磁気記録媒体
【課題】 Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供することである。
【解決手段】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高い磁気記録媒体。
【解決手段】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高い磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したものである。この種の金属薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例えばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることから、多量に使用するとコストが高く付く。
【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅとＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点から、磁性膜をＦｅx Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、高密度記録に優れたものであると謳われている。
【０００４】しかし、最近においては、より高いＳ／Ｎが求められるようになった。従って、本発明の目的は、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００７】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００８】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００９】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【００１０】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすことが好ましい。
【００１１】特に、６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％１０ａｔ．％≦Ｃ量≦２５ａｔ．％１０ａｔ．％≦Ｏ量≦２５ａｔ．％が好ましい。
【００１２】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良いが、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられる磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。あるいは、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つものである。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のものである。又は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つものである。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のものである。
【００１４】そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすものである。
【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突具合や衝突量（酸化性物質の供給具合）を制御することによって得られる。例えば、図１に示す如く、走行する支持体に対して、走行方向とは逆の方向から斜めに酸素ガスを供給することにより、磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１６】尚、本明細書に言う波打ったパターンとは、初期ピークを除いて、その中心仮想線から約５％以上の振幅変動が認められるものを言う。従って、２〜３％程度の小さい振動の場合には、波打ったパターンとは見做さない。図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロール、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は電子銃、１８は真空容器、１９はイオン銃、２０は酸素ガス供給ノズルである。図１では、酸素ガスを供給するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するようにしても良い。そして、イオン銃１９による炭素イオンの供給、及び酸素ガス供給ノズル２０による酸素ガスの供給を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによって、本発明になる図３などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１７】このようにして得られた本発明になる磁気記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。この支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成されている。
【００１８】アンダーコート層の上には、図１に示したイオンアシスト斜め蒸着装置によって保磁力Ｈｃが９００〜１９００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓが３５００〜７０００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓが０．６〜０．９９のＦｅ−Ｃ−Ｏ系の金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させることにより、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００００Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素ガス（酸素イオン）も蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素ガス（酸素イオン）を斜めに向けて供給する。前記炭素イオンや酸素ガス（酸素イオン）の供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が上記に規定された内容のものになるよう制御される。
【００１９】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設けられた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモンドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合のものである。従って、図３のオージェプロファイルでは、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅやＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこからかの決定は極めて困難なるも、磁性膜の表面がどこからかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダイヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けられている場合においては、オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜になると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントが界面と考える。
【００２０】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっても良い。
【００２１】
【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入っており、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタンガス供給量は５２ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスを１１ｓｃｃｍ供給し、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１８００Å、保磁力Ｈｃ；１３５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５２００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８２）を得た。
【００２２】この磁気テープのオージェプロファイル（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッチングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング、スパッタ方向は金属磁性膜（コラム）に対して斜め方向）を図３に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６８ａｔ．％、Ｃ量は１８ａｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。
【００２３】
【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を４５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を１０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１９００Å、保磁力Ｈｃ；１２９０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５９００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。
【００２４】この磁気テープのオージェプロファイルを図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１３ａｔ．％、Ｏ量は１３ａｔ．％である。
【００２５】
【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を２５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；３４００Å、保磁力Ｈｃ；１５１０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；４８００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．９１）を得た。
【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６０ａｔ．％、Ｃ量は１０ａｔ．％、Ｏ量は３０ａｔ．％である。
【００２７】
【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を３０ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；２３００Å、保磁力Ｈｃ；１４２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５０００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８５）を得た。
【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６５ａｔ．％、Ｃ量は２０ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．％である。
【００２９】
【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を５０ｓｃｃｍ、セット位置を変えた酸素ガス供給ノズルより酸素ガスの供給量を２０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１６００Å、保磁力Ｈｃ；１３２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；４７００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。
【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６１ａｔ．％、Ｃ量は１４ａｔ．％、Ｏ量は２５ａｔ．％である。
【００３１】
【特性】上記各例の磁気テープをカセットに装填し、これをノイズメータにつないだＶＴＲに装填してＳ／Ｎを調べたので、その結果を表−１に示す。
表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） Ｃ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ）
ＡＭ ＰＭ実施例１ ＋１．２ ＋１．１ ＋１．２実施例２ ＋０．８ ＋１．５ ＋１．３実施例３ ＋１．９ ＋１．０ ＋０．９実施例４ ＋１．３ ＋０．８ ＋１．１比較例１ ０ ０ ０ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）
【００３２】
【発明の効果】Ｓ／Ｎに優れたものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図
【図２】磁気記録媒体の概略断面図
【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【符号の説明】
１ 支持体
２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜）
３ 保護膜
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】磁気テープ等の磁気記録媒体においては、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けられる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の乾式メッキ手段により磁性膜を構成した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適したものである。この種の金属薄膜型の磁気記録媒体における磁性材料としては、例えばＣｏ−Ｃｒ合金やＣｏ−Ｎｉ合金などの磁性金属が用いられている。しかし、Ｃｏは稀少物質であることから、多量に使用するとコストが高く付く。
【０００３】そこで、非Ｃｏ系金属磁性材料としてＦｅとＮｉが考えられるものの、Ｆｅは安価であり、かつ、環境汚染の問題も少なく、更には飽和磁化が大きいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の磁性材料としてＦｅが注目され始めた。しかし、Ｆｅは錆やすいことから、化学的に安定なものとする必要が有る。このような観点から、磁性膜をＦｅx Ｎ（Ｆｅ−Ｎ）やＦｅ−Ｎ−Ｏで構成することが提案された。そして、これらの磁性膜で構成した磁気記録媒体は、磁気特性が良好であり、高密度記録に優れたものであると謳われている。
【０００４】しかし、最近においては、より高いＳ／Ｎが求められるようになった。従って、本発明の目的は、Ｓ／Ｎに優れた磁気記録媒体を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記本発明の目的は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００７】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００８】又、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【０００９】特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
【００１０】又、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすことが好ましい。
【００１１】特に、６０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦８０ａｔ．％１０ａｔ．％≦Ｃ量≦２５ａｔ．％１０ａｔ．％≦Ｏ量≦２５ａｔ．％が好ましい。
【００１２】又、本発明の磁気記録媒体にあっては、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜以外の磁性膜を持っていても良いが、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上には記録再生に用いられる磁性膜がない、つまりＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。特に、本発明が規定する内容のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が最上層にあるのが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。あるいは、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つものである。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のものである。又は、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つものである。特に、支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、かつ、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定のものである。
【００１４】そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすものである。
【００１５】本発明の磁気記録媒体は、支持体上にイオンアシスト法により磁性膜を成膜して磁気記録媒体を製造する方法であって、蒸発源物質としてＦｅが用いられての蒸着工程と、炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程と、酸素イオンあるいは酸素ガス等の酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる衝突工程とを具備し、前記酸化性物質を蒸着Ｆｅ膜に衝突させる酸化性物質の衝突具合や衝突量（酸化性物質の供給具合）を制御することによって得られる。例えば、図１に示す如く、走行する支持体に対して、走行方向とは逆の方向から斜めに酸素ガスを供給することにより、磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１６】尚、本明細書に言う波打ったパターンとは、初期ピークを除いて、その中心仮想線から約５％以上の振幅変動が認められるものを言う。従って、２〜３％程度の小さい振動の場合には、波打ったパターンとは見做さない。図１に、本発明で用いるイオンアシスト斜め蒸着装置を示す。図１中、１１はガイド部材、１２は支持体１の供給側ロール、１３は支持体１の巻取側ロール、１４は遮蔽板、１５はルツボ、１６はＦｅ、１７は電子銃、１８は真空容器、１９はイオン銃、２０は酸素ガス供給ノズルである。図１では、酸素ガスを供給するタイプのものを示したが、酸素イオンを供給するようにしても良い。そして、イオン銃１９による炭素イオンの供給、及び酸素ガス供給ノズル２０による酸素ガスの供給を特定のものとした他は、通常のイオンアシスト斜め蒸着に準じて行わせることによって、本発明になる図３などのオージェプロファイルのＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が得られる。
【００１７】このようにして得られた本発明になる磁気記録媒体を図２に示す。図２中、１は支持体である。この支持体１は磁性を有するものでも非磁性のものでも良いが、一般的には、非磁性のものである。例えば、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金などの金属材料が用いられる。支持体１面上には磁性膜の密着性を向上させる為のアンダーコート層が必要に応じて設けられる。すなわち、表面の粗さを適度に粗すことにより乾式メッキで構成される磁性膜の密着性を向上させ、さらに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させた厚さが０．０１〜０．５μｍの塗膜を設けることによってアンダーコート層が構成されている。
【００１８】アンダーコート層の上には、図１に示したイオンアシスト斜め蒸着装置によって保磁力Ｈｃが９００〜１９００Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓが３５００〜７０００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓが０．６〜０．９９のＦｅ−Ｃ−Ｏ系の金属薄膜型の磁性膜２が設けられる。例えば、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下でＦｅを抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱などにより蒸発させ、支持体１のアンダーコート層面上に堆積（蒸着）させることにより、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２が５００〜１００００Å、特に１０００〜４０００Å厚形成される。斜め蒸着の際の入射角は３０°〜８０°、望ましくは約４５°〜７０°である。このＦｅの蒸着時には全般的に炭素イオンを蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。かつ、酸素ガス（酸素イオン）も蒸着Ｆｅ膜に衝突させる。但し、酸素ガス（酸素イオン）を斜めに向けて供給する。前記炭素イオンや酸素ガス（酸素イオン）の供給は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜が上記に規定された内容のものになるよう制御される。
【００１９】３は、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜２の上に設けられた厚さが１０〜２００Å程度の保護膜である。この保護膜３は、例えばダイヤモンドライクカーボン、グラファイト等のカーボン膜、酸化珪素、炭化珪素などの含珪素膜などで構成される。これらの中でも、ダイヤモンドライクカーボンが好ましい。尚、図３のオージェプロファイルは、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の上にダイヤモンドライクカーボン膜や後述の潤滑剤膜が設けられた場合のものである。従って、図３のオージェプロファイルでは、スパッタ開始時にはＣのみであって、ＦｅやＯが検出されていない。そして、スパッタが進むにつれてＦｅやＯが検出されて行く。この為、磁性膜の表面がどこからかの決定は極めて困難なるも、磁性膜の表面がどこからかの決定は一般的な取扱いに従う。本実施例では、ダイヤモンドライクカーボン膜などのカーボン膜が設けられている場合においては、オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントから磁性膜になると考える。同様に、磁性膜の下面（支持体側の界面）がどこからかの決定も一般的な取扱いに従う。本実施例では、支持体がＣを含む支持体である場合においては、オージェプロファイルにおけるＦｅ量とＣ量とが等しくなるポイントが界面と考える。
【００２０】４は、保護膜３の上に設けられた潤滑剤層である。すなわち、炭化水素系の潤滑剤やパーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤、特にフッ素系潤滑剤を含有させた塗料を所定の手段で塗布することにより、約２〜５０Å、好ましくは約１０〜３０Å程度の厚さの潤滑剤層４が設けられる。５は、支持体１の他面に設けられたカーボンブラック等を含有させた厚さが０．１〜１μｍ程度のバックコート層である。尚、バックコート層５は、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属を蒸着させて形成したものであっても良い。
【００２１】
【実施例１】図１に示されるイオンアシスト斜め蒸着装置に１０μｍ厚のＰＥＴフィルム１を装着し、ＰＥＴフィルム１が２ｍ／分の走行速度で走行させられている。酸化マグネシウム製のルツボ１５にＦｅ１６が入っており、３０ｋＷの電子銃１７を作動させてＦｅを蒸発させ、ＰＥＴフィルム１にＦｅを蒸着させると共に、メタンガスを出力４００Ｗのイオン銃１９に供給（メタンガス供給量は５２ｓｃｃｍ）し、ＰＥＴフィルム１上のＦｅ膜に向けて炭素イオンを照射する。又、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスを１１ｓｃｃｍ供給し、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１８００Å、保磁力Ｈｃ；１３５０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５２００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８２）を得た。
【００２２】この磁気テープのオージェプロファイル（測定条件：電子銃；加速電圧１０ｋＶ、エミッション電流１０ｎＡ、倍率２０００倍、エッチング条件；エッチングガスはアルゴン、加速電圧３ｋＶ、イオン電流３００ｎＡ、３０秒間毎にエッチング、スパッタ方向は金属磁性膜（コラム）に対して斜め方向）を図３に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６８ａｔ．％、Ｃ量は１８ａｔ．％、Ｏ量は１４ａｔ．％である。
【００２３】
【実施例２】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を４５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を１０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１９００Å、保磁力Ｈｃ；１２９０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５９００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。
【００２４】この磁気テープのオージェプロファイルを図４に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は７４ａｔ．％、Ｃ量は１３ａｔ．％、Ｏ量は１３ａｔ．％である。
【００２５】
【実施例３】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を２５ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を２５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；３４００Å、保磁力Ｈｃ；１５１０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；４８００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．９１）を得た。
【００２６】この磁気テープのオージェプロファイルを図５に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６０ａｔ．％、Ｃ量は１０ａｔ．％、Ｏ量は３０ａｔ．％である。
【００２７】
【実施例４】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を３０ｓｃｃｍ、酸素ガス供給ノズル２０より酸素ガスの供給量を１５ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；２３００Å、保磁力Ｈｃ；１４２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；５０００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８５）を得た。
【００２８】この磁気テープのオージェプロファイルを図６に示す。このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイルにおいて、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｍ量＋Ｘ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つ。特に、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定である。すなわち、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜の斜めコラム構造にあっては、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いものである。そして、Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６５ａｔ．％、Ｃ量は２０ａｔ．％、Ｏ量は１５ａｔ．％である。
【００２９】
【比較例１】実施例１において、イオン銃１９へのメタンガス供給量を５０ｓｃｃｍ、セット位置を変えた酸素ガス供給ノズルより酸素ガスの供給量を２０ｓｃｃｍとした以外は実施例１に準じて行い、図２に示されるタイプの８ｍｍＶＴＲ用磁気テープ（磁性膜の厚さ；１６００Å、保磁力Ｈｃ；１３２０Ｏｅ、飽和磁束密度Ｂｓ；４７００Ｇ、Ｂｒ／Ｂｓ；０．８３）を得た。
【００３０】この磁気テープのオージェプロファイルを図７に示す。尚、このＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量は６１ａｔ．％、Ｃ量は１４ａｔ．％、Ｏ量は２５ａｔ．％である。
【００３１】
【特性】上記各例の磁気テープをカセットに装填し、これをノイズメータにつないだＶＴＲに装填してＳ／Ｎを調べたので、その結果を表−１に示す。
表−１ Ｙ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ） Ｃ−Ｓ／Ｎ（ｄＢ）
ＡＭ ＰＭ実施例１ ＋１．２ ＋１．１ ＋１．２実施例２ ＋０．８ ＋１．５ ＋１．３実施例３ ＋１．９ ＋１．０ ＋０．９実施例４ ＋１．３ ＋０．８ ＋１．１比較例１ ０ ０ ０ ＊比較例１を基準（０ｄＢ）
【００３２】
【発明の効果】Ｓ／Ｎに優れたものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体製造装置の概略図
【図２】磁気記録媒体の概略断面図
【図３】実施例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図４】実施例２のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図５】実施例３のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図６】実施例４のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【図７】比較例１のＦｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェプロファイル
【符号の説明】
１ 支持体
２ 磁性膜（Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜）
３ 保護膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする請求項２又は請求項３の磁気記録媒体。
【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒体。
【請求項１】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高いことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】 支持体上にＦｅ−Ｃ−Ｏ系の磁性膜が設けられてなる磁気記録媒体であって、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜は斜めコラム構造を有してなり、この磁気コラムの中心部より周辺部の方がＯ濃度は高く、前記Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持つことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜のオージェ電子分光分析（スパッタ方向が磁性膜に対して斜め方向）において、縦軸にＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量（Ｆｅ量＋Ｃ量＋Ｏ量＝１００％）を、横軸にスパッタ時間をとると、Ｆｅ量、及びＯ量が各々波打ったパターンを持ち、Ｆｅ量が山に対応する領域ではＯ量が谷に対応し、Ｆｅ量が谷に対応する領域ではＯ量が山に対応し、Ｃ量はほぼ一定であることを特徴とする請求項２又は請求項３の磁気記録媒体。
【請求項５】 Ｆｅ−Ｃ−Ｏ系磁性膜におけるＦｅ量、Ｃ量、及びＯ量は５０ａｔ．％≦Ｆｅ量≦９０ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｃ量≦３５ａｔ．％５ａｔ．％≦Ｏ量≦３５ａｔ．％を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開平９−９１６６５
【公開日】平成９年（１９９７）４月４日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平７−２５０４３０
【出願日】平成７年（１９９５）９月２８日
【出願人】（００００００９１８）花王株式会社 (8,290)
【公開日】平成９年（１９９７）４月４日
【国際特許分類】
【出願日】平成７年（１９９５）９月２８日
【出願人】（００００００９１８）花王株式会社 (8,290)
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