電極バンプの形成方法および半導体パッケージの製造方法
【課題】高性能・小型化に対応した半導体装置に用いられるような電極バンプを形成する。
【解決手段】基板１に配設された電極パッド２上に電極バンプ７を形成する電極バンプの形成方法であって、（ａ）電極バンプ７の基材となる導電性物５を形成する工程と、（ｂ）導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングする工程と、（ｃ）電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５を載置した後、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成する工程と、を含む。
【解決手段】基板１に配設された電極パッド２上に電極バンプ７を形成する電極バンプの形成方法であって、（ａ）電極バンプ７の基材となる導電性物５を形成する工程と、（ｂ）導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングする工程と、（ｃ）電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５を載置した後、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成する工程と、を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極バンプの形成技術および半導体パッケージの製造技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００１−２８４３８２号公報（特許文献１）には、フラックス作用を有する熱硬化性樹脂（特許文献１では活性樹脂という）をＬＳＩチップのバンプ先端および／または少なくとも実装基板のパッドに塗布し、それらを位置合わせして前記ＬＳＩチップを搭載し、はんだバンプを加熱・溶解してバンプと基板間を接続する技術が開示されている。この特許文献１の技術は、その明細書段落［００２２］、［００２３］に記載のように、フラックス残渣による信頼性への影響を防止するために、フラックスの代わりに活性樹脂を用いてはんだ接続するものである。
【０００３】
また、特開２００４−１６０５１４号公報（特許文献２）には、溶媒にフッ素樹脂を溶解した溶液中にはんだボールを浸漬し、前記溶液からはんだボールを取り出した後、はんだボール表面に付着した前記溶媒を揮発させてはんだボール表面をフッ素樹脂コーティングするはんだボールのコーティング方法が開示されている。この特許文献２の技術は、その明細書段落［０００７］、［０００８］に記載のように、はんだボール同士の微接着の発生を低減するために、はんだボール表面をフッ素樹脂でコーティングするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８４３８２号公報
【特許文献２】特開２００４−１６０５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置のパッケージ形態として、例えば、はんだバンプ（あるいははんだボール）を有するＢＧＡ（Ball Grid Array）構造やＣＳＰ（Chip Size Package）構造がある。以下では、ＢＧＡ構造の半導体パッケージの製造方法の一例を概略して説明する。
【０００６】
まず、複数の電極パッドが配設された基板を形成した後、各電極パッド上にフラックス層を印刷法によって形成（塗布）する。次いで、電極パッド上にフラックス層を介してはんだボールを載置した後、リフロー（Reflow）処理することによってはんだボールと電極パッドとを接合する。その後、残存しているフラックス層を除去するために洗浄液を用いて洗浄を行い、基板を乾燥させることによって、電極バンプ（はんだバンプ）を有するＢＧＡ構造の半導体パッケージが形成される。
【０００７】
しかしながら、半導体装置の高性能・小型化に伴って、半導体パッケージの電極バンプ径が小さくなり、またバンプ間も狭ピッチとなると、前述した製造方法では、フラックス層の除去を行ってもバンプ間にフラックスの残渣が発生する場合がある。フラックスの残渣は配線に用いられる金属の腐食を引き起こすためショート（短絡）の原因となり、半導体パッケージの信頼性を低下させてしまう。
【０００８】
また、半導体装置の高性能・小型化に伴って、電極バンプが載置される電極パッド径も小さくなり、またパッド間も狭ピッチとなるので、その電極パッド上にのみフラックス層を薄く塗布することが困難となる。このため、電極バンプの基材となるはんだボールが、厚い余分なフラックス層内でセルフアライメントを起こし、隣接間で接合した電極バンプが形成されてしまう場合があり、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、高性能・小型化に対応した半導体パッケージに用いられるような電極バンプを形成する技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施の形態は、基板に配設された電極パッド上に電極バンプを形成する電極バンプの形成方法であって、（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、を含む。
【００１１】
なお、本発明者らは、本発明の一実施の形態に基づき、電極バンプと電極パッド間を接続するために、導電性物の表面をフラックスでコーティングする観点で先行技術調査を行っている。その結果、電極バンプと電極パッド間を接続する観点で特許文献１が抽出され、また、導電性物の表面をコーティングする観点で特許文献２が抽出された。
【００１２】
特許文献１の技術は、フラックス残渣による信頼性への影響を防止するために、フラックス作用を有する熱硬化性樹脂を用い、バンプ先端および／または少なくともパッドに塗布して、バンプと基板間を接続するものである。この点で、電極バンプとなる導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする本発明の一実施の形態とは相違するものである。
【００１３】
また、特許文献２の技術は、はんだボール同士の微接着の発生を低減するために、はんだボール表面をフッ素樹脂でコーティングするものであり、電極バンプと基板の電極パッド間を接続するために、導電性物の表面をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする本発明の一実施の形態とは相違するものである。なお、特許文献２の技術では、電極バンプ（はんだボール）と基板の電極パッド間を接続するために、電極パッド上にフラックスを例えば印刷法によって形成するなどの別工程が、必要であると考えられる。
【００１４】
これら特許文献１、２の技術からは、フラックス残渣による信頼性への影響を考慮しながら、電極バンプと基板の電極パッド間を接続するためには、本発明の一実施の形態のように、導電性物の表面全体を、フッ素樹脂より粘着性のあるフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングすることは容易に想到することができないものと思料される。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、高性能・小型化に対応した半導体パッケージに用いられるような電極バンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態における電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図２】図１に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図３】図２に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図４】図３に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図５】フラックス層を印刷によって形成する工程を含む電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図６】図５に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図７】従来技術を用いて、ボール径とパッド径を同程度とした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図８】従来技術を用いて、ボール径よりパッド径を大きくした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施の形態の技術を用いて、ボール径よりパッド径を大きくした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図１０】図７に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１１】図７に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１２】図８に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１３】図８に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１４】図９に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１５】図９に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１８】
本実施の形態における電極バンプの形成方法について図面を参照して説明する。図１〜図４では、この電極バンプの形成方法を例えばＢＧＡ構造の半導体パッケージの配線基板１０に適用した場合を示している。配線基板１０は、図４に示すように、基板１に配設された複数の電極パッド２上のそれぞれに電極バンプ７が形成されることとなる。なお、図１、図３、図４では、製造工程中における半導体パッケージの配線基板１０の断面が示されており、図２では、フラックス及び防錆剤を含むコーティング剤６でコーティングされた導電性物５の断面を示している。
【００１９】
まず、図１に示すように、配線基板１０の基材となる基板１を準備する。基板１は例えばガラスエポキシ基板である。このガラスエポキシ基板には図示しない例えばビルドアップ配線層やビア（ＶＩＡ）などが形成されており、層間絶縁層（例えば絶縁樹脂層）によってそれらは絶縁されている。
【００２０】
次いで、基板１上に配線層と電気的に接続された複数の電極パッド２を形成する。この電極パッド２は、例えばめっき法によって形成されたＣｕ（銅）膜と、その上に例えばめっき法によって順次形成されたＮｉ（ニッケル）膜、Ａｕ（金）膜を積層した積層膜とを含んで構成される。電極パッド２の最表面をＡｕ膜とすることによって、電極パッド２が酸化するのを防止している。また、Ｎｉ膜を介することによって、電極バンプ７の基材（例えばはんだ）と、電極パッド２の基材（例えば銅）との接合を強固とするものとし、また電極パッド２の基材としての銅の拡散を防止している。
【００２１】
次いで、基板１の表面を保護する保護膜３を形成した後、電極パッド２を露出する開口部４を形成する。この保護膜３に例えばソルダレジストを用いる場合、基板１上に感光性ソルダレジストを塗布した後、露光、現像によって開口部４を有するパターンを形成する。ソルダレジストは、耐熱性のコーティング剤であり、基板１を保護するとともに、不要な箇所に電極バンプ７を形成することを防止することができる。
【００２２】
続いて、図２に示すように、電極バンプ７の基材となる導電性物５を形成した後、導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングする。コーティング剤６は、導電性物５と電極パッド２との接合時に、電極パッド２表面において自然に酸化した酸化膜を除去するとともに、導電性物５と電極パッド２の表面を再酸化することを防止し、導電性物５の濡れ性を向上するために用いられるものである。
【００２３】
本実施の形態では、例えば径が６０〜７０μｍ程度のボール状の導電性物５を形成した後、活性化ロジン及び防錆処理剤を混合した液を希釈するため、溶媒として有機溶剤を混合したフラックスを浴槽に張り、その液中に導電性物５を浸漬（あるいは通過）させた後、例えば底面にメッシュ状の開口がある容器で取り出した導電性物５を乾燥することによって、コーティングする。このように、ボール状の導電性物５を液状のコーティング剤６内から取り出すため、導電性物５には均一に所定量のコーティング剤６がコーティングされるので、余分な付着を防止することができる。
【００２４】
本実施の形態では、導電性物５は、例えば、Ｐｂ（鉛）−Ｓｎ（錫）、あるいはＰｂフリーのＡｇ（銀）−Ｓｎを含んで構成されるはんだである。また、導電性物５は、その形状をボール状としたはんだボールとして形成される。導電性物５は、その表面全体をコーティング剤６でコーティングされることとなるが、導電性物５の形状をボール状とすることで、粘着性を有するコーティング剤６を均一な膜でコーティングすることができる。
【００２５】
コーティング剤６の活性化ロジンとしては、例えば、ロジン系フラックス、アビエチレン酸などを用いることができる。また、コーティング剤６の防錆処理剤としては、例えば、脂肪酸、脂肪族化炭化水素系滑剤、金属石鹸系滑剤、脂肪酸エステル系滑剤などを用いることができる。導電性物５として形成されたはんだボールは、経時変化で酸化してしまうので、形成後すぐにコーティング剤６によってコーティングすることが好ましい。コーティング剤６には酸化防止剤としての作用もあるので、導電性物５の表面が酸化するのを防止することができる。
【００２６】
ところで、一般的に用いられているフラックスは洗浄が必要なものである。フラックス残渣中に含まれる活性剤が、イオン化し、電気的絶縁性が阻害されて配線間でマイグレーションを引き起こし、信頼性を低下させてしまうため、このようなフラックスは電極バンプ形成後に洗浄によって取り除かれる。
【００２７】
本実施の形態では、コーティング剤６に無洗浄用フラックスを適用することによって、フラックス洗浄工程を省略することができ、またフラックス残渣による半導体パッケージの信頼性の低下を防止することができる。この無洗浄用フラックスは、被金属表面の酸化膜を除去することができる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、電極バンプ７の形成時に気化させることによってフラックス残渣とならない量の、コーティング剤６を導電性物５の表面全体にコーティングしている。このため、コーティング剤６に、無洗浄用フラックスではなく、一般的に洗浄が必要なフラックスを用いても良い。すなわち、洗浄が必要、不要のいずれのフラックスを用いても、半導体パッケージの信頼性の低下をより確実に防止することができる。また、いずれのフラックスを用いる場合でも洗浄することで、より信頼性が向上する。
【００２９】
続いて、図３に示すように、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされたボール状の導電性物５を載置する。電極パッド２上に導電性物５を載置する方法は、いわゆる振り込み法によって、例えば、電極パッド２の位置に併せて開口部を有するマスクを基板１上に載置し、その開口部にボール状の導電性物５を振り込むことによって行うことができる。
【００３０】
より具体的に説明すると、まず、コーティング剤６でコーティングされたボール状の導電性物５を、底面にメッシュ状の開口がある容器から降らせ、適量数の導電性物５がマスク上に落ちるようにする。次いで、マスクの各開口に各１個のボール状の導電性物５を振り込み、各開口と位置合わせされた電極パッド２上に導電性物５を載置する。ここで、マスク上に残存している導電性物５は、例えば刷毛などで取り除かれ、回収される。このようにして、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５が載置される。
【００３１】
次いで、コーティング剤６の軟化点以上に基板１を加熱して、導電性物５に対して熱処理を施す。これによって、電極パッド２と導電性物５とをコーティング剤６を介して仮固定する。例えば、ロジン入りのコーティング剤６を用いた場合、コーティング剤６の軟化点、例えば１２０℃以上にまで基板１を加熱し、コーティング剤６が軟化した時点で基板１を冷却する。これにより、コーティング剤６が硬化し、導電性物５の周りをコーティングしているコーティング剤６の粘着力で、電極パッド２上に導電性物５を仮固定する。
【００３２】
この仮固定では、コーティング剤６を軟化させるために基板１に対して熱処理が行われるため、電極パッド２から熱を受けたコーティング剤６は、電極パッド２側へ移動されるようになると考えられる。また、ボール状の導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングしているので、導電性物５のどんな部分で電極パッド２上に載置されても、導電性物５はコーティング剤６を介して電極パッド２と仮固定されることとなる。なお、仮固定によって、ボール状の導電性物５の移動を考慮する必要が無くなるため、次工程まで基板１を搬送するときに、容易に行うことができる。
【００３３】
続いて、図４に示すように、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成する。これによって、半導体パッケージの配線基板１０が完成される。例えば、導電性物５にはんだを用いた場合、はんだの融点、例えば２５０℃以上にまで基板１をリフロー加熱する。溶融した導電性物５によって電極パッド２と導電性物５とが直接に接合し、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７が形成される。
【００３４】
本実施の形態では、ボール状の導電性物５の表面全体に付着している量のコーティング剤６を用いているため、コーティング剤６は電極バンプ７を形成する他は、リフロー加熱による熱処理によって溶剤が気化してしまい、表面をコーティングしているフラックス量が少ないので、洗浄しなくとも残渣の発生を抑制している。フラックス残渣となる余分なコーティング剤６がないため、リフロー処理によっても、表面張力によって導電性物５は、ボール状が維持されたものとなる。
【００３５】
ここで、本実施の形態における電極バンプの形成方法と比較するために、フラックス層を印刷によって形成する工程を含む電極バンプの形成方法について図面を参照して説明する。なお、図１を参照して説明した電極バンプの製造工程までは同様であるので、その後の製造工程から説明する。
【００３６】
図５に示すように、保護膜３から露出する電極パッド２を覆うように、例えば印刷法によってゲル状のフラックス６ａを例えば数１０μｍ程度の厚さで形成した後、フラックス６ａを介して電極パッド２上にボール状の導電性物５を載置する。なお、フラックス６ａは、後の工程で洗浄を必要とするものであっても、無洗浄用のものであっても良いが、ここでは、洗浄を必要とするものを用いる。
【００３７】
例えば、半導体装置の高性能・小型化に対応させた場合、電極バンプ７ａが載置される電極パッド２径も小さくなり、またパッド間も狭ピッチとなるので、フラックス層を薄く塗布することが困難となる。このため、電極パッド２上には余分にフラックス６ａが形成され、例えば、図５に示すように、電極パッド２を覆うフラックス６ａは、パッド間の保護膜２上にも形成されてしまう場合がある。
【００３８】
続いて、図６に示すように、リフロー処理することによって導電性物５を溶融し、電極パッド２と導電性物５とを直接に接合し、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７ａを形成する。その後、基板１に対して、フラックス洗浄を行った後、乾燥する。
【００３９】
図５に示したように、電極パッド２を覆うフラックス６ａがパッド間の保護膜２上にも形成された場合、リフロー処理時において、フラックス６ａは軟化して広がり、また、導電性物５がフラックス６ａ内で移動するセルフアライメントによって、隣接する電極バンプ７ａ同士が接続して形成されてしまう原因となる。このため、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【００４０】
なお、無洗浄用フラックスを用いた場合であっても、微細化・狭ピッチの電極パッド２上に形成されたフラックス６ａでは、導電性物５と電極パッド２との接合以外に用いられる余分なフラックスも存在してしまう。このため、導電性物５がフラックス６ａ内で移動するセルフアライメントによって、隣接する電極バンプ７ａ同士が接続して形成されてしまう原因となり、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【００４１】
また、半導体装置の高性能・小型化に伴って、電極バンプ径が小さくなり、またバンプ間も狭ピッチとなると、洗浄を行ってもバンプ間にフラックス６ａが残存してしまう。フラックスの残渣は、バンプ間の絶縁性が確保できずバンプ間でショートの原因となり、また配線に用いられる金属の腐食を引き起こすため、半導体パッケージの信頼性を低下させてしまう。
【００４２】
そこで、本実施の形態では、導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングし、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５を載置した後、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成している。ボール状の導電性物５には、その大きさに付随した量のコーティング剤６が付着し、余分なフラックスを付着させないようにできるので、フラックス残渣の発生を抑制することができる。さらに、コーティング剤６の量が、導電性物５の表面全体をコーティングするだけの量であるため、そのすべてが電極パッド２と導電性物５とを接合するために用いられ、フラックス残渣の発生を抑制することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、コーティング剤６は無洗浄用フラックスを用いているので、フラックス洗浄の必要はないが、洗浄が必要なフラックスを用いた場合であっても、フラックスの量が少ないので、フラックス残渣を取り除くための洗浄も不要である。また、導電性物５はセルフアライメントによってコーティング剤６内を移動することもないので、導電性物５同士の接合を抑制することができる。
【００４４】
ところで、図５、図６を参照して説明したフラックス印刷、搭載、リフロー加熱、洗浄の順で行う従来技術を用いた場合、ボール状の導電性物５（例えばはんだ）のボール径と電極パッド２のパッド径が同程度の大きさであれば、図７、図１０、図１１に示すように、ボール状の導電性物５の形状がそのまま維持された状態となる。例えばソルダレジストからなる保護膜３に形成された開口部４に、ボール状の導電性物５が近接しているため、導電性物５がボール状に維持される。しかしながら、ボール径よりもパッド径が大きい電極パッド２ａ上にボール状の導電性物５を搭載した場合では、図８、図１２、図１３に示すように、塗布されたフラックスによって導電性物５がボール形状を維持できず、潰れた半円の状態となってしまう。
【００４５】
これに対し、本実施の形態によれば、図９、図１４、図１５に示すように、導電性物５をそのボール径よりも大きいパッド径の電極パッド２ａに搭載し、仮固定の熱処理をした後、リフロー加熱した場合であっても、ボール状の導電性物５の形状がそのまま維持されたような状態で、導電性物５と電極パッド２ａとを接続することができる。余分なコーティング剤６がないため、リフロー加熱によっても、表面張力によって導電性物５はボール状が維持されたものと考えられる。
【００４６】
すなわち、ボール状の電極バンプを形成するにあたり、パッド径とボール径とを同程度にしなければならない従来技術とは異なり、本実施の形態によれば、パッド径とボール径とを同程度としなくても電極パッド上に電極バンプを形成することができる。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４８】
例えば、前記実施の形態では、電極バンプの形成方法を半導体パッケージの配線基板に適用した場合について説明したが、半導体装置（半導体チップ）にも適用することができる。例えば、図４で示した構造では、基板１として例えばＳｉ（シリコン）などの半導体基板、電極パッド２として例えばＡｕ（金）で覆われたＣｕ（銅）パッド、保護膜３としてポリイミド系樹脂のパッシベーション膜、コーティング剤６でコーティングされた導電性物５として金（Ａｕ）ボールを適用することによって、半導体チップの電極バンプとして形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、電極バンプの製造技術、特に、電極バンプを有する半導体パッケージの製造業に幅広く利用されるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１ 基板
２、２ａ 電極パッド
３ 保護膜
４ 開口部
５ 導電性物
６ コーティング剤
６ａ フラックス
７、７ａ 電極バンプ
１０ 配線基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極バンプの形成技術および半導体パッケージの製造技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００１−２８４３８２号公報（特許文献１）には、フラックス作用を有する熱硬化性樹脂（特許文献１では活性樹脂という）をＬＳＩチップのバンプ先端および／または少なくとも実装基板のパッドに塗布し、それらを位置合わせして前記ＬＳＩチップを搭載し、はんだバンプを加熱・溶解してバンプと基板間を接続する技術が開示されている。この特許文献１の技術は、その明細書段落［００２２］、［００２３］に記載のように、フラックス残渣による信頼性への影響を防止するために、フラックスの代わりに活性樹脂を用いてはんだ接続するものである。
【０００３】
また、特開２００４−１６０５１４号公報（特許文献２）には、溶媒にフッ素樹脂を溶解した溶液中にはんだボールを浸漬し、前記溶液からはんだボールを取り出した後、はんだボール表面に付着した前記溶媒を揮発させてはんだボール表面をフッ素樹脂コーティングするはんだボールのコーティング方法が開示されている。この特許文献２の技術は、その明細書段落［０００７］、［０００８］に記載のように、はんだボール同士の微接着の発生を低減するために、はんだボール表面をフッ素樹脂でコーティングするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８４３８２号公報
【特許文献２】特開２００４−１６０５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置のパッケージ形態として、例えば、はんだバンプ（あるいははんだボール）を有するＢＧＡ（Ball Grid Array）構造やＣＳＰ（Chip Size Package）構造がある。以下では、ＢＧＡ構造の半導体パッケージの製造方法の一例を概略して説明する。
【０００６】
まず、複数の電極パッドが配設された基板を形成した後、各電極パッド上にフラックス層を印刷法によって形成（塗布）する。次いで、電極パッド上にフラックス層を介してはんだボールを載置した後、リフロー（Reflow）処理することによってはんだボールと電極パッドとを接合する。その後、残存しているフラックス層を除去するために洗浄液を用いて洗浄を行い、基板を乾燥させることによって、電極バンプ（はんだバンプ）を有するＢＧＡ構造の半導体パッケージが形成される。
【０００７】
しかしながら、半導体装置の高性能・小型化に伴って、半導体パッケージの電極バンプ径が小さくなり、またバンプ間も狭ピッチとなると、前述した製造方法では、フラックス層の除去を行ってもバンプ間にフラックスの残渣が発生する場合がある。フラックスの残渣は配線に用いられる金属の腐食を引き起こすためショート（短絡）の原因となり、半導体パッケージの信頼性を低下させてしまう。
【０００８】
また、半導体装置の高性能・小型化に伴って、電極バンプが載置される電極パッド径も小さくなり、またパッド間も狭ピッチとなるので、その電極パッド上にのみフラックス層を薄く塗布することが困難となる。このため、電極バンプの基材となるはんだボールが、厚い余分なフラックス層内でセルフアライメントを起こし、隣接間で接合した電極バンプが形成されてしまう場合があり、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【０００９】
本発明の目的は、高性能・小型化に対応した半導体パッケージに用いられるような電極バンプを形成する技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施の形態は、基板に配設された電極パッド上に電極バンプを形成する電極バンプの形成方法であって、（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、を含む。
【００１１】
なお、本発明者らは、本発明の一実施の形態に基づき、電極バンプと電極パッド間を接続するために、導電性物の表面をフラックスでコーティングする観点で先行技術調査を行っている。その結果、電極バンプと電極パッド間を接続する観点で特許文献１が抽出され、また、導電性物の表面をコーティングする観点で特許文献２が抽出された。
【００１２】
特許文献１の技術は、フラックス残渣による信頼性への影響を防止するために、フラックス作用を有する熱硬化性樹脂を用い、バンプ先端および／または少なくともパッドに塗布して、バンプと基板間を接続するものである。この点で、電極バンプとなる導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする本発明の一実施の形態とは相違するものである。
【００１３】
また、特許文献２の技術は、はんだボール同士の微接着の発生を低減するために、はんだボール表面をフッ素樹脂でコーティングするものであり、電極バンプと基板の電極パッド間を接続するために、導電性物の表面をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする本発明の一実施の形態とは相違するものである。なお、特許文献２の技術では、電極バンプ（はんだボール）と基板の電極パッド間を接続するために、電極パッド上にフラックスを例えば印刷法によって形成するなどの別工程が、必要であると考えられる。
【００１４】
これら特許文献１、２の技術からは、フラックス残渣による信頼性への影響を考慮しながら、電極バンプと基板の電極パッド間を接続するためには、本発明の一実施の形態のように、導電性物の表面全体を、フッ素樹脂より粘着性のあるフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングすることは容易に想到することができないものと思料される。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、高性能・小型化に対応した半導体パッケージに用いられるような電極バンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施の形態における電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図２】図１に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図３】図２に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図４】図３に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図５】フラックス層を印刷によって形成する工程を含む電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図６】図５に続く電極バンプの製造工程を説明するための図である。
【図７】従来技術を用いて、ボール径とパッド径を同程度とした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図８】従来技術を用いて、ボール径よりパッド径を大きくした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図９】本発明の一実施の形態の技術を用いて、ボール径よりパッド径を大きくした場合における電極パッド上の導電性物の状態を説明するための図である。
【図１０】図７に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１１】図７に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１２】図８に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１３】図８に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１４】図９に対応した導電性物の断面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【図１５】図９に対応した導電性物を斜視した状態を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１８】
本実施の形態における電極バンプの形成方法について図面を参照して説明する。図１〜図４では、この電極バンプの形成方法を例えばＢＧＡ構造の半導体パッケージの配線基板１０に適用した場合を示している。配線基板１０は、図４に示すように、基板１に配設された複数の電極パッド２上のそれぞれに電極バンプ７が形成されることとなる。なお、図１、図３、図４では、製造工程中における半導体パッケージの配線基板１０の断面が示されており、図２では、フラックス及び防錆剤を含むコーティング剤６でコーティングされた導電性物５の断面を示している。
【００１９】
まず、図１に示すように、配線基板１０の基材となる基板１を準備する。基板１は例えばガラスエポキシ基板である。このガラスエポキシ基板には図示しない例えばビルドアップ配線層やビア（ＶＩＡ）などが形成されており、層間絶縁層（例えば絶縁樹脂層）によってそれらは絶縁されている。
【００２０】
次いで、基板１上に配線層と電気的に接続された複数の電極パッド２を形成する。この電極パッド２は、例えばめっき法によって形成されたＣｕ（銅）膜と、その上に例えばめっき法によって順次形成されたＮｉ（ニッケル）膜、Ａｕ（金）膜を積層した積層膜とを含んで構成される。電極パッド２の最表面をＡｕ膜とすることによって、電極パッド２が酸化するのを防止している。また、Ｎｉ膜を介することによって、電極バンプ７の基材（例えばはんだ）と、電極パッド２の基材（例えば銅）との接合を強固とするものとし、また電極パッド２の基材としての銅の拡散を防止している。
【００２１】
次いで、基板１の表面を保護する保護膜３を形成した後、電極パッド２を露出する開口部４を形成する。この保護膜３に例えばソルダレジストを用いる場合、基板１上に感光性ソルダレジストを塗布した後、露光、現像によって開口部４を有するパターンを形成する。ソルダレジストは、耐熱性のコーティング剤であり、基板１を保護するとともに、不要な箇所に電極バンプ７を形成することを防止することができる。
【００２２】
続いて、図２に示すように、電極バンプ７の基材となる導電性物５を形成した後、導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングする。コーティング剤６は、導電性物５と電極パッド２との接合時に、電極パッド２表面において自然に酸化した酸化膜を除去するとともに、導電性物５と電極パッド２の表面を再酸化することを防止し、導電性物５の濡れ性を向上するために用いられるものである。
【００２３】
本実施の形態では、例えば径が６０〜７０μｍ程度のボール状の導電性物５を形成した後、活性化ロジン及び防錆処理剤を混合した液を希釈するため、溶媒として有機溶剤を混合したフラックスを浴槽に張り、その液中に導電性物５を浸漬（あるいは通過）させた後、例えば底面にメッシュ状の開口がある容器で取り出した導電性物５を乾燥することによって、コーティングする。このように、ボール状の導電性物５を液状のコーティング剤６内から取り出すため、導電性物５には均一に所定量のコーティング剤６がコーティングされるので、余分な付着を防止することができる。
【００２４】
本実施の形態では、導電性物５は、例えば、Ｐｂ（鉛）−Ｓｎ（錫）、あるいはＰｂフリーのＡｇ（銀）−Ｓｎを含んで構成されるはんだである。また、導電性物５は、その形状をボール状としたはんだボールとして形成される。導電性物５は、その表面全体をコーティング剤６でコーティングされることとなるが、導電性物５の形状をボール状とすることで、粘着性を有するコーティング剤６を均一な膜でコーティングすることができる。
【００２５】
コーティング剤６の活性化ロジンとしては、例えば、ロジン系フラックス、アビエチレン酸などを用いることができる。また、コーティング剤６の防錆処理剤としては、例えば、脂肪酸、脂肪族化炭化水素系滑剤、金属石鹸系滑剤、脂肪酸エステル系滑剤などを用いることができる。導電性物５として形成されたはんだボールは、経時変化で酸化してしまうので、形成後すぐにコーティング剤６によってコーティングすることが好ましい。コーティング剤６には酸化防止剤としての作用もあるので、導電性物５の表面が酸化するのを防止することができる。
【００２６】
ところで、一般的に用いられているフラックスは洗浄が必要なものである。フラックス残渣中に含まれる活性剤が、イオン化し、電気的絶縁性が阻害されて配線間でマイグレーションを引き起こし、信頼性を低下させてしまうため、このようなフラックスは電極バンプ形成後に洗浄によって取り除かれる。
【００２７】
本実施の形態では、コーティング剤６に無洗浄用フラックスを適用することによって、フラックス洗浄工程を省略することができ、またフラックス残渣による半導体パッケージの信頼性の低下を防止することができる。この無洗浄用フラックスは、被金属表面の酸化膜を除去することができる。
【００２８】
なお、本実施の形態では、電極バンプ７の形成時に気化させることによってフラックス残渣とならない量の、コーティング剤６を導電性物５の表面全体にコーティングしている。このため、コーティング剤６に、無洗浄用フラックスではなく、一般的に洗浄が必要なフラックスを用いても良い。すなわち、洗浄が必要、不要のいずれのフラックスを用いても、半導体パッケージの信頼性の低下をより確実に防止することができる。また、いずれのフラックスを用いる場合でも洗浄することで、より信頼性が向上する。
【００２９】
続いて、図３に示すように、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされたボール状の導電性物５を載置する。電極パッド２上に導電性物５を載置する方法は、いわゆる振り込み法によって、例えば、電極パッド２の位置に併せて開口部を有するマスクを基板１上に載置し、その開口部にボール状の導電性物５を振り込むことによって行うことができる。
【００３０】
より具体的に説明すると、まず、コーティング剤６でコーティングされたボール状の導電性物５を、底面にメッシュ状の開口がある容器から降らせ、適量数の導電性物５がマスク上に落ちるようにする。次いで、マスクの各開口に各１個のボール状の導電性物５を振り込み、各開口と位置合わせされた電極パッド２上に導電性物５を載置する。ここで、マスク上に残存している導電性物５は、例えば刷毛などで取り除かれ、回収される。このようにして、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５が載置される。
【００３１】
次いで、コーティング剤６の軟化点以上に基板１を加熱して、導電性物５に対して熱処理を施す。これによって、電極パッド２と導電性物５とをコーティング剤６を介して仮固定する。例えば、ロジン入りのコーティング剤６を用いた場合、コーティング剤６の軟化点、例えば１２０℃以上にまで基板１を加熱し、コーティング剤６が軟化した時点で基板１を冷却する。これにより、コーティング剤６が硬化し、導電性物５の周りをコーティングしているコーティング剤６の粘着力で、電極パッド２上に導電性物５を仮固定する。
【００３２】
この仮固定では、コーティング剤６を軟化させるために基板１に対して熱処理が行われるため、電極パッド２から熱を受けたコーティング剤６は、電極パッド２側へ移動されるようになると考えられる。また、ボール状の導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングしているので、導電性物５のどんな部分で電極パッド２上に載置されても、導電性物５はコーティング剤６を介して電極パッド２と仮固定されることとなる。なお、仮固定によって、ボール状の導電性物５の移動を考慮する必要が無くなるため、次工程まで基板１を搬送するときに、容易に行うことができる。
【００３３】
続いて、図４に示すように、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成する。これによって、半導体パッケージの配線基板１０が完成される。例えば、導電性物５にはんだを用いた場合、はんだの融点、例えば２５０℃以上にまで基板１をリフロー加熱する。溶融した導電性物５によって電極パッド２と導電性物５とが直接に接合し、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７が形成される。
【００３４】
本実施の形態では、ボール状の導電性物５の表面全体に付着している量のコーティング剤６を用いているため、コーティング剤６は電極バンプ７を形成する他は、リフロー加熱による熱処理によって溶剤が気化してしまい、表面をコーティングしているフラックス量が少ないので、洗浄しなくとも残渣の発生を抑制している。フラックス残渣となる余分なコーティング剤６がないため、リフロー処理によっても、表面張力によって導電性物５は、ボール状が維持されたものとなる。
【００３５】
ここで、本実施の形態における電極バンプの形成方法と比較するために、フラックス層を印刷によって形成する工程を含む電極バンプの形成方法について図面を参照して説明する。なお、図１を参照して説明した電極バンプの製造工程までは同様であるので、その後の製造工程から説明する。
【００３６】
図５に示すように、保護膜３から露出する電極パッド２を覆うように、例えば印刷法によってゲル状のフラックス６ａを例えば数１０μｍ程度の厚さで形成した後、フラックス６ａを介して電極パッド２上にボール状の導電性物５を載置する。なお、フラックス６ａは、後の工程で洗浄を必要とするものであっても、無洗浄用のものであっても良いが、ここでは、洗浄を必要とするものを用いる。
【００３７】
例えば、半導体装置の高性能・小型化に対応させた場合、電極バンプ７ａが載置される電極パッド２径も小さくなり、またパッド間も狭ピッチとなるので、フラックス層を薄く塗布することが困難となる。このため、電極パッド２上には余分にフラックス６ａが形成され、例えば、図５に示すように、電極パッド２を覆うフラックス６ａは、パッド間の保護膜２上にも形成されてしまう場合がある。
【００３８】
続いて、図６に示すように、リフロー処理することによって導電性物５を溶融し、電極パッド２と導電性物５とを直接に接合し、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７ａを形成する。その後、基板１に対して、フラックス洗浄を行った後、乾燥する。
【００３９】
図５に示したように、電極パッド２を覆うフラックス６ａがパッド間の保護膜２上にも形成された場合、リフロー処理時において、フラックス６ａは軟化して広がり、また、導電性物５がフラックス６ａ内で移動するセルフアライメントによって、隣接する電極バンプ７ａ同士が接続して形成されてしまう原因となる。このため、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【００４０】
なお、無洗浄用フラックスを用いた場合であっても、微細化・狭ピッチの電極パッド２上に形成されたフラックス６ａでは、導電性物５と電極パッド２との接合以外に用いられる余分なフラックスも存在してしまう。このため、導電性物５がフラックス６ａ内で移動するセルフアライメントによって、隣接する電極バンプ７ａ同士が接続して形成されてしまう原因となり、半導体パッケージの製造歩留まりを低下させてしまう。
【００４１】
また、半導体装置の高性能・小型化に伴って、電極バンプ径が小さくなり、またバンプ間も狭ピッチとなると、洗浄を行ってもバンプ間にフラックス６ａが残存してしまう。フラックスの残渣は、バンプ間の絶縁性が確保できずバンプ間でショートの原因となり、また配線に用いられる金属の腐食を引き起こすため、半導体パッケージの信頼性を低下させてしまう。
【００４２】
そこで、本実施の形態では、導電性物５の表面全体をコーティング剤６でコーティングし、電極パッド２上にコーティング剤６でコーティングされた導電性物５を載置した後、導電性物５に対して熱処理を施すことによって、電極パッド２と電気的に接続された電極バンプ７を形成している。ボール状の導電性物５には、その大きさに付随した量のコーティング剤６が付着し、余分なフラックスを付着させないようにできるので、フラックス残渣の発生を抑制することができる。さらに、コーティング剤６の量が、導電性物５の表面全体をコーティングするだけの量であるため、そのすべてが電極パッド２と導電性物５とを接合するために用いられ、フラックス残渣の発生を抑制することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、コーティング剤６は無洗浄用フラックスを用いているので、フラックス洗浄の必要はないが、洗浄が必要なフラックスを用いた場合であっても、フラックスの量が少ないので、フラックス残渣を取り除くための洗浄も不要である。また、導電性物５はセルフアライメントによってコーティング剤６内を移動することもないので、導電性物５同士の接合を抑制することができる。
【００４４】
ところで、図５、図６を参照して説明したフラックス印刷、搭載、リフロー加熱、洗浄の順で行う従来技術を用いた場合、ボール状の導電性物５（例えばはんだ）のボール径と電極パッド２のパッド径が同程度の大きさであれば、図７、図１０、図１１に示すように、ボール状の導電性物５の形状がそのまま維持された状態となる。例えばソルダレジストからなる保護膜３に形成された開口部４に、ボール状の導電性物５が近接しているため、導電性物５がボール状に維持される。しかしながら、ボール径よりもパッド径が大きい電極パッド２ａ上にボール状の導電性物５を搭載した場合では、図８、図１２、図１３に示すように、塗布されたフラックスによって導電性物５がボール形状を維持できず、潰れた半円の状態となってしまう。
【００４５】
これに対し、本実施の形態によれば、図９、図１４、図１５に示すように、導電性物５をそのボール径よりも大きいパッド径の電極パッド２ａに搭載し、仮固定の熱処理をした後、リフロー加熱した場合であっても、ボール状の導電性物５の形状がそのまま維持されたような状態で、導電性物５と電極パッド２ａとを接続することができる。余分なコーティング剤６がないため、リフロー加熱によっても、表面張力によって導電性物５はボール状が維持されたものと考えられる。
【００４６】
すなわち、ボール状の電極バンプを形成するにあたり、パッド径とボール径とを同程度にしなければならない従来技術とは異なり、本実施の形態によれば、パッド径とボール径とを同程度としなくても電極パッド上に電極バンプを形成することができる。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４８】
例えば、前記実施の形態では、電極バンプの形成方法を半導体パッケージの配線基板に適用した場合について説明したが、半導体装置（半導体チップ）にも適用することができる。例えば、図４で示した構造では、基板１として例えばＳｉ（シリコン）などの半導体基板、電極パッド２として例えばＡｕ（金）で覆われたＣｕ（銅）パッド、保護膜３としてポリイミド系樹脂のパッシベーション膜、コーティング剤６でコーティングされた導電性物５として金（Ａｕ）ボールを適用することによって、半導体チップの電極バンプとして形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、電極バンプの製造技術、特に、電極バンプを有する半導体パッケージの製造業に幅広く利用されるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１ 基板
２、２ａ 電極パッド
３ 保護膜
４ 開口部
５ 導電性物
６ コーティング剤
６ａ フラックス
７、７ａ 電極バンプ
１０ 配線基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配設された電極パッド上に電極バンプを形成する電極バンプの形成方法であって、
（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、
（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、
（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする電極バンプの形成方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程では、前記導電性物をボール状に形成することを特徴とする請求項１記載の電極バンプの形成方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記コーティング剤の液中に前記導電性物を浸漬した後、取り出した該導電性物を乾燥することによって、コーティングすることを特徴とする請求項１または２記載の電極バンプの形成方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程の熱処理が、
（ｃ１）前記コーティング剤が軟化するまで前記基板を加熱する工程と、
（ｃ２）前記導電性物の融点まで前記基板を加熱する工程と、
を含み、
前記（ｃ１）工程によって前記電極パッドと前記導電性物とが前記コーティング剤を介して仮固定し、
前記（ｃ２）工程によって前記電極パッドと前記導電性物とが直接に接合することを特徴とする請求項１、２または３記載の電極バンプの形成方法。
【請求項５】
前記フラックスは、無洗浄用であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極バンプの形成方法。
【請求項６】
前記導電性物は、はんだであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極バンプの形成方法。
【請求項７】
基板に配設された電極パッド上に電極バンプが形成された半導体パッケージの製造方法であって、
（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、
（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、
（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１】
基板に配設された電極パッド上に電極バンプを形成する電極バンプの形成方法であって、
（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、
（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、
（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする電極バンプの形成方法。
【請求項２】
前記（ａ）工程では、前記導電性物をボール状に形成することを特徴とする請求項１記載の電極バンプの形成方法。
【請求項３】
前記（ｂ）工程では、前記コーティング剤の液中に前記導電性物を浸漬した後、取り出した該導電性物を乾燥することによって、コーティングすることを特徴とする請求項１または２記載の電極バンプの形成方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程の熱処理が、
（ｃ１）前記コーティング剤が軟化するまで前記基板を加熱する工程と、
（ｃ２）前記導電性物の融点まで前記基板を加熱する工程と、
を含み、
前記（ｃ１）工程によって前記電極パッドと前記導電性物とが前記コーティング剤を介して仮固定し、
前記（ｃ２）工程によって前記電極パッドと前記導電性物とが直接に接合することを特徴とする請求項１、２または３記載の電極バンプの形成方法。
【請求項５】
前記フラックスは、無洗浄用であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極バンプの形成方法。
【請求項６】
前記導電性物は、はんだであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極バンプの形成方法。
【請求項７】
基板に配設された電極パッド上に電極バンプが形成された半導体パッケージの製造方法であって、
（ａ）前記電極バンプの基材となる導電性物を形成する工程と、
（ｂ）前記導電性物の表面全体をフラックス及び防錆剤を含むコーティング剤でコーティングする工程と、
（ｃ）前記電極パッド上に前記コーティング剤でコーティングされた前記導電性物を載置した後、該導電性物に対して熱処理を施すことによって、前記電極パッドと電気的に接続された前記電極バンプを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−２８３１３３（Ｐ２０１０−２８３１３３Ａ）
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３５０８７（Ｐ２００９−１３５０８７）
【出願日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【出願人】（０００２３９４２６）福田金属箔粉工業株式会社 (83)
【出願人】（３９００１３５０５）株式会社アサヒ化学研究所 (4)
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【出願人】（０００２３９４２６）福田金属箔粉工業株式会社 (83)
【出願人】（３９００１３５０５）株式会社アサヒ化学研究所 (4)
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