電子部品の製造方法
【課題】良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】被検査体１１の接地用内部電極９を、誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。直流電源１２に接続された一対の通電プローブ１３を接地用端子電極５それぞれに接触させて、通電プローブ１３間に通電する。これにより、各接地用端子電極５を通して各接地用内部電極９にも通電され、各接地用内部電極９は自らが有する電気抵抗により発熱する。そして、被検査体１１の各接地用内部電極９を、誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、信号用端子電極３と接地用端子電極５とに測定プローブをそれぞれ接触させ、測定プローブ間に直流電源から直流電圧を印加して、測定器により測定する。
【解決手段】被検査体１１の接地用内部電極９を、誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。直流電源１２に接続された一対の通電プローブ１３を接地用端子電極５それぞれに接触させて、通電プローブ１３間に通電する。これにより、各接地用端子電極５を通して各接地用内部電極９にも通電され、各接地用内部電極９は自らが有する電気抵抗により発熱する。そして、被検査体１１の各接地用内部電極９を、誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、信号用端子電極３と接地用端子電極５とに測定プローブをそれぞれ接触させ、測定プローブ間に直流電源から直流電圧を印加して、測定器により測定する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、特に、電子部品をスクリーニングする工程を含む製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体材料を含む素体と当該素体の外表面に配置された端子電極とを備える電子部品の製造方法として、端子電極に測定プローブを接触させた状態で測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する（スクリーニング）工程を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２２７８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この種の誘電体材料は、常温では、電歪現象を伴う。このため、常温にて電子部品の電気的特性を測定する場合、電子部品に印加する電圧の大きさによっては、上記電歪現象により、内部構造欠陥のない良質な電子部品までクラック等を発生させてしまう懼れがある。
【０００４】
本発明は、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、第１及び第２の内部電極が配置されると共に誘電体材料を含む素体と、第１の内部電極に電気的に接続されると共に素体の外表面に配置された複数の第１の端子電極と、第２の内部電極に電気的に接続されると共に素体の外表面に配置された少なくとも一つの第２の端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、複数の第１の端子電極のうち少なくとも二つの第１の端子電極に通電プローブをそれぞれ接触させて、通電プローブ間に通電することにより、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、複数の第１の端子電極のうち少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに測定プローブをそれぞれ接触させて、測定プローブ間に通電することにより、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電子部品の製造方法では、通電プローブ及び第１の端子電極を通して第１の内部電極に通電することにより、第１の内部電極が有する電気抵抗を利用して、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ間に通電して電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ間に通電して電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【０００７】
ところで、素体（電子部品）を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて素体を加熱する場合、設備が大型化すると共に、素体を効率良く加熱することが難しい。これに対して、本発明では、第１の端子電極を通して第１の内部電極に通電することにより第１の内部電極を発熱させて、内部から素体を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【０００８】
好ましくは、通電プローブを少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で通電プローブ間に通電することにより、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブを少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で測定プローブ間に通電することにより、電子部品の電気的特性を測定する。この場合、通電プローブと測定プローブとを交互に接触させる必要がなく、第１の内部電極の発熱及び電気的特性の測定をより一層簡便に行なうことができる。
【０００９】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、誘電体材料を含む素体と、素体内に配置された内部電極と、を有する電子部品の製造方法であって、内部電極に通電することにより、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る電子部品の製造方法では、内部電極に通電することにより、内部電極が有する電気抵抗を利用して、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００１１】
また、本発明では、内部電極に通電することにより内部電極を発熱させて、内部電極が配置されている素体を内部から加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの斜視図である。図２は、図１に示された積層セラミックスコンデンサの断面図である。
【００１５】
積層セラミックスコンデンサ１は、いわゆる積層型貫通コンデンサであって、図１に示されるように、略直方体の素体２と、素体２の外表面に配置された信号用端子電極３と、素体２の外表面に配置された接地用端子電極５とを備えている。これらの信号用端子電極３及び接地用端子電極５は、素体２の表面上においては互いに電気的に絶縁されて形成されている。各端子電極３，５は多層化されており、素体２に接する部分では、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄなどを用い、その外側にはＮｉ−Ｓｎなどのめっきが施される。
【００１６】
素体２は、図２に示されるように、複数の誘電体層７を有している。素体２には、信号用内部電極８と接地用内部電極９とが、１つの誘電体層７をそれぞれの間に挟んで対向するようにそれぞれ複数配置されている。
【００１７】
誘電体層７は、電歪特性を有する例えば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体材料からなる。信号用内部電極８と接地用内部電極９とに挟まれる誘電体層７の厚みは、例えば、１８．５μｍに薄層化されている。
【００１８】
信号用内部電極８及び接地用内部電極９は、誘電体材料の種類により異なるが、Ｎｉ、Ｃｕなどの卑金属材料やＰｔ，Ａｇなどの貴金属材料からなる。信号用内部電極８及び接地用内部電極９は、各々別々の各側面に引き出され、対応する各端子電極３，５に電気的に接続される。すなわち、信号用内部電極８は信号用端子電極３に電気的に接続され、接地用内部電極９は接地用端子電極５に電気的に接続されている。
【００１９】
続いて、図３を参照して、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【００２０】
積層セラミックスコンデンサ１の製造においては、まず、誘電体層７を形成するためのセラミックスペースト、各内部電極８，９を形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。
【００２１】
セラミックスペーストは、誘電体層７を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクルなどを混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。
【００２２】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００２３】
また、セラミックスペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などが必要に応じて含有されていてもよい。
【００２４】
内部電極ペーストは、各内部電極８，９を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属材料を用い、球状やリン片状などの種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックスグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反りなどの不具合を抑制することが可能となる。
【００２５】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体などが挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトンなどが挙げられる。
【００２６】
内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類などが適用できる。
【００２７】
続いて、上述したセラミックスペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えば、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックスペーストをドクターブレード法などの公知の方法でセラミックスグリーンシートを形成する（ステップＳ１：シート成形工程）。そして、セラミックスグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法などの公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（ステップＳ３：内部電極形成工程）。
【００２８】
続いて、内部電極パターンが形成されたセラミックスグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧してグリーン積層体を得る（ステップＳ５：積層・プレス工程）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（ステップＳ７：切断工程）。
【００２９】
続いて、グリーンチップから、各部に含まれるバインダーを除去した後（脱バインダー）、このグリーンチップを焼成する（ステップＳ９：焼成工程）。この焼成により、セラミックスグリーンシートから誘電体層７が、また、内部電極ペースト層から各内部電極８，９がそれぞれ形成された素体２が得られる。脱バインダーは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ２及びＨ２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダー後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間保持するアニール処理を施す。
【００３０】
続いて、素体２の各側面に導電性ペーストを塗布して焼付けし、さらにめっきを施すことにより端子電極３，５を形成する（ステップＳ１１：端子電極形成工程）。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−ＰｄあるいはＡｇを主成分とするものであってもよい。めっきは、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｎ合金，Ｓｎ−Ａｇ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金などの金属めっきを施すことができる。また、金属めっきは、例えば、ＮｉとＳｎとで２層以上形成した多層構造としても良い。以上により、図１及び図２に示されるような構成の複数の積層セラミックスコンデンサ１が得られる。
【００３１】
続いて、得られた積層セラミックスコンデンサ１（被検査体）について、電気的特性の検査をする（ステップＳ１３：電気的特性（絶縁抵抗）検査工程）。電気的特性の検査は、得られた被検査体が所定の電気的特性を備えているかを検査するものであり、被検査体の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて被検査体の良否を判定する。電気的特性が不良であると判断された被検査体は除外され、当該検査によりスクリーニングされた被検査体のみ他の検査工程に移ることになる。電気的特性の検査には、例えば、積層セラミックスコンデンサの規格（ＪＩＳ規格など）に基づく、耐電圧検査、絶縁抵抗検査、静電容量検査、静電正接検査などがある。
【００３２】
以下、図４及び図５を参照して、絶縁抵抗検査工程について、詳細に説明する。絶縁抵抗検査以外の各工程については、既知であるため、詳細な説明は省略する。図４及び図５は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００３３】
まず、被検査体１１の内部電極（本実施形態では、接地用内部電極９）を、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。ここでは、図４に示されるように、直流電源１２に接続された一対の通電プローブ１３を接地用端子電極５それぞれに接触させて、通電プローブ１３間に通電する。これにより、各接地用端子電極５を通して各接地用内部電極９にも通電され、各接地用内部電極９は自らが有する電気抵抗により発熱する。
【００３４】
各接地用内部電極９への通電は、各接地用内部電極９が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度となるまで行う。各接地用内部電極９の熱は、誘電体層７に直接的に伝わり、誘電体層７も略キュリー温度以上の温度に加熱される。接地用内部電極９は、接地用端子電極５に接続する幅狭の引き出し部分を有しており、信号用内部電極８に比して電気抵抗が高く、信号用内部電極８よりも発熱し易い。誘電体材料のキュリー温度は、示差走査熱量測定（Differential scanning calorimetry）等によって測定することができる。
【００３５】
接地用内部電極９の温度が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるか否かは、温度測定器を用いて接地用内部電極９の温度を測定することにより確認することができる。また、接地用内部電極９の電気抵抗等から誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上となる温度まで接地用内部電極９を発熱させるための電力を予め求めておき、直流電源１２から予め求めた電力を供給することにより、接地用内部電極９の温度が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるとしてもよい。
【００３６】
そして、被検査体１１の各接地用内部電極９を、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、図５に示されるように、信号用端子電極３と接地用端子電極５とに測定プローブ１５をそれぞれ接触させ、測定プローブ１５間に直流電源１７，１９から直流電圧を印加して、測定プローブ１５間、すなわち信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に通電し、測定器２１により測定する。
【００３７】
直流電圧を印加するステップは、第１のステップと、第２のステップとを含む。第１のステップでは、定格電圧の１０倍程度の直流電圧Ｖ１（Ｖ／μｍ）を印加する。次に、第２のステップでは、第１のステップの後に、定格電圧の３〜５倍程度の直流電圧Ｖ２（Ｖ）を印加する。
【００３８】
本実施形態では、電源装置として直流電源１７，１９を備え、直流電源１７，１９を切り替え回路２３によって切り替えることにより、第１のステップ及び第２のステップを実行する例を示している。第１のステップでは、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｂに接触させ、直流電源１７の直流電圧Ｖ１を、信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００３９】
第２のステップでは、第１のステップの終了後、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｃに接触させ、直流電源１９の直流電圧Ｖ２を、信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００４０】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１は、上述したように、定格電圧の１０倍程度の電圧（例えば、２０〜４０（Ｖ／μｍ）の範囲内の電圧）とされている。この程度の電圧であれば、隣り合う信号用内部電極８と接地用内部電極９とに挟まれる誘電体層７に欠陥が存在する場合、この欠陥を顕在化させ、それによる絶縁抵抗ＩＲの低下から、不良品としてスクリーニングすることができる。
【００４１】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が低すぎる（例えば、２０（Ｖ／μｍ未満）場合は、充分なスクリーニングがなされないため、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が高すぎる（例えば、４０（Ｖ／μｍ）より高い）場合は、過電圧となり、製品に内部クラックなどのダメージが残り、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。
【００４２】
第２のステップで印加される直流電圧Ｖ２は、上述したように、定格電圧の３〜５倍程度の電圧とされている。直流電圧Ｖ２が定格電圧の３倍未満の場合は、第２のステップによる信頼性評価が不十分になる。直流電圧Ｖ２が定格電圧の５倍を超えると過電圧になる。これにより、使用期間中に寿命劣化の虞のある被検査体１１を、前以て選別除去し、信頼性を保証することができる。
【００４３】
続いて、電気的特性（絶縁抵抗）検査工程によりスクリーニングされた被検査体について、その外観を検査（ステップＳ１５：外観検査工程）する。外観検査は、カメラや目視により被検査体の外観に欠けた部分などが存在しないかを確認するものである。外観検査によりスクリーニングされた良品被検査体が積層セラミックスコンデンサとして、出荷されることとなる。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、通電プローブ１３及び接地用端子電極５を通して接地用内部電極９に通電することにより、接地用内部電極９が有する電気抵抗を利用して、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に接地用内部電極９を発熱させる。このとき、誘電体層７も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、接地用内部電極９を上記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち誘電体層７が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ１５間に通電して被検査体１１（積層セラミックスコンデンサ１）の絶縁抵抗ＩＲを測定する。このため、誘電体層７を構成する誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ１５間に通電して絶縁抵抗ＩＲを測定する際に、良質な被検査体１１までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００４５】
ところで、被検査体１１を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて被検査体１１を加熱する場合、設備が大型化すると共に、被検査体１１を効率良く加熱することが難しい。これに対して、本実施形態では、接地用端子電極５を通して接地用内部電極９に通電することにより接地用内部電極９を発熱させて、内部から誘電体層７（素体２）を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて被検査体１１を加熱するものに比して、誘電体層７を効率良く加熱することができると共に、誘電体層７を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本実施形態では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【００４６】
次に、図６を参照して、本実施形態の変形例を説明する。図６は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００４７】
図６に示された変形例では、絶縁抵抗検査工程において、通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させている。通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させた状態で通電プローブ１３間に通電することにより、接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させた状態で測定プローブ１５間に通電することにより、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定している。これにより、通電プローブ１３と測定プローブ１５とを交互に接触させる必要がなく、接地用内部電極９の発熱及び絶縁抵抗ＩＲの測定をより一層簡便に行なうことができる。
【００４８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４９】
本実施形態では、電子部品の一例として積層セラミックスコンデンサの製造方法を説明したが、電歪効果を有する誘電体材料を用いる電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層アクチュエータなどの製造方法としても適用できる。
【００５０】
本実施形態では、絶縁抵抗検査工程において接地用内部電極９を発熱させて接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度としているが、絶縁抵抗検査工程以外の検査工程（例えば、耐電圧検査工程）において、接地用内部電極９を発熱させて接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度として検査を行ってもよい。
【００５１】
本実施形態では、接地用内部電極９に通電して接地用内部電極９を発熱させているが、これに限られることなく、信号用内部電極８に通電して信号用内部電極８を発熱させてもよく、また、信号用内部電極８及び接地用内部電極９に通電してこれらの内部電極８，９を発熱させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示された積層セラミックスコンデンサの断面図である。
【図３】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【図４】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図５】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図６】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法の変形例での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…積層セラミックスコンデンサ、２…素体、３…信号用端子電極、５…接地用端子電極、７…誘電体層、８…信号用内部電極、９…接地用内部電極、１１…被検査体、１２，１７，１９…直流電源、１３…通電プローブ、１５…測定プローブ、２１…測定器。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、特に、電子部品をスクリーニングする工程を含む製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体材料を含む素体と当該素体の外表面に配置された端子電極とを備える電子部品の製造方法として、端子電極に測定プローブを接触させた状態で測定プローブに通電して電子部品の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する（スクリーニング）工程を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２２７８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、この種の誘電体材料は、常温では、電歪現象を伴う。このため、常温にて電子部品の電気的特性を測定する場合、電子部品に印加する電圧の大きさによっては、上記電歪現象により、内部構造欠陥のない良質な電子部品までクラック等を発生させてしまう懼れがある。
【０００４】
本発明は、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る電子部品の製造方法は、第１及び第２の内部電極が配置されると共に誘電体材料を含む素体と、第１の内部電極に電気的に接続されると共に素体の外表面に配置された複数の第１の端子電極と、第２の内部電極に電気的に接続されると共に素体の外表面に配置された少なくとも一つの第２の端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、複数の第１の端子電極のうち少なくとも二つの第１の端子電極に通電プローブをそれぞれ接触させて、通電プローブ間に通電することにより、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、複数の第１の端子電極のうち少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに測定プローブをそれぞれ接触させて、測定プローブ間に通電することにより、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電子部品の製造方法では、通電プローブ及び第１の端子電極を通して第１の内部電極に通電することにより、第１の内部電極が有する電気抵抗を利用して、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、第１の内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ間に通電して電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ間に通電して電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【０００７】
ところで、素体（電子部品）を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて素体を加熱する場合、設備が大型化すると共に、素体を効率良く加熱することが難しい。これに対して、本発明では、第１の端子電極を通して第１の内部電極に通電することにより第１の内部電極を発熱させて、内部から素体を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【０００８】
好ましくは、通電プローブを少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で通電プローブ間に通電することにより、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブを少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを少なくとも一つの第１の端子電極と少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で測定プローブ間に通電することにより、電子部品の電気的特性を測定する。この場合、通電プローブと測定プローブとを交互に接触させる必要がなく、第１の内部電極の発熱及び電気的特性の測定をより一層簡便に行なうことができる。
【０００９】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、誘電体材料を含む素体と、素体内に配置された内部電極と、を有する電子部品の製造方法であって、内部電極に通電することにより、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る電子部品の製造方法では、内部電極に通電することにより、内部電極が有する電気抵抗を利用して、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。このとき、素体も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、内部電極を誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち素体が略キュリー温度以上の温度である状態で、電子部品の電気的特性を測定する。このため、素体に含まれる誘電体材料に電歪現象が起こり難く、電子部品の電気的特性を測定する際に、良質な電子部品までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００１１】
また、本発明では、内部電極に通電することにより内部電極を発熱させて、内部電極が配置されている素体を内部から加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて電子部品を加熱するものに比して、素体を効率良く加熱することができると共に、素体を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本発明では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、良質な電子部品にクラック等を発生させることなく、スクリーングを簡便に行なうことが可能な電子部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの斜視図である。図２は、図１に示された積層セラミックスコンデンサの断面図である。
【００１５】
積層セラミックスコンデンサ１は、いわゆる積層型貫通コンデンサであって、図１に示されるように、略直方体の素体２と、素体２の外表面に配置された信号用端子電極３と、素体２の外表面に配置された接地用端子電極５とを備えている。これらの信号用端子電極３及び接地用端子電極５は、素体２の表面上においては互いに電気的に絶縁されて形成されている。各端子電極３，５は多層化されており、素体２に接する部分では、例えば、Ｃｕ，Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄなどを用い、その外側にはＮｉ−Ｓｎなどのめっきが施される。
【００１６】
素体２は、図２に示されるように、複数の誘電体層７を有している。素体２には、信号用内部電極８と接地用内部電極９とが、１つの誘電体層７をそれぞれの間に挟んで対向するようにそれぞれ複数配置されている。
【００１７】
誘電体層７は、電歪特性を有する例えば、ＢａＴｉＯ３系、Ｂａ(Ｔｉ，Ｚｒ)Ｏ３系、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３系などの誘電体材料からなる。信号用内部電極８と接地用内部電極９とに挟まれる誘電体層７の厚みは、例えば、１８．５μｍに薄層化されている。
【００１８】
信号用内部電極８及び接地用内部電極９は、誘電体材料の種類により異なるが、Ｎｉ、Ｃｕなどの卑金属材料やＰｔ，Ａｇなどの貴金属材料からなる。信号用内部電極８及び接地用内部電極９は、各々別々の各側面に引き出され、対応する各端子電極３，５に電気的に接続される。すなわち、信号用内部電極８は信号用端子電極３に電気的に接続され、接地用内部電極９は接地用端子電極５に電気的に接続されている。
【００１９】
続いて、図３を参照して、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【００２０】
積層セラミックスコンデンサ１の製造においては、まず、誘電体層７を形成するためのセラミックスペースト、各内部電極８，９を形成するための内部電極ペーストをそれぞれ準備する。
【００２１】
セラミックスペーストは、誘電体層７を構成する誘電体材料の原料に有機ビヒクルなどを混合・混錬して得ることができる。誘電体材料の原料としては、例えば、誘電体材料が上述したような各種の複合酸化物系材料である場合は、当該複合酸化物に含まれる各金属原子の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などの組み合わせが挙げられる。
【００２２】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などが挙げられる。また、溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、キシレン、エタノール、メチルエチルケトンなどの有機溶剤が挙げられる。
【００２３】
また、セラミックスペーストは、上記以外に各種分散剤、可塑剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などが必要に応じて含有されていてもよい。
【００２４】
内部電極ペーストは、各内部電極８，９を構成するための導電材料と有機ビヒクルとを混合・混錬したものである。導電材料としては、上述したような金属材料を用い、球状やリン片状などの種々の形状のものを適用できる。また、内部電極ペースト中には、必要に応じて無機化合物を適量含有させることが好ましい。これにより、後述する焼成時において、セラミックスグリーンシート及び内部電極ペースト層の体積変化の差を小さくして、これに起因する応力の発生を低減することができる。その結果、この応力に基づくクラックや反りなどの不具合を抑制することが可能となる。
【００２５】
有機ビヒクルは、バインダー及び溶剤を含むものである。バインダーとしては、例えば、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、またはこれらの共重合体などが挙げられる。溶剤としては、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトンなどが挙げられる。
【００２６】
内部電極ペースト中には、適宜、可塑剤を含有させてもよい。可塑剤としては、例えば、フタル酸ベンジルブチル（ＢＢＰ）などのフタル酸エステル、アジピン酸、リン酸エステル、グリコール類などが適用できる。
【００２７】
続いて、上述したセラミックスペースト及び内部電極ペーストを準備した後、まず、例えば、ＰＥＴなどからなるキャリアシート上にセラミックスペーストをドクターブレード法などの公知の方法でセラミックスグリーンシートを形成する（ステップＳ１：シート成形工程）。そして、セラミックスグリーンシート上に内部電極ペーストをスクリーン印刷法などの公知の方法で複数の内部電極パターンを形成する（ステップＳ３：内部電極形成工程）。
【００２８】
続いて、内部電極パターンが形成されたセラミックスグリーンシートを所定の大きさに揃えて所定の枚数で積層し、積層方向から加圧してグリーン積層体を得る（ステップＳ５：積層・プレス工程）。そして、グリーン積層体を切断機で所定の大きさのチップに切断しグリーンチップを得る（ステップＳ７：切断工程）。
【００２９】
続いて、グリーンチップから、各部に含まれるバインダーを除去した後（脱バインダー）、このグリーンチップを焼成する（ステップＳ９：焼成工程）。この焼成により、セラミックスグリーンシートから誘電体層７が、また、内部電極ペースト層から各内部電極８，９がそれぞれ形成された素体２が得られる。脱バインダーは、グリーンチップを、空気中、又は、Ｎ２及びＨ２の混合ガスなどの還元雰囲気中で、２００〜６００℃程度に加熱することにより行うことができる。また、焼成は、脱バインダー後のグリーンチップを、例えば、還元雰囲気下で１１００〜１３００℃程度に加熱することにより行うことができる。そして、かかるグリーンチップの焼成後、得られた焼成物に、必要に応じて８００〜１１００℃、２〜１０時間保持するアニール処理を施す。
【００３０】
続いて、素体２の各側面に導電性ペーストを塗布して焼付けし、さらにめっきを施すことにより端子電極３，５を形成する（ステップＳ１１：端子電極形成工程）。導電性ペーストは、Ｃｕを主成分とする金属粉末にガラスフリット及び有機ビヒクルを混合したものを用いることができる。金属粉末は、Ｎｉ、Ａｇ−ＰｄあるいはＡｇを主成分とするものであってもよい。めっきは、Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｉ−Ｓｎ合金，Ｓｎ−Ａｇ合金，Ｓｎ−Ｂｉ合金などの金属めっきを施すことができる。また、金属めっきは、例えば、ＮｉとＳｎとで２層以上形成した多層構造としても良い。以上により、図１及び図２に示されるような構成の複数の積層セラミックスコンデンサ１が得られる。
【００３１】
続いて、得られた積層セラミックスコンデンサ１（被検査体）について、電気的特性の検査をする（ステップＳ１３：電気的特性（絶縁抵抗）検査工程）。電気的特性の検査は、得られた被検査体が所定の電気的特性を備えているかを検査するものであり、被検査体の電気的特性を測定し、測定された電気的特性に基づいて被検査体の良否を判定する。電気的特性が不良であると判断された被検査体は除外され、当該検査によりスクリーニングされた被検査体のみ他の検査工程に移ることになる。電気的特性の検査には、例えば、積層セラミックスコンデンサの規格（ＪＩＳ規格など）に基づく、耐電圧検査、絶縁抵抗検査、静電容量検査、静電正接検査などがある。
【００３２】
以下、図４及び図５を参照して、絶縁抵抗検査工程について、詳細に説明する。絶縁抵抗検査以外の各工程については、既知であるため、詳細な説明は省略する。図４及び図５は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００３３】
まず、被検査体１１の内部電極（本実施形態では、接地用内部電極９）を、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる。ここでは、図４に示されるように、直流電源１２に接続された一対の通電プローブ１３を接地用端子電極５それぞれに接触させて、通電プローブ１３間に通電する。これにより、各接地用端子電極５を通して各接地用内部電極９にも通電され、各接地用内部電極９は自らが有する電気抵抗により発熱する。
【００３４】
各接地用内部電極９への通電は、各接地用内部電極９が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度となるまで行う。各接地用内部電極９の熱は、誘電体層７に直接的に伝わり、誘電体層７も略キュリー温度以上の温度に加熱される。接地用内部電極９は、接地用端子電極５に接続する幅狭の引き出し部分を有しており、信号用内部電極８に比して電気抵抗が高く、信号用内部電極８よりも発熱し易い。誘電体材料のキュリー温度は、示差走査熱量測定（Differential scanning calorimetry）等によって測定することができる。
【００３５】
接地用内部電極９の温度が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるか否かは、温度測定器を用いて接地用内部電極９の温度を測定することにより確認することができる。また、接地用内部電極９の電気抵抗等から誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上となる温度まで接地用内部電極９を発熱させるための電力を予め求めておき、直流電源１２から予め求めた電力を供給することにより、接地用内部電極９の温度が誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上であるとしてもよい。
【００３６】
そして、被検査体１１の各接地用内部電極９を、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定する。絶縁抵抗ＩＲは、図５に示されるように、信号用端子電極３と接地用端子電極５とに測定プローブ１５をそれぞれ接触させ、測定プローブ１５間に直流電源１７，１９から直流電圧を印加して、測定プローブ１５間、すなわち信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に通電し、測定器２１により測定する。
【００３７】
直流電圧を印加するステップは、第１のステップと、第２のステップとを含む。第１のステップでは、定格電圧の１０倍程度の直流電圧Ｖ１（Ｖ／μｍ）を印加する。次に、第２のステップでは、第１のステップの後に、定格電圧の３〜５倍程度の直流電圧Ｖ２（Ｖ）を印加する。
【００３８】
本実施形態では、電源装置として直流電源１７，１９を備え、直流電源１７，１９を切り替え回路２３によって切り替えることにより、第１のステップ及び第２のステップを実行する例を示している。第１のステップでは、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｂに接触させ、直流電源１７の直流電圧Ｖ１を、信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００３９】
第２のステップでは、第１のステップの終了後、切り替え回路２３の可動接片２３ａを、接点２３ｃに接触させ、直流電源１９の直流電圧Ｖ２を、信号用端子電極３と接地用端子電極５との間に印加する。印加時間は、例えば、１０ｍｓｅｃ〜１．０ｓｅｃの範囲（好ましくは、１０ｍｓｅｃ〜２０ｍｓｅｃの範囲）に設定することができる。
【００４０】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１は、上述したように、定格電圧の１０倍程度の電圧（例えば、２０〜４０（Ｖ／μｍ）の範囲内の電圧）とされている。この程度の電圧であれば、隣り合う信号用内部電極８と接地用内部電極９とに挟まれる誘電体層７に欠陥が存在する場合、この欠陥を顕在化させ、それによる絶縁抵抗ＩＲの低下から、不良品としてスクリーニングすることができる。
【００４１】
第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が低すぎる（例えば、２０（Ｖ／μｍ未満）場合は、充分なスクリーニングがなされないため、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。第１のステップで印加される直流電圧Ｖ１が高すぎる（例えば、４０（Ｖ／μｍ）より高い）場合は、過電圧となり、製品に内部クラックなどのダメージが残り、サーマル評価及び信頼性評価において、クラックや不良品が発生する。
【００４２】
第２のステップで印加される直流電圧Ｖ２は、上述したように、定格電圧の３〜５倍程度の電圧とされている。直流電圧Ｖ２が定格電圧の３倍未満の場合は、第２のステップによる信頼性評価が不十分になる。直流電圧Ｖ２が定格電圧の５倍を超えると過電圧になる。これにより、使用期間中に寿命劣化の虞のある被検査体１１を、前以て選別除去し、信頼性を保証することができる。
【００４３】
続いて、電気的特性（絶縁抵抗）検査工程によりスクリーニングされた被検査体について、その外観を検査（ステップＳ１５：外観検査工程）する。外観検査は、カメラや目視により被検査体の外観に欠けた部分などが存在しないかを確認するものである。外観検査によりスクリーニングされた良品被検査体が積層セラミックスコンデンサとして、出荷されることとなる。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、通電プローブ１３及び接地用端子電極５を通して接地用内部電極９に通電することにより、接地用内部電極９が有する電気抵抗を利用して、誘電体層７を構成する誘電体材料のキュリー温度以上の温度に接地用内部電極９を発熱させる。このとき、誘電体層７も、略キュリー温度以上の温度となる。そして、接地用内部電極９を上記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、すなわち誘電体層７が略キュリー温度以上の温度である状態で、測定プローブ１５間に通電して被検査体１１（積層セラミックスコンデンサ１）の絶縁抵抗ＩＲを測定する。このため、誘電体層７を構成する誘電体材料に電歪現象が起こり難く、測定プローブ１５間に通電して絶縁抵抗ＩＲを測定する際に、良質な被検査体１１までクラック等を発生させてしまうことはない。
【００４５】
ところで、被検査体１１を加熱する手法として、炉や恒温槽等を用いることが考えられる。炉や恒温槽等を用いて被検査体１１を加熱する場合、設備が大型化すると共に、被検査体１１を効率良く加熱することが難しい。これに対して、本実施形態では、接地用端子電極５を通して接地用内部電極９に通電することにより接地用内部電極９を発熱させて、内部から誘電体層７（素体２）を加熱している。したがって、炉や恒温槽等を用いて被検査体１１を加熱するものに比して、誘電体層７を効率良く加熱することができると共に、誘電体層７を加熱した状態で簡便に電気的特性を測定することができる。また、本実施形態では、スクリーニングのための設備が大型化することもない。
【００４６】
次に、図６を参照して、本実施形態の変形例を説明する。図６は、絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【００４７】
図６に示された変形例では、絶縁抵抗検査工程において、通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させている。通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させた状態で通電プローブ１３間に通電することにより、接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、通電プローブ１３を接地用端子電極５に接触させると共に測定プローブ１５を信号用端子電極３と接地用端子電極５に接触させた状態で測定プローブ１５間に通電することにより、被検査体１１の絶縁抵抗ＩＲを測定している。これにより、通電プローブ１３と測定プローブ１５とを交互に接触させる必要がなく、接地用内部電極９の発熱及び絶縁抵抗ＩＲの測定をより一層簡便に行なうことができる。
【００４８】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００４９】
本実施形態では、電子部品の一例として積層セラミックスコンデンサの製造方法を説明したが、電歪効果を有する誘電体材料を用いる電子部品であれば、特に限定されるものではなく、例えば、積層アクチュエータなどの製造方法としても適用できる。
【００５０】
本実施形態では、絶縁抵抗検査工程において接地用内部電極９を発熱させて接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度としているが、絶縁抵抗検査工程以外の検査工程（例えば、耐電圧検査工程）において、接地用内部電極９を発熱させて接地用内部電極９を誘電体材料のキュリー温度以上の温度として検査を行ってもよい。
【００５１】
本実施形態では、接地用内部電極９に通電して接地用内部電極９を発熱させているが、これに限られることなく、信号用内部電極８に通電して信号用内部電極８を発熱させてもよく、また、信号用内部電極８及び接地用内部電極９に通電してこれらの内部電極８，９を発熱させてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る製造方法が適用される積層セラミックスコンデンサの斜視図である。
【図２】図１に示された積層セラミックスコンデンサの断面図である。
【図３】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法のフローを示す図である。
【図４】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図５】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【図６】本実施形態に係る積層セラミックスコンデンサの製造方法の変形例での絶縁抵抗検査工程における測定装置の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…積層セラミックスコンデンサ、２…素体、３…信号用端子電極、５…接地用端子電極、７…誘電体層、８…信号用内部電極、９…接地用内部電極、１１…被検査体、１２，１７，１９…直流電源、１３…通電プローブ、１５…測定プローブ、２１…測定器。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の内部電極が配置されると共に誘電体材料を含む素体と、前記第１の内部電極に電気的に接続されると共に前記素体の外表面に配置された複数の第１の端子電極と、前記第２の内部電極に電気的に接続されると共に前記素体の外表面に配置された少なくとも一つの第２の端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記複数の第１の端子電極のうち少なくとも二つの第１の端子電極に通電プローブをそれぞれ接触させて、前記通電プローブ間に通電することにより、前記第１の内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記第１の内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記複数の第１の端子電極のうち少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに測定プローブをそれぞれ接触させて、前記測定プローブ間に通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記通電プローブを前記少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを前記少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で前記通電プローブ間に通電することにより、前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、
前記通電プローブを前記少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを前記少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で前記測定プローブ間に通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電気的特性として絶縁抵抗を測定することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
誘電体材料を含む素体と、前記素体内に配置された内部電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記内部電極に通電することにより、前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１】
第１及び第２の内部電極が配置されると共に誘電体材料を含む素体と、前記第１の内部電極に電気的に接続されると共に前記素体の外表面に配置された複数の第１の端子電極と、前記第２の内部電極に電気的に接続されると共に前記素体の外表面に配置された少なくとも一つの第２の端子電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記複数の第１の端子電極のうち少なくとも二つの第１の端子電極に通電プローブをそれぞれ接触させて、前記通電プローブ間に通電することにより、前記第１の内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記第１の内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記複数の第１の端子電極のうち少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに測定プローブをそれぞれ接触させて、前記測定プローブ間に通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記通電プローブを前記少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを前記少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で前記通電プローブ間に通電することにより、前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させ、
前記通電プローブを前記少なくとも二つの第１の端子電極に接触させると共に測定プローブを前記少なくとも一つの第１の端子電極と前記少なくとも一つの第２の端子電極とに接触させた状態で前記測定プローブ間に通電することにより、前記電子部品の電気的特性を測定することを特徴とする請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記電気的特性として絶縁抵抗を測定することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
誘電体材料を含む素体と、前記素体内に配置された内部電極と、を有する電子部品の製造方法であって、
前記内部電極に通電することにより、前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度に発熱させる工程と、
前記内部電極を前記誘電体材料のキュリー温度以上の温度とした状態で、前記電子部品の電気的特性を測定し、該電気的特性に基づいて前記電子部品の良否を判定する工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００８−１９８７９３（Ｐ２００８−１９８７９３Ａ）
【公開日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３２４３６（Ｐ２００７−３２４３６）
【出願日】平成１９年２月１３日（２００７．２．１３）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月１３日（２００７．２．１３）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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