電子部品収容テープ
【課題】 電子部品収容テープに関し、ガルウイング状のリード端子を有する電子部品の収容／テーピング／輸送／基板への実装段階において、電子部品の外形保護、リード端子の保護を図り、且つ、安全に取り出す。
【解決手段】 電子部品本体の収容部の周囲に、電子部品の端子と接する位置に配置される畝条突起部の形態を、電子部品本体の４つの隅部以外の位置において、その高さ或いは幅の少なくとも一方を電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度に不均一にする。
【解決手段】 電子部品本体の収容部の周囲に、電子部品の端子と接する位置に配置される畝条突起部の形態を、電子部品本体の４つの隅部以外の位置において、その高さ或いは幅の少なくとも一方を電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度に不均一にする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品収容テープに関し、特に、半導体装置等の電子部品の出荷の際に適用されるエンボステープと称される部品収容テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を電子機器用回路基板等へ実装するための、半導体装置の供給形態として、エンボステーピング出荷がある。
エンボステープは、半導体集積回路装置等の半導体装置を大量に搬送でき、ユーザが半導体装置を電子機器用回路基板等へ高速実装できるなどのメリットがあることから、近年需要が拡大している。
【０００３】
この様なエンボステープは、熱可塑性樹脂シートよりプレス成形、真空成形、或いは圧空成形にて一体成形され、リブに囲まれたポケットが半導体装置本体部の収容部となり、半導体装置におけるガルウイング状のリード端子はリブを跨ぐように保持される。
【０００４】
この場合、リブ及びポケットと半導体装置との配置関係によって、カバーテープで覆ったエンボステーピング状態における半導体装置の収容部内部における移動・回転が防止され、それによって、半導体装置の外形保護がなされることになる。
そして、半導体装置の実装時においては、半導体装置をエンボステープから逐次取り出すことによって、実装スピードの向上と製品の品質の向上が図られている。
【０００５】
しかし、エンボステープの適用率が上がるにつれ、ガルウイング状のリード端子を有した半導体装置、特に、ＳＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＱＦＰ或いはＬＱＦＰなどの２方向或いは４方向にリード端子が導出された半導体装置のテーピング出荷は、キャリアテープのリブ部の製造制限上の問題で、エンボステーピングのポケットへの嵌まり込みが懸念される。
【０００６】
これは、リブの成形型と熱可塑性樹脂シートの厚さとの関係によりリブ幅が太くなり、その幅が半導体装置本体部とリード端子部との間隙に近い寸法となるためである。
ここで、図１７を参照して従来のエンボステーピングの問題点を説明する（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
図１７は、従来のエンボステーピングに適用されるエンボステープの構成説明図である。
図１７において、上段の図（ａ）は、本発明による電子部品収容テープの概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は、平面図（ａ）のＸ−Ｘ′断面図であり、更に、下段の（ｃ）は、電子部品収容時の隅部（角部）の拡大断面図である。
エンボステープ１１０には、プレス加工によって凹部１１１が形成されるが、この凹部１１１に収容する半導体装置１００の本体部１０１の外形に沿ったリブ１１２が形成され、このリブ１１２で囲まれた領域が本体部１０１の収容部１１３となり、このリブ１１２が半導体装置１００に設けられたガルウイング状のリード端子１０２の支えとなる。
【０００８】
上述のように、リブ幅が太くなり半導体装置本体部とリード端子部との間隙に近い寸法となるため、リブ１１２が半導体装置の本体部１０１とリード端子１０２とほぼ全面で接触することになる。
【０００９】
このような状態で、輸送落下等により衝撃が加わった場合にはリブ１１２が半導体装置の本体部１０１とリード端子１０２との間隙に過度に差し込まれ易くなり、その結果、半導体装置本体のリード端子１０２とエンボステーピングのリブ部に嵌まり込みを生じ、基板実装した時に半導体装置本体を取り出せない或いは取り出しにくい状況が発生する。
【００１０】
また、エンボステープとしては、リブを４角で欠落させたタイプも知られている。
ここで、図１８を参照して、従来の他のエンボステーピングを説明する（例えば、特許文献２参照）。
図１８は、従来のエンボステーピングに適用されるエンボステープの他の構成説明図である。
図１８において、上段の図（ａ）は、本発明による電子部品収容テープの概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は、平面図（ａ）のＸ−Ｘ′断面図であり、更に、下段の図（ｃ）は、電子部品収容時の隅部（角部）の拡大断面図である。
エンボステープ１２０には、プレス加工によって凹部１２１が形成されるが、この凹部１２２に収容する半導体装置１００の本体部１０１の外形に沿ったリブ１２２が形成され、このリブ１２２で囲まれた領域が本体部１０１の収容部１２３となるが、この場合のリブ１２２には４角に欠落部１２４を設ける。
【００１１】
このエンボステープを利用したテーピング状態は、図１７に示したエンボステーピングと同様であり、リブ１２２によって半導体装置１００に設けられたガルウイング状のリード端子１０２が支えられて、輸送中における半導体装置１００の移動及び／或いは回転が防止される。
【００１２】
一方、リード端子のエンボステーピングのリブ部への嵌まり込みの発生を防止するために、エンボステープに凹部を設ける際に、中央部に半導体装置の本体部を載置する台状部を形成するとともに、台状部の４角に半導体装置の本体部の下側を支えるＬ字状の突縁を設けることが提案されている（例えば、同じく特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０９−０９２６８９号公報
【特許文献２】特表平０４−５０００５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献２に示されたエンボステープの場合にも、リード端子７２のエンボステーピングのリブ部への嵌まり込みの発生状況は同様である。
これはリード端子もしくは半導体装置本体部がリブと接触する面積に差がないことに原因があることが推測され、嵌まり込みはエンボステーピング出荷の障害となるため、トレイ出荷／トレイ実装で対応するしかない状況にある。
【００１４】
また、前記特許文献１に示されたＬ字状の突縁は切り起こしで形成されるため、幅が充分に薄く、リード端子とエンボステーピングの突縁への嵌まり込みが生ずることはないが、Ｌ字状の突縁の機械的強度が充分でない。
また、突縁はリード端子と接触する位置に設けられていないので、輸送落下等により衝撃が加わった場合に、半導体装置本大部がＬ字状の突縁による支持からはなれて移動し、半導体装置の外形保護機能が低下するという問題がある。
【００１５】
本発明は、ガルウイング状のリード端子を有する電子部品の収容／テーピング／輸送／基板への実装段階において、電子部品の外形保護、リード端子の保護を図り、且つ、安全に取り出すことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、電子部品本体の収容部と、前記収容部の周囲に前記電子部品本体と端子との間であり、且つ、前記電子部品の端子と接する位置に位置する畝条突起部とを有するとともに、前記畝条突起部が、前記電子部品本体の４つの角部以外の位置において、高さ或いは幅の少なくとも一方が前記電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度に不均一になっている電子部品収容テープが提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、リブと電子部品の端子との接触面積を有為に低減させているので、電子部品本体の外形保護を図り、従来懸念された電子部品の嵌まり込みを防止することができる。ひいては、テーピング出荷による実装スピード向上、品質向上が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、電子部品収容テープにおいて、電子部品本体の収容部の周囲に、電子部品の端子と接する位置に配置される畝条突起部の形態を、電子部品本体の４つの隅部（角部）以外の位置において、その高さ或いは幅の少なくとも一方を電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度、例えば、接触面積比率が従来の５％〜９０％になるように、不均一にしてなるものである。
【００１９】
その具体的形状として、一つに、畝条突起部を電子部品本体の２つの隅部（角部）に対してのみ設けることにより、２つの隅部（角部）における畝条突起部の高さを他の領域における畝条突起部の高さに対して不均一にする。この時、この２つの隅部（角部）における畝条突起部の高さ自体を不均一なものとしても良い。
【００２０】
或いは、畝条突起部を、電子部品本体の２つの辺に対してのみ設けることにより、２つの辺における畝条突起部の高さを、他の２つの辺における畝条突起部の高さに対して異なるものとする。
この時、この２つの辺における畝条突起部の高さ自体を不均一なものとしても良い。
【００２１】
或いは、畝条突起部を、電子部品本体の４つの辺に対して設けるとともに、各畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方を不均一にする。
より具体的には、畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方を、弧状に連続的に変化
させる、または波状に周期的に変化させる（例えば三角波状に周期的に変化させる）、或いは間欠的に設ける、または、畝条突起部にくり貫き部を設けることによって不均一にするなどの構成を用いる。
【００２２】
更には、畝条突起部の高さは一定として、畝条突起部の幅をテーパ状に変化させる、或いは畝条突起部の幅を階段状に変化させることにより不均一にするなどの構成を用いる。
【実施例１】
【００２３】
次に、図１を参照して本発明の実施例１のエンボステープを説明する。
図１は、本発明の実施例１のエンボステープの構成説明図であり、ここでは、半導体装置を収容した状態で説明する。
上段の図（ａ）は概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は隅部（角部）の拡大図であり、更に、下段の図（ｃ）は隅部（角部）の拡大断面図である。
本実施例におけるエンボステープ２０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部２１を形成するとともに、当該凹部２１の底部において、対角線上に位置する２つの隅部（角部）にＬ字状リブ２２を配設したものである。
【００２４】
かかる形態において、Ｌ字状リブ２２は、一辺の長さが５．０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは隅部（角部）の頂点から２．００ｍｍまでの間は、１．００ｍｍであり、２．００ｍｍの位置から端部までは連続的に低くなる形状とされている。
この２つのＬ字状リブ２２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部２３となる。
【００２５】
このエンボステープ２０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部２３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はＬ字状リブ２２を跨いで接した状態となる。
【００２６】
この時、ガルウイング状の端子１２は、Ｌ字状リブ２２に対し、当該Ｌ字状リブ２２の高さが一定の部分及びその近傍において接するに止まる。
この為、ガルウイング状の端子１２とＬ字状リブ２２との接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ２０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にＬ字状リブ２２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、エンボステープ２０からの半導体装置１０の取り出しの際、当該半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例２】
【００２７】
次に、図２を参照して本発明の実施例２のエンボステープを説明する。
図２は、本発明の実施例２のエンボステープの構成説明図であり、ここでは、半導体装置を収容した状態で説明する。
上段の図（ａ）は概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は隅部（角部）の拡大図であり、また、下段の図（ｃ）は隅部（角部）の拡大断面図である。
本実施例におけるエンボステープ２５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部２６を形成するとともに、当該凹部２６の底部において、対角線上に位置する２つの隅部（角部）にＬ字状リブ２７を配設したものである。
【００２８】
かかる形態において、Ｌ字状リブ２７は、一辺の長さが５．０ｍｍ、幅は０．５ｍｍであり、また、高さは角の頂点から２．００ｍｍまでの間は、０乃至１．００ｍｍまで連続的変化し、２．００ｍｍの位置からは０．５０ｍｍで一定の高さになる。
この２つのＬ字状リブ２７で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部２８となる。
【００２９】
このエンボステープ２５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部２７に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はＬ字状リブ２７を跨いで接した状態となる。
【００３０】
この時、ガルウイング状の端子１２は、Ｌ字状リブ２７に対し、当該Ｌ字状リブ２７の高さが一定の部分及びその近傍において接するに止まる。
この為、ガルウイング状の端子１２とＬ字状リブ２７との接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ２０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にＬ字状リブ２７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ２５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例３】
【００３１】
次に、図３を参照して本発明の実施例３のエンボステープを説明する。
図３は、本発明の実施例３のエンボステープの構成説明図である。上の図（ａ）は概略的平面図であり、下の図（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′断面を示す。
本実施例におけるエンボステープ３０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部３１を形成するとともに、当該凹部３１の底部において、周囲の４辺のそれぞれに沿ってリブ３２を配設したものである。
【００３２】
かかる形態において、それぞれのリブ３２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、その高さは両端部が１．００ｍｍとされ、中央部が０．５０ｍｍとされて、円弧状に連続的に変化している。
尚、４つの隅部（角部）には、リブは配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ３２により規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部３３となる。
【００３３】
このエンボステープ３０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部３３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ３２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ３２に対し、当該リブ３２の中央部においては接触しておらず、接触面積比率は４５％程度となる。
従って、エンボステープ３０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ３２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、前記実施例１と同様に、エンボステープ３０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例４】
【００３４】
次に、図４を参照して本発明の実施例４のエンボステープを説明する。
図４は、本発明の実施例４のエンボステープの構成説明図である。平面形状は前記実施例３におけるエンボステープと同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ３５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部３６を形成するとともに、当該凹部３６の底部において、周囲の４辺のそれぞれに沿ってリブ３７を設けたものである。
【００３５】
かかる形態において、それぞれのリブ３７は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、頂点の高さが１．００ｍｍの三角波状の突起３８を周期的に形成したものである。尚、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ３７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部３９となる。
【００３６】
このエンボステープ３５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部３９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ３７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ３２に対し、当該リブ３２の隣接する三角波状の突起３８の中間部においては接触しておらず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ３５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ３７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ３５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例５】
【００３７】
次に、図５を参照して本発明の実施例５のエンボステープを説明する。
図５は、本発明の実施例５のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ４０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部４１を形成するとともに、当該凹部４１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ４２を設けたものである。
【００３８】
かかる形態において、それぞれのリブ４２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、頂点の高さが１．００ｍｍの波状の突起４３を周期的に形成したものである。
尚、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ４２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部４３となる。
【００３９】
このエンボステープ４０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部４３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ４２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ４２に対し、当該リブ４２における波状の突起４３の底部においては接触しておらず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ４０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ４２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ４０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例６】
【００４０】
次に、図６を参照して本発明の実施例６のエンボステープを説明する。
図６は、本発明の実施例６のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ４５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば、２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部４６を形成するとともに、当該凹部４６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ４７を設けたものである。
【００４１】
かかる形態において、それぞれのリブ４７は、長さが１．０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また高さが１．００ｍｍを有する板状の突起４８が、例えば、１．０ｍｍのピッチで、島状に並ぶことにより形成されたものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
これら複数個のリブ４７により規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部４９となる。
【００４２】
このエンボステープ４５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部４９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ４７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、全てのリブ４７に接触する状態とはならず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ４５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ４７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ４５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例７】
【００４３】
次に、図７を参照して本発明の実施例７のエンボステープを説明する。
図７は、本発明の実施例７のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ５０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部５１を形成するとともに、当該凹部５１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ５２を設けたものである。
【００４４】
かかる形態において、リブ５２は、それぞれが、長さ２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また高さは、両端部が０．５０ｍｍで、中央部が１．００ｍｍのアーチ状を有している。 また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ５２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部５３となる。
【００４５】
このエンボステープ５０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部５３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ５２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５２の両端近傍においてその高さが低くなっている部位に対しては接触しておらず、接触面積比率は５５％程度となる。
従って、エンボステープ５０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ５２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ５０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例８】
【００４６】
次に、図８を参照して本発明の実施例８のエンボステープを説明する。
図８は、本発明の実施例８のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ５５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部５６を形成するとともに、当該凹部５６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ５７を設けたものである。
【００４７】
かかる形態において、それぞれのリブ５７は、長さが２０ｍｍで、幅は０．５０ｍｍであり、また高さは１．００ｍｍを有するが、それぞれに、長さ１５ｍｍ、高さ０．５０ｍｍのくり貫き部（貫通孔）５８を配設している。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ５７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部５９となる。
【００４８】
このエンボステープ５５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部５９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ５７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５７のくり貫き部５８を設けた部分においては、その上端部が撓むとともに、実質的にくり抜き部５８の外側に位置し、当該くり抜き部５８と対向する為、接触面積比率は５５％程度となる。
従って、エンボステープ５５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ５７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ５０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例９】
【００４９】
次に、図９を参照して本発明の実施例９のエンボステープを説明する。
図９は、本発明の実施例９のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ６０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部６１を形成するとともに、当該凹部６１の底部において、４辺のそれぞれに沿って４つの辺にリブ６２を設けたものである。
【００５０】
かかる形態において、それぞれのリブ６２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは１．００ｍｍであって、その上面に、幅が１．００ｍｍで深さが０．５０ｍｍのＶ字状の切り欠き部６３を複数個、互いに離間して配設したものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ６２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部６４となる。
【００５１】
このエンボステープ６０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部６４に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ６２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５７の切り欠き部６３においては当該リブ５７に接触しないので、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ６０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ６２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ６０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０を取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１０】
【００５２】
次に、図１０を参照して本発明の実施例１０のエンボステープを説明する。
図１０は、本発明の実施例１０のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ６５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部６６を形成するとともに、当該凹部６６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ６７を設けたものである。
【００５３】
かかる形態において、それぞれのリブ６７は、長さが２０ｍｍで、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは１．００ｍｍであるが、例えば、半径が０．１０ｍｍの円弧状の切り欠き部６８を設けたものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ６７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部６９となる。
【００５４】
このエンボステープ６５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部６９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ６７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、切り欠き部６８を設けた部分においては当該リブ６７に接触しないので、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ６５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ６７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ６０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１１】
【００５５】
次に、図１１を参照して本発明の実施例１１のエンボステープを説明する。
図１１は、本発明の実施例１１のエンボステープの構成説明図である。上の図（ａ）は概略的平面図であり、下の図（ｂ）はリブの要部拡大図である。
本実施例におけるエンボステープ７０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部７１を形成するとともに、当該凹部７１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ７２を配設したものである。
【００５６】
かかる形態において、それぞれのリブ７２は、長さが２０ｍｍで、高さは１．００ｍｍであり、また、幅は例えば、０．５０ｍｍの幅太部７３と０．３０ｍｍの幅細部７４とが交互に１．００ｍｍのピッチで繰り返した波状になっている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ７２で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部７５となる。
【００５７】
このエンボステープ７０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部７５に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ７２を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部７４においては、ガルウイング状の端子１２はリブ７２の側面に接触しておらず、接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ７０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ７２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ７０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１２】
【００５８】
次に、図１２を参照して本発明の実施例１２のエンボステープを説明する。
図１２は、本発明の実施例１２のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、リブの要部を拡大して示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ７６は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ７７を配設したものである。
【００５９】
かかる形態において、それぞれのリブ７７は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、また、幅は、例えば、０．５０ｍｍの幅太部７８と０．３０ｍｍの幅細部７９とが交互に１．００ｍｍのピッチで三角波状に繰り返した形状とされている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ７７で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６０】
このエンボステープ７６に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ７７を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部７９においては、端子はリブ７７の側面に接触しておらず、接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ７６の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ７７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ７０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１３】
【００６１】
次に、図１３を参照して本発明の実施例１３のエンボステープを説明する。
図１３は、本発明の実施例１３のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ８０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ８１を配設したものである。
【００６２】
かかる形態において、それぞれのリブ８１は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から３．００ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、当該３．００ｍｍを越える領域からは、半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面が、中央部において幅が０．３０ｍｍになるように、テーパ状に減少されている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ８１で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６３】
このエンボステープ８０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ８１を跨いで接した状態となる。
この時、テーパ状に幅が減じられているテーパ領域８２においては、ガルウイング状の端子１２はリブ８１の側面に接触しておらず、接触面積比率は１０％程度となる。
従って、エンボステープ８０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ８１の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１４】
【００６４】
次に、図１４を参照して本発明の実施例１４のエンボステープを説明する。
図１４は、本発明の実施例１４のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ８５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ８６を配設したものである。
【００６５】
かかる形態において、それぞれのリブ８６は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から３．００ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、３．００ｍｍを越える領域からは半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面が幅０．３０ｍｍとされた幅細部８７とされている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ８６で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６６】
このエンボステープ８５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ８６を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部８７においては、ガルウイング状の端子１２はリブ８６の側面に接触しておらず、接触面積比率は２０％程度となる。
従って、エンボステープ８５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ８６の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１５】
【００６７】
次に、図１５を参照して本発明の実施例１５のエンボステープを説明する。
図１５は、本発明の実施例１５のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ９０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ９１を配設したものである。
【００６８】
かかる形態において、それぞれのリブ９１は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から９．５０ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面の中央部に、幅が１．００ｍｍで深さが０．３０ｍｍのＶ字状の切り欠き部９２が設けられている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ９１で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６９】
このエンボステープ９０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ９１を跨いで接した状態となる。
この時、切り欠き部９２においては、ガルウイング状の端子１２はリブ９１の側面に接触しておらず、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ９０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ９１の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
尚、前記Ｖ字状の切欠き９２を、連続して或いは所定の間隔をもって複数個配設することとしてもよい。かかる構成とすれば、接触面積比率をより低下させることができる。
【００７０】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能である。
例えば、前記実施例１，２においては、Ｌ字状リブを、対角線上の２か所の隅部（角部
）に配置しているが、３箇所或いは４か所の隅部（角部）に配置しても良い。
【００７１】
また、前記実施例３乃至１５においては、リブを４つの辺に設けるとともに、４つの隅部（角部）をリブの欠落部としているが、４つの隅部（角部）においてリブが互いに接続するように形成しても良い。
【００７２】
また、前記実施例３乃至１５においては、リブを４つの辺に設けているが、３辺、或いは、互いに対向する２辺に設けても良い。
また、上記の各実施例においては、リブの高さ又は幅の一方のみ変化させているが、当該リブの高さと幅の両者をともに変化させても良い。
【００７３】
尚、前記実施例において記述した各部位の寸法は、収容される半導体装置の外形寸法等に対応して適宜選択・変更されるものであり、上記実施例に示した寸法値に特定されるものではない。
一方、前記実施例において示した接触面積比率も、半導体装置の外形寸法、端子数等に
より変わるものであり、これも上記実施例に示した値に特定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の活用例としては、半導体装置用の出荷／搬送時の収容テープが典型的なものであるが、収容対象物は半導体装置に限られるものではなく、チップ抵抗、チップコンデンサ等のガルウイング状の端子を有する各種の電子部品の収容．搬送に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施例１のエンボステープの構成説明図である。
【図２】本発明の実施例２のエンボステープの構成説明図である。
【図３】本発明の実施例３のエンボステープの構成説明図である。
【図４】本発明の実施例４のエンボステープの構成説明図である。
【図５】本発明の実施例５のエンボステープの構成説明図である。
【図６】本発明の実施例６のエンボステープの構成説明図である。
【図７】本発明の実施例７のエンボステープの構成説明図である。
【図８】本発明の実施例８のエンボステープの構成説明図である。
【図９】本発明の実施例９のエンボステープの構成説明図である。
【図１０】本発明の実施例１０のエンボステープの構成説明図である。
【図１１】本発明の実施例１１のエンボステープの構成説明図である。
【図１２】本発明の実施例１２のエンボステープの構成説明図である。
【図１３】本発明の実施例１３のエンボステープの構成説明図である。
【図１４】本発明の実施例１４のエンボステープの構成説明図である。
【図１５】本発明の実施例１５のエンボステープの構成説明図である。
【図１６】従来のエンボステーピングの構成説明図である。
【図１７】従来の他のエンボステーピングの構成説明図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０ 半導体装置
１１ 本体部
１２ 端子
２０，２５，３０，３５，４０，４５，５０，５５，６０，６５ エンボステープ
２１，２６，３１，３６，４１，４６，５１，５６，６１，６６ 凹部
２２，２７ Ｌ字状リブ
２３，２８，３３，３９，４４，４９，５３，５９，６４，６９ 収容部
３２，３７，４２，４７，５２，５７，６２，６７ リブ
４３，４８ 突起
５８ くり貫き部
６３，６８ 切り欠き部
７０，７６，８０，８５，９０ エンボステープ
７１ 凹部
７２，７７，８１，８６，９１ リブ
７３，７８ 幅太部
７４，７９，８７ 幅細部
７５ 収容部
８２ テーパ領域
９２ 切り欠き部
１００ 半導体装置
１０１ 本体部
１０２ リード端子
１１０，１２０ エンボステープ
１１１，１２１ 凹部
１１２，１２２ リブ
１１３，１２３ 収容部
１２４ 欠落部
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品収容テープに関し、特に、半導体装置等の電子部品の出荷の際に適用されるエンボステープと称される部品収容テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を電子機器用回路基板等へ実装するための、半導体装置の供給形態として、エンボステーピング出荷がある。
エンボステープは、半導体集積回路装置等の半導体装置を大量に搬送でき、ユーザが半導体装置を電子機器用回路基板等へ高速実装できるなどのメリットがあることから、近年需要が拡大している。
【０００３】
この様なエンボステープは、熱可塑性樹脂シートよりプレス成形、真空成形、或いは圧空成形にて一体成形され、リブに囲まれたポケットが半導体装置本体部の収容部となり、半導体装置におけるガルウイング状のリード端子はリブを跨ぐように保持される。
【０００４】
この場合、リブ及びポケットと半導体装置との配置関係によって、カバーテープで覆ったエンボステーピング状態における半導体装置の収容部内部における移動・回転が防止され、それによって、半導体装置の外形保護がなされることになる。
そして、半導体装置の実装時においては、半導体装置をエンボステープから逐次取り出すことによって、実装スピードの向上と製品の品質の向上が図られている。
【０００５】
しかし、エンボステープの適用率が上がるにつれ、ガルウイング状のリード端子を有した半導体装置、特に、ＳＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＱＦＰ或いはＬＱＦＰなどの２方向或いは４方向にリード端子が導出された半導体装置のテーピング出荷は、キャリアテープのリブ部の製造制限上の問題で、エンボステーピングのポケットへの嵌まり込みが懸念される。
【０００６】
これは、リブの成形型と熱可塑性樹脂シートの厚さとの関係によりリブ幅が太くなり、その幅が半導体装置本体部とリード端子部との間隙に近い寸法となるためである。
ここで、図１７を参照して従来のエンボステーピングの問題点を説明する（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
図１７は、従来のエンボステーピングに適用されるエンボステープの構成説明図である。
図１７において、上段の図（ａ）は、本発明による電子部品収容テープの概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は、平面図（ａ）のＸ−Ｘ′断面図であり、更に、下段の（ｃ）は、電子部品収容時の隅部（角部）の拡大断面図である。
エンボステープ１１０には、プレス加工によって凹部１１１が形成されるが、この凹部１１１に収容する半導体装置１００の本体部１０１の外形に沿ったリブ１１２が形成され、このリブ１１２で囲まれた領域が本体部１０１の収容部１１３となり、このリブ１１２が半導体装置１００に設けられたガルウイング状のリード端子１０２の支えとなる。
【０００８】
上述のように、リブ幅が太くなり半導体装置本体部とリード端子部との間隙に近い寸法となるため、リブ１１２が半導体装置の本体部１０１とリード端子１０２とほぼ全面で接触することになる。
【０００９】
このような状態で、輸送落下等により衝撃が加わった場合にはリブ１１２が半導体装置の本体部１０１とリード端子１０２との間隙に過度に差し込まれ易くなり、その結果、半導体装置本体のリード端子１０２とエンボステーピングのリブ部に嵌まり込みを生じ、基板実装した時に半導体装置本体を取り出せない或いは取り出しにくい状況が発生する。
【００１０】
また、エンボステープとしては、リブを４角で欠落させたタイプも知られている。
ここで、図１８を参照して、従来の他のエンボステーピングを説明する（例えば、特許文献２参照）。
図１８は、従来のエンボステーピングに適用されるエンボステープの他の構成説明図である。
図１８において、上段の図（ａ）は、本発明による電子部品収容テープの概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は、平面図（ａ）のＸ−Ｘ′断面図であり、更に、下段の図（ｃ）は、電子部品収容時の隅部（角部）の拡大断面図である。
エンボステープ１２０には、プレス加工によって凹部１２１が形成されるが、この凹部１２２に収容する半導体装置１００の本体部１０１の外形に沿ったリブ１２２が形成され、このリブ１２２で囲まれた領域が本体部１０１の収容部１２３となるが、この場合のリブ１２２には４角に欠落部１２４を設ける。
【００１１】
このエンボステープを利用したテーピング状態は、図１７に示したエンボステーピングと同様であり、リブ１２２によって半導体装置１００に設けられたガルウイング状のリード端子１０２が支えられて、輸送中における半導体装置１００の移動及び／或いは回転が防止される。
【００１２】
一方、リード端子のエンボステーピングのリブ部への嵌まり込みの発生を防止するために、エンボステープに凹部を設ける際に、中央部に半導体装置の本体部を載置する台状部を形成するとともに、台状部の４角に半導体装置の本体部の下側を支えるＬ字状の突縁を設けることが提案されている（例えば、同じく特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０９−０９２６８９号公報
【特許文献２】特表平０４−５０００５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献２に示されたエンボステープの場合にも、リード端子７２のエンボステーピングのリブ部への嵌まり込みの発生状況は同様である。
これはリード端子もしくは半導体装置本体部がリブと接触する面積に差がないことに原因があることが推測され、嵌まり込みはエンボステーピング出荷の障害となるため、トレイ出荷／トレイ実装で対応するしかない状況にある。
【００１４】
また、前記特許文献１に示されたＬ字状の突縁は切り起こしで形成されるため、幅が充分に薄く、リード端子とエンボステーピングの突縁への嵌まり込みが生ずることはないが、Ｌ字状の突縁の機械的強度が充分でない。
また、突縁はリード端子と接触する位置に設けられていないので、輸送落下等により衝撃が加わった場合に、半導体装置本大部がＬ字状の突縁による支持からはなれて移動し、半導体装置の外形保護機能が低下するという問題がある。
【００１５】
本発明は、ガルウイング状のリード端子を有する電子部品の収容／テーピング／輸送／基板への実装段階において、電子部品の外形保護、リード端子の保護を図り、且つ、安全に取り出すことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一観点によれば、電子部品本体の収容部と、前記収容部の周囲に前記電子部品本体と端子との間であり、且つ、前記電子部品の端子と接する位置に位置する畝条突起部とを有するとともに、前記畝条突起部が、前記電子部品本体の４つの角部以外の位置において、高さ或いは幅の少なくとも一方が前記電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度に不均一になっている電子部品収容テープが提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、リブと電子部品の端子との接触面積を有為に低減させているので、電子部品本体の外形保護を図り、従来懸念された電子部品の嵌まり込みを防止することができる。ひいては、テーピング出荷による実装スピード向上、品質向上が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、電子部品収容テープにおいて、電子部品本体の収容部の周囲に、電子部品の端子と接する位置に配置される畝条突起部の形態を、電子部品本体の４つの隅部（角部）以外の位置において、その高さ或いは幅の少なくとも一方を電子部品の端子との接触面積を有為に低減する程度、例えば、接触面積比率が従来の５％〜９０％になるように、不均一にしてなるものである。
【００１９】
その具体的形状として、一つに、畝条突起部を電子部品本体の２つの隅部（角部）に対してのみ設けることにより、２つの隅部（角部）における畝条突起部の高さを他の領域における畝条突起部の高さに対して不均一にする。この時、この２つの隅部（角部）における畝条突起部の高さ自体を不均一なものとしても良い。
【００２０】
或いは、畝条突起部を、電子部品本体の２つの辺に対してのみ設けることにより、２つの辺における畝条突起部の高さを、他の２つの辺における畝条突起部の高さに対して異なるものとする。
この時、この２つの辺における畝条突起部の高さ自体を不均一なものとしても良い。
【００２１】
或いは、畝条突起部を、電子部品本体の４つの辺に対して設けるとともに、各畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方を不均一にする。
より具体的には、畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方を、弧状に連続的に変化
させる、または波状に周期的に変化させる（例えば三角波状に周期的に変化させる）、或いは間欠的に設ける、または、畝条突起部にくり貫き部を設けることによって不均一にするなどの構成を用いる。
【００２２】
更には、畝条突起部の高さは一定として、畝条突起部の幅をテーパ状に変化させる、或いは畝条突起部の幅を階段状に変化させることにより不均一にするなどの構成を用いる。
【実施例１】
【００２３】
次に、図１を参照して本発明の実施例１のエンボステープを説明する。
図１は、本発明の実施例１のエンボステープの構成説明図であり、ここでは、半導体装置を収容した状態で説明する。
上段の図（ａ）は概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は隅部（角部）の拡大図であり、更に、下段の図（ｃ）は隅部（角部）の拡大断面図である。
本実施例におけるエンボステープ２０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部２１を形成するとともに、当該凹部２１の底部において、対角線上に位置する２つの隅部（角部）にＬ字状リブ２２を配設したものである。
【００２４】
かかる形態において、Ｌ字状リブ２２は、一辺の長さが５．０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは隅部（角部）の頂点から２．００ｍｍまでの間は、１．００ｍｍであり、２．００ｍｍの位置から端部までは連続的に低くなる形状とされている。
この２つのＬ字状リブ２２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部２３となる。
【００２５】
このエンボステープ２０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部２３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はＬ字状リブ２２を跨いで接した状態となる。
【００２６】
この時、ガルウイング状の端子１２は、Ｌ字状リブ２２に対し、当該Ｌ字状リブ２２の高さが一定の部分及びその近傍において接するに止まる。
この為、ガルウイング状の端子１２とＬ字状リブ２２との接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ２０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にＬ字状リブ２２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、エンボステープ２０からの半導体装置１０の取り出しの際、当該半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例２】
【００２７】
次に、図２を参照して本発明の実施例２のエンボステープを説明する。
図２は、本発明の実施例２のエンボステープの構成説明図であり、ここでは、半導体装置を収容した状態で説明する。
上段の図（ａ）は概略的平面図であり、中段の図（ｂ）は隅部（角部）の拡大図であり、また、下段の図（ｃ）は隅部（角部）の拡大断面図である。
本実施例におけるエンボステープ２５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部２６を形成するとともに、当該凹部２６の底部において、対角線上に位置する２つの隅部（角部）にＬ字状リブ２７を配設したものである。
【００２８】
かかる形態において、Ｌ字状リブ２７は、一辺の長さが５．０ｍｍ、幅は０．５ｍｍであり、また、高さは角の頂点から２．００ｍｍまでの間は、０乃至１．００ｍｍまで連続的変化し、２．００ｍｍの位置からは０．５０ｍｍで一定の高さになる。
この２つのＬ字状リブ２７で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部２８となる。
【００２９】
このエンボステープ２５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部２７に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はＬ字状リブ２７を跨いで接した状態となる。
【００３０】
この時、ガルウイング状の端子１２は、Ｌ字状リブ２７に対し、当該Ｌ字状リブ２７の高さが一定の部分及びその近傍において接するに止まる。
この為、ガルウイング状の端子１２とＬ字状リブ２７との接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ２０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にＬ字状リブ２７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ２５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例３】
【００３１】
次に、図３を参照して本発明の実施例３のエンボステープを説明する。
図３は、本発明の実施例３のエンボステープの構成説明図である。上の図（ａ）は概略的平面図であり、下の図（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ′断面を示す。
本実施例におけるエンボステープ３０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部３１を形成するとともに、当該凹部３１の底部において、周囲の４辺のそれぞれに沿ってリブ３２を配設したものである。
【００３２】
かかる形態において、それぞれのリブ３２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、その高さは両端部が１．００ｍｍとされ、中央部が０．５０ｍｍとされて、円弧状に連続的に変化している。
尚、４つの隅部（角部）には、リブは配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ３２により規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部３３となる。
【００３３】
このエンボステープ３０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部３３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ３２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ３２に対し、当該リブ３２の中央部においては接触しておらず、接触面積比率は４５％程度となる。
従って、エンボステープ３０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ３２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、前記実施例１と同様に、エンボステープ３０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例４】
【００３４】
次に、図４を参照して本発明の実施例４のエンボステープを説明する。
図４は、本発明の実施例４のエンボステープの構成説明図である。平面形状は前記実施例３におけるエンボステープと同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ３５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部３６を形成するとともに、当該凹部３６の底部において、周囲の４辺のそれぞれに沿ってリブ３７を設けたものである。
【００３５】
かかる形態において、それぞれのリブ３７は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、頂点の高さが１．００ｍｍの三角波状の突起３８を周期的に形成したものである。尚、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ３７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部３９となる。
【００３６】
このエンボステープ３５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部３９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ３７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ３２に対し、当該リブ３２の隣接する三角波状の突起３８の中間部においては接触しておらず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ３５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ３７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ３５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例５】
【００３７】
次に、図５を参照して本発明の実施例５のエンボステープを説明する。
図５は、本発明の実施例５のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ４０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部４１を形成するとともに、当該凹部４１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ４２を設けたものである。
【００３８】
かかる形態において、それぞれのリブ４２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、頂点の高さが１．００ｍｍの波状の突起４３を周期的に形成したものである。
尚、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ４２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部４３となる。
【００３９】
このエンボステープ４０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部４３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ４２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ４２に対し、当該リブ４２における波状の突起４３の底部においては接触しておらず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ４０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ４２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ４０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例６】
【００４０】
次に、図６を参照して本発明の実施例６のエンボステープを説明する。
図６は、本発明の実施例６のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ４５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば、２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部４６を形成するとともに、当該凹部４６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ４７を設けたものである。
【００４１】
かかる形態において、それぞれのリブ４７は、長さが１．０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また高さが１．００ｍｍを有する板状の突起４８が、例えば、１．０ｍｍのピッチで、島状に並ぶことにより形成されたものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
これら複数個のリブ４７により規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部４９となる。
【００４２】
このエンボステープ４５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部４９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ４７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、全てのリブ４７に接触する状態とはならず、接触面積比率は５０％程度となる。
従って、エンボステープ４５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ４７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ４５からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例７】
【００４３】
次に、図７を参照して本発明の実施例７のエンボステープを説明する。
図７は、本発明の実施例７のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ５０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部５１を形成するとともに、当該凹部５１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ５２を設けたものである。
【００４４】
かかる形態において、リブ５２は、それぞれが、長さ２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また高さは、両端部が０．５０ｍｍで、中央部が１．００ｍｍのアーチ状を有している。 また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ５２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部５３となる。
【００４５】
このエンボステープ５０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部５３に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ５２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５２の両端近傍においてその高さが低くなっている部位に対しては接触しておらず、接触面積比率は５５％程度となる。
従って、エンボステープ５０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ５２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ５０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例８】
【００４６】
次に、図８を参照して本発明の実施例８のエンボステープを説明する。
図８は、本発明の実施例８のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ５５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部５６を形成するとともに、当該凹部５６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ５７を設けたものである。
【００４７】
かかる形態において、それぞれのリブ５７は、長さが２０ｍｍで、幅は０．５０ｍｍであり、また高さは１．００ｍｍを有するが、それぞれに、長さ１５ｍｍ、高さ０．５０ｍｍのくり貫き部（貫通孔）５８を配設している。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ５７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部５９となる。
【００４８】
このエンボステープ５５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部５９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ５７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５７のくり貫き部５８を設けた部分においては、その上端部が撓むとともに、実質的にくり抜き部５８の外側に位置し、当該くり抜き部５８と対向する為、接触面積比率は５５％程度となる。
従って、エンボステープ５５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ５７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ５０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例９】
【００４９】
次に、図９を参照して本発明の実施例９のエンボステープを説明する。
図９は、本発明の実施例９のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ６０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部６１を形成するとともに、当該凹部６１の底部において、４辺のそれぞれに沿って４つの辺にリブ６２を設けたものである。
【００５０】
かかる形態において、それぞれのリブ６２は、長さが２０ｍｍ、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは１．００ｍｍであって、その上面に、幅が１．００ｍｍで深さが０．５０ｍｍのＶ字状の切り欠き部６３を複数個、互いに離間して配設したものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ６２で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部６４となる。
【００５１】
このエンボステープ６０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部６４に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ６２を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、リブ５７の切り欠き部６３においては当該リブ５７に接触しないので、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ６０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ６２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ６０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０を取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１０】
【００５２】
次に、図１０を参照して本発明の実施例１０のエンボステープを説明する。
図１０は、本発明の実施例１０のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例３と同様であるので、概略的断面図のみを示す。
本実施例におけるエンボステープ６５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部６６を形成するとともに、当該凹部６６の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ６７を設けたものである。
【００５３】
かかる形態において、それぞれのリブ６７は、長さが２０ｍｍで、幅は０．５０ｍｍであり、また、高さは１．００ｍｍであるが、例えば、半径が０．１０ｍｍの円弧状の切り欠き部６８を設けたものである。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ６７で規定される４角形の空間が、半導体装置１０の本体部１１の収容部６９となる。
【００５４】
このエンボステープ６５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部６９に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ６７を跨いで接した状態となる。
この時、ガルウイング状の端子１２は、切り欠き部６８を設けた部分においては当該リブ６７に接触しないので、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ６５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ６７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ６０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１１】
【００５５】
次に、図１１を参照して本発明の実施例１１のエンボステープを説明する。
図１１は、本発明の実施例１１のエンボステープの構成説明図である。上の図（ａ）は概略的平面図であり、下の図（ｂ）はリブの要部拡大図である。
本実施例におけるエンボステープ７０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、例えば２０ｍｍ×２０ｍｍの矩形状凹部７１を形成するとともに、当該凹部７１の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ７２を配設したものである。
【００５６】
かかる形態において、それぞれのリブ７２は、長さが２０ｍｍで、高さは１．００ｍｍであり、また、幅は例えば、０．５０ｍｍの幅太部７３と０．３０ｍｍの幅細部７４とが交互に１．００ｍｍのピッチで繰り返した波状になっている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。
この４つのリブ７２で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部７５となる。
【００５７】
このエンボステープ７０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部７５に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ７２を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部７４においては、ガルウイング状の端子１２はリブ７２の側面に接触しておらず、接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ７０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ７２の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ７０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１２】
【００５８】
次に、図１２を参照して本発明の実施例１２のエンボステープを説明する。
図１２は、本発明の実施例１２のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、リブの要部を拡大して示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ７６は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ７７を配設したものである。
【００５９】
かかる形態において、それぞれのリブ７７は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、また、幅は、例えば、０．５０ｍｍの幅太部７８と０．３０ｍｍの幅細部７９とが交互に１．００ｍｍのピッチで三角波状に繰り返した形状とされている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ７７で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６０】
このエンボステープ７６に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ７７を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部７９においては、端子はリブ７７の側面に接触しておらず、接触面積比率は５％程度となる。
従って、エンボステープ７６の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ７７の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ７０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１３】
【００６１】
次に、図１３を参照して本発明の実施例１３のエンボステープを説明する。
図１３は、本発明の実施例１３のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ８０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ８１を配設したものである。
【００６２】
かかる形態において、それぞれのリブ８１は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から３．００ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、当該３．００ｍｍを越える領域からは、半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面が、中央部において幅が０．３０ｍｍになるように、テーパ状に減少されている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ８１で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６３】
このエンボステープ８０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ８１を跨いで接した状態となる。
この時、テーパ状に幅が減じられているテーパ領域８２においては、ガルウイング状の端子１２はリブ８１の側面に接触しておらず、接触面積比率は１０％程度となる。
従って、エンボステープ８０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ８１の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１４】
【００６４】
次に、図１４を参照して本発明の実施例１４のエンボステープを説明する。
図１４は、本発明の実施例１４のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ８５は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ８６を配設したものである。
【００６５】
かかる形態において、それぞれのリブ８６は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から３．００ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、３．００ｍｍを越える領域からは半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面が幅０．３０ｍｍとされた幅細部８７とされている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ８６で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６６】
このエンボステープ８５に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ８６を跨いで接した状態となる。
この時、幅細部８７においては、ガルウイング状の端子１２はリブ８６の側面に接触しておらず、接触面積比率は２０％程度となる。
従って、エンボステープ８５の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子の一部にリブ８６の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
【実施例１５】
【００６７】
次に、図１５を参照して本発明の実施例１５のエンボステープを説明する。
図１５は、本発明の実施例１５のエンボステープの構成説明図である。平面形状は上記の実施例１１と同様であるので、一辺のリブの平面形状のみを示す。
即ち、本実施例におけるエンボステープ９０は、例えば、プラスチック樹脂テープをプレス加工することによって、矩形状凹部を形成するとともに、当該凹部の底部において、４辺のそれぞれに沿ってリブ９１を配設したものである。
【００６８】
かかる形態において、それぞれのリブ９１は、長さが２０ｍｍ、高さは１．００ｍｍであり、その幅は、両端部から９．５０ｍｍの間は０．５０ｍｍで一定であるが、半導体装置１０の本体部１１の収容部とは反対の側面の中央部に、幅が１．００ｍｍで深さが０．３０ｍｍのＶ字状の切り欠き部９２が設けられている。
また、４つの隅部（角部）には配置されず、欠落部となっている。（図示せず）
この４つのリブ９１で規定される４角形の空間が半導体装置１０の本体部１１の収容部となる。
【００６９】
このエンボステープ９０に半導体装置１０を挿入した場合、半導体装置１０の本体部１１が収容部に収容されるとともに、ガルウイング状の端子１２はリブ９１を跨いで接した状態となる。
この時、切り欠き部９２においては、ガルウイング状の端子１２はリブ９１の側面に接触しておらず、接触面積比率は９０％程度となる。
従って、エンボステープ９０の巻取り時或いは落下時に、ガルウイング状の端子１２の一部にリブ９１の嵌め込みが生じてもその割合は小さい。
よって、上記実施例１と同様に、エンボステープ８０からの半導体装置１０の取り出しの際、半導体装置１０が取り出せない或いは取り出し難い状況が発生することがない。
尚、前記Ｖ字状の切欠き９２を、連続して或いは所定の間隔をもって複数個配設することとしてもよい。かかる構成とすれば、接触面積比率をより低下させることができる。
【００７０】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能である。
例えば、前記実施例１，２においては、Ｌ字状リブを、対角線上の２か所の隅部（角部
）に配置しているが、３箇所或いは４か所の隅部（角部）に配置しても良い。
【００７１】
また、前記実施例３乃至１５においては、リブを４つの辺に設けるとともに、４つの隅部（角部）をリブの欠落部としているが、４つの隅部（角部）においてリブが互いに接続するように形成しても良い。
【００７２】
また、前記実施例３乃至１５においては、リブを４つの辺に設けているが、３辺、或いは、互いに対向する２辺に設けても良い。
また、上記の各実施例においては、リブの高さ又は幅の一方のみ変化させているが、当該リブの高さと幅の両者をともに変化させても良い。
【００７３】
尚、前記実施例において記述した各部位の寸法は、収容される半導体装置の外形寸法等に対応して適宜選択・変更されるものであり、上記実施例に示した寸法値に特定されるものではない。
一方、前記実施例において示した接触面積比率も、半導体装置の外形寸法、端子数等に
より変わるものであり、これも上記実施例に示した値に特定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の活用例としては、半導体装置用の出荷／搬送時の収容テープが典型的なものであるが、収容対象物は半導体装置に限られるものではなく、チップ抵抗、チップコンデンサ等のガルウイング状の端子を有する各種の電子部品の収容．搬送に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施例１のエンボステープの構成説明図である。
【図２】本発明の実施例２のエンボステープの構成説明図である。
【図３】本発明の実施例３のエンボステープの構成説明図である。
【図４】本発明の実施例４のエンボステープの構成説明図である。
【図５】本発明の実施例５のエンボステープの構成説明図である。
【図６】本発明の実施例６のエンボステープの構成説明図である。
【図７】本発明の実施例７のエンボステープの構成説明図である。
【図８】本発明の実施例８のエンボステープの構成説明図である。
【図９】本発明の実施例９のエンボステープの構成説明図である。
【図１０】本発明の実施例１０のエンボステープの構成説明図である。
【図１１】本発明の実施例１１のエンボステープの構成説明図である。
【図１２】本発明の実施例１２のエンボステープの構成説明図である。
【図１３】本発明の実施例１３のエンボステープの構成説明図である。
【図１４】本発明の実施例１４のエンボステープの構成説明図である。
【図１５】本発明の実施例１５のエンボステープの構成説明図である。
【図１６】従来のエンボステーピングの構成説明図である。
【図１７】従来の他のエンボステーピングの構成説明図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０ 半導体装置
１１ 本体部
１２ 端子
２０，２５，３０，３５，４０，４５，５０，５５，６０，６５ エンボステープ
２１，２６，３１，３６，４１，４６，５１，５６，６１，６６ 凹部
２２，２７ Ｌ字状リブ
２３，２８，３３，３９，４４，４９，５３，５９，６４，６９ 収容部
３２，３７，４２，４７，５２，５７，６２，６７ リブ
４３，４８ 突起
５８ くり貫き部
６３，６８ 切り欠き部
７０，７６，８０，８５，９０ エンボステープ
７１ 凹部
７２，７７，８１，８６，９１ リブ
７３，７８ 幅太部
７４，７９，８７ 幅細部
７５ 収容部
８２ テーパ領域
９２ 切り欠き部
１００ 半導体装置
１０１ 本体部
１０２ リード端子
１１０，１２０ エンボステープ
１１１，１２１ 凹部
１１２，１２２ リブ
１１３，１２３ 収容部
１２４ 欠落部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の本体を収容する収容部と、
前記収容部の周囲に配置され、前記電子部品の４つの側面に対向し、且つ、前記電子部品の本体と端子との隙間に挿入される畝条突起部であって、その長手方向に対して高さ或いは幅の少なくとも一方が変化する畝条突起部と、
を有することを特徴とする電子部品収容テープ。
【請求項２】
前記畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方は、該畝条突起部の長手方向に対して弧状に変化している請求項１記載の電子部品収容テープ。
【請求項３】
前記畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方は、該畝条突起部の長手方向に対して波状に変化している請求項１記載の電子部品収容テープ。
【請求項１】
電子部品の本体を収容する収容部と、
前記収容部の周囲に配置され、前記電子部品の４つの側面に対向し、且つ、前記電子部品の本体と端子との隙間に挿入される畝条突起部であって、その長手方向に対して高さ或いは幅の少なくとも一方が変化する畝条突起部と、
を有することを特徴とする電子部品収容テープ。
【請求項２】
前記畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方は、該畝条突起部の長手方向に対して弧状に変化している請求項１記載の電子部品収容テープ。
【請求項３】
前記畝条突起部の高さ或いは幅の少なくとも一方は、該畝条突起部の長手方向に対して波状に変化している請求項１記載の電子部品収容テープ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２００９−１６６８７６（Ｐ２００９−１６６８７６Ａ）
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−７５３９（Ｐ２００８−７５３９）
【出願日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年７月３０日（２００９．７．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月１７日（２００８．１．１７）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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