誘電体磁器の評価方法
【課題】Ｘ線回折を利用して、コアシェル構造を具備する誘電体磁器におけるコア部とシェル部の結晶相について体積分率とシェル部の厚みの定量を可能とし、これにより材料の平均的な情報、特に微構造情報を取得できるようにした誘電体磁器の評価方法を提供することを課題とする。
【解決手段】コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、明細書に記載の特定式からコア部１（正方晶部分）とシェル部２（立方晶部分）の結晶相の体積分率を定量すると共に、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、明細書に記載の特定式からシェル部の厚みを算出する。
【解決手段】コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、明細書に記載の特定式からコア部１（正方晶部分）とシェル部２（立方晶部分）の結晶相の体積分率を定量すると共に、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、明細書に記載の特定式からシェル部の厚みを算出する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサなどに用いられる誘電体磁器の微構造を評価するための誘電体磁器の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層コンデンサ等に用いられるＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器において、高い誘電率と良好な温度特性を確保するためには、結晶粒内に強誘電体相部分（コア部）とこれを囲む常誘電体相部分（シェル部）とを共存させたコアシェル構造が有効であると考えられている。このコアシェル構造は、従来、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと呼ぶ）やＴＥＭに付属したエネルギー分散型Ｘ線分光器（以下、ＥＤＸと呼ぶ）により観察されてきた。
【０００３】
例えば、特許文献１には、積層セラミックコンデンサと同じ焼結体についてＴＥＭ観察およびＥＤＸによりＢｉ濃度分布を調べている。また、特許文献２には、Ｍｇ拡散層（シェル部に相当する）のＭｇ分布を分析電子顕微鏡で調べ、これから結晶粒の平均粒径に対するＭｇ拡散層の割合を求めている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３１０４６９号公報（［0036］）
【特許文献２】特開平１０−３０８３２１号公報（［0008］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記したＴＥＭやＥＤＸを用いた評価は、誘電体材料の全てを観察するわけでなく、局所的な部位を選択的に観察するため、材料全体の情報を平均的に表しているとは言い難い。また平均的な情報を得るためには数多くの部位を観察することが必要になり、多くの時間を要する。
【０００６】
さらに、誘電体を焼結させるために添加する金属元素等の拡散により生じるコアシェル構造において、ＥＤＸのラインスキャンにより粒界から粒子内部に向かって、どの距離まで金属元素が拡散しているのか、つまり濃度勾配はわかるが、それと結晶相の対応、つまり正方晶と立方晶の区別ができないという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、Ｘ線回折を利用して、コアシェル構造を具備する誘電体磁器におけるコア部とシェル部の結晶相についての定量を可能とし、これにより材料の平均的な情報、特に微構造情報を取得できるようにした誘電体磁器の評価方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の評価方法は、コア部とシェル部の結晶相の体積分率およびシェル部の厚みを定量できるようにしたものであって、以下の構成からなる。
【０００９】
（1）コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、下記式（1）からコア部（正方晶部分）とシェル部（立方晶部分）の結晶相の体積分率を算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数５】
Ｖobs：誘電体磁器内の正方晶の体積分率
ｍtet：使用した正方晶ピークの多重度
ｍcub：使用した立方晶ピークの多重度
Ｉtet：使用した正方晶ピークの回折強度
Ｉcub：使用した立方晶ピークの回折強度
（2）球状二重構造モデルに基づく下記式（2）からシェル部の厚みを推定する請求項１記載の誘電体磁器の評価方法。
【数６】
ｄcal：シェル部の厚み（nm）
Ｄ：ペロブスカイト型結晶粒子の外径（nm）
Ｖobs：前記式（1）から求められた体積分率
（3）正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項１または２記載の誘電体磁器の評価方法。
（4）正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が正方晶の（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が立方晶の（４００）である請求項３記載の誘電体磁器の評価方法。
（5）コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子による誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、下記式（3）からシェル部の厚みを算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数７】
ｄobs：シェル部の厚み（Å）
λ：波長（Å）
θ：ブラッグ角(deg)
β：下記式から求められる真の半値幅（単位：ラジアン）
【数８】
Ｂ：立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅の測定値
ｂ：装置定数
（6）立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）において、ｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項５記載の誘電体磁器の評価方法。
（7）立方晶の（４００）を測定することを特徴とする請求項６記載の誘電体磁器の評価方法。
（8）前記回折強度を単色化された放射光を用いて測定する請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器の評価方法。
（9）積層セラミックコンデンサに適用される、コアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器を、前記（1）〜（8）のいずれかに記載の方法から求められるシェル部の厚みおよび／または誘電体磁器内の正方晶の体積分率から評価することを特徴とする誘電体磁器の評価方法。
（10）ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする誘電体磁器の評価方法。
【発明の効果】
【００１０】
従来法では、シェル部とコア部の結晶相の体積分率やシェルの厚みを定量的に評価することは困難であったが、本発明によれば、コア部とシェル部の結晶相の体積分率と、シェル部の厚みをＸ線回折法を利用して定量することが可能になり、誘電率の温度特性などの諸特性に優れた積層セラミックコンデンサの迅速な材料評価が可能になるという効果がある。
【００１１】
また、回折強度を単色化された放射光を用いて測定することにより、精度良くコア部とシェル部の結晶相の体積分率を定量でき、シェル部の厚みを評価することができる。
【００１２】
前記（9）、（10）の評価方法によれば、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする場合は、温度特性などに優れた積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の評価方法は、Ｘ線回折を利用して、ペロブスカイト型結晶粒子のコアシェル構造を評価するものである。ここで、コアシェル構造とは、図１の模式図に示すように、コア部１をシェル部2で被覆した結晶構造をいい、一般にはコア部１が正方晶からなり、シェル部2が立方晶からなる。
【００１４】
Ｘ線回折に用いるＸ線は特に限定されるものでなく、市販Ｘ線回折装置や、ＳＰｒｉｎｇ−８（大型放射光施設）のような放射光施設を用いて評価することができる。
【００１５】
精度良くコアシェル構造の結晶相の体積分率やコア部２の厚みを評価するためには、単色化された放射光を用いるのが良い。すなわち、Ｓｉ（１１１）などの分光器によって、単色化された放射光を試料に照射し、回折したＸ線を比例計数管などの検出器を用いてカウントする。Ｘ線の波長は任意であるが、ピークのスプリットを良くするために、Ｘ線波長は長いのが好ましく、具体的には１．０Å以上、好ましくは１．５〜２．５Åの範囲から選択するのがよい。
【００１６】
走査は２θ−θ軸で行い、ステップスキャンにより行う。ステップ幅は任意であるが、０．０２°程度が好適である。走査範囲は、正方晶の（ｈ ｋ ｌ），立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）をカバーできる範囲を走査する。走査範囲は任意であり、特に制限されるものではないが、一回のスキャンで正方晶と立方晶のピークが含まれる方が測定上都合よい。１点あたりの計数時間も任意であるが、時間を長くしたり、積算回数を大きくすることによりＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）が向上したデータを取得することができる。積算回数は、５回以上、好ましくは１０〜２０回であるのがよい。積算回数を大きくするには、２θのレンジのスキャンを１回として、それを繰り返し測定し、得られたデータを加算すればよい。これにより、ピークの部分が強調され、ノイズ部はフラットになる。
【００１７】
測定された回折データは、正方晶（ｈ ｋ ｌ）および立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の反射であり、それぞれ回折ピークから、ピーク強度（＝積分強度）、ピークトップの２θ位置、半値幅、ピークの形状関数等のパラメータを得る。その際、必要に応じて、ピーク分離を行う。ピーク分離には、市販ソフトや自作プログラムなどを用いることができ、ピーク分離のためのツールは特に限定されるものではない。
【００１８】
次に、正方晶（ｈ ｋ ｌ）と立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の強度（＝積分強度）からコア部とシェル部の結晶相の体積分率を算出する方法を説明する。誘電体磁器内の正方晶の体積分率Ｖobsは、基本的に下記式（１'）から求めることができる。
【数９】
ここで、
Ｖtet：正方晶の体積
Ｖcub：立方晶の体積
【００１９】
上記正方晶の体積Ｖtetと立方晶の体積Ｖcubの比は、正方晶（ｈ ｋ ｌ）のピークの回折強度および多重度から前記した式（1）に従って求めることができる。このとき、正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４で、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４であるのがよく、好ましくは正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が（４００）である。
【００２０】
正方晶（ｈ ｋ ｌ）と立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の各ピークの回折強度ＩtetおよびＩcubは、ピーク分離されたそれらの波形から求めることができる。一方、前記多重度とは、いわゆる粉末法において回折に寄与している、同じ面系に属する等価な面の数をいう。例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分としコアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器では、正方晶（４００）の多重度が4であり、立方晶（４００）の多重度が６である。ちなみに、試料中にそれぞれの相が体積にして、１：１で存在すると、正方晶と立方晶の回折強度はおよそ４：６の比率となり、得られた強度比から体積分率が得られる。
【００２１】
前記式（1）から求められる体積分率Ｖobsを利用して、前記式（2）からシェル部２の厚みを推定することができる。式（2）において、ペロブスカイト型結晶粒子の外径Ｄは、ＴＥＭなどで測定した値である。
【００２２】
一方、Ｘ線回折法にてシェル部２の厚みを算出するには、前記式（3）に示すシェラー（Scherrer）の式を利用する。ここで、真の半値幅を求めるための立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅は、ピーク分離された当該立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の波形から求められる値であって、波形内におけるピークの頂点からピークのベースラインに下ろした垂線を二等分するベースラインに平行な線分の長さをいう。立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においても、ｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４であるのがよく、特に（４００）におけるピーク半値幅を測定するのが好ましい。
【００２３】
このようにして得られたシェル部２の厚みｄobsから正方晶の体積分率Ｖobsを算出することができる。すなわち、図1に示すように、コアシェル構造を球形と仮定した場合、結晶粒子の外径Ｄは、ＳＥＭなどで測定することができるので、この外径Ｄとシェル部の厚みｄobsからコア部1とシェル部２の各体積を求め、これから正方晶の体積分率Ｖcalを算出することができるのである。なお、装置定数ｂは、結晶子が２０〜５０μｍと十分に大きく、かつ不均一な歪のない試料（好ましくは単結晶試料）を用いて得られたピーク半値幅である。
【００２４】
次に、実施例を挙げて本発明の評価方法を具体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００２５】
［実施例］
（評価用試料１〜４の作製）
評価用試料である誘電体材料の作製には、市販原料で、平均粒度ｄａが０．３５μｍのＢａＴｉＯ3粉末を用いた。ＢａＴｉＯ3１００質量部に対して、ＭｇＯを２．５モル部、ＭｎＣＯ3を０．３モル部と、希土類元素（ＲＥ2Ｏ3）としてＹｂ2Ｏ3あるいはＹ2Ｏ3を１．５モル部、アルカリ土類元素及びＳｉの酸化物を含むガラス粉末をＢａＴｉＯ3１００質量部に対し、０．８質量部添加した。直径５ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにより、これらの原料を湿式混合して混合粉末を調製した。このときのボールミルの回転速度は１分間で１５０〜２００回転であり、混合時間を１〜５９時間の範囲で変化させた。すなわち、混合時間は、試料１＜２＜３＜４の順である。
【００２６】
この混合粉末を直径１６ｍｍの金型に入れてプレスを行い、厚さ７００〜８００μｍの成形体を作製した。この成形体を大気中、３００℃にて脱バインダ処理を行った後、３００℃／時間の昇温速度で、１３０５℃（酸素分圧１０-11ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて３００℃／時間の降温速度で冷却した。引続き、弱酸化性の窒素雰囲気中において、１０００℃で１０時間の熱処理を行い、３００℃／時間の降温速度で冷却し、誘電体磁器である試料１〜４を作製した。
【００２７】
（評価用試料の特性）
得られた各試料１〜４の結晶粒径、比誘電率、容量変化率および静電容量の温度特性（Ｘ７Ｒ特性）の測定を行った。すなわち、誘電体磁器における平均結晶粒径Ｄは、ＳＥＭ写真の画像処理により結晶の面積Ｓを算出し、その値から式：Ｄ＝２√（Ｓ／π）により算出した。その結果は、後述する表２に示した。
【００２８】
比誘電率は、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓ、２５℃の条件で測定した静電容量と誘電体磁器の寸法から算出した。
【００２９】
静電容量の温度特性（Ｘ７Ｒ特性）は、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧０．５Ｖｒｍｓの条件で測定した。すなわち、−５５℃〜＋１５０℃の範囲の静電容量Ｃを測定し、２５℃での静電容量の値Ｃ25を基準として、式：ΔＣ＝（Ｃ−Ｃ25）／Ｃ25から容量変化率ΔＣを求め、その温度範囲における容量変化率が±１５％以内に入る、即ちＥＩＡ規格で示されているＸ７Ｒ特性を満足する場合を◎とし、それ以外は×とした。このとき、２５℃での静電容量の値Ｃ25を基準とした１２５℃における容量変化率も求めた。
【００３０】
表１に各試料１〜４の測定結果を示す。また、図２に−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲での比誘電率の温度特性を示す。
【表１】
【００３１】
（Ｘ線回折（ＸＲＤ）による試料の評価）
回折実験には、大型放射光施設であるＳＰｒｉｎｇ−８のＢＬ１４Ｂ１を利用した。準備した試料１〜４はチタン酸バリウム系材料であったので、正方晶の（００４），（４００）、立方晶の（４００）を測定対象とした。分光器はＳｉ（１１１）を用いた。ビームの大きさは、縦方向に０．５ｍｍ、水平方向に５ｍｍとした。エネルギー（＝波長）はＣｕフォイルで較正し、波長を１．５４９８２Åとした。チタン酸バリウム系誘電体磁器の測定は、２θ角度で９９°から１０４°の間を走査した。ステップ幅を０．０２°とし、１点あたりの計数時間を５．０秒とした。また、繰返し回数を１０回とし、１０回分の積算を回折強度とした。
【００３２】
チタン酸バリウム系誘電体磁器である試料１〜４を用いて得られた回折データを図３〜６に示す。装置定数ｂは、Ｓｉ（３３３）を測定し、ｂ＝０．０３°という値を得た。
【００３３】
図３〜６は、ピーク分離した正方晶の（００４），（４００）および立方晶の（４００）の各回折強度を示している。図３〜６において、Ｔ（００４）およびＴ（４００）は正方晶の（００４），（４００）を、Ｃ（４００）は立方晶の（４００）を示している。
【００３４】
ピーク分離は、ピーク分離ソフトを用いて以下の条件で行なった。
バックグラウンド関数：０次多項式
放射光：Ｋα１単色光
プロファイル関数：the psedo-Voigt関数
半値幅：すべての反射に対し異なる半値幅
プロファイルの対象性：対象
データ分解能：シャープ（最小半値幅：約０．１°）
解析範囲：９９°＜２θ＜１０４°
【００３５】
（コア部およびシェル部の結晶相の体積分率計算）
コア部とシェル部の結晶相の体積分率は、正方晶（４００）と立方晶（４００）のピーク強度を利用した。ペロブスカイト構造における正方晶（４００）と立方晶（４００）の多重度は、それぞれ４，６である。これらの多重度と、図３〜６に示す正方晶（４００）と立方晶（４００）のピーク強度とから、前記式（1）により正方晶の体積分率、すなわち正方晶率を得た。図７に体積分率の定量結果を示す。なお、同図には、後述するシェル部の厚みと平均結晶粒径とから計算した正方晶率も併せて示した。
【００３６】
（シェル部の厚み算出）
シェル部の厚みｄは、立方晶（４００）ピークの半値幅Ｂから、式（3）で示すシェラーの式に従い算出した。真の半値幅βを求めるための装置定数ｂは０．０３であった。このようにして得られた、チタン酸バリウム系誘電体磁器である試料１〜４の各シェル部の厚みを図８に示す。また、図８には、前記正方晶率から式（2）より求めたシェル部の厚みも併せて示す。
【００３７】
（試験結果）
表１に示した試料１〜試料４において、静電容量の温度特性が−５５℃から＋１２５℃の範囲で＋２５℃の静電容量を基準に±１５％を満足している、すなわちＸ７Ｒ特性が◎であるのは、試料１および試料２である。
【００３８】
一方、図７および図８より求めた各試料のシェル部の厚みｄobsおよび正方晶率（誘電体磁器内の正方晶の体積分率）Ｖobsは表２に示した通りである。また、表２には、これらの測定値から計算した各試料のシェル部の厚みｄcalおよび正方晶率（誘電体磁器内の正方晶の体積分率）Ｖcal も示してある。
【表２】
【００３９】
表２に示す結果より、試料１〜試料３においては、立方晶（４００）のピーク半値幅から見積もったシェル厚みｄobsと、体積分率から見積もったシェル厚みｄcalがよく一致した。このことから、試料１から３のシェル部は、シェルの厚み方向に対して、シングルドメイン構造を有していることが明らかである。
【００４０】
また、Ｘ７Ｒの温度特性を満足するには、シェル部の厚みはおよそ４０ｎｍ以下で、かつ正方晶率が４５％以上であることが必要であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】コアシェル構造の断面を示す模式図である。
【図２】試料１〜試料４の誘電率の温度特性（比誘電率）を示すグラフである。
【図３】試料１の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図４】試料２の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図５】試料３の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図６】試料４の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図７】正方晶の体積分率の測定結果を示すグラフである。
【図８】シェル部の厚み測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１：コア部、２：シェル部、D：結晶粒径、ｄ：シェルの厚み
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサなどに用いられる誘電体磁器の微構造を評価するための誘電体磁器の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層コンデンサ等に用いられるＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体磁器において、高い誘電率と良好な温度特性を確保するためには、結晶粒内に強誘電体相部分（コア部）とこれを囲む常誘電体相部分（シェル部）とを共存させたコアシェル構造が有効であると考えられている。このコアシェル構造は、従来、透過型電子顕微鏡（以下、ＴＥＭと呼ぶ）やＴＥＭに付属したエネルギー分散型Ｘ線分光器（以下、ＥＤＸと呼ぶ）により観察されてきた。
【０００３】
例えば、特許文献１には、積層セラミックコンデンサと同じ焼結体についてＴＥＭ観察およびＥＤＸによりＢｉ濃度分布を調べている。また、特許文献２には、Ｍｇ拡散層（シェル部に相当する）のＭｇ分布を分析電子顕微鏡で調べ、これから結晶粒の平均粒径に対するＭｇ拡散層の割合を求めている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３１０４６９号公報（［0036］）
【特許文献２】特開平１０−３０８３２１号公報（［0008］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記したＴＥＭやＥＤＸを用いた評価は、誘電体材料の全てを観察するわけでなく、局所的な部位を選択的に観察するため、材料全体の情報を平均的に表しているとは言い難い。また平均的な情報を得るためには数多くの部位を観察することが必要になり、多くの時間を要する。
【０００６】
さらに、誘電体を焼結させるために添加する金属元素等の拡散により生じるコアシェル構造において、ＥＤＸのラインスキャンにより粒界から粒子内部に向かって、どの距離まで金属元素が拡散しているのか、つまり濃度勾配はわかるが、それと結晶相の対応、つまり正方晶と立方晶の区別ができないという問題があった。
【０００７】
従って、本発明は、Ｘ線回折を利用して、コアシェル構造を具備する誘電体磁器におけるコア部とシェル部の結晶相についての定量を可能とし、これにより材料の平均的な情報、特に微構造情報を取得できるようにした誘電体磁器の評価方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の評価方法は、コア部とシェル部の結晶相の体積分率およびシェル部の厚みを定量できるようにしたものであって、以下の構成からなる。
【０００９】
（1）コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、下記式（1）からコア部（正方晶部分）とシェル部（立方晶部分）の結晶相の体積分率を算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数５】
Ｖobs：誘電体磁器内の正方晶の体積分率
ｍtet：使用した正方晶ピークの多重度
ｍcub：使用した立方晶ピークの多重度
Ｉtet：使用した正方晶ピークの回折強度
Ｉcub：使用した立方晶ピークの回折強度
（2）球状二重構造モデルに基づく下記式（2）からシェル部の厚みを推定する請求項１記載の誘電体磁器の評価方法。
【数６】
ｄcal：シェル部の厚み（nm）
Ｄ：ペロブスカイト型結晶粒子の外径（nm）
Ｖobs：前記式（1）から求められた体積分率
（3）正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項１または２記載の誘電体磁器の評価方法。
（4）正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が正方晶の（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が立方晶の（４００）である請求項３記載の誘電体磁器の評価方法。
（5）コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子による誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、下記式（3）からシェル部の厚みを算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数７】
ｄobs：シェル部の厚み（Å）
λ：波長（Å）
θ：ブラッグ角(deg)
β：下記式から求められる真の半値幅（単位：ラジアン）
【数８】
Ｂ：立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅の測定値
ｂ：装置定数
（6）立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）において、ｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項５記載の誘電体磁器の評価方法。
（7）立方晶の（４００）を測定することを特徴とする請求項６記載の誘電体磁器の評価方法。
（8）前記回折強度を単色化された放射光を用いて測定する請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器の評価方法。
（9）積層セラミックコンデンサに適用される、コアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器を、前記（1）〜（8）のいずれかに記載の方法から求められるシェル部の厚みおよび／または誘電体磁器内の正方晶の体積分率から評価することを特徴とする誘電体磁器の評価方法。
（10）ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする誘電体磁器の評価方法。
【発明の効果】
【００１０】
従来法では、シェル部とコア部の結晶相の体積分率やシェルの厚みを定量的に評価することは困難であったが、本発明によれば、コア部とシェル部の結晶相の体積分率と、シェル部の厚みをＸ線回折法を利用して定量することが可能になり、誘電率の温度特性などの諸特性に優れた積層セラミックコンデンサの迅速な材料評価が可能になるという効果がある。
【００１１】
また、回折強度を単色化された放射光を用いて測定することにより、精度良くコア部とシェル部の結晶相の体積分率を定量でき、シェル部の厚みを評価することができる。
【００１２】
前記（9）、（10）の評価方法によれば、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする場合は、温度特性などに優れた積層セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の評価方法は、Ｘ線回折を利用して、ペロブスカイト型結晶粒子のコアシェル構造を評価するものである。ここで、コアシェル構造とは、図１の模式図に示すように、コア部１をシェル部2で被覆した結晶構造をいい、一般にはコア部１が正方晶からなり、シェル部2が立方晶からなる。
【００１４】
Ｘ線回折に用いるＸ線は特に限定されるものでなく、市販Ｘ線回折装置や、ＳＰｒｉｎｇ−８（大型放射光施設）のような放射光施設を用いて評価することができる。
【００１５】
精度良くコアシェル構造の結晶相の体積分率やコア部２の厚みを評価するためには、単色化された放射光を用いるのが良い。すなわち、Ｓｉ（１１１）などの分光器によって、単色化された放射光を試料に照射し、回折したＸ線を比例計数管などの検出器を用いてカウントする。Ｘ線の波長は任意であるが、ピークのスプリットを良くするために、Ｘ線波長は長いのが好ましく、具体的には１．０Å以上、好ましくは１．５〜２．５Åの範囲から選択するのがよい。
【００１６】
走査は２θ−θ軸で行い、ステップスキャンにより行う。ステップ幅は任意であるが、０．０２°程度が好適である。走査範囲は、正方晶の（ｈ ｋ ｌ），立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）をカバーできる範囲を走査する。走査範囲は任意であり、特に制限されるものではないが、一回のスキャンで正方晶と立方晶のピークが含まれる方が測定上都合よい。１点あたりの計数時間も任意であるが、時間を長くしたり、積算回数を大きくすることによりＳ／Ｎ比（シグナル／ノイズ比）が向上したデータを取得することができる。積算回数は、５回以上、好ましくは１０〜２０回であるのがよい。積算回数を大きくするには、２θのレンジのスキャンを１回として、それを繰り返し測定し、得られたデータを加算すればよい。これにより、ピークの部分が強調され、ノイズ部はフラットになる。
【００１７】
測定された回折データは、正方晶（ｈ ｋ ｌ）および立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の反射であり、それぞれ回折ピークから、ピーク強度（＝積分強度）、ピークトップの２θ位置、半値幅、ピークの形状関数等のパラメータを得る。その際、必要に応じて、ピーク分離を行う。ピーク分離には、市販ソフトや自作プログラムなどを用いることができ、ピーク分離のためのツールは特に限定されるものではない。
【００１８】
次に、正方晶（ｈ ｋ ｌ）と立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の強度（＝積分強度）からコア部とシェル部の結晶相の体積分率を算出する方法を説明する。誘電体磁器内の正方晶の体積分率Ｖobsは、基本的に下記式（１'）から求めることができる。
【数９】
ここで、
Ｖtet：正方晶の体積
Ｖcub：立方晶の体積
【００１９】
上記正方晶の体積Ｖtetと立方晶の体積Ｖcubの比は、正方晶（ｈ ｋ ｌ）のピークの回折強度および多重度から前記した式（1）に従って求めることができる。このとき、正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４で、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４であるのがよく、好ましくは正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が（４００）である。
【００２０】
正方晶（ｈ ｋ ｌ）と立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の各ピークの回折強度ＩtetおよびＩcubは、ピーク分離されたそれらの波形から求めることができる。一方、前記多重度とは、いわゆる粉末法において回折に寄与している、同じ面系に属する等価な面の数をいう。例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分としコアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器では、正方晶（４００）の多重度が4であり、立方晶（４００）の多重度が６である。ちなみに、試料中にそれぞれの相が体積にして、１：１で存在すると、正方晶と立方晶の回折強度はおよそ４：６の比率となり、得られた強度比から体積分率が得られる。
【００２１】
前記式（1）から求められる体積分率Ｖobsを利用して、前記式（2）からシェル部２の厚みを推定することができる。式（2）において、ペロブスカイト型結晶粒子の外径Ｄは、ＴＥＭなどで測定した値である。
【００２２】
一方、Ｘ線回折法にてシェル部２の厚みを算出するには、前記式（3）に示すシェラー（Scherrer）の式を利用する。ここで、真の半値幅を求めるための立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅は、ピーク分離された当該立方晶（ｈ' ｋ' ｌ'）の波形から求められる値であって、波形内におけるピークの頂点からピークのベースラインに下ろした垂線を二等分するベースラインに平行な線分の長さをいう。立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においても、ｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４であるのがよく、特に（４００）におけるピーク半値幅を測定するのが好ましい。
【００２３】
このようにして得られたシェル部２の厚みｄobsから正方晶の体積分率Ｖobsを算出することができる。すなわち、図1に示すように、コアシェル構造を球形と仮定した場合、結晶粒子の外径Ｄは、ＳＥＭなどで測定することができるので、この外径Ｄとシェル部の厚みｄobsからコア部1とシェル部２の各体積を求め、これから正方晶の体積分率Ｖcalを算出することができるのである。なお、装置定数ｂは、結晶子が２０〜５０μｍと十分に大きく、かつ不均一な歪のない試料（好ましくは単結晶試料）を用いて得られたピーク半値幅である。
【００２４】
次に、実施例を挙げて本発明の評価方法を具体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではない。
【００２５】
［実施例］
（評価用試料１〜４の作製）
評価用試料である誘電体材料の作製には、市販原料で、平均粒度ｄａが０．３５μｍのＢａＴｉＯ3粉末を用いた。ＢａＴｉＯ3１００質量部に対して、ＭｇＯを２．５モル部、ＭｎＣＯ3を０．３モル部と、希土類元素（ＲＥ2Ｏ3）としてＹｂ2Ｏ3あるいはＹ2Ｏ3を１．５モル部、アルカリ土類元素及びＳｉの酸化物を含むガラス粉末をＢａＴｉＯ3１００質量部に対し、０．８質量部添加した。直径５ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにより、これらの原料を湿式混合して混合粉末を調製した。このときのボールミルの回転速度は１分間で１５０〜２００回転であり、混合時間を１〜５９時間の範囲で変化させた。すなわち、混合時間は、試料１＜２＜３＜４の順である。
【００２６】
この混合粉末を直径１６ｍｍの金型に入れてプレスを行い、厚さ７００〜８００μｍの成形体を作製した。この成形体を大気中、３００℃にて脱バインダ処理を行った後、３００℃／時間の昇温速度で、１３０５℃（酸素分圧１０-11ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて３００℃／時間の降温速度で冷却した。引続き、弱酸化性の窒素雰囲気中において、１０００℃で１０時間の熱処理を行い、３００℃／時間の降温速度で冷却し、誘電体磁器である試料１〜４を作製した。
【００２７】
（評価用試料の特性）
得られた各試料１〜４の結晶粒径、比誘電率、容量変化率および静電容量の温度特性（Ｘ７Ｒ特性）の測定を行った。すなわち、誘電体磁器における平均結晶粒径Ｄは、ＳＥＭ写真の画像処理により結晶の面積Ｓを算出し、その値から式：Ｄ＝２√（Ｓ／π）により算出した。その結果は、後述する表２に示した。
【００２８】
比誘電率は、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧１Ｖｒｍｓ、２５℃の条件で測定した静電容量と誘電体磁器の寸法から算出した。
【００２９】
静電容量の温度特性（Ｘ７Ｒ特性）は、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧０．５Ｖｒｍｓの条件で測定した。すなわち、−５５℃〜＋１５０℃の範囲の静電容量Ｃを測定し、２５℃での静電容量の値Ｃ25を基準として、式：ΔＣ＝（Ｃ−Ｃ25）／Ｃ25から容量変化率ΔＣを求め、その温度範囲における容量変化率が±１５％以内に入る、即ちＥＩＡ規格で示されているＸ７Ｒ特性を満足する場合を◎とし、それ以外は×とした。このとき、２５℃での静電容量の値Ｃ25を基準とした１２５℃における容量変化率も求めた。
【００３０】
表１に各試料１〜４の測定結果を示す。また、図２に−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲での比誘電率の温度特性を示す。
【表１】
【００３１】
（Ｘ線回折（ＸＲＤ）による試料の評価）
回折実験には、大型放射光施設であるＳＰｒｉｎｇ−８のＢＬ１４Ｂ１を利用した。準備した試料１〜４はチタン酸バリウム系材料であったので、正方晶の（００４），（４００）、立方晶の（４００）を測定対象とした。分光器はＳｉ（１１１）を用いた。ビームの大きさは、縦方向に０．５ｍｍ、水平方向に５ｍｍとした。エネルギー（＝波長）はＣｕフォイルで較正し、波長を１．５４９８２Åとした。チタン酸バリウム系誘電体磁器の測定は、２θ角度で９９°から１０４°の間を走査した。ステップ幅を０．０２°とし、１点あたりの計数時間を５．０秒とした。また、繰返し回数を１０回とし、１０回分の積算を回折強度とした。
【００３２】
チタン酸バリウム系誘電体磁器である試料１〜４を用いて得られた回折データを図３〜６に示す。装置定数ｂは、Ｓｉ（３３３）を測定し、ｂ＝０．０３°という値を得た。
【００３３】
図３〜６は、ピーク分離した正方晶の（００４），（４００）および立方晶の（４００）の各回折強度を示している。図３〜６において、Ｔ（００４）およびＴ（４００）は正方晶の（００４），（４００）を、Ｃ（４００）は立方晶の（４００）を示している。
【００３４】
ピーク分離は、ピーク分離ソフトを用いて以下の条件で行なった。
バックグラウンド関数：０次多項式
放射光：Ｋα１単色光
プロファイル関数：the psedo-Voigt関数
半値幅：すべての反射に対し異なる半値幅
プロファイルの対象性：対象
データ分解能：シャープ（最小半値幅：約０．１°）
解析範囲：９９°＜２θ＜１０４°
【００３５】
（コア部およびシェル部の結晶相の体積分率計算）
コア部とシェル部の結晶相の体積分率は、正方晶（４００）と立方晶（４００）のピーク強度を利用した。ペロブスカイト構造における正方晶（４００）と立方晶（４００）の多重度は、それぞれ４，６である。これらの多重度と、図３〜６に示す正方晶（４００）と立方晶（４００）のピーク強度とから、前記式（1）により正方晶の体積分率、すなわち正方晶率を得た。図７に体積分率の定量結果を示す。なお、同図には、後述するシェル部の厚みと平均結晶粒径とから計算した正方晶率も併せて示した。
【００３６】
（シェル部の厚み算出）
シェル部の厚みｄは、立方晶（４００）ピークの半値幅Ｂから、式（3）で示すシェラーの式に従い算出した。真の半値幅βを求めるための装置定数ｂは０．０３であった。このようにして得られた、チタン酸バリウム系誘電体磁器である試料１〜４の各シェル部の厚みを図８に示す。また、図８には、前記正方晶率から式（2）より求めたシェル部の厚みも併せて示す。
【００３７】
（試験結果）
表１に示した試料１〜試料４において、静電容量の温度特性が−５５℃から＋１２５℃の範囲で＋２５℃の静電容量を基準に±１５％を満足している、すなわちＸ７Ｒ特性が◎であるのは、試料１および試料２である。
【００３８】
一方、図７および図８より求めた各試料のシェル部の厚みｄobsおよび正方晶率（誘電体磁器内の正方晶の体積分率）Ｖobsは表２に示した通りである。また、表２には、これらの測定値から計算した各試料のシェル部の厚みｄcalおよび正方晶率（誘電体磁器内の正方晶の体積分率）Ｖcal も示してある。
【表２】
【００３９】
表２に示す結果より、試料１〜試料３においては、立方晶（４００）のピーク半値幅から見積もったシェル厚みｄobsと、体積分率から見積もったシェル厚みｄcalがよく一致した。このことから、試料１から３のシェル部は、シェルの厚み方向に対して、シングルドメイン構造を有していることが明らかである。
【００４０】
また、Ｘ７Ｒの温度特性を満足するには、シェル部の厚みはおよそ４０ｎｍ以下で、かつ正方晶率が４５％以上であることが必要であると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】コアシェル構造の断面を示す模式図である。
【図２】試料１〜試料４の誘電率の温度特性（比誘電率）を示すグラフである。
【図３】試料１の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図４】試料２の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図５】試料３の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図６】試料４の放射光を用いた回折パターンを示すグラフである。
【図７】正方晶の体積分率の測定結果を示すグラフである。
【図８】シェル部の厚み測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１：コア部、２：シェル部、D：結晶粒径、ｄ：シェルの厚み
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、下記式（1）からコア部（正方晶部分）とシェル部（立方晶部分）の結晶相の体積分率を算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数１】
Ｖobs：誘電体磁器内の正方晶の体積分率
ｍtet：使用した正方晶ピークの多重度
ｍcub：使用した立方晶ピークの多重度
Ｉtet：使用した正方晶ピークの回折強度
Ｉcub：使用した立方晶ピークの回折強度
【請求項２】
球状二重構造モデルに基づく下記式（2）からシェル部の厚みを推定する請求項１記載の誘電体磁器の評価方法。
【数２】
ｄcal：シェル部の厚み（nm）
Ｄ：ペロブスカイト型結晶粒子の外径（nm）
Ｖobs：前記式（1）から求められた体積分率
【請求項３】
正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項１または２記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項４】
正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が正方晶の（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が立方晶の（４００）である請求項３記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項５】
コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子による誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、下記式（3）からシェル部の厚みを算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数３】
ｄobs：シェル部の厚み（Å）
λ：波長（Å）
θ：ブラッグ角(deg)
β：下記式から求められる真の半値幅（単位：ラジアン）
【数４】
Ｂ：立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅の測定値
ｂ：装置定数
【請求項６】
立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）において、ｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項５記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項７】
立方晶の（４００）を測定することを特徴とする請求項６記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項８】
前記回折強度を単色化された放射光を用いて測定する請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項９】
積層セラミックコンデンサに適用される、コアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器を、請求項１〜８のいずれかに記載の方法から求められるシェル部の厚みおよび／または誘電体磁器内の正方晶の体積分率から評価することを特徴とする誘電体磁器の評価方法。
【請求項１０】
ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする誘電体磁器の評価方法。
【請求項１】
コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子からなる誘電体磁器の誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における正方晶の（ｈ ｋ ｌ）と、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度を測定し、下記式（1）からコア部（正方晶部分）とシェル部（立方晶部分）の結晶相の体積分率を算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数１】
Ｖobs：誘電体磁器内の正方晶の体積分率
ｍtet：使用した正方晶ピークの多重度
ｍcub：使用した立方晶ピークの多重度
Ｉtet：使用した正方晶ピークの回折強度
Ｉcub：使用した立方晶ピークの回折強度
【請求項２】
球状二重構造モデルに基づく下記式（2）からシェル部の厚みを推定する請求項１記載の誘電体磁器の評価方法。
【数２】
ｄcal：シェル部の厚み（nm）
Ｄ：ペロブスカイト型結晶粒子の外径（nm）
Ｖobs：前記式（1）から求められた体積分率
【請求項３】
正方晶の（ｈ ｋ ｌ）においてｈ≧４、ｋ＝０、ｌ＝０またはｈ＝０、ｋ＝０、ｌ≧４であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）においてｈ'＝０、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項１または２記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項４】
正方晶の（ｈ ｋ ｌ）が正方晶の（４００）または（００４）であり、立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）が立方晶の（４００）である請求項３記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項５】
コアシェル構造を具備するペロブスカイト型結晶粒子による誘電体多結晶表面にＸ線を照射し、前記ペロブスカイト結晶における立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）の回折強度におけるピーク半値幅を測定し、下記式（3）からシェル部の厚みを算出することを特徴とする、Ｘ線回折法を利用する誘電体磁器の評価方法。
【数３】
ｄobs：シェル部の厚み（Å）
λ：波長（Å）
θ：ブラッグ角(deg)
β：下記式から求められる真の半値幅（単位：ラジアン）
【数４】
Ｂ：立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）のピーク半値幅の測定値
ｂ：装置定数
【請求項６】
立方晶の（ｈ' ｋ' ｌ'）において、ｈ'＝０ 、ｋ'＝０、ｌ'≧４である請求項５記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項７】
立方晶の（４００）を測定することを特徴とする請求項６記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項８】
前記回折強度を単色化された放射光を用いて測定する請求項１〜７のいずれかに記載の誘電体磁器の評価方法。
【請求項９】
積層セラミックコンデンサに適用される、コアシェル構造を具備するペロブスカイト型誘電体磁器を、請求項１〜８のいずれかに記載の方法から求められるシェル部の厚みおよび／または誘電体磁器内の正方晶の体積分率から評価することを特徴とする誘電体磁器の評価方法。
【請求項１０】
ＢａＴｉＯ3を主成分とするペロブスカイト型誘電体磁器において、前記シェル部の厚みが約４０ｎｍ以下で、かつ前記誘電体磁器内の正方晶の体積分率が４５％以上であることを積層セラミックコンデンサへの適用基準とする誘電体磁器の評価方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−１３７６４７（Ｐ２００６−１３７６４７Ａ）
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−３３０２５０（Ｐ２００４−３３０２５０）
【出願日】平成１６年１１月１５日（２００４．１１．１５）
【出願人】（５０５３７４７８３）独立行政法人 日本原子力研究開発機構 (727)
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月１５日（２００４．１１．１５）
【出願人】（５０５３７４７８３）独立行政法人 日本原子力研究開発機構 (727)
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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