記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法
【課題】一様な膜厚の潤滑膜を維持することができる記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法を提供する。
【解決手段】記憶装置１１は、表面に潤滑膜５３を有する記憶媒体１４を備える。ヘッドスライダ２２は媒体対向面３４で記憶媒体１４の表面に向き合わせられる。ヘッドスライダ２２には媒体対向面３４から潤滑膜５３に熱を作用させる発熱体４８が組み込まれる。発熱体４８から記憶媒体１４上の潤滑膜５３に熱が作用すると、潤滑膜５３の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜５３の粘性は低下する。潤滑膜５３の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。こうして潤滑膜５３の表面は平滑化される。潤滑膜５３の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３の表面の平滑化は促進される。
【解決手段】記憶装置１１は、表面に潤滑膜５３を有する記憶媒体１４を備える。ヘッドスライダ２２は媒体対向面３４で記憶媒体１４の表面に向き合わせられる。ヘッドスライダ２２には媒体対向面３４から潤滑膜５３に熱を作用させる発熱体４８が組み込まれる。発熱体４８から記憶媒体１４上の潤滑膜５３に熱が作用すると、潤滑膜５３の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜５３の粘性は低下する。潤滑膜５３の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。こうして潤滑膜５３の表面は平滑化される。潤滑膜５３の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３の表面の平滑化は促進される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体を備える記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の磁気ディスクは、記録磁性膜上に積層される保護膜を備える。保護膜には例えば硬質のダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が用いられる。保護膜の表面には潤滑膜が塗布される。潤滑膜には例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜が用いられる。ゼロキャリブレーション時、浮上ヘッドスライダでは電熱線の発熱に基づき局所的な熱膨張が生じ、媒体対向面に突き出し部が形成される。突き出し部は磁気ディスクの表面に接触する。このとき、潤滑膜は突き出し部および磁気ディスクの間で接触の摩擦を低減させることができる。
【特許文献１】特開平６−２９５５７９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６２１３１号公報
【特許文献３】特開平８−２７９１２０号公報
【特許文献４】特開平１０−３２０７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ゼロキャリブレーション時、突き出し部は磁気ディスクのダウントラック方向に磁気ディスクの表面を摺動する。その結果、潤滑膜にはダウントラック方向に摺動痕が形成される。摺動痕に基づき潤滑膜の膜厚は減少する。同時に、摺動に基づき摺動痕の脇に潤滑膜は押しやられる。潤滑膜の膜厚は増大する。こうして潤滑膜の表面に起伏が形成される。こうした起伏に沿って浮上ヘッドスライダが浮上すると、浮上ヘッドスライダでは振動が引き起こされる。こうした振動は磁気情報の正確な書き込みや読み出しに悪影響を及ぼす。しかも、摺動痕に基づき潤滑膜の摩擦低減の効果は損なわれる。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、一様な膜厚の潤滑膜を維持することができる記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする。
【０００６】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる発熱体から記憶媒体上の潤滑膜に熱が作用する。熱の作用に基づき潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体の発熱に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【０００７】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする。
【０００８】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる照射源から記憶媒体上の潤滑膜に電磁波が照射される。電磁波の照射に基づき潤滑膜は加熱される。潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして電磁波の照射に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【０００９】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする。
【００１０】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる照射源から記憶媒体上の潤滑膜にレーザが照射される。レーザの照射に基づき潤滑膜は加熱される。潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうしてレーザの照射に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【００１１】
上記目的を達成するために、潤滑膜の膜厚の調整方法は、記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする。
【００１２】
こうした調整方法によれば、記憶媒体上の潤滑膜に加熱処理が施される。加熱処理に基づき潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法は一様な膜厚の潤滑膜を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１５】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このハードディスク駆動装置１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１６】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性膜では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。
【００１７】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１８】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１９】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００２０】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２１】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２２】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。磁気情報すなわち２値情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、２値情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００２３】
図２は第１具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。
【００２４】
浮上ヘッドスライダ２２は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２５】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアセンターレール３８が形成される。リアセンターレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３８はスライダ本体３１から素子内蔵膜３２まで延びる。
【００２６】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対のリアサイドレール３９、３９がさらに形成される。リアサイドレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、リアサイドレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。リアサイドレール３９、３９同士の間にリアセンターレール３８は配置される。
【００２７】
フロントレール３７、リアセンターレール３８およびリアサイドレール３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２８】
空気軸受け面４２の空気流出側でリアセンターレール３８には電磁変換素子３３が埋め込まれる。図３に示されるように、電磁変換素子３３は読み出し素子４５および書き込み素子４６を備える。読み出し素子４５および書き込み素子４６の間にはアクチュエータすなわちヒータ４７が組み込まれる。ヒータ４７は例えば電熱線から形成される。ヒータ４７に電力が供給されると、ヒータ４７は発熱する。ヒータ４７の熱でヒータ４７とともに読み出し素子４５や書き込み素子４６、素子内蔵膜３２は熱膨張する。その結果、図４に示されるように、空気軸受け面４２で素子内蔵膜３２やスライダ本体３１は隆起する。いわゆる突き出し部が形成される。読み出し素子４５および書き込み素子４６は磁気ディスク１４に向かって変位する。
【００２９】
その一方で、図３および図４に示されるように、空気軸受け面４１でフロントレール３７には発熱体４８が埋め込まれる。発熱体４８は例えばコイルから形成される。発熱体４８に電力が供給されると、発熱体４８は発熱する。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、発熱体４８の熱は浮上ヘッドスライダ２２の空気軸受け面４１から磁気ディスク１４に向かって作用する。ここでは、発熱体４８の発熱量の設定に基づき磁気ディスク１４の表面は例えば１００℃程度の温度まで加熱される。
【００３０】
磁気ディスク１４は記録磁性膜５１を備える。記録磁性膜５１ではダウントラック方向に並列に延びる複数筋の記録トラックが確立される。記録磁性膜５１では磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸は確立される。その結果、磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に上向きの磁化または下向きの磁化が確立される。こうして記録磁性膜５１に２値情報が記録される。記録磁性層５１の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜５２およびパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜５３で被覆される。ここでは、潤滑膜５３には例えばFomblin Zdol 2000が用いられる。こうした磁気ディスク１４は例えばビットパターンドメディアやディスクリートトラックメディアを構成してもよい。
【００３１】
読み出し素子４５には例えばトンネル接合磁気抵抗効果（ＴｕＭＲ）素子が用いられる。トンネル接合磁気抵抗効果素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から２値情報は読み出される。書き込み素子４６には例えば単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで記録磁界を生成する。この記録磁界の働きで磁気ディスク１４に２値情報は書き込まれる。電磁変換素子３３は素子内蔵膜３２の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。なお、空気軸受け面４２の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜３２の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ膜が用いられればよい。
【００３２】
図５に示されるように、ヘッドＩＣ２７にはプリアンプ回路５５、電流供給回路５６および電力供給回路５７が組み込まれる。プリアンプ回路５５は読み出し素子４５に接続される。プリアンプ回路５５から読み出し素子４５に向かってセンス電流は供給される。センス電流の電流値は一定値に維持される。電流供給回路５６は書き込み素子４６に接続される。電流供給回路５６から書き込み素子４６に書き込み電流は供給される。供給された書き込み電流に基づき書き込み素子４６で磁界が生成される。電力供給回路５７はヒータ４７および発熱体４８に接続される。電力供給回路５７はヒータ４７および発熱体４８に所定の電力を供給する。電力の供給に応じてヒータ４７および発熱体４８は発熱する。ヒータ４７および発熱体４８の温度は電力量で決定される。
【００３３】
ヘッドＩＣ２７には制御回路（ハードディスクコントローラ）５８が接続される。制御回路５８はヘッドＩＣ２７に対してセンス電流や書き込み電流、電力の供給を指示する。同時に、制御回路５８はセンス電流の電圧を検知する。検知に先立ってプリアンプ回路５５はセンス電流の電圧を増幅する。制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力に基づき２値情報を判別する。同時に、制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力に基づき電圧値の「揺れ」を検知する。例えば前述の突き出し部が磁気ディスク１４に接触すると、浮上ヘッドスライダ２２は微小な振動に曝される。このとき、センス電流の電圧値には「揺れ」が生じる。こういった「揺れ」が制御回路５８で検出される。同時に、制御回路５８はアコースティックエミッション（ＡＥ）センサ５９に接続される。ＡＥセンサ５９は突き出し部および磁気ディスク１４の接触に基づき浮上ヘッドスライダ２２の振動を検出する。
【００３４】
この制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムに従ってプリアンプ回路５５、電流供給回路５６および電力供給回路５７の動作を制御する。ソフトウェアプログラムは例えばメモリ６１に格納されればよい。こういったソフトウェアプログラムに基づき後述のゼロキャリブレーションおよび潤滑膜５３の膜厚の調整処理は実施される。実施にあたって必要なデータは同様にメモリ６１に格納されればよい。メモリ６１には他の記憶媒体からソフトウェアプログラムやデータが移行されればよい。制御回路５８やメモリ６１は例えば回路基板２９上に実装される。ＡＥセンサ５９は例えばキャリッジブロック１７上に実装される。
【００３５】
このＨＤＤ１１では２値情報の読み出しや書き込みに先立って書き込み素子４６の突き出し量が設定される。この突き出し量の設定にあたってゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、突き出し部が磁気ディスク１４に接触する際に突き出し部の突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し部の突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出し部の突き出し量が設定されると、電磁変換素子３３すなわち書き込み素子４６は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４の表面から浮上することができる。こういったゼロキャリブレーションは例えばＨＤＤ１１の起動のたびに実施されればよい。
【００３６】
ゼロキャリブレーションの実施にあたって制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路５８はＨＤＤ１１の初期設定を実施する。この初期設定で制御回路５８はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。同時に、制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。加えて、制御回路５８はヘッドＩＣ２７に電流を供給する。制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力を監視する。すなわち、制御回路５８はセンス電流の電圧値を観察する。このとき、電力供給回路５７は電力の供給を保留する。
【００３７】
初期設定が完了すると、制御回路５８は電力供給回路５７に指令信号を供給する。制御回路５８は規定の増加量で突き出し部の突き出し量を増加させる。指令信号の受信に応じて電力供給回路５７は増加後の突き出し量に見合った電力量の電力をヒータ４７に供給する。電力量は例えば書き込み素子４６の線膨張係数に基づき予め設定されればよい。こうして突き出し部の突き出し量が増加すると、制御回路５８は突き出し部および磁気ディスク１４の「接触」を判定する。判定にあたって制御回路５８はセンス電流の電圧値に出現する前述の「揺れ」の有無を観察する。こうして「揺れ」が観察されるまで、制御回路５８は規定の増加量で突き出し部の突き出し量を増加させる。その結果、突き出し部は磁気ディスク１４に接触する。「揺れ」が観察される。制御回路５８は突き出し部および磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路５８は接触時の突き出し部の突き出し量を特定する。特定された突き出し量は例えばメモリ６１に保存される。こうしてゼロキャリブレーションは完了する。
【００３８】
次に、本発明に係る潤滑膜５３の膜厚の調整方法を説明する。ＨＤＤ１１の工場出荷に先立って、突き出し部および磁気ディスク１４の接触時にＡＥセンサ５９の出力が計測される。工場出荷前の磁気ディスク１４では磁気ディスク１４の表面の全面にわたって潤滑膜５３は一様に規定値の膜厚を有する。所定の回転速度で回転する磁気ディスク１４の表面に突き出し部が接触する。回転速度は例えば５４００ｒｐｍに設定される。図６に示されるように、ＡＥセンサ５９から所定の出力が検出される。このとき、磁気ディスク１４のダウントラック方向に例えば７周分の出力の平均値が計測される。保護膜５２の表面では潤滑膜５３は下層のボンド層と上層のモバイル層とに分けられる。ボンド層には保護膜５２の表面に固着するボンド分子が含まれる。モバイル層はボンド層の表面で流動的なモバイル分子を含む。前述のＡＥセンサ５９の出力では、突き出し部へのモバイル分子のまとわりつきに基づき複数の大きなピークが検出される。この出力は基準値としてメモリ６１に格納される。
【００３９】
前述のゼロキャリブレーションの実施時、突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。同様に、浮上ヘッドスライダ２２の浮上時、突き出し部は磁気ディスク１４の表面に偶発的に接触する。このとき、突き出し部はダウントラック方向に磁気ディスク１４上を摺動する。突き出し部は例えば複数の記録トラック上を同時に摺動する。こうした摺動の結果、図７に示されるように、磁気ディスク１４の表面でダウントラック方向に摺動痕６２が生成される。摺動痕６２に基づき潤滑膜５３の膜厚は規定値から減少する。その一方で、例えば摺動痕６２の脇に潤滑膜５３は押しやられる。その結果、摺動痕６２の脇で潤滑膜５３の膜厚は規定値から増大する。こうして潤滑膜５３の表面に起伏が生じる。磁気ディスク１４上で潤滑膜５３の膜厚に不均一が生じる。
【００４０】
調整処理の実施にあたって、制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路５８はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。回転速度は例えば５４００ｒｐｍに設定される。同時に、制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。このとき、電力供給回路５７はヒータ４７に所定量の電力を供給する。こうして突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。制御回路５８はＡＥセンサ５９の出力を監視する。
【００４１】
浮上ヘッドスライダ２２は、磁気ディスク１４上で所定のクロストラック方向位置に位置決めされる。ここでは、浮上ヘッドスライダ２２は例えば磁気ディスク１４の最内周位置に配置される。スピンドルモータ１５の回転軸回りに例えば７周にわたって突き出し部は磁気ディスク１４に接触し続ける。このとき、７周分にわたるＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。その後、浮上ヘッドスライダ２２は最内周位置から外周側位置にずれて位置決めされる。外周側位置で同様にＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。こうして磁気ディスク１４のすべてのクロストラック方向位置でＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。出力はメモリ６１に格納される。こうした出力の平均値は潤滑膜５３の膜厚に応じて変化する。例えば潤滑膜５３の膜厚が規定値より薄い場合、図８に示されるように、１つのピークが出現する。潤滑膜５３のまとわりつきの減少に基づき浮上ヘッドスライダ２２の振動が減少する。その結果、出力のピークの数は減少する。例えば潤滑膜５３の膜厚が規定値より厚い場合、多くのピークが出現する。こうしてＡＥセンサ５９の出力は潤滑膜５３の膜厚に応じて変化する。
【００４２】
出力の検出後、電力供給回路５７からヒータ４７に電力の供給は停止される。突き出し部の突き出し量は減少する。その後、制御回路５８は、メモリ６１に格納される出力に基づき磁気ディスク１４のクロストラック方向位置で例えば膜厚の減少した損傷位置を特定する。制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、図９に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２の発熱体４８は前述の損傷位置の脇で磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。
【００４３】
このとき、電力供給回路５７は発熱体４８に所定量の電力を供給する。発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３に熱が作用する。その結果、潤滑膜５３では例えば５０℃程度まで加熱される。こうして潤滑膜５３の粘度は低下する。潤滑膜５３の拡散係数は例えば加熱前の３倍程度まで上昇する。ここで、拡散係数は単位時間あたりの潤滑膜５３の拡散面積の増加速度を示す。拡散係数が高ければ高いほど潤滑膜５３は容易に拡散する。こうして、図１０に示されるように、潤滑膜５３では膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その結果、潤滑膜５３の表面で起伏は平滑化されていく。潤滑膜５３の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３の表面の平滑化は促進される。
【００４４】
発熱体４８に基づく加熱処理後、所定の時間が経過すると、浮上ヘッドスライダ２２は前述の損傷位置上に位置決めされる。このとき、電力供給回路５７はヒータ４７に所定量の電力を供給する。こうして突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。制御回路５８はＡＥセンサ５９の出力を監視する。前述と同様に、例えば７周分にわたるＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。制御回路５８は、検出された出力と前述の基準値とを比較する。すべての損傷位置の出力が、例えば基準位置を含む所定の範囲内に含まれれば、潤滑膜５３の膜厚の調整処理は終了する。その一方で、いずれかの損傷位置の出力が、例えば基準値を含む所定の範囲外に含まれれば、当該損傷位置で前述の調整処理が再び実施される。こうして磁気ディスク１４上で潤滑膜５３の表面は確実に平坦化される。その結果、磁気ディスク１４上で一様な膜厚の潤滑膜５３が確実に維持される。調整処理の終了後、ＨＤＤ１１では通常の書き込み処理および読み出し処理が再開される。なお、こうした調整処理は、所定の期間毎に定期的に自動的に実施されてもよく、ＨＤＤ１１のユーザの指示に応じて不定期に実施されてもよい。例えばＨＤＤ１１が、潤滑膜５３の粘性を一層増大させる低温環境下に置かれる場合、こういった調整処理は特に顕著な効果を奏する。
【００４５】
図１１は本発明の第２具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ａの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａでは、前述の発熱体４８に代えて、空気軸受け面４１でフロントレール３７に照射源７１が埋め込まれる。照射源７１は浮上面３４から潤滑膜５３に向かってマイクロ波といった電磁波を照射する。こうした照射源７１は例えばコイルおよびコンデンサから形成される。照射源７１は前述の調整処理に用いられる。前述の損傷位置の脇で潤滑膜５３にマイクロ波が照射される。潤滑膜５３は加熱される。その結果、膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした構成によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４６】
図１２は本発明の第３具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ｂの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｂでは、前述の照射源７１に代えて、空気軸受け面４１でフロントレール３７に照射源７２が埋め込まれる。照射源７２は浮上面３４から潤滑膜５３に向かってレーザ光を照射する。こうした照射源７２には例えばレーザダイオード（ＬＤ）が用いられる。照射源７２は前述の調整処理に用いられる。前述の損傷位置の脇で潤滑膜５３にレーザ光が照射される。レーザ光の波長は例えば７２０ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲に設定される。こうしたレーザ光の出力の調整に基づき潤滑膜５３のレーザ光の照射点でキュリー温度よりも低い例えば１００℃程度の温度が実現される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした構成によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４７】
図１３は本発明の第４具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ｃの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｃでは、前述の照射源７２が空気軸受け面４２で電磁変換素子３３に隣接して埋め込まれる。この照射源７２ではレーザ光の波長は例えば４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲に設定される。制御回路５８は照射源７２の出力を変化させることができる。その一方で、磁気ディスク１４では記録磁性膜５１に所定の複合膜が用いられる。複合膜は、例えばＣｏ／Ｐｄ（コバルト−パラジウム）多層膜と、ＣｏＮｉ／Ｐｄ（コバルト−ニッケル−パラジウム）多層膜とから構成される。こうした複合膜のキュリー温度は例えば２００℃〜２５０℃の範囲に設定される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４８】
こうしたＨＤＤ１１では２値情報の書き込みにあたって熱アシスト方式が用いられる。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、照射源７２は出力の調整に基づき記録磁性膜５１に所定の出力でレーザ光を照射する。こうして記録磁性膜５１は加熱される。ここでは、記録磁性膜５１の温度はキュリー温度まで上昇する。その結果、記録磁性膜５１では強磁性体が常磁性体に転移する。記録磁性膜５１では保磁力が減少する。このとき、電磁変換素子３３の書き込み素子４６は記録磁性膜５１に２値情報を書き込む。書き込み後、記録磁性膜５１の温度が室温に戻ると、記録磁性膜５１の保磁力は増大する。記録磁性膜５１で２値情報は確実に保持される。
【００４９】
その一方で、前述の調整処理の実施にあたって、浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、照射源７２は出力の調整に基づき潤滑膜５３に所定の出力でレーザ光を照射する。こうして潤滑膜５３は加熱される。潤滑膜５３の温度はキュリー温度より十分に低い例えば１００℃まで上昇する。その結果、膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その結果、潤滑膜５３の表面で起伏は平滑化されていく。こうした調整処理の実施に基づき磁気ディスク１４上で一様な膜厚の潤滑膜５３が維持される。こうして浮上ヘッドスライダ２２では、２値情報の書き込み時と調整処理の実施時とで照射源７２の出力が調整される。
【００５０】
（付記１） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスラ イダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５１】
（付記２） 付記１に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５２】
（付記３） 付記２に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記発熱体を発熱させることを特徴とする記憶装置。
【００５３】
（付記４） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５４】
（付記５） 付記４に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５５】
（付記６） 付記５に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記照射源を駆動させることを特徴とする記憶装置。
【００５６】
（付記７） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５７】
（付記８） 付記７に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５８】
（付記９） 付記８に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記照射源を駆動させることを特徴とする記憶装置。
【００５９】
（付記１０） 記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【００６０】
（付記１１） 付記１０に記載の潤滑膜の膜厚の調整方法において、前記加熱処理に先立って、前記記憶媒体の表面で前記潤滑膜の減少を検出する工程をさらに備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】第１具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】浮上ヘッドスライダで突き出し部が形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図５】記憶装置の制御系を概略的に示すブロック図である。
【図６】アコースティックエミッション（ＡＥ）センサの出力を示すグラフである。
【図７】潤滑膜の表面に起伏が生成される様子を概略的に示す断面図である。
【図８】ＡＥセンサの出力を示すグラフである。
【図９】潤滑膜に向かって熱が作用する様子を概略的に示す図である。
【図１０】潤滑膜の表面で起伏が低減される様子を概略的に示す図である。
【図１１】第２具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【図１２】第３具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【図１３】第４具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１ 記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４ 記憶媒体（磁気ディスク）、２２ ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３４ 媒体対向面（浮上面）、４７ アクチュエータ（ヒータ）、４８ 発熱体、５３ 潤滑膜、５８ 制御部（制御回路）、７１ 照射源、７２ 照射源。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体を備える記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の磁気ディスクは、記録磁性膜上に積層される保護膜を備える。保護膜には例えば硬質のダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜が用いられる。保護膜の表面には潤滑膜が塗布される。潤滑膜には例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜が用いられる。ゼロキャリブレーション時、浮上ヘッドスライダでは電熱線の発熱に基づき局所的な熱膨張が生じ、媒体対向面に突き出し部が形成される。突き出し部は磁気ディスクの表面に接触する。このとき、潤滑膜は突き出し部および磁気ディスクの間で接触の摩擦を低減させることができる。
【特許文献１】特開平６−２９５５７９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６２１３１号公報
【特許文献３】特開平８−２７９１２０号公報
【特許文献４】特開平１０−３２０７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ゼロキャリブレーション時、突き出し部は磁気ディスクのダウントラック方向に磁気ディスクの表面を摺動する。その結果、潤滑膜にはダウントラック方向に摺動痕が形成される。摺動痕に基づき潤滑膜の膜厚は減少する。同時に、摺動に基づき摺動痕の脇に潤滑膜は押しやられる。潤滑膜の膜厚は増大する。こうして潤滑膜の表面に起伏が形成される。こうした起伏に沿って浮上ヘッドスライダが浮上すると、浮上ヘッドスライダでは振動が引き起こされる。こうした振動は磁気情報の正確な書き込みや読み出しに悪影響を及ぼす。しかも、摺動痕に基づき潤滑膜の摩擦低減の効果は損なわれる。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、一様な膜厚の潤滑膜を維持することができる記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする。
【０００６】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる発熱体から記憶媒体上の潤滑膜に熱が作用する。熱の作用に基づき潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体の発熱に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【０００７】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする。
【０００８】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる照射源から記憶媒体上の潤滑膜に電磁波が照射される。電磁波の照射に基づき潤滑膜は加熱される。潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして電磁波の照射に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【０００９】
上記目的を達成するために、記憶装置は、表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする。
【００１０】
こうした記憶装置では、ヘッドスライダに組み込まれる照射源から記憶媒体上の潤滑膜にレーザが照射される。レーザの照射に基づき潤滑膜は加熱される。潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうしてレーザの照射に基づき潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【００１１】
上記目的を達成するために、潤滑膜の膜厚の調整方法は、記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする。
【００１２】
こうした調整方法によれば、記憶媒体上の潤滑膜に加熱処理が施される。加熱処理に基づき潤滑膜の温度は上昇する。温度の上昇に基づき潤滑膜の粘性は低下する。潤滑膜の流動性は増大する。膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜は移動していく。こうして潤滑膜の表面は平滑化される。潤滑膜の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして潤滑膜の表面の平滑化は促進される。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、記憶装置および潤滑膜の膜厚の調整方法は一様な膜厚の潤滑膜を維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１５】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このハードディスク駆動装置１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１６】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性膜では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。
【００１７】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１８】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端にはフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。後述されるように、浮上ヘッドスライダ２２にはヘッド素子すなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１９】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００２０】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００２１】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このＶＣＭ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。
【００２２】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出し素子および書き込み素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８はフレキシブルプリント基板ユニット２５に接続される。磁気情報すなわち２値情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出し素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、２値情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込み素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板２９や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。
【００２３】
図２は第１具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。
【００２４】
浮上ヘッドスライダ２２は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。
【００２５】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアセンターレール３８が形成される。リアセンターレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３８はスライダ本体３１から素子内蔵膜３２まで延びる。
【００２６】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対のリアサイドレール３９、３９がさらに形成される。リアサイドレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、リアサイドレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。リアサイドレール３９、３９同士の間にリアセンターレール３８は配置される。
【００２７】
フロントレール３７、リアセンターレール３８およびリアサイドレール３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２８】
空気軸受け面４２の空気流出側でリアセンターレール３８には電磁変換素子３３が埋め込まれる。図３に示されるように、電磁変換素子３３は読み出し素子４５および書き込み素子４６を備える。読み出し素子４５および書き込み素子４６の間にはアクチュエータすなわちヒータ４７が組み込まれる。ヒータ４７は例えば電熱線から形成される。ヒータ４７に電力が供給されると、ヒータ４７は発熱する。ヒータ４７の熱でヒータ４７とともに読み出し素子４５や書き込み素子４６、素子内蔵膜３２は熱膨張する。その結果、図４に示されるように、空気軸受け面４２で素子内蔵膜３２やスライダ本体３１は隆起する。いわゆる突き出し部が形成される。読み出し素子４５および書き込み素子４６は磁気ディスク１４に向かって変位する。
【００２９】
その一方で、図３および図４に示されるように、空気軸受け面４１でフロントレール３７には発熱体４８が埋め込まれる。発熱体４８は例えばコイルから形成される。発熱体４８に電力が供給されると、発熱体４８は発熱する。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、発熱体４８の熱は浮上ヘッドスライダ２２の空気軸受け面４１から磁気ディスク１４に向かって作用する。ここでは、発熱体４８の発熱量の設定に基づき磁気ディスク１４の表面は例えば１００℃程度の温度まで加熱される。
【００３０】
磁気ディスク１４は記録磁性膜５１を備える。記録磁性膜５１ではダウントラック方向に並列に延びる複数筋の記録トラックが確立される。記録磁性膜５１では磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸は確立される。その結果、磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に上向きの磁化または下向きの磁化が確立される。こうして記録磁性膜５１に２値情報が記録される。記録磁性層５１の表面は、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜といった保護膜５２およびパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）膜といった潤滑膜５３で被覆される。ここでは、潤滑膜５３には例えばFomblin Zdol 2000が用いられる。こうした磁気ディスク１４は例えばビットパターンドメディアやディスクリートトラックメディアを構成してもよい。
【００３１】
読み出し素子４５には例えばトンネル接合磁気抵抗効果（ＴｕＭＲ）素子が用いられる。トンネル接合磁気抵抗効果素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から２値情報は読み出される。書き込み素子４６には例えば単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで記録磁界を生成する。この記録磁界の働きで磁気ディスク１４に２値情報は書き込まれる。電磁変換素子３３は素子内蔵膜３２の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。なお、空気軸受け面４２の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜３２の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ膜が用いられればよい。
【００３２】
図５に示されるように、ヘッドＩＣ２７にはプリアンプ回路５５、電流供給回路５６および電力供給回路５７が組み込まれる。プリアンプ回路５５は読み出し素子４５に接続される。プリアンプ回路５５から読み出し素子４５に向かってセンス電流は供給される。センス電流の電流値は一定値に維持される。電流供給回路５６は書き込み素子４６に接続される。電流供給回路５６から書き込み素子４６に書き込み電流は供給される。供給された書き込み電流に基づき書き込み素子４６で磁界が生成される。電力供給回路５７はヒータ４７および発熱体４８に接続される。電力供給回路５７はヒータ４７および発熱体４８に所定の電力を供給する。電力の供給に応じてヒータ４７および発熱体４８は発熱する。ヒータ４７および発熱体４８の温度は電力量で決定される。
【００３３】
ヘッドＩＣ２７には制御回路（ハードディスクコントローラ）５８が接続される。制御回路５８はヘッドＩＣ２７に対してセンス電流や書き込み電流、電力の供給を指示する。同時に、制御回路５８はセンス電流の電圧を検知する。検知に先立ってプリアンプ回路５５はセンス電流の電圧を増幅する。制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力に基づき２値情報を判別する。同時に、制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力に基づき電圧値の「揺れ」を検知する。例えば前述の突き出し部が磁気ディスク１４に接触すると、浮上ヘッドスライダ２２は微小な振動に曝される。このとき、センス電流の電圧値には「揺れ」が生じる。こういった「揺れ」が制御回路５８で検出される。同時に、制御回路５８はアコースティックエミッション（ＡＥ）センサ５９に接続される。ＡＥセンサ５９は突き出し部および磁気ディスク１４の接触に基づき浮上ヘッドスライダ２２の振動を検出する。
【００３４】
この制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムに従ってプリアンプ回路５５、電流供給回路５６および電力供給回路５７の動作を制御する。ソフトウェアプログラムは例えばメモリ６１に格納されればよい。こういったソフトウェアプログラムに基づき後述のゼロキャリブレーションおよび潤滑膜５３の膜厚の調整処理は実施される。実施にあたって必要なデータは同様にメモリ６１に格納されればよい。メモリ６１には他の記憶媒体からソフトウェアプログラムやデータが移行されればよい。制御回路５８やメモリ６１は例えば回路基板２９上に実装される。ＡＥセンサ５９は例えばキャリッジブロック１７上に実装される。
【００３５】
このＨＤＤ１１では２値情報の読み出しや書き込みに先立って書き込み素子４６の突き出し量が設定される。この突き出し量の設定にあたってゼロキャリブレーションが実施される。ゼロキャリブレーションでは、突き出し部が磁気ディスク１４に接触する際に突き出し部の突き出し量が測定される。こうした接触時の突き出し量に基づき読み出し時や書き込み時の突き出し部の突き出し量は設定される。こうして読み出し時や書き込み時に突き出し部の突き出し量が設定されると、電磁変換素子３３すなわち書き込み素子４６は予め決められた浮上量で磁気ディスク１４の表面から浮上することができる。こういったゼロキャリブレーションは例えばＨＤＤ１１の起動のたびに実施されればよい。
【００３６】
ゼロキャリブレーションの実施にあたって制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路５８はＨＤＤ１１の初期設定を実施する。この初期設定で制御回路５８はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。同時に、制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。加えて、制御回路５８はヘッドＩＣ２７に電流を供給する。制御回路５８はプリアンプ回路５５の出力を監視する。すなわち、制御回路５８はセンス電流の電圧値を観察する。このとき、電力供給回路５７は電力の供給を保留する。
【００３７】
初期設定が完了すると、制御回路５８は電力供給回路５７に指令信号を供給する。制御回路５８は規定の増加量で突き出し部の突き出し量を増加させる。指令信号の受信に応じて電力供給回路５７は増加後の突き出し量に見合った電力量の電力をヒータ４７に供給する。電力量は例えば書き込み素子４６の線膨張係数に基づき予め設定されればよい。こうして突き出し部の突き出し量が増加すると、制御回路５８は突き出し部および磁気ディスク１４の「接触」を判定する。判定にあたって制御回路５８はセンス電流の電圧値に出現する前述の「揺れ」の有無を観察する。こうして「揺れ」が観察されるまで、制御回路５８は規定の増加量で突き出し部の突き出し量を増加させる。その結果、突き出し部は磁気ディスク１４に接触する。「揺れ」が観察される。制御回路５８は突き出し部および磁気ディスク１４の間で接触を判断する。制御回路５８は接触時の突き出し部の突き出し量を特定する。特定された突き出し量は例えばメモリ６１に保存される。こうしてゼロキャリブレーションは完了する。
【００３８】
次に、本発明に係る潤滑膜５３の膜厚の調整方法を説明する。ＨＤＤ１１の工場出荷に先立って、突き出し部および磁気ディスク１４の接触時にＡＥセンサ５９の出力が計測される。工場出荷前の磁気ディスク１４では磁気ディスク１４の表面の全面にわたって潤滑膜５３は一様に規定値の膜厚を有する。所定の回転速度で回転する磁気ディスク１４の表面に突き出し部が接触する。回転速度は例えば５４００ｒｐｍに設定される。図６に示されるように、ＡＥセンサ５９から所定の出力が検出される。このとき、磁気ディスク１４のダウントラック方向に例えば７周分の出力の平均値が計測される。保護膜５２の表面では潤滑膜５３は下層のボンド層と上層のモバイル層とに分けられる。ボンド層には保護膜５２の表面に固着するボンド分子が含まれる。モバイル層はボンド層の表面で流動的なモバイル分子を含む。前述のＡＥセンサ５９の出力では、突き出し部へのモバイル分子のまとわりつきに基づき複数の大きなピークが検出される。この出力は基準値としてメモリ６１に格納される。
【００３９】
前述のゼロキャリブレーションの実施時、突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。同様に、浮上ヘッドスライダ２２の浮上時、突き出し部は磁気ディスク１４の表面に偶発的に接触する。このとき、突き出し部はダウントラック方向に磁気ディスク１４上を摺動する。突き出し部は例えば複数の記録トラック上を同時に摺動する。こうした摺動の結果、図７に示されるように、磁気ディスク１４の表面でダウントラック方向に摺動痕６２が生成される。摺動痕６２に基づき潤滑膜５３の膜厚は規定値から減少する。その一方で、例えば摺動痕６２の脇に潤滑膜５３は押しやられる。その結果、摺動痕６２の脇で潤滑膜５３の膜厚は規定値から増大する。こうして潤滑膜５３の表面に起伏が生じる。磁気ディスク１４上で潤滑膜５３の膜厚に不均一が生じる。
【００４０】
調整処理の実施にあたって、制御回路５８は所定のソフトウェアプログラムを実行する。ソフトウェアプログラムが実行されると、制御回路５８はスピンドルモータ１５に駆動を命じる。磁気ディスク１４は所定の回転速度で回転する。回転速度は例えば５４００ｒｐｍに設定される。同時に、制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。このとき、電力供給回路５７はヒータ４７に所定量の電力を供給する。こうして突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。制御回路５８はＡＥセンサ５９の出力を監視する。
【００４１】
浮上ヘッドスライダ２２は、磁気ディスク１４上で所定のクロストラック方向位置に位置決めされる。ここでは、浮上ヘッドスライダ２２は例えば磁気ディスク１４の最内周位置に配置される。スピンドルモータ１５の回転軸回りに例えば７周にわたって突き出し部は磁気ディスク１４に接触し続ける。このとき、７周分にわたるＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。その後、浮上ヘッドスライダ２２は最内周位置から外周側位置にずれて位置決めされる。外周側位置で同様にＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。こうして磁気ディスク１４のすべてのクロストラック方向位置でＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。出力はメモリ６１に格納される。こうした出力の平均値は潤滑膜５３の膜厚に応じて変化する。例えば潤滑膜５３の膜厚が規定値より薄い場合、図８に示されるように、１つのピークが出現する。潤滑膜５３のまとわりつきの減少に基づき浮上ヘッドスライダ２２の振動が減少する。その結果、出力のピークの数は減少する。例えば潤滑膜５３の膜厚が規定値より厚い場合、多くのピークが出現する。こうしてＡＥセンサ５９の出力は潤滑膜５３の膜厚に応じて変化する。
【００４２】
出力の検出後、電力供給回路５７からヒータ４７に電力の供給は停止される。突き出し部の突き出し量は減少する。その後、制御回路５８は、メモリ６１に格納される出力に基づき磁気ディスク１４のクロストラック方向位置で例えば膜厚の減少した損傷位置を特定する。制御回路５８はＶＣＭ２３に駆動を命じる。キャリッジ１６は支軸１８回りで揺動する。その結果、図９に示されるように、浮上ヘッドスライダ２２の発熱体４８は前述の損傷位置の脇で磁気ディスク１４の表面に向き合わせられる。浮上ヘッドスライダ２２は所定の浮上高さで磁気ディスク１４から浮上する。
【００４３】
このとき、電力供給回路５７は発熱体４８に所定量の電力を供給する。発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３に熱が作用する。その結果、潤滑膜５３では例えば５０℃程度まで加熱される。こうして潤滑膜５３の粘度は低下する。潤滑膜５３の拡散係数は例えば加熱前の３倍程度まで上昇する。ここで、拡散係数は単位時間あたりの潤滑膜５３の拡散面積の増加速度を示す。拡散係数が高ければ高いほど潤滑膜５３は容易に拡散する。こうして、図１０に示されるように、潤滑膜５３では膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その結果、潤滑膜５３の表面で起伏は平滑化されていく。潤滑膜５３の膜厚は均一値に向かって調整される。こうして発熱体４８の発熱に基づき潤滑膜５３の表面の平滑化は促進される。
【００４４】
発熱体４８に基づく加熱処理後、所定の時間が経過すると、浮上ヘッドスライダ２２は前述の損傷位置上に位置決めされる。このとき、電力供給回路５７はヒータ４７に所定量の電力を供給する。こうして突き出し部は磁気ディスク１４の表面に接触する。制御回路５８はＡＥセンサ５９の出力を監視する。前述と同様に、例えば７周分にわたるＡＥセンサ５９の出力の平均値が検出される。制御回路５８は、検出された出力と前述の基準値とを比較する。すべての損傷位置の出力が、例えば基準位置を含む所定の範囲内に含まれれば、潤滑膜５３の膜厚の調整処理は終了する。その一方で、いずれかの損傷位置の出力が、例えば基準値を含む所定の範囲外に含まれれば、当該損傷位置で前述の調整処理が再び実施される。こうして磁気ディスク１４上で潤滑膜５３の表面は確実に平坦化される。その結果、磁気ディスク１４上で一様な膜厚の潤滑膜５３が確実に維持される。調整処理の終了後、ＨＤＤ１１では通常の書き込み処理および読み出し処理が再開される。なお、こうした調整処理は、所定の期間毎に定期的に自動的に実施されてもよく、ＨＤＤ１１のユーザの指示に応じて不定期に実施されてもよい。例えばＨＤＤ１１が、潤滑膜５３の粘性を一層増大させる低温環境下に置かれる場合、こういった調整処理は特に顕著な効果を奏する。
【００４５】
図１１は本発明の第２具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ａの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ａでは、前述の発熱体４８に代えて、空気軸受け面４１でフロントレール３７に照射源７１が埋め込まれる。照射源７１は浮上面３４から潤滑膜５３に向かってマイクロ波といった電磁波を照射する。こうした照射源７１は例えばコイルおよびコンデンサから形成される。照射源７１は前述の調整処理に用いられる。前述の損傷位置の脇で潤滑膜５３にマイクロ波が照射される。潤滑膜５３は加熱される。その結果、膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした構成によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４６】
図１２は本発明の第３具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ｂの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｂでは、前述の照射源７１に代えて、空気軸受け面４１でフロントレール３７に照射源７２が埋め込まれる。照射源７２は浮上面３４から潤滑膜５３に向かってレーザ光を照射する。こうした照射源７２には例えばレーザダイオード（ＬＤ）が用いられる。照射源７２は前述の調整処理に用いられる。前述の損傷位置の脇で潤滑膜５３にレーザ光が照射される。レーザ光の波長は例えば７２０ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲に設定される。こうしたレーザ光の出力の調整に基づき潤滑膜５３のレーザ光の照射点でキュリー温度よりも低い例えば１００℃程度の温度が実現される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした構成によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【００４７】
図１３は本発明の第４具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２ｃの構造を概略的に示す。この浮上ヘッドスライダ２２ｃでは、前述の照射源７２が空気軸受け面４２で電磁変換素子３３に隣接して埋め込まれる。この照射源７２ではレーザ光の波長は例えば４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲に設定される。制御回路５８は照射源７２の出力を変化させることができる。その一方で、磁気ディスク１４では記録磁性膜５１に所定の複合膜が用いられる。複合膜は、例えばＣｏ／Ｐｄ（コバルト−パラジウム）多層膜と、ＣｏＮｉ／Ｐｄ（コバルト−ニッケル−パラジウム）多層膜とから構成される。こうした複合膜のキュリー温度は例えば２００℃〜２５０℃の範囲に設定される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００４８】
こうしたＨＤＤ１１では２値情報の書き込みにあたって熱アシスト方式が用いられる。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、照射源７２は出力の調整に基づき記録磁性膜５１に所定の出力でレーザ光を照射する。こうして記録磁性膜５１は加熱される。ここでは、記録磁性膜５１の温度はキュリー温度まで上昇する。その結果、記録磁性膜５１では強磁性体が常磁性体に転移する。記録磁性膜５１では保磁力が減少する。このとき、電磁変換素子３３の書き込み素子４６は記録磁性膜５１に２値情報を書き込む。書き込み後、記録磁性膜５１の温度が室温に戻ると、記録磁性膜５１の保磁力は増大する。記録磁性膜５１で２値情報は確実に保持される。
【００４９】
その一方で、前述の調整処理の実施にあたって、浮上ヘッドスライダ２２の浮上中、照射源７２は出力の調整に基づき潤滑膜５３に所定の出力でレーザ光を照射する。こうして潤滑膜５３は加熱される。潤滑膜５３の温度はキュリー温度より十分に低い例えば１００℃まで上昇する。その結果、膜厚の大きい領域から膜厚の小さい領域に潤滑膜５３は移動していく。その結果、潤滑膜５３の表面で起伏は平滑化されていく。こうした調整処理の実施に基づき磁気ディスク１４上で一様な膜厚の潤滑膜５３が維持される。こうして浮上ヘッドスライダ２２では、２値情報の書き込み時と調整処理の実施時とで照射源７２の出力が調整される。
【００５０】
（付記１） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスラ イダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５１】
（付記２） 付記１に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５２】
（付記３） 付記２に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記発熱体を発熱させることを特徴とする記憶装置。
【００５３】
（付記４） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５４】
（付記５） 付記４に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５５】
（付記６） 付記５に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記照射源を駆動させることを特徴とする記憶装置。
【００５６】
（付記７） 表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【００５７】
（付記８） 付記７に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【００５８】
（付記９） 付記８に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記照射源を駆動させることを特徴とする記憶装置。
【００５９】
（付記１０） 記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【００６０】
（付記１１） 付記１０に記載の潤滑膜の膜厚の調整方法において、前記加熱処理に先立って、前記記憶媒体の表面で前記潤滑膜の減少を検出する工程をさらに備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】第１具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】浮上ヘッドスライダで突き出し部が形成される様子を概略的に示す断面図である。
【図５】記憶装置の制御系を概略的に示すブロック図である。
【図６】アコースティックエミッション（ＡＥ）センサの出力を示すグラフである。
【図７】潤滑膜の表面に起伏が生成される様子を概略的に示す断面図である。
【図８】ＡＥセンサの出力を示すグラフである。
【図９】潤滑膜に向かって熱が作用する様子を概略的に示す図である。
【図１０】潤滑膜の表面で起伏が低減される様子を概略的に示す図である。
【図１１】第２具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【図１２】第３具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【図１３】第４具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１ 記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４ 記憶媒体（磁気ディスク）、２２ ヘッドスライダ（浮上ヘッドスライダ）、３４ 媒体対向面（浮上面）、４７ アクチュエータ（ヒータ）、４８ 発熱体、５３ 潤滑膜、５８ 制御部（制御回路）、７１ 照射源、７２ 照射源。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記発熱体を発熱させることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【請求項７】
請求項６に記載の潤滑膜の膜厚の調整方法において、前記加熱処理に先立って、前記記憶媒体の表面で前記潤滑膜の減少を検出する工程をさらに備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【請求項１】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に熱を作用させる発熱体とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置において、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記記憶媒体の表面に向かって前記媒体対向面の突き出し部を形成するアクチュエータと、
前記記憶媒体および前記突き出し部の接触に基づき前記潤滑膜の減少を検出する制御部とをさらに備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の記憶装置において、前記制御部は、前記潤滑膜の減少を検出すると前記発熱体を発熱させることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜に電磁波を照射して前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
表面に潤滑膜を有する記憶媒体と、
媒体対向面で前記記憶媒体の表面に向き合わせられるヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダに組み込まれて、前記媒体対向面から前記潤滑膜にレーザを照射してキュリー温度より低温で前記潤滑膜を加熱する照射源とを備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
記憶媒体の表面に塗布される潤滑膜に加熱処理を施して前記潤滑膜の膜厚を均一値に向かって調整する工程を備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【請求項７】
請求項６に記載の潤滑膜の膜厚の調整方法において、前記加熱処理に先立って、前記記憶媒体の表面で前記潤滑膜の減少を検出する工程をさらに備えることを特徴とする潤滑膜の膜厚の調整方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１０−１０８５３９（Ｐ２０１０−１０８５３９Ａ）
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２７８２７５（Ｐ２００８−２７８２７５）
【出願日】平成２０年１０月２９日（２００８．１０．２９）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月１３日（２０１０．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１０月２９日（２００８．１０．２９）
【出願人】（３０９０３３２６４）東芝ストレージデバイス株式会社 (255)
【Ｆターム（参考）】
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