲は通常、6〜12であるが、好ましくは7〜11である。また強磁性粉末には可溶性のNa、Ca、Fe、Ni、Sr、NH4、SO4、Cl、NO2、NO3等の無機イオンを含む場合がある。これらは、本質的に無い方が好ましい。各イオンの総和が300ppm以下程度であれば、特性には影響しない。また、本発明に用いられる強磁性粉末は空孔が少ないほうが好ましくその値は20容量%以下、さらに好ましくは5容量%以下である。
【0028】
強磁性金属粉末の結晶子サイズは、例えば8nm以上20nm以下であるが、10nm以上18nm以下であることが好ましく、12nm以上16nm以下であることがさらに好ましい。この結晶子サイズは、X線回折装置(理学電機製 RINT2000シリーズ)を使用し、線源CuKα1、管電圧50kV、管電流300mAの条件で回折ピークの半値幅からScherrer法により求めた平均値である。
【0029】
強磁性金属粉末のBET法による比表面積(SBET)は、30m2/g以上50m2/g未満が好ましく、38m2/g以上48m2/g以下であることがさらに好ましい。この範囲であれば良好な表面性と低いノイズの両立が可能となる。強磁性金属粉末のpHは、用いる結合剤との組合せにより最適化することが好ましい。その範囲は、例えば4〜12であるが、好ましくは7〜10である。強磁性金属粉末は必要に応じ、Al、Si、Pまたはこれらの酸化物等で表面処理を施してもかまわない。その量は強磁性金属粉末に対し0.1%〜10%であり表面処理を施すと脂肪酸等の潤滑剤の吸着が100mg/m2以下になり好ましい。強磁性粉末には可溶性のNa、Ca、Fe、Ni、Sr等の無機イオンを含む場合があるが200ppm以下であれば特に特性に影響を与えることは少ない。また、本発明に用いられる強磁性金属粉末は、空孔が少ないほうが好ましく、その値は20容量%以下、さらに好ましくは5容量%以下である。
【0030】
また強磁性金属粉末の形状については、先に示した粒子サイズについての特性を満足すれば針状、粒状、米粒状または板状いずれでもかまわないが、特に針状の強磁性粉末を使用することが好ましい。針状強磁性金属粉末の場合、針状比は4〜12が好ましく、さらに好ましくは5〜12である。強磁性金属粉末のHcは、好ましくは159.2kA/m〜238.8kA/mであり、さらに好ましくは167.2kA/m〜230.8kA/mである。また、飽和磁束密度は、好ましくは150T・m〜300T・mであり、さらに好ましくは160T・m〜290T・mである。またσsは、好ましくは140A・m2/kg〜170A・m2/kgであり、さらに好ましくは145A・m2/kg〜160A・m2/kgである。
【0031】
磁性体自体のSFD(switching field distribution)は小さい方が好ましく、0.8以下であることが好ましい。SFDが0.8以下であると、電磁変換特性が良好で、出力が高く、また磁化反転がシャープでピークシフトが小さくなり、高密度デジタル磁気記録に好適である。Hc分布を小さくするためには、強磁性金属粉末においてはゲータイトの粒度分布を良くする、単分散α−Fe23を使用する、粒子間の焼結を防止する等の方法がある。
【0032】
強磁性金属粉末は、公知の製造方法により得られたものを用いることができ、下記の方法を挙げることができる。焼結防止処理を行った含水酸化鉄、酸化鉄を水素等の還元性気体で還元してFeまたはFe−Co粒子等を得る方法、複合有機酸塩(主としてシュウ酸塩)と水素等の還元性気体で還元する方法、金属カルボニル化合物を熱分解する方法、強磁性金属の水溶液に水素化ホウ素ナトリウム、次亜リン酸塩あるいはヒドラジン等の還元剤を添加して還元する方法、金属を低圧の不活性気体中で蒸発させて微粉末を得る方法等である。このようにして得られた強磁性金属粉末は公知の徐酸化処理する。含水酸化鉄、酸化鉄を水素等の還元性気体で還元し、酸素含有ガスと不活性ガスの分圧、温度、時間を制御して表面に酸化皮膜を形成する方法が、減磁量が少なく好ましい。
【0033】
<強磁性六方晶フェライト粉末>
強磁性粉末としては、強磁性六方晶フェライト粉末を使用することもできる。強磁性六方晶フェライト粉末は、六角状のマグネトプランバイト構造を有し、極めて大きな一軸結晶磁気異方性をもつと共に非常に高い抗磁力(Hc)を有する。このため、強磁性六方晶フェライト粉末を使用した磁気記録媒体は、化学安定性、耐蝕性および耐摩擦性に優れ、かつ、高密度化に伴う磁気スペースシングの減少が可能となり、薄膜化の実現、高C/Nおよび分解能を可能とする。強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径は5nm以上40nm以下であることが好ましく、より好ましくは10nm以上38nm以下であり、最も好ましくは15nm以上36nm以下である。
【0034】
一般にトラック密度を上げ、かつ、磁気抵抗ヘッドで再生する場合には、低ノイズにする必要があると共に、強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径も小さくする必要がある。また磁気スペーシングを減少させる観点からも六方晶フェライトの平均板径はできるだけ小さい方が好ましい。しかし、強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径が小さすぎると熱揺らぎにより磁化が不安定になる。このため、本発明の磁気記録媒体の磁性層に使用する強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径は5nm以上であることが好ましい。平均板径が5nm以上であれば、熱揺らぎによる影響も少なく、安定した磁化を得ることができる。一方、強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径は40nm以下であることが好ましい。平均板径が40nm以下であれば、ノイズの増大による電磁変換特性の低下を抑えることができ、特に磁気抵抗(MR)ヘッドで再現する場合に好適である。強磁性六方晶フェライト粉末の平均板径は、透過型電子顕微鏡写真で強磁性六方晶フェライト粉末を撮影し、その写真から強磁性六方晶フェライト粉末の板径を直接読みとる方法と、画像解析装置カールツァイス製IBASSIで透過型電子顕微鏡写真をトレースして読みとる方法とを併用して測定した値の平均値から求めることができる。
【0035】
磁性層に含まれる強磁性六方晶フェライト粉末には、例えば、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライト、鉛フェライト、カルシウムフェライトの各置換体、Co置換体等がある。より具体的には、マグネトプランバイト型のバリウムフェライトおよびストロンチウムフェライト、スピネルで粒子表面を被覆したマグネトプランバイト型フェライト、さらに一部にスピネル相を含有したマグネトプランバイト型のバリウムフェライトおよびストロンチウムフェライト等が挙げられる。その他、所定の原子以外にAl、Si、S,Sc、Ti、V、Cr、Cu、Y、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、Ba、Ta、W、Re、Au、Hg、Pb、Bi、La、Ce、Pr、Nd、P、Co、Mn、Zn、Ni、Sr、B、Ge、Nb等の原子を含んでもかまわない。一般には、Co−Zn、Co−Ti、Co−Ti−Zr、Co−Ti−Zn、Ni−Ti−Zn、Nb−Zn−Co、Sb−Zn−Co、Nb−Zn等の元素を添加した物を使用できる。また原料・製法によっては特有の不純物を含有するものもある。
【0036】
強磁性六方晶フェライト粉末の粒子サイズは、平均板径が、好ましくは5nm〜40nm、より好ましくは10nm〜38nm、更に好ましくは15nm〜36nmである。また平均板厚は、例えば1nm〜30nm、好ましくは2nm〜25nm、より好ましくは3nm〜20nmである。板状比(板径/板厚)は、例えば1〜15であり、さらに1〜7であることが好ましい。板状比が1〜15であれば、磁性層で高充填性を保持しながら充分な配向性が得られ、かつ、粒子間のスタッキングによりノイズ増大を抑えることができる。また、上記粒子サイズの範囲内におけるBET法による比表面積は10〜200m2/gである。この比表面積は、概ね粒子板径と板厚からの計算値と符号する。
【0037】
強磁性六方晶フェライト粉末の粒子板径・板厚の分布は、通常狭いほど好ましい。粒子板径・板厚を数値化することは困難であるが、粒子TEM写真より500粒子を無作為に測定することで比較できる。粒子板径・板厚の分布は正規分布ではない場合が多いが、計算して平均サイズに対する標準偏差で表すと、例えばσ/平均サイズ=0.1〜2.0である。粒子サイズ分布をシャープにするには、粒子生成反応系をできるだけ均一にすると共に、生成した粒子に分布改良処理を施すことも行われている。例えば、酸溶液中で超微細粒子を選別的に溶解する方法等も知られている。
【0038】
六方晶フェライト粒子のHcは、159.2kA/m〜238.8kA/mの範囲とすることができるが、好ましくは175.1kA/m〜222.9kA/mであり、さらに好ましくは183.1kA/m〜214.9kA/mである。但し、ヘッドの飽和磁化(σs)が1.4Tを越える場合には159.2kA/m以下にすることが好ましい。Hcは、粒子サイズ(板径・板厚)、含有元素の種類と量、元素の置換サイト、粒子生成反応条件等により制御できる。
【0039】
六方晶フェライト粒子のσsは、好ましくは40〜80A・m2/kgである。σsは高い方が好ましいが、微粒子になるほど小さくなる傾向がある。σsの改良のため、マグネトプランバイトフェライトにスピネルフェライトを複合することや、含有元素の種類と添加量の選択等がよく知られている。またW型六方晶フェライトを用いることも可能である。磁性体を分散する際に磁性体粒子表面を分散媒、ポリマーに合った物質で処理することも行われている。表面処理剤としては、無機化合物および有機化合物が使用される。主な化合物としてはSi、Al、P等の酸化物または水酸化物、各種シランカップリング剤、各種チタンカップリング剤が代表例である。添加量は磁性体の質量に対して、例えば0.1質量%〜10質量%である。磁性体のpHも分散に重要である。通常4〜12程度で分散媒、ポリマーにより最適値があるが、媒体の化学的安定性、保存性から6〜11程度が選択される。磁性体に含まれる水も分散に影響する。分散媒、ポリマーにより最適値があるが、磁性体の質量に対して通常0.01%〜2.0%が選ばれる。
【0040】
強磁性六方晶フェライト粉末の製法としては、酸化バリウム・酸化鉄・鉄を置換する金属酸化物とガラス形成物質として酸化ホウ素等を所望のフェライト組成になるように混合した後溶融し、急冷して非晶質体とし、次いで再加熱処理した後、洗浄・粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得ガラス結晶化法。バリウムフェライト組成金属塩溶液をアルカリで中和し、副生成物を除去した後100℃以上で液相加熱した後洗浄・乾燥・粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得る水熱反応法。バリウムフェライト組成金属塩溶液をアルカリで中和し、副生成物を除去した後乾燥し1100℃以下で処理し、粉砕してバリウムフェライト結晶粉体を得る共沈法等があるが、本発明は製法を選ばない。強磁性六方晶フェライト粉末は、必要に応じ、Al、Si、Pまたはこれらの酸化物等で表面処理を施してもかまわない。その量は強磁性粉末に対し0.1%〜10%であり表面処理を施すと脂肪酸等の潤滑剤の吸着が100mg/m2以下になり好ましい。強磁性粉末には可溶性のNa、Ca、Fe、Ni、Sr等の無機イオンを含む場合がある。これらは、本質的に無い方が好ましいが、200ppm以下であれば特に特性に影響を与えることは少ない。
【0041】
III.非磁性粉体
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と磁性層との間に、結合剤および非磁性粉末を含む非磁性層を有することができる。非磁性層に使用できる非磁性粉体は、無機物質でも有機物質でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機物質としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等が挙げられる。
【0042】
具体的には二酸化チタン等のチタン酸化物、酸化セリウム、酸化スズ、酸化タングステン、ZnO、ZrO2、SiO2、Cr23、α化率90〜100%のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、α−酸化鉄、ゲータイト、コランダム、窒化珪素、チタンカーバイト、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、2硫化モリブデン、酸化銅、MgCO3、CaCO3、BaCO3、SrCO3、BaSO4、炭化珪素、炭化チタン等を単独または2種類以上組み合わせて使用することができる。好ましいものはα−酸化鉄、酸化チタンである。
【0043】
非磁性粉体の形状は、針状、球状、多面体状、板状のいずれでもあってもよい。非磁性粉末の結晶子サイズ は、4nm〜1μmが好ましく、40nm〜100nmがさらに好ましい。結晶子サイズが4nm〜1μmの範囲であれば、分散が困難になることもなく、また好適な表面粗さを有するため好ましい。これら非磁性粉末の平均粒径は、5nm〜2μmが好ましいが、必要に応じて平均粒径の異なる非磁性粉末を組み合わせたり、単独の非磁性粉末でも粒径分布を広くしたりして同様の効果をもたせることもできる。とりわけ好ましい非磁性粉末の平均粒径は、10nm〜200nmである。5nm〜2μmの範囲であれば、分散も良好で、かつ好適な表面粗さを有するため好ましい。
【0044】
非磁性粉末の比表面積は、例えば1m2/g〜100m2/gであり、好ましくは5m2/g〜70m2/gであり、さらに好ましくは10m2/g〜65m2/gである。比表面積が1m2/g〜100m2/gの範囲内にあれば、好適な表面粗さを有し、かつ、所望の結合剤量で分散できるため好ましい。ジブチルフタレート(DBP)を用いた吸油量は、例えば5mL/100g〜100mL/100g、好ましくは10mL/100g〜80mL/100g、さらに好ましくは20mL/100g〜60mL/100gである。比重は、例えば1〜12、好ましくは3〜6である。タップ密度は、例えば0.05g/mL〜2g/mL、好ましくは0.2g/mL〜1.5g/mLである。タップ密度が0.05g/mL〜2g/mLの範囲であれば、飛散する粒子が少なく操作が容易であり、また装置にも固着しにくくなる傾向がある。非磁性粉末のpHは2〜11であることが好ましいが、pHは6〜9の間が特に好ましい。pHが2〜11の範囲にあれば、高温、高湿下または脂肪酸の遊離により摩擦係数が大きくなることはない。非磁性粉末の含水率は、例えば0.1質量%〜5質量%、好ましくは0.2質量%〜3質量%、さらに好ましくは0.3質量%〜1.5質量%である。含水量が0.1質量%〜5質量%の範囲であれば、分散も良好で、分散後の塗料粘度も安定するため好ましい。強熱減量は、20質量%以下であることが好ましく、強熱減量が小さいものが好ましい。
【0045】
また、非磁性粉体が無機粉体である場合には、モース硬度は4〜10のものが好ましい。モース硬度が4〜10の範囲であれば耐久性を確保することができる。非磁性粉体のステアリン酸吸着量は、好ましくは1μmol/m2〜20μmol/m2であり、さらに好ましくは2μmol/m2〜15μmol/m2である。非磁性粉体の25℃での水への湿潤熱は、200erg/cm2〜600erg/cm2の範囲にあることが好ましい。また、この湿潤熱の範囲にある溶媒を使用することができる。100℃〜400℃での表面の水分子の量は1個/100Å〜10個/100Åが適当である。水中での等電点のpHは、3〜9の間にあることが好ましい。これらの非磁性粉末の表面にはAl23、SiO2、TiO2、ZrO2、SnO2、Sb23、ZnOで表面処理することが好ましい。特に分散性に好ましいものはAl23、SiO2、TiO2、ZrO2であるが、さらに好ましいものはAl23、SiO2、ZrO2である。これらは組み合わせて使用してもよいし、単独で用いることもできる。また、目的に応じて共沈させた表面処理層を用いてもよいし、先ずアルミナで処理した後にその表層をシリカで処理する方法、またはその逆の方法を採ることもできる。また、表面処理層は目的に応じて多孔質層にしても構わないが、均質で密である方が一般には好ましい。
【0046】
非磁性層に用いられる非磁性粉末の具体的な例としては、例えば、昭和電工製ナノタイト、住友化学製HIT−100、ZA−G1、戸田工業製DPN−250、DPN−250BX、DPN−245、DPN−270BX、DPB−550BX、DPN−550RX 石原産業製酸化チタンTTO−51B、TTO−55A、TTO−55B、TTO−55C、TTO−55S、TTO−55D、SN−100、MJ−7、α−酸化鉄E270、E271、E300、チタン工業製STT−4D、STT−30D、STT−30、STT−65C、テイカ製MT−100S、MT−100T、MT−150W、MT−500B、T−600B、T−100F、T−500HD、堺化学製FINEX−25、BF−1、BF−10、BF−20、ST−M、同和鉱業製DEFIC−Y、DEFIC−R、日本アエロジル製AS2BM、TiO2P25、宇部興産製100A、500A、チタン工業製Y−LOPおよびそれを焼成したものが挙げられる。特に好ましい非磁性粉体は二酸化チタンとα−酸化鉄である。
【0047】
また非磁性層には目的に応じて有機質粉末を添加することもできる。このような有機質粉末としては、例えば、アクリルスチレン系樹脂粉末、ベンゾグアナミン樹脂粉末、メラミン系樹脂粉末、フタロシアニン系顔料が挙げられるが、ポリオレフィン系樹脂粉末、ポリエステル系樹脂粉末、ポリアミド系樹脂粉末、ポリイミド系樹脂粉末、ポリフッ化エチレン樹脂も使用することができる。
【0048】
IV.結合剤
磁性層には、従来公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂やこれらの混合物を結合剤として使用することができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、ビニルアルコール、マレイン酸、アクリル酸、アクリル酸エステル、塩化ビニリデン、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、スチレン、ブタジエン、エチレン、ビニルブチラール、ビニルアセタール、ビニルエーテル等を構成単位として含む重合体または共重合体、ポリウレタン樹脂、各種ゴム系樹脂を挙げることができる。
【0049】
また、熱硬化性樹脂または反応型樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル系反応樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアネートの混合物、ポリウレタンとポリイソシアネートの混合物等を挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および反応型樹脂については、いずれも朝倉書店発行の「プラスチックハンドブック」に詳細に記載されている。
【0050】
また、電子線硬化型樹脂を磁性層に使用すると、塗膜強度が向上し耐久性が改善されるだけでなく、表面が平滑化され電磁変換特性もさらに向上する。
【0051】
以上の樹脂は単独またはこれらを組み合わせた態様で使用することができる。中でもポリウレタン樹脂を使用することが好ましく、さらには水素化ビスフェノールA、水素化ビスフェノールAのポリプロピレンオキサイド付加物等の環状構造体と、アルキレンオキサイド鎖を有する分子量500〜5000のポリオールと、鎖延長剤として環状構造を有する分子量200〜500のポリオールと、有機ジイソシアネートとを反応させ、かつ親水性極性基を導入したポリウレタン樹脂、またはコハク酸、アジピン酸、セバシン酸等の脂肪族二塩基酸と、2,2−ジメチル−1,3−プロパンジオール、2−エチル−2−ブチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール等のアルキル分岐側鎖を有する環状構造を持たない脂肪族ジオールからなるポリエステルポリオールと、鎖延長剤として2−エチル−2−ブチル−1,3−プロパンジオール、2,2−ジエチル−1,3−プロパンジオール等の炭素数が3以上の分岐アルキル側鎖をもつ脂肪族ジオールと、有機ジイソシアネート化合物とを反応させ、かつ親水性極性基を導入したポリウレタン樹脂、またはダイマージオール等の環状構造体と、長鎖アルキル鎖を有するポリオール化合物と、有機ジイソシアネートとを反応させ、かつ親水性極性基を導入したポリウレタン樹脂を使用することが好ましい。
【0052】
本発明で使用される極性基含有ポリウレタン樹脂の平均分子量は、5000〜100000であることが好ましく、さらには10000〜50000であることが好ましい。平均分子量が5000以上であれば、得られる磁性塗膜が脆い等といった物理的強度の低下もなく、磁気記録媒体の耐久性に影響を与えることはないため好ましい。また、分子量が100000以下であれば、溶剤への溶解性が低下することもないため、分散性も良好である。また、所定濃度における塗料粘度も高くなることはないので、作業性が良好で取り扱いも容易となる。
【0053】
上記ポリウレタン樹脂に含まれる極性基としては、例えば、−COOM、−SO3M、−OSO3M、−P=O(OM)2、−O−P=O(OM)2(Mは水素原子またはアルカリ金属塩基)、−OH、−NR2、−N+R3(Rは炭化水素基)、エポキシ基、−SH、−CN等が挙げられ、これらの極性基の少なくとも1つ以上を共重合または付加反応で導入したものを用いることができる。また、この極性基含有ポリウレタン樹脂がOH基を有する場合、分岐OH基を有することが硬化性、耐久性の面から好ましく、1分子当たり2個〜40個の分岐OH基を有することが好ましく、1分子当たり3個〜20個有することがさらに好ましい。また、このような極性基の量は、例えば10-1モル/g〜10-8モル/gであり、好ましくは10-2モル/g〜10-6モル/gである。
【0054】
結合剤の具体例としては、例えば、ユニオンカーバイト製VAGH、VYHH、VMCH、VAGF、VAGD、VROH、VYES、VYNC、VMCC、XYHL、XYSG、PKHH、PKHJ、PKHC、PKFE、日信化学工業製MPR−TA、MPR−TA5、MPR−TAL、MPR−TSN、MPR−TMF、MPR−TS、MPR−TM、MPR−TAO、電気化学製1000W、DX80、DX81、DX82、DX83、100FD、日本ゼオン製MR−104、MR−105、MR110、MR100、MR555、400X−110A、日本ポリウレタン製ニッポランN2301、N2302、N2304、大日本インキ製パンデックスT−5105、T−R3080、T−5201、バーノックD−400、D−210−80、クリスボン6109、7209、東洋紡製バイロンUR8200、UR8300、UR8700、RV530、RV280、大日精化製ダイフェラミン4020、5020、5100、5300、9020、9022、7020、三菱化成製MX5004、三洋化成製サンプレンSP−150、旭化成製サランF310、F210等を挙げることができる。
【0055】
磁性層に用いられる結合剤の添加量は、強磁性粉末(強磁性金属粉末または強磁性六方晶フェライト粉末)の質量に対して、例えば5質量%〜50質量%の範囲、好ましくは10質量%〜30質量%の範囲である。ポリウレタン樹脂合を用いる場合は2質量%〜20質量%、ポリイソシアネートは2質量%〜20質量%の範囲でこれらを組み合わせて用いることが好ましいが、例えば、微量の脱塩素によりヘッド腐食が起こる場合には、ポリウレタンのみまたはポリウレタンとイソシアネートのみを使用することも可能である。その他の樹脂として塩化ビニル系樹脂を用いる場合には5質量%〜30質量%の範囲であることが好ましい。本発明において、ポリウレタンを用いる場合はガラス転移温度が−50℃〜150℃、好ましくは0℃〜100℃、破断伸びが100%〜2000%、破断応力は0.49MPa〜98MPa、降伏点は0.49MPa〜98MPaが好ましい。
【0056】
本発明の磁気記録媒体は、好ましくは非磁性層および少なくとも一層の磁性層とからなる。したがって、結合剤量、結合剤中に占める塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート、あるいはそれ以外の樹脂量、磁性層を形成する各樹脂の分子量、極性基量、あるいは先に述べた樹脂の物理特性等を必要に応じ非磁性層、各磁性層とで変えることはもちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきであり、多層磁性層に関する公知技術を適用できる。例えば、各層で結合剤量を変更する場合、磁性層表面の擦傷を減らすためには磁性層の結合剤量を増量することが有効であり、ヘッドに対するヘッドタッチを良好にするためには、非磁性層の結合剤量を多くして柔軟性を持たせることができる。
【0057】
本発明で使用可能なポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート、4−4’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−1,5−ジイソシアネート、o−トルイジンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート等を挙げることができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品名としては、日本ポリウレタン製コロネートL、コロネートHL、コロネート2030、コロネート2031、ミリオネートMRミリオネートMTL、武田薬品製タケネートD−102、タケネートD−110N、タケネートD−200、タケネートD−202、住友バイエル製デスモジュールL,デスモジュールIL、デスモジュールNデスモジュールHL等がありこれらを単独または硬化反応性の差を利用して二つもしくはそれ以上の組み合わせで各層とも用いることができる。
【0058】
V.その他添加剤
磁性層および非磁性層には、必要に応じて添加剤を加えることができる。添加剤としては、研磨剤、潤滑剤、分散剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤、溶剤、カーボンブラック等を挙げることができる。
【0059】
これら添加剤としては、例えば、二硫化モリブデン、二硫化タングステン、グラファイト、窒化ホウ素、フッ化黒鉛、シリコーンオイル、極性基を持つシリコーン、脂肪酸変性シリコーン、フッ素含有シリコーン、フッ素含有アルコール、フッ素含有エステル、ポリオレフィン、ポリグリコール、ポリフェニルエーテル、フェニルホスホン酸等の芳香族環含有有機ホスホン酸およびそのアルカリ金属塩、オクチルホスホン酸等のアルキルホスホン酸およびそのアルカリ金属塩、リン酸フェニル等の芳香族リン酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、リン酸オクチル等のリン酸アルキルエステルおよびそのアルカリ金属塩、アルキルスルホン酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、フッ素含有アルキル硫酸エステルおよびそのアルカリ金属塩、ラウリン酸等の炭素数10〜24の不飽和結合を含んでも分岐していても良い一塩基性脂肪酸およびこれらの金属塩、またはステアリン酸ブチル等の炭素数10〜24の不飽和結合を含んでも分岐していてもよく、一塩基性脂肪酸と炭素数2〜22の不飽和結合を含んでも分岐していてもよく、1価〜6価アルコール、炭素数12〜22の不飽和結合を含んでも分岐していてもよく、またアルコキシアルコールまたはアルキレンオキサイド重合物のモノアルキルエーテルのいずれか一つとからなるモノ脂肪酸エステル、ジ脂肪酸エステルまたは多価脂肪酸エステル、炭素数2〜22の脂肪酸アミド、炭素数8〜22の脂肪族アミン等が使用できる。また、上記炭化水素基以外にもニトロ基およびF、Cl、Br、CF3、CCl3、CBr3等の含ハロゲン炭化水素等炭化水素基以外の基が置換したアルキル基、アリール基、アラルキル基を持つものでもよい。また、アルキレンオキサイド系、グリセリン系、グリシドール系、アルキルフエノールエチレンオキサイド付加体等のノニオン界面活性剤、環状アミン、エステルアミド、第四級アンモニウム塩類、ヒダントイン誘導体、複素環類、ホスホニウムまたはスルホニウム類等のカチオン系界面活性剤、カルボン酸、スルホン酸、硫酸エステル基等の酸性基を含むアニオン界面活性剤、アミノ酸類、アミノスルホン酸類、アミノアルコールの硫酸またはリン酸エステル類、アルキルベタイン型等の両性界面活性剤等も使用できる。
【0060】
これらの界面活性剤については、「界面活性剤便覧」(産業図書株式会社発行)に詳細に記載されている。これら添加剤は必ずしも純粋ではなく主成分以外に異性体、未反応物、副反応物、分解物、酸化物等の不純分が含まれても構わない。これらの不純分は30質量%以下が好ましく、さらに好ましくは10質量%以下である。これらの添加物の具体例としては、例えば、日本油脂製:NAA−102、ヒマシ油硬化脂肪酸、NAA−42、カチオンSA、ナイミーンL−201、ノニオンE−208、アノンBF、アノンLG、竹本油脂製:FAL−205、FAL−123、新日本理化製:エヌジエルブOL、信越化学製:TA−3、ライオンアーマー製:アーマイドP、ライオン製:デュオミンTDO、日清製油製:BA−41G、三洋化成製:プロフアン2012E、ニューポールPE61、イオネットMS−400等が挙げられる。
【0061】
また、磁性層および非磁性層には、カーボンブラックを混合し表面電気抵抗を下げると共に、所望のマイクロビッカース硬度を得ることができる。本発明の磁性層および非磁性層のマイクロビッカース硬度は、通常25kg/mm2〜60kg/mm2、好ましくはヘッド当りを調整するために、30kg/mm2〜50kg/mm2であり、薄膜硬度計(日本電気製HMA−400)を用いて、稜角80度、先端半径0.1μmのダイヤモンド製三角錐針を圧子先端に用いて測定することができる。磁性層および非磁性層で使用可能なカーボンブラックとしては、ゴム用ファーネス、ゴム用サーマル、カラー用ブラック、アセチレンブラック等を挙げることができる。
【0062】
カーボンブラックの比表面積は5m2/g〜500m2/g、DBP吸油量は10mL/100g〜400mL/100g、粒子径は5nm〜300nm、pHは2〜10、含水率は0.1%〜10%、タップ密度は0.1g/mL〜1g/mLが好ましい。非磁性層に用いることができるカーボンブラックの具体的な例としては、キャボット製BLACKPEARLS 2000、1300、1000、900、905、800、700、VULCAN XC−72、旭カーボン製#80、#60、#55、#50、#35、三菱化成工業製#3050B、#3150B、#3250B、#3750B、#3950B、#2400B、#2300、#1000、#970B、#950、#900、#850B、#650B、#30、#40、#10B、MA−600、コロンビアカーボン製CONDUCTEX SC、RAVEN8800、8000、7000、5750、5250、3500、2100、2000、1800、1500、1255、1250、150、50、40、15、RAVEN−MT−P、アクゾー製ケッチェンブラックEC等が挙げられる。
【0063】
カーボンブラックを分散剤等で表面処理したり、樹脂でグラフト化して使用しても、表面の一部をグラファイト化したものを使用したりしてもかまわない。また、カーボンブラックを磁性塗料に添加する前にあらかじめ結合剤で分散してもかまわない。これらのカーボンブラックは単独または組み合わせで使用することができる。カーボンブラックを使用する場合、磁性体の質量に対して0.1質量%〜30質量%で用いることが好ましい。カーボンブラックは磁性層の帯電防止、摩擦係数低減、遮光性付与、膜強度向上等の働きがあり、これらは用いるカーボンブラックにより異なる。したがって本発明で使用されるこれらのカーボンブラックは、磁性層および非磁性層でその種類、量、組合わせを変え、粒子サイズ、吸油量、電導度、pH等の先に示した諸特性を基に目的に応じて使い分けることはもちろん可能であり、むしろ各層で最適化すべきものである。本発明の磁性層で使用できるカーボンブラックは、例えば「カーボンブラック便覧」カーボンブラック協会編、を参考にすることができる。
【0064】
本発明で用いられる有機溶剤としては、公知のものが使用できる。本発明で用いられる有機溶媒は、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン、等のケトン類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコール等のエステル類、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素類、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサン等を使用することができる。これら有機溶媒は必ずしも100%純粋ではなく、主成分以外に異性体、未反応物、副反応物、分解物、酸化物、水分等の不純分が含まれてもかまわない。これらの不純分は30%以下が好ましく、さらに好ましくは10%以下である。本発明で用いる有機溶媒は磁性層と非磁性層でその種類は同じであることが好ましい。その添加量は変えてもかまわない。非磁性層に表面張力の高い溶媒(シクロヘキサノン、ジオキサン等)を用い塗布の安定性を上げる、具体的には上層溶剤組成の算術平均値が非磁性層溶剤組成の算術平均値を下回らないことが肝要である。分散性を向上させるためにはある程度極性が強い方が好ましく、溶剤組成の内、誘電率が15以上の溶剤が50%以上含まれることが好ましい。また、溶解パラメータは8〜11であることが好ましい。
【0065】
本発明で使用されるこれらの分散剤、潤滑剤、界面活性剤は、磁性層および/もしくは非磁性層でその種類、量を必要に応じて使い分けることができる。例えば、無論ここに示した例のみに限られるものではないが、分散剤は極性基で吸着または結合する性質を有しており、磁性層では主に強磁性粉末の表面に、また非磁性層では主に非磁性粉末の表面に前記の極性基で吸着または結合し、一度吸着した有機リン化合物は、金属または金属化合物等の表面から脱着し難いと推察される。したがって、本発明の強磁性粉末(強磁性金属粉末および強磁性六方晶フェライト粉末)表面または非磁性粉末表面は、アルキル基、芳香族基等で被覆されたような状態になるので、該強磁性粉末または非磁性粉末の結合剤樹脂成分に対する親和性が向上し、さらに強磁性粉末あるいは非磁性粉末の分散安定性も改善される。また、潤滑剤としては遊離の状態で存在するため非磁性層、磁性層で融点の異なる脂肪酸を用い、表面へのにじみ出しを制御する、沸点や極性の異なるエステル類を用い表面へのにじみ出しを制御する、界面活性剤量を調節することで塗布の安定性を向上させる、潤滑剤の添加量を非磁性層で多くして潤滑効果を向上させる等が考えられる。また本発明で用いられる添加剤のすべてまたはその一部は、磁性層または非磁性層用の塗布液の製造時の何れの工程で添加してもよい。例えば、混練工程前に強磁性粉末と混合する場合、強磁性粉末と結合剤と溶剤による混練工程で添加する場合、分散工程で添加する場合、分散後に添加する場合、塗布直前に添加する場合等がある。
【0066】
VI.バックコート層、易接着層
一般に、コンピュータデータ記録用の磁気テープは、ビデオテープ、オーディオテープに比較して繰り返し走行性が強く要求される。このような高い走行耐久性を維持させるために、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層が設けられた面とは反対の面にバックコート層を有する。前述のように、本発明によれば磁性層表面と非磁性層表面が接触した状態で熱処理が施されたとしても、磁性層表面の凹みを低減し良好な電磁変換特性を得ることができる。
【0067】
バックコート層塗布液は、研磨剤、帯電防止剤等と結合剤とを有機溶媒に分散させることにより調製できる。粒状成分として各種の無機顔料やカーボンブラックを使用することができる。また、結合剤としては、例えばニトロセルロース、フェノキシ樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン等の樹脂を単独またはこれらを混合して使用することができる。磁性層表面の凹み低減のためには、バックコート層処方を調整することも有効である。その詳細は後述する。
【0068】
非磁性支持体表面には、平滑化層および/またはバックコート層との接着力向上のため易接着層を設けてもよい。易接着層としては溶剤可溶性の、例えば以下の物質が挙げられる。ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル系樹脂、塩化ビニリデン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂、デンプン、変性デンプン化合物、アルギン酸化合物、カゼイン、ゼラチン、プルラン、デキストラン、キチン、キトサン、ゴムラッテクス、アラビアゴム、フノリ、天然ガム、デキストリン、変性セルロース樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸系樹脂、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリビニルエーテル、ポリマレイン酸共重合体、ポリアクリルアミド、アルキド樹脂等が挙げられる。
【0069】
易接着層の厚さは、例えば0.01μm〜3.0μmであり、好ましくは0.02μm〜2.0μmであり、さらに好ましくは0.05μm〜1.5μmである。上記易接着層で使用される樹脂のガラス転移温度については、30℃〜120℃であることが好ましく、40℃〜80℃であることがより好ましい。30℃以上であれば端面でのブロッキングを生じることもなく、また、120℃以下であれば易接着層内の内部応力を緩和することができ、かつ、密着力にも優れている。
【0070】
VII.層構成
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の少なくとも一方の面に、好ましくは少なくとも2層の塗膜、すなわち、非磁性層とこの非磁性層上に磁性層とが設けられており、前記の磁性層は必要に応じて二層以上の層としてもよい。また、非磁性支持体の反対側の面には、バックコート層が設けられる。また、本発明の磁気記録媒体は、磁性層上に潤滑剤塗膜や磁性層保護用の各種塗膜等を必要に応じて設けてもよい。また、非磁性支持体と非磁性層との間には、塗膜と非磁性支持体との接着性の向上等を目的として、下塗り層(易接着層)を設けることもできる。
【0071】
本発明の磁気記録媒体は、好ましくは非磁性層および磁性層を非磁性支持体の一方の面に有する。非磁性層(下層)と磁性層(上層)とは、下層を塗布後、下層が湿潤状態のうちでも、乾燥した後にでも上層磁性層を設けることができる。
【0072】
本発明の磁気記録媒体の厚さ構成は、非磁性支持体の好ましい厚さが3μm〜10μmである。コンピュータテープの非磁性支持体は、例えば3.5μm〜7.5μm(好ましくは3μm〜7μmの範囲の厚さのものが使用される。また、非磁性支持体と非磁性層または磁性層の間に下塗り層を設けた場合、下塗り層の厚さは、例えば0.01μm〜0.8μm、好ましくは0.02μm〜0.6μmである。また、非磁性支持体の磁性層が設けられた面とは反対側の面に設けられたバックコート層の厚さは、例えば0.1μm〜1.0μm、好ましくは0.2μm〜0.8μmである。
【0073】
磁性層の厚さは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化量やヘッドギャップ長、記録信号の帯域により最適化されるものであるが、一般には10nm〜100nmであり、好ましくは20nm〜80nmであり、さらに好ましくは30nm〜80nmである。また、磁性層の厚さ変動率は±50%以内が好ましく、さらに好ましくは±40%以内である。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する2層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。
【0074】
非磁性層の厚さは、例えば0.02μm〜3.0μmであり、0.05μm〜2.5μmであることが好ましく、0.1μm〜2.0μmであることがさらに好ましい。なお、本発明の磁気記録媒体の非磁性層は、実質的に非磁性であればその効果を発揮するものであり、例えば不純物として、あるいは意図的に少量の磁性体を含んでいても、本発明の効果を示すものであり、本発明の磁気記録媒体と実質的に同一の構成とみなすことができる。なお、実質的に同一とは、非磁性層の残留磁束密度が10T・m(100G)以下または抗磁力が7.96kA/m(100 Oe)以下であることを示し、好ましくは残留磁束密度と抗磁力を持たないことを意味する。
【0075】
VIII.物理特性
本発明の磁気記録媒体の磁性層の飽和磁束密度は100T・m〜300T・mである。また磁性層のHcは、例えば143.3kA/m〜318.4kA/mであるが、好ましくは159.2kA/m〜278.6kA/mである。抗磁力の分布は狭い方が好ましく、SFDおよびSFDrは0.6以下、さらに好ましくは0.2以下である。
【0076】
本発明の磁気記録媒体のヘッドに対する摩擦係数は、温度−10〜40℃、湿度0〜95%の範囲において、例えば0.5以下であり、好ましくは0.3以下である。また、表面固有抵抗は、好ましくは磁性面104〜1012Ω/sq、帯電位は−500V〜+500V以内が好ましい。磁性層の0.5%伸びでの弾性率は、面内各方向で好ましくは0.98GPa〜19.6GPa、破断強度は、好ましくは98MPa〜686MPa、磁気記録媒体の弾性率は、面内各方向で好ましくは0.98GPa〜14.7GPaである。
【0077】
本発明の磁気記録媒体の熱収縮率は、好ましくは0.20%以下であり、より好ましくは0.15%以下である。ここで熱収縮率とは、70℃48時間保管での熱収縮率をいい、後述する実施例に示す方法により測定することができる。熱収縮率とは磁気記録媒体の残留歪であり熱収縮率が高いと長尺媒体をコアに巻いて保管したときの半径方向の応力分布が大きくなり幅寸法変化が大きくなってしまう。熱収縮率は最も好ましくは0%であるが、実用上の下限値は0.02%程度である。
熱収縮率は、磁気記録媒体に対して熱処理を施すことにより低減することができる。後述するロール状に巻いた磁気記録媒体に対して施される磁性層硬化促進のための熱処理は、熱収縮率を低減する作用もある。
【0078】
磁性層のゾル分率は、好ましくは5.0%以下であり、より好ましくは3.0%以下である。前記ゾル分率とは、対磁性層質量に対する値であり、磁性層中に含まれる未硬化分の成分量と相関があり、ゾル分率が高いと硬化が不十分であることを意味する。硬化が不十分な磁性層をヘッド上で繰り返し走行させるとヘッド汚れが顕著に発生する。ゾル分率は、最も好ましくは0%であるが、実用上の下限値は0.5%程度である。本発明における「ゾル分率」とは、以下の方法によって測定された値をいうものとする。
ゾル分率は、後述するようにロール状に巻いた磁気記録媒体に熱処理を施すことにより低減することができる。
(ゾル分率測定方法)
非磁性支持体上に形成された磁性層からゾル分率の測定用磁性層サンプル0.5gを秤取り、ヘキサン50mlに30分浸漬し、潤滑剤を抽出してヘキサンを除去した後、THF80mlに1時間浸漬してバインダーゾル分を溶出させる。THFおよび溶出バインダー液を蒸発させた後、再度ヘキサンで潤滑剤を抽出してから真空乾燥機で乾燥し、ゾル分を秤量し、ゾル分率を算出する。前記磁性層が複数の層から構成される場合、磁性層全体を秤取って求めた値をゾル分率とする。
【0079】
本発明の磁気記録媒体は、ディスク状であってもテープ状であってもよい。テープ状磁気記録媒体の場合、テープ幅変化率が800ppm以下であることが好ましい。非磁性支持体のエンタルピー緩和量を前記範囲とすることにより、テープ幅変化率が800ppm以下の磁気テープを得ることができる。テープ幅変化率が800ppm以下であれば動作環境および保存環境において寸法安定性が高く好ましい。テープ幅変化率は、より好ましくは240〜780ppm、更に好ましくは240〜760ppmである。本発明における「テープ幅変化率」は、後述する実施例に記載の方法によって測定される「動作環境テープ幅変化量」と「保存後テープ幅変化量」を足し合わせた値をいうものとする。
【0080】
磁性層のガラス転移温度(110Hzで測定した動的粘弾性測定の損失弾性率の極大点)は50℃〜180℃が好ましく、非磁性層のそれは0℃〜180℃が好ましい。損失弾性率は1×107Pa〜8×108Paの範囲にあることが好ましく、損失正接は0.2以下であることが好ましい。損失正接が大きすぎると粘着故障が発生しやすい。これらの熱特性や機械特性は媒体の面内各方向において10%以内でほぼ等しいことが好ましい。
【0081】
磁性層中に含まれる残留溶媒は好ましくは100mg/m2以下、さらに好ましくは10mg/m2以下である。塗布層が有する空隙率は非磁性層、磁性層とも好ましくは30容量%以下、さらに好ましくは20容量%以下である。空隙率は高出力を果たすためには小さい方が好ましいが、目的によってはある値を確保した方が良い場合がある。例えば、繰り返し用途が重視されるディスク媒体では空隙率が大きい方が走行耐久性は好ましいことが多い。
【0082】
磁性層の最大高さSRmaxは、0.5μm以下、十点平均粗さSRzは0.3μm以下、中心面山高さSRpは0.3μm以下、中心面谷深さSRvは0.3μm以下、中心面面積率SSrは20%〜80%、平均波長Sλaは5μm〜300μmが好ましい。これらは支持体のフィラーによる表面性のコントロールやカレンダー処理のロール表面形状等で容易にコントロールすることができる。カールは±3mm以内とすることが好ましい。
【0083】
本発明の磁気記録媒体における非磁性層と磁性層と間では、目的に応じ非磁性層と磁性層でこれらの物理特性を変えることができる。例えば、磁性層の弾性率を高くし走行耐久性を向上させると同時に非磁性層の弾性率を磁性層より低くして磁気記録媒体のヘッドへの当りを良くすることができる。
【0084】
IX.製造方法
磁性層塗布液および非磁性層塗布液を製造する工程は、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程からなる。個々の工程はそれぞれ2段階以上に分かれていてもかまわない。本発明で用いられる六方晶フェライト強磁性粉体または強磁性金属粉末、非磁性粉体、結合剤、カーボンブラック、研磨材、帯電防止剤、潤滑剤、溶剤等すべての原料はどの工程の最初または途中で添加してもかまわない。また、個々の原料を2つ以上の工程で分割して添加してもかまわない。例えば、ポリウレタンを混練工程、分散工程、分散後の粘度調整のための混合工程で分割して投入してもよい。本発明の目的を達成するためには、従来の公知の製造技術を一部の工程として用いることができる。混練工程ではオープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等強い混練力をもつものを使用することが好ましい。ニーダを用いる場合は磁性粉末または非磁性粉末と結合剤のすべてまたはその一部(但し、全結合剤の30%以上が好ましい)および磁性体100質量部に対し、例えば15質量部〜500質量部の範囲で混練処理される。これらの混練処理の詳細については特開平1−106338号公報、特開平1−79274号公報に記載されている。また、磁性層用液および非磁性層用液を分散させるには、ガラスビーズを用いることができる。このようなガラスビーズは、高比重の分散メディアであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、スチールビーズが好適である。これら分散メディアの粒径と充填率は最適化して用いられる。分散機は公知のものを使用することができる。
【0085】
本発明の磁気記録媒体の製造方法では、例えば、走行下にある非磁性支持体の表面に磁性層塗布液を所定の膜厚となるようにして磁性層を塗布して形成する。ここで複数の磁性層塗布液を逐次または同時に重層塗布してもよく、非磁性層塗布液と磁性層塗布液とを逐次または同時に重層塗布してもよい。上記磁性塗布液または非磁性層塗布液を塗布する塗布機としては、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押出しコート、エアナイフコート、スクイズコート、含浸コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビヤコート、キスコート、キャストコート、スプレイコート、スピンコート等が利用できる。これらについては例えば(株)総合技術センター発行の「最新コーティング技術」(昭和58年5月31日)を参考にできる。
【0086】
磁性層塗布液の塗布層は、磁気テープの場合、通常、磁性層塗布液の塗布層中に含まれる強磁性粉末にコバルト磁石やソレノイドを用いて長手方向に磁場配向処理を施す。ディスクの場合、配向装置を用いず無配向でも十分に等方的な配向性が得られることもあるが、コバルト磁石を斜めに交互に配置すること、ソレノイドで交流磁場を印加する等公知のランダム配向装置を用いることが好ましい。等方的な配向とは強磁性金属微粉末の場合、一般的には面内2次元ランダムが好ましいが、垂直成分をもたせて3次元ランダムとすることもできる。六方晶フェライトの場合は一般的に面内および垂直方向の3次元ランダムになりやすいが、面内2次元ランダムとすることも可能である。また異極対向磁石等公知の方法を用い、垂直配向とすることで円周方向に等方的な磁気特性を付与することもできる。特に高密度記録を行う場合は垂直配向が好ましい。また、スピンコートを用いて円周配向することもできる。
【0087】
乾燥風の温度、風量、塗布速度を制御することで塗膜の乾燥位置を制御できる様にすることが好ましく、塗布速度は20m/分〜1000m/分、乾燥風の温度は60℃以上が好ましい、また磁石ゾーンに入る前に適度の予備乾燥を行うこともできる。また、乾燥工程内をウェブ搬送する際に長手方向に加えるテンションは1MPa〜50MPaが好ましい。
【0088】
乾燥された後、好ましくは塗布層に表面平滑化処理を施す。表面平滑化処理には、例えばスーパーカレンダーロール等が利用される。表面平滑化処理を行うことにより、乾燥時の溶剤の除去によって生じた空孔が消滅し磁性層中の強磁性粉末の充填率が向上するので、電磁変換特性の高い磁気記録媒体を得ることができる。カレンダー処理ロールとしてはエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等の耐熱性プラスチックロールを使用する。また金属ロールで処理することもできる。本発明の磁気記録媒体は極めて優れた平滑性を有する表面であることが好ましい。その方法として、例えば上述したように特定の強磁性粉末と結合剤とを選んで形成した磁性層に上記カレンダー処理を施すことにより行われる。カレンダー処理条件としては、カレンダーロールの温度は、例えば60℃〜110℃の範囲、好ましくは70℃〜110℃の範囲、特に好ましくは80℃〜110℃の範囲であり、線圧は、例えば98kN/m〜490kN/mの範囲であり、好ましくは196kN/m〜441kN/mの範囲であり、特に好ましくは294kN/m〜392kN/mの範囲の条件で作動させることによって行われることが好ましい。
【0089】
先に説明した熱収縮率を低減する手段としては、低テンションでハンドリングしながらウエッブ状で熱処理する方法と、バルクまたはカセットに組み込んだ状態等テープが積層した形態で熱処理する方法(サーモ処理法)があり、両者を利用できる。高出力と低ノイズの磁気記録媒体を供給する観点からはサーモ処理法が好ましい。サーモ処理法は、磁性層の硬化を進めゲル分率を低減するためにも有効である。このサーモ処理をおこなったときバックコート層の突起が磁性層に写り磁性層に凹みが生じると電磁変換特性の劣化を招くため、前述のようにバックコート層の処方を調整することにより凹みが生じないような対策を講じるか、後述するように後工程で凹みを緩和する処理を行うことが好ましい。
【0090】
得られた磁気記録媒体は、裁断機等を使用して所望の大きさに裁断して使用することができる。
【0091】
図1に本発明の磁気記録媒体の一例である磁気テープ22の断面概略図を示す。非磁性支持体11の一の面側に非磁性層31,磁性層32が形成されている。また、各層31,32が形成されているフィルム11の反対面にはバックコート層33が形成されている。
【0092】
図2に本発明に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための製造工程10を示す。但し、本発明の磁気記録媒体を製造する方法は、下記態様に限定されるものではない。
【0093】
前記非磁性支持体としては、110℃以上140℃以下のガラス転移温度を有するフィルム(以下、フィルムと称する)11を用いる。はじめに非磁性支持体に対して熱処理して熱緩和させる工程12を設けてもよい。この熱緩和処理により非磁性支持体の過剰エンタルピー緩和が行われる。熱処理は支持体のガラス転移温度から−52℃以上−1℃以下で1時間以上14日以下とすることが好ましい。先に説明したように、温度が支持体のガラス転移温度−52℃以下でもよいが時間が長くなり過ぎ生産性が低下し好ましくない。一方、熱処理の温度がガラス転移温度よりも高いと、支持体中の高分子材料主鎖のミクロブラウン運動が大きくなりすぎることによりエンタルピー緩和が進まない。また、熱処理後の冷却する際に2℃/hr程度の速度で徐冷することがより好ましい。また、熱処理で行った過剰エンタルピーの緩和によるエンタルピー緩和量を維持するためには、後工程での非磁性支持体の温度が支持体のガラス転移温度以上に上がらないように設定して処理すべきである。また、熱緩和工程12を行った後の工程においても熱緩和、熱硬化工程19を実施することが好ましい。これは熱緩和、熱硬化工程19を省略すると磁性層に使用したバインダーの熱硬化が進まず耐久性の確保およびヘッド汚れ低減を達成することが困難になるからである。生産性を考慮すると、製造工程10に記載の工程順において工程12を省略して製造を行い、工程12の過剰エンタルピーの緩和は熱緩和、熱硬化工程19にて行い、工程数を抑制して高い生産性を保つことが好ましい。
上記非磁性層および磁性層をこの順にフィルム11上に形成するためにそれぞれの塗布液を塗布する塗布工程15を行う。なお、塗布工程15では非磁性層塗布液と磁性層塗布液とを同時に塗布しても良いし、逐次塗布しても良い。
【0094】
さらに、磁性層塗布液が湿潤状態のときに磁場配向工程14を行うことが配向しやすさの点で好ましい。磁場は、0.1T・m以上1.0T・m以下の範囲であることが好ましい。そして、乾燥工程15により、前記各塗布液を乾燥させ、次いでバックコート層を塗布し、乾燥する。その後に、各層が形成されているフィルム11をカレンダー処理するカレンダー処理工程18を行い、磁気テープ22を得ることが好ましい。カレンダー処理工程18を行うことでその表面が平滑化されている磁気テープ22を得ることができる。次に、カレンダー処理後のロールに対して、支持体の過剰エンタルピー量緩和、熱収縮量低減、塗膜の熱硬化を目的に熱緩和・熱硬化工程19が行われる。熱処理は支持体のガラス転移温度から−52℃以上−1℃以下で1時間以上14日以下とすることが好ましい。また熱緩和・熱硬化工程19はロール状に巻き取った形態で加熱することが好ましい。ウェブ状態で加熱して熱緩和、熱硬化工程を行うと生産性確保のために処理時間が100秒以下に限られ硬化が不十分となって耐久性が低下し、またヘッド汚れが顕著に発生するため好ましくない。
【0095】
一方で上記熱緩和・熱硬化工程19により、磁性層表面にバックコート層表面の突起が転写し凹みが形成される。この状態では、通常、磁性層表面の深さ20nmの凹み数が100個/10000μm2を超えてしまい、記録再生の信号の欠落(ドロップアウト)が生じ、エラーレートが悪化する。この磁性層表面の凹みを緩和するために、磁性層凹み緩和工程20として以下のような工程を実施できる。
【0096】
A.熱緩和・熱硬化工程19後のカレンダー処理
熱処理後の原反を金属ロールと金属ロールとの組み合わせから構成されるカレンダー処理装置を用いて、カレンダー処理を行い巻き取ることで、磁性層の凹みを緩和させることができる。凹みを緩和するためのカレンダー処理条件は磁性層を塗布して乾燥した後に平滑化を行うカレンダー処理条件と同一の条件でもよいが、より凹みを緩和するためには温度60〜110℃、線圧98〜490kN/m、速度50〜300m/min程度で行うことが好ましい。例えば、温度90℃、線圧343kN/m、速度100m/min程度にて実施することができる。高温、高線圧、低速度のほうが凹みの緩和にはより好ましいが、熱緩和・熱硬化工程19で行った過剰エンタルピーの緩和によるエンタルピー緩和量を維持するためには、支持体温度が支持体のガラス転移温度以上に上がらないようカレンダー処理することが好ましい。
【0097】
B, 熱緩和・熱硬化工程19後ウェブの加熱処理
熱緩和・熱硬化工程19後の原反を巻きほぐしてウェブ搬送しながら加熱することでも磁性層の凹みを緩和することができる。ウェブ加熱の方法は熱風、赤外線加熱、接触加熱などの手段を利用することができる。熱緩和・熱硬化工程19で行った過剰エンタルピーの緩和を維持するためには、ウェブ加熱温度は90℃以上で上限値として支持体のガラス転移温度以上に上がらないようにして実施することが好ましい。90℃以下でも磁性層の凹みは緩和するが時間がかかりすぎ、生産性が低下し好ましくない。また、磁性層凹みの緩和の促進にはウェブ加熱処理時間が長いほうが好ましいが、生産性を確保するためには処理時間は0.01秒から100秒の範囲であることが好ましい。また、ウェブ加熱が行われるときにウェブにかかるテンションは熱収縮率を低く保つためにより低テンションであることが好ましく、1MPa以上5MPa以下とすることが好ましい。1MPa未満では安定的に搬送できなくなり生産性が低下するため好ましくない。
また、上記熱緩和・熱硬化工程19での磁性層の凹みを減少させるために、バックコート層処方を改良することで磁性層凹み緩和工程20を省略することができる。バックコート層に使用されるバインダー組成を柔らかくすることが有効であるが、バック層を柔らかくすると熱緩和・熱硬化工程19中で磁性層とバック層がブロッキングを起こし易くなるため、適度の柔らかさとすべきである。また、バックコート層に使用するカーボンブラックの粒径を調整しバックコート層表面の突起を制御し、磁性層の凹みを低減させることも可能である。
【0098】
前述のように、本発明の磁気記録媒体は磁性層表面の深さ20nm以上の凹みの数が100個/10000μm2以下であり、例えばトラック幅4.0μm以下の狭トラック化された再生ヘッドを使用する磁気記録再生システムにおいて好適に使用される。再生ヘッドのトラック幅は、好ましくは0.8〜3.6μmである。このように狭トラック化された再生ヘッドによれば、高密度記録された信号を高感度に再生することができる。また、記録される信号については、最小記録bit長が40〜100nm程度が好適である。
【実施例】
【0099】
以下に、本発明を実施例により更に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、実施例中の「部」の表示は、「質量部」を示す。
【0100】
[実施例1]
1.磁性層塗布液(1処方)の調製
強磁性針状金属粉末 100部
組成:Fe/Co/Al/Y=68/20/7/5
表面処理剤:Al23、Y23
結晶子サイズ:125Å
長軸径:45nm
針状比:5
BET比表面積:42m2/g
抗磁力(Hc):180kA/m
飽和磁化(σs):135A・m2/kg
ポリウレタン樹脂 12部
分岐側鎖含有ポリエステルポリオール/ジフェニルメタンジイソシアネート系、
親水性極性基:−SO3Na=70eq/ton含有
フェニルホスホン酸 3部
α−Al23(粒子サイズ0.1μm) 2部
カーボンブラック(粒子サイズ 20nm) 2部
シクロヘキサノン 110部
メチルエチルケトン 100部
トルエン 100部
ブチルステアレート 2部
ステアリン酸 1部
【0101】
2.非磁性層塗布液(I処方)の調製
非磁性無機質粉体 α−酸化鉄 85部
表面処理剤:Al23、SiO2
長軸径:0.15μm
針状比:7
BET比表面積:50m2/g
DBP吸油量:33g/100g
pH8
カーボンブラック 20部
BET比表面積:250m2/g
DBP吸油量:120mL/100g
pH:8
揮発分:1.5%
ポリウレタン樹脂 12部
分岐側鎖含有ポリエステルポリオール/ジフェニルメタンジイソシアネート系、
親水性極性基:−SO3Na=70eq/ton含有
アクリル樹脂 6部
ベンジルメタクリレート/ダイアセトンアクリルアミド系、
親水性極性基:−SO3Na=60eq/ton含有
フェニルホスホン酸 3部
α−Al23(平均粒径0.2μm) 1部
シクロヘキサノン 140部
メチルエチルケトン 170部
ブチルステアレート 2部
ステアリン酸 1部
【0102】
上記磁性層(上層)塗布液および非磁性層(下層)塗布液のそれぞれについて、各成分をオープンニーダで60分間混練した後、サンドミルで120分間分散した。得られた分散液に3官能性低分子量ポリイソシアネート化合物(日本ポリウレタン製 コロネート3041)を6部加え、さらに20分間撹拌混合した後、1μmの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、磁性層塗布液および非磁性層塗布液を調製した。
【0103】
3.バックコート層塗布液の調製(A処方)
(分散)
下記組成物をボールミルに投入し、24時間分散を行った。
カーボンブラック 180部
コロンビアカーボン社製: Conductex SC
平均粒径:20nm
BET比表面積:220m2/g
カーボンブラック 25部
コロンビアカーボン社製:Sevacarb MT
平均粒径:350nm
BET比表面積:8m2/g
α−Fe23 1部
戸田工業社製:TF100、平均粒径:0.1μm
ニトロセルロース樹脂 65部
ポリエステルポリウレタン樹脂(東洋紡績社製:UR−8300 )35部
メチルエチルケトン(MEK) 260部
トルエン 260部
シクロヘキサノン 260部
【0104】
下記組成物を分散後のスラリーに混合、撹拌した後、再度ボールミルにて分散処理を3時間行った。
ステアリン酸 1部
ステアリン酸ブチル 2部
MEK 210部
トルエン 210部
シクロヘキサノン 210部
【0105】
濾過後の塗料100質量部にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネート−L)1質量部を加え、撹拌、混合し、0.5μmの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、バックコート層塗布液を作製した。
【0106】
以下に記載のように図2に示す製造工程により磁気テープを作製した。
厚さ5μm、磁性層形成面側の表面粗さ3nm、裏面側の表面粗さ8nmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(Tg=127℃)11の磁性面形成面側に、上記非磁性塗料を乾燥後の厚さが1.0μmになるように塗布し、さらにその直後に磁性層塗布液を乾燥後の厚さが0.1μmになるように同時重層塗布した(磁性層塗布工程13)。このとき、両層がまだ湿潤状態にあるうちに300T・mの磁石で磁場配向を行い(磁場配向工程14)、さらに乾燥させた(乾燥工程15)。乾燥工程15中のウェブの長さ方向のテンションは15MPaとした。その後に、ベースフィルムの磁性層形成面と裏面側にバックコート層を乾燥後の厚みが0.5μmになるように塗布し(バック層塗布工程16)、さらに乾燥させた(乾燥工程17)。次に金属ロールのみから構成される7段のカレンダーで温度95℃、速度100m/min、線圧294kN/minで処理を行い(カレンダー処理工程18)、バルクロールの状態で85℃に加温された保管庫中に48時間保存し加熱処理(熱緩和・熱硬化工程19)を行い、上記カレンダー処理工程18と同じ条件で再度カレンダー処理(磁性層凹み緩和工程20)を実施した後、1/2インチ幅にスリットし(スリット工程21)し、磁気テープ22を作製した。 得られた磁気テープ22にLTO−G4規格に沿ったサーボ信号を書き込み、LTO−G4カセットに820m巻込み、テープカートリッジを作製した。
【0107】
[実施例2]
実施例1において、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を80℃に変更した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より低く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りも減少するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より低い85℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0108】
[実施例3]
実施例1において、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を77℃に変更した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より低く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りも減少するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より低い90℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0109】
[実施例4]
実施例1において、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を95℃に変更した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より高く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りが増加するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より高い105℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0110】
[実施例5]
実施例1において、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を100℃に変更した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より高く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りが増加するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より高い110℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0111】
[実施例6]
実施例1において、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を100℃に設定した以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0112】
[実施例7]
実施例1において、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を90℃に設定した以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0113】
[実施例8]
非磁性支持体11としてPET中にポリエーテルイミド(PEI)を20質量部含有させた樹脂を混合し、Tgを120℃としたベースフィルムを用いた。ベースTgが実施例1に使用したPENベースより低くエンタルピー緩和が進み易いため、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を実施例1より低い80℃に設定した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より低く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りが減少するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より低い90℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0114】
[実施例9]
実施例8に使用した非磁性支持体11の両面に真空蒸着により厚さ70nmの酸化アルミニウム層を設けたベースフィルムを用いた以外は、実施例8と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0115】
[実施例10]
実施例1において、磁性層凹み緩和工程20として、カレンダー処理を行わず、代わりに原反ロールを巻きほぐして温度110℃に熱した加熱ゾーンに滞留時間30秒でウェブを通過させ、その後室温まで冷却して巻き取った。これ以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0116】
[実施例11]
バック層塗布液を以下に変更(B処方)し、磁性層凹み緩和工程20を実施しなかった以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0117】
3.バックコート層塗布液の調製(B処方)
(分散)
下記組成物をボールミルに投入し、24時間分散を行った。
カーボンブラック 180部
キャボット社製Regal250
平均粒径:34nm
BET比表面積:55m2/g
カーボンブラック 2 5部
カーボンブラック 25部
キャボット社製Black Pearls 130
平均粒径:75nm
BET比表面積:25m2/g
α−Fe23 1部
戸田工業社製TF100、平均粒径:0.1μm
ニトロセルロース樹脂 35部
ポリエステルポリウレタン樹脂(東洋紡績社製UR−8300)65部
MEK 260部
トルエン 260部
シクロヘキサノン 260部
【0118】
下記組成物を分散後のスラリーに混合、撹拌した後、再度ボールミルにて分散処理を3時間行った。
ステアリン酸 1部
ステアリン酸ブチル 2部
MEK 210部
トルエン 210部
シクロヘキサノン 210部
【0119】
濾過後の塗料100質量部にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネート−L)1質量部を加え、撹拌、混合し、0.5μmの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、バックコート層塗布液を得た。
【0120】
[実施例12]
磁性層塗布液を以下の強磁性板状六方晶フェライト粉末を使用した塗布液(2処方)に変更した以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0121】
1.磁性層塗布液の調製(2処方)
強磁性板状六方晶フェライト粉末 100部
組成(モル比):Ba/Fe/Co/Zn=1/9/0.2/0.8
板径:30nm
板状比:3
BET比表面積:50m2/g
抗磁力(Hc):191kA/m
飽和磁化(σs):60A・m2/kg
ポリウレタン樹脂 12部
分岐側鎖含有ポリエステルポリオール/ジフェニルメタンジイソシアネート系、
親水性極性基:−SO3Na=70eq/ton含有
フェニルホスホン酸 3部
α−Al23(粒子サイズ0.15μm) 2部
カーボンブラック(粒子サイズ 20nm) 2部
シクロヘキサノン 110部
メチルエチルケトン 100部
トルエン 100部
ブチルステアレート 2部
ステアリン酸 1部
【0122】
[実施例13]
実施例1において、乾燥工程15中のウェブの長さ方向にかけるテンションを3MPaとした。これ以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0123】
[実施例14]
実施例1において、乾燥工程15中のウェブの長さ方向にかけるテンションを25MPaとした。これ以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0124】
[実施例15]
実施例1において、乾燥工程15中のウェブの長さ方向にかけるテンションを30MPaとした。これ以外は、実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0125】
[実施例16]
実施例1において使用した非磁性支持体と同様の非磁性支持体の両面に、真空蒸着により厚さ300nmの酸化アルミニウム層を設けたベースフィルムを用いた以外は、実施例1と同様にして磁気テープを作製した。
【0126】
[比較例1]
実施例1に使用した非磁性支持体11を、120℃の熱処理ゾーンを有する処理装置で加熱した後、巻取り、ロール状で110℃の処理装置中で1週間保存し、緩和を進行させた(熱緩和工程12)。実施例1と同様の製造工程13から18を実施した後、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程熱処理工程19の処理条件を70℃48時間とした。 また、磁性層凹み緩和工程20は実施しなかった。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0127】
[比較例2]
実施例1に使用した非磁性支持体11を、120℃の熱処理ゾーンを有する処理装置で加熱した後、巻取り、ロール状で110℃の処理装置中で1週間保存し、緩和を進行させた(熱緩和工程12)。実施例1と同様の製造工程13から18を実施した後、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程熱処理工程19をロール形態ではなくウェブ状態で110℃、10秒処理して行った。また、磁性層凹み緩和工程20は実施しなかった。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0128】
[比較例2]
実施例1に使用した非磁性支持体11を、厚さ4.4μmで中心面平均表面粗さが2nmのアラミド支持体(商品名:ミクトロン)に変更した。
1.磁性層塗料液の調製(3処方)
強磁性板状六方晶フェライト粉末 100部
表面処理:Al23 5質量%、SiO2 2質量%
抗磁力(Hc):199kA/m
板径:0.03μm
板状比:3
飽和磁化(σs):56A・m2/kg
塩化ビニル系重合体 MR555(日本ゼオン社製) 6部
ポリウレタン樹脂 UR8200(東洋紡社製) 6部
α―アルミナ HIT55(住友化学社製) 2部
粒子サイズ:0.3μm
カーボンブラック #55(旭カーボン社製) 5部
粒子サイズ:0.015μm
ブチルステアレート 1部
ステアリン酸 2部
メチルエチルケトン 125部
シクロヘキサノン 125部
【0129】
2.非磁性層用塗料液(II処方)の調製
非磁性粉末 針状α−Fe23 75部
戸田工業社製DPN−250BX
長軸長:0.15μm
比表面積:53m2/g
カーボンブラック 20部
コンダクテックスSC−U(コロンビアンカーボン社製)
塩化ビニル共重合体 12部
MR110(日本ゼオン社製)
ポリウレタン樹脂 5部
UR8200(東洋紡社製)
フェニルホスホン酸 4部
ブチルステアレート 1部
ステアリン酸 3部
メチルエチルケトン/シクロヘキサノン(8/2混合溶剤) 250部
【0130】
3.バックコート層用塗布液の調製(C処方)
下記組成物をボールミルに投入し、24時間分散を行った。
カーボンブラック 180部
コロンビアカーボン社製Conductex SC
平均粒径=20nm、比表面積SBET=220m2/g
カーボンブラック 25部
コロンビアカーボン社製Sevacarb MT
平均粒径=350nm、比表面積SBET=8m2/g
α−Fe23 (戸田工業社製TF100、平均粒径=0.1μm)1部
ニトロセルロース樹脂 65部
ポリエステルポリウレタン樹脂(東洋紡績社製:UR−830035部
MEK 260部
トルエン 260部
シクロヘキサノン 260部
【0131】
下記組成物を分散後のスラリーに混合、撹拌した後、再度ボールミルにて分散処理を3時間行った。
ステアリン酸 1部
ステアリン酸ブチル 2部
MEK 210部
トルエン 210部
シクロヘキサノン 210部
【0132】
濾過後の塗料100部にイソシアネート化合物(日本ポリウレタン社製コロネート−L)1部を加え、撹拌・混合し、バックコート層塗布液を得た。
【0133】
上記の磁性層塗布液(3処方)および非磁性層塗布液(II処方)の各成分をニーダで混練したのち、サンドミルを用いて12時間分散させた。得られた分散液にポリイソシアネートを非磁性層塗布液には2.5部、磁性層塗布液には3部を加え、さらにそれぞれにシクロヘキサノン40部を加え、1μmの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、非磁性層塗布液および磁性層塗布液をそれぞれ調製した。得られた非磁性層塗布液を、乾燥後の非磁性層の厚さが1.7μmになるように、さらにその直後にその上に磁性層の厚さが0.15μmになるように、厚さ4.4μmで中心面平均表面粗さが2nmのアラミド支持体11(商品名:ミクトロン)上に同時重層塗布(磁性層塗布工程13)を行い、両層がまだ湿潤状態にあるうちに600T・m(6000G)の磁力を持つコバルト磁石と600T・m(6000G)の磁力を持つソレノイドにより配向させた磁場配向工程14)。乾燥後(乾燥工程15)、金属ロールのみから構成される7段のカレンダで温度85℃にて分速200m/minで処理(カレンダー処理工程18)を行い、その後、厚み0.6μmのバックコート層を塗布(バック層塗布工程16)し、さらに乾燥させた(乾燥工程17)。70℃48時間加熱処理(熱緩和・熱硬化工程19)を行った。磁性層凹み緩和工程20は実施しなかった。その後、1/2インチ幅にスリット(スリット工程21)し、磁気テープ22を作製した。得られた磁気テープ22にLTO−G4規格に沿ったサーボ信号を書き込み、LTO−G4カセットに820m巻込み、テープカートリッジを作製した。
【0134】
[比較例3]
実施例1において、カレンダー処理工程18後の熱緩和・熱硬化工程19の条件を70℃48時間とし、磁性層凹み緩和工程20は実施しなかった。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0135】
[比較例4]
実施例1において、カレンダー処理工程18後の熱緩和・熱硬化工程19の条件を73℃48時間、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を85℃に変更した。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0136】
[比較例5]
実施例1において、カレンダー処理工程18後の熱緩和・熱硬化工程19の条件を115℃48時間、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を110℃に変更した。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0137】
[比較例6]
実施例1において、非磁性支持体11をTg=80℃のPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した。また、カレンダー処理工程18後の熱緩和・熱硬化工程19の条件を70℃48時間、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を70℃に変更した。これ以外の条件は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0138】
[比較例7]
非磁性支持体11としてPEN中にポリエーテルイミド(PEI)を20質量部含有させた樹脂を使用し、Tgを160℃としたベースフィルムを用いた。ベースTgが実施例1に使用したPENベースより高くエンタルピー緩和が進み難いため、カレンダー処理後の熱緩和・熱硬化工程19の処理温度を実施例1より高い115℃に設定した。また、熱緩和・熱硬化工程19の処理温度が実施例1より高く、磁性層表面へのバックコート層表面の突起の写りが増加するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より高い110℃に設定した。それ以外は実施例1と同様にしてテープカートリッジを作製した。
【0139】
<測定方法>
1.エンタルピー緩和量(ΔH)の測定
磁気テープの磁性層、非磁性層およびバック層をメチルエチルケトンで脱膜後し、非磁性支持体11を得た。非磁性支持体11を10mg秤量して、TAInstruments社製DSC Q100を使用して、昇温速度10℃/min、温度変調周期30秒、温度変調振幅0.5℃で測定して得られたノンリバーシブルヒートフローのTg付近のピーク面積をエンタルピー緩和量(ΔH)として求めた。
【0140】
2.磁性層表面の凹み数の測定方法
米国デジタルインスツルメンツ社製NanoscopeIIIで磁性層の3次元粗さを測定し、平均面から深さ20nm以上の凹みの個数をカウントして求めた。ここで、平均面とは測定面内の凹凸の体積が等しくなる面のことである。測定は100μm×100μm(10000μm2)の範囲内で行い、解析ソフトウェアNanoscope 5.30 にてデータ処理を行った。測定データに平滑化フィルター処理をFlatten order 3の条件で行った後、凹みの個数を計測した。
【0141】
3.非磁性支持体Tgの測定方法
ガラス転移温度Tgは、1Hzで測定した動的粘弾性測定の損失正接(tanδ)の極大値の温度によって測定された値である。動的粘弾性測定装置(セイコーインスツルメンツ社製、EXSTAR6000ステーション)に接続されたDMS6100を用いて温度15℃から200℃の間で1Hz測定し、損失正接(tanδ)の極大値の温度を求めた。
【0142】
4.ゾル分率測定方法
非磁性支持体上に形成された磁性層からゾル分率の測定磁性層0.5gを秤取り、ヘキサン50mlに30分浸漬し、潤滑剤を抽出してヘキサンを除去した後、THF80mlに1時間浸漬してバインダーゾル分を溶出させた。THFおよび溶出バインダー液を蒸発させた後、再度ヘキサンで潤滑剤を抽出してから真空乾燥機で乾燥し、ゾル分を秤量し、ゾル分率を算出した。
【0143】
5.熱収縮率の測定方法
磁気記録媒体の長手方向について、長さ150mm×幅12.65mmの短冊形にサンプルを切り出した。そのサンプルの長手方向に100mmの間隔を開けて一対のマークをマーキングした。23℃50%RH中で、このマーク同士の間隔(L1)を、測定顕微鏡を用いて測定した。さらにサンプルを70℃に制御された恒温槽内に無荷重で48時間保存した。 23℃50%RHに取り出し30分以上放置後、一対のマークの間隔(L2)を、測定顕微鏡を用いて測定した。保存前後のマーク同士の間隔の変化率(100×(L1−L2)/L1)を熱収縮率(%)とした。熱収縮率が0.2%以下を「○」、0.2%超を「×」とした。
【0144】
6.ドロップアウトの測定方法
記録波長0.12μmの信号をトラック幅4.5μmの記録ヘッドで記録し、トラック幅3.0μmのGMR再生ヘッドで信号を再生したとき、出力が30%以上欠落した個数をテープ長1m当たりに換算し、ドロップアウト個数とした。1m当たり1個以下であれば「○」とした。
【0145】
7.テープ幅変化率の測定方法
1)動作環境テープ幅変化率の測定
10℃10%RHに制御した恒温恒湿槽内でテープ長さ方向に10.8MPaの応力をかけ、ミツトヨ製レーザースキャンマクロメーターLSM−503Sを用いてテープ幅W1を測定する。次に恒温恒湿槽内の環境を29℃80%RHに変更し、テープ長さ方向に7.2MPaの応力をかけテープ幅W2を測定する。(W2−W1)/W1を動作環境幅変化率とした。単位はppmで求めた。
【0146】
2)保存後テープ幅変化率の測定
25℃20%RHに制御した恒温恒湿槽内でテープ長さ方向に9MPaの応力をかけ、ミツトヨ製レーザースキャンマクロメーターLSM−503Sを用いてテープ幅W0を測定した。次に恒温恒湿槽内の環境を40℃20%RHに変更し、テープ長さ方向に9MPaの応力をかけたまま10日保管した。次に、恒温恒湿槽内の環境を25℃20%RHに戻しテープ長さ方向に9MPaの応力をかけたままテープ幅Wsを測定する。(Ws−W0)/W0を保存後テープ幅変化率とした。単位はppmで求めた。
【0147】
3)テープ幅変化率の算出
上記方法で求めた、「動作環境テープ幅変化量」と「保存後テープ幅変化量」を足し合わせた値を、「テープ幅変化率」とした。単位はppmで求めた。テープ幅変化率が700ppm以下を「○」、700ppm超を「×」とした。
【0148】
8.工程切断の測定方法
実施例および比較例に記載した工程条件で、10,000mの長さのベースを10ロール使用しサンプルを作製したとき、工程12から工程21の間にサンプルが切断した回数を調べた。切断が発生しないことが好ましい。
【0149】
9.2000パス走行後ヘッド汚れ
LTO−G4ドライブで全長2000パス繰り返し走行させ、走行後のヘッド汚れを観察した。顕微鏡(400倍)により汚れが見られたものを×、見られなかったものを○とした。
以上の結果を表1に示す。
【0150】
【表1】

【0151】
評価結果
表1に示すように、実施例1〜16では、ドロップアウトが少なく、テープ幅変化率も良好で工程内での切断もなく2000パスでのヘッド汚れもなかった。
比較例1は熱硬化・熱緩和工程19によって磁性層に凹みが生じたが、その後の凹み緩和工程20を実施していないために磁性層表面の凹み数が多かった。支持体の熱緩和工程12を実施しているため支持体のエンタルピー緩和量が高く、高温保存でのテープ幅変化率が良好であったが、磁性層凹みが多いためドロップアウトが多く、高密度記録媒体としては適していない。
比較例2は熱硬化・熱緩和工程19をロール形態ではなくウェブ状態で110℃10秒処理して行ったため磁性層の硬化が不十分でゾル分率が高く2000パス走行後にヘッド汚れが発生し磁気記録媒体としては適していない。
比較例3は非磁性支持体としてガラス転移温度Tgが高いアラミドを使用しているため、熱硬化・熱緩和工程19の処理温度が支持体Tgに対して低く、エンタルピー緩和が生じていないが、ヤング率が高いためにテープ幅変化率は優れていた。しかし、工程で切断が発生して生産性が低下した。また、凹み緩和工程20を実施していないために磁性層表面の凹み数が多く、ドロップアウトが多く高密度記録媒体としては適していない。
比較例4は熱硬化・熱緩和工程19の処理温度が支持体Tgに対して低く、エンタルピー緩和量が少ないためにテープ幅変化率が高かった。また、凹み緩和工程20を実施していないために磁性層表面の凹み数が多く、ドロップアウトが多く高密度記録媒体としては適していない。
比較例5は熱硬化・熱緩和工程19の処理温度が支持体Tgに対して低く、エンタルピー緩和量が0.4J/gと不十分なためにテープ幅変化率が高く高密度記録媒体としては適していない。
比較例6は熱硬化・熱緩和工程19の処理温度が支持体Tgに対して近くエンタルピー緩和量が2.2J/gと高いが、ウェブが変形し評価を行うことができなかった。
比較例7は非磁性支持体としてTgが80℃のPETを用いたためエンタルピー緩和量は0.8J/gであるが、ヤング率が低いため、動作環境でのテープ幅変化率が高かった。また、Tgおよびヤング率が低いため乾燥工程で伸びやすくなり、熱収縮率が大きい。このため保存後テープ幅変化率が高く、高密度記録媒体としては適していない。
比較例8は非磁性支持体としてPENとPEI(ポリエーテルイミド)をブレンドした樹脂のTg160℃のベースフィルムを用いたため、エンタルピー緩和量は1.0J/gとするために、実施例1に用いたTg127℃のPENフィルムより、熱硬化・熱緩和工程19の温度を高くする必要があった。熱硬化・熱緩和工程19中での磁性層表面のバックコート層表面突起による写りによる凹みが増加するため、磁性層凹み緩和工程20のカレンダー処理温度を実施例1より高い110℃に設定したが、磁性層凹みを十分に緩和することができず、その結果ドロップアウトも増加した。また、ベースフィルムのTgが高いため、工程での切断が発生して生産性が低下した。
【産業上の利用可能性】
【0152】
本発明の磁気記録媒体は、長期にわたり優れた電磁変換特性および寸法安定性を示すことができ、走行耐久性も優れるため、長期にわたり高い信頼性が求められるバックアップテープとして好適である。
【図面の簡単な説明】
【0153】
【図1】本発明の磁気記録媒体の一例を示す概略断面図である。
【図2】本発明に係る磁気記録媒体の製造方法の一例を示す製造工程図である。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
非磁性支持体の一方の面に強磁性粉末および結合剤を含む磁性層を有し、他方の面にバックコート層を有する磁気記録媒体であって、
前記磁性層表面に存在する深さ20nm以上の凹みの数は100個/10000μm2以下であり、
前記磁性層中のゾル分率は5.0%以下であり、
前記支持体は、エンタルピー緩和に基づく吸熱量は0.5以上2.0J/g以下であり、かつガラス転移温度Tgが110℃以上140℃以下である磁気記録媒体。
【請求項2】
熱収縮率が0.20%以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
テープ状磁気記録媒体であり、テープ幅変化率が800ppm以下である請求項1または2に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
再生ヘッドのトラック幅が4.0μm以下のシステムで使用される請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録媒体。

【図2】
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【図1】
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【公開番号】特開2009−87471(P2009−87471A)
【公開日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−256861(P2007−256861)
【出願日】平成19年9月28日(2007.9.28)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】