配線基板
【課題】第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とビアホール部を介して導通接続される構成において、第１の導電層と第２の導電層とを安定して導通接続する。
【解決手段】樹脂層２、導電層３及び樹脂層４が積層されてなる配線基板１に形成されたビアホール部１０が、樹脂層４のみが除去されて導電層３が除去されていない第１の領域１１と、樹脂層４及び導電層３が除去された第２の領域１２とを有し、導電層３が、第１の領域１１にて除去されていない部分が、ビアホール部１０以外の部分と導通接続されている。
【解決手段】樹脂層２、導電層３及び樹脂層４が積層されてなる配線基板１に形成されたビアホール部１０が、樹脂層４のみが除去されて導電層３が除去されていない第１の領域１１と、樹脂層４及び導電層３が除去された第２の領域１２とを有し、導電層３が、第１の領域１１にて除去されていない部分が、ビアホール部１０以外の部分と導通接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層を介して配置された２つの導電層が導通接続される配線基板に関し、特に、導通安定性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触型ＩＣタグや非接触型ＩＣラベル等のＲＦ−ＩＤメディアがその優れた利便性から急速な普及が進みつつある。ＲＦ−ＩＤメディアにおいては、シート基材上に導電性のアンテナが形成されるとともにＩＣチップが搭載されたインレットが、表面シートに挟み込まれて構成されている。
【０００３】
ここで、上述したインレットのような配線基板においては、配線基板にて形成される回路が複雑になった場合、全体の面積を大きくせずにその回路を実現するためには、多層化する必要がある。そのため、一般的には、配線パターンを構成する導電層を絶縁層を介して複数設け、これら複数の導電層を、絶縁層に形成されたビアホールを介して導通接続することが行われている。このようなビアホールは、絶縁層にレーザー光を照射することによって形成されることが多い。
【０００４】
図８は、レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【０００５】
図８に示すように、２つの樹脂層３０２，３０４間に導電層３０３が挟まれた構成において、導電層３０３を樹脂層３０４上に形成される導電層と導通接続するためにレーザー光を照射して樹脂層３０４にビアホール部３１０を形成した場合、ビアホール部３１０の内部に樹脂層３０４の残さ３２０が残ってしまい、導電層どうしの導通接続が不安定になってしまう。
【０００６】
そこで、ビアホールを形成した後、デスミア処理を施すことにより、残さを取り除く技術が考えられている（例えば、特許文献１〜３参照）。ところが、そのような技術においては、デスミア処理というビアホールの形成には用いられない薬品を用いた特別の処理が必要となるため、そのような環境、設備を新たに準備しなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２８４３０９号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５２０２号公報
【特許文献３】特許第４０９４９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、図８に示したような構成において、ビアホール部３１０にて導電層３０３までレーザー光によって除去することにより、導電層３０３上に残さ３０２が生じないようにすることが考えられる。
【０００９】
図９は、レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【００１０】
図９に示すように、２つの樹脂層４０２，４０４間に導電層４０３が挟まれた構成において、導電層４０３を樹脂層４０４上に形成される導電層と導通接続するためにレーザー光を照射して樹脂層４０４及び導電層４０３を除去してビアホール部４１０を形成した場合、導電層４０３上には樹脂層４０４の残さが生じないものの、導電層４０３と、その後樹脂層４０４上に導電層を形成するために塗工された導電ペースト４０５との接続部分４１３（図９中太線で示す）が、導電層４０３のビアホール部４１０に露出した側面のみとなるため、上記同様に、導電層どうしの導通接続が不安定になってしまう。
【００１１】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とビアホール部を介して導通接続される構成において、第１の導電層と第２の導電層とを安定して導通接続することができる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、
第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、該第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層と導通接続される配線基板であって、
前記第１の導電層が部分的に除去されるとともに前記第２の絶縁層が少なくとも部分的に除去されて前記第１の導電層と前記第２の導電層とを導通接続するビアホール部を有し、
前記ビアホール部は、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層のうち少なくとも前記第１の導電層が除去されていない第１の領域と、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層が除去された第２の領域とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域にて除去されていない部分が、前記ビアホール部以外の部分と導通接続されている。
【００１３】
上記のように構成された本発明においては、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の領域においては第１の導電層が除去されておらず、第２の領域においては第１の導電層が除去されていることにより、第１の導電層はビアホール部にて部分的に残存していることになる。そのため、ビアホール部において部分的に残存している第１の導電層上には、第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第１の領域と第２の領域との境界部分においても、第１の導電層が露出した状態となっており、それにより、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる。そして、第１の導電層の第１の領域にて除去されていない部分とビアホール部以外の部分とが導通接続されていることにより、第１の領域にて第１の導電層と当接した第２の導電層は、第１の導電層全体と導通接続されることになる。
【００１４】
このように、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の導電層上に第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、第１の導電層と第２の導電層とをビアホール部を介して安定して導通接続することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明においては、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の導電層上に第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、第１の導電層と第２の導電層とをビアホール部を介して安定して導通接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の配線基板の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示した導電層の構成を示す図である。
【図２】図１に示した配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示した配線基板における効果を説明するための図である。
【図４】本発明の配線基板の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。
【図５】図４に示した配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】図４に示した配線基板における効果を説明するための図である。
【図７】本発明の配線基板の他の実施の形態におけるビアホール部の構成を示す図である。
【図８】レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【図９】レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の配線基板の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示した導電層３の構成を示す図である。
【００１９】
本形態は図１（ａ），（ｂ）に示すように、第１の絶縁層であるＰＥＴ等からなる樹脂層２上に、第１の導電層である銀箔からなる導電層３が形成され、この導電層３上に、第２の絶縁層であるウレタン系アクリレートからなる樹脂層４が積層され、導電層３及び樹脂層４の一部にビアホール部１０が形成されて構成されている。なお、図１においては、本発明の特徴をわかりやすくするために、ビアホール部１０のみを強調表示しているが、実際には、ビアホール部１０は、導電層３と、樹脂層４上に形成される導電層とを導通接続するためのものであって、基板全体に対する相対的な大きさはこのように大きなものではない。なお、第１の絶縁層及び第２の絶縁層としては、上述したような材料からなる樹脂層２，４に限らず、その他、絶縁性を有する樹脂層であればいかなるものであっても構わない。
【００２０】
ビアホール部１０においては、樹脂層４が全て除去されているとともに、導電層３がライン状に残存するように除去されており、導電層３が除去されていない領域が第１の領域１１となり、導電層３が除去された領域が第２の領域１２となっている。そして、導電層３がライン状に残存するように除去されることにより、導電層３は、図１（ｃ）に示すように、ビアホール部１０にて除去されていない部分が、ビアホール部１０以外の部分と導通接続されている。
【００２１】
以下に、上記のように構成された配線基板１の製造方法について説明する。
【００２２】
図２は、図１に示した配線基板１の製造方法を説明するための図である。
【００２３】
まず、樹脂層２の全面に銀箔を貼り付けることによって導電層３を形成し（図２（ａ））、さらに導電層３の全面に樹脂層４を積層する（図２（ｂ））。
【００２４】
次に、ビアホール部１０となる部分に対して、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存するように、樹脂層４側から樹脂層４及び導電層３が除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層４及び導電層３を除去する（図２（ｃ））。この際、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存するようにレーザー光を照射することにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層４及び導電層３を除去する効率が良い。
【００２５】
次に、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存している部分に対して、樹脂層４側から樹脂層４のみが除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層４を除去する（図２（ｄ））。この際、第１の領域は、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存していることにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層４を除去する効率が良い。
【００２６】
これにより、ビアホール部１０に、導電層３が除去されておらずに樹脂層４のみが除去された第１の領域１１と、導電層３及び樹脂層４が除去された第２の領域１２とが形成され、図１に示した配線基板１が完成する。
【００２７】
その後、ビアホール部１０を含むように樹脂層４上に、第２の導電層を形成するために導電ペースト５を塗工すると、この導電ペースト５がビアホール部１０内に流れ込み、導電層３のビアホール部１０にて残存している部分と、導電層３のビアホール部１０以外の部分のうちビアホール部１０に露出した側面とに当接する（図２（ｅ））。そして、導電層３のビアホール部１０にて残存している部分とビアホール部１０以外の部分とが導通接続されていることにより、ビアホール部１０の第１の領域１１にて導電層３と当接した導電ペースト５が、導電層３の全体と導通接続されることになる。
【００２８】
以下に、上述した配線基板１における効果について説明する。
【００２９】
図３は、図１に示した配線基板１における効果を説明するための図である。
【００３０】
上述したように、図１に示した配線基板１においては、樹脂層２上に形成された導電層３と、導電層３上に積層された樹脂層４上にて導電ペースト５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１０において、第１の領域１１においては樹脂層４が除去されているとともに導電層３が除去されておらず、第２の領域１２においては樹脂層４及び導電層３が除去されていることにより、導電層３がビアホール部１０にて部分的に残存していることになるため、ビアホール部１０において部分的に残存している導電層３上には、樹脂層４を除去することによって生じる残さが堆積しにくくなっている。また、図３に示すように、導電層３のビアホール部１０にて残存した部分は、第１の領域１１と第２の領域１２との境界部分においても導電ペースト５と当接しており、それにより、導電層３と導電ペースト５とが当接した接続部分１３（図３中太線で示す）の面積が広くなる。
【００３１】
このように、樹脂層２上に形成された導電層３と、導電層３上に積層された樹脂層４上に導電ペースト５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１０において、樹脂層４を除去することによって生じる残さが導電層３上に堆積しにくく、かつ、樹脂層４上に導電層を形成するために導電ペースト５を塗工した際、ビアホール部１０にてこの導電ペースト５と導電層３とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、導電ペースト５によって樹脂層４上に形成される導電層と導電層３とをビアホール部１０を介して安定して導通接続することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の配線基板の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。
【００３３】
本形態は図４に示すように、第１の実施の形態に示したものに対して、ビアホール部１１０の第１の領域１１１にて樹脂層１０４が除去されずに残存している点のみが異なるものである。
【００３４】
以下に、上記のように構成された配線基板１０１の製造方法について説明する。
【００３５】
図５は、図４に示した配線基板１０１の製造方法を説明するための図である。
【００３６】
まず、樹脂層１０２の全面に銀箔を貼り付けることによって導電層１０３を形成し（図５（ａ））、さらに導電層１０３の全面に樹脂層１０４を積層する（図５（ｂ））。
【００３７】
次に、ビアホール部１１０となる部分に対して、樹脂層１０４及び導電層１０３がライン状に残存するように、樹脂層１０４側から樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層１０４及び導電層１０３を除去する（図５（ｃ））。この際、樹脂層１０４及び導電層１０３がライン状に残存するようにレーザー光を照射することにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層１０４及び導電層１０３を除去する効率が良い。
【００３８】
これにより、ビアホール部１１０に、導電層３及び樹脂層１０４が除去されていない第１の領域１１１と、導電層１０３及び樹脂層１０４が除去された第２の領域１１２とが形成され、図４に示した配線基板１０１が完成する。
【００３９】
その後、ビアホール部１１０を含むように樹脂層１０４上に、第２の導電層を形成するために導電ペースト１０５を塗工すると、この導電ペースト１０５がビアホール部１１０内に流れ込み、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存している部分の側面と、導電層１０３のビアホール部１１０以外の部分のうちビアホール部１１０に露出した側面とに当接する（図５（ｄ））。そして、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存している部分とビアホール部１１０以外の部分とが導通接続されていることにより、ビアホール部１１０の第１の領域１１１にて導電層１０３と当接した導電ペースト１０５が、導電層１０３の全体と導通接続されることになる。
【００４０】
以下に、上述した配線基板１０１における効果について説明する。
【００４１】
図６は、図４に示した配線基板１０１における効果を説明するための図である。
【００４２】
上述したように、図４に示した配線基板１０１においては、樹脂層１０２上に形成された導電層１０３と、導電層１０３上に積層された樹脂層１０４上にて導電ペースト１０５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１１０において、第１の領域１１１においては樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されておらず、第２の領域１１２においては樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されているため、ビアホール部１１０において部分的に残存している導電層１０３上には、樹脂層１０４を除去することによって生じる残さが堆積することはなく、また、図６に示すように、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存した部分は、第１の領域１１１と第２の領域１１２との境界部分においても導電ペースト１０５と当接しており、それにより、導電層１０３と導電ペースト１０５とが当接した接続部分１１３（図６中太線で示す）の面積が広くなる。
【００４３】
このように、樹脂層１０２上に形成された導電層１０３と、導電層１０３上に積層された樹脂層１０４上に導電ペースト１０５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１１０において、樹脂層１０４を除去することによって生じる残さが導電層１０３上に堆積することがなく、かつ、樹脂層１０４上に導電層を形成するために導電ペースト１０５を塗工した際、ビアホール部１１０にてこの導電ペースト１０５と導電層１０３とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、導電ペースト１０５によって樹脂層１０４上に形成される導電層と導電層１０３とをビアホール部１１０を介して安定して導通接続することができる。
【００４４】
（他の実施の形態）
図７は、本発明の配線基板の他の実施の形態におけるビアホール部の構成を示す図である。
【００４５】
本発明の配線基板におけるビアホール部としては、上述したように導電層３，１０３がライン状に残存するように除去されたものに限らず、図７に示すように、導電層２０３が十字型に残存するように除去されることで、十字型の第１の領域２１１と、それ以外の領域となる第２の領域２１２とからなるものであってもよい。このような形状であっても、導電層２０３のビアホール部に残存している部分が、導電層２０３のビアホール以外の部分と導通接続されているため、この導電層２０３上に積層された樹脂層上に導電層が形成された場合、その導電層は、導電層２０３のビアホール部に残存している部分に当接することにより、導電層２０３全体と導通接続されることになる。
【００４６】
このように、本発明の配線基板におけるビアホール部としては、導電層やその上に積層された絶縁層となる樹脂層が、ライン状に残存するように除去されたもの以外でも、導電層のビアホール部の部分がそれ以外の部分と導通接続されていれば、十字型、曲線状、網目状等、様々な形態であってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１，１０１ 配線基板
２，４，１０２，１０４ 樹脂層
３，１０３，２０３ 導電層
５，１０５ 導電ペースト
１０，１１０，２１０ ビアホール部
１１，１１１，２１１ 第１の領域
１２，１１２，２１２ 第２の領域
１３，１１３ 接続部分
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層を介して配置された２つの導電層が導通接続される配線基板に関し、特に、導通安定性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非接触型ＩＣタグや非接触型ＩＣラベル等のＲＦ−ＩＤメディアがその優れた利便性から急速な普及が進みつつある。ＲＦ−ＩＤメディアにおいては、シート基材上に導電性のアンテナが形成されるとともにＩＣチップが搭載されたインレットが、表面シートに挟み込まれて構成されている。
【０００３】
ここで、上述したインレットのような配線基板においては、配線基板にて形成される回路が複雑になった場合、全体の面積を大きくせずにその回路を実現するためには、多層化する必要がある。そのため、一般的には、配線パターンを構成する導電層を絶縁層を介して複数設け、これら複数の導電層を、絶縁層に形成されたビアホールを介して導通接続することが行われている。このようなビアホールは、絶縁層にレーザー光を照射することによって形成されることが多い。
【０００４】
図８は、レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【０００５】
図８に示すように、２つの樹脂層３０２，３０４間に導電層３０３が挟まれた構成において、導電層３０３を樹脂層３０４上に形成される導電層と導通接続するためにレーザー光を照射して樹脂層３０４にビアホール部３１０を形成した場合、ビアホール部３１０の内部に樹脂層３０４の残さ３２０が残ってしまい、導電層どうしの導通接続が不安定になってしまう。
【０００６】
そこで、ビアホールを形成した後、デスミア処理を施すことにより、残さを取り除く技術が考えられている（例えば、特許文献１〜３参照）。ところが、そのような技術においては、デスミア処理というビアホールの形成には用いられない薬品を用いた特別の処理が必要となるため、そのような環境、設備を新たに準備しなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２８４３０９号公報
【特許文献２】特開２００４−２３５２０２号公報
【特許文献３】特許第４０９４９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ここで、図８に示したような構成において、ビアホール部３１０にて導電層３０３までレーザー光によって除去することにより、導電層３０３上に残さ３０２が生じないようにすることが考えられる。
【０００９】
図９は、レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【００１０】
図９に示すように、２つの樹脂層４０２，４０４間に導電層４０３が挟まれた構成において、導電層４０３を樹脂層４０４上に形成される導電層と導通接続するためにレーザー光を照射して樹脂層４０４及び導電層４０３を除去してビアホール部４１０を形成した場合、導電層４０３上には樹脂層４０４の残さが生じないものの、導電層４０３と、その後樹脂層４０４上に導電層を形成するために塗工された導電ペースト４０５との接続部分４１３（図９中太線で示す）が、導電層４０３のビアホール部４１０に露出した側面のみとなるため、上記同様に、導電層どうしの導通接続が不安定になってしまう。
【００１１】
本発明は、上述したような従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであって、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とビアホール部を介して導通接続される構成において、第１の導電層と第２の導電層とを安定して導通接続することができる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、
第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、該第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層と導通接続される配線基板であって、
前記第１の導電層が部分的に除去されるとともに前記第２の絶縁層が少なくとも部分的に除去されて前記第１の導電層と前記第２の導電層とを導通接続するビアホール部を有し、
前記ビアホール部は、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層のうち少なくとも前記第１の導電層が除去されていない第１の領域と、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層が除去された第２の領域とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域にて除去されていない部分が、前記ビアホール部以外の部分と導通接続されている。
【００１３】
上記のように構成された本発明においては、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の領域においては第１の導電層が除去されておらず、第２の領域においては第１の導電層が除去されていることにより、第１の導電層はビアホール部にて部分的に残存していることになる。そのため、ビアホール部において部分的に残存している第１の導電層上には、第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第１の領域と第２の領域との境界部分においても、第１の導電層が露出した状態となっており、それにより、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる。そして、第１の導電層の第１の領域にて除去されていない部分とビアホール部以外の部分とが導通接続されていることにより、第１の領域にて第１の導電層と当接した第２の導電層は、第１の導電層全体と導通接続されることになる。
【００１４】
このように、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の導電層上に第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、第１の導電層と第２の導電層とをビアホール部を介して安定して導通接続することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明においては、第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層とが導通接続されるビアホール部において、第１の導電層上に第２の絶縁層を除去することによって生じる残さが堆積しにくく、かつ、第２の絶縁層上に第２の導電層を形成した際、ビアホール部にてこの第２の導電層と第１の導電層とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、第１の導電層と第２の導電層とをビアホール部を介して安定して導通接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の配線基板の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示した導電層の構成を示す図である。
【図２】図１に示した配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】図１に示した配線基板における効果を説明するための図である。
【図４】本発明の配線基板の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。
【図５】図４に示した配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】図４に示した配線基板における効果を説明するための図である。
【図７】本発明の配線基板の他の実施の形態におけるビアホール部の構成を示す図である。
【図８】レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【図９】レーザー光の照射によってビアホールを形成した場合の問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の配線基板の第１の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図、（ｃ）は（ｂ）に示した導電層３の構成を示す図である。
【００１９】
本形態は図１（ａ），（ｂ）に示すように、第１の絶縁層であるＰＥＴ等からなる樹脂層２上に、第１の導電層である銀箔からなる導電層３が形成され、この導電層３上に、第２の絶縁層であるウレタン系アクリレートからなる樹脂層４が積層され、導電層３及び樹脂層４の一部にビアホール部１０が形成されて構成されている。なお、図１においては、本発明の特徴をわかりやすくするために、ビアホール部１０のみを強調表示しているが、実際には、ビアホール部１０は、導電層３と、樹脂層４上に形成される導電層とを導通接続するためのものであって、基板全体に対する相対的な大きさはこのように大きなものではない。なお、第１の絶縁層及び第２の絶縁層としては、上述したような材料からなる樹脂層２，４に限らず、その他、絶縁性を有する樹脂層であればいかなるものであっても構わない。
【００２０】
ビアホール部１０においては、樹脂層４が全て除去されているとともに、導電層３がライン状に残存するように除去されており、導電層３が除去されていない領域が第１の領域１１となり、導電層３が除去された領域が第２の領域１２となっている。そして、導電層３がライン状に残存するように除去されることにより、導電層３は、図１（ｃ）に示すように、ビアホール部１０にて除去されていない部分が、ビアホール部１０以外の部分と導通接続されている。
【００２１】
以下に、上記のように構成された配線基板１の製造方法について説明する。
【００２２】
図２は、図１に示した配線基板１の製造方法を説明するための図である。
【００２３】
まず、樹脂層２の全面に銀箔を貼り付けることによって導電層３を形成し（図２（ａ））、さらに導電層３の全面に樹脂層４を積層する（図２（ｂ））。
【００２４】
次に、ビアホール部１０となる部分に対して、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存するように、樹脂層４側から樹脂層４及び導電層３が除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層４及び導電層３を除去する（図２（ｃ））。この際、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存するようにレーザー光を照射することにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層４及び導電層３を除去する効率が良い。
【００２５】
次に、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存している部分に対して、樹脂層４側から樹脂層４のみが除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層４を除去する（図２（ｄ））。この際、第１の領域は、樹脂層４及び導電層３がライン状に残存していることにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層４を除去する効率が良い。
【００２６】
これにより、ビアホール部１０に、導電層３が除去されておらずに樹脂層４のみが除去された第１の領域１１と、導電層３及び樹脂層４が除去された第２の領域１２とが形成され、図１に示した配線基板１が完成する。
【００２７】
その後、ビアホール部１０を含むように樹脂層４上に、第２の導電層を形成するために導電ペースト５を塗工すると、この導電ペースト５がビアホール部１０内に流れ込み、導電層３のビアホール部１０にて残存している部分と、導電層３のビアホール部１０以外の部分のうちビアホール部１０に露出した側面とに当接する（図２（ｅ））。そして、導電層３のビアホール部１０にて残存している部分とビアホール部１０以外の部分とが導通接続されていることにより、ビアホール部１０の第１の領域１１にて導電層３と当接した導電ペースト５が、導電層３の全体と導通接続されることになる。
【００２８】
以下に、上述した配線基板１における効果について説明する。
【００２９】
図３は、図１に示した配線基板１における効果を説明するための図である。
【００３０】
上述したように、図１に示した配線基板１においては、樹脂層２上に形成された導電層３と、導電層３上に積層された樹脂層４上にて導電ペースト５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１０において、第１の領域１１においては樹脂層４が除去されているとともに導電層３が除去されておらず、第２の領域１２においては樹脂層４及び導電層３が除去されていることにより、導電層３がビアホール部１０にて部分的に残存していることになるため、ビアホール部１０において部分的に残存している導電層３上には、樹脂層４を除去することによって生じる残さが堆積しにくくなっている。また、図３に示すように、導電層３のビアホール部１０にて残存した部分は、第１の領域１１と第２の領域１２との境界部分においても導電ペースト５と当接しており、それにより、導電層３と導電ペースト５とが当接した接続部分１３（図３中太線で示す）の面積が広くなる。
【００３１】
このように、樹脂層２上に形成された導電層３と、導電層３上に積層された樹脂層４上に導電ペースト５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１０において、樹脂層４を除去することによって生じる残さが導電層３上に堆積しにくく、かつ、樹脂層４上に導電層を形成するために導電ペースト５を塗工した際、ビアホール部１０にてこの導電ペースト５と導電層３とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、導電ペースト５によって樹脂層４上に形成される導電層と導電層３とをビアホール部１０を介して安定して導通接続することができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の配線基板の第２の実施の形態を示す図であり、（ａ）は表面図、（ｂ）は（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図である。
【００３３】
本形態は図４に示すように、第１の実施の形態に示したものに対して、ビアホール部１１０の第１の領域１１１にて樹脂層１０４が除去されずに残存している点のみが異なるものである。
【００３４】
以下に、上記のように構成された配線基板１０１の製造方法について説明する。
【００３５】
図５は、図４に示した配線基板１０１の製造方法を説明するための図である。
【００３６】
まず、樹脂層１０２の全面に銀箔を貼り付けることによって導電層１０３を形成し（図５（ａ））、さらに導電層１０３の全面に樹脂層１０４を積層する（図５（ｂ））。
【００３７】
次に、ビアホール部１１０となる部分に対して、樹脂層１０４及び導電層１０３がライン状に残存するように、樹脂層１０４側から樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されるような強さでレーザー光を照射して樹脂層１０４及び導電層１０３を除去する（図５（ｃ））。この際、樹脂層１０４及び導電層１０３がライン状に残存するようにレーザー光を照射することにより、レーザー光を直線状に走査しながら照射することになるため、樹脂層１０４及び導電層１０３を除去する効率が良い。
【００３８】
これにより、ビアホール部１１０に、導電層３及び樹脂層１０４が除去されていない第１の領域１１１と、導電層１０３及び樹脂層１０４が除去された第２の領域１１２とが形成され、図４に示した配線基板１０１が完成する。
【００３９】
その後、ビアホール部１１０を含むように樹脂層１０４上に、第２の導電層を形成するために導電ペースト１０５を塗工すると、この導電ペースト１０５がビアホール部１１０内に流れ込み、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存している部分の側面と、導電層１０３のビアホール部１１０以外の部分のうちビアホール部１１０に露出した側面とに当接する（図５（ｄ））。そして、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存している部分とビアホール部１１０以外の部分とが導通接続されていることにより、ビアホール部１１０の第１の領域１１１にて導電層１０３と当接した導電ペースト１０５が、導電層１０３の全体と導通接続されることになる。
【００４０】
以下に、上述した配線基板１０１における効果について説明する。
【００４１】
図６は、図４に示した配線基板１０１における効果を説明するための図である。
【００４２】
上述したように、図４に示した配線基板１０１においては、樹脂層１０２上に形成された導電層１０３と、導電層１０３上に積層された樹脂層１０４上にて導電ペースト１０５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１１０において、第１の領域１１１においては樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されておらず、第２の領域１１２においては樹脂層１０４及び導電層１０３が除去されているため、ビアホール部１１０において部分的に残存している導電層１０３上には、樹脂層１０４を除去することによって生じる残さが堆積することはなく、また、図６に示すように、導電層１０３のビアホール部１１０にて残存した部分は、第１の領域１１１と第２の領域１１２との境界部分においても導電ペースト１０５と当接しており、それにより、導電層１０３と導電ペースト１０５とが当接した接続部分１１３（図６中太線で示す）の面積が広くなる。
【００４３】
このように、樹脂層１０２上に形成された導電層１０３と、導電層１０３上に積層された樹脂層１０４上に導電ペースト１０５によって形成される導電層とが導通接続されるビアホール部１１０において、樹脂層１０４を除去することによって生じる残さが導電層１０３上に堆積することがなく、かつ、樹脂層１０４上に導電層を形成するために導電ペースト１０５を塗工した際、ビアホール部１１０にてこの導電ペースト１０５と導電層１０３とが当接する面積が広くなる構成とすることにより、導電ペースト１０５によって樹脂層１０４上に形成される導電層と導電層１０３とをビアホール部１１０を介して安定して導通接続することができる。
【００４４】
（他の実施の形態）
図７は、本発明の配線基板の他の実施の形態におけるビアホール部の構成を示す図である。
【００４５】
本発明の配線基板におけるビアホール部としては、上述したように導電層３，１０３がライン状に残存するように除去されたものに限らず、図７に示すように、導電層２０３が十字型に残存するように除去されることで、十字型の第１の領域２１１と、それ以外の領域となる第２の領域２１２とからなるものであってもよい。このような形状であっても、導電層２０３のビアホール部に残存している部分が、導電層２０３のビアホール以外の部分と導通接続されているため、この導電層２０３上に積層された樹脂層上に導電層が形成された場合、その導電層は、導電層２０３のビアホール部に残存している部分に当接することにより、導電層２０３全体と導通接続されることになる。
【００４６】
このように、本発明の配線基板におけるビアホール部としては、導電層やその上に積層された絶縁層となる樹脂層が、ライン状に残存するように除去されたもの以外でも、導電層のビアホール部の部分がそれ以外の部分と導通接続されていれば、十字型、曲線状、網目状等、様々な形態であってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１，１０１ 配線基板
２，４，１０２，１０４ 樹脂層
３，１０３，２０３ 導電層
５，１０５ 導電ペースト
１０，１１０，２１０ ビアホール部
１１，１１１，２１１ 第１の領域
１２，１１２，２１２ 第２の領域
１３，１１３ 接続部分
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、該第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層と導通接続される配線基板であって、
前記第１の導電層が部分的に除去されるとともに前記第２の絶縁層が少なくとも部分的に除去されて前記第１の導電層と前記第２の導電層とを導通接続するビアホール部を有し、
前記ビアホール部は、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層のうち少なくとも前記第１の導電層が除去されていない第１の領域と、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層が除去された第２の領域とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域にて除去されていない部分が、前記ビアホール部以外の部分と導通接続されている配線基板。
【請求項１】
第１の絶縁層上に形成された第１の導電層が、該第１の導電層上に積層された第２の絶縁層上に形成される第２の導電層と導通接続される配線基板であって、
前記第１の導電層が部分的に除去されるとともに前記第２の絶縁層が少なくとも部分的に除去されて前記第１の導電層と前記第２の導電層とを導通接続するビアホール部を有し、
前記ビアホール部は、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層のうち少なくとも前記第１の導電層が除去されていない第１の領域と、
前記第１の導電層及び前記第２の絶縁層が除去された第２の領域とを有し、
前記第１の導電層は、前記第１の領域にて除去されていない部分が、前記ビアホール部以外の部分と導通接続されている配線基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−７４１３１（Ｐ２０１３−７４１３１Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１２３０４（Ｐ２０１１−２１２３０４）
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００１１０２１７）トッパン・フォームズ株式会社 (989)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００１１０２１７）トッパン・フォームズ株式会社 (989)
【Ｆターム（参考）】
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