発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法
【課題】ＬＥＤチップなどの発光チップに波長変換層を良好に形成することができる発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】発光パッケージは、厚さ方向に配列する主表面２０と主表面２１とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、主表面２０に設けられると共に、第１波長域の光を発光するＬＥＤチップ１５とＬＥＤチップ１５を覆うように形成され、第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８と、アノードに接続され、主表面２０に設けられた電極１２と、カソードに接続され、主表面２０に設けられた電極１３と、電極１２と電極１３とは電気的に接続されていない電極１４とを備え、電極１２の少なくとも一部と電極１３の少なくとも一部と電極１４の少なくとも一部とＬＥＤチップ１５とが封止層１８に覆われた。
【解決手段】発光パッケージは、厚さ方向に配列する主表面２０と主表面２１とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、主表面２０に設けられると共に、第１波長域の光を発光するＬＥＤチップ１５とＬＥＤチップ１５を覆うように形成され、第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８と、アノードに接続され、主表面２０に設けられた電極１２と、カソードに接続され、主表面２０に設けられた電極１３と、電極１２と電極１３とは電気的に接続されていない電極１４とを備え、電極１２の少なくとも一部と電極１３の少なくとも一部と電極１４の少なくとも一部とＬＥＤチップ１５とが封止層１８に覆われた。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色ＬＥＤチップから出射した青色光と、青色光で励起された蛍光体から発光した発光光の混色により、白色光を得ることができる白色ＬＥＤの開発が進んできている。
【０００３】
このように、青色光で励起する蛍光体などを含む波長変換層を備えた発光装置としては、特開２０１１−１５１２６８号公報に記載された発光装置などが挙げられる。
【０００４】
このような発光装置は、たとえば以下のような工程で製造されている。まず、パッケージ基板の所定の位置に、青色ＬＥＤチップをダイボンドしたのち、パッケージ基板に形成されているアノード、カソード電極と青色ＬＥＤチップの電極をワイヤボンドする。つぎに、蛍光体を高濃度で透明樹脂に混練した蛍光体樹脂を青色ＬＥＤチップに塗布し、波長変換層を形成する。最後に、青色ＬＥＤチップおよび波長変換層を透明体で封止することで透明樹脂層を形成する。
【０００５】
ここで、蛍光体樹脂の塗布による波長変換層の製造方法としては、前述した透明樹脂内に高濃度の蛍光体を混錬した蛍光体樹脂をＬＥＤチップに塗布する方法のほかに、低濃度の蛍光体樹脂をＬＥＤチップに塗布したのち、蛍光体を自然沈降させることで、波長変換層と透明樹脂層を同時形成する方法がある。
しかしながら、蛍光体濃度が濃すぎると蛍光体樹脂の粘度が大きくなりすぎて、塗布装置のノズルで蛍光体樹脂がつまったり、ＬＥＤチップへの塗布の後に蛍光体樹脂がＬＥＤチップ全体に濡れ広がらなかったり、生産が難しくなる。低濃度の場合では、蛍光体を自然沈降させる必要があるため、蛍光体樹脂の粘度を小さくしなければならず、塗布工程のタクトが長かったり、ＬＥＤパッケージ１ロットの数が多かったりすると、１ロット分の蛍光体樹脂を使いきるまでの時間が長くなり、その間に塗布装置の蛍光体樹脂用容器内で蛍光体が沈降してしまい、容器内で蛍光体の濃度分布ができてしまう。このような状態で蛍光体樹脂を塗布すると、生産のはじめとおわりのＬＥＤパッケージ間の色むらが大きくなってしまう。
【０００６】
また、蛍光体樹脂の塗布以外の波長変換層の製造方法としては、特開２００７−１３４３７８号公報に記載されたような製造方法がある。
【０００７】
まず、ＩＰＡ（イソプロパノール）などの揮発性溶剤と蛍光体樹脂で満たされた容器の中に、第一電極に接続したＬＥＤチップ搭載済みパッケージと第二電極とを浸す。つぎに、第一電極と第二電極間に電圧を印加することで電極間に電界を発生させる。このとき、蛍光体の電荷と電界に起因する力が蛍光体に働き、蛍光体の電荷に依存して正負どちらかの電極に向かって溶剤内を移動する（この現象は電気泳動と呼ばれている）。ここで、蛍光体が吸い寄せられる方の電極を第一電極としておくことで、蛍光体をＬＥＤチップの周りに集めることができる。最後に、ＬＥＤパッケージを溶剤から取り出し、溶剤を揮発させることで波長変換層を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１５１２６８号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開２００７−１３４３７８号公報のような製造方法では、電気泳動を使ってＬＥＤチップに蛍光体を集める工程と、溶剤を揮発させる工程が必要なため、塗布による製造方法にくらべて工程が多くなる。また、多数のＬＥＤパッケージを浸すためには広い容器が必要であり、このような容器内の蛍光体濃度分布を均一にすることは困難なため、ＬＥＤパッケージ毎の色むらが大きくなってしまう傾向がある。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、ＬＥＤパッケージの波長変換層を良好に形成することができる発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る発光パッケージは、厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、発光素子を覆うように形成され、第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層と、波長変換層を覆うように形成された封止層と、アノードに接続され、第１主表面に設けられた第１電極と、カソードに接続され、第１主表面に設けられた第２電極と、第１電極と第２電極とは電気的に接続されていない第３電極とを備える。
【００１２】
上記第１電極の少なくとも一部と第２電極の少なくとも一部と第３電極の少なくとも一部と発光素子とが封止層に覆われる。好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極と第３電極との少なくとも１つの電極上に実装される。
【００１３】
好ましくは、上記第１電極と第２電極と第３電極とのうち、発光素子が実装されていない電極は、発光素子の周囲を取り囲むように配置される。好ましくは、上記発光素子は、第３電極に実装され、第１電極および第２電極で発光素子の周囲を取り囲むように設けられる。
【００１４】
好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部と、実装部に接続され、第１主表面から第２主表面に達する接続部とを含む。好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極とに跨るように実装され、第３電極は、発光素子の周囲を環状に取り囲むように設けられる。好ましくは、上記発光素子は、実装面に設けられた反射部を含む。
【００１５】
好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極と第３電極との少なくとも１つの電極上に実装され、発光素子が実装された電極は、高反射率金属で形成される。上記高反射率金属の第１波長域の光の反射率は、金の第１波長域の光を反射する反射率よりも高い。好ましくは、上記発光素子は、ＬＥＤチップである。
【００１６】
好ましくは、上記波長変換層は、発光素子を中心として半球状に形成されており、封止層は、発光素子を中心として半球状に形成される。本発明に係る発光パッケージは、厚さ方向に配列する複数の第１主表面および第２主表面とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、アノードが接続された第１電極と、カソードが接続された第２電極と、第１電極および第２電極に電気的に接続されず、発光素子が実装された第３電極と、第１電極、第２電極および第３電極に電気的に接続されていない第４電極と、発光素子を覆うように形成され、第１波長域の光を吸収して第２波長域の光を発光する波長変換層と、第３電極の少なくとも一部と第４電極の少なくとも一部とを覆うように形成された封止層とを備える。好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部を含む。本発明に係る発光パッケージアレイは、上記発光パッケージが複数連結される。上記各発光パッケージに設けられた第１電極は、互い接続される。上記発光パッケージに設けられた第２電極は、互い接続される。上記各発光パッケージに設けられた第３電極は、互い接続される。
【００１７】
好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部を含む。上記第１電極同士を接続すると共に、第２電極同士を接続する複数の第１接続配線と、上記実装部同士を接続する複数の第２接続配線とをさらに備える。上記第１接続配線と第２接続配線とは交互に配置される。
【００１８】
本発明に係る発光パッケージの製造方法は、上記厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極とが設けられ基板を準備する工程と、第１主表面に発光素子を実装する工程とを備える。発光パッケージの製造方法は、上記第１電極の少なくとも一部と、第２電極の少なくとも一部と、第３電極の少なくとも一部と、発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を塗布する工程と、蛍光体樹脂を形成した後に、第１電極と第２電極の少なくとも一方と、第３電極との間に電圧を印加することで形成された電界で蛍光体を電気遊動させる工程とを備える。好ましくは、上記発光素子は、第３電極に実装される。好ましくは、上記発光素子は、第１電極および第２電極に亘って実装される。
【００１９】
好ましくは、発光パッケージの製造方法は、上記第１主表面に撥液膜を形成する工程をさらに備え、上記撥液膜は、第１電極の少なくとも一部と、第２電極の少なくとも一部と、第３電極の少なくとも一部と、第１主表面のうち、発光素子が実装される部分とを露出するように形成される。好ましくは、上記蛍光体樹脂は、蛍光体とシリカと透明樹脂とによって形成される。本発明に係る光パッケージは、厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極と第４電極が設けられ基板を準備する工程と、発光素子を第４電極に実装する工程と、第１電極と発光素子を接続する工程と、第２電極と発光素子を実装する工程と、第３電極の少なくとも一部と第４電極の少なくとも一部と発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を形成する工程と、蛍光体樹脂を形成した後に、第３電極および第４電極に電圧を印加することで形成された電界で、蛍光体を電気遊動させる工程とを備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法によれば、発光チップの周囲に良好に波長変換層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤパッケージ１０を模式的に示す平面図である。
【図３】ＬＥＤチップ１５の周囲を示す拡大断面図である。
【図４】ＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図５】ＬＥＤチップ１５と、波長変換層１７と、封止層１８とを示す断面図である。
【図６】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法の第１工程を示す断面図である。
【図７】図６に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図８】図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。
【図９】図７に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１０】図９に示すＸ−Ｘ線における断面図である。
【図１１】図９に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図１３】図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示すＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す製造工程における平面図である。
【図１７】実装部１４ａと、円弧部１３ａと、蛍光体樹脂６２とを模式的に示す模式図である。
【図１８】電気遊動が完了した状態を示す平面図である。
【図１９】図１８に示すＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。
【図２０】図１８および図１９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図２１】図２０に示すＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。
【図２２】本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。
【図２３】図２２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図２４】ＬＥＤパッケージ１０の製造過程を示す平面図である。
【図２５】ＬＥＤパッケージアレイ５０を示す平面図である。
【図２６】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図２７】図２６に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図２８】ＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。
【図２９】図２８に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３０】図２９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３１】実施の形態２に係るＬＥＤパッケージアレイを示す平面図である。
【図３２】本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図３３】図３２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図３４】本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。
【図３５】図３４に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３６】図３５に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３７】図３６に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３８】図３７に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３９】実施例１を説明する平面図である。
【図４０】実施例１を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１から図４０を用いて、本実施の形態に係る発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法について説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。この図１に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を有する基板１１と、主表面２０上に形成された第１電極１２と、主表面２０上に形成された第２電極１３と、主表面２０上に形成された第３電極１４と、アノードおよびカソードを含み、第３電極１４上に実装されたＬＥＤチップ１５とを備える。
【００２４】
さらに、ＬＥＤパッケージ１０は、ＬＥＤチップ１５のアノードを第１電極１２に接続する金ワイヤ１６ａと、ＬＥＤチップ１５のカソードを第２電極１３に接続する金ワイヤ１６ｂと、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８と、主表面２０上であって、封止層１８の周囲を取り囲むように形成された撥液膜３１とを備える。
【００２５】
基板１１は、好ましくは、非絶縁材料であって、高反射率を有する材料から形成される。たとえば、アルミナセラミックスなどが採用される。基板１１は、板状に形成されており、厚さ方向に配列する主表面２０，２１を含む。
【００２６】
第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４とは、互いに電気的に独立となるように形成されている。
【００２７】
第１電極１２は、主表面２０から基板１１の周面をとおり主表面２１に達するように形成されている。第２電極１３も、主表面２０から基板１１の周面をとおり主表面２１に達するように形成されている。第２電極１３は、主表面２０に形成されている。
【００２８】
図２は、図１に示すＬＥＤパッケージ１０を模式的に示す平面図である。この図２に示すように、基板１１は、平面視すると、正方形形状となるように形成されており、基板１１の外周縁部は、辺部２２〜２５を含む。なお、基板１１の形状としては、各種形状を採用することができる。
【００２９】
第３電極１４は、ＬＥＤチップ１５が実装される実装部１４ａと、この実装部１４ａから基板１１の外周縁部に向けて引き出された引出部１４ｂとを含む。引出部１４ｂは、辺部２２および辺部２３に向けて延びるように形成されている。この図２に示す例においては、実装部１４ａは、円形状に形成されているが、実装部１４ａの形状としては、正方形形状、長方形形状、楕円形状など各種の形状を採用することができる。すなわち、形成したい波長変換層の形状に合わせて設計されている。
【００３０】
第１電極１２は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように延びる円弧部１２ａと、円弧部１２ａから基板１１の外周縁部に向けて引き出された引出部１２ｂとを含む。図２に示す例においては、円弧部１２ａは、半円状に形成されているが、円弧部１２ａは、半四角形状、半多角形形状となるように形成されてもよい。
【００３１】
引出部１２ｂは、円弧部１２ａから辺部２４に向けて延びるように形成され、図１に示すように、基板１１の周面をとおり、主表面２１上を延びるように形成されている。
【００３２】
第２電極１３は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧部１３ａと、この円弧部１３ａから基板１１の外周縁部に向けて延びるように形成された引出部１３ｂとを含む。引出部１３ｂは、円弧部１３ａから辺部２５に向けて延び、基板１１の周面をとおり、主表面２１に達するように形成されている。
【００３３】
上記のように形成された第１電極１２、第２電極１３および第３電極１４の表面には、金メッキが施されており、表面の腐食の抑制が図られている。
【００３４】
図３は、ＬＥＤチップ１５の周囲を示す拡大断面図である。この図３に示すように、ＬＥＤチップ１５は、シリコーン樹脂などのダイボンド剤３０によって、第３電極１４の上面上に実装されている。
【００３５】
ＬＥＤチップ１５は、ＬＥＤ本体２６と、ＬＥＤ本体２６の実装面に設けられた反射部２７と、アノード２８と、カソード２９とを含む。反射部２７は、ＬＥＤ本体２６の下面にアルミを蒸着させることで形成されている。
【００３６】
ＬＥＤ本体２６は、発光層２６ａを含み、アノード２８およびカソード２９に所定の電圧が印加されることで発光する。なお、発光層２６ａからはたとえば、青色光（たとえば、波長域が３９０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光）を出射する。
【００３７】
アノード２８には、金ワイヤ１６ａが接続されており、アノード２８は、第１電極１２に接続されている。カソード２９には、金ワイヤ１６ｂが接続されており、カソード２９は、第２電極１３に接続されている。
【００３８】
ここで、第１電極１２および第２電極１３の表面には、金メッキが施されており、金ワイヤ１６ａ，１６ｂと第１電極１２および第２電極１３とのワイヤボンド性の向上が図られている。
【００３９】
図１および図２において、波長変換層１７は、ＬＥＤチップ１５を覆うように第３電極１４上に形成されている。なお、図２において、波長変換層１７は、ハッチングを施した領域に形成されており、第３電極１４の実装部１４ａおよび引出部１４ｂ上に形成されている。
【００４０】
ここで、図１に示すように、波長変換層１７のうち、実装部１４ａ上に位置する部分は、半球形形状となるように形成されている。
【００４１】
なお、図１においては、ＬＥＤチップ１５は説明のために大きく記載されているが、実際は、波長変換層１７の大きさに比べて十分に小さく、ＬＥＤチップ１５は点光源とみなすことができる。
【００４２】
このため、実装部１４ａ上に位置する波長変換層１７の外表面の略全面に亘って、ＬＥＤチップ１５と波長変換層１７の外表面との間の距離は略均一となっている。波長変換層１７は、蛍光体とシリカと透明樹脂を攪拌混合した蛍光体樹脂を基板上に塗布したのち、蛍光体を電気泳動させ、ＬＥＤチップ１５の周囲に集めることで形成される。蛍光体は、特に材料等限定されるものではなく、ＬＥＤチップ１５の発光波長と、蛍光体の励起波長が等しいものが望ましく、また、所定の色度にあったものをもちいればよい。
【００４３】
封止層１８は、図２に示すように、実装部１４ａと、ＬＥＤチップ１５と、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとを覆うように主表面２０上に形成されている。透明樹脂は、特に材料等限定されるものではなく、透過率や屈折率、耐光性が高いといった一般的なＬＥＤパッケージに望まれる特性を満たしておればよい。このような透明樹脂としては、シリコーン樹脂がよく知られている。場合によっては、耐光性が劣るもののコストの面が有利なエポキシ樹脂も用いられる。なお、図１に示す撥液膜３１は、必須の構成ではない。
【００４４】
上記のように形成されたＬＥＤパッケージ１０の動作について説明する。図３において、アノード２８およびカソード２９に所定の電圧が印加されることで、発光層２６ａが発光する。
【００４５】
発光層２６ａからは青色光Ｌが放射状に出射される。青色光Ｌが波長変換層１７内に入射すると、波長変換層１７が励起して波長変換層１７から発光光Ｌ３が出射される。発光光Ｌ３は、放射状に出射される。
【００４６】
このため、発光光Ｌ３の一部は、第３電極１４に入射する。ここで、一般的な各蛍光体の発光波長に対する金の反射率は、緑色蛍光体からの光(波長約５５０ｎｍ：波長域が５３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下程度)で８０％、赤色蛍光体からの光（約６００ｎｍ：波長域が４６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下程度）で９２％、黄色蛍光体からの光(約５８０ｎｍ：波長域が５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ程度)で９０％と高い。このため、波長変換層１７によって波長変換された後の光であれば、第３電極１４などの金めっきにあたっても吸収が小さく輝度低下を抑えることができる。
【００４７】
発光層２６ａから出射された光の一部である青色光Ｌ１は、ＬＥＤチップ１５の実装面に向けて出射している。
【００４８】
ＬＥＤチップ１５の実装面には、反射部２７が設けられているため、青色光Ｌ１は反射部２７で反射される。その結果、良好に波長変換層１７内に青色光Ｌ１の反射光が入射する。
【００４９】
ここで、仮に、反射部２７が形成されていない場合には、青色光Ｌ１は、第３電極１４の表面に入射する。第３電極１４の表面には、金メッキが施されている。ここで、青色光Ｌ１の波長は、約450nmであり、このときの反射率は４０％程度と低い。このため、青色光Ｌ１が金めっきにあたることで著しい輝度低下が起こってしまう。
【００５０】
本実施の形態１に係るＬＥＤパッケージ１０によれば、このような輝度低下を抑制することができる。
【００５１】
このように、ＬＥＤチップ１５の基板実装面にアルミや銀などの高反射部材を取り付けて反射部２７が形成されているので、ＬＥＤチップ１５の基板実装面から出光しようとする青色光が、反射部２７で反射され、第３電極１４で吸収されることを防ぐことができる。
【００５２】
なお、反射部２７は、必須の構成ではなく、ＬＥＤチップ１５を実装する第３電極１４が、銀やアルミなどの高反射率金属としてもよい。この場合には、青色光Ｌ１は、第３電極１４の表面で反射されることになる。
【００５３】
図４は、ＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。この図４に示すように、波長変換層１７から出射された発光光Ｌ３の一部は、第２電極１３に入射する場合がある。
【００５４】
この際、金の反射率の緑色光の反射率は、８０％程度であり、金の反射率の赤色光（約６００ｎｍ：波長域が４６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下程度）反射率は、９２％である。金の黄色光(約５８０ｎｍ：波長域が５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ程度)の反射率は、９０％程度である。
【００５５】
このため、第２電極１３や第１電極１２を銀やアルミなどの高反射率金属で形成することで、波長変換層１７で変換された発光光Ｌ３が第２電極１３や第１電極１２などに入射したとしても、電極に吸収されることを抑制することができる。
【００５６】
図５は、ＬＥＤチップ１５と、波長変換層１７と、封止層１８とを示す断面図である。この図５に示すように、ＬＥＤチップ１５の大きさは、波長変換層１７および封止層１８と比較して非常に小さく、ＬＥＤチップ１５を点光源とみなすことができる。
【００５７】
ＬＥＤチップ１５から出射された青色光ＬＬは、波長変換層１７内で発光光Ｌ３に変換される。
【００５８】
ここで、波長変換層１７は半球形状に形成されているため、波長変換層１７の外表面の略全面に亘って、ＬＥＤチップ１５と波長変換層１７の外表面との間の距離が略等しくなってる。
【００５９】
このため、波長変換層１７の径を所定以上の大きさとすることで、ＬＥＤチップ１５からの青色光ＬＬが波長変換層１７内で吸収されずに封止層１８に入り込むことを抑制することができる。これにより、青色光ＬＬが直接外部に出射されることを抑制することができる。
【００６０】
また、青色光ＬＬの主成分は、図５に示すように、波長変換層１７の外表面に直角に入射する。このため、波長変換層１７と封止層１８との界面で青色光ＬＬの主成分が屈折することが抑制されている。
【００６１】
さらに、発光光Ｌ３の主成分は、封止層１８の外表面に垂直に入射する。このため、発光光Ｌ３が封止層１８の外表面と空気層との界面において屈曲することを抑制することができる。
【００６２】
この結果、封止層１８から放射される光の輝度分布にばらつきが生じることを抑制することができる。
【００６３】
上記のように構成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図６は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法の第１工程を示す断面図である。この図６において、厚さ方向に配列する２つの主表面を有するマザー基板６０を準備する。このマザー基板６０は、長方形形状に形成されており、マザー基板６０の外周縁部は、互いに対向する２つの長辺部と、互いに対向する２つの短辺部とを含む。そして、他方の長辺部には、間隔をあけてスリットが形成されている。このスリットは、他方の長辺部から一方の長辺部に向けて延びるように形成されている。
【００６４】
なお、マザー基板６０の主表面には、複数の形成領域６１ａ〜６１ｆが規定されており、各形成領域６１ａ〜６１ｆに、ＬＥＤパッケージ１０が形成される。
【００６５】
図７は、図６に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、この図７に示すように、接続部５１と、接続部５２と、各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された実装部１４ａと、第１電極１２と、第２電極１３とを形成する。
【００６６】
各実装部１４ａは、各形成領域６１ａ〜６１ｆの略中央部に形成される。接続部５１は、マザー基板６０の一方の長辺部に形成された基部４３と、この基部４３から他方の長辺部に向けて延びるように形成された接続配線４０，４１，４２とを含む。接続配線４０と、接続配線４１と、接続配線４２とは互いに間隔をあけて設けられている。
【００６７】
接続配線４０は、形成領域６１ａに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｄに形成された実装部１４ａとを接続する。接続配線４１は、形成領域６１ｂに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｅに形成された実装部１４ａとを接続する。接続配線４２は、形成領域６１ｃに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｆに形成された実装部１４ａとを接続する。
【００６８】
接続部５２は、マザー基板６０の他方の長辺部に形成された基部４８と、この基部４８から一方の長辺部に向けて延びるように形成され、互いに間隔をあけて設けられた複数の接続配線４４，４５，４６，４７とを含む。
【００６９】
接続配線４４は、形成領域６１ａに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｄに形成された引出部１２ｂとを接続する。なお、接続配線４４は、マザー基板６０の一方の短辺部に形成されている。
【００７０】
接続配線４５は、形成領域６１ａに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｂに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｄに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｅに形成された引出部１３ｂとを接続する。
【００７１】
接続配線４６は、形成領域６１ｂに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｃに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｅに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｆに形成された引出部１２ｂとを接続する。
【００７２】
接続配線４７は、マザー基板６０の他方の短辺部に形成されている。接続配線４７は、形成領域６１ｃに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｆに形成された引出部１３ｂとを接続する。
【００７３】
このように、接続部５１の接続配線４０，４１，４２は、櫛の歯状に形成されており、接続配線４４，４５，４６，４７も櫛の歯状に形成されている。そして、接続部５１の接続配線４０，４１，４２と、接続部５２の接続配線４４，４５，４６，４７とは、互いに交互となるように形成されている。このように、第１電極１２と、第２電極１３と、１４とを形成した後、ドーナツ形状の撥液膜を形成した。この環状に形成された撥液膜から実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが露出している。
【００７４】
なお、図８は、図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図であり、この図８に示すように、実装部１４ａが形成領域６１ａの中央部に形成される。
【００７５】
図９は、図７に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１０は、図９に示すＸ−Ｘ線における断面図である。
【００７６】
図９および図１０に示すように、ＬＥＤチップ１５を各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された実装部１４ａ上に実装する。
【００７７】
具体的には、実装部１４ａの上面上にダイボンド剤３０を塗布して、このダイボンド剤３０上にＬＥＤチップ１５をのせる。
【００７８】
図１１は、図９に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１２は、図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【００７９】
この図１１および図１２に示すように、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５のアノード２８と第１電極１２とを接続する金ワイヤ１６ａと、カソード２９と第２電極１３とを接続する金ワイヤ１６ｂとを形成する。
【００８０】
図１３は、図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１４は、図１３に示すＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【００８１】
まず、主表面に形成された撥液剤は環状に形成されており、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとは、撥液剤から露出している。
【００８２】
そこで、主表面２０のうち、撥液剤から露出した部分に蛍光体樹脂６２をインクジェット装置などの塗布装置を用いて塗布する。これにより、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが蛍光体樹脂６２によって覆われる。
【００８３】
この際、撥液膜３１の蛍光体樹脂６２に対する濡れ性は、マザー基板６０の蛍光体樹脂６２に対する濡れ性よりも小さい。
【００８４】
このため、蛍光体樹脂６２を塗布した際に、蛍光体樹脂６２が撥液膜３１の上面上にまでぬれ広がることを抑制することができ、蛍光体樹脂６２を均一に形成することができる。
【００８５】
さらに、撥液膜３１の濡れ性が低いため、塗布された蛍光体樹脂６２は半球形状となる。蛍光体樹脂６２は、蛍光体と透明樹脂とシリカを攪拌混合した蛍光体とを含む。
【００８６】
そして、接続部５１に＋の電圧を印加して、接続部５２に−の電圧を印加する。この際、ＬＥＤパッケージごとに電圧を印加する必要がなく、接続部５１および接続部５２に電圧を印加することで、各形成領域６１ａ〜６１ｆに実装された実装部１４ａの周囲に電界を形成することができる。
【００８７】
そして、図１５および図１６の二点鎖線に示すように、円弧部１２ａと実装部１４ａとの間と、引出部１２ｂと実装部１４ａとの間とに電界が形成される。
【００８８】
ここで、蛍光体樹脂６２内に含まれる蛍光体の振る舞いについて、図１７を用いて説明する。図１７は、実装部１４ａと、円弧部１３ａと、蛍光体樹脂６２とを模式的に示す模式図である。
【００８９】
この図１７に示すように、実装部１４ａに＋の電圧を印加し、円弧部１３ａに−の電圧を印加する。
【００９０】
蛍光体樹脂６２は、シリコーン樹脂などの透明樹脂と、この透明樹脂内に拡散した複数の蛍光体と、シリカとを含む。
【００９１】
ここで、透明樹脂は、特に材料等限定されるものではなく、透過率や屈折率、耐光性が高いといった一般的なＬＥＤパッケージに望まれる特性を満たしておればよい。このような透明樹脂としては、シリコーン樹脂がよく知られている。場合によっては、耐光性が劣るもののコストの面が有利なエポキシ樹脂も用いられる。
【００９２】
ただし、透明樹脂中の帯電粒子濃度は電気泳動の移動速度に大きく影響するため、できるだけ大きいものがよい。帯電粒子濃度の指標としてたとえばpH値を考慮してやればよい。ただし、pH値によっては、電気泳動時に蛍光体に働く力の方向変わるので、発生させる電界に応じて、狙いのpH値を決定してやるか、透明樹脂のpH値に合わせて印加電圧の正負を決定することが必要である。
【００９３】
蛍光体樹脂６２には、前述したように、蛍光体と透明樹脂に加えて、シリカを添加してやることが望ましい。シリカを添加することで、蛍光体樹脂６２の粘度が高くなるため、蛍光体樹脂塗布装置内や、基板へ塗布した後の蛍光体樹脂６２内で蛍光体の自然沈降を抑えることができる。これにより、時間経過による蛍光体の濃度や分布のばらつきを抑えることができる。しかし、シリカを添加しすぎると粘度が高くなりすぎるため、蛍光体樹脂６２の塗布そのものができなくなる。さらに、電界により蛍光体に働く力よりも粘性抵抗が高くなってしまうと電気泳動が起こらなくなるおそれがある。このため、シリカは蛍光体がちょうど自然沈降しない程度の添加量にとどめておくことが望ましい。
【００９４】
蛍光体が自然沈降しない程度に蛍光体樹脂６２の粘度を調整することにより、蛍光体樹脂６２をインクジェット装置で基板に吹き付ける際に、塗布ノズルに蛍光体樹脂６２がつまることを抑制することができる。さらに、インクジェット装置の塗布容器内における蛍光体濃度分布を均一な状態に長時間維持することでき、蛍光体樹脂６２を塗布する過程において、塗布はじめの蛍光体の濃度と塗布終了時の蛍光体の濃度とにばらつきが生じることを抑制することができる。これにより、作成されるＬＥＤパッケージ１０毎の色むらを小さくすることができる。
【００９５】
シリコーン樹脂のような透明樹脂中には、正負それぞれの電荷をもった荷電粒子が均一に分散している。このなかに、たとえば正電荷に帯電した蛍光体粒子を混合すると、図１７に示したように、透明樹脂中の負電荷をもった荷電粒子が蛍光体に引き寄せられ、蛍光体粒子の周りが負電荷の荷電粒子でコーティングされ、いわゆる電気２重層を形成する。このような状態の蛍光体は負電荷をもったひとつの粒子のように考えることができる。
【００９６】
すなわち、図１７に示すように正および負電極に挟まれた空間に、蛍光体樹脂６２を塗布し、電圧を印加し、電界を発生させると、各荷電粒子に電界による力が発生し、電気泳動が起こる。このとき、電気２重層を形成した蛍光体は負電荷をもつので、結果正極側に向かって移動する。
【００９７】
ここで、蛍光体樹脂６２内に電界を発生させる方法として、たとえば、第１電極１２上にＬＥＤチップ１５を実装して、第１電極１２と第２電極１３との間に電圧を印加する方法が考えられる。当該方法においては、ＬＥＤチップ１５は、第１電極１２および第２電極１３に電気的に既に接続されているので、第１電極１２および第２電極１３の間には、3.5V程度までしか印加することができない。この程度の電位差では、発生する電界の強度は微弱であり、電界により蛍光体に発生する力も小さい。これでは、蛍光体樹脂６２の粘度が高いと蛍光体が動かず、低いと重力による影響の方が大きくなり蛍光体が自然沈降するだけとなる。仮に粘度を調整したとしても、電気泳動による蛍光体の移動速度は小さく、タクトが長くなってしまい、生産性が悪い。したがって、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法のように、電界を発生させるために電圧を印加する電極間は、ＬＥＤチップなどの素子や電極パターンによって結線させずに独立させておくことがのぞましい。
【００９８】
図１８は、電気遊動が完了した状態を示す平面図であり、図１９は、図１８に示すＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。
【００９９】
図１８に示すように、接続部５１の上面上に波長変換層１７が形成される。ここで、図１５および図１６に示すように、円弧部１２ａおよび円弧部１３ａは、ＬＥＤチップ１５および実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成されているため、ＬＥＤチップ１５の周辺の電界分布が均一となる。ＬＥＤチップ１５の周辺の電界分布が均一な状態で、蛍光体が電気遊動するため、図１９に示すように、蛍光体が均等に実装部１４ａの周囲に集まり、半球状の波長変換層１７が形成される。
【０１００】
その一方で、蛍光体樹脂６２内の蛍光体が実装部１４ａの周囲に集まることで、波長変換層１７の周囲には、透明樹脂層６３が形成される。蛍光体樹脂６２は、半球体状に形成されているため、透明樹脂層６３の表面も半球体状に形成される。このように、ＬＥＤチップ１５を蛍光体樹脂６２で覆ったのち、電気泳動により、ＬＥＤチップ１５の周りに蛍光体を集めることで蛍光体樹脂６２と透明樹脂層６３を同時形成できるため、工程数が低減されている。さらに、蛍光体を自然沈降させる場合と比べて、電気泳動を用いれば、印加する電圧によって蛍光体の移動速度を大きくすることができるため、波長変換層１７を形成する工程時間を短くすることができる。
【０１０１】
また、塗布ノズルにつまらなくかつ蛍光体が自然沈降しない程度に蛍光体樹脂の粘度を調整することで、塗布容器内での蛍光体濃度分布を均一にした状態で塗布できるので、塗布はじめと終りとのＬＥＤパッケージ毎の色むらを小さくすることができる。
【０１０２】
ここで、波長変換層１７を形成する方法として、下記のような手法が考えられる。まず、揮発性溶剤と蛍光体を混合した溶液で満たされた容器を準備する。そして、第１電極１２と、第１電極１２に接続されたＬＥＤチップ１５と、第２電極１３とが形成された基板を溶液に浸す。基板を溶液に浸した状態で、各電極に電圧を掛け、電気泳動により蛍光体をＬＥＤチップ１５の周りに集める。このような方法では、多数のＬＥＤパッケージを浸すためには広い容器が必要となる。さらに、容器内の蛍光体濃度分布を均一にすることが困難であるため、蛍光体濃度分布のばらつきにより、ＬＥＤパッケージ毎に囲繞する蛍光体の量がばらついてしまう。その一方で、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法では、ＬＥＤパッケージ毎に、決まった量の蛍光体樹脂が塗布され、この蛍光体樹脂で閉じられた系で波長変換層を形成する。このため、蛍光体量のばらつきを抑えることができ、結果、ＬＥＤパッケージ１０毎の色むらを小さくすることができる。
【０１０３】
図２０は、図１８および図１９に示す製造工程後の工程を示す平面図であり、図２１は、図２０に示すＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。
【０１０４】
この図２０に示すように、マザー基板６０をオーブンに投入して、ベークすることで、各形成領域６１ａ〜６１ｆには、波長変換層１７の一部およびＬＥＤチップ１５を覆うように形成された封止層１８が形成される。これにより、形成領域６１ａ〜６１ｆにＬＥＤパッケージ１０が形成されたＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。
【０１０５】
このように、ＬＥＤパッケージアレイ５０は、複数のＬＥＤパッケージ１０が連結されたものである。
【０１０６】
図２０に示すように、ＬＥＤパッケージアレイ５０は、複数の第１電極１２と、複数の第２電極１３と、複数の第３電極１４とを備える。そして、接続配線４４〜４７によって、第１電極１２同士と、第２電極１３同士とが接続されると共に、第１電極１２と第２電極１３とが互いに接続されている。
【０１０７】
また、接続部５１の接続配線４０〜４２と基部４３とによって、各実装部１４ａが接続されている。
【０１０８】
そして、図２０に示す溝部ＣＬでＬＥＤパッケージアレイ５０を切断することで、図１に示す複数のＬＥＤパッケージ１０を得ることができる。
【０１０９】
（実施の形態２）
図２２から図２５を用いて、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０について説明する。なお、図２２から図２５に示す構成のうち、上記図１から図２１に示す構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
【０１１０】
図２２は、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。この図２２に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、基板１１と、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第３電極１４上に実装されたＬＥＤチップ１５と、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように主表面２０に形成された封止層１８とを備える。
【０１１１】
図２３は、図２２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。この図２３および図２２に示すように、第３電極１４は、実装部１４ａと、実装部１４ａの下面に接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１４ｃとを含む。
【０１１２】
本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０においては波長変換層１７は、実装部１４ａ上に形成され、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成されている。波長変換層１７は、略半球状に形成されている。
【０１１３】
このように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図２４は、ＬＥＤパッケージ１０の製造過程を示す平面図である。この図２４に示す工程では、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、接続部５２とがマザー基板６０の主表面上に形成されており、実装部１４ａの上面にＬＥＤチップ１５が実装されている。接続部５２の接続配線４４〜４６によって、第１電極１２および第２電極１３が接続されている。なお、本実施の形２においては、上記実施の形態１で説明した接続部５１は形成されていない。
【０１１４】
各形成領域６１ａ〜６１ｆに蛍光体樹脂６２を塗布した後、実装部１４ａに＋の電圧を印加して、接続部５２に−の電圧を印加する。なお、実装部１４ａに電圧を印加する際には、マザー基板６０の背面に設けられた接続部１４ｃに電圧を印加する。
【０１１５】
このように、電圧を印加することで、実装部１４ａと円弧部１２ａとの間と、実装部１４ａと円弧部１３ａとの間とに電界が生じる。
【０１１６】
これにより、透明樹脂層６３内に含まれる蛍光体が電気遊動によって、蛍光体が実装部１４ａの上面に集まる。これにより、実装部１４ａの上面に半球状の波長変換層１７が形成される。
【０１１７】
ここで、実装部１４ａは、円形形状に形成されており、実装部１４ａに接続される配線などは、マザー基板６０の主表面上に形成されていない。さらに、本実施の形態２においても、実装部１４ａの周囲は、円弧部１２ａおよび円弧部１３ａによって囲まれている。このため、蛍光体は、実装部１４ａの上面に集中し、実装部１４ａの上面には、略半球形状の波長変換層１７が良好に形成される。
【０１１８】
このように、波長変換層１７が形成されたマザー基板６０にベークを施す。これにより、図２５に示すように、ＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。そして、このＬＥＤパッケージアレイ５０を切断することで、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０を製作することができる。
【０１１９】
なお、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤパッケージ１０は、フェイスアップ方式であるが、方式としては、フェイスダウン方式であってもよい。
【０１２０】
（実施の形態３）
図２６から図３１を用いて、本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０について説明する。なお、図２６から図３１に示す構成のうち、上記図１から図２５に示す構成と同一または相当する構成についてはその同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１２１】
図２６は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図であり、図２７は、図２６に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【０１２２】
図２６において、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を含む基板１１と、主表面２０に形成された第３電極１４と、一部が主表面２０上に形成された第１電極１２および第２電極１３とを備える。ＬＥＤパッケージ１０は、ＬＥＤチップ１５と、このＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、この波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８とを備える。
【０１２３】
第１電極１２は、主表面２０に形成された実装部１２ｃと、この実装部１２ｃに接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１２ｄと、接続部１２ｄに接続されると共に、主表面２１に形成された背面部１２ｅとを含む。
【０１２４】
第２電極１３は、主表面２０に形成された実装部１３ｃと、この実装部１３ｃに接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１３ｄと、接続部１３ｄに接続されると共に、主表面２１に形成された背面部１３ｅとを含む。
【０１２５】
図２７に示すように、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃは、いずれも、半円形状に形成されている。実装部１２ｃの外周縁部は、半円状の縁部と、この半円状の縁部の両端部を接続する直線部とを含む。実装部１３ｃの外周縁部は、半円状の縁部と、この半円状の縁部の両端部を接続する直線部とを含む。
【０１２６】
そして、実装部１２ｃと、実装部１３ｃとは互いに間隔をあけて配置されており、実装部１２ｃの直線部と、実装部１３ｃの直線部とが互いに対向するように、実装部１２ｃと実装部１３ｃとは配置されている。ＬＥＤチップ１５は、実装部１２ｃ上から実装部１３ｃ上に跨るように実装されている。
【０１２７】
図２６に示すように、ＬＥＤチップ１５は、アノード２８とカソード２９とを含み、アノード２８は、実装部１２ｃに電気的に接続されている。カソード２９は、実装部１３ｃに電気的に接続されている。
【０１２８】
第３電極１４は、主表面２０に形成されている。第３電極１４は、実装部１２ｃと、実装部１３ｃと、ＬＥＤチップ１５の周囲を取り囲むように形成された環状の環状部１４ｄと、環状部１４ｄに接続された、引出部１４ｅおよび引出部１４ｆとを含む。
【０１２９】
なお、この図２７では、波長変換層１７は、省略されているが、波長変換層１７はＬＥＤチップ１５を中心として半球体状に形成されている。
【０１３０】
このように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。図２８は、ＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。この図２８に示すように、マザー基板６０を準備する。マザー基板６０の各形成領域６１ａ〜６１ｆには、各々貫通孔７０と貫通孔７１とが形成されている。
【０１３１】
貫通孔７０および貫通孔７１は、いずれも、マザー基板６０の一方の主表面から他方の主表面に達するように形成されている。
【０１３２】
図２９は、図２８に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図２９において、まず、マザー基板６０にスパッタリングを施して、金属膜をマザー基板６０の表面上に形成する。その後、溶液にマザー基板６０を溶液につけて、金属膜を成長させて、図２８に示す貫通孔７０，７１を金属膜で埋める。
【０１３３】
その後、金属膜にフォトリソグラフを施して、各形成領域６１ａ〜６１ｆに第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４とを形成する。この際、各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された第３電極１４を接続する接続部７２も形成される。
【０１３４】
接続部７２は、マザー基板６０の一方の長辺部に形成された基部７３と、この基部７３から他方の長辺部に向けて延びる複数の接続配線７４〜７７とを含む。
【０１３５】
図３０は、図２９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３０において、ＬＥＤチップ１５を実装部１２ｃおよび実装部１３ｃ上に実装して、ＬＥＤチップ１５を実装部１２ｃと実装部１３ｃとに電気的に接続する。
【０１３６】
そして、第１電極１２および第２電極１３に＋の電圧を印加し、接続部７２に−の電圧を印加する。
【０１３７】
これにより、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃと、環状部１４ｄとの間に電界が形成される。ここで、環状部１４ｄは、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃの周囲を取り囲むように形成されているため、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃと、環状部１４ｄとの間に形成される電界の強度部分は、略均一となる。
【０１３８】
このため、ＬＥＤチップ１５の周囲に蛍光体樹脂６２内の蛍光体が均等に集まる。これにより、波長変換層１７が半球体状に形成される。これに伴い、図３１に示すように、波長変換層１７を覆う透明樹脂層６３が形成される。
【０１３９】
そして、波長変換層１７などが形成されたマザー基板６０をベークすることで、透明樹脂層６３が封止層１８となり、ＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージアレイ５０も、複数のＬＥＤパッケージ１０が連結された状態となっている。
【０１４０】
このＬＥＤパッケージアレイ５０を分割することで、複数のＬＥＤパッケージ１０を作成することができる。
【０１４１】
（実施の形態４）
図３２から図３８を用いて、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０およびＬＥＤパッケージアレイ５０と、ＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。なお、図３２から図３８に示す構成のうち、上記図１から図３１に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１４２】
図３２は、本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。図３３は、図３２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【０１４３】
図３２および図３３に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を含む基板１１と、基板１１の表面に形成された第１電極１２と、基板１１の表面上に形成された第２電極１３と、基板１１の主表面２０に形成された第３電極１４と、基板１１の主表面２０に形成された第４電極８２と、主表面２０に形成された第５電極８３とを備える。
【０１４４】
ＬＥＤパッケージ１０は、第３電極１４の上面上に実装されたＬＥＤチップ１５と、このＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、この波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８とを備える。
【０１４５】
第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とは、いずれも、電気的に接続されていない。第１電極１２と、ＬＥＤチップ１５のアノードは、金ワイヤ１６ａによって接続されており、第２電極１３とＬＥＤチップ１５のカソードとは、金ワイヤ１６ｂによって接続されている。
【０１４６】
第３電極１４は、ＬＥＤチップ１５が実装される実装部１４ａと、この実装部１４ａに接続された引出部１４ｂとを含む。実装部１４ａは、円形状に形成されており、引出部１４ｂは、基板１１の一方の辺部２２から辺部２３に亘って形成されている。
【０１４７】
第４電極８２は、第３電極１４と隣り合うように配置されており、第４電極８２は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧状の円弧部８４と、円弧部８４に接続された引出部８５とを含む。
【０１４８】
第５電極８３は、第３電極１４に対して第４電極８２と反対側に配置されている。第５電極８３は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧部８７と、この円弧部８７に接続された引出部８６とを含む。ここで、第４電極８２の円弧部８４と、第５電極８３の円弧部８７とによって、実装部１４ａの周囲の略全周が取り囲まれるように形成されている。
【０１４９】
第１電極１２は、第４電極８２に対して第３電極１４と反対側に配置されており、第２電極１３は、第５電極８３に対して第３電極１４と反対側に配置されている。封止層１８は、ＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部８４と、円弧部８７とを覆うと共に、引出部１４ｂの少なくとも一部と、引出部８５の少なくとも一部とを覆うように形成されている。
【０１５０】
波長変換層１７は、第３電極１４の上面のうち、封止層１８によって覆われた部分に形成されている。波長変換層１７のうち、実装部１４ａ上に形成された部分は、略半球状に形成されている。
【０１５１】
このように、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０においても、波長変換層１７のうち、ＬＥＤチップ１５を覆う部分が半球状に形成されているため、上記実施の形態１に係るＬＥＤパッケージ１０と同様の効果を得ることができる。
【０１５２】
上記のように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図３４は、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。この図３４に示すように、複数の穴部９０および穴部９１が形成されたマザー基板６０を準備する。
【０１５３】
図３５は、図３４に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３５において、マザー基板６０の表面にスパッタリングによって、金属膜を形成する。その後、スパッタリングが施されたマザー基板６０を溶液につけて、金属膜を成長させる。これにより、図３４に示す穴部９０および穴部９１が金属膜によって埋められる。
【０１５４】
その後、このマザー基板６０にエッチングを施して、マザー基板６０の主表面上に９２第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３と、接続部９２と、接続部９３とを形成する。
【０１５５】
なお、マザー基板６０の主表面は、複数の形成領域６１ａ、形成領域６１ｂ、形成領域６１ｄおよび形成領域６１ｅを含み、各形成領域に、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とが形成される。
【０１５６】
ここで、形成領域６１ａに形成された第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とは、形成領域６１ｂに形成された第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とにそれぞれ接続されている。
【０１５７】
また、形成領域６１ｂに形成された第３電極１４と第４電極８２と第５電極８３とは、形成領域６１ｅに形成された第３電極１４と第４電極８２と第５電極８３とにそれぞれ接続されている。そして、各形成領域に形成された第３電極１４は、接続部９２に接続されており、引出部８５および引出部８６は、接続部９３に接続されている。
【０１５８】
なお、形成領域６１ａに形成された第２電極１３と、形成領域６１ｂに形成された第１電極１２とが接続されており、形成領域６１ｄに形成された第２電極１３と、形成領域６１ｅに形成された第１電極１２とが一体的に接続されている。
【０１５９】
図３６は、図３５に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３６に示すように、ＬＥＤチップ１５を、各形成領域に形成された実装部１４ａ上にＬＥＤチップ１５を実装する。
【０１６０】
その後、ＬＥＤチップ１５に金ワイヤ１６ａおよび金ワイヤ１６ｂを接続する。そして、ＬＥＤチップ１５のアノードと第１電極１２とを接続し、ＬＥＤチップ１５のカソードと第２電極１３とを接続する。
【０１６１】
図３７は、図３６に示す製造工程後の製造工程を示す平面図である。この図３７に示すように、実装部１４ａと、円弧部８４と、円弧部８７とを覆うように、蛍光体樹脂６２を塗布する。
【０１６２】
この際、引出部１４ｂの少なくとも一部と、引出部８５の少なくとも一部と、引出部８６の少なくとも一部とは、蛍光体樹脂６２によって覆われる。なお、蛍光体樹脂６２を塗布する前に、マザー基板６０の主表面上に撥液膜を形成してもよい。具体的には、マザー基板６０の主表面上に撥液膜を形成して、この撥液膜にパターニングを施す。
【０１６３】
これにより、マザー基板６０のうち、蛍光体樹脂６２が塗布される領域が撥液膜から露出する。このような撥液膜を形成した後に、蛍光体樹脂６２を塗布するようにしてもよい。
【０１６４】
図３８は、図３７に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３８において、第３電極１４に＋の電圧を印加し、第４電極８２および第５電極８３に−の電圧を印加する。この際、第３電極１４と、第４電極８２および第５電極８３とは、ＬＥＤチップ１５と電気的に接続されていない。このため、第４電極８２および第５電極８３に電圧を印加したとしても、ＬＥＤチップ１５に電圧が印加されない。
【０１６５】
したがって、第４電極８２および第５電極８３に大きな電圧を印加したとしても、ＬＥＤチップ１５が損傷するおそれを抑制することができる。このため、第４電極８２および第５電極８３に大きな電圧を印加することで、短時間で蛍光体樹脂６２内の蛍光体をＬＥＤチップ１５の周囲に形成することができる。
【０１６６】
この際、ＬＥＤチップ１５は、実装部１４ａ上に実装されており、円弧部８４および円弧部８７は、ＬＥＤチップ１５ａの周囲を取り囲むように形成されている。特に、本実施の形態４に係る例においては、円弧部８４および円弧部８７は、いずれも、実装部１４ａを中心として円弧状に形成されている。
【０１６７】
このため、実装部１４ａと円弧部８４との間と、実装部１４ａと円弧部８７との間とに形成される電界強度は、略均一に分布する。このため、蛍光体樹脂６２内に含まれる蛍光体が実装部１４ａの上面に均等に形成される。これに伴い、ＬＥＤチップ１５を覆うように半球状の波長変換層１７が形成される。この際、波長変換層１７は、実装部１４ａの上面のみならず、引出部１４ｂの上面上にも形成される。
【０１６８】
また、蛍光体樹脂６２内の蛍光体が実装部１４ａ上などに集まることで、透明樹脂層６３が波長変換層１７を覆うように形成される。
【０１６９】
そして、透明樹脂層６３が形成されたマザー基板６０をオーブンで加熱することで、透明樹脂層６３がベークされて、封止層１８が形成される。
【０１７０】
これにより、各形成領域にＬＥＤパッケージ１０が形成されたＬＥＤパッケージアレイ５０を得ることができる。
【０１７１】
なお、このＬＥＤパッケージアレイ５０は、接続部９３と、接続部９２とを含み、接続部９３には、第４電極８２および第５電極８３が接続され、接続部９２には、第３電極１４が接続されている。
【０１７２】
そして、第４電極８２と、第５電極８３とは、櫛歯状に形成されており、第３電極１４も櫛歯状に形成されている。第４電極８２および第５電極８３の間に第３電極１４が挿入されており、第４電極８２と第３電極１４と第５電極８３とは交互に配置されている。
【０１７３】
このように、透明樹脂層６３が形成されたマザー基板６０を、各形成領域ごとに分割することで、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０を得ることができる。
【０１７４】
なお、上記実施の形態１〜４の例においては、電極上にＬＥＤチップ１５を実装して、当該電極に電圧を印加することで、ＬＥＤチップ１５を覆うように波長変換層１７を形成しているが、波長変換層１７を形成する際にＬＥＤチップ１５が当該電極上に配置されていることは必須ではない。
【０１７５】
たとえば、蛍光体を電気遊動させるために用いる電極と隣り合うようにＬＥＤチップ１５を配置するようにしてもよい。この場合においても、電気遊動によって蛍光体が電極の周囲に集まる。この際、蛍光体がＬＥＤチップ１５を覆うように集まることで、ＬＥＤチップ１５を覆うように波長変換層１７が形成される。
【０１７６】
すなわち、本発明においては、蛍光体を集めるための電極を準備して、当該電極に電圧を印加することで、波長変換層を形成するようにしている。
【実施例１】
【０１７７】
図３９および図４０を用いて、本発明の実施例１について説明する。図３９に示すように、配線シート８０に銅配線８１（銅箔厚さ35um、配線ピッチ1.5mm、配線幅0.55mm)の櫛歯パターンを作成する。その後、パターン上に蛍光体樹脂を塗布し、ガラス板で挟みこんだのち、図４０に示すように、銅配線８１が交互に正極と負極となるように１０００Ｖの電圧を印加したところ、正極側に蛍光体が集まった。この結果から、本検証実験で用いた蛍光体粒子は負電荷が帯電していると確認できる。
【実施例２】
【０１７８】
図６などを用いて、実施例２に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。図６に示すように、マザー基板６０は平板状に成型したアルミナセラミックを準備する。さらに、基板成型時に図６に示した一点鎖線の位置に溝を形成しておくことで、後工程での分断が容易に行えるようにしておいた。
【０１７９】
ここで、アルミナセラミックの厚みは1mmで、溝は１パッケージあたり角5mmとなるように形成した。
【０１８０】
次に、図７に示すように、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４などをAu厚膜印刷により電極パターンを形成した。Au厚膜は35umとした。また、ＬＥＤパッケージの電極パターンは、第１電極１２の円弧部１２ａと、第２電極１３の円弧部１３ａとが内径3mm、幅25um、基板中央を中心とした円弧状となるように形成した。さらに、第３電極１４の実装部１４ａが直径2mm、基板中央を中心とした円形状となるように形成した。さらに、第１電極１２と第２電極１３とがそれぞれが結線され、結線部がＬＥＤパッケージアレイ上端部に来るようにし、第３電極１４それぞれが結線され、結線部がＬＥＤパッケージアレイ下端部に来るようにしている。
【０１８１】
内径が4mm、幅が0.1mmのドーナツ形状の撥液膜を形成した。この環状に形成された撥液膜から実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが露出している。
【０１８２】
次に、φ2mmで形成した実装部１４ａ上に、シリコーン樹脂のダイボンド剤を塗布し、図９に示すように、ＬＥＤチップ１５をダイボンドした（step1）。ここで、使用したＬＥＤチップ１５は発光波長４５０ｎｍ、サイズは縦:1mm、横:1mm、高さ0.1mmであり、基板実装面には厚み100nmのアルミを蒸着することで反射面を形成している。
【０１８３】
次に、図１１に示すように、直径25umの金ワイヤを用いて、第１電極１２および第２電極１３と、ＬＥＤチップのアノード、カソード電極とにそれぞれワイヤボンドを行い、電気的に接続した（Step2）。
【０１８４】
次に図１３に示すように、蛍光体と透明樹脂とシリカを攪拌混合した蛍光体樹脂６２を形成領域６１ａ〜６１ｆの中心に、蛍光体樹脂６２が直径4mm、高さ2mmの半球になるように塗布した。ここで蛍光体はYAG蛍光体を用いており、濃度は3%とした。また、透明樹脂にはシリコーン樹脂を用いた。さらに、透明樹脂中の蛍光体が自然沈降しないようにシリカを濃度2%添加することで粘度を調整した。ここで、透明樹脂は、直径4mmの円領域よりも外に出ようとしても、基板に塗布した溌液剤によってはじかれるため、良好な半球状になる（Step3）。
【０１８５】
次に、図１８に示すように、第１電極１２および第２電極１３が正極、第３電極１４が負極になるように電圧を印加することで、蛍光体を電気泳動させ、第３電極１４に集めることで、ＬＥＤチップ１５の周りに均一な厚みで波長変換層１７を形成した（Step4）。ここで、印加電圧は１０００Ｖ、印加時間は５分とした。また、電圧の印加点はＬＥＤパッケージアレイ上端部と下端部に形成した各電極の結線部の２点である。本実施例では、ＬＥＤチップ１５の外周にそって厚み0.5mmの波長変換層１７が形成できた。
【０１８６】
次に、図２０に示すように、ＬＥＤパッケージアレイをオーブンに投入し、透明樹脂層６３を加熱硬化した。ここで、オーブンは温度１５０度、加熱時間５時間とした。
前記のように、製造したＬＥＤパッケージアレイ５０を基板上の溝ＣＬにそって分断することで個片化し、ＬＥＤパッケージ１０とした。
【０１８７】
これらのＬＥＤパッケージ１０の色度ばらつきを測定した結果、ＣＩＥ表色系の色度Ｘで±２/１０００、色度Ｙで±５／１０００と良好な結果が得られた。
【比較例】
【０１８８】
以下では、本発明の比較例を詳細に説明する。
実施例２との相違点として、Step3では、シリカを添加せずに、蛍光体と透明樹脂のみを攪拌混合した蛍光体樹脂６２をＬＥＤパッケージ中心に、蛍光体樹脂６２が直径4mm、高さ2mmの半球になるように塗布した。
【０１８９】
次のStep4では、第１電極１２、第２電極１３、および第３電極１４間には電圧をかけずに、蛍光体が自然沈降するまで放置することで、波長変換層１７を形成した。ここで放置時間は２時間とした。本比較例では基板表面とＬＥＤチップ１５外周にそって厚み0.2mmの波長変換層１７が形成できた。
【０１９０】
Step5では、ＬＥＤパッケージアレイをオーブンに投入し、透明樹脂層６３を加熱硬化した。ここで、オーブンは温度１５０度、加熱時間５時間とした。
【０１９１】
前記のように、製造したＬＥＤパッケージアレイ５０を基板上の溝ＣＬにそって分断することで個片化し、ＬＥＤパッケージ１０とした。
【０１９２】
これらのＬＥＤパッケージ１０の色度ばらつきを測定した結果、ＣＩＥ表色系の色度Ｘで±４/１０００、色度Ｙで±１５／１０００と実施例１に比べて色度ばらつきがおおきかった。さらに、平均の色度を比較すると、実施例１に比べて比較例１のほうが色度Ｙで２０／１０００程度低くなっており、青みがかっていた。これは、比較例では、基板表面にも波長変換層が形成されている分、ＬＥＤチップまわりに形成された波長変換層が、実施例よりも薄いことに起因しており、比較例で実施例２と同様の色度にしようとすると、蛍光体樹脂中の蛍光体濃度を上げる必要がある。しかし、蛍光体濃度を上げると蛍光体樹脂の粘度があがり、Step4での自然沈降の時間が長くなってしまい、生産性がわるい。当然、蛍光体濃度をあげるには蛍光体の使用量を増やさなければならず、ＬＥＤパッケージのコストアップの要因になってしまう。
【０１９３】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【０１９４】
１１ 基板、１２ 第１電極、１２ａ，１３ａ 円弧部、１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１４ｅ，１４ｆ 引出部、１２ｃ，１３ｃ，１４ａ 実装部、１２ｄ，１３ｄ，１４ｃ，５１，５２，７２ 接続部、１２ｅ，１３ｅ 背面部、１３ 第２電極、１４ 第３電極、１４ｄ 環状部、１５ ＬＥＤチップ、１６ａ，１６ｂ 金ワイヤ、１７ 波長変換層、１８ 封止層、２０，２１ 主表面、２２〜２５ 辺部、２６ 本体、２６ａ 発光層、２７ 反射部、２８ アノード、２９ カソード、３０ ダイボンド剤、３１ 撥液膜、35um 厚さ、４０，４１，４２，４４，４５，４６，４７，７４〜７７ 接続配線、４３，４８，７３ 基部、５０ パッケージアレイ、６０ マザー基板、６１ａ〜６１ｆ 形成領域、６２ 蛍光体樹脂、６３ 透明樹脂層、７０，７１ 貫通孔、８０ 配線シート、８１ 銅配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色ＬＥＤチップから出射した青色光と、青色光で励起された蛍光体から発光した発光光の混色により、白色光を得ることができる白色ＬＥＤの開発が進んできている。
【０００３】
このように、青色光で励起する蛍光体などを含む波長変換層を備えた発光装置としては、特開２０１１−１５１２６８号公報に記載された発光装置などが挙げられる。
【０００４】
このような発光装置は、たとえば以下のような工程で製造されている。まず、パッケージ基板の所定の位置に、青色ＬＥＤチップをダイボンドしたのち、パッケージ基板に形成されているアノード、カソード電極と青色ＬＥＤチップの電極をワイヤボンドする。つぎに、蛍光体を高濃度で透明樹脂に混練した蛍光体樹脂を青色ＬＥＤチップに塗布し、波長変換層を形成する。最後に、青色ＬＥＤチップおよび波長変換層を透明体で封止することで透明樹脂層を形成する。
【０００５】
ここで、蛍光体樹脂の塗布による波長変換層の製造方法としては、前述した透明樹脂内に高濃度の蛍光体を混錬した蛍光体樹脂をＬＥＤチップに塗布する方法のほかに、低濃度の蛍光体樹脂をＬＥＤチップに塗布したのち、蛍光体を自然沈降させることで、波長変換層と透明樹脂層を同時形成する方法がある。
しかしながら、蛍光体濃度が濃すぎると蛍光体樹脂の粘度が大きくなりすぎて、塗布装置のノズルで蛍光体樹脂がつまったり、ＬＥＤチップへの塗布の後に蛍光体樹脂がＬＥＤチップ全体に濡れ広がらなかったり、生産が難しくなる。低濃度の場合では、蛍光体を自然沈降させる必要があるため、蛍光体樹脂の粘度を小さくしなければならず、塗布工程のタクトが長かったり、ＬＥＤパッケージ１ロットの数が多かったりすると、１ロット分の蛍光体樹脂を使いきるまでの時間が長くなり、その間に塗布装置の蛍光体樹脂用容器内で蛍光体が沈降してしまい、容器内で蛍光体の濃度分布ができてしまう。このような状態で蛍光体樹脂を塗布すると、生産のはじめとおわりのＬＥＤパッケージ間の色むらが大きくなってしまう。
【０００６】
また、蛍光体樹脂の塗布以外の波長変換層の製造方法としては、特開２００７−１３４３７８号公報に記載されたような製造方法がある。
【０００７】
まず、ＩＰＡ（イソプロパノール）などの揮発性溶剤と蛍光体樹脂で満たされた容器の中に、第一電極に接続したＬＥＤチップ搭載済みパッケージと第二電極とを浸す。つぎに、第一電極と第二電極間に電圧を印加することで電極間に電界を発生させる。このとき、蛍光体の電荷と電界に起因する力が蛍光体に働き、蛍光体の電荷に依存して正負どちらかの電極に向かって溶剤内を移動する（この現象は電気泳動と呼ばれている）。ここで、蛍光体が吸い寄せられる方の電極を第一電極としておくことで、蛍光体をＬＥＤチップの周りに集めることができる。最後に、ＬＥＤパッケージを溶剤から取り出し、溶剤を揮発させることで波長変換層を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−１５１２６８号公報
【特許文献２】特開２００７−１３４３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特開２００７−１３４３７８号公報のような製造方法では、電気泳動を使ってＬＥＤチップに蛍光体を集める工程と、溶剤を揮発させる工程が必要なため、塗布による製造方法にくらべて工程が多くなる。また、多数のＬＥＤパッケージを浸すためには広い容器が必要であり、このような容器内の蛍光体濃度分布を均一にすることは困難なため、ＬＥＤパッケージ毎の色むらが大きくなってしまう傾向がある。
【００１０】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、ＬＥＤパッケージの波長変換層を良好に形成することができる発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る発光パッケージは、厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、発光素子を覆うように形成され、第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層と、波長変換層を覆うように形成された封止層と、アノードに接続され、第１主表面に設けられた第１電極と、カソードに接続され、第１主表面に設けられた第２電極と、第１電極と第２電極とは電気的に接続されていない第３電極とを備える。
【００１２】
上記第１電極の少なくとも一部と第２電極の少なくとも一部と第３電極の少なくとも一部と発光素子とが封止層に覆われる。好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極と第３電極との少なくとも１つの電極上に実装される。
【００１３】
好ましくは、上記第１電極と第２電極と第３電極とのうち、発光素子が実装されていない電極は、発光素子の周囲を取り囲むように配置される。好ましくは、上記発光素子は、第３電極に実装され、第１電極および第２電極で発光素子の周囲を取り囲むように設けられる。
【００１４】
好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部と、実装部に接続され、第１主表面から第２主表面に達する接続部とを含む。好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極とに跨るように実装され、第３電極は、発光素子の周囲を環状に取り囲むように設けられる。好ましくは、上記発光素子は、実装面に設けられた反射部を含む。
【００１５】
好ましくは、上記発光素子は、第１電極と第２電極と第３電極との少なくとも１つの電極上に実装され、発光素子が実装された電極は、高反射率金属で形成される。上記高反射率金属の第１波長域の光の反射率は、金の第１波長域の光を反射する反射率よりも高い。好ましくは、上記発光素子は、ＬＥＤチップである。
【００１６】
好ましくは、上記波長変換層は、発光素子を中心として半球状に形成されており、封止層は、発光素子を中心として半球状に形成される。本発明に係る発光パッケージは、厚さ方向に配列する複数の第１主表面および第２主表面とを含む基板と、アノードおよびカソードを含み、第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、アノードが接続された第１電極と、カソードが接続された第２電極と、第１電極および第２電極に電気的に接続されず、発光素子が実装された第３電極と、第１電極、第２電極および第３電極に電気的に接続されていない第４電極と、発光素子を覆うように形成され、第１波長域の光を吸収して第２波長域の光を発光する波長変換層と、第３電極の少なくとも一部と第４電極の少なくとも一部とを覆うように形成された封止層とを備える。好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部を含む。本発明に係る発光パッケージアレイは、上記発光パッケージが複数連結される。上記各発光パッケージに設けられた第１電極は、互い接続される。上記発光パッケージに設けられた第２電極は、互い接続される。上記各発光パッケージに設けられた第３電極は、互い接続される。
【００１７】
好ましくは、上記第３電極は、発光素子が実装される実装部を含む。上記第１電極同士を接続すると共に、第２電極同士を接続する複数の第１接続配線と、上記実装部同士を接続する複数の第２接続配線とをさらに備える。上記第１接続配線と第２接続配線とは交互に配置される。
【００１８】
本発明に係る発光パッケージの製造方法は、上記厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極とが設けられ基板を準備する工程と、第１主表面に発光素子を実装する工程とを備える。発光パッケージの製造方法は、上記第１電極の少なくとも一部と、第２電極の少なくとも一部と、第３電極の少なくとも一部と、発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を塗布する工程と、蛍光体樹脂を形成した後に、第１電極と第２電極の少なくとも一方と、第３電極との間に電圧を印加することで形成された電界で蛍光体を電気遊動させる工程とを備える。好ましくは、上記発光素子は、第３電極に実装される。好ましくは、上記発光素子は、第１電極および第２電極に亘って実装される。
【００１９】
好ましくは、発光パッケージの製造方法は、上記第１主表面に撥液膜を形成する工程をさらに備え、上記撥液膜は、第１電極の少なくとも一部と、第２電極の少なくとも一部と、第３電極の少なくとも一部と、第１主表面のうち、発光素子が実装される部分とを露出するように形成される。好ましくは、上記蛍光体樹脂は、蛍光体とシリカと透明樹脂とによって形成される。本発明に係る光パッケージは、厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極と第４電極が設けられ基板を準備する工程と、発光素子を第４電極に実装する工程と、第１電極と発光素子を接続する工程と、第２電極と発光素子を実装する工程と、第３電極の少なくとも一部と第４電極の少なくとも一部と発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を形成する工程と、蛍光体樹脂を形成した後に、第３電極および第４電極に電圧を印加することで形成された電界で、蛍光体を電気遊動させる工程とを備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法によれば、発光チップの周囲に良好に波長変換層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤパッケージ１０を模式的に示す平面図である。
【図３】ＬＥＤチップ１５の周囲を示す拡大断面図である。
【図４】ＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図５】ＬＥＤチップ１５と、波長変換層１７と、封止層１８とを示す断面図である。
【図６】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法の第１工程を示す断面図である。
【図７】図６に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図８】図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図である。
【図９】図７に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１０】図９に示すＸ−Ｘ線における断面図である。
【図１１】図９に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１２】図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【図１３】図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１４】図１３に示すＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【図１５】図１４に示す製造工程後の工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す製造工程における平面図である。
【図１７】実装部１４ａと、円弧部１３ａと、蛍光体樹脂６２とを模式的に示す模式図である。
【図１８】電気遊動が完了した状態を示す平面図である。
【図１９】図１８に示すＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。
【図２０】図１８および図１９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図２１】図２０に示すＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。
【図２２】本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。
【図２３】図２２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図２４】ＬＥＤパッケージ１０の製造過程を示す平面図である。
【図２５】ＬＥＤパッケージアレイ５０を示す平面図である。
【図２６】本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図２７】図２６に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図２８】ＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。
【図２９】図２８に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３０】図２９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３１】実施の形態２に係るＬＥＤパッケージアレイを示す平面図である。
【図３２】本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。
【図３３】図３２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【図３４】本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。
【図３５】図３４に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３６】図３５に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３７】図３６に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３８】図３７に示す製造工程後の工程を示す平面図である。
【図３９】実施例１を説明する平面図である。
【図４０】実施例１を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１から図４０を用いて、本実施の形態に係る発光パッケージ、発光パッケージアレイおよび発光パッケージの製造方法について説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。この図１に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を有する基板１１と、主表面２０上に形成された第１電極１２と、主表面２０上に形成された第２電極１３と、主表面２０上に形成された第３電極１４と、アノードおよびカソードを含み、第３電極１４上に実装されたＬＥＤチップ１５とを備える。
【００２４】
さらに、ＬＥＤパッケージ１０は、ＬＥＤチップ１５のアノードを第１電極１２に接続する金ワイヤ１６ａと、ＬＥＤチップ１５のカソードを第２電極１３に接続する金ワイヤ１６ｂと、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８と、主表面２０上であって、封止層１８の周囲を取り囲むように形成された撥液膜３１とを備える。
【００２５】
基板１１は、好ましくは、非絶縁材料であって、高反射率を有する材料から形成される。たとえば、アルミナセラミックスなどが採用される。基板１１は、板状に形成されており、厚さ方向に配列する主表面２０，２１を含む。
【００２６】
第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４とは、互いに電気的に独立となるように形成されている。
【００２７】
第１電極１２は、主表面２０から基板１１の周面をとおり主表面２１に達するように形成されている。第２電極１３も、主表面２０から基板１１の周面をとおり主表面２１に達するように形成されている。第２電極１３は、主表面２０に形成されている。
【００２８】
図２は、図１に示すＬＥＤパッケージ１０を模式的に示す平面図である。この図２に示すように、基板１１は、平面視すると、正方形形状となるように形成されており、基板１１の外周縁部は、辺部２２〜２５を含む。なお、基板１１の形状としては、各種形状を採用することができる。
【００２９】
第３電極１４は、ＬＥＤチップ１５が実装される実装部１４ａと、この実装部１４ａから基板１１の外周縁部に向けて引き出された引出部１４ｂとを含む。引出部１４ｂは、辺部２２および辺部２３に向けて延びるように形成されている。この図２に示す例においては、実装部１４ａは、円形状に形成されているが、実装部１４ａの形状としては、正方形形状、長方形形状、楕円形状など各種の形状を採用することができる。すなわち、形成したい波長変換層の形状に合わせて設計されている。
【００３０】
第１電極１２は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように延びる円弧部１２ａと、円弧部１２ａから基板１１の外周縁部に向けて引き出された引出部１２ｂとを含む。図２に示す例においては、円弧部１２ａは、半円状に形成されているが、円弧部１２ａは、半四角形状、半多角形形状となるように形成されてもよい。
【００３１】
引出部１２ｂは、円弧部１２ａから辺部２４に向けて延びるように形成され、図１に示すように、基板１１の周面をとおり、主表面２１上を延びるように形成されている。
【００３２】
第２電極１３は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧部１３ａと、この円弧部１３ａから基板１１の外周縁部に向けて延びるように形成された引出部１３ｂとを含む。引出部１３ｂは、円弧部１３ａから辺部２５に向けて延び、基板１１の周面をとおり、主表面２１に達するように形成されている。
【００３３】
上記のように形成された第１電極１２、第２電極１３および第３電極１４の表面には、金メッキが施されており、表面の腐食の抑制が図られている。
【００３４】
図３は、ＬＥＤチップ１５の周囲を示す拡大断面図である。この図３に示すように、ＬＥＤチップ１５は、シリコーン樹脂などのダイボンド剤３０によって、第３電極１４の上面上に実装されている。
【００３５】
ＬＥＤチップ１５は、ＬＥＤ本体２６と、ＬＥＤ本体２６の実装面に設けられた反射部２７と、アノード２８と、カソード２９とを含む。反射部２７は、ＬＥＤ本体２６の下面にアルミを蒸着させることで形成されている。
【００３６】
ＬＥＤ本体２６は、発光層２６ａを含み、アノード２８およびカソード２９に所定の電圧が印加されることで発光する。なお、発光層２６ａからはたとえば、青色光（たとえば、波長域が３９０ｎｍ以上５１０ｎｍ以下の光）を出射する。
【００３７】
アノード２８には、金ワイヤ１６ａが接続されており、アノード２８は、第１電極１２に接続されている。カソード２９には、金ワイヤ１６ｂが接続されており、カソード２９は、第２電極１３に接続されている。
【００３８】
ここで、第１電極１２および第２電極１３の表面には、金メッキが施されており、金ワイヤ１６ａ，１６ｂと第１電極１２および第２電極１３とのワイヤボンド性の向上が図られている。
【００３９】
図１および図２において、波長変換層１７は、ＬＥＤチップ１５を覆うように第３電極１４上に形成されている。なお、図２において、波長変換層１７は、ハッチングを施した領域に形成されており、第３電極１４の実装部１４ａおよび引出部１４ｂ上に形成されている。
【００４０】
ここで、図１に示すように、波長変換層１７のうち、実装部１４ａ上に位置する部分は、半球形形状となるように形成されている。
【００４１】
なお、図１においては、ＬＥＤチップ１５は説明のために大きく記載されているが、実際は、波長変換層１７の大きさに比べて十分に小さく、ＬＥＤチップ１５は点光源とみなすことができる。
【００４２】
このため、実装部１４ａ上に位置する波長変換層１７の外表面の略全面に亘って、ＬＥＤチップ１５と波長変換層１７の外表面との間の距離は略均一となっている。波長変換層１７は、蛍光体とシリカと透明樹脂を攪拌混合した蛍光体樹脂を基板上に塗布したのち、蛍光体を電気泳動させ、ＬＥＤチップ１５の周囲に集めることで形成される。蛍光体は、特に材料等限定されるものではなく、ＬＥＤチップ１５の発光波長と、蛍光体の励起波長が等しいものが望ましく、また、所定の色度にあったものをもちいればよい。
【００４３】
封止層１８は、図２に示すように、実装部１４ａと、ＬＥＤチップ１５と、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとを覆うように主表面２０上に形成されている。透明樹脂は、特に材料等限定されるものではなく、透過率や屈折率、耐光性が高いといった一般的なＬＥＤパッケージに望まれる特性を満たしておればよい。このような透明樹脂としては、シリコーン樹脂がよく知られている。場合によっては、耐光性が劣るもののコストの面が有利なエポキシ樹脂も用いられる。なお、図１に示す撥液膜３１は、必須の構成ではない。
【００４４】
上記のように形成されたＬＥＤパッケージ１０の動作について説明する。図３において、アノード２８およびカソード２９に所定の電圧が印加されることで、発光層２６ａが発光する。
【００４５】
発光層２６ａからは青色光Ｌが放射状に出射される。青色光Ｌが波長変換層１７内に入射すると、波長変換層１７が励起して波長変換層１７から発光光Ｌ３が出射される。発光光Ｌ３は、放射状に出射される。
【００４６】
このため、発光光Ｌ３の一部は、第３電極１４に入射する。ここで、一般的な各蛍光体の発光波長に対する金の反射率は、緑色蛍光体からの光(波長約５５０ｎｍ：波長域が５３０ｎｍ以上６９０ｎｍ以下程度)で８０％、赤色蛍光体からの光（約６００ｎｍ：波長域が４６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下程度）で９２％、黄色蛍光体からの光(約５８０ｎｍ：波長域が５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ程度)で９０％と高い。このため、波長変換層１７によって波長変換された後の光であれば、第３電極１４などの金めっきにあたっても吸収が小さく輝度低下を抑えることができる。
【００４７】
発光層２６ａから出射された光の一部である青色光Ｌ１は、ＬＥＤチップ１５の実装面に向けて出射している。
【００４８】
ＬＥＤチップ１５の実装面には、反射部２７が設けられているため、青色光Ｌ１は反射部２７で反射される。その結果、良好に波長変換層１７内に青色光Ｌ１の反射光が入射する。
【００４９】
ここで、仮に、反射部２７が形成されていない場合には、青色光Ｌ１は、第３電極１４の表面に入射する。第３電極１４の表面には、金メッキが施されている。ここで、青色光Ｌ１の波長は、約450nmであり、このときの反射率は４０％程度と低い。このため、青色光Ｌ１が金めっきにあたることで著しい輝度低下が起こってしまう。
【００５０】
本実施の形態１に係るＬＥＤパッケージ１０によれば、このような輝度低下を抑制することができる。
【００５１】
このように、ＬＥＤチップ１５の基板実装面にアルミや銀などの高反射部材を取り付けて反射部２７が形成されているので、ＬＥＤチップ１５の基板実装面から出光しようとする青色光が、反射部２７で反射され、第３電極１４で吸収されることを防ぐことができる。
【００５２】
なお、反射部２７は、必須の構成ではなく、ＬＥＤチップ１５を実装する第３電極１４が、銀やアルミなどの高反射率金属としてもよい。この場合には、青色光Ｌ１は、第３電極１４の表面で反射されることになる。
【００５３】
図４は、ＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。この図４に示すように、波長変換層１７から出射された発光光Ｌ３の一部は、第２電極１３に入射する場合がある。
【００５４】
この際、金の反射率の緑色光の反射率は、８０％程度であり、金の反射率の赤色光（約６００ｎｍ：波長域が４６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下程度）反射率は、９２％である。金の黄色光(約５８０ｎｍ：波長域が５７０ｎｍ以上５９０ｎｍ程度)の反射率は、９０％程度である。
【００５５】
このため、第２電極１３や第１電極１２を銀やアルミなどの高反射率金属で形成することで、波長変換層１７で変換された発光光Ｌ３が第２電極１３や第１電極１２などに入射したとしても、電極に吸収されることを抑制することができる。
【００５６】
図５は、ＬＥＤチップ１５と、波長変換層１７と、封止層１８とを示す断面図である。この図５に示すように、ＬＥＤチップ１５の大きさは、波長変換層１７および封止層１８と比較して非常に小さく、ＬＥＤチップ１５を点光源とみなすことができる。
【００５７】
ＬＥＤチップ１５から出射された青色光ＬＬは、波長変換層１７内で発光光Ｌ３に変換される。
【００５８】
ここで、波長変換層１７は半球形状に形成されているため、波長変換層１７の外表面の略全面に亘って、ＬＥＤチップ１５と波長変換層１７の外表面との間の距離が略等しくなってる。
【００５９】
このため、波長変換層１７の径を所定以上の大きさとすることで、ＬＥＤチップ１５からの青色光ＬＬが波長変換層１７内で吸収されずに封止層１８に入り込むことを抑制することができる。これにより、青色光ＬＬが直接外部に出射されることを抑制することができる。
【００６０】
また、青色光ＬＬの主成分は、図５に示すように、波長変換層１７の外表面に直角に入射する。このため、波長変換層１７と封止層１８との界面で青色光ＬＬの主成分が屈折することが抑制されている。
【００６１】
さらに、発光光Ｌ３の主成分は、封止層１８の外表面に垂直に入射する。このため、発光光Ｌ３が封止層１８の外表面と空気層との界面において屈曲することを抑制することができる。
【００６２】
この結果、封止層１８から放射される光の輝度分布にばらつきが生じることを抑制することができる。
【００６３】
上記のように構成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図６は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法の第１工程を示す断面図である。この図６において、厚さ方向に配列する２つの主表面を有するマザー基板６０を準備する。このマザー基板６０は、長方形形状に形成されており、マザー基板６０の外周縁部は、互いに対向する２つの長辺部と、互いに対向する２つの短辺部とを含む。そして、他方の長辺部には、間隔をあけてスリットが形成されている。このスリットは、他方の長辺部から一方の長辺部に向けて延びるように形成されている。
【００６４】
なお、マザー基板６０の主表面には、複数の形成領域６１ａ〜６１ｆが規定されており、各形成領域６１ａ〜６１ｆに、ＬＥＤパッケージ１０が形成される。
【００６５】
図７は、図６に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、この図７に示すように、接続部５１と、接続部５２と、各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された実装部１４ａと、第１電極１２と、第２電極１３とを形成する。
【００６６】
各実装部１４ａは、各形成領域６１ａ〜６１ｆの略中央部に形成される。接続部５１は、マザー基板６０の一方の長辺部に形成された基部４３と、この基部４３から他方の長辺部に向けて延びるように形成された接続配線４０，４１，４２とを含む。接続配線４０と、接続配線４１と、接続配線４２とは互いに間隔をあけて設けられている。
【００６７】
接続配線４０は、形成領域６１ａに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｄに形成された実装部１４ａとを接続する。接続配線４１は、形成領域６１ｂに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｅに形成された実装部１４ａとを接続する。接続配線４２は、形成領域６１ｃに形成された実装部１４ａと、形成領域６１ｆに形成された実装部１４ａとを接続する。
【００６８】
接続部５２は、マザー基板６０の他方の長辺部に形成された基部４８と、この基部４８から一方の長辺部に向けて延びるように形成され、互いに間隔をあけて設けられた複数の接続配線４４，４５，４６，４７とを含む。
【００６９】
接続配線４４は、形成領域６１ａに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｄに形成された引出部１２ｂとを接続する。なお、接続配線４４は、マザー基板６０の一方の短辺部に形成されている。
【００７０】
接続配線４５は、形成領域６１ａに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｂに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｄに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｅに形成された引出部１３ｂとを接続する。
【００７１】
接続配線４６は、形成領域６１ｂに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｃに形成された引出部１２ｂと、形成領域６１ｅに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｆに形成された引出部１２ｂとを接続する。
【００７２】
接続配線４７は、マザー基板６０の他方の短辺部に形成されている。接続配線４７は、形成領域６１ｃに形成された引出部１３ｂと、形成領域６１ｆに形成された引出部１３ｂとを接続する。
【００７３】
このように、接続部５１の接続配線４０，４１，４２は、櫛の歯状に形成されており、接続配線４４，４５，４６，４７も櫛の歯状に形成されている。そして、接続部５１の接続配線４０，４１，４２と、接続部５２の接続配線４４，４５，４６，４７とは、互いに交互となるように形成されている。このように、第１電極１２と、第２電極１３と、１４とを形成した後、ドーナツ形状の撥液膜を形成した。この環状に形成された撥液膜から実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが露出している。
【００７４】
なお、図８は、図７に示すＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線における断面図であり、この図８に示すように、実装部１４ａが形成領域６１ａの中央部に形成される。
【００７５】
図９は、図７に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１０は、図９に示すＸ−Ｘ線における断面図である。
【００７６】
図９および図１０に示すように、ＬＥＤチップ１５を各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された実装部１４ａ上に実装する。
【００７７】
具体的には、実装部１４ａの上面上にダイボンド剤３０を塗布して、このダイボンド剤３０上にＬＥＤチップ１５をのせる。
【００７８】
図１１は、図９に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１２は、図１１に示すＸＩＩ−ＸＩＩ線における断面図である。
【００７９】
この図１１および図１２に示すように、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５のアノード２８と第１電極１２とを接続する金ワイヤ１６ａと、カソード２９と第２電極１３とを接続する金ワイヤ１６ｂとを形成する。
【００８０】
図１３は、図１１に示す製造工程後の工程を示す断面図であり、図１４は、図１３に示すＸＩＶ−ＸＩＶ線における断面図である。
【００８１】
まず、主表面に形成された撥液剤は環状に形成されており、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとは、撥液剤から露出している。
【００８２】
そこで、主表面２０のうち、撥液剤から露出した部分に蛍光体樹脂６２をインクジェット装置などの塗布装置を用いて塗布する。これにより、各形成領域６１ａ〜６１ｆに設けられたＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが蛍光体樹脂６２によって覆われる。
【００８３】
この際、撥液膜３１の蛍光体樹脂６２に対する濡れ性は、マザー基板６０の蛍光体樹脂６２に対する濡れ性よりも小さい。
【００８４】
このため、蛍光体樹脂６２を塗布した際に、蛍光体樹脂６２が撥液膜３１の上面上にまでぬれ広がることを抑制することができ、蛍光体樹脂６２を均一に形成することができる。
【００８５】
さらに、撥液膜３１の濡れ性が低いため、塗布された蛍光体樹脂６２は半球形状となる。蛍光体樹脂６２は、蛍光体と透明樹脂とシリカを攪拌混合した蛍光体とを含む。
【００８６】
そして、接続部５１に＋の電圧を印加して、接続部５２に−の電圧を印加する。この際、ＬＥＤパッケージごとに電圧を印加する必要がなく、接続部５１および接続部５２に電圧を印加することで、各形成領域６１ａ〜６１ｆに実装された実装部１４ａの周囲に電界を形成することができる。
【００８７】
そして、図１５および図１６の二点鎖線に示すように、円弧部１２ａと実装部１４ａとの間と、引出部１２ｂと実装部１４ａとの間とに電界が形成される。
【００８８】
ここで、蛍光体樹脂６２内に含まれる蛍光体の振る舞いについて、図１７を用いて説明する。図１７は、実装部１４ａと、円弧部１３ａと、蛍光体樹脂６２とを模式的に示す模式図である。
【００８９】
この図１７に示すように、実装部１４ａに＋の電圧を印加し、円弧部１３ａに−の電圧を印加する。
【００９０】
蛍光体樹脂６２は、シリコーン樹脂などの透明樹脂と、この透明樹脂内に拡散した複数の蛍光体と、シリカとを含む。
【００９１】
ここで、透明樹脂は、特に材料等限定されるものではなく、透過率や屈折率、耐光性が高いといった一般的なＬＥＤパッケージに望まれる特性を満たしておればよい。このような透明樹脂としては、シリコーン樹脂がよく知られている。場合によっては、耐光性が劣るもののコストの面が有利なエポキシ樹脂も用いられる。
【００９２】
ただし、透明樹脂中の帯電粒子濃度は電気泳動の移動速度に大きく影響するため、できるだけ大きいものがよい。帯電粒子濃度の指標としてたとえばpH値を考慮してやればよい。ただし、pH値によっては、電気泳動時に蛍光体に働く力の方向変わるので、発生させる電界に応じて、狙いのpH値を決定してやるか、透明樹脂のpH値に合わせて印加電圧の正負を決定することが必要である。
【００９３】
蛍光体樹脂６２には、前述したように、蛍光体と透明樹脂に加えて、シリカを添加してやることが望ましい。シリカを添加することで、蛍光体樹脂６２の粘度が高くなるため、蛍光体樹脂塗布装置内や、基板へ塗布した後の蛍光体樹脂６２内で蛍光体の自然沈降を抑えることができる。これにより、時間経過による蛍光体の濃度や分布のばらつきを抑えることができる。しかし、シリカを添加しすぎると粘度が高くなりすぎるため、蛍光体樹脂６２の塗布そのものができなくなる。さらに、電界により蛍光体に働く力よりも粘性抵抗が高くなってしまうと電気泳動が起こらなくなるおそれがある。このため、シリカは蛍光体がちょうど自然沈降しない程度の添加量にとどめておくことが望ましい。
【００９４】
蛍光体が自然沈降しない程度に蛍光体樹脂６２の粘度を調整することにより、蛍光体樹脂６２をインクジェット装置で基板に吹き付ける際に、塗布ノズルに蛍光体樹脂６２がつまることを抑制することができる。さらに、インクジェット装置の塗布容器内における蛍光体濃度分布を均一な状態に長時間維持することでき、蛍光体樹脂６２を塗布する過程において、塗布はじめの蛍光体の濃度と塗布終了時の蛍光体の濃度とにばらつきが生じることを抑制することができる。これにより、作成されるＬＥＤパッケージ１０毎の色むらを小さくすることができる。
【００９５】
シリコーン樹脂のような透明樹脂中には、正負それぞれの電荷をもった荷電粒子が均一に分散している。このなかに、たとえば正電荷に帯電した蛍光体粒子を混合すると、図１７に示したように、透明樹脂中の負電荷をもった荷電粒子が蛍光体に引き寄せられ、蛍光体粒子の周りが負電荷の荷電粒子でコーティングされ、いわゆる電気２重層を形成する。このような状態の蛍光体は負電荷をもったひとつの粒子のように考えることができる。
【００９６】
すなわち、図１７に示すように正および負電極に挟まれた空間に、蛍光体樹脂６２を塗布し、電圧を印加し、電界を発生させると、各荷電粒子に電界による力が発生し、電気泳動が起こる。このとき、電気２重層を形成した蛍光体は負電荷をもつので、結果正極側に向かって移動する。
【００９７】
ここで、蛍光体樹脂６２内に電界を発生させる方法として、たとえば、第１電極１２上にＬＥＤチップ１５を実装して、第１電極１２と第２電極１３との間に電圧を印加する方法が考えられる。当該方法においては、ＬＥＤチップ１５は、第１電極１２および第２電極１３に電気的に既に接続されているので、第１電極１２および第２電極１３の間には、3.5V程度までしか印加することができない。この程度の電位差では、発生する電界の強度は微弱であり、電界により蛍光体に発生する力も小さい。これでは、蛍光体樹脂６２の粘度が高いと蛍光体が動かず、低いと重力による影響の方が大きくなり蛍光体が自然沈降するだけとなる。仮に粘度を調整したとしても、電気泳動による蛍光体の移動速度は小さく、タクトが長くなってしまい、生産性が悪い。したがって、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージの製造方法のように、電界を発生させるために電圧を印加する電極間は、ＬＥＤチップなどの素子や電極パターンによって結線させずに独立させておくことがのぞましい。
【００９８】
図１８は、電気遊動が完了した状態を示す平面図であり、図１９は、図１８に示すＸＩＸ−ＸＩＸ線における断面図である。
【００９９】
図１８に示すように、接続部５１の上面上に波長変換層１７が形成される。ここで、図１５および図１６に示すように、円弧部１２ａおよび円弧部１３ａは、ＬＥＤチップ１５および実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成されているため、ＬＥＤチップ１５の周辺の電界分布が均一となる。ＬＥＤチップ１５の周辺の電界分布が均一な状態で、蛍光体が電気遊動するため、図１９に示すように、蛍光体が均等に実装部１４ａの周囲に集まり、半球状の波長変換層１７が形成される。
【０１００】
その一方で、蛍光体樹脂６２内の蛍光体が実装部１４ａの周囲に集まることで、波長変換層１７の周囲には、透明樹脂層６３が形成される。蛍光体樹脂６２は、半球体状に形成されているため、透明樹脂層６３の表面も半球体状に形成される。このように、ＬＥＤチップ１５を蛍光体樹脂６２で覆ったのち、電気泳動により、ＬＥＤチップ１５の周りに蛍光体を集めることで蛍光体樹脂６２と透明樹脂層６３を同時形成できるため、工程数が低減されている。さらに、蛍光体を自然沈降させる場合と比べて、電気泳動を用いれば、印加する電圧によって蛍光体の移動速度を大きくすることができるため、波長変換層１７を形成する工程時間を短くすることができる。
【０１０１】
また、塗布ノズルにつまらなくかつ蛍光体が自然沈降しない程度に蛍光体樹脂の粘度を調整することで、塗布容器内での蛍光体濃度分布を均一にした状態で塗布できるので、塗布はじめと終りとのＬＥＤパッケージ毎の色むらを小さくすることができる。
【０１０２】
ここで、波長変換層１７を形成する方法として、下記のような手法が考えられる。まず、揮発性溶剤と蛍光体を混合した溶液で満たされた容器を準備する。そして、第１電極１２と、第１電極１２に接続されたＬＥＤチップ１５と、第２電極１３とが形成された基板を溶液に浸す。基板を溶液に浸した状態で、各電極に電圧を掛け、電気泳動により蛍光体をＬＥＤチップ１５の周りに集める。このような方法では、多数のＬＥＤパッケージを浸すためには広い容器が必要となる。さらに、容器内の蛍光体濃度分布を均一にすることが困難であるため、蛍光体濃度分布のばらつきにより、ＬＥＤパッケージ毎に囲繞する蛍光体の量がばらついてしまう。その一方で、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法では、ＬＥＤパッケージ毎に、決まった量の蛍光体樹脂が塗布され、この蛍光体樹脂で閉じられた系で波長変換層を形成する。このため、蛍光体量のばらつきを抑えることができ、結果、ＬＥＤパッケージ１０毎の色むらを小さくすることができる。
【０１０３】
図２０は、図１８および図１９に示す製造工程後の工程を示す平面図であり、図２１は、図２０に示すＸＸＩ−ＸＸＩ線における断面図である。
【０１０４】
この図２０に示すように、マザー基板６０をオーブンに投入して、ベークすることで、各形成領域６１ａ〜６１ｆには、波長変換層１７の一部およびＬＥＤチップ１５を覆うように形成された封止層１８が形成される。これにより、形成領域６１ａ〜６１ｆにＬＥＤパッケージ１０が形成されたＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。
【０１０５】
このように、ＬＥＤパッケージアレイ５０は、複数のＬＥＤパッケージ１０が連結されたものである。
【０１０６】
図２０に示すように、ＬＥＤパッケージアレイ５０は、複数の第１電極１２と、複数の第２電極１３と、複数の第３電極１４とを備える。そして、接続配線４４〜４７によって、第１電極１２同士と、第２電極１３同士とが接続されると共に、第１電極１２と第２電極１３とが互いに接続されている。
【０１０７】
また、接続部５１の接続配線４０〜４２と基部４３とによって、各実装部１４ａが接続されている。
【０１０８】
そして、図２０に示す溝部ＣＬでＬＥＤパッケージアレイ５０を切断することで、図１に示す複数のＬＥＤパッケージ１０を得ることができる。
【０１０９】
（実施の形態２）
図２２から図２５を用いて、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０について説明する。なお、図２２から図２５に示す構成のうち、上記図１から図２１に示す構成については、同一の符号を付して、その説明を省略する場合がある。
【０１１０】
図２２は、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０の断面図である。この図２２に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、基板１１と、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第３電極１４上に実装されたＬＥＤチップ１５と、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、波長変換層１７を覆うように主表面２０に形成された封止層１８とを備える。
【０１１１】
図２３は、図２２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。この図２３および図２２に示すように、第３電極１４は、実装部１４ａと、実装部１４ａの下面に接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１４ｃとを含む。
【０１１２】
本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０においては波長変換層１７は、実装部１４ａ上に形成され、ＬＥＤチップ１５を覆うように形成されている。波長変換層１７は、略半球状に形成されている。
【０１１３】
このように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図２４は、ＬＥＤパッケージ１０の製造過程を示す平面図である。この図２４に示す工程では、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、接続部５２とがマザー基板６０の主表面上に形成されており、実装部１４ａの上面にＬＥＤチップ１５が実装されている。接続部５２の接続配線４４〜４６によって、第１電極１２および第２電極１３が接続されている。なお、本実施の形２においては、上記実施の形態１で説明した接続部５１は形成されていない。
【０１１４】
各形成領域６１ａ〜６１ｆに蛍光体樹脂６２を塗布した後、実装部１４ａに＋の電圧を印加して、接続部５２に−の電圧を印加する。なお、実装部１４ａに電圧を印加する際には、マザー基板６０の背面に設けられた接続部１４ｃに電圧を印加する。
【０１１５】
このように、電圧を印加することで、実装部１４ａと円弧部１２ａとの間と、実装部１４ａと円弧部１３ａとの間とに電界が生じる。
【０１１６】
これにより、透明樹脂層６３内に含まれる蛍光体が電気遊動によって、蛍光体が実装部１４ａの上面に集まる。これにより、実装部１４ａの上面に半球状の波長変換層１７が形成される。
【０１１７】
ここで、実装部１４ａは、円形形状に形成されており、実装部１４ａに接続される配線などは、マザー基板６０の主表面上に形成されていない。さらに、本実施の形態２においても、実装部１４ａの周囲は、円弧部１２ａおよび円弧部１３ａによって囲まれている。このため、蛍光体は、実装部１４ａの上面に集中し、実装部１４ａの上面には、略半球形状の波長変換層１７が良好に形成される。
【０１１８】
このように、波長変換層１７が形成されたマザー基板６０にベークを施す。これにより、図２５に示すように、ＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。そして、このＬＥＤパッケージアレイ５０を切断することで、本実施の形態２に係るＬＥＤパッケージ１０を製作することができる。
【０１１９】
なお、上記実施の形態１，２に係るＬＥＤパッケージ１０は、フェイスアップ方式であるが、方式としては、フェイスダウン方式であってもよい。
【０１２０】
（実施の形態３）
図２６から図３１を用いて、本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０について説明する。なお、図２６から図３１に示す構成のうち、上記図１から図２５に示す構成と同一または相当する構成についてはその同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１２１】
図２６は、本実施の形態に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図であり、図２７は、図２６に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【０１２２】
図２６において、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を含む基板１１と、主表面２０に形成された第３電極１４と、一部が主表面２０上に形成された第１電極１２および第２電極１３とを備える。ＬＥＤパッケージ１０は、ＬＥＤチップ１５と、このＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、この波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８とを備える。
【０１２３】
第１電極１２は、主表面２０に形成された実装部１２ｃと、この実装部１２ｃに接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１２ｄと、接続部１２ｄに接続されると共に、主表面２１に形成された背面部１２ｅとを含む。
【０１２４】
第２電極１３は、主表面２０に形成された実装部１３ｃと、この実装部１３ｃに接続され、主表面２０から主表面２１に達する接続部１３ｄと、接続部１３ｄに接続されると共に、主表面２１に形成された背面部１３ｅとを含む。
【０１２５】
図２７に示すように、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃは、いずれも、半円形状に形成されている。実装部１２ｃの外周縁部は、半円状の縁部と、この半円状の縁部の両端部を接続する直線部とを含む。実装部１３ｃの外周縁部は、半円状の縁部と、この半円状の縁部の両端部を接続する直線部とを含む。
【０１２６】
そして、実装部１２ｃと、実装部１３ｃとは互いに間隔をあけて配置されており、実装部１２ｃの直線部と、実装部１３ｃの直線部とが互いに対向するように、実装部１２ｃと実装部１３ｃとは配置されている。ＬＥＤチップ１５は、実装部１２ｃ上から実装部１３ｃ上に跨るように実装されている。
【０１２７】
図２６に示すように、ＬＥＤチップ１５は、アノード２８とカソード２９とを含み、アノード２８は、実装部１２ｃに電気的に接続されている。カソード２９は、実装部１３ｃに電気的に接続されている。
【０１２８】
第３電極１４は、主表面２０に形成されている。第３電極１４は、実装部１２ｃと、実装部１３ｃと、ＬＥＤチップ１５の周囲を取り囲むように形成された環状の環状部１４ｄと、環状部１４ｄに接続された、引出部１４ｅおよび引出部１４ｆとを含む。
【０１２９】
なお、この図２７では、波長変換層１７は、省略されているが、波長変換層１７はＬＥＤチップ１５を中心として半球体状に形成されている。
【０１３０】
このように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。図２８は、ＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。この図２８に示すように、マザー基板６０を準備する。マザー基板６０の各形成領域６１ａ〜６１ｆには、各々貫通孔７０と貫通孔７１とが形成されている。
【０１３１】
貫通孔７０および貫通孔７１は、いずれも、マザー基板６０の一方の主表面から他方の主表面に達するように形成されている。
【０１３２】
図２９は、図２８に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図２９において、まず、マザー基板６０にスパッタリングを施して、金属膜をマザー基板６０の表面上に形成する。その後、溶液にマザー基板６０を溶液につけて、金属膜を成長させて、図２８に示す貫通孔７０，７１を金属膜で埋める。
【０１３３】
その後、金属膜にフォトリソグラフを施して、各形成領域６１ａ〜６１ｆに第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４とを形成する。この際、各形成領域６１ａ〜６１ｆに形成された第３電極１４を接続する接続部７２も形成される。
【０１３４】
接続部７２は、マザー基板６０の一方の長辺部に形成された基部７３と、この基部７３から他方の長辺部に向けて延びる複数の接続配線７４〜７７とを含む。
【０１３５】
図３０は、図２９に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３０において、ＬＥＤチップ１５を実装部１２ｃおよび実装部１３ｃ上に実装して、ＬＥＤチップ１５を実装部１２ｃと実装部１３ｃとに電気的に接続する。
【０１３６】
そして、第１電極１２および第２電極１３に＋の電圧を印加し、接続部７２に−の電圧を印加する。
【０１３７】
これにより、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃと、環状部１４ｄとの間に電界が形成される。ここで、環状部１４ｄは、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃの周囲を取り囲むように形成されているため、実装部１２ｃおよび実装部１３ｃと、環状部１４ｄとの間に形成される電界の強度部分は、略均一となる。
【０１３８】
このため、ＬＥＤチップ１５の周囲に蛍光体樹脂６２内の蛍光体が均等に集まる。これにより、波長変換層１７が半球体状に形成される。これに伴い、図３１に示すように、波長変換層１７を覆う透明樹脂層６３が形成される。
【０１３９】
そして、波長変換層１７などが形成されたマザー基板６０をベークすることで、透明樹脂層６３が封止層１８となり、ＬＥＤパッケージアレイ５０が形成される。本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージアレイ５０も、複数のＬＥＤパッケージ１０が連結された状態となっている。
【０１４０】
このＬＥＤパッケージアレイ５０を分割することで、複数のＬＥＤパッケージ１０を作成することができる。
【０１４１】
（実施の形態４）
図３２から図３８を用いて、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０およびＬＥＤパッケージアレイ５０と、ＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。なお、図３２から図３８に示す構成のうち、上記図１から図３１に示す構成と同一または相当する構成については、同一の符号を付してその説明を省略する場合がある。
【０１４２】
図３２は、本実施の形態３に係るＬＥＤパッケージ１０を示す断面図である。図３３は、図３２に示すＬＥＤパッケージ１０の平面図である。
【０１４３】
図３２および図３３に示すように、ＬＥＤパッケージ１０は、主表面２０および主表面２１を含む基板１１と、基板１１の表面に形成された第１電極１２と、基板１１の表面上に形成された第２電極１３と、基板１１の主表面２０に形成された第３電極１４と、基板１１の主表面２０に形成された第４電極８２と、主表面２０に形成された第５電極８３とを備える。
【０１４４】
ＬＥＤパッケージ１０は、第３電極１４の上面上に実装されたＬＥＤチップ１５と、このＬＥＤチップ１５を覆うように形成された波長変換層１７と、この波長変換層１７を覆うように形成された封止層１８とを備える。
【０１４５】
第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とは、いずれも、電気的に接続されていない。第１電極１２と、ＬＥＤチップ１５のアノードは、金ワイヤ１６ａによって接続されており、第２電極１３とＬＥＤチップ１５のカソードとは、金ワイヤ１６ｂによって接続されている。
【０１４６】
第３電極１４は、ＬＥＤチップ１５が実装される実装部１４ａと、この実装部１４ａに接続された引出部１４ｂとを含む。実装部１４ａは、円形状に形成されており、引出部１４ｂは、基板１１の一方の辺部２２から辺部２３に亘って形成されている。
【０１４７】
第４電極８２は、第３電極１４と隣り合うように配置されており、第４電極８２は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧状の円弧部８４と、円弧部８４に接続された引出部８５とを含む。
【０１４８】
第５電極８３は、第３電極１４に対して第４電極８２と反対側に配置されている。第５電極８３は、実装部１４ａの周囲を取り囲むように形成された円弧部８７と、この円弧部８７に接続された引出部８６とを含む。ここで、第４電極８２の円弧部８４と、第５電極８３の円弧部８７とによって、実装部１４ａの周囲の略全周が取り囲まれるように形成されている。
【０１４９】
第１電極１２は、第４電極８２に対して第３電極１４と反対側に配置されており、第２電極１３は、第５電極８３に対して第３電極１４と反対側に配置されている。封止層１８は、ＬＥＤチップ１５と、実装部１４ａと、円弧部８４と、円弧部８７とを覆うと共に、引出部１４ｂの少なくとも一部と、引出部８５の少なくとも一部とを覆うように形成されている。
【０１５０】
波長変換層１７は、第３電極１４の上面のうち、封止層１８によって覆われた部分に形成されている。波長変換層１７のうち、実装部１４ａ上に形成された部分は、略半球状に形成されている。
【０１５１】
このように、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０においても、波長変換層１７のうち、ＬＥＤチップ１５を覆う部分が半球状に形成されているため、上記実施の形態１に係るＬＥＤパッケージ１０と同様の効果を得ることができる。
【０１５２】
上記のように形成されたＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。
図３４は、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０の製造工程の第１工程を示す平面図である。この図３４に示すように、複数の穴部９０および穴部９１が形成されたマザー基板６０を準備する。
【０１５３】
図３５は、図３４に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３５において、マザー基板６０の表面にスパッタリングによって、金属膜を形成する。その後、スパッタリングが施されたマザー基板６０を溶液につけて、金属膜を成長させる。これにより、図３４に示す穴部９０および穴部９１が金属膜によって埋められる。
【０１５４】
その後、このマザー基板６０にエッチングを施して、マザー基板６０の主表面上に９２第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３と、接続部９２と、接続部９３とを形成する。
【０１５５】
なお、マザー基板６０の主表面は、複数の形成領域６１ａ、形成領域６１ｂ、形成領域６１ｄおよび形成領域６１ｅを含み、各形成領域に、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とが形成される。
【０１５６】
ここで、形成領域６１ａに形成された第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とは、形成領域６１ｂに形成された第３電極１４と、第４電極８２と、第５電極８３とにそれぞれ接続されている。
【０１５７】
また、形成領域６１ｂに形成された第３電極１４と第４電極８２と第５電極８３とは、形成領域６１ｅに形成された第３電極１４と第４電極８２と第５電極８３とにそれぞれ接続されている。そして、各形成領域に形成された第３電極１４は、接続部９２に接続されており、引出部８５および引出部８６は、接続部９３に接続されている。
【０１５８】
なお、形成領域６１ａに形成された第２電極１３と、形成領域６１ｂに形成された第１電極１２とが接続されており、形成領域６１ｄに形成された第２電極１３と、形成領域６１ｅに形成された第１電極１２とが一体的に接続されている。
【０１５９】
図３６は、図３５に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３６に示すように、ＬＥＤチップ１５を、各形成領域に形成された実装部１４ａ上にＬＥＤチップ１５を実装する。
【０１６０】
その後、ＬＥＤチップ１５に金ワイヤ１６ａおよび金ワイヤ１６ｂを接続する。そして、ＬＥＤチップ１５のアノードと第１電極１２とを接続し、ＬＥＤチップ１５のカソードと第２電極１３とを接続する。
【０１６１】
図３７は、図３６に示す製造工程後の製造工程を示す平面図である。この図３７に示すように、実装部１４ａと、円弧部８４と、円弧部８７とを覆うように、蛍光体樹脂６２を塗布する。
【０１６２】
この際、引出部１４ｂの少なくとも一部と、引出部８５の少なくとも一部と、引出部８６の少なくとも一部とは、蛍光体樹脂６２によって覆われる。なお、蛍光体樹脂６２を塗布する前に、マザー基板６０の主表面上に撥液膜を形成してもよい。具体的には、マザー基板６０の主表面上に撥液膜を形成して、この撥液膜にパターニングを施す。
【０１６３】
これにより、マザー基板６０のうち、蛍光体樹脂６２が塗布される領域が撥液膜から露出する。このような撥液膜を形成した後に、蛍光体樹脂６２を塗布するようにしてもよい。
【０１６４】
図３８は、図３７に示す製造工程後の工程を示す平面図である。この図３８において、第３電極１４に＋の電圧を印加し、第４電極８２および第５電極８３に−の電圧を印加する。この際、第３電極１４と、第４電極８２および第５電極８３とは、ＬＥＤチップ１５と電気的に接続されていない。このため、第４電極８２および第５電極８３に電圧を印加したとしても、ＬＥＤチップ１５に電圧が印加されない。
【０１６５】
したがって、第４電極８２および第５電極８３に大きな電圧を印加したとしても、ＬＥＤチップ１５が損傷するおそれを抑制することができる。このため、第４電極８２および第５電極８３に大きな電圧を印加することで、短時間で蛍光体樹脂６２内の蛍光体をＬＥＤチップ１５の周囲に形成することができる。
【０１６６】
この際、ＬＥＤチップ１５は、実装部１４ａ上に実装されており、円弧部８４および円弧部８７は、ＬＥＤチップ１５ａの周囲を取り囲むように形成されている。特に、本実施の形態４に係る例においては、円弧部８４および円弧部８７は、いずれも、実装部１４ａを中心として円弧状に形成されている。
【０１６７】
このため、実装部１４ａと円弧部８４との間と、実装部１４ａと円弧部８７との間とに形成される電界強度は、略均一に分布する。このため、蛍光体樹脂６２内に含まれる蛍光体が実装部１４ａの上面に均等に形成される。これに伴い、ＬＥＤチップ１５を覆うように半球状の波長変換層１７が形成される。この際、波長変換層１７は、実装部１４ａの上面のみならず、引出部１４ｂの上面上にも形成される。
【０１６８】
また、蛍光体樹脂６２内の蛍光体が実装部１４ａ上などに集まることで、透明樹脂層６３が波長変換層１７を覆うように形成される。
【０１６９】
そして、透明樹脂層６３が形成されたマザー基板６０をオーブンで加熱することで、透明樹脂層６３がベークされて、封止層１８が形成される。
【０１７０】
これにより、各形成領域にＬＥＤパッケージ１０が形成されたＬＥＤパッケージアレイ５０を得ることができる。
【０１７１】
なお、このＬＥＤパッケージアレイ５０は、接続部９３と、接続部９２とを含み、接続部９３には、第４電極８２および第５電極８３が接続され、接続部９２には、第３電極１４が接続されている。
【０１７２】
そして、第４電極８２と、第５電極８３とは、櫛歯状に形成されており、第３電極１４も櫛歯状に形成されている。第４電極８２および第５電極８３の間に第３電極１４が挿入されており、第４電極８２と第３電極１４と第５電極８３とは交互に配置されている。
【０１７３】
このように、透明樹脂層６３が形成されたマザー基板６０を、各形成領域ごとに分割することで、本実施の形態４に係るＬＥＤパッケージ１０を得ることができる。
【０１７４】
なお、上記実施の形態１〜４の例においては、電極上にＬＥＤチップ１５を実装して、当該電極に電圧を印加することで、ＬＥＤチップ１５を覆うように波長変換層１７を形成しているが、波長変換層１７を形成する際にＬＥＤチップ１５が当該電極上に配置されていることは必須ではない。
【０１７５】
たとえば、蛍光体を電気遊動させるために用いる電極と隣り合うようにＬＥＤチップ１５を配置するようにしてもよい。この場合においても、電気遊動によって蛍光体が電極の周囲に集まる。この際、蛍光体がＬＥＤチップ１５を覆うように集まることで、ＬＥＤチップ１５を覆うように波長変換層１７が形成される。
【０１７６】
すなわち、本発明においては、蛍光体を集めるための電極を準備して、当該電極に電圧を印加することで、波長変換層を形成するようにしている。
【実施例１】
【０１７７】
図３９および図４０を用いて、本発明の実施例１について説明する。図３９に示すように、配線シート８０に銅配線８１（銅箔厚さ35um、配線ピッチ1.5mm、配線幅0.55mm)の櫛歯パターンを作成する。その後、パターン上に蛍光体樹脂を塗布し、ガラス板で挟みこんだのち、図４０に示すように、銅配線８１が交互に正極と負極となるように１０００Ｖの電圧を印加したところ、正極側に蛍光体が集まった。この結果から、本検証実験で用いた蛍光体粒子は負電荷が帯電していると確認できる。
【実施例２】
【０１７８】
図６などを用いて、実施例２に係るＬＥＤパッケージ１０の製造方法について説明する。図６に示すように、マザー基板６０は平板状に成型したアルミナセラミックを準備する。さらに、基板成型時に図６に示した一点鎖線の位置に溝を形成しておくことで、後工程での分断が容易に行えるようにしておいた。
【０１７９】
ここで、アルミナセラミックの厚みは1mmで、溝は１パッケージあたり角5mmとなるように形成した。
【０１８０】
次に、図７に示すように、第１電極１２と、第２電極１３と、第３電極１４などをAu厚膜印刷により電極パターンを形成した。Au厚膜は35umとした。また、ＬＥＤパッケージの電極パターンは、第１電極１２の円弧部１２ａと、第２電極１３の円弧部１３ａとが内径3mm、幅25um、基板中央を中心とした円弧状となるように形成した。さらに、第３電極１４の実装部１４ａが直径2mm、基板中央を中心とした円形状となるように形成した。さらに、第１電極１２と第２電極１３とがそれぞれが結線され、結線部がＬＥＤパッケージアレイ上端部に来るようにし、第３電極１４それぞれが結線され、結線部がＬＥＤパッケージアレイ下端部に来るようにしている。
【０１８１】
内径が4mm、幅が0.1mmのドーナツ形状の撥液膜を形成した。この環状に形成された撥液膜から実装部１４ａと、円弧部１２ａと、円弧部１３ａとが露出している。
【０１８２】
次に、φ2mmで形成した実装部１４ａ上に、シリコーン樹脂のダイボンド剤を塗布し、図９に示すように、ＬＥＤチップ１５をダイボンドした（step1）。ここで、使用したＬＥＤチップ１５は発光波長４５０ｎｍ、サイズは縦:1mm、横:1mm、高さ0.1mmであり、基板実装面には厚み100nmのアルミを蒸着することで反射面を形成している。
【０１８３】
次に、図１１に示すように、直径25umの金ワイヤを用いて、第１電極１２および第２電極１３と、ＬＥＤチップのアノード、カソード電極とにそれぞれワイヤボンドを行い、電気的に接続した（Step2）。
【０１８４】
次に図１３に示すように、蛍光体と透明樹脂とシリカを攪拌混合した蛍光体樹脂６２を形成領域６１ａ〜６１ｆの中心に、蛍光体樹脂６２が直径4mm、高さ2mmの半球になるように塗布した。ここで蛍光体はYAG蛍光体を用いており、濃度は3%とした。また、透明樹脂にはシリコーン樹脂を用いた。さらに、透明樹脂中の蛍光体が自然沈降しないようにシリカを濃度2%添加することで粘度を調整した。ここで、透明樹脂は、直径4mmの円領域よりも外に出ようとしても、基板に塗布した溌液剤によってはじかれるため、良好な半球状になる（Step3）。
【０１８５】
次に、図１８に示すように、第１電極１２および第２電極１３が正極、第３電極１４が負極になるように電圧を印加することで、蛍光体を電気泳動させ、第３電極１４に集めることで、ＬＥＤチップ１５の周りに均一な厚みで波長変換層１７を形成した（Step4）。ここで、印加電圧は１０００Ｖ、印加時間は５分とした。また、電圧の印加点はＬＥＤパッケージアレイ上端部と下端部に形成した各電極の結線部の２点である。本実施例では、ＬＥＤチップ１５の外周にそって厚み0.5mmの波長変換層１７が形成できた。
【０１８６】
次に、図２０に示すように、ＬＥＤパッケージアレイをオーブンに投入し、透明樹脂層６３を加熱硬化した。ここで、オーブンは温度１５０度、加熱時間５時間とした。
前記のように、製造したＬＥＤパッケージアレイ５０を基板上の溝ＣＬにそって分断することで個片化し、ＬＥＤパッケージ１０とした。
【０１８７】
これらのＬＥＤパッケージ１０の色度ばらつきを測定した結果、ＣＩＥ表色系の色度Ｘで±２/１０００、色度Ｙで±５／１０００と良好な結果が得られた。
【比較例】
【０１８８】
以下では、本発明の比較例を詳細に説明する。
実施例２との相違点として、Step3では、シリカを添加せずに、蛍光体と透明樹脂のみを攪拌混合した蛍光体樹脂６２をＬＥＤパッケージ中心に、蛍光体樹脂６２が直径4mm、高さ2mmの半球になるように塗布した。
【０１８９】
次のStep4では、第１電極１２、第２電極１３、および第３電極１４間には電圧をかけずに、蛍光体が自然沈降するまで放置することで、波長変換層１７を形成した。ここで放置時間は２時間とした。本比較例では基板表面とＬＥＤチップ１５外周にそって厚み0.2mmの波長変換層１７が形成できた。
【０１９０】
Step5では、ＬＥＤパッケージアレイをオーブンに投入し、透明樹脂層６３を加熱硬化した。ここで、オーブンは温度１５０度、加熱時間５時間とした。
【０１９１】
前記のように、製造したＬＥＤパッケージアレイ５０を基板上の溝ＣＬにそって分断することで個片化し、ＬＥＤパッケージ１０とした。
【０１９２】
これらのＬＥＤパッケージ１０の色度ばらつきを測定した結果、ＣＩＥ表色系の色度Ｘで±４/１０００、色度Ｙで±１５／１０００と実施例１に比べて色度ばらつきがおおきかった。さらに、平均の色度を比較すると、実施例１に比べて比較例１のほうが色度Ｙで２０／１０００程度低くなっており、青みがかっていた。これは、比較例では、基板表面にも波長変換層が形成されている分、ＬＥＤチップまわりに形成された波長変換層が、実施例よりも薄いことに起因しており、比較例で実施例２と同様の色度にしようとすると、蛍光体樹脂中の蛍光体濃度を上げる必要がある。しかし、蛍光体濃度を上げると蛍光体樹脂の粘度があがり、Step4での自然沈降の時間が長くなってしまい、生産性がわるい。当然、蛍光体濃度をあげるには蛍光体の使用量を増やさなければならず、ＬＥＤパッケージのコストアップの要因になってしまう。
【０１９３】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【０１９４】
１１ 基板、１２ 第１電極、１２ａ，１３ａ 円弧部、１２ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１４ｅ，１４ｆ 引出部、１２ｃ，１３ｃ，１４ａ 実装部、１２ｄ，１３ｄ，１４ｃ，５１，５２，７２ 接続部、１２ｅ，１３ｅ 背面部、１３ 第２電極、１４ 第３電極、１４ｄ 環状部、１５ ＬＥＤチップ、１６ａ，１６ｂ 金ワイヤ、１７ 波長変換層、１８ 封止層、２０，２１ 主表面、２２〜２５ 辺部、２６ 本体、２６ａ 発光層、２７ 反射部、２８ アノード、２９ カソード、３０ ダイボンド剤、３１ 撥液膜、35um 厚さ、４０，４１，４２，４４，４５，４６，４７，７４〜７７ 接続配線、４３，４８，７３ 基部、５０ パッケージアレイ、６０ マザー基板、６１ａ〜６１ｆ 形成領域、６２ 蛍光体樹脂、６３ 透明樹脂層、７０，７１ 貫通孔、８０ 配線シート、８１ 銅配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含む基板と、
アノードおよびカソードを含み、前記第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と
前記発光素子を覆うように形成され、前記第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層と、
前記波長変換層を覆うように形成された封止層と、
前記アノードに接続され、前記第１主表面に設けられた第１電極と、
前記カソードに接続され、前記第１主表面に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極とは電気的に接続されていない第３電極と、
を備え、
前記第１電極の少なくとも一部と前記第２電極の少なくとも一部と前記第３電極の少なくとも一部と前記発光素子とが前記封止層に覆われた、発光パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極との少なくとも１つの電極上に実装された、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項３】
前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極とのうち、前記発光素子が実装されていない電極は、前記発光素子の周囲を取り囲むように配置された、請求項２に記載の発光パッケージ。
【請求項４】
前記発光素子は、前記第３電極に実装され、
前記第１電極および前記第２電極で前記発光素子の周囲を取り囲むように設けられた、請求項３に記載の発光パッケージ。
【請求項５】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部と、前記実装部に接続され、前記第１主表面から第２主表面に達する接続部とを含む、請求項４に記載の発光パッケージ。
【請求項６】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極とに跨るように実装され、
前記第３電極は、前記発光素子の周囲を環状に取り囲むように設けられた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項７】
前記発光素子は、実装面に設けられた反射部を含む、請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項８】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極との少なくとも１つの電極上に実装され、
前記発光素子が実装された電極は、高反射率金属で形成され、
前記高反射率金属の前記第１波長域の光の反射率は、金の前記第１波長域の光を反射する反射率よりも高い、請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項９】
前記発光素子は、ＬＥＤチップである、請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項１０】
前記波長変換層は、前記発光素子を中心として半球状に形成されており、前記封止層は、前記発光素子を中心として半球状に形成された、請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項１１】
厚さ方向に配列する複数の第１主表面および第２主表面とを含む基板と、
アノードおよびカソードを含み、前記第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、
前記アノードが接続された第１電極と、
前記カソードが接続された第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続されず、前記発光素子が実装された第３電極と、
前記第１電極、第２電極および第３電極に電気的に接続されていない第４電極と、
前記発光素子を覆うように形成され、前記第１波長域の光を吸収して第２波長域の光を発光する波長変換層と、
前記第３電極の少なくとも一部と前記第４電極の少なくとも一部とを覆うように形成された封止層と、
を備えた、発光パッケージ。
【請求項１２】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部を含む、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光パッケージが複数連結された発光パッケージアレイであって、
各発光パッケージに設けられた第１電極は、互い接続され、
各発光パッケージに設けられた第２電極は、互い接続され、
各発光パッケージに設けられた第３電極は、互い接続された、発光パッケージアレイ。
【請求項１４】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部を含み、
前記第１電極同士を接続すると共に、前記第２電極同士を接続する複数の第１接続配線と、
前記実装部同士を接続する複数の第２接続配線と、
をさらに備え、
前記第１接続配線と前記第２接続配線とは交互に配置された、請求項１３に記載の発光パッケージアレイ。
【請求項１５】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、前記第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極とが設けられ基板を準備する工程と、
前記第１主表面に発光素子を実装する工程と、
前記第１電極の少なくとも一部と、前記第２電極の少なくとも一部と、前記第３電極の少なくとも一部と、前記発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を塗布する工程と、
前記蛍光体樹脂を形成した後に、前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方と、前記第３電極との間に電圧を印加することで形成された電界で前記蛍光体を電気遊動させる工程と、
を備えた、発光パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記発光素子は、前記第３電極に実装される、請求項１５に記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記発光素子は、前記第１電極および前記第２電極に亘って実装される、請求項１５に記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記第１主表面に撥液膜を形成する工程をさらに備え、
前記撥液膜は、前記第１電極の少なくとも一部と、前記第２電極の少なくとも一部と、前記第３電極の少なくとも一部と、前記第１主表面のうち、前記発光素子が実装される部分とを露出するように形成される、請求項１５から請求項１７のいずれかに記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記蛍光体樹脂は、前記蛍光体とシリカと透明樹脂とによって形成された、請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項２０】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、前記第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極と第４電極が設けられ基板を準備する工程と、
発光素子を前記第４電極に実装する工程と、
前記第１電極と前記発光素子を接続する工程と、
前記第２電極と前記発光素子を実装する工程と、
前記第３電極の少なくとも一部と前記第４電極の少なくとも一部と前記発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を形成する工程と、
前記蛍光体樹脂を形成した後に、前記第３電極および前記第４電極に電圧を印加することで形成された電界で、前記蛍光体を電気遊動させる工程と、
を備えた、発光パッケージの製造方法。
【請求項１】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含む基板と、
アノードおよびカソードを含み、前記第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と
前記発光素子を覆うように形成され、前記第１波長域の光によって励起して第２波長域の光を発光する波長変換層と、
前記波長変換層を覆うように形成された封止層と、
前記アノードに接続され、前記第１主表面に設けられた第１電極と、
前記カソードに接続され、前記第１主表面に設けられた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極とは電気的に接続されていない第３電極と、
を備え、
前記第１電極の少なくとも一部と前記第２電極の少なくとも一部と前記第３電極の少なくとも一部と前記発光素子とが前記封止層に覆われた、発光パッケージ。
【請求項２】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極との少なくとも１つの電極上に実装された、請求項１に記載の発光パッケージ。
【請求項３】
前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極とのうち、前記発光素子が実装されていない電極は、前記発光素子の周囲を取り囲むように配置された、請求項２に記載の発光パッケージ。
【請求項４】
前記発光素子は、前記第３電極に実装され、
前記第１電極および前記第２電極で前記発光素子の周囲を取り囲むように設けられた、請求項３に記載の発光パッケージ。
【請求項５】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部と、前記実装部に接続され、前記第１主表面から第２主表面に達する接続部とを含む、請求項４に記載の発光パッケージ。
【請求項６】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極とに跨るように実装され、
前記第３電極は、前記発光素子の周囲を環状に取り囲むように設けられた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項７】
前記発光素子は、実装面に設けられた反射部を含む、請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項８】
前記発光素子は、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極との少なくとも１つの電極上に実装され、
前記発光素子が実装された電極は、高反射率金属で形成され、
前記高反射率金属の前記第１波長域の光の反射率は、金の前記第１波長域の光を反射する反射率よりも高い、請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項９】
前記発光素子は、ＬＥＤチップである、請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項１０】
前記波長変換層は、前記発光素子を中心として半球状に形成されており、前記封止層は、前記発光素子を中心として半球状に形成された、請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光パッケージ。
【請求項１１】
厚さ方向に配列する複数の第１主表面および第２主表面とを含む基板と、
アノードおよびカソードを含み、前記第１主表面に設けられると共に、第１波長域の光を発光する発光素子と、
前記アノードが接続された第１電極と、
前記カソードが接続された第２電極と、
前記第１電極および前記第２電極に電気的に接続されず、前記発光素子が実装された第３電極と、
前記第１電極、第２電極および第３電極に電気的に接続されていない第４電極と、
前記発光素子を覆うように形成され、前記第１波長域の光を吸収して第２波長域の光を発光する波長変換層と、
前記第３電極の少なくとも一部と前記第４電極の少なくとも一部とを覆うように形成された封止層と、
を備えた、発光パッケージ。
【請求項１２】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部を含む、請求項１１に記載の発光パッケージ。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の発光パッケージが複数連結された発光パッケージアレイであって、
各発光パッケージに設けられた第１電極は、互い接続され、
各発光パッケージに設けられた第２電極は、互い接続され、
各発光パッケージに設けられた第３電極は、互い接続された、発光パッケージアレイ。
【請求項１４】
前記第３電極は、前記発光素子が実装される実装部を含み、
前記第１電極同士を接続すると共に、前記第２電極同士を接続する複数の第１接続配線と、
前記実装部同士を接続する複数の第２接続配線と、
をさらに備え、
前記第１接続配線と前記第２接続配線とは交互に配置された、請求項１３に記載の発光パッケージアレイ。
【請求項１５】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、前記第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極とが設けられ基板を準備する工程と、
前記第１主表面に発光素子を実装する工程と、
前記第１電極の少なくとも一部と、前記第２電極の少なくとも一部と、前記第３電極の少なくとも一部と、前記発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を塗布する工程と、
前記蛍光体樹脂を形成した後に、前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一方と、前記第３電極との間に電圧を印加することで形成された電界で前記蛍光体を電気遊動させる工程と、
を備えた、発光パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記発光素子は、前記第３電極に実装される、請求項１５に記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記発光素子は、前記第１電極および前記第２電極に亘って実装される、請求項１５に記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記第１主表面に撥液膜を形成する工程をさらに備え、
前記撥液膜は、前記第１電極の少なくとも一部と、前記第２電極の少なくとも一部と、前記第３電極の少なくとも一部と、前記第１主表面のうち、前記発光素子が実装される部分とを露出するように形成される、請求項１５から請求項１７のいずれかに記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項１９】
前記蛍光体樹脂は、前記蛍光体とシリカと透明樹脂とによって形成された、請求項１５から請求項１８のいずれかに記載の発光パッケージの製造方法。
【請求項２０】
厚さ方向に配列する第１主表面と第２主表面とを含み、前記第１主表面に第１電極と第２電極と第３電極と第４電極が設けられ基板を準備する工程と、
発光素子を前記第４電極に実装する工程と、
前記第１電極と前記発光素子を接続する工程と、
前記第２電極と前記発光素子を実装する工程と、
前記第３電極の少なくとも一部と前記第４電極の少なくとも一部と前記発光素子とを覆うように、透明樹脂に蛍光体を混合した蛍光体樹脂を形成する工程と、
前記蛍光体樹脂を形成した後に、前記第３電極および前記第４電極に電圧を印加することで形成された電界で、前記蛍光体を電気遊動させる工程と、
を備えた、発光パッケージの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【公開番号】特開２０１３−１１０３５３（Ｐ２０１３−１１０３５３Ａ）
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５６１２１（Ｐ２０１１−２５６１２１）
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月６日（２０１３．６．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２４日（２０１１．１１．２４）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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