電子回路パッケージ及びその加熱方法
【課題】半田バンプの半田付けの不良を補修するために行う加熱に際して、過熱による不具合を除く。
【解決手段】ＢＧＡパッケージは、ＢＧＡケース１とプリント基板１１とを備える。ＢＧＡケース１は、各端子電極７のバンプ２毎に、発熱素子３及び温度検出素子１６を有する。半田付けの不良が発見されると、当該不良半田の端子電極７に付属している発熱素子３がオンとなり、温度検出素子１６が温度上昇を監視し、発熱素子３を制御することで、局所的なＢＧＡパッケージの過熱が阻止される。
【解決手段】ＢＧＡパッケージは、ＢＧＡケース１とプリント基板１１とを備える。ＢＧＡケース１は、各端子電極７のバンプ２毎に、発熱素子３及び温度検出素子１６を有する。半田付けの不良が発見されると、当該不良半田の端子電極７に付属している発熱素子３がオンとなり、温度検出素子１６が温度上昇を監視し、発熱素子３を制御することで、局所的なＢＧＡパッケージの過熱が阻止される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路パッケージ及びその加熱方法に関し、更に詳しくは、電子回路パッケージの半田付け端子の半田を溶融するために用いられる、電子回路パッケージの加熱技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路パッケージとして、ＢＧＡパッケージが広範囲に用いられている。ＢＧＡパッケージは、ＢＧＡチップと、ＢＧＡチップを搭載する回路基板（プリント基板）とを有する。ＢＧＡチップを回路基板上に搭載する際には、回路基板の各端子電極とＢＧＡチップの各ＢＧＡ端子（端子電極）とが半田付け工法で接続される。半田付け接続では、一般にリフロー装置が用いられ、多数の端子電極が一度に半田付けされる。ＢＧＡパッケージでは、一部の端子電極で半田付けに不良が発生すると、その半田不良の補修のために再度半田付けが行われる。この場合に、リフロー装置を用いて全ての端子を補修すると、作業が大がかりになり、非効率である。
【０００３】
特許文献１には、半田付け接続で発生した不良端子の半田のみを一旦溶融によって切り離し、再度の半田付け接続を行う電子回路パッケージの加熱方法が記載されている。この特許文献に記載の電子回路パッケージでは、各端子電極に対応して発熱素子を端子電極と一体的に配置している。半田付け接続の不良端子が発見されると、ＢＧＡパッケージの外部から発熱素子を制御し、不良端子に対応する発熱素子をオンにして、その不良端子のみを加熱する。この加熱によって、不良端子の半田が融解するので、これを冷却することで再度半田付けを行い、半田接続の不良を除いている。
【特許文献１】特開２００６−３２５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、各端子電極に付属する発熱素子を配置し、不良端子のみを加熱する構成を採用している。しかし、同特許文献に記載の技術では、発熱素子によって不良端子を加熱する際に、発熱素子によって電子回路パッケージが局部的に過熱し、二次的な不良が発生するおそれについては考慮されていない。つまり、不良端子の加熱に際して端子付近で過熱が発生しても、これを検出する温度監視手段や温度制御手段を持たず、従って、過熱を検出し或いは過熱を抑えることは出来なかった。
【０００５】
本発明は、半田付け端子を加熱する際に、局部的な過熱の発生を抑えながら、個別に半田付け端子を加熱できるように改良された電子回路パッケージ、及び、そのような電子回路パッケージの半田付け端子の加熱に用いられる、電子回路パッケージの加熱方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、半田によって接続される複数の半田付け端子を有する電子回路パッケージであって、
各半田付け端子に隣接して配設される発熱素子及び温度検出素子と、
前記発熱素子毎に配設され、前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御する制御素子とを備えることを特徴とする電子回路パッケージを提供する。
【０００７】
また、本発明は、電子回路パッケージに形成された複数の半田付け端子を加熱する、電子回路パッケージの加熱方法であって、
各半田付け端子に隣接して発熱素子及び温度検出素子を配設し、
前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御することを特徴とする電子回路パッケージの加熱方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電子回路パッケージ、及び、その加熱方法によると、半田付け端子毎に加熱が可能となり、且つ、局部的な加熱の発生を抑えることにより、電子回路パッケージの損傷を防止することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージの断面図である。ＢＧＡパッケージは、プリント基板１１と、ＢＧＡチップを構成する半導体集積回路部を備えるＢＧＡケース１とを有する。図１（ｂ）は、ＢＧＡケース１の下面図である。また、図２は、図１のＢＧＡパッケージ内の電気回路の接続を示すブロック図である。
【００１０】
図１及び図２を参照すると、ＢＧＡケース１には、端子電極７と、発熱素子（発熱体）３と、外部入力電源端子４と、半導体集積回路部５と、ヒーター部６とが搭載されている。ヒーター部６は、複数の発熱素子３と、複数の発熱素子３のそれぞれに対応して配設された温度検出素子１６及びリレー（制御素子）１７を含む。
【００１１】
バンプ２は、半田材料によって構成され、ＢＧＡケース１の各端子電極（半田付け端子）７は、バンプ２を介して、プリント基板１１の対応する基板端子（図示せず）に半田付けされる。バンプ２は、加熱によって半田の融解点にまで温度上昇する。したがって、バンプ２は、発熱素子３及び温度検出素子１６との間で良好な熱伝導性を持つように配置される。図３は、図２を再掲するもので、図３では、任意のバンプを２ｍ、任意の発熱素子及び温度検出素子をそれぞれ３ｍ及び１６ｍで示している。
【００１２】
各発熱素子３は、バンプ２の周囲に配置される。発熱素子３は、図２に示すように、動作電源電圧が印加されることにより発熱し、半田融解点にまで温度上昇する。外部入力電源端子４は、外部電源９から受電する電源端子で、ヒーター部６のみに電源を供給する。半導体集積回路部５は、ＢＧＡパッケージ構造を採用するデバイスの電気的性能を決定するもので、電源８から動作電力の供給を受ける。
【００１３】
ヒーター部６は、各端子電極７に隣接して配設される、発熱素子３と温度検出素子１６とリレー１７とを含んで構成される。ヒーター部６は、半導体集積回路部５とは独立に電源供給が可能であり、各発熱素子３は、外部入力電源端子４を介して電源供給を受けると、半田融解点にまでバンプ２の温度を上昇させる。
【００１４】
リレー１７は、外部からの設定で任意にＨレベル又はＬレベルに制御される制御信号１０の入力端子を備える。リレー１７は、例えば、制御信号がＨレベルでオン、Ｌレベルでオフとなる。なお、逆に、Ｈレベルでオフ、Ｌレベルでオンとしても良い。制御信号１０の状態により、リレー１７の接点のオン／オフ制御が行われるため、電源８の電圧を発熱素子３に対して任意のタイミングで自在に伝達する。リレー１７は、接点１７ａ及び接点１７ｂを備え、発熱素子３への通電をオン（接点１７ｂに接続）またはオフ（接点１７ａに接続）する。なお、任意の発熱素子３ｍへ通電するリレー１７をリレー１７ｍで表し、リレー１７ｍはリレー１７に包含される。このリレー１７は、切替器やオン／オフを行うスイッチなどから成るオン／オフ手段である。
【００１５】
電源８は、半導体集積回路部５の動作電源であり、発熱素子３の一方の動作電源にもなっている。外部電源９は、電源８からは独立した電源であり、外部入力電源端子４に接続される。外部電源９は、電源８のショート等の不具合に対するバックアップの機能をも有し、外部入力電源端子４に外部電源９を接続すれば、全ての発熱素子３に電圧を印加することができる。外部電源を印加することにより、例えば、既に半田付けが完了した全ての端子で半田が溶融するため、ＢＧＡケース１をプリント基板１１から容易に取り外しできる。
【００１６】
制御信号１０は、リレー１７の接点１７ａと接点１７ｂとをスイッチ（オン／オフ）する制御信号であり、ＢＧＡケース１に備えた端子（図示せず）から入力する。任意の発熱素子３ｍを制御する制御信号１０を制御信号１０ｍで表している。
【００１７】
温度検出素子１６は発熱素子３の温度状態を検出し、温度を電気信号（電圧）に変換する温度センサの機能を有する。温度検出素子１６は、図４に示すように、検出温度と変換後の電圧レベルとが１対１に対応する近似的な比例関係にある。このため、電圧レベルをモニタすることで、温度検出素子１６が検出した温度を解読することが可能になる。なお、任意の温度検出素子１６を温度検出素子１６ｍで表す。
【００１８】
温度検出信号１８（図２）は、温度検出素子１６によって得られる、発熱素子３の温度を電圧レベルに変換した出力信号である。この電圧レベルを監視することで、発熱素子３及び発熱素子３により上昇したバンプ２の温度情報を、温度検出信号１８の接続先となる監視装置などに通知可能となる。図４で示した温度検出素子１６の「温度−電圧」変換特性により、変換後の電気信号はアナログ波形となる。しかし、接続先の監視装置に対しては、識別精度を上げるためにＡＤコンバータ通過後のデジタル信号として入力しても良い。なお、任意の温度検出信号１８を温度検出信号１８ｍで表す。
【００１９】
発熱素子３とリレー１７と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とは、端子数（ピン数）に応じて、つまり、各端子に対して１対１で対応するようにそれぞれが複数配置される。ここでピン数とは、ＢＧＡパッケージが有するピンの総数である。ピンの総数は、ＢＧＡパッケージの大きさや種類によって異なり、例えば３００ピンのＢＧＡパッケージは、３００組のバンプ２と発熱素子３とリレー１７と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とで成るセットを有する。
【００２０】
プリント基板１１の表面には、プリント基板内の導体に接続された基板端子（図示せず）が形成されている。基板端子は、バンプ２を介して、ＢＧＡケース１の下面に設けられた端子電極７に接続されている。
【００２１】
以下、図２、３、４を参照して第１の実施形態のＢＧＡパッケージの動作を説明する。図３に示すように、ＢＧＡパッケージを構成する半導体デバイスの任意のバンプ２ｍの半田付け部位において、半田付け不良が発生した場合を想定する。通常状態においては、リレー１７は、制御信号１０により電源８からの電源線が全てのバンプで接点１７ａに接続されて、オフ状態に制御される。半田不良が発生したバンプ２ｍでは、制御信号１０ｍによってリレー１７ｍをオン状態（接点１７ｂに接続）に制御し、該当する発熱素子３ｍだけを発熱させる。このとき、温度検出素子１６ｍは、発熱素子３ｍの温度状態を温度検出信号１８ｍとして通知する。図４を参照すると、温度検出信号１８ｍが通知する電圧レベルがＹ［Ｖ］以下であれば、バンプ２ｍに対して加えられた温度が、バンプ２ｍの最大定格温度Ｘ［℃］を超えていないことが保証される。
【００２２】
例えば半田不良が発生し、その加熱中に温度検出信号１８ｍにて、電圧Ｙ［Ｖ］以上を検出した場合には、制御信号１０ｍからリレー１７ｍをオフ状態に制御し、発熱素子３ｍによる発熱を停止することで、バンプ２ｍの温度上昇を抑制する。すなわち、温度検出信号１８ｍによる監視、及び、制御のフィードバックに基づいて、制御信号１０ｍを制御し、リレー１７ｍのオン／オフ状態を制御する。これにより、本実施形態に係るＢＧＡパッケージを採用したデバイスでは、過熱によって故障に陥ることを回避し、且つ、バンプ２ｍの半田が次第に融解して、プリント基板１１との半田付け不良が解消する。このとき、バンプ２ｍ以外のバンプ２は加熱されないため、デバイス位置がプリント基板からずれるなどの異常事態が回避される。
【００２３】
図５は、上記実施形態のＢＧＡパッケージにおけるＢＧＡケース１の状態を、外部入力電源端子４が外部電源９に接続された状態で、図３と同様に示している。本実施形態のＢＧＡパッケージを採用する半導体デバイスは、半導体集積回路部５の故障等により、デバイスの載せ換えを必要とする場合を想定している。この場合には、外部電源９を外部入力電源端子４から入力して、全ての発熱素子３を発熱させる。このようにして、仮に半導体集積回路部５が最初から故障していたとしても、プリント基板１１の最大定格温度を超えないことを保証する必要があるため、やはり図３の例と同様に、温度検出信号１８の電圧レベルを監視しながら、デバイスをプリント基板１１から取り外すことで、プリント基板１１の破損を回避することが可能になる。なお、発熱素子３及び温度検出素子１６の形状は任意の形状を採用することが出来る。また、上記構成に代えて、外部入力電源端子４から印加される外部電源９を一旦受けた後に、各発熱素子３毎に設けたリレーによって各発熱素子毎にオン・オフを制御してもよい。
【００２４】
上記実施形態のＢＧＡパッケージでは、ＢＧＡパッケージ内の任意のバンプに対して、外部からの制御により局所的または全体的に熱を加えつつ、対象のバンプに対する温度監視を可能としている。これによって、各半田付け端子の半田を個別に、又は、一斉に溶融させることができ、その際に局所的な過熱があっても容易に監視でき、且つ、これを制御できる。
【００２５】
また、温度監視を行いながら、半田付け接続に不良が発生した任意のバンプにのみ熱を加えて半田を融解させることが可能になるため、リフロー設備のような特別な設備を使用せずに、過熱によるデバイス故障を回避しながら、半田付け不良の補修を実現できる。
【００２６】
更に、半導体デバイスの故障に際して行われる半導体デバイスの交換時には、リフロー設備を使用せずに、過熱によるプリント基板の損傷を回避しながら、プリント基板からの取り外しが実現できる。
【００２７】
図６は、本発明の第２の実施形態に係るＢＧＡパッケージの電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、デコーダ兼自動温度制御部（以下、デコーダと呼ぶ）１２を備える。デコーダ１２に制御信号バス１３を接続して、デコーダ１２で端子のアドレスを指定する構成を採用する。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。デコーダ１２は、制御信号バス１３から入力する制御信号をデコードするデコード部２０と、温度検出素子１６の出力信号から温度を解読する温度解読部２１と、解読した温度と半田の融解点温度とを比較する温度比較部２２と、温度比較部２２による比較結果に基づいて発熱素子３をオン・オフ制御するオン・オフ制御部２３とを有する。
【００２８】
第１の実施形態では、制御信号１０及び温度検出信号１８を入力するＩＯ端子を、各リレー１７の制御と発熱素子３からの温度通知のための信号毎に設けていた。しかし、高集積化、多数ピン化が著しい現在のＢＧＡパッケージのデバイスにおいては、制御信号１０及び温度検出信号１８の信号線の本数が数百本以上に達してしまう場合がある。このような場合には、所望の発熱素子３の加熱及び温度監視のために該当する制御信号１０及び温度検出信号１８を数百本の信号線の中から選択して配線を行う作業が困難になる。また、制御信号１０及び温度検出信号１８のために、数百本以上のピンをパッケージに追加する必要が生じるため、ピン数が増大する。
【００２９】
そこで第２の実施形態では、外部からの制御信号をバス信号化し、デバイス内部にデコーダ１２を備えている。予め、デコーダ１２に制御信号バス１３の信号パターンに対する各リレー１７のオン／オフ状態を割り当てておくことで、発熱素子３の制御を簡素化すると共に、ＢＧＡパッケージのピン数の増加を防ぐ。
【００３０】
また、デコーダ１２には、温度解読部２１、温度比較部２２及びオン・オフ制御部２３を含む自動温度制御機能部が含まれており、加熱中のバンプ２ｍに対する温度検出素子１６ｍが通知する温度検出信号１８ｍを監視する。デコーダ１２は、制御信号１０ｍに対してフィードバックをかけることで、リレー１７ｍのオン／オフ状態を制御し、バンプ２ｍの自動温度制御を行う。
【００３１】
図７は、第２の実施形態における自動温度制御の様子を示すフローチャートである。本実施形態では、発熱素子３と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とデコーダ１２とを用いて、図７に示すような自動温度制御を行う。
【００３２】
はじめに、制御信号バス１３から送られる制御信号によりバンプ２ｍの加熱制御がスタートする（ステップＳ１）。デコーダ１２は、制御信号バス１３の制御信号をデコードし、制御信号１０ｍをオン制御すると共に、温度検出信号１８ｍのサンプリングを開始する（ステップＳ２）。次に、デコーダ１２は、サンプリングされた温度検出信号１８ｍの検出値が、バンプ２ｍの最大定格温度Ｙ［℃］以上であるか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３で、検出温度がＹ［℃］よりも低い（ＮＯ）と判定すると、制御信号１０ｍをオン状態のままに保持し（ステップＳ４）、ステップＳ６に進む。
【００３３】
ステップＳ３で、Ｙ［℃］以上であると判定すると（ＹＥＳ）、制御信号１０ｍをオフ状態に制御し、バンプ２ｍの過熱を防ぎ（ステップＳ５）、次いで、ステップＳ６に進む。ステップＳ６では、外部監視装置によって、所定の温度範囲にまで温度上昇があったか否か、及び、その所定の温度範囲で所定の時間以上の通電時間が経過したか否かが判定され、その結果が制御信号バス１３を介して通知される。ステップＳ６で、双方を満足すると加熱の終了と判定される。判定の結果が否であればステップＳ２戻り、加熱が継続される。また、判定の結果が加熱終了であると、ステップＳ７に進み、制御信号１０ｍのオフ制御、及び、温度検出信号１８ｍのサンプリング停止により、加熱を終了させる。
【００３４】
図８は、本発明の第３の実施形態に係るＢＧＡパッケージの電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、第２の実施形態の構成に加えて、ＪＴＡＧ（Joint Test Action Group）インタフェース１４を備える。本実施形態では、電子回路パッケージは、内蔵する、バウンダリスキャン機能を有するＪＴＡＧインターフェース１４を用いて、バウンダリスキャン（ＩＥＥＥ１１４９．１）を行って、半田付け不良（接続不良）の有無と不良箇所の判定を行う。試験ツール１５は、バウンダリスキャンを行って得られた試験結果として、半田不良が発生した箇所のデータを保持する。
【００３５】
本実施形態では、試験結果を読み込んだ試験ツール１５が、制御信号バス１３を介して、バウンダリスキャンで特定された不良箇所に該当するリレー１７ｍを制御する。制御信号バス１３からの信号により、自動的に制御信号１０ｍをオン状態に制御し、半田不良バンプ２ｍに該当する発熱素子３ｍを自動的に加熱し、半田付け不良を補修する。
【００３６】
本実施形態では、第２の実施形態と同様に、発熱素子３ｍによる過熱が発生しても、デコーダ１２による温度検出信号１８ｍの監視及び制御信号１０ｍのフィードバック制御により、過熱状態から回復する。
【００３７】
図９は、本発明の第４の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、図８の構成において、制御信号バス１３が削除され、デコーダ１２とＪＴＡＧインタフェース１４とが、４本のシリアルのＪＴＡＧ信号線１９で接続されている。
【００３８】
本実施形態では、ＪＴＡＧインタフェース１４を用い、ＩＳＰ(In System Programming)を実現することにより、試験ツール１５から内部のデコーダ１２を設定することを可能にしている。本実施形態では、制御信号バス１３に要したピン数分だけＢＧＡパッケージのピン数を削減できる。また、半田付け不良の有無判定及び補修を、ＪＴＡＧインタフェース１４を利用することで実現している。これにより、試験の自動化及び効率化を実現可能とする。
【００３９】
本実施形態においても、半田不良の補修の際には、第２及び第３の実施形態と同様に、デコーダ１２による温度検出信号１８ｍの監視及び制御信号１０ｍのフィードバック制御を行い、発熱素子３ｍの温度が過熱状態から回復する。
【００４０】
なお、上記実施形態では、発熱素子をオン・オフ制御する構成を例示したが、発熱素子は電圧制御を行ってもよい。また、２系統の電源を有する例を示したが、電源の系統数は、１以上であればよく、任意の数が採用可能である。制御素子としてリレーを例示したが、リレーに代えて、任意のスイッチ素子を採用可能である。温度検出素子や発熱素子は、所望の機能を有すればよく、特定の形式のものに限定されない。また、電子回路パッケージは、ＢＧＡパッケージに限らず、複数の端子が半田によって接続される形式のパッケージであれば、本発明の適用が可能である。
【００４１】
以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の半導体装置及びその半田加熱方法は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージのＢＧＡケース及びプリント基板の断面図、（ｂ）は、第１の実施形態のＢＧＡパッケージのＢＧＡケースの下面図である。
【図２】第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図３】図２に示すＢＧＡケースの下面図であり、任意の発熱素子及び温度検出素子による発熱及び温度検出の状態を示す説明図である。
【図４】第１の実施形態のＢＧＡパッケージにおける温度検出素子の温度−電圧変換特性を示すグラフである。
【図５】第１の実施形態のＢＧＡパッケージにおけるＢＧＡケースの下面図を示すもので、全ての発熱素子と温度検出素子による発熱及び温度検出の状態を示す説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図７】第２の実施形態における発熱素子と制御信号と温度検出素子と温度検出信号とデコーダとを用いて行う自動温度制御の様子を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ ＢＧＡケース
２ バンプ
３ 発熱素子
４ 外部入力電源端子
５ 半導体集積回路部
６ ヒーター部
７ 端子電極
８ 電源
９ 外部電源
１０ 制御信号
１１ プリント基板
１２ デコーダ兼自動温度制御部
１３ 制御信号バス
１４ ＪＴＡＧインタフェース
１５ 試験ツール
１６ 温度検出素子
１７ リレー
１７ａ、１７ｂ リレー接点
１８ 温度検出信号
１９ ＪＴＡＧ信号線
２０ デコード部
２１ 温度解読部
２２ 温度比較部
２３ オン・オフ制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路パッケージ及びその加熱方法に関し、更に詳しくは、電子回路パッケージの半田付け端子の半田を溶融するために用いられる、電子回路パッケージの加熱技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路パッケージとして、ＢＧＡパッケージが広範囲に用いられている。ＢＧＡパッケージは、ＢＧＡチップと、ＢＧＡチップを搭載する回路基板（プリント基板）とを有する。ＢＧＡチップを回路基板上に搭載する際には、回路基板の各端子電極とＢＧＡチップの各ＢＧＡ端子（端子電極）とが半田付け工法で接続される。半田付け接続では、一般にリフロー装置が用いられ、多数の端子電極が一度に半田付けされる。ＢＧＡパッケージでは、一部の端子電極で半田付けに不良が発生すると、その半田不良の補修のために再度半田付けが行われる。この場合に、リフロー装置を用いて全ての端子を補修すると、作業が大がかりになり、非効率である。
【０００３】
特許文献１には、半田付け接続で発生した不良端子の半田のみを一旦溶融によって切り離し、再度の半田付け接続を行う電子回路パッケージの加熱方法が記載されている。この特許文献に記載の電子回路パッケージでは、各端子電極に対応して発熱素子を端子電極と一体的に配置している。半田付け接続の不良端子が発見されると、ＢＧＡパッケージの外部から発熱素子を制御し、不良端子に対応する発熱素子をオンにして、その不良端子のみを加熱する。この加熱によって、不良端子の半田が融解するので、これを冷却することで再度半田付けを行い、半田接続の不良を除いている。
【特許文献１】特開２００６−３２５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、各端子電極に付属する発熱素子を配置し、不良端子のみを加熱する構成を採用している。しかし、同特許文献に記載の技術では、発熱素子によって不良端子を加熱する際に、発熱素子によって電子回路パッケージが局部的に過熱し、二次的な不良が発生するおそれについては考慮されていない。つまり、不良端子の加熱に際して端子付近で過熱が発生しても、これを検出する温度監視手段や温度制御手段を持たず、従って、過熱を検出し或いは過熱を抑えることは出来なかった。
【０００５】
本発明は、半田付け端子を加熱する際に、局部的な過熱の発生を抑えながら、個別に半田付け端子を加熱できるように改良された電子回路パッケージ、及び、そのような電子回路パッケージの半田付け端子の加熱に用いられる、電子回路パッケージの加熱方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、半田によって接続される複数の半田付け端子を有する電子回路パッケージであって、
各半田付け端子に隣接して配設される発熱素子及び温度検出素子と、
前記発熱素子毎に配設され、前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御する制御素子とを備えることを特徴とする電子回路パッケージを提供する。
【０００７】
また、本発明は、電子回路パッケージに形成された複数の半田付け端子を加熱する、電子回路パッケージの加熱方法であって、
各半田付け端子に隣接して発熱素子及び温度検出素子を配設し、
前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御することを特徴とする電子回路パッケージの加熱方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電子回路パッケージ、及び、その加熱方法によると、半田付け端子毎に加熱が可能となり、且つ、局部的な加熱の発生を抑えることにより、電子回路パッケージの損傷を防止することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、本発明の例示的な実施形態について説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージの断面図である。ＢＧＡパッケージは、プリント基板１１と、ＢＧＡチップを構成する半導体集積回路部を備えるＢＧＡケース１とを有する。図１（ｂ）は、ＢＧＡケース１の下面図である。また、図２は、図１のＢＧＡパッケージ内の電気回路の接続を示すブロック図である。
【００１０】
図１及び図２を参照すると、ＢＧＡケース１には、端子電極７と、発熱素子（発熱体）３と、外部入力電源端子４と、半導体集積回路部５と、ヒーター部６とが搭載されている。ヒーター部６は、複数の発熱素子３と、複数の発熱素子３のそれぞれに対応して配設された温度検出素子１６及びリレー（制御素子）１７を含む。
【００１１】
バンプ２は、半田材料によって構成され、ＢＧＡケース１の各端子電極（半田付け端子）７は、バンプ２を介して、プリント基板１１の対応する基板端子（図示せず）に半田付けされる。バンプ２は、加熱によって半田の融解点にまで温度上昇する。したがって、バンプ２は、発熱素子３及び温度検出素子１６との間で良好な熱伝導性を持つように配置される。図３は、図２を再掲するもので、図３では、任意のバンプを２ｍ、任意の発熱素子及び温度検出素子をそれぞれ３ｍ及び１６ｍで示している。
【００１２】
各発熱素子３は、バンプ２の周囲に配置される。発熱素子３は、図２に示すように、動作電源電圧が印加されることにより発熱し、半田融解点にまで温度上昇する。外部入力電源端子４は、外部電源９から受電する電源端子で、ヒーター部６のみに電源を供給する。半導体集積回路部５は、ＢＧＡパッケージ構造を採用するデバイスの電気的性能を決定するもので、電源８から動作電力の供給を受ける。
【００１３】
ヒーター部６は、各端子電極７に隣接して配設される、発熱素子３と温度検出素子１６とリレー１７とを含んで構成される。ヒーター部６は、半導体集積回路部５とは独立に電源供給が可能であり、各発熱素子３は、外部入力電源端子４を介して電源供給を受けると、半田融解点にまでバンプ２の温度を上昇させる。
【００１４】
リレー１７は、外部からの設定で任意にＨレベル又はＬレベルに制御される制御信号１０の入力端子を備える。リレー１７は、例えば、制御信号がＨレベルでオン、Ｌレベルでオフとなる。なお、逆に、Ｈレベルでオフ、Ｌレベルでオンとしても良い。制御信号１０の状態により、リレー１７の接点のオン／オフ制御が行われるため、電源８の電圧を発熱素子３に対して任意のタイミングで自在に伝達する。リレー１７は、接点１７ａ及び接点１７ｂを備え、発熱素子３への通電をオン（接点１７ｂに接続）またはオフ（接点１７ａに接続）する。なお、任意の発熱素子３ｍへ通電するリレー１７をリレー１７ｍで表し、リレー１７ｍはリレー１７に包含される。このリレー１７は、切替器やオン／オフを行うスイッチなどから成るオン／オフ手段である。
【００１５】
電源８は、半導体集積回路部５の動作電源であり、発熱素子３の一方の動作電源にもなっている。外部電源９は、電源８からは独立した電源であり、外部入力電源端子４に接続される。外部電源９は、電源８のショート等の不具合に対するバックアップの機能をも有し、外部入力電源端子４に外部電源９を接続すれば、全ての発熱素子３に電圧を印加することができる。外部電源を印加することにより、例えば、既に半田付けが完了した全ての端子で半田が溶融するため、ＢＧＡケース１をプリント基板１１から容易に取り外しできる。
【００１６】
制御信号１０は、リレー１７の接点１７ａと接点１７ｂとをスイッチ（オン／オフ）する制御信号であり、ＢＧＡケース１に備えた端子（図示せず）から入力する。任意の発熱素子３ｍを制御する制御信号１０を制御信号１０ｍで表している。
【００１７】
温度検出素子１６は発熱素子３の温度状態を検出し、温度を電気信号（電圧）に変換する温度センサの機能を有する。温度検出素子１６は、図４に示すように、検出温度と変換後の電圧レベルとが１対１に対応する近似的な比例関係にある。このため、電圧レベルをモニタすることで、温度検出素子１６が検出した温度を解読することが可能になる。なお、任意の温度検出素子１６を温度検出素子１６ｍで表す。
【００１８】
温度検出信号１８（図２）は、温度検出素子１６によって得られる、発熱素子３の温度を電圧レベルに変換した出力信号である。この電圧レベルを監視することで、発熱素子３及び発熱素子３により上昇したバンプ２の温度情報を、温度検出信号１８の接続先となる監視装置などに通知可能となる。図４で示した温度検出素子１６の「温度−電圧」変換特性により、変換後の電気信号はアナログ波形となる。しかし、接続先の監視装置に対しては、識別精度を上げるためにＡＤコンバータ通過後のデジタル信号として入力しても良い。なお、任意の温度検出信号１８を温度検出信号１８ｍで表す。
【００１９】
発熱素子３とリレー１７と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とは、端子数（ピン数）に応じて、つまり、各端子に対して１対１で対応するようにそれぞれが複数配置される。ここでピン数とは、ＢＧＡパッケージが有するピンの総数である。ピンの総数は、ＢＧＡパッケージの大きさや種類によって異なり、例えば３００ピンのＢＧＡパッケージは、３００組のバンプ２と発熱素子３とリレー１７と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とで成るセットを有する。
【００２０】
プリント基板１１の表面には、プリント基板内の導体に接続された基板端子（図示せず）が形成されている。基板端子は、バンプ２を介して、ＢＧＡケース１の下面に設けられた端子電極７に接続されている。
【００２１】
以下、図２、３、４を参照して第１の実施形態のＢＧＡパッケージの動作を説明する。図３に示すように、ＢＧＡパッケージを構成する半導体デバイスの任意のバンプ２ｍの半田付け部位において、半田付け不良が発生した場合を想定する。通常状態においては、リレー１７は、制御信号１０により電源８からの電源線が全てのバンプで接点１７ａに接続されて、オフ状態に制御される。半田不良が発生したバンプ２ｍでは、制御信号１０ｍによってリレー１７ｍをオン状態（接点１７ｂに接続）に制御し、該当する発熱素子３ｍだけを発熱させる。このとき、温度検出素子１６ｍは、発熱素子３ｍの温度状態を温度検出信号１８ｍとして通知する。図４を参照すると、温度検出信号１８ｍが通知する電圧レベルがＹ［Ｖ］以下であれば、バンプ２ｍに対して加えられた温度が、バンプ２ｍの最大定格温度Ｘ［℃］を超えていないことが保証される。
【００２２】
例えば半田不良が発生し、その加熱中に温度検出信号１８ｍにて、電圧Ｙ［Ｖ］以上を検出した場合には、制御信号１０ｍからリレー１７ｍをオフ状態に制御し、発熱素子３ｍによる発熱を停止することで、バンプ２ｍの温度上昇を抑制する。すなわち、温度検出信号１８ｍによる監視、及び、制御のフィードバックに基づいて、制御信号１０ｍを制御し、リレー１７ｍのオン／オフ状態を制御する。これにより、本実施形態に係るＢＧＡパッケージを採用したデバイスでは、過熱によって故障に陥ることを回避し、且つ、バンプ２ｍの半田が次第に融解して、プリント基板１１との半田付け不良が解消する。このとき、バンプ２ｍ以外のバンプ２は加熱されないため、デバイス位置がプリント基板からずれるなどの異常事態が回避される。
【００２３】
図５は、上記実施形態のＢＧＡパッケージにおけるＢＧＡケース１の状態を、外部入力電源端子４が外部電源９に接続された状態で、図３と同様に示している。本実施形態のＢＧＡパッケージを採用する半導体デバイスは、半導体集積回路部５の故障等により、デバイスの載せ換えを必要とする場合を想定している。この場合には、外部電源９を外部入力電源端子４から入力して、全ての発熱素子３を発熱させる。このようにして、仮に半導体集積回路部５が最初から故障していたとしても、プリント基板１１の最大定格温度を超えないことを保証する必要があるため、やはり図３の例と同様に、温度検出信号１８の電圧レベルを監視しながら、デバイスをプリント基板１１から取り外すことで、プリント基板１１の破損を回避することが可能になる。なお、発熱素子３及び温度検出素子１６の形状は任意の形状を採用することが出来る。また、上記構成に代えて、外部入力電源端子４から印加される外部電源９を一旦受けた後に、各発熱素子３毎に設けたリレーによって各発熱素子毎にオン・オフを制御してもよい。
【００２４】
上記実施形態のＢＧＡパッケージでは、ＢＧＡパッケージ内の任意のバンプに対して、外部からの制御により局所的または全体的に熱を加えつつ、対象のバンプに対する温度監視を可能としている。これによって、各半田付け端子の半田を個別に、又は、一斉に溶融させることができ、その際に局所的な過熱があっても容易に監視でき、且つ、これを制御できる。
【００２５】
また、温度監視を行いながら、半田付け接続に不良が発生した任意のバンプにのみ熱を加えて半田を融解させることが可能になるため、リフロー設備のような特別な設備を使用せずに、過熱によるデバイス故障を回避しながら、半田付け不良の補修を実現できる。
【００２６】
更に、半導体デバイスの故障に際して行われる半導体デバイスの交換時には、リフロー設備を使用せずに、過熱によるプリント基板の損傷を回避しながら、プリント基板からの取り外しが実現できる。
【００２７】
図６は、本発明の第２の実施形態に係るＢＧＡパッケージの電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、デコーダ兼自動温度制御部（以下、デコーダと呼ぶ）１２を備える。デコーダ１２に制御信号バス１３を接続して、デコーダ１２で端子のアドレスを指定する構成を採用する。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。デコーダ１２は、制御信号バス１３から入力する制御信号をデコードするデコード部２０と、温度検出素子１６の出力信号から温度を解読する温度解読部２１と、解読した温度と半田の融解点温度とを比較する温度比較部２２と、温度比較部２２による比較結果に基づいて発熱素子３をオン・オフ制御するオン・オフ制御部２３とを有する。
【００２８】
第１の実施形態では、制御信号１０及び温度検出信号１８を入力するＩＯ端子を、各リレー１７の制御と発熱素子３からの温度通知のための信号毎に設けていた。しかし、高集積化、多数ピン化が著しい現在のＢＧＡパッケージのデバイスにおいては、制御信号１０及び温度検出信号１８の信号線の本数が数百本以上に達してしまう場合がある。このような場合には、所望の発熱素子３の加熱及び温度監視のために該当する制御信号１０及び温度検出信号１８を数百本の信号線の中から選択して配線を行う作業が困難になる。また、制御信号１０及び温度検出信号１８のために、数百本以上のピンをパッケージに追加する必要が生じるため、ピン数が増大する。
【００２９】
そこで第２の実施形態では、外部からの制御信号をバス信号化し、デバイス内部にデコーダ１２を備えている。予め、デコーダ１２に制御信号バス１３の信号パターンに対する各リレー１７のオン／オフ状態を割り当てておくことで、発熱素子３の制御を簡素化すると共に、ＢＧＡパッケージのピン数の増加を防ぐ。
【００３０】
また、デコーダ１２には、温度解読部２１、温度比較部２２及びオン・オフ制御部２３を含む自動温度制御機能部が含まれており、加熱中のバンプ２ｍに対する温度検出素子１６ｍが通知する温度検出信号１８ｍを監視する。デコーダ１２は、制御信号１０ｍに対してフィードバックをかけることで、リレー１７ｍのオン／オフ状態を制御し、バンプ２ｍの自動温度制御を行う。
【００３１】
図７は、第２の実施形態における自動温度制御の様子を示すフローチャートである。本実施形態では、発熱素子３と制御信号１０と温度検出素子１６と温度検出信号１８とデコーダ１２とを用いて、図７に示すような自動温度制御を行う。
【００３２】
はじめに、制御信号バス１３から送られる制御信号によりバンプ２ｍの加熱制御がスタートする（ステップＳ１）。デコーダ１２は、制御信号バス１３の制御信号をデコードし、制御信号１０ｍをオン制御すると共に、温度検出信号１８ｍのサンプリングを開始する（ステップＳ２）。次に、デコーダ１２は、サンプリングされた温度検出信号１８ｍの検出値が、バンプ２ｍの最大定格温度Ｙ［℃］以上であるか否かを判定する（ステップＳ３）。ステップＳ３で、検出温度がＹ［℃］よりも低い（ＮＯ）と判定すると、制御信号１０ｍをオン状態のままに保持し（ステップＳ４）、ステップＳ６に進む。
【００３３】
ステップＳ３で、Ｙ［℃］以上であると判定すると（ＹＥＳ）、制御信号１０ｍをオフ状態に制御し、バンプ２ｍの過熱を防ぎ（ステップＳ５）、次いで、ステップＳ６に進む。ステップＳ６では、外部監視装置によって、所定の温度範囲にまで温度上昇があったか否か、及び、その所定の温度範囲で所定の時間以上の通電時間が経過したか否かが判定され、その結果が制御信号バス１３を介して通知される。ステップＳ６で、双方を満足すると加熱の終了と判定される。判定の結果が否であればステップＳ２戻り、加熱が継続される。また、判定の結果が加熱終了であると、ステップＳ７に進み、制御信号１０ｍのオフ制御、及び、温度検出信号１８ｍのサンプリング停止により、加熱を終了させる。
【００３４】
図８は、本発明の第３の実施形態に係るＢＧＡパッケージの電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、第２の実施形態の構成に加えて、ＪＴＡＧ（Joint Test Action Group）インタフェース１４を備える。本実施形態では、電子回路パッケージは、内蔵する、バウンダリスキャン機能を有するＪＴＡＧインターフェース１４を用いて、バウンダリスキャン（ＩＥＥＥ１１４９．１）を行って、半田付け不良（接続不良）の有無と不良箇所の判定を行う。試験ツール１５は、バウンダリスキャンを行って得られた試験結果として、半田不良が発生した箇所のデータを保持する。
【００３５】
本実施形態では、試験結果を読み込んだ試験ツール１５が、制御信号バス１３を介して、バウンダリスキャンで特定された不良箇所に該当するリレー１７ｍを制御する。制御信号バス１３からの信号により、自動的に制御信号１０ｍをオン状態に制御し、半田不良バンプ２ｍに該当する発熱素子３ｍを自動的に加熱し、半田付け不良を補修する。
【００３６】
本実施形態では、第２の実施形態と同様に、発熱素子３ｍによる過熱が発生しても、デコーダ１２による温度検出信号１８ｍの監視及び制御信号１０ｍのフィードバック制御により、過熱状態から回復する。
【００３７】
図９は、本発明の第４の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。本実施形態では、図８の構成において、制御信号バス１３が削除され、デコーダ１２とＪＴＡＧインタフェース１４とが、４本のシリアルのＪＴＡＧ信号線１９で接続されている。
【００３８】
本実施形態では、ＪＴＡＧインタフェース１４を用い、ＩＳＰ(In System Programming)を実現することにより、試験ツール１５から内部のデコーダ１２を設定することを可能にしている。本実施形態では、制御信号バス１３に要したピン数分だけＢＧＡパッケージのピン数を削減できる。また、半田付け不良の有無判定及び補修を、ＪＴＡＧインタフェース１４を利用することで実現している。これにより、試験の自動化及び効率化を実現可能とする。
【００３９】
本実施形態においても、半田不良の補修の際には、第２及び第３の実施形態と同様に、デコーダ１２による温度検出信号１８ｍの監視及び制御信号１０ｍのフィードバック制御を行い、発熱素子３ｍの温度が過熱状態から回復する。
【００４０】
なお、上記実施形態では、発熱素子をオン・オフ制御する構成を例示したが、発熱素子は電圧制御を行ってもよい。また、２系統の電源を有する例を示したが、電源の系統数は、１以上であればよく、任意の数が採用可能である。制御素子としてリレーを例示したが、リレーに代えて、任意のスイッチ素子を採用可能である。温度検出素子や発熱素子は、所望の機能を有すればよく、特定の形式のものに限定されない。また、電子回路パッケージは、ＢＧＡパッケージに限らず、複数の端子が半田によって接続される形式のパッケージであれば、本発明の適用が可能である。
【００４１】
以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の半導体装置及びその半田加熱方法は、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージのＢＧＡケース及びプリント基板の断面図、（ｂ）は、第１の実施形態のＢＧＡパッケージのＢＧＡケースの下面図である。
【図２】第１の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図３】図２に示すＢＧＡケースの下面図であり、任意の発熱素子及び温度検出素子による発熱及び温度検出の状態を示す説明図である。
【図４】第１の実施形態のＢＧＡパッケージにおける温度検出素子の温度−電圧変換特性を示すグラフである。
【図５】第１の実施形態のＢＧＡパッケージにおけるＢＧＡケースの下面図を示すもので、全ての発熱素子と温度検出素子による発熱及び温度検出の状態を示す説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図７】第２の実施形態における発熱素子と制御信号と温度検出素子と温度検出信号とデコーダとを用いて行う自動温度制御の様子を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係るＢＧＡパッケージ内の電気回路を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４３】
１ ＢＧＡケース
２ バンプ
３ 発熱素子
４ 外部入力電源端子
５ 半導体集積回路部
６ ヒーター部
７ 端子電極
８ 電源
９ 外部電源
１０ 制御信号
１１ プリント基板
１２ デコーダ兼自動温度制御部
１３ 制御信号バス
１４ ＪＴＡＧインタフェース
１５ 試験ツール
１６ 温度検出素子
１７ リレー
１７ａ、１７ｂ リレー接点
１８ 温度検出信号
１９ ＪＴＡＧ信号線
２０ デコード部
２１ 温度解読部
２２ 温度比較部
２３ オン・オフ制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田によって接続される複数の半田付け端子を有する電子回路パッケージであって、
各半田付け端子に隣接して配設される発熱素子及び温度検出素子と、
前記発熱素子毎に配設され、前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御する制御素子とを備えることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項２】
前記制御素子は、前記温度検出素子の検出温度と半田の融解点温度との関係に基づいて前記発熱素子をオン・オフ制御する、請求項１に記載の電子回路パッケージ。
【請求項３】
第１の電源線と第２の電源線とを備え、前記第１の電源線が直接に前記発熱素子に接続され、前記制御素子は、前記第２の電源線からの電源によって前記対応する発熱素子を制御する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項４】
外部バスから伝達される外部指令をデコードし、該デコード結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御するデコーダを更に備える、請求項１〜３の何れか一に記載の電子回路パッケージ。
【請求項５】
前記デコーダは、前記外部指令をデコードするデコード機能と、前記温度検出素子の出力信号から検出温度を解読する機能と、該解読した検出温度と前記半田の融解点とを比較する機能と、該比較結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御する機能とを有する、請求項４に記載の電子回路パッケージ。
【請求項６】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを更に備え、該バウンダリスキャン・デバイスは、前記デコーダに対して特定の半田付け端子に対応する発熱素子による加熱を開始する指示を与える、請求項５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項７】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを更に備える、請求項１〜５の何れか一に記載の電子回路パッケージ。
【請求項８】
電子回路パッケージに形成された複数の半田付け端子を加熱する、電子回路パッケージの加熱方法であって、
各半田付け端子に隣接して発熱素子及び温度検出素子を配設し、
前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御することを特徴とする電子回路パッケージの加熱方法。
【請求項９】
前記温度検出素子の検出温度と半田の融解点温度との関係に基づいて、前記発熱素子をオン・オフ制御する、請求項８に記載の加熱方法。
【請求項１０】
第１の電源線を直接に前記発熱素子に接続し、第２の電源線からの電源をオン・オフすることによって前記発熱素子を制御する、請求項８又は９に記載の加熱方法。
【請求項１１】
外部バスから少なくとも加熱を開始する外部指令が伝達されるデコーダを介して、前記制御素子をオン・オフ制御する、請求項８〜１０の何れか一に記載の加熱方法。
【請求項１２】
前記デコーダを用いて、前記温度検出素子の出力信号から検出温度を解読し、該解読した検出温度と前記半田の融解点とを比較し、該比較結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御する、請求項１１に記載の加熱方法。
【請求項１３】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを用い、前記デコーダに対して特定の半田付け端子に対応する発熱素子による加熱を開始する指示を与える、請求項１２に記載の加熱方法。
【請求項１】
半田によって接続される複数の半田付け端子を有する電子回路パッケージであって、
各半田付け端子に隣接して配設される発熱素子及び温度検出素子と、
前記発熱素子毎に配設され、前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御する制御素子とを備えることを特徴とする電子回路パッケージ。
【請求項２】
前記制御素子は、前記温度検出素子の検出温度と半田の融解点温度との関係に基づいて前記発熱素子をオン・オフ制御する、請求項１に記載の電子回路パッケージ。
【請求項３】
第１の電源線と第２の電源線とを備え、前記第１の電源線が直接に前記発熱素子に接続され、前記制御素子は、前記第２の電源線からの電源によって前記対応する発熱素子を制御する、請求項１又は２に記載の電子回路パッケージ。
【請求項４】
外部バスから伝達される外部指令をデコードし、該デコード結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御するデコーダを更に備える、請求項１〜３の何れか一に記載の電子回路パッケージ。
【請求項５】
前記デコーダは、前記外部指令をデコードするデコード機能と、前記温度検出素子の出力信号から検出温度を解読する機能と、該解読した検出温度と前記半田の融解点とを比較する機能と、該比較結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御する機能とを有する、請求項４に記載の電子回路パッケージ。
【請求項６】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを更に備え、該バウンダリスキャン・デバイスは、前記デコーダに対して特定の半田付け端子に対応する発熱素子による加熱を開始する指示を与える、請求項５に記載の電子回路パッケージ。
【請求項７】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを更に備える、請求項１〜５の何れか一に記載の電子回路パッケージ。
【請求項８】
電子回路パッケージに形成された複数の半田付け端子を加熱する、電子回路パッケージの加熱方法であって、
各半田付け端子に隣接して発熱素子及び温度検出素子を配設し、
前記温度検出素子の検出温度に基づいて、対応する発熱素子を制御することを特徴とする電子回路パッケージの加熱方法。
【請求項９】
前記温度検出素子の検出温度と半田の融解点温度との関係に基づいて、前記発熱素子をオン・オフ制御する、請求項８に記載の加熱方法。
【請求項１０】
第１の電源線を直接に前記発熱素子に接続し、第２の電源線からの電源をオン・オフすることによって前記発熱素子を制御する、請求項８又は９に記載の加熱方法。
【請求項１１】
外部バスから少なくとも加熱を開始する外部指令が伝達されるデコーダを介して、前記制御素子をオン・オフ制御する、請求項８〜１０の何れか一に記載の加熱方法。
【請求項１２】
前記デコーダを用いて、前記温度検出素子の出力信号から検出温度を解読し、該解読した検出温度と前記半田の融解点とを比較し、該比較結果に基づいて前記制御素子をオン・オフ制御する、請求項１１に記載の加熱方法。
【請求項１３】
前記半田付け端子の不良を検出するバウンダリスキャン・デバイスを用い、前記デコーダに対して特定の半田付け端子に対応する発熱素子による加熱を開始する指示を与える、請求項１２に記載の加熱方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２１２３８８（Ｐ２００９−２１２３８８Ａ）
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５５４２７（Ｐ２００８−５５４２７）
【出願日】平成２０年３月５日（２００８．３．５）
【出願人】（３９００１０１７９）埼玉日本電気株式会社 (1,228)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１７日（２００９．９．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年３月５日（２００８．３．５）
【出願人】（３９００１０１７９）埼玉日本電気株式会社 (1,228)
【Ｆターム（参考）】
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