窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
【課題】ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は、縦横比が１．５以上の長方形の基板２０１と、ｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質から成るｎ型窒化物半導体層２０２と、ｎ型窒化物半導体層２０２の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質の活性層２０３及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質のｐ型窒化物半導体層２０４と、ｐ型窒化物半導体層２０４上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔離間して設けられた透明電極２０５と、透明電極２０５上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッド２０６と、ｎ型窒化物半導体層２０２上に設けられたｎ型電極パッド２０７と、を備える。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子２００は、縦横比が１．５以上の長方形の基板２０１と、ｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質から成るｎ型窒化物半導体層２０２と、ｎ型窒化物半導体層２０２の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質の活性層２０３及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ物質のｐ型窒化物半導体層２０４と、ｐ型窒化物半導体層２０４上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔離間して設けられた透明電極２０５と、透明電極２０５上に設けられｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッド２０６と、ｎ型窒化物半導体層２０２上に設けられたｎ型電極パッド２０７と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に、発光が優先的に発
生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中
を防止して駆動電圧を減少させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体は、優れた物理的、化学的特性により、
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）又はレーザーダ
イオード（ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）などの発光素子の核心素材として注目されつ
つある。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体材料を利用したＬＥＤ又はＬＤは、青色又は緑色波長
帯の光を得るための発光素子に多く用いられており、このような発光素子は、電光板及び
照明装置など各種製品の光源として応用されている。ここで、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半
導体は、通常、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）の組成式を有す
るＧａＮ系物質からなる。
【０００３】
以下、図１及び図２を参照して、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を詳細に説
明する。
【０００４】
図１は、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図であり、図２は、従来
の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【０００５】
まず、図１に示すように、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、窒化物
系半導体物質の成長のためのサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に順次
形成されたｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３及びｐ型窒化物半導体層１０４を備
え、前記ｐ型窒化物半導体層１０４及び活性層１０３は、メサエッチング（ｍｅｓａ ｅ
ｔｃｈｉｎｇ）工程によりその一部領域が除去され、ｎ型窒化物半導体層１０２の上面の
一部を露出した構造を有する。
【０００６】
そして、前記メサエッチング工程によりエッチングされないｐ型窒化物半導体層１０４
上には、ｐ型電極パッド１０６が形成されており、前記ｎ型窒化物半導体層１０２上には
、ｎ型電極パッド１０７が形成されている。
【０００７】
ここで、前記ｐ型窒化物半導体層１０４は、ｎ型窒化物半導体層１０２に比べて、高い
比抵抗を有するため、ｐ型窒化物半導体層１０４とｎ型窒化物半導体層１０２との抵抗差
により、電流拡散特性が低くなるという問題がある。このように、電流拡散特性が低くな
れば、光抽出効率も低くなることから、結局、窒化物系半導体発光素子１００の輝度が低
下する。これにより、従来では、前記ｐ型窒化物半導体層１０４上に透明電極１０５を形
成して、前記ｐ型電極パッド１０６を介して注入される電流の注入面積を増加させること
で、電流拡散効果を改善した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上記のように、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、ｐ型窒
化物半導体層１０４上に透明電極１０５をさらに備えて、既存に比べて向上した電流拡散
効果を得ることができたが、前記透明電極１０５とｎ型窒化物半導体層１０２との間の面
抵抗の差が大きい場合には、相変らず低い電流拡散特性を示すという問題がある。その例
として、通常用いられているＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を透明電極１
０５として使用する場合、前記ＩＴＯの高い面抵抗により、ｐ型電極パッド１０６の付近
（図面符号「Ａ1」参照）で局部的な電流集中現象が発生する。
【０００９】
一方、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、図２に示すように、ｐ型電
極パッド１０６をメサラインである前記ｐ型窒化物半導体層１０４の外側エッジラインと
最大限近接するように形成して、ｎ型電極パッド１０７との間隔を最大限離隔させること
により、これらの間での発光面積を最大限確保して光出力の向上効果を期待している。し
かしながら、こういう場合、上述したようなｐ型電極パッド１０６付近Ａ1での局部的な
電流集中が極めて増加するため、駆動電圧が増加するなど、素子の信頼性が低下するとい
う問題が発生する。
【００１０】
なお、前記ｐ型電極パッド１０６付近Ａ1は、電流が集中することにより発光が優先的
に発生する領域（以下、「優先発光領域」と称する）でもあり、上記のように、ｐ型電極
パッド１０６をメサラインと近接して形成する場合、むしろ、発光密度の高い優先発光領
域であるｐ型電極パッド１０６付近Ａ1の面積を確保するのに限界があるから、チップ全
体の光抽出効率を向上させるのが困難である。一方、図１において点線で示したものは、
電流の経路である。
【００１１】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ｐ型電極パッド付近の
面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少さ
せる等、素子の信頼性を向上させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る窒化物系半導体発光素子は、長方形に設けられ
、縦横比が１．５以上の基板と、前記基板上に設けられたｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（
０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化
物半導体層の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、
Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成る活性層、及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０
≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層
上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから所定間隔離間して設けら
れた透明電極と、前記透明電極上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジライ
ンから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッドと、前記ｎ型窒化物半導体層上に
設けられたｎ型電極パッドと、を備える。
【００１３】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドは、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから
１００〜２００μｍだけ離間される。
【００１４】
好ましくは、前記基板はサファイアであり、前記基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間
にＡｌＮ／ＧａＮからなるバッファ層をさらに含む。
【００１５】
好ましくは、前記ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちのいずれか一つのｎ
型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記ｐ型窒
化物半導体層は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅのうちのいずれか一つのｐ型導電型不純物がドープさ
れたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記活性層は、多重量子井戸（ｍｕｌ
ｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成る。
【００１６】
好ましくは、前記透明電極は、ＩＴＯ材質から成る。
【００１７】
好ましくは、前記ｐ型電極パッド及び前記ｎ型電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ／Ｃｒか
ら成る。
【００１８】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドが前記窒化物半導体層の外側エッジラインから約５０
μｍ〜２００μｍだけ離間される間、光出力（Ｐｏ）値が増加する。
【００１９】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドが前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから２
００μｍより遠い距離に離間されるほど、光出力（Ｐｏ）値が減少する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ｐ型電極パッドをメサラインから所定間隔離隔させることにより、発
光が優先的に発生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張してチップの光抽出効率を向上さ
せることができ、局部的な電流の集中を分散させて駆動電圧を減少させるなど、素子の信
頼性を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。しかしながら
、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
【００２２】
窒化物系半導体発光素子の構造
図３及び図４を参考に、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子について詳
細に説明する。
【００２３】
図３は、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図であり、図４
は、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【００２４】
図３に示すように、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子２００は、窒化
物系半導体物質の成長のためのサファイア基板２０１と、該サファイア基板２０１上に順
次形成されたバッファ層（図示せず）、ｎ型窒化物半導体層２０２、活性層２０３、及び
ｐ型窒化物半導体層２０４を備え、前記ｐ型窒化物半導体層２０４及び活性層２０３は、
メサエッチング工程によりその一部領域が除去されるため、前記ｎ型窒化物半導体層２０
２の一部上面を露出した構造を有する。
【００２５】
ここで、前記バッファ層は、前記サファイア基板２０１とｎ型窒化物半導体層２０２と
の間の格子整合を向上させるために、サファイア基板２０１上に成長されるものであって
、通常、ＡｌＮ／ＧａＮなどからなることができる。
【００２６】
そして、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層２０２，２０４、及び前記活性層２０３は、
ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ組成式（ここで、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）を有する半導体
物質からなることができる。さらに詳細に、前記ｎ型窒化物半導体層２０２は、ｎ型導電
形不純物がドーピングされたＧａＮ層又はＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなることができ、前
記ｎ型導電形不純物には、例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎなどを使用し、好ましくは、Ｓｉを
主に使用する。また、前記ｐ型窒化物半導体層２０４は、ｐ型導電形不純物がドーピング
されたＧａＮ層又はＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなることができ、前記ｐ型導電形不純物に
は、例えば、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｂｅなどを使用し、好ましくは、Ｍｇを主に使用する。そして
、前記活性層２０３は、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造の
ＩｎＧａＮ／ＧａＮ層からなることができる。
【００２７】
前記メサエッチング工程によりエッチングされないｐ型窒化物半導体層２０４上には、
ＩＴＯ材質の透明電極２０５が形成されている。そして、前記透明電極２０５上には、メ
サラインである前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔が離隔さ
れたｐ型電極パッド２０６が形成されており、前記メサエッチング工程により露出された
ｎ型窒化物半導体層２０２上には、ｎ型電極パッド２０７が形成されている。このとき、
前記ｐ型電極パッド２０６は、一般的な窒化物系半導体発光素子チップのサイズを考慮し
て、前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離隔さ
れて形成されることが好ましい。
【００２８】
また、前記基板２０１の平面形状は、図４に示すように、長方形のものが好ましく、こ
のとき、長方形の縦対横の比が１対１．５以上であることが好ましい。
【００２９】
一方、上述したように、通常用いられているＩＴＯを透明電極２０５として使用する場
合、前記ＩＴＯの高い面抵抗により、ｐ型電極パッド２０６付近で局部的な電流集中現象
が発生できるが、本発明の実施の形態では、前記ｐ型電極パッド２０６がメサラインから
所定間隔が離隔されているため、電流の局部的な集中を分散させることができる。これに
より、駆動電圧を減少させ得るなど、素子の信頼性を向上させ得るが、優先発光領域であ
るｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張（図３の図面符号「Ａ2」参照）でき、チップ
全体の発光効率を向上させることができる。一方、図３において点線で示したものは、電
流の経路である。
【００３０】
窒化物系半導体発光素子の製造方法
以下では、本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法について説明
する。
【００３１】
図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説
明するための工程別断面図である。
【００３２】
まず、図５Ａに示すように、窒化物系半導体物質の成長のためのサファイア基板２０１
上に、バッファ層（図示せず）、ｎ型窒化物半導体層２０２、活性層２０３、及びｐ型窒
化物半導体層２０４を順に形成する。ここで、前記バッファ層は形成しなくてもよく、ｎ
型窒化物半導体層２０２、活性層２０３及びｐ型窒化物半導体層２０４は、ＩｎXＡｌYＧ
ａ1-X-YＮ組成式（ここで、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１である）を有する半導体物質か
らなることができ、一般に、有機金属化学気相（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）などの工程により形成でき
る。
【００３３】
次に、図５Ｂに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４、活性層２０３、及びｎ型
窒化物半導体層２０２の一部をメサエッチングすることにより、前記ｎ型窒化物半導体層
２０２の一部を露出させる。
【００３４】
その後、図５Ｃに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４上に透明電極２０５を形
成する。前記透明電極２０５は、通常、ＩＴＯで形成する。
【００３５】
その後、図５Ｄに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから
所定間隔離隔された前記透明電極２０５上にｐ型電極パッド２０６を形成し、前記ｎ型窒
化物半導体層２０２上にｎ型電極パッド２０７を形成する。前記ｐ型電極パッド２０６及
びｎ型電極パッド２０７は、Ａｕ又はＡｕ／Ｃｒなどのような金属を利用して形成できる
。
【００３６】
このとき、上述したように、前記透明電極２０５として用いられるＩＴＯの高い面抵抗
により、ｐ型電極パッド２０６の付近に電流が集中することができるが、本発明の実施の
形態では、前記ｐ型電極パッド２０６がメサラインから所定間隔が離隔されているため、
電流の局部的な集中を分散させることができる。したがって、本発明は、駆動電圧の減少
効果を得ることができ、優先発光領域であるｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張（図
５Ｄの図面符号「Ａ2」参照）できるため、チップ全体の発光効率を向上させることがで
きる。
【００３７】
ここで、図６は、ｐ型電極パッドの離隔距離に応じるＰｏ（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｏｗｅ
ｒ）変化を示すグラフであり、図７は、ｐ型電極パッドの離隔距離に応じる駆動電圧の変
化を示すグラフである。
【００３８】
まず、図６に示すように、ｐ型電極パッド２０６がメサラインから約５０μｍ〜２００
μｍ分だけ離隔される間、Ｐｏ値が増加する傾向を示しており、２００μｍ以上に離隔さ
れるほど、Ｐｏ値が減少することが分かる。したがって、前記ｐ型電極パッド２０６は、
メサラインである前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μ
ｍ程度の範囲で離隔されることが最も好ましい。
【００３９】
そして、図７に示すように、前記ｐ型電極パッド２０６を、メサラインから所定間隔離
隔させることにより、すなわち、ｐ型電極パッド２０６とｎ型電極パッド２０７との間の
距離を減少させることによって、駆動電圧値が減少したことが分かる。
【００４０】
図８は、ｐ型電極パッドをメサラインから５５μｍ離隔させた場合の発光状態を示す写
真である。
【００４１】
本発明の実施の形態により、ｐ型電極パッド２０６をメサラインから５５μｍ離隔させ
た場合、同図に示すように、全チップにおいて均一な光効果を得ることができることはも
ちろん、優先発光領域であるｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張できることから、チ
ップ全体の発光効率をさらに向上させることができる。
【００４２】
一方、前記サファイア基板２０１の平面形状は、長方形のものが好ましく、これは、前
記サファイア基板２０１が長方形である場合が、正四角形の場合に比べてｐ型電極パッド
２０６をメサラインから離隔させ得る距離に対するマージン確保に有利なためである。こ
のとき、前記長方形の縦対横の長さ比が１対１．５以上であることが好ましい。これは、
長方形の縦対横の長さ比が１．５より小さい場合、メサラインから離隔されるｐ型電極パ
ッド２０６がｎ型電極パッド２０７に近づきすぎることによって、むしろ電流の拡散性が
低くなり得る可能性があるためである。
【００４３】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、
本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想
を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変
更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図である。
【図２】従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【図５Ａ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図６】ｐ型電極パッドの離隔距離に応じるＰｏ（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｏｗｅｒ）変化を示すグラフである。
【図７】ｐ型電極パッドの離隔距離に応じる駆動電圧の変化を示すグラフである。
【図８】ｐ型電極パッドをメサラインから５５μｍ離隔させた場合の発光状態を示す写真である。
【符号の説明】
【００４５】
２００ 窒化物系半導体発光素子
２０１ サファイア基板
２０２ ｎ型窒化物半導体層
２０３ 活性層
２０４ ｐ型窒化物半導体層
２０５ 透明電極
２０６ ｐ型電極パッド
２０７ ｎ型電極パッド
Ａ2 拡張された優先発光領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物系半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に、発光が優先的に発
生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中
を防止して駆動電圧を減少させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体は、優れた物理的、化学的特性により、
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）又はレーザーダ
イオード（ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ：ＬＤ）などの発光素子の核心素材として注目されつ
つある。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体材料を利用したＬＥＤ又はＬＤは、青色又は緑色波長
帯の光を得るための発光素子に多く用いられており、このような発光素子は、電光板及び
照明装置など各種製品の光源として応用されている。ここで、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半
導体は、通常、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）の組成式を有す
るＧａＮ系物質からなる。
【０００３】
以下、図１及び図２を参照して、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を詳細に説
明する。
【０００４】
図１は、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図であり、図２は、従来
の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【０００５】
まず、図１に示すように、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、窒化物
系半導体物質の成長のためのサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に順次
形成されたｎ型窒化物半導体層１０２、活性層１０３及びｐ型窒化物半導体層１０４を備
え、前記ｐ型窒化物半導体層１０４及び活性層１０３は、メサエッチング（ｍｅｓａ ｅ
ｔｃｈｉｎｇ）工程によりその一部領域が除去され、ｎ型窒化物半導体層１０２の上面の
一部を露出した構造を有する。
【０００６】
そして、前記メサエッチング工程によりエッチングされないｐ型窒化物半導体層１０４
上には、ｐ型電極パッド１０６が形成されており、前記ｎ型窒化物半導体層１０２上には
、ｎ型電極パッド１０７が形成されている。
【０００７】
ここで、前記ｐ型窒化物半導体層１０４は、ｎ型窒化物半導体層１０２に比べて、高い
比抵抗を有するため、ｐ型窒化物半導体層１０４とｎ型窒化物半導体層１０２との抵抗差
により、電流拡散特性が低くなるという問題がある。このように、電流拡散特性が低くな
れば、光抽出効率も低くなることから、結局、窒化物系半導体発光素子１００の輝度が低
下する。これにより、従来では、前記ｐ型窒化物半導体層１０４上に透明電極１０５を形
成して、前記ｐ型電極パッド１０６を介して注入される電流の注入面積を増加させること
で、電流拡散効果を改善した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上記のように、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、ｐ型窒
化物半導体層１０４上に透明電極１０５をさらに備えて、既存に比べて向上した電流拡散
効果を得ることができたが、前記透明電極１０５とｎ型窒化物半導体層１０２との間の面
抵抗の差が大きい場合には、相変らず低い電流拡散特性を示すという問題がある。その例
として、通常用いられているＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を透明電極１
０５として使用する場合、前記ＩＴＯの高い面抵抗により、ｐ型電極パッド１０６の付近
（図面符号「Ａ1」参照）で局部的な電流集中現象が発生する。
【０００９】
一方、従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子１００は、図２に示すように、ｐ型電
極パッド１０６をメサラインである前記ｐ型窒化物半導体層１０４の外側エッジラインと
最大限近接するように形成して、ｎ型電極パッド１０７との間隔を最大限離隔させること
により、これらの間での発光面積を最大限確保して光出力の向上効果を期待している。し
かしながら、こういう場合、上述したようなｐ型電極パッド１０６付近Ａ1での局部的な
電流集中が極めて増加するため、駆動電圧が増加するなど、素子の信頼性が低下するとい
う問題が発生する。
【００１０】
なお、前記ｐ型電極パッド１０６付近Ａ1は、電流が集中することにより発光が優先的
に発生する領域（以下、「優先発光領域」と称する）でもあり、上記のように、ｐ型電極
パッド１０６をメサラインと近接して形成する場合、むしろ、発光密度の高い優先発光領
域であるｐ型電極パッド１０６付近Ａ1の面積を確保するのに限界があるから、チップ全
体の光抽出効率を向上させるのが困難である。一方、図１において点線で示したものは、
電流の経路である。
【００１１】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ｐ型電極パッド付近の
面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少さ
せる等、素子の信頼性を向上させ得る窒化物系半導体発光素子及びその製造方法を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る窒化物系半導体発光素子は、長方形に設けられ
、縦横比が１．５以上の基板と、前記基板上に設けられたｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（
０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｎ型窒化物半導体層と、前記ｎ型窒化
物半導体層の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、
Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成る活性層、及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０
≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｐ型窒化物半導体層と、前記ｐ型窒化物半導体層
上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから所定間隔離間して設けら
れた透明電極と、前記透明電極上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジライ
ンから５０〜２００μｍだけ離間されたｐ型電極パッドと、前記ｎ型窒化物半導体層上に
設けられたｎ型電極パッドと、を備える。
【００１３】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドは、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから
１００〜２００μｍだけ離間される。
【００１４】
好ましくは、前記基板はサファイアであり、前記基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間
にＡｌＮ／ＧａＮからなるバッファ層をさらに含む。
【００１５】
好ましくは、前記ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちのいずれか一つのｎ
型導電型不純物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記ｐ型窒
化物半導体層は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅのうちのいずれか一つのｐ型導電型不純物がドープさ
れたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記活性層は、多重量子井戸（ｍｕｌ
ｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成る。
【００１６】
好ましくは、前記透明電極は、ＩＴＯ材質から成る。
【００１７】
好ましくは、前記ｐ型電極パッド及び前記ｎ型電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ／Ｃｒか
ら成る。
【００１８】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドが前記窒化物半導体層の外側エッジラインから約５０
μｍ〜２００μｍだけ離間される間、光出力（Ｐｏ）値が増加する。
【００１９】
好ましくは、前記ｐ型電極パッドが前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから２
００μｍより遠い距離に離間されるほど、光出力（Ｐｏ）値が減少する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ｐ型電極パッドをメサラインから所定間隔離隔させることにより、発
光が優先的に発生するｐ型電極パッド付近の面積を拡張してチップの光抽出効率を向上さ
せることができ、局部的な電流の集中を分散させて駆動電圧を減少させるなど、素子の信
頼性を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の好ましい実施形態を、添付図面に基づき詳細に説明する。しかしながら
、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
【００２２】
窒化物系半導体発光素子の構造
図３及び図４を参考に、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子について詳
細に説明する。
【００２３】
図３は、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図であり、図４
は、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【００２４】
図３に示すように、本発明の一実施形態に係る窒化物系半導体発光素子２００は、窒化
物系半導体物質の成長のためのサファイア基板２０１と、該サファイア基板２０１上に順
次形成されたバッファ層（図示せず）、ｎ型窒化物半導体層２０２、活性層２０３、及び
ｐ型窒化物半導体層２０４を備え、前記ｐ型窒化物半導体層２０４及び活性層２０３は、
メサエッチング工程によりその一部領域が除去されるため、前記ｎ型窒化物半導体層２０
２の一部上面を露出した構造を有する。
【００２５】
ここで、前記バッファ層は、前記サファイア基板２０１とｎ型窒化物半導体層２０２と
の間の格子整合を向上させるために、サファイア基板２０１上に成長されるものであって
、通常、ＡｌＮ／ＧａＮなどからなることができる。
【００２６】
そして、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層２０２，２０４、及び前記活性層２０３は、
ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ組成式（ここで、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）を有する半導体
物質からなることができる。さらに詳細に、前記ｎ型窒化物半導体層２０２は、ｎ型導電
形不純物がドーピングされたＧａＮ層又はＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなることができ、前
記ｎ型導電形不純物には、例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎなどを使用し、好ましくは、Ｓｉを
主に使用する。また、前記ｐ型窒化物半導体層２０４は、ｐ型導電形不純物がドーピング
されたＧａＮ層又はＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなることができ、前記ｐ型導電形不純物に
は、例えば、Ｍｇ，Ｚｎ，Ｂｅなどを使用し、好ましくは、Ｍｇを主に使用する。そして
、前記活性層２０３は、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造の
ＩｎＧａＮ／ＧａＮ層からなることができる。
【００２７】
前記メサエッチング工程によりエッチングされないｐ型窒化物半導体層２０４上には、
ＩＴＯ材質の透明電極２０５が形成されている。そして、前記透明電極２０５上には、メ
サラインである前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから所定間隔が離隔さ
れたｐ型電極パッド２０６が形成されており、前記メサエッチング工程により露出された
ｎ型窒化物半導体層２０２上には、ｎ型電極パッド２０７が形成されている。このとき、
前記ｐ型電極パッド２０６は、一般的な窒化物系半導体発光素子チップのサイズを考慮し
て、前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μｍだけ離隔さ
れて形成されることが好ましい。
【００２８】
また、前記基板２０１の平面形状は、図４に示すように、長方形のものが好ましく、こ
のとき、長方形の縦対横の比が１対１．５以上であることが好ましい。
【００２９】
一方、上述したように、通常用いられているＩＴＯを透明電極２０５として使用する場
合、前記ＩＴＯの高い面抵抗により、ｐ型電極パッド２０６付近で局部的な電流集中現象
が発生できるが、本発明の実施の形態では、前記ｐ型電極パッド２０６がメサラインから
所定間隔が離隔されているため、電流の局部的な集中を分散させることができる。これに
より、駆動電圧を減少させ得るなど、素子の信頼性を向上させ得るが、優先発光領域であ
るｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張（図３の図面符号「Ａ2」参照）でき、チップ
全体の発光効率を向上させることができる。一方、図３において点線で示したものは、電
流の経路である。
【００３０】
窒化物系半導体発光素子の製造方法
以下では、本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法について説明
する。
【００３１】
図５Ａ〜図５Ｄは、本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説
明するための工程別断面図である。
【００３２】
まず、図５Ａに示すように、窒化物系半導体物質の成長のためのサファイア基板２０１
上に、バッファ層（図示せず）、ｎ型窒化物半導体層２０２、活性層２０３、及びｐ型窒
化物半導体層２０４を順に形成する。ここで、前記バッファ層は形成しなくてもよく、ｎ
型窒化物半導体層２０２、活性層２０３及びｐ型窒化物半導体層２０４は、ＩｎXＡｌYＧ
ａ1-X-YＮ組成式（ここで、０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１である）を有する半導体物質か
らなることができ、一般に、有機金属化学気相（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）などの工程により形成でき
る。
【００３３】
次に、図５Ｂに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４、活性層２０３、及びｎ型
窒化物半導体層２０２の一部をメサエッチングすることにより、前記ｎ型窒化物半導体層
２０２の一部を露出させる。
【００３４】
その後、図５Ｃに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４上に透明電極２０５を形
成する。前記透明電極２０５は、通常、ＩＴＯで形成する。
【００３５】
その後、図５Ｄに示すように、前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから
所定間隔離隔された前記透明電極２０５上にｐ型電極パッド２０６を形成し、前記ｎ型窒
化物半導体層２０２上にｎ型電極パッド２０７を形成する。前記ｐ型電極パッド２０６及
びｎ型電極パッド２０７は、Ａｕ又はＡｕ／Ｃｒなどのような金属を利用して形成できる
。
【００３６】
このとき、上述したように、前記透明電極２０５として用いられるＩＴＯの高い面抵抗
により、ｐ型電極パッド２０６の付近に電流が集中することができるが、本発明の実施の
形態では、前記ｐ型電極パッド２０６がメサラインから所定間隔が離隔されているため、
電流の局部的な集中を分散させることができる。したがって、本発明は、駆動電圧の減少
効果を得ることができ、優先発光領域であるｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張（図
５Ｄの図面符号「Ａ2」参照）できるため、チップ全体の発光効率を向上させることがで
きる。
【００３７】
ここで、図６は、ｐ型電極パッドの離隔距離に応じるＰｏ（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｏｗｅ
ｒ）変化を示すグラフであり、図７は、ｐ型電極パッドの離隔距離に応じる駆動電圧の変
化を示すグラフである。
【００３８】
まず、図６に示すように、ｐ型電極パッド２０６がメサラインから約５０μｍ〜２００
μｍ分だけ離隔される間、Ｐｏ値が増加する傾向を示しており、２００μｍ以上に離隔さ
れるほど、Ｐｏ値が減少することが分かる。したがって、前記ｐ型電極パッド２０６は、
メサラインである前記ｐ型窒化物半導体層２０４の外側エッジラインから５０〜２００μ
ｍ程度の範囲で離隔されることが最も好ましい。
【００３９】
そして、図７に示すように、前記ｐ型電極パッド２０６を、メサラインから所定間隔離
隔させることにより、すなわち、ｐ型電極パッド２０６とｎ型電極パッド２０７との間の
距離を減少させることによって、駆動電圧値が減少したことが分かる。
【００４０】
図８は、ｐ型電極パッドをメサラインから５５μｍ離隔させた場合の発光状態を示す写
真である。
【００４１】
本発明の実施の形態により、ｐ型電極パッド２０６をメサラインから５５μｍ離隔させ
た場合、同図に示すように、全チップにおいて均一な光効果を得ることができることはも
ちろん、優先発光領域であるｐ型電極パッド２０６付近の面積を拡張できることから、チ
ップ全体の発光効率をさらに向上させることができる。
【００４２】
一方、前記サファイア基板２０１の平面形状は、長方形のものが好ましく、これは、前
記サファイア基板２０１が長方形である場合が、正四角形の場合に比べてｐ型電極パッド
２０６をメサラインから離隔させ得る距離に対するマージン確保に有利なためである。こ
のとき、前記長方形の縦対横の長さ比が１対１．５以上であることが好ましい。これは、
長方形の縦対横の長さ比が１．５より小さい場合、メサラインから離隔されるｐ型電極パ
ッド２０６がｎ型電極パッド２０７に近づきすぎることによって、むしろ電流の拡散性が
低くなり得る可能性があるためである。
【００４３】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、
本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想
を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変
更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図である。
【図２】従来の技術に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子を示す平面図である。
【図５Ａ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施の形態に係る窒化物系半導体発光素子の製造方法を説明するための工程別断面図である。
【図６】ｐ型電極パッドの離隔距離に応じるＰｏ（ｏｐｔｉｃａｌ ｐｏｗｅｒ）変化を示すグラフである。
【図７】ｐ型電極パッドの離隔距離に応じる駆動電圧の変化を示すグラフである。
【図８】ｐ型電極パッドをメサラインから５５μｍ離隔させた場合の発光状態を示す写真である。
【符号の説明】
【００４５】
２００ 窒化物系半導体発光素子
２０１ サファイア基板
２０２ ｎ型窒化物半導体層
２０３ 活性層
２０４ ｐ型窒化物半導体層
２０５ 透明電極
２０６ ｐ型電極パッド
２０７ ｎ型電極パッド
Ａ2 拡張された優先発光領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形に設けられ、縦横比が１．５以上の基板と、
前記基板上に設けられたｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１で
ある）物質から成るｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０
≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成る活性層、及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-Y
Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインか
ら所定間隔離間して設けられた透明電極と、
前記透明電極上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２
００μｍだけ離間されたｐ型電極パッドと、
前記ｎ型窒化物半導体層上に設けられたｎ型電極パッドと、
を含む窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型電極パッドは、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから１００〜２０
０μｍだけ離間されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板はサファイアであり、前記基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間にＡｌＮ／Ｇ
ａＮからなるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体
発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちのいずれか一つのｎ型導電型不純
物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記ｐ型窒化物半導体層
は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅのうちのいずれか一つのｐ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層
またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記活性層は、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａ
ｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成ることを特徴とする請求項１に
記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
前記透明電極は、ＩＴＯ材質から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導
体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型電極パッド及び前記ｎ型電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ／Ｃｒから成ることを
特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型電極パッドが前記窒化物半導体層の外側エッジラインから約５０μｍ〜２００
μｍだけ離間される間、光出力（Ｐｏ）値が増加することを特徴とする請求項１に記載の
窒化物系半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｐ型電極パッドが前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから２００μｍより
遠い距離に離間されるほど、光出力（Ｐｏ）値が減少することを特徴とする請求項７に記
載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１】
長方形に設けられ、縦横比が１．５以上の基板と、
前記基板上に設けられたｎ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１で
ある）物質から成るｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層の所定領域上に順に設けられた、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０
≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成る活性層、及びｐ型ＩｎXＡｌYＧａ1-X-Y
Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１である）物質から成るｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインか
ら所定間隔離間して設けられた透明電極と、
前記透明電極上に設けられ、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから５０〜２
００μｍだけ離間されたｐ型電極パッドと、
前記ｎ型窒化物半導体層上に設けられたｎ型電極パッドと、
を含む窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型電極パッドは、前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから１００〜２０
０μｍだけ離間されたことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板はサファイアであり、前記基板と前記ｎ型窒化物半導体層との間にＡｌＮ／Ｇ
ａＮからなるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体
発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型窒化物半導体層は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎのうちのいずれか一つのｎ型導電型不純
物がドープされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記ｐ型窒化物半導体層
は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅのうちのいずれか一つのｐ型導電型不純物がドープされたＧａＮ層
またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層であり、前記活性層は、多重量子井戸（ｍｕｌｔｉ−ｑｕａ
ｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造のＩｎＧａＮ／ＧａＮ層から成ることを特徴とする請求項１に
記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
前記透明電極は、ＩＴＯ材質から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導
体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型電極パッド及び前記ｎ型電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ／Ｃｒから成ることを
特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型電極パッドが前記窒化物半導体層の外側エッジラインから約５０μｍ〜２００
μｍだけ離間される間、光出力（Ｐｏ）値が増加することを特徴とする請求項１に記載の
窒化物系半導体発光素子。
【請求項８】
前記ｐ型電極パッドが前記ｐ型窒化物半導体層の外側エッジラインから２００μｍより
遠い距離に離間されるほど、光出力（Ｐｏ）値が減少することを特徴とする請求項７に記
載の窒化物系半導体発光素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−２５６９１８（Ｐ２０１２−２５６９１８Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７３２１４（Ｐ２０１２−１７３２１４）
【出願日】平成２４年８月３日（２０１２．８．３）
【分割の表示】特願２０１０−２６５６８２（Ｐ２０１０−２６５６８２）の分割
【原出願日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【出願人】（５０９１５６５３８）サムソン エルイーディー 株式会社 (114)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２７日（２０１２．１２．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月３日（２０１２．８．３）
【分割の表示】特願２０１０−２６５６８２（Ｐ２０１０−２６５６８２）の分割
【原出願日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【出願人】（５０９１５６５３８）サムソン エルイーディー 株式会社 (114)
【Ｆターム（参考）】
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