【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップなどの発光チップに波長変換層を良好に形成することができる発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】発光パッケージは、厚さ方向に配列する主表面２０と主表面２１とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、主表面２０に設けられると共に、第１波長域の光を発光するＬＥＤチップ１５とＬＥＤチップ１５を覆うように形成され、第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８と、アノードに接続され、主表面２０に設けられた電極１２と、カソードに接続され、主表面２０に設けられた電極１３と、電極１２と電極１３とは電気的に接続されていない電極１４とを備え、電極１２の少なくとも一部と電極１３の少なくとも一部と電極１４の少なくとも一部とＬＥＤチップ１５とが封止層１８に覆われた。 （もっと読む）

【課題】 ホールの供給を促して、発光効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１０では、第１導電型の第１不純物濃度を有する井戸層と第１不純物濃度より高い第１導電型の第２不純物濃度を有する障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層１３が、第１半導体層１２上に部分的に設けられている。バンドギャップが略一様で単一の組成を有する第２導電型の第２半導体層１５、１６が発光層１３上に設けられている。第１電極２１、２２は、第１半導体層１３上に設けられている。第２電極２３、２４が、第２半導体層１６上に設けられている。発光層１３に平行な方向における第１電極２２と第２電極２４の間の第１の距離Ｌ１が、発光層１３に垂直な方向における第１電極２１、２２と第２電極２３、２４の間の第２の距離Ｌ２より大きい。 （もっと読む）

【課題】多様な明るさの発光を具現するように調節可能であり、発光面積を向上できる発光素子の提供。
【解決手段】発光素子１００は、第１半導体層、活性層、及び第２半導体層を含む複数の発光領域Ｐ１〜Ｐ９と、前記発光領域の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、複数の発光領域のうちいずれか一つの第１半導体層上に配置される第１電極部１５０と、複数の発光領域のうち他のいずれか一つの第２半導体層上に配置される第２電極部１７０と、隣接する発光領域のいずれか一方の第１半導体層と、残りの他方の第２半導体層とを電気的に連結する連結電極１６０−１〜１６０−８と、発光領域のうち少なくとも一つの第２半導体層上に配置される中間パッド１８４と、を含み、発光領域は、連結電極により直列連結される。 （もっと読む）

【課題】電流分布を均一させるためｎ側電極が電極面の中央部に配置しても、回路基板の電極パターンを簡単化できる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＬＥＤダイ２０の電極面において、ｐ側電極２７はｎ側電極２６に対して一方の辺部にあり、他方の辺部にはフローティング電極２５がある。このためｎ側電極２６と接続する回路基板３８の内部接続電極３２は回路基板３８の他方側にだけあれば良く、同様にｐ側電極２７と接続する内部接続電極３５は回路基板３８の一方側だけにあれば良い。このときｐ側電極２７はｐ型半導体層２３全体と低抵抗接続しているので電流分布が不均一にならない。 （もっと読む）

【課題】発光むらが低減された半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型半導体層及びｐ型半導体層が積層された半導体層と、前記ｎ型半導体層に接続されたｎ側電極と、前記ｐ型半導体層上にｐ側透光性電極を有し、該ｐ側透光性電極に接続されたｐ側電極と、を備えた半導体発光素子であって、前記半導体発光素子を上面から見て、前記ｐ側電極は、前記ｎ側電極を囲むように形成されたｐ側延伸部とｐ側パッド電極とを有し、前記ｎ側電極は、ｎ側パッド電極と、前記ｐ側パッド電極方向に延びるｎ側第１延伸部と、を有し、前記ｐ側延伸部は、前記ｐ側パッド電極から延伸するｐ側第１延伸部と、前記ｐ側第１延伸部から延伸するｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第２延伸部から分岐して延伸するｐ側第３延伸部と、前記ｐ側第３延伸部から延伸するｐ側第４延伸部と、を備え、前記ｐ側第２延伸部と、前記ｐ側第４延伸部と、前記ｎ側第１延伸部とが平行である。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）