記憶媒体、情報記憶装置、および記憶媒体製造方法
【課題】潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量を抑制する。
【解決手段】以下の本体部２１０とボンド層２２２とフリー層２２１とを備えた磁気ディスク２００を製造する。本体部２１０は、円板形状を有し情報を記憶するものである。ボンド層２２２は、潤滑剤で形成され、本体部２１０の表裏両面に結合したものである。フリー層２２１は、ボンド層２２２を覆う、このボンド層２２２を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたものである。そして、このボンド層２２２におけるボンド率の分布が、最外周から中央に向かう途中において極大となっている。
【解決手段】以下の本体部２１０とボンド層２２２とフリー層２２１とを備えた磁気ディスク２００を製造する。本体部２１０は、円板形状を有し情報を記憶するものである。ボンド層２２２は、潤滑剤で形成され、本体部２１０の表裏両面に結合したものである。フリー層２２１は、ボンド層２２２を覆う、このボンド層２２２を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたものである。そして、このボンド層２２２におけるボンド率の分布が、最外周から中央に向かう途中において極大となっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、情報を記憶する記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。このＨＤＤには、情報を記憶するディスク状（円板形状）の磁気記憶媒体である磁気ディスクが内蔵されている。
【０００３】
また、磁気ディスクには、情報が磁気的に記録される磁性膜等を有した本体部の表裏面に、ヘッドとの潤滑性を向上させる潤滑剤からなる潤滑膜が形成されているタイプがある（例えば、特許文献１〜５参照。）。
【０００４】
ここで、ＨＤＤに搭載された磁気ディスクは、ＨＤＤの動作中、ＨＤＤ内で高速に回転する。そして、このような回転に伴って生じる遠心力や空気流により、潤滑剤が磁気ディスクの外周に向かって流れる潤滑剤マイグレーションという現象がしばしば生じている（例えば、特許文献６および７参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−２６９８２２号公報
【特許文献２】特開平４−０５３０２７号公報
【特許文献３】特開平５−２８２６６３号公報
【特許文献４】特開平１０−１９９０５６号公報
【特許文献５】特開２００１−３３１９０２号公報
【特許文献６】特開昭６２−２２６４２３号公報
【特許文献７】特開２００６−１４７０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が多いと、磁気ディスクの外周側で潤滑膜の膜厚が著しく増大するので、ヘッドの浮上面に潤滑剤が付着し易くなる。その結果、ヘッドの浮上が不安定となり、ヘッドが磁気ディスクと接触するＨＤＩ（Ｈｅａｄ Ｄｉｓｋ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）障害や、ヘッドによる情報記録や情報再生が阻害されるＲＷ（Ｒｅａｄ Ｗｒｉｔｅ）障害等が起きやすくなってしまう。近年では、ＨＤＤにおける高記録密度の実現のために、ヘッドの低浮上化が進んでおり、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が一層問題となってきている。
【０００７】
尚、ここまで、ＨＤＤと磁気ディスクを例に挙げて、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が多いという課題について説明した。しかしながら、このような課題は、ＨＤＤや磁気ディスクに限るものではなく、表面に潤滑剤が塗布され回転駆動される記憶媒体に共通して当てはまる課題である。例えば、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ）を用いたヘッドによって情報記録や情報再生が行われる光磁気ディスクも、表面に潤滑剤が塗布されると考えられる。このため、このような光磁気ディスクにも、上記のような課題が当てはまると考えられる。
【０００８】
本件は上記事情に鑑み、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制された記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する記憶媒体の基本形態は、以下の本体部と、ボンド層と、フリー層とを備えている。
【００１０】
本体部は、円板形状を有し情報を記憶するものである。
【００１１】
ボンド層は、潤滑剤で形成され、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したものである。
【００１２】
フリー層は、上記ボンド層を覆う、そのボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたものである。
【００１３】
そして、この基本形態では、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対するそのボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている。
【００１４】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、上記記憶媒体、および、その記憶媒体に対して情報記録及び／又は情報再生を実行するヘッドを備えている。
【００１５】
また、上記目的を達成する記憶媒体製造方法の基本形態は、以下の本体部準備過程と層生成過程とを有している。
【００１６】
本体部準備過程は、上記本体部を準備する過程である。
【００１７】
層生成過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、その潤滑剤の塗布膜中に、上記ボンド層と上記フリー層とを、次のように生成させる過程である。この層生成過程は、上記ボンド層と上記フリー層とを、上記ボンド率が、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大が生じるように生成させる過程となっている。
【発明の効果】
【００１８】
本件によれば、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制された記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【図２】互いに間隔を空けて複数枚重ねられた磁気ディスクを示す模式的な断面図である。
【図３】ボンド率の分布を示す図である。
【図４】カバーあるいはハウジングと対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスクと対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている様子を模式的に示す図である。
【図５】図１や図２に示す磁気ディスクを製造するための磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【図６】ボンド率が均一なボンド層を生成する比較例を示す図である。
【図７】図６の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【図８】図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）の詳細を示す図である。
【図９】図８のＵＶフィルターにおける紫外線透過率の分布を示すグラフである。
【図１０】図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を示す図である。
【図１１】不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りで減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との関係を示すグラフである。
【図１２】拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％の決定について説明する図である。
【図１３】ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する比較例を示す図である。
【図１４】図１３の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【図１５】第２実施形態のボンド率調整過程の詳細を示す図である。
【図１６】図１５のヒータにおける加熱時の加熱面温度の分布を示すグラフである。
【図１７】加熱による本体部の被加熱面温度の分布と、その加熱によって生成されるボンド層におけるボンド率の分布を示すグラフである。
【図１８】第３実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【図１９】ボンド率が均一なボンド層を窒化処理によって生成する比較例を示す図である。
【図２０】図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部の表裏両面における窒化率の一様な分布と、その窒化率の分布に応じて生成されたボンド率の一様な分布とを示すグラフである。
【図２１】本実施形態のボンド率調整過程で実行される窒化処理を示す図である。
【図２２】本実施形態における窒化率の分布と、その窒化率の分布に応じたボンド率の分布とを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、上記で基本形態について説明した記憶媒体、情報記憶装置、および記憶媒体製造方法の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
まず、第１実施形態について説明する。
【００２２】
図１は、情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【００２３】
この図１に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１００は、パーソナルコンピュータ等といった上位装置に組み込まれ、その上位装置における情報記憶手段として利用されるものである。
【００２４】
このＨＤＤ１００には、円板形状を有しディスク軸１０１を中心に回転する磁気ディスク２００が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられてハウジング１０２内に納められている。この磁気ディスク２００は、上記で基本形態について説明した記憶媒体の具体的な一実施形態に相当する。
【００２５】
また、ＨＤＤ１００のハウジング１０２内には、各磁気ディスク２００の表面あるいは裏面に沿って移動する複数本のスイングアーム１１０、スイングアーム１１０の駆動に用いられるアクチュエータ１２０、および後述の制御回路１３０も納められている。
【００２６】
各スイングアーム１１０は、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行う磁気ヘッド１４０を先端に保持している。また、複数本のスイングアーム１１０は、ベアリング１１１によってハウジング１０２に回動自在に支持されている。そして、これらのスイングアーム１１０は、ベアリング１１１を中心として所定角度の範囲内で回動することによって、磁気ヘッド１４０を各磁気ディスク２００の表面あるいは裏面に沿って移動させる。この磁気ヘッド１４０が、上述した情報記憶装置の基本形態におけるヘッドの一例に相当する。
【００２７】
磁気ヘッド１４０による情報記録および情報再生やスイングアーム１１０の移動は制御回路１３０によって制御されており、上位装置との情報の遣り取りもこの制御回路１３０を介して行われる。
【００２８】
また、このＨＤＤ１００では、上記のような各要素が搭載されたハウジング１０２の上部が、カバー１０３で覆われている。
【００２９】
図２は、互いに間隔を空けて複数枚重ねられた磁気ディスクを示す模式的な断面図である。
【００３０】
この図２で最上段に示された磁気ディスク２００は、図の上方の面がカバー１０３と対向し、図の下方の面が、この磁気ディスク２００の下側に位置する磁気ディスク２００と対向している。また、この図の最下段に示す磁気ディスク２００は、図の下方の面がハウジング１０２と対向し、図の上方の面が、この磁気ディスク２０３の上側に位置する磁気ディスク２００と対向している。そして、これら最上段および最下段に示された磁気ディスク２００を除いた他の全ての磁気ディスク２００は、表裏面それぞれが他の磁気ディスク２００と対向している。
【００３１】
これらの磁気ディスク２００は、いずれも、情報を記憶する磁性膜やＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）の保護膜等が円板形状の非磁性基板上に形成された本体部２１０を有している。そして、磁気ディスク２００は、その本体部２１０の表裏両面に、潤滑剤の塗布によって潤滑膜２２０が形成された構造となっている。
【００３２】
本体部２１０は、上述の基本形態における本体部の一例に相当する。
【００３３】
潤滑膜２２０は、フリー層２２１とボンド層２２２とを備えている。ボンド層２２２は、潤滑剤で形成され、本体部２１０の表面あるいは裏面に結合したものである。また、フリー層２２１は、このボンド層２２２を覆った層である。そして、フリー層２２１は、このボンド層２２２を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されている。この２層構造の潤滑膜２２０では、上記のように潤滑剤が流動性を有したフリー層２２１が、上記の磁気ヘッド１４０に対する潤滑作用を担っている。第１実施形態では、詳細については後述するように、フリー層２２１とボンド層２２２は、本体部２１０に塗布された潤滑剤に対する紫外線照射によって生成されたものである。
【００３４】
フリー層２２１は、上述の基本形態におけるフリー層の一例に相当し、ボンド層２２２は、この基本形態におけるボンド層の一例に相当する。
【００３５】
ここで、本実施形態では、潤滑膜２２０の厚みに対するボンド層２２２の厚みの比率であるボンド率が、最外周から中央に向かう途中において極大となるように分布している。さらに、本実施形態では、カバー１０３あるいはハウジング１０２と対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスク２００と対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている。
【００３６】
また、この図２に示す磁気ディスク２００の断面図は、上記のＨＤＤ１００が未使用で、回転駆動を受ける前の磁気ディスク２００の断面を示している。本実施形態では、このような回転前の段階では、図２に模式的に示されているように潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。
【００３７】
本実施形態では、上記のような極大を有するボンド率の分布、ＨＤＤ１００内での潤滑剤塗布面の位置によるボンド率の分布における極大の差異、および、磁気ディスク回転前の潤滑膜２２０の膜厚分布それぞれによって以下のような利点が得られている。
【００３８】
まず、ボンド率の分布について説明する。
【００３９】
図３は、ボンド率の分布を示す図である。
【００４０】
この図３のパート（ａ）には、ボンド率の分布がグラフ形式で示されている。このパート（ａ）のグラフＧ１では、横軸にディスク上の位置を示した半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。ディスク上の位置を示した半径率は、この位置を通る、半径が伸びる方向（半径方向）で間隔を測るときの、本体部２１０の最内周から最外周までの間隔に対する本体部２１０の最内周からこの位置までの間隔の比率である。
【００４１】
そして、パート（ａ）のグラフＧ１には、磁気ディスク２００の最外周から最内周までの、ボンド率の変化を実線で表わす第１ラインＬ１が記載されている。また、このグラフＧ１には、本実施形態と異なり最内周から最外周まで均一なボンド率を点線で表わす第２ラインＬ２が比較例として記載されている。
【００４２】
本実施形態では、第１ラインＬ１の形状が示しているように、最外周から中央に向かう途中の、半径率が「８０％」の箇所の近傍において、ボンド率が極大となっている。
【００４３】
ここで、上述したようにＨＤＤ１００内の磁気ディスク２００は、ＨＤＤ１００の動作中、ＨＤＤ１００内でディスク軸１０１を中心に高速に回転する。そして、このような回転に伴って生じる遠心力や空気流により、潤滑剤が磁気ディスク２００の外周に向かって流れる潤滑剤マイグレーションという現象が生じる。潤滑膜２２０は上記のフリー層２２１とボンド層２２２とを有しており、潤滑剤マイグレーションでは、流動性を有するフリー層２２１が外周に向かって流れることとなる。そして、遠心力等の関係から、半径率が「８０％」の箇所の近傍で、このフリー層２２１を形成する潤滑剤が移動し易い。本実施形態では、以下に説明するように、このような潤滑剤の量が、図３のパート（ａ）に示すボンド率の分布によって抑制されている。
【００４４】
図３のパート（ｂ）には、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が、パート（ａ）に示すボンド率の分布によって抑制されることについて説明するグラフＧ２が示されている。このパート（ｂ）のグラフＧ２では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。尚、このグラフＧ２は、磁気ディスクの回転前は均一の膜厚を有している潤滑膜の、回転後の膜厚分布を表わすグラフである。そして、このグラフＧ２における第３ラインＬ３は、ボンド率がグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すように分布している場合の回転後の膜厚分布を表している。また、このグラフＧ２における第４ラインＬ４は、ボンド率がグラフＧ１の第２ラインＬ２が示すように均一な場合の回転後の膜厚分布を表している。
【００４５】
一般に、ボンド層とフリー層との２層構造を有する潤滑膜では、潤滑剤マイグレーションによってフリー層の潤滑剤が流動する。ここで、たとえフリー層の潤滑剤でも、粘性、表面張力、ボンド層との相互作用等により、どこまでも流れられるわけではなく、元の箇所からある程度ずれるとそれ以上は動けない。そのため、潤滑剤マイグレーションによるフリー層の潤滑剤の流動は、ある程度潤滑剤が流れてしまった段階で止まる。そして、その後の潤滑膜は、磁気ディスクの回転によっても動かない安定した状態となる。
【００４６】
図３のグラフＧ２に示されている膜厚分布は、グラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようにボンド率が分布している場合と均一な場合との２つの場合それぞれについての、上記の安定した状態に達した潤滑膜の膜厚分布である。
【００４７】
ボンド率が均一な場合には、上記のように潤滑剤が移動し易い、半径率が「８０％」の箇所の近傍から、フリー層の潤滑剤が外周側に大量に流れてしまう。その結果、グラフＧ２の第４ラインＬ４の形状が示すように、潤滑膜の膜厚が外周側で局所的に極端に厚くなってしまう。
【００４８】
一方、本実施形態における、グラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようなボンド率の分布では、潤滑剤が移動し易い上記の部分でのボンド率が大きくなっている。つまり、その部分でのフリー層２２１が薄くなっている。その結果、潤滑剤マイグレーションでその部分から移動する潤滑剤の量が効果的に抑制されることとなる。これにより、グラフＧ２の第３ラインＬ３の形状が示すように、外周側での局所的な膜厚増大が抑制されることとなっている。
【００４９】
また、本実施形態では、ボンド率は、このボンド率の分布でのピークでも「１００％」よりは小さくなっている。その結果、局所的にフリー層２２１が無くなって磁気ヘッド１４０に対する潤滑作用が損なわれる等といった事態が回避されている。
【００５０】
以上、説明したように、本実施形態では、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようにボンド率を分布させることで、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制されている。その結果、潤滑膜２２０の外周側での局所的な膜厚増大が抑えられるので、図１のＨＤＤ１００におけるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑制されることとなる。
【００５１】
次に、ＨＤＤ１００内での潤滑剤塗布面の位置によるボンド率の分布における極大の差異について説明する。
【００５２】
本実施形態では、図２を参照して上述したように、本実施形態では、カバー１０３あるいはハウジング１０２と対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスク２００と対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている。
【００５３】
図４は、カバーあるいはハウジングと対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスクと対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている様子を模式的に示す図である。
【００５４】
この図４に示すように、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面のボンド層２２２での極大（第１の極大）Ｐ１が、他の磁気ディスク２００との対向面のボンド層２２２での極大（第２の極大）Ｐ２よりも大きくなっている。つまり、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面の潤滑膜２２０の方が、他の磁気ディスク２００との対向面の潤滑膜２２０よりも、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量に対する抑制効果が高められている。
【００５５】
上記のように磁気ディスク２００が複数枚重ねられている状態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面と、他の磁気ディスク２００との対向面との間で、回転によって生じる風の強さ等に差が生じる。そして、このような差に起因して、カバー１０３やハウジング１０２との対向面の潤滑膜２２０の方が、他の磁気ディスク２００との対向面の潤滑膜よりも、潤滑剤マイグレーションによって潤滑剤が移動し易くなっている。
【００５６】
本実施形態では、このような潤滑剤の動き易さの差を見越して、上記の第１の極大Ｐ１が、第２の極大Ｐ２よりも大きくなっている。これにより、複数枚重ねられた磁気ディスク２００の各面の潤滑膜２２０について、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制されることとなる。
【００５７】
このことは、上述の情報記憶装置の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態では、上記ボンド層および上記フリー層が上記本体部の表裏両面に設けられているものとなっている。さらに、この応用形態では、上記記憶媒体が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられたものとなっている。そして、この応用形態では、重ねられた複数の記憶媒体のうちの両端の記憶媒体ではボンド率が次のようになっている。即ち、重なりの外側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の極大が、その重なりの内側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の極大よりも大きいものとなっている。
【００５８】
本実施形態の磁気ディスク２００は、この応用形態における記憶媒体の一例にも相当している。また、本実施形態のフリー層２２１は、この応用形態におけるフリー層の一例にも相当している。さらに、本実施形態のボンド層２２２は、この応用形態におけるボンド層の一例にも相当している。
【００５９】
次に、磁気ディスク回転前の潤滑膜２２０の膜厚分布について説明する。
【００６０】
図２を参照して説明したように、本実施形態では、磁気ディスク２００の回転前で潤滑剤マイグレーションが未発生の段階では、潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。本実施形態では、潤滑膜２２０のこのような回転前の膜厚分布によって、後述するように回転後の膜厚分布の一層の均一化が図られている。
【００６１】
ここで、上記の図３のパート（ｂ）のグラフＧ２において第３および第４ラインＬ３，Ｌ４それぞれが示す膜厚分布は、均一な膜厚の潤滑膜を有する磁気ディスクが回転したときの回転後の膜厚分布である。このグラフＧ２では、このように膜厚が均一な潤滑膜の回転後の膜厚分布を示すことで、移動する潤滑剤の量に対するボンド率の分布による低減が、回転前の膜厚分布による回転後の膜厚分布の均一化とは切り分けられて示されている。
【００６２】
本実施形態では、この図３を参照して説明したように、ボンド率を最外周から最内周に向かう途中において極大とすることで潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量は概ね抑制されている。しかし、まだ、潤滑剤マイグレーションによる潤滑剤の若干の移動は残っている。そのため、図３のグラフＧ２の第３ラインＬ３が示すように、外周側での局所的な膜厚増大が完全には無くならず若干生じてしまう。
【００６３】
本実施形態では、この若干の膜厚増大を見越して、予め、潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。磁気ディスク２００が回転すると、ボンド率の上記のような分布でも抑えきれない若干量の潤滑剤が外周側に流動する。そして、このような流動によって、潤滑膜２２０の、予め薄くなっている外周側の膜厚がその流動分だけ増大する。その結果、潤滑膜２２０の膜厚が均される。そして、磁気ディスク２００の回転時にこのように潤滑膜２２０の膜厚が均されることで、回転後の安定した状態では、潤滑膜２２０の膜厚について、非常に高い均一性が得られることとなる。これにより、本実施形態では、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生に対する効果的な抑制が図られている。
【００６４】
このことは、上述の基本形態に対し、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜厚がその途中からの膜厚よりも薄いものであるという応用形態が好適であることを意味している。
【００６５】
本実施形態の潤滑膜２２０は、この応用形態における潤滑剤の膜の一例に相当している。
【００６６】
次に、以上に説明した磁気ディスク２００を製造するための磁気ディスク製造方法について説明する。
【００６７】
図５は、図１や図２に示す磁気ディスクを製造するための磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【００６８】
この図５のフローチャートが示す磁気ディスク製造方法が、基本形態について上述した記憶媒体製造方法の具体的な一実施形態に相当する。
【００６９】
この磁気ディスク製造方法では、まず、円板形状の非磁性基板の表裏両面に、情報を記憶する磁性膜やＤＬＣの保護膜等をスパッタ法等によって形成することで図２の本体部２１０を得る成膜過程（ステップＳ１１０）が実行される。
【００７０】
この成膜過程（ステップＳ１１０）が、上述の記憶媒体製造方法の基本形態における本体部準備過程の一例に相当する。
【００７１】
次に、成膜過程（ステップＳ１１０）で得られた本体部２１０の表裏両面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）が実行される。
【００７２】
ここで、本実施形態では、この潤滑剤として、被塗布面に塗布された後で紫外線の照射を受けるとその被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、紫外線の照射量が多いほどその結合性が高まる。
【００７３】
次に、潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）で塗布された潤滑剤に対して、以下に説明する紫外線照射によってボンド率を調整することで、上記のようなボンド率の分布を有するボンド層２２２を生成するボンド率調整過程（ステップＳ１３０）が実行される。また、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、塗布された潤滑剤の本体部２１０側の一部の層がボンド層２２２となる。その結果、このボンド層２２２以外の他の潤滑剤の層がフリー層２２１となる。
【００７４】
上記の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）とボンド率調整過程（ステップＳ１３０）とを合わせた過程が、上述の記憶媒体製造方法の基本形態における層生成過程の一例に相当する。
【００７５】
以下、上記のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）について詳細に説明する。
【００７６】
ここで、まず、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）に先立って、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）と対比するための比較例について説明する。この比較例は、ボンド率が均一なボンド層を生成する例である。
【００７７】
図６は、ボンド率が均一なボンド層を生成する比較例を示す図である。
【００７８】
この図６の比較例では、ＵＶ照射強度が一様な紫外線を、所定の照射範囲に照射するＵＶ照射機５１０が使われる。そして、このＵＶ照射機５１０による紫外線の照射範囲中を、潤滑剤が塗布された本体部２１０が通過する。その結果、一様なＵＶ照射強度で紫外線が潤滑剤に照射される。
【００７９】
ここで、ＵＶ照射は、この潤滑剤の粘性を高める。その結果、この粘性が高められた潤滑剤と本体部２１０との結合性が、潤滑剤の塗布膜全体で高まる。そして、本体部２１０との結合性が高まった潤滑剤のうち本体部２１０と接触している側が本体部２１０と結合してボンド層となる。一方、本体部２１０から離れた箇所の潤滑剤は、この本体部２１０に対してまだ流動性を有していてフリー層となる。また、ＵＶ照射強度が強いほど本体部２１０と潤滑剤との結合性が高まるので、このＵＶ照射強度が強いほどボンド率が大きくなる。
【００８０】
図６の比較例では、一様なＵＶ照射強度で紫外線が潤滑剤に照射されるため、以下に示すように、ボンド率も一様なものとなる。
【００８１】
図７は、図６の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【００８２】
この図７のグラフＧ３では、横軸に上述の半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ３には、図６の比較例で得られるボンド層におけるボンド率の分布を実線で示す第５ラインＬ５が記載されている。この第５ラインＬ５の形状が示すように、一様なＵＶ照射強度での紫外線の照射によればボンド率が一様になる。
【００８３】
これに対し、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０上の潤滑剤に対して、ＵＶ照射強度が、上記の図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すボンド率の分布に対応した分布となった紫外線が照射される。
【００８４】
図８は、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）の詳細を示す図である。
【００８５】
このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０より大きい円板形状のＵＶフィルター５２０が使われる。そして、このＵＶフィルター５２０は、紫外線透過率について次のような分布を有している。
【００８６】
図９は、図８のＵＶフィルターにおける紫外線透過率の分布を示すグラフである。
【００８７】
この図９のグラフＧ６では、横軸に半径率がとられ、縦軸にＵＶフィルターの透過率がとられている。そして、このグラフＧ６には、本体部２１０に、中心が一致するように重ねられたＵＶフィルター５２０における、本体部２１０上での各位置に対向する箇所での紫外線透過率の分布を実線で表わす第６ラインＬ６が記載されている。
【００８８】
この第６ラインＬ６の形状から分かるように、このＵＶフィルター５２０における紫外線透過率の分布は、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すボンド率の分布に対応している。つまり、図３のグラフＧ１でボンド率が大きい部分で紫外線透過率が高く、ボンド率が低い部分で紫外線透過率が低くなっている。
【００８９】
図８に示すように、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、潤滑剤が塗布された本体部２１０と所定の間隔を空けて、ＵＶフィルター５２０が、本体部２１０と中心が一致するように重ねて配置される。そして、ボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０が、このように配置されたＵＶフィルター５２０とともに、ＵＶ照射機５１０による紫外線の照射範囲中を通過する。その結果、ＵＶフィルター５２０の紫外線透過率が高い部分を透過する紫外線が照射される箇所ではボンド率が大きくなる。一方、ＵＶフィルター５２０の紫外線透過率が低い部分を透過する紫外線が照射される箇所ではボンド率が低くなる。これにより、ボンド率が、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示す分布となったボンド層２２２が生成されることとなる。図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、このような処理が、潤滑剤が塗布された本体部２１０の表裏両面それぞれについて実行される。
【００９０】
また、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面でのボンド率の極大（図４の第１の極大Ｐ１）が、他の磁気ディスク２００との対向面でのボンド率の極大（図４の第２の極大Ｐ２）よりも大きい。このため、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、紫外線透過率の分布がこれらの各面でのボンド率の極大に対応した２種類のＵＶフィルター５２０が使われる。そして、この２種類のＵＶフィルター５２０が適宜に使い分けられることで、上記の各面でのボンド率の分布が実現される。
【００９１】
このように、図６の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、ＵＶフィルター５２０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【００９２】
また、以上に説明した図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）によれば、上記のようなＵＶフィルターを用意すれば、後は、潤滑剤が塗布された本体部２１０にＵＶフィルターを重ねて紫外線の照射範囲中を通過させるだけでよい。つまり、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）によれば、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を手軽に得ることができる。
【００９３】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態では、上記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、その紫外線の照射量が多いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、この応用形態では、上記層生成過程が、以下の塗布過程と紫外線照射過程とを有する過程となっている。塗布過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する過程である。紫外線照射過程は、上記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、上記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する過程である。
【００９４】
図５の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）が、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。また、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）が、この応用形態における紫外線照射過程の一例に相当する。
【００９５】
図５の磁気ディスク製造方法では、ボンド率調整過程（ステップＳ１３０）に続いて、潤滑膜２２０の膜厚を外周側で薄くする膜厚調整過程（ステップＳ１４０）が実行される。
【００９６】
図１０は、図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を示す図である。
【００９７】
この図１０のパート（ａ）には、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）が、模式的な斜視図で示されている。また、図１０のパート（ｂ）には、その膜厚調整過程（ステップＳ１４０）で得られる潤滑膜２２０の膜厚分布を示すグラフＧ５が示されている。
【００９８】
図１０のパート（ａ）に示すように、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、潤滑膜２２０のうち最外周から最内周に向かう途中までの膜部分について潤滑剤が厚み方向に部分的に除かれる。
【００９９】
図１０のパート（ｂ）のグラフＧ５では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。そして、このグラフＧ５には、上記のように外周側の膜部分について潤滑剤が厚み方向に部分的に除かれた潤滑膜２２０の膜厚分布を実線で示す第７ラインＬ７が記載されている。
【０１００】
本実施形態では、この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）における潤滑剤の厚み方向の部分的な除去により、外周側の膜部分について膜厚が磁気ディスク２００の回転前に予め薄くされている。
【０１０１】
本件の開発者は、外周側の膜部分について、潤滑剤マイグレーションによる膜厚の増大分を見越して予め膜厚を薄くしておくことで、磁気ディスク２００の回転後の安定状態で、膜厚の均一性の高い潤滑膜が得られることを確認している。本実施形態では、この確認を受けて、外周側の膜部分について予め膜厚を薄くしておくことによって、磁気ディスク２００の回転後における潤滑膜２２０の膜厚の均一化が図られている。その結果、上述したように潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が効果的に抑制されることとなる。
【０１０２】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚を、上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜厚を、その途中からの膜厚よりも薄くする膜厚調整過程をさらに有する形態となっている。
【０１０３】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）は、この応用形態における膜厚調整過程の一例に相当する。
【０１０４】
ここで、本実施形態では、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）での潤滑剤の除去が、不織布による拭き取りで行われる。このような拭き取りは、作業が簡単であり、潤滑剤を除去する方法として好適である。
【０１０５】
このことは、膜厚調整過程を有する上記の応用形態に対し、上記膜厚調整過程が、上記潤滑剤の膜のうち上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜部分について潤滑剤を拭き取って減らす過程であるという応用形態がさらに好適であることを意味している。
【０１０６】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）は、このさらに好適な応用形態における膜厚調整過程の一例にも相当している。
【０１０７】
この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、図１０のグラフＧ７の第７ラインＬ７の形状が示すように、この拭き取りにより、潤滑剤が拭き取りの印加力Ｆに応じた分だけ除かれて、外周側での潤滑膜２２０の膜厚が減少する。本実施形態では、この拭き取りによる潤滑膜２２０の膜厚の減少分が、拭き取り前の膜厚に対する、拭き取りによる減少量の比率Ａ％で表される。
【０１０８】
ここで、不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りによる減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との間には次のような関係がある。
【０１０９】
図１１は、不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りで減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との関係を示すグラフである。
【０１１０】
この図１１のグラフＧ６では、横軸に不織布による拭き取りの印加力Ｆがとられており、縦軸に拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚がとられている。そして、このグラフＧ６には、印加力Ｆと拭き取り後の膜厚との関係を実線で示す第８ラインＬ８が記載されている。このグラフＧ６に示されているように、両者間にはこの第８ラインＬ８の形状が示す線形関係が成り立っている。
【０１１１】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、この線形関係を使って、潤滑膜２２０の膜厚の減少分Ａ％から不織布による拭き取りの印加力Ｆが決定される。
【０１１２】
一方、膜厚の減少分Ａ％は、潤滑剤マイグレーションによる外周側での膜厚増加量を予め計測することで決定される。
【０１１３】
図１２は、拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％の決定について説明する図である。
【０１１４】
この図１２には、潤滑剤マイグレーションによる潤滑膜２２０の膜厚の変化を示すグラフＧ７が示されている。このグラフＧ７では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。
【０１１５】
ここで、膜厚の減少分Ａ％の決定のために実行される計測では、ボンド率が図３のグラフＧ１に示す分布となっているが、潤滑膜の膜厚は均一となっている計測用のサンプル磁気ディスクが使われる。
【０１１６】
図１２のグラフＧ７には、このサンプル磁気ディスクにおける潤滑剤マイグレーションの発生前の潤滑膜の均一な膜厚分布を実線で示すＬ９が記載されている。さらに、このグラフＧ７には、上記のサンプル磁気ディスクの回転により、フリー層の流動が止まるまで潤滑剤マイグレーションを発生させた後の膜厚分布を点線で示すＬ１０が記載されている。
【０１１７】
そして、本実施形態では、潤滑剤マイグレーション発生後の最外周の膜厚の増加分が計測される。そして、その増加分の、潤滑剤マイグレーション発生前の最外周の膜厚に対する比率が、拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％として使われる。
【０１１８】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、このような計測によって予め決定された減少分Ａ％から、図１１の線形関係を用いて拭き取りの印加力Ｆが決定される。そして、その印加力Ｆでの拭き取りにより、上記の潤滑剤マイグレーションでの増加分に相当する分だけ外周側の膜部分の厚みが減らされる。
【０１１９】
図５のフローチャートが示す磁気ディスク製造方法では、この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を経て、図２に示す磁気ディスク２００が完成する。そして、この磁気ディスク製造方法で製造された磁気ディスク２００によれば、ボンド率の上述した分布によって潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制される。そして、その抑制を超えた若干量の潤滑剤の移動による外周側での膜厚増加分については、外周側の膜部分の膜厚が予め薄くされていることで吸収される。その結果、この磁気ディスク製造方法で製造された磁気ディスク２００によれば、磁気ディスク２２０の回転後の安定状態において、潤滑膜２２０の膜厚について高い均一性を得ることができる。その結果、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が効果的に抑えられることとなる。
【０１２０】
次に第２実施形態について説明する。
【０１２１】
この第２実施形態は、磁気ディスク製造方法において、図５の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）と同等な潤滑剤塗布過程に続いて行われるボンド率調整過程が上述の第１実施形態と異なっている。そこで、以下では、このボンド率調整過程に注目した説明を行う。
【０１２２】
尚、この第２実施形態のＨＤＤや磁気ディスク、および磁気ディスク製造方法における処理の流れを示すフローチャートについては、いずれも上述の第１実施形態と同等であるのでここでは重複説明を省略する。また、以下では、第１実施形態の磁気ディスク２００を示す図２中の各構成要素を適宜に参照する。
【０１２３】
本実施形態では、潤滑剤として、被塗布面に塗布され加熱されるとその被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、加熱温度が高いほど結合性が高まることとなる。
【０１２４】
本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０に塗布された潤滑剤に対する加熱によってボンド率を調整して、上記のようなボンド率の分布を有するボンド層２２２が生成される。
【０１２５】
ここで、まず、この本実施形態のボンド率調整過程に先立って、この本実施形態のボンド率調整過程と対比するための比較例について説明する。この比較例は、ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する例である。
【０１２６】
図１３は、ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する比較例を示す図である。
【０１２７】
この図１３の比較例では、潤滑剤が塗布された本体部２１０が、内部温度が一様に保たれた炉５３０の中に配置されて加熱が行われる。
【０１２８】
ここで、加熱は、この潤滑剤の粘性を高める。その結果、この粘性が高められた潤滑剤と本体部２１０との結合性が、潤滑剤の塗布膜全体で高まる。そして、本体部２１０との結合性が高まった潤滑剤のうち本体部２１０と接触している側が本体部２１０と結合してボンド層となる。一方、本体部２１０から離れた箇所の潤滑剤は、この本体部２１０に対してまだ流動性を有していてフリー層となる。また、加熱温度が高いほど潤滑剤の粘性が高まり本体部２１０と潤滑剤との結合性が高まるので、この加熱温度が高いほどボンド率が大きくなる。
【０１２９】
図１３の比較例では、潤滑剤が一様な温度で加熱されるため、以下に示すように、ボンド率も一様なものとなる。
【０１３０】
図１４は、図１３の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【０１３１】
この図１４のグラフＧ８では、横軸に上述の半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ８には、図１３の比較例で得られるボンド層におけるボンド率の分布を実線で示す第１１ラインＬ１１が記載されている。この第１１ラインＬ１１の形状が示すように、一様な温度での加熱によればボンド率が一様となる。
【０１３２】
これに対し、本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０上の潤滑剤に対して、加熱温度が後述のように分布した状態での加熱が行われる。
【０１３３】
図１５は、第２実施形態のボンド率調整過程の詳細を示す図である。
【０１３４】
この第２実施形態のボンド率調整過程では、表裏面に潤滑剤が塗布された本体部２１０を挟む２枚の円板形状のヒータ５４０を使って、潤滑剤の加熱が行われる。
【０１３５】
このヒータ５４０は、このヒータ５４０が本体部２１０に中心を合わせて重ねられたときに、半径率が「８０％」の箇所の近傍に重なるリング状の第１発熱部分５４１と、この第１発熱部分５４１以外の部分を占める第２発熱部分５４２とで構成されている。そして、各発熱部分に電圧が印加され、各発熱部分がその印加電圧に応じた温度で発熱する。
【０１３６】
ここで、このヒータ５４０では、ボンド率調整過程において、第１発熱部分５４１に、第２発熱部分５４２よりも大きな電圧が印加される。その結果、このヒータ５４０の、潤滑剤に対する加熱時の加熱面温度は、次のような分布を示すこととなる。
【０１３７】
図１６は、図１５のヒータにおける加熱時の加熱面温度の分布を示すグラフである。
【０１３８】
この図１６のグラフＧ９では、横軸に半径率がとられ、縦軸にヒータの加熱面温度がとられている。そして、このグラフＧ９には、ヒータ５４０における加熱時の加熱面温度の分布を実線で示す第１２ラインＬ１２が記載されている。
【０１３９】
この第１２ラインＬ１２の形状から分かるように、加熱時には、上記の第１発熱部分５４１の温度が、他の第２発熱部分５４２の温度よりも大きくなる。
【０１４０】
そして、潤滑剤を塗布された本体部２１０における被加熱面温度は、このような温度分布となったヒータ５４０で加熱されることで、次のような分布を示すこととなり、その結果、その温度分布に応じてボンド率が分布したボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１４１】
図１７は、加熱による本体部の被加熱面温度の分布と、その加熱によって生成されるボンド層におけるボンド率の分布を示すグラフである。
【０１４２】
この図１７のパート（ａ）には、加熱による本体部２１０の被加熱面温度の分布を示すグラフＧ１０が示されている。
【０１４３】
このパート（ａ）のグラフＧ１０では、横軸に半径率がとられ、縦軸に本体部２１０の被加熱面温度がとられている。そして、このグラフＧ１０には、本体部２１０の被加熱面温度の分布を実線で示す第１３ラインＬ１３が記載されている。
【０１４４】
また、図１７のパート（ｂ）には、加熱によって生成されるボンド層２２２のボンド率の分布を示すグラフＧ１１が示されている。
【０１４５】
このパート（ｂ）のグラフＧ１１では、横軸に半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ１１には、ボンド率の分布を実線で示す第１４ラインＬ１４が記載されている。
【０１４６】
上記の第１３ラインＬ１３の形状と第１４ラインＬ１４の形状との比較から分かるように、ボンド率の分布、即ち、ボンド率の分布は、本体部２１０の被加熱面温度の分布に対応する。さらに、第１３ラインＬ１３が示す被加熱面温度の分布の極大の位置と大きさは、図１６のグラフＧ９の第１２ラインＬ１２が示すヒータ５４０の加熱面温度の分布の極大の位置と大きさに対応する。そして、このヒータ５４０の加熱面温度の分布の極大の位置と大きさは、このヒータ５４０の第１発熱部分５４１の位置と印加電圧の大きさに対応する。
【０１４７】
本実施形態のボンド率調整過程では、ボンド率を高くするべき所望の位置に第１発熱部分５４１が配置されたヒータ５４０が用意される。そして、この第１発熱部分５４１にボンド率の極大の大きさに応じた印加電圧が印加される。また、第２発熱部分５４２には、ボンド率が所望形状に分布するように調整された印加電圧が印加される。これにより、ボンド率が、図１７のパート（ｂ）のグラフＧ１１に示すように分布するボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１４８】
このように、図１３の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、ヒータ５４０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【０１４９】
また、この本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０の表裏面それぞれについて、ヒータ５４０の第１発熱部分５４１への印加電圧が適宜に調整される。これにより、ボンド率の分布の、図４に示すような、各磁気ディスク２００毎の相違、あるいは磁気ディスク２００の表裏面での相違が実現されることとなる。
【０１５０】
以上、説明したボンド率調整過程を経て製造される本実施形態の磁気ディスク２００でも、上述の第１実施形態と同様に、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制され、ＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑えられることはいうまでもない。
【０１５１】
また、この本実施形態のボンド率調整過程によれば、ヒータを用いた加熱という非常に簡単な方法でボンド率が所望の分布となったボンド層２２２が生成される。
【０１５２】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記潤滑剤が、被塗布面に塗布され加熱されるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、加熱温度が高いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、上記層生成過程が、以下の塗布過程と加熱過程とを有する形態となっている。塗布過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する過程である。また、加熱過程は、上記塗布過程で塗布された潤滑剤を、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている温度分布で加熱する過程である。
【０１５３】
図５に示す第１実施形態の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）と同等な本実施形態の潤滑剤塗布過程が、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。また、本実施形態のボンド率調整過程が、この応用形態における加熱過程の一例に相当する。
【０１５４】
次に第３実施形態について説明する。
【０１５５】
この第３実施形態は、磁気ディスク製造方法の処理の流れと、その磁気ディスク製造方法で行われるボンド率調整過程が上述の第１実施形態と異なっている。そこで、以下では、このボンド率調整過程に注目した説明を行う。
【０１５６】
尚、この第３実施形態のＨＤＤや磁気ディスクについては、いずれも上述の第１実施形態と同等であるのでここでは重複説明を省略する。また、以下では、第１実施形態の磁気ディスク２００を示す図２中の各構成要素を適宜に参照する。
【０１５７】
図１８は、第３実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【０１５８】
尚、この図１８では、図５の第１実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートにおける過程と同等な過程については、この図５と同じ符号が付されている。以下では、この同等な過程についての重複説明を省略する。
【０１５９】
図１８のフローチャートに示すとおり、本実施形態の磁気ディスク製造方法では、次のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）が行われてから、本体部２１０に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）が行われる。
【０１６０】
また、本実施形態では、潤滑剤として、窒化処理が施された被塗布面に塗布されると被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、被塗布面の窒化率が高いほど結合性が高まることとなる。
【０１６１】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、潤滑剤塗布前の本体部２１０に窒素ガスが吹き付けられて、表裏両面が窒化される窒化処理が行われる。この窒化処理で本体部２１０に浸透した窒素は、潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）で塗布される潤滑剤と強く結合する。このため、潤滑剤の膜中の、この窒素が浸透した本体部２１０との接触部側の部分に、潤滑剤が本体部２１０と結合したボンド層２２２が生じ、本体部２１０から離れたその他の部分が、流動性を有するフリー層２２１となる。また、本体部２１０に浸透した窒素の量が多いほど潤滑剤との結合性が高まるので、この窒素の量が多いほどボンド率が大きくなる。
【０１６２】
本実施形態では、本体部２１０に、窒化率が所望の分布となる窒化処理を施すことで、ボンド率の所望の分布が実現される。
【０１６３】
ここで、まず、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）に先立って、このボンド率調整過程（ステップＳ２１０）と対比するための比較例について説明する。この比較例は、厚みが均一なボンド層を窒化処理によって生成する例である。
【０１６４】
図１９は、ボンド率が均一なボンド層を窒化処理によって生成する比較例を示す図である。
【０１６５】
この図１９の比較例では、潤滑剤塗布前の本体部２１０が、内部に窒素ガスが満たされたチャンバ５５０内に配置される。そして、この本体部２１０に、電源５６０によって所定のバイアス電圧が印加される。すると、このバイアス電圧に引かれて、窒素粒子が、本体部２１０に一様に衝突する。その結果、この本体部２１０の表面が一様な窒化率で窒化することとなる。
【０１６６】
図２０は、図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部の表裏両面における窒化率の一様な分布と、その窒化率の分布に応じて生成されたボンド率の一様な分布とを示すグラフである。
【０１６７】
この図２０のパート（ａ）には、図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を示すグラフＧ１２が示されている。
【０１６８】
この図２０のパート（ａ）のグラフＧ１２では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率が取られている。そして、このグラフＧ１２には、本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を実線で示す第１５ラインＬ１５が記載されている。
【０１６９】
また、図２０のパート（ｂ）には、窒化率の分布に応じて生成されたボンド層２２２でのボンド率の一様な分布を示すグラフＧ１３が示されている。
【０１７０】
この図２０のパート（ｂ）のグラフＧ１３では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率が取られている。そして、このグラフＧ１３には、本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を実線で示す第１５ラインＬ１５が記載されている。
【０１７１】
これに対し、図１８の本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、上述のように、本体部２１０に、窒化率が所望の分布となるように窒化処理を施すことで、ボンド率の所望の分布が実現される。そして、本実施形態では、その窒化率の分布が次のように実現されている。
【０１７２】
図２１は、本実施形態のボンド率調整過程で実行される窒化処理を示す図である。
【０１７３】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）で実行される窒化処理でも、潤滑剤塗布前の本体部２１０は、内部に窒素ガスが満たされたチャンバ５５０内に配置される。ただし、本実施形態では、このチャンバ５５０内に、２枚の金属製メッシュフィルタ５７０が本体部２１０を挟んで配置される。そして、本体部２１０には、本体部用電源５８０によって本体部用バイアス電圧が印加される。また、各金属製メッシュフィルタ５７０には、フィルタ用電源５９０によって本体部用バイアス電圧よりも低圧のフィルタ用バイアス電圧が印加される。
【０１７４】
本実施形態では、金属製メッシュフィルタ５７０は、円板形状を有している。そして、金属製メッシュフィルタ５７０には、この金属製メッシュフィルタ５７０が本体部２１０に中心を合わせて重ねられたときに、半径率が「８０％」の箇所の近傍に重なるリング状のスリットが空けられている。
【０１７５】
本実施形態では、窒素粒子は、本体部用バイアス電圧に引かれて本体部２１０に向かうが、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットを通過するものを除いて、この金属製メッシュフィルタ５７０でほとんどトラップされる。その結果、本体部２１０の表裏面での窒化率は、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットに対向する箇所で高く、他の箇所で低くなる。これにより、本体部２１０の表裏面における窒化率が次のように分布し、その後の潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）でその窒化率の分布に応じてボンド率が分布したボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１７６】
図２２は、本実施形態における窒化率の分布と、その窒化率の分布に応じたボンド率の分布とを示すグラフである。
【０１７７】
この図２２のパート（ａ）には、本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）での窒化処理による窒化率の分布を示すグラフＧ１４が示されている。
【０１７８】
この図２２のパート（ａ）のグラフＧ１４では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率がとられている。そして、このグラフＧ１４には、窒化率の分布を実線で示す第１７ラインＬ１７が記載されている。
【０１７９】
また、図２２のパート（ｂ）には、上記のパート（ａ）のグラフＧ１４に示す窒化率の分布に応じたボンド率の分布を示すグラフＧ１５が示されている。
【０１８０】
この図２２のパート（ｂ）のグラフＧ１５では、横軸に半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ１５には、ボンド率の分布を実線で示す第１８ラインＬ１８が記載されている。
【０１８１】
上記のパート（ａ）のグラフＧ１４に示すように、窒化率の分布には、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットに対向する箇所に極大が生じる。そして、パート（ｂ）のグラフＧ１５に示すように、そのような窒化率の極大に応じた箇所にボンド率の極大が生じることとなる。
【０１８２】
ここで、上記のフィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧との差が大きいほど窒化率の極大、延いてはボンド率の極大が鮮明となる。逆に、両者の差が小さいほど窒化率およびボンド率の分布は均一なものに近付く。さらに、フィルタ用バイアス電圧が大きいほど窒化率およびボンド率の極大の大きさが大きくなる。
【０１８３】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、ボンド率を高くするべき所望の位置にスリットが設けられた金属製メッシュフィルタ５７０が用意される。そして、ボンド率が所望の分布となるように調整されたフィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧とが、それぞれ金属製メッシュフィルタ５７０と本体部２１０に印加される。これにより、ボンド率が所望の分布となったボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１８４】
また、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、本体部２１０の表裏面それぞれで、フィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧とが適宜に調整される。これにより、ボンド率の分布の、図４に示すような、各磁気ディスク２００毎の相違、あるいは磁気ディスク２００の表裏面での相違が実現されることとなる。
【０１８５】
このように、図１９の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、金属製メッシュフィルタ５７０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【０１８６】
以上、説明した図１８の磁気ディスク製造方法で製造される本実施形態の磁気ディスク２００でも、上述の第１実施形態と同様に、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制され、ＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑えられることはいうまでもない。
【０１８７】
また、この本実施形態の磁気ディスク製造方法によれば、潤滑剤が本体部２１０に塗布される前に、将来生成されるボンド層２２２におけるボンド率の分布が調整される。このため、その調整中に、接触等によって潤滑剤が取れてしまう等といった不注意による事故の発生が確実に回避されることとなる。
【０１８８】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記潤滑剤が、窒化処理が施された被塗布面に塗布されるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、その被塗布面の窒化率が高いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、上記層生成過程が、次の窒化過程と塗布過程とを有する過程であるという形態となっている。窒化過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に対し、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている窒化率分布で窒化処理を行う過程である。また、塗布過程は、上記窒化処理が施された面に潤滑剤を塗布する過程である。
【０１８９】
図１８のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）は、この応用形態における窒化過程の一例に相当する。また、この図１８の潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）は、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。
【０１９０】
尚、上記では、磁気ディスクの潤滑膜において、半径率で「８０％」の箇所にボンド率の極大が生じる実施形態を例示したが、基本形態について上述した記憶媒体、情報記憶装置、記憶媒体製造方法の実施形態はこれに限るものではない。これらの実施形態は、潤滑剤マイグレーションによって生じるであろう潤滑膜の膜厚変化に応じ、半径率で「８０％」の箇所以外の箇所にボンド率の極大が生じる形態であっても良い。
【０１９１】
また、上記では、基本形態について上述した記憶媒体、情報記憶装置、記憶媒体製造方法の実施形態として、磁気ディスク、ＨＤＤ、磁気ディスク製造方法を例示したが、上記の実施形態はこれらに限るものではない。記憶媒体の実施形態は、例えば、ＳＩＬを用いたヘッドによって情報記録や情報再生が行われる光磁気ディスク等であっても良い。また、情報記憶装置の実施形態は、例えば、このような光磁気ディスクに対して情報記録や情報再生を行う光磁気ディスクドライブ等であっても良い。さらに、記憶媒体製造方法の実施形態は、例えば、このような光磁気ディスクを製造する光磁気ディスク製造方法等であっても良い。
【０１９２】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１９３】
（付記１）
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、
潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、
前記ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっていることを特徴とする記憶媒体。
【０１９４】
（付記２）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする付記１記載の記憶媒体。
【０１９５】
（付記３）
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている記憶媒体と、
前記記憶媒体に対して情報記憶及び／又は情報再生を実行するヘッドとを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【０１９６】
（付記４）
前記ボンド層および前記フリー層が前記本体部の表裏両面に設けられているものであり、
前記記憶媒体が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられたものであって、その重ねられた複数の記憶媒体のうちの両端の記憶媒体では、重なりの外側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の前記極大が、該重なりの内側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の前記極大よりも大きいものであることを特徴とする付記３記載の情報記憶装置。
【０１９７】
（付記５）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする付記３又は４記載の情報記憶装置。
【０１９８】
（付記６）
円板形状を有し情報を記憶する本体部を準備する本体部準備過程と、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、該潤滑剤の塗布膜中に、その塗布された面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層中の潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤からなるフリー層とを、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となるように生成させる層生成過程とを有することを特徴とする記憶媒体製造方法。
【０１９９】
（付記７）
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該紫外線の照射量が多いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、前記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する紫外線照射過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２００】
（付記８）
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され加熱されると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、加熱温度が高いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤を、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている温度分布で加熱する加熱過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２０１】
（付記９）
前記潤滑剤が、窒化処理が施された被塗布面に塗布されると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該被塗布面の窒化率が高いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に対し、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている窒化率分布で窒化処理を行う窒化過程と、
前記窒化処理が施された面に潤滑剤を塗布する塗布過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２０２】
（付記１０）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚を、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚を、該途中からの膜厚よりも薄くする膜厚調整過程をさらに有することを特徴とする付記６から９のうちいずれか１項記載の記憶媒体製造方法。
【０２０３】
（付記１１）
前記膜厚調整過程が、前記潤滑剤の膜のうち前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜部分について潤滑剤を拭き取って減らす過程であることを特徴とする付記１０記載の記憶媒体製造方法。
【符号の説明】
【０２０４】
１００ ハードディスク装置
１０１ ディスク軸
１０２ ハウジング
１０３ カバー
１１０ スイングアーム
１１１ ベアリング
１２０ アクチュエータ
１３０ 制御回路
１４０ 磁気ヘッド
２００ 磁気ディスク
２１０ 本体部
２２０ 潤滑膜
２２１ フリー層
２２２ ボンド層
５１０ ＵＶ照射機
５２０ ＵＶフィルター
５３０ 炉
５４０ ヒータ
５４１ 第１発熱部分
５４２ 第２発熱部分
５５０ チャンバ
５６０ 電源
５７０ 金属製メッシュフィルタ
５８０ 本体部用電源
５９０ フィルタ用電源
【技術分野】
【０００１】
本件は、情報を記憶する記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータの分野では、日常的に多量の情報が取り扱われるようになっており、このような多量の情報を記録再生する装置の１つとして、ハードディスク装置（ＨＤＤ：Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）が使用されている。このＨＤＤには、情報を記憶するディスク状（円板形状）の磁気記憶媒体である磁気ディスクが内蔵されている。
【０００３】
また、磁気ディスクには、情報が磁気的に記録される磁性膜等を有した本体部の表裏面に、ヘッドとの潤滑性を向上させる潤滑剤からなる潤滑膜が形成されているタイプがある（例えば、特許文献１〜５参照。）。
【０００４】
ここで、ＨＤＤに搭載された磁気ディスクは、ＨＤＤの動作中、ＨＤＤ内で高速に回転する。そして、このような回転に伴って生じる遠心力や空気流により、潤滑剤が磁気ディスクの外周に向かって流れる潤滑剤マイグレーションという現象がしばしば生じている（例えば、特許文献６および７参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−２６９８２２号公報
【特許文献２】特開平４−０５３０２７号公報
【特許文献３】特開平５−２８２６６３号公報
【特許文献４】特開平１０−１９９０５６号公報
【特許文献５】特開２００１−３３１９０２号公報
【特許文献６】特開昭６２−２２６４２３号公報
【特許文献７】特開２００６−１４７０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が多いと、磁気ディスクの外周側で潤滑膜の膜厚が著しく増大するので、ヘッドの浮上面に潤滑剤が付着し易くなる。その結果、ヘッドの浮上が不安定となり、ヘッドが磁気ディスクと接触するＨＤＩ（Ｈｅａｄ Ｄｉｓｋ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）障害や、ヘッドによる情報記録や情報再生が阻害されるＲＷ（Ｒｅａｄ Ｗｒｉｔｅ）障害等が起きやすくなってしまう。近年では、ＨＤＤにおける高記録密度の実現のために、ヘッドの低浮上化が進んでおり、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が一層問題となってきている。
【０００７】
尚、ここまで、ＨＤＤと磁気ディスクを例に挙げて、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が多いという課題について説明した。しかしながら、このような課題は、ＨＤＤや磁気ディスクに限るものではなく、表面に潤滑剤が塗布され回転駆動される記憶媒体に共通して当てはまる課題である。例えば、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｌｅｎｓ）を用いたヘッドによって情報記録や情報再生が行われる光磁気ディスクも、表面に潤滑剤が塗布されると考えられる。このため、このような光磁気ディスクにも、上記のような課題が当てはまると考えられる。
【０００８】
本件は上記事情に鑑み、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制された記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する記憶媒体の基本形態は、以下の本体部と、ボンド層と、フリー層とを備えている。
【００１０】
本体部は、円板形状を有し情報を記憶するものである。
【００１１】
ボンド層は、潤滑剤で形成され、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したものである。
【００１２】
フリー層は、上記ボンド層を覆う、そのボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたものである。
【００１３】
そして、この基本形態では、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対するそのボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている。
【００１４】
また、上記目的を達成する情報記憶装置の基本形態は、上記記憶媒体、および、その記憶媒体に対して情報記録及び／又は情報再生を実行するヘッドを備えている。
【００１５】
また、上記目的を達成する記憶媒体製造方法の基本形態は、以下の本体部準備過程と層生成過程とを有している。
【００１６】
本体部準備過程は、上記本体部を準備する過程である。
【００１７】
層生成過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、その潤滑剤の塗布膜中に、上記ボンド層と上記フリー層とを、次のように生成させる過程である。この層生成過程は、上記ボンド層と上記フリー層とを、上記ボンド率が、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大が生じるように生成させる過程となっている。
【発明の効果】
【００１８】
本件によれば、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制された記憶媒体、そのような記憶媒体が搭載された情報記憶装置、および、そのような記憶媒体を製造する記憶媒体製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【図２】互いに間隔を空けて複数枚重ねられた磁気ディスクを示す模式的な断面図である。
【図３】ボンド率の分布を示す図である。
【図４】カバーあるいはハウジングと対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスクと対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている様子を模式的に示す図である。
【図５】図１や図２に示す磁気ディスクを製造するための磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【図６】ボンド率が均一なボンド層を生成する比較例を示す図である。
【図７】図６の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【図８】図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）の詳細を示す図である。
【図９】図８のＵＶフィルターにおける紫外線透過率の分布を示すグラフである。
【図１０】図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を示す図である。
【図１１】不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りで減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との関係を示すグラフである。
【図１２】拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％の決定について説明する図である。
【図１３】ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する比較例を示す図である。
【図１４】図１３の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【図１５】第２実施形態のボンド率調整過程の詳細を示す図である。
【図１６】図１５のヒータにおける加熱時の加熱面温度の分布を示すグラフである。
【図１７】加熱による本体部の被加熱面温度の分布と、その加熱によって生成されるボンド層におけるボンド率の分布を示すグラフである。
【図１８】第３実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【図１９】ボンド率が均一なボンド層を窒化処理によって生成する比較例を示す図である。
【図２０】図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部の表裏両面における窒化率の一様な分布と、その窒化率の分布に応じて生成されたボンド率の一様な分布とを示すグラフである。
【図２１】本実施形態のボンド率調整過程で実行される窒化処理を示す図である。
【図２２】本実施形態における窒化率の分布と、その窒化率の分布に応じたボンド率の分布とを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、上記で基本形態について説明した記憶媒体、情報記憶装置、および記憶媒体製造方法の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２１】
まず、第１実施形態について説明する。
【００２２】
図１は、情報記憶装置の具体的な一実施形態であるハードディスク装置（ＨＤＤ）の内部構造を示す図である。
【００２３】
この図１に示すハードディスク装置（ＨＤＤ）１００は、パーソナルコンピュータ等といった上位装置に組み込まれ、その上位装置における情報記憶手段として利用されるものである。
【００２４】
このＨＤＤ１００には、円板形状を有しディスク軸１０１を中心に回転する磁気ディスク２００が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられてハウジング１０２内に納められている。この磁気ディスク２００は、上記で基本形態について説明した記憶媒体の具体的な一実施形態に相当する。
【００２５】
また、ＨＤＤ１００のハウジング１０２内には、各磁気ディスク２００の表面あるいは裏面に沿って移動する複数本のスイングアーム１１０、スイングアーム１１０の駆動に用いられるアクチュエータ１２０、および後述の制御回路１３０も納められている。
【００２６】
各スイングアーム１１０は、磁気ディスク２００に対して情報記録と情報再生とを行う磁気ヘッド１４０を先端に保持している。また、複数本のスイングアーム１１０は、ベアリング１１１によってハウジング１０２に回動自在に支持されている。そして、これらのスイングアーム１１０は、ベアリング１１１を中心として所定角度の範囲内で回動することによって、磁気ヘッド１４０を各磁気ディスク２００の表面あるいは裏面に沿って移動させる。この磁気ヘッド１４０が、上述した情報記憶装置の基本形態におけるヘッドの一例に相当する。
【００２７】
磁気ヘッド１４０による情報記録および情報再生やスイングアーム１１０の移動は制御回路１３０によって制御されており、上位装置との情報の遣り取りもこの制御回路１３０を介して行われる。
【００２８】
また、このＨＤＤ１００では、上記のような各要素が搭載されたハウジング１０２の上部が、カバー１０３で覆われている。
【００２９】
図２は、互いに間隔を空けて複数枚重ねられた磁気ディスクを示す模式的な断面図である。
【００３０】
この図２で最上段に示された磁気ディスク２００は、図の上方の面がカバー１０３と対向し、図の下方の面が、この磁気ディスク２００の下側に位置する磁気ディスク２００と対向している。また、この図の最下段に示す磁気ディスク２００は、図の下方の面がハウジング１０２と対向し、図の上方の面が、この磁気ディスク２０３の上側に位置する磁気ディスク２００と対向している。そして、これら最上段および最下段に示された磁気ディスク２００を除いた他の全ての磁気ディスク２００は、表裏面それぞれが他の磁気ディスク２００と対向している。
【００３１】
これらの磁気ディスク２００は、いずれも、情報を記憶する磁性膜やＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）の保護膜等が円板形状の非磁性基板上に形成された本体部２１０を有している。そして、磁気ディスク２００は、その本体部２１０の表裏両面に、潤滑剤の塗布によって潤滑膜２２０が形成された構造となっている。
【００３２】
本体部２１０は、上述の基本形態における本体部の一例に相当する。
【００３３】
潤滑膜２２０は、フリー層２２１とボンド層２２２とを備えている。ボンド層２２２は、潤滑剤で形成され、本体部２１０の表面あるいは裏面に結合したものである。また、フリー層２２１は、このボンド層２２２を覆った層である。そして、フリー層２２１は、このボンド層２２２を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されている。この２層構造の潤滑膜２２０では、上記のように潤滑剤が流動性を有したフリー層２２１が、上記の磁気ヘッド１４０に対する潤滑作用を担っている。第１実施形態では、詳細については後述するように、フリー層２２１とボンド層２２２は、本体部２１０に塗布された潤滑剤に対する紫外線照射によって生成されたものである。
【００３４】
フリー層２２１は、上述の基本形態におけるフリー層の一例に相当し、ボンド層２２２は、この基本形態におけるボンド層の一例に相当する。
【００３５】
ここで、本実施形態では、潤滑膜２２０の厚みに対するボンド層２２２の厚みの比率であるボンド率が、最外周から中央に向かう途中において極大となるように分布している。さらに、本実施形態では、カバー１０３あるいはハウジング１０２と対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスク２００と対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている。
【００３６】
また、この図２に示す磁気ディスク２００の断面図は、上記のＨＤＤ１００が未使用で、回転駆動を受ける前の磁気ディスク２００の断面を示している。本実施形態では、このような回転前の段階では、図２に模式的に示されているように潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。
【００３７】
本実施形態では、上記のような極大を有するボンド率の分布、ＨＤＤ１００内での潤滑剤塗布面の位置によるボンド率の分布における極大の差異、および、磁気ディスク回転前の潤滑膜２２０の膜厚分布それぞれによって以下のような利点が得られている。
【００３８】
まず、ボンド率の分布について説明する。
【００３９】
図３は、ボンド率の分布を示す図である。
【００４０】
この図３のパート（ａ）には、ボンド率の分布がグラフ形式で示されている。このパート（ａ）のグラフＧ１では、横軸にディスク上の位置を示した半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。ディスク上の位置を示した半径率は、この位置を通る、半径が伸びる方向（半径方向）で間隔を測るときの、本体部２１０の最内周から最外周までの間隔に対する本体部２１０の最内周からこの位置までの間隔の比率である。
【００４１】
そして、パート（ａ）のグラフＧ１には、磁気ディスク２００の最外周から最内周までの、ボンド率の変化を実線で表わす第１ラインＬ１が記載されている。また、このグラフＧ１には、本実施形態と異なり最内周から最外周まで均一なボンド率を点線で表わす第２ラインＬ２が比較例として記載されている。
【００４２】
本実施形態では、第１ラインＬ１の形状が示しているように、最外周から中央に向かう途中の、半径率が「８０％」の箇所の近傍において、ボンド率が極大となっている。
【００４３】
ここで、上述したようにＨＤＤ１００内の磁気ディスク２００は、ＨＤＤ１００の動作中、ＨＤＤ１００内でディスク軸１０１を中心に高速に回転する。そして、このような回転に伴って生じる遠心力や空気流により、潤滑剤が磁気ディスク２００の外周に向かって流れる潤滑剤マイグレーションという現象が生じる。潤滑膜２２０は上記のフリー層２２１とボンド層２２２とを有しており、潤滑剤マイグレーションでは、流動性を有するフリー層２２１が外周に向かって流れることとなる。そして、遠心力等の関係から、半径率が「８０％」の箇所の近傍で、このフリー層２２１を形成する潤滑剤が移動し易い。本実施形態では、以下に説明するように、このような潤滑剤の量が、図３のパート（ａ）に示すボンド率の分布によって抑制されている。
【００４４】
図３のパート（ｂ）には、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が、パート（ａ）に示すボンド率の分布によって抑制されることについて説明するグラフＧ２が示されている。このパート（ｂ）のグラフＧ２では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。尚、このグラフＧ２は、磁気ディスクの回転前は均一の膜厚を有している潤滑膜の、回転後の膜厚分布を表わすグラフである。そして、このグラフＧ２における第３ラインＬ３は、ボンド率がグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すように分布している場合の回転後の膜厚分布を表している。また、このグラフＧ２における第４ラインＬ４は、ボンド率がグラフＧ１の第２ラインＬ２が示すように均一な場合の回転後の膜厚分布を表している。
【００４５】
一般に、ボンド層とフリー層との２層構造を有する潤滑膜では、潤滑剤マイグレーションによってフリー層の潤滑剤が流動する。ここで、たとえフリー層の潤滑剤でも、粘性、表面張力、ボンド層との相互作用等により、どこまでも流れられるわけではなく、元の箇所からある程度ずれるとそれ以上は動けない。そのため、潤滑剤マイグレーションによるフリー層の潤滑剤の流動は、ある程度潤滑剤が流れてしまった段階で止まる。そして、その後の潤滑膜は、磁気ディスクの回転によっても動かない安定した状態となる。
【００４６】
図３のグラフＧ２に示されている膜厚分布は、グラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようにボンド率が分布している場合と均一な場合との２つの場合それぞれについての、上記の安定した状態に達した潤滑膜の膜厚分布である。
【００４７】
ボンド率が均一な場合には、上記のように潤滑剤が移動し易い、半径率が「８０％」の箇所の近傍から、フリー層の潤滑剤が外周側に大量に流れてしまう。その結果、グラフＧ２の第４ラインＬ４の形状が示すように、潤滑膜の膜厚が外周側で局所的に極端に厚くなってしまう。
【００４８】
一方、本実施形態における、グラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようなボンド率の分布では、潤滑剤が移動し易い上記の部分でのボンド率が大きくなっている。つまり、その部分でのフリー層２２１が薄くなっている。その結果、潤滑剤マイグレーションでその部分から移動する潤滑剤の量が効果的に抑制されることとなる。これにより、グラフＧ２の第３ラインＬ３の形状が示すように、外周側での局所的な膜厚増大が抑制されることとなっている。
【００４９】
また、本実施形態では、ボンド率は、このボンド率の分布でのピークでも「１００％」よりは小さくなっている。その結果、局所的にフリー層２２１が無くなって磁気ヘッド１４０に対する潤滑作用が損なわれる等といった事態が回避されている。
【００５０】
以上、説明したように、本実施形態では、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すようにボンド率を分布させることで、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制されている。その結果、潤滑膜２２０の外周側での局所的な膜厚増大が抑えられるので、図１のＨＤＤ１００におけるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑制されることとなる。
【００５１】
次に、ＨＤＤ１００内での潤滑剤塗布面の位置によるボンド率の分布における極大の差異について説明する。
【００５２】
本実施形態では、図２を参照して上述したように、本実施形態では、カバー１０３あるいはハウジング１０２と対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスク２００と対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている。
【００５３】
図４は、カバーあるいはハウジングと対向する面でのボンド率の分布の極大が、他の磁気ディスクと対向する面でのボンド率の分布の極大よりも大きくなっている様子を模式的に示す図である。
【００５４】
この図４に示すように、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面のボンド層２２２での極大（第１の極大）Ｐ１が、他の磁気ディスク２００との対向面のボンド層２２２での極大（第２の極大）Ｐ２よりも大きくなっている。つまり、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面の潤滑膜２２０の方が、他の磁気ディスク２００との対向面の潤滑膜２２０よりも、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量に対する抑制効果が高められている。
【００５５】
上記のように磁気ディスク２００が複数枚重ねられている状態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面と、他の磁気ディスク２００との対向面との間で、回転によって生じる風の強さ等に差が生じる。そして、このような差に起因して、カバー１０３やハウジング１０２との対向面の潤滑膜２２０の方が、他の磁気ディスク２００との対向面の潤滑膜よりも、潤滑剤マイグレーションによって潤滑剤が移動し易くなっている。
【００５６】
本実施形態では、このような潤滑剤の動き易さの差を見越して、上記の第１の極大Ｐ１が、第２の極大Ｐ２よりも大きくなっている。これにより、複数枚重ねられた磁気ディスク２００の各面の潤滑膜２２０について、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制されることとなる。
【００５７】
このことは、上述の情報記憶装置の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態では、上記ボンド層および上記フリー層が上記本体部の表裏両面に設けられているものとなっている。さらに、この応用形態では、上記記憶媒体が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられたものとなっている。そして、この応用形態では、重ねられた複数の記憶媒体のうちの両端の記憶媒体ではボンド率が次のようになっている。即ち、重なりの外側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の極大が、その重なりの内側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の極大よりも大きいものとなっている。
【００５８】
本実施形態の磁気ディスク２００は、この応用形態における記憶媒体の一例にも相当している。また、本実施形態のフリー層２２１は、この応用形態におけるフリー層の一例にも相当している。さらに、本実施形態のボンド層２２２は、この応用形態におけるボンド層の一例にも相当している。
【００５９】
次に、磁気ディスク回転前の潤滑膜２２０の膜厚分布について説明する。
【００６０】
図２を参照して説明したように、本実施形態では、磁気ディスク２００の回転前で潤滑剤マイグレーションが未発生の段階では、潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。本実施形態では、潤滑膜２２０のこのような回転前の膜厚分布によって、後述するように回転後の膜厚分布の一層の均一化が図られている。
【００６１】
ここで、上記の図３のパート（ｂ）のグラフＧ２において第３および第４ラインＬ３，Ｌ４それぞれが示す膜厚分布は、均一な膜厚の潤滑膜を有する磁気ディスクが回転したときの回転後の膜厚分布である。このグラフＧ２では、このように膜厚が均一な潤滑膜の回転後の膜厚分布を示すことで、移動する潤滑剤の量に対するボンド率の分布による低減が、回転前の膜厚分布による回転後の膜厚分布の均一化とは切り分けられて示されている。
【００６２】
本実施形態では、この図３を参照して説明したように、ボンド率を最外周から最内周に向かう途中において極大とすることで潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量は概ね抑制されている。しかし、まだ、潤滑剤マイグレーションによる潤滑剤の若干の移動は残っている。そのため、図３のグラフＧ２の第３ラインＬ３が示すように、外周側での局所的な膜厚増大が完全には無くならず若干生じてしまう。
【００６３】
本実施形態では、この若干の膜厚増大を見越して、予め、潤滑膜２２０の膜厚が外周側で薄くなっている。磁気ディスク２００が回転すると、ボンド率の上記のような分布でも抑えきれない若干量の潤滑剤が外周側に流動する。そして、このような流動によって、潤滑膜２２０の、予め薄くなっている外周側の膜厚がその流動分だけ増大する。その結果、潤滑膜２２０の膜厚が均される。そして、磁気ディスク２００の回転時にこのように潤滑膜２２０の膜厚が均されることで、回転後の安定した状態では、潤滑膜２２０の膜厚について、非常に高い均一性が得られることとなる。これにより、本実施形態では、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生に対する効果的な抑制が図られている。
【００６４】
このことは、上述の基本形態に対し、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜厚がその途中からの膜厚よりも薄いものであるという応用形態が好適であることを意味している。
【００６５】
本実施形態の潤滑膜２２０は、この応用形態における潤滑剤の膜の一例に相当している。
【００６６】
次に、以上に説明した磁気ディスク２００を製造するための磁気ディスク製造方法について説明する。
【００６７】
図５は、図１や図２に示す磁気ディスクを製造するための磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【００６８】
この図５のフローチャートが示す磁気ディスク製造方法が、基本形態について上述した記憶媒体製造方法の具体的な一実施形態に相当する。
【００６９】
この磁気ディスク製造方法では、まず、円板形状の非磁性基板の表裏両面に、情報を記憶する磁性膜やＤＬＣの保護膜等をスパッタ法等によって形成することで図２の本体部２１０を得る成膜過程（ステップＳ１１０）が実行される。
【００７０】
この成膜過程（ステップＳ１１０）が、上述の記憶媒体製造方法の基本形態における本体部準備過程の一例に相当する。
【００７１】
次に、成膜過程（ステップＳ１１０）で得られた本体部２１０の表裏両面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）が実行される。
【００７２】
ここで、本実施形態では、この潤滑剤として、被塗布面に塗布された後で紫外線の照射を受けるとその被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、紫外線の照射量が多いほどその結合性が高まる。
【００７３】
次に、潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）で塗布された潤滑剤に対して、以下に説明する紫外線照射によってボンド率を調整することで、上記のようなボンド率の分布を有するボンド層２２２を生成するボンド率調整過程（ステップＳ１３０）が実行される。また、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、塗布された潤滑剤の本体部２１０側の一部の層がボンド層２２２となる。その結果、このボンド層２２２以外の他の潤滑剤の層がフリー層２２１となる。
【００７４】
上記の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）とボンド率調整過程（ステップＳ１３０）とを合わせた過程が、上述の記憶媒体製造方法の基本形態における層生成過程の一例に相当する。
【００７５】
以下、上記のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）について詳細に説明する。
【００７６】
ここで、まず、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）に先立って、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）と対比するための比較例について説明する。この比較例は、ボンド率が均一なボンド層を生成する例である。
【００７７】
図６は、ボンド率が均一なボンド層を生成する比較例を示す図である。
【００７８】
この図６の比較例では、ＵＶ照射強度が一様な紫外線を、所定の照射範囲に照射するＵＶ照射機５１０が使われる。そして、このＵＶ照射機５１０による紫外線の照射範囲中を、潤滑剤が塗布された本体部２１０が通過する。その結果、一様なＵＶ照射強度で紫外線が潤滑剤に照射される。
【００７９】
ここで、ＵＶ照射は、この潤滑剤の粘性を高める。その結果、この粘性が高められた潤滑剤と本体部２１０との結合性が、潤滑剤の塗布膜全体で高まる。そして、本体部２１０との結合性が高まった潤滑剤のうち本体部２１０と接触している側が本体部２１０と結合してボンド層となる。一方、本体部２１０から離れた箇所の潤滑剤は、この本体部２１０に対してまだ流動性を有していてフリー層となる。また、ＵＶ照射強度が強いほど本体部２１０と潤滑剤との結合性が高まるので、このＵＶ照射強度が強いほどボンド率が大きくなる。
【００８０】
図６の比較例では、一様なＵＶ照射強度で紫外線が潤滑剤に照射されるため、以下に示すように、ボンド率も一様なものとなる。
【００８１】
図７は、図６の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【００８２】
この図７のグラフＧ３では、横軸に上述の半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ３には、図６の比較例で得られるボンド層におけるボンド率の分布を実線で示す第５ラインＬ５が記載されている。この第５ラインＬ５の形状が示すように、一様なＵＶ照射強度での紫外線の照射によればボンド率が一様になる。
【００８３】
これに対し、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０上の潤滑剤に対して、ＵＶ照射強度が、上記の図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すボンド率の分布に対応した分布となった紫外線が照射される。
【００８４】
図８は、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）の詳細を示す図である。
【００８５】
このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０より大きい円板形状のＵＶフィルター５２０が使われる。そして、このＵＶフィルター５２０は、紫外線透過率について次のような分布を有している。
【００８６】
図９は、図８のＵＶフィルターにおける紫外線透過率の分布を示すグラフである。
【００８７】
この図９のグラフＧ６では、横軸に半径率がとられ、縦軸にＵＶフィルターの透過率がとられている。そして、このグラフＧ６には、本体部２１０に、中心が一致するように重ねられたＵＶフィルター５２０における、本体部２１０上での各位置に対向する箇所での紫外線透過率の分布を実線で表わす第６ラインＬ６が記載されている。
【００８８】
この第６ラインＬ６の形状から分かるように、このＵＶフィルター５２０における紫外線透過率の分布は、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示すボンド率の分布に対応している。つまり、図３のグラフＧ１でボンド率が大きい部分で紫外線透過率が高く、ボンド率が低い部分で紫外線透過率が低くなっている。
【００８９】
図８に示すように、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、潤滑剤が塗布された本体部２１０と所定の間隔を空けて、ＵＶフィルター５２０が、本体部２１０と中心が一致するように重ねて配置される。そして、ボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、本体部２１０が、このように配置されたＵＶフィルター５２０とともに、ＵＶ照射機５１０による紫外線の照射範囲中を通過する。その結果、ＵＶフィルター５２０の紫外線透過率が高い部分を透過する紫外線が照射される箇所ではボンド率が大きくなる。一方、ＵＶフィルター５２０の紫外線透過率が低い部分を透過する紫外線が照射される箇所ではボンド率が低くなる。これにより、ボンド率が、図３のグラフＧ１の第１ラインＬ１が示す分布となったボンド層２２２が生成されることとなる。図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、このような処理が、潤滑剤が塗布された本体部２１０の表裏両面それぞれについて実行される。
【００９０】
また、本実施形態では、カバー１０３やハウジング１０２との対向面でのボンド率の極大（図４の第１の極大Ｐ１）が、他の磁気ディスク２００との対向面でのボンド率の極大（図４の第２の極大Ｐ２）よりも大きい。このため、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）では、紫外線透過率の分布がこれらの各面でのボンド率の極大に対応した２種類のＵＶフィルター５２０が使われる。そして、この２種類のＵＶフィルター５２０が適宜に使い分けられることで、上記の各面でのボンド率の分布が実現される。
【００９１】
このように、図６の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、ＵＶフィルター５２０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【００９２】
また、以上に説明した図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）によれば、上記のようなＵＶフィルターを用意すれば、後は、潤滑剤が塗布された本体部２１０にＵＶフィルターを重ねて紫外線の照射範囲中を通過させるだけでよい。つまり、このボンド率調整過程（ステップＳ１３０）によれば、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を手軽に得ることができる。
【００９３】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態では、上記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、その紫外線の照射量が多いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、この応用形態では、上記層生成過程が、以下の塗布過程と紫外線照射過程とを有する過程となっている。塗布過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する過程である。紫外線照射過程は、上記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、上記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する過程である。
【００９４】
図５の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）が、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。また、図５のボンド率調整過程（ステップＳ１３０）が、この応用形態における紫外線照射過程の一例に相当する。
【００９５】
図５の磁気ディスク製造方法では、ボンド率調整過程（ステップＳ１３０）に続いて、潤滑膜２２０の膜厚を外周側で薄くする膜厚調整過程（ステップＳ１４０）が実行される。
【００９６】
図１０は、図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を示す図である。
【００９７】
この図１０のパート（ａ）には、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）が、模式的な斜視図で示されている。また、図１０のパート（ｂ）には、その膜厚調整過程（ステップＳ１４０）で得られる潤滑膜２２０の膜厚分布を示すグラフＧ５が示されている。
【００９８】
図１０のパート（ａ）に示すように、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、潤滑膜２２０のうち最外周から最内周に向かう途中までの膜部分について潤滑剤が厚み方向に部分的に除かれる。
【００９９】
図１０のパート（ｂ）のグラフＧ５では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。そして、このグラフＧ５には、上記のように外周側の膜部分について潤滑剤が厚み方向に部分的に除かれた潤滑膜２２０の膜厚分布を実線で示す第７ラインＬ７が記載されている。
【０１００】
本実施形態では、この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）における潤滑剤の厚み方向の部分的な除去により、外周側の膜部分について膜厚が磁気ディスク２００の回転前に予め薄くされている。
【０１０１】
本件の開発者は、外周側の膜部分について、潤滑剤マイグレーションによる膜厚の増大分を見越して予め膜厚を薄くしておくことで、磁気ディスク２００の回転後の安定状態で、膜厚の均一性の高い潤滑膜が得られることを確認している。本実施形態では、この確認を受けて、外周側の膜部分について予め膜厚を薄くしておくことによって、磁気ディスク２００の回転後における潤滑膜２２０の膜厚の均一化が図られている。その結果、上述したように潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が効果的に抑制されることとなる。
【０１０２】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記ボンド層と上記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚を、上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜厚を、その途中からの膜厚よりも薄くする膜厚調整過程をさらに有する形態となっている。
【０１０３】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）は、この応用形態における膜厚調整過程の一例に相当する。
【０１０４】
ここで、本実施形態では、膜厚調整過程（ステップＳ１４０）での潤滑剤の除去が、不織布による拭き取りで行われる。このような拭き取りは、作業が簡単であり、潤滑剤を除去する方法として好適である。
【０１０５】
このことは、膜厚調整過程を有する上記の応用形態に対し、上記膜厚調整過程が、上記潤滑剤の膜のうち上記最外周から上記中央に向かう途中までの膜部分について潤滑剤を拭き取って減らす過程であるという応用形態がさらに好適であることを意味している。
【０１０６】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）は、このさらに好適な応用形態における膜厚調整過程の一例にも相当している。
【０１０７】
この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、図１０のグラフＧ７の第７ラインＬ７の形状が示すように、この拭き取りにより、潤滑剤が拭き取りの印加力Ｆに応じた分だけ除かれて、外周側での潤滑膜２２０の膜厚が減少する。本実施形態では、この拭き取りによる潤滑膜２２０の膜厚の減少分が、拭き取り前の膜厚に対する、拭き取りによる減少量の比率Ａ％で表される。
【０１０８】
ここで、不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りによる減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との間には次のような関係がある。
【０１０９】
図１１は、不織布による拭き取りの印加力Ｆと、その拭き取りで減少分Ａ％だけ減った拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚との関係を示すグラフである。
【０１１０】
この図１１のグラフＧ６では、横軸に不織布による拭き取りの印加力Ｆがとられており、縦軸に拭き取り後の潤滑膜２２０の膜厚がとられている。そして、このグラフＧ６には、印加力Ｆと拭き取り後の膜厚との関係を実線で示す第８ラインＬ８が記載されている。このグラフＧ６に示されているように、両者間にはこの第８ラインＬ８の形状が示す線形関係が成り立っている。
【０１１１】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、この線形関係を使って、潤滑膜２２０の膜厚の減少分Ａ％から不織布による拭き取りの印加力Ｆが決定される。
【０１１２】
一方、膜厚の減少分Ａ％は、潤滑剤マイグレーションによる外周側での膜厚増加量を予め計測することで決定される。
【０１１３】
図１２は、拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％の決定について説明する図である。
【０１１４】
この図１２には、潤滑剤マイグレーションによる潤滑膜２２０の膜厚の変化を示すグラフＧ７が示されている。このグラフＧ７では、横軸に半径率がとられ、縦軸に潤滑膜２２０の膜厚がとられている。
【０１１５】
ここで、膜厚の減少分Ａ％の決定のために実行される計測では、ボンド率が図３のグラフＧ１に示す分布となっているが、潤滑膜の膜厚は均一となっている計測用のサンプル磁気ディスクが使われる。
【０１１６】
図１２のグラフＧ７には、このサンプル磁気ディスクにおける潤滑剤マイグレーションの発生前の潤滑膜の均一な膜厚分布を実線で示すＬ９が記載されている。さらに、このグラフＧ７には、上記のサンプル磁気ディスクの回転により、フリー層の流動が止まるまで潤滑剤マイグレーションを発生させた後の膜厚分布を点線で示すＬ１０が記載されている。
【０１１７】
そして、本実施形態では、潤滑剤マイグレーション発生後の最外周の膜厚の増加分が計測される。そして、その増加分の、潤滑剤マイグレーション発生前の最外周の膜厚に対する比率が、拭き取りによる膜厚の減少分Ａ％として使われる。
【０１１８】
図５の膜厚調整過程（ステップＳ１４０）では、このような計測によって予め決定された減少分Ａ％から、図１１の線形関係を用いて拭き取りの印加力Ｆが決定される。そして、その印加力Ｆでの拭き取りにより、上記の潤滑剤マイグレーションでの増加分に相当する分だけ外周側の膜部分の厚みが減らされる。
【０１１９】
図５のフローチャートが示す磁気ディスク製造方法では、この膜厚調整過程（ステップＳ１４０）を経て、図２に示す磁気ディスク２００が完成する。そして、この磁気ディスク製造方法で製造された磁気ディスク２００によれば、ボンド率の上述した分布によって潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制される。そして、その抑制を超えた若干量の潤滑剤の移動による外周側での膜厚増加分については、外周側の膜部分の膜厚が予め薄くされていることで吸収される。その結果、この磁気ディスク製造方法で製造された磁気ディスク２００によれば、磁気ディスク２２０の回転後の安定状態において、潤滑膜２２０の膜厚について高い均一性を得ることができる。その結果、潤滑剤マイグレーションによるＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が効果的に抑えられることとなる。
【０１２０】
次に第２実施形態について説明する。
【０１２１】
この第２実施形態は、磁気ディスク製造方法において、図５の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）と同等な潤滑剤塗布過程に続いて行われるボンド率調整過程が上述の第１実施形態と異なっている。そこで、以下では、このボンド率調整過程に注目した説明を行う。
【０１２２】
尚、この第２実施形態のＨＤＤや磁気ディスク、および磁気ディスク製造方法における処理の流れを示すフローチャートについては、いずれも上述の第１実施形態と同等であるのでここでは重複説明を省略する。また、以下では、第１実施形態の磁気ディスク２００を示す図２中の各構成要素を適宜に参照する。
【０１２３】
本実施形態では、潤滑剤として、被塗布面に塗布され加熱されるとその被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、加熱温度が高いほど結合性が高まることとなる。
【０１２４】
本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０に塗布された潤滑剤に対する加熱によってボンド率を調整して、上記のようなボンド率の分布を有するボンド層２２２が生成される。
【０１２５】
ここで、まず、この本実施形態のボンド率調整過程に先立って、この本実施形態のボンド率調整過程と対比するための比較例について説明する。この比較例は、ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する例である。
【０１２６】
図１３は、ボンド率が均一なボンド層を加熱によって生成する比較例を示す図である。
【０１２７】
この図１３の比較例では、潤滑剤が塗布された本体部２１０が、内部温度が一様に保たれた炉５３０の中に配置されて加熱が行われる。
【０１２８】
ここで、加熱は、この潤滑剤の粘性を高める。その結果、この粘性が高められた潤滑剤と本体部２１０との結合性が、潤滑剤の塗布膜全体で高まる。そして、本体部２１０との結合性が高まった潤滑剤のうち本体部２１０と接触している側が本体部２１０と結合してボンド層となる。一方、本体部２１０から離れた箇所の潤滑剤は、この本体部２１０に対してまだ流動性を有していてフリー層となる。また、加熱温度が高いほど潤滑剤の粘性が高まり本体部２１０と潤滑剤との結合性が高まるので、この加熱温度が高いほどボンド率が大きくなる。
【０１２９】
図１３の比較例では、潤滑剤が一様な温度で加熱されるため、以下に示すように、ボンド率も一様なものとなる。
【０１３０】
図１４は、図１３の比較例で得られるボンド率の一様な分布を示すグラフである。
【０１３１】
この図１４のグラフＧ８では、横軸に上述の半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ８には、図１３の比較例で得られるボンド層におけるボンド率の分布を実線で示す第１１ラインＬ１１が記載されている。この第１１ラインＬ１１の形状が示すように、一様な温度での加熱によればボンド率が一様となる。
【０１３２】
これに対し、本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０上の潤滑剤に対して、加熱温度が後述のように分布した状態での加熱が行われる。
【０１３３】
図１５は、第２実施形態のボンド率調整過程の詳細を示す図である。
【０１３４】
この第２実施形態のボンド率調整過程では、表裏面に潤滑剤が塗布された本体部２１０を挟む２枚の円板形状のヒータ５４０を使って、潤滑剤の加熱が行われる。
【０１３５】
このヒータ５４０は、このヒータ５４０が本体部２１０に中心を合わせて重ねられたときに、半径率が「８０％」の箇所の近傍に重なるリング状の第１発熱部分５４１と、この第１発熱部分５４１以外の部分を占める第２発熱部分５４２とで構成されている。そして、各発熱部分に電圧が印加され、各発熱部分がその印加電圧に応じた温度で発熱する。
【０１３６】
ここで、このヒータ５４０では、ボンド率調整過程において、第１発熱部分５４１に、第２発熱部分５４２よりも大きな電圧が印加される。その結果、このヒータ５４０の、潤滑剤に対する加熱時の加熱面温度は、次のような分布を示すこととなる。
【０１３７】
図１６は、図１５のヒータにおける加熱時の加熱面温度の分布を示すグラフである。
【０１３８】
この図１６のグラフＧ９では、横軸に半径率がとられ、縦軸にヒータの加熱面温度がとられている。そして、このグラフＧ９には、ヒータ５４０における加熱時の加熱面温度の分布を実線で示す第１２ラインＬ１２が記載されている。
【０１３９】
この第１２ラインＬ１２の形状から分かるように、加熱時には、上記の第１発熱部分５４１の温度が、他の第２発熱部分５４２の温度よりも大きくなる。
【０１４０】
そして、潤滑剤を塗布された本体部２１０における被加熱面温度は、このような温度分布となったヒータ５４０で加熱されることで、次のような分布を示すこととなり、その結果、その温度分布に応じてボンド率が分布したボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１４１】
図１７は、加熱による本体部の被加熱面温度の分布と、その加熱によって生成されるボンド層におけるボンド率の分布を示すグラフである。
【０１４２】
この図１７のパート（ａ）には、加熱による本体部２１０の被加熱面温度の分布を示すグラフＧ１０が示されている。
【０１４３】
このパート（ａ）のグラフＧ１０では、横軸に半径率がとられ、縦軸に本体部２１０の被加熱面温度がとられている。そして、このグラフＧ１０には、本体部２１０の被加熱面温度の分布を実線で示す第１３ラインＬ１３が記載されている。
【０１４４】
また、図１７のパート（ｂ）には、加熱によって生成されるボンド層２２２のボンド率の分布を示すグラフＧ１１が示されている。
【０１４５】
このパート（ｂ）のグラフＧ１１では、横軸に半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ１１には、ボンド率の分布を実線で示す第１４ラインＬ１４が記載されている。
【０１４６】
上記の第１３ラインＬ１３の形状と第１４ラインＬ１４の形状との比較から分かるように、ボンド率の分布、即ち、ボンド率の分布は、本体部２１０の被加熱面温度の分布に対応する。さらに、第１３ラインＬ１３が示す被加熱面温度の分布の極大の位置と大きさは、図１６のグラフＧ９の第１２ラインＬ１２が示すヒータ５４０の加熱面温度の分布の極大の位置と大きさに対応する。そして、このヒータ５４０の加熱面温度の分布の極大の位置と大きさは、このヒータ５４０の第１発熱部分５４１の位置と印加電圧の大きさに対応する。
【０１４７】
本実施形態のボンド率調整過程では、ボンド率を高くするべき所望の位置に第１発熱部分５４１が配置されたヒータ５４０が用意される。そして、この第１発熱部分５４１にボンド率の極大の大きさに応じた印加電圧が印加される。また、第２発熱部分５４２には、ボンド率が所望形状に分布するように調整された印加電圧が印加される。これにより、ボンド率が、図１７のパート（ｂ）のグラフＧ１１に示すように分布するボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１４８】
このように、図１３の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、ヒータ５４０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【０１４９】
また、この本実施形態のボンド率調整過程では、本体部２１０の表裏面それぞれについて、ヒータ５４０の第１発熱部分５４１への印加電圧が適宜に調整される。これにより、ボンド率の分布の、図４に示すような、各磁気ディスク２００毎の相違、あるいは磁気ディスク２００の表裏面での相違が実現されることとなる。
【０１５０】
以上、説明したボンド率調整過程を経て製造される本実施形態の磁気ディスク２００でも、上述の第１実施形態と同様に、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制され、ＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑えられることはいうまでもない。
【０１５１】
また、この本実施形態のボンド率調整過程によれば、ヒータを用いた加熱という非常に簡単な方法でボンド率が所望の分布となったボンド層２２２が生成される。
【０１５２】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記潤滑剤が、被塗布面に塗布され加熱されるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、加熱温度が高いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、上記層生成過程が、以下の塗布過程と加熱過程とを有する形態となっている。塗布過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する過程である。また、加熱過程は、上記塗布過程で塗布された潤滑剤を、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている温度分布で加熱する過程である。
【０１５３】
図５に示す第１実施形態の潤滑剤塗布過程（ステップＳ１２０）と同等な本実施形態の潤滑剤塗布過程が、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。また、本実施形態のボンド率調整過程が、この応用形態における加熱過程の一例に相当する。
【０１５４】
次に第３実施形態について説明する。
【０１５５】
この第３実施形態は、磁気ディスク製造方法の処理の流れと、その磁気ディスク製造方法で行われるボンド率調整過程が上述の第１実施形態と異なっている。そこで、以下では、このボンド率調整過程に注目した説明を行う。
【０１５６】
尚、この第３実施形態のＨＤＤや磁気ディスクについては、いずれも上述の第１実施形態と同等であるのでここでは重複説明を省略する。また、以下では、第１実施形態の磁気ディスク２００を示す図２中の各構成要素を適宜に参照する。
【０１５７】
図１８は、第３実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートである。
【０１５８】
尚、この図１８では、図５の第１実施形態の磁気ディスク製造方法を示すフローチャートにおける過程と同等な過程については、この図５と同じ符号が付されている。以下では、この同等な過程についての重複説明を省略する。
【０１５９】
図１８のフローチャートに示すとおり、本実施形態の磁気ディスク製造方法では、次のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）が行われてから、本体部２１０に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）が行われる。
【０１６０】
また、本実施形態では、潤滑剤として、窒化処理が施された被塗布面に塗布されると被塗布面との結合性が高まる潤滑剤が使われる。そして、この潤滑剤では、被塗布面の窒化率が高いほど結合性が高まることとなる。
【０１６１】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、潤滑剤塗布前の本体部２１０に窒素ガスが吹き付けられて、表裏両面が窒化される窒化処理が行われる。この窒化処理で本体部２１０に浸透した窒素は、潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）で塗布される潤滑剤と強く結合する。このため、潤滑剤の膜中の、この窒素が浸透した本体部２１０との接触部側の部分に、潤滑剤が本体部２１０と結合したボンド層２２２が生じ、本体部２１０から離れたその他の部分が、流動性を有するフリー層２２１となる。また、本体部２１０に浸透した窒素の量が多いほど潤滑剤との結合性が高まるので、この窒素の量が多いほどボンド率が大きくなる。
【０１６２】
本実施形態では、本体部２１０に、窒化率が所望の分布となる窒化処理を施すことで、ボンド率の所望の分布が実現される。
【０１６３】
ここで、まず、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）に先立って、このボンド率調整過程（ステップＳ２１０）と対比するための比較例について説明する。この比較例は、厚みが均一なボンド層を窒化処理によって生成する例である。
【０１６４】
図１９は、ボンド率が均一なボンド層を窒化処理によって生成する比較例を示す図である。
【０１６５】
この図１９の比較例では、潤滑剤塗布前の本体部２１０が、内部に窒素ガスが満たされたチャンバ５５０内に配置される。そして、この本体部２１０に、電源５６０によって所定のバイアス電圧が印加される。すると、このバイアス電圧に引かれて、窒素粒子が、本体部２１０に一様に衝突する。その結果、この本体部２１０の表面が一様な窒化率で窒化することとなる。
【０１６６】
図２０は、図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部の表裏両面における窒化率の一様な分布と、その窒化率の分布に応じて生成されたボンド率の一様な分布とを示すグラフである。
【０１６７】
この図２０のパート（ａ）には、図１９の比較例の窒化処理で窒化された本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を示すグラフＧ１２が示されている。
【０１６８】
この図２０のパート（ａ）のグラフＧ１２では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率が取られている。そして、このグラフＧ１２には、本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を実線で示す第１５ラインＬ１５が記載されている。
【０１６９】
また、図２０のパート（ｂ）には、窒化率の分布に応じて生成されたボンド層２２２でのボンド率の一様な分布を示すグラフＧ１３が示されている。
【０１７０】
この図２０のパート（ｂ）のグラフＧ１３では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率が取られている。そして、このグラフＧ１３には、本体部２１０の表裏両面における窒化率の一様な分布を実線で示す第１５ラインＬ１５が記載されている。
【０１７１】
これに対し、図１８の本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、上述のように、本体部２１０に、窒化率が所望の分布となるように窒化処理を施すことで、ボンド率の所望の分布が実現される。そして、本実施形態では、その窒化率の分布が次のように実現されている。
【０１７２】
図２１は、本実施形態のボンド率調整過程で実行される窒化処理を示す図である。
【０１７３】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）で実行される窒化処理でも、潤滑剤塗布前の本体部２１０は、内部に窒素ガスが満たされたチャンバ５５０内に配置される。ただし、本実施形態では、このチャンバ５５０内に、２枚の金属製メッシュフィルタ５７０が本体部２１０を挟んで配置される。そして、本体部２１０には、本体部用電源５８０によって本体部用バイアス電圧が印加される。また、各金属製メッシュフィルタ５７０には、フィルタ用電源５９０によって本体部用バイアス電圧よりも低圧のフィルタ用バイアス電圧が印加される。
【０１７４】
本実施形態では、金属製メッシュフィルタ５７０は、円板形状を有している。そして、金属製メッシュフィルタ５７０には、この金属製メッシュフィルタ５７０が本体部２１０に中心を合わせて重ねられたときに、半径率が「８０％」の箇所の近傍に重なるリング状のスリットが空けられている。
【０１７５】
本実施形態では、窒素粒子は、本体部用バイアス電圧に引かれて本体部２１０に向かうが、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットを通過するものを除いて、この金属製メッシュフィルタ５７０でほとんどトラップされる。その結果、本体部２１０の表裏面での窒化率は、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットに対向する箇所で高く、他の箇所で低くなる。これにより、本体部２１０の表裏面における窒化率が次のように分布し、その後の潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）でその窒化率の分布に応じてボンド率が分布したボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１７６】
図２２は、本実施形態における窒化率の分布と、その窒化率の分布に応じたボンド率の分布とを示すグラフである。
【０１７７】
この図２２のパート（ａ）には、本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）での窒化処理による窒化率の分布を示すグラフＧ１４が示されている。
【０１７８】
この図２２のパート（ａ）のグラフＧ１４では、横軸に半径率がとられ、縦軸に窒化率がとられている。そして、このグラフＧ１４には、窒化率の分布を実線で示す第１７ラインＬ１７が記載されている。
【０１７９】
また、図２２のパート（ｂ）には、上記のパート（ａ）のグラフＧ１４に示す窒化率の分布に応じたボンド率の分布を示すグラフＧ１５が示されている。
【０１８０】
この図２２のパート（ｂ）のグラフＧ１５では、横軸に半径率がとられ、縦軸にボンド率がとられている。そして、このグラフＧ１５には、ボンド率の分布を実線で示す第１８ラインＬ１８が記載されている。
【０１８１】
上記のパート（ａ）のグラフＧ１４に示すように、窒化率の分布には、金属製メッシュフィルタ５７０のスリットに対向する箇所に極大が生じる。そして、パート（ｂ）のグラフＧ１５に示すように、そのような窒化率の極大に応じた箇所にボンド率の極大が生じることとなる。
【０１８２】
ここで、上記のフィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧との差が大きいほど窒化率の極大、延いてはボンド率の極大が鮮明となる。逆に、両者の差が小さいほど窒化率およびボンド率の分布は均一なものに近付く。さらに、フィルタ用バイアス電圧が大きいほど窒化率およびボンド率の極大の大きさが大きくなる。
【０１８３】
本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、ボンド率を高くするべき所望の位置にスリットが設けられた金属製メッシュフィルタ５７０が用意される。そして、ボンド率が所望の分布となるように調整されたフィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧とが、それぞれ金属製メッシュフィルタ５７０と本体部２１０に印加される。これにより、ボンド率が所望の分布となったボンド層２２２が生成されることとなる。
【０１８４】
また、この本実施形態のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）では、本体部２１０の表裏面それぞれで、フィルタ用バイアス電圧と本体部用バイアス電圧とが適宜に調整される。これにより、ボンド率の分布の、図４に示すような、各磁気ディスク２００毎の相違、あるいは磁気ディスク２００の表裏面での相違が実現されることとなる。
【０１８５】
このように、図１９の比較例ではボンド率が一様となるのに対し、本実施形態では、金属製メッシュフィルタ５７０を用いることで、ボンド率の分布が所望の分布となったボンド層２２２を得ることができる。
【０１８６】
以上、説明した図１８の磁気ディスク製造方法で製造される本実施形態の磁気ディスク２００でも、上述の第１実施形態と同様に、潤滑剤マイグレーションで移動する潤滑剤の量が抑制され、ＨＤＩ障害やＲＷ障害の発生が抑えられることはいうまでもない。
【０１８７】
また、この本実施形態の磁気ディスク製造方法によれば、潤滑剤が本体部２１０に塗布される前に、将来生成されるボンド層２２２におけるボンド率の分布が調整される。このため、その調整中に、接触等によって潤滑剤が取れてしまう等といった不注意による事故の発生が確実に回避されることとなる。
【０１８８】
このことは、上述の記憶媒体製造方法の基本形態に対し、以下のような応用形態が好適であることを意味している。この応用形態は、上記潤滑剤が、窒化処理が施された被塗布面に塗布されるとその被塗布面とその潤滑剤との結合性が高まる、その被塗布面の窒化率が高いほどその結合性が高まるものとなっている。そして、上記層生成過程が、次の窒化過程と塗布過程とを有する過程であるという形態となっている。窒化過程は、上記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に対し、上記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている窒化率分布で窒化処理を行う過程である。また、塗布過程は、上記窒化処理が施された面に潤滑剤を塗布する過程である。
【０１８９】
図１８のボンド率調整過程（ステップＳ２１０）は、この応用形態における窒化過程の一例に相当する。また、この図１８の潤滑剤塗布過程（ステップＳ２２０）は、この応用形態における塗布過程の一例に相当する。
【０１９０】
尚、上記では、磁気ディスクの潤滑膜において、半径率で「８０％」の箇所にボンド率の極大が生じる実施形態を例示したが、基本形態について上述した記憶媒体、情報記憶装置、記憶媒体製造方法の実施形態はこれに限るものではない。これらの実施形態は、潤滑剤マイグレーションによって生じるであろう潤滑膜の膜厚変化に応じ、半径率で「８０％」の箇所以外の箇所にボンド率の極大が生じる形態であっても良い。
【０１９１】
また、上記では、基本形態について上述した記憶媒体、情報記憶装置、記憶媒体製造方法の実施形態として、磁気ディスク、ＨＤＤ、磁気ディスク製造方法を例示したが、上記の実施形態はこれらに限るものではない。記憶媒体の実施形態は、例えば、ＳＩＬを用いたヘッドによって情報記録や情報再生が行われる光磁気ディスク等であっても良い。また、情報記憶装置の実施形態は、例えば、このような光磁気ディスクに対して情報記録や情報再生を行う光磁気ディスクドライブ等であっても良い。さらに、記憶媒体製造方法の実施形態は、例えば、このような光磁気ディスクを製造する光磁気ディスク製造方法等であっても良い。
【０１９２】
以下、上述した基本形態を含む種々の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１９３】
（付記１）
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、
潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、
前記ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっていることを特徴とする記憶媒体。
【０１９４】
（付記２）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする付記１記載の記憶媒体。
【０１９５】
（付記３）
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている記憶媒体と、
前記記憶媒体に対して情報記憶及び／又は情報再生を実行するヘッドとを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【０１９６】
（付記４）
前記ボンド層および前記フリー層が前記本体部の表裏両面に設けられているものであり、
前記記憶媒体が、互いに間隔を空けて複数枚重ねられたものであって、その重ねられた複数の記憶媒体のうちの両端の記憶媒体では、重なりの外側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の前記極大が、該重なりの内側を向いた面に結合したボンド層におけるボンド率の前記極大よりも大きいものであることを特徴とする付記３記載の情報記憶装置。
【０１９７】
（付記５）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする付記３又は４記載の情報記憶装置。
【０１９８】
（付記６）
円板形状を有し情報を記憶する本体部を準備する本体部準備過程と、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、該潤滑剤の塗布膜中に、その塗布された面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層中の潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤からなるフリー層とを、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となるように生成させる層生成過程とを有することを特徴とする記憶媒体製造方法。
【０１９９】
（付記７）
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該紫外線の照射量が多いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、前記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する紫外線照射過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２００】
（付記８）
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され加熱されると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、加熱温度が高いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤を、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている温度分布で加熱する加熱過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２０１】
（付記９）
前記潤滑剤が、窒化処理が施された被塗布面に塗布されると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該被塗布面の窒化率が高いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に対し、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている窒化率分布で窒化処理を行う窒化過程と、
前記窒化処理が施された面に潤滑剤を塗布する塗布過程とを有する過程であることを特徴とする付記６記載の記憶媒体製造方法。
【０２０２】
（付記１０）
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚を、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚を、該途中からの膜厚よりも薄くする膜厚調整過程をさらに有することを特徴とする付記６から９のうちいずれか１項記載の記憶媒体製造方法。
【０２０３】
（付記１１）
前記膜厚調整過程が、前記潤滑剤の膜のうち前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜部分について潤滑剤を拭き取って減らす過程であることを特徴とする付記１０記載の記憶媒体製造方法。
【符号の説明】
【０２０４】
１００ ハードディスク装置
１０１ ディスク軸
１０２ ハウジング
１０３ カバー
１１０ スイングアーム
１１１ ベアリング
１２０ アクチュエータ
１３０ 制御回路
１４０ 磁気ヘッド
２００ 磁気ディスク
２１０ 本体部
２２０ 潤滑膜
２２１ フリー層
２２２ ボンド層
５１０ ＵＶ照射機
５２０ ＵＶフィルター
５３０ 炉
５４０ ヒータ
５４１ 第１発熱部分
５４２ 第２発熱部分
５５０ チャンバ
５６０ 電源
５７０ 金属製メッシュフィルタ
５８０ 本体部用電源
５９０ フィルタ用電源
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、
潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、
前記ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする請求項１記載の記憶媒体。
【請求項３】
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている記憶媒体と、
前記記憶媒体に対して情報記憶及び／又は情報再生を実行するヘッドとを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項４】
円板形状を有し情報を記憶する本体部を準備する本体部準備過程と、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、該潤滑剤の塗布膜中に、その塗布された面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層中の潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤からなるフリー層とを、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となるように生成させる層生成過程とを有することを特徴とする記憶媒体製造方法。
【請求項５】
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該紫外線の照射量が多いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、前記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する紫外線照射過程とを有する過程であることを特徴とする請求項４記載の記憶媒体製造方法。
【請求項１】
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、
潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、
前記ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜は、前記最外周から前記中央に向かう途中までの膜厚が該途中からの膜厚よりも薄いものであることを特徴とする請求項１記載の記憶媒体。
【請求項３】
円板形状を有し情報を記憶する本体部と、潤滑剤で形成され、前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層を形成している潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤で形成されたフリー層とを備え、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となっている記憶媒体と、
前記記憶媒体に対して情報記憶及び／又は情報再生を実行するヘッドとを備えたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項４】
円板形状を有し情報を記憶する本体部を準備する本体部準備過程と、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布し、該潤滑剤の塗布膜中に、その塗布された面に結合したボンド層と、該ボンド層を覆う、該ボンド層中の潤滑剤の流動性よりも高い流動性を有する潤滑剤からなるフリー層とを、前記ボンド層と前記フリー層とを合わせた潤滑剤の膜の膜厚に対する該ボンド層の厚みの比率を示すボンド率が、前記円板形状の最外周から中央に向かう途中において極大となるように生成させる層生成過程とを有することを特徴とする記憶媒体製造方法。
【請求項５】
前記潤滑剤が、被塗布面に塗布され紫外線の照射を受けると該被塗布面と該潤滑剤との結合性が高まる、該紫外線の照射量が多いほど該結合性が高まるものであり、
前記層生成過程が、
前記本体部の表裏両面のうちの少なくとも一方の面に潤滑剤を塗布する塗布過程と、
前記塗布過程で塗布された潤滑剤に紫外線を、前記円板形状の面の最外周から中央に向かう途中において極大となっている照射量分布で照射する紫外線照射過程とを有する過程であることを特徴とする請求項４記載の記憶媒体製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【公開番号】特開２０１０−２０５３５０（Ｐ２０１０−２０５３５０Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５１１１１（Ｐ２００９−５１１１１）
【出願日】平成２１年３月４日（２００９．３．４）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月４日（２００９．３．４）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
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