表示装置
【課題】有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１上に配置された前面電極５と、前面電極５と対向して配置された光透過性半反射電極７と、前面電極５と支持基板１との間に介在した反射層３と、前面電極５と、光透過性半反射電極７との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層６と、前面電極５と反射層３との間に配置された干渉解消層４と、を有する発光素子４０を備え、前記干渉解消層４の膜厚は、発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、光透過性半反射電極７と反射層３間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【解決手段】支持基板１と、支持基板１上に配置された前面電極５と、前面電極５と対向して配置された光透過性半反射電極７と、前面電極５と支持基板１との間に介在した反射層３と、前面電極５と、光透過性半反射電極７との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層６と、前面電極５と反射層３との間に配置された干渉解消層４と、を有する発光素子４０を備え、前記干渉解消層４の膜厚は、発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、光透過性半反射電極７と反射層３間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、特に、自発光素子を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子は、光透過性の前面電極と、これと対向した光反射性または光透過性の背面電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とで構成されている。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、有機物層に電気を流すことにより発光する電荷注入型の自発光素子である。
【０００５】
そして、この発光光は、指向性のない自然放出光として有機ＥＬ素子からガラス基板を介して素子外部へ放射される。
【０００６】
このような有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を介するため、１画素当たりの有機ＥＬ素子の面積割合（開口率）が表示装置を駆動させる回路や配線によって制約されてしまう。
【０００７】
そこで、ガラス基板に形成された電極と対向する電極を光透過性を有する半反射電極とすることで、ガラス基板を介することなく、発光光を取り出すことが可能となり、開口率の制約を緩和できる（特許文献１参照）。
【０００８】
また、このような有機ＥＬ表示装置は、発光層を含む有機多層膜からなり、素子外部に放射した光の色純度および発光効率は、素子内部での多重反射・多重干渉により、変化することが知られている。
【特許文献１】特開２００２−３６７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このような有機ＥＬ表示装置では、有機層の膜厚や視野角によって素子内部の多重反射・多重干渉の効果が変化するため、表示特性も変化してしまう場合があった。
【００１０】
特に、高分子系材料を用いた塗布方式にて発光層を形成した場合、塗布量、乾燥状態によって画素内に膜厚ムラが発生し、多重反射・多重干渉による、表示特性の変化が大きくなる場合があった。
【００１１】
本発明は、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の態様による表示装置は、支持基板と、前記支持基板上に配置された前面電極と、前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の第１実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る表示装置は、図１に示すように、アレイ基板１００と、アレイ基板１００上に配置された封止基板２００とを有する有機ＥＬ表示装置である。
【００１５】
アレイ基板１００は、支持基板１としてガラス等の絶縁性基板を有している。支持基板上には、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを有している。これら複数の表示画素ＰＸは、表示部ＤＹＰを構成している。
【００１６】
さらに、複数の表示画素ＰＸは、複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。表示部ＤＹＰには、表示画素ＰＸの配列する行に沿って配置された走査線Ｙ（Ｙ１、Ｙ２、・・・）と、表示画素ＰＸの配列する列に沿って配置された信号線Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、・・・）とが配置されている。
【００１７】
表示部ＤＹＰの周囲を囲む外周部１０４には、外部駆動回路からの信号に基づいて各表示画素を駆動する走査線駆動回路１０７、および信号線駆動回路１０８を有している。走査線駆動回路１０７は、走査線Ｙに接続し、表示画素ＰＸを行毎に順次駆動する。信号線駆動回路１０８は、走査線Ｙによって駆動された表示画素ＰＸに画像信号を送信する。
【００１８】
さらに、表示部ＤＹＰには、走査線Ｙと略平行に延びる電源ラインＰが配置されている。表示画素ＰＸは、走査線Ｙにそのゲート電極において接続された第1スイッチ１０と、ゲート電極が第1スイッチ１０のドレイン電極に接続されている第２スイッチ２０と、を有している。
【００１９】
第２スイッチ２０のソース電極は、電源ラインＰに接続され、第２スイッチ２０のドレイン電極は、発光素子４０に接続されている。第２スイッチ２０のゲート電極およびソース電極間はキャパシタ３０によって結合されている。
【００２０】
発光素子４０は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２１】
各発光素子４０は、図２に示すように、支持基板１上に配置され、第１電極（前面電極）５と、第１電極５と対向して配置された第２電極（光透過性半反射電極）７と、これら第１電極５および第２電極７間に配置された有機発光層（有機物層）６とを備えている。有機発光層６は、例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer)、発光層（ＥＭＬ：Emissive Layer）、ＣｓＦ層等を有している。
【００２２】
発光素子４０は、第１電極５の下層に、発光素子４０で発光した光を支持基板１に対して反対側、すなわち、カバーガラス２００側に反射させる反射層３を有している。したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置は上面発光型のＥＬ表示装置である。
【００２３】
本実施形態では、発光素子４０の反射層３と第１電極５との間に、干渉解消層として凹凸層４が配置されている。凹凸層４は、例えば、感光性のアクリル系樹脂によって形成され、その膜厚が不均一となっている。本実施形態では、凹凸層４の隣接する凹部または凸部のピッチＰは３０μｍ以下で、且つ、凹部と凸部との段差ｄは０．５μｍ以上となっている。
【００２４】
凹凸層４の膜厚分布（ＡＦＭ像）の一例を、図３Ａおよび図３Ｂに示す。図３Ａに示す場合は、凹凸層４の膜厚分布が最良の場合であり、図３Ｂに示す場合は、凹凸層４の膜厚分布が最良でない場合である。
【００２５】
すなわち、凹凸層４の膜厚分布が図３Ａに示すような場合には、図４Ａに示すように、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．０４であって０に近い。このとき、第２電極（ＭｇＡｇ）７と金属層３との間での干渉は打消される。
【００２６】
なお、本実施形態では、有機発光層６の主波長をλ、凹凸層４の屈折率をｎ、各表示画素ＰＸ内における凹凸層４の平均膜厚をｄとしている。また、凹凸層４の膜厚は、有機発光層６の発光主波長λよりも厚くなっている。
【００２７】
これに対し、凹凸層４の膜厚分布が図３Ｂに示すような場合には、図４Ｂに示すように、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が０．５４となり、図４Ａに示す場合よりも大きくなる。この場合には、第２電極（ＭｇＡｇ）７と金属層３との間での光の干渉が発生する。
【００２８】
すなわち、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が０に近いほど、第２電極７と金属層３との間での光の干渉は打ち消される。このとき、より効果的に干渉を打ち消す為には、−０．１ ＜ 平均値｛Ｃｏｓ（２π＊ｎ＊ｄ／λ）｝ ＜ ０．１ を満足することが望ましい。
【００２９】
すなわち、視野角θに対する色変化Δu'v'は次式で与えられる。
【００３０】
Δu'v'=√{{u'(θ)-u'(0)}^2+{v'(θ)-v'()0}^2}
この色変化Δu'v'が一般的な表示装置では、θ＝±６０°の範囲において０．０２以下であることが望ましく、位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．１より大きく、且つ、０．１より小さい場合には、色変化Δu'v'がθ＝±６０°の範囲において０．０２以下となる。
【００３１】
従って、本実施形態に係る表示装置のように、位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．１より大きく、且つ、０．１より小さい場合には、視野角の変化によらず、表示品位の良好な表示を得ることができる。
【００３２】
表示画素ＰＸの上面である第２電極（ＭｇＡｇ層）７側から、発光素子４０に白色光を入射させた際、反射光強度スペクトルは干渉によるフリンジ特性を有する。本実施形態の凹凸層４（干渉解消層）を導入した場合、図５に示すように、波長が約４００〜７００ｎｍの平均反射光強度で規格化した反射光強度スペクトルの、隣接する極大値と極小値は平均反射光強度の±２０％以内である。
【００３３】
上記のように、本実施形態に係る表示装置によれば、第２電極７と反射層３との間での光の干渉を解消することにより、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【００３４】
次に、本発明の第２実施形態に係る表示装置について図面を参照して以下に説明する。なお、以下の説明において、前述の第１実施形態に係る表示装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態に係る表示装置は、第１実施形態に係る表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置である。
【００３５】
本実施形態に係る表示装置は、図６に示すような表示素子４０を有している。各発光素子４０は、図６に示すように、支持基板１上に配置された第１電極５と、第１電極５と対向して配置された第２電極７と、これら第１電極５および第２電極７間に配置された有機発光層６とを備えている。
【００３６】
発光素子４０の第１電極５の下層には、発光素子４０で発光した光を支持基板１に対して反対側、すなわち、封止基板２００側に反射させる反射層３が配置されている。したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置は、第１実施形態に係る表示装置と同様に、上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。
【００３７】
本実施形態では、発光素子４０の反射層３の下層に干渉解消層として凹凸層４が配置されている。凹凸層４は、例えば、感光性のアクリル系樹脂によって形成されている。第１実施形態の場合と同様に、凹凸層４の隣接する凹部または凸部のピッチＰは３０μｍ以下で、且つ、凹部と凸部との段差ｄは０．５μｍ以上となっている。
【００３８】
反射層３の表面には、凹凸層４の表面の凹凸構造によって、その表面に凹凸構造が生じている。反射層３上には、平坦化層８が配置されている。反射層３上に平坦化層８が配置されることにより、反射層３上に生じていた凹凸構造が平坦化される。発光素子４０は、平坦化層８上に配置されるため、発光素子４０の第１電極５、第２電極７、有機発光層６は平坦化された面上に配置されている。
【００３９】
本実施形態では、第１実施形態に係る表示装置の場合と同様に、表示部ＤＹＰ内における凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の平均値が０に近いほど、第２電極７と金属層３との間での光の干渉は打ち消される。このとき、より効果的に干渉の打ち消す為には、−０．１ ＜ 平均値｛Ｃｏｓ（２π＊ｎ＊ｄ／λ）｝ ＜ ０．１ を満足することが望ましい。
【００４０】
上記のように、本実施形態に係る表示装置によれば、第１実施形態にかかるＥＬ表示装置と同様に、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【００４１】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００４２】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＬ表示装置の一例を概略的に示す図。
【図２】図１に示すＥＬ表示装置の発光素子の断面の一例を概略的に示す図。
【図３Ａ】図１に示すＥＬ表示装置における、凹凸層の膜厚分布（ＡＦＭ像）の一例。
【図３Ｂ】図１に示すＥＬ表示装置における、凹凸層の膜厚分布（ＡＦＭ像）の他の例。
【図４Ａ】凹凸層の膜圧分布が図３Ａに示す場合における、凹凸層の表面形状を表す位相項のヒストグラムの一例を示す図。
【図４Ｂ】凹凸層の膜圧分布が図３Ｂに示す場合における、凹凸層の表面形状を表す位相項のヒストグラムの他の例を示す図。
【図５】図３Ａに示す場合と図３Ｂに示す場合との反射光強度スペクトルの一例を示す図。
【図６】図１に示すＥＬ表示装置の発光素子の断面の他の例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００４４】
１…支持基板、５…第１電極（前面電極）、７…第２電極（光透過性半反射電極）、３…反射層、６…有機発光層（有機物層）、４…凹凸層（干渉解消層）、４０…発光素子
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、特に、自発光素子を有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置は自己発光表示装置であるため、視野角が広く、応答速度が速い。また、バックライトが不要であるため、薄型軽量化が可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子は、光透過性の前面電極と、これと対向した光反射性または光透過性の背面電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とで構成されている。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、有機物層に電気を流すことにより発光する電荷注入型の自発光素子である。
【０００５】
そして、この発光光は、指向性のない自然放出光として有機ＥＬ素子からガラス基板を介して素子外部へ放射される。
【０００６】
このような有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を介するため、１画素当たりの有機ＥＬ素子の面積割合（開口率）が表示装置を駆動させる回路や配線によって制約されてしまう。
【０００７】
そこで、ガラス基板に形成された電極と対向する電極を光透過性を有する半反射電極とすることで、ガラス基板を介することなく、発光光を取り出すことが可能となり、開口率の制約を緩和できる（特許文献１参照）。
【０００８】
また、このような有機ＥＬ表示装置は、発光層を含む有機多層膜からなり、素子外部に放射した光の色純度および発光効率は、素子内部での多重反射・多重干渉により、変化することが知られている。
【特許文献１】特開２００２−３６７７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このような有機ＥＬ表示装置では、有機層の膜厚や視野角によって素子内部の多重反射・多重干渉の効果が変化するため、表示特性も変化してしまう場合があった。
【００１０】
特に、高分子系材料を用いた塗布方式にて発光層を形成した場合、塗布量、乾燥状態によって画素内に膜厚ムラが発生し、多重反射・多重干渉による、表示特性の変化が大きくなる場合があった。
【００１１】
本発明は、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の態様による表示装置は、支持基板と、前記支持基板上に配置された前面電極と、前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の第１実施形態に係る表示装置について図面を参照して説明する。本実施形態に係る表示装置は、図１に示すように、アレイ基板１００と、アレイ基板１００上に配置された封止基板２００とを有する有機ＥＬ表示装置である。
【００１５】
アレイ基板１００は、支持基板１としてガラス等の絶縁性基板を有している。支持基板上には、マトリクス状に配置された複数の表示画素ＰＸを有している。これら複数の表示画素ＰＸは、表示部ＤＹＰを構成している。
【００１６】
さらに、複数の表示画素ＰＸは、複数種類の色画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。表示部ＤＹＰには、表示画素ＰＸの配列する行に沿って配置された走査線Ｙ（Ｙ１、Ｙ２、・・・）と、表示画素ＰＸの配列する列に沿って配置された信号線Ｘ（Ｘ１、Ｘ２、・・・）とが配置されている。
【００１７】
表示部ＤＹＰの周囲を囲む外周部１０４には、外部駆動回路からの信号に基づいて各表示画素を駆動する走査線駆動回路１０７、および信号線駆動回路１０８を有している。走査線駆動回路１０７は、走査線Ｙに接続し、表示画素ＰＸを行毎に順次駆動する。信号線駆動回路１０８は、走査線Ｙによって駆動された表示画素ＰＸに画像信号を送信する。
【００１８】
さらに、表示部ＤＹＰには、走査線Ｙと略平行に延びる電源ラインＰが配置されている。表示画素ＰＸは、走査線Ｙにそのゲート電極において接続された第1スイッチ１０と、ゲート電極が第1スイッチ１０のドレイン電極に接続されている第２スイッチ２０と、を有している。
【００１９】
第２スイッチ２０のソース電極は、電源ラインＰに接続され、第２スイッチ２０のドレイン電極は、発光素子４０に接続されている。第２スイッチ２０のゲート電極およびソース電極間はキャパシタ３０によって結合されている。
【００２０】
発光素子４０は、自発光素子である有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００２１】
各発光素子４０は、図２に示すように、支持基板１上に配置され、第１電極（前面電極）５と、第１電極５と対向して配置された第２電極（光透過性半反射電極）７と、これら第１電極５および第２電極７間に配置された有機発光層（有機物層）６とを備えている。有機発光層６は、例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transfer Layer)、発光層（ＥＭＬ：Emissive Layer）、ＣｓＦ層等を有している。
【００２２】
発光素子４０は、第１電極５の下層に、発光素子４０で発光した光を支持基板１に対して反対側、すなわち、カバーガラス２００側に反射させる反射層３を有している。したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置は上面発光型のＥＬ表示装置である。
【００２３】
本実施形態では、発光素子４０の反射層３と第１電極５との間に、干渉解消層として凹凸層４が配置されている。凹凸層４は、例えば、感光性のアクリル系樹脂によって形成され、その膜厚が不均一となっている。本実施形態では、凹凸層４の隣接する凹部または凸部のピッチＰは３０μｍ以下で、且つ、凹部と凸部との段差ｄは０．５μｍ以上となっている。
【００２４】
凹凸層４の膜厚分布（ＡＦＭ像）の一例を、図３Ａおよび図３Ｂに示す。図３Ａに示す場合は、凹凸層４の膜厚分布が最良の場合であり、図３Ｂに示す場合は、凹凸層４の膜厚分布が最良でない場合である。
【００２５】
すなわち、凹凸層４の膜厚分布が図３Ａに示すような場合には、図４Ａに示すように、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．０４であって０に近い。このとき、第２電極（ＭｇＡｇ）７と金属層３との間での干渉は打消される。
【００２６】
なお、本実施形態では、有機発光層６の主波長をλ、凹凸層４の屈折率をｎ、各表示画素ＰＸ内における凹凸層４の平均膜厚をｄとしている。また、凹凸層４の膜厚は、有機発光層６の発光主波長λよりも厚くなっている。
【００２７】
これに対し、凹凸層４の膜厚分布が図３Ｂに示すような場合には、図４Ｂに示すように、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が０．５４となり、図４Ａに示す場合よりも大きくなる。この場合には、第２電極（ＭｇＡｇ）７と金属層３との間での光の干渉が発生する。
【００２８】
すなわち、凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が０に近いほど、第２電極７と金属層３との間での光の干渉は打ち消される。このとき、より効果的に干渉を打ち消す為には、−０．１ ＜ 平均値｛Ｃｏｓ（２π＊ｎ＊ｄ／λ）｝ ＜ ０．１ を満足することが望ましい。
【００２９】
すなわち、視野角θに対する色変化Δu'v'は次式で与えられる。
【００３０】
Δu'v'=√{{u'(θ)-u'(0)}^2+{v'(θ)-v'()0}^2}
この色変化Δu'v'が一般的な表示装置では、θ＝±６０°の範囲において０．０２以下であることが望ましく、位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．１より大きく、且つ、０．１より小さい場合には、色変化Δu'v'がθ＝±６０°の範囲において０．０２以下となる。
【００３１】
従って、本実施形態に係る表示装置のように、位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の表示部ＤＹＰ内における平均値が−０．１より大きく、且つ、０．１より小さい場合には、視野角の変化によらず、表示品位の良好な表示を得ることができる。
【００３２】
表示画素ＰＸの上面である第２電極（ＭｇＡｇ層）７側から、発光素子４０に白色光を入射させた際、反射光強度スペクトルは干渉によるフリンジ特性を有する。本実施形態の凹凸層４（干渉解消層）を導入した場合、図５に示すように、波長が約４００〜７００ｎｍの平均反射光強度で規格化した反射光強度スペクトルの、隣接する極大値と極小値は平均反射光強度の±２０％以内である。
【００３３】
上記のように、本実施形態に係る表示装置によれば、第２電極７と反射層３との間での光の干渉を解消することにより、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【００３４】
次に、本発明の第２実施形態に係る表示装置について図面を参照して以下に説明する。なお、以下の説明において、前述の第１実施形態に係る表示装置と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。本実施形態に係る表示装置は、第１実施形態に係る表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置である。
【００３５】
本実施形態に係る表示装置は、図６に示すような表示素子４０を有している。各発光素子４０は、図６に示すように、支持基板１上に配置された第１電極５と、第１電極５と対向して配置された第２電極７と、これら第１電極５および第２電極７間に配置された有機発光層６とを備えている。
【００３６】
発光素子４０の第１電極５の下層には、発光素子４０で発光した光を支持基板１に対して反対側、すなわち、封止基板２００側に反射させる反射層３が配置されている。したがって、本実施形態に係るＥＬ表示装置は、第１実施形態に係る表示装置と同様に、上面発光型の有機ＥＬ表示装置である。
【００３７】
本実施形態では、発光素子４０の反射層３の下層に干渉解消層として凹凸層４が配置されている。凹凸層４は、例えば、感光性のアクリル系樹脂によって形成されている。第１実施形態の場合と同様に、凹凸層４の隣接する凹部または凸部のピッチＰは３０μｍ以下で、且つ、凹部と凸部との段差ｄは０．５μｍ以上となっている。
【００３８】
反射層３の表面には、凹凸層４の表面の凹凸構造によって、その表面に凹凸構造が生じている。反射層３上には、平坦化層８が配置されている。反射層３上に平坦化層８が配置されることにより、反射層３上に生じていた凹凸構造が平坦化される。発光素子４０は、平坦化層８上に配置されるため、発光素子４０の第１電極５、第２電極７、有機発光層６は平坦化された面上に配置されている。
【００３９】
本実施形態では、第１実施形態に係る表示装置の場合と同様に、表示部ＤＹＰ内における凹凸層４の表面の凹凸形状を表す位相項（ｃｏｓ（２πｎｄ／λ））の平均値が０に近いほど、第２電極７と金属層３との間での光の干渉は打ち消される。このとき、より効果的に干渉の打ち消す為には、−０．１ ＜ 平均値｛Ｃｏｓ（２π＊ｎ＊ｄ／λ）｝ ＜ ０．１ を満足することが望ましい。
【００４０】
上記のように、本実施形態に係る表示装置によれば、第１実施形態にかかるＥＬ表示装置と同様に、有機層の膜厚変化や視野角変化によらず、表示品位の良好な表示装置を提供することができる。
【００４１】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。
【００４２】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態に係るＥＬ表示装置の一例を概略的に示す図。
【図２】図１に示すＥＬ表示装置の発光素子の断面の一例を概略的に示す図。
【図３Ａ】図１に示すＥＬ表示装置における、凹凸層の膜厚分布（ＡＦＭ像）の一例。
【図３Ｂ】図１に示すＥＬ表示装置における、凹凸層の膜厚分布（ＡＦＭ像）の他の例。
【図４Ａ】凹凸層の膜圧分布が図３Ａに示す場合における、凹凸層の表面形状を表す位相項のヒストグラムの一例を示す図。
【図４Ｂ】凹凸層の膜圧分布が図３Ｂに示す場合における、凹凸層の表面形状を表す位相項のヒストグラムの他の例を示す図。
【図５】図３Ａに示す場合と図３Ｂに示す場合との反射光強度スペクトルの一例を示す図。
【図６】図１に示すＥＬ表示装置の発光素子の断面の他の例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００４４】
１…支持基板、５…第１電極（前面電極）、７…第２電極（光透過性半反射電極）、３…反射層、６…有機発光層（有機物層）、４…凹凸層（干渉解消層）、４０…発光素子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、
前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機発光層と、
前記支持基板と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【請求項３】
表示画素として区切られた前記発光素子からなる表示部を備え、
前記発光層の発光主波長と、前記干渉解消層の屈折率と、前記表示画素内における前記干渉解消層の平均膜厚と、からなる前記干渉解消層の表面形状の位相項｛Cos(2π*n*d/λ)｝の、表示部内の平均値が−０．１より大きく０．１よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記干渉解消層は、その表面に凹凸構造を有する請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記干渉解消層は、隣接する凹部または凸部のピッチが３０μｍ以下で且つ凹部と凸部との段差が０．５μｍ以上である請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記光透過性半反射電極から入射した白色光の反射光強度スペクトルにおいて、波長４００〜７００ｎｍの平均反射光強度で規格化した前記反射光強度スペクトルの隣接する極大値と極小値とが平均反射光強度の±２０％以内である請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項７】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、
前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層は、前記支持基板と前記前面電極との間に配置され、その表面に凹凸構造を有している。
【請求項８】
表示画素として区切られた前記発光素子からなる表示部を備え、
前記発光層の発光主波長と、前記干渉解消層の屈折率と、前記表示画素内における前記干渉解消層の平均膜厚と、からなる前記干渉解消層の表面形状の位相項｛Cos(2π*n*d/λ)｝の、表示部内の平均値が−０．１より大きく０．１よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項９】
前記干渉解消層は、前記反射層の下層に配置されている請求項７記載の表示装置。
【請求項１０】
前記干渉解消層は、前記反射層の上層に配置され、前記干渉解消層と前記前面電極との間に平坦化層が配置されている請求項７記載の表示装置。
【請求項１１】
前記干渉解消層は、隣接する凹部または凸部のピッチが３０μｍ以下で且つ凹部と凸部との段差が０．５μｍ以上である請求項７記載の表示装置。
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、
前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機発光層と、
前記支持基板と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層の膜厚は、前記発光層の発光主波長よりも厚く、且つ不均一であるとともに、前記光透過性半反射電極と前記反射層間で発生しうる光干渉を解消する表示装置。
【請求項３】
表示画素として区切られた前記発光素子からなる表示部を備え、
前記発光層の発光主波長と、前記干渉解消層の屈折率と、前記表示画素内における前記干渉解消層の平均膜厚と、からなる前記干渉解消層の表面形状の位相項｛Cos(2π*n*d/λ)｝の、表示部内の平均値が−０．１より大きく０．１よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記干渉解消層は、その表面に凹凸構造を有する請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記干渉解消層は、隣接する凹部または凸部のピッチが３０μｍ以下で且つ凹部と凸部との段差が０．５μｍ以上である請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記光透過性半反射電極から入射した白色光の反射光強度スペクトルにおいて、波長４００〜７００ｎｍの平均反射光強度で規格化した前記反射光強度スペクトルの隣接する極大値と極小値とが平均反射光強度の±２０％以内である請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項７】
支持基板と、
前記支持基板上に配置された前面電極と、
前記前面電極と対向して配置された光透過性半反射電極と、
前記前面電極と前記支持基板との間に介在した反射層と、
前記前面電極と、前記光透過性半反射電極との間に介在するとともに、発光層を含んだ有機物層と、
前記前面電極と前記反射層との間に配置された干渉解消層と、を有する発光素子を備え、
前記干渉解消層は、前記支持基板と前記前面電極との間に配置され、その表面に凹凸構造を有している。
【請求項８】
表示画素として区切られた前記発光素子からなる表示部を備え、
前記発光層の発光主波長と、前記干渉解消層の屈折率と、前記表示画素内における前記干渉解消層の平均膜厚と、からなる前記干渉解消層の表面形状の位相項｛Cos(2π*n*d/λ)｝の、表示部内の平均値が−０．１より大きく０．１よりも小さい請求項１または請求項２記載の表示装置。
【請求項９】
前記干渉解消層は、前記反射層の下層に配置されている請求項７記載の表示装置。
【請求項１０】
前記干渉解消層は、前記反射層の上層に配置され、前記干渉解消層と前記前面電極との間に平坦化層が配置されている請求項７記載の表示装置。
【請求項１１】
前記干渉解消層は、隣接する凹部または凸部のピッチが３０μｍ以下で且つ凹部と凸部との段差が０．５μｍ以上である請求項７記載の表示装置。
【図１】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−１４０７１４（Ｐ２００８−１４０７１４Ａ）
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−３２７６４４（Ｐ２００６−３２７６４４）
【出願日】平成１８年１２月４日（２００６．１２．４）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月１９日（２００８．６．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月４日（２００６．１２．４）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１５年独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構「高効率有機デバイスの開発事業」委託研究、産業活力再生特別措置法第３０条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０２０２０７）東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 (2,170)
【Ｆターム（参考）】
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